KR19990026588A - 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 이용한 액정 표시 장치 및 그제조 방법 - Google Patents

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KR19990026588A
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이경남
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윤종용
삼성전자 주식회사
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몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 이용한 IPS 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 단일막 또는 이들을 포함하는 다중막을 이용하여 게이트 패턴, 공통 패턴, 데이터 패턴 또는 화소 패턴을 형성한다. 이때, 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막은 식각시 미세한 기포가 발생하지 않고, 완만한 경사 식각이 가능하며, 비정질 실리콘층과 접촉 특성이 우수하다.

Description

몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 이용한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
본 발명은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금을 이용한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판 사이에 액정을 주입하고, 전극에 가하는 전압의 세기를 조절하여 광 투과량을 조절하는 구조로 되어 있다.
도 1a 및 1b는 IPS 방식의 액정 표시 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1a 및 1b에서 보는 바와 같이, IPS 방식의 액정 표시 장치에서는, 한 쌍의 투명 유리 기판(1, 2), 두 유리 기판(1, 2) 사이의 액정층(7)을 포함하며, 각각의 유리 기판(1, 2)의 바깥 면에는 빛을 편광시키는 두 장의 편광판(5, 6)이 부착되어 있다. 또한, 서로 평행하며 선형인 두 전극(3, 4)이 한 기판, 예를 들면 하부 기판(1)에 모두 형성되어 있다. 여기서, 액정층(7)의 유전율 이방성 Δε은 0보다 크거나 작은 것 모두가 사용되며, 두 전극(3, 4) 중 하나의 전극은 화소 전극이고, 나머지 전극은 공통 전극이다.
전기장을 인가하지 않을 때에는, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 두 기판(1, 2) 사이에 채워진 액정층(7)의 액정 분자(8)의 장축은 두 기판(1, 2)에 평행하며 전극(3, 4)과 평행하거나 일정 각도를 이루는 방향으로 배열되어 있다.
두 전극(3, 4)에 전원(V)을 연결하여 충분한 크기의 전기장을 인가하였을 때에는, 도 1b에 나타낸 것처럼, 본질적으로 기판에 평행하고 전극(3, 4)에 수직인 전기장이 생성되며, 이에 따라 액정층(7)의 중앙에 위치한 액정 분자(8)들의 장축이 전기장에 평행하게 배열된다. 그러나, 기판(1, 2) 부근의 액정 분자(8)들은 배향력에 의해 초기 상태를 유지하므로 기판(1, 2)으로부터 중앙에 이르는 영역의 액정 분자(8)들은 나선상으로 비틀린 구조를 갖는다.
이러한 IPS 방식의 액정 표시 장치에서 전극(3, 4)은 신호를 전달하는 배선과 연결되어 있다.
종래의 기술에 있어서, 이러한 배선 및 전극(3, 4)은 전달되는 신호의 지연을 방지하기 위하여 저저항을 가지는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy) 등과 같은 물질을 사용하였다.
그러나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 이용하여 배선을 형성하는 경우에는 이를 기판 상부에 증착하고 식각할 때 수소 성분의 기포가 발생하고, 이러한 기포는 식각을 방해하고 이로 인하여 원형 모양의 패턴이 남는 문제점이 발생한다. 특히, IPS(in-plain switching) 방식의 액정 표시 장치에서는 다수의 선형 전극을 미세한 간격으로 평행하게 형성해야 하므로 원형 패턴에 의한 불량이 현저하게 나타난다.
또한, 네오디뮴(Nd)을 첨가한 알루미늄 합금으로 배선 또는 전극을 형성하는 경우에는 배선 측면이 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 형상으로 식각되지 않고 경사 각도가 거의 90°에 이르는 계단 모양의 패턴이 형성되어 취약한 구조를 가지게 된다. 즉, 90° 정도의 경사각을 가지는 계단 모양의 배향막을 도포하는 경우에는 배향막이 도포되지 않을 수 있으며, 도포되더라도 러빙 공정에서 이 부분의 배향막이 러빙(rubbing)되지 않는 상태로 남게된다. 이러한 부분에서는 액정 분자를 원하는 방향으로 배향하지 못하기 때문에 빛샘 현상을 유발하게 된다.
