KR101491068B1 - 수평 분사식 프리웨팅 장치 - Google Patents

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Abstract

수평 분사식 프리웨팅장치가 개시된다. 웨이퍼와 웨이퍼를 척킹한 상태에서 제자리 회전할 수 있는 척에 접근 및 이격 가능하게 구비되어 웨이퍼에 대한 프리웨팅을 실행하는 프리웨팅부, 프리웨팅부로 웨이퍼의 프리웨팅을 위한 액체를 제공하는 액체 제공부, 액체 제공부로부터 제공된 액체를 상기 웨이퍼로 분사하는 분사부로 구성되며, 분사부에서 제공되는 액체는 웨이퍼에 수평방향으로 분사되도록 구성된다. 분사부에서 웨이퍼에 DI를 수평으로 분사함으로써, 웨이퍼 패턴 골을 따라 낙하하기 때문에 DI의 맺힘이 적어 드레인이 용이하며, 플레팅 시 유리한 효과를 제공한다.

Description

수평 분사식 프리웨팅 장치{Horizontal injection pre-wetting equipment}
본 발명은 수평 분사식 프리웨팅 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 분사부로부터 웨이퍼에 DI를 수평으로 분사하여 드레인이 용이한 수평 분사식 프리웨팅 장치에 관한 것이다.
도1은 웨이퍼 도금장치의 구성을 나타낸 개략도이며, 도2는 프리웨팅 장치를 나타낸 개략도이다. 이를 참조하여 설명한다. 프리웨팅 장치(20)는, 웨이퍼 도금장치(10)에 인입되어 웨이퍼(W)에 대한 도금 공정 전에 웨이퍼(W)를 프리웨팅하는 장치이다. 프리웨팅 장치(20)는, 웨이퍼 도금장치(10)의 척(15)에 접근 및 이격 가능하여 웨이퍼(W)에 대한 프리웨팅을 실행하는 프리웨팅부(21)와, 프리웨팅부(21)를 구동시키는 구동부(25), 프리웨팅부(21)와 연결되어 프리웨팅부(21)로 웨이퍼(W)의 프리웨팅을 위한 DI를 분사하는 분사부(22), 프리웨팅 몸체(23)로 구성된다.
종래의 프리웨이팅부(21)는 상단쪽을 향하게 위치되었으며, 이에 분사부(22)에 수용되는 DI는 웨이퍼쪽으로 분사 시 상부쪽으로 향하게 분사된다. DI가 상부쪽으로 향하면서 웨이퍼 표면에 상당수의DI가 남아 있어, 플레팅(Plating)시 불리한 문제점이 있었으며, 배스(Bath)내 담그는 경우 케미칼과 섞여 농도변화에 영향을 주는 문제점이 있었다. 따라서, DI가 맺히지 않게 프리웨팅하는 장치 개발이 시급한 실정이다.
본 발명의 목적은 분사부에서 웨이퍼에 DI를 수평으로 분사함으로써, 웨이퍼 패턴 골을 따라 낙하하기 때문에 DI의 맺힘이 적어 드레인이 용이한 수평 분사식 프리웨팅 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 DI를 수평으로 분사함으로써 웨이퍼에 충격을 감소시킬 수 있으며 이를 통해 웨이퍼에 디펙트(defect)가 발생되는 것을 방지할 수 있는 수평 분사식 프리웨팅 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 DI를 수평으로 분사하기 때문에, 웨이퍼에 접착에 의한 맺힘이 적어 플레팅 시 유리한 수평 분사식 프리웨팅 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 수평 분사식 프리웨팅에 있어서, 웨이퍼와 웨이퍼를 척킹한 상태에서 제자리 회전할 수 있는 척에 접근 및 이격 가능하게 구비되어 웨이퍼에 대한 프리웨팅을 실행하는 프리웨팅부, 프리웨팅부로 웨이퍼의 프리웨팅을 위한 액체를 제공하는 액체 제공부, 액체 제공부로부터 제공된 액체를 상기 웨이퍼로 분사하는 분사부로 구성되며, 분사부에서 제공되는 액체는 웨이퍼에 수평방향으로 분사되도록 구성될 수 있다.
프리웨이팅부는 수직으로 구비되어 구성될 수 있다. 액체 제공부에서 분사되는 액체는 DI일 수 있으며, 분사부는 웨이퍼를 향하여 액체를 분사하며, 복수 개의 분사구를 포함하여 구성될 수 있다. 분사구는 "-"자 형태로 수직 배열되어 구성될 수 있으며, 노즐 타입으로 구성이 가능하다. 분사부에서 웨이퍼에 DI를 수평으로 분사함으로써, 웨이퍼 패턴 골을 따라 낙하하기 때문에 DI의 맺힘이 적어 드레인이 용이하며, 플레팅 시 유리한 효과를 제공하며, DI를 수평으로 분사함으로써 웨이퍼에 충격을 감소시킬 수 있어 웨이퍼에 디펙트(defect)가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 웨이퍼에 대한 프리웨팅을 실행하는 프리웨팅부가 수평방향으로 액체를 분사하며, 액체는 DI일 수 있다. 프리웨팅부에 액체를 분사하는 분사구를 더 포함하며, 분사구는 노즐 타입으로 구성이 가능하다.
본 발명의 실시예에 따르면, 분사부에서 웨이퍼에 DI를 수평으로 분사함으로써, 웨이퍼 패턴 골을 따라 낙하하기 때문에 DI의 맺힘이 적어 드레인이 용이하며, 플레팅 시 유리한 효과를 제공한다.
또한, DI를 수평으로 분사함으로써 웨이퍼에 충격을 감소시킬 수 있으며 이를 통해 웨이퍼에 디펙트(defect)가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
도1은 종래의 웨이퍼 도금장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도2는 종래의 프리웨팅 장치의 단면도이다.
도3는 본 발명의 수평 분사식 프리웨팅 장치가 웨이퍼도금장치에 개입된 상태를 도시한 도면이다.
도4는 도 3에 도시된 웨이퍼 도금장치의 단면도이다.
도 5은 도 3에 도시된 프리웨팅 장치의 사시도이다.
도 6은 도 5의 수평 분사식 프리웨팅 장치에 의해 웨이퍼도금장치의 웨이퍼가 도금되는 상태를 개략적으로 도시한 도면이다.
도3은 본 발명에 따른 수평 분사식 프리웨팅 장치가 웨이퍼 도금장치에 개입된 상태를 도시한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 수평 분사식 프리웨팅 장치가 웨이퍼도금장치에 개입된 상태를 도시한 도면이다. 수평 분사식 프리웨팅 장치(200)는, 웨이퍼 도금장치(100)에 인입되어 웨이퍼(W)에 대한 도금 공정 전에 웨이퍼(W)를 프리웨팅하는 장치이다.
이하에서는, 프리웨팅 장치(200)를 설명하기 전에 도 4를 참조하여 웨이퍼 도금장치(100)의 기본적인 구성에 대해 개략적으로 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 도금장치(100)는, 프로세스 챔버(110)와, 프로세스 챔버(110)의 내측에 배치되어 양극 전압 인가 시 구리 이온(Cu2 +)을 발생시키는 타겟부(120)와, 프로세스 챔버(110)의 내측의 좌측에 승강 및 회전 가능하게 배치되며 도금 대상물인 웨이퍼(W)를 파지하는 척(150)과, 타겟부(120)를 감싸도록 프로세스 챔버(110) 내에 마련되어 전해액 상에서 구리 이온(Cu2 +)을 여과시키는 여과부(130)를 포함할 수 있다. 타겟부(120)에 양극 전압이 인가되는 경우 산화 반응에 의해 플러스 금속 이온, 즉 구리 이온(Cu2 +)을 발생시킬 수 있다. 이하에서는 전술한 웨이퍼 도금장치의 사이, 즉 프로세스 챔버와 척 사이로 인입되어 웨이퍼를 도금하기 전에 프리웨팅하는 프리웨팅 장치에 대해서 설명하기로 한다.
도 5는 도 3에 도시된 프리웨팅 장치의 사시도이고, 도 6은 도 5의 프리웨팅 장치에 의해 웨이퍼 도금장치의 웨이퍼가 도금되는 상태를 개략적으로 도시한 도면이다. 이를 참조하여 설명한다. 본 실시예의 프리웨팅 장치(200)는, 웨이퍼 도금장치(100)의 척(150)에 접근 및 이격 가능하여 웨이퍼(W)에 대한 프리웨팅을 실행하는 프리웨팅부(210)와, 프리웨팅부(210)를 구동시키는 구동부(250)와, 프리웨팅부(210)와 연결되어 프리웨팅부(210)로 웨이퍼(W)의 프리웨팅을 위한 액체를 제공하는 액체 제공부(230)를 포함할 수 있다.
프리웨팅부(210)를 구동시키는 구동부(250)는, 구동몸체(251)와, 구동몸체(251)에 일측이 결합되고 타측은 프리웨팅부(210)에 결합되는 구동아암(260)과, 구동몸체(251)에 장착되며 구동아암(260)을 스윙 동작시키는 스윙 구동모터(265)를 포함할 수 있으며, 액체 제공부(230)는 프리웨팅부(210)로 웨이퍼(W)의 프리웨팅을 위한 액체를 제공하는 역할을 한다.
여기서, 액체 제공부(230)로부터 제공되는 액체는 DI(De-ionized)일 수 있다. 다만, 프리웨팅을 위한 액체의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 액체 제공부(230)와 프리웨팅부(210)는, 이동 라인(231)에 의해 연결될 수 있으며, 이동 라인(231)에는 액체의 유량을 조절하는 밸브(235)가 장착될 수 있다.
프리웨팅부(210)는, 구동부(250)의 구동아암(260)과 결합되며 웨이퍼(W)로 향하는 방향, 즉 수직으로 프리웨팅 몸체(211)와 웨이퍼는 평행으로 배치되며, 이에, 프리웨팅을 위한 DI를 분사하는 복수개의 분사구(216)는 "-" 자로 구비되어 웨이퍼에 수평으로 DI를 분사할 수 있다.
먼저, 분사부(215)는, 프리웨팅 몸체(211) 내에 배치되며, 수직 방향으로 복수개의 분사구(216)가 규칙적으로 구비된다. 여기서, 분사구는 노즐(nozzle) 타입으로 마련될 수 있으며, 웨이퍼(W)에 수평 방향으로 강하게 DI를 분사할 수 있다. 수평으로 분사 하기 때문에, DI가 웨이퍼 골을 따라 낙하하며, 프리웨팅 몸체에 구비된 드레인 유도부(260)가 소정각도로 기울어져 있어 DI의 흐름을 유도하여 드레인(Drain)이 용이하다.
또한, 분사구(216)들이 규칙적으로 배치되기 때문에 웨이퍼(W)으로 DI를 분사하는 경우 척(150)의 회전에 의해 회전하는 웨이퍼(W)의 전면에 대하여 DI를 균일하게 분사할 수 있으며, 따라서 웨이퍼(W)의 프리웨팅 공정을 신뢰성 있게 수행할 수 있다.
이하에서는, 전술한 구성을 갖는 프리웨팅 장치(200)에 의한 웨이퍼(W)의 프리웨팅 과정을 개략적으로 설명하기로 한다.
구동부(250)에 의해 프리웨팅부(210)를 스윙 구동시킴으로써 프리웨팅부(210)가 웨이퍼 도금장치(100)의 척(150)과 평행하도록 배치한다. 이어서, 액체 제공부(230)로부터 프리웨팅부(210)의 분사부(215)로 DI를 제공함으로써 웨이퍼(W)에 프리웨팅을 할 수 있다.
이때, 웨이퍼(W)을 파지한 척(150)이 회전함으로써 웨이퍼(W)의 전면으로 DI를 균일하게 분사할 수 있으며, 프리웨팅부(210)와 웨이퍼(W)는 수직으로 평행하게 구비되어 있어 분사구에 수용되는 DI는 웨이퍼에 수평방향으로 분사가 가능하다.
수평 분사 시 DI가 웨이퍼 골을 따라 낙하하기 때문에, 중력에 의한 자유낙하를 유도하고, 접착에 의한 맺힘이 적어 드레인이 용이한 장점이 있다.
또한, 클리닝의 효과 및 플레팅 시 유리하며, DI의 잔류가 적어 배스(Bath)내 담그게 될 경우 케미칼에 별다른 영향을 끼치지 않아 업무의 효율성을 높일 수 있다.
아울러, 웨이퍼(W)에 수평으로 액체를 분사하기 때문에, 프리웨팅 시 발생 가능한 충격을 감소시킬 수 있으며 이를 통해 웨이퍼(W)에 디펙트가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시 예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 기판 도금 장치 110: 프로세스 챔버
150: 척 200: 프리웨팅 장치
210: 프리웨팅부 211: 프리웨팅 몸체
215: 분사부 216: 분사구
230: 액체 제공부 250: 구동부
260: 드레인 유도부

Claims (10)

  1. 수직 방향으로 배치된 웨이퍼;
    상기 웨이퍼를 척킹한 상태에서 제자리 회전할 수 있는 척에 접근 및 이격 가능하게 구비되어 상기 웨이퍼에 대한 프리웨팅을 실행하는 프리웨팅부;
    상기 프리웨팅부로 상기 웨이퍼의 프리웨팅을 위한 DI를 제공하는 액체 제공부; 및
    상기 액체 제공부로부터 제공된 DI를 상기 웨이퍼로 분사하는 분사부;
    상기 프리웨팅부의 일측에 소정각도 기울어지게 형성되며, 상기 DI를 배수하는 드레인 유도부;
    로 구성되며, 상기 분사부에서 제공되는 액체는 상기 웨이퍼에 수평방향으로분사되는 수평 분사식 프리웨팅 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프리웨팅부는 수직방향으로 배치되고, 상기 웨이퍼와 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는 수평 분사식 프리웨팅 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 분사부는 복수 개의 분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평 분사식 프리웨팅 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 분사구는 "-" 자 형태로 수직 배열 되는 것을 특징으로 하는 수평 분사식 프리웨팅 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 분사구는 노즐 타입인 것을 특징으로 하는 수평 분사식 프리웨팅 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9721785B2 (en) 2015-09-25 2017-08-01 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for manufacturing silica layer, silica layer, and electronic device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990005570U (ko) * 1997-07-18 1999-02-18 문정환 수직 회전식 웨트 스테이션
JP2001284207A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
KR200294587Y1 (ko) 2002-08-07 2002-11-13 아남반도체 주식회사 화학 기계적 연마장비의 슬러리 디스펜서
KR20120058717A (ko) * 2010-11-30 2012-06-08 주식회사 케이씨텍 기판 도금 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990005570U (ko) * 1997-07-18 1999-02-18 문정환 수직 회전식 웨트 스테이션
JP2001284207A (ja) 2000-03-30 2001-10-12 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
KR200294587Y1 (ko) 2002-08-07 2002-11-13 아남반도체 주식회사 화학 기계적 연마장비의 슬러리 디스펜서
KR20120058717A (ko) * 2010-11-30 2012-06-08 주식회사 케이씨텍 기판 도금 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9721785B2 (en) 2015-09-25 2017-08-01 Samsung Sdi Co., Ltd. Method for manufacturing silica layer, silica layer, and electronic device

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