JPH07276229A - Semiconductor wafer edge section polishing device - Google Patents
Semiconductor wafer edge section polishing deviceInfo
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- JPH07276229A JPH07276229A JP6065207A JP6520794A JPH07276229A JP H07276229 A JPH07276229 A JP H07276229A JP 6065207 A JP6065207 A JP 6065207A JP 6520794 A JP6520794 A JP 6520794A JP H07276229 A JPH07276229 A JP H07276229A
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- wafer edge
- polishing
- surface roughness
- wafer
- edge portion
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- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、シリコンウエハなど
のエッジ部を研磨する半導体ウエハエッジ部研磨装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer edge polishing apparatus for polishing an edge of a silicon wafer or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】ウエハの外周面のエッジが鋭い形状とな
っていたり、表面粗さが粗いと、ウエハ取扱い中に表面
凹凸の微小な先端が欠けてチッピングや微細な粉塵を生
じやすい。このような粉塵は飛散して、クリーンルーム
などの環境を汚染する。このため、ウエハの外周面はウ
エハの厚み方向にも滑らかな円弧面となっており、その
表面粗さも0.1μm Rmax 以下のいわゆる鏡面仕上げ
とすることが求められている。2. Description of the Related Art If the edge of the outer peripheral surface of a wafer is sharp or the surface roughness is rough, minute tips of surface irregularities are chipped during wafer handling, and chipping or fine dust is likely to occur. Such dust is scattered and pollutes the environment such as a clean room. For this reason, the outer peripheral surface of the wafer is an arc surface which is smooth also in the thickness direction of the wafer, and the surface roughness thereof is required to be a so-called mirror surface finish of 0.1 μm R max or less.
【0003】研磨装置の研磨材は研磨作業に従って研磨
能力が低下するので、次第に研磨作業時間が長くなる。
このため、エッジ部表面の表面粗さを測定し、測定結果
を研磨作業に反映させて所要のエッジ部の表面粗さを維
持するように作業時間や加工条件を変えて研磨作業を行
うようにしている。Since the polishing ability of the polishing material of the polishing apparatus decreases as the polishing operation is performed, the polishing operation time gradually increases.
Therefore, the surface roughness of the surface of the edge part is measured, and the polishing result is reflected in the polishing work so that the polishing work is performed by changing the working time and processing conditions so as to maintain the required surface roughness of the edge part. ing.
【0004】従来の研磨作業では、適当な時期に抜き取
ったサンプルウエハの一部分を切り出し、測定試料とし
ていた。測定試料について走査型電子顕微鏡や表面粗さ
計などでウエハエッジ部の表面粗さを限界サンプルと比
較観察したり、測定することによって研磨材の取替え時
期などを判断していた。In the conventional polishing work, a part of the sample wafer taken out at an appropriate time was cut out and used as a measurement sample. With respect to the measurement sample, the surface roughness of the wafer edge portion was compared and observed with a limit sample with a scanning electron microscope, a surface roughness meter, or the like, and the replacement time of the abrasive was determined by measuring.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来で
は、ウエハエッジ部表面の測定のために、サンプルウエ
ハから測定試料を切り出していた。このために、表面粗
さの測定結果を得るまでに長時間を要していた。測定結
果が得られるまで研磨作業を中断すると、作業能率が低
下する。As described above, conventionally, a measurement sample is cut out from a sample wafer in order to measure the surface of the wafer edge portion. For this reason, it took a long time to obtain the measurement result of the surface roughness. If the polishing operation is interrupted until the measurement result is obtained, the work efficiency decreases.
【0006】また、研磨布が損傷したり、砥粒の供給量
が不安定になったりした場合、これらの異常に気づかず
に研磨作業を続けると、大量の不合格品を出すおそれが
あった。さらに、測定試料が切り出されたサンプルウエ
ハは製品として出荷できないので、スクラップとなって
いた。これらのことから、歩留りの低下を招いていた。Further, when the polishing cloth is damaged or the amount of abrasive grains supplied becomes unstable, if the polishing work is continued without noticing these abnormalities, a large amount of rejected products may be produced. . Furthermore, the sample wafer from which the measurement sample has been cut out cannot be shipped as a product, and therefore has been scrapped. For these reasons, the yield is reduced.
