KR19990003207A - 저저항용 반사방지 음극선관 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 브라운관의 전면을 코팅처리하는 제조방법에 관한 것으로서, 특히 판넬의 외면에 스퍼터(sputter)방식으로 형성된 대전방지막과 졸(Sol)용액을 이용하여 스핀방식으로 반사방지막이 형성되는 종래의 코팅처리 제조방법에 있어, 상기 대전방지막과 반사방지막 사이에 스퍼터(sputter)방식으로 실리카(Sio)성분의 코팅층을 형성하는 제조방법으로 브라운관의 코팅층을 형성하는 것이다.
이와 같이 함으로서, 브라운관의 막강도를 향상하고, 브라운관 표면저항의 저저항을 이루어 앞쪽 스크린의 표면에 대전방지 기능을 갖고 외부광의 반사율을 저하시켜 화면의 콘트라스트(Contrast) 특성향상 및 화면의 접촉에 의한 지문 묻어남을 해결함과 동시에 정전현상에 의한 사용자의 불쾌감을 억제하도록 한 것이다.

Description

저저항용 반사방지 음극선관 제조방법.
본 발명은 브라운관의 전면을 코팅처리하는 제조방법에 관한 것으로서, 특히 판넬의 외면에 스퍼터(sputter)방식으로 형성된 대전방지막과 졸(Sol)용액을 이용하여 스핀방식으로 반사방지막이 형성되는 종래의 코팅처리 제조방법에 있어, 상기 대전방지막과 반사방지막 사이에 스퍼터(sputter)방식으로 실리카(Sio)성분의 코팅층을 형성하는 제조방법으로 브라운관의 코팅층을 형성하는 것이다.
이와 같이 함으로서, 브라운관의 막강도를 향상하고, 브라운관 표면저항의 저저항을 이루어 앞쪽 스크린의 표면에 대전방지 기능을 갖고 외부광의 반사율을 저하시켜 화면의 콘트라스트(Contrast) 특성향상 및 화면의 접촉에 의한 지문 묻어남을 해결함과 동시에 정전현상에 의한 사용자의 불쾌감을 억제하는데 그 목적이 있다.
현재 디스플레이 소자를 보기쉽고, 화면에서 발생되는 정전기를 제거하기 위해서 브라운관의 전면에 대전방지 코팅처리를 행한다.
이는 PC 사용자의 인체공학적인 문제점에 따른 것으로서 시감을 향상시키고, 사용하기 편리한 요구에 부응하기 위해 CRT의 표면에 대전 및 반사방지기능의 표면처리를 행한다.
이와 같은 요건을 갖는 브라운관의 구성은 다음과 같다.
펀넬(1)과 판넬(2)로 구분되며, 판넬(2) 외부표면에는 PC의 ON/OFF시 브라운관에 인가되는 고압등에 의해 전면에서 발생하는 전기적 챠지(Electric charge)를 해소하기 위한 대전방지막(3)이 코팅되고, 외부에서 들어오는 실내 형광등등 외부의 빛등이 전면에서 반사되어 사용자의 시야를 방해하는 반사광을 저하시키는 반사방지막(4)이 코팅된다.
이와 같이 브라운관용 판넬(2)의 외면에 대전방지막(3) 및 반사방지막(4)을 코팅함에 있어서, 종래에는 우선 판넬(2) 상부에 인듐-산화주석(ITO)를 스퍼터(sputter)방식으로 코팅하여 대전방지막(3)을 형성한다.
이와 같이 대진방지막(3)이 형성된 이후 그 상부에 실리카(SiO)를 주성분으로 하는 졸(SOL)을 이용하여 스핀(spin)방식으로 코팅 처리한 후 실리카졸의 경화를 위해 소성(열처리)을 하여 반사방지막(4)을 형성시킨다.
그러나, 위의 제조방법에 의한 대전방지막(3) 및 반사방지막(4) 형성시에는 대전방지막(3)을 형성하고 있는 인듐-산화주석(ITO)이 금속이라서 그 상부의 반사방지막을 형성하고 있는 실리카졸과의 부착력에 한계가 있어 막강도에 좋지 않은 영향을 미친다.
또한 막을 형성시키기 위해 코팅후 소성(열처리)을 했을때 막의 표면저항값이 상승하는 경향이 있다.
