KR19990002185U

KR19990002185U - Semiconductor device test system

Info

Publication number: KR19990002185U
Application number: KR2019970015717U
Authority: KR
Inventors: 김현래; 이호재; 배휘철
Original assignee: 김영환; 현대전자산업 주식회사
Priority date: 1997-06-26
Filing date: 1997-06-26
Publication date: 1999-01-25

Abstract

본 고안은 반도체 소자의 테스트 시스템을 개시한다. 개시된 본 고안의 반도체 소자의 테스트 시스템은 패키지화된 메모리 소자의 특성을 분석하기 위한 매인 시스템과, 상기 매인 시스템과 전기적 신호를 주고 받을 수 있는 소정 형태의 회로가 구비되며 상기 메모리 소자가 접속된 퍼포먼스 보드와, 상기 패키지화된 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널들을 모니터링할 수 있는 오실로스코프를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a test system for a semiconductor device. The test system of the disclosed semiconductor device includes a main system for analyzing characteristics of a packaged memory device, and a predetermined type of circuit capable of transmitting and receiving an electrical signal with the main system, and a performance board to which the memory device is connected. And an oscilloscope capable of monitoring signals generated at each pin of the packaged memory device.

Description

Semiconductor device test system

본 고안은 반도체 소자의 테스트 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 메모리 소자의 시그널 특성을 분석하기 위한 테스트 시스템에 시그널을 모니터링할 수 있는 오실로스코우프를 인터페이스시켜 보다 세밀한 분석을 실시할 수 있는 반도체 소자의 테스트 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a test system for a semiconductor device, and more particularly, a semiconductor capable of performing more detailed analysis by interfacing an oscilloscope capable of monitoring signals to a test system for analyzing signal characteristics of a memory device. A test system for devices.

일반적으로, 집적회로가 형성된 웨이퍼는 조립공정으로 보내져서 칩절단, 칩부착, 와이어 본딩, 몰딩 및 트림/포밍 등의 일련의 공정을 거쳐 패키지화되며, 이러한 반도체 패키지는 수요자의 요구에 따라 설계된 PCB(Printed Circuit Board) 기판의 소정 부분에 실장되어 모듈로서 제작된다.Generally, wafers with integrated circuits are sent to an assembly process and packaged through a series of processes such as chip cutting, chip attachment, wire bonding, molding and trim / forming. Printed Circuit Board) It is mounted on a predetermined portion of the substrate and manufactured as a module.

한편, 패키지화된 반도체 소자, 특히, 메모리 소자들은 모듈로서 제작되기 전에 통상 어드밴티스트(Advantest)와 같은 테스트 시스템에 의해 그의 시그널 특성을 테스트하게 되며, 보다 세밀한 분석을 위해서는 시무(Shmoo) 또는, 웨이브 트레이서(Wave Tracer) 등과 같은 소프트웨어적인 시뮬래이션 유틸리티가 사용된다.On the other hand, packaged semiconductor devices, in particular memory devices, are typically tested for their signal characteristics by a test system such as Advanced, prior to being fabricated as a module. Software simulation utilities such as Wave Tracer are used.

그러나, 상기와 같은 테스트 시스템은 메모리 소자가 구동될 때 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 실제적인 시그널에 대해서는 정확한 타이밍 분석이 어렵기 때문에 메모리 소자의 특성을 정확하게 판단할 수 없는 문제점이 있었다.However, such a test system has a problem in that it is difficult to accurately determine the characteristics of the memory device because accurate timing analysis is difficult with respect to the actual signal generated at each pin of the memory device when the memory device is driven.

따라서, 본 고안은 종래 메모리 소자의 테스트 시스템에 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널들을 모니터링할 수 있는 오실로스코프를 인터페이스시킴으로써, 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 실제적인 시그널들의 타이밍 분석을 실시할 수 있는 반도체 소자의 테스트 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention interfaces a oscilloscope capable of monitoring signals generated at each pin of a memory device to a test system of a conventional memory device, thereby enabling timing analysis of actual signals generated at each pin of the memory device. It is an object to provide a test system for semiconductor devices.

도 1은 본 고안에 따른 반도체 소자의 테스트 시스템을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a test system of a semiconductor device according to the present invention.

도 2는 본 고안에 따른 커넥션 플레이트, 소켓, 오실로스코프 및 케이블을 도시한 도면.2 is a view showing a connection plate, a socket, an oscilloscope, and a cable according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1:매인 시스템2:퍼포먼스 보드1: Main system 2: Performance board

3:커넥션 플레이트3a:요홈3: Connection plate 3a: Groove

3b:시그널 출력 수단4:소켓3b: signal output means 4: socket

4a:돌출부5:오실로스코프4a: protrusion 5: oscilloscope

6:케이블6: cable

상기와 같은 목적은, 패키지화된 메모리 소자의 특성을 분석하기 위한 매인 시스템과, 상기 매인 시스템과 전기적 신호를 주고 받을 수 있는 소정 형태의 회로가 구비되며 상기 메모리 소자가 접속된 퍼포먼스 보드와, 상기 패키지화된 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널들을 모니터링할 수 있는 오실로스코프를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 고안에 따른 반도체 소자의 테스트 시스템에 의하여 달성된다.The above object is provided with a main system for analyzing characteristics of a packaged memory device, a performance board having a predetermined type of circuit capable of transmitting and receiving an electrical signal with the main system, and a package of the performance board to which the memory device is connected. It is achieved by a test system for a semiconductor device according to the present invention, characterized in that it comprises an oscilloscope capable of monitoring signals generated at each pin of the memory device.

또한, 상기와 같은 목적은, 패키지화된 메모리 소자의 특성을 분석하기 위한 매인 시스템과, 상기 매인 시스템과 전기적 신호를 주고 받을 수 있는 소정 형태의 회로가 구비되며 상기 메모리 소자가 접속된 퍼포먼스 보드와, 상기 패키지화된 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널들을 모니터링할 수 있는 오실로스코프를 포함하는 반도체 소자의 테스트 시스템에 있어서, 상기 퍼포먼스 보드와 전기적으로 접속되며 상기 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널들을 출력할 수 있는 출력 수단이 구비된 커넥션 플레이트와, 상기 커넥션 플레이트에 접속되며 메모리 소자가 안치되는 소켓과, 상기 커넥션 플레이트와 오실로스코프를 연결하기 위한 케이블이 더 구비된 것을 특징으로 하는 본 고안에 따른 반도체 테스트 시스템에 의하여 달성된다.In addition, the above object is a main board for analyzing the characteristics of the packaged memory device, a performance board which is provided with a predetermined type of circuit that can exchange electrical signals with the main system and the memory device is connected, A test system of a semiconductor device including an oscilloscope capable of monitoring signals generated at each pin of the packaged memory device, the test system of a semiconductor device electrically connected to the performance board and outputting signals generated at each pin of the memory device. The semiconductor test system according to the present invention, further comprising a connection plate having an output means capable of outputting a socket, a socket connected to the connection plate, and a memory element mounted therein, and a cable for connecting the connection plate and the oscilloscope. Achieved by All.

본 고안에 따르면, 종래 메모리 소자의 테스트 시스템에 시그널을 모니터링 할 수 있는 오실로스코프를 인터페이스시킴으로써, 메모리 소자의 구동중에 각 핀들에 입·출력되는 시그널의 타이밍에 대한 정확한 분석이 가능하다.According to the present invention, an oscilloscope capable of monitoring signals can be interfaced to a test system of a conventional memory device, thereby enabling accurate analysis of the timing of signals input and output to each pin during driving of the memory device.

[실시예]EXAMPLE

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention in more detail.

도 1은 본 고안에 따른 오실로스코프가 인터페이스된 반도체 소자의 테스트 시스템을 설명하기 위한 도면으로서, 도시된 바와 같이, 본 고안의 반도체 소자의 테스트 시스템은 패키지화된 메모리 소자의 각 핀들에 대한 시그널 특성을 분석하기 위하여 메모리 소자에 소정의 전기적 신호를 인가 및 메모리 소자로부터 출력된 정보에 따라 메모리 소자의 특성을 판독하는 매인 시스템(1)과, 소정의 회로가 구비되어 상기 매인 시스템(1)으로부터 인가된 전기적 신호를 메모리 소자의 소정 핀들에 입력하고, 상기 입력된 전기적 신호에 따라 메모리 소자의 소정 핀들에서 발생되는 시그널에 대한 정보를 매인 시스템(1)으로 출력하는 퍼포먼스 보드(2)와, 하부면이 퍼포먼스 보드(2)와 전기적으로 접속되어 상기 매인 시스템(1)과 메모리 소자 사이의 전기적 신호를 주고받을 수 있는 커넥터 역할을 하며 측부에는 상기 메모리 소자의 각 핀들에서 발생된 시그널들을 출력할 수 있는 시그널 출력 수단이 구비된 커넥션 플레이트(3)와, 상기 커넥션 플레이트(3)의 상부면에 접속되며 상기 패키지화된 메모리 소자가 안치되는 소켓(4)과, 상기 커넥션 플레이트(3)의 측부에 구비된 시그널 출력 수단에 접속되어 상기 메모리 소자의 소정 핀들에서 출력되는 시그널들을 모니터링할 수 있도록 하는 케이블(6)에 의해 접속된 오실로스코프(5)로 이루어진다.1 is a view for explaining a test system of an oscilloscope interfaced semiconductor device according to the present invention, as shown, the test system of the semiconductor device of the present invention analyzes the signal characteristics of each pin of the packaged memory device In order to apply a predetermined electrical signal to the memory device and to read the characteristics of the memory device in accordance with the information output from the memory device, and a predetermined circuit is provided to the electrical system applied from the main system (1) A performance board 2 for inputting a signal to predetermined pins of the memory element and outputting information on a signal generated at predetermined pins of the memory element to the main system 1 according to the input electrical signal, and a lower surface of the performance board 2 Electrical connection between the main system 1 and the memory elements in electrical connection with the board 2 And a connection plate 3 having a signal output means for outputting signals generated at each pin of the memory element, and connected to an upper surface of the connection plate 3 at a side thereof. And a cable connected to a socket 4 on which the packaged memory device is placed and a signal output means provided on the side of the connection plate 3 to monitor signals output from predetermined pins of the memory device. It consists of an oscilloscope 5 connected by 6).

도 2는 본 고안에 따른 커넥션 플레이트(3), 소켓(4), 오실로스코프(5) 및 커넥션 플레이트와 오실로스코프를 접속시키기 위한 케이블(6)을 도시한 도면이다. 도시된 바와 같이, 소켓(4)에는 패키지화된 메모리 소자의 각 핀들이 콘택되는 핀 형태의 돌출부(4a)가 구비되며, 커넥션 플레이트(3)의 상부면에는 메모리 소자의 각 핀들이 콘택된 핀 형태의 돌출부(4a)가 삽입되는 요홈(3a)이 구비되며, 돌출부를 통해 요홈(3a)에 삽입된 메모리 소자의 각 핀들과 콘택되어 상기 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널들을 출력할 수 있는 시그널 출력 수단(3b)이 구비된다.2 shows a connection plate 3, a socket 4, an oscilloscope 5 and a cable 6 for connecting the connection plate and the oscilloscope according to the present invention. As shown, the socket 4 is provided with a pin-shaped protrusion 4a for contacting each pin of the packaged memory device, and the upper surface of the connection plate 3 has a pin shape for contacting each pin of the memory device. A recess 3a into which the protrusion 4a is inserted is provided, and a signal capable of contacting each pin of the memory element inserted into the recess 3a through the protrusion to output signals generated at each pin of the memory element. The output means 3b is provided.

상기와 같은 구성을 갖는 본 고안에 따른 반도체 소자의 테스트 시스템을 사용하여 메모리 소자의 특성을 판독하기 위해서는 먼저, 매인 시스템(1)에서 퍼포먼스 보드(2)로 소정의 전기적 신호를 인가한다. 이에 따라, 퍼포먼스 보드(2)로 인가된 전기적 신호는 상기 퍼포먼스 보드(2)에 설계되어진 회로를 따라 그와 전기적으로 접속되어 있는 커넥션 플레이트(3) 및 소켓(4)을 통해 메모리 소자에 입력되어 메모리 소자가 구동된다.In order to read the characteristics of the memory device using the test system of the semiconductor device according to the present invention having the above configuration, first, a predetermined electrical signal is applied from the main system 1 to the performance board 2. Accordingly, the electrical signal applied to the performance board 2 is input to the memory element through the connection plate 3 and the socket 4 which are electrically connected with the circuit designed on the performance board 2. The memory element is driven.

메모리 소자의 구동시 그의 각 핀들에서는 소정 형태, 예를 들어, 전원 전압, 접지 전압, 데이터 시그널 및 어드레스 시그널 등과 같은 시그널들이 발생되며, 이들 시그널들에 대한 보다 세밀한 분석을 위하여 상기 메모리 소자의 핀들이 각각 접속되어 있는 커넥션 플레이트(3)의 시그널 출력 수단(3a) 중에서 분석하고자 하는 곳에 케이블(6)을 통하여 오실로스코프(5)를 접속시켜 상기 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널들을 모니터링하며, 이를 통하여 메모리 소자의 타이밍 관련 분석을 실시한다.Each pin of the memory device generates signals of a predetermined shape, for example, a power supply voltage, a ground voltage, a data signal, an address signal, and the like, and the pins of the memory device are analyzed for a more detailed analysis of these signals. The oscilloscope 5 is connected to each of the signal output means 3a of the connection plate 3 connected to each other through a cable 6 to monitor the signals generated at each pin of the memory device. The timing related analysis of the memory device is performed.

한편, 커넥션 플레이트(3)의 시그널 출력 수단(3a)을 이용하지 않고 퍼포먼스 보드(2)에 시그널 출력 수단을 구비하여 오실로스코프(5)를 접속시킬 경우에는 메모리 소자의 각 핀들에서 발생되는 시그널이 소켓(4), 커넥션 플레이트(3) 및 퍼포먼스 보드(2)를 거치는 동안 시그널 지연 현상이 발생될 수 있으며, 이로 인하여 메모리 소자의 타이밍 관련 분석을 정확하게 실시할 수 없게 된다. 따라서, 본 고안에서는 커넥션 플레이트(3)에 소켓(4)에 구비된 돌출부(4a)를 통하여 메모리 소자의 각 핀들과 콘택하는 시그널 출력 수단(3b)을 구비시키고, 이들 시그널 출력 수단(3b)을 통해 오실로스코프(5)와 메모리 소자의 각 핀들을 접속시킴으로써, 각 핀들에서 발생되는 시그널 지연 현상을 최대한 감소시킨다. 또한, 케이블(6)의 길이가 길 경우에도 상기와 같은 시그널 지연 현상이 발생될 수 있기 때문에 케이블(6)의 길이가 감소되도록 오실로스코프(5)를 퍼포먼스 보드(2)에 최대한 가깝게 위치시켜 케이블(6)에 의한 시그널 지연 현상을 방지한다.On the other hand, when the oscilloscope 5 is connected to the performance board 2 by using a signal output means without using the signal output means 3a of the connection plate 3, the signal generated at each pin of the memory element is a socket. (4), a signal delay phenomenon may occur while passing through the connection plate 3 and the performance board 2, which makes it impossible to accurately perform timing-related analysis of the memory device. Therefore, in the present invention, the connection plate 3 is provided with signal output means 3b for contacting each pin of the memory element via the projection 4a provided in the socket 4, and these signal output means 3b are provided. By connecting the oscilloscope 5 and each pin of the memory device through this, the signal delay occurring at each pin is minimized. In addition, since the above signal delay may occur even when the length of the cable 6 is long, the oscilloscope 5 is placed as close as possible to the performance board 2 so that the length of the cable 6 is reduced. It prevents the signal delay phenomenon by 6).

이상에서와 같이, 본 고안의 반도체 소자의 테스트 시스템은 메모리 소자의 구동중에 소자의 각 핀에서 발생되는 시그널을 오실로스코프를 사용하여 모니터링함으로써, 메모리 소자의 보다 확실한 타이밍 관련 분석을 실시할 수 있으며, 이에 따라, 메모리 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As described above, the test system of the semiconductor device of the present invention monitors a signal generated at each pin of the device using an oscilloscope while driving the memory device, thereby performing more reliable timing related analysis of the memory device. Therefore, the reliability of the memory element can be improved.

한편, 여기에서는 본 고안의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 실용신안등록청구의 범위는 본 고안의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Therefore, hereinafter, the scope of the utility model registration request can be understood to include all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.

Claims

A main system for analyzing the characteristics of a packaged memory device, a predetermined type of circuit capable of exchanging electrical signals with the main system, a performance board to which the memory device is connected, and pins of the packaged memory device Test system of a semiconductor device comprising an oscilloscope for monitoring the signals generated from.

2. The apparatus of claim 1, further comprising: a connection plate electrically connected to the performance board for connecting the respective pins of the memory element and the oscilloscope, a socket connected to the connection plate and having a memory element placed therein, the connection plate and the oscilloscope. Test system for a semiconductor device, characterized in that the cable is further provided for connecting.

The test system of claim 2, wherein the connection plate is provided with output means connected to the pins of the memory device to output signals generated from the pins.