【0007】この発明は、研磨作業能率および歩留りの
向上を図ることができる半導体ウエハエッジ部研磨装置
を提供しようとするものである。The present invention is intended to provide a semiconductor wafer edge portion polishing apparatus capable of improving the polishing work efficiency and the yield.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体ウエ
ハエッジ部研磨装置は、回転可能な円筒状の研磨布と、
研磨しようとするウエハエッジ面が研磨布の表面に接す
るようにウエハを保持・回転することができる機構を備
え、ウエハを回転させながらウエハエッジ部を研磨する
研磨装置において、検出端がウエハエッジ部に近接する
ようにして配置された表面粗さ検出器を備えている。A semiconductor wafer edge polishing apparatus according to a first aspect of the present invention comprises a rotatable cylindrical polishing cloth,
In a polishing apparatus that has a mechanism capable of holding and rotating a wafer so that the wafer edge surface to be polished is in contact with the surface of a polishing cloth, and a polishing device that polishes the wafer edge portion while rotating the wafer, the detection end is close to the wafer edge portion The surface roughness detector thus arranged is provided.
【0009】研磨手段は通常の研磨布を取り付けた研磨
ホイール、研磨ディスク、研磨ベルトなどが用いられ
る。ウエハ保持手段としては、回転可能に支持された真
空チャックが適している。研磨手段およびウエハ保持手
段は、減速機付きモータなどにより回転駆動される。ま
た、表面粗さ検出装置として、レーザ干渉計表面粗さ検
出器、反射型レーザ変位計などが用いられる。これら表
面粗さ検出器は、エッジ部表面に非接触で表面粗さを検
出可能である。As the polishing means, a polishing wheel to which a normal polishing cloth is attached, a polishing disk, a polishing belt and the like are used. A vacuum chuck rotatably supported is suitable as the wafer holding means. The polishing means and the wafer holding means are rotationally driven by a motor with a speed reducer or the like. A laser interferometer surface roughness detector, a reflection type laser displacement meter, etc. are used as the surface roughness detecting device. These surface roughness detectors can detect the surface roughness without contacting the surface of the edge portion.
【0010】上記装置において、あらかじめ設定された
基準表面粗さと表面粗さの検出値とを比較する手段を設
けるようにしてもよい。比較手段として、アナログもし
くはディジタル比較回路、またはコンピュータが用いら
れる。The above apparatus may be provided with means for comparing a preset reference surface roughness with a detected value of the surface roughness. An analog or digital comparison circuit or a computer is used as the comparison means.
【0011】第2の発明の半導体ウエハエッジ部研磨装
置は、回転可能な円筒状の研磨布と、研磨しようとする
ウエハエッジ面が研磨布の表面に接するようにウエハを
保持・回転することができる機構を備え、ウエハを回転
させながらウエハエッジ部を研磨する研磨装置におい
て、検出端がウエハエッジ部に近接するようにして配置
された表面粗さ検出器と、表面粗さ検出器からの信号に
基づき表面粗さの減少量を演算する手段とを備えてい
る。A semiconductor wafer edge polishing apparatus according to a second aspect of the present invention includes a rotatable cylindrical polishing cloth and a mechanism capable of holding and rotating a wafer so that the wafer edge surface to be polished contacts the surface of the polishing cloth. In the polishing apparatus for polishing the wafer edge portion while rotating the wafer, the surface roughness detector is arranged so that the detection end is close to the wafer edge portion, and the surface roughness is detected based on the signal from the surface roughness detector. And means for calculating the reduction amount of the height.
【0012】研磨手段、ウエハ保持手段、および表面粗
さ検出器は第1の発明の装置と同じである。表面粗さの
減少量をあらかじめ設定した基準減少量と比較する手段
を設けてもよい。演算手段および比較手段として、アナ
ログもしくはディジタルの演算回路や比較回路、または
コンピュータが用いられる。The polishing means, the wafer holding means, and the surface roughness detector are the same as those of the apparatus of the first invention. A means for comparing the reduction amount of the surface roughness with a preset reference reduction amount may be provided. An analog or digital arithmetic circuit, a comparison circuit, or a computer is used as the arithmetic means and the comparison means.
