KR19990000186A - VA(Vertically Aligned) Mode용 시나메이트계 광중합형 액정 배향재 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 시나메이트계 곁가지의 벤젠환에 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 도입시킨 배향재이다. 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 시나메이트계 곁가지의 벤젠환에 도입시킴으로써 액정 고분자와의 결합력이 우수하고 고온에서의 전기-광학 특성을 안정화시킬 수 있다. 즉 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 시나메이트계 곁가지의 벤젠환에 도입시켜 광중합형 배향재 고분자의 표면에너지를 낮추게 되고, 그럼으로써 액정 고분자가 수직으로 배향하는데 도움을 줄 수 있다. 따라서 본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 새로운 액정 고분자의 구동방식인 VA Mode에 적용하여 우수한 특성을 얻을 수 있다.

Description

VA(Vertically Aligned) Mode용 시나메이트계 광중합형 액정 배향재
제1도는 종래의 TFT-LCD 셀의 러빙(rubbing)공정에 의한 액정배향방법을 설명 도시한 개략도이다.
제2도는 광배향에 의한 액정배향방법을 나타낸 설명도이다.
제3도는 기존 TN Mode 액정의 동작원리를 나타낸 설명도이다.
제4도는 VA Mode 액정의 동작원리를 나타낸 설명도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 유리기판2: 투명 도전 유리
3: 액정 분자4: 고분자 배향막
5: 회전 롤러6: 러빙 천
7: 편광 필름9: 광중합형 액정 배향막
[발명의 분야]
본 발명은 VA(Vertically Aligned) Mode용 시나메이트계 광중합형 배향재에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 시나메이트계 곁가지의 벤젠환과 그 연결고리에 액정과의 결합력이 우수한 기능기를 도입하여 고온에서의 전기-광학특성을 안정화시킬 뿐만 아니라 벤젠환의 수소를 적어도 1개 이상 불소기로 치환하여 표면에너지를 낮추어 액정이 수직으로 배향하는데 도움을 주는 벤젠환 시나메이트계 광중합형 배향재에 관한 것이다.
[발명의 배경 및 종래 기술]
평판 디스플레이는 가볍고 얇으며 면적을 크게할 수 있는 장점 때문에 노트북 컴퓨터 모니터를 중심으로 브라운관을 점차 대체해 가고 있으며 점차적으로 전체 수요가 브라운관을 능가할 것으로 예측하고 있다. 특히 액정 디스플레이는 휴대가 간편하고 전력소모가 적다는 이점을 지니고 있어서 평판 디스플레이 시장을 리드하고 있으며, 계산기, 노트북 컴퓨터 등의 용도에서 데스크톱 컴퓨터, 텔레비젼 등으로 응용 범위를 확장해 가고 있다.
액정을 배향시키는 기존의 방법은, 제1도에 도시된 바와 같이, 폴리이미드(polyimide) 등의 내열성 고분자를 투명 도전 유리(2) 위에 약 1000Å 정도의 두께로 프린팅 방법에 의해 도포되어 고분자 배향막(4)을 성층하고, 나일론 또는 레이온 등의 러빙 천(6)을 감은 회전 룰러(5)를 고속 회전시키면서 배향막(4)을 문질러 배향시키는 방법인데, 이를 러빙 공정(rubbing process)이라고 부른다. 제1도에 도시된 바와 같이 러빙 공정에 의해서 액정 분자는 고분자 배향막 표면에서 일정한 선경사각(θ)을 갖고 배향된다.
