KR19980056156A - Semiconductor package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 다수개의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼와 동일한 크기이며 전기적 연결 수단이 구비된 패턴 필름과, 상기 패턴 필름의 상·하에 부착되는 제1 및 제2반도체 칩과, 상기 패턴 필름의 단부에 접속되는 리드 프레임으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a semiconductor package, comprising: a pattern film having the same size as a wafer including a plurality of semiconductor chips and provided with an electrical connection means, first and second semiconductor chips attached to the top and bottom of the pattern film, and It consists of a lead frame connected to the edge part of a pattern film.
Description
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 특히, 대용량 및 소형화를 달성할 수 있는 스택 칩 패키지에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a stack chip package capable of achieving large capacity and miniaturization.
일반적으로, 집적회로가 형성된 각각의 반도체 칩은 조립공정으로 보내져서 칩절단, 칩부착, 와이어 본딩, 몰딩 및 트림/포밍 등의 공정을 거쳐 패키지화 되며, 이러한, 반도체 패키지는 반도체 칩의 외부로의 신호 전달 경로인 리드 프레임의 아웃 리드가 하나의 칩을 에폭시 수지와 같은 모딩 컴파운드로 몰딩한 패키지 몸체의 외측으로 돌출된 형상을 하고 있다.In general, each semiconductor chip on which an integrated circuit is formed is sent to an assembly process and packaged through a process such as chip cutting, chip attaching, wire bonding, molding, and trimming / forming. The out lead of the lead frame, which is a signal transmission path, has a shape protruding to the outside of the package body in which one chip is molded with a molding compound such as an epoxy resin.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로써, 리드 프레임의 패들(2a) 상에 반도체 칩(1)이 접착제(3)에 의해 부착되고, 상기 반도체 칩(1)은 금속 와이어(4)에 의해 리드 프레임의 인너 리드(2b)와 전기적으로 접속되며, 상기 반도체 칩(1), 인너 리드(2b) 및 금속 와이어(4)를 포함하는 일정 면적이 몰딩 컴파운드에 의해 밀봉되어 패키지 몸체(5)가 형성된다. 이후에 패키지 몸체(5)의 외측으로 돌출되어 있는 상기 리드 프레임의 아웃 리드(2c)를 소정의 형태를 갖도록 하는 트림/포밍 공정이 실시된다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to the related art, in which a semiconductor chip 1 is attached by an adhesive 3 to a paddle 2a of a lead frame, and the semiconductor chip 1 is formed of a metal wire ( 4) is electrically connected to the inner lead 2b of the lead frame, and a predetermined area including the semiconductor chip 1, the inner lead 2b, and the metal wire 4 is sealed by a molding compound to seal the package body. (5) is formed. Subsequently, a trim / forming process is performed in which the out lead 2c of the lead frame protruding outward of the package body 5 has a predetermined shape.
그러나, 상기와 같은 반도체 패키지는 하나의 반도체 칩만을 내장하기 때문에 그의 용량을 확장시키는데 한계가 있으며, 두개 이상의 칩을 내장하기 위해서는 리드 프레임의 패들을 크게해야 하기 때문에 반도체 패키지의 크기가 증가되는 문제점이 있다.However, the semiconductor package as described above has a limitation in expanding its capacity since only one semiconductor chip is embedded, and in order to embed two or more chips, the size of the semiconductor package is increased because the paddle of the lead frame must be large. have.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 또 다른 방법으로, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은, COCB(Chip On Chip Board grid array) 반도체 패키지가 이용되고 있다.Therefore, as another method for solving the above problems, a chip on chip board grid array (COCB) semiconductor package, as shown in FIGS. 2 and 3, is used.
도 2는 패턴 필름을 이용한 COCB 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로써, 소정 형태의 전기적 패턴이 형성된 패턴 필름(11)의 상·하에 제1반도체 칩(12) 및 제2반도체 칩(13)이 부착되고, 상기 패턴 필름(11)의 단부에 인접한 부분에 상기 제1 및 제2반도체 칩(12,13)과 외부로의 전기적 신호 전달 경로를 이루는 리드 프레임(14)이 접속된다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a COCB semiconductor package using a pattern film, wherein the first semiconductor chip 12 and the second semiconductor chip 13 are attached to the upper and lower portions of the pattern film 11 on which a predetermined electrical pattern is formed. The lead frame 14, which forms an electrical signal transmission path to the outside, is connected to the first and second semiconductor chips 12 and 13 at a portion adjacent to an end portion of the pattern film 11.
도 3은 솔더 볼(solder ball)을 이용한 COCB 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도로써, 패턴 필름(11)의 상·하에 제1반도체 칩(12) 및 제2반도체 칩(13)이 부착되고, 상기 패턴 필름(11)은 솔더 볼(14)에 의해 상기 제1 및 제2반도체 칩(12,13)과 외부로의 전기적 신호 전달 경로를 이루는 리드 프레임의 인너 리드(15)와 접속되며, 상기 패턴 필름(11) 및 그의 상·하에 부착된 제1 및 제2반도체 칩(12,13)과 상기 리드 프레임의 인너 리드(15)를 포함하는 일정 면적이 몰딩 컴파운드에 의해 밀봉되어 패키지 몸체(16)가 형성된다.3 is a cross-sectional view illustrating a COCB semiconductor package using solder balls, in which a first semiconductor chip 12 and a second semiconductor chip 13 are attached to upper and lower portions of the pattern film 11. The pattern film 11 is connected to the inner lead 15 of the lead frame which forms an electrical signal transmission path to the outside with the first and second semiconductor chips 12 and 13 by the solder balls 14, and the pattern A predetermined area including the film 11 and the first and second semiconductor chips 12 and 13 attached to the upper and lower portions thereof and the inner lead 15 of the lead frame is sealed by the molding compound so as to package the body 16. Is formed.
그러나, 상기와 같은 종래 기술은, 반도체 칩의 크기보다 더 큰 패턴 필름 상에 반도체 칩을 부착하기 때문에 패키지의 크기가 커지게 되는 결점이 있으며, 반도체 패키지를 형성하기 위해서는 웨이퍼 상태로는 공정이 불가능한 문제점이 있다.However, the prior art as described above has a drawback in that the size of the package is increased because the semiconductor chip is attached onto a pattern film larger than the size of the semiconductor chip. In order to form the semiconductor package, it is impossible to process the wafer in a wafer state. There is a problem.
또한, 솔더 볼을 이용하는 경우는 패키지의 두께가 증가하게 되고, 인너 리드 및 아웃 리드의 사용으로 인하여 전기적 신호의 지연 현상이 발생하게 되는 문제점이 있었다.In addition, in the case of using the solder ball, the thickness of the package increases, and there is a problem in that a delay of an electrical signal occurs due to the use of the inner lead and the out lead.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 웨이퍼와 동일한 크기이며, 상기 웨이퍼의 스크라이브 라인과 동일한 위치에 전기적 연결 수단을 갖는 패턴 필름을 사용함으로써, 웨이퍼 상태로 공정이 가능하며, 소형화 및 용량 증가를 달성할 수 있는 반도체 패키지를 제공하는 곳을 목적으로 한다.Therefore, in order to solve the above problems, by using a pattern film having the same size as the wafer and having an electrical connection means at the same position as the scribe line of the wafer, the present invention can be processed in a wafer state, miniaturized and It is an object of the present invention to provide a semiconductor package capable of achieving an increase in capacity.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 공정 단면도.1 is a cross-sectional view for explaining a semiconductor package according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 COCB 바도체 패키지를 설명하기 위한 공정 단면도.Figure 2 is a process cross-sectional view for explaining a COCB bar conductor package according to the prior art.
도 3은 종래 기술에 따른 솔더 볼을 이용한 COCB 반도체 패키지를 설명하기 위한 공정 단면도.Figure 3 is a process cross-sectional view for explaining a COCB semiconductor package using a solder ball according to the prior art.
도 4는 본 발명에 따른 패턴 필름을 설명하기 위한 평면도.4 is a plan view for explaining a pattern film according to the present invention.
도 5A 및 도 5B는 상기 도 4의 A부분에 대한 상세도.5A and 5B are detailed views of portion A of FIG.
도 6A 내지 도 6C는 본 발명에 따른 COCB 반도체 패키지를 설명하기 위한 공정 단면도.6A to 6C are cross-sectional views illustrating a COCB semiconductor package according to the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 설명하기 위한 단면도.7 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
20,31:패턴 필름21:스크라이브 라인20,31: pattern film 21: scribe line
22:홈23:금속 배선22: groove 23: metal wiring
32:제1웨이퍼33:제2웨이퍼32: first wafer 33: second wafer
34:제1반도체 칩35:제2반도체 칩34: first semiconductor chip 35: second semiconductor chip
36:솔더 볼37:리드 프레임36: solder ball 37: lead frame
38:꺽쇠 형태의 리드 프레임40:반도체 패키지38: cramped lead frame 40: semiconductor package
50:스택형 반도체 패키지50: stack type semiconductor package
상기와 같은 목적은, 다수개의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼와 동일한 크기이며 전기적 연결 수단이 구비된 패턴 필름과, 상기 패턴 필름의 상·하에 부착되는 제1 및 제2반도체 칩과, 상기 패턴 필름의 단부에 접속되는 리드 프레임으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 반도체 패키지에 의하여 달성된다.The above object is a pattern film having the same size as a wafer including a plurality of semiconductor chips and provided with an electrical connection means, first and second semiconductor chips attached to the top and bottom of the pattern film, and the pattern film. It is achieved by a semiconductor package according to the invention, characterized in that it consists of a lead frame connected to an end.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 상태로 패키지 공정을 수행할 수 있기 때문에 웨이퍼의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 패턴 필름의 단부에 솔더 볼을 이용하여 리드 프레임과 바로 연결하기 때문에 패키지의 크기를 감소시킬 수 있다.According to the present invention, since the package process can be performed in a wafer state, the efficiency of the wafer can be improved, and the size of the package can be reduced since the solder ball is directly connected to the lead frame at the end of the pattern film. .
[실시예]EXAMPLE
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 패턴 필름을 설명하기 위한 평면도로써, 다수개의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼와 동일한 크기의 패턴 필름(20)을 제조한다.4 is a plan view illustrating a pattern film according to the present invention, and manufactures a pattern film 20 having the same size as a wafer including a plurality of semiconductor chips.
도 5A 및 도 5B는 상기 도 4의 A 부분에 대한 상세도로써, 도5A에 도시된 바와 같이, 식각 공정을 통해 웨이퍼의 스크라이브 라인(21)과 동일한 위치에 전기적 연결이 가능한 다수개의 홈(22)이 형성되고, 도 5B에 도시된 바와 같이, 상기 패턴 필름의 홈(22)의 벽면 부위는 전기적으로 도통되도록 제작되고, 또한 홈(22) 부분에 내부 금속 배선(23)이 접속된다.5A and 5B are detailed views of the portion A of FIG. 4, and as shown in FIG. 5A, a plurality of grooves 22 are electrically connected to the same positions as the scribe lines 21 of the wafer through an etching process. Is formed, and as shown in Fig. 5B, the wall surface portion of the groove 22 of the pattern film is made to be electrically conductive, and the internal metal wiring 23 is connected to the groove 22 portion.
도 6A 내지 도 6C는 본 발명에 따른 COCB 반도체 패키지를 설명하기 위한 공정 단면도로써, 먼저, 도 6A를 참조하면, 상기 패턴 필름(31)의 상·하부면에 범핑(bumping) 공정을 통해 다수개의 반도체 칩을 포함하는 제1 및 제2웨이퍼(32,33)를 각각 부착한다. 이때, 상기 제1 및 제2웨이퍼(32,33)는 그의 스크라이브 라인과 상기 패턴 필름(31)의 홈(도시되지 않음)들이 동일한 위치가 되도록 부착된다.6A through 6C are cross-sectional views illustrating a COCB semiconductor package according to the present invention. First, referring to FIG. 6A, a plurality of upper and lower surfaces of the pattern film 31 may be bumped. First and second wafers 32 and 33 including semiconductor chips are attached, respectively. At this time, the first and second wafers 32 and 33 are attached so that their scribe lines and the grooves (not shown) of the pattern film 31 are in the same position.
도 6B를 참조하면, 상기 패턴 필름(31) 및 그의 상·하부면에 부착된 제1 및 제2웨이퍼(32,33)들을 스크라이브 라인을 따라 절단한다. 이 결과, 제1 및 제2반도체 칩(34,35) 사이에 그와 동일한 크기의 패턴 필름(31)이 개재되어 있는 형태가 되며, 상기 패턴 필름(31)의 단부에 전기적 연결 수단인 홈(도시되지 않음)이 반원의 형태로 노출된다.Referring to FIG. 6B, the pattern film 31 and the first and second wafers 32 and 33 attached to the upper and lower surfaces thereof are cut along the scribe line. As a result, a pattern film 31 having the same size is interposed between the first and second semiconductor chips 34 and 35, and a groove (which is an electrical connection means at an end of the pattern film 31) is formed. Not shown) is exposed in the form of a semicircle.
도 6C를 참조하면, 반원의 형태로 노출된 패턴 필름(31)의 홈에 솔더 볼(36)을 형성하고, 상기 솔더 볼(36)을 이용하여 상기 패턴 필름(31)과 리드 프레임(37)을 접속시켜 반도체 패키지(40)를 형성한다.Referring to FIG. 6C, solder balls 36 are formed in the grooves of the pattern film 31 exposed in the form of a semicircle, and the pattern film 31 and the lead frame 37 are formed using the solder balls 36. Are connected to form the semiconductor package 40.
도 7은 본 발명의 다른 실시예로써, 상기 도 6C의 결과물인 패턴 필름(31)의 반원의 형태로 노출된 홈에 솔더 볼(36)을 형성한 후, 패턴 필름(31) 및 그의 상·하부면에 부착된 제1 및 제2반도체 칩(34,35)의 단부와 상기 솔더 볼(36)을 감싸도록 꺽쇠 형태의 리드 프레임(38)을 제조한 후, 상기 솔더 볼(36)과 꺽쇠 형태의 리드 프레임(38)을 접속하여 제1반도체 패키지를 형성하고, 이어서, 상기 제1반도체 패키지와 동일한 형태의 제2반도체 패키지를 형성하고, 각각의 리드 프레임을 접속시켜 스택형 반도체 패키지(50)를 형성한다.FIG. 7 is a view showing another embodiment of the present invention, after the solder balls 36 are formed in the exposed grooves in the form of a semicircle of the resultant pattern film 31 of FIG. After manufacturing the lead frame 38 in the shape of a bracket to surround the ends of the first and second semiconductor chips 34 and 35 attached to the lower surface and the solder ball 36, the solder ball 36 and the bracket The first semiconductor package is formed by connecting the lead frames 38 of the shape, and then a second semiconductor package having the same shape as that of the first semiconductor package is formed, and the respective lead frames are connected to each other to form the stacked semiconductor package 50. ).
이상에서와 같이, 본 발명의 반도체 패키지는 웨이퍼 상태로 패키지 공정을 수행할 수 있기 때문에 공정이 간소화되고, 상기 웨이퍼를 반도체 칩의 크기 만큼을 절단하여 패키지를 제조하기 때문에 웨이퍼의 효율성을 향상시킬 수 있으며, 패턴 필름의 단부에 솔더 볼을 이용하여 리드 프레임과 바로 연결하기 때문에 패키지의 크기를 감소시킬 수 있다.As described above, since the semiconductor package of the present invention can perform a package process in a wafer state, the process is simplified, and the wafer is cut by the size of a semiconductor chip to manufacture a package, thereby improving wafer efficiency. In addition, since the solder ball is directly connected to the lead frame at the end of the pattern film, the size of the package can be reduced.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960075420A KR19980056156A (en) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | Semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960075420A KR19980056156A (en) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | Semiconductor package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR19980056156A true KR19980056156A (en) | 1998-09-25 |
Family
ID=66395609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960075420A KR19980056156A (en) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | Semiconductor package |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR19980056156A (en) |
-
1996
- 1996-12-28 KR KR1019960075420A patent/KR19980056156A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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