【0013】上記第1の発明および第2の発明の半導体
ウエハエッジ部研磨装置において、表面粗さ検出器を収
納し、ウエハエッジ部の一部を覆うハウジングと、ウエ
ハエッジ部が進入してくる、ハウジングの入口でウエハ
表面の水分を除去するためにウエハエッジ部に空気を噴
射するエアノズルを設けることが望ましい。また、表面
粗さ検出器の検出端がウエハエッジ部をウエハ円周方向
に沿って波状に走査するように、表面粗さ検出器の本体
を揺動する揺動機構を設けてもよい。揺動機構としてク
ランクやカムなどが用いられる。In the semiconductor wafer edge polishing apparatus according to the first and second aspects of the present invention, there are provided a housing for accommodating the surface roughness detector and covering a part of the wafer edge, and a housing for the wafer edge to enter. It is desirable to provide an air nozzle for injecting air to the wafer edge portion in order to remove water on the wafer surface at the inlet. Further, a swinging mechanism for swinging the body of the surface roughness detector may be provided so that the detection end of the surface roughness detector scans the wafer edge portion in a wave shape along the wafer circumferential direction. A crank or cam is used as the swing mechanism.
【0014】[0014]
【作用】第1の発明の半導体ウエハエッジ部研磨装置
は、ウエハを回転させながらウエハエッジ部を研磨し、
ウエハ研磨中に表面粗さ検出器によりウエハエッジ部の
表面粗さを非接触で検出する。The semiconductor wafer edge polishing apparatus of the first invention polishes the wafer edge while rotating the wafer,
During the wafer polishing, the surface roughness detector detects the surface roughness of the wafer edge portion in a non-contact manner.
【0015】基準表面粗さと表面粗さの検出値とを比較
する手段を備えた装置では、基準表面粗さに研磨された
時に自動的に研磨作業を終えるようにすることができ
る。また、あらかじめ設定した基準研磨時間内で基準表
面粗さに達しない場合、研磨布を取り替える警告を発し
たり、自動的に交換する機構を備えることもできる。In the apparatus provided with the means for comparing the reference surface roughness and the detected value of the surface roughness, the polishing operation can be automatically terminated when the reference surface roughness is polished. Further, when the reference surface roughness is not reached within a preset reference polishing time, a mechanism for issuing a warning to replace the polishing cloth or automatically replacing the polishing cloth may be provided.
【0016】第2の発明の半導体ウエハエッジ部研磨装
置は、第1の発明と同様にウエハ研磨中に表面粗さを検
出する。検出された表面粗さは表面粗さ検出器から演算
手段に入力され、演算手段は表面粗さの減少量を演算す
る。The semiconductor wafer edge polishing apparatus of the second invention detects the surface roughness during wafer polishing as in the first invention. The detected surface roughness is input to the calculating means from the surface roughness detector, and the calculating means calculates the decrease amount of the surface roughness.
【0017】基準減少量と比較する手段を備えた装置で
は、第1の発明と同様に研磨布取替えの警告を発した
り、研磨布を自動的に交換する機構を備えることができ
る。In the apparatus provided with the means for comparing with the reference reduction amount, as in the first aspect of the invention, it is possible to provide a mechanism for issuing a warning to replace the polishing cloth or automatically changing the polishing cloth.
【0018】上記第1および第2の装置において、ハウ
ジングを備えた装置では研磨液や研磨粉の飛散から表面
粗さ検出器を保護する。また、エアノズルは加圧空気の
噴射によりウエハエッジ部表面に付着した研磨液や研磨
粉を除去し、ウエハエッジ部表面の汚れによる測定誤差
を防ぐ。揺動機構を備えた装置では、揺動機構により表
面粗さをウエハ円周方向に沿って波状に検出するため、
ウエハエッジ部の厚み方向に多くのデータを得ることが
できる。このため、更に高い精度で研磨作業を管理でき
る。In the above-mentioned first and second devices, the device having the housing protects the surface roughness detector from the scattering of the polishing liquid and the polishing powder. Further, the air nozzle removes the polishing liquid and the polishing powder adhering to the surface of the wafer edge portion by jetting the pressurized air, and prevents a measurement error due to contamination of the surface of the wafer edge portion. In an apparatus equipped with a rocking mechanism, the rocking mechanism detects the surface roughness in a wavy shape along the wafer circumferential direction.
