KR19990013876A - 화학적 증착법에 의한 티타늄 막 형성 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 56
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title description 78
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 112
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28568—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising transition metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
본 발명의 CVD-Ti 필름을 형성하는 방법은 챔버내로 Si 웨이퍼를 로딩하는 단계, 소정의 감압 분위기로 챔버의 내부를 설정하는 단계, 챔버내로 TiCl4가스, H2가스 및 Ar 가스를 도입하는 단계 및 챔버내의 도입 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 웨이퍼상의 SiO2막내에 홀내에 Ti 막을 형성시키는 단계를 포함한다. 웨이퍼 온도는 400°내지 800°로 설정되며, 공급 압력은 100W 내지 300W이며, 내부 챔버 압력은 0.5Torr 내지 3.0Torr이며, TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 유량비는 1:100 내지 1:300이며, H2가스 대 Ar 가스의 유량비는 1:1 내지 2:1이다.
Description
본 발명은, 반도체 장치에서 예컨대, 접촉 금속 또는 접착제로서 사용되는 CVD-Ti 막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 기판을 덮는 절연 막내에 형성된 홀내에 방벽 층으로서 Ti 막을 형성하는 CVD-Ti 막 형성 방법(화학 증착법에 의한 티타늄 막 형성 방법)에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조에 있어서, 고강도 및 고집적도에 대한 현재의 요구를 만족시키기 위해서, 회로 배치는 보다 빈번히 다층 상호접속 구조를 가진다. 그들 사이에 개재된 절연 막, 예컨대 SiO2막에 의해 서로 절연되는 하측 반도체 장치와 상측 상호접속층 사이의 전기적 접속을 이루기 위해서, CVD에 의해 절연 층내에 형성된 홀, 예컨대 접촉 홀 또는 비아 홀(via hole)내에 매몰 부분을 형성하는 기술은, 매우 중요하다.
상기 기술에 있어서, 접촉 홀 또는 비아 홀을 채우기 위해, AL(알루미늄) 또는 W(텅스텐), 또는 주 성분으로 Al 또는 W를 함유하는 합금이 사용된다. 이러한 금속 또는 합금이 하측 Si(실리콘) 기판 또는 Si 층과 직접 접촉하게 될 때, 금속은 Si의 흡수 효과 등에 기인하여, 하측 Si 기판 또는 Si 층의 경계부내에 바람직하지 않게 합금을 형성할 수 있다. 이러한 방법으로 형성된 합금은 큰 전기 저항을 갖는다. 이 합금의 형성은, 장치에서 현재 요구되고 있는 전력 절약 및 고속 동작의 견지에서 바람직하지 않다.
W 또는 W 합금이 접촉 홀의 매몰 층으로 사용되는 경우, 매몰 층을 형성하는데 사용된 WF6가스가, Si 기판내로 들어가 전기 특성 등을 저하시킨다.
이러한 단점을 방지하기 위해서, 접촉 홀 또는 비아 홀내에 매몰 층을 형성하기 전에, 방벽 층이 미리 홀의 내측 표면상에 형성되며, 그 다음 매몰 층이 방벽 층상에 형성된다. 이러한 방벽층으로 Ti(티타늄) 막으로 형성된 층 또는 Ti 막과 TiN(질화 티타늄) 막으로 구성된 2개의 적층된 구조의 층이 통상적으로 사용된다.
이러한 방벽 층은 물리적 증착(Physical Vapor Deposition : PVD)에 의해 보통 형성된다. 최근, 장치의 마이크로패턴닝 및 고집적화가 특히 요구되며, 설계 규정이 특히 엄격하기 때문에, 라인 폭 및 홀 개구 직경이 계속적으로 감소되어, 종횡비가 증가된다. 또한, PVD 막의 전기적 저항이 증가하여, 상기 요구를 충족시키기가 어렵게 된다.
이러한 이유로, 방벽 층이 구성되는 Ti 막 및 TiN 막은 고품질 막을 형성할 수 있는 화학적 증착(Chemical Vapor Deposition : CVD)에 의해 형성된다. CVD에 의해 Ti 막을 형성하는 경우, TiCl4(4염화 티타늄) 및 H2(수소)가 반응 가스로서 사용된다. TiN 막을 성형하는 경우에는, TiCl4및 NH3(암모니아) 또는 MMH(monomethyl hydrazine ; 모노메틸 히드라진)이 반응 가스로서 사용된다.
