JP4364659B2 - Spin processing apparatus and spin processing method - Google Patents
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Description
この発明は基板を回転テーブルに保持してこの回転テーブルとともに回転させながら処理する基板のスピン処理装置及びスピン処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate spin processing apparatus and a spin processing method for processing a substrate while holding the substrate on a rotary table and rotating the substrate together with the rotary table.
たとえば、半導体装置の製造工程においては、半導体ウエハ等の基板に回路パターンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスではスピン処理装置を用いて基板を処理液としてのたとえばエッチング液などで処理した後、純水などのリンス液でリンス処理し、ついで回転テーブルを高速度で回転させることで、上記基板に付着残留したリンス液を除去する乾燥処理が行なわれる。 For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, there are a film forming process and a photo process for forming a circuit pattern on a substrate such as a semiconductor wafer. In these processes, the substrate is treated with a processing solution such as an etching solution using a spin processing apparatus, and then rinsed with a rinsing solution such as pure water, and then the rotating table is rotated at a high speed, whereby the above substrate is obtained. A drying process is performed to remove the rinse liquid remaining on the substrate.
上記スピン処理装置は、周知のように処理槽を有し、この処理槽内にはカップ体が設けられている。このカップ体内には駆動源によって回転駆動される回転テーブルが設けられている。この回転テーブルには上記基板の外周部を保持する複数の保持部材が周方向に沿って所定間隔で設けられ、これらの保持部材によって上記基板が回転テーブルに対して着脱可能に保持される。 The spin processing apparatus has a processing tank as is well known, and a cup body is provided in the processing tank. A rotating table that is rotationally driven by a driving source is provided in the cup body. The rotary table is provided with a plurality of holding members for holding the outer peripheral portion of the substrate at predetermined intervals along the circumferential direction, and the substrate is detachably held on the rotary table by these holding members.
したがって、回転テーブルに基板を保持し、この回転テーブルを回転させて基板に処理液を供給すれば、この基板を処理することができ、また処理後に回転テーブルを高速回転させれば、上記基板を乾燥処理することができる。 Therefore, the substrate can be processed by holding the substrate on the rotary table, and rotating the rotary table to supply the processing liquid to the substrate. If the rotary table is rotated at a high speed after the processing, the substrate is It can be dried.
上記基板には上面だけでなく、下面にも不純物が付着していることが多い。そのため、上記基板に付着した不純物を除去するため、たとえばエッチング液などの処理液をノズルによって上記基板の上面だけでなく、下面にも噴射供給し、この基板に付着残留する不純物をエッチング作用によって除去するということが行なわれている。 In many cases, impurities are attached not only to the upper surface but also to the lower surface of the substrate. Therefore, in order to remove impurities adhering to the substrate, for example, a processing solution such as an etching solution is sprayed and supplied not only to the upper surface of the substrate but also to the lower surface by a nozzle, and the impurities remaining on the substrate are removed by etching. It is being done.
基板の上下面をエッチング液で処理したならば、この基板の上下面に純水からなるリンス液をノズル体によって噴射供給し、基板に付着残留するエッチング液を洗浄除去する。ついで、回転テーブルを高速度で回転させることで、遠心力によって上記基板に付着残留したリンス液を除去する乾燥処理が行なわれる。 When the upper and lower surfaces of the substrate are treated with the etching solution, a rinsing liquid made of pure water is sprayed and supplied to the upper and lower surfaces of the substrate by the nozzle body, and the etching solution remaining on the substrate is cleaned and removed. Next, by rotating the rotary table at a high speed, a drying process is performed to remove the rinsing liquid remaining on the substrate by centrifugal force.
基板をリンス液によってリンス処理する際、基板の下面に供給されたリンス液はその下面から回転テーブルの上面に落下し、この回転テーブルもリンスされる。それによって、回転テーブルを高速回転させて基板を乾燥処理する際、回転テーブルからエッチング液がミスト状となって飛散することがなくなるから、ミスト状のエッチング液が基板に付着して基板の汚染の原因になるのを防止することが可能となる。 When the substrate is rinsed with the rinsing liquid, the rinsing liquid supplied to the lower surface of the substrate falls from the lower surface to the upper surface of the rotary table, and the rotary table is also rinsed. As a result, when the substrate is dried by rotating the rotary table at a high speed, the etching solution does not scatter in the form of mist from the rotary table. It becomes possible to prevent the cause.