A lot of data can be obtained in the thickness direction of the wafer edge portion. Therefore, the polishing work can be managed with higher accuracy.
【0019】[0019]
【実施例】図1は、第1の発明の実施例を示している。
シリコンウエハエッジ部研磨装置は、研磨ホイール11
の本体12に研磨布13が取り付けられており、研磨ホ
イール11は減速機付きモータ15で回転駆動される。
研磨ホイール11と接するシリコンウエハ1のエッジ部
3に向かって、研磨液供給ノズル17が配置されてい
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an embodiment of the first invention.
The silicon wafer edge polishing apparatus is provided with a polishing wheel 11
A polishing cloth 13 is attached to the main body 12 of the above, and the polishing wheel 11 is rotationally driven by a motor 15 with a speed reducer.
A polishing liquid supply nozzle 17 is arranged toward the edge portion 3 of the silicon wafer 1 which is in contact with the polishing wheel 11.
【0020】研磨ホイール11に隣接して真空チャック
19が配置されており、真空チャック19は減速機付き
モータ21で回転駆動される。真空チャック19は、ウ
エハ面2が回転軸に直角となるようにしてシリコンウエ
ハ1を保持する。A vacuum chuck 19 is arranged adjacent to the polishing wheel 11, and the vacuum chuck 19 is rotationally driven by a motor 21 with a speed reducer. The vacuum chuck 19 holds the silicon wafer 1 so that the wafer surface 2 is perpendicular to the rotation axis.
【0021】研磨ホイール11とは反対側に、ハウジン
グ23が配置されている。ハウジング23の下部に開口
24が設けられており、この開口24を通ってシリコン
ウエハ1のエッジ部3がハウジング23内を通過する。
また、ハウジング23の開口入側にエアノズル25が配
置されている。エアノズル25には、加圧空気源(図示
しない)から加圧空気が供給される。A housing 23 is arranged on the side opposite to the polishing wheel 11. An opening 24 is provided in the lower portion of the housing 23, and the edge portion 3 of the silicon wafer 1 passes through the housing 23 through the opening 24.
An air nozzle 25 is arranged on the opening entrance side of the housing 23. Pressurized air is supplied to the air nozzle 25 from a pressurized air source (not shown).
【0022】ハウジング23内に反射レーザ式の表面粗
さ検出器27が配置されている。表面粗さ検出器27の
検出端29は、ウエハエッジ部3に近接している。表面
粗さ検出器27は、アンプ31を介してコンピュータ3
2に接続されている。A reflection laser type surface roughness detector 27 is arranged in the housing 23. The detection end 29 of the surface roughness detector 27 is close to the wafer edge portion 3. The surface roughness detector 27 is connected to the computer 3 via the amplifier 31.
Connected to 2.
【0023】上記のように構成された研磨装置におい
て、研磨ホイール11および真空チャック19を回転さ
せ、研磨液供給ノズル17から研磨液をウエハエッジ部
3に供給しながら、ウエハエッジ部3を研磨する。エア
ノズル25から噴射された加圧空気は、ウエハエッジ部
表面に付着した研磨液や研磨粉を除去し、清浄な面とす
る。そして、ハウジング23内で表面粗さ検出器27に
よりウエハエッジ部3の表面粗さを非接触で検出する。
検出された表面粗さは、表示装置33に表示される。In the polishing apparatus configured as described above, the polishing wheel 11 and the vacuum chuck 19 are rotated, and the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 17 to the wafer edge portion 3 while polishing the wafer edge portion 3. The pressurized air jetted from the air nozzle 25 removes the polishing liquid and polishing powder adhering to the surface of the wafer edge portion to form a clean surface. Then, the surface roughness detector 27 in the housing 23 detects the surface roughness of the wafer edge portion 3 in a non-contact manner.
The detected surface roughness is displayed on the display device 33.
【0024】図2は、第2の発明の実施例を示してい
る。なお、図1に示す装置および部材と同様の装置およ
び部材には同一の参照符号を付け、その説明は省略す
る。ハウジング23内に揺動機構35の案内板36が固
定されており、案内板36には円弧状の案内溝37が設
けられている。表面粗さ検出器27の検出器本体28が
固定された揺動板38に設けられたピン39が案内溝3
7にはめ合っている。また、揺動板38にはクランク機
構を介してモータが接続されており、モータの駆動によ
り検出器本体28は案内溝37に沿って揺動する。FIG. 2 shows an embodiment of the second invention. It should be noted that the same reference numerals are given to the same devices and members as those shown in FIG. 1, and the description thereof will be omitted. A guide plate 36 of the swing mechanism 35 is fixed in the housing 23, and an arc-shaped guide groove 37 is provided in the guide plate 36. The pin 39 provided on the oscillating plate 38 to which the detector body 28 of the surface roughness detector 27 is fixed has the guide groove 3
It fits in 7. A motor is connected to the rocking plate 38 via a crank mechanism, and the detector body 28 rocks along the guide groove 37 by driving the motor.
【0025】表面粗さ検出器27は、アンプ31を経て
コンピュータ32に接続されている。コンピュータ32
は、表示装置33に接続されている。The surface roughness detector 27 is connected to a computer 32 via an amplifier 31. Computer 32
Are connected to the display device 33.
【0026】上記のように構成された装置において、揺
動機構35を駆動して検出器27を揺動させ、検出端2
9がサイン状の曲線を描くようにしてウエハエッジ部3
を走査し、表面粗さを検出する。検出された表面粗さ
は、アンプ31を経てコンピュータ32に入力される。
コンピュータ32は、あらかじめ設定された基準表面粗
さと表面粗さ検出値とを比較する。その結果は表示装置
33に表示される。そして、ウエハエッジ部3が基準表
面粗さに研磨されたならば、研磨ホイール11を停止
し、研磨作業を終える。また、基準研磨時間内で基準表
面粗さに達しない場合には、研磨布13を取り替えるよ
う警告を発する。In the apparatus constructed as described above, the swinging mechanism 35 is driven to swing the detector 27, and the detecting end 2
Wafer edge part 3 as 9 draws a sine-shaped curve
Is scanned to detect the surface roughness. The detected surface roughness is input to the computer 32 via the amplifier 31.
The computer 32 compares the reference surface roughness set in advance with the surface roughness detection value. The result is displayed on the display device 33. Then, when the wafer edge portion 3 is polished to the reference surface roughness, the polishing wheel 11 is stopped and the polishing operation is finished. If the reference surface roughness is not reached within the reference polishing time, a warning is issued to replace the polishing cloth 13.
【0027】[0027]
【発明の効果】この発明では、半導体ウエハの研磨作業
においてウエハエッジ部の表面粗さをインラインで測定
することができる。このために、表面粗さの測定時間が
短縮され、また測定結果を研磨作業に直ちにフィードバ
ックすることができるので、作業能率および歩留りの向
上を図ることができる。According to the present invention, the surface roughness of the wafer edge portion can be measured inline during the polishing operation of the semiconductor wafer. Therefore, the time for measuring the surface roughness can be shortened and the measurement result can be immediately fed back to the polishing work, so that the work efficiency and the yield can be improved.
【図1】第1の発明の実施例を示すもので、半導体ウエ
ハエッジ部研磨装置の構成図である。FIG. 1 shows an embodiment of the first invention, and is a block diagram of a semiconductor wafer edge portion polishing apparatus.
【図2】第2の発明の実施例を示すもので、半導体ウエ
ハエッジ部研磨装置の構成図である。FIG. 2 shows an embodiment of the second invention and is a configuration diagram of a semiconductor wafer edge portion polishing apparatus.
