KR102629669B1 - 흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법 - Google Patents

흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102629669B1
KR102629669B1 KR1020207016420A KR20207016420A KR102629669B1 KR 102629669 B1 KR102629669 B1 KR 102629669B1 KR 1020207016420 A KR1020207016420 A KR 1020207016420A KR 20207016420 A KR20207016420 A KR 20207016420A KR 102629669 B1 KR102629669 B1 KR 102629669B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
powder
mass
shielding film
magnesium
forming
Prior art date
Application number
KR1020207016420A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200100630A (ko
Inventor
다카시 고니시
겐스케 가게야마
Original Assignee
미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤
Publication of KR20200100630A publication Critical patent/KR20200100630A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102629669B1 publication Critical patent/KR102629669B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/076Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/20Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds
    • B22F9/22Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds using gaseous reductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/076Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
    • C01B21/0766Preparation by pyrolysis of nitrogen containing titanium, zirconium or hafnium compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00Compounds of zirconium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/28Nitrogen-containing compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D201/00Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/32Radiation-absorbing paints
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40Additives
    • C09D7/60Additives non-macromolecular
    • C09D7/61Additives non-macromolecular inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C32/00Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/0005Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with at least one oxide and at least one of carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0042Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2201/00Treatment under specific atmosphere
    • B22F2201/01Reducing atmosphere
    • B22F2201/016NH3
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2201/00Treatment under specific atmosphere
    • B22F2201/02Nitrogen
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2201/00Treatment under specific atmosphere
    • B22F2201/10Inert gases
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2302/00Metal Compound, non-Metallic compound or non-metal composition of the powder or its coating
    • B22F2302/20Nitride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50Solid solutions
    • C01P2002/52Solid solutions containing elements as dopants
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50Solid solutions
    • C01P2002/52Solid solutions containing elements as dopants
    • C01P2002/54Solid solutions containing elements as dopants one element only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/003Light absorbing elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

BET 법에 의해 측정되는 비표면적이 20 ∼ 90 ㎡/g 으로서, 질화지르코늄을 주성분으로 하고, 마그네슘 및/또는 알루미늄을 함유하는 흑색 차광막 형성용 분말이다. 마그네슘을 함유할 때, 마그네슘의 함유 비율이 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량% 에 대해 0.01 ∼ 1.0 질량% 이고, 알루미늄을 함유할 때, 알루미늄의 함유 비율이 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량% 에 대해 0.01 ∼ 1.0 질량% 이다.

Description

흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법
본 발명은, 절연성의 흑색 안료로서 바람직하게 사용되는 질화지르코늄을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 흑색 안료로서 자외선 투과성이 우수하고 고해상도의 패터닝 특성을 갖는 흑색 차광막을 형성함과 함께 형성한 흑색 차광막이 높은 차광 성능과 높은 내후성을 갖는 흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 국제 출원은, 2017년 12월 26일에 출원한 일본 특허출원 제248647호 (일본 특허출원 2017-248647호) 에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로, 일본 특허출원 2017-248647호의 전체 내용을 본 국제 출원에 원용한다.
이 종류의 흑색 안료는, 감광성 수지에 분산되어 흑색 감광성 조성물로 조제되고, 이 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트막을 형성하고, 포토리소그래피법으로 포토레지스트막에 노광하여 패터닝 특성을 갖는 흑색 차광막 (이하, 패터닝막이라고 하는 경우도 있다) 을 형성함으로써, 액정 디스플레이의 컬러 필터 등의 화상 형성 소자의 블랙 매트릭스에 사용된다. 종래의 흑색 안료로서의 카본 블랙은 도전성이 있기 때문에, 절연성이 요구되는 용도에는 맞지 않다.
종래, 절연성이 높은 흑색 안료로서, 특정한 조성의 티탄 블랙으로도 칭해지는 티탄산질화물로 이루어지는 흑색 분말과, Y2O3, ZrO2, Al2O3, SiO2, TiO2, V2O5 를 적어도 1 종으로 이루어지는 절연 분말을 함유하는 고저항 흑색 분말이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 흑색 분말에 의하면, 흑색막으로 했을 때에, 저항치가 높고, 차광성이 우수하므로, 컬러 필터의 블랙 매트릭스로서 바람직한 것으로 되어 있다.
또, 차광재로서 티탄 질화물 입자를 함유하고, CuKα 선을 X 선원으로 한 경우의 적어도 1 종의 티탄 질화물 입자의 (200) 면에서 유래하는 피크의 회절각 2θ 가 42.5°이상 42.8°이하이고, 또한 그 티탄 질화물 입자의 (200) 면에서 유래하는 X 선 회절 피크의 반치폭으로부터 구한 결정자 사이즈가 10 ㎚ 이상 20 ㎚ 이하인 흑색 수지 조성물이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 참조). 이 흑색 수지 조성물은, 무채색이면서, 고 OD 치, 또한, 고저항치를 갖는 수지 블랙 매트릭스가 얻어지고, 액정 표시 장치에 사용했을 때에 흑색다운 흑색 표시가 가능해지는 컬러 필터를 제공할 수 있는 것으로 되어 있다.
또, 바나듐 또는 니오브의 1 종 또는 2 종의 산질화물로 이루어지는 흑색 분말이고, 산소 함유량 16 wt% 이하 및 질소 함유량 10 wt% 이상으로서, 분말 농도 50 ppm 의 분산액 투과 스펙트럼에 있어서 450 ㎚ 의 투과율 X 가 10.0 % 이하인 것을 특징으로 하고, 450 ㎚ 의 투과율 X 와 550 ㎚ 의 투과율 Y 의 비 (X/Y) 가 2.0 이하이고, 및/또는 450 ㎚ 의 투과율 X 와 650 ㎚ 의 투과율 Z 의 비 (X/Z) 가 1.5 이하인 청색 차폐 흑색 분말이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 참조). 이 청색 차폐 흑색 분말은, 높은 흑색도와 청색광에 대한 우수한 차광성을 갖고, 더욱 바람직하게는 높은 절연성을 갖는 것으로 되어 있다.
또한, 절연성의 흑색 안료로서 질화지르코늄을 함유하는 것으로서, X 선 회절 프로파일에 있어서, 저차산화지르코늄의 피크와 질화지르코늄의 피크를 갖고, 비표면적이 10 ∼ 60 ㎡/g 인 것을 특징으로 하는 미립자 저차산화지르코늄·질화지르코늄 복합체가 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 참조). 이 미립자 저차산화지르코늄·질화지르코늄 복합체는, 이산화지르코늄 또는 수산화지르코늄과, 산화마그네슘과, 금속 마그네슘의 혼합물을, 질소 가스 또는 질소 가스를 함유하는 불활성 가스 기류 중, 650 ∼ 800 ℃ 에서 소성하는 공정을 거쳐 제조된다. 상기 미립자 저차산화지르코늄·질화지르코늄 복합체는, 흑색계로 전기 전도성이 낮은 미립자 재료로서 사용할 수 있고, 카본 블랙 등이 사용되고 있는 텔레비전 등의 디스플레이용의 블랙 매트릭스 등에, 보다 전기 전도성이 낮은 미립자 흑색 안료로서 사용할 수 있는 것으로 되고, 또 상기 제조 방법에 의하면, 상기 미립자 저차산화지르코늄·질화지르코늄 복합체를 공업적 규모로 제조 (양산) 할 수 있는 것으로 되어 있다.
일본 공개특허공보 2008-266045호 (청구항 1, 단락 [0002], 단락 [0010]) 일본 공개특허공보 2009-58946호 (요약) 일본 공개특허공보 2012-96945호 (청구항 1, 청구항 2, 단락 [0008]) 일본 공개특허공보 2009-091205호 (청구항 1, 청구항 2, 단락 [0015], 단락 [0016])
그러나, 특허문헌 1 에 나타내는 티탄 블랙으로 칭해지는 흑색 분말, 특허문헌 2 에 나타내는 티탄 질화물 입자를 함유하는 흑색 수지 조성물, 특허문헌 3 에 나타내는 바나듐 또는 니오브의 산질화물로 이루어지는 흑색 분말, 그리고 특허문헌 4 에 나타내는 미립자 저차산화지르코늄·질화지르코늄 복합체는, 흑색 안료로서 사용하는 경우, 보다 높은 차광성을 얻기 위하여 안료 농도를 높게 하여 흑색 감광성 조성물을 조제하고, 이 조성물을 기판에 도포하여 포토레지스트막을 형성하고, 포토리소그래피법으로 포토레지스트막에 노광하여 흑색 패터닝막을 형성할 때에 포토레지스트막 중의 흑색 안료가 자외선인 i 선 (파장 365 ㎚) 도 차폐하기 때문에, 자외선이 포토레지스트막의 바닥부까지 닿지 않고, 바닥부에 언더 커트가 발생하여, 고해상도의 패터닝막을 형성할 수 없는 문제가 있었다.
또 특허문헌 4 에 나타내는 미립자 저차산화지르코늄·질화지르코늄 복합체는, 입경이 작아지면, 내산화성이 약해져, 내습 내열성 시험에서 흑색도가 저하되는, 즉 내후성이 저하되는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 흑색 안료로서 자외선 투과성이 우수하고 고해상도의 패터닝 특성을 갖는 흑색 차광막을 형성함과 함께, 형성한 흑색 차광막이 높은 차광 성능과 높은 내후성을 갖는 흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 질화지르코늄을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말에 마그네슘 및/또는 알루미늄을 함유시키면, 나노 입자화된 질화지르코늄 입자의 극표면층에 알루미늄 내지는 마그네슘의 산화 피막층 또는 질화 피막층이 발생하여, 이 분말을 흑색 안료로서 형성한 흑색 차광막이 높은 차광 성능을 발휘하는 것에 더하여, 높은 내후성이 얻어지는 것에 주목하여, 본 발명에 도달하였다.
본 발명의 제 1 관점은, BET 법에 의해 측정되는 비표면적이 20 ∼ 90 ㎡/g 으로서, 질화지르코늄을 주성분으로 하고, 마그네슘 및/또는 알루미늄을 함유하는 흑색 차광막 형성용 분말로서, 상기 마그네슘을 함유할 때, 상기 마그네슘의 함유 비율이 상기 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량% 에 대해 0.01 ∼ 1.0 질량% 이고, 상기 알루미늄을 함유할 때, 상기 알루미늄의 함유 비율이 상기 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량% 에 대해 0.01 ∼ 1.0 질량% 인 것을 특징으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말이다.
본 발명의 제 2 관점은, 이산화지르코늄 분말과, 금속 마그네슘 분말과, 산화마그네슘 분말과, 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말을, 상기 금속 마그네슘이 상기 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 25 ∼ 150 질량%, 상기 산화마그네슘이 상기 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 15 ∼ 500 질량%, 상기 산화알루미늄 또는 상기 질화알루미늄이 상기 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 0.02 ∼ 5.0 질량% 의 각 비율이 되도록, 혼합하고, 얻어진 혼합 분말을 질소 가스 단체의 분위기 하, 질소 가스와 수소 가스의 혼합 가스 분위기 하, 질소 가스와 암모니아 가스의 혼합 가스 분위기 하 또는 질소 가스와 불활성 가스의 혼합 가스 분위기 하에서 650 ∼ 900 ℃ 의 온도에서 소성함으로써, 상기 혼합 분말을 환원하여 흑색 차광막 형성용 분말을 제조하는 방법이다.
본 발명의 제 3 관점은, 제 1 관점의 흑색 차광막 형성용 분말 또는 제 2 관점의 방법에 의해 제조된 흑색 차광막 형성용 분말을 흑색 안료로서 함유하는 흑색 감광성 조성물이다.
본 발명의 제 4 관점은, 제 3 관점의 흑색 감광성 조성물을 사용하여 흑색 차광막을 형성하는 방법이다.
본 발명의 제 1 관점의 흑색 차광막 형성용 분말은, 비표면적이 20 ㎡/g 이상이기 때문에, 레지스트로 한 경우의 침강 억제의 효과가 있고, 또 90 ㎡/g 이하이기 때문에, 충분한 차광성을 갖는 효과가 있다. 질화지르코늄을 주성분으로 함으로써, 자외선을 한층 더 투과하는 특징이 있다. 이 결과, 흑색 안료로서 고해상도의 패터닝막을 형성할 수 있고, 게다가 형성한 패터닝막은 높은 차광 성능을 갖게 된다. 또 알루미늄을 0.01 ∼ 1.0 질량% 함유함으로써, 흑색 안료로서 흑색 차광막을 형성했을 때에 형성한 흑색 차광막의 차광 성능을 저하시키지 않고, 그 내후성을 현저하게 향상시킬 수 있다. 또한 마그네슘도 0.01 ∼ 1.0 질량% 의 비율로 함유함으로써, 동일하게 상기 흑색 차광막의 차광 성능을 저하시키지 않고, 그 내후성을 향상시키는 효과가 있다.
본 발명의 제 2 관점의 흑색 차광막 형성용 분말의 제조 방법에서는, 이산화지르코늄 분말과, 금속 마그네슘 분말과, 산화마그네슘 분말과, 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말을 소정의 비율로 소성함으로써, 마그네슘이 0.01 ∼ 1.0 질량%, 알루미늄이 0.01 ∼ 1.0 질량% 함유하는 흑색 차광막 형성용 분말이 제조된다. 또 소정의 가스 분위기 하에서 소성함으로써, 환원 반응이 보다 촉진되고, 반응 효율이 보다 높아져, 보다 적은 금속 마그네슘량이어도 질화지르코늄을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말을 제조할 수 있다.
본 발명의 제 3 관점의 흑색 감광성 조성물에 의하면, 흑색 안료로서 질화지르코늄 분말이 주성분이기 때문에, 이 조성물을 사용하여 흑색 패터닝막을 형성하면, 고해상도의 패터닝막을 형성할 수 있고, 형성한 패터닝막이 높은 차광 성능을 갖고, 또한 질화지르코늄 분말 중에 알루미늄을 함유하기 때문에, 형성한 패터닝막이 높은 내후성을 갖게 된다.
본 발명의 제 4 관점의 흑색 차광막의 형성 방법에 의하면, 고해상도의 패터닝 특성을 갖는 흑색 차광막을 형성할 수 있고, 게다가 형성한 흑색 차광막이 높은 차광 성능과 높은 내후성을 갖게 된다.
다음으로 본 발명을 실시하기 위한 형태를 설명한다.
〔ZrO2, 금속 Mg, MgO, Al2O3 의 소성에 의한 흑색 차광막 형성용 분말의 제법〕
본 실시형태에서는, 이산화지르코늄 (ZrO2), 금속 마그네슘 (금속 Mg), 산화마그네슘 (MgO) 및 산화알루미늄 (Al2O3) 의 각 분말을 출발 원료로서 사용하고, 소정의 분위기 하, 소정의 온도와 시간으로 소성함으로써, 질화지르코늄 (ZrN) 을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말을 제조한다. 산화알루미늄 분말 대신에 질화알루미늄 (AlN) 분말을 사용해도 된다.
〔이산화지르코늄 분말〕
본 실시형태의 이산화지르코늄 분말로는, 예를 들어, 단사정계 이산화지르코늄, 입방정계 이산화지르코늄, 이트륨 안정화 이산화지르코늄 등의 이산화지르코늄의 분말이 모두 사용 가능하지만, 질화지르코늄 분말의 생성률이 높아지는 관점에서, 단사정계 이산화지르코늄 분말이 바람직하다.
〔금속 마그네슘 분말〕
본 실시형태의 금속 마그네슘 분말은, 입자경이 지나치게 작으면, 반응이 급격하게 진행되어 조작상 위험성이 높아지기 때문에, 입자경이 체의 메시 패스로 100 ∼ 1000 ㎛ 의 입상인 것이 바람직하고, 특히 100 ∼ 500 ㎛ 의 입상인 것이 바람직하다. 단, 금속 마그네슘은, 모두 상기 입자경 범위 내에 없어도, 그 80 질량% 이상, 특히 90 질량% 이상이 상기 범위 내에 있으면 된다.
이산화지르코늄 분말에 대한 금속 마그네슘 분말의 첨가량의 다과 (多寡) 는, 이산화지르코늄의 환원력에 영향을 준다. 금속 마그네슘의 양이 지나치게 적으면, 환원 부족으로 목적으로 하는 질화지르코늄 분말이 잘 얻어지지 않게 되고, 지나치게 많으면, 과잉인 금속 마그네슘에 의해 반응 온도가 급격하게 상승하여, 분말의 입자 성장을 일으킬 우려가 있음과 함께 경제적이지 못하게 된다. 금속 마그네슘 분말은, 그 입자경의 크기에 따라, 금속 마그네슘이 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 25 ∼ 150 질량% 의 비율이 되도록, 금속 마그네슘 분말을 이산화지르코늄 분말에 첨가하여 혼합한다. 25 질량% 미만에서는, 이산화지르코늄의 환원력이 부족하고, 150 질량% 를 초과하면, 과잉인 금속 마그네슘에 의해 반응 온도가 급격하게 상승하고, 분말의 입자 성장을 일으킬 우려가 있음과 함께 경제적이지 못하게 된다. 바람직하게는 40 ∼ 100 질량% 이다.
〔산화마그네슘 분말〕
본 실시형태의 산화마그네슘 분말은, 소성시에 금속 마그네슘의 환원력을 완화하여, 질화지르코늄 분말의 소결 및 입자 성장을 방지한다. 산화마그네슘 분말은, 그 입자경의 크기에 따라, 산화마그네슘이 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 15 ∼ 500 질량% 의 비율이 되도록, 이산화지르코늄에 첨가하여 혼합한다. 15 질량% 미만에서는 질화지르코늄 분말의 소결 방지가 되지 않고, 500 질량% 를 초과하면, 소성 후의 산세정시에 필요로 하는 산성 용액의 사용량이 증가하여 경제적이지 못하다. 바람직하게는 25 ∼ 400 질량% 이다. 산화마그네슘 분말은, 비표면적의 측정치로부터 구형 환산한 평균 일차 입자경 1000 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 분말 취급 용이성으로부터, 평균 일차 입자경 500 ㎚ 이하이고 10 ㎚ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 산화마그네슘만이 아니라, 질화마그네슘도 질화지르코늄의 소결 예방에 유효하기 때문에, 산화마그네슘에 일부 질화마그네슘을 혼합하여 사용할 수도 있다. 금속 마그네슘 및 산화마그네슘의 상기 첨가량에 따라, 후술하는 흑색 차광막 형성용 분말 중의 마그네슘의 함유량이 0.01 ∼ 1.0 질량% 가 된다.
〔산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말〕
본 실시형태의 산화알루미늄 분말은, 이 산화알루미늄 분말을 함유하는 흑색 차광막 형성용 분말을 흑색 안료로 하여 흑색 차광막을 형성했을 때에, 이 흑색 차광막의 내후성을 향상시킨다. 또 소성시에 금속 마그네슘의 환원력을 완화하여, 질화지르코늄 분말의 소결 및 입자 성장을 방지한다. 산화알루미늄 분말은, 그 입자경의 크기에 따라, 산화알루미늄이 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 0.02 ∼ 5.0 질량% 의 비율이 되도록, 이산화지르코늄에 첨가하여 혼합한다. 0.02 질량% 미만에서는 상기 흑색 차광막의 내후성이 향상되지 않고, 5.0 질량% 를 초과하면, 상기 흑색 차광막의 차광 성능이 저하된다. 바람직하게는 0.05 ∼ 1.0 질량% 이다. 산화알루미늄 분말은, 비표면적의 측정치로부터 구형 환산한 평균 일차 입자경 1000 ㎚ 이하인 것이 바람직하고, 분말 취급 용이성으로부터, 평균 일차 입자경 500 ㎚ 이하이고 10 ㎚ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 질화알루미늄 분말도, 이 질화알루미늄 분말을 함유하는 흑색 차광막 형성용 분말을 흑색 안료로서 흑색 차광막을 형성했을 때에, 상기 흑색 차광막의 내후성을 향상시키기 위하여, 산화알루미늄 분말 대신에, 질화알루미늄 분말을 사용할 수도 있다. 질화알루미늄 분말의 첨가 비율은 산화알루미늄 분말과 동일하다. 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말의 상기 첨가량에 따라, 후술하는 흑색 차광막 형성용 분말 중의 알루미늄의 함유량이 0.01 ∼ 1.0 질량% 가 된다.
〔금속 마그네슘 분말에 의한 환원 반응〕
본 실시형태의 질화지르코늄 분말을 생성시키기 위한 금속 마그네슘에 의한 환원 반응시의 온도는, 650 ∼ 900 ℃, 바람직하게는 700 ∼ 800 ℃ 이다. 650 ℃ 는 금속 마그네슘의 용융 온도이고, 온도가 그것보다 낮으면 이산화지르코늄의 환원 반응이 충분히 발생하지 않는다. 또, 온도를 900 ℃ 보다 높게 해도, 그 효과는 증가하지 않고, 열에너지가 소용없어짐과 함께 입자의 소결이 진행되어 바람직하지 않다. 또 환원 반응 시간은 10 ∼ 90 분이 바람직하고, 15 ∼ 60 분이 더욱 바람직하다.
상기 환원 반응을 실시할 때의 반응 용기는, 반응시에 원료나 생성물이 비산되지 않도록, 덮개를 갖는 것이 바람직하다. 이것은, 금속 마그네슘의 용융이 개시되면, 환원 반응이 급격하게 진행되고, 그것에 수반하여 온도가 상승하여, 용기 내부의 기체가 팽창하고, 그것에 의해, 용기의 내부의 것이 외부로 비산될 우려가 있기 때문이다.
〔금속 마그네슘 분말에 의한 환원 반응시의 분위기 가스〕
본 실시형태의 상기 환원 반응시의 분위기 가스는, 질소 가스 단체의 분위기 하, 질소 가스와 수소 가스의 혼합 가스 분위기 하, 질소 가스와 암모니아 가스의 혼합 가스 분위기 하 또는 질소 가스와 불활성 가스의 혼합 가스 분위기 하이다. 불활성 가스로는 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 크세논 등을 들 수 있다. 이들 중에서 아르곤이 가장 바람직하다. 혼합 가스의 경우, 상기 환원 반응 중, 질소 가스와 수소 가스를 병용하거나, 질소 가스와 암모니아 가스를 병용하거나, 또는 질소 가스와 불활성 가스를 병용하는 방법 외에, 최초로 수소 가스 분위기, 암모니아 가스 분위기 또는 불활성 가스 분위기에서 환원 반응시켜 계속해서 질소 가스 단체의 분위기에서 환원 반응시켜도 된다. 상기 환원 반응은 상기 혼합 가스의 기류 중에서 실시된다. 이 혼합 가스는, 금속 마그네슘이나 환원 생성물과 산소의 접촉을 막고, 그것들의 산화를 방지함과 함께, 질소를 지르코늄과 반응시켜, 질화지르코늄을 생성시키는 역할을 갖는다.
〔소성 후의 반응물의 처리〕
이산화지르코늄 분말과, 금속 마그네슘 분말과, 산화마그네슘 분말과, 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말의 혼합물을 상기 혼합 가스의 분위기 하 또는 질소 가스 분위기 하, 혹은 수소 가스 분위기, 암모니아 가스 분위기 또는 불활성 가스 분위기에 계속해서 질소 가스 단체의 분위기 하에서 소성함으로써 얻어진 반응물은, 반응 용기로부터 취출하고, 최종적으로는 실온까지 냉각시킨 후, 염산 수용액 등의 산 용액으로 세정하여, 금속 마그네슘의 산화에 의해 발생한 산화마그네슘이나 생성물의 소결 방지를 위해 반응 당초부터 함유되어 있던 산화마그네슘, 산화알루미늄 또는 질화알루미늄을 제거한다. 여기서, 세정 시간, 세정 pH 를 조정함으로써, 마그네슘의 잔존량을 본 발명의 범위인 0.01 ∼ 1.0 질량% 로 조정할 수 있다. 이 산세정에 관해서는, pH 0.5 이상, 특히 pH 0.7 이상, 온도는 90 ℃ 이하에서 실시하는 것이 바람직하다. 이것은 산성도가 지나치게 강하거나, 또는 온도가 지나치게 높으면 질화지르코늄이 산화될 우려가 있기 때문이다. 그리고, 그 산세정 후, 암모니아수 등에서 pH 를 5 ∼ 6 으로 조정한 후, 여과 또는 원심 분리에 의해 고형분을 분리하고, 그 고형분을 건조시킨 후, 분쇄하여 질화지르코늄을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말을 얻는다.
금속 마그네슘 분말과, 산화마그네슘 분말과, 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말의 각 첨가량의 다과에 의해, 최종적으로 얻어진 흑색 차광막 형성용 분말 중에 마그네슘 및/또는 알루미늄이 함유된다. 즉, 금속 마그네슘 분말 및/또는 산화마그네슘 분말의 각 첨가량이 많으면, 흑색 차광막 형성용 분말 중에 마그네슘이 0.01 ∼ 1.0 질량% 함유된다. 한편, 금속 마그네슘 분말 및/또는 산화마그네슘 분말의 각 첨가량이 적으면, 흑색 차광막 형성용 분말 중에 마그네슘은 함유되지 않는다. 동일하게, 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말의 각 첨가량이 많으면, 흑색 차광막 형성용 분말 중에 알루미늄이 0.01 ∼ 1.0 질량% 함유된다. 한편, 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말의 첨가량이 적으면, 흑색 차광막 형성용 분말 중에 알루미늄은 함유되지 않는다.
<얻어진 흑색 차광막 형성용 분말의 특성>
본 실시형태에서 얻어진 흑색 차광막 형성용 분말은, 질화지르코늄을 주성분으로 하고, 마그네슘 및 알루미늄을 함유한다. 이 흑색 차광막 형성용 분말은, BET 치로부터 측정되는 비표면적이 20 ∼ 90 ㎡/g 이다. 흑색 차광막 형성용 분말의 상기 비표면적이 20 ㎡/g 미만에서는, 흑색 레지스트로 했을 때에, 장기 보관시에 안료가 침강되고, 90 ㎡/g 을 초과하면, 흑색 안료로서 패터닝막을 형성했을 때에, 차광성이 부족하다. 25 ∼ 80 ㎡/g 이 보다 바람직하다. 상기 비표면적치로부터 다음의 식 (1) 에 의해 구상으로 간주한 평균 입자경을 산출할 수 있다. 이 BET 비표면적치로부터 산출되는 평균 입자경은 10 ∼ 50 ㎚ 가 바람직하다. 식 (1) 중, L 은 평균 입자경 (㎛), ρ 는 분말의 밀도 (g/㎤), S 는 분말의 비표면적치 (㎡/g) 이다.
L = 6/(ρ × S) (1)
마그네슘을 함유할 때의 마그네슘의 함유 비율은 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량% 에 대해 0.01 ∼ 1.0 질량%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.5 질량% 이고, 알루미늄을 함유할 때의 알루미늄의 함유 비율은 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량% 에 대해 0.01 ∼ 1 질량%, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.5 질량% 이다. 마그네슘의 함유 비율이 0.01 질량% 미만에서는, 흑색 안료로서 흑색 차광막을 형성했을 때에 형성한 흑색 차광막의 내후성을 향상시키지 못하고, 1.0 질량% 를 초과하면, 질화지르코늄의 함유 비율이 감소하여, 차광성이 저하된다. 알루미늄의 함유 비율이 0.01 질량% 미만에서는, 흑색 안료로서 흑색 차광막을 형성했을 때에 형성한 흑색 차광막의 내후성을 향상시키지 못하고, 1.0 질량% 를 초과하면, 상기 흑색 차광막의 차광 성능을 저하시킨다.
〔흑색 차광막 형성용 분말을 흑색 안료로서 사용한 패터닝막의 형성 방법〕
상기 흑색 차광막 형성용 분말을 흑색 안료로서 사용한, 블랙 매트릭스로 대표되는 패터닝막의 형성 방법에 대해 서술한다. 먼저, 상기 흑색 차광막 형성용 분말을 감광성 수지로 분산하여 흑색 감광성 조성물로 조제한다. 이어서 이 흑색 감광성 조성물을 기판 상에 도포한 후, 프리베이크를 실시하여 용제를 증발시켜, 포토레지스트막을 형성한다. 다음으로 이 포토레지스트막에 포토마스크를 개재하여 소정의 패턴 형상으로 노광한 후, 알칼리 현상액을 사용하여 현상하여, 포토레지스트막의 미노광부를 용해 제거하고, 그 후 바람직하게는 포스트베이크를 실시함으로써, 소정의 흑색 패터닝막, 즉 흑색 차광막이 형성된다.
형성된 패터닝막 (흑색 차광막) 의 차광성 (투과율의 감쇠) 을 나타내는 지표로서 광학 농도, 즉 OD (Optical Density) 치가 알려져 있다. 본 실시형태의 흑색 차광막 형성용 분말을 사용하여 형성된 패터닝막은 높은 OD 치를 갖는다. 여기서 OD 치는, 광이 패터닝막을 통과할 때에 흡수되는 정도를 대수 (對數) 로 표시한 것으로서, 다음의 식 (2) 로 정의된다. 식 (2) 중, I 는 투과광량, I0 는 입사광량이다.
OD 치 = -log10(I/I0) (2)
상기 기판으로는, 예를 들어, 유리, 실리콘, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 또 상기 기판에는, 원하는 바에 따라, 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리, 플라즈마 처리, 이온 플레이팅, 스퍼터링, 기상 반응법, 진공 증착 등의 적절한 전처리를 실시해 둘 수도 있다. 흑색 감광성 조성물을 기판에 도포할 때에는, 회전 도포, 유연 도포, 롤 도포 등의 적절한 도포법을 채용할 수 있다. 도포 두께는, 건조 후의 막두께로서, 통상적으로, 0.1 ∼ 10 ㎛, 바람직하게는 0.2 ∼ 7.0 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 6.0 ㎛ 이다. 패터닝막을 형성할 때에 사용되는 방사선으로는, 본 실시형태에서는, 파장이 250 ∼ 370 ㎚ 의 범위에 있는 방사선이 바람직하다. 방사선의 조사 에너지량은, 바람직하게는 10 ∼ 10,000 J/㎡ 이다. 또 상기 알칼리 현상액으로는, 예를 들어, 탄산나트륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드, 콜린, 1,8-디아자비시클로-[5.4.0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로-[4.3.0]-5-노넨 등의 수용액이 바람직하다. 상기 알칼리 현상액에는, 예를 들어 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면 활성제 등을 적당량 첨가할 수도 있다. 또한, 알칼리 현상 후에는, 통상적으로, 수세한다. 현상 처리법으로는, 샤워 현상법, 스프레이 현상법, 딥 (침지) 현상법, 패들 (액마운팅) 현상법 등을 적용할 수 있고, 현상 조건은, 상온에서 5 ∼ 300 초가 바람직하다. 이와 같이 하여 형성된 패터닝막은, 고정세의 액정, 유기 EL 용 블랙 매트릭스재, 이미지 센서용 차광재, 광학 부재용 차광재, 차광 필터, IR 커트 필터 등에 바람직하게 사용된다.
실시예
다음으로 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 상세하게 설명한다.
<실시예 1>
BET 법에 의해 측정되는 비표면적으로부터 산출되는 평균 일차 입자경이 50 ㎚ 인 단사정계 이산화지르코늄 분말 7.4 g 에, 평균 일차 입자경이 100 ㎛ 인 금속 마그네슘 분말 7.3 g 과 평균 일차 입자경이 20 ㎚ 인 산화마그네슘 분말 3.6 g 을 첨가하고, 또한 평균 일차 입자경이 20 ㎚ 인 산화알루미늄 분말 0.04 g 을 첨가하고, 석영제 유리관에 흑연의 보트를 내장한 반응 장치에 의해 균일하게 혼합하였다. 이 때 금속 마그네슘의 첨가량은 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 98 질량% 이고, 산화마그네슘의 첨가량은 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 49 질량% 이고, 산화알루미늄의 첨가량은 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 0.5 질량% 였다. 상기 혼합물을 질소 가스 분위기 하, 700 ℃ 의 온도에서 60 분간 소성함으로써, 이산화지르코늄의 질화 반응을 실시하여 소성물을 얻었다. 이 소성물을, 1 리터의 물에 분산하고, 17.5 % 염산을 서서히 첨가하여, pH 를 1 이상으로, 온도를 100 ℃ 이하로 유지하면서 세정한 후, 25 % 암모니아수에서 pH 7 ∼ 8 로 조정하고, 여과하였다. 그 여과 고형분을 수중에 400 g/리터로 재분산하고, 다시 한번, 상기와 마찬가지로 산세정, 암모니아수로의 pH 조정을 한 후, 여과하였다. 이와 같이 산세정-암모니아수에 의한 pH 조정을 2 회 반복한 후, 여과물을 이온 교환수에 고형분 환산으로 500 g/리터로 분산시키고, 60 ℃ 에서의 가열 교반과 pH 7 로의 조정을 한 후, 흡인 여과 장치에서 여과하고, 또한 등량의 이온 교환수로 세정하고, 설정 온도가 120 ℃ 인 열풍 건조기에서 건조시킴으로써, 질화지르코늄을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말을 얻었다.
<실시예 2>
산화알루미늄 분말 대신에, 평균 일차 입자경이 100 ㎚ 인 질화알루미늄 분말 0.06 g 을 사용하였다. 이 때 질화알루미늄의 첨가량은 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 0.8 질량% 였다. 이것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 질화지르코늄을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말을 얻었다.
<비교예 1>
BET 법에 의해 측정되는 비표면적으로부터 산출되는 평균 일차 입자경이 50 ㎚ 인 단사정계 이산화지르코늄 분말 7.4 g 에, 평균 일차 입자경이 100 ㎛ 인 금속 마그네슘 분말 7.3 g 과 평균 일차 입자경이 20 ㎚ 인 산화마그네슘 분말 0.7 g 을 첨가하고, 또한 평균 일차 입자경이 20 ㎚ 인 산화알루미늄 분말 0.04 g 을 첨가하고, 석영제 유리관에 흑연의 보트를 내장한 반응 장치에 의해 균일하게 혼합 하였다. 이 때 금속 마그네슘의 첨가량은 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 98 질량% 이고, 산화마그네슘의 첨가량은 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 10 질량% 이고, 산화알루미늄의 첨가량은 이산화지르코늄 100 질량% 에 대해 0.5 질량% 였다. 상기 혼합물을 질소 가스 분위기 하, 700 ℃ 의 온도에서 60 분간 소성함으로써, 이산화지르코늄의 질화 반응을 실시하여 소성물을 얻었다. 이 소성물을, 1 리터의 물에 분산하고, 17.5 % 염산을 서서히 첨가하여, pH 를 0.5로, 온도를 100 ℃ 이하로 유지하면서 세정한 후, 25 % 암모니아수에서 pH 7 ∼ 8 로 조정하고, 여과하였다. 그 여과 고형분을 수중에 400 g/리터로 재분산하고, 다시 한번, 상기와 마찬가지로 산세정, 암모니아수로의 pH 조정을 한 후, 여과하였다. 이와 같이 산세정-암모니아수에 의한 pH 조정을 2 회 반복한 후, 여과물을 이온 교환수에 고형분 환산으로 500 g/리터로 분산시키고, 60 ℃ 에서의 가열 교반과 pH 7 로의 조정을 한 후, 흡인 여과 장치에서 여과하고, 또한 등량의 이온 교환수로 세정하고, 설정 온도가 120 ℃ 인 열풍 건조기에서 건조시킴으로써, 질화지르코늄을 주성분으로 하는 비교예 1 의 흑색 차광막 형성용 분말을 얻었다.
<실시예 3 ∼ 6 및 비교예 2 ∼ 6>
실시예 3 ∼ 6 및 비교예 3 ∼ 6 에 대해, 실시예 1 과 마찬가지로, 금속 마그네슘 분말, 산화마그네슘 분말, 산화알루미늄 분말, 질화알루미늄 분말의 이산화지르코늄에 대한 첨가 비율 (질량%), 분위기 가스인 반응 가스의 종류와 그 체적% 의 비율, 소성 온도와 소성 시간을 표 1 에 나타내는 바와 같이, 각각 설정하여, 흑색 차광막 형성용 분말을 제조하였다.
Figure 112020058712874-pct00001
<비교 시험과 평가 그 1>
실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 6 에서 얻어진 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말을 각각 시료로서, 이하에 상세히 서술하는 방법으로, (1) 비표면적, (2) 마그네슘 및/또는 알루미늄의 함유량, (3) 분말 농도 50 ppm 의 분산액에 있어서의 광투과율, (4) 제조 후 실온 하에 유지했을 때의 OD 치, 및 (5) 제조 후 85 ℃, 상대 습도 85 % 의 고온 고습 분위기 하에서 500 시간 유지했을 때의 OD 치를 측정하였다. 각각의 측정 결과를 표 2 에 나타낸다.
(1) 비표면적 : 모든 시료에 대해, 비표면적 측정 장치 (시바타 과학사 제조, SA-1100) 를 사용하여, 질소 흡착에 의한 BET 1 점법에 의해 비표면적치를 측정하였다.
(2) 마그네슘 및/또는 알루미늄의 함유량 :
ICP 발광 분광 측정 (PerkinElmer 사 제조 Optima 4300 DV) 에 의해 마그네슘, 알루미늄의 함유량을 측정하였다.
(3) 분말 농도 50 ppm 의 분산액에 있어서의 분광 곡선 : 실시예 1 ∼ 6 과 비교예 1 ∼ 6 의 각 시료에 대해, 이들 시료를 순환식 가로형 비드 밀 (미디어 : 지르코니아) 에 각각 따로 넣고, 아민계 분산제를 첨가하여, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGM-Ac) 용제 중에서의 분산 처리를 실시하였다. 얻어진 11 종류의 분산액을 10 만배로 희석하고 분말 농도를 50 ppm 으로 조정하였다. 이 희석한 분산액에 있어서의 각 시료의 광투과율을 히타치 하이테크 필딩 (주) 제조 분광 광도계 (UH-4150) 를 사용하여, 파장 240 ㎚ 내지 1300 ㎚ 의 범위에서 측정하고, i 선 (365 ㎚) 근방의 파장 370 ㎚ 와, 파장 550 ㎚ 에 있어서의 각 광투과율 (%) 을 구하였다.
Figure 112020058712874-pct00002
<비교 시험과 평가 그 2>
실시예 1 ∼ 6, 비교예 1 ∼ 6 에서 얻어진 시료를 광투과율의 측정에 사용한 분산액에 아크릴 수지를, 질량비로 흑색 안료 : 수지 = 6 : 4 가 되는 비율로 첨가하고 혼합하여 흑색 감광성 조성물을 조제하였다. 이 조성물을 유리 기판 상에 소성 후의 막두께가 1 ㎛ 가 되도록 스핀 코트하고, 250 ℃ 의 온도에서 60 분간 소성하여 피막을 형성하였다. 이 피막을 실온 하에 유지하고, 그 상태에서 피막의 가시광 (중심 파장 560 ㎚ 및 중심 파장 650 ㎚) 의 OD 치를, 상기 서술한 식 (2) 에 기초하여, 마크베스사 제조의 X-Rite 361T (V) 농도계를 사용하여, 측정하였다. 또 동일한 피막을 85 ℃, 상대 습도 85 % 의 고온 고습 분위기 하에서 500 시간 유지했을 때의 OD 치를 동일하게 측정하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.
표 2 로부터 분명한 바와 같이, 비교예 1 에서는, 소성물을 세정할 때의 pH 를 0.5 로 낮게 했기 때문에, 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말에 있어서의 마그네슘의 함유 비율이 0.001 질량% 로 매우 적어졌다. 이 때문에, 실온 하의 OD 치와 비교하여 고온 고습 하의 OD 치는, 중심 파장이 560 ㎚ 및 650 ㎚ 에 있어서, 각각 0.2 및 0.3 씩 낮아지고, 최종 제품은 내후성이 떨어졌다.
비교예 2 에서는, 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말에 있어서의 알루미늄의 함유 비율이 0.002 질량% 로 지나치게 적었기 때문에, 마그네슘과 마찬가지로, 실온 하의 OD 치와 비교하여 고온 고습 하의 OD 치는, 중심 파장이 560 ㎚ 및 650 ㎚ 의 쌍방에 있어서, 0.5 씩 낮아지고, 최종 제품은 내후성이 떨어졌다.
비교예 3 에서는, 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말에 있어서의 알루미늄의 함유 비율이 1.50 질량% 로 지나치게 많았기 때문에, 실온 하의 OD 치도 고온 고습 하의 OD 치도 2.9 이하가 되고, 최종 제품은 차광성이 떨어졌다.
비교예 4 에서는, 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말에 있어서의 마그네슘의 함유 비율이 1.5 질량% 로 지나치게 많았기 때문에, 실온 하의 OD 치도 고온 고습 하의 OD 치도 2.8 이하가 되고, 최종 제품은 차광성이 떨어졌다.
비교예 5 에서는, 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말의 비표면적이 19 ㎡/g 으로 지나치게 작았기 때문에, 분말 농도 50 ppm 의 분산액에 있어서의 파장 370 ㎚ 의 광투과율이 9.0 % 로 낮고, 자외선 투과율이 나빴다.
비교예 6 에서는, 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말의 비표면적이 92 ㎡/g 으로 지나치게 컸기 때문에, 분말 농도 50 ppm 의 분산액에 있어서의 파장 550 ㎚ 의 광투과율이 7.0 % 로 높고, 가시광 투과율이 나빴다.
이에 반하여, 실시예 1 ∼ 6 에서는, 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말의 비표면적이 20 ∼ 90 ㎡/g 이고, 분말 농도 50 ppm 의 분산액에 있어서의 파장 370 ㎚ 및 파장 550 ㎚ 의 각 광투과율이 10.1 ∼ 29.6 % 와 3.0 ∼ 6.8 % 이고, 실온 하의 OD 치도 고온 고습 하의 OD 치도 3.0 이상으로, 실온 하의 OD 치와 비교하여 고온 고습 하의 OD 치는 거의 변화가 없었다. 그 결과, 실시예 1 ∼ 6 에 있어서의 최종 제품의 흑색 차광막 형성용 분말은, 자외선 투과율, 가시광 투과율, 차광성 및 내후성이 우수한 것을 알 수 있었다.
본 발명의 질화지르코늄을 주성분으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말은, 고정세의 액정, 유기 EL 용 블랙 매트릭스재, 이미지 센서용 차광재, 광학 부재용 차광재, 차광 필터, IR 커트 필터 등에 이용할 수 있다.

Claims (4)

  1. BET 법에 의해 측정되는 비표면적이 20 ∼ 90 ㎡/g 으로서, 질화지르코늄과 마그네슘 및/또는 알루미늄을 함유하는 흑색 차광막 형성용 분말로서,
    상기 마그네슘을 함유할 때, 상기 마그네슘의 함유 비율이 상기 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량부에 대해 0.01 ∼ 1.0 질량부이고, 상기 알루미늄을 함유할 때, 상기 알루미늄의 함유 비율이 상기 흑색 차광막 형성용 분말 100 질량부에 대해 0.01 ∼ 1.0 질량부이고,
    상기 마그네슘과 상기 알루미늄 이외의 잔부는, 상기 질화지르코늄인 것을 특징으로 하는 흑색 차광막 형성용 분말.
  2. 이산화지르코늄 분말과, 금속 마그네슘 분말과, 산화마그네슘 분말 또는 질화마그네슘과, 산화알루미늄 분말 또는 질화알루미늄 분말을, 상기 금속 마그네슘이 상기 이산화지르코늄 100 질량부에 대해 25 ∼ 150 질량부, 상기 산화마그네슘이 상기 이산화지르코늄 100 질량부에 대해 15 ∼ 500 질량부, 상기 산화알루미늄 또는 상기 질화알루미늄이 상기 이산화지르코늄 100 질량부에 대해 0.02 ∼ 5.0 질량부의 각 비율이 되도록, 혼합하고, 얻어진 혼합 분말을 질소 가스 단체의 분위기 하, 질소 가스와 수소 가스의 혼합 가스 분위기 하, 질소 가스와 암모니아 가스의 혼합 가스 분위기 하 또는 질소 가스와 불활성 가스의 혼합 가스 분위기 하에서 650 ∼ 900 ℃ 의 온도에서 소성함으로써, 상기 혼합 분말을 환원하여 흑색 차광막 형성용 분말을 제조하는 방법.
  3. 제 1 항에 기재된 흑색 차광막 형성용 분말 또는 제 2 항에 기재된 방법에 의해 제조된 흑색 차광막 형성용 분말을 흑색 안료로서 함유하는 흑색 감광성 조성물.
  4. 제 3 항에 기재된 흑색 감광성 조성물을 사용하여 흑색 차광막을 형성하는 방법.
KR1020207016420A 2017-12-26 2018-10-25 흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법 KR102629669B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017248647A JP6971834B2 (ja) 2017-12-26 2017-12-26 黒色遮光膜形成用粉末及びその製造方法
JPJP-P-2017-248647 2017-12-26
PCT/JP2018/039664 WO2019130772A1 (ja) 2017-12-26 2018-10-25 黒色遮光膜形成用粉末及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200100630A KR20200100630A (ko) 2020-08-26
KR102629669B1 true KR102629669B1 (ko) 2024-01-25

Family

ID=67063390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207016420A KR102629669B1 (ko) 2017-12-26 2018-10-25 흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11835679B2 (ko)
EP (1) EP3733595A4 (ko)
JP (1) JP6971834B2 (ko)
KR (1) KR102629669B1 (ko)
CN (1) CN111511680B (ko)
WO (1) WO2019130772A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019059359A1 (ja) * 2017-09-25 2020-09-03 東レ株式会社 着色樹脂組成物、着色膜、カラーフィルターおよび液晶表示装置
MY198036A (en) * 2018-06-19 2023-07-27 Tronox Llc Treated titanium dioxide pigment, process of making thereof and use thereof in paper manufacture
JP2021059711A (ja) * 2019-10-07 2021-04-15 日東電工株式会社 光硬化性粘着剤組成物、両面粘着シートおよびその製造方法、ならびに光学デバイスおよびその製造方法
KR20230095937A (ko) 2020-11-02 2023-06-29 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 지르코늄 함유 질화물 분말 및 흑색 자외선 경화형 유기 조성물
JPWO2022210175A1 (ko) 2021-03-29 2022-10-06
KR20240060751A (ko) 2021-09-28 2024-05-08 미쓰비시마테리알덴시카세이가부시키가이샤 산화알루미늄계 조성물 함유 질화지르코늄 분말 및 그 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009091205A (ja) 2007-10-10 2009-04-30 Tayca Corp 微粒子低次酸化ジルコニウム・窒化ジルコニウム複合体およびその製造方法
CN100546370C (zh) 2003-05-20 2009-09-30 韩国电子通信研究院 陆上数字电视广播业务的同信道中继设备和方法
JP2017222559A (ja) 2016-09-29 2017-12-21 三菱マテリアル電子化成株式会社 窒化ジルコニウム粉末及びその製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2461019A (en) * 1945-03-02 1949-02-08 Metal Hydrides Inc Production of zirconium nitride
JPS60186407A (ja) * 1984-03-06 1985-09-21 Toyo Soda Mfg Co Ltd 窒化ジルコニウム微粉末の製造法
JP2793691B2 (ja) * 1990-04-23 1998-09-03 株式会社トクヤマ 窒化ジルコニウム粉末の製造方法
JP3724269B2 (ja) * 1998-08-31 2005-12-07 東レ株式会社 黒色被覆組成物、樹脂ブラックマトリックス、カラーフィルターおよび液晶表示装置
ATE367232T1 (de) * 2002-03-23 2007-08-15 Metal Nanopowders Ltd Verfahren zur erzeugung von pulver
JP2006523383A (ja) * 2003-03-04 2006-10-12 ピクセリジェント・テクノロジーズ・エルエルシー フォトリソグラフィ用のナノサイズ半導体粒子の応用
CN1239385C (zh) * 2003-11-28 2006-02-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种立方相纳米氮化锆粉体的还原氮化制备方法
TWI389850B (zh) * 2004-09-21 2013-03-21 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 黑色材料、黑色微粒子分散液及使用該分散液之黑色遮光膜,以及附有黑色遮光膜之基材
US7776303B2 (en) * 2006-08-30 2010-08-17 Ppg Industries Ohio, Inc. Production of ultrafine metal carbide particles utilizing polymeric feed materials
JP4915664B2 (ja) 2007-04-17 2012-04-11 三菱マテリアル株式会社 高抵抗黒色粉末およびその分散液、塗料、黒色膜
US8047288B2 (en) * 2007-07-18 2011-11-01 Oxane Materials, Inc. Proppants with carbide and/or nitride phases
JP2009058946A (ja) 2007-08-03 2009-03-19 Toray Ind Inc 黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリクス、カラーフィルターおよび液晶表示装置
JP5747475B2 (ja) 2010-10-29 2015-07-15 三菱マテリアル電子化成株式会社 青色遮蔽黒色粉末とその製造方法および用途
JP2012247518A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 黒色耐熱遮光フィルム、および、それを用いた絞り、シャッター羽根、光量調整モジュール用絞り羽根並びに遮光テープ
CN104176716B (zh) * 2013-05-22 2016-01-06 安徽港铭新材料科技有限公司 一种氮化锆的制备方法
CN103555003A (zh) 2013-11-08 2014-02-05 北京京东方光电科技有限公司 改性功能材料、蓝色光阻材料、彩色滤光片及它们的制备方法、显示器件
WO2015146892A1 (ja) * 2014-03-27 2015-10-01 三菱マテリアル電子化成株式会社 黒色酸窒化チタン顔料及びその製造方法並びに黒色酸窒化チタン顔料を用いた半導体封止用樹脂化合物
KR102146312B1 (ko) * 2016-02-29 2020-08-20 후지필름 가부시키가이샤 조성물, 조성물의 제조 방법, 경화막, 컬러 필터, 차광막, 고체 촬상 소자 및 화상 표시 장치
JP6667422B2 (ja) * 2016-11-22 2020-03-18 三菱マテリアル電子化成株式会社 黒色膜形成用混合粉末及びその製造方法
JP2019104651A (ja) * 2017-12-13 2019-06-27 テイカ株式会社 窒化ジルコニウム系黒色フィラー及びその製造方法、そのフィラーを含有する塗料組成物及びその塗膜
US20210087404A1 (en) * 2017-12-19 2021-03-25 Nisshin Engineering Inc. Composite particles and method for producing composite particles

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100546370C (zh) 2003-05-20 2009-09-30 韩国电子通信研究院 陆上数字电视广播业务的同信道中继设备和方法
JP2009091205A (ja) 2007-10-10 2009-04-30 Tayca Corp 微粒子低次酸化ジルコニウム・窒化ジルコニウム複合体およびその製造方法
JP2017222559A (ja) 2016-09-29 2017-12-21 三菱マテリアル電子化成株式会社 窒化ジルコニウム粉末及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3733595A1 (en) 2020-11-04
JP2019112275A (ja) 2019-07-11
JP6971834B2 (ja) 2021-11-24
WO2019130772A1 (ja) 2019-07-04
CN111511680A (zh) 2020-08-07
CN111511680B (zh) 2023-10-24
US11835679B2 (en) 2023-12-05
US20200319373A1 (en) 2020-10-08
KR20200100630A (ko) 2020-08-26
EP3733595A4 (en) 2021-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102629669B1 (ko) 흑색 차광막 형성용 분말 및 그 제조 방법
KR102411232B1 (ko) 질화지르코늄 분말 및 그 제조 방법
KR102128693B1 (ko) 질화지르코늄 분말 및 그 제조 방법
KR102099066B1 (ko) 흑색막 형성용 혼합 분말 및 그 제조 방법
WO2019031246A1 (ja) 電磁波吸収透明基材
WO2021171703A1 (ja) 黒色材料及びその製造方法、黒色感光性組成物及びその製造方法、並びに黒色パターニング膜及びその形成方法
JP6949604B2 (ja) 黒色膜形成用混合粉末の製造方法
WO2023053809A1 (ja) 酸化アルミニウム系組成物含有窒化ジルコニウム粉末及びその製造方法
JP2022054794A (ja) 窒化ジルコニウム粉末及びその製造方法
JP2023107263A (ja) 亜鉛系組成物含有窒化ジルコニウム粉末及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant