KR19980026561A - 액정표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 스위칭영역과 투광영역을 갖는 투명한 절연기판과, 상기 기판 상의 스위칭영역에 형성된 게이트전극과, 상기 기판 상의 스위칭영역과 투광영역에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 이루어져 상기 게이트전극과 중첩되는 도상(島狀)의 활성층과, 상기 활성층 상의 가운데 부분을 제외한 양측 부분에 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 형성된 오믹접촉층과, 상기 오믹접촉층 상에 스위칭영역의 게이트절연층과 접촉되게 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 소오스 및 드레인 전극과 접촉되게 형성된 화소전극과, 상기 소오스 및 드레인 전극과 활성층을 포함하여 화소전극 상에 형성되는 보호층과, 상기 보호층 상의 스위칭영역에 상기 화소전극과 소정 부분 중첩되게 양극산화가 가능한 금속으로 형성된 제 1 차광층과, 상기 제 1 차광층의 표면에 양극산화되어 형성된 제 2 차광층을 포함한다. 따라서, 제 1 및 제 2 차광층이 금속 및 금속산화물로 형성되므로 배향층 형성시 러빙에 의해 잔유물이 생성되지 않으므로 액정의 오염으로 인한 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

Description

액정표시장치 및 그 제조 방법

제 1 도는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단면도

제 2 도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 평면도

제 3 도는 제 2 도를 I-I선으로 자른 단면도

제 4도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조공정도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

31 : 게이트 버스라인33 : 데이터 버스라인

41 : 기판43 : 게이트전극

45 : 게이트절연층47 : 활성층

49 : 오믹접촉층51 : 소오스전극

52 : 드레인전극53 : 화소전극

55 : 보호층57, 59 : 제 1 및 제 2 차광층

61 : 배향층

본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 개구율을 향상시키기 위해 박막트랜지스터 어레이 상에 차광층을 형성하는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

액정표시장치는 하부 기판 상에 스위칭소자인 박막트랜지스터와 이에 연결된 화소전극으로 구성된 단위 화소가 어레이 상태로 종횡으로 배열되어 있다. 어레이 상태로 배열된 단위 화소들은 종방향(또는 횡방향)을 따라 배열된 각 박막트랜지스터의 게이트전극들이 서로 연결되어 신호를 전달하기 위해 적어도 하나 이상의 게이트 버스라인이 형성되고, 횡방향(또는 종방향)을 따라서 배열된 각 박막트랜지스터의 소오스전극들이 서로 연결되어 신호를 전달하기 위해 적어도 하나 이상의 데이터 버스라인이 게이트 버스라인과 교차되어 형성된다. 이렇게 형성된 기판은 통상 박막트랜지스터 어레이 기판 또는 하부 기판이라고 한다. 또한, 다른 기판 상에는 화소 전극을 제외한 영역에 대응하는 위치에 형성된 차광층, 화소전극에 대응하여 공통전압이 인가되는 대응전극 및 컬러디스플레이를 위한 컬러필터가 형성되어 있다. 이렇게 형성된 다른 기판은 통상 대응전극기판 또는 상부 기판이라고 한다. 이와 같은 상부 기판 및 하부 기판은 서로 합착되어 그 사이의 공간에 액정이 주입되는데, 합착공정을 진행하기 전에 상부 기판 및 하부 기판에 각각 폴리이미드 등의 물질로 배향층을 형성하고, 이 배향층 표면에 일정한 방향으로 홈을 형성하여 액정을 배향시키는 러빙(rubbing) 공정을 진행한다.

상술한 구조의 액정표시장치는 차광층이 상부 기판 상에 형성되므로 상부 기판과 하부 기판을 합착할 때 발생할 수 있는 박막트랜지스터와 차광층이 일치되지 않고 정렬오차가 발생되므로 차광층을 정렬오차에 대한 마진을 계산하여 형성해야 하므로 평면 크기가 커지게 되어 액정표시장치의 개구율이 감소되는 문제점을 갖는다.

