KR19980066527A

KR19980066527A - 터르비나핀의 제조방법

Info

Publication number: KR19980066527A
Application number: KR1019970002133A
Authority: KR
Inventors: 이석종; 이재호; 백경업; 박명환
Original assignee: 서치영; 주식회사 대웅제약
Priority date: 1997-01-25
Filing date: 1997-01-25
Publication date: 1998-10-15
Also published as: KR100203457B1

Abstract

본 발명은 항진균 활성이 우수한 다음 화학식 1로 표시되는 터르비나핀의 신규 제조방법에 관한 것이다.

[화학식 1]

Description

터르비나핀의 제조방법

상기 화학식 1로 표시되는 (E)-N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민 염산염(일명 터르비나핀이라함)은 공지 화합물로서 경구투여시에도 우수한 항진균 활성을 나타내고 독성이 거의 없는 것으로 알려져 있으며[Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 26(1987), 320], (E)-1,3-엔인 관능기를 가지고 있는 아릴아민 유도체이다. 반면에 상기 화학식 1로 표시되는 터르비나핀의 시스 이성질체인 (Z)-N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민은 항진균 활성을 나타내지 않는 부생성물로 알려져 있다.

상기 화학식 1로 표시되는 터르비나핀에 대한 제조방법은 1981년 이래로 다각적인 연구가 진행되었고, 그 대표적인 제조방법은 다음과 같다.

유럽특허 제 24587 호에서는 3,3-디메틸-1-부틴과 부틸리튬을 사용하여 아크롤레인에 1,2-부가반응시키고 브롬산 수용액으로 처리하여 이중결합의 기하학적 구조가 트란스(E)-와 시스(Z)-의 비율이 3 : 1인 혼합물로 1-브로모-6,6-디메틸-2-헵텐-4-인을 얻었고, 이를 염기조건하에서 나프탈렌메탄아민과 반응시켜 트란스(E)-이성질체인 터르비나핀과 이의 부생성물인 시스(Z)-이성질체의 비율이 3 : 1 비율로 혼합된 이성질체 혼합물을 얻었다. 상기 유럽특허에서는n-부틸리튬을 사용하고 있는 바, 이는 산업적인 대량생산에 이용하기에는 많은 어려움이 있고, 최종 생성물이 3 : 1의 이성질체 혼합물로 제조된다. 알려진 바로는 트란스(E)-와 시스(Z)-가 3 : 1 비율로 섞여있는 혼합물로부터 상기 화학식 1로 표시되는 터르비나핀의 분리수율이 43.5%이므로 전체 제조수율은 27%에 불과하다.

상기와 다른 제조방법으로서, 브로모아세틸렌 또는t-부틸부타디인을 출발물질로 하여 염화구리 존재하에서 나프탈렌메탄아민과 짝지음 반응(coupling)을 한 후, 과량(5당량)의 디이소부틸알루미늄 하이드라이드(DIBAL)를 사용하여 전체수율 32%로 터르비나핀을 얻었다[J. Med. Chem. 27(1984), 1539 ~ 1543]. 트란스-엔인이 46% 생성되고, 부생성물로서 트란스,시스-디엔이 19% 생성되었다. 또한, 이 제조방법에서는 구리착물, 알루미늄착물,n-부틸리튬을 사용하기 때문에 환경오염의 문제가 있으며 이를 공업화하기는 불가능하고, 부생성물이 다량 생성되므로 트란스(E)-이성질체만을 분리해내기는 매우 어렵다.

또다른 제조방법으로서, 3-브로모프로핀을 출발물질로 하고n-부틸리튬을 사용하여 나프탈렌메탄아민을 도입한 후, 시클로펜틸지르코늄 클로라이드와 요오드를 반응시켜 비닐 요오도 화합물을 만든 다음, 팔라듐 촉매하에서 3,3-디메틸-1-부틴일 트리부틸주석을 사용하여 전체 제조수율 58%로 터르비나핀을 제조하였다[Tetrahedron Lett. 29(1988), 1509 ~ 1512]. 이러한 제조방법에서는 고가의 시클로펜틸지르코늄 클로라이드를 사용하고, 팔라듐착물,n-부틸리튬과 주석 화합물을 사용하기 때문에 경제적인 합성방법이라 할 수 없을 뿐만 아니라 인체에 해로운 요오도 화합물을 사용하고 있어 산업상 이용에 많은 제약이 따른다.

