KR19980079423A - 반도체를 연마하기 위한 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마방법 - Google Patents

반도체를 연마하기 위한 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980079423A
KR19980079423A KR1019970053216A KR19970053216A KR19980079423A KR 19980079423 A KR19980079423 A KR 19980079423A KR 1019970053216 A KR1019970053216 A KR 1019970053216A KR 19970053216 A KR19970053216 A KR 19970053216A KR 19980079423 A KR19980079423 A KR 19980079423A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
polishing pad
pad
wafer
center
Prior art date
Application number
KR1019970053216A
Other languages
English (en)
Inventor
티모시 키스 크리완지키
더글라스 키스 스튜테반트
매튜 토마스 티어쉬
Original Assignee
포맨 제프리 엘
인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포맨 제프리 엘, 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 filed Critical 포맨 제프리 엘
Publication of KR19980079423A publication Critical patent/KR19980079423A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

연마 패드(polishing pad)를 사용하여 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 연마 패드는 원주방향 홈을 구비하며, 이 원주방향 홈은 연마 패드의 기하학적 중심부에서 편심으로 위치된다.

Description

반도체를 연마하기 위한 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마방법
본 발명은 일반적으로 집적 회로의 제조동안에 수행되는 화학 기계적 연마(chemical-mechanical polish : CMP) 작동에 관한 것으로, 특히 집적 회로를 갖는 반도체 웨이퍼 및 칩을 연마하는 것에 관한 것이다. 특정하게는, 본 발명은 연마의 개선된 제어를 가능하게 하는 연마 패드 구조 및 작동에 관한 것이다.
반도체 장치 집적에 있어서 급속한 발전은 작용 영역(active areas)을 접속하는 더욱 더 작은 배선 패턴(wiring patterns) 또는 상호접속부를 필요로 한다. 그 결과, 이들 공정에 사용되는 반도체 웨이퍼의 평면도(planeness) 또는 평탄도(flatness)에 관한 공차는 더욱 더 작아지고 있다. 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 통상의 일 방법은 연마 장치를 사용하여 이들을 연마하는 것이다.
이러한 연마 장치는 연마 패드(polishing pad)와 접촉하는 회전 웨이퍼 캐리어 조립체를 갖는다. 연마 패드는 외부 구동력에 의해 구동되는 회전 턴테이블(rotating turntable)상에 장착된다. 연마 장치는 각각의 얇은 반도체 웨이퍼의 표면과 연마 패드사이에 연마 또는 마찰 운동을 발생시킴과 아울러, 화학 기계적 연마(CMP)를 달성하기 위해 연마 슬러리(slurry)를 분산시킨다. 평탄화에 있어서 화학 기계적 연마(CMP)는 웨이퍼 표면이 웨이퍼 표면을 침식하는 연마 입자 또는 반응 용액(reactive solution), 또는 양자로 침윤된 회전 패드와 접촉하는 것을 필요로 한다. 이러한 것은 웨이퍼와 연마 패드사이에 힘을 가압하는 동안에 이루어 진다.
통상적으로, 화학 기계적 연마(CMP)는 기판 표면을 균일하게 연마하지 못하며, 재료의 제거는 불규칙적으로 진행된다. 예를 들면, 산화물의 연마동안에 웨이퍼의 에지(edges)는 웨이퍼의 중심부보다 느리게 연마되는 것이 일반적이다. 기판을 가로질러서 균일한 표면이 얻어질 수 있도록 반도체 웨이퍼 및/또는 칩과 같은 기판 표면으로부터의 재료의 제거를 제어하기 위한 방법 및 장치를 필요로 한다.
