JP2003257925A - Spinning treatment apparatus and method therefor - Google Patents

Spinning treatment apparatus and method therefor

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JP2003257925A
JP2003257925A JP2002059339A JP2002059339A JP2003257925A JP 2003257925 A JP2003257925 A JP 2003257925A JP 2002059339 A JP2002059339 A JP 2002059339A JP 2002059339 A JP2002059339 A JP 2002059339A JP 2003257925 A JP2003257925 A JP 2003257925A
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JP
Japan
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processing
cup
substrate
cup body
clean air
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Application number
JP2002059339A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Kikuchi
勉 菊池
Tadao Hirakawa
忠夫 平川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spinning treatment apparatus which can prevent the leak of an atmosphere in a treatment vessel to an external side and the entry of external air when a semiconductor wafer is carried into the treatment vessel or carried out to the external side. <P>SOLUTION: The spinning treatment apparatus comprises a treatment vessel 1 provided with a semiconductor wafer entrance 34 which is opened and closed by a shutter 35, a cup body 2 provided in the treatment vessel, a rotating table 16 which is driven to rotate while it is provided in the cup body and holding semiconductor wafers, a fan filter unit 32 for guiding clean air into the treatment vessel provided at the upper part of the treatment vessel, an exhaust pump 6 to exhaust the clean air supplied to the treatment vessel from the fan filter unit, and a path 26 for controlling the amount of the clean air supplied to the treatment vessel and the amount of the clean air exhausted from the cup body to keep pressure in the treatment vessel to almost the atmospheric pressure when the semiconductor wafers are carried in and out to and from the treatment vessel by opening the entrance 34. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は基板を回転させな
がら処理液による処理及びこの処理液を基板から除去し
て乾燥させる処理を行なうスピン処理装置及びスピン処
理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spin processing apparatus and a spin processing method for performing processing with a processing liquid while rotating a substrate and processing for removing the processing liquid from the substrate and drying it.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置などを製造す
る場合、半導体ウエハやガラス基板などの基板に回路パ
タ−ンを形成するリソグラフィプロセスがある。このリ
ソグラフィプロセスは、周知のように上記基板にレジス
トを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが形成された
マスクを介して光を照射し、ついでレジストの光が照射
されない部分(あるいは光が照射された部分)を除去
し、除去された部分をエッチングするなどの一連の工程
を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パタ−ンを形
成するものである。
2. Description of the Related Art When manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal display device, there is a lithographic process for forming a circuit pattern on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate. In this lithographic process, as is well known, a resist is applied to the above substrate, light is irradiated through a mask on which a circuit pattern is formed, and then a portion of the resist which is not irradiated (or light is irradiated). The circuit pattern is formed on the substrate by repeating a series of steps such as removing the removed portion) and etching the removed portion a plurality of times.

【0003】上記一連の各工程において、上記基板が汚
染されていると回路パタ−ンを精密に形成することがで
きなくなり、不良品の発生原因となる。したがって、そ
れぞれの工程で回路パタ−ンを形成する際には、レジス
トや塵埃などの微粒子が残留しない清浄な状態に上記基
板を洗浄処理するということが行われている。
In the above series of steps, if the substrate is contaminated, the circuit pattern cannot be precisely formed, which causes defective products. Therefore, when the circuit pattern is formed in each step, the substrate is cleaned so that fine particles such as resist and dust do not remain.

【0004】上記基板を洗浄処理する装置としてスピン
処理装置が知られている。このスピン処理装置は処理槽
を有し、この処理槽内にはカップ体が設けられている。
このカップ体内には回転テーブルが設けられ、この回転
テーブルには上記基板が着脱可能に保持される。
A spin processing apparatus is known as an apparatus for cleaning the substrate. This spin processing apparatus has a processing tank, and a cup body is provided in this processing tank.
A rotary table is provided in the cup body, and the substrate is detachably held on the rotary table.

【0005】回転テーブルに基板を保持し、回転テーブ
ルを回転させながら基板に処理液を供給して処理したな
らば、上記回転テーブルを処理液による処理時に比べて
高速度で回転させることで、この基板を乾燥処理する。
When the substrate is held on the turntable and the treatment liquid is supplied to the substrate while the turntable is rotated, the turntable is rotated at a higher speed than the treatment with the treatment liquid. The substrate is dried.

【0006】上記処理槽の上部にはULPAやHEPA
などのファン・フィルタユニットが設けられ、基板を処
理するときに処理槽内に清浄空気を供給するようにして
いる。上記カップ体の底部には排出管が接続されてい
る。この排出管には排気ポンプが接続されている。それ
によって、上記ファン・フィルタユニットから処理槽内
に供給された清浄空気は上記カップ体内を通り、上記排
出管から排出される。
ULPA and HEPA are provided above the processing tank.
A fan / filter unit such as is provided to supply clean air into the processing tank when processing a substrate. A discharge pipe is connected to the bottom of the cup body. An exhaust pump is connected to this discharge pipe. As a result, the clean air supplied from the fan / filter unit into the processing tank passes through the cup body and is discharged from the discharge pipe.

【0007】このように、基板の処理時にファン・フィ
ルタユニットから処理槽内に清浄空気を供給し、カップ
体内を通過させて排出することで、基板を乾燥処理する
ときに発生するミストがカップ体や処理槽内に浮遊する
のを防止している。それによって、乾燥処理時に基板に
ミストが付着して汚染原因となるのを防止している。
As described above, when the substrate is processed, clean air is supplied from the fan / filter unit into the processing tank, passes through the cup body, and is discharged, so that mist generated when the substrate is dried is generated in the cup body. And prevents floating in the treatment tank. This prevents mist from adhering to the substrate during the drying process and causing contamination.

【0008】上記処理槽の一側には基板を出し入れする
ための出し入れ口が設けられ、この出し入れ口はシャッ
タによって開閉できるようになっている。上記回転テー
ブルに未処理の基板を供給するときや乾燥処理された基
板を上記回転テーブルから取り出すときには、上記出し
入れ口を開放し、ロボットなどによって基板の出し入れ
を行なう。
A loading / unloading port for loading / unloading the substrate is provided on one side of the processing bath, and the loading / unloading port can be opened and closed by a shutter. When supplying an unprocessed substrate to the rotary table or taking out a dried substrate from the rotary table, the loading / unloading port is opened and the substrate is loaded / unloaded by a robot or the like.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上記処理槽内の圧力
は、乾燥処理時に発生するミストが処理槽内で浮遊する
のを防止するために、たとえば負圧に設定されることが
ある。つまり、ファン・フィルタユニットから処理槽内
に供給される清浄空気の量が排出管から排出される排気
量よりもわずかに少なくなるよう設定することで、処理
槽内のミストを効率よく排出できるようにしている。
The pressure in the processing tank may be set to, for example, a negative pressure in order to prevent the mist generated during the drying process from floating in the processing tank. That is, by setting the amount of clean air supplied from the fan / filter unit into the processing tank to be slightly smaller than the amount of exhaust air discharged from the exhaust pipe, the mist in the processing tank can be efficiently discharged. I have to.

【0010】そのような状態で、基板を出し入れするた
めに出し入れ口を開放すると、負圧の処理槽内に外気が
流入することになる。処理槽がクリーンルーム内に設置
されていても、クリーンルーム内の気体にはパーティク
ルが含まれるから、処理槽内に流入したパーティクルに
よって基板が汚染される虞がある。
In such a state, if the loading / unloading port is opened for loading / unloading the substrate, the outside air will flow into the negative pressure processing tank. Even if the processing tank is installed in the clean room, the gas in the clean room contains particles, so that the substrate may be contaminated by the particles flowing into the processing tank.

【0011】処理槽内に外気が流入するのを防止するた
め、処理槽内の圧力を正圧に維持するということが考え
られる。その場合、基板を出し入れするために出し入れ
口を開放すると、処理槽内の気体が外部に流出すること
になる。処理槽内の気体にはミスト状の処理液が含まれ
ている。処理液には有害な薬液が用いられることがあ
る。そのため、ミスト状の処理液を含む気体が処理槽か
ら流出すると、クリーンルームの作業環境の悪化を招く
ということがあり、好ましくない。
In order to prevent outside air from flowing into the processing tank, it may be considered to maintain the pressure in the processing tank at a positive pressure. In that case, if the loading / unloading port is opened to load / unload the substrate, the gas in the processing tank will flow out. The gas in the processing tank contains a mist-like processing liquid. A harmful chemical solution may be used as the processing solution. Therefore, if the gas containing the mist-like treatment liquid flows out of the treatment tank, the working environment of the clean room may be deteriorated, which is not preferable.

【0012】この発明は、処理槽に基板を出し入れする
際、この処理槽内の雰囲気が外部に流出したり、外気が
処理槽内に流入するなどのことがないようにしたスピン
処理装置及びスピン処理方法を提供することにある。
According to the present invention, when a substrate is put into or taken out of a processing bath, the atmosphere in the processing bath is prevented from flowing out and the outside air is prevented from flowing into the processing bath. It is to provide a processing method.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を回転させながら処理液による処理及びこの処理液を除
去する処理を行なうスピン処理装置において、シャッタ
によって開閉される上記基板の出し入れ口が設けられた
処理槽と、この処理槽内に設けられたカップ体と、この
カップ体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動され
る回転テーブルと、上記処理槽の上部に設けられこの処
理槽内に清浄空気を導入するファン・フィルタユニット
と、このファン・フィルタユニットから上記処理槽内に
供給された清浄空気を上記カップ体を通じて排出する排
出手段と、上記出し入れ口を開放して上記基板を上記処
理槽に出し入れする際に上記処理槽内の圧力がほぼ大気
圧になるようこの処理槽内に供給される清浄空気の流量
と上記カップ体から排出される清浄空気の流量とを制御
する流量調整手段とを具備したことを特徴とするスピン
処理装置にある。
According to a first aspect of the present invention, in a spin processing apparatus for performing processing with a processing liquid and processing for removing the processing liquid while rotating the substrate, a loading / unloading port of the substrate opened / closed by a shutter. , A cup body provided in the treatment bath, a rotary table provided in the cup body for holding and rotating the substrate, and a treatment table provided above the treatment bath. A fan / filter unit for introducing clean air into the tank, a discharging means for discharging the clean air supplied from the fan / filter unit into the processing tank through the cup body, and the substrate with the inlet / outlet opening opened. And the cup body so that the pressure in the processing tank becomes almost atmospheric pressure when the water is taken in and out of the processing tank. It has and a flow rate adjusting means for controlling the flow rate of the clean air discharged in a spin processing apparatus according to claim.

【0014】請求項2の発明は、上記カップ体は、下カ
ップと、この下カップに対して上下動可能に設けられた
上カップとを有し、上記流量調整手段は、上記処理槽に
上記基板を出し入れする際に上記上カップを下降させた
とき、上記上カップの内周面と上記回転テーブルの外周
面とによって形成される流路であることを特徴とする請
求項1記載のスピン処理装置にある。
According to a second aspect of the present invention, the cup body has a lower cup and an upper cup that is vertically movable with respect to the lower cup, and the flow rate adjusting means is provided in the processing tank. 2. The spin process according to claim 1, wherein the flow path is formed by the inner peripheral surface of the upper cup and the outer peripheral surface of the rotary table when the upper cup is lowered when the substrate is taken in and out. On the device.

【0015】請求項3の発明は、上記カップ体は、下カ
ップと、この下カップに対して上下動可能に設けられた
上カップとを有し、上記流量調整手段は、上記下カップ
と上記上カップとにそれぞれ形成された第1の通孔と第
2の通孔とを有し、これら第1、第2の通孔は、上記上
カップが上昇時に非対向状態にあり、下降時に対向する
ことを特徴とする請求項1記載のスピン処理装置にあ
る。
According to a third aspect of the present invention, the cup body has a lower cup and an upper cup that is vertically movable with respect to the lower cup, and the flow rate adjusting means includes the lower cup and the upper cup. The upper cup has a first through hole and a second through hole respectively formed therein, and these first and second through holes are in a non-opposing state when the upper cup rises and face each other when the upper cup descends. The spin processing apparatus according to claim 1, wherein:

【0016】請求項4の発明は、上記流量調整手段は、
上記ファン・フィルタユニットにより上記処理槽内へ供
給される清浄空気量と、上記排出手段により上記カップ
体内から排出される空気量とを制御する制御装置である
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のスピン処
理装置にある。
According to a fourth aspect of the invention, the flow rate adjusting means is
The control device for controlling the amount of clean air supplied into the processing tank by the fan / filter unit and the amount of air discharged from the inside of the cup by the discharge means. Item 2. The spin processing apparatus according to item 2.

【0017】請求項5の発明は、一側にシャッタによっ
て開閉される出し入れ口が設けられた処理槽内で、基板
を回転させながら処理液による処理及びこの処理液を除
去する処理を行なうスピン処理方法において、上記出し
入れ口を開放して上記基板を上記処理槽に出し入れする
際に、上記処理槽内の圧力をほぼ大気圧にすることを特
徴とするスピン処理方法にある。
According to a fifth aspect of the present invention, a spin treatment is performed in which a treatment liquid is treated and a treatment liquid is removed while the substrate is rotated in a treatment tank having an opening / closing port opened and closed by a shutter on one side. In the method, there is provided a spin processing method, wherein when the substrate is loaded into or unloaded from the processing bath by opening the loading / unloading port, the pressure in the processing bath is set to about atmospheric pressure.

【0018】この発明によれば、処理槽の出し入れ口を
開放し、この処理槽に基板を出し入れする際、処理槽内
の圧力がほぼ大気圧になるようにしたから、出し入れ口
を開放しても、処理槽内の気体が外部に流出したり、外
部の気体が処理槽内に流入するのを防止できる。
According to the present invention, the loading / unloading port of the processing bath is opened, and when the substrate is loaded / unloaded into / from the processing bath, the pressure in the processing bath is set to be almost atmospheric pressure. Therefore, the loading / unloading port is opened. Also, it is possible to prevent the gas inside the processing tank from flowing out and the outside gas from flowing into the processing tank.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の一実施の形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】図1と図2はこの発明の第1の実施の形態
を示す。図1はスピン処理装置を示し、このスピン処理
装置は箱型状の処理槽1を有する。この処理槽1内には
カップ体2が配置されている。このカップ体2は、上記
処理槽1の底板上に設けられた下カップ3と、この下カ
ップ3に対して図示しない上下駆動機構により上下動可
能に設けられた上カップ4とからなる。
1 and 2 show a first embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a spin processing apparatus, which has a box-shaped processing tank 1. A cup body 2 is arranged in the processing tank 1. The cup body 2 is composed of a lower cup 3 provided on the bottom plate of the processing tank 1 and an upper cup 4 provided on the lower cup 3 so as to be vertically movable by a vertical drive mechanism (not shown).

【0021】上記下カップ3の底壁には周方向に所定間
隔で複数の排出管5が接続されている。これら排出管5
は排気ポンプ6に連通している。この排気ポンプ6は制
御装置7によって発停及び回転数が制御されるようにな
っている。
A plurality of discharge pipes 5 are connected to the bottom wall of the lower cup 3 at predetermined intervals in the circumferential direction. These discharge pipes 5
Communicates with the exhaust pump 6. The exhaust pump 6 is controlled by the control device 7 in terms of start / stop and rotation speed.

【0022】上記カップ体7の下面側にはベース板8が
配置されている。このベース板8には、上記下カップ3
と対応する位置に取付け孔9が形成されている。この取
付け孔9には駆動手段を構成する制御モータ11の固定
子12の上端部が嵌入固定されている。
A base plate 8 is arranged on the lower surface side of the cup body 7. The lower plate 3 is attached to the base plate 8.
A mounting hole 9 is formed at a position corresponding to. An upper end of a stator 12 of a control motor 11 which constitutes a driving means is fitted and fixed in the mounting hole 9.

【0023】上記固定子12は筒状をなしていて、その
内部には同じく筒状の回転子13が回転自在に嵌挿され
ている。この回転子13の上端面には筒状の連結体14
が下端面を接触させて一体的に固定されている。この連
結体14の下端には上記固定子12の内径寸法よりも大
径な鍔部15が形成されている。この鍔部15は上記固
定子12の上端面に摺動自在に接触しており、それによ
って回転子13の回転を阻止することなくこの回転子1
3が固定子12から抜け落ちるのを防止している。
The stator 12 has a cylindrical shape, and a cylindrical rotor 13 is also rotatably fitted therein. The upper end surface of the rotor 13 has a cylindrical connecting body 14
Is fixed integrally by contacting the lower end surfaces. A flange portion 15 having a diameter larger than the inner diameter of the stator 12 is formed at the lower end of the connecting body 14. The flange portion 15 is slidably in contact with the upper end surface of the stator 12, whereby the rotor 1 can be rotated without blocking the rotation of the rotor 13.
3 is prevented from falling out of the stator 12.

【0024】上記下カップ3には上記回転子13と対応
する部分に通孔3aが形成され、上記連結体14は上記
通孔3aからカップ体2内に突出している。この連結体
14の上端には回転テーブル16が取付けられている。
この回転テーブル16の周辺部には周方向に所定間隔、
この実施の形態では60度間隔で6本(2本のみ図示)
の円柱状の保持部材17が図示しない駆動機構によって
回転可能に設けられている。
A through hole 3a is formed in the lower cup 3 at a portion corresponding to the rotor 13, and the connecting body 14 projects into the cup body 2 through the through hole 3a. A rotary table 16 is attached to the upper end of the connecting body 14.
Around the periphery of the rotary table 16, a predetermined interval is provided in the circumferential direction.
In this embodiment, 6 at 60 degree intervals (only 2 shown)
The cylindrical holding member 17 is rotatably provided by a drive mechanism (not shown).

【0025】上記保持部材17の上端面には、この保持
部材17の回転中心から偏心した位置にテーパ面を有す
る支持ピン18が設けられている。回転テーブル16に
は、基板としての半導体ウエハWが周縁部の下面を上記
支持ピン18のテーパ面に当接するよう供給される。そ
の状態で上記保持部材17を回転させれば、支持ピン1
8が偏心回転するから、回転テーブル16に供給された
半導体ウエハWは、上記支持ピン18によって保持され
る。
A support pin 18 having a tapered surface is provided on the upper end surface of the holding member 17 at a position eccentric from the rotation center of the holding member 17. A semiconductor wafer W as a substrate is supplied to the rotary table 16 so that the lower surface of the peripheral edge portion abuts the tapered surface of the support pin 18. If the holding member 17 is rotated in that state, the support pin 1
Since 8 rotates eccentrically, the semiconductor wafer W supplied to the rotary table 16 is held by the support pins 18.

【0026】上記回転テーブル16は乱流防止カバー2
1によって覆われている。この乱流防止カバー21は上
記回転テーブル16の外周面を覆う外周壁22と、上面
を覆う上面壁23とを有し、上記外周壁は上側が小径部
22a,下側が大径部22bに形成されている。
The rotary table 16 has a turbulent flow prevention cover 2
Covered by 1. The turbulent flow prevention cover 21 has an outer peripheral wall 22 that covers the outer peripheral surface of the rotary table 16 and an upper surface wall 23 that covers the upper surface. The outer peripheral wall has a small diameter portion 22a on the upper side and a large diameter portion 22b on the lower side. Has been done.

【0027】上記上カップ4の上面は開口していて、そ
の内周面には上記乱流防止カバー21の小径部22aと
で流量調整手段を構成するリング状部材25が設けられ
ている。
The upper surface of the upper cup 4 is open, and the inner peripheral surface thereof is provided with a ring-shaped member 25 which constitutes a flow rate adjusting means with the small diameter portion 22a of the turbulent flow prevention cover 21.

【0028】上記回転テーブル16に未処理の半導体ウ
エハWを供給したり、乾燥処理された半導体ウエハWを
取り出すときには、上記上カップ4が後述するごとく下
降させられる。
When the unprocessed semiconductor wafer W is supplied to the rotary table 16 or the dried semiconductor wafer W is taken out, the upper cup 4 is lowered as described later.

【0029】上記上カップ4が下降すると、上記リング
状部材25は図2に示すように上記乱流防止カバー21
の小径部22aに所定の間隔G及び長さLで対向して流
路26を形成する。この流路26は、上記間隔Gと長さ
Lとによって流路抵抗が定まり、この流路抵抗に応じて
上記処理槽1に供給された気体が上記上記カップ体2内
を通って上記排気ポンプ6により排出される流量を調整
することができる。
When the upper cup 4 descends, the ring-shaped member 25 moves to the turbulent flow prevention cover 21 as shown in FIG.
The flow path 26 is formed so as to face the small-diameter portion 22a at a predetermined interval G and a length L. The flow path 26 has a flow path resistance determined by the gap G and the length L, and the gas supplied to the processing tank 1 in accordance with the flow path resistance passes through the cup body 2 and the exhaust pump. The flow rate discharged by 6 can be adjusted.

【0030】上記処理槽1の上部壁には開口部31が形
成されている。この開口部31にはULPAやHEPA
などのファン・フィルタユニット32が設けられてい
る。このファン・フィルタユニット32はクリーンルー
ム内の空気をさらに清浄化して処理槽1内に導入するも
ので、その清浄空気の導入量は上記ファン・フィルタユ
ニット32の駆動部33を上記制御装置7によって制御
して行なうようになっている。つまり、上記駆動部33
により、ファン・フィルタユニット32のファン(図示
せず)の回転数を制御することで、処理槽1内への清浄
空気の供給量を制御できるようになっている。
An opening 31 is formed in the upper wall of the processing tank 1. ULPA or HEPA is provided in this opening 31.
And a fan / filter unit 32 are provided. The fan / filter unit 32 further purifies the air in the clean room and introduces it into the processing tank 1. The amount of the clean air introduced controls the drive unit 33 of the fan / filter unit 32 by the controller 7. It is supposed to be done. That is, the drive unit 33
By controlling the number of rotations of the fan (not shown) of the fan / filter unit 32, the amount of clean air supplied into the processing tank 1 can be controlled.

【0031】上記カップ体2の上カップ4が下降してそ
の上カップ4に設けられたリング状部材25と乱流防止
カバー21の小径部22aとで流路26を形成すると、
その流路26の抵抗によって排気ポンプ6により排出管
5を通じて排出される気体の流量が減少する。
When the upper cup 4 of the cup body 2 descends and the flow path 26 is formed by the ring-shaped member 25 provided on the upper cup 4 and the small diameter portion 22a of the turbulence prevention cover 21,
Due to the resistance of the flow path 26, the flow rate of gas exhausted through the exhaust pipe 5 by the exhaust pump 6 decreases.

【0032】上記上カップ4が下降した状態において、
図2に示すようにファン・フィルタユニット32から処
理槽1内に供給される清浄空気の流量をQとし、排気
ポンプ6によってカップ体2から排出される気体の流量
をQとすると、上記流路26は、Q=Qとなるよ
うその断面積が設定されている。
With the upper cup 4 lowered,
As shown in FIG. 2, when the flow rate of the clean air supplied from the fan / filter unit 32 into the processing tank 1 is Q 1 and the flow rate of the gas discharged from the cup body 2 by the exhaust pump 6 is Q 2 , The cross-sectional area of the flow path 26 is set so that Q 1 = Q 2 .

【0033】すなわち、上記上カップ4が下降して流路
26を形成すると、その流路26によってファン・フィ
ルタユニット32から処理槽1内に供給された清浄空気
の排出量が減少するから、上記カップ体4が上昇した状
態においては、Q<Qに設定され、下降して流路2
6を形成したときには、その流路26の抵抗によってQ
=Qとなるよう、各流量Q、Qが設定されてい
る。
That is, when the upper cup 4 descends to form the flow path 26, the flow path 26 reduces the discharge amount of the clean air supplied from the fan / filter unit 32 into the processing tank 1. In a state where the cup body 4 is raised, Q 1 <Q 2 is set, and the cup body 4 is lowered to move to the flow path 2
When 6 is formed, the resistance of the flow path 26 causes Q
The flow rates Q 1 and Q 2 are set so that 1 = Q 2 .

【0034】なお、カップ体2の上カップ4が上昇して
いるときにQ<Qに設定することで、処理槽1内は
負圧に維持される。
By setting Q 1 <Q 2 when the upper cup 4 of the cup body 2 is rising, the inside of the processing tank 1 is maintained at a negative pressure.

【0035】上記処理槽1の一側には出し入れ口34が
開口形成されている。この出し入れ口34は、処理槽1
の一側に上下方向にスライド可能に設けられたシャッタ
35によって開閉される。このシャッタ35は圧縮空気
で作動するシリンダ36によって駆動される。つまり、
上記シリンダ36には圧縮空気の流れを制御する制御弁
37が設けられ、この制御弁37を上記制御装置7によ
って切換え制御することで、上記シャッタ35を上下動
させることができるようになっている。
An inlet / outlet opening 34 is formed on one side of the processing tank 1. The inlet / outlet port 34 is used as the processing tank 1.
It is opened and closed by a shutter 35 provided on one side so as to be vertically slidable. The shutter 35 is driven by a cylinder 36 that operates with compressed air. That is,
A control valve 37 for controlling the flow of compressed air is provided in the cylinder 36, and the shutter 35 can be moved up and down by switching the control valve 37 by the control device 7. .

【0036】上記制御モータ11の回転子13内には筒
状の固定軸41が挿通されている。この固定軸41の上
端には、上記回転テーブル16に形成された通孔42か
ら上記回転テーブル16の上面側に突出したノズルヘッ
ド43が設けられている。このノズルヘッド43には上
記回転テーブル16に保持された半導体ウエハWの下面
に向けて処理液としての薬液及び純水を噴射する一対の
ノズル44が設けられている。
A cylindrical fixed shaft 41 is inserted into the rotor 13 of the control motor 11. A nozzle head 43 is provided at the upper end of the fixed shaft 41 so as to project from the through hole 42 formed in the rotary table 16 to the upper surface side of the rotary table 16. The nozzle head 43 is provided with a pair of nozzles 44 for injecting a chemical liquid as a processing liquid and pure water toward the lower surface of the semiconductor wafer W held on the rotary table 16.

【0037】上記乱流防止カバー21の上面壁23には
上記ノズルヘッド43と対向して開口部45が形成さ
れ、この開口部45によって上記ノズルから噴射された
処理液が半導体ウエハWの下面に到達可能となってい
る。
An opening 45 is formed on the upper wall 23 of the turbulent flow prevention cover 21 so as to face the nozzle head 43, and the processing liquid sprayed from the nozzle by the opening 45 is applied to the lower surface of the semiconductor wafer W. It is reachable.

【0038】回転テーブル16に保持された半導体ウエ
ハWの上方には上部ノズル体46が配置されている。こ
の上部ノズル体46からは上記半導体ウエハWの上面に
処理液が供給されるようになっている。
An upper nozzle body 46 is arranged above the semiconductor wafer W held on the rotary table 16. The processing liquid is supplied from the upper nozzle body 46 to the upper surface of the semiconductor wafer W.

【0039】つぎに、上記構成のスピン処理装置の作用
について説明する。
Next, the operation of the spin processing apparatus having the above structure will be described.

【0040】ファン・フィルタユニット32を作動させ
て清浄空気を処理槽1内に供給するとともに、排気ポン
プ6を作動させることで、上記ファン・フィルタユニッ
ト32から処理槽1内に供給された清浄空気をカップ体
2内を通して排出管5から排出する。
By operating the fan / filter unit 32 to supply the clean air into the processing tank 1 and operating the exhaust pump 6, the clean air supplied from the fan / filter unit 32 into the processing tank 1 will be described. Is discharged from the discharge pipe 5 through the inside of the cup body 2.

【0041】カップ体2の上カップ4が上昇した状態に
おいて、ファン・フィルタユニット32から供給される
清浄空気の流量Qと、排気ポンプ6によって排出され
る清浄空気の流量Qとは、Q<Qに設定され、そ
れによって処理槽1内を負圧に維持する。
When the upper cup 4 of the cup body 2 is raised, the flow rate Q 1 of clean air supplied from the fan / filter unit 32 and the flow rate Q 2 of clean air discharged by the exhaust pump 6 are Q 1 <Q 2 is set, whereby negative pressure is maintained in the processing tank 1.

【0042】処理槽1内を負圧維持した状態で、回転テ
ーブル16を回転させてこの回転テーブル16に保持さ
れた半導体ウエハWを処理液によって処理したならば、
回転テーブル16を処理液による処理時に比べて高速度
で回転させることで、上記半導体ウエハWに付着した処
理液を除去する乾燥処理を行なう。
When the rotary table 16 is rotated while the negative pressure in the processing tank 1 is maintained and the semiconductor wafer W held on the rotary table 16 is processed by the processing liquid,
By rotating the rotary table 16 at a higher speed than during processing with the processing liquid, a drying process for removing the processing liquid adhering to the semiconductor wafer W is performed.

【0043】乾燥処理後、回転テーブル16を停止した
ならば、カップ体2の上カップ4を下降させ、上カップ
4の内周面に設けられたリング状部材25と乱流防止カ
バー21の小径部22aの外周面とで所定の断面積の流
路26を形成し、ついでシャッタ35を下降させて出し
入れ口34を開放する。
After the drying process, if the rotary table 16 is stopped, the upper cup 4 of the cup body 2 is lowered, and a small diameter of the ring-shaped member 25 and the turbulence prevention cover 21 provided on the inner peripheral surface of the upper cup 4. A flow path 26 having a predetermined cross-sectional area is formed with the outer peripheral surface of the portion 22a, and then the shutter 35 is lowered to open the access port 34.

【0044】上カップ4を下降させて流路26を形成す
ると、この流路26の抵抗により排気ポンプ6によって
排出される気体量が減少する。それによって、ファン・
フィルタユニット32からの清浄空気の供給量Qと、
排気ポンプ6によるカップ体2を通じて排出される排気
量Qとがほぼ等しくなる。
When the flow path 26 is formed by lowering the upper cup 4, the resistance of the flow path 26 reduces the amount of gas discharged by the exhaust pump 6. It allows fans
Supply amount Q 1 of clean air from the filter unit 32,
The exhaust amount Q 2 discharged through the cup body 2 by the exhaust pump 6 becomes substantially equal.

【0045】その結果、処理槽1内の圧力はほぼ大気圧
になるから、開放された出し入れ口34から処理槽1内
のミストを含む雰囲気が外部に流出したり、パーティク
ルを含む外気が処理槽1内に流入するのを防止すること
ができる。
As a result, the pressure in the processing tank 1 becomes almost atmospheric pressure, so that the atmosphere containing mist in the processing tank 1 flows out to the outside through the opened inlet / outlet port 34, or the outside air containing particles is discharged into the processing tank. 1 can be prevented from flowing into the inside.

【0046】上記一実施の形態では、上カップ4に設け
られたリング状部材25によって形成される流路26を
所定の断面積に設定することで、出し入れ口34を開放
したときに、処理槽1内の圧力がほぼ大気圧になるよう
にしたが、他の手段によっても出し入れ口34を開放し
たときに処理槽1内の圧力を大気圧になるよう制御する
ことが可能である。
In the above-described embodiment, the flow passage 26 formed by the ring-shaped member 25 provided in the upper cup 4 is set to have a predetermined cross-sectional area so that the processing tank can be opened when the inlet / outlet port 34 is opened. Although the pressure in 1 is set to be almost atmospheric pressure, it is also possible to control the pressure in the processing tank 1 to be atmospheric pressure by opening the inlet / outlet port 34 by other means.

【0047】たとえば、シリンダ36を駆動して出し入
れ口34を開放したときに、制御装置7によってファン
・フィルタユニット32による清浄空気の供給量Q
と、排気ポンプ6による排気量Qとが等しくなるよ
う、これらの回転数を制御するようにしてもよい。
For example, when the cylinder 36 is driven to open the inlet / outlet port 34, the controller 7 controls the fan / filter unit 32 to supply the clean air Q.
The rotational speeds of these may be controlled so that 1 and the exhaust amount Q 2 of the exhaust pump 6 become equal.

【0048】さらに、上カップ4にリング状部材25を
設け、上カップ4を下降させたときに流路26を形成す
る構成において、出し入れ口34を開放したときに、フ
ァン・フィルタユニット32による清浄空気の供給量Q
と、排気ポンプ6による排気量Qとが等しくなるよ
う、これらの回転数を制御するようにしてもよい。
Further, in the structure in which the ring-shaped member 25 is provided on the upper cup 4 and the flow path 26 is formed when the upper cup 4 is lowered, the cleaning by the fan / filter unit 32 is performed when the inlet / outlet opening 34 is opened. Air supply Q
The rotational speeds of these may be controlled so that 1 and the exhaust amount Q 2 of the exhaust pump 6 become equal.

【0049】上記第1の実施の形態では乱流防止カバー
21に小径部22aと大径部22bを形成し、上カップ
4を下降させたときに小径部22aと上カップ4に設け
られたリング状部材25とで流路26を形成するように
したが、図3に示す第2の実施の形態のように乱流防止
カバー21を高さ方向全長にわたって外形寸法に変化の
ないストレートな形状にし、上カップ4が下降したとき
に、乱流防止カバー21の外周面25aと上カップ4に
設けられたリング状部材25とで流路26を形成するよ
うにしてもよい。
In the first embodiment described above, the small diameter portion 22a and the large diameter portion 22b are formed in the turbulent flow prevention cover 21, and the small diameter portion 22a and the ring provided on the upper cup 4 when the upper cup 4 is lowered. Although the flow path 26 is formed by the shape member 25, the turbulent flow prevention cover 21 has a straight shape with no change in outer dimension over the entire length in the height direction as in the second embodiment shown in FIG. Alternatively, when the upper cup 4 descends, the flow passage 26 may be formed by the outer peripheral surface 25a of the turbulent flow prevention cover 21 and the ring-shaped member 25 provided on the upper cup 4.

【0050】また、上記各実施の形態では回転テーブル
16に乱流防止カバー21を設けて流路26を形成する
場合について説明したが、回転テーブル16に乱流防止
カバー21を設けずに、回転テーブル16の外周面とリ
ング状部材25とによって流路26を形成するようにし
てもよい。
Further, in each of the above-described embodiments, the case where the turbulent flow prevention cover 21 is provided on the rotary table 16 to form the flow path 26 has been described. The flow path 26 may be formed by the outer peripheral surface of the table 16 and the ring-shaped member 25.

【0051】さらに、上カップ4に設けられるリング状
部材26を着脱可能とし、長さや内径寸法の異なるもの
と交換できるようにすることで、流路26の抵抗を調整
可能な構成としてもよい。
Furthermore, the resistance of the flow path 26 may be adjusted by making the ring-shaped member 26 provided on the upper cup 4 removable and replaceable with a member having a different length and inner diameter.

【0052】図4と図5はこの発明の第3の実施の形態
で、第2の実施の形態の変形例を示す。この第3の実施
の形態は上カップ4を下降させたときに、ファン・フィ
ルタユニット32から処理槽1内に供給された清浄空気
の排出経路を変更できるようにした構成となっている。
4 and 5 show a third embodiment of the present invention, which is a modification of the second embodiment. In the third embodiment, when the upper cup 4 is lowered, the discharge route of the clean air supplied from the fan / filter unit 32 into the processing tank 1 can be changed.

【0053】すなわち、下カップ3の周壁には周方向に
所定間隔で、しかも所定の大きさの複数の第1の通孔5
1(1つのみ図示)が周方向にほぼ均等な間隔で形成さ
れ、上カップ4の周壁には周方向において第1の通孔5
1と対応する位置に複数の第2の通孔52が形成されて
いる。
That is, on the peripheral wall of the lower cup 3, a plurality of first through holes 5 having a predetermined interval in the circumferential direction and having a predetermined size.
1 (only one is shown) are formed at substantially equal intervals in the circumferential direction, and a first through hole 5 is formed in the circumferential wall of the upper cup 4 in the circumferential direction.
A plurality of second through holes 52 are formed at positions corresponding to 1.

【0054】上記上カップ4が図4に示すように上昇し
ていると、第1の通孔51と第2の通孔52とは非対向
状態にあるが、半導体ウエハWを出し入れする際に図5
に示すように上カップ4を下降させると、この上カップ
4に形成された第2の通孔52が上記第1の通孔51に
対向するようになっている。
When the upper cup 4 is raised as shown in FIG. 4, the first through hole 51 and the second through hole 52 are not opposed to each other, but when the semiconductor wafer W is taken in and out. Figure 5
When the upper cup 4 is lowered as shown in FIG. 5, the second through hole 52 formed in the upper cup 4 faces the first through hole 51.

【0055】このような構成によれば、図4に矢印で示
すように、出し入れ口34がシャッタ35によって閉じ
られて上カップ4が上昇し、第1の通孔51と第2の通
孔52とが非対向状態にあるとき、ファン・フィルタユ
ニット32から処理槽1内に供給された清浄空気は、上
カップ4の内周面と乱流防止カバー21の外周面との間
の隙間を通って排出管5から排出される。このとき、上
カップ4の第2の通孔52から下カップ3の第2の通孔
52を通って排出される清浄空気はごくわずか或いはほ
とんどない。
According to this structure, as shown by the arrow in FIG. 4, the loading / unloading port 34 is closed by the shutter 35, the upper cup 4 is raised, and the first through hole 51 and the second through hole 52 are provided. When is not opposed to each other, the clean air supplied from the fan / filter unit 32 into the processing tank 1 passes through the gap between the inner peripheral surface of the upper cup 4 and the outer peripheral surface of the turbulence prevention cover 21. And is discharged from the discharge pipe 5. At this time, very little or almost no clean air is discharged from the second through hole 52 of the upper cup 4 through the second through hole 52 of the lower cup 3.

【0056】図5に示すように、半導体ウエハWを出し
入れするために、出し入れ口34を開放して上記上カッ
プ4を下降すると、第2の通孔52が第1の通孔51に
対向し、上カップ4のリング状部材25の内周面と、乱
流防止カバー21の小径部22aの外周面とがわずかな
間隔で離間対向する。
As shown in FIG. 5, when the loading / unloading port 34 is opened and the upper cup 4 is lowered in order to load / unload the semiconductor wafer W, the second through hole 52 faces the first through hole 51. The inner peripheral surface of the ring-shaped member 25 of the upper cup 4 and the outer peripheral surface of the small diameter portion 22a of the turbulent flow prevention cover 21 face each other with a slight gap.

【0057】対向位置する一対の通孔51,52の流路
抵抗は、上カップ4のリング状部材25の内周面と、乱
流防止カバー21の小径部22aの外周面との間隔がな
す流路抵抗よりも小さくなる。それによって、ファン・
フィルタユニット32から処理槽1内に供給された清浄
空気のほとんどは同図に矢印で示すように対向する一対
の通孔51,52を通って排出管5から排出されること
になる。
The flow path resistance of the pair of through holes 51, 52 facing each other is such that the distance between the inner peripheral surface of the ring-shaped member 25 of the upper cup 4 and the outer peripheral surface of the small diameter portion 22a of the turbulence prevention cover 21 is made. It becomes smaller than the flow path resistance. It allows fans
Most of the clean air supplied from the filter unit 32 into the processing tank 1 is discharged from the discharge pipe 5 through the pair of through holes 51 and 52 facing each other as shown by the arrow in the figure.

【0058】上記第1、第2の通孔51,52が対向し
たときの流路抵抗は、これら通孔の大きさや数などによ
って比較的容易に、かつ精密に設定することが可能であ
るから、半導体ウエハWの出し入れ時における処理槽1
内の圧力を大気圧に維持することが容易となる。
The flow path resistance when the first and second through holes 51, 52 face each other can be set relatively easily and precisely by the size and number of these through holes. Processing tank 1 for loading and unloading semiconductor wafer W
It becomes easy to maintain the internal pressure at atmospheric pressure.

【0059】半導体ウエハWを出し入れする際、まず、
上カップ4を下降させて第1の通孔51と第2の通孔5
2とを対向させ、処理槽1内に供給される清浄空気を対
向した第1、第2の通孔から排出管5へ排出する。
When loading / unloading the semiconductor wafer W, first,
The upper cup 4 is lowered to move the first through hole 51 and the second through hole 5 to each other.
2, and clean air supplied into the processing tank 1 is discharged to the discharge pipe 5 through the facing first and second through holes.

【0060】それと同時に、制御装置7によって排気管
5からの排出量と、ファン・フィルタユニット32から
の供給量とを調整し、処理槽1内の圧力を大気圧に維持
する。その後、シャッタ35を開いて半導体ウエハWを
出し入れすれば、処理槽1内に外気が流入するのを確実
に防止できる。このような手順は上記第1、第2の実施
の形態においても同様である。
At the same time, the controller 7 adjusts the discharge amount from the exhaust pipe 5 and the supply amount from the fan filter unit 32 to maintain the pressure in the processing tank 1 at atmospheric pressure. After that, by opening the shutter 35 and taking the semiconductor wafer W in and out, it is possible to reliably prevent the outside air from flowing into the processing tank 1. Such a procedure is the same in the first and second embodiments.

【0061】なお、この第3の実施の形態において、上
カップ4が下降したときに、リング状部材25と乱流防
止カバー21の外周面とがなす間隔の抵抗は十分に大き
い、つまり狭くすることが望ましい。それによって、半
導体ウエハWの出し入れ時に処理槽1内に供給された清
浄空気のほとんどを、対向位置する上記第1、第2の通
孔51,52を通して排出することができるから、処理
槽1内の圧力調整が容易となる。
In the third embodiment, when the upper cup 4 is lowered, the resistance of the distance between the ring-shaped member 25 and the outer peripheral surface of the turbulence prevention cover 21 is sufficiently large, that is, narrowed. Is desirable. As a result, most of the clean air supplied into the processing bath 1 at the time of loading and unloading the semiconductor wafer W can be discharged through the first and second through holes 51 and 52 located opposite to each other. It becomes easy to adjust the pressure.

【0062】なお、この第3の実施の形態において、乱
流防止カバーは第1の実施の形態のように大径部と小径
部とを有する形状であっても差し支えない。
In the third embodiment, the turbulent flow prevention cover may have a shape having a large diameter portion and a small diameter portion as in the first embodiment.

【0063】[0063]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、処理槽
の出し入れ口を開放し、この処理槽に基板を出し入れす
る際、処理槽内の圧力がほぼ大気圧になるようにした。
As described above, according to the present invention, the inlet / outlet port of the processing tank is opened so that the pressure in the processing tank is substantially atmospheric pressure when the substrate is loaded / unloaded into / from the processing tank.

【0064】そのため、基板を出し入れするために出し
入れ口を開放しても、処理槽内の気体が外部に流出した
り、外部の気体が処理槽内に流入するのを防止すること
ができる。
Therefore, even if the loading / unloading port is opened for loading / unloading the substrate, it is possible to prevent the gas in the processing bath from flowing out and the external gas from flowing into the processing bath.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態を示すスピン処理
装置の概略的構成の断面図。
FIG. 1 is a sectional view of a schematic configuration of a spin processing apparatus showing a first embodiment of the present invention.

【図2】上カップを下降させたときに形成される流路の
一部を示す拡大図。
FIG. 2 is an enlarged view showing a part of a flow path formed when the upper cup is lowered.

【図3】この発明の第2の実施の形態を示す上カップを
下降させたときに形成される流路の一部を示す拡大図。
FIG. 3 is an enlarged view showing a part of a flow path formed when the upper cup is lowered showing the second embodiment of the present invention.

【図4】この発明の第3の実施の形態を示す上カップを
上昇させた状態のカップ体の一部を示す拡大断面図。
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a part of a cup body in a state where an upper cup is raised showing a third embodiment of the present invention.

【図5】図4に示す上カップを下降させた状態のカップ
体の一部を示す拡大断面図。
5 is an enlarged sectional view showing a part of the cup body in a state where the upper cup shown in FIG. 4 is lowered.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…処理槽 2…カップ体 3…下カップ 4…上カップ 7…制御装置 11…制御モータ 16…回転テーブル 21…乱流防止カバー 25…リング状部材 26…流路 32…ファン・フィルタユニット 34…出し入れ口 35…シャッタ 1 ... Treatment tank 2 ... Cup body 3 ... Lower cup 4 ... Upper cup 7 ... Control device 11 ... Control motor 16 ... Rotary table 21 ... Turbulent flow prevention cover 25 ... Ring-shaped member 26 ... Flow path 32 ... Fan / filter unit 34 ... Entrance / exit 35 ... Shutter

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を回転させながら処理液による処理
及びこの処理液を除去する処理を行なうスピン処理装置
において、 シャッタによって開閉される上記基板の出し入れ口が設
けられた処理槽と、 この処理槽内に設けられたカップ体と、 このカップ体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動
される回転テーブルと、 上記処理槽の上部に設けられこの処理槽内に清浄空気を
導入するファン・フィルタユニットと、 このファン・フィルタユニットから上記処理槽内に供給
された清浄空気を上記カップ体を通じて排出する排出手
段と、 上記出し入れ口を開放して上記基板を上記処理槽に出し
入れする際に上記処理槽内の圧力がほぼ大気圧になるよ
うこの処理槽内に供給される清浄空気の流量と上記カッ
プ体から排出される清浄空気の流量とを制御する流量調
整手段とを具備したことを特徴とするスピン処理装置。
1. A spin processing apparatus for performing processing with a processing liquid and processing for removing the processing liquid while rotating a substrate, and a processing tank provided with an inlet / outlet for loading / unloading the substrate opened / closed by a shutter, and the processing tank. A cup body provided in the cup body, a rotary table provided in the cup body and driven to rotate while holding the substrate, and a fan filter provided in the upper part of the processing tank for introducing clean air into the processing tank. A unit, a discharge means for discharging the clean air supplied from the fan / filter unit into the processing bath through the cup body, and the processing for loading and unloading the substrate into the processing bath by opening the loading / unloading port. Adjust the flow rate of the clean air supplied into this treatment tank and the flow rate of the clean air discharged from the cup body so that the pressure in the tank becomes almost atmospheric pressure. A spin processing apparatus comprising: a flow rate adjusting unit for controlling.
【請求項2】 上記カップ体は、下カップと、この下カ
ップに対して上下動可能に設けられた上カップとを有
し、 上記流量調整手段は、上記処理槽に上記基板を出し入れ
する際に上記上カップを下降させたとき、上記上カップ
の内周面と上記回転テーブルの外周面とによって形成さ
れる流路であることを特徴とする請求項1記載のスピン
処理装置。
2. The cup body includes a lower cup and an upper cup that is vertically movable with respect to the lower cup, and the flow rate adjusting means is provided when the substrate is taken in and out of the processing bath. 2. The spin processing apparatus according to claim 1, wherein the flow path is formed by the inner peripheral surface of the upper cup and the outer peripheral surface of the rotary table when the upper cup is lowered.
【請求項3】 上記カップ体は、下カップと、この下カ
ップに対して上下動可能に設けられた上カップとを有
し、 上記流量調整手段は、上記下カップと上記上カップとに
それぞれ形成された第1の通孔と第2の通孔とを有し、
これら第1、第2の通孔は、上記上カップが上昇時に非
対向状態にあり、下降時に対向することを特徴とする請
求項1記載のスピン処理装置。
3. The cup body includes a lower cup and an upper cup that is vertically movable with respect to the lower cup, and the flow rate adjusting means is provided in the lower cup and the upper cup, respectively. Having a first through hole and a second through hole formed,
The spin processing apparatus according to claim 1, wherein the first and second through holes are in a non-opposing state when the upper cup is raised and face each other when the upper cup is descending.
【請求項4】 上記流量調整手段は、上記ファン・フィ
ルタユニットにより上記処理槽内へ供給される清浄空気
量と、上記排出手段により上記カップ体内から排出され
る空気量とを制御する制御装置であることを特徴とする
請求項1又は請求項2記載のスピン処理装置。
4. The flow rate adjusting means is a control device for controlling an amount of clean air supplied into the processing tank by the fan / filter unit and an amount of air discharged from the cup body by the discharging means. The spin processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the spin processing apparatus is provided.
【請求項5】 一側にシャッタによって開閉される出し
入れ口が設けられた処理槽内で、基板を回転させながら
処理液による処理及びこの処理液を除去する処理を行な
うスピン処理方法において、 上記出し入れ口を開放して上記基板を上記処理槽に出し
入れする際に、上記処理槽内の圧力をほぼ大気圧にする
ことを特徴とするスピン処理方法。
5. A spin processing method for performing a treatment with a treatment liquid and a treatment for removing the treatment liquid while rotating a substrate in a treatment tank having an inlet / outlet opening / closed by a shutter on one side. A spin processing method, wherein the pressure in the processing tank is set to substantially atmospheric pressure when the substrate is put into and taken out of the processing tank with the mouth opened.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217138A (en) * 2004-01-29 2005-08-11 Shibaura Mechatronics Corp Spin treating device and spin treatment method
JP2011204933A (en) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
CN102403254A (en) * 2011-11-17 2012-04-04 北京七星华创电子股份有限公司 Silicon wafer clamping device in single wafer washing equipment
JP2012146835A (en) * 2011-01-13 2012-08-02 Sumco Corp Single wafer cleaning device
JP2013175685A (en) * 2012-02-27 2013-09-05 Disco Abrasive Syst Ltd Cleaning device
KR101787197B1 (en) * 2015-01-22 2017-11-15 사이언테크 코포레이션 Fluid process dealing device
WO2022181598A1 (en) * 2021-02-26 2022-09-01 株式会社Screenホールディングス Substrate processing device and substrate processing method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217138A (en) * 2004-01-29 2005-08-11 Shibaura Mechatronics Corp Spin treating device and spin treatment method
JP2011204933A (en) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2012146835A (en) * 2011-01-13 2012-08-02 Sumco Corp Single wafer cleaning device
CN102403254A (en) * 2011-11-17 2012-04-04 北京七星华创电子股份有限公司 Silicon wafer clamping device in single wafer washing equipment
JP2013175685A (en) * 2012-02-27 2013-09-05 Disco Abrasive Syst Ltd Cleaning device
KR101787197B1 (en) * 2015-01-22 2017-11-15 사이언테크 코포레이션 Fluid process dealing device
WO2022181598A1 (en) * 2021-02-26 2022-09-01 株式会社Screenホールディングス Substrate processing device and substrate processing method

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