KR19980070558A - ＳｎＯ2·ｘＨ2Ｏ 를 이용한 촉매 기재 바나듐 안티모네이트의제조법 - Google Patents
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Abstract
최종 촉매에서 포함되는 하기 원소의 화합물을 포함하는 소스 배치 재료의 혼합물의 수성 슬러리 제조 후, 혼합물을 건조 및 열하소하여 활성 촉매의 형성시키는 것을 특징으로 하는 하기 실험식으로 나타내는 원소 및 분율을 갖는 촉매의 제조 방법에 있어, 주석에 대한 소스 배치 재료는 하기 화학식으로 테트라알킬 암모늄 히드록시드내 SnO2·xH2O(식중, x ≥ 0)가 분산된 용액이고, 상기 슬러리를 건조하고 혼합물을 하소시키며 500 ℃ 이상의 상한 하소 온도로 하소하는 방법:
VSbmAaDdOx
[식중,
A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,
D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,
m 은 0.5 내지 10 이고,
a 는 0 초과 내지 10 이며,
d 는 0 내지 10 이고,
x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다]
(CnH2n+1)4NOH
[식중, 5 ≥ n ≥1].
Description
본 발명은 C3내지 C5파라핀 또는 올레핀의 촉매 암모산화로 유용한 주석 함유 바나듐-안티몬 산화물 촉매의 제조, 더욱 구체적으로 이의 대응 α,β-불포화 모노니트릴, 아크릴로니트릴 또는 메타크릴로니트릴에 대한 프로판 또는 이소부탄 또는 프로필렌 또는 이소부틸렌의 암모산화를 위한 촉매의 제조 방법에 관한 것이다. 게다가, 시아노피리딘, 이소프탈로니트릴 또는 프탈산 무수물에 대한 메틸피리딘, m-크실렌의 암모산화 또는 o-크실렌의 산화에서 각각 촉매를 사용할 수 있다.
더욱 구체적으로, 본 발명은 산화물 형태로 바나듐 및 안티몬 및 주석을 함유하는 촉매의 제조에서 주석에 대한 재제로서 테트라알킬 암모늄 히드록시드의 용액에서 분산된 SnO2·xH2O(식중, x ≥ 0)의 용도에 관한 것이다. 이들 형태의 촉매는 예를 들어 미국 특허 No. 3,681,421, 4,788,317, 5,008,427 및 1973 년 11월에 공개된 영국 특허설명서 1,336,136 에 기재되어 있다.
포화 C3및 C4알칸의 산화 및 암모산화, 특히 암모산화용 바나듐-안티몬 산화물 촉매에서 모든 주석원이 조촉매로서 동일한 효과가 있는 것은 아니다. 사실, 미국 특허 No. 5,214,016 및 EPO 691306-A1 은 주석원 조촉매는 완성 촉매의 성능 특성에 중요하다는 것을 교수한다. 고체 상태 반응이 촉매 선구물질 혼합물의 하소시 발생하는 경우 주석이 완전히 활성이 되기 위해 주석이 이런 촉매의 선구물질에서 미세분할 형태로 존재해야 한다는 것으로 믿어왔다. 산화주석 졸(sol)은 본 발명의 촉매 제조에서 적당한 원(源)이다(참조 미국 특허 No. 5,008,427). 그러나, 주석 금속과 질산의 반응에 의해 제조된 지반 산화주석 또는 산화주석은 촉매 제조에서 확실히 덜 효과적인 원이다. 현재 상용가능한 산화주석 졸이 효과적인 반면, 이것이 매우 값비싼 원이기 때문에, 심각한 단점을 지닌다.
현재 상용가능한 산화주석 졸의 사용을 피하면서 우수한 산화(특히 암모산화) 촉매 제조 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
촉매 선구물질에서 주석원으로서 현재 상용가능한 산화주석 졸의 사용과 비교하여 주석 성분에 대해 소량 소비로 이런 촉매를 제조하는 것이 본 발명의 또다른 목적이다.
