KR19990037232A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
유도 결합형의 에칭 장치(100)는 처리실(102)의 천정판(108)상에 배치된 RF 안테나(110)를 갖는다. 처리실(102)내에 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 서셉터(116)가 배치된다. 천정판(108)은 기본적으로 알루미나 세라믹으로 이루어지는 매트릭스와, 매트릭스내에 분산되어 RF 전계에 의해 자기 발열하는 천이 금속산화물염으로 이루어지는 발열 소자를 갖는다.
Description
본 발명은 반도체 처리 시스템에 있어서, 플라즈마를 이용하여 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치에 관한 것으로, 특히 유도 결합형의 드라이 에칭 장치에 관한 것이다. 또한, 여기서 반도체 처리란 반도체 웨이퍼나 LCD 기판 등의 피처리체상에 반도체층, 절연층, 도전층 등을 소정의 패턴으로 형성함으로써, 해당 피처리체상에 반도체 장치나, 반도체 장치에 접속되는 배선, 전극 등을 포함하는 구조물을 제조하기 위해서 실시되는 여러가지의 처리를 의미한다.
반도체 처리 시스템의 플라즈마 처리 장치로서, 유도 결합형의 드라이 에칭 장치가 있다. 이 장치에서는, 통상 처리실의 천정부가 유전체벽으로 이루어지고, 또한 환상이나 스파이럴 형상의 RF(고주파) 안테나가 배치된다.
유전체벽의 처리실측의 노출 내면은 항상 처리실내 분위기에 노출되어 있기 때문에, 처리중에 플라즈마중의 라디칼에 기인하는 부생성물이 부착되기 쉽다. 부생성물이 노출내면에 부착되면, 노출내면의 유전율이 상승하고, 에너지 효율이 떨어진다. 또한, 처리실내에 존재하는 라디칼량이 노출내면에 부착되는 부생성물의 양에 의해서 매번 변하기 때문에 안정된 처리를 할 수 없다. 결과적으로, 스루풋의 저하 및 플라즈마 처리의 면내 균일성의 열화를 발생시킨다. 따라서, 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 그 유전체벽의 노출내면에 부착되는 부생성물을 최소한으로 억제하는 것이 바람직하다.
일본 특허 공개 공보 제 96-144072 호에는 유전체벽에 저항 가열체를 매설한 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치가 개시된다. 일반적으로, 플라즈마에 노출되는 면을 고온으로 유지하면, 그 면에 대한 부생성물의 부착 계수가 저하된다. 따라서, 저항 가열체에 의해 유전체벽을 고온 상태로 유지함으로써, 유전체벽의 노출내면에 대한 부생성물의 부착을 억제할 수 있다.
그러나, 유전체벽에 저항 가열체를 매설하면, 유전체벽의 구성이 복잡해진다. 또한, 저항 가열체를 발열시키기 위한 전원이나, 동일 전원의 부착 수단, 제어 수단 등을 설치할 필요가 있다. 이들은 장치의 초기 비용을 상승시키는 원인이 된다. 또한, 유전체벽과 저항 가열체는 열팽창율이 상이하기 때문에, 장기간에 걸쳐서 사용하면, 팽창 수축의 반복에 의해 유전체벽에 크랙을 발생시킬 우려가 있다.
본 발명의 목적은 간단한 구조로 유전체벽의 노출내면을 가열할 수 있는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 유전체벽의 수명을 그다지 저하시키지 않고서 유전체벽의 노출내면을 가열할 수 있는 유도 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 플라즈마를 이용하여 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치로서, 그 기본적인 구조는 처리 용기내에 형성된 기밀 상태의 처리실과, 상기 처리실내에 배치된 상기 피처리체를 지지하기 위한 지지 부재와, 상기 처리실내에 처리 가스를 공급하기 위한 가스 공급계와, 상기 처리실내를 배기함과 동시에 상기 처리실내를 진공으로 설정하기 위한 배기계와, 상기 처리실내에 공급된 상기 처리 가스를 여기하여 플라즈마화하는 RF 전계를 형성하기 위한 RF 안테나와, 상기 RF 안테나에 RF 전력을 공급하기 위한 전원과, 상기 처리실에 대하여 노출되는 노출내면을 가지면서 동시에 상기 처리실과 상기 RF 안테나 사이에 개재되는 개재벽을 구비한다.