본 발명은 연마 패드의 중심부에 대해 편심(off-center)되어 있는 기하학적 중심부를 갖는 다수의 돌출부를 구비한 연마 패드로 웨이퍼를 연마하기 위한 방법 및 장치를 제공한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 연마 패드를 제공하는 것으로, 이 연마 패드는 기하학적 중심부를 가지며 그리고 대체로 원주방향으로 연장되는 다수의 돌출부를 포함하며, 상기 기하학적 중심부는 연마 패드의 중심부에 대해 편심되어 있다.
본 발명은 연마 패드의 중심부에 대해 편심인 기하학적 중심부를 갖는 다수의 돌출부를 구비한 연마 패드를 제공하는 단계와, 반도체 웨이퍼를 연마하며 반도체 웨이퍼의 아래에 슬러리를 일정하게 유지하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법을 개시한다.
본 발명의 장점은 연마할 때 단일 패드가 사용될 수 있게 하는 것이다.
본 발명의 다른 장점은 보다 저렴하며 개선된 균일성(uniformity)을 제공하는 것이다.
도 1은 종래기술의 적층 패드 구조를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 평면도,
도 3은 본 발명의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 홈 경로 영역 20 : 편심 패드
100 : 적층 패드 면 101 : 상부 패드
102 : 패드 베이스 103 : 웨이퍼 면
본 발명의 바람직한 실시예가 상세하게 도시되고 설명되지만, 다양한 변화와 변형이 첨부된 특허청구범위의 범위를 벗어남이 없이 이루어질 수 있음을 이해하여야 한다. 본 발명의 범위는 구성 요소의 수량, 재료, 형태, 상대적인 배치 등에 제한되지 않으며, 이들은 단지 실시예로서 단순히 개시된다.
현재, 산화물 표면을 연마할 때, 적층 패드의 조합체는 각종 문제를 방지하기 위해 사용되어야 한다. 적층 패드는 웨이퍼 면(103)과 접촉하는 패드 면(100)을 갖는다. 도 1은 웨이퍼 면(103)과 접촉하는 적층 패드 면(100)을 도시한 것이다. 적층 패드의 사용은 매우 비싸며 또 외측 에지 산화물 두께의 제어 문제를 야기한다. 적층 패드는 연질/스폰지와 같은 패드 베이스(102)(SUBATM4 패드)와, 천공된 경질 폴리우레탄 상부 패드(101)(IC1000TM패드)로 제조된다. 그러나, 단일의 연질/스폰지와 같은 패드는 사용될 수 없는데, 그 이유는 이것은 매우 압축성이고, 칩의 균일성을 불량하게 하며, 또 구조체의 국부적인 오목부(dishing)를 형성하기 때문이다. 또한, 단일의 경질 폴리우레탄 패드도 사용될 수 없는데, 이러한 패드는 비압축성이며 또 웨이퍼와 패드 표면사이에 흡입 밀봉(suction seal)을 야기하기 때문이다. 그후, 연마 도구(tool)는 이러한 밀봉을 극복할 수 없으며, 또한 이 도구는 언로딩 결함을 갖는다. 언로딩 결함은 연마 도구를 패드로부터 떼어낼 수 없을 때 발생하며, 그 결과 웨이퍼가 파손된다. 단일의 경질 폴리우레탄 상부 패드를 사용할 수 없는 다른 이유는 슬러리가 웨이퍼의 아래에 균일하게 얻을 수 없다는 것이며, 따라서 웨이퍼의 중심부는 그 아래에서 연마된 상태로 된다. 웨이퍼 표면의 아래에서 슬러리의 부족은 칩내에서 국부적인 비균일성(non-uniformity)을 야기하며 또 웨이퍼를 가로질러서 전체적인 비균일성을 야기시킨다. 웨이퍼 표면을 가로질러서의 산화물 두께의 비균일성은 과도한 및 과소한 에칭, 잔류 금속 및 질화물 그리고 전체적으로 불량한 전기적 성능을 야기할 수 있다.
적층 패드와 함께 발생하는 실제적인 기구는 연질/스폰지와 같은 패드 및 천공된 경질 폴리우레탄 패드가 슬러리 저장소와 같이 작용하는 것이다. 웨이퍼가 적층 패드내로 하방으로 가압될 때, 연질/스폰지와 같은 패드는 경질 폴리우레탄 패드 아래에서 압축되며 그리고 웨이퍼 표면과 경질 폴리우레탄 패드의 연마 표면사이에 슬러리를 압착한다. 이러한 것의 문제점은 패드의 에지가 패드의 중심부보다 더 압축되어, 전단 에지(leading edge) 두께의 변화를 야기시키는 것이다. 이들 변화는 웨이퍼의 외측 15㎜ 내지 20㎜에서 균일성을 불량하게 하며, 이것은 단일 패드에 대해 기술한 것과 같은 기구의 동일한 결함을 야기시킨다.
따라서, 산업은 단일 패드에 의해 야기된 변화 또는 적층 패드에 의해 야기된 두꺼운 전단 에지에 대처하도록 강요되고 있다. 패드 개선의 임의의 새로운 유형은 웨이퍼 표면아래에 균일한 슬러리 적용범위(coverage)에 관련되어야 하고 그리고 웨이퍼의 전단 외측 에지상의 두꺼운 산화물을 방지하여야 한다.
단일 패드에 의해 야기된 이러한 비균일성을 방지하는 본 발명의 해결책은 웨이퍼 표면 아래에 충분한 슬러리를 달성하는 것과 아울러, 흡입 밀봉의 형성을 방지하는 것이다. 현재의 홈형성 기술은 패드내의 중심부(on center)상에 동심 링(concentric rings)을 기계가공하는 것이었다. 이러한 중심에 위치된 링의 세트는 전체적인 균일성을 불량하게 하는 웨이퍼내의 패턴을 유발시킨다.
본 발명은 편심(off center)의 홈(grooves) 또는 채널(channels)을 제공한다. 이것은 웨이퍼 표면으로부터 편심으로 회전하는 연마 표면을 형성하고 그리고 비균일성을 균일하게 할 것이다. 이러한 방법이 평가되었는 바, 그 결과 전체적인 균일성이 현재 사용되고 있는 적층 패드 구조체와 비교하여 4배정도 증가되었다.
도 2는 본 발명의 편심 패드(20)를 도시한 것이다. 패드(20)의 기하학적 중심부는 참조번호(A)로 표시되어 있다. 일련의 원주방향 동심 링 또는 채널은 패드의 평면상 표면내로 홈을 형성하고, 그 링 또는 채널의 중심부는 지점(B)에 편심 위치되어 있다. 홈 경로 영역(10)은 전체의 동심 링이 연마동안 웨이퍼내로 각인(imprinting)을 방지하는데 사용되도록 설계된다.
웨이퍼 연마에 있어서, 웨이퍼를 패드 표면내로 하방으로 가압할 때, 웨이퍼의 표면 아래에 슬러리를 존속시키는 것이 중요하다. 홈은 슬러리가 그 내에 안착되도록 하는 슬러리 저장소를 제공한다. 따라서, 웨이퍼의 접촉시, 홈은 항상 슬러리를 갖는다. 단일의 경질 연마 패드 또는 적층 패드를 사용하든지 간에 홈을 편심으로 형성하는 것에 의하여, 본 발명의 패드는 웨이퍼를 가로질러서의 균일성 및 웨이퍼 표면상의 잔류막의 균일성을 제공한다.
도 3은 편심 홈 경로를 갖는 연마 패드의 측면도이다. 채널은 연마동안 슬러리가 기판 표면 아래로 전달되기에 충분한 폭(E)과 깊이(F)를 갖는다. 채널사이의 돌출부(또는 돌기부)는 폭(D)을 갖는다. 패드의 두께는 참조번호(G)로 표시되어 있다. 예시적인 목적을 위해, 24 인치 직경의 패드가 사용되었을 때, 패드의 두께(G)는 대략 0.05 인치 내지 0.055 인치이며, 채널의 폭(E)은 대략 1/8 인치이고, 채널의 깊이는 패드 두께의 약 80％이거나 또는 약 0.04 인치이며, 돌출부의 폭(D)은 대략 3/8 인치 이었다. 도 2에 도시된 편심 거리(C)는 1.5 인치 내지 4 인치의 범위일 수 있으며, 이상적으로는 1.5 인치이다.
본 발명은 중심부상의 홈에 의한 현재의 연마 방법이 동심의 패턴을 웨이퍼내에 소성(burning)할 수 있는 것에 비하여 장점을 갖는다. 홈을 편심으로 배치하는 것에 의하여, 원이 중심에 있지 않기 때문에, 연마의 경로는 편심의 외측 경로(eccentric out path)상으로 진행한다. 편심 패턴의 이동에 의하여, 웨이퍼는 항상 동일한 채널을 타격하지 않는다. 채널은 웨이퍼 표면 아래에서 일정하게 변화한다. 따라서, 어떠한 패턴도 표면내로 연마되지 않는다. 그 결과, 웨이퍼 표면을 가로질러서 실제적인 균일성이 형성된다.
본 발명의 다른 장점은 기판의 상이한 부분으로부터의 재료가 상이한 비율로 제거되어 기판을 가로질러서 보다 균일한 표면을 얻을 수 있다는 것이다.
본 발명의 다른 장점은 패드가 다른 하측 패드없이 사용될 수 있으며 그리고 웨이퍼 면의 아래에 슬러리를 갖는 필요를 여전히 만족시킨다는 것이다. 단일 패드로 작동시킬 수 있으므로, 연마 작동을 보다 저렴하게 행할 수 있다.
본 발명의 다른 장점은 웨이퍼의 면과 실제적인 평탄한 연마 패드사이의 점착력이 흡입을 형성하는 곳에 웨이퍼 점착(wafer stickage)이라 불리우는 현상을 제거한다는 것이다. 흡입이 생성될 때, 웨이퍼를 면에서 떼어내는 것은 매우 어렵다. 따라서, 홈형 링을 구비하는 것에 의하여, 웨이퍼가 연마 표면으로부터 실제적으로 들어올려질 수 있도록 하는 해제를 제공한다. 약간의 공기가 밀봉내로 진입하기 때문에, 웨이퍼는 점착되지 않는다.
본 발명의 다른 장점은 연마의 전체적인 균일성 및 국부적인 균일성 모두를 달성할 수 있다는 것이다. 전체적인 균일성은 전체 웨이퍼 표면을 가로질러서 두께의 분포이다. 국부적인 균일성은 칩 박스내의 두께의 분포이다.
상술된 실시예는 예시적인 목적을 위해 사용된 것이다. 연마 패드, 슬러리, 연마 캐리어 및 테이블 크기의 상이한 조합이 제거될 막, 연마전의 두께의 프로파일(profile) 및 소망하는 최종 프로파일에 의존하여 사용될 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명이 바람직한 실시예에 대해 기술되었지만, 당업자는 본 발명이 첨부된 특허청구범위의 정신 및 범위내에서 변형되어 실시될 수 있다는 것을 인식할 것이다.
본 발명은 연마 패드에 있어서 다수의 돌출부의 기하학적 중심부를 연마 패드의 중심부에 대해 편심으로 배치하는 것에 의하여, 반도체 등의 연마시에 연마의 전체적인 및 국부적인 균일성을 제공할 수 있다.

Claims (12)

  1. 반도체를 연마하기 위한 연마 패드에 있어서, 기하학적 중심부를 가지며 그리고 대체로 원주방향으로 연장되는 다수의 돌출부를 포함하며, 상기 기하학적 중심부는 연마 패드의 중심부에 대해 편심(off-center)되어 있는 연마 패드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다수의 돌출부사이에 위치된 다수의 채널(channels)을 더 포함하는 연마 패드.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 다수의 채널의 깊이는 연마 패드의 두께의 대략 80％인
    연마 패드.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 다수의 채널은 동심 링(concentric rings)인 연마 패드.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기하학적 중심부는 연마 패드의 중심부로부터 1.5 인치 내지 4 인치의 범위로 편심되어 있는 연마 패드.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 돌출부의 폭은 대략 3/8 인치이며, 상기 채널의 폭은 대략 1/8 인치인 연마 패드.
  7. 반도체를 연마하기 위한 연마 패드에 있어서, 기하학적 중심부를 가지며 그리고 대체로 원주방향으로 연장되는 다수의 홈(grooves)을 포함하며, 상기 기하학적 중심부는 연마 패드의 중심부에 대해 편심되어 있는 연마 패드.
  8. 반도체를 연마하기 위한 연마 패드에 있어서, 기하학적 중심부를 가지며 그리고 대체로 원주방향으로 연장되는 홈 경로 영역을 포함하며, 상기 기하학적 중심부는 연마 패드의 중심부에 대해 편심되어 있는 연마 패드.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 홈 경로 영역내의 다수의 홈의 깊이는 연마 패드의 두께의 대략 80％인 연마 패드.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 홈 경로 영역은 동심 링으로 배열된 홈을 포함하는 연마 패드.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 기하학적 중심부는 연마 패드의 중심부로부터 1.5 인치 내지 4 인치의 범위로 편심되어 있는 연마 패드.
  12. 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 방법에 있어서, 연마 패드의 중심부에 대해 편심인 기하학적 중심부를 갖는 다수의 돌출부를 구비한 연마 패드를 제공하는 단계와, 반도체 웨이퍼를 연마하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 연마방법.
KR1019970053216A 1997-03-10 1997-10-17 반도체를 연마하기 위한 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마방법 KR19980079423A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8/812,884 1997-03-10
US08/812,884 US5842910A (en) 1997-03-10 1997-03-10 Off-center grooved polish pad for CMP

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980079423A true KR19980079423A (ko) 1998-11-25

Family

ID=25210877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970053216A KR19980079423A (ko) 1997-03-10 1997-10-17 반도체를 연마하기 위한 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5842910A (ko)
JP (1) JPH10249710A (ko)
KR (1) KR19980079423A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210035346A (ko) * 2013-10-18 2021-03-31 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 오프셋된 동심인 홈 패턴의 에지 제외 영역을 갖는 cmp 연마 패드

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6001001A (en) * 1997-06-10 1999-12-14 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for chemical mechanical polishing of a wafer
US6287174B1 (en) 1999-02-05 2001-09-11 Rodel Holdings Inc. Polishing pad and method of use thereof
US6217418B1 (en) 1999-04-14 2001-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Polishing pad and method for polishing porous materials
US6322427B1 (en) 1999-04-30 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Conditioning fixed abrasive articles
US20020077037A1 (en) * 1999-05-03 2002-06-20 Tietz James V. Fixed abrasive articles
US6261168B1 (en) 1999-05-21 2001-07-17 Lam Research Corporation Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns
US6656842B2 (en) 1999-09-22 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Barrier layer buffing after Cu CMP
US6435944B1 (en) 1999-10-27 2002-08-20 Applied Materials, Inc. CMP slurry for planarizing metals
US6832948B1 (en) 1999-12-03 2004-12-21 Applied Materials Inc. Thermal preconditioning fixed abrasive articles
US7041599B1 (en) 1999-12-21 2006-05-09 Applied Materials Inc. High through-put Cu CMP with significantly reduced erosion and dishing
DE10009656B4 (de) * 2000-02-24 2005-12-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6858540B2 (en) * 2000-05-11 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Selective removal of tantalum-containing barrier layer during metal CMP
US6872329B2 (en) 2000-07-28 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
JP4855571B2 (ja) * 2000-08-31 2012-01-18 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド及びその研磨パッドを用いた被加工物の研磨方法
US6709316B1 (en) 2000-10-27 2004-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for two-step barrier layer polishing
US6524167B1 (en) 2000-10-27 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Method and composition for the selective removal of residual materials and barrier materials during substrate planarization
US7012025B2 (en) * 2001-01-05 2006-03-14 Applied Materials Inc. Tantalum removal during chemical mechanical polishing
US6672943B2 (en) * 2001-01-26 2004-01-06 Wafer Solutions, Inc. Eccentric abrasive wheel for wafer processing
US6632012B2 (en) 2001-03-30 2003-10-14 Wafer Solutions, Inc. Mixing manifold for multiple inlet chemistry fluids
US7104869B2 (en) * 2001-07-13 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Barrier removal at low polish pressure
US7008554B2 (en) * 2001-07-13 2006-03-07 Applied Materials, Inc. Dual reduced agents for barrier removal in chemical mechanical polishing
US6821881B2 (en) * 2001-07-25 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Method for chemical mechanical polishing of semiconductor substrates
JP3843933B2 (ja) * 2002-02-07 2006-11-08 ソニー株式会社 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
TWI295950B (en) * 2002-10-03 2008-04-21 Applied Materials Inc Method for reducing delamination during chemical mechanical polishing
US7377840B2 (en) 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
AU2004225931A1 (en) 2003-03-25 2004-10-14 Neopad Technologies Corporation Chip customized polish pads for chemical mechanical planarization (CMP)
USPP17182P3 (en) * 2003-10-02 2006-11-07 Plantas De Navarra S.A. Peach tree plant named ‘Plawhite 5’
US7390744B2 (en) 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
JP4012180B2 (ja) * 2004-08-06 2007-11-21 株式会社東芝 Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
JP2006068888A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Speedfam Co Ltd 定盤の製造方法及び平面研磨装置
JP3769581B1 (ja) 2005-05-18 2006-04-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
TWI385050B (zh) 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於ｃｍｐ之特製拋光墊及其製造方法及其用途
JP2007118106A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及びその製造方法
US7226345B1 (en) 2005-12-09 2007-06-05 The Regents Of The University Of California CMP pad with designed surface features
JP2008290197A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び方法
JP2009088486A (ja) * 2007-08-29 2009-04-23 Applied Materials Inc 高スループット低形状銅ｃｍｐ処理
US7544115B2 (en) * 2007-09-20 2009-06-09 Novellus Systems, Inc. Chemical mechanical polishing assembly with altered polishing pad topographical components
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
CH709583B1 (de) 2011-12-31 2015-10-30 Saint Gobain Abrasives Inc Beschichtetes Schleifmittel.
US20140024299A1 (en) * 2012-07-19 2014-01-23 Wen-Chiang Tu Polishing Pad and Multi-Head Polishing System
KR102148050B1 (ko) * 2012-11-06 2020-10-14 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 오프셋 동심형 그루빙 패턴을 갖는 폴리싱 패드, 및 이로써 기판을 폴리싱하는 방법
TW201716182A (zh) * 2015-11-03 2017-05-16 力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 研磨裝置與研磨方法
US10625393B2 (en) * 2017-06-08 2020-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pads having offset circumferential grooves for improved removal rate and polishing uniformity

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2309016A (en) * 1942-02-09 1943-01-19 Norton Co Composite grinding wheel
US2451295A (en) * 1944-11-08 1948-10-12 Super Cut Abrasive wheel
GB939361A (en) * 1958-12-24 1963-10-16 Norton Co Abrasive product
US3841031A (en) * 1970-10-21 1974-10-15 Monsanto Co Process for polishing thin elements
SU602357A1 (ru) * 1975-01-10 1978-04-15 Московское Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Высшее Техническое Училище Им.Н.Э.Баумана Плоскодоводочный станок
US5020283A (en) * 1990-01-22 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Polishing pad with uniform abrasion
US5234867A (en) * 1992-05-27 1993-08-10 Micron Technology, Inc. Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad
US5329734A (en) * 1993-04-30 1994-07-19 Motorola, Inc. Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate
US5441598A (en) * 1993-12-16 1995-08-15 Motorola, Inc. Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate
US5503592A (en) * 1994-02-02 1996-04-02 Turbofan Ltd. Gemstone working apparatus
US5534106A (en) * 1994-07-26 1996-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for processing semiconductor wafers
US5605490A (en) * 1994-09-26 1997-02-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of polishing langasite
US5558563A (en) * 1995-02-23 1996-09-24 International Business Machines Corporation Method and apparatus for uniform polishing of a substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210035346A (ko) * 2013-10-18 2021-03-31 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 오프셋된 동심인 홈 패턴의 에지 제외 영역을 갖는 cmp 연마 패드

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10249710A (ja) 1998-09-22
US5842910A (en) 1998-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980079423A (ko) 반도체를 연마하기 위한 연마 패드 및 반도체 웨이퍼의 연마방법
KR100288410B1 (ko) 반도체웨이퍼용연마패드및반도체웨이퍼의연마방법
US6544373B2 (en) Polishing pad for a chemical mechanical polishing process
US6261958B1 (en) Method for performing chemical-mechanical polishing
KR100315722B1 (ko) 기판표면을평탄화하기위한연마기
US6238271B1 (en) Methods and apparatus for improved polishing of workpieces
KR100764988B1 (ko) 화학기계적연마장치에사용하기위한홈패턴을가지는연마패드 및 연마방법
US5679065A (en) Wafer carrier having carrier ring adapted for uniform chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
EP0874390B1 (en) Polishing method
US6857941B2 (en) Multi-phase polishing pad
US6010395A (en) Chemical-mechanical polishing apparatus
US20010019938A1 (en) Apparatus and methods for conditioning polishing pads in mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6663472B2 (en) Multiple step CMP polishing
US6273794B1 (en) Apparatus and method for grinding a semiconductor wafer surface
EP0806267A1 (en) Cross-hatched polishing pad for polishing substrates in a chemical mechanical polishing system
US6849547B2 (en) Apparatus and process for polishing a workpiece
KR980012155A (ko) 패드 컨디셔너
KR20050012586A (ko) 씨엠피 장치
US20060258269A1 (en) Wafer carrier and chemical mechanical polishing apparatus including the same
US20050118932A1 (en) Adjustable gap chemical mechanical polishing method and apparatus
KR20060030257A (ko) 반도체 소자 제조에 사용되는 화학적 기계적 연마 장치
EP1308243B1 (en) Polishing method
KR100392239B1 (ko) 연마방법 및 연마장치
KR20050008051A (ko) 연마 패드
KR20050005963A (ko) 씨엠피 장치의 연마 패드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee