KR100235303B1 - MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용하여 캐소우드 전극으로 주입되는 전류의 량을 정확히 콘트롤할 수 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치에 관한 것으로, 기판(20)상에 케소우드전극(10)을 탄탈륨을 이용하여 형성한후 상기 케소우드전극(10)상에 Ta2O2절연막(14)을 형성하는 단계와, 상기 Ta2O2절연막(14)에 맞붙여 캐소우드 전극(13)을 형성하는 단계와, 상기 캐소우드 전극(13)상에 절연층(18)과 게이트 전극(12)을 형성한 후 팁 홀(19)을 형성하여 홀(19)내부에 팁(15)을 제작하는 단계로 구성되어 있어 개별 픽셀에 부착되어 방출되는 전류량을 조절할 수 있으므로 화상의 질이 향상되고 에미터 팁에 안정성이 향상되어 수명을 연장하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 FED(FIELD-EMISSION DISPLAY)에 관한 것으로서, 특히 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용하여 캐소우드 전극으로 주입되는 전류의 량을 정확히 콘트롤할 수 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치에 관한 것이다.
최근, 초고집적 반도체 제조기술과 초고진공 기술이 급속히 발달함에 따라 새로운 형태인 마이크론 크기의 삼극 진공관 소자의 연구가 활기를 띠고 있다. 그러므로 이러한 소자를 디스플레이에 응용하여 CRT와 LCD의 장점만 가진 새로운 평판 디스플레이를 개발하는데 주목하고 있다.
FED장치는 그러한 평판 디스플레이의 일종으로서, 마이크로팁형상의 캐소우드와 전계유도를 위한 게이트 전극과 형광체가 도포된 애노우드로 구성되며, 다수의 마아크로팁으로부터 전자방출을 유도하여 발생된 전자를 애노우드의 형광체와 충돌시킴으로써 형광체의 최외각 전자가 여기되고 천이될 때 발생되는 빛을 이용하여 원하는 화상을 수행한다.
종래의 FED장치는 도 1 에 도시된 바와 같이 기판(1)상에 형성된 캐소우드전극(3)에 절연층(4)의 사이에 팁(5)이 형성되어 있고, 절연층(4)의 상부측에 게이트 전극(2)이 형성되어 있다.
상기와 같은 종래의 구성은 게이트전극(12)과 팁(5)에 의해 방출되는 전자의 량의 변동이 심하므로 전자의 방출량을 조절하기가 어려워 화질에 악영향을 끼치기 때문에 화질의 선명도가 떨어지고 전자의 불안정한 방출 때문에 팁(5)에 영향을 주어 소자의 수명을 단축시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 방출되는 전자의 량을 조절함으로서 화상의 질을 개선하고 방출시 요동을 감소시킴으로 에미터 팁 의 안정성을 갖는 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치를 제공함에 있다.
도 1 은 종래의 FED장치를 나타내는 단면도.
도 2a∼도2d는 본 발명의 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치의 제조공정 순서를 나타내는 도면.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
10,13: 캐소우드 전극 12: 게이트전극
14: Ta2O2절연막 15: 팁
18: 절연층 19: 홀
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치는 기판상에 탄탈륨층을 깔고 그위에 형성한 Ta2O2절연막과, 상기 Ta2O2절연막에 맞붙여 증착된 캐소우드 전극과, 상기 캐소우드 전극상에 절연층과 게이트전극에 차례로 형성되어 중앙부에 형성된 홀과, 상기 홀내부에 팁으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치를 첨부된 도면에 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2a∼도2d는 본 발명의 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치의 제조공정 순서를 나타내는 도면이다.
기판(20)상에 캐소우드전극(10)을 탄탈륨을 이용하여 형성한후 상기 케소우드전극(10)상에 Ta2O2절연막(14)을 양극산화법에 의해 형성한다(도 2a).
상기 양극산화법에 의해 형성된 Ta2O2절연막(14)에 맞붙여 캐소우드 전극(13)을 금속막인 Cr이나 Mo으로 형성하고(도 2b), 그위에 절연층(18)과 게이트 전극(12)을 형성한 후 팁 홀(19)을 형성하여 홀(19)내부에 팁(15)을 제작한다(도 2c,도 2d).
본 발명의 소자는 개별 픽셀에 부착되어 펙셀의 방출전류량을 조절함으로써,화상의 질이 향상되고, 전자의 방출시 요동을 감소시키므로써 에미터 팁의 안정성이 향상되어 소자의 수명을 늘릴 수 있을뿐만아니라 소자의 제작이 간단하여 대량생산을 할 수 있는 장점이 있다.
Claims (5)
- 기판(20)상에 캐소우드전극(10)을 탄탈륨을 이용하여 형성한후 상기 케소우드전극(10)상에 Ta2O2절연막(14)을 형성하는 단계와,상기 Ta2O2절연막(14)에 맞붙여 캐소우드 전극(13)을 형성하는 단계와,상기 캐소우드 전극(13)상에 절연층(18)과 게이트 전극(12)을 형성한 후 팁 홀(19)을 형성하여 홀(19)내부에 팁(15)을 제작하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치의 제조방법.
- 기판(20)상에 게이트 전극(10)을 깔고 그위에 형성한 Ta2O2절연막(14)과,상기 Ta2O2절연막(14)에 맞붙여 증착된 캐소우드 전극(13)과,상기 캐소우드 전극(12)상에 절연층(18)과 게이트전극(12)에 차례로 형성되어 중앙부에 형성된 홀(19)과,상기 홀(19)내부에 팁(15)이 형성됨을 특징으로 하는 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 Ta2O2절연막(14)은 양극산화법을 이용하여 형성됨을 특징으로 하는 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 캐소우드 전극(12)은 Mo 및 Cr중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극(10)은 탄탈륨인 것을 특징으로 하는 MIM(Metal Insulator Metal)을 이용한 FED장치의 제조방법.
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