본 발명의 제 1 특징에 있어서, 상기 개재벽은 기본적으로 유전체로 이루어지는 매트릭스와, 상기 매트릭스내에 분산되고, 상기 RF 전계에 의해 자기 발열하는 발열 소자를 구비한다.
본 발명의 제 2 특징에 있어서, 상기 개재벽은 기본적으로 반도체로 이루어지는 매트릭스를 구비한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 에칭 장치를 도시한 개략도,
도 2는 도 1에 도시한 장치의 천정판을 도시하는 단면도,
도 3은 도 1에 도시한 장치의 변형예의 천정판을 도시하는 단면도,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 관한 에칭 장치를 도시한 개략도,
도 5는 도 4에 도시한 장치의 칸막이판을 도시하는 단면도,
도 6은 도 4에 도시한 장치의 변형예의 칸막이판을 도시하는 단면도,
도 7a 및 도 7b는 천정판 또는 칸막이판에 있어서의 불순물의 농도 분포를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 에칭 장치 102 : 처리실
106 : 접지선 108 : 천정판
110 : 안테나 116 : 서셉터
158a : 매트릭스 158b : 보조 발열 소자
208, 258 : 칸막이판
이하에 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또, 이하의 설명에 있어서, 대략 동일한 기능 및 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 중복 설명은 필요한 경우에만 행한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유도 결합형의 드라이 에칭 장치(100)를 도시한 개략도이다.
에칭 장치(100)의 기밀 상태인 처리실(102)은 스테인레스 등의 전도성 재료로 이루어지는 원통 형상의 처리 용기(104)와, 유전성 재료를 주체로 하여 형성된 천정판(108)으로 형성된다. 처리 용기(104) 자체는 접지선(106)에 의해 접지된다. 천정판(108)의 상세한 것에 대해서는 후술한다. 천정판(108)상에 스파이럴 형상의 RF(고주파) 안테나(110)가 배치된다. RF 안테나(110)에는 정합기(112)를 거쳐서 플라즈마 생성용 RF 전력, 예를 들면 13.56MHz의 RF 전력을 출력할 수 있는 제 1 RF 전원(114)이 접속된다.
또한, 처리실(102)의 하방에는 전도성 재료로 이루어지고 하부 전극을 형성하는 서셉터(116)가 배치된다. 서셉터(116)상의 탑재면에 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되고, 정전 척(도시하지 않음) 등을 통해 고정된다. 서셉터(116)에는 서셉터(116)의 저면부에 설치된 절연 부재(118)를 통해 승강축(120)이 장착된다. 승강축(120)에는 승강 기구(도시하지 않음)가 접속된다. 따라서, 서셉터(116)는 그 승강 기구의 작동에 의해 승강축(120)을 통해, 상하 방향(도 1중 왕복 화살표 A방향)으로 이동 가능하게 된다. 또한, 승강축(120) 주위의 절연 부재(118)와 처리실(102)의 저면부 사이에는 기밀 부재로 이루어지는 벨로우즈(122)가 장착된다. 이에 의해, 서셉터(116)의 상하 이동에 의해서도 처리실(102)내의 기밀성이 손상되지 않는다. 서셉터(116)에는 정합기(124)를 통해 바이어스용 RF 전력, 예를 들면 380kHz의 RF 전력을 출력할 수 있는 제 2 RF 전원(126)이 접속된다.
처리실(102)에는 처리 가스 공급계의 가스 공급 라인(132)이 접속된다. 공급라인(132)은 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브(도시하지 않음)를 통해 가스원부(134)에 접속된다. 가스원부(134)는 처리실내(102)에 공급하기 위한 상이한 복수 가스, 예를 들면 CF4, C4F8, CO, O2, Ar, N2등의 가스원을 갖는다.
처리실(102)에는 배기계의 배기 라인(136)이 접속된다. 배기 라인(136)은 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브(도시하지 않음)를 통해 배기 펌프(138)에 접속된다. 배기 펌프(138)에 의해, 처리실(102)내를 배기함과 동시에 처리실(102)내를 진공, 예를 들면 10mTorr 내지 100mTorr로 설정할 수 있게 된다.
도 1에 도시한 에칭 장치에 있어서의 처리 공정은 다음과 같이 된다.
우선, 처리실(102)내에 배치된 서셉터(116)상에 웨이퍼(W)를 탑재한다. 다음에, 처리실(102)에 접속된 배기계에 의해서 처리실(102)내를 배기함으로써, 처리실(102)내 전체를 소정의 감압 분위기로 한다. 그리고, 처리실(102)내를 배기를 계속하면서, 처리 가스 공급계로부터 처리실(102)내로 처리 가스를 공급한다.
이 상태로, RF 안테나(110)에 플라즈마 생성용 RF 전력을 인가함으로써 처리실(102)내에 공급된 처리 가스를 여기하여 해리시켜, 고밀도 플라즈마를 생성한다. 동시에, 서셉터(116)에 대하여 바이어스용 RF 전력을 인가함으로써, 플라즈마중의 에칭제(etchant)종을 웨이퍼(W)의 표면상에 유도하여 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 처리를 실시한다.
도 2는 도 1에 도시한 장치(100)의 천정판(108)을 도시하는 단면도이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 천정판(108)은 기본적으로 유전체로 이루어지는 매트릭스(108a)와, 매트릭스(108a)내에 분산하고, RF 안테나(110)에 의한 RF 전계에 의해 자기 발열하는 발열 소자(108b)를 갖는다. 발열 소자(108b)는 RF 전계에 의해 발열(주울열)함으로써 처리실(102)에 대하여 노출되는 천정판(108)의 노출내면을 가열하고, 플라즈마 처리중에 부생성물이 동일 노출내면에 부착하는 것을 억제한다.
이러한 특성을 갖는 천정판(108)은 예를 들면 알루미나 세라믹에 천이 금속산화물염(천이 금속산화물과 알카리 토양류 금속산화물의 복합산화물)을 도핑함으로써 얻어진다. 천정판(108)의 발열량은 천이 금속산화물염의 도프량을 조절함으로써 조정할 수 있다. 알루미나 세라믹에 천이 금속산화물염, 예를 들면 CaTiO3, MgTiO3, SrTiO3, BaTiO3에서 선택된 어느 하나를 도핑하는 방법은 다음과 같다.
우선, 알루미나 세라믹 분말에, 약 1.0 중량% 내지 6.0 중량%의 알카리 토양류 금속, 예를 들어 Ca, Mg, Sr, Ba로부터 선택된 하나와, 약 0.5 중량% 내지 6.0 중량%의 천이 금속, 예를 들어 Ti를 첨가한다. 다음에, 알카리 토양류 금속 및 천이 금속이 첨가된 알루미나 세라믹 분말을, 환원 분위기하에서, 1500℃ 내지 1650℃에서 1 시간 내지 7 시간, 바람직하게는 2 시간 가열하여 소결한다. 이에 의해, 알루미나 세라믹내에 천이 금속산화물염이 형성되어 도핑된 상태로 된다. 또한, 이 소결시에는 SiO2등의 소결 보조제 등을 첨가하는 것이 바람직하다.