또다른 제조방법으로서, 요오도프로파질 알코올을 출발물질로 하여 4단계 제조공정을 거쳐 전체수율 29%로 터르비나핀을 제조하였다[Bull. Korean Chem. Soc. 16(1995), 1002 ~ 1003]. 이 방법 역시 팔라듐 촉매, 요오드화 구리와 소디움 비스(2-메톡시에톡시)알루미늄 하이드라이드(REDAL) 등을 사용하기 때문에 공업화가 어려운 합성법이며, 그 제조수율도 매우 낮다.

또다른 제조방법으로서, (E)-1,3-디클로로프로펜을 출발물질로 하여 포타시움 요오도와 포타시움 카보네이트를 사용하여 나프탈렌메탄아민과 치환반응시킨 후, 팔라듐 착물과 요오드화 구리를 이용하여 3,3-디메틸-1-부틴과 짝지움 반응(coupling)하는 2단계 제조공정에 의해 전체수율 75%의 비교적 높은 수율로 터르비나핀을 합성하였다[Tetrahedron Lett. 37(1996), 57 ~ 58]. 그러나 이 방법에서 출발물질로 사용한 (E)-1,3-디클로로프로펜이 매우 고가의 화합물이며, 또한 팔라듐 착물과 요오드화 구리를 사용하기 때문에 공업적으로 사용하기에는 용이하지 않다.

상기에서 설명한 바와 같은 종래의 제조방법은 제조수율이 저조하고, 매우 고가의 물질을 출발물질로 사용하거나n-부틸리튬, 구리착물, 알루미늄착물, 주석착물, 팔라듐착물 등 중금속착물을 사용하기 때문에 환경오염 문제를 야기시킬 뿐만 아니라 공업적인 생산에 적용하기 어려운 반응으로 이루어져 있다.

본 발명에서는 터르비나핀의 대량 생산시 공업적인 문제가 없고, 값싸고 대량공급이 가능한 원료물질을 사용하여 최종 목적물인 터르비나핀의 합성단계에서 부생성물인 (Z)-이성질체의 생성을 극소화하여 높은 제조수율로 터르비나핀을 제조할 수 있는 경제적인 방법을 오랜기간 연구하므로써 본 발명을 완성하였다.

따라서 본 발명은 공업적인 대량생산에 유용한 터르비나핀의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 다음 화학식 1로 표시되는 터르비나핀의 제조방법에 있어서, 다음 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 다음 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 과정; 화학식 4와 화학식 5로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 6로 표시되는 화합물을 제조하는 과정; 그리고 화학식 6으로 표시되는 화합물을 제거반응(elemination reaction)시켜 다음 화학식 1로 표시되는 터르비나핀을 제조하는 과정으로 이루어진다.

화학식 1

상기 화학식들에서, Q는 할로겐원자, 메탄설포닐옥시기 또는p-톨루엔설포닐옥시기를 나타내고; L은 하이드록시, 메탄설포닐옥시기,p-톨루엔설포닐옥시기 또는 할로겐원자를 나타낸다.

또한, 본 발명에서 중간체 물질로 제조되는 상기 화학식 4 및 화학식 6으로 표시되는 화합물은 각각 신규 화합물이다.

이와같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따른 터르비나핀의 신규 제조방법에서는 손쉽게 대량구입이 가능한 상기 화학식 2로 표시되는 에폭시 화합물을 출발물질로 사용하고, 공업적으로 사용이 어려운n-부틸리튬 대신에 포타시움t-부톡사이드를 사용하며 팔라듐 착물, 구리 착물 등의 중금속 화합물을 전혀 사용하지 않고 제조수율도 높아 공업적인 대량생산에 유용하다.

또한, 목적 화합물을 합성하는 최종 제조단계에서는 부생성물의 생성을 최소화하여 전체수율이 크게 향상되었으며, 분리공정 역시 손쉽게 높은 수율로 진행할 수 있다.

본 발명에 따른 제조방법을 각 단계별로 자세히 나타내면 다음 반응식 1과 같다.

