KR19990043719A - Chemical Injector of Semiconductor Manufacturing Equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조장비에서 반도체 제조공정중 마스크(mask)의 상면으로 캐미칼(chemical)을 골고루 분사하는 캐미칼 분사장치에 관한 것으로 척에 로딩된 마스크의 표면에 캐미칼을 분사시키지 않고 무화(霧化)시켜 안개상태로 항상 균일하게 분포되도록 한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical injector for injecting chemicals evenly onto a top surface of a mask during a semiconductor manufacturing process in a semiconductor manufacturing equipment. To make it evenly distributed in a fog state.
이를 위해, 공급되는 캐미칼이 무화되는 무화실(7)과, 상기 무화실에 연결되어 캐미칼을 무화실내부로 공급하는 캐미칼 공급관(8)과, 상기 무화실내에 설치되어 공급된 캐미칼에 열을 가해 무화시키는 가열수단(9)과, 상기 가열수단에 전원을 공급하는 전원부(10)와, 상기 무화실의 하부에 설치되어 캐미칼을 분사하는 노즐(11)과, 상기 무화실내에 연결되어 무화된 상태로 존재하는 캐미칼에 분사 압력을 제공하는 N2공급관(13)으로 구성되어 있어 챔버의 내부에 항상 무화된 캐미칼이 균일하게 분포되므로 양질의 웨이퍼를 얻게 된다.To this end, to the atomization chamber (7) in which the supplied chemical is atomized, the chemical supply pipe (8) connected to the atomization chamber and supplying the chemical into the atomization chamber, and the chemicals installed and supplied in the atomization chamber A heating means 9 for applying atomization to heat, a power supply unit 10 for supplying power to the heating means, a nozzle 11 installed below the atomization chamber to spray chemicals, and connected in the atomization chamber It is composed of an N 2 supply pipe 13 to provide a spray pressure to the chemical present in the atomized state and the atomized chemical is always uniformly distributed inside the chamber to obtain a good wafer.
Description
본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로써, 좀 더 구체적으로는 반도체 제조공정중 마스크(mask)의 상면으로 캐미칼(chemical)을 골고루 분사하는 캐미칼 분사장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a chemical injector for uniformly injecting chemicals onto an upper surface of a mask during a semiconductor manufacturing process.
일반적으로 반도체 제조공정중 캐미칼을 분사하는 공정에는 캐미칼이 분사되는 노즐의 각도조절을 통해 마스크상에 현상용 캐미칼을 분사하는 현상(Develop)공정, 크롬 부식제(Etchant)를 분사하는 에칭공정, 스트립 캐미칼을 분사하는 레지스트 스트립(resist strip)공정, 린스 캐미칼을 분사하는 린스(rinse)공정 등 다양하게 사용되고 있다.In general, in the process of chemical injection in the semiconductor manufacturing process, the development process of spraying the developing chemical onto the mask by adjusting the angle of the nozzle in which the chemical is sprayed, the etching process of spraying the chromium etchant. For example, a resist strip process for spraying strip chemicals and a rinse process for spraying rinse chemicals are used.
도 1은 종래의 장치를 나타낸 개략도로써, 2개의 노즐(1)이 상부에 일정각도 경사지게 설치되어 있어 마스크(2)가 척(3)에 로딩된 상태에서 노즐(1)을 통해 각 공정에 알맞는 캐미칼을 마스크(2)의 상면으로 분사하므로써, 현상, 에칭, 스트립, 린스공정을 수행하게 된다.1 is a schematic view showing a conventional apparatus, in which two nozzles 1 are inclined at an angle to an upper portion thereof so that the mask 2 is loaded on the chuck 3 to know each process through the nozzles 1. By spraying the matching chemical onto the upper surface of the mask 2, the development, etching, stripping and rinsing processes are performed.
각 공정에 알맞게 콘트롤부를 조작하여 공정을 수행하면 캐미칼 용액병(4)내에 담겨져 있던 캐미칼이 유량 조절계(5)를 거쳐 유량이 조절된 상태에서 필터(6)를 통과하면서 불순물 등이 필터링된 다음 노즐(1)을 통해 마스크(2)의 상면으로 분사된다.When the process is performed by operating the control unit appropriately for each process, the impurities contained in the chemical solution bottle 4 pass through the filter 6 while the flow rate is regulated through the flow rate meter 5 to filter impurities and the like. The nozzle 1 is then sprayed onto the upper surface of the mask 2.
이때, 상기 노즐(1)을 통해 분사되는 캐미칼의 분사각도는 도 2에 나타낸 바와 같이 약 73°로써, 도 3에 빗금친 부분과 같이 마스크(2)의 표면에 분포된다.At this time, the injection angle of the chemical sprayed through the nozzle 1 is about 73 ° as shown in FIG. 2, and is distributed on the surface of the mask 2 as shown by hatched portions in FIG. 3.
따라서 척(3)에 로딩된 마스크(2)의 전면을 커버하기 위해서는 2개의 노즐(1)에서 분사되는 캐미칼이 상호 중첩되도록 노즐의 각도를 조절함과 동시에 척(3)을 일정 회전수로 회전시켜 주어야 마스크의 표면으로 분사되는 캐미칼이 사방으로 골고루 퍼지게 된다.Therefore, in order to cover the front surface of the mask 2 loaded on the chuck 3, the angle of the nozzle is adjusted so that the chemicals injected from the two nozzles 1 overlap each other, and the chuck 3 is rotated at a predetermined rotation speed. It must be rotated so that the chemical sprayed onto the surface of the mask can be evenly distributed in all directions.
그러나 이러한 종래의 장치는 2개의 노즐(1)에서 상호 중첩되게 캐미칼을 분사하므로 인해 도 3에 점선으로 나타낸 바와 같이 마스크(2)의 중앙부분이 오버랩되고, 이에 따라 마스크(2)의 중앙부분이 다른 부분에 비하여 과도하게 현상 또는 에칭되는 문제가 발생된다.However, such a conventional apparatus injects the chemicals in two nozzles 1 so as to overlap each other, so that the center portion of the mask 2 overlaps as indicated by the dotted line in FIG. 3, and thus the center portion of the mask 2. The problem of excessive development or etching occurs in comparison with this other part.
또한, 마스크(2)의 상측에 설치된 노즐(1)의 각도가 변화되면 캐미칼이 분사되는 위치도 변하게 되므로 균질성(uniformity)의 불안을 초래하게 된다.In addition, when the angle of the nozzle 1 provided on the upper side of the mask 2 is changed, the position at which the chemical is injected is also changed, resulting in anxiety of uniformity.
즉, 공정진행시 주변환경에 따른 진동이나, 척의 회전에 따른 진동 등으로 인해 셋팅된 노즐의 각도가 미세하게 변화되기 때문이다.That is, because the angle of the nozzle set by the vibration due to the surrounding environment, the vibration due to the rotation of the chuck during the process progress is changed slightly.
본 발명은 종래의 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로써, 척에 로딩된 마스크의 표면에 캐미칼을 분사시키지 않고 무화(霧化)시켜 안개상태로 항상 균일하게 분포되도록 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve such a problem in the prior art, and its object is to make it uniformly distributed in a fog state without atomizing the chemical on the surface of the mask loaded on the chuck. .
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 공급되는 캐미칼이 무화되는 무화실과, 상기 무화실에 연결되어 캐미칼을 무화실내부로 공급하는 캐미칼 공급관과, 상기 무화실내에 설치되어 공급된 캐미칼에 열을 가해 무화시키는 가열수단과, 상기 가열수단에 전원을 공급하는 전원부와, 상기 무화실의 하부에 설치되어 캐미칼을 분사하는 노즐과, 상기 무화실내에 연결되어 무화된 상태로 존재하는 캐미칼에 분사 압력을 제공하는 N2공급관으로 구성된 반도체 제조장비의 캐미칼 분사장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, the atomization chamber to be supplied with the chemical atomized, the chemical supply pipe connected to the atomization chamber for supplying the chemical into the atomization chamber, and installed and supplied in the atomization chamber A heating means for heating the chemical to atomize it, a power supply for supplying power to the heating means, a nozzle installed at the lower part of the atomizing chamber to inject the chemical, and being present in the atomized state connected to the atomizing chamber There is provided a chemical injector of a semiconductor manufacturing equipment consisting of an N 2 supply pipe providing an injection pressure to the chemical.
도 1은 종래의 장치를 나타낸 개략도1 is a schematic view showing a conventional apparatus
도 2는 종래의 장치에서 1개의 노즐로부터 캐미칼이 분사되는 상태도Figure 2 is a state in which the chemical is injected from one nozzle in the conventional device
도 3은 종래 장치의 평면도3 is a plan view of a conventional device
도 4는 본 발명을 나타낸 개략도4 is a schematic view showing the present invention
도 5는 본 발명에서 캐미칼이 분포되는 상태의 평면도Figure 5 is a plan view of a state in which the chemical is distributed in the present invention
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
7 : 무화실 8 : 캐미칼 공급관7: atomization chamber 8: chemical supply pipe
9 : 가열수단 10 : 전원부9 heating means 10 power supply
11 : 노즐 12 : 노즐 팁11: nozzle 12: nozzle tip
12a : 미세 분사공 13 : N2공급관12a: fine injection hole 13: N 2 supply pipe
이하, 본 발명을 일 실시예로 도시한 도 4 및 도 5를 참고하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 4 and 5 as an embodiment.
도 4는 본 발명을 나타낸 개략도이고 도 5는 본 발명에서 캐미칼이 분포되는 상태의 평면도로써, 본 발명은 챔버(도시는 생략함)내에 공급되는 캐미칼이 무화되는 무화실(7)이 설치되어 있고 상기 무화실의 상부에는 캐미칼을 무화실내부로 공급하는 캐미칼 공급관(8)이 연결되어 있으며 상기 무화실(7)의 내부에는 공급된 캐미칼에 열을 가해 무화시키는 가열수단(9)이 설치되어 있다.FIG. 4 is a schematic view showing the present invention, and FIG. 5 is a plan view of a state in which the chemicals are distributed in the present invention. In the present invention, the atomization chamber 7 in which the chemicals supplied to the chamber (not shown) is atomized is installed. The upper part of the atomization chamber is connected to the chemical supply pipe (8) for supplying the chemical into the inside of the atomization chamber, and inside the atomization chamber (7), heating means (9) for heating and atomizing the supplied chemicals Is installed.
상기 가열수단이 본 발명의 일 실시예에서는 전원부(10)에 의해 전원이 인가됨에 따라 발열하는 코일로 구성되어 있다.In one embodiment of the present invention, the heating means is composed of a coil that generates heat as power is applied by the power supply unit 10.
그리고 상기 무화실(7)의 하부에 무화된 캐미칼을 마스크(2)측으로 분사하는 노즐(11)이 설치되어 있고 상기 노즐에는 미세 분사공(12a)이 형성된 노즐 팁(12)이 착탈 가능하게 설치되어 있는데, 상기 노즐 팁(12)에 형성된 미세 분사공(12a)을 노즐 팁의 측면까지 연장되게 형성하는 것이 바람직하다.A nozzle 11 for injecting atomized chemical to the mask 2 side is provided in the lower part of the atomization chamber 7, and the nozzle tip 12 having the fine injection hole 12a is detachably attached to the nozzle. Although it is installed, it is preferable to form the fine injection hole (12a) formed in the nozzle tip 12 to extend to the side of the nozzle tip.
이는, 무화된 캐미칼을 보다 넓은 면적으로 분사하여 챔버내에 골고루 분포되도록 하기 위함이다.This is to spray the atomized chemical to a larger area so that it is evenly distributed in the chamber.
상기 노즐(11)에 착탈가능하게 결합된 노즐 팁(12)의 종류에 따라 무화된 캐미칼의 분사각도를 각각 달리할 수 있다.Depending on the type of the nozzle tip 12 detachably coupled to the nozzle 11, the spray angle of the atomized chemical may be varied.
또한, 상기 무화실(7)의 상부 일측에는 무화된 상태로 존재하는 캐미칼에 분사 압력을 제공하는 N2공급관(13)이 연결되어 있다.In addition, the upper side of the atomization chamber (7) is connected to the N 2 supply pipe 13 for providing the injection pressure to the chemical present in the atomized state.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention configured as described above is as follows.
종래의 공정과 마찬가지로 각 공정에 알맞게 콘트롤부를 조작하여 공정을 수행하면 캐미칼 용액병(4)내에 담겨져 있던 캐미칼이 유량 조절계(5)를 거쳐 유량이 조절된 상태에서 필터(6)를 통과하면서 불순물 등이 필터링된 다음 무화실(7)의 내부에 설치된 가열수단(9)으로 유입된다.As in the conventional process, when the control unit is operated in accordance with each process to perform the process, the chemical contained in the chemical solution bottle 4 passes through the filter 6 while the flow rate is regulated through the flow controller 5. Impurities and the like are filtered and then flowed into the heating means 9 installed inside the atomization chamber 7.
이와 같이 캐미칼이 가열수단(9)인 코일의 내부를 통과하면 상기 코일에는 전원부(10)에 의해 전원이 인가되어 있어 고온으로 발열하고 있으므로 통과되는 캐미칼이 미세한 입자로 무화된다.In this way, when the chemical passes through the inside of the coil, which is the heating means 9, the power is applied to the coil by the power supply unit 10 and generates heat at a high temperature.
상기 가열수단(9)에 의해 미세한 입자상태로 무화된 캐미칼은 N2공급관(13)을 통해 유입되는 N2의 압력에 의해 노즐(11)을 통해 하방으로 분사되는데, 상기 노즐(11)에는 도 4에 나타낸 바와 같은 노즐 팁(12)이 착탈가능하게 결합되어 있어 무화된 캐미칼이 미세 분사공(12a)을 통해 사방으로 골고루 분사되므로 도 5와 같이 챔버내에는 캐미칼이 골고루 분포된다.The chemical atomized into fine particles by the heating means 9 is injected downward through the nozzle 11 by the pressure of N 2 flowing through the N 2 supply pipe 13, and the nozzle 11 Since the nozzle tip 12 as shown in FIG. 4 is detachably coupled and the atomized chemical is evenly sprayed in all directions through the fine injection hole 12a, the chemical is evenly distributed in the chamber as shown in FIG.
이에 따라, 마스크(2)의 상면에 동일한 두께의 캐미칼이 분포되는 것이다.As a result, chemicals having the same thickness are distributed on the upper surface of the mask 2.
이상에서와 같이 본 발명은 챔버의 내부에 항상 무화된 캐미칼이 균일하게 분포되어 오버랩(overap)되지 않으므로 과잉 현상, 에치되지 않고, 이에 따라 양질의 웨이퍼 생산이 가능해지게 된다.As described above, in the present invention, the atomized chemicals are always uniformly distributed inside the chamber so that they do not overlap, so that they are not excessively etched and etched, thereby enabling the production of high-quality wafers.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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