KR19990024255U - Stacked Ball Grid Array Package - Google Patents

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KR19990024255U
KR19990024255U KR2019970036709U KR19970036709U KR19990024255U KR 19990024255 U KR19990024255 U KR 19990024255U KR 2019970036709 U KR2019970036709 U KR 2019970036709U KR 19970036709 U KR19970036709 U KR 19970036709U KR 19990024255 U KR19990024255 U KR 19990024255U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
bonding pads
substrate
grid array
ball grid
Prior art date
Application number
KR2019970036709U
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Korean (ko)
Inventor
조일환
정성태
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 고안은 실장 효율을 높이기 위하여 회로패턴이 구비된 기판 상에 두 개의 반도체 칩을 적층시킨 적층형 볼 그리드 어레이 패키지에 관한 것이다. 본 고안의 적층형 볼 그리드 어레이 패키지는 회로패턴이 구비된 기판 상에 상부면 중심 부분과 가장자리 부분에 다수개의 제 1 본딩 패드들이 구비되고, 상기 중심 부분에 구비된 제 1 본딩 패드들은 가장자리 부분에 구비된 제 1 본딩 패드의 일부와 금속라인으로 각각 연결되어 있는 제 1 반도체 칩이 부착되며, 상기 제 1 반도체 칩 상에는 상부면에 제 2 본딩 패드들이 구비되고, 상기 제 2 본딩 패드들 상에는 전기적 접속 수단이 솔더 범프가 구비된 제 2 반도체 칩을 그의 상부면이 상기 제 1 반도체 칩의 상부면과 마주보도록 부착된다. 이때, 제 1 반도체 칩의 중심 부분에 구비된 제 1 본딩 패드들과 제 2 반도체 칩의 제 2 본딩 패드들은 동일한 위치이며, 솔더 범프에 의해 전기적으로 접속된다. 또한, 제 1 반도체 칩은 그의 상부면 가장자리에 구비된 제 1 본딩 패드들이 기판의 회로패턴과 금속 와이어에 의해 전기적으로 연결되며, 반도체 칩들 및 금속 와이어를 포함한 기판 상부의 공간적 영역은 에폭시 수지로 밀봉되고, 상기 기판의 하부면에는 실장을 위한 솔더 볼들을 구비된다.The present invention relates to a stacked ball grid array package in which two semiconductor chips are stacked on a substrate having a circuit pattern to increase mounting efficiency. In the stacked ball grid array package of the present invention, a plurality of first bonding pads are provided at a center portion and an edge portion of an upper surface of a substrate having a circuit pattern, and the first bonding pads provided at the center portion are disposed at an edge portion thereof. A first semiconductor chip connected to a portion of the first bonding pad and a metal line, respectively, is attached to the first semiconductor chip, and second bonding pads are provided on an upper surface of the first bonding pad, and electrical connection means are formed on the second bonding pads. The second semiconductor chip with solder bumps is attached so that its upper surface faces the upper surface of the first semiconductor chip. In this case, the first bonding pads provided in the center portion of the first semiconductor chip and the second bonding pads of the second semiconductor chip have the same position and are electrically connected by solder bumps. In addition, the first semiconductor chip is electrically connected to the first bonding pads provided at the upper surface edge thereof by the circuit pattern of the substrate and the metal wire, and the spatial region on the substrate including the semiconductor chips and the metal wire is sealed with an epoxy resin. The lower surface of the substrate is provided with solder balls for mounting.

Description

적층형 볼 그리드 어레이 패키지Stacked Ball Grid Array Package

본 고안은 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 실장 효율을 향상시키기 위하여 반도체 칩 상에 또 하나의 반도체 칩을 적층시킨 적층형 볼 그리드 어레이 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a stacked ball grid array package in which another semiconductor chip is stacked on a semiconductor chip in order to improve mounting efficiency.

일반적으로, 공지된 반도체 소자의 제조 공정을 통해 얻어진 반도체 칩들은 칩 절단, 칩 부착, 와이어 본딩, 몰딩 및 드림/포밍 등 일련의 어셈블리(Assembly) 공정을 거쳐 패키지화된다.In general, semiconductor chips obtained through known semiconductor device manufacturing processes are packaged through a series of assembly processes such as chip cutting, chip attachment, wire bonding, molding, and dream / forming.

상기한 어셈블리 공정을 통해 제작된 반도체 패키지의 전형적인 예가 도 1 에 도시되어 있는바, 이를 설명하면 다음과 같다.A typical example of a semiconductor package manufactured through the above assembly process is illustrated in FIG. 1, which will be described below.