본 발명의 다른 목적 뿐만 아니라, 측면, 특성 및 이점은 구체적인 예를 포함하는 명세서의 연구로부터 분명해질 것이다.
이전 및 다른 목적은 최종 촉매에서 포함되는 원소의 화합물을 포함하는 소스 배치(source batch) 재료의 혼합물의 수성 슬러리 제조 후, 혼합물을 건조 및 하소시켜 활성 촉매의 형성을 포함하는 산화물 상태에서 바나듐, 안티몬 및 주석을 함유하는 촉매의 제조 방법을 제공하는 것에 따라 본 발명에 의해 이룩될 것이며, 여기에서 주석에 대한 소스 배치 재료는 하기 화학식에 의해 정의된 테트라알킬 암모늄 히드록시드에서 분산된 SnO2·xH2O(식중, x ≥ 0)를 포함하는 용액이며 바람직하게는 테트라알킬 암모늄 히드록시드를 본 발명의 실제에서 이용한다:
(CnH2n+1)4NOH
[식중, 5 ≥ n ≥1].
V 및 Sb 의 임의의 적당한 유기 또는 무기 선구물질 화합물로부터 촉매를 제조할 수 있고, 종래 기술에 공지된 것과 같이, 염, 산화물, 히드록시드 또는 이런 원소의 메탈로유기 화합물의 하소 후 최종 촉매 속에 주석과 다른 선택적 원소를 도입하는데 사용되는 화합물은 미리 여기에서 기재된 것과 같은 테트라알킬 암모늄 히드록시드에서 분산된 SnO2·xH2O 용액의 형태로 이런 촉매의 제조를 위한 원료의 배치에 도입된다. 최종 촉매가 생성할 때까지 공지된 방식으로 선구물질 재료의 배치 혼합물을 가열하고 하소한다. 이런 조 소스 배치 재료의 예는 물론 여기 구체적 작업예에서 나타낸다.
촉매 제조를 위한 특히 효과적인 과정은 미국 특허 Nos. 4,784,979, 4,879,264, 3,860,534 및 5,094,989 에 기재되고, 여기에서 참고한다. 게다가, 미국 특허 Nos. 5,432,141 및 5,498,588 에 기재된 하나 이상의 방법에 의해 선택적으로 처리될 수 있고, 또한 여기에서 참고한다.
본 발명의 촉매 제조에서, 상한 하소 온도는 통상 500 ℃ 이상, 그러나 파라핀의 암모산화에 대해 이 온도는 바람직하게는 750 ℃ 이상, 가장 자주 780 ℃ 이상이다.
적당한 담체상에 촉매를 지지되지 않거나 지지될 수 있다. 바람직하게는 촉매를 실리카, 알루미나, 실리카 알루미나, 지르코니아 또는 이의 혼합물과 같은 담체상에 지지될 수 있다.
본 발명의 바람직한 방법은 최종 촉매에 포함되는 상기 원소의 화합물을 포함하는 소스 배치 재료의 혼합물의 수성 슬러리 제조 후, 혼합물을 건조 및 하소시켜 활성 촉매의 형성시키는 것을 특징으로 하는 하기 실험식으로 나타낸 원소 및 분율을 갖는 촉매의 제조 방법으로, 주석에 대한 소스 배치 재료는 하기 화학식의 테트라알킬 암모늄 히드록시드내 SnO2·xH2O(식중, x ≥ 0)가 분산된 용액이고, 상기 슬러리를 건조시키며 혼합물을 780 ℃ 이상의 상한 하소 온도로 하소하는 것이다:
VSbmAaDdOx
[식중,
A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,
D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,
m 은 0.5 내지 10 이고,
a 는 0 초과 내지 10 이며,
d 는 0 내지 10 이고,
x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다]
(CnH2n+1)4NOH
[식중, 5 ≥ n ≥1].