실제로 ITO막을 열처리를 했을때(200도에서 30분간 열처리를 했을때) 표면저항값이 200-300Ω/□에서 5000Ω/□으로 표면저항값이 상승한다.
즉, 모니터세트에서 전계, 자계에 도달하기 위해서는 표면 저항수준은 103Ω/□ 이하의 수준에 도달해야 하나 상기와 같은 코팅층의 표면 저항은 아직까지 미미한 실정이다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로 판넬의 외면에 대전방지막을 스퍼터(sputter)방식으로 코팅하고, 그 상부에 실리카(SiO)성분을 주성분으로 하는 코팅층을 스퍼터(sputter)방식으로 코팅하며, 그 상부에 반사방지막을 졸(Sol)용액을 이용하여 스핀방식으로 코팅한후 소성(열처리)하는 제조방법으로 브라운관의 판넬에 코팅막을 형성하는데 있다.
도 1은 종래 대전 및 반사방지막이 형성된 브라운관의 개략도.
도 2는 본 발명 브라운관 판넬의 표면에 각 방지막을 형성한 형성도.
도 3은 실리카졸(SOL)의 고형분 대 막두계 변화를 보인 도표.
도 4는 각 코팅에 의한 반사율 고선 변화도.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
101 : 판넬 102 : 대전방지막
103 : 실리카성분 피복층 104 : 반사방지막
본 발명인 저저항용 반사방지 음극선관 제조방법을 첨부한 도면을 참고로 이하에서 설명한다.
본 발명의 실시예를 나타낸 도 2와 같이 브라운관용 판넬(101)의 외면에 대전방지막 및 반사방지막을 코팅함에 있어서, 판넬(101)의 외면에 대진방지막(102)을 스퍼터(sputter) 방식으로 코팅하고, 그 상부에 실리카(SiO)성분을 주성분으로 하는 실리카 성분 코팅층(103)을 스퍼터(sputter)방식으로 코팅한후, 그 상부에 반사방지막(104)을 졸(Sol)용액을 이용하여 스핀(spin)방식으로 코팅한후 소성하여서 된 제조방법으로 이루어진다.
상기 대전 방지막(102)을 형성함에 있어서는 인듐-산화주석(ITO), 인듐-지르콘, 인듐산화물, 지그코늄(Zr02)중 1종 또는 그 화합물을 이용하여 스퍼터링(sputtering)방식으로 코팅한다.
두께는 100-500(Å)으로 함이 바람직하다.
상기 대전방지막(102)을 형성한후 그 상부에 실리카(SiO)성분을 주성분으로 하는 1종 또는 그 화합물을 이용하여 스퍼터링(sputtering)방식으로 실리카 성분 코팅층(103)을 형성한다.
또, 반사방지막(104)을 형성시키는 규소(Si), 산화규소(SiO2)중 1종 또는 그 화합물이 주성분인 졸(Sol)을 이용하여 스핀(spin)방법으로 코팅한다.
이때의 막두께는 500-1500(Å)으로 함이 바람직하다.
이와 같은 코팅방법을 좀더 구체적으로 살펴보고 실시예를 통해 특성평가 결과를 살펴보면 다음과 같다.
도전층을 구성할시 브라운관의 전면 표면(101)의 먼지등 이물질을 깨끗이 제거한후 스퍼터(sputter) 기기를 이용하여 저저항이 가능한 것으로 알려진 인듐-주석산화물(ITO)를 코팅처리하여 대전방지막을 형성하고, 역시 스퍼터방법으로 실리카(SiO) 성분을 코팅한후(103), 반사방지막((104)으로 산화규소(SiO2) 미립자가 분산된 실리카졸(Sol)을 스핀방식으로 코팅처리한다.
상기 스퍼터(sputter)방식은 진공중에서 아르곤(Ar)가스를 이완화시키고 타겟(targer)에 충돌시켜 이때 발생한 타겟원자를 코팅하는 방식으로 원자상태로 코팅되기때문에 부착력이 아주 우수한 방식이다.
따라서 대전방지막(102)과 반사방지막(104) 사이에 스퍼터(sputter)방식으로 실리카(Sio)성분을 코팅함으로써 막간의 부착력을 좋게하여 막강도를 향상할 수 있다.
또한, 표면저항의 저저항을 이룰 수 있음과 동시에 소성전/후 표면저항값의 변화도 거의 없었다.
본 발명의 실시예를 실제 브라운관의 전면에 스퍼터(sputter)방식을 이용하여 인듐-산화주석(ITO)성분을 270(Å) 두께로 코팅처리하여 대전방지막(102)을 형성시키고, 역시 스퍼터(sputter)방식으로 실리카(Sio) 성분을 약100(Å) 두께로 코팅하여 실리카 성분 코팅층(103)을 형성한후 스핀(spin)방식으로 실리카 졸(sol)을 이용하여 1100(Å) 두께로 구성하여 반사방지막(104)을 형성하였다. 여기서 도 3의 고형분 함량 대 막두께 변화를 나타낸 도표와 같이 실리카 졸(Sol)의 고형분량이 0.9wt%일때 코팅후의 두께는 1100(Å)로 나타났다.
상기 실시예의 특성 평가 결과를 살펴보면 대전방지막(102)의 두께를 270(Å) 굴절율을 1.95로, 반사방지막(104)의 두께는 1200(Å), 굴절율은 1.35로 하여 파장범위 550nm 범위에서 0.1%이하의 반사율을 나타내었다.
그리고, 표면저항은 102Ω/□ 수준으로 나타났다.
또한, 코닝후 소성전/후의 표면저항값의 변화도 없었다.
이상에서와 같이 종래의 스퍼터(sputter)방식으로 ITO층을 코팅하여 대전방지막(102)을 형성한후, 스핀(spin)방식으로 실리카졸을 코팅하여 반사방지막(104)을 형성시의 문제점을 상기 두개의 막 사이에 실리카(Sio)성분을 스퍼터(sputter)방식으로 코팅층(103)을 형성함으로서, 종래보다 더 낮은 표면저항값을 얻을 수 있었으며, 파장범위 550nm 영역에서 0.1%이하의 저반사 특성을 얻을 수 있으며, 코팅후 소성전/후의 표면저항의 변화도 없고, 막강도 특성도 좋게 나타났다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 브라운관 제조방법인 대전방지막과 반사방지막 사이에 스퍼터(sputter)방식으로 실리카(Sio)성분을 코팅함으로써, 대전방지막과 반사방지막의 사이에 실리카(Sio) 성분을 코팅하는 방식인 스퍼터(sputter)방식은 진공중에서 아르곤(Ar)가스를 이완화시켜 타겟(targer)에 충돌시켜 이때 발생한 타겟원자를 코팅하는 방식으로 원자상태로 코팅되기때문에 부착력이 아주 우수하여 막간의 부착력을 좋게하여 막강도를 향상할 수 있고, 또한, 표면저항의 저저항을 이룰 수 있음과 동시에 소성전/후 표면저항값의 변화도 거의 없다.
따라서, 스크린의 표면에 대전방지 기능을 갖고 외부광의 반사율을 저하시켜 화면의 콘트라스트(Contrast) 특성향상 및 화면의 접촉에 의한 지문 묻어남을 해결함과 동시에 정전현상에 의한 사용자의 불쾌감을 억제하는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 브라운관용 판넬에 대전방지막 및 반사방지막을 코팅시 코팅막의 형성방법에 스퍼터(sputer)방식으로 대전방지층을 형성하고, 산화규소(SiO2) 성분의 졸(Sol)용액을 이용한 스핀(Spin)법으로 반사방지막을 형성하는 브라운관에 있어서,
    상기 대전방지층과 반사방지층 사이에 산화규소(SiO2) 성분을 스퍼터(sputter)방법으로 코팅한 것을 특징으로 하는 저저항용 반사방지 음극선관 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    대전방지막의 재질은 인듐-산화주석(ITO), 인듐-지르콘, 인듐산화물, 지르코늄(ZvO2) 중 1종 또는 그 화합물을 주성분으로 하고,
    반사방지막의 재질을 규소(Si), 산화규소(SiO2) 중 1종으로 구성된 것을 특징으로 하는 저저항용 반사방지 음극선관 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    대전방지막의 두께는 100∼500(Å)이고,
    반사방지막은 500∼-1500(Å) 범위로 형성한 것을 특징으로 하는 저저항용 반사방지 음극선관 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    반사방지막인 실리카졸 층에서 고형분의 무게비는 0.5∼2wt% 범위로 한 것을 특징으로 하는 저저항용 반사방지 음극선관 제조방법.
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