KR19980042712A - 다중가스입구 및 별도의 매스플로우 제어루프를 갖는 반응챔버용 분배판 - Google Patents

다중가스입구 및 별도의 매스플로우 제어루프를 갖는 반응챔버용 분배판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반응챔버에 장착되는 기판에 걸친 반응물질 가스들을 분해하기 위한 장치이다. 이 장치는 기상증착 및 에칭공정에서 사용될 수 있다. 이 장치는 가스고갈에 의해 초래되는 웨이퍼의 가장자리에서의 기상증착 및 에칭의 불균일성의 문제점을 보상한다. 연장된 다수의 개구를 갖는 가스분배판은 반응챔버의 내표면에 부착된다. 적어도 하나의 진공 밀폐된 칸막이는 가스분배판의 표면과 챔버의 내표면 사이에 배치된다. 칸막이는 판과 가스분배영역으로의 반응챔버 사이의 공간을 분할한다. 가스입구는 각 가스분배 영역으로 연결된다. 각 가스입구라인은 각 가스분배 영역으로의 가스유동을 조정하는 적어도 하나의 매스 유동 제어기를 가지고 있다. 매스 유동 제어기가 사용되어, 기판의 표면을 가로지르는 화학기상증착 및 에칭의 균일한 비율을 보증하게 된다.

Description

다중가스입구 및 별도의 매스플로우 제어루프를 갖는 반응챔버용 분배판
본 발명은 화학기상증착 및 드라이에칭을 위한 반응챔버에 관한 것이다. 본 발명은 특히 반응챔버 내의 가스고갈을 방지하기 위한 개선된 장치에 관한 것이다.
특히, 화학기상증착 및 건조 에칭기술은 반도체 기술의 제조에서 사용되어, 실리콘 이산화물 및 반도체 기판 상의 물질과 같은 다른 물질의 증착 또는 에칭층으로 회로를 집적하게 된다. 화학기상증착은 반사 또는 반-반사 코팅부를 광학장치로 분할하기 위해 사용된다. 기구 장치에서는, 화학기상증착이 채용되어 내마모 코팅부를 분할하게 되고 또는 강성을 증가시키거나 마찰력을 감소시키는 코팅부를 분할하게 된다. 화학장치에서는, 기상증착이 사용되어 확산방지 장벽을 생성하여 산화 또는 부식을 방지하도록 되어 있다.
이 기술에서 주지된 바와 같이, 화학기상증착 및 에칭기술은 일련의 연속 단계들을 포함하고 있다. 첫째, 기체 또는 기체물질의 소스가 제공된다. 고체 또는 액체 상태이 물질이 사용되더라도, 만약 처음에 기화된다면, 기체물질의 소스는 기체이거나 가스이다. 다음으로, 물질이 기판으로 전달된다면, 전달 단계는 부분 진공 또는 높은 진공 상태에서 발생할 수 있다. 전달 단계에서는, 기판 위에서의 불균일한 도착비율이 중요하게 고려된다. 만약 공정의 이 단계가 적절하게 제어되지 않는다면, 기판에 걸친 불균일한 막 두께에 의해 결함부가 만들어질 수 있다. 다음 단계는 에칭막의 증착을 발생시키는 기판과 함께 화학기체의 반응이다. 기판은 종종 가열되어 기체에 대한 기판의 반응도를 증가시킴으로써, 공정을 용이하게 한다. 반응물질은 가열된 기판 표면 위에서 유동하여 기판 표면에서 반응하여 막을 증착하거나 표면을 에칭하게 된다.
단일 웨이퍼 장치(예를 들어, 규소 기판 웨이퍼의 증착을 위한 장치)에서는, 다른 효과 및 특정 가스고갈에 의해, 이미 언급한 바와 같이, 기판의 표면에 걸친 불균일성이 유도된다. 이들 불균일성은 막증착의 차이 정도 또는 가장자리와 비교하여 기판의 중앙 근처에서 에칭에 의해 종종 분명하게 된다. 이러한 효과는 기판의 직경이 증가함에 따라 점점 더 심해지게 된다. 이러한 효과는, 직격이 300 mm 에 근접하거나 초과하는 규소 웨이퍼 기판이 사용될 때, 특히 두드러진다. 막 증착 또는 에칭의 불균일성은 다양한 문제점을 야기할 수 있다. 예를 들어, 반도체 및 접적회로의 제조에서, 그런 불균일성에 의해, 장치가 그 기능을 발휘하지 않거나 최적의 결과보다 더 낮은 기능을 발휘하게 될 수 있다. 종래기술은 기판의 표면에서 불균일한 막증착 또는 에칭의 문제점에 대한 다양한 해결책을 제공하였다. 하나의 해결책은, 다른 가스분배판 또는 포커스 링을 사용하여 불균일한 막증착 또는 에칭을 보상하는 것이다. 이렇게 접근하게 됨으로써, 정확한 가스분배판 또는 특정 공정을 위한 포커스 링을 얻는 것이 시간 소모가 심하고 비용이 많이 든다는 불이익이 있다. 이러한 접근법은 반응챔버 내의 하드웨어가 교체되기 때문에, 시간소모가 심하다. 게다가, 특정 공정을 위한 적절한 가스분배판이 다른 공정에는 적절하지 않을 수 있다. 결과적으로, 다른 공정에 대해 같은 시스템을 사용하기 위해, 사용자는 가격이 비싼 다운 타임을 생산하는 가스분배판을 교환해야만 한다.
본 발명의 목적은, 기판의 표면을 가로지르는 증착된 막의 불균일성을 최소화하고 포커스 링을 사용하지 않고 가스분배판을 교환할 필요가 없는 화학기상증착 및 건조 에칭을 위한 개선된 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 화학기상증착 및 에칭장치의 단면도,
도 2는 본 발명의 화학기상증착 및 에칭장치의 가스분배판의 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
12 : 반응챔버 14 : 챔버 벽
16 : 진공챔버 18 : 도어
24 : 가스분배판 32 : 칸막이
34, 36 : 가스분배영역 38, 40 : 가스라인
42 : 가스유동조절기 44 : 기판
본 발명은 반응챔버 내에 장착되는 기판에 걸친 반응물질 가스를 분배하기 위한 장치이다. 그 장치는 화학기상증착 및 에칭공정에서 사용될 수 있다. 장치는 가스고갈에 의해 초래되는 웨이퍼의 가장자리에서 기상증착 및 에칭의 불균일의 문제점을 보상하는 것이다. 연장되는 다수의 개구를 가지고 있는 가스분배판은 반응챔버의 내표면에 부착되어 있다. 적어도 하나의 기밀 칸막이가 가스분배판의표면과 챔버의 내표면 사이에 배치되어 있다. 칸막이는 판과 반응챔버 사이의 공간을 가스분배영역으로 분할한다. 가스입구라인은 각 가스분배영역으로 연결된다. 각 가스입구라인은 각 가스분배영역으로의 가스유동을 조정하는 적어도 하나의 매스 유동 제어기를 가지고 있다. 매스 유동 제어기가 사용되어, 기판의 표면을 가로질러 화학기상증착 또는 에칭의 불균일한 비율을 안전하게 한다.
이하 첨부도면을 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1에는, 본 발명의 화학기상증착 또는 건조 에칭장치(10)이 도시되어 있다. 기술분야에서 주지된 바와 같이, 부분 진공 또는 고진공 상태로 화학기상증착 및 에칭을 수행하는 것은 바람직하다. 그래서, 상기 장치는 낮은 대기압으로 방출될 수 있는 강성의 강체물질로 구성되는 챔버 벽(14)을 갖는 반응 챔버(12)를 포함하고 있다. 부분 진공 또는 고진공이 요구되는 장치들에서는, 진공펌프(16)는 챔버(12)의 내부에 연결된다. 반응챔버의 내부로의 접근을 용이하게 하기 위해, 제거가능한 도어 또는 해치(18)가 제공된다. 도어(18)는 고정부재(20)에 의하여 챔버벽(14)에 견고하게 고정된다. 진공 실(seal)(22)은 도어(18)와 챔버 벽(14) 사이에 위치하여, 챔버(12)가 기밀되어 방출할 수 있게 된다. 도시 윈도우(23)는 챔버의 내부와 가시적으로 접촉하도록 제공될 수 있다.
도 1과 결합된 도 2를 참조로 하면, 가스분배판(24)이 제공되어 부착되는 스크루, 리벳 또는 다른 부착물과 같은 고정부재를 통해 기상증착 챔버(12)의 내표면에 부착된다. 도 1의 바람직한 실시예에서 도시된 바와 같이, 가스분배판(24)은 챔버(12)의 도어(18)의 내표면에 부착되고, 챔버의 다른 내표면에 부착된다. 도시된 실시예에서는, 고정부재(26)는 가스분배판(24) 상의 고정부재공(28)을 통해 놓여지고, 가스분배판(24)을 도어(18)에 부착하게 된다. 가스분배판(24)은 상부 및 하부표면을 갖는 평평한 구조이다. 바람직한 실시예에서는, 가스분배판(24)은 원형이고, 챔버의 형상에 따라서 직사각형 또는 다른 형상으로 될 수 있다. 가스분배판(24)은 관통되는 다수의 개구(30)를 가지고 있다. 도 2는 일련의 동심원으로 배치되는 개구(30)를 도시하고 있고, 기판(44)에 걸친 요구되는 기체 분배를 제공하는 다른 장치들은 본 발명의 영역 내에 있다. 가스 기밀 칸막이(32)는 가스분배판(24)의 정상 표면과 반응챔버의 도어(18)의 내표면 사이에 배치된다. 칸막이(32)는 두 개의 가스분배 영역(34, 36)을 형성하게 된다. 도 1에서는, 두 개의 점선이 두 개의 가스 분배 영역(34, 36) 사이의 분할을 도시하고 있다. 도 1은 두 개의 가스분배 영역(34, 36)을 생성하는 하나의 칸막이(32)를 도시하고 있고, 다중 칸막이가 제공됨으로써 3개 이상의 가스분배 영역을 형성할 수 있게 된다. 바람직한 실시예에서는, 칸막이 고무 O-링의 형태로 이루어지나, 다른 형태의 칸막이 구조도 또한 가능하다. 더욱이, 칸막이는 원형이야할 필요가 없다. 다른 형상의 칸막이도, 기판에 걸친 균일한 반응율을 확실하게 하는 방식으로 가스를 분배하는 한, 사용될 수 있다. 균일한 반응율은, 화학기상증착 공정에서의 균일한 성장률과 건조 에칭공정에서의 균일한 제거율 때문에, 바람직하다. 균일한 반응율은, 기판에 걸친 가스를 균일하게 분배함으로써 이상적인 조건 하에서 생산된다. 그러나, 불균일한 온도 또는 압력 지수와 같은 요소 때문에, 가스들은 불균일한 분배 내에서 기판(44)을 가로질러 분배되는 것이 요구된다.
두 개의 가스 라인(38, 40)은 도어(18)를 통해서 반응챔버(12) 내로 통과하게 된다. 각 가스라인들(38, 40)의 일단은 각 가스 분배 영역(34, 36)으로 연결된다. 그래서, 각 가스라인들(38, 40)은 각 가스분배영역(34, 36)으로 기체를 공급하게 된다. 만약 하나 이상의 칸막이(32)가 제공된다면, 두 개 이상의 가스라인이 제공될 수 있다. 어떤 경우에는, 가스라인들(38, 40)의 타단부는 가스통 또는 화학기체의 다른 적당한 소스일 수 있는 기체(43)의 소스로 연결된다.
매스 유동 제어기(40)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 각 가스라인(38, 40)에 연결된다. 매스 유동 조절기(42)는 종래의 밸브이고, 기구적, 전자적, 또는 공기압적으로 작동할 수 있다. 각 매스 유동 제어기(42)는 매스 유동 제어기(42)를 선택적으로 개방 또는 폐쇄하도록 작동하는 적어도 하나의 제어회로(46)에 연결된다. 그래서, 매스 유동 제어기(42)가 사용되어 각 가스라인들(38, 40)를 통해 가스의 유동을 조정하게 된다. 그러므로, 매스 유동 제어기들(42)은 가스의 유동을 각 가스분배 영역(34, 36)으로 조정하게 된다. 만약 가스의 일형태가 기판 상에 증착될 수 있다면, 하나의 매스 유동 제어기(42)는 각 가스라인(38, 40)을 통해 제공된다. 만약, 몇 개의 다른 가스가 공급되어 기판 상에서 증착하거나 건조 에칭되면, 선택적으로, 몇 개의 매스 유동 제어기(42)가 제공될 수 있다.
본 발명에 따른 화학기상증착 및 에칭장치는 다음과 같이 작동한다. 웨이퍼,기판 또는 워크피스는 반응챔버로 유입되고 챔버는 폐쇄된다. 만약 필요하다면, 진공챔버(16)가 채용되어 반응챔버(12) 내의 대기압을 감소시키게 된다. 기체의 소스가 제공되어 매스 유동 제어기(42)로 연결된다. 에칭공정에서는, 기체는 Ar, Bcl3, Cl2, CHF3, CF4, C2F6, CO, CCl4, HCL, HBr, NF3, O2, 또는 SF6이다. 그리고, 다른 기체들(가스들)도 고려된다. 기체는 가스라인(38, 40)를 통해 유동하고, 가스분배판(24)의 개구를 통과한다. 매스 유동 제어기(42)는 제어회로(46)를 사용하여 선택적으로 제어되어 각 가스분배영역(34, 36)으로의 기체의 유동을 조절한다.
기체는 웨이퍼, 기판 또는 워크피스(44) 위에서 유동하고, 기판의 표면 근처에서 반응한다. 매스 유동 제어기(42)를 사용함으로써, 기판(44)의 표면에 걸치는 균일한 반응비율을 생성하기 위해 각 가스분배영역(34, 35)를 통해 기체의 유동비율이 증가하거나 감소하게 된다.
상기한 실시예들은 단지 예시적인 사항들이며, 기술된 것과 상응하는 엘리먼트를 활용함으로써, 당업자에 의해서 다양한 변형 및 수정예가 만들어질 수 있다. 당업자에게는 자명할 수 있는 다른 모든 수정예들은 부가된 청구항에서 정의한 바와 같이 본 발명의 영역 내에 포함될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 다중가스입구 및 별도의 매스플로우 제어루프를 갖는 반응챔버용 분배판에 의하면, 반응챔버 내의 가스고갈을 방지할 수 있는 효과가 있게 된다.

Claims (18)

  1. 반응챔버 내에 장착되는 기판 전반에 걸쳐 균일한 반응율을 제공하는 가스분배판에 있어서,
    관통하여 연장되는 다수의 개구를 갖는 평면부재; 및
    상기 평면부재의 표면 상에 배치되고, 상기 반응챔버 내에 장착되는 상기 기판을 가로지르는 반응가스를 분배하기 위해 작동하는 적어도 두 개의 가스분배 영역으로 상기 개구를 분할하는 적어도 하나의 칸막이를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 칸막이는 0-링인 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 칸막이는 상기 가스분배판 내에 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 개구는 동심원으로 형성되는 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 평면부재는 원형인 것을 특징으로 하는 가스분배판.
  6. 화학기상증착 및 에칭을 수행하기 위한 장치에 있어서,
    반응챔버;
    그 표면상에 설치되어 적어도 두 개의 가스분배 영역으로 분할하는 적어도 하나의 칸막이를 가지고, 상기 반응챔버 내에 장착되는 기판 위에 반응가스를 분배하는 가스분배수단; 및
    상기 가스 분배영역으로의 가스 유동을 조절하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 반응물질 가스를 분배시키는 수단은 다수의 연장되는 개구를 갖는 평면부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 평면부재는 원형인 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 평면부재 상의 상기 개구는 동심원으로 정렬되는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 챔버는 내표면을 가지고 상기 가스분배수단은 상기 내표면에 고정됨으로써, 상기 가스분배수단과 상기 내표면 사이에는 상기 칸막이에 의해 상기 가스분배영역으로 분할되는 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 화학기상증착 및 에칭을 수행하는 장치에 있어서,
    내표면을 갖는 반응챔버;
    상기 챔버의 상기 내표면에 부착됨으로써 상기 챔버의 상기 내표면과의 사이에서 공간이 형성되도록 하고, 연장되는 다수의 개구를 포함하는 판부재;
    적어도 두 개의 가스분배 영역으로 상기 공간을 분할하고, 상기 판부재와 상기 내표면 사이의 상기 공간에 배치되는 적어도 하나의 칸막이;
    적어도 두 개의 상기 가스 분배영역 중 하나로 기체를 각각 공급하는 다수의 가스입구 라인;
    상기 각 가스분배영역으로 기체의 유동을 조절하고 상기 각 가스입구라인에 연결되는 적어도 하나의 매스 유동 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 반응챔버는 기밀되는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 반응챔버는 상기 반응챔버로의 접근을 허용하는 도어를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 반응챔버 내의 대기압을 감소시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 칸막이는 O-링인 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 11항에 있어서, 상기 칸막이는 상기 가스분배판과 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 11항에 있어서, 상기 개구는 동심원으로 형성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 반도체 기판 상에 에칭 또는 증착을 위해 제어된 가스 유동 매스 한정 반응을 사용하는 단일 웨이퍼 반응공정에서, 기판 전반에 걸친 불균일성을 상대적으로 제거하는 방법에 있어서;
    상기 반도체 기판으로 가스를 공급하기 위한 적어도 두 개의 가스 입구 영역을 제공하는 단계; 및
    기판 공정 중에 상기 두 개의 입구 영역으로부터 상기 기판으로의 소정의 가스 분배를 초래하는 다른 것에 대해서 하나의 입구 영역 내의 가스 유동을 독립적으로 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1019970062554A 1996-11-26 1997-11-25 화학적 기상 증착 및 에칭 처리 장치 KR100530243B1 (ko)

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US8/756,670 1996-11-26
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KR19980042712A true KR19980042712A (ko) 1998-08-17
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EP (1) EP0844314B1 (ko)
JP (1) JPH10158844A (ko)
KR (1) KR100530243B1 (ko)
DE (1) DE69727536T2 (ko)
TW (1) TW514683B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464857B1 (ko) * 2002-08-26 2005-01-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 식각장치
KR100820347B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-07 주식회사 선익시스템 가스 분사 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980686A (en) 1998-04-15 1999-11-09 Applied Komatsu Technology, Inc. System and method for gas distribution in a dry etch process
TW384502B (en) * 1998-08-27 2000-03-11 Winbond Electronics Corp Gas dispensing apparatus
JP4487338B2 (ja) * 1999-08-31 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置及び成膜処理方法
US6489241B1 (en) * 1999-09-17 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for surface finishing a silicon film
US8617351B2 (en) 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
US8048806B2 (en) 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US6333272B1 (en) * 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
DE60231601D1 (de) * 2001-01-22 2009-04-30 Tokio Electron Ltd Einrichtung und verfahren zur behandlung
US20020129768A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Carpenter Craig M. Chemical vapor deposition apparatuses and deposition methods
JP4209688B2 (ja) * 2001-05-24 2009-01-14 セレリティ・インコーポレーテッド 決定された比率のプロセス流体を供給する方法および装置
US6677250B2 (en) * 2001-08-17 2004-01-13 Micron Technology, Inc. CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
US7279432B2 (en) * 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US6913652B2 (en) * 2002-06-17 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Gas flow division in a wafer processing system having multiple chambers
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
TW587139B (en) * 2002-10-18 2004-05-11 Winbond Electronics Corp Gas distribution system and method for the plasma gas in the chamber
JP4753276B2 (ja) * 2002-11-26 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US7169231B2 (en) * 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
KR100536797B1 (ko) * 2002-12-17 2005-12-14 동부아남반도체 주식회사 화학 기상 증착 장치
KR100513920B1 (ko) * 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
US7892357B2 (en) * 2004-01-12 2011-02-22 Axcelis Technologies, Inc. Gas distribution plate assembly for plasma reactors
US20050223984A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Hee-Gyoun Lee Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors
US20050223983A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Venkat Selvamanickam Chemical vapor deposition (CVD) apparatus usable in the manufacture of superconducting conductors
JP4550507B2 (ja) 2004-07-26 2010-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4522783B2 (ja) * 2004-08-03 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7387811B2 (en) * 2004-09-21 2008-06-17 Superpower, Inc. Method for manufacturing high temperature superconducting conductors using chemical vapor deposition (CVD)
US8197636B2 (en) 2007-07-12 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching
US8334015B2 (en) * 2007-09-05 2012-12-18 Intermolecular, Inc. Vapor based combinatorial processing
US8628616B2 (en) 2007-12-11 2014-01-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Vapor-phase process apparatus, vapor-phase process method, and substrate
JP4963694B2 (ja) * 2008-09-29 2012-06-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
CN102197458A (zh) * 2008-10-24 2011-09-21 应用材料公司 多处气体馈送装置与方法
US8382939B2 (en) * 2009-07-13 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber with enhanced gas delivery
JP5452133B2 (ja) * 2009-08-27 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5497423B2 (ja) * 2009-12-25 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TWI399456B (zh) * 2010-01-25 2013-06-21 Sun Well Solar Corp 導電膜製作設備及用於在其中處理基板之方法
US10066297B2 (en) 2011-08-31 2018-09-04 Alta Devices, Inc. Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor
US9212422B2 (en) * 2011-08-31 2015-12-15 Alta Devices, Inc. CVD reactor with gas flow virtual walls
US10249511B2 (en) * 2014-06-27 2019-04-02 Lam Research Corporation Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus
TWI602238B (zh) * 2016-11-30 2017-10-11 財團法人工業技術研究院 氣相蝕刻反應裝置與氣相蝕刻方法
US11447861B2 (en) * 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
EP3357879A1 (de) 2017-02-07 2018-08-08 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Gasverteilelement für den einsatz in der halbleiterfertigung sowie verfahren zur herstellung eines gasverteilelements
DE102017124456A1 (de) 2017-10-19 2019-04-25 Heraeus Noblelight Gmbh Beheizbarer Gasinjektor
CN110484895B (zh) * 2018-05-14 2021-01-08 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室组件及反应腔室
CN110468390B (zh) * 2019-08-02 2021-06-29 北方夜视技术股份有限公司 超大长径比微通道板通道内壁制备功能膜层的方法
CN113293359A (zh) * 2020-02-24 2021-08-24 江苏鲁汶仪器有限公司 一种可分区控制进气流量及比例的pecvd匀气装置
WO2021225047A1 (ja) * 2020-05-08 2021-11-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置およびプレート
CN111599720A (zh) * 2020-05-25 2020-08-28 上海华力集成电路制造有限公司 一种气体分配器
CN116005130A (zh) * 2022-12-08 2023-04-25 浙江合特光电有限公司 一种管式cvd设备的进抽气系统

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3381114A (en) * 1963-12-28 1968-04-30 Nippon Electric Co Device for manufacturing epitaxial crystals
US3854443A (en) * 1973-12-19 1974-12-17 Intel Corp Gas reactor for depositing thin films
US4256053A (en) 1979-08-17 1981-03-17 Dozier Alfred R Chemical vapor reaction system
JPS5687328A (en) * 1979-12-18 1981-07-15 Matsushita Electronics Corp Semiconductor treatment device
JPS60189928A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Fujitsu Ltd 減圧気相成長装置
JPS615515A (ja) * 1984-06-07 1986-01-11 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置
JPS62172727A (ja) * 1986-01-27 1987-07-29 Hitachi Ltd 表面処理装置
JPS6353932A (ja) * 1986-08-22 1988-03-08 Nec Corp 半導体ウエハ−の薄膜成長装置
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
DE69227575T2 (de) * 1991-12-30 1999-06-02 Texas Instruments Inc Programmierbarer Multizonen-Gasinjektor für eine Anlage zur Behandlung von einzelnen Halbleiterscheiben
US5453124A (en) * 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
JPH0778769A (ja) * 1993-09-07 1995-03-20 Fuji Xerox Co Ltd 半導体製造装置
EP0648858A1 (en) * 1993-10-15 1995-04-19 Applied Materials, Inc. Methods of coating plasma etch chambers and apparatus for plasma etching workpieces
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
US5781693A (en) * 1996-07-24 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100464857B1 (ko) * 2002-08-26 2005-01-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 에지 식각장치
KR100820347B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-07 주식회사 선익시스템 가스 분사 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6294026B1 (en) 2001-09-25
JPH10158844A (ja) 1998-06-16
TW514683B (en) 2002-12-21
DE69727536D1 (de) 2004-03-18
EP0844314A3 (en) 2001-04-11
EP0844314A2 (en) 1998-05-27
EP0844314B1 (en) 2004-02-11
KR100530243B1 (ko) 2006-01-27
DE69727536T2 (de) 2004-12-23

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