KR19980020560A - 고유전율 유전체 자기조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 9
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
본 발명은 티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 3~9mol%, 산화티탄(TiO2) 3~9mol%, 산화아연(ZnO) 0.05~0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05~0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.05~0.1mol%로 이루어진 고유전율 유전체 자기조성물에 관한 것으로서, 상기 고유전율 유전체 자기조성물이 유전변화율이 -30~80℃의 범위 내에서 25℃의 유전율을 기준으로 -82% 내지 +22%를 나타내는 EIA(Electronic Industry Association) 규격의 Y5V 온도특성을 만족하고, 상온에서 안정한 온도특성을 갖으며, 적층 세라믹 콘덴서의 재료로 사용되는 고유전율 유전체 자기조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 고유전율 유전체 자기조성물에 관한 것으로서, 특히 적층 세라믹 콘덴서의 재료로 사용되고 티탄산 바륨(BaTiO3)를 주성분으로 한 고유전율 유전체 자기조성물에 관한 것이다.
상기 고유전체 자기조성물이라 함은 -30~80℃에서 25℃의 유전율을 기준으로 유전변화율 -82% 내지 +22%인 EIA(Electronic Industry Association)규격의 Y5V 온도특성을 갖는 물질이다.
종래의 고유전율 유전체 자기 조성물은 티탄산 바륨(BaTiO3)을 주성분으로 하여 지르콘산 칼슘(CaZrO3), 티탄산 칼슘(CaTiO3), 티탄산 스트론튬(SrTiO3), 티탄산 마그네슘(MgTiO3) 등의 산화물이 첨가된 유전체가 사용되었다.
그러나, 상기와 같이 조성된 종래의 유전체 자기 조성물들은 상온에서 높은 유전율을 갖는 반면, 절연저항이 낮고, 1,350℃ 이상의 높은 소결온도를 갖는다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 유전율이 8,000이상이고, 1,350℃ 이하의 온도에서 소결이 가능하며 절연저항이 2×1012Ωcm 이상이고, -30~80℃사이에서 25℃의 유전율을 기준으로 유전변화율이 -82% 내지 +22%가 되는 Y5V 온도 특성을 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 의한 고유전율 유전체 자기조성물을 티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 3~9mol%, 산화티탄(TiO2) 3~9mol%, 산화아연(ZnO) 0.05~0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05~0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.05~0.1mol%로 이루어진 것을 특징으로 한다. 상기의 구성물질중, 산화세슘(CeO2), 산화티탄(TiO2)은 소결을 촉진하는 역할을 하는 것으로서, 상기 3~9mol%의 범위 이외에서는 Y5V 온도특성이 벗어나고 낮은 유전율을 갖으며, 산화아연(ZnO)은 강도를 증진시키거나 0.1mol% 이상이면 소결성은 나빠지고, 산화네오듐(Nd2O3)은 유전율을 증가시키는 역할을 하지만 너무 과량을 첨가하면 유전손실이 증가되며, 산화란타늄(La2O3)은 온도특성을 안정되게 하는데 너무 과량을 첨가하면 유전손실이 증가한다.
표 1을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하면 다음과 같다. 티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 3~9mol%, 산화티탄(TiO2) 3~9mol%, 산화아연(ZnO) 0.05~0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05~0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.05~0.1mol%를 각각의 범위 내에서 적절한 양을 탈이온수와 함께 혼합한다. 이 때 혼합은 볼 밀링(Ball Milling) 방법을 이용하며, 이트리아(Y2O3) 안정화 볼(Y-TZP Ball)과 우레탄 용기를 사용한다. 건조된 분말을 결합체와 유발로 혼합하고, 금형 유압프레스를 사용해 직경 24.5mm, 두께 1.5mm의 원형 시편을 제작한다. 이렇게 제작한 시편을 산화지르곤(ZrO2) 세터(setter)에 놓고 공기 압의 전기로 중에서 1,250~1,380℃의 온도로 2시간 소결한다. 소결된 시편의 양면에 은전극을 프린팅 방법으로 19.5mm 직경의 원형으로 도포한 다음, 열처리하여 절연저항, 유전상수, 유전손실, 유전율의 온도특성(TCC)을 측정한 결과, 절연저항은 4×1012~3×1013Ωcm, 유전상수는 25℃에서 8,500~11,000Khz, 유전손실은 0.9~1.8%, 유전율의 온도특성(TCC)은 -30℃에서 -56~-30%, 85℃에서 -80~-55%인 특성을 나타냈다.
