KR102649713B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판 상에 발광원 및/또는 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 및 상기 발광원이 공급된 기판에 전압을 인가하는 전압 인가 유닛을 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. An apparatus for processing a substrate includes a liquid supply unit that supplies a light emitting source and/or a processing liquid to the substrate; And it may include a voltage application unit that applies voltage to the substrate to which the light emitting source is supplied.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for processing substrates.
최근, 디스플레이 시장은 CRT에서 LCD, 그리고 OLED 등 다양한 기술이 개발되고 확산되면서 성장했다. 중소형 디스플레이 시장은 OLED가 주도하고 있다. OLED는 LCD 대비 구조가 간단해 원가가 저렴하고, 플렉서블을 구현할 수 있어 스마트폰 주력 디스플레이로 부상했다. 반면 대형 디스플레이 시장은 여전히 LCD가 주도하고 있다. 중소형과는 달리 대형 OLED는 제조 원가가 비싸고, CAPEX 부담도 크기 때문이다. Recently, the display market has grown with the development and spread of various technologies such as CRT, LCD, and OLED. The small and medium-sized display market is led by OLED. OLED has emerged as the main display for smartphones due to its simpler structure compared to LCD, lower cost, and flexibility. On the other hand, the large display market is still led by LCD. Unlike small and medium-sized OLEDs, large-sized OLEDs are expensive to manufacture and have a large CAPEX burden.
최근 대형 디스플레이 시장에서 OLED를 대체하기 위한 차세대 기술이 부상하고 있다. OLED를 대체하기 위한 차세대 기술로 QD-OLED와, QNED를 그 예로 들 수 있다. 특히, QNED는 미세한 크기의 LED인 나노 로드(Nanorods)가 광원인 구조를 가진다. OLED는 유기물이 발광하는 구조이기 때문에 수명이 짧고 번인 문제가 발생하지만, QNED는 무기물인 LED가 발광하는 구조로 수명이 길고 소모 전력이 적다는 장점이 있다.Recently, next-generation technology to replace OLED is emerging in the large display market. Examples of next-generation technologies to replace OLED include QD-OLED and QNED. In particular, QNED has a structure in which nanorods, which are microscopic LEDs, are the light source. OLED has a short lifespan and burn-in problems because it is a structure in which organic materials emit light, but QNED has a structure in which inorganic LEDs emit light and has the advantage of having a long lifespan and low power consumption.
QNED를 제조하는 공정에서는, 발광원으로 사용되는 나노 로드가 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 상에 공급(증착)된다. 나노 로드의 공급은 나노 로드를 포함하는 처리액을 박막 트랜지스터로 공급하는 방식으로 수행된다. 박막 트랜지스터에 공급된 나노 로드들은 그 길이 방향이 제 각각인 비 정렬 상태인데, 이와 같이 나노 로드들이 비 정렬 상태인 경우 제조된 QNED의 발광 효율, 선명도 등을 떨어뜨린다. 다시 말해, QNED의 발광 효율, 그리고 선명도를 높이기 위해서는 박막 트랜지스터에 공급된 나노 로드들을 정렬시키는 것이 요구된다.In the process of manufacturing QNED, nanorods used as a light emitting source are supplied (deposited) on a thin film transistor (TFT). The supply of nanorods is performed by supplying a processing liquid containing nanorods to the thin film transistor. The nanorods supplied to the thin film transistor are in a non-aligned state with different longitudinal directions. When the nanorods are in a non-aligned state, the luminous efficiency and clarity of the manufactured QNED are reduced. In other words, in order to increase the luminous efficiency and clarity of QNED, it is required to align the nanorods supplied to the thin film transistor.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.One object of the present invention is to provide a substrate processing device that can efficiently process substrates.
또한, 본 발명은 발광 효율, 그리고 선명도가 높은 디스플레이를 제조할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device capable of manufacturing a display with high luminous efficiency and clarity.
또한, 본 발명은 기판 상에 공급된 발광원을 정렬할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device capable of aligning light emitting sources supplied on a substrate.
또한, 본 발명은 기판에 전압을 인가하여 기판 상에 공급된 발광원을 정렬할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device capable of aligning light emitting sources supplied on a substrate by applying a voltage to the substrate.
또한, 본 발명은 기판에 전압을 인가시 기판에 전달되는 압력을 완충하여 기판에 손상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device that can minimize damage to the substrate by buffering the pressure transmitted to the substrate when voltage is applied to the substrate.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치에 기판을 로딩 또는 언로딩시 기판이 기판 처리 장치의 기재와 충돌하여 파손되는 위험을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing device that can minimize the risk of the substrate being damaged by colliding with the substrate of the substrate processing device when loading or unloading the substrate into the substrate processing device.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재들로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited here, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판 상에 발광원을 포함하는 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 및 상기 발광원이 공급된 기판에 전압을 인가하는 전압 인가 유닛을 포함하고, 상기 전압 인가 유닛은, 상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와; 상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. An apparatus for processing a substrate includes a liquid supply unit that supplies a processing liquid containing a light emitting source onto the substrate; and a voltage applying unit that applies a voltage to the substrate to which the light emitting source is supplied, wherein the voltage applying unit is provided to be in electrical contact with an electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and is connected to a power source to emit the light. a voltage application member that applies voltage to the electrode of the substrate to which the source is supplied; It is provided to be in electrical contact with the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and may include a voltage emission member that emits the voltage applied to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied.
일 실시 예에 의하면, 상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는, 기판과 접촉되어 기판으로 전압을 인가하는 적어도 하나 이상의 도전성 핀을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the voltage applying member and the voltage emitting member may include at least one conductive pin that is in contact with the substrate and applies a voltage to the substrate.
일 실시 예에 의하면, 상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는, 상기 도전성 핀이 기판과 접촉시 기판에 전달되는 압력을 완충하는 완충 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the voltage applying member and the voltage emitting member may further include a buffering member that buffers pressure transmitted to the substrate when the conductive pin contacts the substrate.
일 실시 예에 의하면, 상기 전압 인가 부재는, 전원과 연결되는 도전성 판을 더 포함하고, 상기 도전성 판, 상기 완충 부재, 그리고 상기 도전성 핀은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.According to one embodiment, the voltage applying member further includes a conductive plate connected to a power source, and the conductive plate, the buffer member, and the conductive pin may be electrically connected to each other.
일 실시 예에 의하면, 상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는, 상기 도전성 핀이 삽입되는 홈이 형성된 하우징; 및 상기 하우징에 삽입된 상기 도전성 핀을 이동시키는 이동부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the voltage applying member and the voltage emitting member include a housing having a groove into which the conductive pin is inserted; And it may further include a moving member that moves the conductive pin inserted into the housing.
일 실시 예에 의하면, 상기 이동부재는, 상기 하우징을 상하 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있다.According to one embodiment, the moving member may be configured to move the housing in the vertical direction.
일 실시 예에 의하면, 상기 이동부재는, 상기 하우징을 측 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있다.According to one embodiment, the moving member may be configured to move the housing in a lateral direction.
일 실시 예에 의하면, 상기 이동부재는, 상기 하우징을 기판의 이동 방향과 평행한 회전 축을 중심으로 회전시키도록 구성될 수 있다.According to one embodiment, the moving member may be configured to rotate the housing about a rotation axis parallel to the moving direction of the substrate.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛; 및 부상된 기판을 그립하여 기판을 상기 스테이지 유닛 상에서 이동시키는 그립 유닛을 더 포함하고, 상기 전압 인가 유닛은, 상기 그립 유닛에 설치되어 상기 그립 유닛과 함께 이동될 수 있다.According to one embodiment, the device includes a stage unit that levitates the substrate by spraying gas onto the lower surface of the substrate; and a grip unit that grips the floating substrate and moves the substrate on the stage unit, wherein the voltage application unit is installed on the grip unit and can be moved together with the grip unit.
