KR19980019954A - 액정 표시 장치 제조 방법 및 구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시 장치 제조에서 능동 스위치로 사용하는 박막 트랜지스터의 게이트 금속에 구리를 사용하여 제조하는 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치의 구조에 관한 것이다. 구리는 전도도가 좋아 게이트 금속으로서 특성이 아주 좋은 반면, 유리 기판과 접촉문제, 실리콘과의 반응문제, 외부 접속을 위한 다른 금속과의 접촉문제 등으로 제조상 어려움이 있다. 본 발명에서는 구리를 증착하기 전에 유리 기판과 접촉성이 좋은 다른 금속을 먼저 증착하고, 게이트 절연막에 유기물질을 사용하고, 외부 접속용 패드 단자부에는 접촉성이 좋은 다른 금속을 사용하는 방법을 제시한다. 본 발명에 의하여 대형 액정 패널에서 신호 지연 문제가 해결되며, 전도성이 높은 배선으로 배선의 폭을 줄임으로써 개구율이 향상되고, 배선의 두께를 줄여 박막 단차에 의한 제조 에러율을 감소시키고 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래 방법으로 제조된 액정 표시 장치를 나타내는 개략적인 평면 확대도이다.
제2도는 여러 종류의 액정 표시 장치에서 제1도의 I-I´을 따라 절단한 단면도이다.
제3도는 본 발명에 의해 제작된 액정 표시 장치의 평면 확대도이다.
제4도는 본 발명에 의해 역 스태거 구조로 제조되는 액정 표시 장치의 공정 단면도이다.
제5도는 본 발명에 의해 스태거 구조로 제조되는 액정 표시 장치의 공정 단면도이다.
제6도는 본 발명에 의해 코플라나 구조로 제조되는 액정 표시 장치의 공정 단면도이다.
＊도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＊
11 : 투명 유리 기판13 : 게이트 전극
13a : 게이트 버스 배선14 : 양극 산화막
15 : 게이트 절연막
17 : 반도체 층19 : 불순물 반도체 층
21 : 소스 전극21a : 소스 버스 배선
23 : 드레인 전극25 : 보호막
27 : 화소 전극
111 : 투명 유리 기판112a : 제1금속층
112b : 제2금속층112c : 구리 금속층
113 : 게이트 전극
113a : 게이트 버스 배선113b : 패드부
114a : 컨택홀114b : 패드 컨택부
115 : 무기 게이트 절연막115a : 유기 게이트 절연막
117 : 반도체 층119 : 불순물 반도체 층
121 : 소스 전극121a : 소스 버스 배선
123 : 드레인 전극125 : 무기 보호막
125a : 유기 보호막127 : 화소 전극
129 : 패드 단자
[발명의 목적]
본 발명은 박막 트랜지스터를 매트릭스 형태로 배열하여 능동 스위치로 사용하는 액정 표시 장치를 제조하는 방법과 그 방법에 의한 액정 표시 장치의 구조에 관한 것이다. 특히, 액정 표시 장치의 스위치인 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 게이트 버스 배선에 구리를 사용하여 제조하는 방법과 그 방법에 의한 액정 표시 장치의 구조에 관련된 것이다.
[발명의 구성 및 작용]
[발명이 속하는 기술분야 및 그 분야의 종래기술]
일반적으로 액정 표시 장치는 여러 가지 소자들이 설치된 두 개의 투명 기판(상판과 하판)이 일정 간격으로 대향하여 합착되고, 그 사이에 액정 물질이 채워진 구조로 만들어진다. 이러한 액정 표시 장치는 기판 상에 형성하는 소자들의 기능에 따라 여러 종류로 구분된다. 특히 능동 박막 트랜지스터(혹은 “TFT”라 한다) 소자를 사용하는 액정 표시 장치를 “박막 트랜지스터 능동 매트릭스 액정 표시 장치(이하 TFT-AMLCD 혹은 AMLCD라 한다)”라고 한다. 일반적인 AMLCD 패널의 상판에는 칼라 필터, 블랙 매트릭스, 공통 전극 등이 포함되어 있다. 그리고, 이와 대향하여 합착된 하판에는 화소 전극(27), 박막 트랜지스터, 신호선(소스 버스 배선(21a)), 어드레스선(게이트 버스 배선(13a)) 등이 포함되어 있다(제1도).
이와 같은 종래의 액정 표시 장치는 제조 방법 및 구조에 따라 여러 가지로 분류된다. 특히, 능동 스위칙 소자인 TFT가 어떻게 형성되는가에 따라 여러 가지 구조로 구분된다. 일반적으로 사용하는 액정 표시 장치의 대표적인 TFT 구조들을 제2도에 나타내었다. 첫 번째로 역 스태거 구조가 있다(제2도 a). 이것은 주로 비정질 실리콘(a-Si)을 반도체 채널층으로 사용하는 액정 표시 장치에 적용하는 구조로 그 제조 방법은 다음과 같다. 투명 유리 기판(1)상에 Ti, Cr, Ta, Al, Ti-Mo, Mo-Ta, 혹은, Al-Ta 금속을 1000Å에서 2000Å정도의 두께로 증착하고, 이것을 사진 식각법으로 패터닝하여 게이트 버스 배선(13a)과 게이트 전극(13)을 형성한다. 게이트 전극에 힐락이 성장하는 것을 방지하기 위해 양극 산화한다. 그리고, 그 위에 질화 실리콘(SiNx)을 전면에 도포하여 게이트 절연막(15)을 형성한다. 그리고, 비정질 순수 반도체(a-Si) 물질을 1500Å 정도의 두께로 증착하고 패터닝하여 반도체 층(17)을 형성한다. 그 위에 Cr, Mo, Ti, 혹은 Cr-Al 금속을 1000Å에서 2000Å정도의 두께로 증착하고 패터닝하여 소스 배선(21a), 소스 전극(21), 그리고 드레인 전극(23)을 형성한다. 이 때, 반도체 층(17)과 소스-드레인 전극(21, 23)과의 접촉면 사이에 불순물이 첨가된 비정질 반도체(n+a-Si) 물질을 300Å 정도의 얇은 두께로 불순물 반도체 층(19)을 형성한다. 상기 불순물 반도체 층은 소스-드레인 금속과 오믹 접촉을 이루고 있다. 그리고, 그 위에 질화 실리콘(SiNx)을 3000Å에서 4500Å 정도 증착하여 보호막(25)을 형성하고, 화소 전극(27)과 드레인 전극(23)이 연결되도록 드레인 전극(23) 위 부분의 보호막(25)에 콘택 홀을 만든다. 그리고, 투명 전극인 ITO(Indium-Tin-Oxide)를 약 500Å에서 1000Å 정도로 증착하고, 패터닝하여 화소 전극(27)을 형성한다. 두 번째로는 스태거 구조가 있다(제2도 b). 이것도 비정질 실리콘(a-Si)을 반도체 채널층으로 사용하는데 그 구조가 역 스태거 방식과 거꾸로 된 것으로 그 제조 방법은 다음과 같다. 투명 유기 기판(11)상에 금속을 증착하고, 이것을 사진 식각법등으로 패터닝하여 소스 버스 배선(21a), 소스 전극(21), 그리고 드레인 전극(23)을 형성한다. 그 위에 순수 반도체 물질로 반도체 층(17)을 형성한다. 이 때, 금속과 반도체 물질 사이에 불순물 반도체 층(19)을 형성한다. 상기 불순물 반도체 층과 소스-드레인 전극은 오믹 접촉을 이루고 있다. 그 위에 게이트 절연막(15)을 형성한다. 그 위에 금속을 증착하고, 패터닝하여 게이트 버스 배선(13a) 및 게이트 전극(13)을 형성한다. 그리고, 보호막(25)을 전면에 도포하고, 드레인 전극(23)과 화소 전극(27)을 연결할 수 있도록 드레인 전극(23) 상부의 보호막에 콘택 흘을 형성한다. 그리고, 화소 전극(27)을 형성한다. 그리고, 세 번째로, 코플라나 구조가 있다(제2도 c). 이것은 다결정 실리콘을 반도체 채널층으로 사용하는 경우에 주로 사용하는 구조로 그 제조 방법은 다음과 같다. 투명 유리 기판(11)상에 다결정 반도체 물질(poly-Si)로 반도체 채널층(17)을 먼저 형성하고, 그 위에 알루미늄(Al)과 같은 금속을 증착하고 패터닝하여 소스 버스 배선(21a), 소스 전극(21), 그리고 드레인 전극(23)을 형성한다. 이 때, 금속층과 반도체 층 사이에 불순물이 첨가된 다결정 반도체 층을 증착하여 불순물 반도체 층(19)을 형성한다. 상기 불순물 반도체 층은 소스-드레인 전극과 오믹 접촉을 이루고 있다. 그 위에 산화 실리콘(SiO2)을 증착하고 패터닝하여 게이트 절연막(15)을 형성한다. 그 위에 크롬(Cr)과 같은 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 버스 배선(13a) 및 게이트 전극(13)을 형성한다. 그 위에 산화 실리콘(SiO2)을 증착하여 보호막(25)을 형성한다. 그리고, 화소 전극(27)과 드레인 전극(23)이 연결될 수 있도록 드레인 전극(23) 상부의 보호막(25)에 콘택 홀을 형성한다. 그리고, 투명 금속인 ITO를 증착하고 패터닝하여 화소 전극(27)을 형성한다.
이와 같이 능동 액정 표시 장치에서 스위치 소자로 사용하는 TFT를 제작하는 방법이나 그 구조가 다른 초고밀도 집적(VLSI) 반도체 제조의 것과 크게 다르지 않다. 다만, 액정 표시 장치는 TFT를 상당히 화면상에 설치하여야 하므로 넓은 면적에 걸쳐 배열을 해햐한다는 것이 다른 반도체 소자의 경우와 다른 점이다. 액정 표시 장치에서 각종 화상 정보가 넓은 화면의 각 화소에 위치한 TFT에 걸쳐 전달된 때 소자들의 저항문제로 인하여 절단 속도가 지연되는 문제가 발생한다. 특히, 화면의 크기가 커질수록 신호 지연 문제는 상당히 큰 비중을 차지하게 된다. 그러므로, 액정 표시 장치에서는 신호를 전달하는 버스 배선의 금속 재질로 어떤 것을 선택하느냐가 상당히 중요한 문제가 된다.
일반적으로 가격을 고려한 저 저항 배선재로는 전도도가 높은 금속인 알루미늄(Al)과 구리(Cu)를 꼽을 수 있다. 일반적 구리의 경우에는 전도도(2-micro-ohm-cm)가 뛰어남에도 불구하고 유리 기판 위에 증착시켰을 때 접착이 잘 안되고, TFT 제조시 각종 박막 형성에 사용하는 실리콘과의 반응 문제, 그리고 외부 드라이버 소자와 연결하기 위해 사용하는 다른 금속과 접속할 때 저항이 커지는 문제 등으로 사용을 기피해왔다. 그리하여 구리보다는 전도도가 조금 낮으나 상기와 같은 문제점이 없는 알루미늄을 많이 사용하였으며, 아직도 알루미늄을 사용하여 제작한 제품들이 주류를 이루고 있다. 그러나, 알루미늄의 경우 열처리(annealing) 하는 과정에서 힐락(hiillock)이 성장하는 문제가 있어 이를 방지하기 위해 양극 산화를 하거나 크롬(Cr)과 같은 금속을 알루미늄 위에 추가 증착시킴으로써 해결하고 있다(제2도 a). 그러나, 이런 해결책은 제조 공정에 추가적인 공정 단계가 필요함으로 제조 단가를 절감이라든지 제조 수율을 향상시키고자 하는데 장애 요인이 된다. 최근에 구리를 게이트 전극에 적용한 예로서 IBM Watson 연구소에서 1996년 SID에 게재한 논문 “A Six-Mask TFT-LCD Process Using Copper-Gate Metallurgy”가 있다.
[발명이 이루고자 하는 기술적 과제]
본 발명은 액정 표시 장치를 제조할 때 TFT의 게이트 전극 및 게이트 버스 배선에 전도도가 높은 구리를 사용하여 신호 지연 문제를 해결하는 제조 방법 및 그 방법에 따른 액정 표시 장치의 구조를 제공한다. 또한, 구리를 사용함에 따른 여러 가지 문제들을 해결하면서도 추가 공정이 필요치 않아 종래의 제조 공정과 다르지 않고, 오히려 힐락 성장 방지와 같은 부수적인 공정 단계를 생략함으로써 제조 공정을 단축시키는 방법을 제공한다. 이하 실시 예에서 자세히 논의하도록 한다. 본 발명에 의해 제조된 액정 표시 장치의 TFT 부분과 패드 접속 부분은 제3도에 도시 된 바와 같고, 실시 예에서도 절단된 Ⅱ-Ⅱ´에 의한 TFT 부분의 단면과 절단선 Ⅲ-Ⅲ´에 의한 패드 접속부 단면으로 설명한다.
실시예 1.
구리가 유리 기판 상에 잘 접착하지 못하므로 접착성이 좋은 몰리브덴(Mo)이나 크롬(Cr) 등의 제1금속(112a)을 진공 중에서 투명 유리 기판(111) 위에 증착하고, 연속하여 구리(Cu)(112c)를 증착한 후, 사진 식각법으로 패터닝하여 게이트 버스 배선(113a), 패드부(113b) 및 게이트 전극(113)을 형성하다(제4도 a). 그 위에 구리와 반응을 하지 않는 수지를 전면 증착하여 게이트 절연막(115a)을 형성한다. 그리고, 비정질 순수 반도체(a-Si) 물질과 불순물 반도체(n+a-Si) 물질을 연속 증착하고, 소정의 모양으로 패턴을 형성하여 반도체 층(117)과 불순물 반도체 층(119)을 만든다(제4도 b). 그 위에 크롬(Cr) 등의 소스-드레인부를 위한 금속을 증착하고 패터닝하여 소스 버스 배선(121a), 소스 전극(121), 그리고 드레인 전극(123)을 형성한다. 소스-드레인 전극을 마스크로 하여 드라이 에칭으로 불순물 반도체 층(119)중에 소스 전극과 드레인 전극 사이에 연결된 부분을 완전히 없앤다(제4도 c). 그 위에 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiO2)등과 같은 무기 물질을 전면 증착하여 무기 보호막(125)을 형성한다. 이 때 무기 보호막 대신에 유기 물질을 증착하여 유기 보호막(125a)을 형성하면, 박막 평탄도가 좋아지는 장점이 있다. 그리고, 보호막(125,125a)을 패터닝하여 드레인 전극 위에 있는 보호막에는 화소 전극과 연결하기 위한 화소 전극 접속용 콘택홀(114a)을 형성하고, 게이트 배선 단말부에 있는 패드부에는 패드 단자의 연결하기 위한 패드 단자 접속용 콘택홀(114b)을 형성한다. 패드 단자 접속용 콘택부(114b)에는 구리(112c)가 노출되는데 이를 그냥 두고 ITO를 증착하여 패드 접속 단자를 형성하면, 오히려 구리와의 접속이 잘 안되거나 접속부분에 저항도가 높아질 수 있으므로 질산과 초산을 혼합한 에칭 액으로 제거하여, 밑에 있는 제1금속(112a)이 드러나도록 한다(제4도 d, d´), 그리고, ITO를 전면 증착한 후 패터닝하여, 화소 전극(127)과 패드 단자(129)부를 형성하다(제4도 e, e´).
실시예 2.
투명 유리 기판(111) 상에 크롬(Cr)과 같은 소스-드레인부를 위한 금속을 전면 증착하고, 연속으로 불순물 반도체 물질을 증착하고, 사진 식각법으로 패터닝하여 소스 버스 배선(121a), 소스 전극(121), 드레인 전극(123) 그리고, 그 위에 불순물 반도체 층(119)을 형성한다(제5도 a). 그 다음에 순수 반도체 물질, 질화 실리콘이나 산화 실리콘 등으로 된 무기 절연 물질과, 몰리브덴(Mo)이나 크롬(Cr) 등의 제1금속(112a), 그리고 구리(Cu)(112b)를 연속 증착하고 패터닝하여, 반도체 층(117), 게이트 절연막(115), 게이트 버스 배선(113a), 패드부(113b), 그리고 게이트 전극(113)을 형성한다. 이 때 구리(112c)가 밑에 있는 제1금속층(112a)보다 작아지도록 오버 에치 하면 구리를 보호하는 효과가 좋다(제5도 b). 이 때 구리 위에 다시 몰리브덴(Mo)이나 크롬(Cr)등으로 된 제2금속층(112b)을 연속 증착하여 구리를 보호하기도 한다(제5도 b´). 그 위에 구리와 반응성이 없는 수지를 전면 증착하여 보호막(125a)을 형성한다. 보호막(125a)의 드레인 전극(123) 부분에는 화소 전극과의 접속을 위한 화소 전극 접속용 컨택홀(114a)을 형성하고, 패드부(113b)에는 패드 단자와 접속하기 위한 패드 단자 접속용 콘택부(114b)를 형성한다(제5도 c, c´). 이 때 보호막을 감광성 유기 물질을 사용하면, 사진 식각법으로 콘택홀들(114a, 114b)을 형성할 수 있다. 그리고, ITO를 전면 증착한 후 패터닝하여 화소 전극(127)과 패드 단자부(129)를 형성한다(제5도 d, d´).
실시예 3.
투명 유리 기판(111) 상에 순수 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 연속 증착하고, 사진 식각법등으로 패터닝하여 반도체 층(117)과 불순물 반도체 층(119)을 형성한다(제6도 a). 그 위에 Cr과 같은 소스-드레인부를 위한 금속을 증착한 후, 패터닝하여 소스 버스 배선(121a), 소스 전극(121), 그리고 드레인 전극(123)을 형성한다. 소스-드레인 전을 마스크로 하여 드라이 에칭으로 불순물 반도체 층(119)중에 소스 전극(121)과 드레인 전극(123) 사이에 연결된 부분을 완전히 없앤다(제6도 b). 그 위에 산화 실리콘 등을 전면 증착하다 게이트 절연막(115)을 형성한다. 그 위에 몰리브덴(Mo)이나 크롬(Cr) 금속으로 된 제1금속(112a) 증착하고 그 위에 구리(Cu)(112c)를 연속 증착하고 패터닝하여 게이트 버스 배선(113a), 패드부(113b), 그리고 게이트 전극(113)을 형성한다. 이 때 구리(112c)가 밑에 있는 제1금속(112a)보다 작아지도록 오버 에치하면 구리를 보호하는 효과가 좋다(제6도 c). 또한 구리 금속층(112c) 위에 다시 몰리브덴(Mo)이나 크롬(Cr) 금속으로 된 제2금속(112b)을 증착하다 구리를 보호하기도 한다(제6도 c´). 그 위에 수지를 전면 증착하다 보호막(125a)을 형성한다. 상기 보호막(125a)의 드레인 전극(123) 부분에는 화소 전극과의 접속을 위한 화소 전극 접속용 컨택홀(114a)을 형성하고, 패드부에는 패드 단자와 접속을 위한 패드 단자 접속용 콘택부(114b)를 형성한다(제6도 d, d´). 이 때 보호막(125a)을 감광성 유기 물질을 사용하면, 사진 식각법으로 콘택홀들(114a, 116b)을 형성할 수 있다. 그리고, ITO를 전면 증착한 후 패터닝하여 화소 전극(127)과 패드 단자부(129)를 형성한다(제5도 e, e´).
[발명의 효과]
본 발명은 액정 표시 장치에서 스위치 기능을 하는 TFT의 게이트 금속에 전도도가 높은 구리를 사용하여 제작하는 방법 및 그 방법에 의한 구조를 제공한다. 구리를 게이트 금속으로 사용하는데 있어서 유리 기판과의 접촉문제를 접촉성이 좋은 금속을 개입시켜 해결하였다. 그리고, 실리콘과 구리와의 반응이 일어나는 것을 방지하기 위해 수지를 이용하여 절연막을 사용하는 등의 새로운 방법으로 구리를 게이트 금속으로 원활히 사용할 수 있도록 한다. 더욱이 구리를 사용하는데 있어서, 현재 일반적인 제조 공정에 추가적인 공정이 필요치 않으며, 오히려 알루미늄을 사용할 때 힐락 방지를 위한 공정들이 제외되어 제조 단자를 절감하는 효과 제공하고 있다. 게이트 금속에 전도도가 높은 구리를 성공적으로 사용함으로써 신호 지연 문제를 확기적으로 개선하여, 대형 액정 패널에서도 뛰어난 화상을 제공하는 효과가 있다. 또한 배선의 두께가 줄어 박막의 단차가 감소되고, 배선들의 단락에 의한 불량이 감소하여 제조 수율이 향상되는 효과가 있다. 그리고, 배선의 폭을 줄여 개구율이 높아짐으로써 양질의 화상을 제공하는 효과가 있다.
Claims (14)
- 스위칭 소자를 사용하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판 위에 제1금속을 전면 증착하고, 이어서 구리(Cu)를 연속 증착한 후, 패터닝하여 게이트 버스 배선과 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 유기 물질을 전면 증착하여 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 위에 연속으로 순수 반도체 물질과 불순물이 첨가된 반도체 물질을 연속 증착하고, 패터닝하여 반도체 층과 불순물 반도체 층을 형성하는 단계와;상기 불순물 반도체 층이 형성된 기판 위에 금속을 증착하고, 패터닝하여 소스-드레인 전극 및 소스 버스 배선을 형성하는 단계와;상기 소스-드레인 전극이 형성된 기판 위에 절연 물질을 증착하고, 패터닝하여 드레인 전극부에는 콘택홀과 게이트 버스 배선의 단말 부분에 있는 패드부에는 패드 콘택부를 포함하는 보호막을 형성하는 단계와;상기 패드 컨택부에 드러난 구리(Cu)를 제거하여 구리 밑에 형성된 제1금속이 드러나도록 하는 단계와;상기 보호막이 형성된 기판 위에 ITO 금속을 전면 증착하고, 패터닝하여 화소 전극과 패드 단자부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법.
- 스위칭 소자를 사용하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판 위에 순수 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 연속 증착하고, 패터닝하여 반도체 층과 불순물 반도체 층을 형성하는 단계와;상기 불순물 반도체 층이 형성된 기판 위에 순수 반도체 물질, 절연 물질, 제1금속, 그리고 구리(Cu)를 연속 증측하고, 패터닝하여 반도체 층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 전극 및 게이트 버스 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 유기 물질을 전면 증착하고, 패터닝하여 드레인 전극부에는 콘택홀과 게이트 버스 배선의 단말 부분에 있는 패드부에는 패드 콘택부를 포함하는 보호막을 형성하는 단계와;상기 패드 콘택부에 드러난 구리를 제거하여 그 밑에 있는 제1금속을 드러내는 단계와;상기 보호막이 형성된 기판 위에 ITO 금속을 전면 증착하고, 패터닝하여 화소 전극과 패드 단자부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법.
- 스위칭 소자를 사용하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판 위에 순수 반도체 물질과 불순물 반도체 물질을 연속 증착하고, 패터닝하여 반도체 층과 불순물 반도체 층을 형성하는 단계와;상기 불순물 반도체 층이 형성된 기판 위에 금속을 전면 증착하고, 패터닝하여 소스-드레인 전극과 소스 버스 배선을 형성하는 단계와;상기 소스ㅡ드레인 전극이 형성된 기판 위에 절연 물질, 제1금속, 그리고 구리(Cu)를 연속 증측하고, 패터닝하여 게이트 절연막, 게이트 전극 및 게이트 버스 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극이 형성된 기판 위에 유기 물질을 전면 증착하고, 패터닝하여 드레인 전극부에는 콘택홀과 게이트 버스 배선의 단말 부분에 있는 패드부에는 패드 콘택부를 포함하는 보호막을 형성하는 단계와;상기 패드 컨택부에 드러난 구리(Cu)를 제거하여 그 밑에 있는 제1금속을 드러내는 단계와;상기 보호막이 형성된 기판 위에 ITO 금속을 전면 증착하고, 패터닝하여 화소 전극과 패드 단자부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법.
- 제2항 및 3항중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극과 버스 배선을 형성할 때, 제1금속, 구리(Cu), 그리고 제2금속을 연속 증착하고, 패터닝하여 형성하는 단계와;상기 보호막을 패터닝하여 형성된 패드 콘택부에 제2금속만 드러나도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치 제조방법.
- 스위칭 소자를 사용하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치의 구조에 있어서,기판과;상기 기판 상에 구리(Cu)가 포함되어 형성된 게이트 버스 배선과;상기 게이트 버스 배선에서 분기되며 구리(Cu)가 포함된 게이트 전극을 포함하는 스위칭 소자와;상기 스위칭 소자를 보호하기 위해 증착된 보호막과;상기 보호막 위에 상기 스위칭 소자의 출력 단자와 연결된 화소 전극과;상기 게이트 버스 배선의 단말부에 형성된 패드 콘택부와;상기 패드 컨택부에 드러난 게이트 배선의 금속에 ITO를 덮어서 형성된 패드 단자를 포함하는 액정 표시 장치의 구조.
- 스위칭 소자를 사용하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치의 구조에 있어서,기판과;상기 기판 상에 형성된 제1금속층과 상기 제1금속층 위에 형성된 구리(Cu)로 이루어진 게이트 버스 배선과;상기 기판 상에 형성된 제1금속층과 상기 제1금속층 위에 형성된 구리(Cu)로 이루어진 게이트 전극과;상기 게이트 버스 배선과 게이트 전극 위에 유기 물질로 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위에 형성된 반도체 층과, 상기 반도체 층 위에 형성된 불순물 반도체 층과;상기 불순물 반도체 층과 연결되어 형성된 소스-드레인 전극 및 소스 버스 배선과;상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체 층, 불순물 반도체 층, 그리고 소스-드레인을 포함하는 스위칭 소자를 보호하는 보보막과;상기 게이트 배선의 단말부에 형성된 패드 컨택부와;상기 패드 컨택부에 드러난 구리를 제거하여 노출된 제1금속층에 ITO를 덮어서 형성된 패드 단자를 포함하는 액정 표시 장치의 구조.
- 제5항 또는 제6항에 있어서,상기 스위칭 소자를 덮는 보호막이 SiO2와 SiNX를 포함하는 무기 절연 물질들을 포함하는 그룹중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구조.
- 제5항 또는 제6항에 있어서,상기 스위칭 소자를 덮는 보호막이 유기 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구조.
- 스위칭 소자를 사용하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치의 구조에 있어서,기판과;상기 기판 상에 형성된 소스-드레인 전극 및 소스 버스 배선과;상기 소스-드레인 전극 위에 형성된 불순물 반도체 층과;상기 불순물 반도체 층 위에 형성된 반도체 층과;상기 반도체 층 위에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위에 형성된 제1금속층과 상기 제1금속층 위에 형성된 구리(Cu)층으로 이루어진 게이트 전극 및 게이트 버스 배선과;상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체 층, 불순물 반도체 층, 그리고 소스-드레인을 포함하는 스위칭 소자를 보호하는 보호막과;상기 게이트 버스 배선 단말부에 형성된 패드 컨택부와;상기 패드 컨택부에 드러난 구리를 제거하여 노출된 제1금속층에 ITO를 덮어서 형성한 패드 단자부를 포함하는 액정 표시 장치의 구조.
- 제9항에 있어서, 상기 게이트 전극 및 게이트 버스 배선이상기 게이트 절연막 위에 형성된 제1금속층과;상기 제1금속층 위에 형성된 구리(Cu)층과;상기 구리층 위에 형성된 제2금속층으로 이루어지고,상기 패드 단자는 상기 패드 컨택부에 드러난 제2금속층에 ITO를 덮어서 형성한 것을 포함하는 액정 표시 장치의 구조.
- 스위칭 소자를 사용하는 능동 매트릭스 액정 표시 장치의 구조에 있어서,기판과;상기 기판 상에 형성된 반도체 층과;상기 반도체 층 위에 형성된 불순물 반도체 층과;상기 불순물 반도체 층 위에 형성된 소스-드레인 전극 및 소스 버스 배선과;상기 소스-드레인 전극 위에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막 위에 형성된 제1금속층과 상기 제1금속층 위에 형성된 구리(Cu)층으로 이루어진 게이트 전극 및 게이트 버스 배선과;상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체 층, 불순물 반도체 층, 그리고 소스-드레인을 포함하는 스위칭 소자를 보호하는 보호막과;상기 게이트 버스 배선 단말부에 형성된 패드 컨택부와;상기 패드 컨택부에 드러난 구리를 제거하여 노출된 제1금속층에 ITO를 덮어서 형성한 패드 단자를 포함하는 액정 표시 장치의 구조.
- 제11항에 있어서, 상기 게이트 전극 및 게이트 버스 배선이상기 게이트 절연막 위에 형성된 제1금속층과 상기 제1금속층 위에 형성된 구리(Cu)층 및 상기 구리층 위에 형성된 제2금속층으로 이루어지고,상기 패드 단자는 패드 단자 접속용 컨택홀에 드러난 제2금속층에 ITO를 덮어서 형성한 것을 포함하는 액정 표시 장치의 구조.
- 제9항 및 12항중 어느 한 항에 있어서,상기 스위칭 소자를 덮는 보호막이 건식 에칭으로 패터닝 되는 유기 절연물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구조.
- 제9항 및 12항중 어느 한 항에 있어서,상기 스위칭 소자를 덮는 보호막이 감광성 유기 절연 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 구조.
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| KR1019960038249A KR100242109B1 (ko) | 1996-09-04 | 1996-09-04 | 액정 표시 장치 제조 방법 및 구조 |
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|---|---|
| KR (1) | KR100242109B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437820B1 (ko) * | 1998-08-31 | 2004-06-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 배선층으로 구리를, 투명도전층으로 인듐산화물과 금속산화물을 주성분으로 하는 복합산화물을 이용한 전자기기용 구성기판및 그것을 이용한 전자기기 |
| KR100858297B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2008-09-11 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
-
1996
- 1996-09-04 KR KR1019960038249A patent/KR100242109B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100858297B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2008-09-11 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
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