이렇게 하여 형성된 천정판(108)을 구성하는 소결체에 있어서는, 발열 소자(108b)인 천이 금속산화물염에 의해, 매트릭스(108a)인 알루미나 세라믹의 전기적 저항율이 저하된 상태로 된다. 즉, 환언하면, 발열 소자(108b)는 매트릭스(108a)를 형성하는 유전체에 도핑된 도전체, 즉 불순물이라고 말할 수 있다. 발열 소자(108b)의 도핑량에 의해, RF 안테나(110)로부터의 에너지에 있어서, 유도 가열에 소비되는 양과, 유도 결합성 플라즈마의 발생에 기여하는 양의 비율이 결정된다. 즉, 발열 소자(108b)의 도핑량을 조절함으로써, 상기 양자를 바람직한 비율로 되도록 제어할 수 있다.
또한, 발열 소자(108b)의 농도가 노출내면측에서 높아지도록, 발열 소자(108b)가 매트릭스내에서 도 7a, 도 7b의 선 L1, L2에 도시하는 바와 같은 연속적 혹은 불연속적인 농도 구배를 갖도록 설정할 수 있다. 이에 의해, RF 안테나(110)로부터의 에너지를 효율적으로 이용하여, 천정판(108)의 노출내면을 선택적으로 유도 가열할 수 있게 된다.
또한, 매트릭스(108a)를 형성하는 유전체 및 발열 소자(108b)를 형성하는 도 전체는 상술한 재료 이외의 것을 이용하더라도 형성할 수 있다. 예를 들면, 매트릭스(108a)의 유전체로서 알루미나를 사용하고, 발열 소자(108b)의 도전체로서 티탄(Ti)이나 텅스텐(W)을 사용할 수 있다. 이 경우, 알루미나로 이루어지는 기판에 Ti이나 W의 염의 수용액을 함침시켜, 열 처리함으로써, 도전체를 매트릭스내에 확산시킬 수 있다.
도 3은 도 1에 도시한 장치(100)의 변형예의 천정판(158)을 도시하는 단면도이다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 천정판(158)은 반도체, 예를 들면 기본적으로 실리콘이나 게르마늄으로 이루어지는 매트릭스(158a)를 갖는다. 매트릭스(158a)는 RF 전계에 의해 발열(주울열)함으로써 처리실(102)에 대하여 노출되는 천정판(158)의 노출내면을 가열하고, 플라즈마 처리중에 부생성물이 동일 노출내면에 부착하는 것을 억제한다.
천정판(158)은 또한, 매트릭스(158a)내에 분산되고, RF 안테나(110)에 의한 RF 전계에 의해 자기 발열하는 도전체로 이루어지는 보조 발열 소자(158b)를 갖는다. 보조 발열 소자(158b)에 의해 천정판(158)의 노출내면에서의 발열량을 높일 수 있다.
매트릭스(158a)에 전도성의 불순물인 보조 발열 소자(158b)를 도핑하는 방법으로서는, 양 재료의 분말을 혼합하여 소결하는 방법을 예로 들 수 있다. 또한, 보조 발열 소자(158b)의 양이나 치수에 관해서는, 천정판(158)의 발열량, 내구성, 제조의 용이함 등의 각종 인자를 고려하여 결정할 수 있다.
또한, 보조 발열 소자(158b)의 농도가 노출내면측에서 높아지도록 보조 발열 소자(158b)가 매트릭스내에서 도 7a, 도 7b의 선 L1, L2에 도시하는 바와 같은 연속적 혹은 불연속적인 농도 구배를 갖도록 설정할 수 있다. 이에 따라, RF 안테나(110)로부터의 에너지를 효율적으로 이용하여, 천정판(158)의 노출내면을 가열할 수 있게 된다.
또한, 보조 발열 소자(158b)를 혼입시키지 않고, 천정판(158)을 실리콘이나 게르마늄 등의 소위 진성 반도체만으로 형성할 수도 있다. 또한, 천정판(158)을 n형 또는 p형의 캐리어 불순물을 도핑한 반도체로 형성할 수도 있다. 이 경우, 불순물에 도 7a 및 도 7b에 도시하는 바와 같은 농도 구배를 형성할 수 있다.
도 2 또는 도 3에 도시한 천정판(108, 158)을 이용한 도 1에 도시한 에칭 장치(100)에 의하면, 플라즈마 처리시에 RF 안테나(110)에 플라즈마 여기용의 RF 전력을 인가하는 것만으로, 천정판(108, 158)을 자기 발열에 의해 가열할 수 있다. 이에 따라, 천정판(108, 158)의 노출내면을 가열하고, 플라즈마 처리중에 부생성물이 동일 노출내면에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이 가열 구조는 가열 코일을 설치하는 경우에 비해서 대단히 간단하고, 또한 천정판의 수명을 그다지 저하시키지 않는다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 관한 유도 결합형의 드라이 에칭 장치(200)를 도시한 개략도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 에칭 장치(200)는 RF 안테나(210)가 처리 용기(204)내에 배치되어 있는 점이 도 1에 도시한 에칭 장치(100)와 상이하다. 즉, 에칭 장치(200)는 스테인레스 등의 전도성 재료로 이루어지는 원통 형상의 기밀 상태의 처리 용기(204)를 갖는다. 처리 용기(204)는 유전성 재료를 주체로 하여 형성된 칸막이판(208)에 의해 기밀 상태의 처리실(202)과 안테나실(203)로 분할된다. 처리실(202)측의 구성은 도 1에 도시한 에칭 장치(100)와 실질적으로 동일하다.
안테나실(203)은 분말 형상의 운모 등의 유전체를 굳어지지 않도록 충전한 충전층(205)에 의해 완전히 채워진다. 충전층(205)의 하부에는 동박 등의 전도성 재료로 이루어지는 스파이럴 형상 또한 띠 형상의 RF(고주파) 안테나(210)가 매설된다. 열응력을 흡수하기 위해서, RF 안테나(210)에는 그 만곡된 내측에 대응하여 다수의 절결이 형성된다. RF 안테나(210)에는 정합기(112)를 통해 플라즈마 생성용 RF 전력, 예를 들어 13.56MHz의 RF 전력을 출력할 수 있는 제 1 RF 전원(114)이 접속된다.
또한, 충전층(205)은 유전체의 분말을 굳게 하든가 혹은 유전체를 성형함으로써 형성할 수 있다. 이 경우, RF 안테나(210)의 열팽창에 의해 충전층(205)에 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해서, 도 4에 파선으로 도시하는 바와 같이, RF 안테나(210) 주위에 아주 조그마한 공동(209)을 마련하는 것이 바람직하다. 또한, 안테나실(203)에 유전체를 전혀 충전시키지 않고, RF 안테나(210)만을 배치할 수 있다. 이 경우, 안테나실(203)에서 플라즈마가 여기되지 않도록, 안테나실(203)내를 100Torr 이상의 압력으로 유지하는 것이 바람직하다.
도 5는 도 4에 도시한 장치(200)에 있어서의 칸막이판(208)을 도시하는 단면도이다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 칸막이판(208)은 기본적으로 유전체로 이루어지는 매트릭스(208a)와, 매트릭스(208a)내에 분산되고, RF 안테나(210)에 의한 RF 전계에 의해 자기 발열하는 발열 소자(208b)를 갖는다. 발열 소자(208b)는 RF 전계에 의해 발열함으로써 처리실(202)에 대하여 노출되는 칸막이판(208)의 노출내면을 가열하고, 플라즈마 처리중에 부생성물이 동일 노출내면에 부착하는 것을 억제한다. 칸막이판(208)의 제조 방법이나, 그 메트릭스(208a) 및 발열 소자(208b)의 종류, 저항률, 농도 등의 조건, 혹은 그들의 변경 형태는 도 2에 도시한 천정판(108)과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
도 6은 도 4에 도시한 장치(200)의 변형예의 칸막이판(258)을 도시하는 단면도이다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 칸막이판(258)은 기본적으로 실리콘이나 게르마늄 반도체로 이루어지는 매트릭스(258a)를 갖는다. 매트릭스(258a)는 RF 전계에 의해 발열함으로써 처리실(202)에 대하여 노출되는 칸막이판(258)의 노출내면을 가열하고, 플라즈마 처리중에 부생성물이 동일 노출내면에 부착하는 것을 억제한다.
