KR102001908B1 - Uv led package - Google Patents

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Abstract

UV LED 패키지가 개시된다. 이 UV LED 패키지는, 제1함몰부와; 상기 제 1함몰부의 일측면과 대응하는 일측면을 갖는 제2함몰부와; 상기 제 1함몰부와 상기 제2 함몰부의 서로 대응하는 일측면들 사이에 형성되는 절연재료와; 상기 제 1함몰부와 상기 제2 함몰부의 상측에서 일정 높이를 갖도록 형성되는 보호부재와; 상기 제1 함몰부의 상면에 형성된 방열기판과, 상기 방열기판의 상면에 형성된 제1 반사 전극막과, 전극 분리갭을 사이에 두고 상기 제1 반사전극막과 이격되어 형성된 제2 반사 전극막을 포함하는 서브마운트와; 상기 서브마운트의 상기 제1반사 전극막과 상기 제2 반사 전극막 상에 플립칩 본딩되는 200nm~400nm의 UV LED칩을 포함하고, 상기 서브마운트는 4개의 코너를 갖는 사각형으로 형성되고, 상기 제2 반사 전극막은 적어도 하나 이상의 코너를 갖도록 형성되고, 상기 제1 반사 전극막은 적어도 두개 이상의 코너를 갖도록 형성된다. A UV LED package is disclosed. The UV LED package includes a first recessed portion; A second depression having one side surface corresponding to one side of the first depression portion; An insulating material formed between one side surfaces of the first recessed portion and the second recessed portion corresponding to each other; A protection member formed to have a predetermined height above the first recessed part and the second recessed part; And a heat dissipation substrate formed on an upper surface of the first recessed portion, a first reflection electrode film formed on an upper surface of the heat dissipation substrate, and a second reflection electrode film spaced apart from the first reflection electrode film with an electrode separation gap therebetween. Submount; A UV LED chip of 200 nm to 400 nm flip-chip bonded onto the first reflective electrode film and the second reflective electrode film of the submount, wherein the submount is formed into a quadrangle having four corners, The second reflective electrode film is formed to have at least one corner, and the first reflective electrode film is formed to have at least two corners.

Figure 112018083889717-pat00002
Figure 112018083889717-pat00002

Description

UV LED 패키지{UV LED PACKAGE}UV LED Package {UV LED PACKAGE}

본 발명은 UV LED칩을 포함하는 UV LED 패키지에 관한 것으로서, UV LED칩에 적합한 구조를 포함하며, 방열 성능, 내구성, 효율 등이 크게 향상된 UV LED 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a UV LED package including a UV LED chip, including a structure suitable for a UV LED chip, and relates to a UV LED package greatly improved heat dissipation performance, durability, efficiency and the like.

UV LED 패키지는 200nm ~ 400nm 파장의 UV 광을 발생시키는 UV LED칩을 포함하며, 살균 장치 등 여러 용도로 이용되고 있다. 이러한 UV LED칩은 청색 계열 파장 영역보다 매우 짧은 단파장의 UV 광을 발하므로 강한 에너지로 인한 열 발생이 많다. The UV LED package includes a UV LED chip that generates UV light with a wavelength of 200 nm to 400 nm, and is used for various purposes such as a sterilization device. These UV LED chips emit short-wavelength UV light, which is much shorter than the blue-based wavelength range, and thus generate heat due to strong energy.

종래 UV LED 패키지의 한 예로, 플립칩형 UV LED칩을 이용하는 것이 있다. 이러한 종래의 UV LED 패키지는 전극분리선에 의해 분리된 두 리드 전극을 포함하는 패키지 본체를 포함하며, UV LED칩은 아래로 향해 있는 자신의 두 본딩 패드 각각이 두 리드 전극 각각에 직접 플립칩 본딩됨으로써, 패키지 본체에 실장 된다. 이때, UV LED칩이 플립칩 본딩되는 방향, 즉, UV LED칩의 제1 및 제2 플립칩 본딩 패드 또는 제1 및 제2 본딩 범프가 배치되는 방향은 전극 분리선과 직각으로 교차하는 방향으로 제한되었다. One example of a conventional UV LED package is to use a flip chip type UV LED chip. This conventional UV LED package includes a package body including two lead electrodes separated by electrode separation lines, and the UV LED chip is flip chip bonded directly to each of the two lead electrodes with each of its two bonding pads facing down. It is mounted on the package body. At this time, the direction in which the UV LED chip is flip chip bonded, that is, the direction in which the first and second flip chip bonding pads or the first and second bonding bumps are disposed is limited to the direction crossing the electrode separation line at right angles. It became.

이러한 종래 UV LED 패키지는 UV LED칩을 대면적으로 하지 않는 이상 고열 발생에 대비하는 설계가 어렵다는 한계가 있다. 하지만, UV LED칩은 통상 소면적으로 제공될 수밖에 없어 UV LED칩의 본딩 패드들로부터 패키지 본체의 리드 전극들로 열을 효율적으로 전달하지 못하여 방열 효율이 떨어진다. 이로 인해, 종래 UV LED 패키지에 있어서는, UV LED칩이 200~400nm의 단파장 UV 광, 특히, 270~285nm의 단파장 UV 광을 발할 때, 높은 열이 발생하고, 그 높은 열로 인해 수명이 단축되는 문제점이 있다. Such a conventional UV LED package has a limitation in that it is difficult to design for high heat generation unless a large area of the UV LED chip. However, since the UV LED chip is usually provided with a small area, heat dissipation efficiency is lowered because it cannot efficiently transfer heat from the bonding pads of the UV LED chip to the lead electrodes of the package body. For this reason, in the conventional UV LED package, when the UV LED chip emits short wavelength UV light of 200 to 400 nm, especially short wavelength UV light of 270 to 285 nm, high heat is generated and the life is shortened due to the high heat. There is this.

또한, 종래 UV LED 패키지는. 작은 폭의 전극 분리선으로 인해, 즉, 이웃하는 리드 전극들 사이의 좁은 간격으로 인해, UV LED칩을 플립칩 본딩하는 과정에서 서로 분리되어 있어야 할 본딩 재료들, 즉, 솔더와 다른 솔더가 서로 달라붙을 수 있고, 이로 인해, 쇼트 현상이 발생할 우려가 높다는 문제점이 있다.In addition, the conventional UV LED package. Due to the small width of the electrode separation lines, i.e., the narrow spacing between neighboring lead electrodes, the bonding materials to be separated from each other in the flip chip bonding process of the UV LED chip, i.e., solder and other solders are different from each other. There is a problem that there is a high possibility that a short phenomenon occurs.

또한, 종래의 UV LED 패키지로는 리드 전극들을 제외한 패키지 본체의 대부분을 수지로 형성하기도 하였지만, 이 경우, 수지로 형성된 패키지 본체가 UV 광에 의해 크랙(crack)을 일으키거나 변색될 우려가 높다는 문제점이 있었다.In addition, in the conventional UV LED package, most of the package body except lead electrodes is formed of resin, but in this case, there is a high possibility that the package body formed of resin is cracked or discolored by UV light. There was this.

KR 10-1349701(2014. 01. 03.)KR 10-1349701 (2014. 01. 03.)

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, UV LED칩이 발생하는 UV 광 및 이때 발생하는 열로 인해 야기되는 방열 성능, 내구성 및 효율 저하를 줄이도록, UV LED칩의 특성에 적합한 구조를 갖는 UV LED 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a UV LED package having a structure suitable for the characteristics of the UV LED chip in order to reduce the heat radiation performance, durability and efficiency degradation caused by the UV light generated by the UV LED chip and heat generated at this time. To provide.

본 발명의 일측면에 따른 UV LED 패키지는, 방열 기판과, 상기 방열 기판 상에 전극 분리 갭에 의해 서로 이격되게 형성된 제1 반사 전극막 및 제2 반사 전극막과, 상기 제1 반사 전극막 상에 형성된 제1 플립칩 본딩 패드 및 제1 와이어 본딩 패드와, 상기 제2 반사 전극막 상에 형성된 제2 플립칩 본딩 패드 및 제2 와이어 본딩 패드를 포함하는 서브마운트; 200nm ~ 400nm의 UV 광을 발하며, 제1 플립칩 본딩 패드에 대응하는 제1 도전형 전극 패드 및 제2 플립칩 본딩 패드에 대응하는 제2 도전형 전극 패드를 구비하며, 제1 플립칩 본딩 패드와 상기 제1 도전형 전극 패드 사이에 개재되는 제1 본딩 범프와 제2 플립칩 본딩 패드와 상기 제2 도전형 전극 패드 사이에 개재되는 제2 본딩 범프에 의해 상기 서브마운트에 플립칩 본딩되는 UV LED칩; 및 상기 서브마운트가 실장되고 제1 본딩 와이어에 의해 상기 제1 와이어 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제1 금속 바디부와, 절연 재료에 의해 상기 제1 금속 바디부와 이격되며 제2 본딩 와이어에 의해 제2 와이어 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제2 금속 바디부를 포함하는 패키지 바디를 포함한다.According to an aspect of the present invention, a UV LED package includes a heat dissipation substrate, a first reflection electrode film and a second reflection electrode film spaced apart from each other by an electrode separation gap on the heat dissipation substrate, and on the first reflection electrode film. A submount including a first flip chip bonding pad and a first wire bonding pad formed on the second flip chip bonding pad, and a second flip chip bonding pad and a second wire bonding pad formed on the second reflective electrode film; UV light of 200 nm to 400 nm, the first conductive electrode pad corresponding to the first flip chip bonding pad and the second conductive electrode pad corresponding to the second flip chip bonding pad, the first flip chip bonding pad being provided. UV flip chip bonded to the submount by a first bonding bump interposed between the first conductive electrode pad and a second flip chip bonding pad interposed between the first conductive electrode pad and the second conductive electrode pad. LED chip; And a first metal body portion on which the submount is mounted and electrically connected to the first wire bonding pad by a first bonding wire, spaced apart from the first metal body portion by an insulating material, and by a second bonding wire. And a package body including a second metal body portion electrically connected with the second wire bonding pad.

일 실시예에 따라, 상기 제1 금속 바디부와 상기 제2 금속 바디부는 상기 절연 재료를 사이에 두고 서로 마주하는 위치에 두께 감소에 의해 형성된 제1 함몰부와 제2 함몰부를 각각 구비하며, 상기 제1 함몰부와 상기 제2 함몰부가 합해져 상기 UV LED칩 및 상기 서브마운트가 수용되는 캐비티가 형성된다.According to one embodiment, the first metal body portion and the second metal body portion has a first recessed portion and the second recessed portion formed by thickness reduction at positions facing each other with the insulating material therebetween, respectively, The first recessed portion and the second recessed portion are combined to form a cavity in which the UV LED chip and the submount are accommodated.

일 실시예에 따라, 상기 제1 금속 바디부와 상기 제2 금속 바디부는 Al 재료에 의해 형성된다.According to one embodiment, the first metal body portion and the second metal body portion are formed of Al material.

일 실시예에 따라, 상기 UV LED 패키지는 상기 UV LED칩을 보호하도록 상기 패키지 바디의 상부에 결합되되, 쿼츠(Quartz) 재료로 형성된 UV 투과형 보호부재를 더 포함한다.According to one embodiment, the UV LED package is coupled to the upper portion of the package body to protect the UV LED chip, and further comprises a UV transmission protection member formed of quartz (Quartz) material.

일 실시예에 따라, 상기 방열 기판은 도전성 Si 웨이퍼와, 상기 Si 웨이퍼 상에 산화처리를 하여 형성된 SiO2층을 포함한다.According to one embodiment, the heat dissipation substrate includes a conductive Si wafer and a SiO 2 layer formed by oxidation treatment on the Si wafer.

일 실시예에 따라, 상기 제1 반사 전극막과 상기 제2 반사 전극막은 상기 방열 기판 상에 Al 또는 Au를 증착하여 형성된다.In example embodiments, the first reflective electrode film and the second reflective electrode film are formed by depositing Al or Au on the heat dissipation substrate.

일 실시예에 따라, 상기 제1 플립칩 본딩 패드, 상기 제1 와이어 본딩 패드, 상기 제2 플립칩 본딩 패드 및 상기 제2 와이어 본딩 패드는 제1 반사 전극막과 제2 반사 전극막 상에 Au 또는 AuSn을 포함하는 동일 재료를 동일 공정으로 형성하여 이루어진다.In example embodiments, the first flip chip bonding pad, the first wire bonding pad, the second flip chip bonding pad, and the second wire bonding pad are formed on the first reflective electrode layer and the second reflective electrode layer. Or the same material containing AuSn is formed by the same process.

일 실시예에 따라, 상기 서브마운트는 상기 제1 금속 바디부에 국한하여 실장된다.According to one embodiment, the submount is mounted to the first metal body portion.

일 실시예에 따라, 상기 제1 금속 바디부의 면적은 상기 제2 금속 바디부의 면적보다 크다.According to one embodiment, the area of the first metal body portion is greater than the area of the second metal body portion.

일 실시예에 따라, 상기 제1 반사 전극막이 상기 제2 반사 전극막의 일부를 둘러싸는 형태를 되도록, 상기 전극 분리 갭은 원호형, 곡선형 또는 둘 이상의 직선 또는 곡선이 교차하는 형상을 갖는다.According to one embodiment, the electrode separation gap has an arc shape, a curved shape, or two or more straight lines or curved shapes so that the first reflective electrode film surrounds a part of the second reflective electrode film.

일 실시예에 따라, 상기 서브마운트는 4개의 코너를 갖는 큰 사각형으로 형성되되, 상기 제2 반사 전극막은 상기 4개의 코너들 중 하나의 코너를 점유하는 작은 사각형의 제2 영역을 갖도록 형성되고 상기 제1 반사 전극막은 상기 4개의 코너들 중 나머지 3개의 코너를 점유하는 한편 상기 제2 영역의 2변을 둘러싸는 제1 영역을 갖도록 형성된다.According to one embodiment, the submount is formed into a large quadrangle having four corners, and the second reflective electrode film is formed to have a second small rectangular region occupying one corner of the four corners. The first reflective electrode film is formed to occupy the remaining three corners of the four corners and to have a first region surrounding two sides of the second region.

일 실시예에 따라, 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 상기 제2 반사 전극막의 4 코너들 중 상기 서브마운트의 중앙 영역에 위치한 상기 제2 반사 전극막의 일 코너에 인접해 형성되고, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 제2 플립칩 본딩 패드와 대각선 방향으로 마주하는 상기 제1 반사 전극막의 오목한 코너에 인접해 위치한다.In example embodiments, the second flip chip bonding pad may be formed adjacent to one corner of the second reflective electrode layer positioned at a center area of the submount among the four corners of the second reflective electrode layer. The chip bonding pad is positioned adjacent to the concave corner of the first reflective electrode film facing the second flip chip bonding pad in a diagonal direction.

일 실시예에 따라, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는, 상기 제2 플립칩 본딩 패드와 대각선 방향으로 마주하는 주 본딩 패턴부와, 상기 주 본딩 패턴부의 주변에 위치한 채 상기 제2 플립칩 본딩 패드에 대한 대각선 방향에서 벗어나 위치한 한 쌍의 주변 본딩 본딩 패턴부를 포함한다.In example embodiments, the first flip chip bonding pad may include a main bonding pattern portion facing the second flip chip bonding pad in a diagonal direction, and the second flip chip bonding pad being positioned around the main bonding pattern portion. And a pair of peripheral bonding bonding patterns located away from the diagonal direction with respect to.

일 실시예에 따라, 상기 주 본딩 패턴부 부근에서 교차하는 한 쌍의 선형 연결 본딩 패턴부들에 의해 상기 주 본딩 패턴부와 상기 한 쌍의 주변 본딩 패턴부가 연결된다.According to one embodiment, the main bonding pattern portion and the pair of peripheral bonding pattern portions are connected by a pair of linear connection bonding pattern portions that intersect near the main bonding pattern portion.

일 실시예에 따라, 상기 전극 분리 갭은 ┛형으로 형성되고, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 ┛형 전극 분리 갭의 바깥쪽에서 상기 제1 반사 전극막 상에 ┛형으로 형성되며, 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 상기 ┛형 전극 분리 갭의 안쪽에서 상기 제2 반사 전극막 상에 원형으로 형성된다.In example embodiments, the electrode separation gap may be formed in a Z-shape, and the first flip chip bonding pad may be formed in a U-shape on the first reflective electrode film outside of the K-type electrode separation gap. A second flip chip bonding pad is formed in a circular shape on the second reflective electrode film inside the n-type electrode separation gap.

일 실시예에 따라, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 전극 분리 갭의 일 영역으로부터 충분히 이격되어 있을 수 있도록 이격용 오목부를 상기 전극 분리 갭과 인접한 위치에 포함한다.In example embodiments, the first flip chip bonding pad may include a spaced recess in a position adjacent to the electrode separation gap so that the first flip chip bonding pad may be sufficiently spaced apart from a region of the electrode separation gap.

일 실시예에 따라, 상기 전극 분리 갭의 일 영역은 두 선형부가 교차하는 영역일 수 있다.According to an embodiment, one region of the electrode separation gap may be a region where two linear portions intersect.

일 실시예에 따라, 서브마운트는 4개의 코너를 갖는 큰 사각형으로 형성되되, 상기 전극 분리 갭은 상기 서브마운트의 한 변에 대해 전체적으로 평행한 직선 형태로 형성되고, 상기 제1 반사 전극막과 상기 제2 반사 전극막은 각각 사각형으로 이루어진 채 상기 전극 분리 갭에 의해 이격되며, 상기 제1 플립칩 본딩 패드와 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 상기 방열 기판의 중앙 영역에 위치하고 상기 제1 와이어 본딩 패드와 상기 제2 와이어 본딩 패드 상기 서브마운트의 대각선 방향으로 마주하는 두 코너에 위치한다.According to one embodiment, the submount is formed into a large square having four corners, wherein the electrode separation gap is formed in a straight line shape that is generally parallel to one side of the submount, and the first reflective electrode film and the The second reflective electrode layers are spaced apart from each other by the electrode separation gap, each of which has a quadrangular shape, and the first flip chip bonding pad and the second flip chip bonding pad are positioned in a central area of the heat dissipation substrate, The second wire bonding pads are disposed at two corners facing in the diagonal direction of the submount.

일 실시예에 따라, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 복수개의 본딩 패턴부로 이루어지고, 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 하나의 본딩 패드로 이루어진다.In example embodiments, the first flip chip bonding pad may include a plurality of bonding pattern portions, and the second flip chip bonding pad may include one bonding pad.

본 발명에 다른 UV LED 패키지는 UV LED칩에 적합한 패키지 바디의 구성과 그와 협력하여 UV 광 생성시 발생하는 높은 열을 방출하는 구조를 포함하는 서브마운트의 구성에 의해 방열 성능이 크게 향상되고 효율이 높고 내구성이 우수하다는 장점을 갖는다.The UV LED package according to the present invention is greatly improved in heat dissipation performance and efficiency by the configuration of a submount including a structure of a package body suitable for a UV LED chip and a structure that emits high heat generated when generating UV light in cooperation with it. It has the advantage of being high and durable.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 다른 UV LED 패키지를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I를 따라 취해진 UV LED 패키지의 단면도이다.
도 3은 UV LED칩이 실장되어 있는 서브마운트를 도시한 평면도로서, UV LED칩에 가려진 플립칩 본딩 패드들을 은선으로 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 일부를 확대해 도시한 평면도이다.
도 5는 도 3의 II-II를 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 실물 사진을 보여준다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 서브마운트 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 서브마운트 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view showing another UV LED package according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the UV LED package taken along II of FIG. 1.
FIG. 3 is a plan view illustrating a submount in which a UV LED chip is mounted, in which the flip chip bonding pads covered by the UV LED chip are represented by hidden lines.
4 is an enlarged plan view of a portion of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view taken along II-II of FIG. 3.
Figure 6 shows a real picture of the UV LED package according to an embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a submount manufacturing method of the UV LED package according to an embodiment of the present invention.
8 is a view for explaining a submount manufacturing method according to another embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 UV LED 패키지를 설명한다.Hereinafter, a UV LED package according to a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 다른 UV LED 패키지를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I를 따라 취해진 UV LED 패키지의 단면도이고, 도 3은 UV LED칩이 실장되어 있는 서브마운트를 도시한 평면도로서, UV LED칩에 가려진 플립칩 본딩 패드들을 은선으로 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 일부를 확대해 도시한 평면도이며, 도 5는 도 3의 II-II를 따라 취해진 단면도이다.1 is a plan view illustrating another UV LED package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of a UV LED package taken along II of FIG. 1, and FIG. 3 is a submount in which a UV LED chip is mounted. FIG. 4 is a plan view showing flip chip bonding pads hidden by UV LED chips in hidden lines, FIG. 4 is an enlarged plan view of part of FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along II-II of FIG. 3. .

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 다른 LED 패키지(1)는 UV 광을 발하는 플립칩형의 UV LED칩(100)과, 상기 UV LED칩(100)이 플립칩 본딩된 서브마운트(200)와, 상기 서브마운트(200)가 실장되는 컵형 패키지 바디(300)와, 상기 UV LED칩(100)을 보호하도록 상기 컵형 패키지 바디의(300)의 상부에 결합되는 UV 투과형 보호부재(400)를 포함한다.1 and 2, another LED package 1 according to an embodiment of the present invention is a flip chip type UV LED chip 100 that emits UV light and the UV LED chip 100 is a flip chip A bonded submount 200, a cup-shaped package body 300 on which the submount 200 is mounted, and UV coupled to an upper portion of the cup-shaped package body 300 to protect the UV LED chip 100. Transmissive protective member 400 is included.

상기 컵형 패키지 바디(300)는 상기 UV LED칩(100)이 플립칩 본딩된 서브마운트(200)를 수용하도록 하나의 캐비티(301)를 포함한다. 상기 서브마운트(200)는 상기 캐비티(301)의 바닥에 실장된 채 상기 캐비티(301) 내에 수용된다. 또한, 상기 컵형 패키지 바디(100)는 절연 재료(302)를 사이에 두고 결합된 제1 금속 바디부(310)와 제2 금속 바디부(320)를 포함한다. 상기 제1 금속 바디부(310)와 상기 제2 금속 바디부(320)는 상기 절연 재료(302)를 사이에 두고 서로 마주하는 위치에 두께 감소에 의해 형성된 제1 함몰부(312)와 제2 함몰부(322)를 각각 구비하며, 상기 제1 함몰부(312)와 제2 함몰부(322)가 합해져 전술한 캐비티(301)를 형성한다. 상기 제1 금속 바디부(310)와 상기 제2 금속 바디부(320)는 열전도성과 열반사성이 좋은 Al 또는 Al 합금에 의해 제작된다.The cup-shaped package body 300 includes one cavity 301 so that the UV LED chip 100 receives the flip chip bonded submount 200. The submount 200 is accommodated in the cavity 301 while being mounted on the bottom of the cavity 301. In addition, the cup-shaped package body 100 includes a first metal body 310 and a second metal body 320 coupled with an insulating material 302 therebetween. The first metal part 310 and the second metal body part 320 are formed in the first recessed part 312 and the second by a thickness reduction at positions facing each other with the insulating material 302 interposed therebetween. Each recess 322 is provided, and the first recess 312 and the second recess 322 are combined to form the cavity 301 described above. The first metal body 310 and the second metal body 320 are made of Al or an Al alloy having good thermal conductivity and heat reflectivity.

상기 제1 금속바디부(310)와 상기 제2 금속바디부(320)는 UV LED칩(100)과 전기적으로 연결되는 부분들로 각각이 리드 전극의 역할을 한다. 또한, 캐비티(301) 바닥 중 제1 금속바디부(310)에 형성된 제1 함몰부(312) 상에만 상기 서브마운트(200)가 실장되며, 따라서, 상기 제1 금속 바디부(310)는 리드 전극의 역할 뿐 하니라 방열블록 또는 히트싱크로서의 역할도 할 수 있다.The first metal body 310 and the second metal body 320 are portions electrically connected to the UV LED chip 100 and serve as lead electrodes. In addition, the submount 200 is mounted only on the first recess 312 formed in the first metal body 310 of the bottom of the cavity 301, so that the first metal body 310 is leaded. In addition to the role of the electrode can also serve as a heat sink or heat sink.

상기 컵형 패키지 바디(300)는 제1 금속바디부(310)와 상기 제2 금속바디부(320)를 통해 UV LED칩(100)에 전류를 공급하는 역할과 제1 금속바디부(310)를 통해 열을 외부로 방출하는 방열 또는 히트싱크로서의 역할을 한다. 이에 더하여, 상기 컵형 패키지 바디(300)는 상기 캐비티(302)의 위를 향해 점차적으로 넓어지는 절두 원추형의 형상과 제1 금속바디부(310)와 상기 제2 금속바디부(320)를 구성하는 금속, 더 구체적으로는, Al 재료의 반사 특성에 의해, UV 광을 효율적으로 반사시켜 외부로 내보내는 역할을 할 수 있다.The cup-shaped package body 300 serves to supply current to the UV LED chip 100 and the first metal body 310 through the first metal body 310 and the second metal body 320. It acts as a heat sink or heat sink that releases heat to the outside. In addition, the cup-shaped package body 300 forms a truncated cone shape that gradually widens upwards of the cavity 302, and constitutes the first metal body 310 and the second metal body 320. The reflective properties of the metal, more specifically, the Al material, can serve to efficiently reflect the UV light and send it out.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 서브마운트(200)는 방열 기판(210)과, 상기 방열 기판(210) 상에 전극 분리 갭(201)에 의해 서로 이격되게 형성된 제1 반사 전극막(220) 및 제2 반사 전극막(230)을 포함한다. 또한, 상기 제1 반사 전극막(220) 상에는 제1 플립칩 본딩 패드(240) 및 제1 와이어 본딩 패드(250)가 형성되고, 상기 제2 반사 전극막(230) 상에는 제2 플립칩 본딩 패드(260) 및 제2 와이어 본딩 패드(270)가 형성된다. 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240), 상기 제1 와이어 본딩 패드(250), 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260) 및 상기 제2 와이어 본딩 패드(270)는 동일 재료에 의해 동일 공정으로 형성될 수 있다.3 to 5, the submount 200 may include a heat dissipation substrate 210 and a first reflective electrode film 220 spaced apart from each other by an electrode separation gap 201 on the heat dissipation substrate 210. ) And the second reflective electrode film 230. In addition, a first flip chip bonding pad 240 and a first wire bonding pad 250 are formed on the first reflective electrode layer 220, and a second flip chip bonding pad is formed on the second reflective electrode layer 230. 260 and second wire bonding pads 270 are formed. The first flip chip bonding pad 240, the first wire bonding pad 250, the second flip chip bonding pad 260, and the second wire bonding pad 270 are formed of the same process by the same material. Can be.

상기 방열 기판(210)은 순도가 높고 도핑이 되어 있는 도전성 Si 웨이퍼(또는 Si 기판; 212) 상에 산화처리를 하여 절연층의 역할을 하는 SiO2층(214)을 형성하여 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제1 반사 전극막(220)과 제2 반사 전극막(230)은 방열 기판(210)의 SiO2층(214) 상에 Al 또는 Au 금속 물질을 증착시켜 형성될 수 있다. UV 광 반사도가 높게 상기 제1 반사 전극막(220)과 제2 반사 전극막(230)을 형성하기 위해서는, Al 증착에 의한 반사 전극막 형성(220 또는 230)이 바람직하고, 부식 방지와 신뢰도를 높이기 위해서는, Au 증착에 이한 반사 전극막(220 또는 230) 형성이 바람직하다.The heat dissipation substrate 210 may be formed by forming an SiO 2 layer 214 on the conductive Si wafer (or Si substrate) 212 of high purity and doping, which serves as an insulating layer. In addition, the first reflective electrode layer 220 and the second reflective electrode layer 230 may be formed by depositing an Al or Au metal material on the SiO 2 layer 214 of the heat dissipation substrate 210. In order to form the first reflective electrode film 220 and the second reflective electrode film 230 with high UV light reflectivity, the reflective electrode film formation 220 or 230 by Al deposition is preferable, and corrosion prevention and reliability In order to increase, it is preferable to form the reflective electrode film 220 or 230 following the Au deposition.

상기 제1 플립칩 본딩 패드(240), 상기 제1 와이어 본딩 패드(250), 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260) 및 상기 제2 와이어 본딩 패드(270)는 제1 반사 전극막(220)과 제2 반사 전극막(230) 상에 Au 또는 AuSn을 증착하여 형성될 수 있다. The first flip chip bonding pad 240, the first wire bonding pad 250, the second flip chip bonding pad 260, and the second wire bonding pad 270 are first reflective electrode layers 220. And Au or AuSn may be formed on the second reflective electrode layer 230.

작은 UV LED칩(100)을 패키지 바디 상의 리드 전극에 직접 실장하는 대신, 작은 UV LED칩(100)을 대면적 서브마운트(200)에 플립칩 본딩 방식으로 실장한 후, 그 서브마운트(200)를 컵형 패키지 바디(300; 도 1 및 도 2 참조)의 제1 금속바디부(310; 도 1 및 도 2 참조)에 실장함으로써, 넓은 면적으로 높은 열은 빼내어 제1 금속바디부(310; 도 1 및 도 2 참조)를 통해 방출시킬 수 있게 된다.Instead of mounting the small UV LED chip 100 directly on the lead electrode on the package body, the small UV LED chip 100 is mounted on the large-area submount 200 by flip chip bonding, and then the submount 200 is mounted. Is mounted on the first metal body portion 310 (see FIGS. 1 and 2) of the cup-shaped package body 300 (see FIGS. 1 and 2), so that the heat is removed to a large area and the first metal body portion 310 (FIG. 1 and see FIG. 2).

본 실시예에 있어서, 서브마운트(200)는 4개의 코너를 갖는 큰 사각형으로 형성되되, 상기 제2 반사 전극막(230)은 4개의 코너들 중 하나의 코너를 점유하는 작은 사각형의 제2 영역을 갖도록 형성되고 상기 제1 반사 전극막(220)은 상기 4개의 코너들 중 나머지 3개의 코너를 점유하는 한편 상기 제2 영역의 2 변을 둘러싸는 제1 영역을 갖도록 형성된다. 상기 제1 반사 전극막(220)과 상기 제2 반사 전극막(230)을 분리하는 전극 분리 갭(201)은 ┛ 형으로 형성되는데, 이와 같이 ┛형 전극 분리 갭(201)에 의해 분리된 제1 및 제2 반사 전극막(220, 230)의 패턴은 제1 플립칩 본딩 패드(240)와 제2 플립칩 본딩 패드(260)를 대각 방향으로 배치하는 것을 가능하게 하여 플립칩 본딩 영역들이 대각선 방향으로 형성될 수 있도록 해준다. 이는 UV LED칩(100)에 대한 균일한 전류 확산에 기여함과 동시에 방열 성능을 높이는 데에 크게 기여한다.   In the present embodiment, the submount 200 is formed into a large quadrangle having four corners, and the second reflective electrode film 230 has a second small square region occupying one corner of the four corners. The first reflective electrode layer 220 is formed to have a first region that occupies the other three corners of the four corners and surrounds two sides of the second region. The electrode separation gap 201 separating the first reflective electrode film 220 and the second reflective electrode film 230 is formed in a Z-shape, and the first separation electrode separated by the U-shaped electrode separation gap 201 is formed. The patterns of the first and second reflective electrode films 220 and 230 enable the first flip chip bonding pad 240 and the second flip chip bonding pad 260 to be disposed in a diagonal direction so that the flip chip bonding regions are diagonally formed. It can be formed in a direction. This contributes to the uniform current spreading for the UV LED chip 100 and at the same time contributes greatly to the heat dissipation performance.

상기 전극 분리 갭(201)은 ┛형 대신에 상대적으로 더 넓은 제1 반사 전극막(220)이 제2 반사 전극막(230)의 일부를 둘러싸는 형태를 가능하게 하는 다양한 다른 형상들, 예컨대, 원호형, 곡선형 또는 둘 이상의 직선 또는 곡선이 교차하는 형태로 형성되어도 좋다. The electrode separation gap 201 may be formed in various other shapes, for example, to enable a relatively wider first reflective electrode film 220 to surround a portion of the second reflective electrode film 230 instead of an X-shape. It may be formed in an arc shape, a curved shape or two or more straight lines or curved shapes.

상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)는 상기 제2 반사 전극막(230)의 4 코너들 중 상기 서브마운트(200)의 중앙 영역에 위치한 제2 반사 전극막(230)의 일 코너에 인접해 형성된다. 더 구체적으로, 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)는 대각선 방향으로 마주하는 서브마운트(200)의 두 코너를 잇는 가상의 대각선상에 위치한 채 상기 서브마운트(200)의 중앙 영역에 위치한다. 또한, 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)는 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)와 대각선 방향으로 마주하는 상기 제1 반사 전극막(220)의 오목한 코너에 인접해 형성된다.The second flip chip bonding pad 260 is adjacent to one corner of the second reflective electrode layer 230 positioned at the center of the submount 200 among the four corners of the second reflective electrode layer 230. Is formed. More specifically, the second flip chip bonding pad 260 is positioned in the central region of the submount 200 while being positioned on an imaginary diagonal line connecting two corners of the submount 200 facing in the diagonal direction. In addition, the first flip chip bonding pad 240 is formed adjacent to the concave corner of the first reflective electrode film 220 facing the second flip chip bonding pad 260 in a diagonal direction.

이때, 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)는, 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)와 대각선 방향으로 마주하는 주 본딩 패턴부(242)와, 상기 주 본딩 패턴부(242)의 주변에 위치한 채 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)에 대한 대각선 방향에서 벗어나 위치한 한 쌍의 주변 본딩 패턴부(243, 243)를 포함한다. 상기 주 본딩 패턴부(242) 부근에서 대략 직각으로 교차하는 한 쌍의 선형 연결 본딩 패턴부들(244, 244)에 의해 상기 주 본딩 패턴부(242)와 상기 한 쌍의 주변 본딩 패턴부(243, 243) 사이는 연결되며, 이에 의해 대략 ┛형으로 제1 플립칩 본딩 패드(240)가 형성될 수 있다. In this case, the first flip chip bonding pad 240 may be formed around the main bonding pattern portion 242 facing the second flip chip bonding pad 260 in a diagonal direction and around the main bonding pattern portion 242. And a pair of peripheral bonding pattern portions 243 and 243 positioned apart from the diagonal direction with respect to the second flip chip bonding pad 260. The main bonding pattern portion 242 and the pair of peripheral bonding pattern portions 243 are formed by a pair of linear connection bonding pattern portions 244 and 244 that cross at substantially right angles in the vicinity of the main bonding pattern portion 242. The second flip chip bonding pads 240 may be formed between the 243 and the second flip chip bonding pads 240.

또한, 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)는 상기 ┛형 전극 분리 갭(201)의 바깥쪽에서 제1 반사 전극막(220) 상에 ┛형으로 형성되며, 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)는 상기 ┛형 전극 분리 갭(201)의 안쪽에서 상기 제2 반사 전극막(230) 상에 대략 원형으로 형성된다. 제1 플립칩 본딩 패드(240) 및 제2 플립칩 본딩 패드(260)의 전술한 형상 및 배치는 UV LED칩(100)의 전류 확산 및 방열 성능 향상에 도움을 주며, 또한, 플립칩 본딩 패드(240)는, 범프들과 함께 UV LED 칩(100)을 지지하는 역할을 하는 바, 전술한 배치와 형상이 UV LED칩(100)이 보다 더 안정되게 그리고 보다 더 신뢰성 있게 서브마운트(200) 상에서 지지될 수 있도록 해준다. 앞에서 언급한 바와 같이, 전극 분리 갭(201)은 두 선형부가 ┛형으로 교차하여 형성된 교차 영역을 포함하는데, 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)는 상기 전극 분리 갭(201)의 교차 영역으로부터 충분히 이격되어 있을 수 있도록 이격용 오목부(245)를 포함하며, 상기 이격용 오목부(245)는 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)가 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)과 마주하는 방향으로 형성되며, 상기 이격용 오목부(245) 만큼 상기 주 본딩 패턴부(242)가 상기 전극 분리 갭(201)에서 멀어지는 방향으로 후퇴되어 위치될 수 있다.In addition, the first flip chip bonding pad 240 is formed on the first reflective electrode film 220 in an outer side of the n-type electrode separation gap 201, and the second flip chip bonding pad 260 is formed. ) Is formed in a substantially circular shape on the second reflective electrode film 230 inside the n-type electrode separation gap 201. The above-described shape and arrangement of the first flip chip bonding pad 240 and the second flip chip bonding pad 260 may help improve current spreading and heat dissipation performance of the UV LED chip 100, and also, flip chip bonding pads. 240 serves to support the UV LED chip 100 along with the bumps, such that the arrangement and shape described above makes the submount 200 more stable and more reliable than the UV LED chip 100. To be supported on the As mentioned above, the electrode separation gap 201 includes an intersecting area formed by two linear portions intersecting in an X-shape, wherein the first flip chip bonding pad 240 is formed from an intersection area of the electrode separation gap 201. A spaced recess 245 to be sufficiently spaced apart, and the spaced recess 245 may include the first flip chip bonding pad 240 facing the second flip chip bonding pad 260. The main bonding pattern portion 242 may be retracted in a direction away from the electrode separation gap 201 as much as the spaced concave portion 245.

도1, 도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 UV LED칩(100)은 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)의 형상 및 배치에 대응하는 제1 도전형 전극 패드(102)와, 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)의 형상 및 배치에 대응하는 제2 도전형 전극 패드(104)를 포함하며, 제1 본딩 범프(103)에 의해 상기 제1 도전형 전극패드(102)와 제1 플립칩 본딩 패드(240) 사이가 접합되고, 제2 본딩 범프(104)에 의해, 제2 도전형 전극패드(104)와 제2 플립칩 본딩 패드(260) 사이가 접합된다.1, 3, and 5, the UV LED chip 100 may include a first conductive electrode pad 102 corresponding to the shape and arrangement of the first flip chip bonding pad 240, and the first conductive electrode pad 102. And a second conductive electrode pad 104 corresponding to the shape and arrangement of the second flip chip bonding pad 260, and the first conductive electrode pad 102 and the first conductive electrode pad 102 are formed by the first bonding bump 103. The flip chip bonding pads 240 are bonded to each other, and the second conductive bumps 104 are bonded to each other between the second conductive electrode pad 104 and the second flip chip bonding pads 260.

또한, 제1 와이어 본딩 패드(250)는 제1 반사 전극막(220) 상에 형성되고 제2 와이어 본딩 패드(270)는 제2 반사 전극막 (230) 상에 형성된다. 이때, 제1 와이어 본딩 패드(250)와 제2 와이어 본딩 패드(270)는 서브마운트(200)의 두 대각선 코너들에 각각에 형성되며, 이 대각선 코너를 잇는 하나의 대각선 상에 전술한 제1 와이어 본딩 패드(250) 및 제2 와이어 본딩 패드(270)와 제1 플립칩 본딩 패드(240) 및 제2 플립칩 본딩 패드(260)가 위치한다. 제1 본딩 와이어(w1)가 제1 와이어 본딩 패드(250)와 제1 금속 바디부(310) 사이를 전기적으로 연결하고 제2 본딩 와이어(w2)가 제2 와이어 본딩 패드(270)와 제2 금속 바디부(320) 사이를 전기적으로 연결한다. 전술한 것과 같이 패드들(240, 250, 260, 270)을 배치함으로써, 공정 중 불량 및 사용 중 쇼트 불량의 최소화와 균일한 전류 확산이 가능해진다. 또한, 상기 제1 금속 바디부(310) 상에 제너다이오드(700)가 실장되어 제1 금속 바디부(310)와 전기적으로 연결되되, 제3 본딩 와이어(w3)는 제너다이오드(700)와 제2 금속 바디부(320) 사이를 전기적으로 연결한다.In addition, the first wire bonding pad 250 is formed on the first reflective electrode film 220, and the second wire bonding pad 270 is formed on the second reflective electrode film 230. In this case, the first wire bonding pads 250 and the second wire bonding pads 270 are formed at two diagonal corners of the submount 200, respectively, and the above-described first on one diagonal line connecting the diagonal corners. The wire bonding pad 250, the second wire bonding pad 270, the first flip chip bonding pad 240, and the second flip chip bonding pad 260 are positioned. The first bonding wire w1 is electrically connected between the first wire bonding pad 250 and the first metal body 310, and the second bonding wire w2 is connected to the second wire bonding pad 270 and the second. The metal bodies 320 are electrically connected to each other. By arranging the pads 240, 250, 260, and 270 as described above, it is possible to minimize in-process defects and in-use short defects and to evenly spread current. In addition, a zener diode 700 is mounted on the first metal body 310 to be electrically connected to the first metal body 310, and the third bonding wire w3 is formed of the zener diode 700 and the first metal body 310. 2 is electrically connected between the metal body 320.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 UV LED칩(100)은 위에서 아래를 향해 투광성 기판(110), 제1 도전형 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 도전형 반도체층(140)을 차례로 포함한다. 또한, 상기 제1 도전형 전극 패드(102)는 메사 식각에 의해 오픈된 제1 도전형 반도체층(120)의 일 영역에 형성되고, 제2 도전형 전극 패드(104)는 상기 제1 도전형 반도체층(120)과 단차를 이루며 아래로 더 연장된 제2 도전형 반도체층(140)의 일 영역에 형성된다. 앞에서 언급한 바와 같이, 제1 도전형 전극 패드(102)는 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)에 상응하는 형상을 가지며 제1 본딩 범프(103)에 의해 제1 플립칩 본딩 패드(240)와 접합되고, 상기 제2 도전형 전극 패드(104)는 상기 제2 플립칩 본딩 패드(240)에 상응하는 형상을 가지며 제2 본딩 범프(104)에 의해 제2 플립칩 본딩 패드(260)에 접합된다. 상기 제1 도전형 전극 패드(102) 및 제2 도전형 전극 패드(104)의 배치 및 형상은 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240) 및 제2 플립칩 본딩 패드(260)의 배치 및 형상을 따르는 것이 바람직하다. 제1 및 제2 본딩 범프 형성을 위한 재료로 SAC 솔더와 플럭스(flux)가 있다.As shown in FIG. 5, the UV LED chip 100 has a light transmissive substrate 110, a first conductive semiconductor layer 120, an active layer 130, and a second conductive semiconductor layer 140 from top to bottom. Include in turn. In addition, the first conductivity type electrode pad 102 is formed in one region of the first conductivity type semiconductor layer 120 opened by mesa etching, and the second conductivity type electrode pad 104 is formed in the first conductivity type. It is formed in one region of the second conductivity type semiconductor layer 140 which extends downward and forms a step with the semiconductor layer 120. As mentioned above, the first conductive electrode pad 102 has a shape corresponding to that of the first flip chip bonding pad 240 and the first flip chip bonding pad 240 is formed by the first bonding bump 103. And the second conductivity type electrode pad 104 has a shape corresponding to that of the second flip chip bonding pad 240 and is connected to the second flip chip bonding pad 260 by a second bonding bump 104. Are bonded. The arrangement and shape of the first conductivity type electrode pad 102 and the second conductivity type electrode pad 104 may be similar to the arrangement and shape of the first flip chip bonding pad 240 and the second flip chip bonding pad 260. It is preferable to follow. Materials for forming the first and second bonding bumps include SAC solder and flux.

보다 구체적으로 설명하면, 상기 제1 및 제2 플립칩 본딩 패드(240, 260) 및 이에 대응되는 제1 및 제2 도전형 전극 패드(102, 104)는 본딩 범프 형성을 위한 솔더 재료와 바람직하게 혼합될 수 있는 재료, 특히, Au 또는 AuSn으로 선택된다. 그리고, 상기 제1 및 제2 플립칩 본딩 패드(240, 260) 및 이에 대응되는 제1 및 제2 도전형 전극 패드(102, 104)의 재료에 따라 제1 및 제2 본딩 범프(103, 104)의 재료가 선정된다.In more detail, the first and second flip chip bonding pads 240 and 260 and the first and second conductive electrode pads 102 and 104 corresponding thereto are preferably formed of a solder material for forming a bonding bump. Materials which can be mixed, in particular Au or AuSn. The first and second bonding bumps 103 and 104 may be formed according to materials of the first and second flip chip bonding pads 240 and 260 and the first and second conductive electrode pads 102 and 104 corresponding thereto. ) Material is selected.

상기 제1 및 제2 플립칩 본딩 패드(240, 260)와 제1 및 제2 도전형 전극 패드(102, 104)의 재료가 Au인 경우, 솔더 본딩을 위한 SAC 솔더가 제1 및 제2 본딩 범프(103, 104) 형성을 위한 재료로 선택된다. 반면, 상기 제1 및 제2 플립칩 본딩 패드(240, 260)와 제1 및 제2 도전형 전극 패드(102, 104)의 재료가 AuSn인 경우, 유테틱 본딩(eutecic bonding)을 위한 플럭스(Flux)가 제1 및 제2 본딩 범프(103, 104)의 형성을 위한 재료로 이용된다.When the materials of the first and second flip chip bonding pads 240 and 260 and the first and second conductive electrode pads 102 and 104 are Au, the SAC solder for solder bonding is first and second bonding. It is selected as the material for forming the bumps 103 and 104. On the other hand, when the materials of the first and second flip chip bonding pads 240 and 260 and the first and second conductivity type electrode pads 102 and 104 are AuSn, the flux for the eutectic bonding (eutecic bonding) Flux) is used as the material for the formation of the first and second bonding bumps 103 and 104.

위와 같이 재료를 선정하는 이유는 플립칩 본딩을 위한 서브마운트의 플립칩 본딩 패드들의 재료 성분이 본딩 범프 형성을 위한 재료 성분과 맞지 않을 경우, 본딩 효과가 떨어지고 방열 성능에 있어서도 저하가 있기 때문이다.The reason for selecting the material as described above is that when the material component of the flip chip bonding pads of the submount for flip chip bonding does not match the material component for forming the bonding bumps, the bonding effect is lowered and the heat dissipation performance is reduced.

제1 및 제2 본딩 와이어(w1, w2)로는 작은 저항과 신뢰성 있는 전기적 연결을 위해 Au 와이어, 더 바람직하게는, 99.99% 이상 순도의 Au 와이어가 이용되는 것이 좋다. 이 경우, 상기 제1 와이어 본딩 패드(250) 및 상기 제2 와이어 본딩 패드(270)는 제1 및 제2 본딩 와이어(w1, w2)와 같은 Au로 형성되는 것이 바람직하다. 상기 제1 와이어 본딩 패드(250) 및 상기 제2 와이어 본딩 패드(270)와 제1 및 제2 본딩 와이어(w1, w2)의 성분이 다르면, 본딩력이 떨어지고 신뢰도가 저하된다.As the first and second bonding wires w1 and w2, Au wires, more preferably, Au wires having a purity of 99.99% or more, may be used for small resistance and reliable electrical connection. In this case, the first wire bonding pad 250 and the second wire bonding pad 270 may be formed of Au, such as the first and second bonding wires w1 and w2. When the components of the first wire bonding pad 250, the second wire bonding pad 270, and the first and second bonding wires w1 and w2 are different from each other, the bonding force is lowered and the reliability is lowered.

와이어 본딩 패드들과 플립칩 본딩 패드들이 동일하게 Au로 이루어진 경우, 동일 공정으로 형성하는 것도 가능하다.When the wire bonding pads and the flip chip bonding pads are made of Au, it is also possible to form the same process.

상기 UV LED칩(100)에 있어서, 투광성 기판(110)은 사파이어 기판인 것이 바람직하다. 사파이어 기판은 갈륨나이트라이트 계열의 제1 도전형 반도체층(120), 활성층(130) 및 제2 도전형 반도체층(140)을 포함하는 에피층 성장에 적합하다. 상기 제1 도전형 반도체층(120)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 반도체층(140)은 p형 반도체층이 되며, 상기 제1 도전형 반도체층(120)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 반도체층(140)은 n형 반도체층이 된다. 상기 활성층(130)은 멀티퀀텀웰을 포함할 수 있다.In the UV LED chip 100, the light transmissive substrate 110 is preferably a sapphire substrate. The sapphire substrate is suitable for epitaxial growth including a gallium nitrite-based first conductive semiconductor layer 120, an active layer 130, and a second conductive semiconductor layer 140. When the first conductive semiconductor layer 120 is an n-type semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer 140 becomes a p-type semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer 120 is a p-type semiconductor. In the case of a layer, the second conductivity-type semiconductor layer 140 becomes an n-type semiconductor layer. The active layer 130 may include a multiquantum well.

도 1을 참조하면, 상기 UV 투과형 보호부재(400)는 UV-C 파장 영역대의 UV 광 투과를 허용하는 쿼츠(quartz)재로 형성된다. 이 쿼츠재 UV 투과형 보호부재(400)는 실리콘 계열 접착제에 의해 컵형 패키지 바디(300)의 상단에 부착되어 상기 컵형 패키지 바디(100)에 구비된 캐비티(301)를 덮는다. UV 광이 수지에 크랙을 일으키므로, 상기 컵형 패키지 바디(300)의 대부분을 제1 및 제2 금속 바디부(310, 320)로 구성하고 캐비티(301)를 덮는 UV 투과형 보호부재(400)도 쿼츠재로 구성함으써 UV 광에 의한 크랙 또는 변성 등의 문제 발생을 억제할 수 있다. Referring to FIG. 1, the UV transmission type protecting member 400 is formed of a quartz material that allows UV light transmission in the UV-C wavelength range. The quartz UV-protective protection member 400 is attached to the top of the cup-shaped package body 300 by a silicone-based adhesive to cover the cavity 301 provided in the cup-shaped package body 100. Since UV light causes cracks in the resin, the UV-transmitting protective member 400 including most of the cup-shaped package body 300 by the first and second metal body portions 310 and 320 and covering the cavity 301 is also included. By constructing a quartz material, problems such as cracks or denaturation due to UV light can be suppressed.

도 6은 전술 UV LED 패키지의 실물 사진을 보여준다. 도 6을 참조하면, 컵형 바디를 구성하는 두개의 금속 바디부 중 상대적으로 대면적인 금속 바디부 상에 서브마운트가 실장되어 있고, 그 서브마운트에 UV LED칩이 실장되어 있음을 확인할 수 있다.Figure 6 shows a real picture of the tactical UV LED package. Referring to FIG. 6, it can be seen that a submount is mounted on a relatively large metal body part of the two metal body parts constituting the cup-shaped body, and a UV LED chip is mounted on the submount.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 UV LED 패키지의 서브마운트를 제작하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.7 is a view for explaining a process of manufacturing a submount of the UV LED package according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 제1 단계(s1)에서 방열 성능이 좋은 사각형 도전성 Si 기판(212)이 준비된다. 뒤이은 제2 단계(s2)에서, 도전성 Si 기판(212)의 상면이 산화 처리되어 도전성 Si 기판(212)의 상면 전 영역에 걸쳐 SiO2 절연층(214)이 형성된다. 상기 제1 단계(s1)와 제2 단계(s2)에 의해 도전성 Si 기판(212)과 SiO2 절연층(214)을 포함하는 하나의 사각형 방열 기판(210)이 형성된다. 뒤이은 제3 단계(s3)에서 상기 방열 기판(210) 상에 상기 방열 기판(210)의 4 코너 중 3 코너를 점유하는 대면적의 제1 반사 전극막(220)과 상기 방열 기판(210)의 4 코너 중 1 코너를 점유하는 소면적의 제2 반사 전극막(230)이 전극 분리 갭(201)에 의해 서로 분리된 상태로 형성된다. 상기 제1 반사 전극막(220)과 상기 제2 반사 전극막(230)은 Al 또는 Au로 형성되되, 방열 기판(210)의 상면 전 영역에 걸쳐 Al 또는 Au를 증착한 후, 상기 전극 분리 갭(201)을 포함하는 영역을 식각, 제거하여 형성될 수 있다. 대안적으로, 마스크를 이용한 증착에 의해, 상기 전극 분리 갭(201)을 포함하는 일부 영역을 제외한 상태로 Al 또는 Au를 방열 기판(210)의 상면에 증착하여 형성될 수 있다. 뒤이은 제4 단계(s4)에서 제1 플립칩 본딩 패드(240) 및 제1 와이어 본딩 패드(250)와 제2 플립칩 본딩 패드(260) 및 제2 와이어 본딩 패드(270)가 제1 반사 전극막(220)과 제2 반사 전극막(230) 각각에 형성된다. 상기 본딩 패드들(240, 250, 260, 270)은 Au 또는 AuSn 등 금속을 증착한 후 식각하여 형성되거나 또는 마스크를 이용하여 해당 영역들에만 Au 또는 AuSn 등 금속을 증착 또는 도팅하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 7, a rectangular conductive Si substrate 212 having good heat dissipation performance is prepared in a first step s1. In a second step s2 that follows, the top surface of the conductive Si substrate 212 is oxidized to form an SiO 2 insulating layer 214 over the entire top surface of the conductive Si substrate 212. In the first step s1 and the second step s2, one rectangular heat dissipation substrate 210 including the conductive Si substrate 212 and the SiO 2 insulating layer 214 is formed. In the subsequent third step s3, the first reflective electrode film 220 having the large area occupying three of four corners of the heat dissipation substrate 210 and the heat dissipation substrate 210 on the heat dissipation substrate 210. The second reflective electrode film 230 having a small area occupying one of the four corners of the second corners is formed in a state in which the electrode separation gap 201 is separated from each other. The first reflective electrode film 220 and the second reflective electrode film 230 are formed of Al or Au, and after depositing Al or Au over the entire area of the top surface of the heat dissipation substrate 210, the electrode separation gap It may be formed by etching and removing the region including the 201. Alternatively, Al or Au may be formed on the top surface of the heat dissipation substrate 210 by removing a portion of the electrode separation gap 201 by deposition using a mask. In a subsequent fourth step s4, the first flip chip bonding pad 240 and the first wire bonding pad 250, the second flip chip bonding pad 260, and the second wire bonding pad 270 reflect the first reflection. It is formed on each of the electrode film 220 and the second reflective electrode film 230. The bonding pads 240, 250, 260, and 270 may be formed by depositing and then etching a metal such as Au or AuSn, or may be formed by depositing or doping a metal such as Au or AuSn in only regions using a mask. .

앞에서 언급한 바와 같이, 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)는 상기 제2 반사 전극막(230)의 4 코너들 중 상기 방열 기판(210) 또는 그것을 포함하는 서브마운트의 중앙 영역에 위치한 일 코너에 형성된다. 더 구체적으로, 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)는 대각선 방향으로 마주하는 서브마운트의 두 코너를 잇는 가상의 대각선 상에 위치한 채 상기 서브마운트의 중앙 역역에 위치한다. As mentioned above, the second flip chip bonding pad 260 is one corner positioned at the center area of the heat dissipation substrate 210 or the submount including the second corner of the second reflective electrode layer 230. Is formed. More specifically, the second flip chip bonding pad 260 is positioned at the central station of the submount while being positioned on an imaginary diagonal line connecting two corners of the diagonally facing submounts.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 UV LED 패키지의 서브마운트를 제작하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a process of manufacturing a submount of the UV LED package according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 제1 단계(S1)에서 방열 성능이 좋은 사각형 도전성 Si 기판(212)이 준비된다. 뒤이은 제2 단계(S2)에서, 도전성 Si 기판(212)의 상면이 산화처리되어 도전성 Si 기판(212)의 상면 전 영역에 걸쳐 SiO2 절연층(214)이 형성되어 도전성 Si 기판(212)과 SiO2 절연층(214)을 포함하는 하나의 사각형 방열 기판(210)이 형성된다. 뒤이은 제3 단계(S3)에서 상기 방열 기판(210) 상에 상기 방열 기판(210)의 한 변에 대해 전체적으로 평행한 전극 분리 갭(201)에 의해 제1 반사 전극막(220)과 제2 반사 전극막(230)이 각각 직사각형으로 형성된다. 뒤이은 제4 단계(S4)에서 제1 플립칩 본딩 패드(240) 및 제1 와이어 본딩 패드(250)와 제2 플립칩 본딩 패드(260) 및 제2 와이어 본딩 패드(270)가 제1 반사 전극막(220)과 제2 반사 전극막(230) 각각에 형성된다. 상기 본딩 패드들(240, 250, 260, 270)은 Au 또는 AuSn 등 금속을 증착한 후 식각하여 형성되거나 또는 마스크를 이용하여 해당 영역들에만 Au 또는 AuSn 등 금속을 증착하여 형성될 수 있다. 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)와 제2 플립칩 본딩 패드(260)는 모두 방열 기판(210)의 중앙 영역에 위치하고 제1 와이어 본딩 패드(260)와 제2 와이어 본딩 패드(270)는 방열 기판(210) 상에서 대각선 방향으로 마주하는 두 코너에 위치한다. 상기 제1 플립칩 본딩 패드(240)는 UV LED칩에 구비된 복수개의 제1 도전형 패드와 본딩 범프에 의해 연결되는 복수개의 직사각형본딩 패턴부를 포함하여 이루어지며, 상기 제2 플립칩 본딩 패드(260)는 UV LED 칩에 구비된 한 개의 제2 도전형 패드와 본딩 범프에 의해 연결되는 하나의 반원형 본딩 패턴부를 포함하여 이루어진다. 본딩 패턴부들은 Au 또는 AuSn으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, a rectangular conductive Si substrate 212 having good heat dissipation performance is prepared in a first step S1. In a subsequent second step S2, the top surface of the conductive Si substrate 212 is oxidized to form an SiO 2 insulating layer 214 over the entire top surface of the conductive Si substrate 212 to form the conductive Si substrate 212. And one rectangular heat dissipation substrate 210 including the SiO 2 insulating layer 214 is formed. In the subsequent third step S3, the first reflective electrode film 220 and the second reflective electrode 201 are disposed on the heat dissipation substrate 210 by an electrode separation gap 201 that is generally parallel to one side of the heat dissipation substrate 210. The reflective electrode films 230 are each formed in a rectangle. In a subsequent fourth step S4, the first flip chip bonding pad 240 and the first wire bonding pad 250, the second flip chip bonding pad 260, and the second wire bonding pad 270 reflect the first reflection. It is formed on each of the electrode film 220 and the second reflective electrode film 230. The bonding pads 240, 250, 260, and 270 may be formed by depositing a metal such as Au or AuSn, and then etching or by depositing a metal such as Au or AuSn in only regions using a mask. The first flip chip bonding pad 240 and the second flip chip bonding pad 260 are both located at the center of the heat dissipation substrate 210, and the first wire bonding pad 260 and the second wire bonding pad 270 are Located at two corners facing in the diagonal direction on the heat radiation substrate 210. The first flip chip bonding pad 240 includes a plurality of rectangular bonding pattern portions connected to the plurality of first conductive pads and bonding bumps provided in the UV LED chip, and the second flip chip bonding pad ( 260 includes one semi-conductive bonding pattern portion connected to one second conductive pad and bonding bump provided in the UV LED chip. The bonding pattern portions may be formed of Au or AuSn.

100...................................UV LED칩
200...................................서브마운트
300...................................패키지 바디
400...................................UV 투과형 보호부재100 ......................... UV LED Chip
200 ..................... Submount
300 ......................... Package Body
400 ......................... UV transmissive protective member

Claims (20)

방열 기판과, 상기 방열 기판 상에 전극 분리 갭에 의해 서로 이격되게 형성되며, 제1 플립칩 본딩패드가 형성된 제1 반사 전극막과 제2 플립칩 본딩패드가 형성된 제2 반사 전극막을 포함하는 서브마운트;
상기 서브마운트에 본딩되며, 200nm ~ 400nm의 UV 광을 발광하는 UV LED칩; 및
상기 서브마운트가 실장되는 패키지 바디;를 포함하며,
상기 전극 분리 갭은 두 선형부가 하나의 교차 영역에서 직각으로 만나는 ┛형상으로 형성되며,
상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 ┛형상의 전극 분리 갭의 바깥쪽에서 상기 제1 반사 전극막에 형성되고, 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 상기 ┛형상의 전극 분리 갭의 안쪽에서 상기 제2 반사 전극막에 형성되며,
상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 제2 플립칩 본딩 패드와 마주하는 주 본딩 패턴부와 상기 주 본딩 패턴부의 주변에 형성되는 한 쌍의 주변 본딩 패턴부를 포함하며,
상기 주 본딩 패턴부와 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 상기 서브마운트의 대각선 방향으로 마주하는 두 코너와 상기 UV 엘이디 칩의 대각선 방향으로 마주하는 두 코너와 상기 교차 영역을 모두 지나는 대각선 상에 위치한 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.A sub substrate comprising a heat dissipation substrate, a first reflection electrode layer formed on the heat dissipation substrate and spaced apart from each other by an electrode separation gap, and including a first reflection electrode layer having a first flip chip bonding pad and a second reflection electrode layer having a second flip chip bonding pad formed thereon. Mount;
A UV LED chip bonded to the submount and emitting UV light of 200 nm to 400 nm; And
And a package body in which the submount is mounted.
The electrode separation gap is formed in a concave shape in which two linear portions meet at right angles at one intersection region.
The first flip chip bonding pad is formed on the first reflective electrode film outside the fin-shaped electrode separation gap, and the second flip chip bonding pad is formed on the second reflection gap inside the fin-shaped electrode separation gap. It is formed on the electrode film,
The first flip chip bonding pad may include a main bonding pattern portion facing the second flip chip bonding pad and a pair of peripheral bonding pattern portions formed around the main bonding pattern portion.
The main bonding pattern portion and the second flip chip bonding pad may be positioned on two corners facing each other in the diagonal direction of the submount and two corners facing each other in the diagonal direction of the UV LED chip and a diagonal line passing through the intersection area. Featuring a UV LED package. 청구항 1항에 있어서, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 주 본딩 패턴부의 부근에서 직각으로 교차하는 한 쌍의 선형 연결 본딩 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 1, wherein the first flip chip bonding pad includes a pair of linear connection bonding pattern portions crossing at right angles in the vicinity of the main bonding pattern portion. 청구항 2항에 있어서, 상기 주 본딩 패턴부와 상기 한 쌍의 주변 본딩 패턴부는 상기 한 쌍의 선형 연결 본딩 패턴부에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 2, wherein the main bonding pattern portion and the pair of peripheral bonding pattern portions are connected by the pair of linear connection bonding pattern portions. 청구항 1항에 있어서, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 전극 분리 갭에서 이격될 수 있도록 이격용 오목부 포함하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 1, wherein the first flip chip bonding pad includes spaced recesses to be spaced apart from the electrode separation gap. 청구항 4항에 있어서, 상기 이격용 오목부는 상기 제1 플립칩 본딩 패드와 상기 제2 플립칩 본딩 패드가 대각선 방향으로 마주하는 방향에 형성되는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 4, wherein the spaced concave portion is formed in a direction in which the first flip chip bonding pad and the second flip chip bonding pad face in a diagonal direction. 청구항 4항에 있어서, 상기 주 본딩 패턴부는 상기 전극 분리 갭에서 상기 이격용 오목부만큼 떨어져서 형성되는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package according to claim 4, wherein the main bonding pattern portion is formed to be spaced apart from the separation gap in the electrode separation gap. 청구항 1항에 있어서, 상기 한 쌍의 주변 본딩 패턴부 각각은 상기 대각선으로부터 일정 거리만큼 벗어나 상기 두 선형부 각각과 마주하게 위치한 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지. The UV LED package of claim 1, wherein each of the pair of peripheral bonding pattern portions is positioned to face each of the two linear portions away from the diagonal by a predetermined distance. 삭제delete 청구항 1항에 있어서, 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 상기 서브마운트의 중앙 영역에 형성되며, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 제1 반사 전극막의 오목한 코너에 인접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV chip of claim 1, wherein the second flip chip bonding pad is formed at a central region of the submount, and the first flip chip bonding pad is formed adjacent to a concave corner of the first reflective electrode layer. LED package. 청구항 1항에 있어서, 상기 UV LED칩은 상기 제1 플립칩 본딩 패드에 대응하는 제1 도전형 전극 패드 및 상기 제2 플립칩 본딩 패드에 대응하는 제2 도전형 전극 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The method of claim 1, wherein the UV LED chip comprises a first conductive electrode pad corresponding to the first flip chip bonding pad and a second conductive electrode pad corresponding to the second flip chip bonding pad. UV LED package. 방열 기판과, 상기 방열 기판 상에 전극 분리 갭에 의해 서로 이격되게 형성되며, 제1 플립칩 본딩패드가 형성된 제1 반사 전극막과 상기 제1 플립칩 본딩 패드와 마주하여 형성된 제2 플립칩 본딩패드가 형성된 제2 반사 전극막을 포함하는 서브마운트;
상기 서브마운트에 본딩되며, 200nm ~ 400nm의 UV 광을 발광하는 UV LED칩; 및
상기 서브마운트가 실장되는 패키지 바디;를 포함하며,
상기 전극 분리 갭은 두 선형부가 하나의 교차 영역에서 직각으로 만나는 ┛형상으로 형성되며,
상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 ┛형상의 전극 분리 갭의 바깥쪽에서 상기 제1 반사 전극막에 형성되고,
상기 제2 플립칩 본딩 패드는 상기 ┛형상의 전극 분리 갭의 안쪽에서 상기 제2 반사 전극막에 형성되며,
상기 제1 플립칩 본딩 패드는, 상기 서브마운트의 대각선 방향으로 마주하는 두 코너와 상기 UV 엘이디칩의 대각선 방향으로 마주하는 두 코너와 상기 교차 영역을 모두 지나는 대각선 상에 위치하고, 상기 ┛형상의 전극 분리 갭의 바깥쪽에서 이격용 오목부만큼 떨어져서 형성되는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.A heat dissipation substrate and a first flip electrode bonding formed on the heat dissipation substrate and spaced apart from each other by an electrode separation gap, and formed to face the first flip electrode bonding pad and the first flip chip bonding pad. A submount including a second reflective electrode film having a pad formed thereon;
A UV LED chip bonded to the submount and emitting UV light of 200 nm to 400 nm; And
And a package body in which the submount is mounted.
The electrode separation gap is formed in a concave shape in which two linear portions meet at right angles at one intersection region.
The first flip chip bonding pad is formed on the first reflective electrode film outside the X-shaped electrode isolation gap,
The second flip chip bonding pad is formed on the second reflective electrode film inside the n-shaped electrode isolation gap,
The first flip chip bonding pad may be disposed on a diagonal line passing through both of the two corners facing the diagonal direction of the submount and the two corners facing the UV LED chip in the diagonal direction and the intersection area. UV LED package, characterized in that formed from the outside of the separation gap by a spaced apart recess. 청구항 11항에 있어서, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 복수개의 본딩 패턴부로 이루어지고, 상기 제2 플립칩 본딩 패드는 하나의 본딩 패드로 이루어진 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 11, wherein the first flip chip bonding pad is formed of a plurality of bonding pattern parts, and the second flip chip bonding pad is made of one bonding pad. 청구항 11항에 있어서, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 주 본딩 패턴부와 상기 주 본딩 패턴부의 주변에 형성되는 한 쌍의 주변 본딩 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 11, wherein the first flip chip bonding pad includes a main bonding pattern portion and a pair of peripheral bonding pattern portions formed around the main bonding pattern portion. 청구항 13항에 있어서, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는 상기 주 본딩 패턴부의 부근에서 직각으로 교차하는 한 쌍의 선형 연결 본딩 패턴부를 포함하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 13, wherein the first flip chip bonding pad includes a pair of linear connection bonding pattern portions crossing at right angles in the vicinity of the main bonding pattern portion. 청구항 14항에 있어서, 상기 주 본딩 패턴부와 상기 한 쌍의 주변 본딩 패턴부는 상기 한 쌍의 선형 연결 본딩 패턴부에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package according to claim 14, wherein the main bonding pattern portion and the pair of peripheral bonding pattern portions are connected by the pair of linear connection bonding pattern portions. 청구항 11항에 있어서, 상기 UV LED칩은 상기 제1 플립칩 본딩 패드에 대응하는 제1 도전형 전극 패드 및 상기 제2 플립칩 본딩 패드에 대응하는 제2 도전형 전극 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The method of claim 11, wherein the UV LED chip comprises a first conductive electrode pad corresponding to the first flip chip bonding pad and a second conductive electrode pad corresponding to the second flip chip bonding pad. UV LED package. 청구항 11에 있어서, 상기 제1 플립칩 본딩 패드는, 상기 대각선으로부터 일정 거리만큼 벗어나 상기 두 선형부 각각과 마주하게 위치한 한 쌍의 주변 본딩 패턴부를 더 포함하는 것 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 11, wherein the first flip chip bonding pad further comprises a pair of peripheral bonding pattern portions positioned to face each of the two linear portions by a predetermined distance from the diagonal line. 삭제delete 청구항 11항에 있어서, 상기 패키지 바디는 상기 서브마운트가 실장되는 제1 금속 바디부와 절연 재료에 의해 상기 제1 금속 바디부와 이격되어 형성되는 제2 금속 바디부를 포함하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED of claim 11, wherein the package body comprises a first metal body portion on which the submount is mounted, and a second metal body portion spaced apart from the first metal body portion by an insulating material. package. 청구항 11항에 있어서, 상기 패키지 상부에 결합되며 쿼츠(Quartz) 재료로 형성된 UV 투과형 보호부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 UV LED 패키지.The UV LED package of claim 11, comprising a UV transmissive protective member coupled to the package and formed of quartz material.
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