しかしながら、従来は、基板をリンス液によってリンス処理する際、リンス液は予め設定された一定の噴射速度でノズルから基板の上面及び下面に向けて噴射するようにしていた。そのため、回転テーブルは基板のリンス処理時にある程度はリンス処理されるものの、リンス液は基板の下面の予め定められた位置だけに噴射されるため、その下面から跳ね返って落下するリンス液によって回転テーブルを満遍なくリンス処理することが難しかった。つまり、回転テーブルにエッチング液が残留するということがあった。 However, conventionally, when the substrate is rinsed with a rinsing liquid, the rinsing liquid is ejected from the nozzle toward the upper and lower surfaces of the substrate at a preset constant ejection speed. Therefore, although the rotary table is rinsed to some extent during the rinsing of the substrate, the rinsing liquid is sprayed only to a predetermined position on the lower surface of the substrate. It was difficult to rinse thoroughly. That is, the etching solution may remain on the rotary table.
その結果、基板の乾燥処理時に、回転テーブルに付着残留したエッチング液がミスト状となって飛散し、乾燥処理された基板に付着して汚染の原因になるということがあった。とくに、回転テーブルの上面は凹凸部分が多い。そのため、凹凸部分に付着したエッチング液は基板のリンス処理時に容易に除去することができないということがある。 As a result, during the drying process of the substrate, the etching solution remaining on the rotary table is scattered in the form of a mist and may adhere to the dried substrate and cause contamination. In particular, the upper surface of the rotary table has many uneven portions. For this reason, the etching solution adhering to the uneven portion may not be easily removed during the rinsing process of the substrate.
そこで、回転テーブルの上面側を平坦な整流カバーで覆うようにしている。それによって、エッチング液が凹凸部の多い回転テーブルの上面に直接付着するのを防止するとともに、回転テーブルを高速回転させて基板を乾燥処理する際に乱流が発生し難いようにしている。 Therefore, the upper surface side of the rotary table is covered with a flat rectifying cover. This prevents the etchant from directly adhering to the upper surface of the turntable with many irregularities, and makes it difficult for turbulence to occur when the turntable is rotated at a high speed to dry the substrate.
回転テーブルの上面側を平坦な整流カバーによって覆えば、確かにリンス処理時にエッチング液がリンス処理されずに回転テーブルに残るのを低減することができる。しかしながら、基板の下面にリンス液を噴射供給するノズルからは、上述したようにリンス液を一定の噴射速度で噴射している。 If the upper surface side of the turntable is covered with a flat rectifying cover, it is possible to reduce the etching liquid remaining on the turntable without being rinsed. However, as described above, the rinse liquid is sprayed at a constant spray speed from the nozzle that sprays the rinse liquid onto the lower surface of the substrate.
そのため、基板の下面で跳ね返ったリンス液が整流カバーに到達する領域も限られるから、リンス液によって整流カバー全体が満遍なくリンスされず、エッチング液が残留するということがある。それによって、基板の乾燥処理時に整流カバーに残留するエッチング液がミスト状となって飛散し、基板に付着して汚染の原因になるということがある。 For this reason, since the region where the rinse liquid bounced off the lower surface of the substrate reaches the rectifying cover is limited, the entire rectifying cover is not uniformly rinsed by the rinsing liquid, and the etching liquid may remain. As a result, the etching solution remaining on the rectifying cover during the drying process of the substrate may be scattered as a mist and adhere to the substrate, causing contamination.
とくに、整流カバーには、ノズルから基板の下面にエッチング液やリンス液を噴射するための通孔が穿設されている。そのため、その通孔の内周縁部に付着したエッチング液はリンス処理時にリンス液によって除去され難いということがあるため、その部分に付着残留したエッチング液が基板の汚染の原因になり易いということがある。 In particular, the rectifying cover is provided with a through hole for injecting an etching solution or a rinsing solution from the nozzle to the lower surface of the substrate. Therefore, the etching solution adhering to the inner peripheral edge of the through hole may be difficult to be removed by the rinsing solution during the rinsing process, so that the etching solution remaining on the portion tends to cause contamination of the substrate. is there.
