KR102634323B1 - Uv led package and method for making the same - Google Patents

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Abstract

UV 엘이디 패키지가 개시된다. 상기 UV 엘이디 패키지는 상부 개방형의 캐비티 및 상기 캐비티 주변의 격벽을 포함하는 리플렉터; 상기 캐비티의 마운트부에 실장되고 성장기판 및 상기 성장기판의 하부에 반도체층들의 적층 구조가 형성된 UV 엘이디 칩; 상기 UV 엘이디 칩의 성장기판의 상부면에 형성된 패턴기판; 및 상기 리플렉터의 캐비티를 덮도록 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 형성된 광투과부재를 포함하며, 상기 패턴기판은 상부면에 복수개의 경사면과 상기 경사면과 교차하는 수평면을 갖는 패턴들을 포함하며, 상기 패턴기판의 수평면과 상기 광투과부재의 하부면이 접한다.UV LED package is disclosed. The UV LED package includes a reflector including a cavity with an open top and a partition around the cavity; a UV LED chip mounted on the mount portion of the cavity and having a growth substrate and a stacked structure of semiconductor layers formed on a lower portion of the growth substrate; A pattern substrate formed on the upper surface of the growth substrate of the UV LED chip; and a light-transmitting member formed on an upper portion of the partition wall of the reflector to cover the cavity of the reflector, wherein the pattern substrate includes patterns having a plurality of inclined surfaces on an upper surface and a horizontal plane intersecting the inclined surfaces, wherein the pattern substrate The horizontal surface of and the lower surface of the light transmitting member are in contact with each other.

Description

UV 엘이디 패키지 및 제조방법{UV LED PACKAGE AND METHOD FOR MAKING THE SAME}UV LED package and manufacturing method {UV LED PACKAGE AND METHOD FOR MAKING THE SAME}

본 발명은 성장기판의 상면을 통해 UV광이 방출되는 UV 엘이디 칩을 이용하는 UV 엘이디 패키지에 관한 것이며, 더 상세하게는, 이러한 UV 엘이디 패키지에서, UV 광의 추출 효율을 높이기 위한 구조를 포함하는 UV 엘이디 패키지 및 그것의 제조기술에 관한 것이다. The present invention relates to a UV LED package using a UV LED chip that emits UV light through the upper surface of a growth substrate, and more specifically, in this UV LED package, a UV LED including a structure to increase the extraction efficiency of UV light. It relates to packages and their manufacturing technology.

여기에서 본 발명에 관한 배경기술이 제공되는데, 이 배경기술은 반드시 공지된 기술을 의미하는 것은 아니다. Background art regarding the present invention is provided herein, but this background art does not necessarily mean known art.

일반적으로 UV 엘이디 패키지는 마운트부와 그 마운트부에 실장된 UV 엘이디 칩과, UV 엘이디 칩을 덮는 UV 광 투과성 보호부재를 포함한다. 통상 UV 엘이디 칩은 100 ~ 280 nm 파장 범위의 UV-C 또는 280 ~ 320 nm 파장 범위의 UV-B광을 방출한다. 또한 UV 엘이디 칩으로는 사파이어로 이루어진 성장기판과 그 성장기판 상에서 성장된 질화갈륨계 반도체층들의 적층 구조를 포함하는 UV 엘이디 칩이 이용된다.Generally, a UV LED package includes a mount part, a UV LED chip mounted on the mount part, and a UV light-transmitting protection member that covers the UV LED chip. Typically, UV LED chips emit UV-C light in the 100 to 280 nm wavelength range or UV-B light in the 280 to 320 nm wavelength range. In addition, a UV LED chip is used as a UV LED chip, which includes a growth substrate made of sapphire and a stacked structure of gallium nitride-based semiconductor layers grown on the growth substrate.

또한, 최근에는 본딩 와이어의 생략 등을 위해 성장기판의 일면을 광 방출면으로 이용하고 반도체 적층 구조의 하부에 전극패드들이 모두 형성된 플립칩(flip chip) 타입의 UV 엘이디 칩이 이용된다.Additionally, recently, in order to omit bonding wires, a flip chip type UV LED chip is used in which one side of the growth substrate is used as a light emitting surface and electrode pads are all formed at the bottom of the semiconductor stacked structure.

이와 같은 UV 엘이디 칩을 포함하는 종래 UV 엘이디 패키지에 있어서, 보호부재와 UV 엘이디 칩의 성장기판 사이에는 공기층이 존재하는데, 성장기판의 굴절률이 약 1.7 ~ 1.8이고 공기층의 굴절률이 약 1.0이므로, 내부 전반사로 인해 많은 양의 UV 광이 성장기판과 공기층의 계면, 즉, 성장기판의 광 방출면을 통과하지 못하는 현상이 발생한다. 또한, UV 엘이디 칩을 보호하는 UV 투광성 보호부재를 통해 최종적으로 UV 광이 외부로 방출되는데 UV 투광성 보호부재와 성장기판 사이의 큰 갭으로 인하여 UV 광의 손실이 많았다.In a conventional UV LED package including such a UV LED chip, an air layer exists between the protective member and the growth substrate of the UV LED chip. Since the refractive index of the growth substrate is about 1.7 to 1.8 and the refractive index of the air layer is about 1.0, the internal Due to total reflection, a phenomenon occurs in which a large amount of UV light cannot pass through the interface between the growth substrate and the air layer, that is, the light emission surface of the growth substrate. In addition, UV light is ultimately emitted to the outside through the UV light-transmitting protection member that protects the UV LED chip, but there was a lot of loss of UV light due to the large gap between the UV light-transmitting protection member and the growth substrate.

이에 대하여 성장기판의 상면에 내부 전반사를 줄이는 패턴들을 형성하여 광 추출 효율을 높이는 것이 고려될 수 있다. 그러나, 성장기판의 두 면 중 반도체 적층 구조가 형성된 면의 반대면에 패턴들을 형성하는 것은 그 패턴들의 형성 과정에서 반도체 적층 구조에 대미지(damage)가 가해져 적용이 어렵다. In response to this, it may be considered to increase light extraction efficiency by forming patterns that reduce total internal reflection on the top surface of the growth substrate. However, it is difficult to form patterns on the side of the growth substrate opposite to the side on which the semiconductor stacked structure is formed because damage is done to the semiconductor stacked structure during the pattern formation process.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 성장기판의 상면을 통해 UV광이 방출되는 UV 엘이디 칩을 이용하는 UV 엘이디 패키지로, UV 광의 추출 효율을 높이기 위한 구조를 포함하는 UV 엘이디 패키지 및 그것의 제조기술을 제공하는 것이다.Therefore, the problem to be solved by the present invention is a UV LED package using a UV LED chip that emits UV light through the upper surface of the growth substrate, a UV LED package including a structure to increase the extraction efficiency of UV light, and manufacturing the same. providing technology.

본 발명의 일측면에 따른 UV 엘이디 패키지는, 상부 개방형의 캐비티 및 상기 캐비티 주변의 격벽을 포함하는 리플렉터; 상기 캐비티의 마운트부에 실장되고 성장기판 및 상기 성장기판의 하부에 반도체층들의 적층 구조가 형성된 UV 엘이디 칩; 상기 UV 엘이디 칩의 성장기판의 상부면에 형성된 패턴기판; 및 상기 리플렉터의 캐비티를 덮도록 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 형성된 광투과부재를 포함하며, 상기 패턴기판은 상부면에 복수개의 경사면과 상기 경사면과 교차하는 수평면을 갖는 패턴들을 포함하며, 상기 패턴기판의 수평면과 상기 광투과부재의 하부면이 접한다.A UV LED package according to one aspect of the present invention includes a reflector including an open upper cavity and a partition around the cavity; a UV LED chip mounted on the mount portion of the cavity and having a growth substrate and a stacked structure of semiconductor layers formed on a lower portion of the growth substrate; A pattern substrate formed on the upper surface of the growth substrate of the UV LED chip; and a light-transmitting member formed on an upper portion of a partition wall of the reflector to cover the cavity of the reflector, wherein the pattern substrate includes patterns having a plurality of inclined surfaces on an upper surface and a horizontal plane intersecting the inclined surfaces, wherein the pattern substrate The horizontal surface of and the lower surface of the light transmitting member are in contact.

일 실시예에 따라, 상기 광투과부재와 상기 패턴기판 사이의 최대 이격 거리는 15㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the maximum separation distance between the light transmitting member and the pattern substrate may be 15 μm or less.

일 실시예에 따라, 상기 수평면이 상기 광투과부재의 하부면과 평면 대 평면으로 접해 있다.According to one embodiment, the horizontal surface is in contact with the lower surface of the light transmitting member in a plane-to-plane plane.

일 실시예에 따라, 상기 UV 엘이디 칩의 성장기판의 상부면과 상기 패턴기판의 하부면 사이에 제1 접착제층이 형성된다.According to one embodiment, a first adhesive layer is formed between the upper surface of the growth substrate of the UV LED chip and the lower surface of the pattern substrate.

일 실시예에 따라, 상기 리플렉터의 격벽의 상부와 상기 광투과부재의 하부면 사이에 제2 접착제층이 형성된다.According to one embodiment, a second adhesive layer is formed between the upper part of the partition wall of the reflector and the lower surface of the light transmitting member.

일 실시예에 따라, 상기 캐비티의 마운트부로부터 상기 패턴기판의 상부면까지의 거리는 상기 패턴기판의 상부면과 상기 광투과부재의 하부면이 접촉할 때까지 상기 제2 접착제층의 두께와 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 리플렉터의 상단까지의 거리의 합과 같다.According to one embodiment, the distance from the mount portion of the cavity to the upper surface of the pattern substrate is the thickness of the second adhesive layer and the cavity until the upper surface of the pattern substrate contacts the lower surface of the light transmitting member. is equal to the sum of the distances from the bottom of the reflector to the top of the reflector.

일 실시예에 따라, 상기 제1 접착제층의 용융점 온도는 상기 엘이디 칩을 상기 마운트부에 본딩하는 본딩 재료의 용융점 온도보다 낮다.According to one embodiment, the melting point temperature of the first adhesive layer is lower than the melting point temperature of the bonding material for bonding the LED chip to the mount unit.

일 실시예에 따라, 상기 제1 접착제층은 우레탄 실리콘 하이브리드 재료로 형성된다.According to one embodiment, the first adhesive layer is formed of a urethane silicone hybrid material.

일 실시예에 따라, 상기 리플렉터는 제1 오목부를 갖는 제1 바디와 제2 오목부를 갖는 제2 바디를 포함하며, 상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부가 함께 상기 UV 엘이디 칩이 수용되는 캐비티를 형성한다.According to one embodiment, the reflector includes a first body having a first concave portion and a second body having a second concave portion, and the first concave portion and the second concave portion together include a cavity in which the UV LED chip is accommodated. forms.

일 실시예에 따라, 상기 UV 엘이디 칩은 상기 제1 바디에 본딩되는 제1 도전성 전극과 상기 제2 바디에 본딩되는 제2 도전성 전극을 하부면에 모두 구비하는 플립칩형 UV 엘이디 칩일 수 있다.According to one embodiment, the UV LED chip may be a flip-chip type UV LED chip having both a first conductive electrode bonded to the first body and a second conductive electrode bonded to the second body on the lower surface.

일 실시예에 따라, 상기 패턴기판의 패턴들은 규칙적으로 배열된다.According to one embodiment, the patterns of the pattern substrate are arranged regularly.

일 실시예에 따라, 상기 패턴기판의 패턴들 각각의 최대 폭은 약 2-4um일 수 있다.According to one embodiment, the maximum width of each pattern of the patterned substrate may be about 2-4 um.

본 발명의 일측면에 따른 UV 엘이디 패키지 제조방법은 상부 개방형의 캐비티 및 상기 캐비티 주변의 격벽을 포함하는 리플렉터를 준비하는 단계; 성장기판 및 상기 성장기판의 하부에 반도체층들의 적층 구조가 형성된 UV 엘이디 칩을 준비하는 단계; 패턴기판을 준비하는 단계; 광투과부재를 준비하는 단계; 상기 UV 엘이디 칩을 상기 리플렉터의 캐비티의 마운트부에 실장하는 단계;A UV LED package manufacturing method according to one aspect of the present invention includes preparing a reflector including an open upper cavity and a partition around the cavity; Preparing a growth substrate and a UV LED chip having a stacked structure of semiconductor layers formed on a lower portion of the growth substrate; Preparing a patterned substrate; Preparing a light transmitting member; Mounting the UV LED chip on a mount portion of the cavity of the reflector;

상기 UV 엘이디 칩이 상기 마운트부에 실장된 후, 상기 UV 엘이디 칩의 성장기판의 상부면과 상기 패턴기판을 제1 접착제층을 통해 결합하는 단계; 및After the UV LED chip is mounted on the mount unit, combining the upper surface of the growth substrate of the UV LED chip and the pattern substrate through a first adhesive layer; and

상기 리플렉터의 캐비티 및 상기 패턴기판을 덮도록 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 광투과부재를 배치하는 단계를 포함하며, 상기 패턴기판은 상부면에 복수개의 경사면과 상기 경사면과 교차하는 수평면을 갖는 패턴들을 포함하며, 상기 패턴기판의 컨택면과 상기 광투과부재의 하부면이 접한다. 여기에서 상기 패턴기판의 컨택면은 상기 패턴기판의 상부면 중 상기 광투과부재의 하부면과 접하지 않는 면을 제외한 면을 의미한다. 그리고, 상기 접하지 않는 면에서 상기 패턴기판과 상기 광투과부재 사이에는 최대 이격거리가 존재한다. Disposing a light-transmitting member on an upper portion of a partition wall of the reflector to cover the cavity of the reflector and the pattern substrate, wherein the pattern substrate has patterns having a plurality of inclined surfaces on an upper surface and a horizontal plane intersecting the inclined surfaces. It includes a contact surface of the pattern substrate and a lower surface of the light transmitting member. Here, the contact surface of the patterned substrate refers to the upper surface of the patterned substrate excluding the surface that is not in contact with the lower surface of the light-transmitting member. In addition, there is a maximum separation distance between the pattern substrate and the light transmitting member on the non-contact surface.

일 실시예에 따라, 상기 UV 엘이디 칩을 상기 리플렉터의 캐비티의 마운트부에 실장하는 단계에서, 상기 UV 엘이디 칩을 상기 마운트부에 실장하기 위한 본딩 온도는 상기 제1 접착제층의 융점 온도보다 높다.According to one embodiment, in the step of mounting the UV LED chip on the mount portion of the cavity of the reflector, a bonding temperature for mounting the UV LED chip on the mount portion is higher than the melting point temperature of the first adhesive layer.

일 실시예에 따라, 상기 패턴기판의 패턴을 형성하는 단계는 화학적 식각을 이용한다.According to one embodiment, the step of forming a pattern of the patterned substrate uses chemical etching.

일 실시예에 따라, 상기 제1 접착제층은 우레탄 실리콘 하이브리드 재료로 형성된다.According to one embodiment, the first adhesive layer is formed of a urethane silicone hybrid material.

일 실시예에 따라, 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 상기 광투과부재를 배치하는 단계는, 상기 패턴기판과 상기 광투과부재가 접촉할 때까지 상기 리플렉터와 상기 광투과부재 사이에 개재된 제2 접착제층을 압축시키면서, 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 상기 광투과부재를 결합하는 것을 포함한다.According to one embodiment, the step of disposing the light-transmitting member on the upper part of the partition of the reflector includes applying a second adhesive between the reflector and the light-transmitting member until the pattern substrate and the light-transmitting member come into contact. and coupling the light-transmitting member to the upper part of the partition wall of the reflector while compressing the layer.

일 실시예에 따라, 상기 마운트부는 제1 오목부를 갖는 제1 바디와 제2 오목부를 갖는 제2 바디를 포함하며, 상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부가 상기 UV 엘이디 칩이 수용되는 캐비티를 형성하며, 상기 UV 엘이디 칩은 상기 제1 바디에 본딩되는 제1 도전성 전극과 상기 제2 바디에 본딩되는 제2 도전성 전극을 하부면에 모두 구비하는 플립칩형 UV 엘이디 칩일 수 있다.According to one embodiment, the mount unit includes a first body having a first concave portion and a second body having a second concave portion, and the first concave portion and the second concave portion define a cavity in which the UV LED chip is accommodated. The UV LED chip may be a flip-chip type UV LED chip having both a first conductive electrode bonded to the first body and a second conductive electrode bonded to the second body on the lower surface.

본 발명에 따른 UV 엘이디 패키지는 UV 엘이디 칩의 상부에 구비된 성장기판의 광 방출면 상에 동일 또는 유사한 굴절률을 갖는 패턴기판이 결합되고, 그 패턴기판의 상면에 UV 광의 내부 전반사를 줄이는 패턴들이 형성됨으로써, UV 광의 추출 효율을 크게 증가시킬 수 있다.In the UV LED package according to the present invention, a patterned substrate having the same or similar refractive index is bonded to the light emitting surface of a growth substrate provided on top of a UV LED chip, and patterns that reduce total internal reflection of UV light are placed on the upper surface of the patterned substrate. By being formed, the extraction efficiency of UV light can be greatly increased.

본 발명의 다른 이점이나 작용 효과들은 이하 실시예의 설명으로부터 이해될 수 있을 것이다.Other advantages or effects of the present invention may be understood from the description of the examples below.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 엘이디 패키지를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 일부를 확대 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 엘이디 패키지 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.Figure 1 is a cross-sectional view showing a UV LED package according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a portion of FIG. 1.
Figures 3 to 6 are diagrams for explaining a method of manufacturing a UV LED package according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면들을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 엘이디 패키지를 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 일부를 확대 도시한 도면이다.Figure 1 is a diagram showing a UV LED package according to an embodiment of the present invention, and Figure 2 is an enlarged diagram of a portion of Figure 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 엘이디 패키지는, 굴절률 1.7 ~ 1.8의 성장기판(110) 및 상기 성장기판(110) 상에서 성장된 반도체층들의 적층 구조(120)를 포함하는 UV 엘이디 칩(100)과, 상기 성장기판(110)이 위로 향하도록 상기 UV 엘이디 칩(100)이 실장되는 리플렉터(200)를 포함한다. 리플렉터(200)는 메탈 재질의 리플렉터가 선호되지만, UV 엘이디 칩(100)이 실장되는 마운트부를 포함하는 다양한 구조 및/또는 다양한 재료(예컨대, 플라스틱 수지 또는 세라믹 등)의 리플렉터가 이용될 수도 있다. Referring to Figures 1 and 2, the UV LED package according to an embodiment of the present invention includes a growth substrate 110 with a refractive index of 1.7 to 1.8 and a stacked structure 120 of semiconductor layers grown on the growth substrate 110. It includes a UV LED chip 100 including a reflector 200 on which the UV LED chip 100 is mounted so that the growth substrate 110 faces upward. The reflector 200 is preferably made of metal, but reflectors of various structures and/or various materials (e.g., plastic resin or ceramic, etc.) including a mount on which the UV LED chip 100 is mounted may be used.

또한, 상기 UV 엘이디 패키지는 상기 성장기판(110)의 상부면에 형성된 제1접착제층(400)과, 상기 제1 접착제층(400)에 의해 상기 성장기판(110)의 상부면에 결합된 패턴기판(500)과, 상기 패턴기판(500)을 덮도록 상기 패턴기판(500)의 상측에 배치된 광투과부재(700)를 더 포함한다.In addition, the UV LED package includes a first adhesive layer 400 formed on the upper surface of the growth substrate 110, and a pattern coupled to the upper surface of the growth substrate 110 by the first adhesive layer 400. It further includes a substrate 500 and a light transmitting member 700 disposed on an upper side of the patterned substrate 500 to cover the patterned substrate 500 .

상기 UV 엘이디 칩(100)은 질화갈륨계 반도체층들의 적층 구조(120)와, 그 질화갈륨계 반도체층들이 성장되는 성장기판(110)를 포함한다. 상기 성장기판(110)은 사파이어 기판인 것이 바람직하다. 또한 상기 성장기판(110)은 상기 반도체층들의 적층 구조(120)가 형성되는 성장면과 그 반대편의 광 방출면을 포함한다. 상기 반도체들의 적층 구조, 즉, 반도체 적층 구조(120)는 상기 성장기판(110)으로부터 멀어지는 방향을 따라 차례로 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함한다. 또한, 상기 UV 엘이디 칩(100)은 상기 제1 도전형 반도체층(122)과 연결된 제1 도전형 전극(141) 및 상기 제2 도전형 반도체층(126)과 연결된 제2 도전형 전극(142)을 모두 하부면에 구비한다. 본 실시예에서는, 제2 도전형 반도체층(126) 및 활성층(124) 일부가 메사 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층(122)의 일 영역에 제1 도전형 전극(141)이 형성되지만, 절연피복층과 함께 제2 도전형 반도체층(126)과 활성층(124)을 관통하는 비아에 의해 제1 도전형 전극(141)이 제1 도전형 반도체층(122)과 연결될 수도 있음에 유의한다. 또한, 상기 UV 엘이디 칩(100)의 하부에는 반사층(130)이 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전형 반도체층(122)과 상기 성장기판(110) 사이에는 격자 부정합 완화를 위한 버퍼층이 개재될 수 있다.The UV LED chip 100 includes a stacked structure 120 of gallium nitride-based semiconductor layers and a growth substrate 110 on which the gallium nitride-based semiconductor layers are grown. The growth substrate 110 is preferably a sapphire substrate. Additionally, the growth substrate 110 includes a growth surface on which the stacked structure 120 of the semiconductor layers is formed and a light emission surface opposite to the growth surface. The stacked structure of the semiconductors, that is, the semiconductor stacked structure 120, includes a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126 in order along the direction away from the growth substrate 110. ) includes. In addition, the UV LED chip 100 includes a first conductive electrode 141 connected to the first conductive semiconductor layer 122 and a second conductive electrode 142 connected to the second conductive semiconductor layer 126. ) are all provided on the lower surface. In this embodiment, the first conductive electrode 141 is formed in a region of the first conductive semiconductor layer 122 exposed by mesa etching of a portion of the second conductive semiconductor layer 126 and the active layer 124. Note that the first conductive electrode 141 may be connected to the first conductive semiconductor layer 122 by a via that penetrates the second conductive semiconductor layer 126 and the active layer 124 along with the insulating coating layer. . Additionally, a reflective layer 130 may be formed on the lower part of the UV LED chip 100. Additionally, a buffer layer for alleviating lattice mismatch may be interposed between the first conductive semiconductor layer 122 and the growth substrate 110.

또한, 상기 리플렉터(200)는 제1 오목부를 갖는 제1 바디(210)와 제2 오목부를 갖는 제2 바디(220)를 포함하며, 상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부가 함께 상기 UV 엘이디 칩(100)이 수용되는 캐비티(201)를 형성한다. 상기 제 1 바디(210)와 상기 제2 바디(220)는 열전도성이 좋은 메탈 재료로 형성되는 것이 바람직하지만, 세라믹 또는 플라스틱 수지 등 다른 재료로 형성될 수도 있다. 다만, 열전도성이 우수한 재료가 이용되는 것이 좋다. In addition, the reflector 200 includes a first body 210 having a first concave portion and a second body 220 having a second concave portion, and the first concave portion and the second concave portion together form the UV LED. A cavity 201 in which the chip 100 is accommodated is formed. The first body 210 and the second body 220 are preferably made of a metal material with good thermal conductivity, but may also be made of other materials such as ceramic or plastic resin. However, it is better to use a material with excellent thermal conductivity.

앞에서 언급한 바와 같이, 상기 UV 엘이디 칩(100)은 상기 성장기판(110)이 위로 향하도록 그리고 반도체 적층 구조(120)가 아래로 향하도록 캐비티(101)의 바닥측 마운트부에 실장된다. 이때, 상기 UV 엘이디 칩(100)의 제1 도전형 전극패드(141) 및 제2 도전형 전극패드(142) 각각은 제1 본딩부(901) 및 제2 본딩부(902)에 의해 상기 제1 바디(210)와 상기 제2 바디(220) 상에 각각 연결된다. 따라서, 상기 제1 바디(210)와 상기 제2 바디(220) 각각은 제1 도전형 전극패드(141) 및 제2 도전형 전극패드(142) 각각에 접속하여 UV 엘이디 칩(100)에 전류를 인가하는 단자들로서의 역할을 하게 된다. 상기 제1 본딩부(901) 및 상기 제2 본딩부(902)는, 300℃ 이상의 접착 온도를 갖는 유테틱(eutectic) 본딩 재료가 이용될 수 있다. 성장기판(110)과 패턴기판(500)을 접착시키는 제1 접착제층(400)의 융점 온도가 상기 제1 본딩부(901) 및 상기 제2 본딩부(902)의 접착 온도보다 낮으므로, UV 엘이디 칩(100)이 캐비티(201)의 바닥측 마운트부에 실장된 다음, 제1 접착제층(400)을 이용하여 패턴기판(500)이 성장기판(110)에 접착된다.As previously mentioned, the UV LED chip 100 is mounted on the bottom mount portion of the cavity 101 with the growth substrate 110 facing upward and the semiconductor stack structure 120 facing downward. At this time, each of the first conductive electrode pad 141 and the second conductive electrode pad 142 of the UV LED chip 100 is connected to the first conductive electrode pad 141 and the second conductive electrode pad 142 by the first bonding part 901 and the second bonding part 902. It is connected to the first body 210 and the second body 220, respectively. Therefore, each of the first body 210 and the second body 220 is connected to each of the first conductive electrode pad 141 and the second conductive electrode pad 142 to transmit current to the UV LED chip 100. It serves as terminals that apply. The first bonding part 901 and the second bonding part 902 may be made of a eutectic bonding material having an adhesion temperature of 300°C or higher. Since the melting point temperature of the first adhesive layer 400 that bonds the growth substrate 110 and the pattern substrate 500 is lower than the bonding temperature of the first bonding portion 901 and the second bonding portion 902, UV After the LED chip 100 is mounted on the bottom mount portion of the cavity 201, the pattern substrate 500 is attached to the growth substrate 110 using the first adhesive layer 400.

앞에서 언급한 바와 같이, 상기 패턴기판(500)은 상기 성장기판(110)에 부착되는 하부면에 대한 반대편 면, 즉, 상부면에 UV 광 추출 효율을 높이기 위한 다수의 패턴(520)들을 포함한다. 상기 패턴(520)들은 예컨대 마스크를 이용한 화학적 포토 식각에 의해 형성될 수 있으며, 콘형, 돔형, 피라미드형, 반구형 등의 형상으로 형성될 수 있다. 상기 패턴(520)들 각각의 최대 폭은 약 2-4um인 것이 바람직하다. 2um 미만인 경우, UV 광의 추출 효율을 증가시키는 경사면 크기가 너무 작아져 광 추출 효율을 높일 수 없고, 4um을 초과하면 패턴들 개수가 적어진다. 또한, 상기 패턴기판(500)은 대략 140 ~ 160um의 두께를 갖는다.이때, 상기 패턴기판(500)의 상부면은, 상기 패턴(520)들이 없는 평면인 경우, 패턴기판(500)과 공기와의 굴절률 차이로 인해 많은 영역에서 UV 광의 내부 전반사가 일어나 UV 광의 추출 효율이 떨어질 수 있다. 하지만, 본 실시예에 따르면, 패턴(520)들 각각이 일정 각도 기울어진 경사면(521)들을 포함하고, 각 경사면(521)이 많은 영역에서 UV 광의 입사각을 임계각보다 작게 해주어 UV 광의 추출 효율을 높인다. 여기에서, 용어 “경사면”은 직선 경사면은 물론이고 곡선 경사면도 포함하는 의미로 사용되었다.As mentioned before, the patterned substrate 500 includes a plurality of patterns 520 to increase UV light extraction efficiency on the upper surface, that is, the opposite surface to the lower surface attached to the growth substrate 110. . The patterns 520 may be formed, for example, by chemical photo etching using a mask, and may be formed in a cone shape, dome shape, pyramid shape, or hemisphere shape. It is preferable that the maximum width of each of the patterns 520 is about 2-4um. If it is less than 2um, the size of the slope that increases the extraction efficiency of UV light becomes too small to increase light extraction efficiency, and if it exceeds 4um, the number of patterns decreases. In addition, the pattern substrate 500 has a thickness of approximately 140 to 160 μm. At this time, when the upper surface of the pattern substrate 500 is a plane without the patterns 520, the pattern substrate 500 and air Due to the difference in refractive index, total internal reflection of UV light may occur in many areas, reducing the extraction efficiency of UV light. However, according to this embodiment, each of the patterns 520 includes inclined surfaces 521 inclined at a certain angle, and in areas where each inclined surface 521 has many, the incident angle of UV light is made smaller than the critical angle, thereby increasing the extraction efficiency of UV light. . Here, the term “slope” is used to include both straight slopes and curved slopes.

본 실시예에 따르면, 성장기판(110)의 상면에 패턴들을 형성하는 대신, 미리 패턴(520)들이 형성된 패턴기판(500)을 제1 접착제층(400)을 이용해 성장기판(110)의 상면에 부착함으로써, 성장기판(110)의 상면에 직접 패턴들을 형성할 경우 그 패턴들을 형성하는 공정으로 인해 UV 엘이디 칩(100)에 가해지는 대미지 문제를 해결한다. 또한, 패턴기판(500)의 두께와 패턴(520)들의 크기 및 형상이 다른 여러 타입의 패턴기판(500)을 여러 조건에 따라 적절히 선택하여 UV 엘이디 칩(100)의 성장기판(110)의 상면에 부착해 이용함으로써, 설계 자유도를 높일 수 있고, 광 추출 효율도 더 높일 수 있다. 예컨대, 캐비티(201)의 깊이에 따라 두께가 다른 패턴기판(500)을 적절히 선택하여, UV 광의 추출 효율을 더 높일 수 있다.According to this embodiment, instead of forming patterns on the upper surface of the growth substrate 110, the patterned substrate 500 on which the patterns 520 have been formed in advance is attached to the upper surface of the growth substrate 110 using the first adhesive layer 400. By attaching it, when patterns are formed directly on the upper surface of the growth substrate 110, the problem of damage to the UV LED chip 100 due to the process of forming the patterns is solved. In addition, various types of patterned substrates 500 with different thicknesses of the patterned substrates 500 and sizes and shapes of the patterns 520 are appropriately selected according to various conditions to grow the upper surface of the growth substrate 110 of the UV LED chip 100. By attaching and using it, design freedom can be increased and light extraction efficiency can be further improved. For example, by appropriately selecting the patterned substrate 500 with different thicknesses depending on the depth of the cavity 201, the extraction efficiency of UV light can be further increased.

상기 성장기판(110)으로 패턴들이 형성되어 있지 않은 성장기판이 이용될 수 있지만, 대안적으로, 광추출 효율을 높이거나 반도체층의 LLO 성장을 위해 일면에 패턴들이 형성된 성장기판(110)이 이용될 수도 있다. 이 경우, 성장기판(110)에 구비된 패턴들은 패턴기판에 형성된 패턴들과 같은 구조의 패턴들이거나 또는 다른 구조의 패턴들이 수 있다.A growth substrate without patterns may be used as the growth substrate 110, but alternatively, a growth substrate 110 with patterns formed on one side may be used to increase light extraction efficiency or for LLO growth of the semiconductor layer. It could be. In this case, the patterns provided on the growth substrate 110 may have the same structure as the patterns formed on the pattern substrate or may have a different structure.

한편, 상기 광투과부재(700)는 서로 평행한 평면들인 상부면과 하부면을 포함하며, 상기 패턴기판(500)의 상부면 패턴(520)들은 상기 광투과부재(700)의 하부면과 간헐적으로 접촉함으로써, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700) 사이에 공기 갭을 줄인다. 더 나아가, 상기 패턴기판(500)의 패턴(520)들은 광 추출 효율을 높이기 위해 제공된 경사면과 교차하는 수평면(522)들을 포함한다. 상기 패턴(520)들의 수평면(522)들은 상기 광투과부재(700)의 하부면과 평면 대 평면으로 접촉하여, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700) 사이의 공기 갭을 최소화한다. 상기 패턴(520)들 각각의 수평면(522) 면적을 증가시키면 굴절률이 낮은 공기 갭을 줄여 광 추출 효율을 높일 수 있지만, 입사각을 변화시키는 경사면(521)의 크기가 감소될 수 있다. 따라서, 광 추출 효율을 최대화할 수 있도록 수평면(522)의 면적을 결정하는 것이 바람직하다.Meanwhile, the light transmitting member 700 includes an upper surface and a lower surface that are planes parallel to each other, and the upper surface patterns 520 of the pattern substrate 500 are intermittent with the lower surface of the light transmitting member 700. By contacting the pattern substrate 500 and the light transmitting member 700, the air gap is reduced. Furthermore, the patterns 520 of the patterned substrate 500 include horizontal surfaces 522 that intersect inclined surfaces provided to increase light extraction efficiency. The horizontal surfaces 522 of the patterns 520 contact the lower surface of the light transmitting member 700 in a plane-to-plane manner, thereby minimizing the air gap between the pattern substrate 500 and the light transmitting member 700. . Increasing the area of the horizontal surface 522 of each of the patterns 520 can increase light extraction efficiency by reducing the air gap with a low refractive index, but the size of the inclined surface 521 that changes the angle of incidence can be reduced. Therefore, it is desirable to determine the area of the horizontal surface 522 to maximize light extraction efficiency.

한편, 제2 접착제층(600)은 상기 리플렉터(500)와 상기 광투과부재(700) 사이에 개재되어 상기 리플렉터(500)에 상기 광투과부재(700)를 접착시킨다. 여기에서, 상기 제2 접착제층(600)의 역할은 리플렉터와 광투과부재 사이를 접착시키는 역할뿐만 아니라, 상기 광투과부재(700)와 상기 패턴기판(500) 사이의 간격을 조절하는 역할도 할 수 있다. 상기 광투과부재(700)와 상기 패턴기판(500) 사이의 간격을 조절하는 이유는 패턴기판(500)에 형성된 패턴의 사이즈가 설계에 따라 달라질 수 있기 때문이며, 또한, 에어 갭에 따른 광 투과율의 조절 필요성 때문이다.Meanwhile, the second adhesive layer 600 is interposed between the reflector 500 and the light-transmitting member 700 to adhere the light-transmitting member 700 to the reflector 500. Here, the role of the second adhesive layer 600 is not only to adhere between the reflector and the light-transmitting member, but also to adjust the gap between the light-transmitting member 700 and the pattern substrate 500. You can. The reason for adjusting the gap between the light transmitting member 700 and the pattern substrate 500 is that the size of the pattern formed on the pattern substrate 500 may vary depending on the design, and also the light transmittance according to the air gap can be adjusted. This is because of the need for control.

상기 캐비티(201)의 바닥측 마운트부로부터 상기 패턴기판(500)의 상부면까지의 거리는 상기 패턴기판(500)의 상부면과 상기 광투과부재(700)의 하부면이 접촉할 때까지 상기 광투과부재(700)의 하부면과 상기 리플렉터(200)의 상단 사이에서 압축된 제2 접착제층(600)의 두께와 상기 캐비티(201)의 바닥측 마운트부로부터 상기 리플렉터(500)의 상단까지의 거리의 합과 같다. 상기 제2 접착제층(600)의 압축 전 두께는 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700)가 접촉되지 않는 정도로 적용되고, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700)가 접촉될 때까지 상기 제2 접착제층(600)이 압축되도록 함으로써, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700)를 용이하게 접촉시킬 수 있다. The distance from the bottom mount portion of the cavity 201 to the upper surface of the patterned substrate 500 is the light until the upper surface of the patterned substrate 500 and the lower surface of the light transmitting member 700 come into contact. The thickness of the second adhesive layer 600 compressed between the lower surface of the transparent member 700 and the top of the reflector 200 and the thickness of the second adhesive layer 600 from the bottom mount of the cavity 201 to the top of the reflector 500 It is equal to the sum of the distances. The thickness of the second adhesive layer 600 before compression is such that the patterned substrate 500 and the light transmitting member 700 do not contact each other, and the patterned substrate 500 and the light transmitting member 700 do not contact each other. By compressing the second adhesive layer 600 until contact, the patterned substrate 500 and the light transmitting member 700 can be easily brought into contact.

한편, 상기 제1 접착제층(400)은 상기 UV 엘이디 칩(100)을 상기 리플렉터(200)의 캐비티(201) 바닥측 마운트부에 본딩하는 본딩 재료의 용융점 온도 또는 접착 온도보다 낮은 용융점 온도를 갖는다. 그리고, 상기 제1 접착제층(400)은 우레탄 실리콘 하이브리드 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 우레탄 실리콘 하이브리드 재료는 우레탄의 반응기에 실리콘 성분을 부착시킨 재료로서, 충분한 점탄성과 접착력을 가지면서도 UV 광에 대한 저항성을 갖는다. Meanwhile, the first adhesive layer 400 has a melting point temperature lower than the melting point temperature or adhesion temperature of the bonding material for bonding the UV LED chip 100 to the bottom mount portion of the cavity 201 of the reflector 200. . Additionally, the first adhesive layer 400 is preferably formed of a urethane-silicon hybrid material. Urethane silicone hybrid material is a material in which a silicone component is attached to a urethane reactor, and has sufficient viscoelasticity and adhesive strength while being resistant to UV light.

이제 도 3 내지 도 6을 참조로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 UV 엘이디 패키지 제조방법을 설명한다.Now, a method of manufacturing a UV LED package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 6.

먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 성장기판(110) 및 상기 성장기판(110) 상에서 성장된 반도체층들의 적층 구조(120)를 포함하는 UV 엘이디 칩(100)과, 패턴기판(500)과, 리플렉터(200) 및 광투과부재(700)가 준비된다. UV 엘이디 칩(100), 패턴기판(500), 리플렉터(200) 및 광투과부재(700)를 준비하는 단계들의 순서는 어떻게 되는 무관하다. 도 3에서 UV 엘이디 칩, 패턴기판, 리플렉터 및 광투과부재는 같은 배율로 도시되지 않았음에 유의한다. First, as shown in FIG. 3, a UV LED chip 100 including a growth substrate 110 and a stacked structure 120 of semiconductor layers grown on the growth substrate 110, a patterned substrate 500, and , a reflector 200 and a light transmitting member 700 are prepared. The order of steps for preparing the UV LED chip 100, the pattern substrate 500, the reflector 200, and the light transmitting member 700 is irrelevant. Note that in FIG. 3, the UV LED chip, patterned substrate, reflector, and light transmitting member are not shown at the same magnification.

상기 UV 엘이디 칩(100)의 준비에 있어서, 성장기판(110)의 일면에 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)들을 포함하는 적층 구조(120)가 성장된다. 그리고, 상기 적층 구조(120)는 메사 식각 및/또는 비아 연결 구조를 통해 제1 도전형 반도체층(122)의 일부와 제2 도전형 반도체층(124)의 전체 또는 일부가 한 방향으로 노출된다. 상기 적층 구조(120)는 일측에서 성장기판(110)과 접해 있고 타측에는 제1 도전형 전극패드(141)와 제2 도전형 전극패드(142)가 구비된다. 상기 적층 구조(120)가 성장되는 상기 성장기판(110)의 일면은 평면일 수 있지만 돌기 형태의 다수 패턴들을 포함하는 면 일수도 있다.In preparing the UV LED chip 100, a stacked structure including a first conductive semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second conductive semiconductor layer 126 on one side of the growth substrate 110 ( 120) grows. In addition, the stacked structure 120 exposes all or part of the first conductivity type semiconductor layer 122 and the second conductivity type semiconductor layer 124 in one direction through mesa etching and/or via connection structure. . The stacked structure 120 is in contact with the growth substrate 110 on one side, and is provided with a first conductive electrode pad 141 and a second conductive electrode pad 142 on the other side. One surface of the growth substrate 110 on which the layered structure 120 is grown may be flat, but may also be a surface containing multiple patterns in the form of protrusions.

바람직하게는, 상기 패턴기판(500)이 기판 모재, 바라직하게는, 사파이어 기판 모재의 일면에 다수의 패턴(520)들을 형성함으로써 준비된다. 상기 패턴기판(500)은 전술한 UV 엘이디 칩(100)의 성장기판(110)과 동일한 사파이어 재료로 형성되어 동일하거나 또는 유사한 굴절률을 갖는다. 상기 패턴(520)들은 화학적 포토 식각에 의해 규칙적으로 형성되며, 그 형상은 콘 형상, 돔 형상, 피라미드 형상, 원통 형상 등 다양할 수 있으나, 상기 패턴(520)들 각각은 패턴기판(500)의 상면 영역 중 UV 광 입사각이 임계각보다 작은 영역의 면적을 증가시켜 내부 전반사를 줄이도록 형성된 경사면(521)과, 상기 경사면과 교차하여 이하 설명되는 광투과부재(700)와 접촉하는 면적을 증가시키는 수평면(522)을 모두 포함하는 형상, 예컨대, 사다리꼴 단면을 갖는 형상인 것이 바람직하다. 이때, 상기 패턴기판(500)의 두께는 약 150um인 것이 선호되고, 상기 패턴(520)들 각각은 약 2-4um의 최대 폭을 갖는 것이 선호된다.Preferably, the patterned substrate 500 is prepared by forming a plurality of patterns 520 on one surface of a base substrate, preferably a sapphire substrate. The patterned substrate 500 is made of the same sapphire material as the growth substrate 110 of the UV LED chip 100 and has the same or similar refractive index. The patterns 520 are formed regularly by chemical photo-etching, and their shapes may vary, such as a cone shape, a dome shape, a pyramid shape, or a cylindrical shape, but each of the patterns 520 is formed on the pattern substrate 500. An inclined surface 521 formed to reduce total internal reflection by increasing the area of the upper surface area where the UV light incident angle is smaller than the critical angle, and a horizontal surface that intersects the inclined surface to increase the area in contact with the light transmitting member 700, which will be described below. It is preferable that the shape includes all of (522), for example, a shape having a trapezoidal cross section. At this time, the thickness of the patterned substrate 500 is preferably about 150 μm, and each of the patterns 520 preferably has a maximum width of about 2-4 μm.

상기 리플렉터(200)는 제1 오목부를 갖는 제1 바디(210)와, 제2 오목부를 갖는 제2 바디(220)와, 상기 제1 바디(210)와 상기 제2 바디(220) 사이에 개재된 전기 절연부(230)을 포함하도록 준비되고, 상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부가 함께 상기 UV 엘이디 칩(100)이 수용될 수 있는 6캐비티(201)를 형성한다. 상기 캐비티(201)의 깊이는 UV 엘이디 칩(100)의 두께와 상기 패턴기판(500)의 두께의 합과 같거나 큰 것이 선호되며, 이 경우, 제2 접착제층에 의해 리플렉터(200)의 상단에 결합되는 광투과부재(700)와 패턴기판(500)이 접촉하여, 광투과부재(700)와 패턴기판(500) 사이에 굴절률이 작은 공기 갭이 존재함으로 인한 내부 전반사 및 그로 인한 광 추출 효율 저하를 줄여주는데 기여할 수 있다.The reflector 200 includes a first body 210 having a first concave portion, a second body 220 having a second concave portion, and is disposed between the first body 210 and the second body 220. It is prepared to include an electrical insulation portion 230, and the first concave portion and the second concave portion together form six cavities 201 in which the UV LED chip 100 can be accommodated. The depth of the cavity 201 is preferably equal to or greater than the sum of the thickness of the UV LED chip 100 and the thickness of the patterned substrate 500. In this case, the top of the reflector 200 is formed by the second adhesive layer. The light transmitting member 700 and the patterned substrate 500 coupled to each other contact each other, resulting in total internal reflection and resulting light extraction efficiency due to the presence of an air gap with a small refractive index between the light transmitting member 700 and the patterned substrate 500. It can contribute to reducing degradation.

다음 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 성장기판(110)이 위로 향하도록 상기 UV 엘이디 칩(100)이 상기 리플렉터(200)의 캐비티(201) 바닥측 마운트부에 실장된다. 이때, 상기 UV 엘이디 칩(100)의 제1 도전형 전극패드(141) 및 제2 도전형 전극패드(142) 각각은 제1 본딩부(901) 및 제2 본딩부(902)에 의해 상기 제1 바디(210)와 상기 제2 바디(220) 상에 각각 연결된다. 따라서, 상기 제1 바디(210)와 상기 제2 바디(220) 각각은 제1 도전형 전극패드(141) 및 제2 도전형 전극패드(142) 각각에 접속하여 UV 엘이디 칩(100)에 전류를 인가하는 단자들로서의 역할을 하게 된다. 상기 제1 본딩부(901) 및 상기 제2 본딩부(902)는, 300℃ 이상의 접착 온도를 갖는 유테틱(eutectic) 본딩 재료가 이용될 수 있다. Next, as shown in FIG. 4, the UV LED chip 100 is mounted on the bottom mount portion of the cavity 201 of the reflector 200 so that the growth substrate 110 faces upward. At this time, each of the first conductive electrode pad 141 and the second conductive electrode pad 142 of the UV LED chip 100 is connected to the first conductive electrode pad 141 and the second conductive electrode pad 142 by the first bonding part 901 and the second bonding part 902. It is connected to the first body 210 and the second body 220, respectively. Therefore, each of the first body 210 and the second body 220 is connected to each of the first conductive electrode pad 141 and the second conductive electrode pad 142 to transmit current to the UV LED chip 100. It serves as terminals that apply. The first bonding part 901 and the second bonding part 902 may be made of a eutectic bonding material having an adhesion temperature of 300°C or higher.

상기 UV 엘이디 칩(100)이 상기 리플렉터(200)에 실장된 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 성장기판(110)의 상부면에 제1 접착제층(400)이 형성되고, 상기 제1 접착제층(400)을 이용하여, 상기 패턴기판(500)이 상기 성장기판(110)의 상부면 상에 결합된다. 이때, 상기 패턴기판(500)의 패턴(520)들이 형성된 상부면 상측을 향하고 그 반대측 하부면이 상기 성장기판(110)의 상부면과 대면한다. 상기 UV 엘이디 칩(100)이 상기 리플렉터(200)에 실장된 후, 상기 패턴기판(500)을 상기 성장기판(110)에 결합하는 이유는, 상기 UV 엘이디 칩(100)을 실장하는 단계에서 가해지는 본딩 온도(대략 300℃ 이상)를 상기 제1 접착제층(400)이 견딜 수 없기 때문이다. 상기 제1 접착제층(400)은 우레탄 실리콘 하이브리드 재료로 형성되는 것이 바람직하며, 160℃의 접착 온도와 대략 3시간 경화 시간이 요구된다. 그리고, 상기 제1 접착제층(400)의 두께는 대략 10-30um인 것이 선호된다.After the UV LED chip 100 is mounted on the reflector 200, as shown in FIG. 5, a first adhesive layer 400 is formed on the upper surface of the growth substrate 110, and the first adhesive layer 400 is formed on the upper surface of the growth substrate 110. Using the adhesive layer 400, the patterned substrate 500 is bonded to the upper surface of the growth substrate 110. At this time, the upper surface of the patterned substrate 500 on which the patterns 520 are formed faces the upper side, and the opposite lower surface faces the upper surface of the growth substrate 110. After the UV LED chip 100 is mounted on the reflector 200, the pattern substrate 500 is coupled to the growth substrate 110 because the UV LED chip 100 is mounted in the step of mounting the UV LED chip 100. This is because the first adhesive layer 400 cannot withstand the low bonding temperature (approximately 300°C or higher). The first adhesive layer 400 is preferably formed of a urethane silicone hybrid material, and an adhesion temperature of 160°C and a curing time of approximately 3 hours are required. And, the thickness of the first adhesive layer 400 is preferably approximately 10-30um.

다음, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 리플렉터(200)의 상단에 제2 접착제층(600) 형성을 위한 접착물질 도포하고, 그 위에 광투과부재(700)를 결합하여, 상기 광투과부재(700)가 상기 패턴기판(500)의 상측에 배치되도록 한다. 상기 제2 접착제(600) 형성을 위한 접착물질은, 제1 접착제층과 같은 재료인 우레탄 실리콘 하이브리드 재료인 것이 선호되지만, 다른 재료가 이용될 수도 있다. Next, as shown in FIG. 6, an adhesive material for forming a second adhesive layer 600 is applied to the top of the reflector 200, and the light transmitting member 700 is bonded thereon, thereby forming the light transmitting member 700. ) is disposed on the upper side of the pattern substrate 500. The adhesive material for forming the second adhesive 600 is preferably a urethane-silicon hybrid material, which is the same material as the first adhesive layer, but other materials may be used.

본 실시예에서, 상기 광투과부재(700)는 상부면과 하부면이 모두 평면으로 되어 있다. 그리고, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700)가 접촉할 때까지 상기 리플렉터(200)와 상기 광투과부재(700) 사이에 개재된 제2 접착제층(600)을 압축시키면서, 상기 리플렉터(200)의 상단에 상기 광투과부재(700)가 결합된다. 상기 리플렉터(200)의 상단에 결합된 광투과부재(700)의 하부면은 상기 패턴기판(500)의 상부면과 간헐적으로 접하는데, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700)의 접촉 면적 증가를 위해, 상기 패턴기판(500)의 패턴(520)들 각각은 경사면(521)과 더불어 수평면(522)을 포함한다. 추가적으로, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700) 사이에 공기 갭을 완전히 없애기 위해, 공기보다 큰 굴절율을 갖는 UV광 투과성 물질을 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700) 사이에 채우는 것이 유리할 수 있다. In this embodiment, both the upper and lower surfaces of the light transmitting member 700 are flat. Then, compressing the second adhesive layer 600 interposed between the reflector 200 and the light transmitting member 700 until the patterned substrate 500 and the light transmitting member 700 come into contact with the light transmitting member 700. The light transmitting member 700 is coupled to the top of the reflector 200. The lower surface of the light-transmitting member 700 coupled to the top of the reflector 200 intermittently contacts the upper surface of the patterned substrate 500, where the patterned substrate 500 and the light-transmitting member 700 To increase the contact area, each of the patterns 520 of the patterned substrate 500 includes a horizontal surface 522 as well as an inclined surface 521. Additionally, in order to completely eliminate the air gap between the patterned substrate 500 and the light-transmitting member 700, a UV light-transmitting material with a refractive index greater than that of air is used between the patterned substrate 500 and the light-transmitting member 700. It may be advantageous to fill in the gaps.

위에서 설명한 실시예와 달리, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700)가 접촉하지 않을 수도 있는데, 이 경우에도, 상기 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700) 사이의 최대 이격 거리가 15um 이하인 것이 바람직하다. 여기에서, 패턴기판(500)과 상기 광투과부재(700) 사이의 최대 이격 거리는 광투과부재(700)와 상기 패턴기판(500)의 수평면간의 이격거리 또는 광투과부재(700)와 패턴기판(500)의 경사면간의 이격거리로 설계상 나타날 수 있는 편차치일 수 있다.Unlike the embodiment described above, the patterned substrate 500 and the light transmitting member 700 may not be in contact. Even in this case, the maximum distance between the patterned substrate 500 and the light transmitting member 700 is It is desirable that the distance is less than 15um. Here, the maximum separation distance between the patterned substrate 500 and the light-transmitting member 700 is the separation distance between the horizontal plane of the light-transmitting member 700 and the patterned substrate 500, or the distance between the light-transmitting member 700 and the pattern substrate ( This may be a deviation that may appear in design due to the separation distance between slopes of 500).

100: UV 엘이디 칩 110: 성장기판
120: 반도체 적층 구조 200: 리플렉터
400: 제1 접착제층 500: 패턴기판
520: 패턴 700: 광투과부재
600: 제2 접착제층100: UV LED chip 110: Growth substrate
120: semiconductor layered structure 200: reflector
400: first adhesive layer 500: pattern substrate
520: Pattern 700: Light transmitting member
600: second adhesive layer

Claims (20)

상부 개방형의 캐비티 및 상기 캐비티 주변의 격벽을 포함하는 리플렉터;
상기 캐비티의 마운트부에 실장되고 성장기판 및 상기 성장기판의 하부에 반도체층들의 적층 구조가 형성된 UV 엘이디 칩;
상기 UV 엘이디 칩의 성장기판의 상부면에 형성된 패턴기판; 및
상기 리플렉터의 캐비티를 덮도록 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 형성된 광투과부재를 포함하며,
상기 패턴기판은 상부면에 복수개의 경사면과 상기 경사면과 교차하는 수평면을 갖는 패턴들을 포함하며,
상기 패턴기판의 수평면과 상기 광투과부재의 하부면이 접하는 것을 특징으로 하며,
상기 UV 엘이디 칩의 성장기판의 상부면과 상기 패턴기판의 하부면 사이에 제1 접착제층이 형성되며, 상기 제1 접착제층의 용융점 온도는 상기 엘이디 칩을 상기 마운트부에 본딩하는 본딩 재료의 용융점 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.A reflector including an open upper cavity and a partition around the cavity;
a UV LED chip mounted on the mount portion of the cavity and having a growth substrate and a stacked structure of semiconductor layers formed on a lower portion of the growth substrate;
A pattern substrate formed on the upper surface of the growth substrate of the UV LED chip; and
It includes a light-transmitting member formed on an upper part of the partition wall of the reflector to cover the cavity of the reflector,
The pattern substrate includes patterns having a plurality of inclined surfaces on an upper surface and a horizontal plane intersecting the inclined surfaces,
Characterized in that the horizontal surface of the pattern substrate and the lower surface of the light transmitting member are in contact,
A first adhesive layer is formed between the upper surface of the growth substrate of the UV LED chip and the lower surface of the pattern substrate, and the melting point temperature of the first adhesive layer is the melting point of the bonding material for bonding the LED chip to the mount unit. UV LED package characterized by lower temperature. 청구항 1에 있어서, 상기 광투과부재와 상기 패턴기판의 경사면 사이의 최대 이격 거리는 15㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The UV LED package according to claim 1, wherein the maximum separation distance between the light transmitting member and the inclined surface of the pattern substrate is 15㎛ or less. 청구항 1에 있어서, 상기 수평면이 상기 광투과부재의 하부면과 평면 대 평면으로 접해 있는 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지. The UV LED package according to claim 1, wherein the horizontal surface is in contact with the lower surface of the light transmitting member in a plane-to-plane plane. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 리플렉터의 격벽의 상부와 상기 광투과부재의 하부면 사이에 제2 접착제층이 형성된 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The UV LED package according to claim 1, wherein a second adhesive layer is formed between the upper part of the partition wall of the reflector and the lower surface of the light transmitting member. 청구항 5에 있어서, 상기 캐비티의 마운트부로부터 상기 패턴기판의 상부면까지의 거리는 상기 패턴기판의 상부면과 상기 광투과부재의 하부면이 접촉할 때까지 상기 제2 접착제층의 두께와 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 리플렉터의 상단까지의 거리의 합과 같은 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The method of claim 5, wherein the distance from the mount portion of the cavity to the upper surface of the pattern substrate is determined by the thickness of the second adhesive layer and the thickness of the cavity until the upper surface of the pattern substrate contacts the lower surface of the light transmitting member. A UV LED package characterized in that it is equal to the sum of the distance from the floor to the top of the reflector. 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 제1 접착제층은 우레탄 실리콘 하이브리드 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The UV LED package according to claim 1, wherein the first adhesive layer is formed of a urethane-silicon hybrid material. 청구항 1에 있어서, 상기 리플렉터는 제1 오목부를 갖는 제1 바디와 제2 오목부를 갖는 제2 바디를 포함하며, 상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부가 함께 상기 UV 엘이디 칩이 수용되는 캐비티를 형성하는 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The method according to claim 1, wherein the reflector includes a first body having a first concave portion and a second body having a second concave portion, and the first concave portion and the second concave portion together form a cavity in which the UV LED chip is accommodated. A UV LED package characterized in that it is formed. 청구항 9에 있어서, 상기 UV 엘이디 칩은 상기 제1 바디에 본딩되는 제1 도전성 전극과 상기 제2 바디에 본딩되는 제2 도전성 전극을 하부면에 모두 구비하는 플립칩형 UV 엘이디 칩인 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The UV LED chip of claim 9, wherein the UV LED chip is a flip-chip type UV LED chip having both a first conductive electrode bonded to the first body and a second conductive electrode bonded to the second body on a lower surface. LED package. 청구항 1에 있어서, 상기 패턴기판의 패턴들은 규칙적으로 배열된 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The UV LED package according to claim 1, wherein the patterns of the pattern substrate are arranged regularly. 청구항 1에 있어서, 상기 패턴기판의 패턴들 각각의 최대 폭은 2-4um인 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지.The UV LED package according to claim 1, wherein the maximum width of each pattern of the pattern substrate is 2-4um. 상부 개방형의 캐비티 및 상기 캐비티 주변의 격벽을 포함하는 리플렉터를 준비하는 단계;
성장기판 및 상기 성장기판의 하부에 반도체층들의 적층 구조가 형성된 UV 엘이디 칩을 준비하는 단계;
패턴기판을 준비하는 단계;
광투과부재를 준비하는 단계;
상기 UV 엘이디 칩을 상기 리플렉터의 캐비티의 마운트부에 실장하는 단계;
상기 UV 엘이디 칩이 상기 마운트부에 실장된 후, 상기 UV 엘이디 칩의 성장기판의 상부면과 상기 패턴기판을 제1 접착제층을 통해 결합하는 단계; 및
상기 리플렉터의 캐비티 및 상기 패턴기판을 덮도록 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 광투과부재를 배치하는 단계를 포함하며,
상기 패턴기판은 상부면에 복수개의 경사면과 상기 경사면과 교차하는 수평면을 갖는 패턴들을 포함하며,
상기 패턴기판의 수평면과 상기 광투과부재의 하부면이 접하는 것을 특징으로 하며,
상기 UV 엘이디 칩을 상기 리플렉터의 캐비티의 마운트부에 실장하는 단계에서, 상기 UV 엘이디 칩을 상기 마운트부에 실장하기 위한 본딩 온도는 상기 제1 접착제층의 융점 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지 제조방법. Preparing a reflector including an open upper cavity and a partition around the cavity;
Preparing a growth substrate and a UV LED chip having a stacked structure of semiconductor layers formed on a lower portion of the growth substrate;
Preparing a patterned substrate;
Preparing a light transmitting member;
Mounting the UV LED chip on a mount portion of the cavity of the reflector;
After the UV LED chip is mounted on the mount unit, combining the upper surface of the growth substrate of the UV LED chip and the pattern substrate through a first adhesive layer; and
It includes the step of disposing a light-transmitting member on an upper part of the partition wall of the reflector to cover the cavity of the reflector and the pattern substrate,
The pattern substrate includes patterns having a plurality of inclined surfaces on an upper surface and a horizontal plane intersecting the inclined surfaces,
Characterized in that the horizontal surface of the pattern substrate and the lower surface of the light transmitting member are in contact,
In the step of mounting the UV LED chip on the mount portion of the cavity of the reflector, a bonding temperature for mounting the UV LED chip on the mount portion is higher than the melting point temperature of the first adhesive layer. Manufacturing method. 삭제delete 청구항 13에 있어서, 상기 패턴기판의 패턴을 형성하는 단계는 화학적 식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지 제조방법.The UV LED package manufacturing method according to claim 13, wherein the step of forming the pattern of the patterned substrate uses chemical etching. 청구항 13에 있어서, 상기 제1 접착제층은 우레탄 실리콘 하이브리드 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지 제조방법.The method of claim 13, wherein the first adhesive layer is formed of a urethane-silicon hybrid material. 청구항 13에 있어서, 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 상기 광투과부재를 배치하는 단계는, 상기 패턴기판과 상기 광투과부재가 접촉할 때까지 상기 리플렉터와 상기 광투과부재 사이에 개재된 제2 접착제층을 압축시키면서, 상기 리플렉터의 격벽의 상부에 상기 광투과부재를 결합하는 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지 제조방법.The method of claim 13, wherein the step of disposing the light-transmitting member on the upper part of the partition wall of the reflector includes: a second adhesive layer interposed between the reflector and the light-transmitting member until the pattern substrate and the light-transmitting member come into contact with the light-transmitting member; A method of manufacturing a UV LED package, characterized in that the light-transmitting member is coupled to the upper part of the partition wall of the reflector while compressing. 청구항 13에 있어서, 상기 마운트부는 제1 오목부를 갖는 제1 바디와 제2 오목부를 갖는 제2 바디를 포함하며, 상기 제1 오목부와 상기 제2 오목부가 상기 UV 엘이디 칩이 수용되는 캐비티를 형성하며, 상기 UV 엘이디 칩은 상기 제1 바디에 본딩되는 제1 도전성 전극과 상기 제2 바디에 본딩되는 제2 도전성 전극을 하부면에 모두 구비하는 플립칩형 UV 엘이디 칩인 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지 제조방법.The method of claim 13, wherein the mount unit includes a first body having a first concave portion and a second body having a second concave portion, and the first concave portion and the second concave portion form a cavity in which the UV LED chip is accommodated. In addition, the UV LED chip is a flip-chip type UV LED chip having both a first conductive electrode bonded to the first body and a second conductive electrode bonded to the second body on the lower surface. method. 청구항 13에 있어서, 상기 광투과부재를 배치하는 단계에서 상기 광투과부재와 상기 패턴기판의 경사면 사이의 최대 이격 거리는 15㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지 제조방법.The UV LED package manufacturing method according to claim 13, wherein in the step of disposing the light transmitting member, the maximum separation distance between the light transmitting member and the inclined surface of the pattern substrate is 15㎛ or less. 청구항 13에 있어서, 상기 패턴기판을 준비하는 단계에서 상기 패턴기판의 패턴들 각각의 최대 폭은 2-4um인 것을 특징으로 하는 UV 엘이디 패키지 제조방법.The UV LED package manufacturing method according to claim 13, wherein in the step of preparing the patterned substrate, the maximum width of each pattern of the patterned substrate is 2-4um.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113156759A (en) * 2021-05-24 2021-07-23 美可隆半导体(苏州)有限公司 Patterned direct-display light-distribution photoetching mask plate, preparation method and imaging device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013219397A (en) * 2013-07-24 2013-10-24 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2016058689A (en) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 Semiconductor light-emitting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150136264A (en) * 2014-05-27 2015-12-07 서울바이오시스 주식회사 Light emitting device
KR20160017849A (en) * 2014-08-06 2016-02-17 서울바이오시스 주식회사 High power light emitting device and method of making the same
EP3147956B1 (en) * 2015-09-22 2023-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Led package, backlight unit and illumination device including same, and liquid crystal display device
KR20180079029A (en) * 2016-12-30 2018-07-10 한국광기술원 Flip chip type nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same
KR102001908B1 (en) * 2018-08-24 2019-10-01 주식회사 루멘스 Uv led package

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013219397A (en) * 2013-07-24 2013-10-24 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2016058689A (en) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社東芝 Semiconductor light-emitting device

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