그러므로, 박막트랜지스터 어레이 상에 차광층을 형성하여 상부 기판과 하부 기판을 합착시 박막트랜지스터와 차광층 사이에 정렬오차가 발생되는 것을 방지하여 차광층의 평면 크기를 감소시켜 개구율을 향상시킬 수 있는 구조의 액정표시장치가 개발되었다.

제 1 도는 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단면도이다.

종래 기술에 따른 액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되는 스위칭영역(s)과 화소전극(21)이 형성되어 광을 투과시키는 투광영역(t)으로 나누어진다. 상기 박막트랜지스터는 투명한 절연기판(11) 상의 스위칭영역(s) 상에 게이트전극(13), 게이트절연층(15), 활성층(17), 오믹접촉층(19), 소오스 및 드레인 전극(23)(24)과 보호층(25) 및 차광층(29)으로 이루어진다.

게이트전극(13)은 기판(11) 상의 스위칭영역(s)의 소정 부분에 형성되며, 게이트절연층(15)은 게이트전극(13)을 덮도록 스위칭영역(s) 및 투광영역(t)에 형성된다. 활성층(17)은 게이트절연층(15) 상의 스위칭영역(s)에 형성된 게이트전극(13)과 대응되게 형성되며, 오믹접촉층(19)은 활성층(17) 상의 양측에 형성된다. 오믹접촉층(19) 상에 게이트절연층(15)과 접촉되게 소오스 및 드레인 전극(23)(24)이 형성된다. 그리고, 투광영역(t)의 게이트절연층(15) 상에 화소전극(21)이 드레인 전극(24)과 접촉되어 전기적으로 연결되게 형성된다. 그리고, 보호층(25)이 소오스 및 드레인 전극(23)(24)이 형성된 스위칭영역(s)과 화소전극(21)이 형성된 투광영역(t)의 상부에 형성되며, 스위칭영역(s)의 보호층(25) 상에 불투명 절연성 수지로 이루어진 차광층(29)이 형성된다. 그리고, 차광층(29) 및 보호층(25) 상에 폴리이미드층을 형성한다. 그리고, 폴리이미드층을 러빙(rubbing))하여 홈(도시되지 않음)을 형성하므로써 이 후 공정에 의해 상부에 놓이는 액정을 원하는 방향으로 배향시키는 배향층(29)이 된다.

상술한 종래의 액정표시장치는 차광층이 박막트랜지스터 상에 형성되므로 공통전압이 인가되는 대응전극 및 컬러필터가 형성된 상부 기판과 합착할 때 박막트랜지스터와 차광층이 일치되어 정렬오차가 발생되는 것을 방지하므로 차광층의 평면 크기를 감소시키면서 개구율을 향상시킬 수 있다.

그러나, 종래 기술에 따른 액정표시장치는 배향층 형성시 박막트랜지스터 상에 형성된 차광층의 잔유물이 생성되어 액정을 오염시켜 화질을 저하시키는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 차광층의 잔유물이 생성되지 않도록 하므로 액정이 오염되는 것을 방지하여 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 배향층 형성시 차광층의 잔유물이 생성되지 않도록 하여 액정이 오염되는 것을 방지할 수 있는 액정표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치는 스위칭영역과 투광영역을 갖는 투명한 절연기판과, 상기 기판 상의 스위칭영역에 형성된 게이트전극과, 상기 기판 상의 스위치영역 및 투광영역에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 이루어져 상기 게이트전극과 중첩되는 도상(島狀)의 활성층과, 상기 활성층 상의 가운데 부분을 제외한 양측 부분에 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 형성된 오믹접촉층과, 상기 오믹접촉층 상에 스위칭영역의 게이트절연층과 접촉되게 형성된 소오스 및 드레인전극과, 상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 소오스 또는 드레인전극과 접촉되게 형성된 화소전극과, 상기 소오스 및 드레인전극과 활성층을 포함하여 화소전극 상에 형성되는 보호층과, 상기 보호층 상의 스위칭영역에 상기 화소전극과 소정 부분 중첩되게 양극산화가 가능한 금속으로 형성된 제 1 차광층과, 상기 제 1 차광층의 표면에 양극산화되어 형성된 제 2 차광층을 포함한다.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은 스위칭영역과 투광영역을 갖는 투명한 절연기판 상의 상기 스위칭영역에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 덮도록 상기 기판 상의 스위칭영역과 투광영역에 게이트절연층을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연층 상의 상기 게이트전극과 대응하는 부분에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘과 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 도상(島狀)의 활성층과 오믹접촉층을 형성하는 공정과, 상기 오믹접촉층 상의 양측 소정 부분과 게이트절연층 상에 소오스 및 드레인전극을 형성하고 상기 소오스 및 드레인전극을 마스크로 사용하여 상기 오믹접촉층의 노출된 부분을 상기 활성층이 노출되도록 제거하는 공정과, 상기 게이트절연층 상의 투광영역에 상기 소오스 또는 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인전극과 상기 활성층의 노출된 부분을 덮도록 상기 화소전극 상에 보호층을 형성하는 공정과, 상기 보호층 상의 스위칭영역에 상기 게이트전극을 포함하여 상기 화소전극의 소정 부분과 중첩되는 부분에 양극산화가 가능한 금속의 제 1 차광층과 이 제 1 차광층의 표면을 양극산화한 제 2 차광층을 형성하는 공정을 구비한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

제 2 도는 본 발명에 따른 액정표시장치의 평면도이다.

본 발명에 따른 액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되는 스위칭영역(S)과 광이 투과되는 투광영역(T)으로 이루어진다.

상기 스위칭영역(S)에 게이트 버스라인(31)과 데이터 버스라인(33)이 서로 수직하게 교차되어 있다. 게이트 버스라인(31)과 데이터 버스라인(33)이 교차된 부분에 게이트 버스라인(31)으로부터 연장된 게이트전극(43)과 데이터 버스라인(33)으로부터 연장된 소오스전극(51)에 대응하는 드레인전극(52)이 형성되며 게이트전극(43)과 중첩되는 도상(島狀)의 불순물이 도핑되지 않은 활성층(47)이 형성된다.

그리고, 게이트 버스라인(31)과 데이터 버스라인(33)의 교차부 사이의 투광영역(T)에 드레인전극(52)과 전기적으로 연결된 화소전극(53)이 형성되어 있다. 또한, 게이트전극(43)을 포함하는 게이트 버스라인(31)과 소오스전극(51)을 포함하는 데이터 버스라인(33)이 형성된 스위칭영역(S)에 제 1 차광층(57)과 제 2 차광층(59)이 형성된다. 상기에서 제 1 차광층(57)은 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금, 티타늄(Ti), 티타늄합금, 탄탈륨(Ta), 탄탈륨합금, 코발트(Co) 또는 코발트합금 등의 양극산화가 가능한 금속으로 형성되며, 제 2 차광층(59)은 제 1 차광층(57)의 표면을 양극산화한 산화막으로 형성된다. 그리고, 제 1 및 제 2 차광층(57)(59)은 투광영역(T)의 화소전극(53)의 가장자리까지 중첩되게 형성되어 게이트 버스라인(31) 및 데이터 버스라인(33)과 화소전극(53) 사이 영역까지 차광되게 한다.

제 3 도는 제 2 도를 I-I 선으로 자른 단면도이다.

상기 본 발명에 따른 박막트랜지스터는 투명하고 절연성을 갖는 물질로 이루어진 기판(41)의 상의 스위칭영역(S)에 게이트전극(43)이 형성되고, 스위칭영역(S) 및 투광영역(T) 상에 게이트전극(43)을 덮는 게이트절연층(45)이 형성된다. 상기에서 게이트전극(43)은 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금, 티타늄(Ti), 티타늄합금, 탄탈륨(Ta), 탄탈륨합금, 코발트(Co) 또는 코발트합금 등의 도전성금속이 2000 ~ 3000Å 정도의 두께로 형성된다. 그리고, 게이트절연층(45)은 실리콘산화물(SiO) 또는 실리콘질화물(SiN) 등의 절연물질이 3000 ~ 4000Å 정도의 두께로 증착되어 형성된다.

게이트절연층(45) 상의 스위칭영역(S)에 게이트전극(43)과 중첩되게 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘이 1500 ~ 2000Å 정도의 두께로 이루어진 채널로 이용되는 활성층(47)이 형성된다. 활성층(47) 상의 양측에 불순물이 도핑된 비정질실리콘이 500 ~ 1000Å 정도의 두께로 이루어진 오믹접촉층(49)이 형성되며, 이 오믹접촉층(49)과 게이트절연층(45) 상에 알루미늄 또는 크롬(Cr) 등의 금속이 2000 ~ 3000Å 정도의 두께로 형성된 소오스 및 드레인 전극(51)(52)이 형성된다. 상기에서 오믹접촉층(49)은 인(P) 등의 N형 불순물, 또는, 보론(B) 등의 P형 불순물이 고농도로 도핑되어 활성층(47)을 소오스 및 드레인 전극(51)(52)과 오믹 접촉시킨다. 그리고, 게이트절연층(45) 상의 투광영역(T)에 ITO(Indum Tin oxide) 또는 주석산화막(SnO₂) 등의 투명한 도전물질이 300 ~ 800Å 정도의 두께로 증착된 화소전극(53)이 형성된다. 상기 화소전극(53)은 드레인전극(52)과 접촉되어 전기적으로 연결된다. 그리고, 상술한 구조의 전 표면, 즉, 스위칭영역(S) 및 투광영역(T) 상에 실리콘산화물(SiO) 또는 실리콘질화물(SiN) 등의 절연물질이 3000 ~ 4000Å 정도의 두께로 증착된 보호층(55)이 형성된다.

상기 보호층(55) 상의 스위칭영역(S)에 게이트전극(53)을 포함하고 상기 화소전극(53)의 소정 부분과 중첩되게 제 1 및 제 2 차광층(57)(59)이 형성된다. 상기 제 1 차광층(57)은 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 몰리브덴(Mo), 몰리브덴합금, 티타늄(Ti), 티타늄합금, 탄탈륨(Ta), 탄탈륨합금, 코발트(Co) 또는 코발트합금 등의 양극산화가 가능한 금속으로 1500 ~ 2500Å 정도의 두께로 형성되며, 제 2 차광층(59)은 제 1 차광층(57)의 표면이 양극산화된 산화막으로 1000 ~ 1500Å 정도의 두께로 형성된다. 상기 제 1 차광층(57)은 광의 투과를 방지하고 제 2 차광층(59)은 반사광을 흡수하여 휘도율을 증가시킨다. 그리고, 제 2 차광층(59) 및 보호층(55) 상에 폴리이미드 등으로 이루어진 배향층(61)이 형성된다. 상기 배향층(61)은 도포 후에 러빙(rubbing)하여 상부에 놓이는 액정이 원하는 방향으로 배향되도록 한다.

제 4 도(A) 내지 (E)는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조공정도이다.

제 4 도(A)를 참조하면, 투명한 절연기판(41)상에 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴, 몰리브덴합금, 티타늄, 티타늄합금, 탄탈륨, 탄탈륨합금, 코발트 또는 코발트합금 등의 양극산화되는 금속을 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : 이하, CVD라 칭함) 방법 또는 스퍼터링(sputtering) 방법으로 2000 ~ 3000Å 정도의 두께로 증착하고 통상의 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 스위칭영역(S)에 게이트전극(43)을 형성한다.

제 4 도(B)를 참조하면, 기판(41) 상의 스위칭영역(S) 및 투광영역(T)에 실리콘산화막 또는 실리콘질화막을 CVD 방법으로 3000 ~ 4000Å 정도의 두께로 증착하여 게이트전극(43)을 덮는 게이트절연층(45)을 형성한다. 그리고, 게이트절연층(45) 상에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘과 인(P) 등의 N형 불순물이나 보론(B) 등의 P형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘을 CVD 방법에 의해 증착하여 활성층(47)과 오믹접촉층(49)을 순차적으로 형성한다. 상기에서 활성층(47)은 채널로 이용되는 것으로 1500 ~ 2000Å 정도의 두께로 형성되며, 오믹접촉층(49)은 500 ~ 1000Å 정도의 두께로 형성된다. 그리고, 활성층(47)과 오믹접촉층(49)을 스위칭영역(S)에만 남겨 게이트전극(43)과 중첩되도록 투광영역(T)에 형성된 것을 포토리쏘그래피 방법으로 제거하여 게이트절연층(45)을 노출시킨다.

제 4 도(C)를 참조하면, 오믹접촉층(49) 및 절연막(45) 상에 알루미늄 또는 크롬(Cr) 등의 도전성금속을 2000 ~ 3000Å 정도의 두께로 증착한 후, 이 도전성금속을 오믹접촉층(49)의 소정부분과 투광영역(T)의 게이트절연층(45)이 노출되도록 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 소오스 및 드레인 전극(51)(52)을 형성한다. 그리고, 소오스 및 드레인 전극(51)(52)을 마스크로 이용하여 오믹접촉층(49)의 노출된 부분을 제거하여 활성층(47)을 노출시킨다.

제 4 도(D)를 참조하면, 상술한 구조의 전 표면, 즉, 스위칭영역(S) 및 투광영역(T) 상에 스퍼터링 방법에 의해 ITO 또는 주석산화막(SnO₂) 등의 투명한 도전물질을 300 ~ 800Å 정도의 두께로 증착한 후 습식식각을 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 화소전극(53)을 형성한다. 이 때, 화소전극(53)을 드레인전극(52)과 접촉되도록 하여 전기적으로 연결되게 한다. 그리고, 화소전극(53)을 포함하는 상술한 구조의 전 표면에 CVD 방법으로 실리콘산화막 또는 실리콘질화막을 3000 ~ 4000Å 정도의 두께로 증착하여 보호층(55)을 형성한다.

제 4 도(E)를 참조하면, 보호층(55) 상에 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴, 몰리브덴합금, 티타늄, 티타늄합금, 탄탈륨, 탄탈륨합금, 코발트 또는 코발트합금 등의 양극산화가 가능한 금속을 CVD 방법 또는 스퍼터링 방법에 의해 2000 ~ 3000Å 정도의 두께로 증착한다. 그리고, 상기 금속층을 포토리쏘그래피 방법으로 게이트전극(43)을 포함하여 상기 화소전극(53)의 소정 부분과 중첩되게 스위칭영역(S)에만 남도록 패터닝한 후 표면을 양극산화하여 제 1 및 제 2 차광층(57)(59)을 형성한다. 상기에서 제 1 차광층(57)은 양극산화되지 않은 부분으로 1500 ~ 2500Å 정도의 두께로 형성되어 광의 투과를 차단하고, 제 2 차광층(59)은 양극산화된 부분으로 1000 ~ 1500Å 정도의 두께로 형성되어 반사되는 광을 흡수한다. 상기에서, 제 1 및 제 2 차광층(57)(59)을 보호층(55) 상에 증착된 금속을 패터닝한 후 양극산화하여 형성하였으나, 보호층(55) 상에 증착된 금속을 양극산화한 후 패터닝하여 형성할 수도 있다. 그 다음, 제 2 차광층(59) 및 보호층(55) 상에 폴리이미드층을 형성한다. 그리고, 폴리이미드층을 러빙(rubbing)하여 홈(도시되지 않음)을 형성하므로써 이 후 공정에 의해 상부에 놓이는 액정을 원하는 방향으로 배향시키는 배향층(61)이 된다. 상기에서 제 1 및 제 2 차광층(57)(59)은 금속 또는 금속산화물로 형성되므로 배향층(61) 형성시 러빙에 의해 잔유물이 생성되지 않으므로 액정의 오염으로 인한 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되는 스위칭영역의 보호층 상에 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴, 몰리브덴합금, 티타늄, 티타늄합금, 탄탈륨, 탄탈륨합금, 코발트 또는 코발트합금 등의 양극산화가 가능한 금속으로 제 1 차광층을 형성하고, 이 제 1 차광층의 표면을 양극산화하여 제 2 차광층을 형성한다.

따라서, 본 발명은 제 1 및 제 2 차광층이 금속 및 금속산화물로 형성되므로 배향층 형성시 러빙에 의해 잔유물이 생성되지 않으므로 액정의 오염으로 인한 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.

Claims (8)

1. 스위칭영역과 투광영역을 갖는 투명한 절연기판과,

   상기 기판 상의 스위칭영역에 형성된 게이트전극과,

   상기 기판 상의 스위치영역 및 투광영역에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연층과,

   상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 이루어져 상기 게이트전극과 중첩되는 도상(島狀)의 활성층과,

   상기 활성층 상의 가운데 부분을 제외한 양측 부분에 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 형성된 오믹접촉층과,

   상기 오믹접촉층 상에 스위칭영역의 게이트절연층과 접촉되게 형성된 소오스 및 드레인전극과,

   상기 게이트절연층 상의 스위칭영역에 소오스 또는 드레인전극과 접촉되게 형성된 화소전극과,

   상기 소오스 및 드레인전극과 활성층을 포함하여 화소전극 상에 형성되는 보호층과,

   상기 보호층 상의 스위칭영역에 상기 화소전극과 소정 부분 중첩되게 양극산화가 가능한 금속으로 형성된 제 1 차광층과,

   상기 제 1 차광층의 표면에 양극산화되어 형성된 제 2 차광층을 포함하는 액정표시장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 차광층이 1500 ~ 2500Å의 두께로 형성된 액정표시장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 2 차광층이 1000 ~ 1500Å의 두께로 형성된 액정표시장치.
4. 절연기판 상에 박막트랜지스터 어레이를 가지는 액정표시장치에 있어서,

   박막트랜지스터가 보호층으로 덮혀 있고 상기 박막트랜지스터 상부의 보호층 상에 제 1 차광층과 제 2 차광층이 덮혀져 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
5. 스위칭영역과 투광영역을 갖는 투명한 절연기판 상의 상기 스위칭영역에 게이트전극을 형성하는 공정과,

   상기 게이트전극을 덮도록 상기 기판 상의 스위칭영역과 투광영역에 게이트절연층을 형성하는 공정과,

   상기 게이트절연층 상의 상기 게이트전극과 대응하는 부분에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘과 불순물이 고농도로 도핑된 비정질실리콘으로 도상(島狀)의 활성층과 오믹접촉층을 형성하는 공정과,

   상기 오믹접촉층 상의 양측 소정 부분과 게이트절연층 상에 소오스 및 드레인전극을 형성하고 상기 소오스 및 드레인전극을 마스크로 사용하여 상기 오믹접촉층의 노출된 부분을 상기 활성층이 노출되도록 제거하는 공정과,

   상기 게이트절연층 상의 투광영역에 상기 소오스 또는 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 공정과,

   상기 소오스 및 드레인전극과 상기 활성층의 노출된 부분을 덮도록 상기 화소전극 상에 보호층을 형성하는 공정과,

   상기 보호층 상의 스위칭영역에 상기 게이트전극을 포함하여 상기 화소전극의 소정 부분과 중첩되는 부분에 양극산화가 가능한 금속의 제 1 차광층과 이 제 1 차광층의 표면을 양극산화한 제 2 차광층을 형성하는 공정을 구비하는 액정표시장치의 제조방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 차광층을 형성하는 공정은,

   상기 보호층 상에 양극산화가 가능한 금속을 증착하여 제 1 차광층을 형성하는 단계와,

   상기 제 1 차광층을 상기 게이트전극을 포함하여 상기 화소전극의 소정부분과 중첩되게 패터닝하는 단계와,

   상기 패터닝된 제 1 차광층의 표면을 양극산화하여 제 2 차광층을 형성하는 단계를 구비하는 액정표시장치의 제조방법.
7. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 차광층을 형성하는 공정은,

   상기 보호층 상에 양극산화가 가능한 금속을 증착하여 제 1 차광층을 형성하는 단계와,

   상기 제 1 차광층의 상부 표면을 양극산화하여 제 2 차광층을 형성하는 단계와,

   상기 제 1 및 제 2 차광층을 상기 게이트전극을 포함하여 상기 화소전극의 소정 부분과 중첩되게 패터닝하는 단계를 구비하는 액정표시장치의 제조방법.
8. 제 5 항에 있어서,

   상기 보호층과 제 1 및 제 2 차광층 상에 배향층을 형성하는 공정을 더 구비하는 액정표시장치의 제조방법.