상기 반응식에서, Q는 할로겐원자, 메탄설포닐옥시기 또는p-톨루엔설포닐옥시기이고; Y는 메탄설포닐기 또는p-톨루엔설포닐기를 나타내고, X는 할로겐원자를 나타낸다.

먼저, 상기 화학식 2로 표시되는 에폭시 화합물과 화학식 3으로 표시되는 3,3-디메틸-1-부틴을 포타시움t-부톡사이드 염기와 테트라하이드로퓨란 용매하에서 -38 ~ 0℃ 온도로 반응시켜 상기 화학식 4로 표시되는 6,6-디메틸-1,2-에폭시-4-헵틴을 정량적인 수율로 얻는다.

상기에서 제조한 화학식 4로 표시되는 화합물과 상기 화학식 5로 표시되는 나프탈렌메탄아민 염산염을 트리에틸아민 염기와 톨루엔 용매하에서 60 ~ 80℃ 온도로 반응시켜 상기 화학식 6a로 표시되는 화합물을 70% 이상의 고수율로 얻는다.

다음은 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물로부터 본 발명에서 목적으로 하는 상기 화학식 1로 표시되는 터르비나핀을 제조하는 과정으로서, 상기 반응식 1에 나타낸 바와 같이 두가지 경로에 의해 목적물을 제조한다.

화학식 6a로 표시되는 아민알콜 화합물의 히드록시기 보호기(protecting group)로서 메탄설포닐기(메실기; Ms) 또는p-톨루엔설포닐기(토실기; tosyl)를 도입하여 화학식 6b로 표시되는 화합물을 얻고, 이를 포타시움t-부톡사이드 염기와 디메틸포름알데히드 용매하에서 -20 ~ 0℃ 온도로 제거반응(elemination reaction)시켜 목적으로 하는 화학식 1로 표시되는 터르비나핀을 얻을 수 있다.

또는, 상기 화학식 6c로 표시되는 할로겐 화합물은 상기 화학식 6a로 표시되는 아민알콜 화합물의 히드록시기를 아세토니트릴과 디에틸에테르 혼합용매 하에서 트리페닐포스핀, 이미다졸과 할로겐으로 처리하여 얻을 수 있을 뿐만 아니라 상기 화학식 6b로 표시되는 화합물을 아세톤 용매하에서 할로겐화나트륨으로 처리하여 얻을 수 있다. 상기 화학식 6c로 표시되는 할로겐 화합물은 포타시움t-부톡사이드 염기와 디메틸포름알데히드 용매하에서 -20 ~ 0℃ 온도로 제거반응(elemination reaction)시켜 목적으로 하는 화학식 1로 표시되는 터르비나핀을 얻을 수도 있다.

상기 화학식 6a로 표시되는 화합물에의 보호기 도입반응은 0 ~ 5℃ 온도에서 트리에틸아민 염기 존재하에서 메탄설포닐 할라이드 또는p-톨루엔설포닐 할라이드와의 반응에 의한 것으로 수율은 정량적이다. 상기 화학식 6a와 6b로 표시되는 화합물을 할로겐원자로 치환하여 상기 화학식 6c로 표시되는 화합물을 제조하는 반응은 85 ~ 95%의 고수율로 진행된다.

또한, 화학식 6b 또는 화학식 6c로 표시되는 화합물을 제거반응(elemination reaction)시켜 목적으로 하는 화학식 1로 표시되는 터르비나핀을 제조하는 반응에서 염기로는 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 피리딘 등의 트리알킬아민; 1,5-디아자비사이클로[4.3.0]논-5-엔(DBN), 1,8-디아자비사이클로[5.4.0]운데-7-엔(DBU) 등의 사이클릭아민; 소디움 메톡사이드, 소디움 에톡사이드, 소디움t-부톡사이드, 포타시움 메톡사이드, 포타시움 에톡사이드, 포타시움t-부톡사이드 등의 알콕사이드 무기염; 소디움 아마이드, 소디움 비스(트리메틸실릴)아마이드, 리튬 비스(트리메틸실릴)아마이드 등의 아마이드류 등이 사용될 수 있다. 제거반응 용매로는 벤젠, 톨루엔, 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름알데히드, 디메틸설폭사이드, 메탄올, 에탄올, 부탄올 등 반응에 영향을 미치지 않는 비활성 유기용매라면 모두 사용될 수 있다. 제거반응 온도는 사용되는 용매와 염기의 종류에 따라 달라질 수 있으며, 그 온도범위는 -78 ~ 100℃이다.

본 발명의 제조방법에 의해 제조된 반응생성물에 있어서, 터르비나핀과 부생성물로서 (Z)-이성질체의 생성몰비는 염기와 용매의 종류, 그리고 반응온도에 따라 다르다. 예컨대 화학식 6b로 표시되는 화합물은 디메틸포름알데히드 용매와 포타시움t-부톡사이드를 사용하여 -20℃에서 반응시켰을때 (E)/(Z)의 이성질체가 5/1 몰비로 생성되었다.

상기에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 터르비나핀의 제조방법에서는 구리, 팔라듐을 비롯한 중금속 화합물을 전혀 사용하고 있지 않고 온화한 반응조건으로 수행하여 고수율로 목적 화합물을 얻을 수 있는 신규 제조방법이다.

이와같은 본 발명을 다음의 실시예에 의거하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

실시예 1: 6,6-디메틸-1,2-에폭시-4-헵틴(화학식 4)의 제조

3,3-디메틸-1-부틴(4.1㎖, 33.3 mmol)을 테트라하이드로퓨란(40㎖)에 넣고, -20℃에서 포타시움t-부톡사이드(4.1g, 36.6 mmol)를 가하였다. 동일온도에서 30분동안 교반한 후, 글라시돌토실레이트(7.6g, 33.3 mmol)을 가하였다. 0℃에서 12시간동안 교반한 후, 암모늄 클로라이드 수용액을 가하였다. 반응용액에 에틸 아세테이트(200㎖)를 가하여 유기층을 분리한 후, 유기층을 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 감압농축한 결과, 정량적인 수율로 액상의 목적 화합물(5g)을 얻었다.

R_f: 0.6(10% 에틸 아세테이트/헥산)

¹H-NMR(300MHz, CDCl₃) ppm : δ 1.22(s, 9H), 2.40 ~ 2.47(m, 2H), 2.68(dd, 1H), 2.79(dd, 1H), 3.08 ~ 3.09(m, 1H)

실시예 2: 6,6-디메틸-1,2-에폭시-4-헵틴(화학식 4)의 제조

3,3-디메틸-1-부틴(0.41㎖, 3.33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(4㎖)에 넣고, -20℃에서 포타시움t-부톡사이드(0.41g, 3.66 mmol)을 가하였다. 동일온도에서 30분동안 교반한 후, 에피브로모히드린(0.43㎖, 3.36 mmol)을 가하였다. 0℃에서 12시간동안 교반한 후, 암모늄 클로라이드 수용액을 가하였다. 반응용액에 에틸 아세테이트를 가하여 유기층을 분리한 후, 유기층을 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 감압농축한 결과, 정량적인 수율로 액상의 목적 화합물(460㎎)을 얻었다.

실시예 3: 6,6-디메틸-1,2-에폭시-4-헵틴(화학식 4)의 제조

3,3-디메틸-1-부틴(0.41㎖, 3.33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(4㎖)에 넣고, -20℃에서 포타시움t-부톡사이드(0.41g, 3.66 mmol)을 가하였다. 동일온도에서 30분동안 교반한 후, 에피클로로히드린(0.26㎖, 3.33 mmol)을 가하였다. 0℃에서 12시간동안 교반한 후, 암모늄 클로라이드 수용액을 가하였다. 반응용액에 에틸 아세테이트를 가하여 유기층을 분리한 후, 유기층을 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 감압농축한 결과, 액상의 목적 화합물(400㎎, 수율 87%)을 얻었다.

실시예 4:N-(6,6-디메틸-2-하이드록시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(화학식 6a)의 제조

6,6-디메틸-1,2-에폭시-4-헵틴(1.33g, 9.63 mmol)과N-메틸-1-나프탈렌메탄아민·염산염(2g, 9.63 mmol)을 톨루엔(20㎖)에 녹인 후, 트리에틸아민(2.68㎖, 19.26 mmol)을 가하였다. 반응액을 80℃에서 6시간동안 교반한 후, 상온으로 냉각시킨 다음 에틸 아세테이트(50㎖)를 가하여 유기층을 분리한 후, 유기층을 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 감압농축한 결과, 고상의 목적 화합물(2.09g, 수율 72%)을 얻었다.

R_f: 0.1(10% 에틸 아세테이트/헥산)

녹는점 : 48 ~ 50℃

¹H-NMR(300MHz, CDCl₃) ppm : δ 1.20(s, 9H), 2.32(s, 3H), 2.40(dd, 1H), 2.47(dd, 1H), 3.78 ~ 3.83(m, 1H), 3.93(d, 1H), 4.10(d, 1H), 7.41 ~ 7.43(m, 2H), 7.49 ~ 7.55(m, 2H), 7.79 ~ 7.89(m, 2H), 8.23 ~ 8.24(m, 1H)

실시예 5:N-(6,6-디메틸-2-메탄설포닐옥시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(화학식 6b)의 제조

N-(6,6-디메틸-2-하이드록시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(330㎎, 1.07 mmol)을 디클로로메탄(5㎖)에 녹인 후, 0℃에서 트리에틸아민(0.22㎖, 1.61 mmol)과 메탄설포닐 클로라이드(0.09㎖, 1.18 mmol)을 가하였다. 동일온도에서 10분동안 교반하고 반응액에 디클로로메탄(20㎖)을 가한 후, 유기층을 소디움 바이카보네이트 수용액, 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 감압농축한 결과, 정량적인 수율로 액상의 목적 화합물(415㎎)을 얻었다.

R_f: 0.7(에틸 아세테이트/헥산=1/2)

¹H-NMR(300MHz, CDCl₃) ppm : δ 1.20(s, 9H), 2.35(s, 3H), 2.52 ~ 2.58(m, 2H), 2.80(dd, 1H), 2.88(dd, 1H), 3.94(d, 1H), 4.02(d, 1H), 4.62 ~ 4.73(m, 1H), 7.41 ~ 7.43(m, 2H), 7.52 ~ 7.55(m, 2H), 7.80 ~ 7.89(m, 2H), 8.28 ~ 8.29(m, 1H)

실시예 6:N-(6,6-디메틸-2-요오도-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(화학식 6c)의 제조

N-(6,6-디메틸-2-메탄설포닐옥시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(400㎎, 1.03 mmol)을 아세톤(3㎖)에 녹인 후, 요오도화나트륨(155㎎, 1.03 mmol)을 가하였다. 1시간동안 가열증류시킨 다음, 반응액을 실온으로 냉각시키고 불용성 물질을 여과한 후, 감압농축하여 액상의 목적 화합물(388㎎, 수율 90%)을 얻었다.

R_f: 0.7(10% 에틸 아세테이트/헥산)

¹H-NMR(300MHz, CDCl₃) ppm : δ 1.24(s, 9H), 2.23(s, 3H), 2.79(dd, 2H), 2.99(dd, 2H), 3.90(d, 1H), 4.09(d, 1H), 4.16 ~ 4.19(m, 1H), 7.42 ~ 7.45(m, 2H), 7.51 ~ 7.57(m, 2H), 7.80 ~ 7.89(m, 2H), 8.40 ~ 8.43(m, 1H)

실시예 7:N-(6,6-디메틸-2-요오도-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(화학식 6c)의 제조

N-(6,6-디메틸-2-하이드록시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(370㎎, 1.20 mmol)을 아세토니트릴(3㎖)과 디에틸에테르(5㎖)에 녹인 후, 0℃에서 트리페닐포스핀(422㎎, 1.61 mmol)과 이미다졸(112㎎, 1.64 mmol)을 가하였다. 동일온도에서 5분동안 교반한 후, 요오드(437㎎, 1.72 mmol)를 천천히 가하였다. 동일온도에서 45분동안 계속 교반한 다음, 반응액에 디에틸에테르(40㎖)를 가하고, 유기층을 소디움 티오설페이트 수용액, 황상구리 수용액과 물을 차례로 세척한 후, 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 감압농축하여 액상의 목적 화합물(433㎎, 수율 88%)을 얻었다.

실시예 8:N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(화학식 1)의 제조

N-(6,6-디메틸-2-메탄설포닐옥시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(400㎎, 1.03 mmol)을 디메틸포름아마이드(3㎖)에 녹인 후, -20℃에서 포타시움t-부톡사이드(139㎎, 1.13 mmol)를 가하였다. 30분동안 교반한 후, 0℃에서 암모늄 클로라이드 수용액(1㎖)과 에틸 아세테이트(10㎖)를 가하였다. 유기층을 분리한 후, 유기층을 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 여과하고 감압농축하여 고상의 목적 화합물(285㎎, 수율 95%)을 얻었다. 이 목적 화합물의E/Z비율을¹H-NMR로 측정한 결과 5/1 몰비이었다.

R_f:0.5(E-이성질체, 10% 에틸 아세테이트/헥산)

0.4(Z-이성질체, 10% 에틸 아세테이트/헥산)

¹H-NMR에 의한E/Z혼합물의 적분면적비율 :E/Z= 5/1

E-이성질체의¹H-NMR(300MHz, CDCl₃) ppm : δ

1.28(s, 9H), 2.25(s, 3H), 3.40(d, 2H), 3.92(s, 2H), 5.70(dt, 1H), 6.23(dt, 1H), 7.41 ~ 7.54(m, 4H), 7.78 ~ 7.81(m, 1H), 7.85 ~ 7.88(m, 1H), 8.28 ~ 8.31(m, 1H)

Z-이성질체의¹H-NMR(300MHz, CDCl₃) ppm : δ

1.28(s, 9H), 2.28(s, 3H), 3.50(d, 2H), 3.95(s, 2H), 5.70(dt, 1H), 6.23(dt, 1H), 7.41 ~ 7.54(m, 4H), 7.78 ~ 7.81(m, 1H), 7.85 ~ 7.88(m, 1H), 8.28 ~ 8.31(m, 1H)

실시예 9:N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(화학식 1)의 제조

N-(6,6-디메틸-2-요오도-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(380㎎, 0.906 mmol)을 디메틸포름아마이드(3㎖)에 녹인 후, -20℃에서 포타시움t-부톡사이드(111㎎)를 가하였다. 동일온도에서 1시간동안 교반한 후, 0℃에서 암모늄 클로라이드 수용액과 에틸 아세테이트를 가하였다. 유기층을 분리한 후, 유기층을 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 여과하고 감압농축하여 고상의 목적 화합물(237㎎, 수율 90%)을 얻었다. 이 목적 화합물의E/Z비율을¹H-NMR로 측정한 결과 4/1 몰비이었다.

실시예 10:N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(화학식 1)의 제조

N-(6,6-디메틸-2-메탄설포닐옥시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(400㎎, 1.03 mmol)을 테트라하이드로퓨란(5㎖)에 녹이고, -78℃에서 소디움 비스(트리메틸실릴)아마이드(208㎎, 1.13 mmol)를 가하였다. 동일온도에서 30분동안 교반한 후, -20℃에서 30분동안 계속 교반하였다. 반응액에 암모늄 클로라이드 수용액과 에틸 아세테이트를 가하였다. 유기층을 분리한 후, 유기층을 물과 소금물로 차례로 세척하고 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 여과하고 감압농축하여 고상의 목적 화합물(275㎎, 수율 91.7%)을 얻었다. 이 목적 화합물의E/Z비율을¹H-NMR로 측정한 결과 4/1 몰비이었다.

실시예 11:N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민 염산염(화학식 1)의 제조

N-(6,6-디메틸-2-메탄설포닐옥시-4-헵틴일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민(1.68g, 4.35 mmol)을 디메틸포름알데히드(10㎖)에 녹이고, -20℃에서 포타시움t-부톡사이드(585㎎, 5.22 mmol)를 가한 후 1시간동안 교반하였다. 반응액에 암모늄 클로라이드 수용액(5㎖), 에틸 아세테이트(50㎖) 및 물(50㎖)을 가하고, 유기층을 분리한 후, 마그네슘 설페이트로 건조하였다. 건조한 용액을 여과하고 감압농축하여E/Z비율이 5/1인N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민 혼합물(1.2g, 수율 95%)을 얻었다.

N-(6,6-디메틸-2-헵텐-4-인일)-N-메틸-1-나프탈렌메탄아민 혼합물을 에탄올(10㎖)에 녹인 다음, 3N 염산 수용액(1.4㎖)를 넣고 감압하에서 용매를 제거하였다. 생성된 고체는 이소프로판올(10㎖)과 디에틸에테르(25㎖)로 재결정하고 여과한 후, 25 ~ 30℃에서 2시간동안 감압건조하여 상기 목적 화합물(945㎎, 수율 70%)을 얻었다.

녹는점 : 194 ~ 196℃(문헌값: 195 ~ 198℃)

¹H-NMR(300MHz, CDCl₃) ppm : δ 1.23(s, 9H), 2.59(s, 3H), 3.87 ~ 3.96(m, 2H), 4.70 ~ 4.76(m, 1H), 4.80 ~ 4.85(m, 1H), 6.03(bd, 1H), 6.17 ~ 6.25(m, 1H), 7.57 ~ 7.67(m, 3H), 7.91(d, 1H), 8.01 ~ 8.07(m, 2H), 8.33(d, 1H), 10.81(s, 1H)

본 발명에 따른 제조방법에서는 원료물질로서 손쉽게 대량구입이 가능한 화합물을 사용하고, 공업적으로 사용이 어려운n-부틸리튬의 사용을 배제하고 대신에 포타시움t-부톡사이드를 사용하며 팔라듐 착물, 구리 착물 등의 중금속 화합물을 전혀 사용하지 않으면서도 제조수율이 높아 항진균 효과가 우수한 터르비나핀의 공업적인 대량생산에 유용하다.

Claims

다음 화학식 1로 표시되는 터르비나핀의 제조방법에 있어서,

다음 화학식 2와 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 다음 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 과정;

화학식 4와 화학식 5로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 6로 표시되는 화합물을 제조하는 과정; 그리고

화학식 6으로 표시되는 화합물을 제거반응(elemination reaction)시키는 것을 특징으로 하는 터르비나핀의 제조방법.

화학식 1

화학식 2

화학식 3

화학식 4

화학식 5

화학식 6

상기 화학식들에서,

Q는 할로겐원자, 메탄설포닐옥시기 또는p-톨루엔설포닐옥시기를 나타내고;

L은 하이드록시, 메탄설포닐옥시기,p-톨루엔설포닐옥시기 또는 할로겐원자를 나타낸다.
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물의 L 치환체가 하이드록시기인 화합물에 메탄설포닐옥시기 또는p-톨루엔설포닐옥시기를 도입하여 다음 화학식 6b로 표시되는 화합물로 전환시킨 후, 제거반응(elemination reaction)을 수행하는 것을 특징으로 하는 터르비나핀의 제조방법.

상기 화학식에서 Y는 메탄설포닐옥시기 또는p-톨루엔설포닐옥시기를 나타낸다.
제 1 항에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물의 L 치환체가 하이드록시기, 메탄설포닐옥시기 또는p-톨루엔설포닐옥시기인 화합물을 할로겐화 반응시켜 다음 화학식 6c로 표시되는 화합물로 전환시킨 후, 제거반응(elemination reaction)을 수행하는 것을 특징으로 하는 터르비나핀의 제조방법.

상기 화학식에서, X는 할로겐원자를 나타낸다.
제 1 항 내지 제 3 항중에서 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제거반응(elemination reaction)은 트리알킬아민, 사이클릭아민, 알콕사이드 무기염, 아마이드류 중에서 선택된 염기 존재하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 터르비나핀의 제조방법.
제 1 항 내지 제 3 항중에서 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제거반응(elemination reaction)은 벤젠, 톨루엔, 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름알데히드, 디메틸설폭사이드, 메탄올, 에탄올, 부탄올 중에서 선택된 비활성용매하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 터르비나핀의 제조방법.
제 1 항 내지 제 3 항중에서 선택된 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제거반응(elemination reaction)은 -78 ~ 100℃ 온도범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 터르비나핀의 제조방법.
다음 화학식 4로 표시되는 신규 화합물.

화학식 4
다음 화학식 6으로 표시되는 신규 화합물.

화학식 6

상기 화학식에서, L은 하이드록시, 메탄설포닐옥시기,p-톨루엔설포닐옥시기 또는 할로겐원자를 나타낸다.
제 8 항에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물의 치환기 L이 하이드록시기인 것임을 특징으로 하는 화합물.
제 8 항에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물의 치환기 L이 메탄설포닐옥시기인 것임을 특징으로 하는 화합물.
제 8 항에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물의 치환기 L이 요오도원자인 것임을 특징으로 하는 화합물.