그리고, IPS 방식의 액정 표시 장치에서는 비정질 실리콘층을 반도체층으로 사용하는 데 알루미늄 또는 알루미늄 합금은 비정질 실리콘층과 접촉 특성이 좋지 않은 점을 가지고 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 낮은 비저항과 비정질 실리콘층과 좋은 접촉 특성을 가지는 동시에 테이퍼 식각 및 미세한 간격의 패턴이 양호한 배선용 합금을 제공하여 표시 장치에 적용하여 제품의 특성을 향상시키는 것이 그 과제이다.
도 1a 및 1b는 IPS 방식의 액정 표시 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 몰리브덴-텅스텐 합금의 비저항을 도시한 그래프이고,
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 이중막을 식각하는 단계를 도시한 단면도이고,
도 4는 몰리브덴 합금이 몰리브덴-텅스텐 합금인 경우에 식각비(etch rate) 특성을 도시한 그래프이고,
도 5는 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막을 식각하는 공정을 도시한 단면도이고,
도 6은 텅스텐을 포함하는 몰리브덴-텅스텐 합금막의 식각 프로파일을 도시한 도면이고,
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 IPS 방식의 액정 표시 장치의 구조를 도시한 도면이다.
이러한 배선의 재료로는 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴 합금(Mo-alloy)이 사용된다.
이를 이용한 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막은 비저항이 작으므로 단일막 배선으로 이용될 수 있으며, 식각시에 알루미늄 또는 알루미늄 합금과는 달리 기포가 발생하지 않으므로 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
특히, IPS 방식의 액정 표시 장치에서와 같이 미세한 간격으로 막대 모양으로 전극을 평행하게 형성하는 경우에는 더욱 유리하다.
또한, 알루미늄 또는 알루미늄 합금막을 하부에 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막을 상부에, 알루미늄 또는 알루미늄 합금막보다 식각비가 빠르므로 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 식각이 가능하다.
따라서, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막의 상부에 형성되는 배향막 등은 양호하게 인쇄된다.
이러한 특성은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막을 단일막으로 형성하는 경우에도 얻을 수 있다.
또한 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막은 비정질 실리콘층과 접촉 특성이 양호하므로 비정질 실리콘층을 반도체층으로 하는 박막 트랜지스터를 형성하는 경우에도 양호한 박막 트랜지스터의 특성이 얻어진다.
본 발명에 따른 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막으로 이루어진 배선은 앞에서 기술한 특성을 가지므로 표시 장치의 게이트선 또는 데이터선 등의 신호선으로 사용된다.
특히, IPS 방식의 액정 표시 장치에서와 같이 전극이 막대 모양이고, 미세한 간격으로 평행하게 형성하는 경우에 미세한 패턴과 테이퍼 식각이 가능하므로 공통 전극 또는 화소 전극으로 사용된다.
본 발명에 따른 IPS 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법에서는 기판 위에 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막을 적층하고 식각액을 이용하여 몰리브덴 합금막을 패터닝하여 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 공통 전극선 및 공통 전극을 포함하는 공통 패턴을 형성한다.
여기서, 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막의 하부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 도전막을 적층하는 것도 가능하며, 몰리브덴 합금막을 패터닝할 때, 도전막을 함께 패터닝한다.
또한, 이러한 본 발명에 따른 IPS 방식의 액정 표시 장치의 제조 방법에서 데이터선, 소스/드레인 전극을 포함하는 데이터 배선과 화소 전극 및 화소 전극선을 포함하는 화소 패턴을 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 단일막 또는 이들을 포함하는 다중막으로 형성한다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
반도체 장치, 특히 표시 장치의 배선으로는 15μΩcm 이하의 낮은 비저항을 가지는 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴, 구리 등과 같은 물질이 적합하다. 그러나, 알루미늄 또는 알루미늄은 비정질 실리콘층과 접촉 특성이 좋지 않으므로 비정질 실리콘층과 직접 접촉하는 배선 또는 전극으로는 적합하지 않다. 이와는 달리 크롬, 타이타늄, 몰리브덴 및 그 합금 등과 같은 물질은 비정질 실리콘층과 실리사이드를 형성하므로 비정질 실리콘과 접촉 특성은 좋으나 알루미늄에 비하여 비저항이 크다. 따라서, 배선을 만들 때에는 두 가지 특성을 모두 가진 금속을 사용하거나, 저저항 도전막을 사용하고 그 하부 또는 상부의 비정질 실리콘층과 접촉하는 부분에는 접촉용 도전막을 사용할 수 있도록 한다.
또한, 배선을 단일 또는 다중으로 하는 경우 동일한 식각 조건에서 식각하되 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 형태로 가공하는 동시에 양호한 패턴으로 형성한다. 특히, IPS 방식의 액정 표시 장치에서와 같이 서로 평행하게 형성된 막대 모양의 다수의 배선이 미세한 폭과 간격으로 형성하는 경우에는 두 가지 특성이 더욱 요구되는 조건이다. 알루미늄과 알루미늄 합금은 제조 과정에서 식각시 기포가 발생하기 때문에 미세한 폭과 간격의 양호한 패턴을 얻기에는 적합하지 않다. 위의 두 가지 조건을 만족하기 위해서는 식각시 기포가 발생하지 않는 동시에 동일한 식각 조건에 대하여 20∼70°미만의 범위에서 테이퍼 각도를 가지거나, 상부 도전막의 식각비가 하부 도전막의 식각비에 비하여 70∼100Å/sec 정도 큰 것이 바람직하다.
이러한 과정에서, 본 발명의 실시예에 따른 IPS 방식의 액정 표시 장치용 배선은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 몰리브덴-텅스텐 합금의 비저항을 도시한 그래프이다.
본 발명에 따른 몰리브덴의 비저항(R)은 12.0 (μΩcm) 정도이고, 몰리브덴 합금은 15.0 (μΩcm) 이하의 비저항을 가지도록 몰리브덴과 나머지 물질로 조성비를 조절하여 만들 수 있다. 특히, 도 2에서 보는 바와 같이, 원자 백분율 20% 이하의 텅스텐을 함유한 몰리브덴-텅스텐 합금은 15μΩcm 이하의 낮은 비저항을 가진다.
그러므로 이러한 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금은 단일막으로 만들어 배선으로 사용해도 무방하지만, 비정질 실리콘층과 접촉 특성이 우수하므로 낮은 비저항을 가지는 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 상부에 적층되어 배선으로 사용될 수 있다.
또한, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 막은, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 막과는 다르게, 식각하는 동안에 미세한 기포가 발생하지 않으며, 그 막의 표면이 평탄하고 깨끗하다. 따라서, IPS 방식의 액정 표시 장치와 같이 미세한 폭의 패턴을 조밀하게 형성해야 하는 구조에서는 양호한 패턴의 전극 및 배선을 얻을 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 이중막을 식각하는 단계를 도시한 단면도이다.
도 3에서 보는 바와 같이, 상부 도전막으로는 비정질 실리콘층과 접촉 특성이 좋은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막(20)이며, 하부 도전막으로는 상부 도전막보다 낮은 비저항을 가지는 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막(10)이 형성되어 있다.
여기서, 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막(10)은 산화되거나 제조 과정에서 단선이 발생되기 쉬우므로 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막(20)은 하부 도전막을 보호하는 역할을 하게 된다.
도 3b는 동일한 식각 조건에서 포토레지스트(30) 상부 및 하부 도전막(20, 10)을 식각한 것을 나타낸 것으로서, 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막(20)은 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막(10)보다 식각비가 빠르므로 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 패턴이 형성된다.
도 4는 몰리브덴 합금이 몰리브덴-텅스텐 합금인 경우에 식각비(etch rate) 특성을 도시한 것으로서, 가로축은 텅스텐 함유량을 원자 백분율로 나타낸 것이고 세로축은 알루미늄 식각액에 대하여 단위 시간당 식각되는 정도를 나타낸 것이다.
다시 말하면, 몰리브덴-텅스텐 합금 박막이 알루미늄 합금의 식각액(HNO3: H3PO4: CH3COOH : H2O)에 대하여 단위 시간당 식각되는 정도를 텅스텐(W)의 함유량에 따라 나타낸 것이다.
도 4에서 알 수 있듯이, 텅스텐의 함유량이 0%인 경우에는 식각비가 250(Å/sec) 정도로 매우 크게 나타나지만 텅스텐의 함유량이 5%인 경우에는 식각비가 100(Å/sec) 정도로 나타난다. 그리고 텅스텐의 함유량이 15∼20% 사이에서는 50(Å/sec) 이하로 떨어짐을 알 수 있다.
한편, 비저항이 매우 낮은 알루미늄 또는 그 합금은 HNO3(8∼14%) : H3PO4: CH3COOH : H2O로 이루어진 알루미늄 식각액에 대하여 40∼80(Å/sec) 정도의 식각비를 가지므로, 이 정도의 식각비보다 70∼100(Å/sec) 정도가 큰 식각비를 가지는 몰리브덴-텅스텐 합금막을 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막의 상부에 형성하면 우수한 이중막 배선을 얻을 수 있다.
이렇게, 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 형상으로 배선 또는 전극을 형성하면, 특히 화소의 내부에 다수의 전극이 막대 모양으로 형성되어 있는 IPS 방식의 액정 표시 장치의 경우에 이를 덮는 배향막은 골고루 인쇄될 수 있다.
또한 신호선에 주사 신호 또는 데이터 신호를 출력하는 구동 집적회로가 본딩(bonding)되는 패드를 테이퍼 형상으로 형성함으로써 본딩 작업시 발생되는 금속막의 깨짐 및 이로 인한 패드의 단선 현상을 방지할 수 있다.
금속막의 깨짐은 대부분 모서리의 미세한 뿐이나, 날카로운 부분에서부터 시작하기 때문에 이 부분을 테이퍼 형상으로 완만하게 처리함으로써 앞에서 언급한 문제점들을 방지할 수 있다.
만약, 배선 또는 전극이 테이퍼 형상이 아닌 경우에는 배향막이 골고루 인쇄되지 않거나 또는 배향막이 인쇄되더라도 이 부분에서 액정 분자는 원하는 방향으로 배향되지 않으므로 빛샘 현상이 발생하게 된다.
경사각을 가지는 테이퍼 형상은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금의 단일막인 경우에도 얻을 수 있다.
도 5는 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막을 식각하는 공정을 도시한 단면도이다.
도 5에서 보는 바와 같이, 기판(100) 상부의 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막(20)은 마스크로 하는 포토레지스트(30)의 하부에서 언더 컷(undercut)이 발생하여 완만한 경사각을 가지는 테이퍼 패턴이 형성된다. 이는 크롬, 타이타늄, 알루미늄 또는 알루미늄 합금보다 식각비가 빠르기 때문에 나타난다.
도 6은 몰리브덴 합금막의 식각 프로파일을 도시한 도면이다.
도 6은 몰리브덴 합금의 단일막을 알루미늄 합금의 식각액을 이용하여 식각한 프로파일을 나타낸 것으로, 완만한 프로파일이 형성됨을 알 수 있다.
즉, 기판(100) 상부에 원자 백분율 10%의 텅스텐이 함유된 텅스텐-몰리브덴 합금막(20)을 3,000Å 정도의 두께로 증착한 다음, 알루미늄 합금 식각액을 이용하여 식각을 실시하면 20∼25。의 각을 가지는 완만한 프로파일이 형성되었다.
또한, 본 발명의 실시예에서 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막은 비정질 실리콘층과 접촉 특성에서 낮은 접촉 저항을 가지므로 비정질 실리콘층을 반도체층으로 하는 박막 트랜지스터의 전극으로 사용하더라도 양호한 박막 트랜지스터의 특성을 보여준다.
그러면, 이러한 몰리브덴 및 몰리브덴 합금을 이용한 IPS 방식의 액정 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.
도 7 및 도 8을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 IPS 방식의 액정 표시장치의 구조에 대하여 설명한다. 여기에서, 도 8은 도 7에서 VIII-VIII' 선의 단면도이다.
기판(100) 위에 가로 방향으로 게이트선(200) 및 그 일부인 게이트 전극(210)으로 이루어진 게이트 패턴이 형성되어 있다. 게이트선(200)과 평행하고 이중인 공통 전극선(300) 및 공통 전극선(300)의 분지이며 세로로 공통 전극선(300)을 연결하는 공통 전극(310)으로 이루어진 공통 패턴이 형성되어 있다. 공통 패턴과 게이트 패턴은 각각 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막으로 이루어져 있으며, 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막의 하부에 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막을 포함할 수 있다. 여기에서 게이트선(200)은 외부로부터의 주사 신호를 게이트 패드(도시하지 않음)를 통하여 전달받는다.
게이트 패턴(200, 210) 및 공통 패턴(300, 310) 위에는 게이트 절연층(400)이 형성되어 있으며, 게이트 전극(210) 상부의 게이트 절연층(400) 위에는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)층(500)이 형성되어 있다.
게이트 절연층(400) 위에는 또한 세로로 데이터선(600)이 형성되어 있고 그 한 쪽 끝에는 데이터 패드(도시하지 않음)가 형성되어 외부로부터의 화상 신호를 전달한다. 데이터선(600)의 분지인 소스 전극(610)이 비정질 실리콘층(500) 위에 형성되어 있으며, 소스 전극(610)의 맞은 편 비정질 실리콘층(500) 위에는 드레인 전극(620)이 형성되어 있다. 또한 게이트 절연층(400) 상부에는 드레인 전극(620)과 연결되어 있으며, 공통 전극선(300)과 중첩되어 평행하게 이중의 화소 전극선(700)이 형성되어 있고, 이중의 화소 전극선(700)을 연결하는 화소 전극(710)이 공통 전극(310) 사이에 데이터선(600)과 평행하게 형성되어 있다. 데이터선(600), 소스 및 드레인 전극(610, 620)을 포함하는 데이터 패턴과 화소 전극선(700) 및 화소 전극(710)을 포함하는 화소 패턴은 몰리브덴 합금막으로 이루어져 있으며, 이를 포함하는 다중막으로 형성할 수도 있다.
또한 비정질 실리콘층(500)과 소스 및 드레인 전극(610, 620) 사이에는 도핑된 비정질 실리콘층을 더 포함할 수 있다.
그러면, 도 7 및 도 8에 도시한 구조의 IPS 방식의 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
우선, 투명한 절연 기판(100) 위에 1,500Å~3,000Å의 두께로 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금을 적층하고 마스크를 이용하여 사진 식각하여 게이트선(200), 게이트 전극(210) 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 패턴과 공통 전극선(300) 및 공통 전극(310)을 포함하는 공통 패턴을 형성한다.
이때, 게이트 패턴 및 공통 패턴은 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막의 하부에 알루미늄막 또는 알루미늄 합금을 추가로 증착할 수 있으며, 식각 조건이 습식 식각인 경우에 식각액은 알루미늄 식각액, 예를 들면, CH3COOH/HNO3/H3PO4/H2O 등을 사용하며 HNO3의 함량은 8∼14% 범위에서 함유된 것이 바람직하다.
다음, 두께 1,500Å~3,000Å의 질화규소로 이루어진 게이트 절연층(400) 및 두께 200Å~2,000Å의 수소화된 비정질 실리콘층(500)을 차례로 적층한 후, 비정질 실리콘층(500)을 마스크를 이용하여 사진 식각한다.
이어, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막을 두께 1,500Å~2,500Å으로 적층한 후, 마스크를 이용하여 사진 식각하여 데이터선(600), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(620), 데이터 패드를 포함하는 데이터 패턴과 화소 전극선(700) 및 화소 전극(710)을 포함하는 화소 패턴을 형성한다.
데이터 패턴(600, 610, 620) 및 화소 패턴(700, 710)은 크롬, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금 중 하나의 단일막 또는 이들을 조합한 이중막으로 형성할 수도 있다. 또한 저항을 낮추기 위하여 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막을 추가할 수도 있다
이때, 데이터 패드를 이중막으로 형성하고, 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막을 상부막으로 형성하는 경우에는 알루미늄막 또는 알루미늄 합금막을 제거하도록 한다.
따라서 본 발명에 따른 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금은 저저항을 가지며, 식각시 기포가 발생하지 않아 미세한 폭 및 간격의 양호한 테이퍼 가공이 가능하므로 특히, IPS 방식의 액정 표시 장치에서 막대 모양의 배선 및 전극에 적합하다. 또한 몰리브덴 합금막은 앞에서 기술한 바와 같은 특성을 가지므로 깨짐 또는 오픈을 방지할 수 있고 그 상부에 형성되는 막을 양호하게 형성되도록 하여 액정 표시 장치의 동작 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (40)

  1. 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막으로 이루어진 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  2. 제1항에서,
    상기 몰리브덴 합금막은 몰리브덴 및 텅스텐으로 이루어진 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  3. 제1항에서,
    상기 배선은 전극으로 사용되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  4. 제3항에서,
    상기 전극은 공통 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  5. 제3항에서,
    상기 전극은 데이터 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  6. 동일한 식각 조건에서 테이퍼 형상으로 가공할 수 있으며 테이퍼 각도가 20∼70°의 범위인 단일 또는 이중의 도전막으로 이루어진 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  7. 제6항에서,
    상기 도전막이 이중의 도전막인 경우에 상기 도전막은 15μΩcm 이하의 낮은 비저항을 가지는 하부 도전막과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 상부 도전막으로 이루어진 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  8. 제7항에서,
    상기 하부 도전막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  9. 제8항에서,
    상기 도전막은 공통 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  10. 제8항에서,
    상기 도전막은 데이터 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  11. 동일한 식각 조건에서 하부 도전막의 식각비보다 상부 도전막의 식각비가 70∼100Å/sec 정도 큰 이중의 도전막으로 이루어진 배선.
  12. 제11항에서,
    상기 도전막은 15μΩcm 이하의 낮은 비저항을 가지는 하부 도전막과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 상부 도전막으로 이루어진 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  13. 제12항에서,
    상기 하부 도전막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 배선.
  14. 제13항에서,
    상기 도전막은 공통 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  15. 제13항에서,
    상기 도전막은 데이터 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  16. 동일한 기판의 상부에 하부 도전막을 적층하는 단계,
    상기 하부 도전막의 상부에 동일한 식각 조건에 대하여 상기 하부 도전막의 식각비보다 식각비가 70∼100Å/sec 정도 큰 상부 도전막을 적층하는 단계,
    상기 식각 조건을 이용하여 상기 상부 도전막 및 하부 도전막을 동시에 식각하는 단계를 포함하는 IPS 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 하부 도전막은 15μΩcm 이하의 낮은 비저항을 가지는 IPS 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 상부 도전막은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금인 IPS 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 하부 도전막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금인 IPS 액정 표시 장치용 배선의 제조 방법.
  20. 테이퍼 각도가 20∼70° 범위에 있으며, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  21. 제20항에서,
    상기 도전막은 공통 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  22. 제21항에서,
    상기 도전막은 데이터 신호가 인가되는 IPS 액정 표시 장치용 배선.
  23. 기판 위에 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막을 적층하는 단계,
    식각액을 이용하여 상기 몰리브덴 합금막을 패터닝하여 게이트 패턴과 공통 패턴을 형성하는 단계,
    상기 기판 위에 게이트 절연막을 적층하는 단계,
    상기 게이트 절연막 상부에 반도체층을 형성하는 단계,
    데이터 패턴과 화소 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 IPS 액정 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23항에서,
    상기 몰리브덴 합금막의 하부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 도선막을 적층하는 단계를 더 포함하며, 상기 몰리브덴 합금막을 패터닝할 때 상기 식각액을 이용하여 상기 도전막을 함께 패터닝하는 IPS 액정 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제24항에서,
    상기 식각액은 CH3COOH/HNO3/H3PO4/H2O인 IPS 액정 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제23항에서,
    상기 데이터 패턴과 상기 화소 패턴은 크롬, 몰리브덴 또는 텅스텐과 몰리브덴 및 불가피한 불순물로 이루어진 몰리브덴 합금막의 단일막 또는 이들을 조합한 다중막으로 형성하는 IPS 액정 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제1 기판 및 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 주입되어 있는 액정 물질,
    상기 제1 기판 및 제 2 기판 중 하나의 기판에 서로 평행하게 형성되어 있으며, 적어도 하나는 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막으로 이루어진 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  28. 제27항에서,
    상기 몰리브덴 합금막의 하부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 도전막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  29. 제1 기판 및 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 주입되어 있는 액정 물질,
    상기 제1 기판 및 제 2 기판 중 하나의 기판에 서로 평행하게 형성되어 있으며, 적어도 하나는 동일한 식각 조건으로 테이퍼 형상으로 가공할 수 있으며 테이퍼 각도가 20∼70°의 범위인 이중의 도전막으로 이루어진 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  30. 제29항에서,
    상기 도전막은 15μΩcm 이하의 낮은 비저항을 가지는 하부 도전막과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 상부 도전막으로 이루어진 액정 표시 장치.
  31. 제30항에서,
    상기 하부 도전막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 액정 표시 장치.
  32. 제311항에서,
    상기 식각 조건이 습식 식각인 경우에 식각액은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 식각하는 데 사용되는 식각액인 액정 표시 장치.
  33. 제32항에서,
    상기 식각액은 CH3COOH/HNO3/H3PO4/H2O로 구성된 액정 표시 장치.
  34. 제1 기판 및 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 주입되어 있는 액정 물질,
    상기 제1 기판 및 제 2 기판 중 하나의 기판에 서로 평행하게 형성되어 있으며, 적어도 하나는 동일한 식각 조건에서 하부 도전막의 식각비보다 상부 도전막의 식각비가 70∼100Å/sec 정도 큰 이중의 도전막으로 이루어진 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  35. 제34항에서,
    상기 도전막은 15μΩcm 이하의 낮은 비저항을 가지는 하부 도전막과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어진 상부 도전막으로 이루어진 액정 표시 장치.
  36. 제35항에서,
    상기 하부 도전막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 액정 표시 장치.
  37. 제36항에서,
    상기 식각 조건이 습식 식각인 경우에 식각액은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 식각하는 데 사용되는 식각액인 액정 표시 장치.
  38. 제37항에서,
    상기 식각액은 CH3COOH/HNO3/H3PO4/H2O로 구성된 액정 표시 장치.
  39. 제1 기판 및 제2 기판,
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 주입되어 있는 액정 물질,
    상기 제1 기판 및 제 2 기판 중 하나의 기판에 서로 평행하게 형성되어 있으며, 적어도 하나는 몰리브덴막 또는 몰리브덴 합금막으로 이루어져 상기 몰리브덴막 또는 상기 몰리브덴 합금막의 테이퍼 각도가 20∼70°범위인 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 액정 표시 장치.
  40. 제39항에서,
    상기 몰리브덴막 또는 상기 몰리브덴 합금막의 하부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 도전막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
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