최근에, 반도체 장치는 특징적 크기가 계속해서 축소되고 SiOx(예컨대, SiO2) 막내에 형성된 접촉 홀 또는 비아 홀의 종횡비가 계속해서 증가되고 있다. 따라서, 종래의 TiCl4및 H2가스 시스템으로는, 100% 이상의 높은 스텝 커버리지로 홀 부분내에 CVD-Ti 막을 형성하기가 어렵다.
본 발명의 목적은, Si 표면상의 절연막내에 형성된 작은 홀내에 높은 스텝 커버리지로 Ti 막을 형성할 수 있는 CVD-Ti 막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 높은 막 형성 속도 및 낮은 온도에서 절연 막내의 홀의 내측 표면 및 홀로부터 노출된 Si 표면 부분상에 Ti 막을 형성할 수 있는 CVD-Ti 막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 높은 스텝 커버리지를 요구하는 적용과 높은 막 형성 속도 및 저온에서 절연 막 및 홀의 바닥면 상의 막 형성을 요구하는 적용중 어느 하나에 대처할 수 있는 CVD-Ti 막 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 있어서, 기판의 Si 표면상에 형성되며 Si 표면의 일부를 노출시키는 홀 또는 홀들을 갖는 절연 막의 홀내에 CVD-Ti 막을 형성하는 경우, 종래의 TiCl4가스 및 H2가스에 부가하여 Ar 가스가 사용되며, 이들 가스의 플라즈마가 발생된다. 플라즈마 발생에 있어서, H2가스의 작용과는 달리, Ar 가스는 막 형성 가스로서 작용하는 TiCl4가스에 영향을 미친다. 따라서, Ar 가스의 기능을 이용하는 것에 의해, 소망된 상태의 Ti 막이 홀상에 형성될 수 있다.
이것은 도 1을 참조로 설명될 것이다. 도 1을 참조하면, 참조부호(10)는 챔버내로 가스를 도입하기 위한 샤워 헤드를 나타내며, 참조부호(W)는 Si 웨이퍼를 나타낸다. 우측 시스템은 Ar 가스가 반응 가스로서 작용하지 않을 때 발생되는 반응을 나타내며, 좌측 시스템은 Ar 가스가 반응 가스로서 작용할 때 발생되는 반응을 나타낸다.
우측 시스템에 있어서, H 이온 및/또는 H 라디칼은 TiCl4을 TiCl3+HCL로 분해시키며, TiSi 막이 TiCl3로부터 웨이퍼상에 형성된 후(Ti 막이 산화물 막상에 형성된 후) HCL을 발생시킨다. 좌측 시스템에 있어서, Ar 이온은 TiCl4를 TiCl2+Cl2로 또한 TiCl2를 Ti+Cl2로 분해시킨다. 따라서, 막 형성에 기여하는 성분이 Ar 의 존재로 인해 증가함으로써, 막 형성 속도가 증가될 수 있다. Ar 가스 대 H2가스의 비, 이들 가스 대 TiCl4가스의 비, 막 형성 온도, 내부 챔버 압력, 및 플라즈마를 발생시킬 때 공급되는 전력이 조절되는 경우, 막 형성 속도 및 막 형성시의 선택비(selectivity)가 임의로 조절될 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 이러한 조건은 Ti 막이 절연 막에 대해 고선택비(high selectivity)로 홀내에 형성되도록 조절된다. 보다 상세하게는, 홀내에 노출된 Si 표면상의 Ti 막의 막 형성 속도는, 절연 막 및 홀의 내측 표면상의 Ti 막의 막 형성 속도보다 충분히 크게 증가된다. 이것은 홀 입구상에 증착된 Ti 막을 감소시키며, 홀내에 증착된 Ti 막을 충분히 증가시킨다. 즉, 스텝 커버리지(step coverage)는 100% 이상이 되도록 증가될 수 있다.
이러한 경우에, 다음 반응이 우세하다면 선택비가 증가될 수 있다.