この発明は、基板の下面をリンス処理する際に、リンス液によってその前の工程で使用した処理液を確実に除去できるようにすることで、リンス処理後に基板を高速回転させて乾燥処理するときに、基板が処理液によって汚染されることがないようにしたスピン処理装置及びスピン処理方法を提供することにある。 When rinsing the lower surface of the substrate, the present invention ensures that the processing liquid used in the previous step can be removed by the rinsing liquid, so that the substrate is dried at a high speed after the rinsing process. Another object of the present invention is to provide a spin processing apparatus and a spin processing method in which the substrate is not contaminated by the processing liquid.
この発明は、基板を回転させながら処理するスピン処理装置であって、
回転テーブルと、
この回転テーブルに設けられた上記基板を保持する複数の保持手段と、
上記回転テーブルを回転駆動する駆動手段と、
上記回転テーブルに保持される上記基板の下面に向けて処理液を供給する第1のノズルと、
処理液によって処理された上記基板の下面にリンス液を供給する第2のノズルと、
この第2のノズルから噴射されるリンス液の噴射速度を変化させる速度制御手段を具備し、
上記回転テーブルの上面側は整流カバーによって覆われていて、この整流カバーの中心部分には、上記第1のノズル体から噴射される処理液と、第2のノズル体から噴射されるリンス液とを上記回転テーブルに保持された上記基板の下面に到達させる通孔が開口形成されていることを特徴とするスピン処理装置にある。
The present invention is a spin processing apparatus for processing while rotating a substrate,
A rotating table,
A plurality of holding means for holding the substrate provided on the turntable;
Drive means for rotating the rotary table;
A first nozzle for supplying a processing liquid toward the lower surface of the substrate held by the turntable;
A second nozzle for supplying a rinsing liquid to the lower surface of the substrate processed by the processing liquid;
Comprising a speed control means for changing the spray speed of the rinse liquid sprayed from the second nozzle ;
The upper surface side of the turntable is covered with a rectifying cover, and a processing liquid sprayed from the first nozzle body and a rinsing liquid sprayed from the second nozzle body are formed in the central portion of the rectifying cover. The spin processing apparatus is characterized in that a through hole is formed to reach the lower surface of the substrate held by the rotary table .
上記速度制御手段は、上記第2のノズル体にリンス液を供給する給液管に設けられた開閉制御弁と、この開閉制御弁を開閉制御する制御手段とを有することが好ましい。 The speed control means preferably includes an opening / closing control valve provided in a liquid supply pipe for supplying a rinsing liquid to the second nozzle body, and a control means for controlling opening / closing of the opening / closing control valve.
上記速度制御手段は、上記第2のノズル体にリンス液を供給する給液管に設けられた流量制御弁と、この流量制御弁を流れるリンス液の流量を制御する制御手段とを有することが好ましい。 The speed control means may include a flow rate control valve provided in a liquid supply pipe for supplying the rinse liquid to the second nozzle body, and a control means for controlling the flow rate of the rinse liquid flowing through the flow rate control valve. preferable.
上記速度制御手段は、開閉制御弁と流量制御弁とを直列に接続して流量制御ユニットを形成し、2つの流量制御ユニットを並列にして上記第2のノズル体にリンス液を供給する給液管に接続するとともに、上記各流量制御ユニットの開閉制御弁と流量制御弁のうちの少なくとも開閉制御弁を開閉制御する制御手段を有することが好ましい。 The speed control means is configured to connect an opening / closing control valve and a flow rate control valve in series to form a flow rate control unit, and to supply a rinsing liquid to the second nozzle body with two flow rate control units arranged in parallel. It is preferable to have a control means for opening and closing at least an open / close control valve among the open / close control valve and the flow control valve of each of the flow rate control units as well as being connected to the pipe.
この発明は、基板を上面側が整流カバーによって覆われた回転テーブルとともに回転させながら処理するスピン処理方法であって、
上記回転テーブルに上記基板を供給する工程と、
上記基板を上記回転テーブルとともに回転させる工程と、
上記回転テーブルとともに回転する基板の下面に上記整流カバーの中心部に開口形成された通孔を通じて処理液を供給して処理する工程と、
処理液によって処理された基板の下面にリンス液を上記整流カバーの通孔を通じて供給してリンス処理する工程と、
基板の下面をリンス処理する際に、この下面に供給するリンス液の噴射速度を変化させる工程と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理方法にある。
The present invention is a spin processing method for processing a substrate while rotating the substrate together with a rotary table whose upper surface is covered with a rectifying cover ,
Supplying the substrate to the turntable;
Rotating the substrate together with the rotary table;
A process of supplying a processing liquid through a through hole formed in the center of the rectifying cover on the lower surface of the substrate rotating together with the rotary table;
Supplying a rinsing liquid to the lower surface of the substrate treated with the processing liquid through the through hole of the rectifying cover, and rinsing processing;
And a step of changing a spray speed of a rinsing liquid supplied to the lower surface when the lower surface of the substrate is rinsed.
この発明によれば、基板の下面にリンス液を供給するとき、このリンス液の噴射速度を変化させると、その噴射速度に応じてリンス液の着地位置が変化するため、回転テーブルに付着残留する処理液を満遍なくリンス処理することが可能となる。 According to the present invention, when the rinsing liquid is supplied to the lower surface of the substrate, if the rinsing liquid spraying speed is changed, the landing position of the rinsing liquid is changed according to the spraying speed, and therefore remains attached to the rotary table. It becomes possible to uniformly rinse the treatment liquid.
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1乃至図4はこの発明の第1の一実施の形態であって、図1はスピン処理装置を示す。このスピン処理装置は同図に鎖線で示すカップ体1を有する。このカップ体1の底部の径方向中心部には通孔2が穿設され、周辺部には複数の排出管1aが周方向に所定間隔で接続されている。
1 to 4 show a first embodiment of the present invention, and FIG. 1 shows a spin processing apparatus. This spin processing apparatus has a cup body 1 indicated by a chain line in FIG. A through
上記通孔2には円筒状の動力伝達体3が設けられている。この動力伝達体3は駆動手段である制御モータ4によって回転駆動される。この制御モータ4は筒状の固定子5と、この固定子5内に回転可能に挿入された同じく筒状の回転子6とを有する。
A cylindrical power transmission body 3 is provided in the
上記動力伝達体3は下端を上記回転子6の上端面に接触させ、その部分がねじ7によって固定されている。したがって、上記動力伝達体3は上記回転子6と一体的に回転するようになっている。なお、上記制御モータ4は制御装置8によって回転速度が後述するように制御される。
The power transmission body 3 has a lower end brought into contact with the upper end surface of the
上記動力伝達体3のカップ体1内に突出した上端部には回転テーブル11が取付けられている。この回転テーブル11は円盤状をなした下板12と上板13とを重合させてなり、これら下板12と上板13との中心部分には上記動力伝達体3の内部空間に連通する通孔14が形成されている。
A rotary table 11 is attached to an upper end portion of the power transmission body 3 protruding into the cup body 1. The rotary table 11 is formed by superposing a disc-like
上記回転テーブル11の上板13の周辺部には周方向に所定間隔、たとえば90度間隔で4つの支持筒部15が一体形成されている。上記下板12の上記支持筒部15と対応する部分には通孔16が形成されている。
Four
上記支持筒部15と通孔16には、各々ブッシュ17a,17bが嵌着され、このブッシュ17a,17bには保持部材18が回転可能に支持されている。この保持部材18は、上記ブッシュ17a,17bに支持された軸部19と、この軸部19の上端部に一体形成された上記軸部19よりも大径な頭部20とを有する。
上記頭部20の上端面には、保持部材19の回転中心から偏心した位置にテーパ部材21が設けられている。このテーパ部材21のテーパ面21aの傾斜方向上端部には係合ピン22が突設されている。
A
そして、各保持部材19に設けられたテーパ部材21には半導体ウエハなどの基板Wが周辺部の下面をそのテーパ面21aに載置して設けられる。その状態で、各保持部材19を所定方向、たとえば時計方向に回転させると、上記テーパ部材21が偏心回転する。それによって、基板Wの周辺部がテーパ部材21のテーパ面21aに沿って上昇し、その外周面が係合ピン22に当接するから、基板Wは4つの保持部材19によって回転テーブル11に一体的に保持される。
Then, a substrate W such as a semiconductor wafer is provided on the
上記保持部材19を先程と逆方向である、反時計方向に回転させると、上記保持ローラ22が基板Wの外周面から離れる方向に偏心回転する。それによって、基板Wの4つの保持部材19による保持状態が開放される。
When the holding
図1に示すように、上記保持部材18の軸部19は下端が回転テーブル11の下面側に突出し、その突出端部には子歯車25が嵌着されている。各保持部材18の軸部19に嵌着された子歯車25は親歯車26に噛合している。この親歯車26は上記動力伝達体3に軸受27を介して回転可能に保持されている。
As shown in FIG. 1, the lower end of the
上記親歯車26は上記動力伝達体3の外周面に設けられたばね28によって所定の回転方向、たとえば反時計方向に付勢されている。それによって、子歯車25が時計方向に回転し、その回転に保持部材18が連動してテーパ部材21が偏心回転することで、基板Wは各保持部材18の係合ピン22によって回転体11に保持される。
The
基板Wの保持状態を解除するには、上記親歯車26を図示しない解除機構によってばね28の付勢力に抗して時計方向に回転させる。具体的には、上記解除機構によって親歯車26が回転するのを阻止し、その状態で回転テーブル11を制御モータ4によって時計方向に回転させる。それによって、保持部材18は反時計方向に回転するから、係合ピン22による基板Wの保持状態が解除されることになる。
In order to release the holding state of the substrate W, the
上記動力伝達体3の内部には保持筒31が挿通されている。この保持筒31の上端にはノズルヘッド32が取着されている。このノズルヘッド32には、上面に開口した断面形状が逆円錐状の凹部30が形成されている。
A holding
上記ノズルヘッド32には、回転テーブル11に保持された基板Wの下面中心部に向かってたとえば処理液としてのエッチング液を噴射する第1のノズル33と、純水からなるリンス液を噴射する第2のノズル34及び図示しないが窒素ガスなどの気体を噴射する第3のノズルとが先端を上記凹部30の内面に開口させて形成されている。さらに、ノズルヘッド32には、上記凹部30の内面の最下端に先端を開口させた排液孔30aが形成されている。
The
上記第1のノズル33の後端には第1の給液管35が接続され、上記第2のノズル34の後端には第2の給液管36が接続されている。さらに、上記排液孔30aには排液管37が接続されている。
A first
上記第1の給液管35は上記第1のノズルにエッチング液を供給する、図示しないエッチング液の供給源に接続されている。上記第2の給液管36は上記第2のノズル34にリンス液を供給する、図示しないリンス液の供給源に接続されている。
The first
上記第2の給液管36の中途部には、図2に示すように供給源から供給されるリンス液の圧力、つまり流量を調整する流量制御弁38、開閉制御弁39及び逆止弁40が順次直列に設けられている。上記開閉制御弁39は制御手段としての制御装置41によって開閉制御されるようになっている。
In the middle of the second
後述するように、上記第2のノズル34から基板Wの下面にリンス液を供給する際、上記制御装置41は上記開閉制御弁39を所定時間ごとに開閉制御する。それによって、リンス液は第2の供給管36を断続的に流れることになるから、第2のノズル34から噴射するリンス液の噴射速度も断続的に変化することになる。つまり、この第1の実施の形態では、上記開閉制御弁39と上記制御装置41とで第2のノズル34から噴射するリンス液の噴射速度を制御する速度制御手段を構成している。
As will be described later, when the rinsing liquid is supplied from the
上記回転テーブル11の上面及び外周面は整流カバー45によって覆われている。この整流カバー45は、回転テーブル11に保持される基板Wの下面に対向する対向壁部46と、この対向壁部46の周縁部に垂設された周壁部47とを有する。
The upper surface and outer peripheral surface of the rotary table 11 are covered with a rectifying
上記対向壁部46には、第1のノズル33から噴射されるエッチング液、第2のノズル34から噴射されるリンス液及び第3のノズル体から噴射される気体を基板Wの下面に到達させるための通孔48が形成されている。
In the facing
上記回転テーブル11の上面に立設された4本の保持部材18の上端部は、上記整流カバー45の対向壁部46に穿設された通孔49からその上面側に突出している。
また、回転テーブル11の上方には、下面側と同様、基板Wに処理液としてのエッチング液を噴射する第1の上部ノズル体50及びリンス液を噴射する第2の上部ノズル体51が配置されている。
The upper ends of the four holding
Further, similarly to the lower surface side, a first
つぎに、上記構成のスピン処理装置によって基板Wを処理する際の作用について説明する。この実施の形態における基板Wの処理は、図3に示すようにエッチング工程、リンス工程及び乾燥工程からなる。 Next, an operation when the substrate W is processed by the spin processing apparatus having the above configuration will be described. The processing of the substrate W in this embodiment includes an etching process, a rinsing process, and a drying process as shown in FIG.