일 실시 예에 의하면, 상기 그립 유닛은, 부상된 기판을 진공 흡착 방식으로 그립하는 그립퍼를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the grip unit may further include a gripper that grips the floating substrate using a vacuum suction method.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 기판이 안착되며 안착된 기판과 함께 이동 가능한 안착 플레이트를 가지는 스테이지 유닛을 더 포함하고, 상기 전압 인가 유닛은, 상기 스테이지 유닛에 설치되어 상기 안착 플레이트와 함께 이동될 수 있다.According to one embodiment, the device further includes a stage unit having a seating plate on which a substrate is mounted and movable together with the mounted substrate, and the voltage applying unit is installed on the stage unit and moves with the seating plate. It can be.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판 상에 나노단위 크기의 로드 형상을 가지는 발광원들이 포함된 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 및 전극을 포함하는 기판 상에 공급된 상기 발광원들을 정렬할 수 있도록 기판 상에 전계를 발생시키는 전압 인가 유닛을 포함하고, 상기 전압 인가 유닛은, 상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와; 상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함할 수 있다.Additionally, the present invention provides a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus includes a liquid supply unit that supplies a processing liquid containing nanoscale rod-shaped light emitting sources onto a substrate; and a voltage application unit that generates an electric field on the substrate to align the light emitting sources supplied on a substrate including an electrode, wherein the voltage application unit is electrically connected to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied. a voltage application member provided to be contactable and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied; It is provided to be in electrical contact with the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and may include a voltage emission member that emits the voltage applied to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛; 및 부상된 기판의 일 측을 그립하고, 그립된 기판을 액 공급 유닛의 아래 영역으로 이동시키는 그립 유닛을 더 포함하고, 상기 전압 인가 유닛은, 상기 그립 유닛에 설치되어 상기 그립 유닛과 함께 이동될 수 있다.According to one embodiment, the device includes a stage unit that levitates the substrate by spraying gas onto the lower surface of the substrate; and a grip unit that grips one side of the levitated substrate and moves the gripped substrate to an area below the liquid supply unit, wherein the voltage application unit is installed on the grip unit and moves together with the grip unit. You can.
일 실시 예에 의하면, 상기 그립 유닛은, 부상된 기판의 저면을 진공 흡착 방식으로 그립하는 그립퍼를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the grip unit may further include a gripper that grips the bottom of the floating substrate using a vacuum suction method.
일 실시 예에 의하면, 상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는, 기판 상에 형성된 전극과 접촉되어 상기 전극으로 전압을 인가하여 상기 전계를 발생시키는 적어도 하나 이상의 도전성 핀을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the voltage applying member and the voltage emitting member may include at least one conductive pin that is in contact with an electrode formed on a substrate and applies a voltage to the electrode to generate the electric field.
일 실시 예에 의하면, 상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는, 상기 도전성 핀이 기판과 접촉시 기판에 전달되는 압력을 완충하는 완충 부재를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the voltage applying member and the voltage emitting member may further include a buffering member that buffers pressure transmitted to the substrate when the conductive pin contacts the substrate.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 액 공급 유닛이 기판 상으로 상기 처리액을 공급하는 동안 상기 전압 인가 유닛이 상기 기판 상에 전압을 인가하도록 상기 액 공급 유닛, 그리고 상기 전압 인가 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the device further includes a controller, wherein the voltage application unit applies a voltage to the substrate while the liquid supply unit supplies the processing liquid onto the substrate. The supply unit and the voltage application unit can be controlled.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 액 공급 유닛이 기판 상으로 상기 처리액을 공급하고 난 이후, 상기 전압 인가 유닛이 상기 기판 상에 전압을 인가하도록 상기 액 공급 유닛, 그리고 상기 전압 인가 유닛을 제어할 수 있다.According to one embodiment, the device further includes a controller, wherein the voltage application unit applies a voltage to the substrate after the liquid supply unit supplies the processing liquid onto the substrate. The liquid supply unit and the voltage application unit can be controlled.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 글라스 기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛; 부상된 글라스 기판을 진공 흡착 방식으로 그립하여 기판을 상기 스테이지 유닛 상에서 이동시키는 그립 유닛; 글라스 기판 상에 발광원인 나노 로드(Nanorods) 및 아세 톤을 포함하는 처리액을 잉크젯(Inkjet) 방식으로 공급하는 액 공급 유닛; 상기 그립 유닛에 설치되고, 상기 처리액이 공급된 글라스 기판에 전압을 인가하여 상기 나노 로드들의 길이 방향을 일 방향으로 정렬시키는 전압 인가 유닛을 포함하고, 상기 전압 인가 유닛은, 상기 나노 로드이 공급된 상기 글라스 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 나노 로드들이 공급된 상기 글라스 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와; 상기 나노 로드이 공급된 상기 글라스 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 나노 로드들이 공급된 상기 글라스 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함할 수 있다.Additionally, the present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a stage unit that levitates the substrate by spraying gas onto the lower surface of the glass substrate; a grip unit that grips the floating glass substrate using a vacuum suction method and moves the substrate on the stage unit; A liquid supply unit that supplies a treatment liquid containing nanorods, which are light emitting sources, and acetone onto the glass substrate by inkjet; A voltage application unit installed in the grip unit and applying a voltage to the glass substrate supplied with the processing liquid to align the longitudinal direction of the nanorods in one direction, wherein the voltage application unit is configured to apply a voltage to the glass substrate supplied with the processing liquid. a voltage application member provided to be in electrical contact with the electrode of the glass substrate and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the glass substrate to which the nanorods are supplied; It is provided to be in electrical contact with the electrode of the glass substrate to which the nanorods are supplied, and may include a voltage emission member that emits the voltage applied to the electrode of the glass substrate to which the nanorods are supplied.
일 실시 예에 의하면, 상기 전압 인가 유닛은, 글라스 기판 상에 형성된 전극과 접촉되어 기판으로 전압을 인가하는 도전성 핀; 상기 도전성 핀과 서로 전기적으로 연결되고, 가상기 도전성 핀이 상기 전극과 접촉시 기판에 글라스 기판에 전달되는 압력을 완충하는 완충 부재; 및 상기 도전성 핀이 상기 전극과 선택적으로 접촉될 수 있도록 상기 도전성 핀의 위치를 변경하는 이동부재를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the voltage application unit includes a conductive pin that contacts an electrode formed on a glass substrate to apply a voltage to the substrate; a buffer member electrically connected to the conductive pin and buffering the pressure transmitted to the glass substrate when the virtual group conductive pin contacts the electrode; and a moving member that changes the position of the conductive pin so that the conductive pin can selectively contact the electrode.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate can be processed efficiently.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 발광 효율, 그리고 선명도가 높은 디스플레이를 제조할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, a display with high luminous efficiency and clarity can be manufactured.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 공급된 발광원을 정렬할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, light emitting sources supplied on the substrate can be aligned.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 전압을 인가하여 기판 상에 공급된 발광원을 정렬할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, the light emitting sources supplied on the substrate can be aligned by applying a voltage to the substrate.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 전압을 인가시 기판에 전달되는 압력을 완충하여 기판에 손상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.Additionally, according to an embodiment of the present invention, damage to the substrate can be minimized by buffering the pressure transmitted to the substrate when voltage is applied to the substrate.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치에 기판을 로딩 또는 언 로딩시 기판이 기판 처리 장치의 기재와 충돌하여 파손되는 위험을 최소화 할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the risk of the substrate being damaged by colliding with the substrate of the substrate processing device when loading or unloading the substrate into the substrate processing device can be minimized.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 그립 유닛, 그리고 전압 인가 유닛을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 그립 유닛, 그리고 전압 인가 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 전압 인가 유닛의 전압 인가 부재를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 전압 인가 유닛의 전압 방출 부재를 개략적으로 보여는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전압 인가 유닛에 의해 전압이 인가되는 상태를 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 도 1의 기판 처리 장치가 처리하는 기판의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 1의 기판 처리 장치가 처리하는 기판의 일 예를 상부에서 바라본 도면이다.
도 9는 도 8의 기판으로 발광원을 공급한 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 기판에 전압을 인가하여 발광원을 정렬한 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전압 인가 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전압 인가 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 14는 도 13의 전압 인가 유닛을 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram showing the grip unit of FIG. 1 and the voltage application unit.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the grip unit and the voltage application unit of FIG. 2.
FIG. 4 is a diagram schematically showing a voltage application member of the voltage application unit of FIG. 2.
FIG. 5 is a diagram schematically showing the voltage emission member of the voltage applying unit of FIG. 2.
Figure 6 is a diagram schematically showing a state in which voltage is applied by a voltage application unit according to an embodiment of the present invention, as seen from the top.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processed by the substrate processing apparatus of FIG. 1.
FIG. 8 is a view from the top of an example of a substrate processed by the substrate processing apparatus of FIG. 1.
Figure 9 is a diagram showing a light emitting source supplied to the substrate of Figure 8.
FIG. 10 is a diagram showing the alignment of light emitting sources by applying voltage to the substrate of FIG. 9.
Figure 11 is a cross-sectional view showing a voltage application unit according to another embodiment of the present invention.
Figure 12 is a cross-sectional view showing a voltage application unit according to another embodiment of the present invention.
13 is a diagram showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing the voltage application unit of FIG. 13.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Below, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. Additionally, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component does not mean excluding other components, but rather including other components, unless specifically stated to the contrary. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to include one or more other features or It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. Additionally, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer explanation.
용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또한, 본 명세서에서 "연결된다" 및 "결합된다"와 같은 용어의라는 의미는 A 부재와 B 부재가 직접 연결되는 경우뿐만 아니라, A 부재와 B 부재의 사이에 C 부재가 개재되어 A 부재와 B 부재가 간접 연결되는 경우도 의미한다.The term “and/or” includes any one and all combinations of one or more of the listed items. In addition, in this specification, the meaning of terms such as "connected" and "coupled" refers not only to the case where member A and member B are directly connected, but also when member C is interposed between member A and member B. It also refers to cases where B members are indirectly connected.
이하에서는 도 1 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 14.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 그립 유닛, 그리고 전압 인가 유닛을 보여주는 도면이다. 도 1, 그리고 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 기판(G)으로 발광원 및/또는 처리액을 공급하여 기판(G)을 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(1000)는 기판(G)으로 발광원인 나노 로드(Nanorods)가 포함된 처리액을 기판(G)으로 공급하여 기판(G)을 처리할 수 있다. 또한, 기판(G)은 글라스 기판일 수 있다. 보다 상세하게, 기판(G)은 마더 글라스(mother glass)일 수 있다.FIG. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the grip unit and the voltage application unit of FIG. 1 . Referring to FIGS. 1 and 2 , the
기판 처리 장치(1000)는 스테이지 유닛(100), 액 공급 유닛(200), 그립 유닛(300), 전압 인가 유닛(400), 그리고 제어기(미도시)를 포함할 수 있다.The
스테이지 유닛(1000)은 기판(G)을 부상시킬 수 있다. 스테이지 유닛(100)은 스테이지(110), 그리고 지지 구조(120)를 포함할 수 있다. 스테이지(110)는 지지 구조(120)에 의해 지지될 수 있다. 스테이지(110)에는 기체를 분사하는 적어도 하나 이상의 기체 분사 홀(112)이 형성될 수 있다. 예컨대, 스테이지(110)에는 기체를 분사하는 복수의 기체 분사 홀(112)이 형성될 수 있다. 스테이지(110)에 형성되는 기체 분사 홀(112)들은 서로 이격되어 형성될 수 있다. 스테이지(110)에 형성되는 기체 분사 홀(112)들은 서로 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다. 스테이지(110)에 형성되는 기체 분사 홀(112)은 상부에서 바라볼 때, 격자 형식으로 서로 이격되어 형성될 수 있다. 기체 분사 홀(112)은 기판 처리 장치(1000)에 로딩된 기판(G)의 하면으로 기체를 분사하여 기판(G)을 부상시킬 수 있다.The
액 공급 유닛(200)은 기판 처리 장치(1000)에 로딩된 기판(G)으로 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(200)은 잉크젯(Inkjet) 방식으로 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 액 공급 유닛(200)은 잉크젯 방식으로 처리액을 공급하는 잉크젯 헤드 모듈일 수 있다. 액 공급 유닛(200)은 도시되지 않은 구동부재에 의해 이동될 수 있다. 예컨대, 액 공급 유닛(200)은 상부에서 바라본 기판(G)의 이동 방향에 대해 수직인 방향으로 이동될 수 있다. 예컨대, 액 공급 유닛(200)은 좌우 방향으로 이동될 수 있다. 액 공급 유닛(200)은 좌우 방향으로 이동하면서 처리액을 잉크젯 방식으로 토출할 수 있다.The
액 공급 유닛(200)이 공급하는 처리액은 발광원을 포함할 수 있다. 예컨대, 액 공급 유닛(200)이 공급하는 처리액은 발광원에 아세톤을 섞은 처리액 일 수 있다. 처리액이 포함하는 발광원은 미세한 LED인 나노 로드(Nanorods)일 수 있다. 나노 로드는 무기물일 수 있다. 나노 로드는 나노 단위 크기의 Blue LED일 수 있다. 나노 로드는 기둥 형상을 가질 수 있다. 나노 로드는 코어/셀(Core/Shell) 형태 구조 LED 일 수 있다. The processing liquid supplied by the
그립 유닛(300)은 기판(G)을 그립할 수 있다. 그립 유닛(300)은 스테이지 유닛(100)이 부상시킨 기판(G)을 그립할 수 있다. 그립 유닛(300)은 스테이지 유닛(100)이 부상시킨 기판(G)의 일 측을 그립할 수 있다. 그립 유닛(300)은 기판(G)의 일 측 저면을 진공 흡착 방식으로 그립할 수 있다. 또한, 그립 유닛(300)은 스테이지 유닛(100) 상에서 기판(G)을 이동시킬 수 있다. 그립 유닛(300)은 그립한 기판(G)을 직선 이동시킬 수 있다. 그립 유닛(300)은 그립한 기판(G)을 액 공급 유닛(200)의 아래 영역으로 이동시킬 수 있다. 그립 유닛(300)은 액 공급 유닛(200)이 처리액을 공급하는 동안 액 공급 유닛(200)의 아래 영역에서 그립한 기판(G)을 직선 이동시킬 수 있다.The
전압 인가 유닛(400)은 발광원인 나노 로드가 공급된 기판(G)에 전압을 인가할 수 있다. 전압 인가 유닛(400)은 나노 로드가 공급된 기판(G)으로 전압을 인가하여 기판(G) 상에 전계를 발생시킬 수 있다. 전압 인가 유닛(400)이 기판(G) 상에 전계를 발생시키면, 기판(G) 상에 공급된 나노 로드들은 일 방향을 따라 정렬될 수 있다. 전압 인가 유닛(400)은 기판의 이송 방향과 평행한 방향으로 양방향에 제공될 수 있다. 일 실시 예에 있어서, 전압 인가 유닛(400)은 제1측의 제1 전압 인가 유닛(400-1)과 제1측의 맞은 편에 위치되는 제2측의 제2 전압 인가 유닛(400-2)을 포함할 수 있다.The
또한, 전압 인가 유닛(400)은 그립 유닛(300)에 설치될 수 있다. 또한, 전압 인가 유닛(400)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 전압 인가 유닛(400)은 복수 개로 제공될 수 있다. 예컨대, 전압 인가 유닛(400)은 제1측에 제공되는 3개의 제1 전압 인가 유닛(400-1)과, 제2측에 제공되는 3개의 제2 전압 인가 유닛(400-2) 으로제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 전압 인가 유닛(400)의 숫자는 다양하게 가변될 수 있다. Additionally, the
이하에서는 도 3, 도 4 및 도 5를 참고하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)가 가지는 그립 유닛(300), 그리고 전압 인가 유닛(400)에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 복수의 전압 인가 유닛(400)이 그립 유닛(300)에 설치되는 경우, 전압 인가 유닛(400)들 간의 구성은 서로 동일 또는 유사하다. 도 3은 도 2의 그립 유닛, 그리고 전압 인가 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 2의 전압 인가 유닛의 전압 인가 부재를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5는 도 2의 전압 인가 유닛의 전압 방출 부재를 개략적으로 보여는 도면이다.Hereinafter, the
도 3, 도 4, 도 5를 참조하면, 그립 유닛(300)은 이송 프레임(310), 반송 레일(320), 제1이동부(331), 제2이동부(332), 연결판(333), 결합 프레임(340), 그리고 그립퍼(350)를 포함할 수 있다.3, 4, and 5, the
이송 프레임(310)은 반송 레일(321, 322)을 지지할 수 있다. 반송 레일(321, 322)은 그립퍼(350)가 이동되는 이동 경로를 제공할 수 있다. 반송 레일(321, 322)은 제1반송 레일(321), 그리고 제2반송 레일(322)을 포함할 수 있다. 제1반송 레일(321)은 그 길이 방향이 기판(G)의 이동 방향과 서로 평행하도록 제공될 수 있다. 제2반송 레일(322)은 상부에서 바라볼 때, 그 길이 방향이 기판(G)의 이동 방향과 서로 수직하도록 제공될 수 있다.The
제1이동부(331)는 그립퍼(350)를 전/후 방향으로 이동시킬 수 있다. 제1이동부(331)는 제1반송 레일(321)을 따라 이동되는 몸체일 수 있다. 제1이동부(331)는 제1반송 레일(321)과 서로 대응하는 형상을 가지는 홈을 가질 수 있다. 제1이동부(331)는 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 제1이동부(331)는 제1반송 레일(321)과 대응하는 수로 제공될 수 있다. 예컨대, 반송 레일(320)이 한 쌍으로 제공되는 경우, 제1이동부(331)도 이와 마찬가지로 한 쌍으로 제공될 수 있다. The first moving
제2이동부(332)는 그립퍼(350)를 좌/우 방향으로 이동시킬 수 있다. 제2이동부(332)는 제2반송 레일(3220을 따라 이동되는 몸체일 수 있다. 제2이동부(332)는 제2반송 레일(322)과 서로 대응하는 형상을 가지는 홈을 가질 수 있다.The second moving
그립 유닛(300)이 제1이동부(331), 제2이동부(332), 제1반송 레일(321), 그리고 제2반송 레일(322)을 가짐에 따라 그립퍼(350)는 전, 후, 좌, 우 방향으로 이동될 수 있다. 예컨대, 제1이동부(331)가 전/후 방향으로 이동되면, 그립퍼(350)의 위치 또한 전/후 방향으로 변경될 수 있다. 또한, 제2이동부(332)가 좌/우 방향으로 이동되면, 그립퍼(350)의 위치 또한 좌/우 방향으로 변경될 수 있다. As the
결합 프레임(340)에는 그립퍼(350)가 결합될 수 있다. 또한, 결합 프레임(340)에는 전압 인가 유닛(400)이 결합될 수 있다. 즉, 결합 프레임(340)은 그립퍼(350), 그리고 전압 인가 유닛(400)이 결합되는 몸체일 수 있다. 또한, 결합 프레임(340)은 연결판(333)을 매개로 제1이동부(331)와 서로 결합될 수 있다.A
그립퍼(350)는 기판(G)을 그립(Grip)할 수 있다. 그립퍼(350)는 기판(G)의 일 측을 그립할 수 있다. 그립퍼(350)는 기판(G)의 일 측의 저면을 그립할 수 있다. 또한, 그립퍼(350)는 진공 흡착 방식으로 기판(G)을 그립할 수 있다. 예컨대, 그립퍼(350)는 적어도 하나 이상의 진공 흡착 홀(미도시)이 형성된 흡착부(352)를 포함할 수 있다. 흡착부(352)에 형성된 진공 흡착 홀은 기판(G)의 일 측의 저면을 흡착한다. 이에 기판(G)은 스테이지 유닛(100) 상에서 부상되더라도, 그 높이가 일정하게 유지될 수 있다. 또한, 그립퍼(350)는 기판(G)의 저면을 흡착한 상태에서 직선 이동이 가능하므로, 기판(G)을 전/후 방향으로 이동시킬 수 있다.The
전압 인가 유닛(400)은 기판(G)으로 전압을 인가할 수 있다. 전압 인가 유닛(400)은 전기적 접촉 부재(410)를 포함한다. 전기적 접촉 부재(410)는 전압 인가 부재(411)와 전압 방출 부재(412)를 포함한다. 전기적 접촉 부재(410)는 하우징과, 도전성 핀(420), 완충 부재(430), 도전성 판(440)을 포함한다.The
하우징은 단면에서 바라볼 때 대체로 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다. 하우징은 대체로 구부러진 판 형상을 가질 수 있다. 하우징의 일 단에는 도전성 핀(420)이 노출될 수 있다. 예컨대, 하우징에는 도전성 핀(420)이 삽입되는 홈이 형성될 수 있다.The housing may generally have an 'L' shape when viewed in cross section. The housing may have a generally curved plate shape. A
도전성 핀(420)은 기판(G)과 접촉되어 기판(G)으로 전압을 인가할 수 있다. 도전성 핀(420)은 기판(G) 상에 형성된 전극과 접촉되고, 전극으로 전압을 인가하여 기판(G)으로 전압을 인가할 수 있다. 도전성 핀(420)은 기판(G) 상에 형성된 전극과 접촉되고, 전극으로 전압을 인가하여 기판(G) 상에서 전계를 발생시킬 수 있다. 도전성 핀(420)은 도전성 핀(420)이 하우징에 형성된 홈에 걸려 도전성 핀(420)의 이탈을 방지하도록 하는 헤드부, 그리고 헤드부부터 아래 방향으로 연장되는 접촉부를 포함할 수 있다.The
또한, 전압 인가 유닛(400)은 완충 부재(430)를 더 포함할 수 있다. 완충 부재(430)는 도전성 핀(420)의 헤드부, 그리고 도전성 판(440) 사이에 배치될 수 있다. 도전성 판(440)은 전원(460)과 연결되는 전력 인가 라인(451) 또는 전력 방출 라인(452)과 연결되는 판일 수 있다. 완충 부재(430)는 도전성 핀(420)이 기판(G)의 상면과 접촉시 기판(G)에 전달되는 압력을 완충하는 부재일 수 있다. 예컨대, 완충 부재(430)는 스프링 형상을 가질 수 있다.Additionally, the
또한, 도전성 핀(420), 완충 부재(430), 그리고 도전성 판(440)은 전도성 재질로 제공될 수 있다. 도전성 핀(420), 완충 부재(430), 그리고 도전성 판(440)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Additionally, the
전압 인가 부재(411)는 전압을 기판(G)에 인가하는 부재이다. 전압 인가 부재(411)는 전력 인가 라인(451)과 연결된다. 전력 인가 라인(451)은 도전성 판(440)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 전원(460)이 도전성 판(440)으로 전압을 인가하면, 인가된 전압은 완충 부재(430)를 통해 도전성 핀(420)으로 전달될 수 있다. 또한, 도전성 핀(420)은 상술한 그립퍼(350)의 흡착부(352)와 마주하는 위치에 제공될 수 있다.The
전압 방출 부재(412)는 전압 인가 부재(411)로부터 인가된 전압의 방출하는 부재이다. 전압 방출 부재(412)는 전력 방출 라인(452)과 연결된다. 전력 방출 라인(452)과 도전성 판(440)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The
이동부재(470)는 도전성 핀(420)을 이동시킬 수 있다. 예컨대, 이동부재(470)는 도전성 핀(420)이 삽입된 하우징을 이동시킬 수 있다. 이동부재(470)는 하우징을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로, 이동부재(470)는 수직 프레임(471), 수직 레일(472), 그리고 수직 구동부(474)를 포함할 수 있다. 수직 프레임(471)은 상술한 결합 프레임(340)에 고정 설치되는 구성일 수 있다. 수직 프레임(471)에는 수직 방향을 따라 연장되는 수직 레일(472)이 설치될 수 있다. 수직 레일(472)에는 수직 구동부(474)가 제공될 수 있다. 수직 구동부(474)는 하우징과 결합될 수 있다. 수직 구동부(474)는 수직 레일(472)을 따라 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이에 수직 구동부(474)와 결합된 하우징은 상하 방향을 따라 이동될 수 있다. 하우징이 상하 방향을 따라 이동 가능하게 구성됨으로써, 하우징에 삽입되는 도전성 핀(420)은 기판(G)의 상면과 선택적으로 접촉될 수 있다.The moving
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전압 인가 유닛에 의해 전압이 인가되는 상태를 상부에서 바라본 모습을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 6을 참조하면, 마더 글라스로 제공되는 기판(G)에 복수개의 패널(P)이 제공된다. 도시되는 일 예로는 마더 글라스로 제공되는 기판(G)에 2개의 패널(P)을 도시한다. 제1 패널(P1)은 제1측의 제1 전압 인가 유닛(400-1)에 제공되는 제1 전압 인가 부재에 의해 양의 전압이 공급되고, 제1 전압 방출 부재(400-2)에 의해 인가된 전압이 방출된다. 제2 패널(P2)은 제2측의 제2 전압 인가 유닛(400-2)에 제공되는 제2 전압 인가 부재에 의해 양의 전압이 공급되고, 제2 전압 방출 부재(400-2)에 의해 인가된 전압이 방출된다. 패널(P)에 인가된 전압은 후술되는 바와 같이 제1전극(21) 상의 나노 로드(23)를 정렬한다.도 7는 도 1의 기판 처리 장치가 처리하는 기판의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 7를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)가 처리하여 제조되는 기판(G)은 박막 트랜지스터 층(10), 발광 층(20), 편광 층(30), 그리고 컬러 필터 층(40)을 포함할 수 있다.Figure 6 is a diagram schematically showing a state in which voltage is applied by a voltage application unit according to an embodiment of the present invention, as seen from the top. Referring to FIG. 6, a plurality of panels (P) are provided on a substrate (G) provided as mother glass. An example shown shows two panels (P) on a substrate (G) provided as mother glass. The first panel P1 is supplied with a positive voltage by the first voltage applying member provided to the first voltage applying unit 400-1 on the first side, and is supplied with a positive voltage by the first voltage emitting member 400-2. The applied voltage is emitted. The second panel P2 is supplied with a positive voltage by a second voltage applying member provided to the second voltage applying unit 400-2 on the second side, and is supplied with a positive voltage by the second voltage emitting member 400-2. The applied voltage is emitted. The voltage applied to the panel P aligns the
박막 트랜지스터 층(10)은 In, Ga, Zn, Oxide 등의 물질로 제조될 수 있다. 도 7에 도시된 박막 트랜지스터 층(10)의 구조는 일 예시에 불과하고, 박막 트랜지스터 층(10)의 구조는 공지된 박막 트랜지스터 층(10)의 구조로 다양하게 변형될 수 있다.The thin
발광 층(20)은 상술한 발광원인 나노 로드(23)가 발광하는 층일 수 있다. 발광 층(20)은 제1전극(21), 제2전극(22), 그리고 절연 층(24)을 포함할 수 있다. 나노 로드(23)는 제1전극(21), 그리고 제2전극(22) 사이에 제공될 수 있다. The
제1전극(21)은 박막 트랜지스터 층(10) 위에 형성될 수 있다. 제1전극(21)은 ITO나 Al, Ti, Au 등의 소재를 물리적 기상 증착법(PVD)로 증착하고, 습식 에치 공정을 통해 식각하여 형성될 수 있다. 또한, 제1전극(21)은 상술한 도전성 핀(420)과 접촉되는 전극일 수 있다. The
절연 층(24)은 SIN 혹은 SiO2 등의 소재를 화학적 기상 증착법(CVD)을 통해 형성될 수 있다. The insulating
제2전극(22)은 나노 로드(23)의 상부에 제공될 수 있다. 제2전극(22)은 Ti/Au 혹은 ITO 등의 소재를 물리적 기상 증착법(PVD)로 증착한 뒤 노광/식각 등의 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 제2전극(22)은 나노 로드(23)의 구동을 위한 전극일 수 있다.The
편광 층(30)은 나노 로드(23)가 발생시키는 광을 편광 시키는 층일 수 있다.The
컬러 필터 층(40)은 나노 로드(23)가 발생시키는 광에 R, G, B 색을 입히는 층일 수 있다. 예컨대, 나노 로드(23)가 미세한 크기의 Blue LED 인 경우, 컬러 필터 층(40)은 Blue LED인 나노 로드(23)가 발생시키는 청색 광에 R, G, B 색을 입히는 역할을 수행할 수 있다.The
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 상술한 기판(G)이 가지는 제1전극(21) 상에 나노 로드(23)를 포함하는 처리액을 공급하고, 제1전극(21) 상에 공급된 나노 로드(23)의 방향을 정렬시킬 수 있다.The
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 이용하여 기판(G)으로 나노 로드(23)를 공급하고, 공급된 나노 로드(23)를 정렬하는 방법에 대하여 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 제어기는 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기는 액 공급 유닛(200)이 기판(G) 상으로 처리액을 공급하는 동안 전압 인가 유닛(400)이 기판(G) 상에 전압을 인가하도록 액 공급 유닛(200), 그리고 전압 인가 유닛(400)을 제어할 수 있다. 이와 달리, 제어기는 액 공급 유닛(200)이 기판(G) 상으로 처리액을 공급하고 난 이후, 전압 인가 유닛(400)이 기판(G) 상에 전압을 인가하도록 액 공급 유닛(200), 그리고 전압 인가 유닛(400)을 제어할 수 있다.Hereinafter, a method of supplying
예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터 층(10) 상에는 제1전극(21)이 형성될 수 있다. 제1전극(21)이 형성된 기판(G)은 기판 처리 장치(1000)에 로딩될 수 있다. 기판 처리 장치(1000)에 로딩된 기판(G)은 스테이지 유닛(100)이 분사하는 기체에 의해 부상되고, 부상된 기판(G)은 그립 유닛(300)에 의해 그립될 수 있다. 또한, 부상된 기판(G)은 그립 유닛(300)에 의해 액 공급 유닛(200)의 아래 영역으로 이동될 수 있다.For example, as shown in FIG. 8, the
기판(G)이 액 공급 유닛(200)의 아래 영역으로 이동되면, 액 공급 유닛(200)은 기판(G)으로 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(200)이 공급하는 처리액은 아세 톤에 나노 로드(23)를 섞은 약 액일 수 있다. 처리액이 기판(G)으로 공급되면, 나노 로드(23)는 도 9에 도시된 바와 같이 비 정렬 상태가 된다. 나노 로드(23)가 비 정렬 상태인 경우, 제조되는 디스플레이(예컨대, QNED)의 발광 효율, 선명도 등을 떨어 뜨린다. 이는 나노 로드(23)들이 비 정렬 상태인 경우, 나노 로드(23)들 각각이 발생시키는 광이 서로 간섭되기 때문이다. 이에, 나노 로드(23)들을 일 방향으로 정렬시키는 것이 매우 중요하다.When the substrate G is moved to the area below the
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 기판(G)의 제1전극(21)에 도전성 핀(420)이 접촉되고, 도전성 핀(420)이 제1전극(21)으로 전압을 인가한다. 도전성 핀(420)이 제1전극(21)으로 전압을 인가하게 되면, 기판(G) 상에는 전계가 발생한다. 발생된 전계는 도 10에 도시된 바와 같이 나노 로드(23)들을 일 방향으로 정렬시킨다. 나노 로드(23)들이 정렬되면, 나노 로드(23)들 각각이 발생시키는 광은 서로 간섭되지 않아 제조되는 디스플레이의 발광 효율, 그리고 선명도 등을 높일 수 있다.The
또한, 상술한 바와 같이 전압 인가 유닛(400)은 완충 부재(430)를 포함한다. 이에, 도전성 핀(420)이 제1전극(21)과 접촉시, 제1전극(21)에 인가되는 압력을 완충시킬 수 있어, 기판(G), 구체적으로는 제1전극(21)이 손상되는 것을 최소화 할 수 있다. Additionally, as described above, the
도 11는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전압 인가 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 11에 도시된 전압 인가 유닛(500)의 구성은 아래에서 설명하는 구성을 제외하고, 상술한 전압 인가 유닛(400)의 구성과 동일 또는 유사하다.Figure 11 is a cross-sectional view showing a voltage application unit according to another embodiment of the present invention. The configuration of the
전압 인가 유닛(500)은 기판(G)에 도전성 핀(520)을 선택적으로 접촉시킬 수 있는 이동부재(570)를 포함할 수 있다. 이동부재(570)는 전기적 접촉 부재(510)를 기판(G)의 이동 방향과 평행한 회전 축을 중심으로 회전시키도록 구성될 수 있다. 즉, 전기적 접촉 부재(510)가 회전 축을 중심으로 회전 가능하게 제공됨으로써, 기판(G)을 스테이지 유닛(100) 상에 로딩 또는 언로딩시, 기판(G)이 전기적 접촉 부재(510)와 충돌되는 위험을 보다 감소시킬 수 있다.The
도 12은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전압 인가 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 12에 도시된 전압 인가 유닛(600)의 구성은 아래에서 설명하는 구성을 제외하고, 상술한 전압 인가 유닛(400, 500)의 구성과 동일 또는 유사하다. 전압 인가 유닛(600)은 기판(G)에 도전성 핀(520)을 선택적으로 접촉시킬 수 있는 이동부재(670)를 포함할 수 있다. 이동부재(670)는 그립퍼(350)에 설치되는 수평 레일(672), 수평 레일(672)을 따라 이동되는 수평 구동부(674)를 포함할 수 있다. 전기적 접촉 부재(610)는 수평 구동부(674)에 결합될 수 있다. 즉, 이동부재(670)는 전기적 접촉 부재(610)를 측 방향, 보다 구체적으로는 상부에서 바라본 기판(G)의 이동 방향과 수직한 방향인 좌우 방향으로 전기적 접촉 부재(610)를 이동시킬 수 있다. 즉, 전기적 접촉 부재(610)와 좌우 방향으로 이동 가능하게 제공됨으로써, 기판(G)을 스테이지 유닛(100) 상에 로딩 또는 언로딩시, 기판(G)이 전기적 접촉 부재(610)와 충돌되는 위험을 보다 감소시킬 수 있다.Figure 12 is a cross-sectional view showing a voltage application unit according to another embodiment of the present invention. The configuration of the
상술한 예에서는, 스테이지 유닛(100)이 기판(G)의 하면으로 기체를 분사하여 기판(G)을 부상시키는 것을 예로 들어 설명하였다. 이러한 스테이지 유닛(100)은 기판(G)을 비 접촉 방식으로 부상시킴으로써, 파티클 및 정전기 발생을 낮출 수 있는 점에 이점이 있다. 그러나, 본 발명의 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(2000)는 스테이지 유닛(1100), 액 공급 유닛(1200), 그리고 전압 인가 유닛(1400)을 포함할 수 있다. 액 공급 유닛(1200)의 구성 및 기능은 상술한 액 공급 유닛(200)의 구성 및 기능과 동일 또는 유사하므로 반복되는 설명은 생략한다.In the above example, the
스테이지 유닛(1100)은 안착 플레이트(1110), 그리고 반송 레일(1120)을 포함할 수 있다. 안착 플레이트(1110)는 기판(G)이 안착되는 안착면을 제공한다. 안착 플레이트(1110)에는 진공 흡착 홀이 형성되어 기판(G)을 진공 흡착 방식으로 파지할 수 있다. 또한, 안착 플레이트(1110)는 반송 레일(1120)을 따라 전/후 방향으로 직선 운동할 수 있다. 안착 플레이트(1110)가 반송 레일(1120)을 따라 이동됨으로써 기판(G)은 액 공급 유닛(1200)의 아래 영역으로 이동될 수 있다.The
또한, 전압 인가 유닛(1400)은 스테이지 유닛(1100)에 설치될 수 있다. 예컨대, 전압 인가 유닛(1400)은 스테이지 유닛(1100)에 설치되어 안착 플레이트(1110)와 함께 이동될 수 있다. 전압 인가 유닛(1400)의 구성은 아래에서 설명하는 내용을 제외하고 상술한 전압 인가 유닛(400, 500, 600)의 구성과 동일 유사하다.Additionally, the
도 14는 도 13의 전압 인가 유닛을 보여주는 도면이다. 도 14를 참조하면, 전압 인가 유닛(1400)은 전기적 접촉 부재(1410), 결합 판(1420), 승강 레일(1430), 승강판(1440), 고정 플레이트(1450), 승각 구동부(1460)를 포함할 수 있다. 전기적 접촉 부재(1410)의 구성은 상술한 전기적 접촉 부재(410, 510, 610)의 구성과 일부 형상만 다를 뿐이어서 반복되는 설명은 생략한다. 결합 판(1420)은 스테이지 유닛(1100)에 결합되는 판이다. 결합 판(1420)에는 전기적 접촉 부재(1410)가 승강되는 경로를 제공하는 승강 레일(1430)이 설치될 수 있다. 승강 레일(1430)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 승강 레일(1430)은 한 쌍으로 제공될 수 있다. 승강판(1440)은 승강 레일(1430)을 따라 상하 방향으로 이동 가능한 구성이다. 승강판(1440)은 승강 구동부(1460)가 발생시키는 구동 력에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 승강판(1440)에는 상술한 전기적 접촉 부재(1410)가 결합될 수 있다. 예컨대, 승강판(1440)에는 고정 플레이트(1450)들에 의해 전기적 접촉 부재(1410)가 고정 결합될 수 있다.FIG. 14 is a diagram showing the voltage application unit of FIG. 13. Referring to FIG. 14, the
상술한 전기적 접촉 부재의 실시 예들과 기판(G)이 전기적으로 접촉되어 나노 로드(23)를 정렬하는데 있어서, 전압 인가는 나노 로드(23)를 포함하는 처리액이 공급되는 동시에 행해질 수 있다. 또는 상술한 전기적 접촉 부재의 실시 예들과 기판(G)이 전기적으로 접촉되어 나노 로드(23)를 정렬하는데 있어서, 전압 인가는 나노 로드(23)를 포함하는 처리액이 공급된 이후에 행해질 수 있다.In aligning the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. Additionally, the foregoing is intended to illustrate preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications can be made within the scope of the inventive concept disclosed in this specification, a scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of technology or knowledge in the art. The written examples illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required for specific application fields and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention above is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Additionally, the appended claims should be construed to include other embodiments as well.
기판 처리 장치 : 1000
기판 : G
박막 트랜지스터 층 : 10
발광 층 : 20
제1전극 : 21
제2전극 : 22
나노 로드 : 23
절연 층 : 24
편광 층 : 30
컬러 필터 층 : 40
스테이지 유닛 : 100
스테이지 : 110
기체 분사 홀 : 112
지지 구조 : 120
액 공급 유닛 : 200
그립 유닛 : 300
이송 프레임 : 310
제1반송 레일 : 321
제2반송 레일 : 322
제1이동부 : 331
제2이동부 : 332
연결판 : 333
결합 프레임 : 340
그립퍼 : 350
흡착부 : 352
전압 인가 유닛 : 400, 500, 600
전기적 접촉 부재 : 410, 510, 610
도전성 핀 : 420, 620
완충 부재 : 430
도전성 판 : 440
전력 인가 라인 : 450
전원 : 460
이동부재 : 470, 570, 670
수직 프레임 : 471
수직 레일 : 472
수직 구동부 : 474
수평 레일 : 672
수평 구동부 : 674
기판 처리 장치 : 2000
스테이지 유닛 : 1100
안착 플레이트 : 1110
반송 레일 : 1120
액 공급 유닛 : 1200
전압 인가 유닛 : 1400
몸체 : 1410
결합 판 : 1420
승강 레일 : 1430
승강판 : 1440
고정 플레이트 : 1450
승강 구동부 : 1460Substrate processing units: 1000
Substrate: G
Thin film transistor layers: 10
Luminous layer: 20
First electrode: 21
Second electrode: 22
Nano Rod: 23
Insulating layer: 24
Polarization layer: 30
Color filter layer: 40
Stage Unit: 100
Stage: 110
Gas injection hole: 112
Support structure: 120
Liquid supply unit: 200
Grip Unit: 300
Transfer frame: 310
First conveyance rail: 321
Second conveyance rail: 322
1st Mobile Division: 331
2nd moving unit: 332
Connection plate: 333
Combined Frame: 340
Gripper: 350
Suction part: 352
Voltage application unit: 400, 500, 600
Electrical contact members: 410, 510, 610
Conductive pins: 420, 620
Buffering member: 430
Conductive plate: 440
Power input line: 450
Power: 460
Moving members: 470, 570, 670
Vertical Frame: 471
Vertical rail: 472
Vertical drive: 474
Horizontal rail: 672
Horizontal drive: 674
Substrate processing units: 2000
Stage Unit: 1100
Seating plate: 1110
Return rail: 1120
Liquid supply unit: 1200
Voltage application unit: 1400
Body: 1410
Combined plate: 1420
Elevating rail: 1430
Lifting plate: 1440
Fixed plate: 1450
Elevating drive unit: 1460
Claims (20)
기판 상에 발광원을 포함하는 처리액을 공급하는 액 공급 유닛;
상기 발광원이 공급된 기판에 전압을 인가하는 전압 인가 유닛; 및
기판의 저면을 그립하는 그립퍼를 갖는 그립 유닛을 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와;
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함하되;
상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는,
기판의 상면과 접촉되어 기판으로 전압을 인가하는 적어도 하나 이상의 도전성 핀을 포함하고,
상기 도전성 핀은 상기 그립퍼와 마주하는 위치에서 상기 기판의 상면과 접촉되는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
a liquid supply unit that supplies a processing liquid containing a light emitting source onto the substrate;
a voltage application unit that applies voltage to the substrate supplied with the light emitting source; and
It includes a grip unit having a gripper that grips the bottom of the substrate,
The voltage application unit is,
a voltage application member provided in electrical contact with an electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied;
It is provided to be in electrical contact with the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and includes a voltage emitting member that emits a voltage applied to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied;
The voltage applying member and the voltage emitting member are:
It includes at least one conductive pin that is in contact with the upper surface of the substrate to apply a voltage to the substrate,
The conductive pin is in contact with the upper surface of the substrate at a position facing the gripper.
기판 상에 발광원을 포함하는 처리액을 공급하는 액 공급 유닛;
기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛;
부상된 기판을 그립하여 기판을 상기 스테이지 유닛 상에서 이동시키는 그립 유닛; 및
상기 그립 유닛에 설치되어 상기 그립 유닛과 함께 이동되는 그리고 상기 발광원이 공급된 기판에 전압을 인가하는 전압 인가 유닛을 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와;
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함하되;
상기 그립 유닛은,
부상된 기판을 진공 흡착 방식으로 그립하는 그립퍼를 포함하는 기판 처리 장치. In a device for processing a substrate,
a liquid supply unit that supplies a processing liquid containing a light emitting source onto the substrate;
A stage unit that levitates the substrate by spraying gas onto the lower surface of the substrate;
a grip unit that grips a floating substrate and moves the substrate on the stage unit; and
A voltage application unit installed on the grip unit, moving together with the grip unit, and applying a voltage to the substrate to which the light emitting source is supplied,
The voltage application unit is,
a voltage application member provided in electrical contact with an electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied;
It is provided to be in electrical contact with the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and includes a voltage emitting member that emits a voltage applied to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied;
The grip unit is,
A substrate handling device including a gripper that grips a floating substrate by vacuum suction.
상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는,
상기 도전성 핀이 기판과 접촉시 기판에 전달되는 압력을 완충하는 완충 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The voltage applying member and the voltage emitting member are:
A substrate processing apparatus further comprising a buffer member that buffers pressure transmitted to the substrate when the conductive pin contacts the substrate.
상기 전압 인가 부재는,전원과 연결되는 도전성 판을 더 포함하고,
상기 도전성 판, 상기 완충 부재, 그리고 상기 도전성 핀은 서로 전기적으로 연결되는 기판 처리 장치.According to paragraph 3,
The voltage applying member further includes a conductive plate connected to a power source,
A substrate processing device wherein the conductive plate, the buffer member, and the conductive pin are electrically connected to each other.
상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는,
상기 도전성 핀이 삽입되는 홈이 형성된 하우징; 및
상기 하우징에 삽입된 상기 도전성 핀을 이동시키는 이동부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The voltage applying member and the voltage emitting member are:
a housing having a groove into which the conductive pin is inserted; and
A substrate processing apparatus further comprising a moving member that moves the conductive pin inserted into the housing.
상기 이동부재는,
상기 하우징을 상하 방향으로 이동시키도록 구성되는 기판 처리 장치.According to clause 5,
The moving member is,
A substrate processing device configured to move the housing in an upward and downward direction.
상기 이동부재는,
상기 하우징을 상부에서 바라본 기판의 이동 방향과 수직한 방향인 좌우 방향으로 이동시키도록 구성되는 기판 처리 장치.According to clause 5,
The moving member is,
A substrate processing device configured to move the housing in a left and right direction, which is a direction perpendicular to the direction of movement of the substrate as viewed from the top.
상기 이동부재는,
상기 하우징을 기판의 이동 방향과 평행한 회전 축을 중심으로 회전시키도록 구성되는 기판 처리 장치.According to clause 5,
The moving member is,
A substrate processing device configured to rotate the housing about a rotation axis parallel to the direction of movement of the substrate.
상기 장치는,
기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛; 및
부상된 기판을 그립하여 기판을 상기 스테이지 유닛 상에서 이동시키는 그립 유닛을 더 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 그립 유닛에 설치되어 상기 그립 유닛과 함께 이동되는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The device is,
A stage unit that levitates the substrate by spraying gas onto the lower surface of the substrate; and
Further comprising a grip unit that grips the floating substrate and moves the substrate on the stage unit,
The voltage application unit is,
A substrate processing device installed on the grip unit and moved together with the grip unit.
상기 그립 유닛은,
부상된 기판을 진공 흡착 방식으로 그립하는 그립퍼를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 9,
The grip unit is,
A substrate processing device further comprising a gripper that grips the floated substrate by vacuum suction.
상기 장치는,
기판이 안착되며 안착된 기판과 함께 이동 가능한 안착 플레이트를 가지는 스테이지 유닛을 더 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 스테이지 유닛에 설치되어 상기 안착 플레이트와 함께 이동되는 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The device is,
Further comprising a stage unit on which the substrate is seated and having a seating plate that can move with the seated substrate,
The voltage application unit is,
A substrate processing device installed on the stage unit and moved together with the seating plate.
기판의 저면을 그립하는 그립퍼를 갖는 그립 유닛; 및
전극을 포함하는 기판 상에 공급된 상기 발광원들을 정렬할 수 있도록 기판 상에 전계를 발생시키는 전압 인가 유닛을 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와;
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함하고,
상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는,
기판의 상면과 접촉되어 기판으로 전압을 인가하는 적어도 하나 이상의 도전성 핀을 포함하고,
상기 도전성 핀은 상기 그립퍼와 마주하는 위치에서 상기 기판의 상면과 접촉되는 기판 처리 장치.a liquid supply unit that supplies a processing liquid containing nanoscale rod-shaped light emitting sources onto the substrate;
A grip unit having a gripper that grips the bottom of the substrate; and
A voltage application unit that generates an electric field on a substrate to align the light emitting sources supplied on a substrate including electrodes,
The voltage application unit is,
a voltage application member provided in electrical contact with an electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied;
It is provided to be in electrical contact with the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and includes a voltage emitting member that emits a voltage applied to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied,
The voltage applying member and the voltage emitting member are:
It includes at least one conductive pin that is in contact with the upper surface of the substrate to apply a voltage to the substrate,
The conductive pin is in contact with the upper surface of the substrate at a position facing the gripper.
상기 장치는,
기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛을 더 포함하고,
상기 그립 유닛은
부상된 기판의 일 측을 그립하고, 그립된 기판을 액 공급 유닛의 아래 영역으로 이동시키며,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 그립 유닛에 설치되어 상기 그립 유닛과 함께 이동되는 기판 처리 장치.According to clause 12,
The device is,
It further includes a stage unit for levitating the substrate by spraying gas onto the lower surface of the substrate,
The grip unit is
Gripping one side of the floating substrate and moving the gripped substrate to the area below the liquid supply unit,
The voltage application unit is,
A substrate processing device installed on the grip unit and moved together with the grip unit.
기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛;
부상된 기판의 저면을 그립하는 그립퍼를 갖고, 그립된 기판을 액 공급 유닛의 아래 영역으로 이동시키는 그립 유닛; 및
전극을 포함하는 기판 상에 공급된 상기 발광원들을 정렬할 수 있도록 기판 상에 전계를 발생시키는 전압 인가 유닛을 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와;
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함하고,
상기 그립퍼는
부상된 기판의 저면을 진공 흡착 방식으로 그립하는 기판 처리 장치.a liquid supply unit that supplies a processing liquid containing nanoscale rod-shaped light emitting sources onto the substrate;
A stage unit that levitates the substrate by spraying gas onto the lower surface of the substrate;
a grip unit having a gripper that grips the bottom surface of the floating substrate and moving the gripped substrate to an area below the liquid supply unit; and
A voltage application unit that generates an electric field on a substrate to align the light emitting sources supplied on a substrate including electrodes,
The voltage application unit is,
a voltage application member provided in electrical contact with an electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied;
It is provided to be in electrical contact with the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and includes a voltage emitting member that emits a voltage applied to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied,
The gripper is
A substrate processing device that grips the bottom of a floating substrate using a vacuum suction method.
상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는,
상기 기판 상에 형성된 상기 전극과 전기적으로 접촉되는 적어도 하나 이상의 도전성 핀을 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 14,
The voltage applying member and the voltage emitting member are:
A substrate processing device comprising at least one conductive pin in electrical contact with the electrode formed on the substrate.
상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는,
상기 도전성 핀이 기판과 접촉시 기판에 전달되는 압력을 완충하는 완충 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to clause 15,
The voltage applying member and the voltage emitting member are:
A substrate processing apparatus further comprising a buffer member that buffers pressure transmitted to the substrate when the conductive pin contacts the substrate.
전극을 포함하는 기판 상에 공급된 상기 발광원들을 정렬할 수 있도록 기판 상에 전계를 발생시키는 전압 인가 유닛을 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재;
상기 발광원이 공급된 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 발광원이 공급된 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재; 및
제어기를 포함하며,
상기 제어기는,
상기 액 공급 유닛이 기판 상으로 상기 처리액을 공급하는 동안 상기 전압 인가 유닛이 상기 기판 상에 전압을 인가하도록 상기 액 공급 유닛, 그리고 상기 전압 인가 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.a liquid supply unit that supplies a processing liquid containing nanoscale rod-shaped light emitting sources onto the substrate; and
A voltage application unit that generates an electric field on a substrate to align the light emitting sources supplied on a substrate including electrodes,
The voltage application unit is,
a voltage application member provided to be in electrical contact with an electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied;
a voltage emitting member provided to be in electrical contact with an electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied, and emitting a voltage applied to the electrode of the substrate to which the light emitting source is supplied; and
Includes a controller,
The controller is,
A substrate processing apparatus that controls the liquid supply unit and the voltage application unit so that the voltage application unit applies a voltage to the substrate while the liquid supply unit supplies the processing liquid to the substrate.
상기 장치는,
제어기를 더 포함하고,
상기 제어기는,
상기 액 공급 유닛이 기판 상으로 상기 처리액을 공급하고 난 이후, 상기 전압 인가 유닛이 상기 기판 상에 전압을 인가하도록 상기 액 공급 유닛, 그리고 상기 전압 인가 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 12 or 14,
The device is,
further comprising a controller,
The controller is,
A substrate processing apparatus that controls the liquid supply unit and the voltage application unit so that the voltage application unit applies a voltage to the substrate after the liquid supply unit supplies the processing liquid onto the substrate.
글라스 기판의 하면으로 기체를 분사하여 기판을 부상시키는 스테이지 유닛;
부상된 글라스 기판을 그립하여 기판을 상기 스테이지 유닛 상에서 이동시키는 그립 유닛;
글라스 기판 상에 발광원인 나노 로드(Nanorods)들 및 아세 톤을 포함하는 처리액을 잉크젯(Inkjet) 방식으로 공급하는 액 공급 유닛;
상기 그립 유닛에 설치되고, 상기 처리액이 공급된 글라스 기판에 전압을 인가하여 상기 나노 로드들의 길이 방향을 일 방향으로 정렬시키는 전압 인가 유닛을 포함하고,
상기 전압 인가 유닛은,
상기 나노 로드이 공급된 상기 글라스 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 전원과 연결되어 상기 나노 로드들이 공급된 상기 글라스 기판의 상기 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 부재와;
상기 나노 로드이 공급된 상기 글라스 기판의 전극과 전기적으로 접촉 가능하게 제공되며, 상기 나노 로드들이 공급된 상기 글라스 기판의 상기 전극에 인가된 전압을 방출하는 전압 방출 부재를 포함하고,
상기 그립 유닛은 부상된 기판의 저면을 진공 흡착 방식으로 그립하는 그립퍼를 포함하는 기판 처리 장치.In a device for processing a substrate,
A stage unit that levitates the glass substrate by spraying gas onto the lower surface of the glass substrate;
a grip unit that grips the floating glass substrate and moves the substrate on the stage unit;
a liquid supply unit that supplies a treatment liquid containing nanorods, which are light emitting sources, and acetone onto the glass substrate by inkjet;
A voltage application unit installed in the grip unit and applying a voltage to the glass substrate supplied with the processing liquid to align the longitudinal direction of the nanorods in one direction,
The voltage application unit is,
a voltage application member provided to be in electrical contact with the electrode of the glass substrate to which the nanorods are supplied, and connected to a power source to apply a voltage to the electrode of the glass substrate to which the nanorods are supplied;
A voltage emitting member is provided to be in electrical contact with an electrode of the glass substrate to which the nanorods are supplied, and emits a voltage applied to the electrode of the glass substrate to which the nanorods are supplied,
The grip unit is a substrate processing device including a gripper that grips the bottom of the floating substrate by vacuum suction.
상기 전압 인가 부재 및 상기 전압 방출 부재는,
상기 글라스 기판 상에 형성된 전극과 접촉되어 상기 글라스 기판으로 전압을 인가하는 도전성 핀;
상기 도전성 핀과 서로 전기적으로 연결되고, 상기 도전성 핀이 상기 전극과 접촉시 기판에 글라스 기판에 전달되는 압력을 완충하는 완충 부재; 및
상기 도전성 핀이 상기 전극과 선택적으로 접촉될 수 있도록 상기 도전성 핀의 위치를 변경하는 이동부재를 포함하고,
상기 도전성 핀은 상기 그립퍼와 마주하는 위치에서 상기 기판의 상면과 접촉되는 기판 처리 장치. According to clause 19,
The voltage applying member and the voltage emitting member are:
a conductive pin that contacts an electrode formed on the glass substrate to apply a voltage to the glass substrate;
a buffer member electrically connected to the conductive pin and buffering the pressure transmitted to the glass substrate when the conductive pin contacts the electrode; and
It includes a moving member that changes the position of the conductive pin so that the conductive pin can selectively contact the electrode,
The conductive pin is in contact with the upper surface of the substrate at a position facing the gripper.
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JP2010034382A (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Toppan Printing Co Ltd | Substrate transport apparatus and substrate imaging pickup apparatus |
KR101627365B1 (en) * | 2015-11-17 | 2016-06-08 | 피에스아이 주식회사 | The nano-scale LED electrode assembly for emitting polarized light, method for manufacturing thereof and the polarized LED lamp comprising the same |
Family Cites Families (3)
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US7780825B2 (en) * | 2007-05-21 | 2010-08-24 | Lam Research Corporation | Substrate gripper with integrated electrical contacts |
JP2013093279A (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Hitachi High-Technologies Corp | Organic el device manufacturing apparatus |
KR102053217B1 (en) * | 2018-03-22 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Nano-scale LED electrode assembly and manufacturing method thereof |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010034382A (en) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Toppan Printing Co Ltd | Substrate transport apparatus and substrate imaging pickup apparatus |
KR101627365B1 (en) * | 2015-11-17 | 2016-06-08 | 피에스아이 주식회사 | The nano-scale LED electrode assembly for emitting polarized light, method for manufacturing thereof and the polarized LED lamp comprising the same |
Also Published As
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