이러한 반응을 효과적으로 발생시키기 위해서, 제 2 실시예에서와 같이, 플라즈마의 상태가 플라즈마 분광법으로 측정될 때, Ti 및 Cl2의 방출 스펙트럼이 실질적으로 존재하지 않는 상태하에서 막 형성이 실시되는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 기판 온도가 400℃ 내지 800℃로 설정되고, 공급 전력이 100W 내지 300W로 설정되며, 내부 챔버 압력이 0.5Torr 내지 3.0Torr로 설정되며, 보다 바람직하게는 TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 비가 1:100 내지 1:300으로 설정되며, H2가스 대 Ar 가스의 유량비가 1:1 내지 2:1로 설정된다. 그러면, 반응이 우세하게 될 수 있다.
제 3 실시예에 있어서, Ti 막이 거의 동일한 막 형성 속도로 절연 막의 노출된 표면 및 홀내의 Si 표면부상에 형성되도록 Ar 가스 대 H2가스의 비, 이들 가스 대 TiCl4가스의 비, 막 형성 온도, 내부 챔버 압력 및 플라즈마를 발생시킬 때 공급되는 전력이 조절된다. 이러한 경우에, Ar 가스의 존재로 인해, 막 형성은 높은 막 형성 속도 및 저온에서 수행될 수 있으며, 이것은 프로세스에 적합하다.
이 경우에, 다음 반응이 우세하게 되면 이러한 막 형성이 가능하게 된다.
TiCl4+ H2→ Ti + Cl2+ 2HCL
바람직하게는, 기판 온도가 350℃ 내지 550℃로 설정되고, 공급 전력이 100W 내지 800W로 설정되며, 내부 챔버 압력이 0.5Torr 내지 3.0Torr로 설정되며, TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 비가 1:300 내지 1:450으로 설정되며, H2가스 대 Ar 가스의 유량비가 1:0.3 내지 1:2로 설정된다. 그러면, 반응이 우세하게 될 수 있다.
제 4 실시예에 있어서, TiCl4및 H2가스가 부가하여 Ar 가스가 챔버내로 도입되며, TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 유량비, H2가스 대 Ar 가스의 유량비, 기판 온도, 내부 챔버 압력, 및 플라즈마를 발생시킬 때 공급된 전력이 조절됨으로써, Ti 막의 선택비가 제어된다. 따라서, 동일한 그룹의 장치 및 동일한 그룹의 가스는, 높은 스텝 커버리지를 요구하는 프로세스 및 블랭킷 프로세스에 모두 대처할 수 있다.
본 발명의 추가의 목적 및 이점은 다음의 발명의 구성 및 작용에 기재될 것이며, 부분적으로 발명의 구성 및 작용에 대한 기재로부터 자명해질 것이며, 또는 본 발명의 실시에 의해 알 수 있다. 본 발명의 목적 및 이점은, 이하에 특별히 나타난 수단 및 결합에 의해 실현되며 달성될 수 있다.
도 1은 본 발명에 사용된 가스의 플라즈마내의 반응을 도시하는 다이어그램,
도 2는 본 발명에 따른 CVD-Ti 막 형성 방법을 실시하기 위해 사용된 막 형성 장치의 예시를 개략적으로 도시하는 단면도,
도 3a 및 도 3b는 본 발명이 적용된 Si 웨이퍼를 도시하는 단면도로서, 도 3a는 Ti 막이 접촉 홀을 갖는 장치상에 형성된 것이며, 도 3b는 Ti 막이 비아 홀을 갖는 장치상에 형성된 것을 도시하는 도면,
도 4는 고선택비 프로세스시 Ti 막의 막 형성 시간과 막 두께간의 관계를 도시하는 그래프로서, Ti 막이 Si상에 형성된 것과 Ti 막이 SiO2상에 형성된 것으로 이루어진 그래프,
도 5는 고선택비 프로세스에 의해 형성된 Ti 막의 상태를 도시하는 단면도,
도 6은 블랭킷 프로세스(blanket process)시 Ti 막의 막 형성 시간과 막 두께간의 관계를 도시하는 그래프로서, Ti 막이 Si상에 형성되며, Ti 막이 SiO2상에 형성되는 것으로 이루어진 그래프,
도 7은 블랭킷 프로세스에 의해 형성된 Ti 막의 상태를 도시하는 단면도,
도 8은 Ti 및 Cl2의 방출 스펙트럼이 실질적으로 존재하는 플라즈마 방출 스펙트럼을 도시하는 그래프,
도 9는 Ti 및 Cl2의 방출 스펙트럼이 실질적으로 존재하지 않는 플라즈마 방출 스펙트럼을 도시하는 그래프.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 챔버 2 : 서셉터
9 : 배기계 10 : 샤워 헤드
25 : 게이트 밸브 31 : 분광계
본 명세서에 통합되고 그 일부를 구성하는 첨부 도면은, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하며, 상기의 일반적인 설명과 다음의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부 도면을 참조로 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시를 위해 사용된 Ti 막 형성 장치의 예시를 도시한 단면도이다.
이러한 막 형성 장치는 실질적으로 원통형, 기밀 챔버(1)를 구비한다. 처리되는 대상물인 Si 웨이퍼(W)를 수평방향으로 지지하기 위한 서셉터(2)가 양방향 화살표로 지시된 바와 같이 챔버(1)내에서 수직방향으로 이동가능한 원통형 지지 부재(3)에 의해 그 중앙부가 지지된다. 히터(4)는 서셉터(2)내에 매몰된다. 전력이 전력 공급부(도시하지 않음)로부터 히터(4)로 공급될 때, 히터(4)는 서셉터(2)를 통해 처리되는 대상물인 Si 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열한다.
챔버(1)의 상측 단부에 있어서, 샤워 헤드(10)는 소정 거리를 통해 서셉터(2)상에 지지되는 반도체 웨이퍼(W)를 향하도록 제공된다. 다수의 가스 방출 홀(10a)이 웨이퍼(W)를 향하는 샤워 헤드(10)의 하측 벽내에 형성된다. 공간(11)이 샤워 헤드(10)내에 형성되며, 다수의 관통 구멍을 갖도록 형성된 분산 판(12)이 공간(11)내에 수평방향으로 배치된다. 가스 입구 포트(13)가 샤워 헤드(10)의 상측부에 형성되어 처리 가스를 샤워 헤드(10)내로 도입한다. 가스 입구 포트(13)는 가스 공급관(15)에 연결된다.
가스 공급관(15)의 분기관은 H2가스 공급원(16), Ar 가스 공급원(17) 및 TiCl4가스 공급원(18)에 각각 연결된다. 각각의 가스는, 이들 가스 공급원으로부터 가스 공급관(15) 및 샤워 헤드(10)를 통해 챔버(1)내로 공급됨으로써 Si 웨이퍼(W)상에 Ti 막을 형성한다. 밸브(19) 및 질량 유동 제어기(20)는 각각의 가스 공급원에 연결된 각각의 분기관에 연결된다.
샤워 헤드(10)는 정합 회로(22)를 통해 RF 전력 공급부(23)에 연결된다. RF 전력은 RF 전력 공급원(23)으로부터 샤워 헤드(10)를 통해 챔버(1)내로 공급될 수 있다. 이러한 RF 전력으로 인해, 막 형성 가스의 플라즈마가 챔버(1)내에 발생된다. 샤워 헤드(10)와 챔버(1)는 절연 부재(14)에 의해 서로 전기적으로 절연되며, 챔버(1)는 접지된다.
배기 포트(8)는 챔버(1)의 바닥 벽에 배열된다. 배기 포트(8)는 챔버(1)의 내부를 배기시키는 배기계(9)에 연결된다. 웨이퍼(W)를 위한 로딩/언로딩 포트(24)가 챔버(1)의 측벽 하측부에 형성된다. 로딩/언로딩 포트(24)는 게이트 밸브(25)에 의해 개방/폐쇄될 수 있다. 서셉터(2)가 하측으로 이동된 후에, 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩이 수행된다.
도 2를 참조하면, 참조부호(30)는 챔버(1)의 측벽에 형성된 윈도우를 나타내며, 챔버(1)내의 플라즈마 발생 구역[웨이퍼(W)와 샤워 헤드(10) 사이의 구역]에 대향한다. 대물 렌즈를 갖는 분광계(31)가 윈도우(30)의 외측에 배열된다. 후술되는 바와 같이, 분광계(31)는, Ti 및 Cl2의 방출 스펙트럼이 실질적으로 존재하지 않는 상태하에서 막 형성을 허용하는 플라즈마의 상태를 측정한다.
이러한 막 형성 장치에 의해 Ti 막을 형성하기 위해서, 게이트 밸브(25)가 개방되며, Si 웨이퍼(W)가 챔버(1)내에 로딩되며 서셉터(2)상에 배치된다. Si 웨이퍼(W)가 히터(4)에 의해 가열되며, 챔버(1)가 배기계(9)의 진공 펌프에 의해 배기되어 고진공 상태로 된다. 그 후, Ar 가스, H2가스 및 TiCl4가스가 차례대로 챔버(1)내로 도입되며, RF 전력이 RF 전력 공급원(23)에 의해 공급됨으로써 플라즈마를 발생시킨다.
Ti 막이 형성될 대상물로서, 예컨대, 도 3a에 도시된 바와 같이, Si 기판(웨이퍼)상에 절연 막처럼 SiO2막(45)으로 형성하고, SiO2막(42)내에 접촉 홀(43)을 형성하는 것에 의해 얻어진 구조체와, 또는 도 3b에 도시되는 바와 같이, Si 기판(41)상에 형성된 폴리(poly)-Si 막(44)상의 층간 절연 막으로 SiO2막(45)을 형성하고, SiO2막(45)내에 비아 홀(46)을 형성하는 것에 의해 얻어진 구조체가 사용된다.
Ti 막이 100% 이상의 높은 커버리지로 이러한 접촉 홀(43) 또는 비아 홀(46)의 바닥 부분상에 형성될 필요가 있는 경우, 막 형성은 Si상의 Ti 막 형성의 선택비가 SiO2상의 Ti 막 형성의 선택비보다 높은 조건 하에서 수행된다. 보다 상세하게는, 홀내의 Si(Si 웨이퍼 또는 폴리-Si 막의 홀에 의해 노출된 홀의 표면 또는 바닥 표면)상의 Ti 막의 막 형성 속도는, SiO2막(SiO2막의 상측면 및 홀의 외주면)상의 Ti 막 형성 속도보다 상당히 높도록 증가된다. 이것은 홀의 입구상에 증착된 Ti 막을 감소시키며, 홀내에 형성될 Ti 막에 100% 이상의 높은 스텝 커버리지를 제공한다.
이러한 경우에, 다음 반응이 우세하다면 선택비가 증가될 수 있다.
이러한 반응을 효과적으로 발생시키기 위해서, 플라즈마의 상태가 플라즈마 분광법으로 측정될 때, Ti 및 Cl2의 방출 스펙트럼이 실질적으로 존재하지 않는 이러한 상태하에서 막 형성이 실시될 수 있다. 보다 상세하게는, 막 형성은, 도 8에 도시된 바와 같은, Ti(피크값: 약 330nm 및 약 500nm) 또는 Cl2(피크값: 약 520nm)의 존재를 나타내는 스펙트럼이 도 9에 도시된 바와 같은, 플라즈마의 방출 스펙트럼내에 나타나지 않도록 실시되어야 한다.
이러한 경우에 이용된 조건으로서는, 바람직하게는 기판 온도가 400℃ 내지 800℃, 보다 바람직하게는 550℃ 내지 700℃로 설정되며, RF 전력 공급부에 공급된 전력이 100W 내지 300W로 설정되며, 내부 챔버 압력이 0.5Torr 내지 3.0Torr로 설정되며, TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 비가 1:100 내지 1:300으로 설정되며, H2가스 대 Ar 가스의 유량비가 1:1 내지 2:1로 설정되는 것이 바람직하다. 실제의 가스 유량은, H2가스에 대해서는 500sccm 내지 2,000sccm이고, Ar 가스에 대해서는 500sccm 내지 1,000sccm이며, TiCl4가스에 대해서는 10sccm인 것이 바람직하다.
일예로서, Ti 막은, 580℃의 웨이퍼 온도, 1.0Torr의 내부 챔버 압력, RF 전력 공급부(13.56MHz)에 공급된 200W의 전력, 1,000sccm의 H2가스 유량, 1,000sccm의 Ar 가스 및 10sccm의 TiCl4가스 유량으로 형성되었다. 도 4에 도시된 바와 같은 고선택비를 갖는 막 형성이 실시될 수 있다. 도 4를 참조하면, 세로좌표는 Ti 막의 두께를 나타내며, 가로좌표는 막 형성 시간을 나타낸다. 커브(a)는 Si상의 막 형성을 나타내며, 커브(b)는 SiO2상의 막 형성을 나타낸다. 도 5는, 막 형성 시간이 3분일 때의 막 형성 상태를 나타낸 SEM 사진을 기초로 도시된 도면이다. 도 5에서 알 수 있는 바와 같이, SiO2막(42)상에 Ti 막이 거의 형성되지 않았으며, 소정의 두께(약 1,200Å)를 갖는 Ti 막 또는 TiSi 막이 오직 Si 웨이퍼(W)상에만 형성된다. 이 도면에 도시된 바와 같이, Ti 막이 높은 스텝 커버리지에서 홀내에 형성된다.
Ti 막이, 거의 동일한 막 형성 속도로 홀내의 SiO2막의 표면 및 Si(Si 웨이퍼의 노출된 표면)상에 형성되어야 할 경우, 이것은 상기 조건을 조절하는 것에 의해 달성될 수 있다.
이러한 경우에, Ar 가스의 존재로 인해, 막 형성은 높은 막 형성 속도 및 저온에서 실시될 수 있는데, 이것은 블랭킷 프로세스에 적합하다. 다음 반응이 우세하다면 막 형성이 가능하다.
TiCl4+ H2→ Ti + Cl2+ 2HCL
이러한 경우의 조건으로서는, 웨이퍼 온도가 350℃ 내지 550℃로 설정되고, 공급 전력이 100W 내지 800W로 설정되며, 내부 챔버 압력이 0.5Torr 내지 3.0Torr로 설정되며, TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 비가 1:300 내지 1:450으로 설정되며, H2가스 대 Ar 가스의 유량비가 1:0.3 내지 1:2로 설정되는 것이 바람직하다. 실제 가스 유량비는, H2가스에 대해서는 1,000sccm 내지 3,500sccm, Ar 가스에 대해서는 1,000sccm 내지 2,000sccm, TiCl4가스에 대해서는 10sccm인 것이 바람직하다.
일예로서, Ti 막이, 550℃의 웨이퍼 온도, 1.0Torr의 내부 챔버 압력, RF 전력 공급부(13.56MHz)에 공급된 500W의 전력, 2,000sccm의 H2가스 유량, 1,000sccm의 Ar 가스 유량, 및 10sccm의 TiCl4가스 유량로 형성되었다. 도 6에 도시된 바와 같이, 막 형성은 SiO2막상 및 홀내에서 거의 동일한 막 형성 속도로 진행되었다. 도 6을 참조하면, 세로좌표는 Ti 막의 두께를 나타내며, 가로좌표는 막 형성 시간을 나타낸다. 커브(a)는 Si상의 막 형성을 나타내며, 커브(b)는 SiO2상의 막 형성을 나타낸다. 도 7은, 막 형성 시간이 3분일 때의 막 형성 상태를 나타낸 SEM 사진을 기초로 도시된 도면이다. 도 7에서 도시된 바와 같이, 대략 동일한 두께를 갖는 Ti 막은, SiO2막(42), 홀의 주위 표면 및 홀의 바닥 부분(바닥 부분, 즉, Si상의 막은 TiSi 막으로 간주될 수 있음)상에 형성된다.
TiCl4및 H2가스에 부가하여 Ar 가스가 챔버(1)내로 도입되며, TiCl4가스 대 H2가스 및 Ar 가스의 합의 유량비, H2가스 대 Ar 가스의 유량비, 웨이퍼 온도, 내부 챔버 압력, 및 RF 전력 공급부에 공급되는 전력은, 상기와 같이 조절됨으로써, Ti 막의 선택비가 제어된다. 따라서, 동일한 장치 및 가스의 동일한 그룹의 가스는 높은 스텝 커버리지를 요구하는 프로세스와 블랭킷 프로세스 모두에 대처할 수 있다.
Ti 막이 이러한 방법으로 형성된 후, TiCl4가스, Ar 가스 NH3가스, 및 MMH 가스가 Ti 막상에 TiN 막을 형성하도록 도입됨으로써 2개의 층 구조를 갖는 방벽 층을 제공한다. 그 후, 상호접속 금속 막, 예컨대, Al 막이 형성된다.
본 발명은 상기 실시예에 제한되지 않으며, 다양한 변경 및 변형이 행해질 수 있다.
예를 들면, TiCl4가스, H2가스, 및 Ar 가스가 상기 실시예에 사용되었지만, 다른 가스가 포함될 수 있다. 제조 조건과 관련해서, 상기 설명된 조건에 제한되지 않으며, 소망하는 Ti 막이 형성되도록 임의로 설정될 수 있다.
상기에 설명된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 절연 막, 예컨대, 홀을 갖으며 Si 기판 또는 Si 기판(Si 표면을 갖는 기판으로 불려짐)상의 Si 막상에 형성된 SiOx막상에 CVD-Ti 막을 형성할 때, 종래의 TiCl4가스 및 H2가스에 부가하여 Ar 가스가 사용되며, Ti 막이 이들 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 형성된다. 따라서, 막 형성에 기여하는 성분이 Ar 이온의 존재로 인해 증가됨으로써, 막 형성 속도가 증가될 수 있다. Ar 가스 대 H2가스의 비, Ar 가스 대 TiCl4가스의 비, H2가스 대 TiCl4가스의 비, 막 형성 온도, 내부 챔버 압력 및 플라즈마를 발생시킬 때 공급되는 전력이 조절되기 때문에, 막 형성 속도 및 막 형성내의 선택비가 조절될 수 있다. 그 결과, Ti 막은 절연 막에 대해 고선택비로 홀 부분내에 형성될 수 있으며, Ti 막은 거의 동일한 막 형성 속도로 절연 막 및 홀 부분내에 Si상에 형성될 수 있다.
SiOx막이 상기 실시예에서 절연 막으로 이용되지만, 다른 절연 막, 예컨대, Si 함유 Si3N4막이 사용될 수도 있다. 기판의 Si 표면은 단일-결정(single-crystal) Si 또는 폴리-Si에 제한되지 않으며, 비정형 Si 또는 단일-결정 Si, 폴리-Si 및 비정형의 Si의 조합이 될 수 있다.
추가의 이점 및 변형이 당업자에 의해 쉽게 발생할 것이다. 따라서, 넓은 관점에서 본 발명은 본 명세서에 도시되고 설명된 특정 세부설명 및 대표적 실시예에 제한되지 않는다. 따라서, 첨부된 특허 청구 범위에 의해 정의된 일반적 발명 개념 및 그 균등물의 사상과 범위로부터 벗어나지 않고 여러 가지 변경을 행하는 것이 가능하다.
본 발명은, 높은 스텝 커버리지로 Si 표면상의 절연막내에 형성된 작은 홀내에 Ti 막을 형성할 수 있으며, 높은 막 형성 속도 및 낮은 온도에서 절연 막내의 홀의 내측 표면 및 홀로부터 노출된 Si 표면 부분상에 Ti 막을 형성할 수 있다.
Claims (10)
- 기판의 Si 표면상에 형성된 절연 막의 홀(상기 홀은 상기 Si 표면의 일부를 노출시킴)내에, CVD-Ti 막을 형성하는 방법에 있어서,상기 기판을 챔버내로 로딩하는 단계와,소정의 감압 분위기로 상기 챔버의 내부를 설정하는 단계와,TiCl4가스, H2가스 및 Ar 가스를 포함하는 처리 가스를 상기 챔버내로 도입하는 단계와,상기 챔버내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 상기 홀내에 Ti 막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 절연 막에 대해 고선택비로 상기 홀내에 Ti 막을 형성하도록 상기 가스의 유량, 기판 온도, 내부 챔버 압력, 및 상기 플라즈마를 발생시킬 때 공급되는 전력이 조절되는, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,막 형성은, 상기 플라즈마의 상태가 플라즈마 분광법으로 측정될 때, Ti 및 Cl2의 방출 스펙트럼이 실질적으로 존재하지 않는 조건하에서 실시되는, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,막 형성시, 상기 기판 온도가 400°내지 800°로 설정되고, 상기 공급된 전력이 100W 내지 300W로 설정되며, 상기 내부 챔버 압력이 0.5Torr 내지 3.0Torr로 설정되는, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 유량비가 1:100 내지 1:300이며, H2가스 대 Ar 가스의 유량비가 1:1 내지 2:1인, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연 막은 SiO2막인, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판은 Si 웨이퍼 또는 폴리-Si 층인, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 기판의 Si 표면상에 형성된 절연 막의 홀(상기 홀은 상기 Si 표면의 일부를 노출시킴)내에, CVD-Ti 막을 형성하는 방법에 있어서,상기 기판을 챔버내로 로딩하는 단계와,소정의 감압 분위기로 상기 챔버의 내부를 설정하는 단계와,TiCl4가스, H2가스 및 Ar 가스를 상기 챔버내로 도입하는 단계와,상기 챔버내에 상기 도입 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 상기 홀내에 Ti 막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 홀의 내측 표면 및 상기 홀에 의해 노출된 상기 Si 표면의 부분상에 실질적으로 동일한 막 형성 속도로 Ti 막을 형성하도록 상기 가스의 유량, 기판 온도, 내부 챔버 압력, 및 상기 플라즈마를 발생시킬 때 공급되는 전력이 조절되는, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 제 7 항에 있어서,막 형성시, 상기 기판 온도는 350°내지 550°로 설정되며, 상기 공급 전력이 100W 내지 800W로 설정되며, 상기 내부 챔버 압력이 0.5Torr 내지 3.0Torr로 설정되는, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 유량비가 1:300 내지 1:450이며, H2가스 대 Ar 가스의 유량비가 1:0.3 내지 1:2인, CVD-Ti 막 형성 방법.
- 기판의 Si 표면상에 형성된 절연 막의 홀(상기 홀은 상기 Si 표면의 일부를 노출시킴)내에, CVD-Ti 막을 형성하는 방법에 있어서,상기 기판을 챔버내로 로딩하는 단계와,소정의 감압 분위기로 상기 챔버의 내부를 설정하는 단계와,TiCl4가스, H2가스 및 Ar 가스를 포함하는 처리 가스를 상기 챔버내로 도입하는 단계와,상기 챔버내에 상기 도입 가스의 플라즈마를 발생시킴으로써 상기 홀내에 Ti 막을 형성하는 단계를 포함하며,TiCl4가스 대 H2가스와 Ar 가스의 합의 유량비, H2가스 대 Ar 가스의 유량비, 기판 온도, 내부 챔버 압력, 및 상기 플라즈마를 발생할 때 공급되는 전력이 조절됨으로써 Ti 막의 선택비를 제어하는, CVD-Ti 막 형성 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20547597A JP3636866B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | ＣＶＤ−Ｔｉ膜の成膜方法 |
| JP97-205475 | 1997-07-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990013876A true KR19990013876A (ko) | 1999-02-25 |
| KR100395171B1 KR100395171B1 (ko) | 2003-11-19 |
Family
ID=16507482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0028552A KR100395171B1 (ko) | 1997-07-16 | 1998-07-15 | 화학적증착법에의한티타늄막형성방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6197674B1 (ko) |
| JP (1) | JP3636866B2 (ko) |
| KR (1) | KR100395171B1 (ko) |
| TW (1) | TW363087B (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP6426893B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクト層の形成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5975912A (en) * | 1994-06-03 | 1999-11-02 | Materials Research Corporation | Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits |
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-
1997
- 1997-07-16 JP JP20547597A patent/JP3636866B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-09 US US09/112,640 patent/US6197674B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-14 TW TW087111429A patent/TW363087B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-15 KR KR10-1998-0028552A patent/KR100395171B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100395171B1 (ko) | 2003-11-19 |
| JP3636866B2 (ja) | 2005-04-06 |
| JPH1140518A (ja) | 1999-02-12 |
| TW363087B (en) | 1999-07-01 |
| US6197674B1 (en) | 2001-03-06 |
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| FPAY | Annual fee payment |
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