상한 하소 온도는 1200 ℃ 이하일 수 있지만, 가장 자주는 1050 ℃ 이하이다.
본 발명의 또다른 측면은 촉매와 반응 구역에서 상기 반응물의 촉매 접촉으로 분자 산소 및 암모니아 및 선택적으로 기체 희석제와 프로판 및 이소부탄으로부터 선택된 파리핀의 증기상에서 촉매 반응시켜 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴로부터 선택된 α,β-불포화 모노니트릴을 제조하는 방법을 제공하는 것이고, 상기 반응 구역에의 공급물은 상기 파라핀 대 NH3몰비가 2.5 내지 16(바람직하게는 4 내지 12, 특히 바람직하게는 5 내지 11 이다) 및 상기 파라핀 대 O2몰비가 1 내지 10(바람직하게는 2 내지 9, 특히 바람직하게는 3 내지 9 이다)을 포함하며, 상기 촉매는 이전 마지막 문단에서 인용한 실험 조성물을 갖고, 상기 촉매는 마지막 문단의 방법에 의해 제조된다.
시아노피리딘 및 이소프탈로니트릴에 대한 메틸피리딘 및 m-크실렌의 암모산화 또는 프탈산 무수물에 대한 o-크실렌의 산화에서 촉매를 또한 사용할 수 있다. NH3대 메틸피리딘 및 O2대 메틸피리딘의 몰비는 각각 1 내지 5 및 1 내지 10 이다. NH3대 m-크실렌 및 O2대 m-크실렌의 몰비는 각각 1 내지 5 및 1 내지 10 이다. 프탈산 무수물 반응에서, O2대 o-크실렌의 비율은 1 내지 10 범위이다.
본 발명의 방법에 의해 제조된 촉매를 암모니아 및 산소와 프로필렌 또는 이소부텐의 암모산화에서 또한 사용하여 아크릴로니트릴 또는 메타크릴로니트릴을 제조할 수 있다. 종래 기술에 공지된 종래 온도 및 조건하 이 반응에서 NH3대 올레핀의 몰비는 약 1 내지 5 범위일 수 있고 O2대 올레핀의 몰비는 1 내지 10 일 수 있다.
촉매를 제조하는 하기 실시예 및 이렇게 제조된 촉매를 이용하여 암모산화 반응은 단지 보기이고 어떤 식으로든 제한되지 않아야 한다.
실시예 1
2 리터 비이커에서 물 900 ml 용액에 V2O5분말 27.30 g 을 30 % H2O2100 ml 로 구성된 용액과 혼합하여 조성 VSb1.4Sn0.2Ti0.1Ox를 갖는 촉매(촉매 No. 17388-79)를 제조한다. V2O5분말의 반응을 종결한 후, Sb2O361.25 g 을 첨가한 후 TiO2분말 2.40 g(Degussa P-25)을 첨가한다. 비이커를 시계명으로 도포하고 혼합물을 약 3 시간 동안 교반가열한다. 분별 비이커에, SnO2·xH2O 10.3 g(Magnesium Elektron Inc. 산 주석 산화물, 1991년 7월 6일 수입)을 물 100 ml 및 테트라메틸 암모늄 히드록시드 25 wt% 용액 8 ml 에 첨가한다. 반투명 용액을 형성할 때까지 일정한 교반을 하면서 혼합물을 열판위에서 가열한다. 그 다음 이 주석 함유 분산액을 이전 바나듐, 안티몬, 티타늄 분산액에 첨가한다. 물 증발에 의해 부피를 감소시키기 위해 가열하면서 도포되지 않은 비이커에 혼합물을 교반한다. 혼합물을 더 이상 교반할 수 없을 때, 120 ℃ 오븐속에서 건조시킨다. 이후, 이것을 325 ℃ 에서 1 시간 그 다음 650 ℃ 에서 8 시간 동안 하소한 후, 냉각 및 분쇄 및 체거르기하고 20∼35 망입자를 수집한다. 이것의 한 부분을 820 ℃에서 3 시간 동안 하소한 후 추가 3 시간 동안 650 ℃에서 하소한다.
그 다음 조유리 글라스 프릿 깔떼기속에 촉매를 둠, 촉매위에 이소부탄올을 쏟아부음, 깔떼기 바닥위에 균일하게 촉메를 퍼뜨리기 위해 이소부탄올 속에 촉매의 교반 후, 이소부탄올을 흡입없이 깔떼기를 통과시킴에 의해 촉매 g 당 이소부탄올 약 6.25 ml 를 이용하여 하소된 촉매를 이소부탄올과 접촉시킨다. 이 세정을 전체 3 회 실시한다. 이소부탄올의 마지막을 깔떼기에 통과시킨 후, 촉매를 120 ℃ 오븐속에서 가열시켜 촉매상의 잔류 이소부탄올을 제거한다.
베드(bed) 반응기에 고정된 1/4″티타늄 U 관을 이용하여 프로판의 암모산화에 대해 촉매를 측정한다. 반응기에 기체 공급은 15 psig 압력에서 몰비 3 프로판/1 암모니아/2 산소/5 질소이다. 반응기 온도 490 ℃ 및 접촉 시간 1.4 초에서, 아크릴로니트릴의 선택도는 프로판 전환율 19.2 %에서 61.2 % 이다. 반응기 온도 495 ℃ 및 접촉 시간 1.4 초에서, 아크릴로니트릴의 선택도는 프로판 전환율 21.2 %에서 58.6 % 이다.
실시예 2
2 리터 비이커에서 물 900 ml 용액에 V2O5분말 27.30 g 을 30 % H2O2100 ml 로 구성된 용액과 혼합하여 조성 VSb1.4Sn0.2Ti0.1Ox를 갖는 촉매를 제조한다. V2O5분말의 반응을 종결한 후, Sb2O361.25 g 을 첨가한 후 TiO2분말 2.40 g(Degussa P-25)을 첨가한다. 비이커를 시계명으로 도포하고 혼합물을 약 3 시간 동안 교반가열한다. 분별 비이커에, SnO2·xH2O 10.3 g(Magnesium Elektron Inc. 산 주석 산화물, 1991년 7월 6일 수입)을 물 100 ml 및 테트라메틸 암모늄 히드록시드 25 wt% 용액 30 ml 에 첨가한다. 반투명 용액을 형성할 때까지 일정한 교반을 하면서 혼합물을 열판위에서 가열한다. 그 다음 이 주석 함유 분산액을 이전 바나듐, 안티몬, 티타늄 분산액에 첨가한다. 물 증발에 의해 부피를 감소시키기 위해 가열하면서 도포되지 않은 비이커에 혼합물을 교반한다. 혼합물을 더 이상 교반할 수 없을 때, 120 ℃ 오븐속에서 건조시킨다. 이후, 이것을 325 ℃ 에서 1 시간 그 다음 650 ℃ 에서 8 시간 동안 하소한 후, 냉각 및 분쇄 및 체거르기하고 20∼35 망입자를 수집한다. 이것의 한 부분을 820 ℃에서 3 시간 동안 하소한 후 추가 3 시간 동안 650 ℃에서 하소한다.
그 다음 조유리 글라스 프릿 깔떼기속에 촉매를 둠, 촉매위에 이소부탄올을 쏟아부음, 깔떼기 바닥위에 균일하게 촉메를 퍼뜨리기 위해 이소부탄올 속에 촉매를 교반 후, 이소부탄올을 흡입없이 깔떼기를 통과시킴에 의해 촉매 g 당 이소부탄올 약 6.25 ml 를 이용하여 하소된 촉매를 이소부탄올과 접촉시킨다. 이 세정을 전체 3 회 실시한다. 이소부탄올의 마지막을 깔떼기에 통과시킨 후, 촉매를 120 ℃ 오븐속에서 가열시켜 촉매상의 잔류 이소부탄올을 제거한다.
베드(bed) 반응기에 고정된 1/4″티타늄 U 관을 이용하여 프로판의 암모산화에 대해 촉매를 측정한다. 반응기에 기체 공급은 15 psig 압력에서 몰비 3 프로판/1 암모니아/2 산소/5 질소이다. 반응기 온도 495 ℃ 및 접촉 시간 2.4 초에서, 아크릴로니트릴의 선택도는 프로판 전환율 13.1 %에서 55.6 % 이다.
본 발명은 현재 상용가능한 산화주석 졸의 사용을 피하면서 우수한 산화(특히 암모산화) 촉매를 제공할 수 있고 촉매 선구물질에서 주석원으로서 현재 상용가능한 산화주석 졸의 사용과 비교하여 주석 성분에 대해 소량 소비로 이런 촉매를 제조하는 방법을 제공한다.
Claims (18)
- 최종 촉매에 포함되는 원소의 화합물을 포함하는 소스 배치(source batch) 재료의 혼합물의 수성 슬러리를 제조한 후, 혼합물을 건조 및 하소시켜 활성 촉매를 형성시키는 것을 특징으로 하는 산화물 상태로 바나듐, 안티몬 및 주석을 함유하는 촉매의 제조 방법에 있어, 주석에 대한 소스 배치 재료가 하기 화학식의 테트라알킬 암모늄 히드록시드내 SnO2·xH2O(식중, x ≥ 0)가 분산된 용액인 제조 방법:(CnH2n+1)4NOH[식중, 5 ≥ n ≥1].
- 제 1 항에 있어서, SnO2·xH2O 가 테트라메틸 암모늄 히드록시드에 분산되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 하소 온도는 500 ℃ 이상인 방법.
- 제 3 항에 있어서, 파라핀의 암모산화를 위한 하소 온도는 750 ℃ 이상인 방법.
- 제 3 항에 있어서, 하소 온도는 780 ℃ 이상인 방법.
- 제 1 항에 있어서, 촉매는 불활성 담체상에 지지되는 방법.
- 제 6 항에 있어서, 담체는 실리카, 알루미나, 실리카 알루미나, 지르코니아 또는 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
- 최종 촉매에 포함되는 원소의 화합물을 포함하는 소스 배치 재료의 혼합물의 수성 슬러리를 제조한 후, 혼합물을 건조 및 열하소하여 활성 촉매를 형성시키는 것을 특징으로 하는 하기 실험식으로 나타낸 원소 및 분율을 갖는 촉매의 제조 방법에 있어, 주석에 대한 소스 배치 재료가 하기 화학식의 테트라알킬 암모늄 히드록시드내 SnO2·xH2O(식중, x ≥ 0)가 분산된 용액이고, 상기 슬러리를 건조시켜 혼합물을 500 ℃ 이상의 상한 하소 온도로 하소하는 방법:VSbmAaDdOx[식중,A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,m 은 0.5 내지 10 이고,a 는 0 초과 내지 10 이며,d 는 0 내지 10 이고,x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다](CnH2n+1)4NOH[식중, 5 ≥ n ≥1].
- 제 8 항에 있어서, 하소 온도는 750 ℃ 이상인 방법.
- 제 9 항에 있어서, 하소 온도는 780 ℃ 이상인 방법.
- 제 8 항에 있어서, 촉매는 불활성 담체상에 지지되는 방법.
- 제 11 항에 있어서, 불활성 담체는 실리카, 알루미나, 실리카 알루미나, 지르코니아 또는 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
- 제 8 항에 있어서, SnO2·xH2O 는 테트라메틸 암모늄 히드록시드에 분산되는 방법.
- 제 1 항의 방법으로 제조된 하기 식을 갖는 촉매와 반응 구역에서 후술되는 반응물의 촉매 접촉으로 분자 산소 및 암모니아와 프로판 및 이소부탄으로부터 선택된 파리핀의 증기상에서 촉매 반응시켜, 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴로부터 선택된 α,β-불포화 모노니트릴을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응 구역에의 공급물은 상기 파라핀 대 NH3몰비가 2.5 내지 16 및 상기 파라핀 대 O2몰비가 1 내지 10 인 방법:VSbmAaDdOx[식중,A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,m 은 0.5 내지 10 이고,a 는 0 초과 내지 10 이며,d 는 0 내지 10 이고,x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다].
- 제 8 항의 방법으로 제조된 하기 식을 갖는 촉매와 반응 구역에서 후술되는 반응물의 촉매 접촉으로 분자 산소 및 암모니아와 프로판 및 이소부탄으로부터 선택된 파리핀의 증기상에서 촉매 반응시켜, 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴로부터 선택된 α,β-불포화 모노니트릴을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응 구역에의 공급물은 상기 파라핀 대 NH3몰비가 2.5 내지 16 및 상기 파라핀 대 O2몰비가 1 내지 10 인 방법:VSbmAaDdOx[식중,A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,m 은 0.5 내지 10 이고,a 는 0 초과 내지 10 이며,d 는 0 내지 10 이고,x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다].
- 제 1 항의 방법에 의해 제조된 하기 식을 갖는 촉매와 반응 구역에서 후술되는 반응물의 촉매 접촉으로 분자 산소 및 암모니아와 메틸피리딘 및 m-크실렌으로 이루어진 군으로부터 선택된 출발재료의 증기상에서 촉매 반응시켜 시아노피리딘 및 이소프탈로니트릴로 구성된 군으로부터 선택된 화합물을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응 구역에의 공급물은 NH3대 출발재료의 몰비가 1 내지 5 및 상기 O2대 출발재료의 몰비가 1 내지 10 인 방법:VSbmAaDdOx[식중,A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,m 은 0.5 내지 10 이고,a 는 0 초과 내지 10 이며,d 는 0 내지 10 이고,x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다].
- 제 1 항의 방법에 의해 제조된 하기 식을 갖는 촉매와 반응 구역에서 후술되는 반응물의 촉매 접촉으로 분자 산소와 o-크실렌의 증기상에서 촉매 반응시켜 o-크실렌으로부터 프탈산 무수물을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응 구역에의 공급물은 O2대 o-크실렌의 몰비가 1 내지 10 인 방법:VSbmAaDdOx[식중,A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,m 은 0.5 내지 10 이고,a 는 0 초과 내지 10 이며,d 는 0 내지 10 이고,x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다].
- 제 1 항의 방법에 의해 제조된 하기 식을 갖는 촉매와 반응 구역에서 후술되는 반응물의 촉매 접촉으로 기체를 함유하는 산소 및 암모니아와 프로필렌 및 이소부텐으로부터 선택된 올레핀의 증기상에서 촉매 반응시켜 아크릴로니트릴 및 메타크릴로니트릴로부터 선택된 α,β-불포화 모노니트릴을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응 구역에의 공급물은 암모니아 대 올레핀 몰비가 1 내지 5 및 산소 대 올레핀 몰비가 1 내지 10 인 방법:VSbmAaDdOx[식중,A 는 하나 이상의 Ti, Sn(Sn 은 항상 존재한다)이고,D 는 하나 이상의 Li, Mg, Ca, Sr, Ba, Co, Fe, Cr, Ga, Ni, Zn, Ge, Nb, Zr, Mo, W, Cu, Te, Ta, Se, Bi, Ce, In, As, B, Al 및 Mn 이며,m 은 0.5 내지 10 이고,a 는 0 초과 내지 10 이며,d 는 0 내지 10 이고,x 는 존재하는 양이온의 산화 상태에 의해 결정된다].
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