[실시예 1]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 5mol%, 산화티탄(TiO2) 7mol%, 산화아연(ZnO) 0.05mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.05mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 5×1012Ωcm, 유전상수는 25℃에서 9,800KHz, 유전손실은 1.8%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -42%와 -73%인 특성을 나타냈다.
[실시예 2]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 5mol%, 산화티탄(TiO2) 7mol%, 산화아연(ZnO) 0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.1mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 2×1013Ωcm, 유전상수는 25℃에서 10,500KHz, 유전손실은 1.6%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -30%와 -65%인 특성을 나타냈다.
[실시예 3]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 5mol%, 산화티탄(TiO2) 7mol%, 산화아연(ZnO) 0.05mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.1mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 4×1012Ωcm, 유전상수는 25℃에서 10,000KHz, 유전손실은 1.7%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -50%와 -80%인 특성을 나타냈다.
[실시예 4]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 7mol%, 산화티탄(TiO2) 5mol%, 산화아연(ZnO) 0.05mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.05mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 3×1012Ωcm, 유전상수는 25℃에서 8,800KHz, 유전손실은 1.5%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -43%와 -55%인 특성을 나타냈다.
[실시예 5]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 7mol%, 산화티탄(TiO2) 5mol%, 산화아연(ZnO) 0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.1mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 4×1012Ωcm, 유전상수는 25℃에서 11,000KHz, 유전손실은 1.4%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -50%와 -64%인 특성을 나타냈다.
[실시예 6]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 7mol%, 산화티탄(TiO2) 5mol%, 산화아연(ZnO) 0.05mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.1mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 5×1012Ωcm, 유전상수는 25℃에서 10,500KHz, 유전손실은 1.4%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -48%와 -75%인 특성을 나타냈다.
[실시예 7]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 9mol%, 산화티탄(TiO2) 3mol%, 산화아연(ZnO) 0.05mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.1mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 3×1013Ωcm, 유전상수는 25℃에서 10,000KHz, 유전손실은 1.3%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -51%와 -74%인 특성을 나타냈다.
[실시예 8]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 9mol%, 산화티탄(TiO2) 3mol%, 산화아연(ZnO) 0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.1mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 7×1012Ωcm, 유전상수는 25℃에서 9,500KHz, 유전손실은 1%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -51%와 -70%인 특성을 나타냈다.
[실시예 9]
티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 9mol%, 산화티탄(TiO2) 3mol%, 산화아연(ZnO) 0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.05mol%를 구성 성분으로 갖는 고유전율 유전체 자기조성물을 상기의 방법으로 제조한 결과, 절연저항 8×1012Ωcm, 유전상수는 25℃에서 8,500KHz, 유전손실은 0.9%, 유전율의 온도 특성(TCC)은 -30℃와 85℃에서 각각 -56%와 -72%인 특성을 나타냈다.
[표 1]
본 발명에 의한 상기 고유전율 유전체 자기조성물은 8,000 이상의 고유전율을 갖고, 1,350℃ 이하의 온도에서 소결이 가능하며, 조성물의 유전변화율이 -30~80℃의 범위 내에서 25℃의 유전율을 기준으로 -82% 내지 +22%를 나타내는 Y5V 온도특성을 만족하며, 절연저항이 2×1012Ωcm이상이므로 고신뢰성의 적층세라믹 콘덴서에 이용될 수 있다.
Claims (1)
- 티탄산 바륨(BaTiO3) 100mol%, 산화세슘(CeO2) 3~9mol%, 산화티탄(TiO2) 3~9mol%, 산화아연(ZnO) 0.05~0.1mol%, 산화네오듐(Nd2O3) 0.05~0.1mol%, 산화란타늄(La2O3) 0.05~0.1mol%를 기본 조성으로 하는 고유전율 유전체 자기 조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960039070A KR100196406B1 (ko) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 고유전율 유전체 자기조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960039070A KR100196406B1 (ko) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 고유전율 유전체 자기조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980020560A true KR19980020560A (ko) | 1998-06-25 |
| KR100196406B1 KR100196406B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19473205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960039070A KR100196406B1 (ko) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 고유전율 유전체 자기조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100196406B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352245B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2002-09-12 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기(磁器) 조성물 및 전자 부품 |
-
1996
- 1996-09-10 KR KR1019960039070A patent/KR100196406B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100352245B1 (ko) * | 1999-10-19 | 2002-09-12 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기(磁器) 조성물 및 전자 부품 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100196406B1 (ko) | 1999-06-15 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |