KR102633697B1 - 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 - Google Patents
독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102633697B1 KR102633697B1 KR1020210135415A KR20210135415A KR102633697B1 KR 102633697 B1 KR102633697 B1 KR 102633697B1 KR 1020210135415 A KR1020210135415 A KR 1020210135415A KR 20210135415 A KR20210135415 A KR 20210135415A KR 102633697 B1 KR102633697 B1 KR 102633697B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data storage
- vertical channel
- sacrificial layers
- flash memory
- word lines
- Prior art date
Links
- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 81
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 102100030851 Cortistatin Human genes 0.000 description 7
- 101100058970 Arabidopsis thaliana CALS11 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100341076 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) IPK1 gene Proteins 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 101100058964 Arabidopsis thaliana CALS5 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005689 Fowler Nordheim tunneling Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000007334 memory performance Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 102100025961 Glutaminase liver isoform, mitochondrial Human genes 0.000 description 1
- 101000856993 Homo sapiens Glutaminase liver isoform, mitochondrial Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007667 ZnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- -1 etc.) Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
- H10B43/35—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region with cell select transistors, e.g. NAND
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽에 접촉하며 상기 워드 라인들에 대응하도록 이격되어 배치되는 데이터 저장 패턴들을 포함함-을 포함하고, 상기 워드 라인들 각각의 모서리는, 상기 워드 라인들을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
Description
아래의 실시예들은 3차원 플래시 메모리에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 독립된 데이터 저장 패턴(Confined data storage pattern)의 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리에 대한 기술이다.
플래시 메모리 소자는 F-N 터널링(Fowler-Nordheimtunneling) 또는 열전자 주입(Hot electron injection)에 의해 전기적으로 데이터의 입출력을 제어하여 전기적으로 프로그램 및 소거가 가능한 판독 전용 메모리(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory; EEPROM)로서, 컴퓨터, 디지털 카메라, MP3 플레이어, 게임 시스템, 메모리 스틱(Memory stick) 등에 공통적으로 이용될 수 있다.
이러한 플래시 메모리 소자에서는 소비자가 요구하는 우수한 성능 및 저렴한 가격을 충족시키기 위해 집적도를 증가시키는 것이 요구된 바, 메모리 셀 트랜지스터들이 수직 방향으로 배열되어 셀 스트링을 구성하는 3차원 구조가 제안되었다.
더 나아가, 수직 방향으로 연장 형성되는 데이터 저장 패턴(DSP) 내에서 전자가 이동되어 프로그래밍 동작의 정확도가 떨어지는 문제점을 개선하기 위한, 독립된 데이터 저장 패턴(Confined data storage pattern)의 구조가 제안되었다. 이와 같은 독립된 데이터 저장 패턴의 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리는 미국공개특허 2021-0104535호에 개시되어 있다.
그러나 기존의 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리를 도시한 단면도인 도 1을 참조하면, 기존의 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리는, 희생층 기반의 워드 라인 대체 공정(WL replacement process)을 이용하여 제조될 경우 도면에 도시된 바와 같이 워드 라인이 모서리 부분까지 채워지지 못해 보이드(Void)(110)가 형성되는 문제를 갖는다.
이와 같은 보이드(110)는 3차원 플래시 메모리의 메모리 성능을 저하되는 원인이 될 수 있다.
따라서, 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리가 워드 라인 대체 공정을 이용하여 제조될 때 보이드가 형성되지 않도록 하는 기술이 제안될 필요가 있다.
일 실시예들은 보이드가 형성되지 않는 구조의 3차원 플래시 메모리, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템을 제안한다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제들은 상기 과제로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리는, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 워드 라인들; 및 상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽에 접촉하며 상기 워드 라인들에 대응하도록 이격되어 배치되는 데이터 저장 패턴들을 포함함-을 포함하고, 상기 워드 라인들 각각의 모서리는, 상기 워드 라인들을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
일 측면에 따르면, 상기 워드 라인들 각각의 모서리는, 경사면을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
다른 일 측면에 따르면, 상기 워드 라인들 각각의 모서리는, 스텝 부분을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 워드 라인들 각각의 모서리는, 상기 도전성 물질이 채워지는 공간들을 확보하기 위한 희생층들 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층, 중간층 및 하부층으로 구성되는 3중 구조를 가짐에 따라, 상기 보이드가 형성되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 상부층 및 상기 하부층 각각의 식각비는, 상기 중간층의 식각비보다 큰 값을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 상부층 및 상기 하부층 각각은, 상기 중간층을 구성하는 물질과 동일한 물질에 상기 중간층의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖게 하는 처리가 수행되어 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 수직 채널 구조체들 각각은, 상기 수직 채널 패턴의 내부 공간을 채우며 연장 형성되는 백 게이트를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법은, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 희생층들-상기 희생층들 각각은 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층, 중간층 및 하부층으로 구성되는 3중 구조를 가짐-을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 희생층들을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들을 상기 반도체 구조체에 형성하는 단계; 상기 채널 홀들을 통해 상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계; 상기 희생층들 각각의 일부 영역이 식각된 제1 공간들에 데이터 저장 패턴들을 형성하는 단계; 상기 채널 홀들에 수직 채널 패턴을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 희생층들 각각의 나머지 영역을 제거하는 단계; 및 상기 희생층들 각각의 나머지 영역이 제거된 제2 공간들에 워드 라인들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 측면에 따르면, 상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계는, 상기 희생층들 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층, 중간층 및 하부층으로 구성되는 3중 구조를 가짐에 따라, 상기 제1 공간들 각각의 모서리가 스텝 부분을 포함하도록 상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
다른 일 측면에 따르면, 상기 희생층들 각각의 나머지 영역을 제거하는 단계는, 상기 제1 공간들 각각의 모서리가 스텝 부분을 포함함에 따라, 상기 스텝 부분을 포함하는 모서리를 각각 갖는 상기 제2 공간들을 확보하는 단계를 포함하고, 상기 워드 라인들을 형성하는 단계는, 상기 제2 공간들 각각의 모서리가 상기 스텝 부분을 포함함에 따라, 상기 제2 공간들에 보이드(Void)가 형성되지 않도록 도전성 물질을 채워 넣는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 희생층들 각각의 나머지 영역을 제거하는 단계는, 상기 제2 공간들 각각의 모서리에 포함되는 상기 스텝 부분을 식각하여 경사면을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 워드 라인들을 형성하는 단계는, 상기 제2 공간들 각각의 모서리가 상기 경사면을 포함함에 따라, 상기 제2 공간들에 상기 보이드가 형성되지 않도록 상기 도전성 물질을 채워 넣는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 데이터 저장 패턴들을 형성하는 단계는, 상기 데이터 저장 패턴들이 서로 독립된 구조를 갖도록 상기 데이터 저장 패턴들을 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 수직 채널 패턴을 패턴을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 수직 채널 패턴의 내부 공간에 상기 수직 방향으로 백 게이트를 연장 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또 다른 일 측면에 따르면, 상기 반도체 구조체를 준비하는 단계는, 상기 상부층 및 상기 하부층 각각을 상기 중간층을 구성하는 물질과 동일한 물질로 형성하는 단계; 및 상기 상부층 및 상기 하부층 각각이 상기 중간층의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖도록 하는 처리를 상기 상부층 및 상기 하부층 각각에 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예들은 보이드가 형성되지 않는 구조의 3차원 플래시 메모리, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템을 제안할 수 있다.
따라서, 일 실시예들에 따른 3차원 플래시 메모리는 워드 라인에 보이드가 형성되지 않음에 따라 메모리 성능 저하를 방지하는 효과를 도모할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있다.
도 1은 기존의 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리를 도시한 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 어레이를 도시한 간략 회로도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당된다.
도 5는 다른 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당된다.
도 6a 및 6b는 또 다른 실시시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당된다.
도 7은 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 제조 방법을 도시한 플로우 차트이다.
도 8a 내지 8j는 도 7에 도시된 3차원 플래시 메모리의 제조 방법을 설명하기 위해 3차원 플래시 메모리를 도시한 단면도이다.
도 9는 실시예들에 따른 3차원 플래시 메모리를 포함하는 전자 시스템을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 어레이를 도시한 간략 회로도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당된다.
도 5는 다른 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당된다.
도 6a 및 6b는 또 다른 실시시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당된다.
도 7은 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 제조 방법을 도시한 플로우 차트이다.
도 8a 내지 8j는 도 7에 도시된 3차원 플래시 메모리의 제조 방법을 설명하기 위해 3차원 플래시 메모리를 도시한 단면도이다.
도 9는 실시예들에 따른 3차원 플래시 메모리를 포함하는 전자 시스템을 개략적으로 도시한 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(Terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 시청자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 예컨대, 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 영역, 방향, 형상 등을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 영역, 방향, 형상이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 소정 영역, 방향 또는 형상을 다른 영역, 방향 또는 형상과 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시예에서 제1 부분으로 언급된 부분이 다른 실시예에서는 제2 부분으로 언급될 수도 있다.
또한, 본 발명의 다양한 실시 예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시 예로 구현될 수 있다. 또한, 제시된 각각의 실시예 범주에서 개별 구성요소의 위치, 배치, 또는 구성은 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 실시예들에 따른 3차원 플래시 메모리, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 어레이를 도시한 간략 회로도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 어레이는 공통 소스 라인(CSL), 복수의 비트 라인들(BL0, BL1, BL2) 및 공통 소스 라인(CSL)과 비트 라인들(BL0, BL1, BL2) 사이에 배치되는 복수의 셀 스트링들(CSTR)을 포함할 수 있다.
비트 라인들(BL0, BL1, BL2)은 제2 방향(D2)으로 연장 형성된 채 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격되며 2차원적으로 배열될 수 있다. 여기서, 제1 방향(D1), 제2 방향(D2) 및 제3 방향(D3) 각각은 서로 직교하며 X, Y, Z축으로 정의되는 직각 좌표계를 형성할 수 있다.
비트 라인들(BL0, BL1, BL2) 각각에는 복수의 셀 스트링들(CSTR)이 병렬로 연결될 수 있다. 셀 스트링들(CSTR)은 비트 라인들(BL0, BL1, BL2)과 하나의 공통 소스 라인(CSL) 사이에 제공된 채 공통 소스 라인(CSL)에 공통으로 연결될 수 있다. 이 때, 공통 소스 라인(CSL)은 복수 개로 제공될 수 있으며, 복수의 공통 소스 라인들(CSL)은 제1 방향(D1)으로 연장 형성된 채 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격되며 2차원적으로 배열될 수 있다. 복수의 공통 소스 라인들(CSL)에는 전기적으로 동일한 전압이 인가될 수 있으나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 복수의 공통 소스 라인들(CSL) 각각이 전기적으로 독립적으로 제어됨으로써 서로 다른 전압이 인가될 수도 있다.
셀 스트링들(CSTR)은 제3 방향(D3)으로 연장 형성된 채 비트 라인별로 제2 방향(D2)을 따라 서로 이격되며 배열될 수 있다. 실시예에 따르면, 셀 스트링들(CSTR) 각각은 공통 소스 라인(CSL)에 접속하는 접지 선택 트랜지스터(GST), 비트 라인들(BL0, BL1, BL2)에 접속하며 직렬 연결된 제1 및 제2 스트링 선택 트랜지스터들(SST1, SST2), 접지 선택 트랜지스터(GST)와 제1 및 제2 스트링 선택 트랜지스터들(SST1, SST2) 사이에 배치된 채 직렬 연결된 메모리 셀 트랜지스터들(MCT) 및 소거 제어 트랜지스터(ECT)로 구성될 수 있다. 또한, 메모리 셀 트랜지스터들(MCT) 각각은 데이터 저장 요소(Data storage element)를 포함할 수 있다.
일 예로, 각각의 셀 스트링들(CSTR)은 직렬 연결된 제1 및 제2 스트링 선택 트랜지스터들(SST1, SST2)을 포함할 수 있으며, 제2 스트링 선택 트랜지스터(SST2)는 비트 라인들(BL0, BL1, BL2) 중 하나에 접속될 수 있다. 그러나 이에 제한되거나 한정되지 않고, 각각의 셀 스트링들(CSTR)은 하나의 스트링 선택 트랜지스터를 포함할 수도 있다. 다른 예로, 각각의 셀 스트링들(CSTR)에서 접지 선택 트랜지스터(GST)는, 제1 및 제2 스트링 선택 트랜지스터들(SST1, SST2)와 유사하게, 직렬 연결된 복수 개의 모스 트랜지스터들로 구성될 수도 있다.
하나의 셀 스트링(CSTR)은 공통 소스 라인들(CSL)로부터의 거리가 서로 다른 복수 개의 메모리 셀 트랜지스터들(MCT)로 구성될 수 있다. 즉, 메모리 셀 트랜지스터들(MCT)은 제1 스트링 선택 트랜지스터(SST1)와 접지 선택 트랜지스터(GST) 사이에서 제3 방향(D3)을 따라 배치된 채 직렬 연결될 수 있다. 소거 제어 트랜지스터(ECT)는 접지 선택 트랜지스터(GST)와 공통 소스 라인들(CSL) 사이에 연결될 수 있다. 셀 스트링들(CSTR) 각각은 제1 스트링 선택 트랜지스터(SST1)와 메모리 셀 트랜지스터들(MCT) 중 최상위의 것 사이 및 접지 선택 트랜지스터(GST)와 메모리 셀 트랜지스터들(MCT) 중 최하위의 것 사이에 각각 연결된 더미 셀 트랜지스터들(DMC)을 더 포함할 수 있다.
실시예에 따르면, 제1 스트링 선택 트랜지스터(SST1)는 제1 스트링 선택 라인들(SSL1-1, SSL1-2, SSL1-3)에 의해 제어될 수 있으며, 제2 스트링 선택 트랜지스터(SST2)는 제2 스트링 선택 라인들(SSL2-1, SSL2-2, SSL2-3)에 의해 제어될 수 있다. 메모리 셀 트랜지스터들(MCT)은 복수의 워드 라인들(WL0-WLn)에 의해 각각 제어 될 수 있으며, 더미 셀 트랜지스터들(DMC)은 더미 워드 라인(DWL)에 의해 각각 제어될 수 있다. 접지 선택 트랜지스터(GST)는 접지 선택 라인들(GSL0, GSL1, GSL2)에 의해 제어될 수 있으며, 소거 제어 트랜지스터(ECT)는 소거 제어 라인(ECL)에 의해 제어될 수 있다. 소거 제어 트랜지스터(ECT)는 복수 개로 제공될 수 있다. 공통 소스 라인들(CSL)은 소거 제어 트랜지스터들(ECT)의 소스들에 공통으로 연결될 수 있다.
공통 소스 라인들(CSL)로부터 실질적으로 동일한 거리에 제공되는, 메모리 셀 트랜지스터들(MCT)의 게이트 전극들은 워드 라인들(WL0-WLn, DWL) 중의 하나에 공통으로 연결되어 등전위 상태에 있을 수 있다. 그러나 이에 제한되거나 한정되지 않고, 메모리 셀 트랜지스터들(MCT)의 게이트 전극들이 공통 소스 라인들(CSL)로부터 실질적으로 동일한 레벨에 제공되더라도, 서로 다른 행 또는 열에 제공되는 게이트 전극들이 독립적으로 제어될 수도 있다.
접지 선택 라인들(GSL0, GSL1, GSL2), 제1 스트링 선택 라인들(SSL1-1, SSL1-2, SSL1-3) 및 제2 스트링 선택 라인들(SSL2-1, SSL2-2, SSL2-3)은 제1 방향(D1)을 따라 연장되며, 제2 방향(D2)으로 서로 이격되며 2차원적으로 배열될 수 있다. 공통 소스라인들(CSL)로부터 실질적으로 동일한 레벨에 제공되는 접지 선택 라인들(GSL0, GSL1, GSL2), 제1 스트링 선택 라인들(SSL1-1, SSL1-2, SSL1-3) 및 제2 스트링 선택 라인들(SSL2-1, SSL2-2, SSL2-3)은 전기적으로 서로 분리될 수 있다. 또한, 서로 다른 셀 스트링들(CSTR)의 소거 제어 트랜지스터들(ECT)은 공통의 소거 제어 라인(ECL)에 의해 제어될 수 있다. 소거 제어 트랜지스터들(ECT)은 메모리 셀 어레이의 소거 동작 시 게이트 유도 드레인 누설(Gate Induced Drain Leakage; 이하 GIDL)을 발생시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 메모리 셀 어레이의 소거 동작시 비트 라인들(BL0, BL1, BL2) 및/또는 공통 소스 라인들(CSL)에 소거 전압이 인가될 수 있으며, 스트링 선택 트랜지스터(SST) 및/또는 소거 제어 트랜지스터들(ECT)에서 게이트 유도 누설 전류가 발생될 수 있다.
이상 설명된 스트링 선택 라인(SSL)은 상부 선택 라인(USL)으로 표현될 수 있으며, 접지 선택 라인(GSL)은 하부 선택 라인으로 표현될 수도 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 평면도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당되며, 도 5는 다른 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당된다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 기판(SUB)은 실리콘 기판, 실리콘-게르마늄 기판, 게르마늄 기판 또는 단결정(Monocrystalline) 실리콘 기판에 성장된 단결정 에피택시얼 층(Epitaxial layer) 등의 반도체 기판일 수 있다. 기판(SUB)에는 제1 도전형 불순물(예컨대, P형의 불순물)이 도핑될 수 있다.
기판(SUB) 상에는 적층 구조체들(ST)이 배치될 수 있다. 적층 구조체들(ST)은 제1 방향(D1)으로 연장 형성된 채 제2 방향(D2)을 따라 2차원적으로 배치될 수 있다. 또한, 적층 구조체들(ST)은 제2 방향(D2)으로 서로 이격될 수 있다.
적층 구조체들(ST) 각각은 기판(SUB)의 상면에 수직한 수직 방향(예컨대 제3 방향(D3))으로 교대로 적층된 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3), 층간 절연막들(ILD)을 포함할 수 있다. 적층 구조체들(ST)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 즉, 적층 구조체들(ST)의 상면은 기판(SUB)의 상면과 평행할 수 있다. 이하, 수직 방향은 제3 방향(D3) 또는 제3 방향(D3)의 역방향을 의미한다.
다시 도 2를 참조하면, 각각의 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3)은 기판(SUB) 상에 차례로 적층된 소거 제어 라인(ECL), 접지 선택 라인들(GSL0, GSL1, GSL2), 워드 라인들(WL0-WLn, DWL), 제1 스트링 선택 라인들(SSL1-1, SSL1-2, SSL1-3) 및 제2 스트링 선택 라인들(SSL2-1, SSL2-2, SSL2-3) 중 하나일 수 있다.
게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 각각은 제1 방향(D1)으로 연장 형성된 채 실질적으로 동일한 제3 방향(D3)으로의 두께를 가질 수 있다. 이하에서, 두께는 제3 방향(D3)으로의 두께를 의미한다. 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 각각은, 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 각각은 도핑된 반도체(ex, 도핑된 실리콘 등), 금속(ex, W(텅스텐), Cu(구리), Al(알루미늄), Ti(티타늄), Ta(탄탈륨), Mo(몰리브덴), Ru(루테늄), Au(금) 등) 또는 도전성 금속질화물(ex, 질화티타늄, 질화탄탈늄 등) 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 각각은 설명된 금속 물질 이외에도 ALD로 형성 가능한 모든 금속 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3)은 최하부의 제1 게이트 전극(EL1), 최상부의 제3 게이트 전극(EL3) 및 제1 게이트 전극(EL1)과 제3 게이트 전극(EL3) 사이의 복수의 제2 게이트 전극들(EL2)을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(EL1) 및 제3 게이트 전극(EL3)은 각각 단수로 도시 및 설명되었으나, 이는 예시적인 것으로 이에 제한되지 않으며, 필요에 따라 제1 게이트 전극(EL1) 및 제3 게이트 전극(EL3)은 복수로 제공될 수도 있다. 제1 게이트 전극(EL1)은 도 2에 도시된 접지 선택 라인들(GSL0, GSL1, GLS2) 중 어느 하나에 해당될 수 있다. 제2 게이트 전극(EL2)은 도 2에 도시된 워드 라인들(WL0-WLn, DWL) 중 어느 하나에 해당될 수 있다. 제3 게이트 전극(EL3)은 도 2에 도시된 제1 스트링 선택 라인들(SSL1-1, SSL1-2, SSL1-3) 중 어느 하나 또는 제2 스트링 선택 라인들(SSL2-1, SSL2-2, SSL2-3) 중 어느 하나에 해당될 수 있다.
도시되지 않았으나, 적층 구조체들(ST) 각각의 단부는 제1 방향(D1)을 따라 계단 구조(Stepwise structure)를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 적층 구조체들(ST)의 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3)은 기판(SUB)으로부터 멀어질수록 제1 방향(D1)으로의 길이가 감소할 수 있다. 제3 게이트 전극(EL3)은 제1 방향(D1)으로의 길이가 가장 작을 수 있고, 기판(SUB)과 제3 방향(D3)으로 이격되는 거리가 가장 클 수 있다. 제1 게이트 전극(EL1)은 제1 방향(D1)으로의 길이가 가장 클 수 있고, 기판(SUB)과 제3 방향(D3)으로 이격되는 거리가 가장 작을 수 있다. 계단식 구조에 의해, 적층 구조체들(ST) 각각은 후술하는 수직 채널 구조체들(VS) 중 최외각의 것(Outer-most one)으로부터 멀어질수록 두께가 감소할 수 있고, 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3)의 측벽들은, 평면적 관점에서, 제1 방향(D1)을 따라 일정 간격으로 이격될 수 있다.
층간 절연막들(ILD) 각각은 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 일 예로, 층간 절연막들(ILD) 중 최하부의 것 및 최상부의 것은 다른 층간 절연막들(ILD)보다 작은 두께를 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 이에 제한되지 않으며, 층간 절연막들(ILD) 각각의 두께는 반도체 장치의 특성에 따라 서로 다른 두께를 갖거나, 모두 동일하게 설정될 수도 있다. 층간 절연막들(ILD)으로는 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 사이의 절연을 위해 절연 물질로 형성될 수 있다. 일 예로, 층간 절연막들(ILD)은 실리콘 산화물로 형성될 수 있다.
이상 적층 구조체들(ST) 각각에 층간 절연막들(ILD)이 포함되는 것으로 설명되었으나, 적층 구조체들(ST) 각각에는 층간 절연막들(ILD) 대신에 에어 갭들이 포함될 수 있다. 이러한 경우 에어 갭들은 층간 절연막들(ILD)과 마찬가지로 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3)과 교번하며 배치되어 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 사이의 절연을 가능하게 할 수 있다.
적층 구조체들(ST) 및 기판(SUB)의 일부를 관통하는 복수 개의 채널 홀들(CH)이 제공될 수 있다. 채널 홀들(CH) 내에는 수직 채널 구조체들(VS)이 제공될 수 있다. 수직 채널 구조체들(VS)은 도 2에 도시된 복수의 셀 스트링들(CSTR)로서, 기판(SUB)과 연결된 채 제3 방향(D3)으로 연장 형성될 수 있다. 수직 채널 구조체들(VS)이 기판(SUB)과 연결되는 것은, 수직 채널 구조체들(VS) 각각의 일부가 기판(SUB) 내부에 매립되어 이루어질 수 있으나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 수직 채널 구조체들(VS)의 하면이 기판(SUB)의 상면과 맞닿음으로써 이루어질 수도 있다. 수직 채널 구조체들(VS) 각각의 일부가 기판(SUB) 내부에 매립되는 경우, 수직 채널 구조체들(VS)의 하면은 기판(SUB)의 상면보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다.
적층 구조체들(ST) 중 어느 하나를 관통하는 수직 채널 구조체들(VS)의 열들은 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 2개의 수직 채널 구조체들(VS)의 열들이 적층 구조체들(ST) 중 하나를 관통할 수 있다. 그러나 이에 제한되거나 한정되지 않고, 3개 이상의 수직 채널 구조체들(VS)의 열들이 적층 구조체들(ST) 중 하나를 관통할 수 있다. 인접한 한 쌍의 열들에 있어서, 하나의 열에 해당하는 수직 채널 구조체들(VS)은 이에 인접한 다른 하나의 열에 해당하는 수직 채널 구조체들(VS)로부터 제1 방향(D1)으로 시프트(shift)될 수 있다. 평면적 관점에서, 수직 채널 구조체들(VS)은 제1 방향(D1)을 따라서 지그재그 형태로 배열될 수 있다. 그러나 이에 제한되거나 한정되지 않고, 수직 채널 구조체들(VS)은 로우(Row) 및 컬럼(Column)으로 나란히 배치되는 배열을 형성할 수도 있다.
수직 채널 구조체들(VS) 각각은 기판(SUB)으로부터 제3 방향(D3)으로 연장 형성될 수 있다. 도면에는 수직 채널 구조체들(VS) 각각이 상단과 하단의 너비가 동일한 기둥 형상을 갖는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 제3 방향(D3)으로 갈수록 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로의 폭이 증가되는 형상을 가질 수 있다. 이는, 채널 홀들(CH)이 식각될 때 제3 방향(D3)의 역방향으로 갈수록 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로의 폭이 감소되는 한계에 의한 것이다. 수직 채널 구조체들(VS) 각각의 상면은 원 형상, 타원 형상, 사각 형상 또는 바(Bar) 형상을 가질 수 있다.
수직 채널 구조체들(VS) 각각은 데이터 저장 패턴들(DSP), 수직 채널 패턴(VCP), 수직 반도체 패턴(VSP) 및 도전 패드(PAD)를 포함할 수 있다. 수직 채널 구조체들(VS) 각각에서 수직 채널 패턴(VCP)은 하단이 닫힌(Closed) 파이프 형태 또는 마카로니 형태를 가질 수 있다. 수직 반도체 패턴(VSP)은 수직 채널 패턴(VCP) 및 도전 패드(PAD)로 둘러싸인 공간을 채울 수 있다.
데이터 저장 패턴들(DSP)은 수직 채널 패턴(VCP)의 외측벽에 접촉하며 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3)에 대응하도록 이격되어 배치됨으로써 외측으로는 게이트 전극들(EL, EL2, EL3)의 측벽과 접촉할 수 있다. 이에, 데이터 저장 패턴들(DSP) 중 제2 게이트 전극들(EL2)에 대응하는 것들은 수직 채널 패턴(VCP) 중 제2 게이트 전극들(EL2)에 대응하는 영역들과 함께, 제2 게이트 전극들(EL2)을 통해 인가되는 전압에 의해 메모리 동작(프로그램 동작, 판독 동작 또는 소거 동작)이 수행되는 메모리 셀들을 구성할 수 있다. 메모리 셀들은 도 2에 도시된 메모리 셀 트랜지스터들(MCT)에 해당된다. 즉, 데이터 저장 패턴들(DSP) 각각은 제2 게이트 전극들(EL2)을 통해 인가되는 전압에 의한 전하 또는 홀을 트랩하거나, 전하들의 상태(예컨대, 전하들의 분극 상태)를 유지함으로써 3차원 플래시 메모리에서 데이터 저장소의 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 데이터 저장 패턴들(DSP)로는 ONO(터널 산화막(Oxide)-전하 저장막(Nitride)-블로킹 산화막(Oxide))의 전하 저장막이 사용되거나, 강유전체층이 사용될 수 있다. 이와 같은 데이터 저장 패턴들(DSP) 각각은 트랩된 전하 또는 홀의 변화로 이진 데이터 값 또는 다치화된 데이터 값을 나타내거나, 전하들의 상태 변화로 이진 데이터 값 또는 다치화된 데이터 값을 나타낼 수 있다.
수직 채널 패턴(VCP)은 데이터 저장 패턴들(DSP)의 내측벽에 접촉하며 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3)을 관통하며 수직 방향(예컨대, 제3 방향(D3))으로 연장 형성될 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)은 제1 부분(VCP1) 및 제1 부분(VCP1) 상의 제2 부분(VCP2)을 포함할 수 있다.
수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)은 채널 홀들(CH) 각각의 하부에 제공될 수 있고, 기판(SUB)과 접촉할 수 있다. 이러한 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)은 수직 채널 구조체들(VS) 각각에서의 누설 전류를 차단, 억제 또는 최소화하는 용도 및/또는 에피택시얼 패턴의 용도로 사용될 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)의 두께는, 예를 들어, 제1 게이트 전극(EL1)의 두께보다 클 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)의 측벽은 데이터 저장 패턴들(DSP)로 둘러싸일 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)의 상면은 제1 게이트 전극(EL1)의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)의 상면은 제1 게이트 전극(EL1)의 상면과 제2 게이트 전극들(EL2) 중 최하부의 것의 하면 사이에 위치할 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)의 하면은 기판(SUB)의 최상면(즉, 층간 절연막들(ILD) 중 최하부의 것의 하면)보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)의 일부는 제1 게이트 전극(EL1)과 수평 방향으로 중첩될 수 있다. 이하에서, 수평 방향은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 나란한 평면 상에서 연장되는 임의의 방향을 의미한다.
수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)은 제1 부분(VCP1)의 상면으로부터 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)은 데이터 저장 패턴들(DSP)과 수직 반도체 패턴(VSP) 사이에 제공될 수 있으며, 제2 게이트 전극들(EL2)에 대응될 수 있다. 이에, 수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)은 전술된 바와 같이 데이터 저장 패턴들(DSP)과 함께, 메모리 셀들을 구성할 수 있다.
수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)의 상면은 수직 반도체 패턴(VSP)의 상면과 실질적으로 공면을 이룰 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)의 상면은 제2 게이트 전극들(EL2) 중 최상부의 것의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)의 상면은 제3 게이트 전극(EL3)의 상면과 하면 사이에 위치할 수 있다.
수직 채널 패턴(VCP)은 데이터 저장 패턴들(DSP)로 전하 또는 홀을 전달하는 구성요소로서, 인가되는 전압에 의해 채널을 형성하거나 부스팅되도록 단결정질의 실리콘 또는 폴리 실리콘으로 형성될 수 있다. 그러나 이에 제한되거나 한정되지 않고 수직 채널 패턴(VCP)은 누설 전류를 차단, 억제 또는 최소화할 수 있는 산화물 반도체 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 수직 채널 패턴(VCP)은 누설 전류 특성이 우수한 In, Zn 또는 Ga 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 반도체 물질 또는 4족 반도체 물질 등으로 형성될 수 있다. 수직 채널 패턴(VCP)은, 예를 들어, AZO, ZTO, IZO, ITO, IGZO 또는 Ag-ZnO 등을 포함하는 ZnOx 계열의 물질로 형성될 수 있다. 따라서, 수직 채널 패턴(VCP)은 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 또는 기판(SUB)으로의 누설 전류를 차단, 억제 또는 최소화할 수 있고, 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 중 적어도 어느 하나의 트랜지스터 특성(예를 들어, 문턱 전압 산포 및 프로그램/판독 동작의 속도)을 개선할 수 있어, 결과적으로 3차원 플래시 메모리의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
수직 반도체 패턴(VSP)은 수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)으로 둘러싸일 수 있다. 수직 반도체 패턴(VSP)의 상면은 도전 패드(PAD)와 접촉할 수 있고, 수직 반도체 패턴(VSP)의 하면은 수직 채널 패턴(VCP)의 제1 부분(VCP1)과 접촉할 수 있다. 수직 반도체 패턴(VSP)은 기판(SUB)과 제3 방향(D3)으로 이격될 수 있다. 다시 말하면, 수직 반도체 패턴(VSP)은 기판(SUB)으로부터 전기적으로 플로팅될 수 있다.
수직 반도체 패턴(VSP)은 수직 채널 패턴(VCP)에서의 전하 또는 홀의 확산을 돕는 물질로 형성될 수 있다. 보다 상세하게, 수직 반도체 패턴(VSP)은 전하, 홀 이동도(Hole mobility)가 우수한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 수직 반도체 패턴(VSP)은 불순물이 도핑된 반도체 물질, 불순물이 도핑되지 않은 상태의 진성 반도체(Intrinsic semiconductor) 물질 또는 다결정(Polycrystalline) 반도체 물질로 형성될 수 있다. 보다 구체적인 예를 들면, 수직 반도체 패턴(VSP)은 기판(SUB)과 동일한 제1 도전형 불순물(예컨대, P형의 불순물)이 도핑된 폴리 실리콘으로 형성될 수 있다. 즉, 수직 반도체 패턴(VSP)은 3차원 플래시 메모리의 전기적 특성을 개선시켜 메모리 동작의 속도를 향상시킬 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 수직 채널 구조체들(VS)은 소거 제어 트랜지스터(ECT), 제1 및 제2 스트링 선택 트랜지스터들(SST1, SST2) 및 접지 선택 트랜지스터(GST) 및 메모리 셀 트랜지스터들(MCT)의 채널들에 해당할 수 있다.
수직 채널 패턴(VCP)의 제2 부분(VCP2)의 상면 및 수직 반도체 패턴(VSP)의 상면 상에 도전 패드(PAD)가 제공될 수 있다. 도전 패드(PAD)는 수직 채널 패턴(VCP)의 상부 및 수직 반도체 패턴(VSP)의 상부와 연결될 수 있다. 도전 패드(PAD)의 측벽은 데이터 저장 패턴들(DSP)로 둘러싸일 수 있다. 도전 패드(PAD)의 상면은 적층 구조체들(ST) 각각의 상면(즉, 층간 절연막들(ILD) 중 최상부의 것의 상면)과 실질적으로 공면을 이룰 수 있다. 도전 패드(PAD)의 하면은 제3 게이트 전극(EL3)의 상면보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 도전 패드(PAD)의 하면은 제3 게이트 전극(EL3)의 상면과 하면 사이에 위치할 수 있다. 즉, 도전 패드(PAD)의 적어도 일부는 제3 게이트 전극(EL3)과 수평 방향으로 중첩될 수 있다.
도전 패드(PAD)는 불순물이 도핑된 반도체 또는 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전 패드(PAD)는 수직 반도체 패턴(VSP)과 다른 불순물(보다 정확하게 제1 도전형(예컨대, P형)과 다른 제2 도전형(예컨대, N형)의 불순물)이 도핑된 반도체 물질로 형성될 수 있다.
도전 패드(PAD)는 후술하는 비트 라인(BL)과 수직 채널 패턴(VCP)(또는 수직 반도체 패턴(VSP)) 사이의 접촉 저항을 줄일 수 있다.
이상, 수직 채널 구조체들(VS)이 도전 패드(PAD)를 포함하는 구조인 것으로 설명되었으나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 도전 패드(PAD)를 생략한 구조를 가질 수도 있다. 이러한 경우, 수직 채널 구조체들(VS)에서 도전 패드(PAD)가 생략됨에 따라, 수직 채널 패턴(VCP) 및 수직 반도체 패턴(VSP) 각각의 상면이 적층 구조체들(ST) 각각의 상면(즉, 층간 절연막들(ILD) 중 최상부의 것의 상면)과 실질적으로 공면을 이루도록 수직 채널 패턴(VCP) 및 수직 반도체 패턴(VSP) 각각이 제3 방향(D3)으로 연장 형성될 수 있다. 또한, 이러한 경우, 후술되는 비트 라인 콘택 플러그(BLPG)는, 도전 패드(PAD)를 통해 수직 채널 패턴(VCP)과 간접적으로 전기적으로 연결되는 대신에, 수직 채널 패턴(VCP)과 직접적으로 접촉하며 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 이상 수직 채널 구조체들(VS)에 수직 반도체 패턴(VSP)이 포함되는 것으로 설명되었으나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 수직 반도체 패턴(VSP)이 생략될 수도 있다.
또한, 이상 수직 채널 패턴(VCP)가 제1 부분(VCP1) 및 제2 부분(VCP2)을 포함하는 구조인 것으로 설명되었으나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 제1 부분(VCP1)이 배제된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 수직 채널 패턴(VCP)은 기판(SUB)까지 연장 형성된 수직 반도체 패턴(VSP) 및 데이터 저장 패턴(DSP) 사이에 제공되며 기판(SUB)과 접촉하도록 기판(SUB)까지 연장 형성될 수 있다. 이러한 경우 수직 채널 패턴(VCP)의 하면은 기판(SUB)의 최상면(층간 절연막들(ILD) 중 최하부의 것의 하면)보다 낮은 레벨에 위치할 수 있으며, 수직 채널 패턴(VCP)의 상면은 수직 반도체 패턴(VSP)의 상면과 실질적으로 공면을 이룰 수 있다.
서로 인접한 적층 구조체들(ST) 사이에는 제1 방향(D1)으로 연장되는 분리 트렌치(TR)가 제공될 수 있다. 공통 소스 영역(CSR)은 분리 트렌치(TR)에 의해 노출되는 기판(SUB) 내부에 제공될 수 있다. 공통 소스 영역(CSR)은 기판(SUB) 내에서 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 공통 소스 영역(CSR)은, 제2 도전형의 불순물(예컨대, N형의 불순물)이 도핑된 반도체 물질로 형성될 수 있다. 공통 소스 영역(CSR)은 도 2의 공통 소스 라인(CSL)에 해당할 수 있다.
공통 소스 플러그(CSP)는 분리 트렌치(TR) 내에 제공될 수 있다. 공통 소스 플러그(CSP)는 공통 소스 영역(CSR)과 연결될 수 있다. 공통 소스 플러그(CSP)의 상면은 적층 구조체들(ST) 각각의 상면(즉, 층간 절연막들(ILD) 중 최상부의 것의 상면)과 실질적으로 공면을 이룰 수 있다. 공통 소스 플러그(CSP)는 제1 방향(D1) 및 제3 방향(D3)으로 연장되는 플레이트(Plate) 형상을 가질 수 있다. 이 때 공통 소스 플러그(CSP)는, 제3 방향(D3)으로 갈수록 제2 방향(D2)으로의 폭이 증가되는 형상을 가질 수 있다.
공통 소스 플러그(CSP)와 적층 구조체들(ST) 사이에는 절연 스페이서들(SP)이 개재될 수 있다. 절연 스페이서들(SP)은 서로 인접하는 적층 구조체들(ST) 사이에서 서로 대향하며 제공될 수 있다. 예를 들어 절연 스페이서들(SP)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 또는 낮은 유전 상수를 갖는 low-k 물질로 형성될 수 있다.
적층 구조체들(ST), 수직 채널 구조체들(VS) 및 공통 소스 플러그(CSP) 상에 캡핑 절연막(CAP)이 제공될 수 있다. 캡핑 절연막(CAP)은 층간 절연막들(ILD) 중 최상부의 것의 상면, 도전 패드(PAD)의 상면 및 공통 소스 플러그(CSP)의 상면을 덮을 수 있다. 캡핑 절연막(CAP)은, 층간 절연막들(ILD)과 다른 절연 물질로 형성될 수 있다. 캡핑 절연막(CAP) 내부에 도전 패드(PAD)와 전기적으로 연결되는 비트 라인 콘택 플러그(BLPG)가 제공될 수 있다. 비트 라인 콘택 플러그(BLPG)는, 제3 방향(D3)으로 갈수록 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로의 폭이 증가되는 형상을 가질 수 있다.
캡핑 절연막(CAP) 및 비트 라인 콘택 플러그(BLPG) 상에 비트 라인(BL)이 제공될 수 있다. 비트 라인(BL)은 도 2에 도시된 복수의 비트 라인들(BL0, BL1, BL2) 중 어느 하나에 해당되는 것으로, 제2 방향(D2)을 따라 도전성 물질로 연장 형성될 수 있다. 비트 라인(BL)을 구성하는 도전성 물질은 전술된 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3) 각각을 형성하는 도전성 물질과 동일한 물질일 수 있다.
비트 라인(BL)은 비트 라인 콘택 플러그(BLPG)를 통해 수직 채널 구조체들(VS)과 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서 비트 라인(BL)이 수직 채널 구조체들(VS)과 연결된다는 것은, 수직 채널 구조체들(VS)에 포함되는 수직 채널 패턴(VCP)과 연결되는 것을 의미할 수 있다.
이와 같은 구조의 3차원 플래시 메모리는, 셀 스트링들(CSTR) 각각에 인가되는 전압, 스트링 선택 라인(SSL)에 인가되는 전압, 워드 라인들(WL0-WLn) 각각에 인가되는 전압, 접지 선택 라인(GSL)에 인가되는 전압 및 공통 소스 라인(CSL)에 인가되는 전압을 기초로, 프로그램 동작, 판독 동작 및 소거 동작을 수행할 수 있다. 예컨대, 3차원 플래시 메모리는, 셀 스트링들(CSTR) 각각에 인가되는 전압, 스트링 선택 라인(SSL)에 인가되는 전압, 워드 라인들(WL0-WLn) 각각에 인가되는 전압, 접지 선택 라인(GSL)에 인가되는 전압 및 공통 소스 라인(CSL)에 인가되는 전압을 기초로, 수직 채널 패턴(VCP)에 채널을 형성하여 전하 또는 홀을 대상 메모리 셀의 데이터 저장 패턴(DSP)으로 전달함으로써 프로그램 동작을 수행할 수 있다.
또한, 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리는 설명된 구조로 제한되거나 한정되지 않고, 구현 예시에 따라 수직 채널 패턴(VCP), 데이터 저장 패턴(DSP), 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3), 비트 라인(BL), 공통 소스 라인(CSL)을 포함하는 것을 전제로 다양한 구조로 구현될 수 있다.
이와 같이 독립된 데이터 저장 패턴(DSP) 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리에서, 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리는, 제2 게이트 전극들(EL2)을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 보다 정확하게는, 제2 게이트 전극들(EL2) 각각에서 데이터 저장 패턴들(DSP) 각각과 맞닿는 부분의 모서리는 보이드가 형성되지 않는 구조를 가질 수 있다.
이하, 제2 게이트 전극들(EL2)을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드가 형성되지 않는 구조라는 것은, 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리에 포함되는 스텝 부분(410) 또는 경사면(510)을 의미한다.
예를 들어, 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리는 도 4에 도시된 바와 같이 스텝 부분(410)을 포함함으로써, 제2 게이트 전극들(EL2)을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않을 수 있다.
다른 예를 들면, 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리는 도 5에 도시된 바와 같이 경사면(510)을 포함함으로써, 제2 게이트 전극들(EL2)을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않을 수 있다.
이처럼 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리가 보이드가 형성되지 않는 구조(스텝 부분(410) 또는 경사면(510))를 갖는 것은, 제2 게이트 전극들(EL2)을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 공간들을 확보하기 위한 희생층들(SAC) 각각이 3중 구조를 가짐에 따라 달성될 수 있다.
여기서, 희생층들(SAC) 각각이 갖는 3중 구조는, 희생층들(SAC) 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층(T), 중간층(M) 및 하부층(B)으로 구성되는 구조를 의미한다. 이 때, 희생층들(SAC) 각각에서 상부층(T) 및 하부층(B) 각각의 식각비는 중간층(M)의 식각비보다 큰 값을 가질 수 있다. 이는, 상부층(T) 및 하부층(B) 각각이 중간층(M)을 구성하는 물질과 동일한 물질에 중간층(M)의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖게 하는 처리가 수행되어 형성됨으로써, 이루어질 수 있다.
이와 같이 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리가 보이드가 형성되지 않는 구조를 갖는 것과 관련된 상세한 설명은 아래 제조 방법을 설명하는 과정에서 보다 상세히 기재하기로 한다.
이상, 수직 반도체 패턴(VSP)이 포함되는 구조의 3차원 플래시 메모리가 설명되었으나, 3차원 플래시 메모리는 수직 반도체 패턴(VSP)을 생략한 채 백 게이트(BG)를 포함하는 구조를 가질 수 있다.
이와 관련하여 또 다른 실시시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 구조를 도시한 단면도로, 도 3을 A-A'선으로 자른 단면에 해당되는 도 6a 및 6b을 참조하면, 수직 채널 구조체들(VS) 각각에 더 포함되는 백 게이트(BG)는, 수직 채널 패턴(VCP)의 내부 공간을 채우며 수직 방향(예컨대, 제3 방향(D3))으로 연장 형성될 수 있다. 이하, 백 게이트(BG)가 수직 채널 패턴(VCP)의 내부 공간을 채운다는 것은, 백 게이트(BG)가 수직 채널 패턴(VCP)에 의해 적어도 일부분이 감싸진 상태로 수직 채널 패턴(VCP) 내에 포함되는 것을 의미한다.
백 게이트(BG)는 수직 채널 패턴(VCP)에 의해 적어도 일부분이 감싸진 채 맞닿으며 메모리 동작을 위한 수직 채널 패턴(VCP)로 전압을 인가하도록 형성될 수 있다. 이를 위해, 백 게이트(BG)는 도핑된 반도체(ex, 도핑된 실리콘 등), 금속(ex, W(텅스텐), Cu(구리), Al(알루미늄), Ti(티타늄), Ta(탄탈륨), Mo(몰리브덴), Ru(루테늄), Au(금) 등) 또는 도전성 금속질화물(ex, 질화티타늄, 질화탄탈늄 등) 등에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 도전성 물질로 형성될 수 있다. 백 게이트(BG)는 설명된 금속 물질 이외에도 ALD로 형성 가능한 모든 금속 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
이 때, 백 게이트(BG)는 제1 게이트 전극(EL1)에 대응하는 레벨부터 수직 채널 패턴(VCP) 내에서 제2 게이트 전극(EL2)에 대응하는 레벨까지 제3 방향(D3)을 따라 연장 형성될 수 있다. 즉, 백 게이트(BG)의 상면은 제2 게이트 전극들(EL2) 중 최상부의 것의 상면보다 높은 레벨에 위치할 수 있다. 그러나 이에 제한되거나 한정되지 않고, 백 게이트(BG)는 수직 채널 패턴(VCP) 내에서 제3 게이트 전극(EL3)에 대응하는 레벨까지 제3 방향(D3)을 따라 연장 형성될 수도 있다.
도면에는 백 게이트(BG)의 하부와 접촉하는 하부 기판이 생략되었지만, 구현 예시에 따라 백 게이트(BG)의 하면과 접촉하는 하부 기판이 포함될 수 있다. 또한, 구현 예시에 따라, 백 게이트(BG)가 기판(SUB) 내부로부터 형성되거나, 기판(SUB)의 상부로부터 형성될 수도 있다.
이와 같은 백 게이트(BG)는 셀 스트링들(CSTR) 각각의 수직 채널 패턴(VCP) 내에 포함되는 것으로, 셀 스트링들(CSTR) 각각의 수직 채널 패턴(VCP) 내에 포함되는 백 게이트(BG)는 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)가 형성하는 평면상에서 모두 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 백 게이트(BG)는 셀 스트링들(CSTR)에 공통적으로 연결될 수 있다. 이러한 경우, 셀 스트링들(CSTR) 각각의 백 게이트(BG)는 일괄적으로 제어되어 모두 동일한 전압이 인가될 수 있다.
그러나 이에 제한되거나 한정되지 않고, 셀 스트링들(CSTR) 각각의 수직 채널 패턴(VCP) 내에 포함되는 백 게이트(BG)는 도 2의 제1 방향(D1)를 따라 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 경우, 제2 방향(D2)을 따라 배열된 셀 스트링들(CSTR) 각각의 백 게이트(BG)는 각각이 전기적으로 독립적으로 제어됨으로써 서로 다른 전압이 인가될 수 있으며, 도 2의 제1 방향(D1)을 따라 배열된 셀 스트링들(CSTR) 각각의 백 게이트(BG)는 일괄적으로 제어됨으로써 동일한 전압이 인가될 수 있다.
또한, 셀 스트링들(CSTR) 각각의 수직 채널 패턴(VCP) 내에 포함되는 백 게이트(BG)는 도 2의 제2 방향(D2)를 따라 서로 전기적으로 연결될 수도 있다. 이러한 경우, 제1 방향(D1)을 따라 배열된 셀 스트링들(CSTR) 각각의 백 게이트(BG)는 각각이 전기적으로 독립적으로 제어됨으로써 서로 다른 전압이 인가될 수 있으며, 도 2의 제2 방향(D2)을 따라 배열된 셀 스트링들(CSTR) 각각의 백 게이트(BG)는 일괄적으로 제어됨으로써 동일한 전압이 인가될 수 있다.
백 게이트(BG)와 수직 채널 패턴(VCP) 사이에는 절연막(INS)이 배치됨으로써, 백 게이트(BG)가 수직 채널 패턴(VCP)과 직접적으로 맞닿는 것을 방지할 수 있다. 절연막(ILD)은 층간 절연막들(ILD)과 마찬가지로 실리콘 산화물과 같은 절연 물질로 형성될 수 있다.
이상, 백 게이트(BG)가 수직 채널 패턴(VCP)의 내부 공간에 형성되어 수직 채널 패턴(VCP)에 의해 빈틈없이 둘러싸인 채 형성되는 구조인 것으로 설명되었으나, 이에 제한되거나 한정되지 않고 수직 채널 패턴(VCP)에 의해 적어도 일부분만이 감싸지는 구조로 형성될 수도 있다. 예컨대, 백 게이트(BG) 및 절연막(INS)이 수직 채널 패턴(VCP)의 적어도 일부분에 포함되는 구조 또는 수직 채널 패턴(VCP)을 관통하는 구조가 구현될 수 있다.
이와 같은 구조의 3차원 플래시 메모리는, 셀 스트링들(CSTR) 각각에 인가되는 전압, 스트링 선택 라인(SSL)에 인가되는 전압, 워드 라인들(WL0-WLn) 각각에 인가되는 전압, 접지 선택 라인(GSL)에 인가되는 전압, 공통 소스 라인(CSL)에 인가되는 전압 및 백 게이트(BG)에 인가되는 전압을 기초로, 프로그램 동작, 판독 동작 및 소거 동작을 수행할 수 있다. 예컨대, 3차원 플래시 메모리는, 셀 스트링들(CSTR) 각각에 인가되는 전압, 스트링 선택 라인(SSL)에 인가되는 전압, 워드 라인들(WL0-WLn) 각각에 인가되는 전압, 접지 선택 라인(GSL)에 인가되는 전압, 공통 소스 라인(CSL)에 인가되는 전압 및 백 게이트(BG)에 인가되는 전압을 기초로, 수직 채널 패턴(VCP)에 채널을 형성하여 전하 또는 홀을 대상 메모리 셀의 데이터 저장 패턴(DSP)으로 전달함으로써 프로그램 동작을 수행할 수 있다.
또한, 다른 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리는 설명된 구조로 제한되거나 한정되지 않고, 구현 예시에 따라 수직 채널 패턴(VCP), 데이터 저장 패턴(DSP), 백 게이트(BG), 게이트 전극들(EL1, EL2, EL3), 비트 라인(BL), 공통 소스 라인(CSL)을 포함하는 것을 전제로 다양한 구조로 구현될 수 있다.
이와 같이 백 게이트(BG)를 포함하는 구조의 3차원 플래시 메모리에서도, 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리는, 제2 게이트 전극들(EL2)을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 보다 정확하게는, 제2 게이트 전극들(EL2) 각각에서 데이터 저장 패턴들(DSP) 각각과 맞닿는 부분의 모서리는 보이드가 형성되지 않는 구조를 가질 수 있다.
이와 같이 제2 게이트 전극들(EL2) 각각의 모서리가 보이드가 형성되지 않는 구조를 갖는 것과 관련된 상세한 설명은 아래 제조 방법을 설명하는 과정에서 보다 상세히 기재하기로 한다.
도 7은 일 실시예에 따른 3차원 플래시 메모리의 제조 방법을 도시한 플로우 차트이고, 도 8a 내지 8h는 도 7에 도시된 3차원 플래시 메모리의 제조 방법을 설명하기 위해 3차원 플래시 메모리를 도시한 단면도이다. 이하, 설명되는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법은 도 3 내지 5를 참조하여 설명된 3차원 플래시 메모리를 제조하기 위한 것으로서 자동화 및 기계화된 제조 시스템에 의해 수행됨을 전제로 한다.
도 7을 참조하면, 단계(S710)에서 제조 시스템은, 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 희생층들(SAC)을 포함하는 반도체 구조체(SEMI-STR)를 준비할 수 있다.
예를 들어, 제조 시스템은 도 8a에 도시된 바와 같이 기판(SUB) 상에서 수평 방향(예컨대 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2))으로 연장 형성된 채 수직 방향(예컨대 제3 방향(D3))을 따라 교대로 적층된 층간 절연막들(ILD) 및 희생층들(SAC)을 포함하는 반도체 구조체(SEMI-STR)을 준비할 수 있다.
이 때, 희생층들(SAC) 각각은 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층(T), 중간층(M) 및 하부층(B)으로 구성되는 3중 구조를 갖는다. 보다 상세하게, 희생들(SAC) 각각에서 상부층(T) 및 하부층(B) 각각의 식각비는 중간층(M)의 식각비보다 큰 값을 가질 수 있다.
이를 위해, 제조 시스템은 상부층(T) 및 하부층(B) 각각을 중간층(M)을 구성하는 물질과 동일한 물질로 형성한 뒤, 상부층(T) 및 하부층(B) 각각이 중간층(M)의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖도록 하는 처리를 상부층(T) 및 하부층(B) 각각에 수행할 수 있다. 예를 들어, 제조 시스템은 도 8b에 도시된 바와 같이 상부층(T), 하부층(B) 및 중간층(M)의 구분이 없이 Si3N4로 형성되는 희생층들(SAC)을 포함하는 반도체 구조체(SEMI-STR)를 준비한 뒤, 희생층들(SAC) 각각에서 상부층(T) 및 하부층(B)이 형성될 영역에 질소 함유량을 높게 하는 처리를 수행함으로써 도 8a에 도시된 바와 같이 희생층들(SAC) 각각에서 상부층(T) 및 하부층(B)을 Si3N4로 형성되는 중간층(M)의 식각비보다 큰 식각비를 갖도록 Si3N5로 또는 Si3N6로 형성할 수 있다. 이에, 전술된 3중 구조를 갖는 희생층들(SAC)을 포함하는 반도체 구조체(SEMI-STR)이 준비될 수 있다.
이어서, 단계(S720)에서 제조 시스템은, 도 8c에 도시된 바와 같이 희생층들(SAC)을 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들(CH)을 반도체 구조체(SEMI-STR)에 형성할 수 있다. 채널 홀들(CH)을 형성하는 단계(S720)에서는 다양한 식각 방식이 활용될 수 있다.
그 다음, 단계(S730)에서 제조 시스템은, 도 8d에 도시된 바와 같이 채널 홀들(CH)을 통해 희생층들(SAC) 각각의 일부 영역을 식각할 수 있다. 단계(S730)에서는 다양한 식각 방식이 활용될 수 있다.
이 때, 희생층들(SAC) 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층(T), 중간층(M) 및 하부층(B)을 포함하는 3중 구조를 갖기 때문에, 상부층(T), 중간층(M) 및 하부층(B)은 단계(S730)에서 식각되는 정도가 다르게 된다. 예컨대, 상부층(T) 및 하부층(B)이 중간층(M)의 식각비보다 큰 식각비를 갖기 때문에, 희생층들(SAC) 각각에서 상부층(T) 및 하부층(B)이 중간층(M)보다 더 식각될 수 있다.
따라서, 단계(S730)에서 제조 시스템은, 희생층들(SAC) 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층(T), 중간층(M) 및 하부층(B)으로 구성되는 3중 구조를 가짐에 따라, 제1 공간들(810) 각각의 모서리가 스텝 부분(811)을 포함하도록 희생층들(SAC) 각각의 일부 영역을 식각할 수 있다.
그 다음, 단계(S740)에서 제조 시스템은, 도 8e에 도시된 바와 같이 희생층들(SAC) 각각의 일부 영역이 식각된 제1 공간들(810)에 데이터 저장 패턴들(DSP)을 형성할 수 있다.
이 때, 제조 시스템은 데이터 저장 패턴들(DSP)이 서로 독립된 구조를 갖도록 데이터 저장 패턴들(DSP)을 형성할 수 있다. 데이터 저장 패턴들(DSP)이 서로 독립된 구조를 갖는다는 것은, 데이터 저장 패턴들(DSP)이 서로 이격되며 분절되어 각각에 저장된 전하가 서로 영향을 미치지 못하는 구조를 갖는 것을 의미한다.
그 다음, 단계(S750)에서 제조 시스템은, 도 8f에 도시된 바와 같이 채널 홀들(CH)에 수직 채널 패턴(VCP)을 수직 방향으로 연장 형성할 수 있다. 단계(S750)는 제조 시스템이 수직 채널 패턴(VSP)을 형성하는 것에 제한되거나 한정되지 않고, 전술된 수직 채널 구조체들(VS)에 포함되는 구성요소들(예컨대, 수직 반도체 패턴(VSP), 캡핑 절연막(CAP) 등)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
그 다음, 단계(S760)에서 제조 시스템은, 도 8g에 도시된 바와 같이 희생층들(SAC) 각각의 나머지 영역을 제거할 수 있다. 이 때, 희생층들(SAC) 각각의 나머지 영역이 제거되는 것은, 도면에 도시되지 않은 분리 트렌치(TR)를 통해 이루어질 수 있다.
전술된 단계(S730)에서 확보된 제1 공간들(810) 각각의 모서리가 스텝 부분(811)을 포함함에 따라, 단계(S760)에서 제조 시스템은 스텝 부분(821)을 포함하는 모서리를 각각 갖는 제2 공간들(820)을 확보할 수 있다.
그 후, 단계(S770)에서 제조 시스템은, 도 8h에 도시된 바와 같이 희생층들(SAC) 각각의 나머지 영역이 제거된 제2 공간들(820)에 워드 라인들(WL0-WLn)(830)을 형성할 수 있다.
보다 상세하게, 단계(S770)에서 제조 시스템은, 제2 공간들(820)이 스텝 부분(821)을 포함함에 따라, 제2 공간들(820)에 보이드가 형성되지 않도록 도전성 물질을 채워 넣어 워드 라인들(WL0-WLn)(830)을 형성할 수 있다.
이상 워드 라인들(WL0-WLn)(830) 각각에서 데이터 저장 패턴들(DSP) 각각과 맞닿는 부분의 모서리가 스텝 부분(831)을 포함하는 구조의 3차원 플래시 메모리의 제조 방법이 설명되었으나, 워드 라인들(WL0-WLn)(830) 각각에서 데이터 저장 패턴들(DSP) 각각과 맞닿는 부분의 모서리가 경사면(832)을 포함하는 구조의 3차원 플래시 메모리 역시 설명된 단계들(S710 내지 S770)에 기반하여 제조될 수 있다. 다만, 경사면을 갖는 구조의 3차원 플래시 메모리는 추가적인 단계들을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 제조 시스템은 단계(S760)에서 도 8i에 도시된 바와 같이 추가적으로 제2 공간들(820) 각각의 모서리에 포함되는 스텝 부분(821)을 식각하여 경사면(822)을 형성함에 따라, 단계(S770)에서 도 8j에 도시된 바와 같이 경사면(822)을 포함하는 모서리를 각각 갖는 제2 공간들(820)에 보이드가 형성되지 않도록 도전성 물질을 채워 넣어 워드 라인들(WL0-WLn)(830)을 형성할 수 있다. 이에, 워드 라인들(WL0-WLn)(830) 각각에서 데이터 저장 패턴들(DSP) 각각과 맞닿는 부분의 모서리는 경사면(832)을 포함할 수 있다.
이상 도면들을 통해 백 게이트(BG)를 포함하지 않는 구조의 3차원 플래시 메모리의 제조 방법이 설명되었으나, 백 게이트(BG)를 포함하는 구조의 3차원 플래시 메모리 역시 설명된 단계들(S710 내지 S770)에 기반하여 제조될 수 있다. 이러한 경우, 백 게이트(BG)는 수직 채널 패턴(VCP)이 연장 형성되는 단계(S750)에서 수직 채널 패턴(VCP)의 내부 공간에 도전성 물질이 충진됨으로써 수직 방향으로 연장 형성될 수 있다.
도 9는 실시예들에 따른 3차원 플래시 메모리를 포함하는 전자 시스템을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 9를 참조하면, 실시예들에 따른 3차원 플래시 메모리를 포함하는 전자 시스템(900)은 메인 기판(901)과, 메인 기판(901)에 실장되는 컨트롤러(902), 하나 이상의 반도체 패키지(903) 및 DRAM(904)을 포함할 수 있다.
반도체 패키지(903) 및 DRAM(904)은 메인 기판(901)에 제공되는 배선 패턴들(905)에 의해 컨트롤러(902)와 서로 연결될 수 있다.
메인 기판(901)은 외부 호스트와 결합되는 복수의 핀들을 포함하는 커넥터(906)를 포함할 수 있다. 커넥터(906)에서 복수의 핀들의 개수와 배치는, 전자 시스템(900)과 외부 호스트 사이의 통신 인터페이스에 따라 달라질 수 있다.
전자 시스템(900)은, 예를 들어, USB(Universal Serial Bus), PCIExpress(Peripheral Component Interconnect Express), SATA(Serial Advanced Technology Attachment), UFS(Universal Flash Storage)용 M-Phy 등의 인터페이스들 중 어느 하나에 따라 외부 호스트와 통신할 수 있다. 전자 시스템(900)은 예를 들어, 커넥터(906)를 통해 외부 호스트로부터 공급받는 전원에 의해 동작할 수 있다. 전자 시스템(900)은 외부 호스트로부터 공급받는 전원을 컨트롤러(902) 및 반도체 패키지(903)에 분배하는 PMIC(Power Management Integrated Circuit)를 더 포함할 수도 있다.
컨트롤러(902)는 반도체 패키지(903)에 데이터를 기록하거나, 반도체 패키지(903)로부터 데이터를 읽어올 수 있으며, 전자 시스템(900)의 동작 속도를 개선할 수 있다.
DRAM(904)은 데이터 저장 공간인 반도체 패키지(903)와 외부 호스트의 속도 차이를 완화하기 위한 버퍼 메모리일 수 있다. 전자 시스템(900)에 포함되는 DRAM(904)은 일종의 캐시 메모리로도 동작할 수 있으며, 반도체 패키지(903)에 대한 제어 동작에서 임시로 데이터를 저장하기 위한 공간을 제공할 수도 있다. 전자 시스템(900)에 DRAM(904)이 포함되는 경우, 컨트롤러(902)는 반도체 패키지(903)를 제어하기 위한 NAND 컨트롤러 외에 DRAM(904)을 제어하기 위한 DRAM 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.
반도체 패키지(903)는 서로 이격된 제1 및 제2 반도체 패키지들(903a, 903b)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 반도체 패키지들(903a, 903b)은 각각 복수의 반도체 칩들(920)을 포함하는 반도체 패키지일 수 있다. 제1 및 제2 반도체 패키지들(903a, 903b) 각각은, 패키지 기판(910), 패키지 기판(910) 상의 반도체 칩들(920), 반도체 칩들(920) 각각의 하부면에 배치되는 접착층들(930), 반도체 칩들(920)과 패키지 기판(910)을 전기적으로 연결하는 연결 구조체들(940) 및 패키지 기판(910) 상에서 반도체 칩들(920) 및 연결 구조체들(940)을 덮는 몰딩층(950)을 포함할 수 있다.
패키지 기판(1110)은 패키지 상부 패드들(911)을 포함하는 인쇄회로 기판일 수 있다. 각각의 반도체 칩들(920)은 입출력 패드들(921)을 포함할 수 있다. 반도체 칩들(920) 각각은 도 3 내지 6을 참조하여 전술된 3차원 플래시 메모리를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 반도체 칩들(920) 각각은 게이트 적층 구조체들(922) 및 메모리 채널 구조체들(923)을 포함할 수 있다. 게이트 적층 구조체들(922)은 상술한 적층 구조체들(ST)에 해당할 수 있고, 메모리 채널 구조체들(923)은 상술한 수직 채널 구조체들(VS)에 해당할 수 있다.
연결 구조체들(940)은 예를 들어, 입출력 패드들(921)과 패키지 상부 패드들(911)을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어들일 수 있다. 따라서, 각각의 제1 및 제2 반도체 패키지들(903a, 903b)에서, 반도체 칩들(920)은 본딩 와이어 방식으로 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 패키지 기판(910)의 패키지 상부 패드들(911)과 전기적으로 연결될 수 있다. 실시예들에 따라, 각각의 제1 및 제2 반도체 패키지들(903a, 903b)에서, 반도체 칩들(920)은 본딩 와이어 방식의 연결 구조체들(940) 대신에, 관통 전극(Through Silicon Via)에 의하여 서로 전기적으로 연결될 수도 있다.
도시된 바와 달리, 컨트롤러(902)와 반도체 칩들(920)은 하나의 패키지에 포함될 수도 있다. 메인 기판(901)과 다른 별도의 인터포저 기판에 컨트롤러(902)와 반도체 칩들(920)이 실장되고, 인터포저 기판에 제공되는 배선에 의해 컨트롤러(902)와 반도체 칩들(920)이 서로 연결될 수도 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Claims (14)
- 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리에 있어서,
수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 워드 라인들; 및
상기 워드 라인들을 관통하며 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 구조체들-상기 수직 채널 구조체들 각각은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 수직 채널 패턴 및 상기 수직 채널 패턴의 외측벽에 접촉하며 상기 워드 라인들에 대응하도록 이격되어 배치되는 데이터 저장 패턴들을 포함함-
을 포함하고,
상기 워드 라인들 각각의 모서리는,
상기 워드 라인들을 구성하는 도전성 물질이 채워지는 과정에서 보이드(Void)가 형성되지 않도록 상기 도전성 물질이 채워지는 공간들을 확보하기 위한 희생층들 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층, 중간층 및 하부층으로 구성되는 3중 구조를 가짐에 따라, 상기 보이드가 형성되지 않는 구조를 가지며,
상기 상부층 및 상기 하부층 각각은,
상기 중간층을 구성하는 물질과 동일한 물질로 형성되는 가운데 상기 중간층의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖게 하는 처리가 수행되어 형성됨으로써, 상기 중간층의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖는 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리. - 제1항에 있어서,
상기 워드 라인들 각각의 모서리는,
경사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리. - 제1항에 있어서,
상기 워드 라인들 각각의 모서리는,
스텝 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 수직 채널 구조체들 각각은,
상기 수직 채널 패턴의 내부 공간을 채우며 연장 형성되는 백 게이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리. - 수평 방향으로 연장 형성되며 수직 방향으로 이격된 희생층들-상기 희생층들 각각은 워드 라인들을 형성하는 단계에서 보이드(Void)가 형성되지 않도록 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층, 중간층 및 하부층으로 구성되는 3중 구조를 가짐-을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계;
상기 희생층들을 상기 수직 방향으로 관통하는 채널 홀들을 상기 반도체 구조체에 형성하는 단계;
상기 채널 홀들을 통해 상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계;
상기 희생층들 각각의 일부 영역이 식각된 제1 공간들에 데이터 저장 패턴들을 형성하는 단계;
상기 채널 홀들에 수직 채널 패턴을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계;
상기 희생층들 각각의 나머지 영역을 제거하는 단계; 및
상기 희생층들 각각의 나머지 영역이 제거된 제2 공간들에 상기 워드 라인들을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계는,
상기 희생층들 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층, 중간층 및 하부층으로 구성되는 3중 구조를 가짐에 따라, 상기 제1 공간들 각각의 모서리가 상기 보이드가 형성되지 않는 구조를 갖도록 상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계이며,
상기 반도체 구조체를 준비하는 단계는,
상기 상부층 및 상기 하부층 각각을 상기 중간층을 구성하는 물질과 동일한 물질로 형성하는 단계; 및
상기 상부층 및 상기 하부층 각각이 상기 중간층의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖도록 하는 처리를 상기 상부층 및 상기 하부층 각각에 수행함으로써, 상기 상부층 및 상기 하부층 각각이 상기 중간층의 식각비보다 큰 값의 식각비를 갖도록 하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계는,
상기 희생층들 각각이 서로 상이한 식각비를 갖는 상부층, 중간층 및 하부층으로 구성되는 3중 구조를 가짐에 따라, 상기 제1 공간들 각각의 모서리가 스텝 부분을 포함하도록 상기 희생층들 각각의 일부 영역을 식각하는 단계인 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 희생층들 각각의 나머지 영역을 제거하는 단계는,
상기 제1 공간들 각각의 모서리가 스텝 부분을 포함함에 따라, 상기 스텝 부분을 포함하는 모서리를 각각 갖는 상기 제2 공간들을 확보하는 단계
를 포함하고,
상기 워드 라인들을 형성하는 단계는,
상기 제2 공간들 각각의 모서리가 상기 스텝 부분을 포함함에 따라, 상기 제2 공간들에 상기 보이드가 형성되지 않도록 도전성 물질을 채워 넣는 단계인 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법. - 제10항에 있어서,
상기 희생층들 각각의 나머지 영역을 제거하는 단계는,
상기 제2 공간들 각각의 모서리에 포함되는 상기 스텝 부분을 식각하여 경사면을 형성하는 단계
를 더 포함하고,
상기 워드 라인들을 형성하는 단계는,
상기 제2 공간들 각각의 모서리가 상기 경사면을 포함함에 따라, 상기 제2 공간들에 상기 보이드가 형성되지 않도록 상기 도전성 물질을 채워 넣는 단계인 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 데이터 저장 패턴들을 형성하는 단계는,
상기 데이터 저장 패턴들이 서로 독립된 구조를 갖도록 상기 데이터 저장 패턴들을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법. - 제8항에 있어서,
상기 수직 채널 패턴을 패턴을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계는,
상기 수직 채널 패턴의 내부 공간에 상기 수직 방향으로 백 게이트를 연장 형성하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법. - 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210135415A KR102633697B1 (ko) | 2021-10-13 | 2021-10-13 | 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210135415A KR102633697B1 (ko) | 2021-10-13 | 2021-10-13 | 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230052392A KR20230052392A (ko) | 2023-04-20 |
| KR102633697B1 true KR102633697B1 (ko) | 2024-02-05 |
Family
ID=86143573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210135415A KR102633697B1 (ko) | 2021-10-13 | 2021-10-13 | 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102633697B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190348423A1 (en) | 2017-12-27 | 2019-11-14 | Micron Technology, Inc. | Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays |
| US20210118892A1 (en) | 2017-12-27 | 2021-04-22 | Micron Technology, Inc. | Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101773044B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2017-09-01 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법과, 이를 포함하는 메모리 모듈 및 시스템 |
| WO2016093947A1 (en) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory structure having a back gate electrode |
| KR102476135B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2022-12-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
-
2021
- 2021-10-13 KR KR1020210135415A patent/KR102633697B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190348423A1 (en) | 2017-12-27 | 2019-11-14 | Micron Technology, Inc. | Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays |
| US20210118892A1 (en) | 2017-12-27 | 2021-04-22 | Micron Technology, Inc. | Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230052392A (ko) | 2023-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8923057B2 (en) | Three-dimensional semiconductor memory device with active patterns and electrodes arranged above a substrate | |
| US11812609B2 (en) | Three-dimensional semiconductor device having a first main separation structure and a second main separation structure on a lower structure | |
| KR20200055302A (ko) | 필드 소거 방식을 지원하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 | |
| US11882705B2 (en) | Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same | |
| US20230080436A1 (en) | Semiconductor device and electronic system including same | |
| KR102633697B1 (ko) | 독립된 데이터 저장 패턴 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 | |
| KR102635478B1 (ko) | 게이트 퍼스트 공정을 통해 제조되는 3차원 플래시 메모리 | |
| KR102627215B1 (ko) | 연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 | |
| KR102597549B1 (ko) | 3차원 플래시 메모리의 판독 동작 방법 | |
| KR102603208B1 (ko) | 3차원 플래시 메모리의 개선된 프로그램 동작 방법 | |
| KR102544004B1 (ko) | 연결부를 포함하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 | |
| KR102666995B1 (ko) | 워드 라인 분리 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 | |
| KR102624193B1 (ko) | 3차원 플래시 메모리의 개선된 프로그램 동작 방법 | |
| KR102633429B1 (ko) | 메모리 윈도우를 확장시킨 3차원 플래시 메모리 | |
| KR102649118B1 (ko) | 강유전체 기반 고속 동작을 위한 3차원 플래시 메모리 | |
| KR102626837B1 (ko) | 3차원 반도체 메모리 장치, 이의 동작 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템 | |
| KR102624196B1 (ko) | 3차원 저항 변화 메모리 | |
| KR20230062919A (ko) | 집적화를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 | |
| KR102373847B1 (ko) | 복합 채널 물질 기반 3차원 플래시 메모리 | |
| KR102396928B1 (ko) | 산화물 반도체 채널 물질 기반 3차원 플래시 메모리 | |
| KR20230086382A (ko) | 워드 라인 분리 구조를 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법 | |
| US20240196624A1 (en) | Method of manufacturing ferroelectric-based 3-dimensional flash memory | |
| US20230269941A1 (en) | Semiconductor devices and data storage systems including the same | |
| KR20230033971A (ko) | 다치화를 구현하는 3차원 플래시 메모리 | |
| KR20230143285A (ko) | 스택 공정 기반의 3차원 플래시 메모리의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |