KR20070076527A - Apparatus for treating substrates and method of treating substrates - Google Patents

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KR20070076527A
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노부오 고바야시
고이치 히구치
요시아키 구로카와
다카시 아라이
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시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

An apparatus and a method for processing a substrate are provided to completely remove a resist film using a nozzle having a lower round surface which allows sulfuric acid and hydrogen peroxide to be mixed and provided onto a substrate without loosing an activity of peroxosulfuric acid. A substrate processing apparatus includes a rotating table and a nozzle(33). A semiconductor wafer(W) is supported on the rotating table. The nozzle is arranged to face the semiconductor wafer, and allows sulfuric acid and hydrogen peroxide to be mixed so as to provide the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide onto the semiconductor wafer. The nozzle includes a main body(34), first and second fluid supply tubes(37,38), first and second slits(41,42) and a lower round surface(39). The main body is elongated along a radial direction of the semiconductor wafer. The first slit is formed along one lengthwise direction of one side surface of the main body while the second slit is formed along another lengthwise direction of the other side surface of the main body. The first and the second fluid supply tubes supply sulfuric acid and hydrogen peroxide to the first and the second slits, respectively. The lower round surface located on a lower end of the main body allows the one side surface and the other side surface to be continuous in a lower end of the main body. Sulfuric acid and hydrogen peroxide supplied through the first and the second slits are run down along the one side surface and the other side surface so that they are mixed at the lower round surface, and the mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide is supplied onto the semiconductor wafer.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES} Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES AND METHOD OF TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명의 제1 실시예의 스핀 처리 장치의 개략적 구성을 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a spin processing apparatus of a first embodiment of the present invention.

도 2는 노즐체의 측면도이다.2 is a side view of the nozzle body.

도 3은 도 2에 나타낸 노즐체의 확대 종단면도이다.3 is an enlarged longitudinal sectional view of the nozzle body shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 제2 실시예의 노즐체를 나타낸 측면도이다. Fig. 4 is a side view showing the nozzle body of the second embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 나타낸 노즐체의 확대 종단면도이다.FIG. 5 is an enlarged longitudinal sectional view of the nozzle body shown in FIG. 4. FIG.

도 6은 본 발명의 제3 실시예의 스핀 처리 장치의 개략적 구성을 나타낸 단면도이다.Fig. 6 is a sectional view showing the schematic structure of the spin processing apparatus of the third embodiment of the present invention.

도 7은 도 6에 나타낸 제1 내지 제3의 2유체(流體) 노즐의 배관 계통도이다.FIG. 7 is a piping system diagram of the first to third two-fluid nozzles shown in FIG. 6.

[특허 문헌] 일본국 특개 2005-39205호 공보[Patent Document] Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2005-39205

본 발명은 기판에 형성된 레지스트(resist)를 황산과 과산화 수소수를 혼합 한 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a resist formed on a substrate with a processing liquid mixed with sulfuric acid and hydrogen peroxide water.

예를 들면, 액정 표시 장치나 반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 직사각형의 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 회로 패턴을 형성하기 위한 성막 프로세스나 포토 프로세스가 있다. 이들 프로세스에서는, 기판에 형성된 레지스트를 제거하고, 제거 후에 세정하는 것이 행해지고 있다.For example, in the manufacturing process of a liquid crystal display device or a semiconductor device, there exists a film-forming process and a photo process for forming a circuit pattern in board | substrates, such as a rectangular glass substrate and a semiconductor wafer. In these processes, the resist formed in the board | substrate is removed and washing | cleaning after removal is performed.

이와 같은 처리는, 기판을 회전시키는 회전 테이블을 가지는 스핀 방식의 처리 장치를 사용하여 행해지고 있다. 기판에 형성된 레지스트를 제거하는 경우의 처리액으로서는, 황산에 과산화 수소수를 혼합한 SPM이라는 황산 과산화 수소수가 사용되고, 제거 후의 세정에는 과산화 수소수에 암모니아수를 혼합한, SC-1이라는 세정액이 사용된다.Such a process is performed using the spin type processing apparatus which has a turntable which rotates a board | substrate. As a processing liquid in the case of removing the resist formed in the board | substrate, the sulfuric acid peroxide solution called SPM which mixed hydrogen peroxide water with sulfuric acid is used, and the washing | cleaning liquid SC-1 which mixed ammonia water with hydrogen peroxide water is used for the washing | cleaning after removal. .

종래, 기판에 형성된 레지스트를 제거하는 경우, 황산과 과산화 수소수를, 예를 들면, 믹싱 밸브(mixing valve)나 혼합 탱크 등에 의해 미리 혼합한 후, 처리 장치의 회전 테이블의 위쪽에 배치된 분사 노즐에 공급한다. 분사 노즐에 공급된 처리액은 기판의 직경 방향 중심부를 향해 분사된다.Conventionally, when removing the resist formed on the substrate, sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed in advance by, for example, a mixing valve, a mixing tank, or the like, and then a spray nozzle disposed above the rotary table of the processing apparatus. To feed. The processing liquid supplied to the spray nozzle is sprayed toward the radial center portion of the substrate.

그에 따라 처리액은 기판의 회전에 의한 원심력에 의해, 기판의 직경 방향 중심부로부터 외측을 향해 흐르기 때문에, 처리액은 기판의 전체면에 널리 퍼져, 그 기판의 판면에 형성된 레지스트가 제거되게 된다. 이와 같은 종래 기술은, 예를 들면, 상기 특허 문헌에 개시되어 있다.As a result, the processing liquid flows outward from the central portion in the radial direction of the substrate by the centrifugal force due to the rotation of the substrate, so that the processing liquid is widely spread over the entire surface of the substrate, and the resist formed on the substrate surface of the substrate is removed. Such a conventional technique is disclosed in the patent document, for example.

황산과 과산화 수소수를 혼합한 처리액인, SPM에 의해 레지스트가 제거되는 메카니즘은, 황산과 과산화 수소수를 혼합했을 때 생기는 펠 옥소-황산(H2SO5)의 작용에 의한 것이 알려져 있다.It is known that the mechanism by which the resist is removed by SPM, which is a treatment solution in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, is caused by the action of phenoxo-sulfuric acid (H 2 SO 5 ) generated when sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed.

그러나, 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 발생하는 펠 옥소-황산은, 발생한 후 그 활성 상태가 유지되는 라이프 타임(life span)이 매우 짧다. 즉, 활성 상태를 유지할 수 있는 시간이 짧으므로, 단시간에 활성(活性)이 상실된다.However, fel oxo-sulfuric acid generated by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water has a very short life span in which its active state is maintained after it is generated. That is, since the time for maintaining the active state is short, the activity is lost in a short time.

그러므로, 황산과 과산화 수소수를, 믹싱 밸브나 혼합 탱크 등에 의해 미리 혼합한 후 분사 노즐에 공급하도록 한 것에서는, 혼합되고 나서 기판에 공급되기까지 시간이 걸리므로, 그 사이에 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 생긴 펠 옥소-황산이 활성이 상실되어, 기판에 형성된 레지스트를 효율적으로 확실하게 제거할 수 없는 경우가 있다.Therefore, in the case where sulfuric acid and hydrogen peroxide water are preliminarily mixed by a mixing valve, a mixing tank or the like and then supplied to the injection nozzle, it takes time to be supplied to the substrate after mixing, so that sulfuric acid and hydrogen peroxide water are The fel oxo-sulfuric acid produced by mixing is lost in activity, so that the resist formed on the substrate may not be removed efficiently and reliably.

상기 기판으로부터 레지스트를 제거하는 작용으로서는, 황산과 과산화 수소수를 혼합했을 때 생기는 펠 옥소-황산의 작용 외에, 혼합에 의해 생기는 열의 영향이 있으므로, 처리액의 온도가 높은 정도, 레지스트의 제거 능력이 높은 것이 알려져 있다.As the action of removing the resist from the substrate, in addition to the action of fel oxo-sulfuric acid generated when sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed, there is an influence of heat generated by the mixing. High is known.

그러나, 처리액을 기판의 직경 방향 중심부에 공급하고, 기판의 회전에 의해 생기는 원심력에 의해 중심부로부터 직경 방향 외측을 향해 흐르도록 하면, 처리액은 직경 방향 외측으로 흐르는 것에 의해 온도가 저하되는 것을 피할 수 없다. 그러므로, 기판을 직경 방향 전체에 걸쳐 균일한 온도의 처리액에 의해 처리할 수 없으므로, 처리에 불균일이 생기는 경우가 있다.However, if the processing liquid is supplied to the central portion in the radial direction of the substrate and flows from the central portion toward the radially outer side by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate, the processing liquid flows outward in the radial direction to avoid a decrease in temperature. Can not. Therefore, since a board | substrate cannot be processed with the process liquid of uniform temperature over the whole radial direction, a nonuniformity may arise in a process.

본 발명은, 황산과 과산화 수소수를, 기판에 공급되기 직전에 혼합하여 처리액으로 하고, 또한 기판의 직경 방향 대략 전체에 걸쳐 공급한다. 그에 따라 황산과 과산화 수소수를 혼합했으면 그 활성 상태가 유지되고 있는 동안 처리액을 기판에 공급할 수 있고, 또한 기판의 직경 방향에 대하여 온도차가 생기는 일 없이 공급할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.In the present invention, sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed just before being supplied to a substrate to form a treatment liquid, and are supplied over approximately the entire radial direction of the substrate. Accordingly, when sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed, the processing liquid can be supplied to the substrate while the active state is maintained, and the substrate processing apparatus and substrate processing method can be supplied without causing a temperature difference in the radial direction of the substrate. Is to provide.

