KR19990002067A - 전계방출표시소자용 포커스 게이트 전극의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전계방출표시소자용 포커스 게이트 전극의 제조방법에 관한 것으로, 특히 원추형 팁 타입의 필드 에미터를 이용하는 전계방출표시소자의 경우 팁 끝단에서 방출되는 전자빔을 셀갭이 큰 FED장치의 경우에 인접되는 픽셀에 영향을 끼치지 않을뿐만 아니라, 집속률을 높여 효율적으로 발광을 시켜 색순도를 높일 수 있는 전계방출표시소자용 스핀트형 에미터의 포커스 게이트 전극의 제조방법은 관한 것으로, 기판(20) 위에 캐소우드 라인(24), 게이트 절연층(26), 게이트 전극 라인(28), 절연층(22)을 차례로 형성하고, 그위에 포커스 게이트 전극 라인(30)을 증착하는 공정과, 상기 포커스 게이트 전극 라인(30) 위에 포토레지스트(32)를 도포한후, 홀(34)을 패턴닝하는 공정과, 상기 건식 에칭법에 의해 포토레지스트(32)의 홀(34)의 부분에 게이트 절연층(26) 까지 식각하여 홀(35),(37)을 형성하는 공정과, 상기 상기 포토레지스트(32)가 남아 있는 상태에서 포커스 게이트 전극 라인(30)의 홀(37)을 습식 식각하여 게이트 전극 라인(28)의 홀(35)보다 크게 넓힌 후, 절연층(22)을 습식식각하는 공정과, 상기 E-빔 증착방법으로 희생층과 Mo의 메탈팁(36)을 형성한 후 희생층을 리프트 오프시키도록 구성한 특징이 있다.

Description

전계방출표시소자용 포커스 게이트 전극의 제조방법

본 발명은 전계방출표시소자용 포커스 게이트 전극의 제조방법에 관한 것으로, 특히 원추형 팁 타입의 필드 에미터를 이용하는 전계방출표시소자의 경우 팁 끝단에서 방출되는 전자빔을 셀갭이 큰 전계방출표시소자의 경우에 인접되는 픽셀에 영향을 끼치지 않을뿐만 아니라, 집속률을 높여 색순도를 높일 수 있는 전계방출표시소자용 스핀트형 에미터의 포커스 게이트 제조방법에 관한 것이다.

최근에는 초고집적 반도체 제조기술과 초고진공 기술이 급속히 발달함에 따라 새로운 형태인 마이크론 크기의 삼극진공관 소자의 연구가 활기를 띠고 있으며,이러한 소자를 디스플레이에 응용하여 CRT 와 LCD 의 장점만을 가진 새로운 평판 디스플레이를 개발하는데 주목하고 있다.

전계방출표시소자는 평판디스플레이의 일종으로서, 전자를 방출하는 팁형 또는 웨지(Wedge)형의 캐소우드와 형광체가 도포된 애노우드를 구성하고, 다수의 마이크로 팁으로 부터 전자방출을 유도하여, 발생된 전자를 투명전도막이 형성된 애노우드의 형광체에 충돌시키므로써, 형광체가 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고, 천이되는 과정에서 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상표시를 나타내도록 구성하고 있다.

그러나 종래의 전계방출표시소자는, 도 1 에 도시된 바와 같이 하부측의 기판(2)상에 캐소우드 전극 라인(4)이 형성되어 있고, 그위에 게이트 절연층(6)과 전자를 방출하는 메탈팁(12)이 같이 형성되어 있다.

그리고 게이트 절연층(6)의 상부측에는 전자를 방출하는 메탈팁(12)의 주위에 메탈팁(12)에서 방출되는 전자에 의한 전류를 제어하는 게이트 전극 라인(10)이 형성되고, 또한 게이트 전극 라인(10)이 형성된 선상에는 게이트 전극 라인(10)에서 전류를 제어하여 집속율을 높이도록 픽셀 단위로 포커스 게이트 전극 라인(8)을 형성하고 있다.

이러한 전계방출표시소자에서의 중요한 문제점중의 하나는 에미터에서 방출되는 전자 전류의 밀도를 증가시켜 디스플레이상의 화면밝기를 크게하는 것이다.

그러나, 이와 같이 구성된 종래의 포커스 게이트 전극 라인(8)은 메탈팁(6)의 상부측 주위에 형성되어 있는 게이트 전극 라인(10)과 같은 평면의 선상에 위치시켜 형성하고 있어 집속 효과가 떨어질 뿐만 아니라, 픽셀 단위로 구성되는 문제가 있어 인접되는 픽셀에 영향을 미쳐 색순도가 떨어지는 문제점이 있었다.

상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 메탈팁당 포커싱이 가능하게 게이트 전극 라인 위에 포커스 게이트 전극 라인을 형성하여 빔의 집속률을 증가시켜 화질을 높을 수 있는 전계방출표시소자용 스핀트형 에미터의 포커스 게이트 전극의 제조방법을 제공함에 있다.

도 1 은 종래의 스핀트형의 포커스 게이트의 단면을 나타내는 도면이고,

도 2a∼2c는 전계방출표시소자용 스핀트형 에미터의 포커스 게이트 전극의 제조방법을 나타내는 도면이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

20: 기판 22: 절연층

24: 캐소우드 라인 26: 게이트 절연층

28: 게이트 전극 라인 30: 포커스 게이트 전극 라인

32: 포토레지스트 34,35,37: 홀

36: 메탈팁

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 전계방출표시소자용 스핀트형 에미터의 포커스 게이트 전극의 제조방법은, 기판 위에 캐소우드 라인, 게이트 절연층, 게이트 전극 라인, 절연층을 차례로 형성하고, 그위에 포커스 게이트 전극 라인을 증착하는 공정과, 상기 포커스 게이트 전극 라인 위에 포토레지스트를 도포한후, 홀을 패턴닝하는 공정과, 상기 건식 에칭법에 의해 포토레지스트의 홀을 이용하여 게이트 절연층 까지 식각하여 홀을 형성하는 공정과, 상기 상기 포토레지스트가 남아 있는 상태에서 포커스 게이트 전극 라인의 홀을 습식 식각하여 게이트 전극 라인 홀보다 넓힌 후, 절연층을 습식식각하는 공정과, 상기 E-빔 증착방법으로 희생층과 Mo의 메탈팁을 형성한 후 희생층을 리프트 오프시키도록 구성되어 있다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 전계방출표시소자용 스핀트형 에미터의 포커스 게이트 전극의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 아래와 같이 상세하게 설명한다.

도 2a∼2c는 전계방출표시소자용 스핀트형 에미터의 포커스 게이트 전극의 제조방법을 나타내는 도면이다.

기판(20) 위에 캐소우드 라인(24), 게이트 절연층(26), 게이트 전극 라인(28), 절연층(22)을 차례로 형성하고, 그위에 포커스 게이트 전극 라인(30)을 증착한 다음에, 상기 포커스 게이트 전극 라인(30) 위에 포토레지스트(32)를 도포한후, 패턴닝하여 홀(30)을 형성한다.

상기 포토레지스트(32)에 형성된 패턴닝된 홀(30)을 이용하여 건식 에칭법을 사용하여 게이트 절연층(26) 까지 식각하여 포커스 게이트 전극 라인(30)의 홀(37)과 게이트라인(28)의 홀(37)을 형성하였다.

상기 상기 포토레지스트(32)가 남아 있는 상태에서 포커스 게이트 전극 라인(30)의 홀(37)을 습식 식각법을 이용하여 게이트 전극 라인(28)의 홀(35)보다 크게 넓힌 다음에, 상기 절연층(22)을 습식식각한다.

그리고 상기 E-빔 증착방법으로 희생층과 Mo의 메탈팁(6)을 형성한 후 희생층을 리프트 오프시켜 스핀트형 에미터의 게이트를 형성한다.

또한 상기 게이트 전극 라인(28)의 홀(35) 보다 포커스 게이트 전극 라인(28)의 홀(37) 직경을 크게 하는 것이 좋고, 상기 절연층(22)과 게이트 절연층(26) 두께는 같아도 문제는 없으나 절연층(22) 보다 게이트 절연층(26)을 두껍게 형성하는 것이 바람직하다.

따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 제조방법으로 인하여, 빔 집속효과에 따라 발광 효율이 증대될 뿐만 아니라, 색순도와 선명도를 높일 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

1. 기판(20) 위에 캐소우드 라인(24), 게이트 절연층(26), 게이트 전극 라인(28), 절연층(22)을 차례로 형성하고, 그위에 포커스 게이트 전극 라인(30)을 증착하는 공정과,

   상기 포커스 게이트 전극 라인(30) 위에 포토레지스트(32)를 도포한후, 홀(34)을 패턴닝하는 공정과,

   상기 건식 에칭법에 의해 포토레지스트(32)의 홀(34)을 이용하여 게이트 절연층(26) 까지 식각하여 홀(35),(37)을 형성하는 공정과,

   상기 상기 포토레지스트(32)가 남아 있는 상태에서 포커스 게이트 전극 라인(30)의 홀(37)을 습식 식각하여 게이트 전극 라인(28)의 홀(35)보다 크게 넓힌 후, 절연층(22)을 습식식각하는 공정과,

   상기 E-빔 증착방법으로 희생층과 Mo의 메탈팁(36)을 형성한 후 희생층을 리프트 오프시키는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자용 포커스 게이트 전극의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극 라인(28)의 홀(37)보다 포커스 게이트 전극 라인(30)의 홀(37) 직경이 큰 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자용 포커스 게이트 전극의 제조방법.