KR100895509B1 - Apparatus and method of processing wafers - Google Patents

Apparatus and method of processing wafers Download PDF

Info

Publication number
KR100895509B1
KR100895509B1 KR1020070100451A KR20070100451A KR100895509B1 KR 100895509 B1 KR100895509 B1 KR 100895509B1 KR 1020070100451 A KR1020070100451 A KR 1020070100451A KR 20070100451 A KR20070100451 A KR 20070100451A KR 100895509 B1 KR100895509 B1 KR 100895509B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
spin head
substrate
wafer
rotating
processing solution
Prior art date
Application number
KR1020070100451A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최승주
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070100451A priority Critical patent/KR100895509B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100895509B1 publication Critical patent/KR100895509B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

An apparatus and a method for processing a substrate are provided to prevent contamination due to fume by removing the processing solution with high viscosity in a spin head. A spin head(100) rotates a wafer. A plurality of chucking pin(110) supporting the side of the wafer rotating with a plurality of support pins(120) supporting the lower part of the wafer are installed in the spin head. A first driving part(180) rotates the axis of rotation(150) connected to the spin head. A processing solution supply part(200) supplies the processing solution to a processing side of the wafer. The processing solution supply part includes a nozzle(210), a processing solution storage unit(220), a valve(230), and a processing solution supply line(240). A bowl(300) prevents the scattering of the processing solution from the wafer. A recovery unit(400) collects the used processing solution again. The recovery unit includes a recovery tank(420), the valve(430), and a recovery line(440). A fluid supply unit(500) supplies the fluid to the bottom surface of the wafer supported by the spin head.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method of processing wafers}Substrate processing apparatus and method {Apparatus and method of processing wafers}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 기판 상에 처리액을 공급하여 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to an apparatus and a method for supplying and cleaning a processing liquid on a substrate.

반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다. The semiconductor manufacturing process is a process for producing a semiconductor integrated circuit chip by performing a series of unit processes continuously and repeatedly. Among these unit processes, the cleaning process is a process of removing foreign matter remaining on the wafer.

이러한 세정 공정을 수행하는 장치는 건식/습식 처리 장치, 매엽식/배치식 처리 장치 등으로 나눌 수 있다. 여기서, 매엽식 습식 처리 장치는 스핀 헤드 상에 기판을 위치시키고, 스핀 헤드를 회전시키면서 기판의 처리면에 처리액을 공급하여 처리한다. The apparatus for performing such a cleaning process may be divided into a dry / wet treatment apparatus, a sheet type / batch treatment apparatus, and the like. Here, the single wafer type wet processing apparatus locates the substrate on the spin head and supplies the processing liquid to the processing surface of the substrate while rotating the spin head for processing.

그런데, 이러한 매엽식 습식 처리 장치에서 사용하는 처리액은 황산 등과 같이 점도가 높은 물질일 수 있다. 점도가 높은 처리액은 기판을 타고 흘러, 기판을 지지하고 있는 스핀 헤드에 묻게 된다. 묻어 있는 처리액은 흄(fume)이 되어 매엽식 습식 처리 장치를 오염시킨다.However, the treatment liquid used in such a single wet type treatment apparatus may be a substance having a high viscosity such as sulfuric acid. The high-viscosity treatment liquid flows through the substrate and is buried in the spin head supporting the substrate. Buried treatment liquid becomes a fume and contaminates the wet type wet treatment equipment.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 스핀 헤드에 묻은 처리액을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of effectively removing the processing liquid from the spin head.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 스핀 헤드에 묻은 처리액을 효과적으로 제거할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of effectively removing the processing liquid from the spin head.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 태양은 기판을 지지하며 회전 가능한 스핀 헤드, 스핀 헤드에 설치되고, 스핀 헤드에 지지된 기판의 저면으로 유체를 공급하는 백 노즐, 및 스핀 헤드에 설치되고, 회전하여 기판의 저면에 공급된 유체를 분사시키는 회전 팬을 포함한다.One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above technical problem is a rotatable spin head for supporting a substrate, a back nozzle installed in the spin head, supplying a fluid to the bottom surface of the substrate supported on the spin head, and spin And a rotating fan installed in the head and rotating to eject the fluid supplied to the bottom surface of the substrate.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 태양은 기판을 스핀 헤드 상에 위치시키고, 스핀 헤드를 회전시키면서 기판의 처리면 에 적어도 하나의 처리액을 공급하고, 스핀 헤드를 회전시키면서 기판의 저면에 약액을 공급하고, 기판의 저면에 공급된 약액을 회전 팬을 이용하여 분사시키는 것을 포함한다.One aspect of the substrate processing method of the present invention for achieving the above another technical problem is to position the substrate on the spin head, supply at least one processing liquid to the processing surface of the substrate while rotating the spin head, and rotate the spin head While supplying the chemical liquid to the bottom surface of the substrate, and spraying the chemical liquid supplied to the bottom surface of the substrate using a rotating fan.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

상기한 바와 같은 기판 처리 장치 및 방법은, 스핀 헤드에 묻은 처리액을 효과적으로 제거할 수 있다. 따라서, 흄의 발생을 최소화할 수 있으므로 기판 처리 장치의 오염을 방지할 수 있다.The substrate processing apparatus and method as described above can effectively remove the processing liquid from the spin head. Therefore, it is possible to minimize the generation of the fume can prevent the contamination of the substrate processing apparatus.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도 이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 절개 사시도이다. 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 도 4 및 도 5는 도 1의 회전 팬을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cutaway perspective view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG. 3 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1. 4 and 5 are views for explaining the rotating fan of FIG.

우선, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 스핀 헤드(100), 회전축(150), 제1 구동부(180), 처리액 공급부(200), 보울(300), 회수부(400), 유체 공급부(500), 회전 팬(610) 등을 포함한다.First, referring to FIGS. 1 to 3, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a spin head 100, a rotation shaft 150, a first driving unit 180, a processing liquid supply unit 200, and a bowl ( 300, a recovery unit 400, a fluid supply unit 500, a rotation fan 610, and the like.

스핀 헤드(100)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 스핀 헤드(100)는 원판 형상일 수 있다. 스핀 헤드(100) 상에는 웨이퍼(W)의 하부를 지지하는 다수의 지지핀(120)들과, 회전시 웨이퍼(W)의 측면을 지지하는 다수의 척킹핀(110)들이 설치된다. 공정이 시작될 때 웨이퍼(W)는 지지핀(120) 상에 놓여진다. 스핀 헤드(100)가 회전하기 전에, 척킹핀(110)은 움직여서 웨이퍼(W)를 고정한다. 구체적으로, 척킹핀(110)은 회전하여 웨이퍼(W)의 위치를 정렬하고, 고정하게 된다. 따라서, 스핀 헤드(100)가 회전하더라도 스핀 헤드(100)로부터 웨이퍼(W)가 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The spin head 100 rotates the wafer W while supporting the wafer W. FIG. The spin head 100 may be disc shaped. On the spin head 100, a plurality of support pins 120 supporting the lower portion of the wafer W and a plurality of chucking pins 110 supporting the side surface of the wafer W during rotation are installed. The wafer W is placed on the support pin 120 at the start of the process. Before the spin head 100 rotates, the chucking pin 110 moves to fix the wafer W. As shown in FIG. Specifically, the chucking pin 110 is rotated to align and fix the position of the wafer (W). Therefore, even if the spin head 100 rotates, it is possible to prevent the wafer W from being separated from the spin head 100.

제1 구동부(180)는 스핀 헤드(100)에 연결된 회전축(150)을 회전시키고, 이에 따라 스핀 헤드(100) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 회전된다. 즉, 회전축(150)은 제1 구동부(180)의 구동력을 스핀 헤드(100)에 전달한다. 회전축(150)은 내부가 비어있는 중공축(hollow shaft) 형태를 가지며, 내부에는 후술하는 유체 공급 라인(540) 등이 설치된다. 제1 구동부(180)의 구성을 예로 들면, 제1 구동부(180)는 구동모터, 구동풀리, 벨트 등을 구비할 수 있다. 구동모터는 외부로부터 인가된 전 원에 의하여 동력을 발생시키며, 구동모터에 연결된 구동풀리와 회전축(150)은 벨트를 통하여 연결된다. 구동모터에 의하여 발생한 회전력은 벨트를 통하여 회전축(150)에 전달되며, 회전축(150)의 회전속도는 구동모터와 회전축(150)의 직경비를 조절함으로써 조절할 수 있다.The first driver 180 rotates the rotation shaft 150 connected to the spin head 100, and thus, the wafer W mounted on the spin head 100 is rotated. That is, the rotation shaft 150 transmits the driving force of the first drive unit 180 to the spin head 100. Rotating shaft 150 has a hollow shaft (hollow shaft) form, the inside is provided with a fluid supply line 540 to be described later. Taking the configuration of the first driving unit 180 as an example, the first driving unit 180 may include a driving motor, a driving pulley, a belt, and the like. The drive motor generates power by power applied from the outside, and the drive pulley and the rotating shaft 150 connected to the drive motor are connected through the belt. The rotational force generated by the drive motor is transmitted to the rotating shaft 150 through the belt, the rotational speed of the rotating shaft 150 can be adjusted by adjusting the diameter ratio of the driving motor and the rotating shaft 150.

처리액 공급부(200)는 공정시 스핀 헤드(100)에 안착된 기판(W)의 처리면으로 처리액을 공급한다. 처리액은 예를 들어, 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 것이다. 예를 들어, 처리액은 주로 산성 용액으로, 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 불산(HF), SC-1(Standard Clean-1)용액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 용액일 수 있다. 이러한 처리액 공급부(200)는 노즐(210), 처리액 저장부(220), 밸브(230), 처리액 공급 라인(240)을 포함한다. 처리액 저장부(220)는 처리액을 저장하는 탱크이고, 밸브(230)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 처리액을 공급하거나 처리액을 공급하지 않게 한다. 처리액 공급 라인(240)은 처리액 저장부(220)로부터 처리액을 노즐(210)까지 전달하는 라인이다. 노즐(210)은 기판(W)의 상부에 배치되어 있어서, 기판(W)의 상부로부터 처리액을 공급한다.The processing liquid supply unit 200 supplies the processing liquid to the processing surface of the substrate W seated on the spin head 100 during the process. The processing liquid is for removing foreign matter and unnecessary film remaining on the processing surface of the substrate W, for example. For example, the treatment solution is mainly an acidic solution, at least one selected from the group consisting of sulfuric acid (H2SO4), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), hydrofluoric acid (HF), and SC-1 (Standard Clean-1) solution. Solution. The processing liquid supply unit 200 includes a nozzle 210, a processing liquid storage unit 220, a valve 230, and a processing liquid supply line 240. The treatment liquid storage unit 220 is a tank for storing the treatment liquid, and the valve 230 supplies the treatment liquid or does not supply the treatment liquid through the on / off control of the controller 700. The treatment liquid supply line 240 is a line for transferring the treatment liquid from the treatment liquid storage unit 220 to the nozzle 210. The nozzle 210 is disposed above the substrate W, and supplies the processing liquid from the upper portion of the substrate W. FIG.

보울(300)은 공정시 스핀 헤드(100)의 회전으로 인하여 웨이퍼(W)로부터 처리액 등이 외부로 비산하는 것을 방지한다. 처리액으로는 주로 산성 용액(acid solution)이 사용되기 때문에, 주변 장비 보호를 위하여 스핀 헤드(100)의 둘레에 보울(300)가 설치된다. 보울(300)는 상단에 웨이퍼(W)가 드나들 수 있는 개구가 형성되며, 스핀 헤드(100)를 감싸도록 배치된다.The bowl 300 prevents the processing liquid and the like from scattering to the outside from the wafer W due to the rotation of the spin head 100 during the process. Since an acid solution is mainly used as the treatment liquid, a bowl 300 is installed around the spin head 100 to protect peripheral equipment. The bowl 300 has an opening through which the wafer W can enter and exit, and is arranged to surround the spin head 100.

회수부(400)는 공정에서 사용된 처리액을 다시 회수한다. 이러한 회수부(400)는 회수 탱크(420), 밸브(430), 회수 라인(440)을 포함할 수 있다.The recovery unit 400 recovers the processing liquid used in the process again. The recovery unit 400 may include a recovery tank 420, a valve 430, and a recovery line 440.

유체 공급부(500)는 스핀 헤드(100)에 지지된 기판(W)의 저면으로 유체를 공급한다. 처리액이 점성이 강할 경우, 처리액은 기판(W)을 타고 흘러, 기판(W)을 지지하고 있는 스핀 헤드(100)에 묻게 된다. 묻어 있는 처리액은 흄(fume)이 되어 기판 처리 장치를 오염시킬 수 있다. 따라서, 스핀 헤드(100)의 저면에서 처리액을 제거하기 위한 유체를 공급하게 된다. 여기서, 사용하는 유체는 예를 들어, 순수(DIW)일 수 있다. 이러한 유체 공급부(500)는 백 노즐(510), 유체 저장부(520), 밸브(530), 유체 공급 라인(540)을 포함할 수 있다. 유체 저장부(520)는 유체를 저장하는 탱크이고, 밸브(530)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 유체를 공급하거나 유체를 공급하지 않게 한다. 유체 공급 라인(540)은 유체 저장부(520)로부터 유체를 백 노즐(510)까지 전달하는 라인이다. 백 노즐(510)은 스핀 헤드(100)에 설치되어 있어서, 기판(W)의 저면으로부터 처리액을 공급한다. 도면에서는 백 노즐(510)은 예를 들어, 스핀 헤드(100)의 중앙에 설치되어 있는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The fluid supply unit 500 supplies the fluid to the bottom surface of the substrate W supported by the spin head 100. When the processing liquid is viscous, the processing liquid flows through the substrate W and is buried in the spin head 100 supporting the substrate W. The buried process liquid may become a fume and contaminate the substrate processing apparatus. Therefore, the fluid for removing the processing liquid from the bottom of the spin head 100 is supplied. Here, the fluid to be used may be pure water (DIW), for example. The fluid supply unit 500 may include a bag nozzle 510, a fluid storage unit 520, a valve 530, and a fluid supply line 540. The fluid storage unit 520 is a tank for storing fluid, and the valve 530 may supply or not supply fluid through on / off control of the control unit 700. The fluid supply line 540 is a line for transferring the fluid from the fluid reservoir 520 to the bag nozzle 510. The back nozzle 510 is provided in the spin head 100 to supply the processing liquid from the bottom surface of the substrate W. As shown in FIG. In the drawing, the back nozzle 510 is illustrated as being installed at the center of the spin head 100, but is not limited thereto.

한편, 본 발명의 일 실시예에서, 스핀 헤드(100)에는 회전 팬(610)이 설치되어 있다. 회전 팬(610)은 백 노즐(510)에서 기판(W)의 저면에 공급된 유체를 골고루 분사시킨다. 이러한 회전 팬(610)은 스핀 헤드(100)에 설치된 센터부(612)와, 센터부(612)에 연결된 다수의 윙(wing)(614)로 구성될 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하여 동작을 설명하면, 제2 구동부(620)로부터 동력을 제공받아 센터부(612)가 회전을 하고, 센터부(612)의 회전에 의해 다수의 윙(614)이 같이 회전하게 된다. 백 노즐(510)에서 제공되는 유체 또는 기판(W)의 저면에 부딪친 유체 등이 윙(614)에 의해 분사되게 된다. 이와 같은 동작을 통해서 회전 팬(610)은 유체를 골고루 분사시킨다. 유체가 골고루 분사되면, 스핀 헤드(100)의 구석구석에 잔존하는 처리액을 효과적으로 제거할 수 있다.Meanwhile, in one embodiment of the present invention, the spin head 100 is provided with a rotating fan 610. The rotating fan 610 evenly sprays the fluid supplied to the bottom surface of the substrate W from the bag nozzle 510. The rotating fan 610 may be composed of a center portion 612 installed in the spin head 100 and a plurality of wings 614 connected to the center portion 612. Referring to FIGS. 4 and 5, the center unit 612 is rotated by receiving power from the second driving unit 620, and the plurality of wings 614 is rotated by the rotation of the center unit 612. Will rotate together. The fluid provided from the bag nozzle 510 or the fluid hitting the bottom surface of the substrate W may be injected by the wing 614. Through this operation, the rotary fan 610 evenly distributes the fluid. When the fluid is evenly injected, the treatment liquid remaining in every corner of the spin head 100 can be effectively removed.

회전 팬(610)이 스핀 헤드(100)의 중앙에 설치된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 2개 이상의 회전 팬(610)이 스핀 헤드(100)에 설치되어 있어도 무방하다. 백 노즐(510)이 회전 팬(610)의 센터부(612)를 관통하도록 설치된 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The rotating fan 610 is illustrated as being installed in the center of the spin head 100, but is not limited thereto. In addition, two or more rotating fans 610 may be provided in the spin head 100. Although the back nozzle 510 is installed to penetrate the center portion 612 of the rotating fan 610, it is not limited thereto.

한편, 도면에서는 윙(614)의 개수를 4개로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 윙(614)의 형태도 여러가지 형태를 가질 수 있으나, 도면에서는 유선형을 갖도록 도시하였다.Meanwhile, although the number of the wings 614 is illustrated as four in the drawing, the present invention is not limited thereto. In addition, although the shape of the wing 614 may have various forms, it is shown in the figure to have a streamlined shape.

또한, 본 발명의 일 실시예에서는, 회전 팬(610)과 스핀 헤드(100)가 별개의 구동부로부터 동력을 제공받는 경우를 설명하였다. 즉, 회전 팬(610)은 제2 구동부(620)로부터 동력을 제공받고, 스핀 헤드(100)은 제1 구동부(180)로부터 동력을 제공받는다. 그러나, 이러한 구성은 예시적인 것에 불과하다.In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, the case in which the rotating fan 610 and the spin head 100 are provided with power from separate driving units has been described. That is, the rotating fan 610 is powered from the second driver 620, the spin head 100 is powered from the first driver 180. However, this configuration is merely exemplary.

또한, 스핀 헤드(100)가 제1 속도로 회전할 경우, 회전 팬(610)은 제1 속도보다 느린 제2 속도로 회전할 수 있다. 스핀 헤드(100)와 회전 팬(610)이 동일한 속도로 회전할 수도 있으나, 유체의 분사 효과를 높이려면 스핀 헤드(100)와 회전 팬(610)의 회전 속도가 다른 것이 더 좋다. 유체가 회전 팬(610)에 부딪쳐야, 유체 를 분사시키는 것이 용이해지기 때문이다. In addition, when the spin head 100 rotates at the first speed, the rotating fan 610 may rotate at a second speed slower than the first speed. The spin head 100 and the rotating fan 610 may rotate at the same speed, but the rotation speed of the spin head 100 and the rotating fan 610 may be different in order to increase the jetting effect of the fluid. This is because the fluid must hit the rotating fan 610 to facilitate the injection of the fluid.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다.6 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치가 일 실시예와 다른 점은, 하나의 구동부(즉, 제3 구동부(630))가 스핀 헤드(100)와 회전 팬(610)에 동력을 제공한다는 점이다. 전술한 바와 같이, 제3 구동부(630)는 스핀 헤드(100)와 회전 팬(610)을 동일한 속도로 회전시키기 보다는, 서로 다른 속도로 회전시키는 것이 좋다. 예를 들어, 스핀 헤드(100)는 제1 속도로 회전시키고, 회전 팬(610)은 제1 속도보다 느린 제2 속도로 회전시키는 것이 좋다. 이와 같이 하기 위해서, 제3 구동부(630)는 감속 구조물 등을 이용하여 회전 팬(610)을 스핀 헤드(100)보다 느리게 구동시킬 수 있다.Referring to FIG. 6, a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present disclosure is different from an exemplary embodiment in that one driving unit (ie, the third driving unit 630) includes the spin head 100 and the rotating fan 610. Power). As described above, the third driver 630 may rotate the spin head 100 and the rotating fan 610 at different speeds, rather than rotating the spin head 100 and the rotating fan 610 at the same speed. For example, the spin head 100 rotates at a first speed, and the rotating fan 610 may rotate at a second speed slower than the first speed. In order to do this, the third driving unit 630 may drive the rotating fan 610 slower than the spin head 100 using a deceleration structure or the like.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다. 1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 절개 사시도이다. FIG. 2 is a cutaway perspective view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 3 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1.

도 4 및 도 5는 도 1의 회전 팬을 설명하기 위한 도면들이다.4 and 5 are views for explaining the rotating fan of FIG.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다.6 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명) (Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

100 : 스핀 헤드 150 : 회전축100: spin head 150: rotation axis

180 : 제1 구동부 200 : 처리액 공급부180: first driving unit 200: processing liquid supply unit

300 : 보울 400 : 회수부300: bowl 400: recovery unit

500 : 유체 공급부 610 : 회전 팬500: fluid supply part 610: rotary fan

620 : 제2 구동부620: second drive unit

Claims (6)

기판을 지지하며 회전 가능한 스핀 헤드;A spin head rotatable supporting the substrate; 상기 스핀 헤드에 설치되고, 상기 스핀 헤드에 지지된 기판의 저면으로 유체를 공급하는 백 노즐; 및A back nozzle installed in the spin head and supplying a fluid to a bottom surface of a substrate supported by the spin head; And 상기 스핀 헤드에 설치되고, 회전하면서 상기 기판의 저면에 공급된 상기 유체를 분사시키는 회전 팬을 포함하는 기판 처리 장치.And a rotating fan installed in the spin head and rotating to eject the fluid supplied to the bottom surface of the substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 회전 팬은 상기 스핀 헤드에 설치된 센터부와, 상기 센터부에 연결된 다수의 윙을 포함하고,The rotating fan includes a center portion installed in the spin head, and a plurality of wings connected to the center portion, 상기 백 노즐은 상기 센터부를 관통하도록 설치된 기판 처리 장치.And the back nozzle is installed to pass through the center portion. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 회전 팬은 상기 스핀 헤드의 중앙에 설치된 기판 처리 장치.And the rotating fan is installed at the center of the spin head. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스핀 헤드를 제1 속도로 회전시키는 제1 구동부와,A first driver for rotating the spin head at a first speed; 상기 회전 팬을 상기 제1 속도보다 느린 제2 속도로 회전시키는 제2 구동부를 더 포함하는 기판 처리 장치.And a second driver configured to rotate the rotating fan at a second speed slower than the first speed. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스핀 헤드를 제1 속도로 회전시키고, 상기 회전 팬을 상기 제1 속도보다 느린 제2 속도로 회전시키는 제3 구동부를 더 포함하는 기판 처리 장치.And a third driver for rotating the spin head at a first speed and rotating the rotating fan at a second speed slower than the first speed. 기판을 스핀 헤드 상에 위치시키고,Place the substrate on the spin head, 상기 스핀 헤드를 회전시키면서 상기 기판의 처리면에 적어도 하나의 처리액을 공급하고,Supplying at least one processing liquid to the processing surface of the substrate while rotating the spin head, 상기 스핀 헤드를 회전시키면서 상기 기판의 저면에 약액을 공급하고,Supplying a chemical to the bottom surface of the substrate while rotating the spin head, 상기 기판의 저면에 공급된 약액을 회전 팬을 이용하여 분사시키는 것을 포함하는 기판 처리 방법.And spraying the chemical liquid supplied to the bottom surface of the substrate using a rotating fan.
KR1020070100451A 2007-10-05 2007-10-05 Apparatus and method of processing wafers KR100895509B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100451A KR100895509B1 (en) 2007-10-05 2007-10-05 Apparatus and method of processing wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100451A KR100895509B1 (en) 2007-10-05 2007-10-05 Apparatus and method of processing wafers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100895509B1 true KR100895509B1 (en) 2009-04-30

Family

ID=40758239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070100451A KR100895509B1 (en) 2007-10-05 2007-10-05 Apparatus and method of processing wafers

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100895509B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101940744B1 (en) * 2017-08-25 2019-01-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20200031254A (en) * 2018-09-14 2020-03-24 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200187014Y1 (en) * 1997-05-20 2000-07-01 유무성 Engine fixing device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200187014Y1 (en) * 1997-05-20 2000-07-01 유무성 Engine fixing device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101940744B1 (en) * 2017-08-25 2019-01-22 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20200031254A (en) * 2018-09-14 2020-03-24 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR102202467B1 (en) 2018-09-14 2021-01-13 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100877276B1 (en) Substrate processing apparatus, liquid film freezing method and substrate processing method
JP4870837B2 (en) Substrate drying apparatus and method
JP6017338B2 (en) Liquid processing apparatus, cleaning jig and cleaning method
JP5420336B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP2009021409A (en) Freezing processor, freezing processing method, and substrate processing device
KR100895509B1 (en) Apparatus and method of processing wafers
KR101205828B1 (en) Substrate cleaning method
JP2008034428A (en) Equipment and method for processing substrate
JP2005268308A (en) Resist peeling method and resist peeling apparatus
JP2007194351A (en) Method and device for processing substrate
JP4457046B2 (en) Substrate processing equipment
JP4864955B2 (en) Chemical supply device
JP4781253B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100871821B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP4917470B2 (en) Substrate processing equipment
KR100901848B1 (en) Apparatus of processing wafers
KR100916855B1 (en) Apparatus and method of processing wafers
KR100938238B1 (en) Substrate processing apparatus
JP4364659B2 (en) Spin processing apparatus and spin processing method
KR100895319B1 (en) Apparatus for processing wafers
JP3415539B2 (en) Wafer processing apparatus and method
KR20100060094A (en) Method for cleanning back-side of substrate
KR100745482B1 (en) Apparatus for treating backside of substrate
KR100895322B1 (en) Spray and wafer-treat ment apparatus having the same
KR20090055268A (en) Apparatus of processing wafers

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee