KR19990005570U - 수직 회전식 웨트 스테이션 - Google Patents

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Abstract

본 고안에 의한 수직 회전식 웨트 스테이션은 수직으로 설치되는 진공척과, 상기 진공척의 일측단에 설치되는 회전모터와, 상기 진공척 타측단의 흡착면에 수직으로 고정되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼에 화학액과 순수를 분사하는 제1노즐과, 상기 웨이퍼에 이소프로필 알콜을 분사하여 웨이퍼를 건조시키는 제2노즐로 구성되어, 웨이퍼 전면에 균일한 식각과 린스가 가능하며, 건조시 회전에 의한 원심력을 이용하지 않고, 이소프로필 알콜(IPA; ISOPROPYL ALCOHOL) 증기를 이용하기 때문에 웨이퍼 중심부의 물자욱 방지 및 깊은 골에 남아 있는 순수를 완전히 제거하며, 특히 진공척 내부에 히터가 장착되어 웨이퍼의 건조시간을 단축하도록 하였다.

Description

수직 회전식 웨트 스테이션
본 고안은 반도체 제조장비중에서 식각공정과 세정공정 및 건조공정에 사용되는 수직 회전식 웨트 스테이션에 관한 것이다.
종래의 기술에 의한 웨트 스테이션(wet station)은 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1)를 수평상태에서 회전시키도록 형성한 진공척(2)과, 상기 진공척의 하부에 설치되는 회전모터(3)와, 상기 웨이퍼의 상부 중앙에 위치하여 화학액을 분사시키는 제1노즐(4)과, 화학반응이 종료되면 순수(DIW; DEIONIZED WATER)가 분사되어 린스(rinse)하게 되는 제2노즐(5)로 구성된다.
이와 같이 구성된 종래의 기술에 의한 수평 회전식 웨트 스테이션의 동작을 설명한다.
로봇암이 웨이퍼(1)를 진공척(2)위에 올려놓는다. 그런 다음, 진공척이 웨이퍼를 고정한 후, 모터(3)가 구동하여 웨이퍼(1)를 회전시키면서 제1노즐(4)에서 약액이 분사되어 반응이 시작된다. 시간 설정에 의한 공정에 따라 화학반응이 종료되면, 약액분사가 멈추고, 순수가 제2노즐(5)을 통하여 분사되면서 린스를 한다. 린스가 종료되면, 회전모터(3)가 3000RPM내외의 고속으로 회전하게 되고, 상기 회전에 의한 원심력을 이용하여 웨이퍼(1)에 묻어 있는 순수를 제거하여 건조시킨다.
종래의 기술에서는 제1노즐(4)이 웨이퍼(1)상의 중심에 있어, 웨이퍼 중심부에 화학반응이 많이 발생되어, 중심부가 많이 식각되어 균일한 표면을 갖지 못하고, 회전 건조시 웨이퍼(1) 중심이 회전의 중심이 되어, 웨이퍼의 중심은 원심력이 작용하지 않아, 중심부에 있는 순수는 완전히 제거되지 않게 되고, 이로 인해 웨이퍼상에 이상 산화막 형태의 물자욱이 발생하게 되며, 회전건조 방식은 칩의 복잡한 형태를 가지는 구조에 대해서는 순수가 깊은 골속에 남게되어 완전히 건조되기 어려운 문제점이 있는 바, 본 고안의 목적은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출한 것으로, 웨이퍼가 수직으로 세워져 회전하고, 화학액 및 순수가 직각방향에서 좌,우로 움직이면서 분사되어, 웨이퍼 전면에 균일한 식각과 린스가 가능하며, 건조시 회전에 의한 원심력을 이용하지 않고, 이소프로필 알콜(IPA; ISOPROPYL ALCOHOL) 증기를 이용하기 때문에 웨이퍼 중심부의 물자욱 방지 및 깊은 골에 남아 있는 순수를 완전히 제거하며, 특히 진공척 내부에 히터가 장착되어 웨이퍼의 건조시간을 단축하도록 한 수직 회전식 웨트 스테이션을 제공함에 있다.
도 1은 종래의 기술에 의한 수평 회전식 웨트 스테이션을 나타내는 개략 측면도.
도 2는 본 고안에 의한 수직 회전식 웨트 스테이션을 나타내는 개략 측면도.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
11 ; 웨이퍼 12 ; 진공척
13 ; 회전모터 14 ; 제1노즐
15 ; 제2노즐 16 ; 히터
이러한, 본 고안의 목적은 수직으로 설치되는 진공척과, 상기 진공척의 일측단에 설치되는 회전모터와, 상기 진공척 타측단의 흡착면에 수직으로 고정되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼에 화학액과 순수를 분사하는 제1노즐과, 상기 웨이퍼에 이소프로필 알콜을 분사하여 웨이퍼를 건조시키는 제2노즐에 의해 달성된다.
이하, 본 고안에 의한 수직 회전식 웨트 스테이션을 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 설명한다.
도 2는 본 고안에 의한 수직 회전식 웨트 스테이션을 나타내는 개략 측면도를 보인 것으로, 이에 도시한 바와 같이, 본 고안은 수직으로 설치되는 진공척(12)과, 상기 진공척의 일측단에 설치되어 식각 및 세정시 웨이퍼를 저속으로 회전시키는 회전모터(13)와, 상기 진공척(12) 타측단의 흡착면에 수직으로 고정되는 웨이퍼(11)와, 상기 웨이퍼에 화학액과 순수를 분사하는 제1노즐(14)과, 상기 웨이퍼에 이소프로필 알콜을 분사하여 웨이퍼를 건조시키는 제2노즐(15)로 구성된다.
상기 웨이퍼(11)가 고정되는 진공척의 흡착면 내측에 히터(16)를 설치하여 웨이퍼를 건조시키도록 한다.
상기 제1노즐(14)은 웨이퍼(11)의 내주상에 위치하며, 균일한 린스를 위하여 좌,우로 이동되도록 설치하고, 상기 제2노즐(15)은 웨이퍼(11)의 외주상에 위치하며, 진공척(12)내의 히터(16)가 가열됨과 동시에 이소프로필 알콜을 웨이퍼(11)의 전면에 분사하도록 설치한다.
이와 같이 구성된 본 고안에 의한 수직 회전식 웨트 스테이션의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
로봇암이 웨이퍼(11)를 진공척에 세팅시킨다. 그런 다음, 진공척(12)이 웨이퍼를 잡고 회전하면서, 제1노즐(14)에서 화학액이 분사되어 웨이퍼가 식각반응을 한다. 이때 제1노즐(14)이 좌,우로 움직여 웨이퍼(11) 전면에 균일한 반응이 일어나도록 한다. 시간설정에 의한 공정에 따라 화학반응이 종료되면, 동일한 제1노즐(14)을 통하여 순수가 분사된다. 이때도 균일한 린스를 위하여 상기 제1노즐(14)이 좌,우로 움직인다. 린스가 완전히 끝나면 회전을 멈추고, 진공척(12) 내부의 히터(16)가 가열되어 웨이퍼 온도를 80℃까지 승온 시킴과 동시에 제2노즐(15)을 통하여 웨이퍼(11) 전면에 이소프로필 알콜 증기를 뿌린다. 약 2분 후 이소프로필 알콜 증기의 분사를 멈추고, 히터(16)를 오프시키며, 웨이퍼(11)를 빼낸다. 상기 이소프로필 알콜 증기 분사를 멈추면 1분 정도후에 웨이퍼는 완전히 건조된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 수직 회전식 웨트 스테이션은 수직으로 설치되는 진공척과, 상기 진공척의 일측단에 설치되는 회전모터와, 상기 진공척 타측단의 흡착면에 수직으로 고정되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼에 화학액과 순수를 분사하는 제1노즐과, 상기 웨이퍼에 이소프로필 알콜을 분사하여 웨이퍼를 건조시키는 제2노즐로 구성되어, 웨이퍼 전면에 균일한 식각과 린스가 가능하며, 건조시 회전에 의한 원심력을 이용하지 않고, 이소프로필 알콜(IPA; ISOPROPYL ALCOHOL) 증기를 이용하기 때문에 웨이퍼 중심부의 물자욱 방지 및 깊은 골에 남아 있는 순수를 완전히 제거하며, 특히 진공척 내부에 히터가 장착되어 웨이퍼의 건조시간을 단축하도록 한 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 수직으로 설치되는 진공척과, 상기 진공척의 일측단에 설치되는 회전모터와, 상기 진공척 타측단의 흡착면에 수직으로 고정되는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼에 화학액과 순수를 분사하는 제1노즐과, 상기 웨이퍼에 이소프로필 알콜을 분사하여 웨이퍼를 건조시키는 제2노즐로 구성된 것을 특징으로 하는 수직 회전식 웨트 스테이션.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 고정되는 진공척의 흡착면 내측에 히터를 설치하여 웨이퍼를 건조시키도록 한 것을 특징으로 하는 수직 회전식 웨트 스테이션.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1노즐은 웨이퍼의 내주상에 위치하며, 균일한 린스를 위하여 좌,우로 이동되도록 설치한 것을 특징으로 하는 수직 회전식 웨트 스테이션.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2노즐은 웨이퍼의 외주상에 위치하며, 진공척내의 히터가 가열됨과 동시에 이소프로필 알콜을 웨이퍼의 전면에 분사하도록 설치한 것을 특징으로 하는 수직 회전식 웨트 스테이션.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101491068B1 (ko) * 2013-08-12 2015-02-10 주식회사 케이씨텍 수평 분사식 프리웨팅 장치
CN111133846A (zh) * 2017-07-26 2020-05-08 吉布尔·施密德有限责任公司 用于制造电路板的方法、装置和设备

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