1 半導体ウエハ 2 ウエハ表面 3 ウエハエッジ部 11 研磨ホイール 12 本体 13 研磨布 15 研磨ホイール駆動用モータ 19 真空チャック 21 真空チャック駆動用モータ 23 ハウジング 24 開口部 25 エアノズル 27 表面粗さ検出器 29 検出端 31 アンプ 32 コンピュータ 33 表示装置 35 揺動機構 36 案内板 37 案内溝 38 揺動板 1 Semiconductor Wafer 2 Wafer Surface 3 Wafer Edge 11 Polishing Wheel 12 Main Body 13 Polishing Cloth 15 Polishing Wheel Driving Motor 19 Vacuum Chuck 21 Vacuum Chuck Driving Motor 23 Housing 24 Opening 25 Air Nozzle 27 Surface Roughness Detector 29 Detecting End 31 Amplifier 32 computer 33 display device 35 swing mechanism 36 guide plate 37 guide groove 38 swing plate
Claims (6)
うとするウエハエッジ面が研磨布の表面に接するように
ウエハを保持・回転することができる機構を備え、ウエ
ハを回転させながらウエハエッジ部を研磨する研磨装置
において、検出端がウエハエッジ部に近接するようにし
て配置された表面粗さ検出器を備えた半導体ウエハエッ
ジ部研磨装置。1. A wafer edge portion provided with a rotatable cylindrical polishing cloth and a mechanism capable of holding and rotating the wafer so that a wafer edge surface to be polished contacts the surface of the polishing cloth. A polishing apparatus for polishing a semiconductor wafer edge part, comprising a surface roughness detector arranged so that a detection end is close to a wafer edge part.
面粗さ検出値とを比較する手段を備えた請求項1記載の
半導体ウエハエッジ部研磨装置。2. The semiconductor wafer edge polishing apparatus according to claim 1, further comprising means for comparing a preset reference surface roughness with a surface roughness detection value.
うとするウエハエッジ面が研磨布の表面に接するように
ウエハを保持・回転することができる機構を備え、ウエ
ハを回転させながらウエハエッジ部を研磨する研磨装置
において、検出端がウエハエッジ部に近接するようにし
て配置された表面粗さ検出器と、表面粗さ検出器からの
信号に基づき表面粗さの減少量を演算する手段とを備え
た半導体ウエハエッジ部研磨装置。3. A rotatable polishing cloth, and a mechanism capable of holding and rotating the wafer so that the wafer edge surface to be polished contacts the surface of the polishing cloth, and the wafer edge portion is rotated while rotating the wafer. In the polishing apparatus for polishing, the surface roughness detector is arranged such that the detection end is close to the wafer edge portion, and means for calculating the decrease amount of the surface roughness based on the signal from the surface roughness detector. A semiconductor wafer edge polishing apparatus provided.
基準減少量と比較する手段を備えた請求項3記載の半導
体ウエハエッジ部研磨装置。4. The semiconductor wafer edge polishing apparatus according to claim 3, further comprising means for comparing the reduction amount of the surface roughness with a preset reference reduction amount.
部の一部を覆うハウジングと、ウエハエッジ部が進入し
てくる、ハウジングの入口でウエハ表面の水分を除去す
るためにウエハエッジ部に空気を噴射するエアノズルと
を備えた請求項1または3記載の半導体ウエハエッジ部
研磨装置。5. A housing for accommodating a surface roughness detector and covering a part of the wafer edge portion, and air for adhering the wafer edge portion to remove water on the wafer surface at the entrance of the housing into which the wafer edge portion enters. The semiconductor wafer edge portion polishing apparatus according to claim 1, further comprising an air nozzle for jetting.
部をウエハ円周方向に沿って波状に走査するように、表
面粗さ検出器の本体を揺動する揺動機構を備えた請求項
1または3記載の半導体ウエハエッジ部研磨装置。6. A swing mechanism for swinging the main body of the surface roughness detector so that the detection end of the surface roughness detector scans the wafer edge portion in a wave shape along the wafer circumferential direction. The semiconductor wafer edge portion polishing apparatus according to 1 or 3.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6065207A JPH07276229A (en) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | Semiconductor wafer edge section polishing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6065207A JPH07276229A (en) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | Semiconductor wafer edge section polishing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07276229A true JPH07276229A (en) | 1995-10-24 |
Family
ID=13280247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6065207A Pending JPH07276229A (en) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | Semiconductor wafer edge section polishing device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH07276229A (en) |
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