KR100916855B1

KR100916855B1 - Apparatus and method of processing wafers

Info

Publication number: KR100916855B1
Application number: KR1020070100449A
Authority: KR
Inventors: 최승주; 김이정
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2007-10-05
Filing date: 2007-10-05
Publication date: 2009-09-14
Also published as: KR20090035270A

Abstract

기판 처리 장치 및 방법이 제공된다. 상기 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며, 상부가 개방된 보울(bowl), 보울 내에 설치되고, 기판을 지지하며 회전 가능한 스핀 헤드, 및 스핀 헤드에 지지된 기판의 처리면에, 처리액을 스프레이 형태로 분사하는 처리액 공급부를 포함한다.A substrate processing apparatus and method are provided. The substrate processing apparatus provides a space for performing a substrate processing process therein, and includes a bowl having an open top, a spin head installed in the bowl and supporting the substrate, and a rotatable spin head, and a substrate supported by the spin head. On the surface, a processing liquid supply unit for spraying the processing liquid in the form of a spray.

기판 처리 장치, 세정, 스프레이, 노즐 Substrate Processing Units, Cleaning, Sprays, Nozzles

Description

Substrate processing apparatus and method {Apparatus and method of processing wafers}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 기판 상에 처리액을 공급하여 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly, to an apparatus and a method for supplying and cleaning a processing liquid on a substrate.

반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다. The semiconductor manufacturing process is a process for producing a semiconductor integrated circuit chip by performing a series of unit processes continuously and repeatedly. Among these unit processes, the cleaning process is a process of removing foreign matter remaining on the wafer.

이러한 세정 공정을 수행하는 장치는 건식/습식 처리 장치, 매엽식/배치식 처리 장치 등으로 나눌 수 있다. 여기서, 매엽식 습식 처리 장치는 스핀 헤드 상에 기판을 위치시키고, 스핀 헤드를 회전시키면서 기판의 처리면에 처리액을 공급하여 처리한다. The apparatus for performing such a cleaning process may be divided into a dry / wet treatment apparatus, a sheet type / batch treatment apparatus, and the like. Here, the single wafer type wet processing apparatus locates the substrate on the spin head and supplies the processing liquid to the processing surface of the substrate while rotating the spin head for processing.

그런데, 이러한 매엽식 습식 처리 장치에서 사용하는 처리액은 황산 등과 같이 점도가 높은 물질일 수 있다. 점도가 높은 처리액은 기판을 타고 흘러, 기판을 지지하고 있는 스핀 헤드에 묻게 된다. 묻어 있는 처리액은 흄(fume)이 되어 매엽식 습식 처리 장치를 오염시킨다.However, the treatment liquid used in such a single wet type treatment apparatus may be a substance having a high viscosity such as sulfuric acid. The high-viscosity treatment liquid flows through the substrate and is buried in the spin head supporting the substrate. Buried treatment liquid becomes a fume and contaminates the wet type wet treatment equipment.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 스핀 헤드의 오염을 방지하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that prevents contamination of spin heads.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 스핀 헤드의 오염을 방지하는 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method for preventing contamination of the spin head.

본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 태양은 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며, 상부가 개방된 보울(bowl), 보울 내에 설치되고, 기판을 지지하며 회전 가능한 스핀 헤드, 및 스핀 헤드에 지지된 기판의 처리면에, 처리액을 스프레이 형태로 분사하는 처리액 공급부를 포함한다.One aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above technical problem is to provide a space for performing a substrate processing process therein, an upper bowl is installed in the bowl (bowl), the bowl, supporting the substrate and rotatable And a processing liquid supply unit for spraying the processing liquid in the form of a spray on the processing head of the substrate supported by the spin head and the spin head.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 태 양은 기판을 스핀 헤드 상에 위치시키고, 스핀 헤드를 회전시키면서 기판의 처리면에 처리액을 스프레이 형태로 분사하는 것을 포함한다.One aspect of the substrate processing method of the present invention for achieving the above another technical problem includes placing the substrate on the spin head, spraying the processing liquid in the form of a spray on the processing surface of the substrate while rotating the spin head.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

상기한 바와 같은 기판 처리 장치 및 방법은, 스핀 헤드의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치에서 사용하는 처리액의 소모를 줄일 수 있다.The substrate processing apparatus and method as described above can prevent contamination of the spin head. In addition, the consumption of the processing liquid used in the substrate processing apparatus can be reduced.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는" 은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 도 3 및 도 4는 도 1의 노즐을 설명하기 위한 도면들이다.1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG. 3 and 4 are diagrams for describing the nozzle of FIG. 1.

우선, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치는 스핀 헤드(100), 회전축(150), 제1 구동부(180), 처리액 공급부(200), 보울(300), 회수부(400), 유체 공급부(500) 등을 포함한다.First, referring to FIGS. 1 to 3, a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention may include a spin head 100, a rotation shaft 150, a first driving unit 180, a processing liquid supply unit 200, and a bowl. 300, the recovery part 400, the fluid supply part 500, and the like.

스핀 헤드(100)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 스핀 헤드(100)는 원판 형상일 수 있다. 스핀 헤드(100) 상에는 웨이퍼(W)의 하부를 지지하는 다수의 지지핀(120)들과, 회전시 웨이퍼(W)의 측면을 지지하는 다수의 척킹핀(110)들이 설치된다. 공정이 시작될 때 웨이퍼(W)는 지지핀(120) 상에 놓여진다. 스핀 헤드(100)가 회전하기 전에, 척킹핀(110)은 움직여서 웨이퍼(W)를 고정한다. 구체적으로, 척킹핀(110)은 회전하여 웨이퍼(W)의 위치를 정렬하고, 고정하게 된다. 따라서, 스핀 헤드(100)가 회전하더라도 스핀 헤드(100)로부터 웨이퍼(W)가 이탈하는 것을 방지할 수 있다.The spin head 100 rotates the wafer W while supporting the wafer W. FIG. The spin head 100 may be disc shaped. On the spin head 100, a plurality of support pins 120 supporting the lower portion of the wafer W and a plurality of chucking pins 110 supporting the side surface of the wafer W during rotation are installed. The wafer W is placed on the support pin 120 at the start of the process. Before the spin head 100 rotates, the chucking pin 110 moves to fix the wafer W. As shown in FIG. Specifically, the chucking pin 110 is rotated to align and fix the position of the wafer (W). Therefore, even if the spin head 100 rotates, it is possible to prevent the wafer W from being separated from the spin head 100.

제1 구동부(180)는 스핀 헤드(100)에 연결된 회전축(150)을 회전시키고, 이에 따라 스핀 헤드(100) 상에 장착된 웨이퍼(W)가 회전된다. 즉, 회전축(150)은 제1 구동부(180)의 구동력을 스핀 헤드(100)에 전달한다. 회전축(150)은 내부가 비어있는 중공축(hollow shaft) 형태를 가지며, 내부에는 후술하는 유체 공급 라인(540) 등이 설치된다. 제1 구동부(180)의 구성을 예로 들면, 제1 구동부(180)는 구동모터, 구동풀리, 벨트 등을 구비할 수 있다. 구동모터는 외부로부터 인가된 전원에 의하여 동력을 발생시키며, 구동모터에 연결된 구동풀리와 회전축(150)은 벨트를 통하여 연결된다. 구동모터에 의하여 발생한 회전력은 벨트를 통하여 회전축(150)에 전달되며, 회전축(150)의 회전속도는 구동모터와 회전축(150)의 직경비 를 조절함으로써 조절할 수 있다.The first driver 180 rotates the rotation shaft 150 connected to the spin head 100, and thus, the wafer W mounted on the spin head 100 is rotated. That is, the rotation shaft 150 transmits the driving force of the first drive unit 180 to the spin head 100. Rotating shaft 150 has a hollow shaft (hollow shaft) form, the inside is provided with a fluid supply line 540 to be described later. Taking the configuration of the first driving unit 180 as an example, the first driving unit 180 may include a driving motor, a driving pulley, a belt, and the like. The drive motor generates power by power applied from the outside, and the drive pulley and the rotating shaft 150 connected to the drive motor are connected through the belt. The rotational force generated by the drive motor is transmitted to the rotating shaft 150 through the belt, the rotational speed of the rotating shaft 150 can be adjusted by adjusting the diameter ratio of the driving motor and the rotating shaft 150.

처리액 공급부(200)는 공정시 스핀 헤드(100)에 안착된 기판(W)의 처리면에 처리액을 제공한다. 처리액은 예를 들어, 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 제거하기 위한 것이다. 예를 들어, 처리액은 주로 산성 용액으로, 황산(H2SO4), 질산(HNO3), 인산(H3PO4), 불산(HF), SC-1(Standard Clean-1)용액으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 용액일 수 있다. 이러한 처리액은 대부분 점성이 강하기 때문에, 불필요하게 많은 처리액이 기판(W)에 공급될 경우에는, 많은 양의 처리액이 스핀 헤드(100) 등에 묻게 된다. 묻어 있는 처리액은 흄(hume)이 되어 기판 처리 장치를 오염시키게 된다. 따라서, 최소한의 처리액으로 가장 효율적으로 기판(W)의 처리면을 처리하는 것이 좋다. The processing liquid supply unit 200 provides the processing liquid to the processing surface of the substrate W seated on the spin head 100 during the process. The processing liquid is for removing foreign matter and unnecessary film remaining on the processing surface of the substrate W, for example. For example, the treatment solution is mainly an acidic solution, at least one selected from the group consisting of sulfuric acid (H2SO4), nitric acid (HNO3), phosphoric acid (H3PO4), hydrofluoric acid (HF), and SC-1 (Standard Clean-1) solution. Solution. Since most of these processing liquids are viscous, when a large amount of processing liquid is unnecessarily supplied to the substrate W, a large amount of processing liquid is buried in the spin head 100 and the like. The buried processing liquid becomes a fume and contaminates the substrate processing apparatus. Therefore, it is good to process the process surface of the board | substrate W most efficiently with the minimum process liquid.

본원 발명의 일 실시예에서, 처리액 공급부(200)는 처리액을 스프레이 형태로 분사한다. 스프레이 형태로 분사하게 되면, 최소한의 처리액으로 넓은 면적에 분사할 수 있다. 따라서, 불요하게 남는 처리액이 스핀 헤드(100) 등에 남겨지는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the treatment liquid supply unit 200 sprays the treatment liquid in the form of a spray. When sprayed in a spray form, it can be sprayed over a large area with a minimum amount of treatment liquid. Therefore, it is possible to prevent unnecessary process liquid from remaining in the spin head 100 or the like.

이러한 처리액 공급부(200)는 노즐(210), 처리액 저장부(220), 밸브(230), 처리액 공급 라인(240), 이동부(250, 260) 등을 포함한다. The treatment liquid supply unit 200 includes a nozzle 210, a treatment liquid storage unit 220, a valve 230, a treatment liquid supply line 240, and moving units 250 and 260.

처리액 저장부(220)는 처리액을 저장하는 탱크이고, 밸브(230)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 처리액을 공급하거나 처리액을 공급하지 않게 한다. 처리액 공급 라인(240)은 처리액 저장부(220)로부터 처리액을 노즐(210)까지 전달하는 라인이다. 노즐(210)은 기판(W)의 상부에 배치되어 있어서, 기판(W)의 상부로부터 처리액을 스프레이 형태로 공급한다. The treatment liquid storage unit 220 is a tank for storing the treatment liquid, and the valve 230 supplies the treatment liquid or does not supply the treatment liquid through the on / off control of the controller 700. The treatment liquid supply line 240 is a line for transferring the treatment liquid from the treatment liquid storage unit 220 to the nozzle 210. The nozzle 210 is disposed above the substrate W, and supplies the processing liquid in the form of a spray from the upper portion of the substrate W.

이동부(250, 260)는 상기 노즐을 이동시키기 위한 부분이다. 이러한 이동부(250, 260)는 노즐(210)이 설치되는 아암(arm)(260), 아암(260)을 이동시키는 제2 구동부(250)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 노즐(210)은 아암(260)에 고정되고, 아암(260)이 이동됨으로써 노즐(210)이 이동될 수 있다. 여기서, 아암(260)은 제2 구동부(250)의 동작 조절에 의해서 회전 운동, 직선 운동 등을 할 수 있다. 이와 같은 아암(260)의 움직임에 의해서, 노즐(210)은 기판(W)의 구석구석까지 처리액을 스프레이 형태로 분사할 수 있다.The moving parts 250 and 260 are parts for moving the nozzles. The moving parts 250 and 260 may include an arm 260 in which the nozzle 210 is installed, and a second driving part 250 for moving the arm 260. In one embodiment of the present invention, the nozzle 210 is fixed to the arm 260, the nozzle 210 can be moved by moving the arm 260. In this case, the arm 260 may perform a rotational motion, a linear motion, or the like by controlling the motion of the second drive part 250. By the movement of the arm 260 as described above, the nozzle 210 can spray the treatment liquid to the every corner of the substrate W in the form of a spray.

특히, 도 3에 도시된 바와 같이, 노즐(210)과 스핀 헤드(100)가 이루는 각은 예각(θ)일 수 있다. 노즐(210)과 스핀 헤드(100)가 이루는 각이란, 노즐(210)의 정면이 바라보는 방향과, 스핀 헤드(100)의 평면이 이루는 각을 의미한다. 노즐(210)과 스핀 헤드(100)가 이루는 각을 조절함으로써, 처리액이 기판(W)과 스핀 헤드(100)의 외각으로만 분사되고, 스핀 헤드(100)에는 분사되지 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 스핀 헤드(100)에 묻는 처리액의 양을 줄일 수 있다. In particular, as shown in FIG. 3, an angle formed by the nozzle 210 and the spin head 100 may be an acute angle θ. The angle formed by the nozzle 210 and the spin head 100 means an angle formed by the direction of the front face of the nozzle 210 and the plane of the spin head 100. By adjusting the angle formed by the nozzle 210 and the spin head 100, the processing liquid may be sprayed only to the outside of the substrate W and the spin head 100, and may not be sprayed on the spin head 100. By doing in this way, the quantity of the process liquid buried in the spin head 100 can be reduced.

또한, 노즐(210)은 도 3에 도시된 바와 같이, 처리액 공급 라인(240)과 연결된 노즐바디(nozzle body)(214)와, 노즐바디(214)와 연결되어 처리액을 분사하는 노즐팁(nozzle tip)(212)를 포함한다. 그런데, 노즐팁(212)의 폭(a)은 노즐바디(214)의 폭(b)보다 넓을 수 있다. 이와 같이 구성함으로써, 처리액이 좀더 넓은 범위로 분사되도록 할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3, the nozzle 210 has a nozzle body 214 connected to the processing liquid supply line 240 and a nozzle tip connected to the nozzle body 214 to spray the processing liquid. (nozzle tip) 212. However, the width a of the nozzle tip 212 may be wider than the width b of the nozzle body 214. By such a configuration, the processing liquid can be sprayed in a wider range.

또한, 처리액을 스프레이 형태로 분사하기 위해서, 도 4에 도시된 바와 같 이, 노즐(210)의 노즐팁(212)에는 다수의 분사구(216)가 구비될 수 있다. In addition, in order to spray the treatment liquid in the form of a spray, as shown in Figure 4, the nozzle tip 212 of the nozzle 210 may be provided with a plurality of injection holes 216.

보울(300)은 공정시 스핀 헤드(100)의 회전으로 인하여 웨이퍼(W)로부터 처리액 등이 외부로 비산하는 것을 방지한다. 처리액으로는 주로 산성 용액(acid solution)이 사용되기 때문에, 주변 장비 보호를 위하여 스핀 헤드(100)의 둘레에 보울(300)가 설치된다. 보울(300)는 상단에 웨이퍼(W)가 드나들 수 있는 개구가 형성되며, 스핀 헤드(100)를 감싸도록 배치된다.The bowl 300 prevents the processing liquid and the like from scattering to the outside from the wafer W due to the rotation of the spin head 100 during the process. Since an acid solution is mainly used as the treatment liquid, a bowl 300 is installed around the spin head 100 to protect peripheral equipment. The bowl 300 has an opening through which the wafer W can enter and exit, and is arranged to surround the spin head 100.

회수부(400)는 공정에서 사용된 처리액을 다시 회수한다. 이러한 회수부(400)는 회수 탱크(420), 밸브(430), 회수 라인(440)을 포함할 수 있다.The recovery unit 400 recovers the processing liquid used in the process again. The recovery unit 400 may include a recovery tank 420, a valve 430, and a recovery line 440.

유체 공급부(500)는 스핀 헤드(100)에 지지된 기판(W)의 저면으로 유체를 공급한다. 처리액이 점성이 강할 경우, 처리액은 기판(W)을 타고 흘러, 기판(W)을 지지하고 있는 스핀 헤드(100)에 묻게 된다. 묻어 있는 처리액은 흄(fume)이 되어 기판 처리 장치를 오염시킬 수 있다. 따라서, 스핀 헤드(100)의 저면에서 처리액을 제거하기 위한 유체를 공급하게 된다. 여기서, 사용하는 유체는 예를 들어, 순수(DIW)일 수 있다. 이러한 유체 공급부(500)는 백 노즐(510), 유체 저장부(520), 밸브(530), 유체 공급 라인(540)을 포함할 수 있다. 유체 저장부(520)는 유체를 저장하는 탱크이고, 밸브(530)는 제어부(700)의 제어에 의한 온/오프를 통해서 유체를 공급하거나 유체를 공급하지 않게 한다. 유체 공급 라인(540)은 유체 저장부(520)로부터 유체를 백 노즐(510)까지 전달하는 라인이다. 백 노즐(510)은 스핀 헤드(100)에 설치되어 있어서, 기판(W)의 저면으로부터 처리액을 공급한다. 도면에서는 백 노즐(510)은 예를 들어, 스핀 헤드(100)의 중앙에 설치되어 있는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The fluid supply unit 500 supplies the fluid to the bottom surface of the substrate W supported by the spin head 100. When the processing liquid is viscous, the processing liquid flows through the substrate W and is buried in the spin head 100 supporting the substrate W. The buried process liquid may become a fume and contaminate the substrate processing apparatus. Therefore, the fluid for removing the processing liquid from the bottom of the spin head 100 is supplied. Here, the fluid to be used may be pure water (DIW), for example. The fluid supply unit 500 may include a bag nozzle 510, a fluid storage unit 520, a valve 530, and a fluid supply line 540. The fluid storage unit 520 is a tank for storing fluid, and the valve 530 may supply or not supply fluid through on / off control of the control unit 700. The fluid supply line 540 is a line for transferring the fluid from the fluid reservoir 520 to the bag nozzle 510. The back nozzle 510 is provided in the spin head 100 to supply the processing liquid from the bottom surface of the substrate W. As shown in FIG. In the drawing, the back nozzle 510 is illustrated as being installed at the center of the spin head 100, but is not limited thereto.

도 5은 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 5을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제1 실시예와 다른 점은, 노즐(210)에서 분사되는 처리액이 비연속적으로 분사된다는 점이다. 비연속적인 분사의 예는 도 5의 (a), (b), (c)에 도시된 것처럼 여러가지일 수 있다. 본 발명은 도 5의 (a), (b), (c)의 예에 한정되는 것은 아니다.Referring to FIG. 5, the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention differs from the first embodiment in that the processing liquid sprayed from the nozzle 210 is discontinuously sprayed. Examples of discontinuous injection may vary as shown in FIGS. 5A, 5B, and 5C. This invention is not limited to the example of FIG. 5 (a), (b), (c).

이와 같이 비연속적으로 분사하면 기판(W)의 처리면에 잔류하는 이물질 및 불필요한 막을 더 쉽게 제거할 수 있다. 처리액과 이물질의 화학 결합뿐만 아니라, 처리액의 물리적 분사압을 더 이용하여 이물질을 제거할 수 있기 때문이다.Discontinuous injection in this way can more easily remove foreign substances and unnecessary film remaining on the processing surface of the substrate (W). This is because the foreign matter can be removed by further utilizing the physical injection pressure of the treatment solution as well as the chemical bond between the treatment solution and the foreign matter.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다.6 is a plan view illustrating a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 노즐(210)이 아암(260)에 고정되어 있지 않고, 노즐(210)이 아암(260)을 따라 직선 운동을 할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 노즐(210)은 기판(W)의 구석구석까지 처리액을 스프레이 형태로 분사할 수 있다.Referring to FIG. 6, in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, the nozzle 210 is not fixed to the arm 260, and the nozzle 210 may perform linear motion along the arm 260. Can be. By doing in this way, the nozzle 210 can spray a process liquid to the every corner of the board | substrate W in a spray form.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.7 is a cross-sectional view for describing a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 노즐(210a)과 스핀 헤드(100)가 이루는 각은 직각이다. 스프레이 형태로 처리액을 공 급하는 것만으로도 처리액이 스핀 헤드(100)에 잘 남지 않는다면, 노즐(210a)과 스핀 헤드(100)가 이루는 각을 예각으로 조절하지 않아도 무방하다.Referring to FIG. 7, in the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, an angle formed between the nozzle 210a and the spin head 100 is perpendicular to each other. If the treatment liquid does not remain in the spin head 100 only by supplying the treatment liquid in a spray form, the angle formed by the nozzle 210a and the spin head 100 may not be adjusted at an acute angle.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 블록도이다. 1 is a block diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 설명하기 위한 평면도이다. FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG.

도 3 및 도 4는 도 1의 노즐을 설명하기 위한 도면들이다.3 and 4 are diagrams for describing the nozzle of FIG. 1.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명) (Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

100 : 스핀 헤드 150 : 회전축100: spin head 150: rotation axis

180 : 제1 구동부 200 : 처리액 공급부180: first driving unit 200: processing liquid supply unit

210 : 노즐 250 : 제2 구동부210: nozzle 250: second drive part

260 : 아암 300 : 보울260: arm 300: bowl

400 : 회수부 500 : 유체 공급부400: recovery part 500: fluid supply part

Claims

A bowl for providing a space for processing the substrate therein, the top of which is open;

A spin head installed in the bowl and supporting the substrate and rotatable;

A nozzle for spraying the processing liquid in the form of a spray on the processing surface of the substrate supported by the spin head; And

It includes a moving unit for moving the nozzle,

The processing liquid is injected through the nozzle according to the position of the nozzle so that the processing liquid is not sprayed on the spin head while the nozzle is moved on the substrate and the substrate is processed by the moving unit. Substrate processing apparatus whose angle is controlled.

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The method of claim 1,

And the nozzles disperse the processing liquid discontinuously.

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The method of claim 1,

The nozzle includes a nozzle body connected to a processing liquid supply line for supplying the processing liquid, and a nozzle tip connected to the nozzle body to spray the processing liquid,

The width of the nozzle tip is wider than the width of the nozzle body substrate processing apparatus.

The method of claim 1,

And the moving unit includes an arm in which the nozzle is installed, and a driving unit for allowing the nozzle to linearly move along the arm.

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