도시된 바와 같이, 다수개의 전극들(1a)이 구비된 반도체 칩(1)은 다운셋(down set)된 리드 프레임의 다이 패드(2a) 상에 부착되어 있으며, 반도체 칩(1)의 전극들(1a)은 금속 와이어(3)에 의해 리드 프레임의 인너리드(2b)와 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 반도체 칩(1) 및 이에 와이어 본딩된 인너리드를 포함한 공간적 영역은 에폭시 수지와 같은 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound)에 의해 밀봉되어 있으며, 몰딩 컴파운드로 형성된 패키지 몸체(4)의 외측으로는 기판에의 실장을 위한 리드 프레임의 아웃 리드(2c)가 돌출되어 있다.As shown, the semiconductor chip 1 with a plurality of electrodes 1a is attached on the die pad 2a of the downset lead frame, and the electrodes of the semiconductor chip 1 are attached. 1a is electrically connected to the inner lead 2b of the lead frame by the metal wire 3. In addition, the spatial region including the semiconductor chip 1 and the inner lead wire-bonded thereto is sealed by an epoxy molding compound such as an epoxy resin, and the substrate is formed on the outside of the package body 4 formed of the molding compound. The out lead 2c of the lead frame for mounting on the protrusion protrudes.

그러나, 상기와 같은 반도체 패키지는 패키지 몸체의 외측으로 돌출되는 아웃리드들간의 피치(Pitch)가 점점 미세화되어 감에 따라 기판에의 실장이 매우 어려운 문제점이 있다However, the semiconductor package as described above has a problem in that the mounting on the substrate is very difficult as the pitch between the outleads protruding out of the package body becomes smaller and smaller.

따라서, 최근에는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방법으로서, 볼 그리드 어레이(Ball Grid Array : 이하, BGA) 패키지가 제작되고 있다. 이러한 BGA 패키지는 솔더 볼을 이용하여 마더 보드(Mothor Board) 상에 패키지를 실장시키기 때문에 실장이 용이한 장점이 있으며, 아울러, 패키지와 마더 보드 사이의 짧은 상호연결길이를 제공하기 때문에 전기적 성능을 개선시킬 수 있는 장점이 있다.Therefore, in recent years, as a method for solving the above problems, a Ball Grid Array (hereinafter referred to as BGA) package has been manufactured. This BGA package has the advantage of easy mounting because it mounts the package on the motherboard using solder balls, and improves electrical performance by providing a short interconnection length between the package and the motherboard. There is an advantage to this.

도 2 은 종래 기술에 따른 BGA 패키지를 도시한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 반도체 칩(11)은 소정의 회로패턴이 구비된 기판(12) 상에 접착제에 의해 부착되어 있으며, 반도체 칩(11)과 기판(12)은 금속 와이어(13)에 의해 전기적으로 연결되어 있다. 여기서, 도시되지는 않았지만, 반도체 칩의 상부면에는 다수개의 본딩 패드들이 구비되어 있고, 기판 상에는 소정의 전극단자들이 구비되어 있으며, 금속 와이어는 본딩 패드와 전극단자 사이를 각각 전기적으로 연결하게 된다.FIG. 2 is a view illustrating a BGA package according to the prior art, and as shown, the semiconductor chip 11 is attached to the substrate 12 with a predetermined circuit pattern by an adhesive, and the semiconductor chip 11. ) And the substrate 12 are electrically connected by the metal wire 13. Although not shown, a plurality of bonding pads are provided on an upper surface of the semiconductor chip, predetermined electrode terminals are provided on a substrate, and metal wires are electrically connected between the bonding pads and the electrode terminals, respectively.

계속해서, 반도체 칩(11) 및 이에 와이어 본딩된 전극단자들을 포함한 기판(12)의 소정 면적은 몰딩 컴파운드(14)에 의해 밀봉되어 있으며, 기판(12)의 하부면에는 마더 보드(도시되지 않음) 상에 구비된 전원공급단자들과의 전기적 접속을 위한 다수개의 솔더 볼(Solder Ball : 15)이 형성되어 있다.Subsequently, a predetermined area of the substrate 12 including the semiconductor chip 11 and the electrode terminals wire-bonded thereto is sealed by the molding compound 14, and a mother board (not shown) is provided on the lower surface of the substrate 12. A plurality of solder balls 15 are formed for electrical connection with the power supply terminals provided on the < RTI ID = 0.0 >

그러나, 상기와 같은 BGA 패키지는, 도 3 에 도시된 바와 같이, 마더 보드(20) 상에 그들을 개별적으로 각각 실장시키기 때문에 실장 면적이 큰 문제점이 있으며, 두 개 이상의 BGA 패키지들(21)을 마더 보드(20) 상에 각각 실장시킬 경우에는 상기 마더 보드(20) 상에 신호 전달을 위한 회로 패턴을 디자인하기가 어려운 문제점이 있었다.However, the BGA package as described above has a problem in that the mounting area is large because each of them is individually mounted on the motherboard 20, and the two or more BGA packages 21 are mounted on the mother board. In the case of mounting each on the board 20, it is difficult to design a circuit pattern for signal transmission on the motherboard 20.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체 칩 상에 또 하나의 반도체 칩을 적층시킴으로써, 실장 면적을 감소시킴과 아울러 마더 보드 상에 디자인되는 회로 패턴을 단순화시킬 수 있는 적층형 BGA 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, by stacking another semiconductor chip on the semiconductor chip, it is possible to reduce the mounting area and to simplify the circuit pattern designed on the motherboard The purpose is to provide a stacked BGA package.

도 1 은 종래의 일반적인 반도체 패키지를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional general semiconductor package.

도 2 는 종래의 볼 그리드 어레이 패키지를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view of a conventional ball grid array package.

도 3 은 종래의 볼 그리드 어레이 패키지의 실장방법을 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining a method of mounting a conventional ball grid array package.

도 4 는 본 고안의 적층형 볼 그리드 어레이 패키지를 도시한 도면.4 is a view showing a stacked ball grid array package of the present invention.

도 5 는 본 고안의 실시예에 따른 제 1 반도체 칩의 본딩 패드들을 도시한 평면도.5 is a plan view illustrating bonding pads of a first semiconductor chip according to an embodiment of the present invention;

도 6 은 본 고안의 실시예에 따른 제 2 반도체 칩의 본딩 패드들을 도시한 평면도.6 is a plan view illustrating bonding pads of a second semiconductor chip according to an embodiment of the present invention;

도 7 은 본 고안의 실시예에 따른 제 1 및 제 2 반도체 칩을 적층한 상태의 본딩 패드들을 도시한 평면도.7 is a plan view illustrating bonding pads in a state in which first and second semiconductor chips are stacked according to an embodiment of the present invention;

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

30 : 제 1 반도체 칩 32 : 제 1 본딩 패드30: first semiconductor chip 32: first bonding pad

34 : 금속라인 40 : 제 2 반도체 칩34 metal line 40 second semiconductor chip

42 : 제 2 본딩 패드 44 : 솔더 범프42: second bonding pad 44: solder bump

50 : 기판 52 : 접착제50: substrate 52: adhesive

54 : 금속 와이어 56 : 에폭시 수지54 metal wire 56 epoxy resin

58 : 솔더 볼58: solder ball

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 적층형 BGA 패키지는 회로패턴이 구비된 기판 상에 상부면 중심 부분과 가장자리 부분에 다수개의 제 1 본딩 패드들이 구비되고, 상기 중심 부분에 구비된 제 1 본딩 패드들은 가장자리 부분에 구비된 제 1 본딩 패드의 일부와 금속라인으로 각각 연결되어 있는 제 1 반도체 칩이 부착되며, 상기 제 1 반도체 칩 상에는 상부면에 제 2 본딩 패드들이 구비되고, 상기 제 2 본딩 패드들 상에는 전기적 접속 수단이 솔더 범프가 구비된 제 2 반도체 칩을 그의 상부면이 상기 제 1 반도체 칩의 상부면과 마주보도록 부착된다. 이때, 제 1 반도체 칩의 중심 부분에 구비된 제 1 본딩 패드들과 제 2 반도체 칩의 제 2 본딩 패드들은 동일한 위치이며, 솔더 범프에 의해 전기적으로 접속된다.In order to achieve the above object, the stacked BGA package according to the present invention includes a plurality of first bonding pads provided at a center portion and an edge portion of an upper surface of a substrate on which a circuit pattern is provided, and a first bonding portion provided at the center portion. The pads are attached to a portion of the first bonding pad provided at the edge portion and a first semiconductor chip connected to each other by metal lines. Second pads are provided on the first semiconductor chip, and second bonding pads are disposed on an upper surface thereof. On the pads, an electrical connection means is attached to the second semiconductor chip with solder bumps so that its upper surface faces the upper surface of the first semiconductor chip. In this case, the first bonding pads provided in the center portion of the first semiconductor chip and the second bonding pads of the second semiconductor chip have the same position and are electrically connected by solder bumps.

또한, 제 1 반도체 칩은 그의 상부면 가장자리에 구비된 제 1 본딩 패드들이 기판의 회로패턴과 금속 와이어에 의해 전기적으로 연결되며, 반도체 칩들 및 금속 와이어를 포함한 기판 상부의 공간적 영역은 에폭시 수지로 밀봉되고, 상기 기판의 하부면에는 실장을 위한 솔더 볼들을 구비된다.In addition, the first semiconductor chip is electrically connected to the first bonding pads provided at the upper surface edge thereof by the circuit pattern of the substrate and the metal wire, and the spatial region on the substrate including the semiconductor chips and the metal wire is sealed with an epoxy resin. The lower surface of the substrate is provided with solder balls for mounting.

본 고안에 따르면, 두 개의 반도체 칩을 적층시켜 BGA 형태의 패키지를 제작하기 때문에 실장 면적을 감소시킬 수 있고, 아울러, 기판의 디자인을 용이하게 할 수 있다.According to the present invention, since two semiconductor chips are stacked to fabricate a BGA type package, the mounting area can be reduced, and the design of the substrate can be facilitated.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 4 는 본 고안의 실시예에 따른 적층형 BGA 패키지를 설명하기 위한 단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안의 적층형 BGA 패키지는 소정의 회로패턴(도시않됨)이 구비된 기판(50) 상에 본딩 패드들(32)이 상부면에 구비된 제 1 반도체 칩(30)이 은 페이스트와 같은 접착제(52)에 의해 부착·고정되어 있고, 상기 제 1 반도체 칩 상(30)에는 마찬가지로 상부면에 본딩 패드들(42)이 구비된 제 2 반도체 칩(40)이 부착·고정되어 있다. 여기서, 제 2 반도체 칩(40)의 본딩 패드들(42) 상에는 전기적 접속 수단이 솔더 범프(44)가 각각 형성되어 있으며, 상기 제 2 반도체 칩(40)은 그의 상부면이 제 1 반도체 칩(30)의 상부면과 마주보도록 배치되고, 상기 솔더 범프(44)에 의해 제 1 반도체 칩(30)과 전기적으로 연결된다.4 is a cross-sectional view illustrating a stacked BGA package according to an embodiment of the present invention. As illustrated, the stacked BGA package of the present invention is bonded onto a substrate 50 having a predetermined circuit pattern (not shown). The first semiconductor chip 30 having the pads 32 provided on the upper surface is attached and fixed by an adhesive 52 such as silver paste, and is bonded to the upper surface on the first semiconductor chip 30 as well. The second semiconductor chip 40 provided with the pads 42 is attached and fixed. Here, solder bumps 44 are formed on the bonding pads 42 of the second semiconductor chip 40, respectively, and the upper surface of the second semiconductor chip 40 is the first semiconductor chip ( It is disposed to face the upper surface of the 30, it is electrically connected to the first semiconductor chip 30 by the solder bump (44).

그리고, 제 1 반도체 칩(30)은 금속 와이어(54)에 의해 기판과 전기적으로 연결되어 있으며, 제 1 및 제 2 반도체 칩들(30, 40)과 금속 와이어(54)를 포함한 기판(50) 상부의 공간적 영역은 에폭시 수지(56)에 의해 인캡슐레이션(Encapsulation)되어 있다. 또한, 기판(50)의 하부면에는 상기와 같은 적층형 BGA 패키지를 마더 보드 상에 실장시키기 위한 접속 수단인 솔더 볼들(58)이 부착되어 있다. 여기서, 솔더 볼(58)은 주석(Sn)과 납(Pb)이 63 : 37 비율로 혼합되어 있다.The first semiconductor chip 30 is electrically connected to the substrate by the metal wire 54, and the upper portion of the substrate 50 including the first and second semiconductor chips 30 and 40 and the metal wire 54. The spatial region of is encapsulated by epoxy resin 56. In addition, solder balls 58, which are connection means for mounting the stacked BGA package on the motherboard, are attached to the lower surface of the substrate 50. Here, in the solder ball 58, tin (Sn) and lead (Pb) are mixed in a ratio of 63:37.

상기에서, 제 1 반도체 칩(30)은, 도 5 에 도시된 바와 같이, 그의 상부면 중심부와 장방향의 양측 가장자리 부분 각각에 제 1 본딩 패드들(32)이 구비되어 있고, 특히, 중심부에 구비된 제 1 본딩 패드들(32)은 양측 가장자리 부분에 구비되는 제 1 본딩 패드들(32)의 일부와 각각 금속라인(34)으로 연결되어 있다. 그리고, 제 2 반도체 칩(40)은, 도 6 에 도시된 바와 같이, 그의 상부면 중심부에만 제 2 본딩 패드들(42)이 구비되어 있으며, 아울러, 제 2 본딩 패드들(42) 상에는 전기적 접속 수단인 솔더 범프(도시않됨)가 각각 형성되어 있다.In the above, the first semiconductor chip 30, as shown in Figure 5, the first bonding pads 32 are provided in each of the central portion of the upper surface and both sides of the long direction, in particular, in the center The provided first bonding pads 32 are connected to a portion of the first bonding pads 32 provided at both edge portions thereof by metal lines 34. In addition, as illustrated in FIG. 6, the second semiconductor chip 40 includes second bonding pads 42 only at the center of the upper surface thereof. In addition, the second semiconductor chip 40 may be electrically connected to the second bonding pads 42. Solder bumps (not shown) which are means are respectively formed.

한편, 상기에서 제 1 및 제 2 반도체 칩은 그들간의 부착시에 상기 제 1 반도체 칩(30)의 중심부에 구비되는 제 1 본딩 패드들(32)과, 제 2 반도체 칩(40)에 구비되는 제 2 본딩 패드들(42)이 동일한 위치가 되도록 제작된다. 따라서, 도 7 에 도시된 바와 같이, 제 1 반도체 칩(30) 상에 제 2 반도체 칩(40)을 그의 상부면이 대향하도록 부착시키게 되면, 제 1 반도체 칩(30)의 중심부에 구비된 제 1 본딩 패드들(32)과, 제 2 반도체 칩(40)의 제 2 본딩 패드들(42)은 동일한 위치가 되며, 이때, 제 2 본딩 패드(42) 상에는 솔더 범프(도시않된)가 형성되어 있기 때문에 제 1 및 제 2 본딩 패드들(32, 42)간에는 전기적으로 접속되게 된다.In the meantime, the first and second semiconductor chips are provided in the first bonding pads 32 and the second semiconductor chip 40 provided at the center of the first semiconductor chip 30 at the time of attachment thereof. The second bonding pads 42 are manufactured to be in the same position. Therefore, as shown in FIG. 7, when the second semiconductor chip 40 is attached to the first semiconductor chip 30 so that its upper surface faces the first semiconductor chip 30, the first semiconductor chip 30 is provided at the center of the first semiconductor chip 30. The first bonding pads 32 and the second bonding pads 42 of the second semiconductor chip 40 are at the same position, and solder bumps (not shown) are formed on the second bonding pads 42. As such, the first and second bonding pads 32 and 42 are electrically connected to each other.

그러므로, 제 1 반도체 칩(30)은 그의 양측 가장자리에 구비된 제 1 본딩 패드들(32)이 기판(50)의 회로패턴과 금속 와이어(54)에 의해 접속되어 있고, 상기 제 1 반도체 칩(30)의 양측 가장자리에 구비된 제 1 본딩 패드들(32) 중에서 일부분은 그의 중심부에 구비된 제 1 본딩 패드들(32)과 각각 금속라인(34)으로 연결되어 있으며, 상기 제 1 반도체 칩(30)의 중심부에 구비된 제 1 본딩 패드들(32)은 솔더 범프(44)의 개재하에 제 2 반도체 칩(40)의 제 2 본딩 패드들(42)과 전기적으로 연결되어 있기 때문에, 결국, 제 1 및 제 2 반도체 칩(30, 40)은 기판(50)과 각각 전기적으로 연결되게 된다.Therefore, in the first semiconductor chip 30, the first bonding pads 32 provided at both edges thereof are connected to the circuit pattern of the substrate 50 by the metal wire 54, and the first semiconductor chip ( Some of the first bonding pads 32 provided at both edges of the 30 are connected to the first bonding pads 32 provided at the center thereof by the metal line 34, respectively. Since the first bonding pads 32 provided at the center of 30 are electrically connected to the second bonding pads 42 of the second semiconductor chip 40 through the solder bumps 44, eventually, The first and second semiconductor chips 30 and 40 are electrically connected to the substrate 50, respectively.

이상에서와 같이, 본 고안의 적층형 BGA 패키지는 반도체 칩 상에 또 하나의 반도체 칩을 적층시켜 제작함으로써 마더 보드 상의 실장 면적을 감소시킬 수 있으며, 아울러 마더 보드 상에 디자인되는 회로 패턴을 단순화시킬 수 있다. 또한, 두 개의 반도체 칩을 하나의 패키지로 제작하기 때문에 제작 비용을 절감시킬 수 있다.As described above, the stacked BGA package of the present invention can reduce the mounting area on the motherboard by stacking another semiconductor chip on the semiconductor chip, and can simplify the circuit pattern designed on the motherboard. have. In addition, since two semiconductor chips are manufactured in one package, manufacturing cost can be reduced.

한편, 여기에서는 본 고안의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 실용신안등록청구의 범위는 본 고안의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Therefore, hereinafter, the scope of the utility model registration request can be understood to include all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.

Claims (6)

회로패턴이 구비된 기판 상에 제 1 반도체 칩이 부착·고정되어 있고, 상기 제 1 반도체 칩 상에는 제 2 반도체 칩이 그의 상부면이 상기 제 1 반도체 칩의 상부면과 마주보도록 부착되어 있으며, 상기 반도체 칩들과 상기 기판은 금속 와이어에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 반도체 칩들과 금속 와이어를 포함한 상기 기판 상부의 공간적 영역은 에폭시 수지에 의해 밀봉되어 있으며, 상기 기판의 하부면에는 실장을 위한 솔더 볼들이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 적층형 볼 그리드 어레이 패키지.A first semiconductor chip is attached and fixed on a substrate with a circuit pattern, and a second semiconductor chip is attached on the first semiconductor chip such that an upper surface thereof faces an upper surface of the first semiconductor chip. The semiconductor chips and the substrate are electrically connected by metal wires, and the spatial region on the upper part of the substrate including the semiconductor chips and the metal wires is sealed by an epoxy resin, and solder balls for mounting are mounted on the lower surface of the substrate. Stacked ball grid array package, characterized in that provided. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 칩은 그의 상부면 중심 부분 및 장방향의 양측 가장자리 부분에 본딩 패드들이 구비되고, 상기 중심부에 구비된 본딩 패드들은 양측 가장자리에 구비된 본딩 패드들의 일부와 각각 금속라인으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 적층형 볼 그리드 어레이 패키지.The semiconductor chip of claim 1, wherein the first semiconductor chip has bonding pads formed at a center portion of the upper surface thereof and at both edge portions thereof in a long direction, and the bonding pads provided at the center portion each have a portion of the bonding pads provided at both edges thereof. Stacked ball grid array package, characterized in that connected by metal lines. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 반도체 칩은 그의 상부면 중심 부분에 본딩 패드들이 구비된 것을 특징으로 하는 적층형 볼 그리드 어레이 패키지.3. The stacked ball grid array package of claim 2, wherein the second semiconductor chip is provided with bonding pads at a central portion thereof. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드들 상에는 전기적 접속 수단인 솔더 범프가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 적층형 볼 그리드 어레이 패키지.4. The stacked ball grid array package of claim 3, wherein solder bumps as electrical connection means are formed on the bonding pads of the second semiconductor chip. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 반도체 칩과 제 2 반도체 칩은 그들간의 부착시에 상기 제 1 반도체 칩의 중심 부분에 구비된 본딩 패드들과 상기 제 2 반도체 칩에 구비된 본딩 패드들이 동일 위치에 배치되며, 상기 솔더 범프에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 적층형 볼 그리드 어레이 패키지.The semiconductor device of claim 3, wherein the first semiconductor chip and the second semiconductor chip have the same bonding pads provided at the center portion of the first semiconductor chip and bonding pads provided at the second semiconductor chip. And arranged electrically connected by the solder bumps. 제 2 항에 있어서, 상기 금속 와이어는 상기 기판의 회로패턴과 상기 제 2 반도체 칩의 양측 가장자리에 구비된 본딩 패드들을 각각 연결하고 있는 것을 특징으로 적층형 볼 그리드 어레이 패키지.3. The stacked ball grid array package of claim 2, wherein the metal wires connect circuit patterns of the substrate and bonding pads provided at both edges of the second semiconductor chip.
KR2019970036709U 1997-12-12 1997-12-12 Stacked Ball Grid Array Package KR19990024255U (en)

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