그러나, 러빙 공정은 러빙시 고분자 배향막 표면에 기계적인 스크래치를 생기게 하거나, 높은 정전기를 발생시키기 때문에 박막 트랜지스터를 파괴하고 러빙 천에서 발생되는 미세한 파이버 등에 의해서 불량을 발생시키는 요인이 되고 있어 생산 수율 향상에 장애가 되고 있다. 또한 최근 15 이상의 대면적의 고화질 화면이 요구됨에 따라 러빙하지 않고 양질의 제품을 빠른 시간 내에 얻을 수 있도록 액정으르 배향시키고자 하는 연구가 매우 활발히 진행되고 있는데, 이를 넌-러빙공정(non-rubbing process)이라고 한다. 넌-러빙 공정의 대표적인 예가 M. Schadt (Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31. 1992. 2155), Dae S. Kang(미국특허 제 5,464,669 호), Yuriy Reznikov(Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34. 1995. L1000) 등에서 발표한 광중합에 의한 광배향이다. 광배향이란 편광판(7)에 의해 선편광된 자외선으로 고분자에 결합된 감광성 그룹이 광반응을 일으키고 이 과정에서 반응된 곁가지 부분이 일정 방향으로 배열을 하게 됨으로써 광중합형 액정배향막(9)을 형성하는 메카니즘을 말한다. 상기 특허 및 논문에서 사용된 광배향재는 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol)에 시나메이트(cinnamate)가 결합된 배향재로서 조사된 자외선에 의해서 시나메이트의 이중결합이 고리화 첨가반응(cycloaddition 반응)을 일으키는 원리를 이용하였다. 편광 방향과 일치되는 시나메이트 그룹만이 고리화 첨가반응을 일으켜 일차원적으로 정열되어 액정의 배향을 유도하는 것이다. 이러한 광배향을 이용하면 마스크만 가지로도 멀티 도메인(multi domain) 화소를 얻을 수 있어 광시야각의 액정 디스플레이를 수득할 수 있다.
최근 액정 디스플레이가 대형화 되면서 노트북 등의 개인용에서 점차 벽걸이 TV용 등의 가정용으로의 용도가 확장됨에 따라 액정 디스플레이에 대해서는 대면적화, 고화질, 고품위화 및 광시야각이 절대적으로 요구되어 있다. 제3도는 기존의 TN(Twisted Nematic) Mode의 동작원리를 나타낸 설명도이다. 전하를 주지 않은 상태에서는 초기 배향이 일정한 선경사각을 가지고 배열되어 있어 상하 편광판이 90°로 직교한 상태에서 빛이 나오게 된다. 전하를 주면 액정이 상하로 배열하여 빛이 차단된다(Normally White). 이러한 기존의 TN Mode는 시야각이 좁아 여러 사람이 동시에 보기에는 문제가 많다. 제4도는 VA Mode의 작동원리를 나타낸 것이다. 전하를 주지 않는 초기 상태에서 액정이 수직으로 배열되어 Normally Black이 되어 기존의 TN Mode보다는 대비율(contrast ratio)이 높고 시야각이 우수하여 최근 들어 주목을 받고 있는 새로운 작동 모드(Mode)이다. 이 Mode는 IPS(In-Plane Switching) Mode 처럼 기존의 공정을 완전히 바꾸어야 하는 단점이 없으며, 단지 액정과 배향막만 교체하면 되는 상업적 이점도 있다. 그러나 광시야각 확보가 액정화면의 최대 관심사인 현 시점에서 VA Mode가 IPS Mode보다는 시야각에서는 조금 뒤지는 것이 일반적인 결론이다. VA Mode는 폴리이미드(polyimide)를 이용한 러빙 공정으로는 화소분할에 의한 멀티 도메인(multi-domain)보다 우수한 광시야각 확보가 불가능하므로, VA Mode에 광중합형 배향재를 사용하여 멀티 도메인(multi-domain)을 접목시키면 향후 실용화 가능성이 높은 작동모드가 될 것이다.
VA Mode는 상기에서 설명된 바와 같이 기존의 TN Mode와는 달리 전압이 인가되지 않은 상태에서 수직으로 배향되어 있어야 하므로 배향막의 액정과의 결합력 및 열안정성은 유지하면서 표면에너지를 최소화함으로써 광반응 후 Negative Type의 액정이 배향막에 수직으로 배향될 수 있는 새로운 구조가 유리하다. 본 발명에서는 시나메이트계 광중합형 배향재의 기본 구조에 벤젠환의 수소를 적어도 1개 이상을 불소기로 치환하여 열안정성 및 액정과의 결합력은 그대로 유지하면서 표면에너지를 낮추었다.
[발명의 목적]
본 발명의 목적은 VA Mode에 적용하기 위한 광중합형 배향재를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 열안정성이 우수한 광중합형 배향재를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 배향력이 우수한 광중합형 배향재를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 수직배향에 유리하도록 표면에너지가 낮은 광중합형 배향재를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 VA Mode의 높은 대비율(contrast ratio) 및 광시야각화와 광배향의 넌 러빙(non-rubbing) 공정의 장점을 접목시켜 대면적의 고품위, 고화질 및 광시야각 디스플레이를 제작할 수 있는 광중합형 배향재를 제공하기 위한 것이다.
[발명의 요약]
본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 시나메이트계 곁가지의 벤젠환에 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 도입시킨 배향재이다. 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 시나메이트계 곁가지의 벤젠환에 도입시킴으로써 액정 고분자와의 결합력이 우수하고 고온에서의 전기-광학 특성을 안정화시킬 수 있다. 즉 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 시나메이트계 곁가지의 벤젠환에 도입시켜 광중합형 배향재 고분자의 표면에너지를 낮추게 되고, 그럼으로써 액정 고분자가 수직으로 배향하는데 도움을 줄 수 있다. 따라서 본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 새로운 액정 고분자의 구동방식인 VA Mode에 적용하여 우수한 특성을 얻을 수 있다.
본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 하기 구조식( I )로 표시된다:
상기 식에서 R2는 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠기이다.
또한 본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 상기 구조식( I )의 화합물에서 곁가지(Side Chain)가 서로 다른 화합물을 하나의 주쇄(main chain)에 결합시킨 공중합체 형태의 배향재도 포함한다.
[발명의 구체예에 대한 상세한 설명]
본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 시나메이트계 곁가지의 벤젠환에 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 도입시킴으로써 열안정성과 액정 고분자와의 결합력은 그대로 유지하면서 배향재 고분자의 표면 에너지를 낮출 수 있고, 그럼으로써 액정 고분자가 수직으로 배향하는데 도움을 줄 수 있다. 따라서 본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 새로운 액정 고분자의 구동방식인 VA Mode에 적용하여 우수한 특성을 얻을 수 있다. 즉 열안정성과 배향력이 우수하고 수직배향에 유리하도록 표면 에너지가 낮은 시나메이트계 광중합형 배향재를 VA Mode에 적용함으로써 높은 대비율(contrast ratio), 광시야각화 및 넌러빙(non-rubbing) 공정의 장점을 유지하면서 대면적의 고품위, 고화질, 및 광시야각의 디스플레이를 제작할 수 있다.
본 발명에서의 시나메이트계 광중합형 배향재는 하기 구조식( I )의 구조를 갖는다.
상기 식에서, R1은 2가의 결합이 가능한 하기 식(II)으로 표시되는 벤젠환 및 알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되는 그룹이고,
및 -[-CH2-]n- (n=1~6) (II), R2는 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠기로서 하기 식(III)으로 표시되는 기능기들로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 식에서, X는 최소한 하나가 F이고, 나머지 X는 H이며, Y는 -F, -CF3또는 -CnH2n+1(n은 1~6의 정수)이고, X가 2개 이상의 F로 치환된 경우에 Y는 -H일 수 있고, R3는 -H 또는 -CH3이다.
또한 본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 상기 구조식( I )의 화합물에서 곁가지(side chain)가 서로 다른 화합물을 하나의 주쇄(main chain)에 결합시킨 공중합체 형태의 배향재도 포함한다. 공중합체 형태의 시나메이트계 광중합형 배향재는 하기 식(IV)으로 표시된다.