칸막이판(258)은 또한, 매트릭스(258a) 내에 분산되고, RF 안테나(210)에 의한 RF 전계에 의해 자기 발열하는 도전체로 이루어지는 보조 발열 소자(258b)를 갖는다. 보조 발열 소자(258b)에 의해, 칸막이판(258)의 노출내면에서의 발열량을 높일 수 있다. 칸막이판(258)의 제조 방법이나, 그 매트릭스(258a) 및 보조 발열 소자(258b)의 종류, 저항율, 농도 등의 조건, 혹은 그들의 변경 형태는 도 3에 도시한 천정판(158)과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
도 5 또는 도 6에 도시한 칸막이판(208, 258)을 이용한 도 4에 도시한 에칭 장치(200)에 의하면, 플라즈마 처리시에 RF 안테나(210)에 플라즈마 여기용의 RF 전력을 인가하는 것만으로, 칸막이판(208, 258)을 자기 발열에 의해 가열할 수 있다. 이에 의해, 칸막이판(208, 258)의 노출내면을 가열하고, 플라즈마 처리중에 부생성물이 동일 노출내면에 부착하는 것을 억제할 수 있다. 이 가열 구조는 가열 코일을 설치하는 경우에 비해서 대단히 간단하고, 또한 천정판의 수명을 그다지 저하시키지 않는다.
또한, 도 4에 도시한 에칭 장치(200)에 있어서는, RF 안테나(210)에 인가한 RF 전력의 에너지를 처리 용기(204)내로부터 외부로 달아나지 않도록 할 수 있다. 또한, 칸막이판(208, 258)은 처리 용기(204) 내외의 압력차로부터 보호되기 때문에, 칸막이판(208, 258)의 두께를 얇게 할 수 있다. 따라서, 보다 강한 전계를 처리실(202)내에 형성할 수 있고, 높은 에너지 효율로 보다 고밀도의 플라즈마를 처리실(202)내에 여기할 수 있게 된다.
또한, 도 1 및 도 4에 도시한 실시예에 있어서는, 처리 가스가 가스 공급 라인(132)을 통해 처리실(102)의 측부로부터 직접 공급되지만, 처리 가스가 처리실(102)의 상부의 샤워 헤드로부터 공급되도록 구성할 수 있다.
또한, 도 1 및 도 4에 도시한 실시예에 있어서, 에칭 장치를 예로 들어 설명하였지만, 본 발명은 성막 장치나 애싱 장치 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 대해서도 적용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼가 아니라, LCD용 유리 기판을 처리하는 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
기타, 본 발명의 사상 범주에 있어서, 당업자라면 각종 변경 및 변형이 가능함을 인식할 것이며, 이러한 변경 및 변형에 대해서도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해된다.
본 발명에 따르면, 유전체벽면에 가열 수단을 매설할 필요도 없고, 이러한 가열 수단을 가열하기 위한 전력 공급 수단이나 발열량의 조절 기구를 설치할 필요도 없다. 따라서, 비교적 단순한 구성이고 비교적 염가인 플라즈마 처리 장치를 제공할 수 있다. 또한, 유전체벽과 매설물의 열팽창의 차에 기인하는 크랙등에 의한 장치의 파손을 방지할 수 있기 때문에, 안전하고 또한 유지 보수가 용이한 플라즈마 처리 장치를 제공할 수 있다.
Claims (20)
- 플라즈마를 이용하여 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치에 있어서,처리 용기내에 형성된 기밀 상태의 처리실과,상기 처리실내에 배치된 상기 피처리체를 지지하기 위한 지지 부재와,상기 처리실내에 처리 가스를 공급하기 위한 가스 공급계와,상기 처리실내를 배기함과 동시에 상기 처리실내를 진공으로 설정하기 위한 배기계와,상기 처리실내에 공급된 상기 처리 가스를 여기하여 플라즈마화하는 RF 전계를 형성하기 위한 RF 안테나와,상기 RF 안테나에 RF 전력을 공급하기 위한 전원과,상기 처리실에 대하여 노출되는 노출내면을 가짐과 동시에 상기 처리실과 상기 RF 안테나 사이에 개재되는 개재벽을 포함하고,상기 개재벽은 기본적으로 유전체로 이루어지는 매트릭스와, 상기 매트릭스내에 분산되고 상기 RF 전계에 의해 자기 발열하는 발열 소자를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 개재벽은 소결체로 형성된 플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 유전체가 기본적으로 알루미나 세라믹으로 이루어지고, 상기 발열 소자가 기본적으로 천이 금속산화물염으로 이루어지는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 발열 소자가 기본적으로 도전체로 이루어지는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 노출내면측에서 상기 발열 소자의 농도가 높아지도록, 상기 매트릭스내에서 상기 발열 소자가 농도 구배를 갖는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 개재벽이 상기 처리 용기의 천정을 형성하고, 상기 RF 안테나가 상기 처리 용기밖에 배치된 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 개재벽 및 상기 RF 안테나가 상기 처리 용기내에 배치된 플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 처리 용기의 내면과 상기 개재벽 사이를 채우고 또한 상기 RF 안테나를 매립시키는 기본적으로 유전성 분체로 이루어진 충전층을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 RF 안테나 주위에 공동을 형성하도록 상기 처리 용기의 내면과 상기 개재벽 사이에 배치된 유전체층을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 처리 가스는 상기 피처리체를 에칭하는 가스인 플라즈마 처리 장치.
- 플라즈마를 이용하여 피처리체에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 장치에 있어서,처리 용기내에 형성된 기밀 상태의 처리실과,상기 처리실내에 배치된 상기 피처리체를 지지하기 위한 지지 부재와,상기 처리실내에 처리 가스를 공급하기 위한 가스 공급계와,상기 처리실내를 배기함과 동시에 상기 처리실내를 진공으로 설정하기 위한 배기계와,상기 처리실내에 공급된 상기 처리 가스를 여기하여 플라즈마화하는 RF 전계를 형성하기 위한 RF 안테나와,상기 RF 안테나에 RF 전력을 공급하기 위한 전원과,상기 처리실에 대하여 노출되는 노출내면을 가지면서 동시에 상기 처리실과 상기 RF 안테나 사이에 개재되는 개재벽을 포함하고,상기 개재벽은 기본적으로 반도체로 이루어지는 매트릭스를 포함하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 반도체가 기본적으로 실리콘으로 이루어진 플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 개재벽이 상기 매트릭스내에 분산되는 불순물을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 불순물이 기본적으로 도전체로 이루어지고, 상기 개재벽은 소결체로 형성되는 플라즈마 처리 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 노출내면측에서 상기 불순물의 농도가 높아지도록, 상기 매트릭스내에서 상기 불순물이 농도 구배를 갖는 플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 개재벽이 상기 처리 용기의 천정을 형성하고, 상기 RF 안테나가 상기 처리 용기밖에 배치된 플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 개재벽 및 상기 RF 안테나가 상기 처리 용기내에 배치된 플라즈마 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 처리 용기의 내면과 상기 개재벽 사이를 채우고 또한 상기 RF 안테나를 매립시키는 기본적으로 유전성 분체로 이루어진 충전층을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 RF 안테나 주위에 공동을 형성하도록, 상기 처리 용기의 내면과 상기 개재벽 사이에 배치된 유전체층을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 처리 가스는 상기 피처리체를 에칭하는 가스인 플라즈마 처리 장치.
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