まず、基板Wを回転テーブル11に保持し、この回転テーブル11を数十〜数百r.p.mの低速度で回転させながら、基板Wの上面と下面とに第1のノズル33と第1の上部ノズル体50とからエッチング液を供給する。エッチング液による処理は、基板Wの上面と下面だけでなく、上面に供給されたエッチング液が遠心力で径方中心部から外周部に向い、外周面に沿って流れることで、外周面に対しても行なわれる。
First, the substrate W is held on the turntable 11, and the turntable 11 is moved to several tens to several hundreds r. p. The etchant is supplied from the
第1のノズル33から基板Wの下面に噴射供給されたエッチング液は、一部が基板Wの下面中心部から周辺部に沿って流れて下面全体をエッチング処理するとともに、下面で跳ね返ってエッチング液は整流カバー45の上面に滴下する。また、エッチング液の一部は整流カバー45に形成された通孔48の内周縁部などにも付着する。
A part of the etching solution sprayed and supplied from the
基板Wをエッチング液によってエッチング処理したならば、エッチング液の供給を停止してリンス液を供給し、リンス処理を行なう。それによって、基板Wの上下面に付着残留するエッチング液を以下のように洗浄除去することができる。 If the substrate W is etched with the etchant, the supply of the etchant is stopped, the rinse liquid is supplied, and the rinse process is performed. Thereby, the etching solution remaining on the upper and lower surfaces of the substrate W can be removed by washing as follows.
すなわち、基板Wをリンス処理する場合、第2のノズル34から基板Wの下面に噴射供給されるリンス液の噴射速度を制御装置41によって変化させる制御が行なわれる。すなわち、リンス処理時には開閉制御弁39が制御装置41によって断続的に開閉制御される。そのため、リンス工程では、第2のノズル34から噴射されるリンス液の噴射速度は、図3に示す開閉制御弁39の開閉に応じて変化を繰り返すことになる。
That is, when the substrate W is rinsed, the
リンス液の噴射速度が変化を繰り返すと、その変化に応じて第2のノズル34から噴射されたリンス液の到達位置が変化することになる。すなわち、開閉制御弁39が開のとき、リンス液は図4(a)に矢印Aで示すように所定の速度で基板Wの下面の所定の位置に衝突し、この基板Wの下面をリンス処理する。
When the spraying speed of the rinsing liquid repeatedly changes, the arrival position of the rinsing liquid sprayed from the
開閉制御弁39が閉じられると、リンス液の噴射速度が次第に低くなるから、図4(b)に矢印Bで示すようにリンス液は、整流カバー45の上面や通孔48の周縁部に当たり、その部分をリンス処理する。リンス液の噴射速度がさらに低くなると、図4(c)に矢印Cで示すようにノズルヘッド32に形成された凹部30に当たり、その凹部30の表面をリンス処理する。凹部30をリンス処理したリンス液は排液孔30aから排液管37を通って排出される。
When the open /
このように、開閉制御弁39の開閉を繰り返して第2のノズル34から噴射されるリンス液の噴射速度を変化させると、リンス液が当たる位置を基板Wの下面だけでなく、整流カバー45の上面や通孔48の周縁部などに変化させることができる。そのため、基板Wの下面の所定の箇所だけにリンス液を衝突させるだけでは、十分にリンス処理することができなかった整流カバー45の上面や通孔48の内周縁部なども確実にリンス処理することができる。
As described above, when the opening /
その結果、リンス処理後に回転テーブル11を高速度で回転させて行なう基板Wの乾燥処理時に、回転テーブル11の上面側を覆う整流カバー45の上面や通孔48の内周部、さらにはノズルヘッド32の凹部30などからエッチング液がミスト状となって飛散するのを防止できる。
As a result, when the substrate W is dried by rotating the turntable 11 at a high speed after the rinsing process, the upper surface of the rectifying
したがって、乾燥処理時に基板Wにミスト状のエッチング液が付着し、基板Wが汚染されるの防止することができる。つまり、基板Wの乾燥処理を、基板を汚染させることなく確実に行なうことが可能となる。 Therefore, it is possible to prevent the mist-like etching liquid from adhering to the substrate W during the drying process and contaminating the substrate W. That is, the drying process of the substrate W can be reliably performed without contaminating the substrate.
この第1の実施の形態では、回転テーブル11の上面側を整流カバー45で覆うようにしているが、回転テーブル11の上面側が整流カバー45で覆われていない場合であっても、第2のノズル34から噴射されるリンス液の噴射速度を変化させることで、基板Wの下面に供給されるリンス液によって回転テーブル11に付着したエッチング液をむらなく良好にリンス処理することが可能となる。
In the first embodiment, the upper surface side of the turntable 11 is covered with the rectifying
図5と図6は、それぞれこの発明の第2の実施の形態と、第3の実施の形態を示す速度制御手段の変形例である。 FIG. 5 and FIG. 6 are modifications of the speed control means showing the second embodiment and the third embodiment of the present invention, respectively.
図5に示す速度制御手段は、第2の給液管36に開閉制御弁39、流量制御弁38及び逆止弁40が順次直列に設けられている。制御装置41は、上記開閉制御弁39を開閉制御するだけでなく、上記流量制御弁38も制御して第2の供給管36を流れるリンス液の流量を変えることができるようになっている。
In the speed control means shown in FIG. 5, an opening /
したがって、開閉制御弁39を開いてリンス液を第2のノズル34から噴射させるとき、流量制御弁38によって第2のノズル34から噴射するリンス液の噴射速度を変化させることが可能となる。つまり、第1の実施の形態のように、開閉制御弁39を開閉制御するだけの場合に比べ、第2のノズル34から噴射するリンス液の噴射速度を高精度で変化させることが可能となる。
Accordingly, when the opening /
図6に示す速度制御手段は、第1の流量制御弁38a、第1の開閉制御弁39a及び第1の逆止弁40aが順次直列に接続された第1の流量制御ユニット54aと、第2の流量制御弁38b、第2の開閉制御弁39b及び第2の逆止弁40bが順次直列に接続された第2の流量制御ユニット54bとを、並列にして第2の給液管36に設ける。
The speed control means shown in FIG. 6 includes a first
上記第1、第2の流量制御弁38a、38bは予め所定の開度に設定されており、上記第1、第2の開閉制御弁39a,39bは制御装置41によって開閉が制御されるようになっている。
The first and second
このような構成の速度制御手段によれば、第1の開閉制御弁39aを開いて第2の開閉制御弁39bを閉じれば、第1の流量制御弁38aによって設定された流量のリンス液が第2の給液管36を流れるから、リンス液はその流量に応じた噴射速度で第2のノズル34から噴射する。同様に、第1の開閉制御弁39aを閉じて第2の開閉制御弁39bを開けば、第2の流量制御弁38bによって設定された流量のリンス液が第2の給液管36を流れるから、リンス液はその流量に応じた噴射速度で第2のノズル34から噴射する。
According to the speed control means having such a configuration, when the first opening /
さらに、第1、第2の開閉制御弁39a,39bを開けば、これら開閉制御弁39a,39bの和に応じた流量のリンス液が第2の供給管36を流れるから、リンス液はその流量に応じた噴射速度で第2のノズル34から噴射することになる。
Further, if the first and second on / off
したがって、このような構成によれば、第2のノズル34から噴射するリンス液の速度を3段階に変えることができるため、その速度変化に応じて整流カバー45の上面などを確実にリンス処理することが可能である。
Therefore, according to such a configuration, since the speed of the rinsing liquid ejected from the
なお、この実施の形態において、第1、第2の開閉弁39a,39bに代わり第1、第2の流量制御弁38a,38bを制御装置41によって制御するようにしてもよく、或いは開閉弁及び流量制御弁の両方を制御装置41によって制御するようにしてもよい。
In this embodiment, instead of the first and second on-off
この発明における基板の処理は、上述したようにエッチング処理後にリンス処理を行なう場合だけに限られず、基板をエッチング液以外の処理液で処理した場合であっても、その処理後にリンス処理を行なう際にはこの発明を適用することができる。 The substrate processing in the present invention is not limited to the case where the rinsing process is performed after the etching process as described above. Even when the substrate is processed with a processing solution other than the etching solution, the rinsing process is performed after the processing. The present invention can be applied to.
4…制御モータ(駆動手段)、11…回転テーブル、18…保持部材(保持手段)、34…第2のノズル、38…流量制御弁、39…開閉制御弁、41…制御装置。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Control motor (drive means), 11 ... Rotary table, 18 ... Holding member (holding means), 34 ... 2nd nozzle, 38 ... Flow control valve, 39 ... Open / close control valve, 41 ... Control apparatus.
Claims (5)
回転テーブルと、
この回転テーブルに設けられた上記基板を保持する複数の保持手段と、
上記回転テーブルを回転駆動する駆動手段と、
上記回転テーブルに保持される上記基板の下面に向けて処理液を供給する第1のノズルと、
処理液によって処理された上記基板の下面にリンス液を供給する第2のノズルと、
この第2のノズルから噴射されるリンス液の噴射速度を変化させる速度制御手段を具備し、
上記回転テーブルの上面側は整流カバーによって覆われていて、この整流カバーの中心部分には、上記第1のノズル体から噴射される処理液と、第2のノズル体から噴射されるリンス液とを上記回転テーブルに保持された上記基板の下面に到達させる通孔が開口形成されていることを特徴とするスピン処理装置。 A spin processing apparatus for processing while rotating a substrate,
A rotating table,
A plurality of holding means for holding the substrate provided on the turntable;
Drive means for rotating the rotary table;
A first nozzle for supplying a processing liquid toward the lower surface of the substrate held by the turntable;
A second nozzle for supplying a rinsing liquid to the lower surface of the substrate processed by the processing liquid;
Comprising a speed control means for changing the spray speed of the rinse liquid sprayed from the second nozzle ;
The upper surface side of the turntable is covered with a rectifying cover, and a processing liquid sprayed from the first nozzle body and a rinsing liquid sprayed from the second nozzle body are formed in the central portion of the rectifying cover. A spin processing apparatus, wherein a through hole is formed to reach the bottom surface of the substrate held by the rotary table .
上記回転テーブルに上記基板を供給する工程と、
上記基板を上記回転テーブルとともに回転させる工程と、
上記回転テーブルとともに回転する基板の下面に上記整流カバーの中心部に開口形成された通孔を通じて処理液を供給して処理する工程と、
処理液によって処理された基板の下面にリンス液を上記整流カバーの通孔を通じて供給してリンス処理する工程と、
基板の下面をリンス処理する際に、この下面に供給するリンス液の噴射速度を変化させる工程と
を具備したことを特徴とする基板のスピン処理方法。 A spin processing method for processing a substrate while rotating the substrate together with a rotary table whose upper surface side is covered with a rectifying cover ,
Supplying the substrate to the turntable;
Rotating the substrate together with the rotary table;
A process of supplying a processing liquid through a through hole formed in the center of the rectifying cover on the lower surface of the substrate rotating together with the rotary table;
Supplying a rinsing liquid to the lower surface of the substrate treated with the processing liquid through the through hole of the rectifying cover, and rinsing processing;
And a step of changing a spraying speed of a rinsing liquid supplied to the lower surface when the lower surface of the substrate is rinsed.
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