상기 식에서, R1, R2및 R3는 상기에서 정의한 바와 같고, R1', R2' 및 R3'은 각각 R1, R2및 R3에서 정의한 바와 같지만, R1과 R1'는 서로 동일한 기가 아니며, R2와 R2'도 서로 동일한 기가 아니다.
본 발명에서는 광반응을 하는 시나메이트기를 갖는 곁가지의 벤젠환에 1개 이상의 불소기를 갖는 벤젠환을 도입하여 열적 안정성과 액정 고분자와의 결합력을 증가시키고, 배향재 고분자의 표면에너지를 낮춤으로써 높은 광투과도와 우수한 시야각 특성을 가지는 수직배향에 적합한 광배향재를 사용하여 액정 고분자를 배향한다. 이때 곁가지의 벤젠환에 불소를 적어도 1개 이상 치환시킴으로써 파라(para) 위치에 -F, -CF3만을 도입한 경우보다 표면에너지를 더욱 낮추어 기존의 TN Mode에 사용된 광배향재에 비하여 새로운 액정 구동 Mode인 VA Mode에 적용하여 광시야각을 확보함과 동시에 넌 러빙 공정의 장점을 모두 살릴 수 있도록 한다.
본 발명의 시나메이트계 광중합형 배향재는 VA Mode에 적용하여 VA Mode 액정셀을 제조할 수 있다. VA Mode 액정셀을 제조하는 방법은 시나메이트계 광중합형 배향재를 유기용매에 용해시키고, 용해된 배향재를 ITO 유리기판에 도포하여 배향막을 형성하고, 도포된 배향막을 건조시키고, UV램프를 이용하여 편광판에 의하여 선편광된 자외선을 배향막 표면에 0~90°의 각도로 약 3~20분간 조사하여 액정 배향막을 제조하는 단계로 이루어진다.
본 발명에서는 상기의 광중합형 배향재를 사용하여 액정 디스플레이 셀을 제조하기 위해 클로로벤젠, N-메틸피롤리톤(이하 NMP이라 약칭함), 감마부티로락톤, 메톡시에탄올 등의 유기용매를 사용한다. 이러한 용액들의 농도는 1~10wt%의 범위로 하고, 점도는 10~100cP의 범위로 하며, 스핀 코팅 또는 프린팅 방법에 의해 두께 500~1,000Å으로 도포한다. 도포후 약 30분간 건조시킨 후 1KW 세기의 UV 램프를 이용하여 편광판을 이용해서 선편광시킨 편광자외선을 배향막 표면에 약 0°~90°의 각도로 약 3~20분간 조사하면 광중합에 의한 고분자의 배열이 유도되어 액정이 배향된다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 구체화될 것이며, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 기재될 뿐이며 본 발명의 보호범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
[실시예 1]
(1) 시나메이트를 갖는 메조겐의 합성
파라히드록시시나믹산 0.1 몰(16.42g)을 나트륨히드록시드 0.2 몰 (8g)을 녹인 물 100 ㎖와 디메틸술폭시드 100 ㎖에 녹이고 0℃에서 펜타플루오르벤조일클로라이드 0.1 몰(27.2g)을 서서히 적하시키면서 강하게 교반하였다. 상온에서 약 2 시간을 더 반응시키고 묽은 염산으로 pH=6~7로 중화시켜 수득된 고체상의 중간체를 여과하고 물로 철저히 세척하였다. 진공하에서 완전히 건조시킨 후, 에탄올에서 재결정시켜 펜타플루오르벤조일옥시시나믹산을 수율 90%로 수득하였다. 티오닐클로라이드 1.2 당량을 넣고 메틸렌클로라이드를 약 50㎖ 첨가한 후 상온에서 투명한 용액이 얻어질 때까지 반응시켰다. 반응 후, 용매와 티오닐클로라이드를 진공하에서 제거하고 철저히 건조시켜서 펜타플루오르벤조일시나모일클로라이드를 수득하였다.
(2) 시나메이트를 갖는 광배향재의 합성
분자량 30,000의 폴리히드록시스티렌을 테트라히드로퓨란(히드록시기가 1당량 함유)에 녹여서 트리에틸아민을 1당량 첨가하였다. 단계 1에서 합성된 펜타플루오르벤조일시나모일클로라이드 1 당량을 메틸렌클로라이드에 녹여서 상온에서 상기 고분자용액에 서서히 적하하면서 반응시켰다. 약 2-3시간을 반응시킨 후 메탄올에 반응물을 적하하여 침전시켰다. 수득된 침전물을 여과하고 물과 메탄올로 철저히 세척하여 고진공하에서 건조시켜 폴리히드록시스티레닐-펜타플루오르벤조일옥시시나메이트 (이하 광배향재라 한다)를 수득하였다.
(3) 광배향 VA Mode 디스플레이 셀의 제작
상기의 광배향재를 1~10 wt% 농도로 NMP에 용해시켰다. 이를 투명 전극이 도포된 철저히 세척된 유리기판 위에 3,000 rpm의 속도로 스핀코팅하였다. 코팅된 유리기판을 200℃에서 약 30분간 건조시켜 NMP를 제거하고, 1 KW의 자외광을 편광판을 이용하여 선형편광시켜 상하기판을 3분에서 20 분간 1회 조사하였다. 광반응된 2매의 상하 유리기판을 에폭시 접착제를 이용하여 접착시키고 접착된 셀에 Negative Type 액정을 주입하여 광배향 VA Mode 디스플레이 셀을 제조하였다. 그 결과 선경사각이 87°-90°로 배향을 이루었으며 Contrast Ratio와 Response Time이 Polymide를 이용한 러빙 공정에 의한 셀과 동등한 수준으로 확인되었고, 그 결과를 표1에 나타내었다.
[실시예 2]
1) 광배향 공중합체의 합성
위 실시예 1의 (1)에서와 같은 방법으로 파라히드록시시나믹산 0.1 몰(16.42g)을 3,5-비스트리플루오르메틸벤조일클로라이드 0.1 몰(27.66g)과 반응시켜서 3,5-비스트리플루오르메틸벤조일옥시시나믹산을 얻고 이를 티오닐 클로라이드 1.2 당량과 반응하여 3,5-비스트리플루오르메틸벤조일시나모일클로라이드를 수득하였다. 수득된 메조겐을 위 실시예 1의 (1)에서 얻은 메조겐 펜타플루오르벤조일시나모일클로라이드와 1:1의 몰비로 하여 동시에 테트라히드로퓨란에 녹인 분자량 30,000의 폴리히드록시스티렌 용액에 서서히 적하하면서 약 2-3 시간을 반응시킨 후 공중합 광배향재를 수득하였다.
(2) 광배향 공중합체를 이용한 VA Mode 디스플레이 셀의 제작
위 (1)에서와 같이 합성한 광배향 공중합체를 이용하여 실시예 1의 (3)에서와 같이 1 KW 자외광의 조시에 의한 VA Mode 디스플레이 셀을 제작하여 그 특성을 비교, 조사하였다. 그 결과를 표1에 나타내었다.
비교실시예: 러빙 공정에 의한 폴리이미드 VA Mode 테스트 셀의 제작
일본합성고무사의 Polymide 배향막을 투명전극이 도포된 유리판 위에 3000 rpm으로 스핀 코팅하여 두께 약 800 Å으로 도포하였다. 도포후 가열판을 사용하여 200℃에서 1시간 건조시켰다. 지름 10 cm의 롤러에 레이온을 감아서 1000 rpm의 속도로 Polymide 표면을 1회 러빙하였다. 레이온 천과 Polymide 배향막의 접촉강도는 레이온천이 배향막 표면과 접촉이 이루어진 순간에 고정시키도록 하였다. 러빙된 상하 유리기판을 실시예에서와 동일한 방법으로 접착시켜 러빙공정에 의한 폴리이미드 VA Mode 디스플레이 셀을 제작하였다. 상온으로 온도를 낮추어 VA Mode 디스플레이 셀의 전기-광학 특성을 측정 평가하여, 그 결과를 표1에 나타내었다.
[표 1]
(전기-광학 특성 평가 방법)
※ 전압/광투과도(%) 및 Contrast Ratio: LCD-5000을 사용하여 측정하였다.
※ 프리틸트각: Crystal Rotation방법을 사용하여 측정하였다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (10)

  1. 하기 일반식( I )으로 표시되는 시나메이트계 광중합형 단일중합체 배향재 화합물:
    상기 식에서, R1은 2가의 결합이 가능한 하기 식(II)으로 표시되는 벤젠환 및 알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되는 그룹이고,
    및 -[-CH2-]n- (n=1~6) (II) R2는 최소한 1개의 불소기를 갖는 벤젠기이고, R3는 H 또는 CH3임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 R2는 하기식(III)으로 표시되는 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 시나메이트계 광중합형 단일중합체 배향재 화합물:
    상기 식에서, X는 최소한 하나가 F이고, 나머지 X는 H이며, Y는 -F, -CF3또는 -CnH2n+1(n은 1~6의 정수)이고, X가 2개 이상의 F로 치환된 경우에 Y는 -H, -F, -CH3또는 -CnH2n+1(n은 1~6의 정수)임.
  3. 하기 일반식(IV)으로 표시되는 시나메이트계 광중합형 공중합체 배향제 화합물:
    상기 식에서, R1과 R2및 R3는 제1항에서 정의한 바와 같고, R1'와 R2' 및 R3'는 각각 상기 R1, R2및 R3에서 정의한 바와 같고, R1과 R1'는 서로 동일한 기가 아니고, R2와 R2'도 서로 동일한 기가 아님.
  4. 제1항 또는 제3항의 광중합형 단일중합체 배향재를 VA Mode에 적용하기 위해 유기용매에 용해시키고;
    상기 용액을 ITO 유리기판에 도포하고;
    상기 도포된 배향막을 건조시키고; 그리고
    상기 건조된 배향막의 표면에 편광 자외선을 조사시키는;
    단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 시나메이트계 광중합형 액정 배향재의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유기용매는 클로로벤젠, N-메틸피콜라톤, 감마부티로락톤 및 메톡시에탄올으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 시나메이트계 광중합형 액정 배향막의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 도포단계는 스핀 코팅 방법 또는 프린팅 방법에 의하여 행해지는 것을 특징으로 하는 시나메이트계 광중합형 액정 배향막의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 유기용매에 용해된 액정 배향재 용액은 농도가 1.0~10.0 wt% 및 점도가 10~100 cps인 것을 특징으로 하는 시나메이트계 광중합형 액정 배향막의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 배향막의 두께가 500~1,000 Å의 범위인 것을 특징으로 하는 시나메이트계 광중합형 단일중합체 액정 배향막의 제조방법.
  9. 제4항의 광반응된 2매의 상하 유리기판을 에폭시 접착제를 이용하여 접착시키고; 그리고
    제조된 셀에 VA Mode용 액정을 진공 주입하는;
    단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광배향 VA Mode 디스플레이 셀의 제조방법.
  10. 제4항의 상하기판중 적어도 하나의 유리기판을 마스크(mask)를 이용하여 서로 다른 방향으로 0°~90°의 각도로 3~20분간 조사하여 2 개 이상의 도메인(domain)에서 다른 방향의 선경사각을 가지도록 액정배향막을 제조하는 것을 특징으로 하는 광배향 멀티 도메인(multi-domain) VA Mode 디스플레이 셀의 제조방법.
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KR100784460B1 (ko) * 2006-06-27 2007-12-12 (주)엔디스 액정배향용 감광성 고분자, 이를 포함하는 액정배향막, 및이를 포함하는 액정디스플레이
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