KR19990026275U - 건식 식각 장치의 포커스 링 - Google Patents

Abstract

건식 식각 장치의 식각 가스가 반도체 웨이퍼 상에 집중될 수 있도록 식각 쳄버 내부에 구비되며, 그 하부 벽면에는 다수의 식각 가스 배기구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링에 관하여 개시한다. 상기 배기구는 포커스 링의 하부면으로부터 소정 간격, 예컨대 상기 포커스 링의 하부면으로부터 5 밀리미터의 간격이 이격되어 형성된 것이 바람직하다. 상기 배기구는 포커스 링의 내벽면에서 외벽면으로 소정의 상방향 각도를 가지며 형성된 것이 바람직하다. 상기 배기구가 갖는 상방향 각도는 1。인 것이 바람직하다. 상기 배기구는 상기 포커스 링의 외벽면을 둘러가면서 소정 간격, 예컨대 상기 포커스 링의 외벽면을 둘러가면서 5 밀리미터의 이격 간격으로 형성된 것이 바람직하다. 또한, 상기 배기구는 1 밀리미터의 직경을 갖는 것이 바람직하다.

Description

건식 식각 장치의 포커스 링

본 고안은 반도체 제조 공정 중 식각 공정에서 이용되는 건식 식각 장치의 포커스 링에 관한 것으로서, 상세하게는 건식 식각 장치의 식각 가스의 흐름을 반도체 웨이퍼 상에 집중시키기 위한 포커스 링에 소정의 배기구를 구비한 건식 식각 장치의 포커스 링에 관한 것이다.

이하에서 종래의 에 관하여 첨부도면을 참조하여 설명하고 그 문제점을 살펴보기로 한다.

첨부도면 도 1 및 도 2는 종래의 식각 장치의 포커스 링을 이용하여 반도체 웨이퍼를 식각하는 것을 설명하기 위한 도면들로서, 도 1은 종래의 건식 식각 장치의 포커스 링을 이용하여 반도체 웨이퍼를 식각하는 것을 설명하기 위한 개략도이며, 도 2는 종래의 건식 식각 장치의 포커스 링을 이용한 반도체 웨이퍼의 위치에 따른 식각률을 나타낸 그래프이다.

도 1에 따르면, 반도체 웨이퍼(10) 상에 구비되어 그 상부에서 하부, 즉 반도체 기판(10) 상면으로의 흐름이 있는 식각 가스(20)가 반도체 웨이퍼(10) 상에 집중되도록 하는 포커스 링(15)이 도시되어 있다. 식각 가스의 흐름(20)은 반도체 웨이퍼(10) 상면의 위치에 따라 반도체 웨이퍼(10)의 중심부 쪽으로 향하는 흐름(20b)과 가장자리로 향하는 흐름(20a)으로 구분될 수 있다. 이때, 반도체 웨이퍼 중심부로 향하는 식각 가스의 흐름(20b)은 대체로 반도체 웨이퍼(10) 상면에 대하여 균일한 식각이 진행되며, 반도체 웨이퍼(10) 가장자리로 향하는 식각 가스의 흐름(20a)은 포커스 링(15)의 내측벽 및 그 하부의 반도체 웨이퍼(10)와 충돌하면서 식각 가스의 와류가 발생한다. 이에 따라 식각 가스는 반도체 웨이퍼(10)의 식각을 충분한 정도로 진행되지 못하는 문제가 발생되며, 결과적으로 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)의 가장자리(W1, W3)에서 식각률이 중심부(W2)에서의 식각률에 비하여 충분하게 진행되지 못하며, 또한 균일하게 진행되지도 못함을 알 수 있다.

본 고안이 이루고자 하는 기술적 과제는 종래의 건식 식각 장치의 식각 가스를 반도체 웨이퍼 상에 집중되도록 구비된 포커스 링을 이용하는 경우에 포커스 링의 내측벽에 근접한 식각 가스의 흐름이 있는 경우, 식각 가스가 포커스 링의 내측벽과 반도체 웨이퍼와의 충돌이 일어남으로써 식각 가스 흐름에 와류가 발생하여 반도체 웨이퍼의 중심부에 비하여 가장자리에서 식각이 잘 진행되지 못하는 문제를 해결하는 것이며, 이를 위하여 포커스 링의 측벽을 관통하는 소정의 배기구가 구비된 식각 장치의 포커스 링을 제공함에 본 고안의 목적이 있다.

도 1은 종래의 건식 식각 장치의 포커스 링을 이용하여 반도체 웨이퍼를 식각하는 것을 설명하기 위한 개략도이다.

도 2는 종래의 건식 식각 장치의 포커스 링을 이용한 반도체 웨이퍼의 위치에 따른 식각률을 나타낸 그래프이다.

도 3은 본 고안에 따른 건식 식각 장치의 포커스 링의 일 실시예의 측면도이다.

도 4는 본 고안에 따른 건식 식각 장치의 포커스 링의 일 실시예의 평면도이다.

도 5는 본 고안에 다른 건식 식각 장치의 포커스 링의 일 실시예를 이용한 반도체 웨이퍼를 식각하는 것을 설명하기 위한 개략도이다.

전술한 본 고안이 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위한 건식 식각 장치의 포커스 링은 건식 식각 장치의 식각 가스가 반도체 웨이퍼 상에 집중될 수 있도록 식각 쳄버 내부에 구비되며, 그 하부 벽면에는 다수의 식각 가스 배기구가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

이하, 본 고안의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나, 본 고안의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 고안의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 이하의 도면을 참조한 설명은 본 고안의 실시예들은 본 고안과 관련한 산업기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 고안을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면 상에서 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다. 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 또한 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상부"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 층이 상기 다른 층 또는 기판의 상부에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 개재되어질 수도 있다.

첨부도면 도 2 내지 도 5는 본 고안에 따른 건식 식각 장치의 포커스 링을 이용하여 반도체 웨이퍼를 식각하는 것을 설명하기 위한 도면들로서, 도 3은 본 고안에 따른 건식 식각 장치의 포커스 링의 일 실시예의 측면도이며, 도 4는 본 고안에 따른 건식 식각 장치의 포커스 링의 일 실시예의 평면도이며, 도 5는 본 고안에 다른 건식 식각 장치의 포커스 링의 일 실시예를 이용한 반도체 웨이퍼를 식각하는 것을 설명하기 위한 개략도이다. 이하의 설명은 도 3 내지 도 5를 종합하여 설명하기로 한다.

건식 식각 장치의 포커스 링(35)은 건식 식각 장치의 식각 가스(45)가 반도체 웨이퍼(30) 상에 집중될 수 있도록 식각 쳄버 내부에 구비되며, 그 하부 벽면에는 다수의 식각 가스 배기구(40, 40a, 40b)가 형성되어 있다. 한편, 포커스 링(35)은 다음에 의하면 바람직하게 실시할 수 있다. 배기구(40, 40a, 40b)는 포커스 링의 하부면으로부터 소정 간격(W4), 예컨대 포커스 링(35)의 하부면으로부터 5 밀리미터의 간격이 이격되어 형성된다. 배기구(40, 40a, 40b)는 포커스 링(35)의 내벽면에서 외벽면으로 소정의 상방향 각도를 가지며 형성된다. 배기구(40, 40a, 40b)가 갖는 상방향 각도는 1。로 형성된다. 배기구(40, 40a, 40b)는 포커스 링(35)의 외벽면을 둘러가면서 소정 간격(40a와 40b 간의 간격 W5), 예컨대 포커스 링(35)의 외벽면을 둘러가면서 5 밀리미터의 이격 간격으로 형성된다. 또한, 배기구(40, 40a, 40b)는 1 밀리미터의 직경을 갖는다.

전술한 배기구(40, 40a, 40b)가 구비된 포커스 링(35)을 이용한 건식 식각 공정을 진행하면, 종래에 발생되던 반도체 웨이퍼(30) 가장자리에서의 와류의 발생이 현저하게 줄어든다. 이는 와류를 발생시키는 식각 가스의 포커스 링(도 1의 15) 및 반도체 웨이퍼(도 1의 10) 간의 충돌 흐름이 배기구를 통하여 신속하게 배출됨으로써 반도체 웨이퍼(30) 가장자리에서도 식각 가스의 직선적인 흐름이 확보되어 반도체 웨이퍼(30) 중심부에서와 같은 균일하고도 충분한 식각이 진행된다.

이상의 첨부 도면을 참조하여 설명한 본 고안의 실시예들은 최적의 실시예들이다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 고안을 상세하게 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 실용신안등록청구범위에 기재된 본 고안의 범위를 제한하기 위하여 사용한 것이 아니다.

전술한 본 고안에 따른 건식 식각 장치의 포커스 링을 이용하면, 반도체 웨이퍼의 수평면에서의 위치에 따라, 즉 중심부와 가장자리부에서의 식각이 균일하게 진행됨으로써 반도체 웨이퍼 상면에 대한 식각 균일도를 확보할 수 있다.

Claims (8)

1. 건식 식각 장치의 식각 가스가 반도체 웨이퍼 상에 집중될 수 있도록 식각 쳄버 내부에 구비되며, 그 하부 벽면에는 다수의 식각 가스 배기구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.
2. 제1 항에 있어서,

   상기 배기구는 포커스 링의 하부면으로부터 소정 간격 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.
3. 제1 항에 있어서,

   상기 배기구는 포커스 링의 하부면으로부터 5 밀리미터의 간격이 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.
4. 제1 항에 있어서,

   상기 배기구는 포커스 링의 내벽면에서 외벽면으로 소정의 상방향 각도를 가지며 형성된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.
5. 제4 항에 있어서,

   상기 배기구는 1。의 상방향 각도를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.
6. 제1 항에 있어서,

   상기 배기구는 상기 포커스 링의 외벽면을 둘러가면서 소정 간격 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.
7. 제6 항에 있어서,

   상기 배기구는 상기 포커스 링의 외벽면을 둘러가면서 5 밀리미터의 이격 간격으로 형성된 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.
8. 제1 항 내지 제7 항에 있어서,

   상기 배기구는 1 밀리미터의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치의 포커스 링.