본 발명은, 기판에 형성된 레지스트막을 제거하는 기판 처리 장치로서, The present invention is a substrate processing apparatus for removing a resist film formed on a substrate,

상기 기판이 지지되는 회전 테이블과,A rotary table on which the substrate is supported;

상기 회전 테이블에 지지된 기판에 대향하여 배치되고, 황산과 과산화 수소수를 혼합하여 상기 기판에 공급하는 노즐체를 구비하고,A nozzle body disposed opposite to the substrate supported on the rotary table, for mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water and supplying the substrate to the substrate;

상기 노즐체는,The nozzle body,

상기 기판의 반경 방향을 따라 길게 형성된 본체부와, A main body portion elongated in the radial direction of the substrate;

상기 본체부에 상기 황산과 과산화 수소수를 공급하는 제1 약액(藥液) 공급 수단과,First chemical liquid supply means for supplying the sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the main body portion;

상기 약액 공급 수단에 의해 상기 본체부에 공급된 황산과 과산화 수소수를 혼합하여 상기 본체부로부터 상기 기판의 반경 방향 대략 전체에 걸쳐 공급하는 제2 약액 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.And a second chemical liquid supply means for mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water supplied to said body portion by said chemical liquid supply means and supplying substantially the entire radial direction of said substrate from said body portion. It is about.

본 발명은, 기판에 형성된 레지스트막을 황산과 과산화 수소수를 혼합한 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 방법으로서,The present invention is a substrate processing method for treating a resist film formed on a substrate with a treatment liquid in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed.

회전 테이블에 상기 기판을 지지하는 공정과,Supporting the substrate on a turntable;

황산과 과산화 수소수를 상기 기판의 위쪽에서 혼합하여 처리액을 만드는 공 정과,A process of mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution at the top of the substrate to form a treatment liquid,

상기 회전 테이블에 의해 회전되는 상기 기판의 반경 방향을 따라 상기 처리액을 공급 하는 공정Supplying the treatment liquid along a radial direction of the substrate rotated by the rotary table

을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.It relates to a substrate processing method comprising a.

본 발명은, 기판에 형성된 레지스트막을 처리하는 기판 처리 장치로서, The present invention is a substrate processing apparatus for processing a resist film formed on a substrate,

상기 기판이 지지되는 회전 테이블과,A rotary table on which the substrate is supported;

상기 회전 테이블의 위쪽에 배치되고, 황산을 가압 기체로 가압하여 안개형으로 분사하는 제1의 2유체(流體) 노즐과,A first two-fluid nozzle disposed above the rotary table and configured to pressurize sulfuric acid with a pressurized gas to inject a mist;

상기 회전 테이블의 위쪽에 배치되고, 과산화 수소수를 가압 기체로 가압하여 안개형으로 분사하는 제2의 2유체 노즐을 구비하고,A second two-fluid nozzle which is disposed above the rotary table, pressurizes hydrogen peroxide water with a pressurized gas and sprays it into a mist;

상기 제1의 2유체 노즐로부터 분사된 안개형의 황산과, 상기 제2의 2유체 노즐로부터 분사된 안개형의 과산화 수소수를 기판에 도달하기 전에 혼합시켜 상기 기판에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.A mist-like sulfuric acid sprayed from the first two-fluid nozzle and a mist-shaped hydrogen peroxide water sprayed from the second two-fluid nozzle are mixed and supplied to the substrate before reaching the substrate. It relates to a processing device.

본 발명에 의하면, 기판의 반경 방향을 따라 길게 형성된 본체부를 가지는 노즐체를 기판에 대향하여 배치하고, 상기 본체부에 황산과 과산화 수소수를 공급한 후 혼합하는 동시에, 혼합된 처리액을 기판의 반경 방향 대략 전체 길이에 걸쳐 공급한다.According to the present invention, a nozzle body having a main body portion elongated along the radial direction of the substrate is disposed to face the substrate, and sulfuric acid and hydrogen peroxide water are supplied to the main body portion, followed by mixing. Feed over approximately the entire length in the radial direction.

그러므로, 황산과 과산화 수소수를 혼합하여 활성이 상실되기 전에 기판에 공급할 수 있고, 또한 상기 노즐체로부터 기판의 반경 방향 전체에 걸쳐 공급되므로, 기판의 반경 방향에 대하여 처리액에 온도차가 생기지 않으므로, 기판의 처리 를 효율적으로, 또한 균일하게 행하는 것이 가능해진다.Therefore, since sulfuric acid and hydrogen peroxide water can be mixed and supplied to the substrate before the activity is lost, and also supplied from the nozzle body to the entire radial direction of the substrate, there is no temperature difference in the processing liquid with respect to the radial direction of the substrate, The substrate can be processed efficiently and uniformly.

또, 본 발명은, 안개형으로 분사된 황산과 과산화 수소수를 별개로 분사하고, 분사 후에 기판에 도달하기 전에 혼합하여 기판에 공급하므로, 황산과 과산화 수소수가 혼합되고 나서 기판에 공급되기까지의 시간을 단축할 수 있다.Moreover, since this invention sprays sulfuric acid and hydrogen peroxide water sprayed in mist form separately, mixes and supplies it to a board | substrate after reaching | attaining a board | substrate after spraying, until sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed and is supplied to a board | substrate, It can save time.

이로써, 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 생기는 펠 옥소-황산의 활성이 손상되지 않는 동안에 기판에 공급하는 것이 가능해지기 때문에, 기판에 형성된 레지스트막을 확실하게 제거하는 것이 가능해진다.Thereby, since it becomes possible to supply to a board | substrate while the activity of the fel oxo-sulfuric acid which arises from mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water is not impaired, it becomes possible to reliably remove the resist film formed in the board | substrate.

이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 설명한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시예로서, 도 1은 처리 장치로서의 스핀 처리 장치를 나타낸다. 이 스핀 처리 장치는 컵체(1)를 구비하고 있다. 이 컵체(1)의 저부에는 복수개의 배출관(2)이 둘레 방향으로 소정 간격으로 접속되어 있다. 각 배출관(2)은 배기 펌프 (도시하지 않음)에 연통되어 있다.1 to 3 show a first embodiment of the present invention, and Fig. 1 shows a spin processing apparatus as a processing apparatus. This spin processing apparatus is provided with the cup body 1. A plurality of discharge pipes 2 are connected to the bottom of the cup body 1 at predetermined intervals in the circumferential direction. Each discharge pipe 2 is in communication with an exhaust pump (not shown).

그리고, 상기 컵체(1)는 하부 컵(1a)과 상부 컵(1b)을 가지고, 상부 컵(1b)은 실린더 등의 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 상하 방향으로 구동 가능하게 되어 있다.The cup 1 has a lower cup 1a and an upper cup 1b, and the upper cup 1b can be driven in the vertical direction by a drive mechanism (not shown) such as a cylinder.

상기 컵체(1) 내에는 회전 테이블(3)이 설치되어 있다. 이 회전 테이블(3)의 상면 주변부에는 둘레 방향으로 소정 간격으로 복수개의 지지 부재(4)가 회동 가능하게 설치되어 있다. 각 지지 부재(4)의 상단면에는 예를 들면, 경사면 등으로 되는 단부를 가지는 척 핀(5)이 지지 부재(4)의 회전 중심으로부터 편심된 위치 에 설치되어 있다.The rotary table 3 is provided in the cup body 1. On the periphery of the upper surface of the turntable 3, a plurality of support members 4 are rotatably provided at predetermined intervals in the circumferential direction. On the upper end surface of each support member 4, for example, a chuck pin 5 having an end portion, such as an inclined surface, is provided at a position eccentric from the rotation center of the support member 4.

상기 회전 테이블(3)에는 기판으로서의 반도체 웨이퍼 W가 디바이스면을 위로 하여 공급된다. 즉, 회전 테이블(3)에 공급된 반도체 웨이퍼 W는, 주위 둘레부의 하면이 상기 척 핀(5)의 단부에 걸어맞추어진다. 그 상태로 상기 지지 부재(4)를 회전시키면, 상기 척 핀(5)이 편심 회전하기 때문에, 반도체 웨이퍼 W의 주위 둘레부가 지지된다.The semiconductor table W as a substrate is supplied to the turntable 3 with the device surface facing up. That is, in the semiconductor wafer W supplied to the turntable 3, the lower surface of the circumference part is engaged with the edge part of the said chuck pin 5. As shown in FIG. When the support member 4 is rotated in this state, the chuck pins 5 are eccentrically rotated, so that the peripheral portion of the semiconductor wafer W is supported.

그리고, 지지 부재(4)는, 스프링(도시하지 않음)에 의해 척 핀(5)이 반도체 웨이퍼 W를 지지하는 회전 방향으로 가압되고 있으므로, 상기 스프링의 가압력에 저항하여 회전시킴으로써, 반도체 웨이퍼 W의 지지 상태를 해제 가능하도록 되어 있다.And since the chuck pin 5 is pressed in the rotation direction which supports the semiconductor wafer W by the spring (not shown), the support member 4 is rotated in response to the pressing force of the said spring, The support state can be released.

상기 회전 테이블(3)은 제어 모터(11)에 의해 회전 구동된다. 이 제어 모터(11)는, 통형의 고정자(12) 내에 동일하게 통형의 회전자(13)가 회전 가능하게 삽입되고, 이 회전자(13)에 상기 회전 테이블(3)이 동력 전달 부재(3a)를 통하여 연결되어 있다.The rotary table 3 is rotationally driven by the control motor 11. In this control motor 11, the cylindrical rotor 13 is rotatably inserted in the cylindrical stator 12, and the rotary table 3 is inserted into the rotor 13 by the power transmission member 3a. Is connected via

상기 제어 모터(11)는 제어 장치(14)에 의해 회전이 제어된다. 그에 따라 상기 회전 테이블(3)은 상기 제어 장치(14)에 의해 소정의 회전수로 회전시키는 것이 가능하다.The control motor 11 is controlled to rotate by the control device 14. Thereby, the said rotation table 3 can be rotated by the said control apparatus 14 by predetermined rotation speed.

상기 회전자(13) 내에는 통형의 고정축(15)이 삽입되어 있다. 이 고정축(15)의 상단에는 상기 회전 테이블(3)의 상면 측에 위치하는 노즐 헤드(16)가 설치되어 있다. 즉, 노즐 헤드(16)는 회전 테이블(3)과 함께 회전하지 않는 상태로 설치되어 있다. 이 노즐 헤드(16)에는 처리액으로서의 에칭액을 분사하는 제1 하부 노즐체(17) 및 린스액을 분사하는 제2 하부 노즐체(18)가 설치되어 있다.In the rotor 13, a cylindrical fixed shaft 15 is inserted. The nozzle head 16 located in the upper surface side of the said rotating table 3 is provided in the upper end of this fixed shaft 15. As shown in FIG. That is, the nozzle head 16 is provided in the state which does not rotate with the turntable 3. The nozzle head 16 is provided with the first lower nozzle body 17 for spraying the etching liquid as the processing liquid and the second lower nozzle body 18 for spraying the rinse liquid.

그에 따라, 상기 하부 노즐체(17, 18)로부터 회전 테이블(3)에 지지된 반도체 웨이퍼 W의 하면의 중앙 부분을 향해 처리액 및 린스액을 선택적으로 분사할 수 있도록 되어 있다. 즉, 반도체 웨이퍼 W는 하면을 에칭 및 린스 처리할 수 있도록 되어 있다.Accordingly, the processing liquid and the rinse liquid can be selectively injected from the lower nozzle bodies 17 and 18 toward the center portion of the lower surface of the semiconductor wafer W supported by the rotary table 3. In other words, the semiconductor wafer W is capable of etching and rinsing the lower surface.

상기 회전 테이블(13)의 상면 측은 난류(亂流) 방지 커버(19)에 의해 덮혀져 있다. 이 난류 방지 커버(19)는 회전 테이블(3)에 지지된 반도체 웨이퍼 W의 하면 측에 난류가 발생하는 것을 방지하도록 되어 있고, 그 중앙 부분에는 상기 각 노즐(17, 18)로부터 반도체 웨이퍼 W의 하면에 에칭액이나 린스액을 분사 가능하게 하는 분사공(20)이 개구되어 있다.The upper surface side of the turntable 13 is covered by a turbulence prevention cover 19. The turbulence prevention cover 19 is configured to prevent turbulence from occurring on the lower surface side of the semiconductor wafer W supported by the turntable 3, and at the center portion thereof, the turbulence prevention cover 19 is formed from the nozzles 17 and 18. The injection hole 20 which makes it possible to inject etching liquid or rinse liquid is opened in the lower surface.

상기 컵체(1)의 측방에는 구동 기구로서의 암체(25)가 설치되어 있다. 이 암체(25)는 수직부(26)와, 이 수직부(26)의 상단에 기단부가 연결된 수평부(27)를 가진다. 상기 수직부(26)의 하단은 회전 모터(28)에 연결되어 있다. 회전 모터(28)는 암체(25)를 수평 방향으로 소정 각도로 회전 구동시키도록 되어 있다.The arm body 25 as a drive mechanism is provided in the side of the said cup body 1. The arm 25 has a vertical portion 26 and a horizontal portion 27 having a proximal end connected to an upper end of the vertical portion 26. The lower end of the vertical portion 26 is connected to the rotary motor 28. The rotary motor 28 is configured to drive the arm 25 to rotate in a horizontal direction at a predetermined angle.

상기 회전 모터(28)는, 리니어 가이드(도시하지 않음)에 의해 상하 방향으로 슬라이드 가능하게 설치된 가동판(29)에 장착되어 있다. 이 가동판(29)은 상하 구동 실린더(31)에 의해 상하 방향으로 구동되도록 되어 있다.The rotary motor 28 is attached to a movable plate 29 provided to be slidable in the vertical direction by a linear guide (not shown). The movable plate 29 is driven by the vertical drive cylinder 31 in the vertical direction.

상기 암체(25)의 수평부(27)의 선단부에는, 상기 회전 테이블(3)에 지지된 반도체 웨이퍼 W의 상면에 대향하는 위치에 위치 결정 가능한 노즐체(33)가 장착 구(32)를 통하여 연결되어 있다. 이 노즐체(33)은, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 상기 반도체 웨이퍼 W의 반경 치수와 대략 같은 길이 치수의 본체부(34)를 가지고, 이 본체부(34)의 길이 방향의 일단부 상면이 상기 수평부(27)의 선단부에 상기 장착구(32)에 의해 연결되어 있다.At the distal end of the horizontal portion 27 of the arm 25, a nozzle body 33 capable of positioning at a position opposite to the upper surface of the semiconductor wafer W supported by the rotary table 3 is provided via a mounting hole 32. It is connected. This nozzle body 33 has the main-body part 34 of the length dimension substantially the same as the radial dimension of the said semiconductor wafer W, as shown to FIG. 2 and FIG. 3, and the one end part in the longitudinal direction of this main-body part 34 is shown. An upper surface is connected to the distal end of the horizontal portion 27 by the mounting holes 32.

도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 본체부(34)의 상면의 길이 방향 중도부의 폭 방향 일단부에는 제1 공급공(35)이 개구되고, 타단부에는 제2 공급공(36)이 개구되어 있다. 상기 제1 공급공(35)에는 황산을 공급하는 제1 급액관(37)이 커플링(37a)을 통하여 접속되고, 상기 제2 공급공(36)에는 과산화 수소수를 공급하는 제2 급액관(38)이 커플링(38a)을 통하여 접속되어 있다. 상기 제1 및 제2 급액관(37, 38)은, 본 발명의 제1 약액 공급 수단을 구성하고 있다.As shown in FIG. 3, the 1st supply hole 35 is opened in the width direction end part of the longitudinal middle part of the upper surface of the said main-body part 34, and the 2nd supply hole 36 is opened in the other end part. . A first feed pipe 37 for supplying sulfuric acid is connected to the first supply hole 35 through a coupling 37a, and a second feed pipe for supplying hydrogen peroxide water to the second supply hole 36. 38 is connected via the coupling 38a. The said 1st and 2nd liquid supply pipes 37 and 38 comprise the 1st chemical liquid supply means of this invention.

상기 본체부(34)의 폭 방향의 일측면(34a)과 타측면(34b)은, 이 본체부(34)의 하단에 형성된 원호형의 곡면(39)에 의해 연속되어 있다. 상기 일측면(34a)의 상단부에는 길이 방향 전체 길이에 걸쳐서 제1 슬릿(41)이 형성되어 있다. 상기 타측면(34b)의 상단부에는 길이 방향의 전체 길이에 걸쳐서 제2 슬릿(42)이 형성되어 있다.One side surface 34a and the other side surface 34b of the width direction of the said main-body part 34 are continuous by the arc-shaped curved surface 39 formed in the lower end of this main-body part 34. As shown in FIG. The first slit 41 is formed at the upper end of the one side 34a over the entire length of the longitudinal direction. The second slit 42 is formed at the upper end of the other side 34b over the entire length of the longitudinal direction.

상기 제1 공급공(35)은 상기 제1 슬릿(41)에 연통되고, 상기 제2 공급공(36)은 상기 제2 슬릿(42)에 연통되어 있다. 상기 제1 및 제2 슬릿(41, 42)과 상기 곡면(39)에 의해 상기 제1 및 제2 급액관(37, 38)으로부터 상기 본체부(34)의 제1 및 제2 공급공(35, 36)에 공급된 황산과 과산화 수소수를 후술하는 바와 같이 혼합하여 상기 반도체 웨이퍼 W에 공급하는 제2 약액 공급 수단을 구성하고 있다.The first supply hole 35 communicates with the first slit 41, and the second supply hole 36 communicates with the second slit 42. First and second supply holes 35 of the main body 34 from the first and second feed pipes 37 and 38 by the first and second slits 41 and 42 and the curved surface 39. And 36) constitute second chemical liquid supply means for mixing and supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide water to the semiconductor wafer W as described below.

상기 본체부(34)의 상면에는, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 진동자(45)가 설치되어 있다. 이 진동자(45)는 초음파 발생기(도시하지 않음)로부터 공급되는 고주파 전력에 의해 초음파 진동하도록 되어 있다. 즉, 본체부(34)는 진동자(45)에 의해 초음파 진동하도록 되어 있다. 본체부(34)가 초음파 진동하면, 이 본체부(34)로부터 상기 반도체 웨이퍼 W에 혼합하여 공급되는 황산과 과산화 수소수에 초음파 진동이 부여된다.The vibrator 45 is provided in the upper surface of the said main-body part 34 as shown to FIG. 2 and FIG. The vibrator 45 is ultrasonically vibrated by high frequency power supplied from an ultrasonic generator (not shown). That is, the main body 34 is ultrasonically vibrated by the vibrator 45. When the main body part 34 vibrates ultrasonically, ultrasonic vibration is given to sulfuric acid and hydrogen peroxide water supplied by mixing the main body part 34 to the semiconductor wafer W.

다음에, 상기 구성의 스핀 처리 장치에 의해 반도체 웨이퍼 W의 상면에 형성된 레지스트를 제거할 때의 작용에 대하여 설명한다.Next, the operation at the time of removing the resist formed on the upper surface of the semiconductor wafer W by the spin processing apparatus having the above configuration will be described.

먼저, 회전 테이블(3)의 상면에 레지스트가 설치된 반도체 웨이퍼 W가 공급되고, 지지 부재(4)에 의해 지지된다. 그 다음에, 암체(25)를 구동하고, 그 수평부(27)의 선단에 설치된 노즐체(33)를 반도체 웨이퍼 W의 상면에 대하여 위치결정한다. 즉, 노즐체(33)는 길이 방향의 일단을 반도체 웨이퍼 W의 직경 방향의 중심부에 위치시키고, 길이 방향을 반도체 웨이퍼 W의 직경 방향을 따르게 할 수 있는 동시에, 곡면의 최하단인, 정점(頂点)이 반도체 웨이퍼 W의 상면에 대하여 근소한 간격으로 이격 대향하도록 위치 결정된다.First, the semiconductor wafer W in which the resist was provided on the upper surface of the turntable 3 is supplied, and is supported by the support member 4. Next, the arm body 25 is driven to position the nozzle body 33 provided at the tip of the horizontal portion 27 with respect to the upper surface of the semiconductor wafer W. As shown in FIG. That is, the nozzle body 33 can position one end of a longitudinal direction in the radial center of the semiconductor wafer W, can make a longitudinal direction follow the radial direction of the semiconductor wafer W, and is a vertex which is the lowest end of a curved surface. The semiconductor wafer W is positioned to be spaced apart from each other at a slight interval.

그리고, 반도체 웨이퍼 W를 회전 테이블(3)에 공급할 때는, 상기 노즐체(33)는 컵체(1)의 위쪽으로부터 퇴피한 위치에서 대기하게 한다.And when supplying the semiconductor wafer W to the turntable 3, the said nozzle body 33 makes it wait in the position which retracted from the upper side of the cup body 1. As shown in FIG.

상기 노즐체(33)를 반도체 웨이퍼 W의 위쪽으로 위치 결정시켰으면, 회전 테이블(3)을 회전시키는 동시에, 제1 급액관(37)에 황산을 공급하고, 제2 급액관(38)에 과산화 수소수를 공급한다.When the nozzle body 33 is positioned above the semiconductor wafer W, the rotary table 3 is rotated, sulfuric acid is supplied to the first feed pipe 37, and peroxide is supplied to the second feed pipe 38. Hydrogen water is supplied.

제1 급액관(37)에 공급된 황산은 제1 공급공(35)으로부터 제1 슬릿(41)에 흐르고, 이 제1 슬릿(41)의 전체 길이로부터 유출되어, 노즐체(33)의 본체부(34)의 일측면(34a)을 따라 아래쪽으로 흐른다.Sulfuric acid supplied to the first feed pipe 37 flows from the first supply hole 35 to the first slit 41, flows out from the entire length of the first slit 41, and the main body of the nozzle body 33. It flows downward along one side 34a of the part 34.

제2 급액관(38)에 공급된 과산화 수소수는 제2 공급공(36)으로부터 제2 슬릿(42)에 흐르고, 이 제2 슬릿(42)의 전체 길이로부터 유출되어, 노즐체(33)의 본체부(34) 타측면(34b)을 따라 아래쪽으로 흐른다.The hydrogen peroxide water supplied to the second liquid feed pipe 38 flows from the second supply hole 36 to the second slit 42, flows out from the entire length of the second slit 42, and the nozzle body 33. The main body 34 of the flows downward along the other side (34b).

상기 본체부(34)의 일측면(34a)과 타측면(34b)을 아래쪽으로 흐르는 황산과 과산화 수소수는, 본체부(34)의 하단부에 형성된 곡면(39)을 따라 흐름으로써, 이 곡면(39)의 최하단으로 되는 정상부에서 혼합되어 처리액으로 되는 동시에, 반도체 웨이퍼 W의 상면의 반경 방향 대략 전체 길이에 걸쳐서 슬릿형으로 유출된다. 도 3에 상기 일측면(34a)과 타측면(34b)을 따르는 황산과 과산화 수소수의 흐름을 화살표로 나타낸다.Sulfuric acid and hydrogen peroxide water flowing downwardly through one side 34a and the other side 34b of the main body 34 flows along the curved surface 39 formed at the lower end of the main body 34 to form the curved surface ( 39 is mixed at the top of the lowermost end to form a processing liquid, and flows out in a slit shape over substantially the entire length of the upper surface of the semiconductor wafer W in the radial direction. 3 shows the flow of sulfuric acid and hydrogen peroxide along the one side 34a and the other side 34b with arrows.

반도체 웨이퍼 W는 회전 테이블(3)에 의해 회전된다. 그러므로, 처리액은 반도체 웨이퍼 W의 상면 전체에 공급되게 되게 되므로, 반도체 웨이퍼 W의 상면에 형성된 레지스트가 박리 처리되게 된다.The semiconductor wafer W is rotated by the turntable 3. Therefore, since the processing liquid is to be supplied to the entire upper surface of the semiconductor wafer W, the resist formed on the upper surface of the semiconductor wafer W is subjected to the peeling process.

노즐체(33)에 공급된 황산과 과산화 수소수는, 노즐체(33)의 본체부(34)의 하단부에 형성된 곡면(39)에서 혼합되어 처리액으로 되는 동시에 반도체 웨이퍼 W의 상면에 공급된다. 그러므로, 처리액은, 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 생기는 펠 옥소-황산의 활성이 상실되기 전에 반도체 웨이퍼 W에 공급되므로, 상기 처리액에 의한 레지스트의 박리를 확실하게 행하는 것이 가능해진다.Sulfuric acid and hydrogen peroxide water supplied to the nozzle body 33 are mixed on the curved surface 39 formed at the lower end of the main body portion 34 of the nozzle body 33 to be a processing liquid and supplied to the upper surface of the semiconductor wafer W. . Therefore, since the processing liquid is supplied to the semiconductor wafer W before the activity of the fel oxo-sulfuric acid generated by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is lost, it is possible to reliably peel off the resist by the processing liquid.

이 때, 본체부(34)의 상면에 설치된 진동자(45)에 흐르게 하여, 본체부(34)를 초음파 진동시키면, 상기 처리액에 의한 레지스트의 박리를 보다 효율적으로 행하는 것이 가능해진다.At this time, when the main body part 34 is ultrasonically vibrated by flowing through the vibrator 45 provided on the upper surface of the main body part 34, peeling of the resist by the processing liquid can be performed more efficiently.

상기 처리액은 노즐체(33)의 본체부(34)의 곡면(39)으로부터 반도체 웨이퍼 W의 반경 방향 전체 길이에 걸쳐서 동시에 공급된다. 즉, 황산과 과산화 수소수가 혼합됨으로써, 반응열에 의해 온도 상승한 처리액은, 상기 본체부(34)의 곡면(39)의 하단으로부터 반도체 웨이퍼 W의 반경 방향의 전체에 걸쳐서 동시에 공급된다.The processing liquid is simultaneously supplied from the curved surface 39 of the main body portion 34 of the nozzle body 33 over the entire radial length of the semiconductor wafer W. That is, by processing sulfuric acid and hydrogen peroxide water, the processing liquid which has risen in temperature by the reaction heat is supplied simultaneously from the lower end of the curved surface 39 of the main body part 34 over the entire radial direction of the semiconductor wafer W.

그러므로, 반도체 웨이퍼 W에 공급된 처리액은, 이 반도체 웨이퍼 W의 반경 방향에 있어서 온도차가 생기지 않으므로, 반도체 웨이퍼 W의 전체면을 대략 같은 온도의 처리액에 의해 처리하는 것이 가능해진다. 그 결과, 반도체 웨이퍼 W의 처리를, 온도의 차이에 의한 처리 불균일이 생기는 일 없이 균일하게 행할 수 있다.Therefore, since the temperature difference does not arise in the process liquid supplied to the semiconductor wafer W in the radial direction of this semiconductor wafer W, it becomes possible to process the whole surface of the semiconductor wafer W with the process liquid of substantially the same temperature. As a result, the process of the semiconductor wafer W can be performed uniformly, without the process nonuniformity by the temperature difference.

즉, 본 실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼 W를, 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 생긴 펠 옥소-황산의 활성이 상실되기 전에 처리할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼 W의 상면 전체를, 온도차가 없는 처리액에 의해 처리할 수 있다. 이로써, 반도체 웨이퍼 W의 상면 전체를 균일하게, 또한 확실하게 처리하는 것이 가능해진다.That is, according to this embodiment, the semiconductor wafer W can be treated before the activity of the fel oxo-sulfuric acid produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water is lost. In addition, the whole upper surface of the semiconductor wafer W can be processed with the process liquid without a temperature difference. Thereby, it becomes possible to process the whole upper surface of the semiconductor wafer W uniformly and reliably.

도 4 및 도 5는 본 발명의 제2 실시예를 나타낸다. 이 실시예는 노즐체(33A)의 본체부(34A)의 하단부가 다른 부분보다 폭치수가 작은 협폭부(50)로 형성되어 있다. 이 협폭부(50)에는 길이 방향의 대략 전체 길이에 걸쳐서 급액로(給液路)(51)가 형성되어 있다.4 and 5 show a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the lower end portion of the main body portion 34A of the nozzle body 33A is formed of a narrow width portion 50 having a smaller width than that of the other portions. In this narrow portion 50, a liquid supply passage 51 is formed over substantially the entire length in the longitudinal direction.

상기 본체부(34A)에는, 일단이 본체부(34A)의 상면에 개구되고, 타단이 상기 급액로(51)에 연통된 복수개의 제1 공급공(52)이 길이 방향으로 소정 간격으로 형성되어 있다. 또한, 본체부(34A)에는, 일단이 일측면에 개구되고, 타단이 상기 급액로(51)에 연통된 복수개의 제2 공급공(53)(도 5에 1개만 나타냄)이 길이 방향에 대하여 소정 간격으로 형성되어 있다.One end of the main body portion 34A is opened on the upper surface of the main body portion 34A, and a plurality of first supply holes 52 communicating with the liquid supply passage 51 at the other end are formed at predetermined intervals in the longitudinal direction. have. Further, in the main body portion 34A, a plurality of second supply holes 53 (only one is shown in Fig. 5) having one end opened on one side and the other end communicated with the liquid supply passage 51 with respect to the longitudinal direction. It is formed at predetermined intervals.

상기 제1 공급공(52)에는 황산을 공급하는 제1 급액관(54)이 커플링(54a)을 통하여 접속되고, 상기 제2 공급공(53)에는 과산화 수소수를 공급하는 제2 급액관(55)이 커플링(55a)를 통하여 접속되어 있다. 또한, 상기 본체부(34A)에는, 일단이 하단에 형성된 곡면(39)에 개구되고, 타단이 상기 급액로(51)에 연통된 복수개의 공급공(56)이 상기 본체부(34)의 길이 방향에 대하여 소정 간격으로, 또한 폭방향에 대하여는 수직선을 중심으로 하여 등각도(等角度)로 3개의 공급공(56)이 형성되어 있다.A first feed pipe 54 for supplying sulfuric acid is connected to the first supply hole 52 through a coupling 54a, and a second feed pipe for supplying hydrogen peroxide water to the second supply hole 53. 55 is connected via the coupling 55a. In addition, the main body portion 34A has a plurality of supply holes 56 whose one end is opened to the curved surface 39 formed at the lower end and the other end communicates with the liquid supply passage 51. Three supply holes 56 are formed at equal intervals with respect to the direction and at an equiangular angle with respect to the vertical line with respect to the width direction.

상기 구성의 노즐체(33A)는 제1 실시예와 마찬가지로, 암체(25)의 수평부(27)의 선단에 장착되어, 회전 테이블(3)에 지지된 반도체 웨이퍼 W의 상면의 반경 방향을 따라 대향하여 배치된다.The nozzle body 33A having the above-described configuration is attached to the tip of the horizontal portion 27 of the arm body 25 similarly to the first embodiment, along the radial direction of the upper surface of the semiconductor wafer W supported by the turntable 3. Are arranged oppositely.

그 상태에서, 급액로(51)에는, 제1 급액관(54)으로부터 황산이 공급되고, 제2 급액관(55)으로부터는 과산화 수소수가 공급된다. 황산과 과산화 수소수는 상기 급액로(51)에서 혼합되어 처리액으로 되고, 반응열에 의해 온도 상승하여 상기 급액로(51)에 연통되는 복수개의 공급공(56)으로부터 도 5에 화살표에 나타낸바와 같이 반도체 웨이퍼 W의 상면에 공급된다.In this state, sulfuric acid is supplied to the liquid feed passage 51 from the first liquid feed pipe 54, and hydrogen peroxide water is supplied from the second liquid feed pipe 55. Sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed in the feed liquid passage 51 to form a treatment liquid, and the temperature is increased by the reaction heat, and the plurality of supply holes 56 communicated with the feed liquid passage 51 are indicated by arrows in FIG. Likewise, the upper surface of the semiconductor wafer W is supplied.

상기 제2 실시예에 있어서도, 황산과 과산화 수소수는, 노즐체(33A)의 급액로(51)에서 혼합되어 처리액으로 된 직후에 공급공(56)으로부터 반도체 웨이퍼 W에 공급된다. 처리액은 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 생긴 펠 옥소-황산의 활성이 상실되기 전에 반도체 웨이퍼 W에 공급되므로, 처리액에 의한 반도체 웨이퍼 W의 처리를 신속하고 확실하게 행하는 것이 가능해진다.Also in the second embodiment, sulfuric acid and hydrogen peroxide water are supplied from the supply hole 56 to the semiconductor wafer W immediately after being mixed in the feed liquid passage 51 of the nozzle body 33A to form a processing liquid. Since the processing liquid is supplied to the semiconductor wafer W before the activity of the fel oxo-sulfuric acid produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is lost, it is possible to quickly and reliably process the semiconductor wafer W by the processing liquid.

또한, 처리액은 노즐체(33A)의 본체부(34A)로부터 반도체 웨이퍼 W의 반경 방향 전체 길이에 대하여 동시에 공급된다. 그러므로, 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 생긴 반응열에 의해 온도 상승한 처리액은, 대략 같은 온도로 반도체 웨이퍼 W의 반경 방향으로 공급되므로, 반도체 웨이퍼 W의 상면 전체를 같은 온도의 처리액으로 균일하게 처리하는 것이 가능해진다.In addition, the processing liquid is simultaneously supplied from the main body portion 34A of the nozzle body 33A with respect to the entire radial direction of the semiconductor wafer W. Therefore, the processing liquid which has risen in temperature due to the reaction heat generated by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is supplied in the radial direction of the semiconductor wafer W at approximately the same temperature, so that the entire upper surface of the semiconductor wafer W is uniformly treated with the processing liquid of the same temperature. It becomes possible.

도 6 및 도 7은 본 발명의 제3 실시예를 나타낸다. 도 6은 처리 장치로서의 스핀 처리 장치를 나타내고, 이 스핀 처리 장치는 처리조(101)를 구비하고 있다. 이 처리조(101) 내에는 컵체(102)가 배치되어 있다. 이 컵체(102)는, 상기 처리조(101)의 바닥판 상에 설치된 하부 컵(103)과, 이 하부 컵(103)에 대하여 상하 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 상하 이동 가능하게 설치된 상부 컵(104)으로 이루어진다.6 and 7 show a third embodiment of the present invention. 6 shows a spin processing apparatus as the processing apparatus, and the spin processing apparatus includes a processing tank 101. The cup body 102 is arrange | positioned in this processing tank 101. As shown in FIG. The cup body 102 has a lower cup 103 provided on the bottom plate of the processing tank 101 and an upper part provided to be movable up and down by a vertical drive mechanism (not shown) with respect to the lower cup 103. It consists of a cup 104.

상기 하부 컵(103)의 저벽에는 둘레 방향으로 소정 간격으로 복수개의 배출관(105)이 접속되어 있다. 이들 배출관(105)은 배기 펌프(106)와 연통되어 있다. 이 배기 펌프(106)는 제어 장치(107)에 의해 발정(發停) 및 회전수가 제어되도록 되어 있다.A plurality of discharge pipes 105 are connected to the bottom wall of the lower cup 103 at predetermined intervals in the circumferential direction. These discharge pipes 105 communicate with the exhaust pump 106. The exhaust pump 106 is controlled by the control device 107 to control the heat and rotation speed.

상기 컵체(102)의 하면 측에는 베이스판(108)이 배치되어 있다. 이 베이스판(108)에는, 상기 하부 컵(103)과 대응하는 위치에 장착공(109)이 형성되어 있다. 이 장착공(109)에는 구동원을 구성하는 제어 모터(111)의 고정자(112)의 상단부가 끼워넣어져 고정되어 있다.The base plate 108 is disposed on the lower surface side of the cup body 102. The base plate 108 is provided with a mounting hole 109 at a position corresponding to the lower cup 103. The upper end of the stator 112 of the control motor 111 constituting the drive source is fitted into this mounting hole 109 to be fixed.

상기 고정자(112)는 통형을 이루고 있으므로, 그 내부에는 동일하게 통형의 회전자(113)가 회전 가능하게 끼워 삽입되어 있다. 그리고, 상기 제어 모터(111)는 상기 제어 장치(107)에 의해 발정 및 회전수가 후술하는 바와 같이 제어된다.Since the stator 112 has a cylindrical shape, a cylindrical rotor 113 is similarly inserted in the inside thereof so as to be rotatable. The control motor 111 is controlled by the control device 107 as described later.

상기 회전자(113)의 상단면에는 통형의 연결체(114)가 하단면을 접촉시켜 일체적으로 고정되어 있다. 이 연결체(114)의 하단에는 상기 고정자(112)의 내경 치수보다 대경인 콜러부(115)가 형성되어 있다. 이 콜러부(115)는 상기 고정자(112)의 상단면에 슬라이드 이동 가능하게 접촉되어 있고, 그에 따라 회전자(113)의 회전을 저지하지 않고, 이 회전자(113)가 고정자(112)로부터 이탈되는 것을 방지하고 있다.A cylindrical connecting body 114 is fixed to the upper end surface of the rotor 113 by being in contact with the lower end surface. At the lower end of the connecting body 114, a collar portion 115 having a larger diameter than the inner diameter of the stator 112 is formed. The collar part 115 is slidably contacted with the upper end surface of the stator 112 so that the rotor 113 is moved from the stator 112 without preventing rotation of the rotor 113. It prevents it from falling off.

상기 하부 컵(103)에는 상기 회전자(113)와 대응하는 부분에 통공(103a)이 형성되고, 상기 연결체(114)는 상기 통공(103a)으로부터 컵체(102) 내로 돌출되어 있다. 이 연결체(114)의 상단에는 회전 테이블(116)이 장착되어 있다. 이 회전 테이블(116)의 주변부에는 둘레 방향으로 소정 간격, 이 실시예에서는 60도 간격으로 6개(2개만 도시함)의 원기둥형의 지지 부재(117)가 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 구동 가능하게 설치되어 있다.A through hole 103a is formed in a portion corresponding to the rotor 113 in the lower cup 103, and the connecting body 114 protrudes into the cup body 102 from the through hole 103a. The rotary table 116 is attached to the upper end of the connecting body 114. At the periphery of the turntable 116, six (only two) cylindrical support members 117 are provided at a predetermined interval in the circumferential direction, and in this embodiment at intervals of 60 degrees by a driving mechanism (not shown). It is provided so that rotation drive is possible.

상기 지지 부재(117)의 상단면에는, 이 지지 부재(117)의 회전 중심으로부터 편심된 위치에 테이퍼면을 가지는 지지핀(118)이 설치되어 있다. 회전 테이블(116)에는, 기판으로서의 반도체 웨이퍼 W가 주위 둘레부의 하면을 상기 지지핀(118)의 테이퍼면에 맞닿도록 공급된다. 그 상태로 상기 지지 부재(117)를 회전시키고, 지지핀(118)이 편심 회전하기 때문에, 회전 테이블(116)에 공급된 반도체 웨이퍼 W는, 상기 지지핀(118)에 의한 척력(chuck power)으로 유지된다.On the upper end surface of the support member 117, a support pin 118 having a tapered surface is provided at a position eccentric from the rotation center of the support member 117. The semiconductor wafer W as a substrate is supplied to the turntable 116 so that the lower surface of the peripheral portion abuts against the tapered surface of the support pin 118. Since the support member 117 is rotated in this state and the support pin 118 is eccentrically rotated, the semiconductor wafer W supplied to the turntable 116 is chucked by the support pin 118. Is maintained.

그리고, 상기 반도체 웨이퍼 W에 대한 지지핀(118)의 척력은, 상기 구동 기구에 의한 상기 지지 부재(117)의 편심 회전 각도에 의해 설정할 수 있도록 되어 있다. 또, 구동 기구가 지지 부재(117)가 스프링력에 의해 편심 회전되는 구성인 경우에는, 그 스프링력에 의해 척력을 조정할 수 있다.And the repulsive force of the support pin 118 with respect to the said semiconductor wafer W is set by the eccentric rotation angle of the said support member 117 by the said drive mechanism. Moreover, when the drive mechanism is a structure in which the supporting member 117 is eccentrically rotated by the spring force, the repulsive force can be adjusted by the spring force.

상기 회전 테이블(116)은 난류 방지 커버(121)에 의해 덮혀져 있다. 이 난류 방지 커버(121)는 상기 회전 테이블(116)의 외주면을 덮는 외주벽(122)과, 상면을 덮는 상면 벽(123)을 가지고, 상기 외주벽(122)은 위쪽이 소경 부(122a), 아래쪽이 대경부(122b)로 형성되어 있다. 이 난류 방지 커버(121)는, 회전 테이블(116)을 회전시켰을 때, 이 회전 테이블(116)의 상면에서 난류가 발생하는 것을 방지한다. 상기 상부 컵(104)의 상면은 개구되어 있으므로, 그 내주면에는 링형 부재(125)가 설치되어 있다.The rotary table 116 is covered by a turbulence prevention cover 121. The turbulence prevention cover 121 has an outer circumferential wall 122 covering an outer circumferential surface of the turntable 116 and an upper surface wall 123 covering an upper surface, and the outer circumferential wall 122 has a small diameter portion 122a at an upper side thereof. The lower side is formed of a large diameter portion 122b. The turbulence prevention cover 121 prevents turbulence from occurring on the upper surface of the turntable 116 when the turntable 116 is rotated. Since the upper surface of the upper cup 104 is opened, a ring-shaped member 125 is provided on the inner circumferential surface thereof.

상기 회전 테이블(116)에 처리되지 않은 반도체 웨이퍼 W를 공급하거나, 공급되어 처리된 반도체 웨이퍼 W를 인출할 때는, 상기 상부 컵(104)이 후술하는 바와 같이 하강된다.When the unprocessed semiconductor wafer W is supplied to the turntable 116 or the semiconductor wafer W supplied and processed is taken out, the upper cup 104 is lowered as described later.

상기 처리조(101)의 상부벽에는 개구부(131)가 형성되어 있다. 이 개구 부(131)에는 ULPA나 HEPA 등의 팬ㆍ필터 유닛(132)이 설치되어 있다. 이 팬ㆍ필터 유닛(132)은 클린룸 내의 공기를 보다 청정화시켜 처리조(101) 내에 도입하는 것이며, 그 청정 공기의 도입량은 상기 팬ㆍ필터 유닛(132)의 구동부(133)를 상기 제어 장치(107)에 의해 제어하여 행하도록 되어 있다. 즉, 상기 구동부(133)에 의해, 팬ㆍ필터 유닛(132)의 팬(도시하지 않음)의 회전수를 제어함으로써, 처리조(101) 내로의 청정 공기의 공급량을 제어할 수 있도록 되어 있다.An opening 131 is formed in the upper wall of the treatment tank 101. The opening portion 131 is provided with a fan filter unit 132 such as ULPA or HEPA. The fan filter unit 132 purifies the air in the clean room and introduces it into the treatment tank 101. The amount of the clean air introduced is driven by the drive unit 133 of the fan filter unit 132 in the control apparatus. It is controlled by 107. In other words, the drive unit 133 controls the rotation speed of a fan (not shown) of the fan filter unit 132, so that the supply amount of clean air into the processing tank 101 can be controlled.

상기 처리조(101)의 일측에는 출입구(134)가 개구되어 있다. 이 출입구(134)는, 처리조(101)의 일측에 상하 방향으로 슬라이드 가능하게 설치된 셔터(135)에 의해 개폐된다. 이 셔터(135)는 압축 공기로 작동하는 실린더(136)에 의해 구동된다. 즉, 상기 실린더(136)에는 압축 공기의 흐름을 제어하는 제어 밸브(137)가 설치되고, 이 제어 밸브(137)를 상기 제어 장치(107)에 의해 전환 제어함으로써, 상기 셔터(135)를 상하 이동시키는 것이 가능하도록 되어 있다.One side of the treatment tank 101 has an entrance 134 open. The doorway 134 is opened and closed by a shutter 135 slidably installed in one side of the processing tank 101 in the vertical direction. This shutter 135 is driven by a cylinder 136 that operates with compressed air. That is, the cylinder 136 is provided with a control valve 137 for controlling the flow of compressed air, and by switching the control valve 137 by the control device 107, the shutter 135 up and down It is possible to move.

상기 제어 모터(111)의 회전자(113) 내에는 통형의 고정축(141)이 삽입되어 있다. 이 고정축(141)의 상단에는, 상기 회전 테이블(116)에 형성된 통공(142)로부터 상기 회전 테이블(116)의 상면 측으로 돌출된 노즐 헤드(143)가 설치되어 있다. 이 노즐 헤드(143)에는 상기 회전 테이블(116)에 지지된 반도체 웨이퍼 W의 하면을 향해 처리액으로서의 약액(藥液) 및 순수(純水)를 분사하는 한쌍의 노즐(144)이 설치되어 있다.The cylindrical fixed shaft 141 is inserted into the rotor 113 of the control motor 111. The nozzle head 143 which protrudes from the through-hole 142 formed in the said rotary table 116 to the upper surface side of the said rotary table 116 is provided in the upper end of this fixed shaft 141. The nozzle head 143 is provided with a pair of nozzles 144 for injecting chemical liquid and pure water as processing liquid toward the lower surface of the semiconductor wafer W supported by the rotary table 116. .

상기 난류 방지 커버(121)의 상면 벽(123)에는 상기 노즐 헤드(143)와 대향하여 개구부(145)가 형성되고, 이 개구부(145)에 의해 상기 노즐(144)로부터 분사 된 처리액이 반도체 웨이퍼 W의 하면에 도달할 수 있도록 되어 있다.An opening 145 is formed in the upper wall 123 of the turbulence prevention cover 121 to face the nozzle head 143, and the processing liquid injected from the nozzle 144 by the opening 145 is a semiconductor. The lower surface of the wafer W can be reached.

회전 테이블(116)에 지지된 반도체 웨이퍼 W의 상부에는, 제1의 2유체 노즐(151), 제2의 2유체 노즐(152) 및 제3의 2유체 노즐(153)이, 선단이 각각 상기 반도체 웨이퍼 W의 중심을 향해 배치되어 있다.The first two-fluid nozzle 151, the second two-fluid nozzle 152, and the third two-fluid nozzle 153 are respectively above the semiconductor wafer W supported by the turntable 116. It is arrange | positioned toward the center of the semiconductor wafer W. As shown in FIG.

도 7에 나타낸 바와 같이, 제1의 2유체 노즐(151)은 황산을 공급하는 제1 공급원(155)에 제1 배관(156)에 의해 접속되어 있다. 제2의 2유체 노즐(152)은 과산화 수소수를 공급하는 제2 공급원(157)에 제2 배관(158)에 의해 접속되어 있다. 제3의 2유체 노즐(153)은 암모니아수의 제3 공급원(159)에 제3 배관(160)에 의해 접속되어 있다.As shown in FIG. 7, the first two-fluid nozzle 151 is connected by a first pipe 156 to a first supply source 155 for supplying sulfuric acid. The second two-fluid nozzle 152 is connected by a second pipe 158 to a second supply source 157 that supplies hydrogen peroxide water. The third two-fluid nozzle 153 is connected to the third supply source 159 of ammonia water by the third pipe 160.

또한, 제1 내지 제3의 2유체 노즐(151)~(153)에는, 이들 노즐에 공급된 액체를 가압하여 안개형으로 하여 각 노즐체(151)~(152)로부터 분사시키기 위한 질소 등의 고압의 가압 기체가 급기관(161)으로부터 분기된 분기관(161a)~(161c)에 의해 공급되도록 되어 있다.Further, the first to third two-fluid nozzles 151 to 153 pressurizes the liquid supplied to these nozzles to form a mist, such as nitrogen for injecting from the nozzle bodies 151 to 152. High pressure pressurized gas is supplied by branch pipes 161a to 161c branched from the air supply pipe 161.

제1 내지 제3 배관(156, 158, 160)에는 각각 제1 내지 제3 액체용 제어 밸브(162)~(164)가 각각 설치되고, 각 분기관(161a)~(161c)에는 각각 제1 내지 제3 기체용 제어 밸브(165)~(167)가 설치되어 있다. 액체용 제어 밸브(162)~(164) 및 기체용 제어 밸브(165)~(167)는 상기 제어 장치(107)에 의해 개폐 제어되도록 되어 있다.First to third liquid control valves 162 to 164 are respectively provided in the first to third pipes 156, 158, and 160, and first branches are respectively provided to the branch pipes 161 a to 161 c. The third to third gas control valves 165 to 167 are provided. The liquid control valves 162 to 164 and the gas control valves 165 to 167 are controlled to be opened and closed by the control device 107.

다음에, 상기 구성의 스핀 처리 장치에 의해 반도체 웨이퍼 W로부터 레지스트를 박리하고, 박리 후에 세정 처리하는 공정을 설명한다.Next, the process of peeling a resist from the semiconductor wafer W with the spin processing apparatus of the said structure, and cleaning after peeling is demonstrated.

먼저, 상면에 레지스트가 형성된 반도체 웨이퍼 W를 회전 테이블(116)에 공급한다. 그 다음에, 회전 테이블(116)을 회전시켰으면, 제어 장치(107)에 의해 제1 액체용 제어 밸브(162)와 제2 액체용 제어 밸브(163)를 개방하는 동시에, 제1 기체용 제어 밸브(165)와 제2 기체용 제어 밸브(166)를 개방한다.First, the semiconductor wafer W with a resist formed on the upper surface is supplied to the turntable 116. Then, when the rotary table 116 is rotated, the control device 107 opens the first liquid control valve 162 and the second liquid control valve 163 and controls the first gas. The valve 165 and the control valve 166 for the second gas are opened.

그에 따라 제1의 2유체 노즐(151)에는 황산이 공급되고, 이 황산은 가압용 기체에 의해 가압됨으로써, 안개형으로 되어 반도체 웨이퍼 W의 상면을 향해 분사된다. 그와 동시에, 제2의 2유체 노즐(152)에는 과산화 수소수가 공급되고, 이과산화 수소수는 가압용 기체에 의해 가압됨으로써, 안개형으로 되어 반도체 웨이퍼 W의 상면을 향해 분사된다.As a result, sulfuric acid is supplied to the first two-fluid nozzle 151, and the sulfuric acid is pressurized by the pressurizing gas, thereby forming a mist and spraying toward the upper surface of the semiconductor wafer W. At the same time, hydrogen peroxide water is supplied to the second two-fluid nozzle 152, and the hydrogen peroxide water is pressurized by the pressurizing gas, thereby becoming a mist and sprayed toward the upper surface of the semiconductor wafer W.

제1의 2유체 노즐(151)과 제2의 2유체 노즐(152)로부터 안개형으로 되어 별개로 분사된 황산과 과산화 수소수는 반도체 웨이퍼 W의 상단에 도달하기 전에 혼합된다. 그에 따라 반도체 웨이퍼 W에는 황산 과산화 수소수로 되어 공급되게 된다.Sulfuric acid and hydrogen peroxide water sprayed separately from the first two-fluid nozzle 151 and the second two-fluid nozzle 152 and sprayed separately are mixed before reaching the upper end of the semiconductor wafer W. As a result, the semiconductor wafer W is supplied as hydrogen sulfate peroxide solution.

황산과 과산화 수소수는, 무화(霧化)되고 나서 반도체 웨이퍼 W에 도달하기 직전에 혼합된다. 즉, 황산과 과산화 수소수는 혼합되고 나서 즉시 반도체 웨이퍼 W에 공급되게 된다. 그러므로, 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 펠 옥소-황산이 생기면, 이 펠 옥소-황산의 활성 상태가 유지되는 시간 내에 반도체 웨이퍼 W에 황산 과산화 수소수가 공급되므로, 반도체 웨이퍼 W에 형성된 레지스트를 효율적으로 확실하게 제거할 수 있다.Sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed just after reaching the semiconductor wafer W after atomization. That is, sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed and immediately supplied to the semiconductor wafer W. Therefore, when fel oxo-sulfuric acid is formed by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide water, hydrogen sulfate peroxide water is supplied to the semiconductor wafer W within the time period in which the active state of the fel oxo-sulfuric acid is maintained, so that the resist formed on the semiconductor wafer W can be efficiently It can be removed reliably.

황산 과산화 수소수에 의해 레지스트의 제거가 종료되면, 제1 액체용 제어 밸브(162)와 제1 기체용 제어 밸브(165)를 폐쇄하여 황산의 공급을 정지시키는 동시에, 제3 액체용 제어 밸브(164)와 제3 기체용 제어 밸브(167)를 열어 암모니아수를 무화하여 제3의 2유체 노즐(153)로부터 반도체 웨이퍼 W를 향해 공급한다.When the removal of the resist is completed by the hydrogen peroxide solution, the first liquid control valve 162 and the first gas control valve 165 are closed to stop the supply of sulfuric acid, and the third liquid control valve ( 164 and the third gas control valve 167 are opened to atomize the ammonia water and are supplied from the third two-fluid nozzle 153 toward the semiconductor wafer W.

그에 따라 무화된 암모니아수는 제2의 2유체 노즐(152)로부터 무화되어 분사된 과산화 수소수와 혼합되고, 세정액인 SC-1으로 되어 반도체 웨이퍼 W에 공급되므로, 반도체 웨이퍼 W의 레지스트가 제거된 상면이 세정되게 된다.As a result, the ammonia water atomized is mixed with the hydrogen peroxide water atomized and injected from the second two-fluid nozzle 152, and is supplied to the semiconductor wafer W as a cleaning liquid SC-1, so that the resist of the semiconductor wafer W is removed. This will be cleaned.

이와 같이, 회전 테이블(116)의 위쪽에 제1 내지 제3의 2유체 노즐(151)~(152)을 배치하였으므로, 반도체 웨이퍼 W의 상면에 형성된 레지스트의 박리와 박리 후의 세정을 연속하여 능률적으로 행할 수 있다.Thus, since the 1st-3rd two fluid nozzles 151-152 were arrange | positioned above the rotating table 116, peeling of the resist formed in the upper surface of the semiconductor wafer W, and cleaning after peeling are continuously and efficiently. I can do it.

레지스트를 박리하기 위한 황산 과산화 수소수를 생성하는 황산과 과산화 수소수를 무화하여 반도체 웨이퍼 W에 공급하도록 하고 있다. 그러므로, 황산과 과산화 수소수를 충분히 혼합하여 반도체 웨이퍼 W에 공급할 수 있는 외에, 무화하지 않고 공급하는 경우에 비해 황산과 과산화 수소수의 사용량을 대폭 감소시키는 것이 가능하다.Sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, which produces hydrogen peroxide solution for stripping the resist, is atomized and supplied to the semiconductor wafer W. Therefore, it is possible to sufficiently mix sulfuric acid and hydrogen peroxide water and supply it to the semiconductor wafer W, and to significantly reduce the amount of sulfuric acid and hydrogen peroxide water used compared to the case where it is supplied without atomization.

실험에 의하면, 황산, 과산화 수소수, 암모니아수 등의 약액을 무화하지 않은, 통상의 스프레이 노즐의 경우, 약액의 사용량은 0.4리터/분(分)이었지만, 2유체 노즐에 의해 무화하면, 약액의 사용량은 약 10분의 1인 0.04리터/분으로 되었다. 또한, 약액을 무화하지 않은 경우와, 무화한 경우에는, 같은 처리 시간에 레지스트의 제거나 제거 후의 세정에 있어서 같은 효과를 얻을 수 있는 것이 확인되었다.According to the experiment, in the case of a conventional spray nozzle which does not atomize chemical liquids such as sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, and ammonia water, the amount of chemical liquid used was 0.4 liters / minute. Was 0.04 liters / minute, which was about one tenth. In addition, when the chemical liquid was not atomized and when it was atomized, it was confirmed that the same effect can be obtained in the removal of the resist and the cleaning after removal at the same processing time.

상기 각 실시예에서는, 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예로 들었지만, 기판은 반도체 웨이퍼에만 한정되지 않고, 액정 표시 장치에 사용되는 유리판이라도 되고, 요는 황산과 과산화 수소수를 혼합한 처리액으로 레지스트를 제거할 필요가 있는 기판이면 된다.In each of the above embodiments, the semiconductor wafer is exemplified as the substrate. However, the substrate is not limited to the semiconductor wafer, but may be a glass plate used in a liquid crystal display device. In other words, the resist may be removed by a treatment solution in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed. What is necessary is just a board | substrate which needs to be.

본 발명에 의하면, 기판의 반경 방향을 따라 길게 형성된 본체부를 가지는 노즐체를 기판에 대향하여 배치하고, 이 본체부에 황산과 과산화 수소수를 공급한 후 혼합하는 동시에, 혼합된 처리액을 기판의 반경 방향 대략 전체 길이에 걸쳐 공급한다.According to the present invention, a nozzle body having a main body portion elongated along the radial direction of the substrate is disposed to face the substrate, and sulfuric acid and hydrogen peroxide water are supplied to the main body portion, followed by mixing. Feed over approximately the entire length in the radial direction.

그러므로, 황산과 과산화 수소수를 혼합하여 활성이 상실되기 전에 기판에 공급할 수 있고, 또한 상기 노즐체로부터 기판의 반경 방향 전체에 걸쳐 공급되므로, 기판의 반경 방향에 대하여 처리액에 온도차가 생기지 않으므로, 기판의 처리를 효율적으로, 균일하게 행하는 것이 가능해진다.Therefore, since sulfuric acid and hydrogen peroxide water can be mixed and supplied to the substrate before the activity is lost, and also supplied from the nozzle body to the entire radial direction of the substrate, there is no temperature difference in the processing liquid with respect to the radial direction of the substrate, The substrate can be processed efficiently and uniformly.

또, 본 발명은, 안개형으로 분사된 황산과 과산화 수소수를 별개로 분사하고, 분사 후에 기판에 도달하기 전에 혼합하여 기판에 공급하므로, 황산과 과산화 수소수가 혼합되고 나서 기판에 공급되기까지의 시간을 단축할 수 있다.Moreover, since this invention sprays sulfuric acid and hydrogen peroxide water sprayed in mist form separately, mixes and supplies it to a board | substrate after reaching | attaining a board | substrate after spraying, until sulfuric acid and hydrogen peroxide water are mixed and is supplied to a board | substrate, It can save time.

이에 따라, 황산과 과산화 수소수를 혼합함으로써 생기는 펠 옥소-황산의 활성이 상실되지 않는 동안에 기판에 공급하는 것이 가능해지기 때문에 기판에 형성된 레지스트막을 확실하게 제거하는 것이 가능해진다.As a result, it becomes possible to supply the substrate while the activity of the fel oxo-sulfuric acid produced by mixing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution is not lost, so that the resist film formed on the substrate can be reliably removed.

Claims (9)

기판에 형성된 레지스트(resist)막을 처리하는 기판 처리 장치로서, A substrate processing apparatus for processing a resist film formed on a substrate, 상기 기판이 지지되는 회전 테이블과,A rotary table on which the substrate is supported; 상기 회전 테이블에 지지된 기판에 대향하여 배치되고, 황산과 과산화 수소수를 혼합하여 상기 기판에 공급하는 노즐체A nozzle body disposed opposite to the substrate supported by the rotary table and mixed with sulfuric acid and hydrogen peroxide water and supplied to the substrate. 를 구비하고,And 상기 노즐체는,The nozzle body, 상기 기판의 반경 방향을 따라 길게 형성된 본체부와,A main body portion elongated in the radial direction of the substrate; 상기 본체부에 상기 황산과 상기 과산화 수소수를 공급하는 제1 약액(藥液) 공급 수단과,First chemical liquid supply means for supplying the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution to the main body portion; 상기 약액 공급 수단에 의해 상기 본체부에 공급된 상기 황산과 상기 과산화 수소수를 혼합하여 상기 본체부로부터 상기 기판의 반경 방향 대략 전체에 걸쳐 공급하는 제2 약액 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And a second chemical liquid supply means for mixing the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water supplied to the body portion by the chemical liquid supply means and supplying the entire portion in the radial direction of the substrate from the body portion. Processing unit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 약액 공급 수단은, 상기 본체부의 일측면의 길이 방향을 따라 형성된 제1 슬릿과, 상기 본체부 타측면의 길이 방향을 따라 형성된 제2 슬릿과, 상기 본체부의 일측면과 타측면을 상기 본체부의 하단에서 연속시키는 곡면을 가지고 있으며,The second chemical liquid supply means may include a first slit formed along the longitudinal direction of one side of the main body, a second slit formed along the longitudinal direction of the other side of the main body, and one side and the other side of the main body. It has a curved surface continuous from the bottom of the main body, 상기 제1 약액 공급 수단은, 상기 제1 슬릿에 상기 황산을 공급하는 제1 급액관(給液管)과, 상기 제2 슬릿에 상기 과산화 수소수를 공급하는 제2 급액관을 가지고,The first chemical liquid supply means has a first feed pipe for supplying the sulfuric acid to the first slit, and a second feed pipe for supplying the hydrogen peroxide water to the second slit, 상기 제1 급액관으로부터 상기 제1 슬릿에 공급된 황산과, 상기 제2 급액관으로부터 상기 제2 슬릿에 공급된 과산화 수소수는 각각 각 슬릿으로부터 상기 본체부의 일측면과 타측면을 따라 흘러 하단의 곡면에서 혼합되어 상기 기판에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Sulfuric acid supplied from the first feed pipe to the first slit, and hydrogen peroxide water supplied from the second feed pipe to the second slit, respectively, flow from each slit along one side and the other side of the main body. Substrate processing apparatus, characterized in that the mixed on the curved surface is supplied to the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 약액 공급 수단은, 상기 본체부의 하단부에 상기 본체부의 길이 방향을 따라 형성된 급액로와, 상기 본체부의 길이 방향을 따라 소정 간격으로 형성되고, 상기 급액로와 상기 본체부의 하면을 연통시키는 복수개의 공급공(供給孔)을 가지고,The second chemical liquid supply means is formed at a lower end portion of the main body portion along a longitudinal direction of the main body portion and at a predetermined interval along the longitudinal direction of the main body portion, and a plurality of the liquid supply passages communicating with a lower surface of the main body portion. With two supply holes, 상기 제1 약액 공급 수단은, 상기 급액로에 상기 황산을 공급하는 제1 급액관과, 상기 급액로에 상기 과산화 수소수를 공급하는 제2 급액관을 가지고,The first chemical liquid supply means has a first feed pipe for supplying the sulfuric acid to the feed solution passage, and a second feed pipe for supplying the hydrogen peroxide solution to the feed solution passage, 상기 황산과 상기 과산화 수소수는 상기 급액로에서 혼합되어 상기 공급공으로부터 상기 기판에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the sulfuric acid and the hydrogen peroxide water are mixed in the feed solution and supplied to the substrate from the supply hole. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 본체부의 상면에는 상기 본체부를 초음파 진동시키는 진동자가 설치되 어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a vibrator for ultrasonically vibrating the body portion on an upper surface of the body portion. 기판에 형성된 레지스트막을 황산과 과산화 수소수를 혼합한 처리액에 의해 처리하는 기판의 처리 방법으로서,As a processing method of a board | substrate which processes the resist film formed in the board | substrate with the processing liquid which mixed sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, 회전 테이블에 상기 기판을 지지하는 공정과,Supporting the substrate on a turntable; 상기 황산과 상기 과산화 수소수를 상기 기판의 위쪽에서 혼합하여 처리액을 만드는 공정과,Mixing the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution on the substrate to form a treatment liquid; 상기 회전 테이블에 의해 회전되는 상기 기판의 반경 방향 대략 전체에 걸쳐 상기 처리액을 공급하는 공정Supplying the treatment liquid over approximately the entire radial direction of the substrate rotated by the rotary table 을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.A substrate processing method comprising a. 기판에 형성된 레지스트막을 처리하는 기판 처리 장치로서, A substrate processing apparatus for processing a resist film formed on a substrate, 상기 기판이 지지되는 회전 테이블과,A rotary table on which the substrate is supported; 상기 회전 테이블의 위쪽에 배치되고, 황산을 가압 기체로 가압하여 안개형으로 분사하는 제1의 2유체(流體) 노즐과,A first two-fluid nozzle disposed above the rotary table and configured to pressurize sulfuric acid with a pressurized gas to inject a mist; 상기 회전 테이블의 위쪽에 배치되고, 과산화 수소수를 가압 기체로 가압하여 안개형으로 분사하는 제2의 2유체 노즐A second two-fluid nozzle disposed above the rotary table and pressurizing hydrogen peroxide water with a pressurized gas to inject a mist; 을 구비하고,And 상기 제1의 2유체 노즐로부터 분사된 안개형의 황산과, 상기 제2의 2유체 노즐로부터 분사된 안개형의 과산화 수소수를 기판에 도달하기 전에 혼합시켜 상기 기판에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A mist-like sulfuric acid sprayed from the first two-fluid nozzle and a mist-shaped hydrogen peroxide water sprayed from the second two-fluid nozzle are mixed and supplied to the substrate before reaching the substrate. Processing unit. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 회전 테이블의 상부에는 암모니아수를 가압 기체로 가압하여 안개형으로 분사하는 제3의 2유체 노즐이 배치되어 있고,At the upper part of the rotary table, a third two-fluid nozzle which presses ammonia water with a pressurized gas and sprays it into a mist form is disposed, 상기 기판에 형성된 레지스트를 안개형의 황산과 과산화 수소수로 처리한 후 안개형으로 분사된 과산화 수소수와 암모니아수를 기판에 도달하기 전에 혼합시켜 상기 기판에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And treating the resist formed on the substrate with misty sulfuric acid and hydrogen peroxide water and then mixing the hydrogen peroxide water and ammonia water sprayed into the mist before reaching the substrate and supplying the resist to the substrate. 기판에 형성된 레지스트막을 처리하는 기판의 처리 방법으로서,As a processing method of the board | substrate which processes the resist film formed in the board | substrate, 상기 기판을 회전 가능하게 지지하는 공정과,Supporting the substrate rotatably; 황산을 가압 기체로 가압하여 안개형으로 분사하는 공정과,Pressurizing sulfuric acid with a pressurized gas and spraying it into a mist; 과산화 수소수를 가압 기체로 가압하여 안개형으로 분사하는 공정과,Pressurizing hydrogen peroxide water with a pressurized gas and spraying it into a mist; 안개형의 상기 황산과 상기 과산화 수소수를 혼합한 후 상기 기판에 공급하는 공정Mixing the sulfuric acid of the mist type and the hydrogen peroxide water and supplying it to the substrate 을 포함하는 기판 처리 방법.Substrate processing method comprising a. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 안개형의 황산과 과산화 수소수로 기판을 처리한 후 안개형의 과산화 수소수와 안개형의 암모니아수를 혼합한 후 기판에 공급하는 공정을 추가로 포함하는 것 을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.And treating the substrate with haze sulfuric acid and hydrogen peroxide water, and then mixing the haze hydrogen peroxide water with the haze ammonia water and supplying it to the substrate.
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