KR19990001949A - Semiconductor Wafer Fixture - Google Patents
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Abstract
제공되는 포커스 이온 빔이 웨이퍼상에 투사되기 용이하도록 웨이퍼의 저면을 받쳐 지지하는 반도체 웨이퍼 고정장치에 관한 것이다.A semiconductor wafer holding device for supporting and supporting a bottom of a wafer so that a provided focus ion beam is easily projected onto the wafer.
본 발명은 중심 부위에 웨이퍼의 저면 중심 부위를 받쳐 지지하도록 돌출된 형상의 돌기부가 형성되고 가장자리 부위에 웨이퍼의 저면 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 돌출된 형상의 복수개 지지부가 형성된 받침판과, 상기 각각의 지지부의 가장자리 외측 부위에 돌출된 형상으로 위치되는 웨이퍼의 측부를 지지하도록 형성된 고정핀을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention provides a support plate having a protruding shape protruding to support the bottom center portion of the wafer at the center portion, and a support plate having a plurality of support portions protruding to support the bottom edge portion of the wafer at the edge portion, and the respective support portions. It characterized in that it comprises a fixing pin formed to support the side of the wafer is located in the protruding shape on the outer portion of the edge.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 중심 부위가 돌기부에 지지되어 쳐짐 또는 진동에 의한 떨림이 방지됨에 따라 포커스 이온 빔이 정확하게 투사되어 정확한 분석을 기대할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, since the center portion of the wafer is supported by the protrusion and the shaking or vibration is prevented, the focus ion beam is accurately projected, so that an accurate analysis can be expected.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 고정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제공되는 포커스 이온 빔(Focus Ion Beam : 이하 FIB)이 웨이퍼상에 투사되기 용이하도록 웨이퍼의 저면을 받쳐 지지하는 반도체 웨이퍼 고정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer holding device, and more particularly, to a semiconductor wafer holding device supporting a bottom surface of a wafer so that a provided focus ion beam (FIB) can be easily projected onto the wafer. .
통상적으로 반도체장치 제조공정은 실리콘 웨이퍼 상에 산화공정, 사진식각공정, 확산공정 및 금속공정 등의 공정을 반복 수행하여 특정회로를 형성한 후, 후속되는 와이어 본딩(Wire bonding) 및 몰딩(Molding)공정 등의 진행으로 제작된다.In general, a semiconductor device manufacturing process is performed by repeatedly performing a process such as an oxidation process, a photolithography process, a diffusion process, and a metal process on a silicon wafer, followed by wire bonding and molding. Produced by the process and the like.
그러나, 상술한 공정 수행 중 여러가지 원인에 의해 반도체장치의 불량 원인이 되는 디펙트가 다수개 생성된다.However, due to various causes during the above-described process, a large number of defects that cause defects in the semiconductor device are generated.
따라서, 이러한 디펙트의 생성을 방지하기 위해 그 생성 원인을 규명하기 위한 분석과정이 있으며, 이 분석과정을 수행하는 장치로 주사전자현미경( Scanning Electron Microscope ), 투과전자현미경( Transmission Electron Microscope ), FIB를 이용한 분석장치 등이 있다.Therefore, in order to prevent the generation of such defects, there is an analytical process to determine the cause of the generation, and the apparatus for performing the analytical process is a scanning electron microscope, a transmission electron microscope, and a FIB. There is an analysis device using.
상술한 분석장치 중 FIB를 이용한 분석장치는 웨이퍼 고정장치 상에 분석 대상인 웨이퍼를 위치시켜 고정하고, 이 웨이퍼 상에 애퍼쳐브레이드를 통한 FIB의 양을 조절 투사함으로써 분석을 수행하게 된다.The analysis apparatus using FIB among the above-described analysis apparatuses performs the analysis by positioning and fixing the wafer to be analyzed on the wafer holding device and controlling and projecting the amount of FIB through the aperture blade on the wafer.
이때 웨이퍼를 고정하기 위한 웨이퍼 고정장치(10)는 도1에 도시된 바와 같이 판 형상의 받침판(12)이 있고, 이 받침판(12)의 상면 가장자리 부위에 복수개의 지지부(14)가 돌출 형성되어 있으며, 이 지지부(14)의 상면 형상은 위치되는 웨이퍼(W)의 저면 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 소정의 평탄도를 이루고 있다.At this time, the wafer holding device 10 for fixing the wafer has a plate-shaped support plate 12, as shown in Figure 1, a plurality of support portions 14 protrudingly formed on the upper edge portion of the support plate 12 The upper surface of the support portion 14 has a predetermined flatness so as to support and support the bottom edge portion of the wafer W to be positioned.
또한, 지지부(14)의 외측 가장자리 부위에는 도2에 도시된 바와 같이 위치된 웨이퍼(W)의 측부를 받침판(12) 중심 방향으로 가압하여 고정하도록 하는 고정핀(16)이 설치되어 있다.In addition, a fixing pin 16 is provided at the outer edge portion of the support 14 to press and fix the side portion of the wafer W positioned as shown in FIG. 2 toward the center of the support plate 12.
이러한 구성에 의하면 웨이퍼(W)는 도2에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W) 저면 가장자리 부위가 각각의 지지부(14) 상면에 지지되어 받침판(12)의 상면으로부터 소정 높이 이격된 상태로 위치되고, 이어 고정핀(16)이 받침판(12)의 중심 방향으로 웨이퍼(W)의 측부를 가압하게 됨으로써 웨이퍼(W)를 고정하게 된다.According to this configuration, as shown in FIG. 2, the bottom edge portion of the bottom surface of the wafer W is supported on the upper surface of each of the supporting portions 14, and the wafer W is positioned to be spaced apart from the upper surface of the support plate 12 by a predetermined height. Subsequently, the fixing pin 16 presses the side of the wafer W toward the center of the support plate 12 to fix the wafer W.
그러나, 상술한 바와 같이 위치 고정되는 웨이퍼의 가장자리 부위는 균형을 유지하며 고정되지만 얇은 판 형상의 웨이퍼의 중심 부위는 웨이퍼 자체의 타성력에 의해 진동이 있게 된다.However, as described above, the edge portion of the wafer to be positioned is fixed while maintaining the balance, but the center portion of the thin plate-shaped wafer is vibrated by the inertia force of the wafer itself.
따라서, 이러한 웨이퍼 중심 부위에 투사되는 고밀도의 FIB의 경로가 상술한 바와 같이 진동에 의해 산란됨에 따라 정확한 분석이 이루어지지 않는 분석 오류가 발생되는 문제가 있었다.Therefore, as the path of the high density FIB projected on the center portion of the wafer is scattered by the vibration as described above, there is a problem in that an analysis error in which accurate analysis is not performed occurs.
본 발명의 목적은, 위치 고정되는 웨이퍼 중심 부위의 진동을 방지하도록 하여 투사되는 FIB에 의한 정확한 분석이 이루어지도록 하는 반도체 웨이퍼 고정장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer holding device that prevents vibration of the center portion of the wafer to be fixed so that accurate analysis by the projected FIB is performed.
도1은 종래의 웨이퍼 고정장치를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing a conventional wafer holding device.
도2는 종래의 웨이퍼 고정장치 상에 웨이퍼가 올려진 상태로 도1의 Ⅱ ― Ⅱ선을 기준하여 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1 in a state where a wafer is placed on a conventional wafer holding apparatus. FIG.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정장치를 나타낸 평면도이다.Figure 3 is a plan view showing a wafer holding device according to an embodiment of the present invention.
도4는 본 발명에 따른 웨이퍼 고정장치 상에 웨이퍼가 위치된 상태로 도3의 Ⅳ ― Ⅳ선을 기준하여 나타낸 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3 with the wafer positioned on the wafer holding device according to the present invention.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing
10, 20: 웨이퍼 고정장치12, 22: 받침판10, 20: wafer holding device 12, 22: support plate
14, 24: 지지부 16, 28: 고정핀14, 24: support portion 16, 28: fixing pin
26: 돌기부26: protrusion
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 중심 부위에 웨이퍼의 저면 중심 부위를 받쳐 지지하도록 돌출된 형상의 돌기부가 형성되고 가장자리 부위에 웨이퍼의 저면 가장자리 부위를 받쳐 지지하도록 돌출된 형상의 복수개 지지부가 형성된 받침판과, 상기 각각의 지지부의 가장자리 외측 부위에 돌출된 형상으로 위치되는 웨이퍼의 측부를 지지하도록 형성된 고정핀을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a support plate having a protruding shape formed to protrude to support the bottom center portion of the wafer at a center portion, and a plurality of support portions formed to protrude to support the bottom edge portion of the wafer at the edge portion. And a fixing pin formed to support the side portion of the wafer positioned in the protruding shape on the edge outer portion of each support portion.
또한, 상기 받침판은 삼각판 형상으로 형성하고, 상기 지지부는 각 모서리 부위의 상면 주연에 돌출 형성하며, 상기 고정핀은 상기 각 지지부의 모서리 부위에서 상기 받침판의 중심 방향에 대하여 선택적으로 가압력을 제공하도록 형성함이 바람직하다.In addition, the support plate is formed in the shape of a triangular plate, the support portion protrudes around the upper surface of each corner portion, the fixing pin is to provide a pressing force selectively with respect to the center direction of the support plate at the corner portion of each support portion. It is preferable to form.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 고정장치를 나타낸 평면도이고, 도4는 본 발명에 따른 웨이퍼 고정장치 상에 웨이퍼가 위치된 상태로 도3의 Ⅳ ― Ⅳ선을 기준하여 나타낸 단면도로서, 종래와 동일한 부분에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Figure 3 is a plan view showing a wafer holding device according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view with reference to the IV-IV line of Figure 3 with the wafer is placed on the wafer holding device according to the present invention. Detailed description of the same parts as in the prior art will be omitted.
본 발명에 따른 웨이퍼 고정장치(20)는 도3에 도시된 바와 같이 상각형 형상을 갖는 받침판(22)이 있고, 이 받침판(22)의 상면 가장자리 부위 즉, 받침판의 모서리 부위 상면 주연에 복수개의 지지부(24)가 돌출 형성된다.As shown in FIG. 3, the wafer holding device 20 according to the present invention has a supporting plate 22 having an angled shape, and a plurality of wafer holding devices 20 are formed around the upper edge of the supporting plate 22, that is, at the edge of the supporting plate. The support part 24 protrudes.
또한, 받침판(22)의 중심 부위에는 상술한 지지부(24)와 동일한 높이를 갖는 돌기부(26)가 형성되며, 이 돌기부(26)의 상면과 지지부(24)의 상면 형상은 위치되는 웨이퍼(W)의 저면을 받쳐 지지하도록 소정의 평탄도를 이루고 있다.In addition, a protrusion 26 having the same height as the above-described support part 24 is formed at the center portion of the support plate 22, and the upper surface of the protrusion part 26 and the top surface shape of the support part 24 are located on the wafer W. A predetermined flatness is achieved to support and support the bottom of the bottom face).
또한, 지지부(24)의 외측 가장자리 부위에는 도2에 도시된 바와 같이 위치된 웨이퍼(W)의 측부를 받침판(22) 중심 방향에 대향하여 선택적으로 가압력하도록 함으로써 고정하도록 하는 고정핀(28)이 설치된다.In addition, a fixing pin 28 for fixing the side portion of the wafer W positioned as shown in FIG. 2 is selectively pressed against the center direction of the support plate 22 at the outer edge portion of the support 24. Is installed.
이러한 구성에 의하면 분석 공정을 수행하기 위해 투입된 웨이퍼(W)는 도4에 도시된 바와 같이 돌기부(26)와 지지부(24) 상면에 웨이퍼(W) 저면이 밀착 지지되어 받침판(22)의 상면으로부터 소정 높이 이격된 상태로 위치되고, 이어 웨이퍼(W)의 측부를 가압하는 고정핀(28)에 의해 고정된다.According to this configuration, as shown in FIG. 4, the wafer W introduced to perform the analysis process is supported by the bottom surface of the wafer W in close contact with the top surface of the protrusion part 26 and the support part 24, and thus, from the top surface of the support plate 22. It is positioned to be spaced apart a predetermined height, and is then fixed by a fixing pin 28 for pressing the side of the wafer (W).
이렇게 위치되는 얇은 판상의 웨이퍼(W)는 중심 부위와 가장자리 부위가 돌기부(26)와 지지부(24)에 의해 밀착 고정됨에 따라 어느 일측으로 쳐짐 또는 진동에 의한 떨림 현상이 방지되어 안정적인 상태로 위치 고정된다.The thin plate-shaped wafer W positioned as described above is fixed to a stable state by preventing the centering and the edge portion from being struck to one side or the shaking caused by vibration as the center portion and the edge portion are closely fixed by the protrusion portion 26 and the support portion 24. do.
따라서, 본 발명에 의하면 웨이퍼의 중심 부위가 돌기부에 지지되어 쳐짐 또는 진동에 의한 떨림이 방지됨에 따라 포커스 이온 빔이 정확하게 투사되어 정확한 분석을 기대할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, since the center portion of the wafer is supported by the protrusion and the shaking or vibration is prevented, the focus ion beam is accurately projected, so that an accurate analysis can be expected.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970025427A KR19990001949A (en) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | Semiconductor Wafer Fixture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970025427A KR19990001949A (en) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | Semiconductor Wafer Fixture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990001949A true KR19990001949A (en) | 1999-01-15 |
Family
ID=65986296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970025427A KR19990001949A (en) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | Semiconductor Wafer Fixture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990001949A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954248B2 (en) | 1998-05-16 | 2005-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays having multi-domains and a manufacturing method thereof |
-
1997
- 1997-06-18 KR KR1019970025427A patent/KR19990001949A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6954248B2 (en) | 1998-05-16 | 2005-10-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays having multi-domains and a manufacturing method thereof |
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|---|---|---|---|
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