KR102618237B1 - Conductive materials and connection structures - Google Patents

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세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
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Abstract

보존 안정성이 높고, 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치된 후, 장시간 방치되어도 우수한 땜납 응집성을 나타내는 점에서, 높은 도통 신뢰성을 발현할 수 있는 도전 재료를 제공한다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열경화성 성분과, 플럭스를 포함하고, 상기 플럭스가 산과 염기의 염이고, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스가 고체로 존재한다.A conductive material capable of exhibiting high conduction reliability is provided in that it has high storage stability and exhibits excellent solder cohesion even when left for a long time after the conductive material is disposed on the member to be connected. The electrically conductive material according to the present invention includes a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the electrically conductive portion, a thermosetting component, and a flux. The flux is a salt of an acid and a base, and among the electrically conductive materials at 25°C, the above The flux exists as a solid.

Description

도전 재료 및 접속 구조체Conductive materials and connection structures

본 발명은, 땜납을 갖는 도전성 입자를 포함하는 도전 재료에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive material containing conductive particles containing solder. Furthermore, the present invention relates to a bonded structure using the above-described electrically conductive material.

이방성 도전 페이스트 및 이방성 도전 필름 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 상기 이방성 도전 재료에서는, 결합제 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive paste and anisotropic conductive film are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in the binder.

상기 이방성 도전 재료는, 각종 접속 구조체를 얻기 위해서, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판과 유리 기판과의 접속(FOG(Film on Glass)), 반도체 칩과 플렉시블 프린트 기판과의 접속(COF(Chip on Film)), 반도체 칩과 유리 기판과의 접속(COG(Chip on Glass)), 및 플렉시블 프린트 기판과 유리 에폭시 기판과의 접속(FOB(Film on Board)) 등에 사용되고 있다.The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures, for example, connection between a flexible printed board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), connection between a semiconductor chip and a flexible printed board (COF (Chip on Film)) ), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)).

상기 이방성 도전 재료에 의해, 예를 들어 플렉시블 프린트 기판의 전극과 유리 에폭시 기판의 전극을 전기적으로 접속할 때에는, 유리 에폭시 기판 상에, 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료를 배치한다. 이어서, 플렉시블 프린트 기판을 적층하고, 가열 및 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 재료를 경화시켜서, 도전성 입자를 개재하여 전극 사이를 전기적으로 접속하여, 접속 구조체를 얻는다.When, for example, an electrode of a flexible printed circuit board and an electrode of a glass epoxy substrate are electrically connected by the anisotropic conductive material, the anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. Next, flexible printed boards are laminated, heated and pressed. Thereby, the anisotropic electrically-conductive material is hardened, the electrodes are electrically connected via electroconductive particles, and a connected structure is obtained.

상기 이방성 도전 재료의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는, 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 융점에서 경화가 완료되지 않은 수지 성분을 포함하는 이방성 도전 재료가 기재되어 있다. 상기 도전성 입자로서는, 구체적으로는 주석(Sn), 인듐(In), 비스무트(Bi), 은(Ag), 구리(Cu), 아연(Zn), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga) 및 탈륨(Tl) 등의 금속이나, 이들 금속의 합금이 예시되어 있다.As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 below describes an anisotropic conductive material containing conductive particles and a resin component whose curing has not been completed at the melting point of the conductive particles. Specifically, the conductive particles include tin (Sn), indium (In), bismuth (Bi), silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), lead (Pb), cadmium (Cd), and gallium ( Metals such as Ga) and thallium (Tl) and alloys of these metals are exemplified.

특허문헌 1에서는, 상기 도전성 입자의 융점보다도 높고, 또한 상기 수지 성분의 경화가 완료되지 않은 온도로, 이방성 도전 수지를 가열하는 수지 가열 스텝과, 상기 수지 성분을 경화시키는 수지 성분 경화 스텝을 거쳐서, 전극 사이를 전기적으로 접속하는 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 특허문헌 1의 도 8에 나타낸 온도 프로파일에서 실장을 행하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 이방성 도전 수지가 가열되는 온도에서 경화가 완료되지 않은 수지 성분 내에서, 도전성 입자가 용융한다.In Patent Document 1, a resin heating step of heating the anisotropic conductive resin to a temperature that is higher than the melting point of the conductive particles and at which curing of the resin component is not completed, and a resin component curing step of curing the resin component, Electrical connection between electrodes is described. Additionally, Patent Document 1 describes mounting under the temperature profile shown in FIG. 8 of Patent Document 1. In Patent Document 1, the conductive particles melt within the resin component where curing has not been completed at the temperature at which the anisotropic conductive resin is heated.

하기의 특허문헌 2에는, 열경화성 수지를 포함하는 수지층과, 땜납분과, 경화제를 포함하고, 상기 땜납분과 상기 경화제가 상기 수지층 중에 존재하는 접착 테이프가 개시되어 있다. 이 접착 테이프는, 필름상이고, 페이스트상이 아니다.Patent Document 2 below discloses an adhesive tape that includes a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, and the solder powder and the curing agent are present in the resin layer. This adhesive tape is in the form of a film and not a paste.

하기의 특허문헌 3에는, 땜납 입자, 열경화성 수지 결합제 및 플럭스 성분을 함유하는 열경화성 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 3에서는, 상기 플럭스 성분으로서는, (1) 디카르복실산 또는 트리카르복실산과 디에탄올아민류 또는 트리에탄올아민류와의 염, 및 (2) 카르복실산 무수물과 디에탄올아민류 또는 트리에탄올아민류와의 부가 반응물이 예시되어 있다.Patent Document 3 below discloses a thermosetting resin composition containing solder particles, a thermosetting resin binder, and a flux component. In Patent Document 3, the flux components include (1) a salt of dicarboxylic acid or tricarboxylic acid and diethanolamines or triethanolamines, and (2) addition of a carboxylic acid anhydride and diethanolamines or triethanolamines. Reactants are illustrated.

일본 특허 공개 제2004-260131호 공보Japanese Patent Publication No. 2004-260131 WO2008/023452A1WO2008/023452A1 일본 특허 공개 제2013-256584호 공보Japanese Patent Publication No. 2013-256584

종래의 땜납분이나, 땜납층을 표면에 갖는 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 페이스트에서는, 보존 안정성이 낮은 경우가 있다. 또한, 종래의 이방성 도전 페이스트에서는, 전극 간의 접속시에 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치된 후, 장시간 방치되었을 경우, 전극 상에 땜납이 응집하기 어려워지는 경우가 있다. 결과로서, 도통 신뢰성이 낮아지기 쉽다.Conventional solder powders and anisotropic electrically conductive pastes containing conductive particles having a solder layer on the surface may have low storage stability. Additionally, with conventional anisotropic conductive pastes, when the conductive material is disposed on the connection target member during connection between electrodes and then left for a long time, it may become difficult for the solder to aggregate on the electrodes. As a result, conduction reliability is likely to decrease.

본 발명의 목적은, 보존 안정성이 높고, 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치된 후, 장시간 방치되어도 우수한 땜납 응집성을 나타내는 점에서, 높은 도통 신뢰성을 발현할 수 있는 도전 재료를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은, 상기 도전 재료를 사용한 접속 구조체를 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to provide a conductive material capable of exhibiting high conduction reliability because it has high storage stability and exhibits excellent solder cohesion even when left for a long time after the conductive material is disposed on the member to be connected. Furthermore, an object of the present invention is to provide a bonded structure using the above-described electrically conductive material.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열경화성 성분과, 플럭스를 포함하고, 상기 플럭스가 산과 염기의 염이고, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스가 25℃에서 고체로 존재하는, 도전 재료가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, the flux includes a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion, a thermosetting component, and a flux, the flux is a salt of an acid and a base, and the flux is selected from among conductive materials at 25°C. A conductive material is provided that exists as a solid at 25°C.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자 및 상기 열경화성 성분과 혼합되어 있지 않은 상태에서, 상기 플럭스 단체가 25℃에서 고체이다.In a certain aspect of the electrically conductive material according to the present invention, the flux alone is solid at 25°C when not mixed with the electrically conductive particles and the thermosetting component.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 플럭스가 카르복실기를 갖는 유기 화합물과 아미노기를 갖는 유기 화합물의 염이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the flux is a salt of an organic compound having a carboxyl group and an organic compound having an amino group.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스의 평균 입자 직경이 30㎛ 이하이다.In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the average particle diameter of the flux is 30 μm or less in the conductive material at 25°C.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스의 평균 입자 직경의, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경에 대한 비가 3 이하이다.In a specific aspect of the electrically conductive material according to the present invention, in the electrically conductive material at 25°C, the ratio of the average particle diameter of the flux to the average particle diameter of the electrically conductive particles is 3 or less.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 플럭스의 융점이, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-50℃ 이상, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점+50℃ 이하이다.In a specific aspect of the electrically conductive material according to the present invention, the melting point of the flux is -50°C or higher than the melting point of the solder in the conductive particles and is equal to or lower than the melting point of the solder in the conductive particles +50°C.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자가 땜납 입자이다.In a specific aspect of the electrically conductive material according to the present invention, the electrically conductive particles are solder particles.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 열경화성 성분이 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함한다.In a specific aspect of the electrically-conductive material according to the present invention, the thermosetting component contains a thermosetting compound having a triazine skeleton.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자의 표면 상에, 상기 플럭스가 부착되어 있다.In a certain situation of the electrically-conductive material which concerns on this invention, the said flux adheres on the surface of the said electroconductive particle.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상 40㎛ 이하이다.In a certain situation of the electrically-conductive material which concerns on this invention, the average particle diameter of the said electroconductive particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량이 10중량% 이상 90중량% 이하이다.In a certain situation of the electrically-conductive material which concerns on this invention, content of the said electroconductive particle is 10 weight% or more and 90 weight% or less in 100 weight% of the said electrically-conductive materials.

본 발명에 따른 도전 재료의 어느 특정한 국면에서는, 상기 도전 재료는 도전 페이스트이다.In a specific aspect of the electrically conductive material according to the present invention, the electrically conductive material is an electrically conductive paste.

본 발명의 넓은 국면에 의하면, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고, 상기 접속부의 재료가, 상술한 도전 재료이고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체가 제공된다.According to a broad aspect of the present invention, there is provided a first connection target member having at least one first electrode on its surface, a second connection target member having at least one second electrode on its surface, the first connection target member, and the above A connection comprising a connection part connecting a second connection target member, wherein the material of the connection part is the above-described conductive material, and the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection part. A structure is provided.

본 발명에 따른 접속 구조체의 어느 특정한 국면에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상에, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있다.In a specific aspect of the connection structure according to the present invention, when the portions of the first electrode and the second electrode facing each other are viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode A solder portion in the connection portion is disposed in more than 50% of 100% of the area of the opposing portion of the second electrode.

본 발명에 따른 도전 재료는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와, 열경화성 성분과, 플럭스를 포함하고, 상기 플럭스가, 산과 염기의 염이고, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스가 고체로 존재하므로, 도전 재료의 보존 안정성을 높일 수 있고, 또한 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치된 후, 장시간 방치되어도 우수한 땜납 응집성을 나타내는 점에서, 높은 도통 신뢰성을 발현 할 수 있다.The conductive material according to the present invention includes a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion, a thermosetting component, and a flux. The flux is a salt of an acid and a base, and among the conductive materials at 25°C, Since the flux exists in a solid state, the storage stability of the conductive material can be improved, and after the conductive material is placed on the member to be connected, it exhibits excellent solder cohesion even if left for a long time, thereby demonstrating high conduction reliability. .

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2의 (a) 내지 (c)는, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체를 제조하는 방법의 일례 각 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은, 접속 구조체의 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 4는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 도시하는 단면도이다.
도 5는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 도시하는 단면도이다.
도 6은, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 도시하는 단면도이다.
1 is a cross-sectional view schematically showing a bonded structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
2(a) to 2(c) are cross-sectional views for illustrating an example of each step of a method of manufacturing a bonded structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing a modified example of the bonded structure.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles that can be used in an electrically conductive material.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles that can be used in an electrically conductive material.
Fig. 6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles that can be used in electrically conductive materials.

이하, 본 발명의 상세를 설명한다.Hereinafter, the details of the present invention will be described.

(도전 재료)(Challenge Materials)

본 발명에 따른 도전 재료는, 복수의 도전성 입자와, 결합제를 포함한다. 상기 도전성 입자는, 도전부를 갖는다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는다. 땜납은 도전부에 포함되고, 도전부의 일부 또는 전부이다. 상기 결합제는 상기 도전 재료에 포함되는 도전성 입자를 제외한 성분이다.The electrically conductive material according to the present invention contains a plurality of conductive particles and a binder. The said electroconductive particle has an electroconductive part. The electrically conductive particles have solder on the outer surface of the electrically conductive portion. Solder is included in the conductive portion and is part or all of the conductive portion. The binder is a component excluding the conductive particles contained in the conductive material.

본 발명에 따른 도전 재료는, 상기 결합제로서, 열경화성 성분과 플럭스를 포함한다. 상기 열경화성 성분은, 열경화성 화합물과, 열경화제를 포함하는 것이 바람직하다.The electrically conductive material according to the present invention contains a thermosetting component and a flux as the binder. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.

본 발명에 따른 도전 재료에서는, 상기 플럭스가 산과 염기의 염이다. 또한, 본 발명에 따른 도전 재료에서는, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스가 고체로 존재한다. 보다 구체적으로는, 본 발명에 따른 도전 재료에서는, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스가 25℃에서 고체로 존재한다.In the electrically conductive material according to the present invention, the flux is a salt of an acid and a base. In addition, in the electrically conductive material according to the present invention, the flux exists as a solid in the electrically conductive material at 25°C. More specifically, in the electrically conductive material according to the present invention, the flux exists as a solid at 25°C in the electrically conductive material at 25°C.

또한, 상기 플럭스가 25℃의 도전 재료 중에서 고체인지의 여부에 대해서는, 이하와 같이 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 25℃에서 액체가 아닌 플럭스에 대해서는, 25℃에서 플럭스를 포함하는 도전 재료를 5분간 정치했을 때에 형상을 유지하는 플럭스를, 25℃에서 고체의 플럭스라고 정의하고, 25℃에서 플럭스를 포함하는 도전 재료를 5분간 정치했을 때에 형상을 유지하지 않는 플럭스를 25℃에서 반고체의 플럭스라고 정의한다. 또한, 25℃에서 반고체의 플럭스는, 25℃에서 고체의 플럭스에 포함되지 않는다.Additionally, whether the flux is solid in a conductive material at 25°C can be determined as follows. In this specification, regarding flux that is not a liquid at 25°C, a flux that maintains its shape when the conductive material containing the flux is left standing for 5 minutes at 25°C is defined as a solid flux at 25°C. A flux that does not maintain its shape when the conductive material containing the flux is left standing for 5 minutes is defined as a semi-solid flux at 25°C. Additionally, the flux of semi-solids at 25°C is not included in the flux of solids at 25°C.

본 발명에서는, 상기의 구성이 구비되어 있으므로, 도전 재료의 보존 안정성을 높일 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 상기의 구성이 구비되어 있으므로, 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치된 후, 장시간 방치되어도 우수한 땜납 응집성을 나타내는 점에서, 높은 도통 신뢰성을 발현할 수 있다.In the present invention, since the above-described structure is provided, the storage stability of the conductive material can be improved. Furthermore, in the present invention, since the above-mentioned configuration is provided, excellent solder cohesion is exhibited even if left for a long time after the conductive material is disposed on the member to be connected, and thus high conduction reliability can be achieved.

본 발명에서는, 상기 도전성 입자 및 상기 열경화성 성분과 혼합되어 있지 않은 상태에서, 상기 플럭스 단체가, 25℃에서 고체인 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자 및 상기 열경화성 성분과 혼합되기 전의 상기 플럭스 단체가, 25℃에서 고체인 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스를 고체로 존재시키는 것이 용이하다.In the present invention, it is preferable that the flux alone is solid at 25°C when not mixed with the conductive particles and the thermosetting component. It is preferable that the flux alone before being mixed with the conductive particles and the thermosetting component is solid at 25°C. In these cases, it is easy to make the flux exist as a solid in a conductive material at 25°C.

또한, 상기 플럭스 단체가 25℃에서 고체인지의 여부에 대해서는, 이하와 같이 판단할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 25℃에서 액체가 아닌 플럭스에 대해서는, 25℃에서 플럭스 단체를 5분간 정치했을 때에 형상을 유지하는 플럭스를, 25℃에서 고체의 플럭스라고 정의하고, 25℃에서 플럭스 단체를 5분간 정치했을 때에 형상을 유지하지 않는 플럭스를 25℃에서 반고체의 플럭스라고 정의한다. 또한, 25℃에서 반고체의 플럭스는, 25℃에서 고체의 플럭스에 포함되지 않는다.Additionally, whether the flux alone is solid at 25°C can be judged as follows. In this specification, regarding flux that is not a liquid at 25°C, flux that maintains its shape when the flux alone is left for 5 minutes at 25°C is defined as a solid flux at 25°C, and the flux alone at 25°C is defined as 5 minutes. A flux that does not maintain its shape when left to stand for a minute is defined as a semi-solid flux at 25°C. Additionally, the flux of semi-solids at 25°C is not included in the flux of solids at 25°C.

접속 구조체를 얻을 때에는, 제1 접속 대상 부재 상에 도전 재료를 배치한 후, 제1 접속 대상 부재와 도전 재료의 적층체가, 도전 재료 상에 제2 접속 대상 부재를 배치하기 전에, 일시적으로 보관되는 경우가 있다. 본 발명에서는, 상기 적층체가 보관되었다고 해도, 도통 신뢰성이 우수한 접속 구조체를 얻을 수 있다.When obtaining the connection structure, after disposing the conductive material on the first connection target member, the laminate of the first connection target member and the conductive material is temporarily stored before disposing the second connection target member on the conductive material. There are cases. In the present invention, a connection structure with excellent conduction reliability can be obtained even if the laminate is stored.

또한, 본 발명에서는, 상기의 구성이 구비되어 있으므로, 전극 폭이 좁아도 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 전극 폭이 좁은 경우에, 전극 상에 도전성 입자의 땜납을 모으기 어려운 경향이 있지만, 본 발명에서는, 전극 폭이 좁아도, 전극 상에 땜납을 충분히 모을 수 있다. 본 발명에서는, 상기의 구성이 구비되어 있으므로, 전극 사이를 전기적으로 접속한 경우에, 도전성 입자에 있어서의 땜납이, 상하가 대향한 전극 사이에 위치하기 쉽고, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 전극 폭이 넓으면, 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다.Furthermore, in the present invention, since the above-described structure is provided, the solder in the conductive particles can be efficiently disposed on the electrode even if the electrode width is narrow. When the electrode width is narrow, it tends to be difficult to collect the solder of the conductive particles on the electrode. However, in the present invention, even if the electrode width is narrow, it is possible to sufficiently collect the solder on the electrode. In the present invention, since the above-mentioned structure is provided, when the electrodes are electrically connected, the solder in the conductive particles is easy to be located between the upper and lower opposing electrodes, and the solder in the conductive particles is connected to the electrode ( It can be placed efficiently on the line. Additionally, in the present invention, when the electrode width is wide, the solder in the conductive particles is more efficiently disposed on the electrode.

또한, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어렵고, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 본 발명에서는, 대향하는 전극 사이에 위치하고 있지 않은 땜납을, 대향하는 전극 사이에 효율적으로 이동시킬 수 있다. 따라서, 전극 간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안 되는 가로 방향으로 인접하는 전극 간의 전기적인 접속을 방지할 수 있고, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.Additionally, it is difficult for a part of the solder in the conductive particles to be placed in the area (space) where the electrode is not formed, and the amount of solder placed in the area where the electrode is not formed can be significantly reduced. In the present invention, solder that is not located between opposing electrodes can be efficiently moved between opposing electrodes. Therefore, the reliability of conduction between electrodes can be increased. In addition, electrical connection between horizontally adjacent electrodes that should not be connected can be prevented, and insulation reliability can be improved.

또한, 본 발명에서는, 도전 재료의 경화물의 내열성을 높일 수 있다. 특히, 광 반도체 장치에 도전 재료를 사용한 경우에, 광 조사시에 발열하고, 도전 재료의 경화물이 고온 하에 노출된다. 본 발명에 따른 도전 재료는, 경화물의 내열성이 우수하므로, 광반도체 장치에 적합하게 사용할 수 있다. 특히, 열경화성 화합물이, 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는 경우에, 경화물의 내열성이 높아진다.Additionally, in the present invention, the heat resistance of the cured product of the conductive material can be improved. In particular, when a conductive material is used in an optical semiconductor device, heat is generated when irradiated with light, and the cured product of the conductive material is exposed to high temperatures. Since the electrically conductive material according to the present invention is excellent in heat resistance of the cured product, it can be suitably used in an optical semiconductor device. In particular, when the thermosetting compound contains a thermosetting compound having a triazine skeleton, the heat resistance of the cured product increases.

또한, 본 발명에서는, 전극 간의 위치 어긋남을 방지할 수 있다. 본 발명에서는, 도전 재료를 상면에 배치한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극의 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과).Additionally, in the present invention, positional misalignment between electrodes can be prevented. In the present invention, when the second connection target member is overlapped with the first connection target member on which a conductive material is disposed on the upper surface, the alignment of the electrodes of the first connection target member and the electrode of the second connection target member is misaligned, Even when the first connection target member and the second connection target member overlap, the misalignment can be corrected and the electrode of the first connection target member can be connected to the electrode of the second connection target member (self-alignment effect).

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하기 위해서, 상기 도전 재료는 25℃에서 액상인 것이 바람직하고, 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하기 위해서, 상기 도전 재료의 25℃에서의 점도(η25)는 바람직하게는 10Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상, 더욱 바람직하게는 100Pa·s 이상이고, 바람직하게는 800Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 600Pa·s 이하, 더욱 바람직하게는 500Pa·s 이하이다. 상기 점도(η25)는 배합 성분의 종류 및 배합량에 따라 적절히 조정 가능하다.In order to more efficiently arrange the solder in the conductive particles on the electrode, the conductive material is preferably in a liquid state at 25°C, and is preferably a conductive paste. In order to more efficiently arrange the solder in the conductive particles on the electrode, the viscosity (η25) at 25°C of the conductive material is preferably 10 Pa·s or more, more preferably 50 Pa·s or more, even more preferably Preferably it is 100 Pa·s or more, preferably 800 Pa·s or less, more preferably 600 Pa·s or less, and even more preferably 500 Pa·s or less. The viscosity (η25) can be appropriately adjusted depending on the type and amount of blended ingredients.

상기 점도(η25)는, 예를 들어 E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」) 등을 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정 가능하다.The viscosity (η25) can be measured under conditions of 25°C and 5 rpm using, for example, an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

상기 도전 재료는, 도전 페이스트 및 도전 필름 등으로서 사용될 수 있다. 상기 도전 필름은 이방성 도전 필름인 것이 바람직하다. 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 도전 재료는 도전 페이스트인 것이 바람직하다. 상기 도전 재료는, 전극의 전기적인 접속에 적합하게 사용된다. 상기 도전 재료는, 회로 접속 재료인 것이 바람직하다.The above-mentioned electrically conductive material can be used as a conductive paste, a conductive film, etc. It is preferable that the conductive film is an anisotropic conductive film. From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, it is preferable that the electrically conductive material is an electrically conductive paste. The above-mentioned conductive material is suitably used for electrical connection of electrodes. It is preferable that the said electrically-conductive material is a circuit connection material.

이하, 상기 도전 재료에 포함되는 각 성분을 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴레이트」는 「아크릴레이트」와 「메타크릴레이트」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴」은 「아크릴」과 「메타크릴」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미하고, 「(메트)아크릴로일」은 「아크릴로일」과 「메타크릴로일」 중 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.Hereinafter, each component contained in the above-mentioned conductive material will be described. In addition, in this specification, “(meth)acrylate” means one or both of “acrylate” and “methacrylate”, and “(meth)acrylic” means either “acrylic” or “methacrylate”. Or it means both, and “(meth)acryloyl” means one or both of “acryloyl” and “methacryloyl”.

(도전성 입자)(Conductive particles)

상기 도전성 입자는, 접속 대상 부재의 전극 사이를 전기적으로 접속한다. 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는다. 상기 도전성 입자는, 땜납에 의해 형성된 땜납 입자여도 된다. 상기 땜납 입자는, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는다. 상기 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분의 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다. 상기 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전성의 외표면 모두가 땜납인 입자이다. 상기 땜납 입자는, 코어 입자로서, 기재 입자를 갖지 않는다. 상기 땜납 입자는, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 구비하는 도전성 입자와는 상이하다. 상기 땜납 입자는, 예를 들어 땜납을 바람직하게는 80중량% 이상, 보다 바람직하게는 90중량% 이상, 더욱 바람직하게는 95중량% 이상으로 포함한다. 상기 도전성 입자는, 기재 입자와, 해당 기재 입자의 표면 상에 배치된 도전부를 갖고 있어도 된다. 이 경우에, 상기 도전성 입자는, 도전부의 외표면 부분에, 땜납을 갖는다.The electrically conductive particles electrically connect electrodes of connection target members. The electrically conductive particles have solder on the outer surface of the electrically conductive portion. The conductive particles may be solder particles formed from solder. The solder particles have solder on the outer surface of the conductive portion. As for the solder particles, both the center portion and the outer surface portion of the conductive portion are formed of solder. The solder particles are particles in which both the center portion and the conductive outer surface are solder. The solder particles are core particles and do not have base particles. The said solder particle is different from a substrate particle and an electroconductive particle provided with the electrically conductive part arrange|positioned on the surface of the said substrate particle. The solder particles, for example, preferably contain solder in an amount of 80% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, and even more preferably 95% by weight or more. The said electroconductive particle may have a substrate particle and an electrically conductive part arrange|positioned on the surface of the said substrate particle. In this case, the conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion.

또한, 상기 땜납 입자를 사용한 경우에 비하여, 땜납에 의해 형성되어 있지 않은 기재 입자와 기재 입자의 표면 상에 배치된 땜납부를 구비하는 도전성 입자를 사용한 경우에는, 전극 상에 도전성 입자가 모이기 어려워지고, 도전성 입자끼리의 땜납 접합성이 낮기 때문에, 전극 상에 이동한 도전성 입자가 전극 외로 이동하기 쉬워지는 경향이 있고, 전극 간의 위치 어긋남의 억제 효과도 낮아지는 경향이 있다. 따라서, 상기 도전성 입자는, 땜납에 의해 형성된 땜납 입자인 것이 바람직하다.Furthermore, compared to the case where the solder particles are used, when conductive particles including base particles not formed of solder and solder portions disposed on the surface of the base particles are used, it becomes difficult for the conductive particles to gather on the electrode, Since the solder bondability between conductive particles is low, conductive particles that have moved on the electrode tend to move outside the electrode, and the effect of suppressing misalignment between electrodes also tends to decrease. Therefore, it is preferable that the conductive particles are solder particles formed by solder.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, 카르복실기 또는 아미노기가 존재하는 것이 바람직하고, 카르복실기가 존재하는 것이 바람직하고, 아미노기가 존재하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자의 외표면(땜납의 외표면)에, Si-O 결합, 에테르 결합, 에스테르 결합 또는 하기 식 (X)로 표시되는 기를 개재하여, 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 것이 바람직하다. 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기는, 카르복실기와 아미노기의 양쪽을 포함하고 있어도 된다. 또한, 하기 식 (X)에 있어서, 우측 단부 및 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, it is preferable that a carboxyl group or an amino group is present on the outer surface of the conductive particle (outer surface of the solder), and the carboxyl group is present. It is preferable that an amino group is present. It is preferable that a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded to the outer surface of the conductive particles (outer surface of solder) through a Si-O bond, an ether bond, an ester bond, or a group represented by the following formula (X). do. The group containing a carboxyl group or an amino group may contain both a carboxyl group and an amino group. Additionally, in the following formula (X), the right end and left end represent binding sites.

Figure 112018002853810-pct00001
Figure 112018002853810-pct00001

땜납의 표면에 수산기가 존재한다. 이 수산기와 카르복실기를 포함하는 기를 공유 결합시킴으로써, 다른 배위 결합(킬레이트 배위) 등으로 결합시키는 경우보다도 강한 결합을 형성할 수 있기 때문에, 전극 간의 접속 저항을 낮게 하고, 또한 보이드의 발생을 억제하는 것이 가능한 도전성 입자가 얻어진다.Hydroxyl groups exist on the surface of the solder. By covalently bonding a group containing a hydroxyl group to a carboxyl group, a stronger bond can be formed than when bonding through other coordination bonds (chelate coordination), etc., so the connection resistance between electrodes is lowered and the generation of voids is suppressed. Possible conductive particles are obtained.

상기 도전성 입자에서는, 땜납의 표면과, 카르복실기를 포함하는 기의 결합 형태로, 배위 결합이 포함되어 있지 않아도 되고, 킬레이트 배위에 의한 결합이 포함되어 있지 않아도 된다.In the above-described conductive particles, the bond between the surface of the solder and the group containing the carboxyl group does not need to contain a coordination bond, nor does it need to include a bond by chelate coordination.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기 또는 아미노기를 갖는 화합물(이하, 화합물 X라고 기재하는 경우가 있음)을 사용하여, 땜납의 표면의 수산기에, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납 표면의 수산기와 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자를 용이하게 얻을 수 있고, 땜납의 표면에 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 개재하여 카르복실기 또는 아미노기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 땜납 입자를 얻을 수도 있다. 상기 땜납의 표면의 수산기에 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 상기 화합물 X를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the conductive particles are compounds having a carboxyl group or an amino group and a functional group capable of reacting with a hydroxyl group (hereinafter sometimes referred to as compound ) is preferably obtained by reacting a functional group that can react with the hydroxyl group with the hydroxyl group on the surface of the solder. In this reaction, a covalent bond is formed. By reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound It is also possible to obtain solder particles in which a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded through a bond or ester bond. By reacting a functional group capable of reacting with the hydroxyl group on the surface of the solder, the compound

상기 수산기와 반응 가능한 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 에스테르기 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 수산기 또는 카르복실기가 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다.Functional groups capable of reacting with the hydroxyl group include hydroxyl group, carboxyl group, ester group, and carbonyl group. Hydroxyl or carboxyl groups are preferred. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be a hydroxyl group or a carboxyl group.

수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀레산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물은, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물인 것이 바람직하다.Compounds having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, and 4-aminobutyric acid. , 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecane Acids, hexadecanoic acid, 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15)-linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid and dodecanoic acid. etc. can be mentioned. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. Only one type of compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be used, or two or more types may be used in combination. The compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group is preferably a compound having at least one carboxyl group.

상기 화합물 X는, 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하고, 상기 화합물 X는 땜납의 표면에 결합한 상태에서 플럭스 작용을 갖는 것이 바람직하다. 플럭스 작용을 갖는 화합물은, 땜납의 표면 산화막 및 전극의 표면 산화막을 제거 가능하다. 카르복실기는 플럭스 작용을 갖는다.The compound A compound having a flux action can remove the surface oxide film of the solder and the surface oxide film of the electrode. The carboxyl group has a flux action.

플럭스 작용을 갖는 화합물로서는, 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 아디프산, 숙신산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산 및 4-페닐부티르산 등을 들 수 있다. 글루타르산, 아디프산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 플럭스 작용을 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Compounds having a flux effect include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, adipic acid, succinic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3-mercaptopropionic acid, and 3-mercap. Examples include toisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, and 4-phenylbutyric acid. Glutaric acid, adipic acid or glycolic acid are preferred. Only one type of compound having the above flux action may be used, or two or more types may be used in combination.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가, 수산기 또는 카르복실기인 것이 바람직하다. 상기 화합물 X에 있어서의 상기 수산기와 반응 가능한 관능기는, 수산기여도 되고, 카르복실기여도 된다. 상기 수산기와 반응 가능한 관능기가 카르복실기인 경우에는, 상기 화합물 X는, 카르복실기를 적어도 2개 갖는 것이 바람직하다. 카르복실기를 적어도 2개 갖는 화합물의 일부 카르복실기를, 땜납 표면의 수산기에 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자가 얻어진다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connected structure and effectively suppressing the generation of voids, it is preferable that the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X is a hydroxyl group or a carboxyl group. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound When the functional group capable of reacting with the hydroxyl group is a carboxyl group, it is preferable that the compound X has at least two carboxyl groups. By reacting some of the carboxyl groups of a compound having at least two carboxyl groups with hydroxyl groups on the surface of the solder, conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder are obtained.

상기 도전성 입자의 제조 방법은, 예를 들어 도전성 입자를 사용하여, 상기 도전성 입자, 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 촉매 및 용매를 혼합하는 공정을 구비한다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기 혼합 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.The method for producing the conductive particles includes, for example, a step of using the conductive particles and mixing the conductive particles, a compound having a functional group and a carboxyl group capable of reacting with hydroxyl group, a catalyst, and a solvent. In the method for producing conductive particles, conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained through the mixing step.

또한, 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하여, 상기 도전성 입자, 상기 수산기와 반응 가능한 관능기와 카르복실기를 갖는 화합물, 상기 촉매 및 상기 용매를 혼합하고, 가열하는 것이 바람직하다. 혼합 및 가열 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 보다 한층 용이하게 얻을 수 있다.In addition, in the method for producing the conductive particles, it is preferable to use the conductive particles, mix the conductive particles, a compound having a functional group and a carboxyl group capable of reacting with the hydroxyl group, the catalyst, and the solvent, and then heat the mixture. Through the mixing and heating process, conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be more easily obtained.

상기 용매로서는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올 용매나, 아세톤, 메틸에틸케톤, 아세트산에틸, 톨루엔 및 크실렌 등을 들 수 있다. 상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하고, 톨루엔인 것이 보다 바람직하다. 상기 용매는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the solvent include alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, and butanol, acetone, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene, and xylene. The solvent is preferably an organic solvent, and more preferably toluene. As for the said solvent, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used together.

상기 촉매로서는, p-톨루엔술폰산, 벤젠술폰산 및 10-캄포술폰산 등을 들 수 있다. 상기 촉매는, p-톨루엔술폰산인 것이 바람직하다. 상기 촉매는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the catalyst include p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, and 10-camphorsulfonic acid. The catalyst is preferably p-toluenesulfonic acid. Only one type of the said catalyst may be used, and two or more types may be used together.

상기 혼합시에 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 바람직하게는 90℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상이고, 바람직하게는 130℃ 이하, 보다 바람직하게는 110℃ 이하이다.It is preferable to heat during the mixing. The heating temperature is preferably 90°C or higher, more preferably 100°C or higher, preferably 130°C or lower, and more preferably 110°C or lower.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 도전성 입자는, 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 공정을 거쳐서 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 반응에서는, 공유 결합을 형성시킨다. 땜납 표면의 수산기와 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 이소시아네이트기에서 유래되는 기의 질소 원자가 공유 결합하고 있는 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다. 상기 땜납 표면의 수산기에 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에, 이소시아네이트기에서 유래되는 기를 공유 결합의 형태로 화학 결합시킬 수 있다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the conductive particles are obtained through a step of using an isocyanate compound and reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the solder surface. desirable. In this reaction, a covalent bond is formed. By reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with the above-mentioned isocyanate compound, conductive particles in which the nitrogen atom of the group derived from the isocyanate group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained. By reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the solder surface, the group derived from the isocyanate group can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

또한, 이소시아네이트기에서 유래되는 기에는, 실란 커플링제를 용이하게 반응시킬 수 있다. 상기 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있으므로, 상기 카르복실기를 포함하는 기가, 카르복실기를 갖는 실란 커플링제를 사용한 반응에 의해 도입되어 있거나, 또는 실란 커플링제를 사용한 반응의 후에, 실란 커플링제에서 유래되는 기에 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시킴으로써 도입되어 있는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다.Additionally, a silane coupling agent can be easily reacted with a group derived from an isocyanate group. Since the above-described conductive particles can be easily obtained, the group containing the carboxyl group is introduced by reaction using a silane coupling agent having a carboxyl group, or the carboxyl group is added to a group derived from the silane coupling agent after reaction using a silane coupling agent. It is preferable that it is introduced by reacting a compound having at least one. The conductive particles are preferably obtained by using the isocyanate compound to react with a hydroxyl group on the solder surface, and then reacting the isocyanate compound with a compound having at least one carboxyl group.

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이, 카르복실기를 복수 갖는 것이 바람직하다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connected structure and effectively suppressing the generation of voids, it is preferable that the compound having at least one carboxyl group has a plurality of carboxyl groups.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 헥사메틸렌디이소시아네이트(HDI), 톨루엔디이소시아네이트(TDI) 및 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 등을 들 수 있다. 이들 이외의 이소시아네이트 화합물을 사용해도 된다. 이 화합물을 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔류 이소시아네이트기와, 그 잔류 이소시아네이트기와 반응성을 갖고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 식 (X)로 표시되는 기를 개재하여, 카르복실기를 도입할 수 있다.Examples of the isocyanate compound include diphenylmethane-4,4'-diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), toluene diisocyanate (TDI), and isophorone diisocyanate (IPDI). Isocyanate compounds other than these may be used. After reacting this compound with the surface of the solder, a residual isocyanate group is reacted with a compound that is reactive with the residual isocyanate group and also has a carboxyl group, thereby introducing a carboxyl group to the surface of the solder through the group represented by the formula (X). can do.

상기 이소시아네이트 화합물로서는, 불포화 이중 결합을 갖고, 또한 이소시아네이트기를 갖는 화합물을 사용해도 된다. 예를 들어, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 및 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 들 수 있다. 이 화합물의 이소시아네이트기를 땜납의 표면에 반응시킨 후, 잔존하고 있는 불포화 이중 결합에 대하여 반응성을 갖는 관능기를 갖고, 또한 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 땜납의 표면에 식 (X)로 표시되는 기를 개재하여, 카르복실기를 도입할 수 있다.As the isocyanate compound, a compound having an unsaturated double bond and an isocyanate group may be used. Examples include 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-isocyanatoethyl methacrylate. After reacting the isocyanate group of this compound with the surface of the solder, a compound having a functional group reactive to the remaining unsaturated double bond and also having a carboxyl group is reacted to form a group represented by the formula (X) on the surface of the solder. Thus, a carboxyl group can be introduced.

상기 실란 커플링제로서는, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란(신에쯔 실리콘사제 「KBE-9007」) 및 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란(MOMENTIVE사제 「Y-5187」) 등을 들 수 있다. 상기 실란 커플링제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Examples of the silane coupling agent include 3-isocyanate propyltriethoxysilane (“KBE-9007” manufactured by Shin-Etsu Silicone) and 3-isocyanate propyltrimethoxysilane (“Y-5187” manufactured by MOMENTIVE). As for the said silane coupling agent, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used together.

상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물로서는 레불린산, 글루타르산, 글리콜산, 숙신산, 말산, 옥살산, 말론산, 아디프산, 5-케토헥산산, 3-히드록시프로피온산, 4-아미노부티르산, 3-머캅토프로피온산, 3-머캅토이소부틸산, 3-메틸티오프로피온산, 3-페닐프로피온산, 3-페닐이소부틸산, 4-페닐부티르산, 데칸산, 도데칸산, 테트라데칸산, 펜타데칸산, 헥사데칸산, 9-헥사데센산, 헵타데칸산, 스테아르산, 올레산, 박센산, 리놀레산, (9,12,15)-리놀렌산, 노나데칸산, 아라키드산, 데칸이산 및 도데칸이산 등을 들 수 있다. 글루타르산, 아디프산 또는 글리콜산이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.Compounds having at least one carboxyl group include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3 -Mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, Hexadecanoic acid, 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15)-linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid and dodecanedioic acid. I can hear it. Glutaric acid, adipic acid or glycolic acid are preferred. Only one type of the compound having at least one carboxyl group may be used, or two or more types may be used in combination.

상기 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 복수 갖는 화합물의 일부 카르복실기를, 땜납 표면의 수산기와 반응시킴으로써, 카르복실기를 포함하는 기를 잔존시킬 수 있다.Using the isocyanate compound, a group containing a carboxyl group can remain by reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the solder surface and then reacting some of the carboxyl groups of the compound having a plurality of carboxyl groups with the hydroxyl group on the solder surface.

상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 도전성 입자를 사용하여, 또한, 이소시아네이트 화합물을 사용하여, 땜납 표면의 수산기에, 상기 이소시아네이트 화합물을 반응시킨 후, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물을 반응시켜서, 땜납의 표면에, 상기 식 (X)로 표시되는 기를 개재하여, 카르복실기를 포함하는 기가 결합하고 있는 도전성 입자를 얻는다. 상기 도전성 입자의 제조 방법에서는, 상기의 공정에 의해, 땜납의 표면에, 카르복실기를 포함하는 기가 도입된 도전성 입자를 용이하게 얻을 수 있다.In the method for producing conductive particles, conductive particles are used and an isocyanate compound is used to react the isocyanate compound with a hydroxyl group on the surface of the solder, and then react with a compound having at least one carboxyl group to form a compound on the surface of the solder. , to obtain conductive particles to which a group containing a carboxyl group is bonded through the group represented by the formula (X). In the method for producing conductive particles, conductive particles into which a group containing a carboxyl group is introduced into the surface of the solder can be easily obtained through the above-mentioned process.

상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시켜, 이소시아네이트기를 갖는 실란 커플링제를 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기의 반응 촉매를 사용하여, 땜납의 표면에 실란 커플링제를 공유 결합시킨다. 이어서, 실란 커플링제의 규소 원자에 결합하고 있는 알콕시기를 가수분해함으로써, 수산기를 생성시킨다. 생성한 수산기에, 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 카르복실기를 반응시킨다.Specific methods for producing the electrically conductive particles include the following methods. Conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a silane coupling agent having an isocyanate group is added. Thereafter, a silane coupling agent is covalently bonded to the surface of the solder using a reaction catalyst between the hydroxyl group and the isocyanate group on the solder surface of the conductive particles. Next, the alkoxy group bonded to the silicon atom of the silane coupling agent is hydrolyzed to generate a hydroxyl group. The resulting hydroxyl group is reacted with the carboxyl group of a compound having at least one carboxyl group.

또한, 상기 도전성 입자의 구체적인 제조 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 유기 용매에 도전성 입자를 분산시켜, 이소시아네이트기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가한다. 그 후, 도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기의 반응 촉매를 사용하여, 공유 결합을 형성시킨다. 그 후, 도입된 불포화 이중 결합에 대하여 불포화 이중 결합 및 카르복실기를 갖는 화합물을 반응시킨다.In addition, the following method is mentioned as a specific manufacturing method of the said electroconductive particle. Conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a compound having an isocyanate group and an unsaturated double bond is added. After that, a covalent bond is formed using a reaction catalyst between the hydroxyl group and the isocyanate group on the solder surface of the conductive particles. Thereafter, a compound having an unsaturated double bond and a carboxyl group is reacted with the introduced unsaturated double bond.

도전성 입자의 땜납 표면의 수산기와 이소시아네이트기의 반응 촉매로서는, 주석계 촉매(디부틸 주석 디라우레이트 등), 아민계 촉매(트리에틸렌디아민 등), 카르복실레이트 촉매(나프텐산납, 아세트산칼륨 등) 및 트리알킬포스핀 촉매(트리에틸포스핀 등) 등을 들 수 있다.Catalysts for the reaction of hydroxyl groups and isocyanate groups on the solder surface of conductive particles include tin-based catalysts (dibutyl tin dilaurate, etc.), amine-based catalysts (triethylenediamine, etc.), and carboxylate catalysts (lead naphthenate, potassium acetate, etc.) ) and trialkylphosphine catalysts (triethylphosphine, etc.).

접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 효과적으로 낮게 하고, 보이드의 발생을 효과적으로 억제하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 하기 식 (1)로 표시되는 화합물은, 플럭스 작용을 갖는다. 또한, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물은, 땜납의 표면에 도입된 상태에서 플럭스 작용을 갖는다.From the viewpoint of effectively lowering the connection resistance in the connected structure and effectively suppressing the generation of voids, the compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1). The compound represented by the following formula (1) has a flux effect. Additionally, the compound represented by the following formula (1) has a flux effect when introduced into the surface of the solder.

Figure 112018002853810-pct00002
Figure 112018002853810-pct00002

상기 식 (1) 중, X는 수산기와 반응 가능한 관능기를 나타내고, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 해당 유기기는, 탄소 원자와 수소 원자와 산소 원자를 포함하고 있어도 된다. 해당 유기기는 탄소수 1 내지 5의 2가의 탄화수소기여도 된다. 상기 유기기의 주쇄는 2가의 탄화수소기인 것이 바람직하다. 해당 유기기에서는, 2가의 탄화수소기에 카르복실기나 수산기가 결합하고 있어도 된다. 상기 식 (1)로 표시되는 화합물에는, 예를 들어 시트르산이 포함된다.In the above formula (1), X represents a functional group capable of reacting with a hydroxyl group, and R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. The organic group may contain a carbon atom, a hydrogen atom, and an oxygen atom. The organic group may be a divalent hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms. The main chain of the organic group is preferably a divalent hydrocarbon group. In the organic group, a carboxyl group or a hydroxyl group may be bonded to a divalent hydrocarbon group. The compound represented by the formula (1) includes, for example, citric acid.

상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은, 하기 식 (1A) 또는 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물은, 하기 식 (1A)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하고, 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A) or the following formula (1B). The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A), and more preferably a compound represented by the following formula (1B).

Figure 112018002853810-pct00003
Figure 112018002853810-pct00003

상기 식 (1A) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 동일하다.In the above formula (1A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the above formula (1A) is the same as R in the above formula (1).

Figure 112018002853810-pct00004
Figure 112018002853810-pct00004

상기 식 (1B) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (1B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 동일하다.In the above formula (1B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (1B) is the same as R in the formula (1).

땜납의 표면에, 하기 식 (2A) 또는 하기 식 (2B)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하다. 땜납의 표면에, 하기 식 (2A)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 바람직하고, 하기 식 (2B)로 표시되는 기가 결합하고 있는 것이 보다 바람직하다. 또한, 하기 식 (2A) 및 하기 식 (2B)에 있어서, 좌측 단부는 결합 부위를 나타낸다.It is preferable that a group represented by the following formula (2A) or the following formula (2B) is bonded to the surface of the solder. It is preferable that the group represented by the following formula (2A) is bonded to the surface of the solder, and it is more preferable that the group represented by the following formula (2B) is bonded. In addition, in the following formula (2A) and the following formula (2B), the left end represents a binding site.

Figure 112018002853810-pct00005
Figure 112018002853810-pct00005

상기 식 (2A) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2A) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 동일하다.In the above formula (2A), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2A) is the same as R in the formula (1).

Figure 112018002853810-pct00006
Figure 112018002853810-pct00006

상기 식 (2B) 중, R은 탄소수 1 내지 5의 2가의 유기기를 나타낸다. 상기 식 (2B) 중의 R은 상기 식 (1) 중의 R과 동일하다.In the formula (2B), R represents a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R in the formula (2B) is the same as R in the formula (1).

땜납의 표면 습윤성을 높이는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 1000 이하, 더욱 바람직하게는 500 이하이다. 마이그레이션을 보다 한층 효과적으로 억제하는 관점 및 접속 구조체에 있어서의 접속 저항을 보다 한층 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 80 이상, 보다 바람직하게는 100 이상, 더욱 바람직하게는 120 이상이다.From the viewpoint of increasing the surface wettability of the solder, the molecular weight of the compound having at least one carboxyl group is preferably 10000 or less, more preferably 1000 or less, and even more preferably 500 or less. From the viewpoint of suppressing migration more effectively and from the viewpoint of more effectively lowering the connection resistance in the bonded structure, the molecular weight of the compound having at least one carboxyl group is preferably 80 or more, more preferably 100 or more, and further. Preferably it is 120 or more.

상기 분자량은, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이 중합체가 아닌 경우, 및 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물의 구조식을 특정할 수 있는 경우에는, 당해 구조식으로부터 산출할 수 있는 분자량을 의미한다. 또한, 상기 카르복실기를 적어도 하나 갖는 화합물이 중합체인 경우에는, 중량 평균 분자량을 의미한다.The molecular weight refers to a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the compound having at least one carboxyl group is not a polymer and when the structural formula of the compound having at least one carboxyl group can be specified. In addition, when the compound having at least one carboxyl group is a polymer, it means the weight average molecular weight.

도전 접속시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있는 점에서, 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체와, 상기 도전성 입자 본체의 표면 상에 배치된 음이온 중합체를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 도전성 입자 본체를 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어지는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 음이온 중합체 또는 음이온 중합체가 되는 화합물에 의한 표면 처리물인 것이 바람직하다. 상기 음이온 중합체 및 상기 음이온 중합체가 되는 화합물은 각각, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. 상기 음이온 중합체는, 산성기를 갖는 중합체이다.In order to effectively increase the cohesiveness of the conductive particles during conductive connection, it is preferable that the conductive particles have a conductive particle body and an anionic polymer disposed on the surface of the conductive particle body. The conductive particles are preferably obtained by surface treating the conductive particle body with an anionic polymer or a compound that becomes an anionic polymer. The conductive particles are preferably surface-treated with an anionic polymer or a compound that becomes an anionic polymer. As for the anionic polymer and the compound forming the anionic polymer, only one type may be used, or two or more types may be used in combination. The anionic polymer is a polymer having an acidic group.

도전성 입자 본체를 음이온 중합체로 표면 처리하는 방법으로서는, 음이온 중합체로서, 예를 들어 (메트)아크릴산을 공중합한 (메트)아크릴 중합체, 디카르복실산과 디올로 합성되고 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 디카르복실산의 분자간 탈수 축합 반응에 의해 얻어지고 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 중합체, 디카르복실산과 디아민으로부터 합성되고 또한 양쪽 말단에 카르복실기를 갖는 폴리에스테르 중합체, 및 카르복실기를 갖는 변성 포발(닛본 고세이 가가꾸사제 「고세넷쿠스 T」) 등을 사용하여, 음이온 중합체의 카르복실기와, 도전성 입자 본체의 표면 수산기를 반응시키는 방법을 들 수 있다.As a method of surface treating the conductive particle body with an anionic polymer, the anionic polymer includes, for example, (meth)acrylic polymer copolymerized with (meth)acrylic acid, polyester synthesized from dicarboxylic acid and diol and having carboxyl groups at both ends. Polymers, polymers obtained by intermolecular dehydration condensation reaction of dicarboxylic acids and having carboxyl groups at both ends, polyester polymers synthesized from dicarboxylic acids and diamines and having carboxyl groups at both ends, and modified foams having carboxyl groups ( A method of reacting the carboxyl group of the anionic polymer with the surface hydroxyl group of the conductive particle body using a product such as “Kosenetkusu T” manufactured by Nippon Kosei Chemical Co., Ltd. is included.

상기 음이온 중합체의 음이온 부분으로서는, 상기 카르복실기를 들 수 있고, 그 이외에는, 토실기(p-H3CC6H4S(=O)2 -), 술폰산 이온기(-SO3 -) 및 인산 이온기(-PO4 -) 등을 들 수 있다.Examples of the anionic portion of the anionic polymer include the carboxyl group, and others include tosyl group (pH 3 CC 6 H 4 S(=O) 2 - ), sulfonic acid ion group (-SO 3 - ), and phosphate ion group ( -PO 4 - ), etc. may be mentioned.

또한, 표면 처리의 다른 방법으로서는, 도전성 입자 본체의 표면 수산기와 반응하는 관능기를 갖고, 또한, 부가, 축합 반응에 의해 중합 가능한 관능기를 갖는 화합물을 사용하여, 이 화합물을 도전성 입자 본체의 표면 상에서 중합체화하는 방법을 들 수 있다. 도전성 입자 본체의 표면 수산기와 반응하는 관능기로서는, 카르복실기 및 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 부가, 축합 반응에 의해 중합하는 관능기로서는, 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 (메트)아크릴로일기를 들 수 있다.Another method of surface treatment is to use a compound that has a functional group that reacts with the surface hydroxyl group of the conductive particle body and also has a functional group that can be polymerized through addition and condensation reactions, and to polymerize this compound on the surface of the conductive particle body. There are ways to reconcile. Functional groups that react with the surface hydroxyl group of the conductive particle main body include carboxyl groups and isocyanate groups, and functional groups that polymerize through addition and condensation reactions include hydroxyl groups, carboxyl groups, amino groups, and (meth)acryloyl groups.

상기 음이온 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 2000 이상, 보다 바람직하게는 3000 이상이고, 바람직하게는 10000 이하, 보다 바람직하게는 8000 이하이다. 상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자의 표면에 충분한 양의 전하 및 플럭스성을 도입할 수 있다. 이에 의해, 도전 접속시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있고, 또한, 접속 대상 부재의 접속 시에, 전극의 표면 산화막을 효과적으로 제거할 수 있다.The weight average molecular weight of the anionic polymer is preferably 2000 or more, more preferably 3000 or more, preferably 10000 or less, and more preferably 8000 or less. If the weight average molecular weight is equal to or greater than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, a sufficient amount of charge and flux can be introduced into the surface of the conductive particles. As a result, the cohesion of the conductive particles can be effectively increased during conductive connection, and the surface oxide film of the electrode can be effectively removed when connecting the member to be connected.

상기 중량 평균 분자량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자 본체의 표면 상에 음이온 중합체를 배치하는 것이 용이하고, 도전 접속시에 도전성 입자의 응집성을 효과적으로 높일 수 있고, 전극 상에 도전성 입자를 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다.If the weight average molecular weight is equal to or greater than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, it is easy to dispose the anionic polymer on the surface of the conductive particle body, the cohesiveness of the conductive particles can be effectively increased during conductive connection, and the conductive particles are placed on the electrodes. It can be deployed more efficiently.

상기 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정된 폴리스티렌 환산에서의 중량 평균 분자량을 나타낸다.The above weight average molecular weight represents the weight average molecular weight in polystyrene conversion measured by gel permeation chromatography (GPC).

도전성 입자 본체를 음이온 중합체가 되는 화합물로 표면 처리함으로써 얻어진 중합체의 중량 평균 분자량은, 도전성 입자 중의 땜납을 용해하고, 중합체의 분해를 일으키지 않는 희염산 등에 의해, 도전성 입자를 제거한 후, 잔존하고 있는 중합체의 중량 평균 분자량을 측정함으로써 구할 수 있다.The weight average molecular weight of the polymer obtained by surface treating the conductive particle body with a compound that becomes an anionic polymer is the weight average molecular weight of the remaining polymer after dissolving the solder in the conductive particles and removing the conductive particles with diluted hydrochloric acid, which does not cause decomposition of the polymer. It can be obtained by measuring the weight average molecular weight.

음이온 중합체의 도전성 입자의 표면에 있어서의 도입량에 대해서는, 도전성 입자 1g당의 산가가, 바람직하게는 1mgKOH 이상, 보다 바람직하게는 2mgKOH 이상이고, 바람직하게는 10mgKOH 이하, 보다 바람직하게는 6mgKOH 이하이다.Regarding the amount of anionic polymer introduced onto the surface of the conductive particles, the acid value per 1g of conductive particles is preferably 1 mgKOH or more, more preferably 2 mgKOH or more, preferably 10 mgKOH or less, and more preferably 6 mgKOH or less.

상기 산가는 이하와 같이 하여 측정 가능하다. 도전성 입자 1g을, 아세톤 36g에 첨가하고, 초음파로 1분간 분산시킨다. 그 후, 지시약으로서, 페놀프탈레인을 사용하여, 0.1mol/L의 수산화칼륨에탄올 용액으로 적정한다.The acid value can be measured as follows. 1 g of conductive particles were added to 36 g of acetone and dispersed by ultrasonic waves for 1 minute. Thereafter, titration is performed with 0.1 mol/L potassium hydroxide ethanol solution using phenolphthalein as an indicator.

이어서, 도면을 참조하면서, 도전성 입자의 구체예를 설명한다.Next, specific examples of conductive particles will be described with reference to the drawings.

도 4는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제1 예를 도시하는 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles that can be used in an electrically conductive material.

도 4에 도시하는 도전성 입자(21)는, 땜납 입자이다. 도전성 입자(21)는, 전체가 땜납에 의해 형성되어 있다. 도전성 입자(21)는, 기재 입자를 코어에 갖지 않고, 코어-쉘 입자가 아니다. 도전성 입자(21)는, 중심 부분 및 도전부의 외표면 부분의 모두가 땜납에 의해 형성되어 있다.The conductive particles 21 shown in FIG. 4 are solder particles. The conductive particles 21 are formed entirely of solder. The conductive particles 21 do not have substrate particles in their cores and are not core-shell particles. As for the conductive particles 21, both the center portion and the outer surface portion of the conductive portion are formed with solder.

도 5는, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제2 예를 도시하는 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles that can be used in an electrically conductive material.

도 5에 도시하는 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 도전부(33)를 구비한다. 도전부(33)는, 기재 입자(32)의 표면을 피복하고 있다. 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)의 표면이 도전부(33)에 의해 피복된 피복 입자이다.The electroconductive particle 31 shown in FIG. 5 is provided with the substrate particle 32 and the electrically conductive part 33 arrange|positioned on the surface of the substrate particle 32. The conductive portion 33 covers the surface of the substrate particle 32. The electrically conductive particles 31 are coated particles in which the surface of the substrate particle 32 is covered with the electrically conductive portion 33 .

도전부(33)는 제2 도전부(33A)와, 땜납부(33B)(제1 도전부)를 갖는다. 도전성 입자(31)는, 기재 입자(32)와, 땜납부(33B) 사이에, 제2 도전부(33A)를 구비한다. 따라서, 도전성 입자(31)는 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 제2 도전부(33A)와, 제2 도전부(33A)의 외표면 상에 배치된 땜납부(33B)를 구비한다.The conductive portion 33 has a second conductive portion 33A and a solder portion 33B (first conductive portion). The conductive particles 31 have a second conductive portion 33A between the substrate particles 32 and the solder portion 33B. Therefore, the conductive particles 31 include the substrate particles 32, the second conductive portion 33A disposed on the surface of the substrate particle 32, and the solder disposed on the outer surface of the second conductive portion 33A. Payment (33B) is provided.

도 6은, 도전 재료에 사용 가능한 도전성 입자의 제3 예를 도시하는 단면도이다.Fig. 6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles that can be used in electrically conductive materials.

상기한 바와 같이, 도전성 입자(31)에 있어서의 도전부(33)는 2층 구조를 갖는다. 도 6에 나타내는 도전성 입자(41)는, 단층의 도전부로서, 땜납부(42)를 갖는다. 도전성 입자(41)는 기재 입자(32)와, 기재 입자(32)의 표면 상에 배치된 땜납부(42)를 구비한다.As described above, the conductive portion 33 of the conductive particles 31 has a two-layer structure. The conductive particle 41 shown in FIG. 6 is a single-layer conductive portion and has a solder portion 42. The conductive particles 41 include substrate particles 32 and solder portions 42 disposed on the surface of the substrate particles 32 .

상기 기재 입자로서는, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자, 유기 무기 하이브리드 입자 및 금속 입자 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자는, 금속을 제외한 기재 입자인 것이 바람직하고, 수지 입자, 금속 입자를 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자는, 구리 입자여도 된다.Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. It is preferable that the said substrate particle is a substrate particle excluding a metal, and it is preferable that it is a resin particle, an inorganic particle excluding a metal particle, or an organic-inorganic hybrid particle. The said substrate particle may be a copper particle.

상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서, 여러 가지 유기물이 적합하게 사용된다. 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔 등의 폴리올레핀 수지; 폴리메틸메타크릴레이트 및 폴리메틸아크릴레이트 등의 아크릴 수지; 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 페놀 포름알데히드 수지, 멜라민 포름알데히드 수지, 벤조구아나민 포름알데히드 수지, 요소 포름알데히드 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 불포화폴리에스테르 수지, 포화폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥시드, 폴리아세탈, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르술폰, 디비닐벤젠 중합체, 및 디비닐벤젠계 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 디비닐벤젠계 공중합체 등으로서는, 디비닐벤젠-스티렌 공중합체 및 디비닐벤젠-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 수지 입자의 경도를 적합한 범위로 용이하게 제어할 수 있으므로, 상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지는, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 1종 또는 2종 이상 중합시킨 중합체인 것이 바람직하다.As a resin for forming the resin particles, various organic substances are suitably used. Resins for forming the resin particles include, for example, polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; Acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester. Resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyethersulfone, divinylbenzene polymer, and divinylbenzene-based copolymer. etc. can be mentioned. Examples of the divinylbenzene-based copolymer include divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene-(meth)acrylic acid ester copolymer. Since the hardness of the resin particles can be easily controlled to an appropriate range, the resin for forming the resin particles is preferably a polymer obtained by polymerizing one or two or more types of polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group.

상기 수지 입자를, 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를 중합시켜서 얻는 경우에는, 해당 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체로서는, 비가교성의 단량체와 가교성의 단량체를 들 수 있다.When the resin particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, examples of the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group include non-crosslinkable monomers and crosslinkable monomers.

상기 비가교성의 단량체로서는, 예를 들어 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; (메트)아크릴산, 말레산, 무수 말레산 등의 카르복실기 함유 단량체; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 세틸(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트 화합물; 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 글리세롤(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등의 산소 원자 함유 (메트)아크릴레이트 화합물; (메트)아크릴로니트릴 등의 니트릴 함유 단량체; 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 프로필비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물; 아세트산비닐, 부티르산비닐, 라우르산비닐, 스테아르산비닐 등의 산 비닐에스테르 화합물; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 불포화탄화수소; 트리플루오로메틸(메트)아크릴레이트, 펜타플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 염화비닐, 불화비닐, 클로로스티렌 등의 할로겐 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and α-methylstyrene; Carboxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; Methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, cetyl (meth) Alkyl (meth)acrylate compounds such as acrylate, stearyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, and isobornyl (meth)acrylate; oxygen atom-containing (meth)acrylate compounds such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, polyoxyethylene (meth)acrylate, and glycidyl (meth)acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth)acrylonitrile; Vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; Acid vinyl ester compounds such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and vinyl stearate; Unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene, and butadiene; and halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth)acrylate, pentafluoroethyl (meth)acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorostyrene.

상기 가교성의 단량체로서는, 예를 들어 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 글리세롤트리(메트)아크릴레이트, 글리세롤디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 트리알릴(이소)시아누레이트, 트리알릴트리멜리테이트, 디비닐벤젠, 디알릴프탈레이트, 디알릴아크릴아미드, 디알릴에테르, γ-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 트리메톡시실릴스티렌, 비닐트리메톡시실란 등의 실란 함유 단량체 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tri(meth)acrylate, tetramethylolmethane di(meth)acrylate, and trimethylolpropane tri(meth)acrylate. Latex, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerol tri(meth)acrylate, glycerol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate polyfunctional (meth)acrylate compounds such as polyester, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, (poly)tetramethylene glycol di(meth)acrylate, and 1,4-butanediol di(meth)acrylate; Triallyl (iso)cyanurate, triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, γ-(meth)acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilyl styrene. and silane-containing monomers such as vinyltrimethoxysilane.

상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 중합성 단량체를, 공지된 방법에 의해 중합시킴으로써, 상기 수지 입자를 얻을 수 있다. 이 방법으로서는, 예를 들어 라디칼 중합 개시제의 존재 하에서 현탁 중합하는 방법, 및 비가교의 종 입자를 사용하여 라디칼 중합 개시제와 함께 단량체를 팽윤시켜서 중합하는 방법 등을 들 수 있다.The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of performing suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing the monomer by swelling it with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

상기 기재 입자가 금속을 제외한 무기 입자 또는 유기 무기 하이브리드 입자인 경우에는, 기재 입자를 형성하기 위한 무기물로서는 실리카, 알루미나, 티타늄산바륨, 지르코니아 및 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 실리카에 의해 형성된 입자로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 가수분해성의 알콕시실릴기를 2개 이상 갖는 규소 화합물을 가수분해하여 가교중합체 입자를 형성한 후에, 필요에 따라 소성을 행함으로써 얻어지는 입자를 들 수 있다. 상기 유기 무기 하이브리드 입자로서는, 예를 들어 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 하이브리드 입자 등을 들 수 있다.When the substrate particles are inorganic particles other than metal or organic-inorganic hybrid particles, examples of inorganic materials for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. The particles formed from the above silica are not particularly limited, but examples include particles obtained by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form cross-linked polymer particles, and then performing baking as necessary. You can. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로서는 은, 구리, 니켈, 규소, 금 및 티타늄 등을 들 수 있다. 상기 기재 입자가 금속 입자인 경우에, 해당 금속 입자는 구리 입자인 것이 바람직하다. 단, 상기 기재 입자는 금속 입자가 아닌 것이 바람직하다.When the substrate particle is a metal particle, metals for forming the metal particle include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. When the substrate particles are metal particles, it is preferable that the metal particles are copper particles. However, it is preferable that the substrate particles are not metal particles.

상기 기재 입자의 표면 상에 도전부를 형성하는 방법, 및 상기 기재 입자의 표면 상 또는 상기 제2 도전부의 표면 상에 땜납부를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전부 및 상기 땜납부를 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 무전해 도금에 의한 방법, 전기 도금에 의한 방법, 물리적인 충돌에 의한 방법, 메카노케미컬 반응에 의한 방법, 물리적 증착 또는 물리적 흡착에 의한 방법, 및 금속 분말 또는 금속 분말과 결합제를 포함하는 페이스트를 기재 입자의 표면에 코팅하는 방법 등을 들 수 있다. 무전해 도금, 전기 도금 또는 물리적인 충돌에 의한 방법이 적합하다. 상기 물리적 증착에 의한 방법으로서는 진공 증착, 이온 플레이팅 및 이온 스퍼터링 등의 방법을 들 수 있다. 또한, 상기 물리적인 충돌에 의한 방법에서는, 예를 들어 세타콤포저(도쿠주 고사꾸쇼사제) 등이 사용된다.The method of forming an electrically conductive portion on the surface of the substrate particle and the method of forming a solder portion on the surface of the substrate particle or the surface of the second electrically conductive portion are not particularly limited. Methods for forming the conductive portion and the solder portion include, for example, electroless plating, electroplating, physical collision, mechanochemical reaction, physical vapor deposition, or physical adsorption. and a method of coating the surface of the base particle with a metal powder or a paste containing a metal powder and a binder. Methods using electroless plating, electroplating, or physical impact are suitable. Examples of the physical vapor deposition method include vacuum deposition, ion plating, and ion sputtering. In addition, in the method using physical collision, for example, Theta Composer (manufactured by Tokuju Kosakusho Co., Ltd.) is used.

상기 기재 입자의 융점은, 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 융점은, 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 450℃를 초과한다. 또한, 상기 기재 입자의 융점은, 400℃ 미만이어도 된다. 상기 기재 입자의 융점은, 160℃ 이하여도 된다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 이상인 것이 바람직하다. 상기 기재 입자의 연화점은 260℃ 미만이어도 된다.The melting point of the substrate particles is preferably higher than the melting point of the solder portion. The melting point of the substrate particles is preferably greater than 160°C, more preferably greater than 300°C, further preferably greater than 400°C, and particularly preferably greater than 450°C. Additionally, the melting point of the substrate particles may be less than 400°C. The melting point of the substrate particles may be 160°C or lower. The softening point of the substrate particles is preferably 260°C or higher. The softening point of the substrate particles may be less than 260°C.

상기 도전성 입자는, 단층의 땜납부를 갖고 있어도 된다. 상기 도전성 입자는, 복수의 층의 도전부(땜납부, 제2 도전부)를 갖고 있어도 된다. 즉, 상기 도전성 입자에서는, 도전부를 2층 이상 적층해도 된다.The conductive particles may have a single-layer solder portion. The conductive particles may have multiple layers of conductive portions (solder portion, second conductive portion). That is, in the above-described conductive particles, two or more layers of conductive portions may be laminated.

상기 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속(저융점 금속)인 것이 바람직하다. 상기 땜납부는, 융점이 450℃ 이하인 금속층(저융점 금속층)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속층은, 저융점 금속을 포함하는 층이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은, 융점이 450℃ 이하인 금속 입자(저융점 금속 입자)인 것이 바람직하다. 상기 저융점 금속 입자는, 저융점 금속을 포함하는 입자이다. 해당 저융점 금속이란, 융점이 450℃ 이하의 금속을 나타낸다. 저융점 금속의 융점은 바람직하게는 300℃ 이하, 보다 바람직하게는 160℃ 이하이다. 또한, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은 주석을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 땜납부에 포함되는 금속 100중량% 중 및 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납에 포함되는 금속 100중량% 중, 주석의 함유량은 바람직하게는 30중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 70중량% 이상, 특히 바람직하게는 90중량% 이상이다. 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납 중의 주석의 함유량이 상기 하한 이상이면, 도전성 입자와 전극의 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The solder is preferably a metal with a melting point of 450°C or lower (low melting point metal). The solder portion is preferably a metal layer (low melting point metal layer) with a melting point of 450°C or lower. The low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal. The solder in the conductive particles is preferably a metal particle (low melting point metal particle) with a melting point of 450°C or lower. The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal refers to a metal with a melting point of 450°C or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300°C or lower, more preferably 160°C or lower. Additionally, it is preferable that the solder in the conductive particles contains tin. Among 100% by weight of metal contained in the solder portion and 100% by weight of metal contained in the solder in the conductive particles, the tin content is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, and further. Preferably it is 70% by weight or more, particularly preferably 90% by weight or more. If the content of tin in the solder in the conductive particles is more than the above lower limit, the reliability of conduction between the conductive particles and the electrode increases further.

또한, 상기 주석의 함유량은, 고주파 유도 결합 플라스마 발광 분광 분석 장치(호리바 세이사꾸쇼사제 「ICP-AES」), 또는 형광 X선 분석 장치(시마즈 세이사쿠쇼사제 「EDX-800HS」) 등을 사용하여 측정 가능하다.In addition, the tin content was determined using a high-frequency inductively coupled plasma emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd.) or a fluorescence X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu Seisakusho Co., Ltd.). It can be measured.

상기 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자를 사용함으로써, 땜납이 용융하여 전극에 접합하고, 땜납이 전극 사이를 도통시킨다. 예를 들어, 땜납과 전극이 점 접촉이 아닌 면 접촉하기 쉽기 때문에, 접속 저항이 낮아진다. 또한, 땜납을 도전부의 외표면 부분에 갖는 도전성 입자의 사용에 의해, 땜납과 전극의 접합 강도가 높아지는 결과, 땜납과 전극의 박리가 보다 한층 발생하기 어려워지고, 도통 신뢰성이 효과적으로 높아진다.By using conductive particles having the solder on the outer surface portion of the conductive portion, the solder melts and joins the electrodes, and the solder conducts electricity between the electrodes. For example, since solder and electrodes tend to make surface contact rather than point contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of conductive particles having solder on the outer surface of the conductive portion increases the bonding strength between the solder and the electrode, making it more difficult for the solder to peel off and effectively increasing the reliability of conduction.

상기 땜납부 및 상기 땜납 입자를 구성하는 저융점 금속은 특별히 한정되지 않는다. 해당 저융점 금속은 주석, 또는 주석을 포함하는 합금인 것이 바람직하다. 해당 합금은 주석-은 합금, 주석-구리 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-아연 합금, 주석-인듐 합금 등을 들 수 있다. 전극에 대한 습윤성이 우수한 점에서, 상기 저융점 금속은 주석, 주석-은 합금, 주석-은-구리 합금, 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 바람직하다. 주석-비스무트 합금, 주석-인듐 합금인 것이 보다 바람직하다.The low melting point metal constituting the solder portion and the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. The alloy may include tin-silver alloy, tin-copper alloy, tin-silver-copper alloy, tin-bismuth alloy, tin-zinc alloy, tin-indium alloy, etc. In terms of excellent wettability to the electrode, the low melting point metal is preferably tin, tin-silver alloy, tin-silver-copper alloy, tin-bismuth alloy, or tin-indium alloy. It is more preferable that it is a tin-bismuth alloy or a tin-indium alloy.

상기 땜납(땜납부)을 구성하는 재료는, JIS Z3001: 용접 용어에 기초하여, 액상선이 450℃ 이하인 용가재인 것이 바람직하다. 상기 땜납의 조성으로서는, 예를 들어 아연, 금, 은, 납, 구리, 주석, 비스무트, 인듐 등을 포함하는 금속 조성을 들 수 있다. 저융점에서 납 프리인 주석-인듐계(117℃ 공정), 또는 주석-비스무트계(139℃ 공정)가 바람직하다. 즉, 상기 땜납은, 납을 포함하지 않는 것이 바람직하고, 주석과 인듐을 포함하는 땜납, 또는 주석과 비스무트를 포함하는 땜납인 것이 바람직하다.The material constituting the solder (solder portion) is preferably a filler metal with a liquidus line of 450°C or lower based on JIS Z3001: Welding Terminology. Examples of the composition of the solder include metal compositions containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium, etc. A tin-indium system (117°C process) or a tin-bismuth system (139°C process) that is lead-free and has a low melting point is preferred. That is, the solder preferably does not contain lead, and is preferably a solder containing tin and indium, or a solder containing tin and bismuth.

상기 땜납과 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이기 위해서, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄, 아연, 철, 금, 티타늄, 인, 게르마늄, 텔루륨, 코발트, 비스무트, 망간, 크롬, 몰리브덴, 팔라듐 등의 금속을 포함하고 있어도 된다. 또한, 땜납과 전극과의 접합 강도를 더욱 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납은 니켈, 구리, 안티몬, 알루미늄 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 땜납부 또는 도전성 입자에 있어서의 땜납과 전극의 접합 강도를 보다 한층 높이는 관점에서는, 접합 강도를 높이기 위한 이들의 금속의 함유량은, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납 100중량% 중, 바람직하게는 0.0001중량% 이상, 바람직하게는 1중량% 이하이다.In order to further increase the bonding strength between the solder and the electrode, the solder in the conductive particles contains nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese, It may contain metals such as chromium, molybdenum, and palladium. Additionally, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode, it is preferable that the solder in the conductive particles contains nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode in the solder portion or the conductive particles, the content of these metals to increase the bonding strength is preferably 0.0001% by weight based on 100% by weight of the solder in the conductive particles. % or more, preferably 1 weight% or less.

상기 제2 도전부의 융점은, 상기 땜납부의 융점보다도 높은 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점은 바람직하게는 160℃를 초과하고, 보다 바람직하게는 300℃를 초과하고, 더욱 바람직하게는 400℃를 초과하고, 더욱 한층 바람직하게는 450℃를 초과하고, 특히 바람직하게는 500℃를 초과하고, 가장 바람직하게는 600℃를 초과한다. 상기 땜납부는 융점이 낮기 때문에 도전 접속시에 용융한다. 상기 제2 도전부는 도전 접속시에 용융하지 않는 것이 바람직하다. 상기 도전성 입자는, 땜납을 용융시켜서 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시켜서 사용되는 것이 바람직하고, 상기 땜납부를 용융시켜서 또한 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고 사용되는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부의 융점이 상기 땜납부의 융점을 보다도 높음으로써, 도전 접속시에, 상기 제2 도전부를 용융시키지 않고, 상기 땜납부만을 용융시킬 수 있다.The melting point of the second conductive portion is preferably higher than the melting point of the solder portion. The melting point of the second conductive portion is preferably greater than 160°C, more preferably greater than 300°C, even more preferably greater than 400°C, even more preferably greater than 450°C, and particularly preferably exceeds 500°C, and most preferably exceeds 600°C. Since the solder portion has a low melting point, it melts during conductive connection. It is preferable that the second conductive portion does not melt during conductive connection. The conductive particles are preferably used by melting the solder, and are preferably used by melting the solder portion, and are preferably used by melting the solder portion and without melting the second conductive portion. Since the melting point of the second conductive portion is higher than that of the solder portion, only the solder portion can be melted without melting the second conductive portion during conductive connection.

상기 땜납부의 융점과 상기 제2 도전부의 융점과의 차의 절댓값은, 0℃를 초과하고, 바람직하게는 5℃ 이상, 보다 바람직하게는 10℃ 이상, 더욱 바람직하게는 30℃ 이상, 특히 바람직하게는 50℃ 이상, 특히 바람직하게는 100℃ 이상이다.The absolute value of the difference between the melting point of the solder portion and the melting point of the second conductive portion exceeds 0°C, preferably 5°C or higher, more preferably 10°C or higher, further preferably 30°C or higher, especially preferably Typically, it is 50°C or higher, particularly preferably 100°C or higher.

상기 제2 도전부는, 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제2 도전부를 구성하는 금속은, 특별히 한정되지 않는다. 해당 금속으로서는, 예를 들어 금, 은, 구리, 백금, 팔라듐, 아연, 납, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티타늄, 안티몬, 비스무트, 게르마늄 및 카드뮴, 및 이들 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 금속으로서, 주석 도프 산화인듐(ITO)을 사용해도 된다. 상기 금속은 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The second conductive portion preferably contains metal. The metal constituting the second conductive portion is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium, and cadmium, and alloys thereof. Additionally, as the metal, tin-doped indium oxide (ITO) may be used. Only one type of the said metal may be used, and two or more types may be used together.

상기 제2 도전부는 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층인 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층인 것이 보다 바람직하고, 구리층인 것이 더욱 바람직하다. 도전성 입자는 니켈층, 팔라듐층, 구리층 또는 금층을 갖는 것이 바람직하고, 니켈층 또는 금층을 갖는 것이 보다 바람직하고, 구리층을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이들의 바람직한 도전부를 갖는 도전성 입자를 전극 간의 접속에 사용함으로써, 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 이들의 바람직한 도전부의 표면에는, 땜납부를 보다 한층 용이하게 형성할 수 있다.The second conductive portion is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and even more preferably a copper layer. The conductive particles preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably have a nickel layer or a gold layer, and even more preferably have a copper layer. By using conductive particles having these preferable conductive parts for the connection between electrodes, the connection resistance between electrodes is further lowered. Additionally, solder portions can be formed more easily on the surfaces of these preferable conductive portions.

상기 땜납부의 두께는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 땜납부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 너무 단단해지지 않고, 전극 간의 접속시에 도전성 입자를 충분히 변형한다.The thickness of the solder portion is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, and even more preferably 0.3 μm or less. If the thickness of the solder portion is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, the conductive particles do not become too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed during connection between electrodes.

상기 도전부의 두께(도전부 전체의 두께)는, 바람직하게는 0.005㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.3㎛ 이하이다. 상기 도전부의 두께는, 도전부가 다층인 경우에는 도전층 전체의 두께이다. 도전부의 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 충분한 도전성이 얻어지고, 또한 도전성 입자가 너무 단단해지지 않고, 전극 간의 접속시에 도전성 입자가 충분히 변형된다.The thickness of the conductive portion (thickness of the entire conductive portion) is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, and still more preferably 0.5 μm. or less, particularly preferably 0.3 μm or less. The thickness of the conductive portion is the thickness of the entire conductive layer when the conductive portion is multilayered. If the thickness of the conductive portion is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, sufficient conductivity is obtained, the conductive particles do not become too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed during connection between electrodes.

상기 도전부가 복수의 층에 의해 형성되어 있는 경우에, 최외층의 도전층 두께는, 바람직하게는 0.001㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.01㎛ 이상이고, 바람직하게는 0.5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이하이다. 상기 최외층의 도전층 두께가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 최외층의 도전층에 의한 피복이 균일해져, 내부식성이 충분히 높아지고, 또한 전극 간의 접속 저항이 보다 한층 낮아진다. 또한, 상기 최외층이 금층인 경우에, 금층의 두께가 얇을수록, 비용이 낮아진다.When the conductive portion is formed of a plurality of layers, the thickness of the conductive layer of the outermost layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 0.5 μm or less, more preferably 0.1 μm or more. It is less than ㎛. If the thickness of the conductive layer of the outermost layer is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the coating by the conductive layer of the outermost layer becomes uniform, corrosion resistance sufficiently increases, and the connection resistance between electrodes further decreases. Additionally, when the outermost layer is a gold layer, the thinner the thickness of the gold layer, the lower the cost.

상기 도전부의 두께는, 예를 들어 전계 방사형 주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 도전성 입자의 단면을 관찰함으로써 측정할 수 있다.The thickness of the conductive portion can be measured by observing the cross section of the conductive particle using, for example, a field emission scanning electron microscope (FE-SEM).

얻어진 도전성 입자를 함유량이 30중량%가 되도록, Kulzer사제 「테크노 비트 4000」에 첨가하고, 분산시켜, 도전성 입자 검사용 매립 수지를 제조한다. 그 검사용 매립 수지 중에 분산한 도전성 입자의 중심 부근을 통하도록 이온 밀링 장치(히타치 하이테크놀러지즈사제 「IM4000」)를 사용하여, 도전성 입자의 단면을 잘라낸다.The obtained conductive particles are added to "Techno Bit 4000" manufactured by Kulzer so that the content is 30% by weight, dispersed, and an embedding resin for conductive particle inspection is produced. Using an ion milling device (“IM4000” manufactured by Hitachi High Technologies), a cross section of the conductive particles is cut so as to pass through the vicinity of the center of the conductive particles dispersed in the embedding resin for inspection.

그리고, 전계 방사형 주사형 전자 현미경(FE-SEM)을 사용하여, 화상 배율 5만배로 설정하고, 50개의 도전성 입자를 무작위로 선택하여, 각각의 도전성 입자의 도전부를 관찰하는 것이 바람직하다. 얻어진 도전성 입자에 있어서의 도전부의 두께를 계측하고, 그것을 산술 평균하여 도전부의 두께로 하는 것이 바람직하다.Then, using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), it is preferable to set the image magnification to 50,000 times, randomly select 50 conductive particles, and observe the conductive portion of each conductive particle. It is preferable to measure the thickness of the electrically conductive portion in the obtained electrically conductive particles and calculate the arithmetic average to obtain the thickness of the electrically conductive portion.

상기 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 3㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 특히 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하고, 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다.The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, further preferably 3 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, even more preferably Typically, it is 40 μm or less, particularly preferably 30 μm or less. If the average particle diameter of the conductive particles is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the solder in the conductive particles can be disposed more efficiently on the electrodes, and it is better to place a large amount of solder in the conductive particles between the electrodes. It is easy and conduction reliability is further improved.

상기 도전성 입자의 「평균 입자 직경」은, 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 도전성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The “average particle diameter” of the electrically conductive particles represents the number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles is determined, for example, by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating the average value.

또한, 열경화성 성분 및 플럭스와 혼합되기 전의 도전성 입자 단체와, 열경화성 성분 및 플럭스와 혼합된 후의 도전 재료 중에서의 도전성 입자로, 도전성 입자의 평균 입자 직경은 일반적으로 동일하다.Additionally, the average particle diameter of the conductive particles is generally the same for the conductive particles alone before being mixed with the thermosetting component and flux, and the conductive particles in the conductive material after being mixed with the thermosetting component and flux.

상기 도전성 입자의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 상기 도전성 입자의 형상은, 구상이어도 되고, 편평상 등의 구 형상 이외의 형상이어도 된다.The shape of the conductive particles is not particularly limited. The shape of the electrically conductive particles may be spherical or may be a shape other than a spherical shape, such as flat.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량은 바람직하게는 1중량% 이상, 보다 바람직하게는 2중량% 이상, 더욱 바람직하게는 10중량% 이상, 특히 바람직하게는 20중량% 이상, 특히 바람직하게는 30중량% 이상이고, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 80중량% 이하, 더욱 바람직하게는 60중량% 이하, 특히 바람직하게는 50중량% 이하이다. 상기 도전성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 전극 상에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있고, 전극 사이에 도전성 입자에 있어서의 땜납을 많이 배치하는 것이 용이하고, 도통 신뢰성이 보다 한층 높아진다. 도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 도전성 입자의 함유량은 많은 쪽이 바람직하다.In 100% by weight of the electrically conductive material, the content of the conductive particles is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, further preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, especially Preferably it is 30% by weight or more, preferably 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less, further preferably 60% by weight or less, and particularly preferably 50% by weight or less. If the content of the conductive particles is more than the lower limit and less than the upper limit, the solder in the conductive particles can be placed on the electrodes more efficiently, and it is easy to place a large amount of the solder in the conductive particles between the electrodes. , continuity reliability is further improved. From the viewpoint of further improving conduction reliability, it is preferable that the content of the conductive particles is higher.

(열경화성 화합물)(thermosetting compound)

상기 열경화성 화합물은, 가열에 의해 경화 가능한 화합물이다. 상기 열경화성 화합물로서는 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. 도전 재료의 경화성 및 점도를 보다 한층 양호하게 하고, 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서, 에폭시 화합물 또는 에피술피드 화합물이 바람직하고, 에폭시 화합물이 보다 바람직하다. 상기 도전 재료는, 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 열경화성 화합물은, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermosetting compound is a compound that can be cured by heating. Examples of the thermosetting compounds include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth)acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. From the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the electrically conductive material and further improving conduction reliability and connection reliability, an epoxy compound or an episulfide compound is preferable, and an epoxy compound is more preferable. It is preferable that the said electrically-conductive material contains an epoxy compound. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used together.

경화물의 내열성을 효과적으로 높이는 관점, 및 경화물의 유전율을 효과적으로 낮게 하는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물은, 질소 원자를 갖는 열경화성 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of effectively increasing the heat resistance of the cured product and effectively lowering the dielectric constant of the cured product, the thermosetting compound preferably contains a thermosetting compound having a nitrogen atom, and more preferably contains a thermosetting compound having a triazine skeleton. do.

상기 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물로서는 트리아진트리글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 닛산 가가꾸 고교사제 TEPIC 시리즈(TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC-PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) 등을 들 수 있다.Examples of the thermosetting compound having the triazine skeleton include triazine triglycidyl ether, and the TEPIC series (TEPIC-G, TEPIC-S, TEPIC-SS, TEPIC-HP, TEPIC-L, TEPIC manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) -PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC), etc.

상기 에폭시 화합물로서는, 방향족 에폭시 화합물을 들 수 있다. 레조르시놀형 에폭시 화합물, 나프탈렌형 에폭시 화합물, 비페닐형 에폭시 화합물, 벤조페논형 에폭시 화합물 등의 결정성 에폭시 화합물이 바람직하다. 상온(23℃)에서 고체이고, 또한 용융 온도가 땜납의 융점 이하인 에폭시 화합물이 바람직하다. 용융 온도는 바람직하게는 100℃ 이하, 보다 바람직하게는 80℃ 이하이고, 바람직하게는 40℃ 이상이다. 상기의 바람직한 에폭시 화합물을 사용함으로써 접속 대상 부재를 접합한 단계에서는, 점도가 높고, 반송 등의 충격에 의해 가속도가 부여되었을 때에, 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재의 위치 어긋남을 억제할 수 있고, 게다가, 경화시의 열에 의해, 도전 재료의 점도를 크게 저하시킬 수 있고, 땜납의 응집을 효율적으로 진행시킬 수 있다.Examples of the epoxy compound include aromatic epoxy compounds. Crystalline epoxy compounds such as resorcinol-type epoxy compounds, naphthalene-type epoxy compounds, biphenyl-type epoxy compounds, and benzophenone-type epoxy compounds are preferable. An epoxy compound that is solid at room temperature (23°C) and has a melting temperature below the melting point of solder is preferred. The melting temperature is preferably 100°C or lower, more preferably 80°C or lower, and preferably 40°C or higher. In the step of joining the connection target members by using the above preferred epoxy compound, the viscosity is high, and when acceleration is applied due to impact such as conveyance, positional deviation of the first connection target member and the second connection target member is suppressed. Moreover, the heat during curing can significantly reduce the viscosity of the conductive material, and agglomeration of the solder can be promoted efficiently.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 열경화성 화합물의 함유량은, 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 40중량% 이상, 더욱 바람직하게는 50중량% 이상이고, 바람직하게는 99중량% 이하, 보다 바람직하게는 98중량% 이하, 더욱 바람직하게는 90중량% 이하, 특히 바람직하게는 80중량% 이하이다. 내충격성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 열경화성 화합물의 함유량은 많은 쪽이 바람직하다.Among 100% by weight of the electrically conductive material, the content of the thermosetting compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, further preferably 50% by weight or more, preferably 99% by weight or less, More preferably, it is 98 weight% or less, further preferably 90 weight% or less, and particularly preferably 80 weight% or less. From the viewpoint of further improving impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting compound is higher.

(열경화제)(thermal curing agent)

상기 열경화제는, 상기 열경화성 화합물을 열경화시킨다. 상기 열경화제로서는, 이미다졸 경화제, 페놀 경화제, 티올 경화제, 아민 경화제, 산 무수물 경화제, 열 양이온 개시제 및 열라디칼 발생제 등이 있다. 상기 열경화제는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.The thermosetting agent thermocures the thermosetting compound. Examples of the thermal curing agent include imidazole curing agents, phenol curing agents, thiol curing agents, amine curing agents, acid anhydride curing agents, thermal cationic initiators, and thermal radical generators. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used, and 2 or more types may be used together.

상기 이미다졸 경화제로서는 특별히 한정되지 않고, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진 및 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물 등을 들 수 있다.The imidazole curing agent is not particularly limited and includes 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-phenyl. Imidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6-[2' -methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, etc. are mentioned.

상기 티올 경화제로서는 특별히 한정되지 않고, 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트, 펜타에리트리톨테트라키스-3-머캅토프로피오네이트 및 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트 등을 들 수 있다.The thiol curing agent is not particularly limited and includes trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate. can be mentioned.

상기 티올 경화제의 용해도 파라미터는, 바람직하게는 9.5 이상, 바람직하게는 12 이하이다. 상기 용해도 파라미터는, Fedors법으로 계산된다. 예를 들어, 트리메틸올프로판트리스-3-머캅토프로피오네이트의 용해도 파라미터는 9.6, 디펜타에리트리톨헥사-3-머캅토프로피오네이트의 용해도 파라미터는 11.4이다.The solubility parameter of the thiol curing agent is preferably 9.5 or more, and preferably 12 or less. The solubility parameter is calculated by the Fedors method. For example, the solubility parameter of trimethylolpropanetris-3-mercaptopropionate is 9.6, and the solubility parameter of dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate is 11.4.

상기 아민 경화제로서는 특별히 한정되지 않고, 헥사메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 3,9-비스(3-아미노프로필)-2,4,8,10-테트라스피로[5.5]운데칸, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 메타페닐렌디아민 및 디아미노디페닐술폰 등을 들 수 있다.The amine curing agent is not particularly limited and includes hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis(3-aminopropyl)-2,4,8,10-tetraspiro[5.5]undecane, and bis. (4-aminocyclohexyl)methane, metaphenylenediamine, and diaminodiphenylsulfone.

상기 열 양이온 개시제로서는, 요오도늄계 양이온 경화제, 옥소늄계 양이온 경화제 및 술포늄계 양이온 경화제 등을 들 수 있다. 상기 요오도늄계 양이온 경화제로서는, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 옥소늄계 양이온 경화제로서는, 트리메틸옥소늄테트라플루오로보레이트 등을 들 수 있다. 상기 술포늄계 양이온 경화제로서는, 트리-p-톨릴술포늄헥사플루오로포스페이트 등을 들 수 있다.Examples of the thermal cationic initiator include iodonium-based cationic curing agents, oxonium-based cationic curing agents, and sulfonium-based cationic curing agents. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis(4-tert-butylphenyl)iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolyl sulfonium hexafluorophosphate.

상기 열라디칼 발생제로서는 특별히 한정되지 않고, 아조 화합물 및 유기 과산화물 등을 들 수 있다. 상기 아조 화합물로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 등을 들 수 있다. 상기 유기 과산화물로서는, 디-tert-부틸퍼옥시드 및 메틸에틸케톤퍼옥시드 등을 들 수 있다.The thermal radical generator is not particularly limited and includes azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN). Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는, 바람직하게는 50℃ 이상, 보다 바람직하게는 70℃ 이상, 더욱 바람직하게는 80℃ 이상이고, 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 더욱 바람직하게는 150℃ 이하, 특히 바람직하게는 140℃ 이하이다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도가 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다. 상기 열경화제의 반응 개시 온도는 80℃ 이상 140℃ 이하인 것이 특히 바람직하다.The reaction start temperature of the thermosetting agent is preferably 50°C or higher, more preferably 70°C or higher, further preferably 80°C or higher, preferably 250°C or lower, more preferably 200°C or lower, even more preferably Typically, it is 150°C or lower, particularly preferably 140°C or lower. If the reaction start temperature of the thermosetting agent is higher than the lower limit and lower than the upper limit, the solder in the conductive particles is more efficiently disposed on the electrode. It is particularly preferable that the reaction start temperature of the thermosetting agent is 80°C or more and 140°C or less.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 열경화제의 반응 개시 온도는, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점보다도, 높은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 높은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 높은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the reaction start temperature of the thermosetting agent is preferably higher than the melting point of the solder in the conductive particles, and is preferably 5°C or more higher. It is preferable, and it is more preferable that it is 10 degrees C or more higher.

상기 열경화제의 반응 개시 온도는, DSC에서의 발열 피크의 상승 개시의 온도를 의미한다.The reaction start temperature of the thermosetting agent means the temperature at which the exothermic peak in DSC starts to rise.

상기 열경화제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다. 상기 열경화성 화합물 100중량부에 대하여, 상기 열경화제의 함유량은, 바람직하게는 0.01중량부 이상, 보다 바람직하게는 1중량부 이상이고, 바람직하게는 200중량부 이하, 보다 바람직하게는 100중량부 이하, 더욱 바람직하게는 75중량부 이하이다. 열경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 도전 재료를 충분히 경화시키는 것이 용이하다. 열경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화 후에 경화에 관여하지 않는 잉여의 열경화제가 잔존하기 어려워지고, 또한 경화물의 내열성이 보다 한층 높아진다.The content of the thermosetting agent is not particularly limited. With respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound, the content of the thermosetting agent is preferably 0.01 part by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less. , more preferably 75 parts by weight or less. If the content of the thermosetting agent is more than the above lower limit, it is easy to sufficiently cure the conductive material. If the content of the thermosetting agent is below the above upper limit, it becomes difficult for excess thermosetting agent not involved in curing to remain after curing, and the heat resistance of the cured product further increases.

(플럭스)(flux)

상기 도전 재료는 플럭스를 포함한다. 플럭스의 사용에 의해, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효과적으로 배치할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 상기 플럭스가 금속의 표면을 세정하는 효과를 갖는 산과, 그 산을 중화하는 작용을 갖는 염기의 조합이고, 이들 산과 염기의 염이다.The conductive material includes flux. By using flux, solder in conductive particles can be placed on the electrode more effectively. Additionally, in the present invention, the flux is a combination of an acid that has the effect of cleaning the surface of a metal and a base that has the effect of neutralizing the acid, and is a salt of these acids and bases.

이 특정한 산과 염기의 염인 상기 플럭스가 25℃에서 고체이면, 도전 재료의 보존 안정성이 높아지고, 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치된 후, 장시간 방치되어도 우수한 땜납 응집성을 나타내는 점에서, 높은 도통 신뢰성을 발현할 수 있는 도전 재료를 제공할 수 있다. 상기 플럭스는, 산과 염기의 염이고, 또한 25℃에서 고체인 것이 바람직하다.If the flux, which is a salt of this specific acid and base, is solid at 25°C, the storage stability of the conductive material increases, and after the conductive material is placed on the member to be connected, it exhibits excellent solder cohesion even if left for a long time, resulting in high conduction reliability. It is possible to provide conductive materials that can be developed. The flux is preferably a salt of an acid and a base and is solid at 25°C.

상기 플럭스는, 예를 들어 카르복실기를 갖는 유기 화합물과 아미노기를 갖는 화합물의 염이고, 카르복실기를 갖는 유기 화합물과 아미노기를 갖는 유기 화합물의 염인 것이 바람직하다.The flux is, for example, a salt of an organic compound having a carboxyl group and a compound having an amino group, and is preferably a salt of an organic compound having a carboxyl group and an organic compound having an amino group.

또한, 도전 재료의 보존 안정성을 효과적으로 높게 하고, 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치된 후, 장시간 방치되어도 우수한 땜납 응집성을 나타내고, 높은 도통 신뢰성을 발현시키는 관점에서, 특정한 산과 염기의 염인 상기 플럭스는 25℃에서 고체인 것이 바람직하다. 상기 플럭스는 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.In addition, from the viewpoint of effectively increasing the storage stability of the conductive material, exhibiting excellent solder cohesion even if left for a long time after the conductive material is placed on the connection target member, and demonstrating high conduction reliability, the flux, which is a salt of a specific acid and base, is used. It is preferred that it is solid at 25°C. Only one type of the said flux may be used, and two or more types may be used together.

상기 플럭스는, 예를 들어 카르복실산 또는 카르복실산 무수물과 아미노기 함유 화합물을 중화 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 상기 플럭스는, 카르복실산 또는 카르복실산 무수물과 아미노기 함유 화합물과의 중화 반응물인 것이 바람직하다.The flux can be obtained, for example, by neutralizing a carboxylic acid or carboxylic acid anhydride and an amino group-containing compound. The flux is preferably a neutralization reaction product between carboxylic acid or carboxylic acid anhydride and an amino group-containing compound.

상기 카르복실산 또는 카르복실산 무수물로서는, 지방족계 카르복실산인 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산, 수베르산, 말산, 환상 지방족 카르복실산인 시클로헥실카르복실산, 1,4-시클로헥실디카르복실산, 방향족 카르복실산인 이소프탈산, 테레프탈산, 트리멜리트산 및 에틸렌디아민사아세트산, 및 이들의 산 무수물 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid or carboxylic acid anhydride include aliphatic carboxylic acids such as succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, and malic acid, and cyclic aliphatic carboxylic acids such as cyclohexylcarboxylic acid and 1,4- Cyclohexyldicarboxylic acid, aromatic carboxylic acids such as isophthalic acid, terephthalic acid, trimellitic acid, and ethylenediaminetetraacetic acid, and their acid anhydrides.

플럭스 효과를 보다 한층 높이기 위해서, 상기 산 및 상기 카르복실기를 갖는 유기 화합물은, 복수의 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 복수의 카르복실기를 갖는 유기 화합물로서는, 디카르복실산 및 트리카르복실산 등을 들 수 있다. 또한, 염을 형성하기 쉽게 하기 위해서, 상기 산 및 상기 카르복실기를 갖는 유기 화합물은, 알킬기를 갖는 것이 바람직하고, 해당 알킬기와 카르복실기의 탄소수의 합계는 바람직하게는 4 이상, 바람직하게는 8 이하이다.In order to further enhance the flux effect, it is preferable that the acid and the organic compound having a carboxyl group have a plurality of carboxyl groups. Examples of organic compounds having multiple carboxyl groups include dicarboxylic acid and tricarboxylic acid. In order to facilitate the formation of salts, the acid and the organic compound having a carboxyl group preferably have an alkyl group, and the total number of carbon atoms of the alkyl group and the carboxyl group is preferably 4 or more, and preferably 8 or less.

상기 반응물을 얻기 위해서, 카르복실산의 에스테르를 사용해도 된다. 카르복실산의 에스테르로서는, 상기의 카르복실산의 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 상기의 카르복실산의 알킬에스테르알킬기로서는, 탄소수가 1 내지 4의 알킬기를 들 수 있고, 해당 알킬기의 탄소수는 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 2 이하이다.To obtain the above reactant, an ester of carboxylic acid may be used. Examples of esters of carboxylic acids include alkyl esters of the above-mentioned carboxylic acids. Examples of the alkyl ester alkyl group of the above carboxylic acid include alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 3 or less, more preferably 2 or less.

상기 아미노기 함유 화합물 중 방향족 골격을 갖지 않는 아미노기 함유 화합물로서는, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 에틸디에탄올아민, 시클로헥실아민 및 디시클로헥실아민 등을 들 수 있다.Among the amino group-containing compounds, examples of the amino group-containing compounds that do not have an aromatic skeleton include diethanolamine, triethanolamine, methyldiethanolamine, ethyldiethanolamine, cyclohexylamine, and dicyclohexylamine.

상기 아미노기 함유 화합물 중 방향족 골격을 갖는 아미노기 함유 화합물로서는, 벤질아민, 벤즈히드릴아민, 2-메틸벤질아민, 3-메틸벤질아민 및 4-tert-부틸벤질아민 등을 들 수 있다. 2급 아민으로서는, N-메틸벤질아민, N-에틸벤질아민, N-페닐벤질아민, N-tert-부틸벤질아민 및 N-이소프로필벤질아민 등을 들 수 있다. 3급 아민으로서는, N,N-디메틸벤질아민, 이미다졸 화합물 및 트리아졸 화합물을 들 수 있다. 도전 재료의 보존 안정성을 효과적으로 높게 하고, 전극 간의 접속시에 도전성 입자를 제외한 성분을 보다 한층 흐르기 어렵게 하는 관점에서는, 상기 아미노기 함유 화합물은, 방향족 아민 화합물 또는 지방족 지환식 아민 화합물인 것이 바람직하다.Among the amino group-containing compounds, examples of the amino group-containing compounds having an aromatic skeleton include benzylamine, benzhydrylamine, 2-methylbenzylamine, 3-methylbenzylamine, and 4-tert-butylbenzylamine. Examples of secondary amines include N-methylbenzylamine, N-ethylbenzylamine, N-phenylbenzylamine, N-tert-butylbenzylamine, and N-isopropylbenzylamine. Examples of tertiary amines include N,N-dimethylbenzylamine, imidazole compounds, and triazole compounds. From the viewpoint of effectively increasing the storage stability of the electrically conductive material and making it more difficult for components other than the electrically conductive particles to flow during connection between electrodes, the amino group-containing compound is preferably an aromatic amine compound or an aliphatic alicyclic amine compound.

상기 플럭스의 활성 온도(융점)는, 바람직하게는 40℃ 이상, 보다 바람직하게는 50℃ 이상이다. 상기 플럭스의 활성 온도가 상기 하한 이상이면, 보존 안정성이 보다 한층 높아진다.The activation temperature (melting point) of the flux is preferably 40°C or higher, more preferably 50°C or higher. If the activation temperature of the flux is equal to or higher than the above lower limit, storage stability is further improved.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 바람직하게는 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-50℃ 이상, 보다 바람직하게는 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-30℃ 이상이고, 바람직하게는 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점+50℃ 이하, 보다 바람직하게는 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점+30℃ 이하, 더욱 바람직하게는 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점 미만이다. 상기 플럭스의 융점이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 플럭스 효과가 보다 한층 효과적으로 발휘되고, 땜납이 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치된다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the melting point of the flux is preferably equal to or higher than the melting point of the solder in the conductive particles - 50°C or higher, and more preferably at least 50°C above the melting point of the solder in the conductive particles. The melting point of the solder in the conductive particles is -30°C or higher, preferably the melting point of the solder in the conductive particles is +50°C or lower, more preferably the melting point of the solder in the conductive particles is +30°C or lower, even more preferably. It is lower than the melting point of the solder in the conductive particles. If the melting point of the flux is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the flux effect is exhibited more effectively and the solder is disposed on the electrode more efficiently.

도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 보다 한층 효율적으로 배치하는 관점에서는, 상기 플럭스의 융점은, 상기 열경화제의 반응 개시 온도보다도 낮은 것이 바람직하고, 5℃ 이상 낮은 것이 보다 바람직하고, 10℃ 이상 낮은 것이 더욱 바람직하다.From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the melting point of the flux is preferably lower than the reaction start temperature of the thermosetting agent, more preferably 5°C or higher, and 10°C or higher. Lower is more preferable.

상기 플럭스는, 도전 재료 중에 분산되어 있어도 되고, 도전성 입자의 표면 상에 부착되어 있어도 된다.The flux may be dispersed in the electrically conductive material or may adhere to the surface of the electrically conductive particles.

25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스는 고체로 존재한다. 플럭스가 도전 재료 중에 균일하게 용해된 상태에서 첨가되어 있는 경우, 열경화성 성분과 플럭스가 일부 반응함으로써 도전 재료의 점도가 상승해버리는 경우가 있다. 또한, 접속 대상 부재 상에 도전 재료가 배치되고, 도전 재료가 공기와 장시간 접촉하는 상태에 놓이면, 공기 중의 수분에 의해 플럭스와 열경화성 화합물의 반응이 촉진되거나, 플럭스와 땜납 표면의 반응에 의해 금속 이온이 생성되거나 하는 등 하여, 땜납의 응집성이나 인접 전극 간의 절연성에 악영향을 주는 경우가 있다. 그것에 대하여 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스는 고체로 존재하면, 플럭스의 표면만이 상기 영향을 받는 것만이면 되므로, 높은 보존 안정성이나, 장시간 방치 후에서도 높은 도통성, 절연성을 발현할 수 있다.In conductive materials at 25°C, the flux exists as a solid. When the flux is added in a uniformly dissolved state in the conductive material, the viscosity of the conductive material may increase due to a partial reaction between the thermosetting component and the flux. Additionally, when a conductive material is disposed on a member to be connected and the conductive material is in contact with air for a long period of time, the reaction between the flux and the thermosetting compound is accelerated by moisture in the air, or the reaction between the flux and the solder surface causes metal ions to form. This formation may adversely affect the cohesiveness of the solder or the insulation between adjacent electrodes. On the other hand, if the flux exists as a solid in a conductive material at 25°C, only the surface of the flux needs to be affected, so it can exhibit high storage stability and high conductivity and insulation even after being left for a long time.

또한, 25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스는 고체로 존재하고 있고, 상기 플럭스가 땜납의 융점보다 낮은 온도에서 용해하는 경우에는, 도전 재료가 페이스트인 경우, 실온(23℃)에서는 도전 재료에 요변성을 부여할 수 있다. 이에 의해, 도전성 입자의 침강을 방지하거나, 도포 후의 형상 유지성을 발현하거나 할 수 있고, 불필요한 개소로의 도전 재료의 유출을 보다 한층 방지할 수 있다. 도전 재료가 필름인 경우, 상기 플럭스가 고체임으로써, 도전 재료 중의 액상 분을 저감할 수 있기 때문에, 필름의 커트성을 향상시킬 수 있고, 커트면에서의 번짐을 억제할 수 있다.In addition, in the conductive material at 25°C, the flux exists as a solid, and when the flux melts at a temperature lower than the melting point of the solder, when the conductive material is a paste, the flux exists as a solid at room temperature (23°C). Transformation can be given. As a result, sedimentation of the conductive particles can be prevented, shape retention after application can be achieved, and outflow of the conductive material into unnecessary locations can be further prevented. When the conductive material is a film, since the flux is solid, the liquid content in the conductive material can be reduced, so the cutability of the film can be improved and bleeding on the cut surface can be suppressed.

또한, 상기 플럭스가 땜납의 융점보다 낮은 온도에서 용해하는 경우에는, 땜납의 융점에서는, 플럭스는 용해하고 있기 때문에, 도전 재료의 용융 점도가 충분히 내려가, 보다 한층 양호한 땜납 응집성을 나타낼 수 있다.Additionally, when the flux melts at a temperature lower than the melting point of the solder, the melt viscosity of the conductive material is sufficiently lowered because the flux is dissolved at the melting point of the solder, and better solder cohesion can be exhibited.

또한, 상기 플럭스가 땜납의 융점보다 낮은 온도에서 용해하는 경우에는, 땜납의 융점 이상에서는, 플럭스가 열경화성 화합물, 또는 열경화제에 용해하고, 또한, 열경화성 화합물 또는 열경화제와 플럭스의 카르복실기, 아미노기가 반응함으로써, 플럭스 성분이 경화계 중에 도입된다. 이에 의해, 인접 전극 간의 높은 절연성을 발현할 수 있고, 또한 전극의 부식을 방지할 수 있다.In addition, when the flux dissolves at a temperature lower than the melting point of the solder, above the melting point of the solder, the flux dissolves in the thermosetting compound or thermosetting agent, and the carboxyl group and amino group of the flux react with the thermosetting compound or thermosetting agent. By doing so, the flux component is introduced into the curing system. As a result, high insulation between adjacent electrodes can be achieved and corrosion of the electrodes can be prevented.

25℃의 도전 재료 중에서, 플럭스의 평균 입자 직경은 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 플럭스의 평균 입자 직경이 상기의 범위에 있음으로써, 플럭스를 수지와 반응하지 않고 도전 재료 중에 존재시킬 수 있고, 도전 재료의 보존 안정성을 보다 한층 높일 수 있다. 마찬가지의 이유로부터, 플럭스의 평균 입자 직경은 바람직하게는 0.1㎛ 이상이다.Among electrically conductive materials at 25°C, the average particle diameter of the flux is preferably 30 μm or less. When the average particle diameter of the flux is within the above range, the flux can be present in the conductive material without reacting with the resin, and the storage stability of the conductive material can be further improved. For the same reason, the average particle diameter of the flux is preferably 0.1 μm or more.

상기 플럭스의 「평균 입자 직경」은, 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 플럭스의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경에서 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The “average particle diameter” of the flux refers to the number average particle diameter. The average particle diameter of the flux is determined, for example, by observing 50 arbitrary conductive particles under an electron microscope or an optical microscope and calculating the average value.

또한, 도전성 입자 및 열경화성 성분과 혼합되기 전의 플럭스 단체와, 도전성 입자 및 열경화성 성분과 혼합된 후의 도전 재료 중의 플럭스로, 플럭스의 평균 입자 직경에 차이가 없는 경우에는, 도전성 입자 및 열경화성 성분과 혼합되기 전의 플럭스 단체로, 평균 입자 직경을 평가할 수 있다.Additionally, if there is no difference in the average particle diameter of the flux alone before being mixed with the conductive particles and thermosetting components, and the flux in the conductive material after being mixed with the conductive particles and thermosetting components, the flux may not be mixed with the conductive particles and thermosetting components. With the previous flux alone, the average particle diameter can be evaluated.

또한, 25℃의 도전 재료 중에서, 플럭스의 평균 입자 직경의, 도전성 입자의 평균 입자 직경에 대한 비(플럭스의 평균 입자 직경/도전성 입자의 평균 입자 직경)는, 바람직하게는 3 이하, 보다 바람직하게는 1 이하, 더욱 바람직하게는 0.2 이하이다. 상기 비가 상기 상한 이하이면, 플럭스를 도전성 입자에 대하여 효과적으로 접촉시킬 수 있고, 가열시의 플럭스 성능을 보다 한층 높일 수 있다. 동일한 이유로부터, 상기 비(플럭스의 평균 입자 직경/도전성 입자의 평균 입자 직경)는 바람직하게는 0.005 이상, 보다 바람직하게는 0.01 이상, 더욱 바람직하게는 0.02 이상이다.In addition, among the conductive materials at 25°C, the ratio of the average particle diameter of the flux to the average particle diameter of the conductive particles (average particle diameter of the flux/average particle diameter of the conductive particles) is preferably 3 or less, more preferably is 1 or less, more preferably 0.2 or less. If the ratio is below the upper limit, the flux can be brought into effective contact with the conductive particles, and the flux performance during heating can be further improved. For the same reason, the ratio (average particle diameter of flux/average particle diameter of conductive particles) is preferably 0.005 or more, more preferably 0.01 or more, and even more preferably 0.02 or more.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 플럭스의 함유량은 바람직하게는 0.5중량% 이상이고, 바람직하게는 30중량% 이하, 보다 바람직하게는 25중량% 이하이다.Among 100% by weight of the electrically conductive material, the content of the flux is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, and more preferably 25% by weight or less.

(절연성 입자)(insulating particles)

도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 간의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 간의 간격을 고정밀도로 제어하는 관점에서는, 상기 도전 재료는, 절연성 입자를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 도전 재료에 있어서, 상기 절연성 입자는, 도전성 입자의 표면에 부착되어 있지 않아도 된다. 상기 도전 재료 중에서, 상기 절연성 입자는 도전성 입자와 이격되어 존재하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of controlling with high accuracy the gap between the connection target members connected by the cured product of the conductive material and the gap between the connection target members connected by solder in the conductive particles, the conductive material contains insulating particles. desirable. In the above-described electrically-conductive material, the insulating particles do not have to adhere to the surface of the electrically-conductive particles. Among the above-described electrically-conductive materials, it is preferable that the insulating particles exist while being spaced apart from the electrically-conductive particles.

상기 절연성 입자의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 75㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 상기 절연성 입자의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 간의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 간의 간격이 보다 한층 적당해진다.The average particle diameter of the insulating particles is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, further preferably 25 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 75 μm or less, even more preferably Typically, it is 50㎛ or less. If the average particle diameter of the insulating particles is greater than or equal to the lower limit and less than or equal to the upper limit, the gap between the connection target members connected by the cured product of the conductive material and the gap between the connection target members connected by solder in the conductive particles are larger. It becomes more appropriate.

상기 절연성 입자의 「평균 입자 직경」은, 수 평균 입자 직경을 나타낸다. 절연성 입자의 평균 입자 직경은, 예를 들어 임의의 도전성 입자 50개를 전자 현미경 또는 광학 현미경으로 관찰하고, 평균값을 산출함으로써 구해진다.The “average particle diameter” of the insulating particles represents the number average particle diameter. The average particle diameter of the insulating particles is determined by, for example, observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating the average value.

또한, 도전성 입자, 열경화성 성분 및 플럭스와 혼합되기 전의 절연성 입자 단체와, 도전성 입자, 열경화성 성분 및 플럭스와 혼합된 후의 도전 재료 중의 절연성 입자에서, 절연성 입자의 평균 입자 직경은 일반적으로 동일하다.Additionally, the average particle diameter of the insulating particles is generally the same for the insulating particles alone before being mixed with the conductive particles, thermosetting component, and flux, and the insulating particles in the conductive material after being mixed with the conductive particles, thermosetting component, and flux.

상기 절연성 입자의 재료로서는, 절연성의 수지 및 절연성의 무기물 등을 들 수 있다. 상기 절연성의 수지로서는, 기재 입자로서 사용하는 것이 가능한 수지 입자를 형성하기 위한 수지로서 예를 든 상기 수지를 들 수 있다. 상기 절연성의 무기물로서는, 기재 입자로서 사용하는 것이 가능한 무기 입자를 형성하기 위한 무기물로서 예를 든 상기 무기물을 들 수 있다.Materials for the insulating particles include insulating resin and insulating inorganic substances. Examples of the insulating resin include the resins mentioned above as resins for forming resin particles that can be used as substrate particles. Examples of the insulating inorganic material include the above-mentioned inorganic materials for forming inorganic particles that can be used as base particles.

상기 절연성 입자의 재료인 절연성 수지의 구체예로서는, 폴리올레핀류, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 및 수용성 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating particles include polyolefins, (meth)acrylate polymers, (meth)acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, thermosetting resins, and water-soluble resins. You can.

상기 폴리올레핀류로서는, 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 및 에틸렌-아크릴산 에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로서는, 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 및 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로서는, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산 에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 및 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 이들 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로서는, 비닐 중합체 및 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로서는, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 및 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.Examples of the polyolefins include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth)acrylate polymer include polymethyl (meth)acrylate, polyethyl (meth)acrylate, and polybutyl (meth)acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer and SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymer and vinyl copolymer. Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, and melamine resin. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinylpyrrolidone, polyethylene oxide, and methylcellulose. Among them, water-soluble resin is preferable and polyvinyl alcohol is more preferable.

상기 도전 재료 100중량% 중, 상기 절연성 입자의 함유량은 바람직하게는 0.1중량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량% 이상이고, 바람직하게는 10중량% 이하, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다. 상기 도전 재료는, 절연성 입자를 포함하고 있지 않아도 된다. 절연성 입자의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 도전 재료의 경화물에 의해 접속되는 접속 대상 부재 간의 간격, 및 도전성 입자에 있어서의 땜납에 의해 접속되는 접속 대상 부재 간의 간격이 보다 한층 적당해진다.Among 100% by weight of the electrically conductive material, the content of the insulating particles is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight or less. The electrically conductive material does not need to contain insulating particles. If the content of the insulating particles is more than the above lower limit and less than the above upper limit, the gap between the connection target members connected by the cured product of the conductive material and the gap between the connection target members connected by solder in the conductive particles become more appropriate. .

(다른 성분)(other ingredients)

상기 도전 재료는 필요에 따라, 예를 들어 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 활제, 대전 방지제 및 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.The conductive material may contain various additives, such as fillers, extenders, softeners, plasticizers, polymerization catalysts, curing catalysts, colorants, antioxidants, heat stabilizers, light stabilizers, ultraviolet absorbers, lubricants, antistatic agents, and flame retardants, as necessary. It may be included.

(접속 구조체 및 접속 구조체의 제조 방법)(Connection structure and method of manufacturing the connection structure)

본 발명에 따른 접속 구조체는, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1 접속 대상 부재와, 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비한다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 접속부의 재료가, 상술한 도전 재료이고, 상기 접속부가, 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 본 발명에 따른 접속 구조체에서는, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있다.The connection structure according to the present invention includes a first connection target member having at least one first electrode on its surface, a second connection target member having at least one second electrode on its surface, and the first connection target member, and a connecting portion connecting the second connection target member. In the connection structure according to the present invention, the material of the connection part is the above-mentioned conductive material, and the connection part is formed of the above-mentioned conductive material. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.

상기 접속 구조체의 제조 방법은, 상술한 도전 재료를 사용하여, 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재의 표면 상에, 상기 도전 재료를 배치하는 공정과, 상기 도전 재료의 상기 제1 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에, 적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재를, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 대향하도록 배치하는 공정과, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점 이상으로 상기 도전 재료를 가열함으로써, 상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를, 상기 도전 재료의 경화물에 의해 형성하고, 또한, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을, 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속하는 공정을 구비한다. 바람직하게는, 상기 열경화성 성분, 열경화성 화합물의 경화 온도 이상으로 상기 도전 재료를 가열한다.The manufacturing method of the connection structure includes the steps of using the above-described conductive material to dispose the conductive material on the surface of a first connection target member having at least one first electrode on the surface, and the above-described conductive material. A step of arranging a second connection target member having at least one second electrode on a surface opposite to the first connection target member side so that the first electrode and the second electrode face each other, and the conductivity By heating the conductive material above the melting point of the solder in the particles, a connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member is formed by a cured product of the conductive material, further comprising: A step of electrically connecting the first electrode and the second electrode using a solder portion in the connection portion is provided. Preferably, the conductive material is heated above the curing temperature of the thermosetting component and thermosetting compound.

본 발명에 따른 접속 구조체 및 상기 접속 구조체의 제조 방법에서는, 특정한 도전 재료를 사용하고 있으므로, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이기 쉽고, 땜납을 전극(라인) 상에 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어렵고, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 할 수 있다. 따라서, 제1 전극과 제2 전극 간의 도통 신뢰성을 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안 되는 가로 방향으로 인접하는 전극 간의 전기적인 접속을 방지할 수 있고, 절연 신뢰성을 높일 수 있다.In the bonded structure and the manufacturing method of the bonded structure according to the present invention, since a specific conductive material is used, the solder in the plurality of conductive particles is likely to collect between the first electrode and the second electrode, and the solder is applied to the electrode (line). It can be placed efficiently on the table. Additionally, it is difficult for a part of the solder to be placed in the area (space) where the electrode is not formed, and the amount of solder placed in the area where the electrode is not formed can be significantly reduced. Accordingly, the reliability of conduction between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, electrical connection between horizontally adjacent electrodes that should not be connected can be prevented, and insulation reliability can be improved.

또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 배치하고, 또한 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 땜납의 양을 상당히 적게 하기 위해서는, 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, in order to efficiently arrange the solder in a plurality of conductive particles on the electrode and to significantly reduce the amount of solder placed in the area where the electrode is not formed, it is better to use a conductive paste rather than a conductive film. desirable.

전극 사이에서의 땜납부의 두께는, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 80㎛ 이하이다. 전극의 표면 상의 땜납 습윤 면적(전극의 노출한 면적 100% 중의 땜납이 접하고 있는 면적, 상기 접속부를 형성하기 전의 상기 제1 전극과 상기 제1 전극과 전기적으로 접속되는 상기 제2 전극의 노출한 면적 100%에 대한, 상기 접속부를 형성한 후의 상기 땜납부가 접하고 있는 면적)은, 바람직하게는 50% 이상, 보다 바람직하게는 70% 이상이고, 바람직하게는 100% 이하이다.The thickness of the solder portion between the electrodes is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, preferably 100 μm or less, and more preferably 80 μm or less. Solder wet area on the surface of the electrode (area in contact with solder out of 100% of the exposed area of the electrode, exposed area of the first electrode before forming the connection portion and the second electrode electrically connected to the first electrode) The area in contact with the solder portion after forming the connection portion (relative to 100%) is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and preferably 100% or less.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지거나, 또는 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정 중 적어도 한쪽에 있어서, 가압을 행하고, 또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정의 양쪽에 있어서, 가압의 압력이 1MPa 미만인 것이 바람직하다. 1MPa 이상의 가압의 압력을 가하지 않음으로써, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 응집이 상당히 촉진된다. 접속 대상 부재의 휨을 억제하는 관점에서는, 본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정의 중 적어도 한쪽에 있어서, 가압을 행하고, 또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정의 양쪽에 있어서, 가압의 압력이 1MPa 미만이어도 된다. 가압을 행하는 경우에, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정만에 있어서, 가압을 행해도 되고, 상기 접속부를 형성하는 공정만에 있어서, 가압을 행해도 되고, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정과 상기 접속부를 형성하는 공정의 양쪽에 있어서, 가압을 행해도 된다. 가압의 압력이 1MPa 미만에는, 가압하고 있지 않은 경우가 포함된다. 가압을 행하는 경우에, 가압의 압력은, 바람직하게는 0.9MPa 이하, 보다 바람직하게는 0.8MPa 이하이다. 가압의 압력이 0.8MPa 이하인 경우에, 가압의 압력이 0.8MPa를 초과하는 경우에 비하여, 도전성 입자에 있어서의 땜납의 응집이 보다 한층 현저하게 촉진된다.In the method of manufacturing a connected structure according to the present invention, in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressurization is performed, and the weight of the second connection target member is applied to the conductive material. Applying pressure, or applying pressure in at least one of the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, and further, the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion. On both sides, it is preferable that the pressurizing pressure is less than 1 MPa. By not applying an applied pressure of 1 MPa or more, the aggregation of the solder in the conductive particles is significantly promoted. From the viewpoint of suppressing bending of the connection target member, in the method of manufacturing a connected structure according to the present invention, pressurization is performed in at least one of the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, and , the pressing pressure may be less than 1 MPa in both the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion. When applying pressing, pressing may be performed only in the step of disposing the second connection target member, or pressing may be performed only in the step of forming the connection portion, or the second connection target member may be placed. Pressurization may be applied in both the step of forming the connection portion and the step of forming the connection portion. The case where the pressurization pressure is less than 1 MPa includes the case where no pressurization is applied. When pressurizing, the pressurizing pressure is preferably 0.9 MPa or less, more preferably 0.8 MPa or less. When the pressing pressure is 0.8 MPa or less, the aggregation of the solder in the conductive particles is promoted more significantly than when the pressing pressure exceeds 0.8 MPa.

본 발명에 따른 접속 구조체의 제조 방법에서는, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지는 것이 바람직하고, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 상기 도전 재료에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량의 힘을 초과하는 가압 압력은 가해지지 않는 것이 바람직하다. 이들 경우에는, 복수의 땜납부에 있어서, 땜납량의 균일성을 보다 한층 높일 수 있다. 또한, 땜납부의 두께를 보다 한층 효과적으로 두껍게 할 수 있고, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 사이에 많이 모이기 쉬워져, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있다. 또한, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납의 일부가, 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되기 어렵고, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 배치되는 도전성 입자에 있어서의 땜납의 양을 보다 한층 적게 할 수 있다. 따라서, 전극간의 도통 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다. 게다가, 접속되어서는 안 되는 가로 방향에 인접하는 전극 간의 전기적인 접속을 보다 한층 방지할 수 있고, 절연 신뢰성을 보다 한층 높일 수 있다.In the method of manufacturing a connected structure according to the present invention, in the step of disposing the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressurization is performed, and the weight of the second connection target member is applied to the conductive material. Preferably, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, a pressing pressure exceeding the force of the weight of the second connection target member is not applied to the conductive material. It is desirable. In these cases, the uniformity of the solder amount in the plurality of solder portions can be further improved. In addition, the thickness of the solder portion can be increased more effectively, and it becomes easy for a large amount of solder from a plurality of conductive particles to collect between the electrodes, making it possible to more efficiently spread the solder from a plurality of conductive particles onto the electrode (line). It can be placed as . In addition, it is difficult for a portion of the solder in the plurality of conductive particles to be placed in the area (space) where the electrode is not formed, and the amount of solder in the conductive particles placed in the area where the electrode is not formed is further reduced. You can do less. Therefore, the reliability of conduction between electrodes can be further improved. In addition, electrical connection between electrodes adjacent to each other in the horizontal direction, which should not be connected, can be further prevented, and insulation reliability can be further improved.

또한, 상기 제2 접속 대상 부재를 배치하는 공정 및 상기 접속부를 형성하는 공정에 있어서, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 재료에, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지면, 접속부가 형성되기 전에 전극이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스)에 배치되어 있었던 땜납이 제1 전극과 제2 전극 사이에 보다 한층 모이기 쉬워지고, 복수의 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극(라인) 상에 보다 한층 효율적으로 배치할 수 있는 것도, 본 발명자들은 알아내었다. 본 발명에서는, 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용한다는 구성과, 가압을 행하지 않고, 상기 도전 페이스트에는, 상기 제2 접속 대상 부재의 중량이 가해지도록 한다고 하는 구성을 조합하여 채용하는 것에는, 본 발명의 효과를 보다 한층 높은 레벨에서 얻기 때문에 큰 의미가 있다.Additionally, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, if the weight of the second connection target member is applied to the conductive material without applying pressure, the electrode will form before the connection portion is formed. The solder placed in the unformed area (space) becomes more likely to gather between the first and second electrodes, and the solder in the plurality of conductive particles is placed on the electrode (line) more efficiently. The present inventors also found out what can be done. In the present invention, a combination of a configuration of using a conductive paste rather than a conductive film and a configuration of allowing the weight of the second connection target member to be applied to the conductive paste without applying pressure includes the following: It is of great significance because the effect of the invention can be achieved at a higher level.

또한, WO2008/023452A1에서는, 땜납분을 전극 표면에 흘러가게 하여 효율적으로 이동시키는 관점에서는, 접착시에 소정의 압력으로 가압하면 되는 것이 기재되어 있고, 가압 압력은, 땜납 영역을 더욱 확실하게 형성하는 관점에서는, 예를 들어 0MPa 이상, 바람직하게는 1MPa 이상으로 하는 것이 기재되어 있고, 또한, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0MPa여도, 접착 테이프 상에 배치된 부재의 자중에 의해, 접착 테이프에 소정의 압력이 가해져도 되는 것이 기재되어 있다. WO2008/023452A1에서는, 접착 테이프에 의도적으로 가하는 압력이 0MPa여도 되는 것은 기재되어 있지만, 0MPa를 초과하는 압력을 부여한 경우와 0MPa로 한 경우의 효과의 차이에 대해서는, 전혀 기재되어 있지 않다. 또한, WO2008/023452A1에서는 필름상이 아닌, 페이스트상의 도전 페이스트를 사용하는 것의 중요성에 대해서도 전혀 인식되어 있지 않다.In addition, WO2008/023452A1 describes that from the viewpoint of efficiently moving the solder powder to the electrode surface, applying pressure to a predetermined pressure during adhesion is used to more reliably form the solder area. From this point of view, it is described that the pressure is, for example, 0 MPa or more, preferably 1 MPa or more, and even if the pressure intentionally applied to the adhesive tape is 0 MPa, the self-weight of the member disposed on the adhesive tape causes a predetermined pressure to be applied to the adhesive tape. It is described that pressure may be applied. In WO2008/023452A1, it is described that the pressure intentionally applied to the adhesive tape may be 0 MPa, but the difference in effect between applying a pressure exceeding 0 MPa and 0 MPa is not described at all. Additionally, in WO2008/023452A1, there is no recognition at all about the importance of using a conductive paste in the form of a paste rather than a film.

또한, 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용하면, 도전 페이스트의 도포량에 의해, 접속부 및 땜납부의 두께를 조정하는 것이 용이해진다. 한편으로, 도전 필름에서는, 접속부의 두께를 변경하거나, 조정하거나 하기 위해서는, 다른 두께의 도전 필름을 준비하거나, 소정의 두께의 도전 필름을 준비하거나 해야 한다는 문제가 있다. 또한, 도전 필름에서는, 도전 페이스트에 비하여, 땜납의 용융 온도에서, 도전 필름의 용융 점도를 충분히 내릴 수 없고, 땜납의 응집이 저해되기 쉬운 경향이 있다.Additionally, if a conductive paste is used instead of a conductive film, it becomes easy to adjust the thickness of the connection portion and the solder portion depending on the amount of conductive paste applied. On the other hand, with conductive films, there is a problem that in order to change or adjust the thickness of the connection portion, a conductive film with a different thickness must be prepared or a conductive film with a predetermined thickness must be prepared. Additionally, in the case of a conductive film, compared to a conductive paste, the melt viscosity of the conductive film cannot be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder, and cohesion of the solder tends to be easily inhibited.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여 얻어지는 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a bonded structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시하는 접속 구조체(1)는, 제1 접속 대상 부재(2)와, 제2 접속 대상 부재(3)와, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를 구비한다. 접속부(4)는, 상술한 도전 재료에 의해 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 도전 재료는 도전성 입자로서, 땜납 입자를 포함한다.The connection structure 1 shown in FIG. 1 includes a first connection target member 2, a second connection target member 3, and a first connection target member 2 and a second connection target member 3. It is provided with a connecting portion (4) that is connected. The connection portion 4 is formed of the above-described electrically conductive material. In this embodiment, the electrically conductive material contains solder particles as electrically conductive particles.

접속부(4)는, 복수의 땜납 입자가 모여 서로 접합한 땜납부(4A)와, 열경화성 성분이 열경화된 경화물부(4B)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 땜납부(4A)를 형성하기 위해서, 도전성 입자로서, 땜납 입자를 사용하고 있다. 땜납 입자는, 중심 부분 및 도전부의 외표면의 모두가, 땜납에 의해 형성되어 있다.The connection portion 4 has a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined together, and a cured portion 4B in which a thermosetting component is thermoset. In this embodiment, solder particles are used as conductive particles to form the solder portion 4A. As for solder particles, both the center portion and the outer surface of the conductive portion are formed of solder.

제1 접속 대상 부재(2)는 표면(상면)에, 복수의 제1 전극(2a)을 갖는다. 제2 접속 대상 부재(3)는 표면(하면)에, 복수의 제2 전극(3a)을 갖는다. 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)이, 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)가, 땜납부(4A)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 접속부(4)에 있어서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납은 존재하지 않는다. 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에서는, 땜납부(4A)와 이격된 땜납은 존재하지 않는다. 또한, 소량이면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인 땜납부(4A)와는 상이한 영역(경화물부(4B) 부분)에, 땜납이 존재하고 있어도 된다.The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on its surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on its surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by a solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. Additionally, in the connection portion 4, no solder is present in a region (cured portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In a region different from the solder portion 4A (cured portion 4B portion), there is no solder spaced apart from the solder portion 4A. Additionally, if the amount is small, solder may be present in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.

도 1에 도시한 바와 같이, 접속 구조체(1)에서는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에, 복수의 땜납 입자가 모여, 복수의 땜납 입자가 용융한 후, 땜납 입자의 용융물이 전극의 표면을 번진 후에 고화하여, 땜납부(4A)가 형성되어 있다. 이로 인해, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접속 면적이 커진다. 즉, 땜납 입자를 사용함으로써, 도전부의 외표면 부분이 니켈, 금 또는 구리 등의 금속인 도전성 입자를 사용한 경우와 비교하여, 땜납부(4A)와 제1 전극(2a), 및 땜납부(4A)와 제2 전극(3a)의 접촉 면적이 커진다. 이로 인해, 접속 구조체(1)에 있어서의 도통 신뢰성 및 접속 신뢰성이 높아진다.As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, a plurality of solder particles gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a, and after the plurality of solder particles are melted, the solder particles After the melt spreads the surface of the electrode and solidifies, the solder portion 4A is formed. For this reason, the connection areas between the solder portion 4A and the first electrode 2a and the solder portion 4A and the second electrode 3a increase. That is, by using solder particles, compared to the case of using conductive particles in which the outer surface portion of the conductive portion is a metal such as nickel, gold, or copper, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder portion 4A ) and the contact area between the second electrode 3a increases. For this reason, the conduction reliability and connection reliability in the connection structure 1 increase.

또한, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)에서는, 땜납부(4A)의 모두가 제1, 제2 전극(2a, 3a) 간의 대향하고 있는 영역에 위치하고 있다. 도 3에 도시하는 변형예의 접속 구조체(1X)는, 접속부(4X)만이 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)와 상이하다. 접속부(4X)는 땜납부(4XA)와 경화물부(4XB)를 갖는다. 접속 구조체(1X)와 같이, 땜납부(4XA)의 대다수가 제1, 제2 전극(2a, 3a)이 대향하고 있는 영역에 위치하고 있고, 땜납부(4XA)의 일부가 제1, 제2 전극(2a, 3a)이 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나오고 있어도 된다. 제1, 제2 전극(2a, 3a)이 대향하고 있는 영역으로부터 측방으로 비어져 나오고 있는 땜납부(4XA)는, 땜납부(4XA)의 일부이고, 땜납부(4XA)로부터 이격된 땜납이 아니다. 또한, 본 실시 형태에서는, 땜납부에서 이격된 땜납의 양을 적게 할 수 있지만, 땜납부에서 이격된 땜납이 경화물부 중에 존재하고 있어도 된다.In addition, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all of the solder portions 4A are located in the opposing area between the first and second electrodes 2a and 3a. The connected structure 1X of the modified example shown in FIG. 3 is different from the connected structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection portion 4X. The connection portion 4X has a solder portion 4XA and a hardened portion 4XB. Like the connection structure 1X, the majority of the solder portion 4XA is located in the area where the first and second electrodes 2a and 3a face each other, and a portion of the solder portion 4XA is located at the first and second electrodes. (2a, 3a) may protrude laterally from the opposing area. The solder portion 4XA protruding laterally from the area where the first and second electrodes 2a and 3a face each other is a part of the solder portion 4XA and is not solder spaced apart from the solder portion 4XA. . Additionally, in this embodiment, the amount of solder spaced apart from the solder portion can be reduced, but the solder spaced apart from the solder portion may be present in the cured portion.

땜납 입자의 사용량을 적게 하면, 접속 구조체(1)를 얻는 것이 용이해진다. 땜납 입자의 사용량을 많게 하면, 접속 구조체(1X)를 얻는 것이 용이해진다.If the amount of solder particles used is reduced, it becomes easier to obtain the connection structure 1. If the amount of solder particles used increases, it becomes easier to obtain the bonded structure 1X.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 접속 구조체(1, 1X)에서는, 제1 전극(2a)과 접속부(4, 4X)와 제2 전극(3a)의 적층 방향으로 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상(보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상, 가장 바람직하게는 90% 이상)에, 접속부(4, 4X) 중의 땜납부(4A, 4XA)가 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving conduction reliability, in the connection structures 1 and 1 When looking at the opposing parts of the two electrodes 3a, 50% or more (more preferably 60% or more, more preferably 60% or more) of 100% of the area of the opposing parts of the first electrode 2a and the second electrode 3a. It is preferable that the solder portions 4A and 4XA of the connecting portions 4 and 4X are disposed at least 70%, particularly preferably at least 80%, and most preferably at least 90%.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상(보다 바람직하게는 60% 이상, 더욱 바람직하게는 70% 이상, 특히 바람직하게는 80% 이상, 가장 바람직하게는 90% 이상)으로, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving conduction reliability, when viewing the opposing portions of the first electrode and the second electrode in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode 50% or more (more preferably 60% or more, further preferably 70% or more, particularly preferably 80% or more, most preferably 90% or more) of 100% of the area of the opposing portions of the two electrodes, It is preferable that the solder portion in the connection portion is disposed.

도통 신뢰성을 보다 한층 높이는 관점에서는, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향과 직교하는 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분에, 상기 접속부 중의 땜납부의 60% 이상(보다 바람직하게는 70% 이상, 보다 한층 바람직하게는 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상, 특히 바람직하게는 95% 이상, 가장 바람직하게는 99% 이상)이 배치되어 있는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving conduction reliability, when the opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in a direction perpendicular to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode At least 60% (more preferably at least 70%, even more preferably at least 80%, even more preferably at least 90%, particularly preferably at least 90%) of the solder portion of the connection portion at the portion where the electrode and the second electrode face each other. It is preferable that it is arranged at least 95%, most preferably at least 99%.

이어서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전 재료를 사용하여, 접속 구조체(1)를 제조하는 방법의 일례를 설명한다.Next, an example of a method for manufacturing the bonded structure 1 using the conductive material according to one embodiment of the present invention will be described.

우선, 제1 전극(2a)을 표면(상면)에 갖는 제1 접속 대상 부재(2)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상에, 열경화성 성분(11B)과, 복수의 땜납 입자(11A)와, 특정한 플럭스를 포함하는 도전 재료(11)를 배치한다(제1 공정). 사용한 도전 재료는, 열경화성 성분(11B)으로서, 열경화성 화합물과 열경화제를 포함한다.First, the first connection target member 2 having the first electrode 2a on its surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2(a), on the surface of the first connection target member 2, a conductive material containing a thermosetting component 11B, a plurality of solder particles 11A, and a specific flux is applied. Place (11) (first process). The electrically-conductive material used is a thermosetting component (11B) and contains a thermosetting compound and a thermosetting agent.

제1 접속 대상 부재(2)의 제1 전극(2a)이 설치된 표면 상에, 도전 재료(11)를 배치한다. 도전 재료(11)의 배치 후에, 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)(라인) 상과, 제1 전극(2a)이 형성되어 있지 않은 영역(스페이스) 상의 양쪽에 배치되어 있다.The conductive material 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is installed. After the conductive material 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed on both sides of the first electrode 2a (line) and on the area (space) where the first electrode 2a is not formed.

도전 재료(11)의 배치 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 디스펜서에 의한 도포, 스크린 인쇄 및 잉크젯 장치에 의한 토출 등을 들 수 있다.The method of disposing the conductive material 11 is not particularly limited, and includes application using a dispenser, screen printing, and ejection using an inkjet device.

또한, 제2 전극(3a)을 표면(하면)에 갖는 제2 접속 대상 부재(3)를 준비한다. 이어서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)의 표면 상의 도전 재료(11)에 있어서, 도전 재료(11)의 제1 접속 대상 부재(2)측과는 반대측의 표면 상에, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다(제2 공정). 도전 재료(11)의 표면 상에, 제2 전극(3a) 측으로부터, 제2 접속 대상 부재(3)를 배치한다. 이때, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a)을 대향시킨다.Additionally, a second connection target member 3 having the second electrode 3a on its surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2(b), in the conductive material 11 on the surface of the first connection target member 2, the first connection target member 2 side of the conductive material 11 is The second connection target member 3 is disposed on the opposite surface (second process). The second connection target member 3 is disposed on the surface of the conductive material 11 from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

이어서, 땜납 입자(11A)의 융점 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다(제3 공정). 바람직하게는, 열경화성 성분(11B)(결합제)의 경화 온도 이상으로 도전 재료(11)를 가열한다. 이 가열 시에는, 전극이 형성되어 있지 않은 영역에 존재하고 있었던 땜납 입자(11A)는, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 모인다(자기 응집 효과). 도전 필름이 아닌, 도전 페이스트를 사용한 경우에는, 땜납 입자(11A)가 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 땜납 입자(11A)는 용융하고, 서로 접합한다. 또한, 열경화성 성분(11B)은 열경화한다. 이 결과, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 제1 접속 대상 부재(2)와 제2 접속 대상 부재(3)를 접속하고 있는 접속부(4)를, 도전 재료(11)에 의해 형성한다. 도전 재료(11)에 의해 접속부(4)가 형성되고, 복수의 땜납 입자(11A)가 접합함으로써 땜납부(4A)가 형성되고, 열경화성 성분(11B)이 열 경화함으로써 경화물부(4B)가 형성된다. 땜납 입자(11A)가 충분히 이동하면, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 위치하고 있지 않은 땜납 입자(11A)의 이동이 개시하고 나서, 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 땜납 입자(11A)의 이동이 완료할 때까지, 온도를 일정하게 유지하지 않아도 된다.Next, the conductive material 11 is heated to the melting point or higher of the solder particles 11A (third process). Preferably, the conductive material 11 is heated above the curing temperature of the thermosetting component 11B (binder). During this heating, the solder particles 11A existing in the area where the electrode is not formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). When a conductive paste is used instead of a conductive film, solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Additionally, the solder particles 11A are melted and joined to each other. Additionally, the thermosetting component (11B) is thermoset. As a result, as shown in Fig. 2(c), the connection portion 4 connecting the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed with the conductive material 11. do. The connection portion 4 is formed by the conductive material 11, the solder portion 4A is formed by joining the plurality of solder particles 11A, and the thermosetting component 11B is heat-cured to form the cured portion 4B. is formed When the solder particles 11A move sufficiently, the solder particles 11A that are not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a begin to move, and then the first electrode 2a and the second electrode 3a begin to move. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A is completed between (3a).

본 실시 형태에서는, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정에 있어서, 가압을 행하지 않는 쪽이 바람직하다. 이 경우에는, 도전 재료(11)에는, 제2 접속 대상 부재(3)의 중량이 가해진다. 이로 인해, 접속부(4)의 형성 시에, 땜납 입자(11A)가 제1 전극(2a)과 제2 전극(3a) 사이에 효과적으로 모인다. 또한, 상기 제2 공정 및 상기 제3 공정 중 적어도 한쪽에 있어서, 가압을 행하면, 땜납 입자가 제1 전극과 제2 전극 사이에 모이려고 하는 작용이 저해되는 경향이 높아진다.In this embodiment, it is preferable not to apply pressure in the second process and the third process. In this case, the weight of the second connection target member 3 is applied to the conductive material 11. Because of this, when forming the connecting portion 4, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Additionally, in at least one of the second process and the third process, when pressure is applied, the tendency for solder particles to gather between the first electrode and the second electrode increases.

또한, 본 실시 형태에서는, 가압을 행하고 있지 않기 때문에, 도전 재료를 도포한 제1 접속 대상 부재에, 제2 접속 대상 부재를 중첩했을 때에, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 얼라인먼트가 어긋난 상태에서, 제1 접속 대상 부재와 제2 접속 대상 부재가 중첩된 경우에도, 그 어긋남을 보정하여, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극을 접속시킬 수 있다(셀프 얼라인먼트 효과). 이것은, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 사이에 자기 응집한 용융한 땜납이, 제1 접속 대상 부재의 전극과 제2 접속 대상 부재의 전극 간의 땜납과 도전 재료의 그 밖의 성분이 접하는 면적이 최소가 되는 쪽이 에너지적으로 안정되기 때문에, 그 최소의 면적이 되는 접속 구조인 얼라인먼트가 있었던 접속 구조로 하는 힘이 작용하기 때문이다. 이때, 도전 재료가 경화하고 있지 않은 것, 및 그 온도, 시간에서, 도전 재료의 도전성 입자 이외의 성분의 점도가 충분히 낮은 것이 바람직하다.Furthermore, in this embodiment, since pressurization is not performed, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member coated with a conductive material, the electrode of the first connection target member and the second connection target member Even when the first connection target member and the second connection target member overlap in a state where the electrode alignment is misaligned, the misalignment can be corrected to connect the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member. (self-alignment effect). This means that the molten solder that has self-agglomerated between the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member is the solder between the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member and other conductive materials. This is because the area in which the components are in contact with the smallest is energetically stable, so the force acting on the connection structure with alignment, which is the connection structure that has the minimum area, acts. At this time, it is preferable that the conductive material is not cured and that the viscosity of components other than the conductive particles of the conductive material are sufficiently low at the temperature and time.

이와 같이 하여, 도 1에 도시하는 접속 구조체(1)가 얻어진다. 또한, 상기 제2 공정과 상기 제3 공정은 연속하여 행해져도 된다. 또한, 상기 제2 공정을 행한 후에, 얻어지는 제1 접속 대상 부재(2)와 도전 재료(11)와 제2 접속 대상 부재(3)의 적층체를, 가열부에 이동시켜, 상기 제3 공정을 행해도 된다. 상기 가열을 행하기 위해서, 가열 부재 상에 상기 적층체를 배치해도 되고, 가열된 공간 내에 상기 적층체를 배치해도 된다.In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. Additionally, the second process and the third process may be performed continuously. Furthermore, after performing the second step, the resulting laminate of the first connection target member 2, the conductive material 11, and the second connection target member 3 is moved to a heating unit, and the third step is performed. You can do it. In order to perform the heating, the laminate may be placed on a heating member, or the laminate may be placed in a heated space.

상기 제3 공정에서의 상기 가열 온도는, 바람직하게는 140℃ 이상, 보다 바람직하게는 160℃ 이상이고, 바람직하게는 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 250℃ 이하, 더욱 바람직하게는 200℃ 이하이다.The heating temperature in the third step is preferably 140°C or higher, more preferably 160°C or higher, preferably 450°C or lower, more preferably 250°C or lower, and even more preferably 200°C or lower. .

상기 제3 공정에서의 가열 방법으로서는, 땜납의 융점 이상 및 열경화성 화합물의 경화 온도 이상으로, 접속 구조체 전체를, 리플로우로를 사용하여 또는 오븐을 사용하여 가열하는 방법이나, 접속 구조체의 접속부만을 국소적으로 가열하는 방법을 들 수 있다.As a heating method in the third step, a method of heating the entire connected structure to a temperature higher than the melting point of the solder and the curing temperature of the thermosetting compound using a reflow furnace or an oven, or a method of heating only the connection portion of the connected structure locally One possible method is heating.

국소적으로 가열하는 방법에 사용하는 기구로서는, 핫 플레이트, 열풍을 부여하는 히트건, 땜납 고데 및 적외선 히터 등을 들 수 있다.Equipment used in the local heating method includes a hot plate, a heat gun that applies hot air, a soldering iron, and an infrared heater.

또한, 핫 플레이트에서 국소적으로 가열할 때, 접속부 바로 아래는, 열전도성이 높은 금속으로, 그 밖의 가열하는 것이 바람직하지 않은 개소는, 불소 수지 등의 열전도성이 낮은 재질로, 핫 플레이트 상면을 형성하는 것이 바람직하다.Additionally, when heating locally with a hot plate, the upper surface of the hot plate should be made of a metal with high thermal conductivity just below the joint, and other areas where heating is not desirable should be made of a material with low thermal conductivity such as fluororesin. It is desirable to form

상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 특별히 한정되지 않는다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재로서는, 구체적으로는, 반도체 칩, 반도체 패키지, LED 칩, LED 패키지, 콘덴서 및 다이오드 등의 전자 부품, 및 수지 필름, 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블, 리지드 플렉시블 기판, 유리 에폭시 기판 및 유리 기판 등의 회로 기판 등의 전자 부품 등을 들 수 있다. 상기 제1, 제2 접속 대상 부재는, 전자 부품인 것이 바람직하다.The first and second connection target members are not particularly limited. The first and second connection target members specifically include electronic components such as semiconductor chips, semiconductor packages, LED chips, LED packages, condensers and diodes, and resin films, printed boards, flexible printed boards, and flexible flat cables, Electronic components such as circuit boards such as rigid flexible substrates, glass epoxy substrates, and glass substrates can be mentioned. It is preferable that the first and second connection target members are electronic components.

상기 제1 접속 대상 부재 및 상기 제2 접속 대상 부재 중 적어도 한쪽이, 반도체 칩, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 기판 또는 플렉시블 플랫 케이블인 것이 바람직하고, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 보다 바람직하다. 상기 제2 접속 대상 부재가 반도체 칩, 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 기판 또는 플렉시블 플랫 케이블인 것이 바람직하고 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판인 것이 보다 바람직하다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 및 리지드 플렉시블 기판은, 유연성이 높고, 비교적 경량이라고 하는 성질을 갖는다. 이러한 접속 대상 부재의 접속에 도전 필름을 사용한 경우에는, 도전성 입자에 있어서의 땜납이 전극 상에 모이기 어려운 경향이 있다. 이에 비해, 도전 페이스트를 사용함으로써 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용했다고 해도, 도전성 입자에 있어서의 땜납을 전극 상에 효율적으로 모음으로써, 전극 간의 도통 신뢰성을 충분히 높일 수 있다. 수지 필름, 플렉시블 프린트 기판, 플렉시블 플랫 케이블 또는 리지드 플렉시블 기판을 사용하는 경우에, 반도체 칩 등의 다른 접속 대상 부재를 사용한 경우에 비하여, 가압을 행하지 않는 것에 의한 전극 간의 도통 신뢰성의 향상 효과가 보다 한층 효과적으로 얻어진다.It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a semiconductor chip, a resin film, a flexible printed circuit board, a rigid flexible substrate, or a flexible flat cable, and the resin film, a flexible printed circuit board, or a flexible flat cable Alternatively, it is more preferable that it is a rigid flexible substrate. The second connection target member is preferably a semiconductor chip, a resin film, a flexible printed board, a rigid flexible board, or a flexible flat cable, and more preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have the properties of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used to connect such connection target members, the solder in the conductive particles tends to be difficult to collect on the electrode. In contrast, by using a conductive paste, even if a resin film, flexible printed board, flexible flat cable, or rigid flexible board is used, the conduction reliability between electrodes can be sufficiently increased by efficiently collecting the solder in the conductive particles onto the electrodes. there is. When using a resin film, flexible printed board, flexible flat cable, or rigid flexible board, the effect of improving the conduction reliability between electrodes by not applying pressure is greater than when using other connection target members such as semiconductor chips. obtained effectively.

상기 접속 대상 부재의 형태에는 주변 장치나 에어리어 어레이 등이 존재한다. 각 부재의 특징으로서, 주변 장치 기판에서는, 전극이 기판의 외주부에만 존재한다. 에어리어 어레이 기판에서는, 면 내에 전극이 존재한다.The types of connection target members include peripheral devices and area arrays. As a characteristic of each member, in the peripheral device substrate, electrodes exist only on the outer periphery of the substrate. In an area array substrate, electrodes exist within the surface.

상기 접속 대상 부재에 설치되어 있는 전극으로서는 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극, SUS 전극 및 텅스텐 전극 등의 금속 전극을 들 수 있다. 상기 접속 대상 부재가 플렉시블 프린트 기판인 경우에는, 상기 전극은 금 전극, 니켈 전극, 주석 전극, 은 전극 또는 구리 전극인 것이 바람직하다. 상기 접속 대상 부재가 유리 기판인 경우에는, 상기 전극은 알루미늄 전극, 구리 전극, 몰리브덴 전극, 은 전극 또는 텅스텐 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 전극이 알루미늄 전극인 경우에는, 알루미늄만으로 형성된 전극이어도 되고, 금속 산화물층의 표면에 알루미늄층이 적층된 전극이어도 된다. 상기 금속 산화물층의 재료로서는, 3가의 금속 원소가 도핑된 산화인듐 및 3가의 금속 원소가 도핑된 산화아연 등을 들 수 있다. 상기 3가의 금속 원소로서는, Sn, Al 및 Ga 등을 들 수 있다.Examples of electrodes provided on the connection target member include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, molybdenum electrodes, silver electrodes, SUS electrodes, and tungsten electrodes. When the connection target member is a flexible printed circuit board, the electrode is preferably a gold electrode, nickel electrode, tin electrode, silver electrode, or copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal elements include Sn, Al, and Ga.

이하, 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples and comparative examples. The present invention is not limited to the following examples.

열경화성 화합물 1: 레조르시놀형 에폭시 화합물, 교에사 가가꾸제 「에폴라이트 TDC-LC」, 에폭시 당량 120g/eqThermosetting compound 1: Resorcinol type epoxy compound, “Epolite TDC-LC” manufactured by Kyoesia Chemical, epoxy equivalent weight 120 g/eq

열경화성 화합물 2: 고반응형 에폭시 화합물, 가부시키가이샤 아데카(ADEKA)제 「EP-3300S」, 에폭시 당량 165g/eqThermosetting compound 2: Highly reactive epoxy compound, “EP-3300S” manufactured by ADEKA Corporation, epoxy equivalent weight 165 g/eq

열경화제 1: 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피네이트), SC 유끼 가가꾸사제 「TMMP」Heat curing agent 1: Trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), “TMMP” manufactured by SC Yuki Chemical Co., Ltd.

열경화제 2: 트디펜타에리트리톨헥사키스(3-머캅토프로피오네이트), SC 유끼 가가꾸사제 「DPMP」Heat curing agent 2: Dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), “DPMP” manufactured by SC Yuki Chemical Co., Ltd.

잠재성 에폭시 열경화제 1: T&K TOKA사제 「후지큐어 7000」Latent epoxy thermosetting agent 1: “Fujicure 7000” manufactured by T&K TOKA.

플럭스 1의 제조 방법:Preparation method for Flux 1:

3구 플라스크에, 아세톤 160g과, 글루타르산(와코 쥰야꾸 고교사제) 32g을 넣고, 실온에서 균일해질 때까지 용해시켰다. 그 후, 벤질아민(와코 쥰야꾸 고교사제) 26g을 30분에 걸쳐 적하하고, 적하 완료 후 2시간 실온에서 교반하였다. 석출한 백색 결정을 여과에 의해 분취하고, 아세톤으로 세정하여, 진공 건조하고, 플럭스 1을 얻었다. 평균 입자 직경은 주사형 전자 현미경(히다치 세이사꾸쇼사제 「S-4300SEN」)을 사용하여, 임의의 입자 50개로 측정하고, 평균값을 산출하였다. 또한 융점은 DSC(세이코 인스트루먼츠사제 「DSC6200」)로 흡열 피크를 측정하였다.In a three-necked flask, 160 g of acetone and 32 g of glutaric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added and dissolved at room temperature until uniform. After that, 26 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added dropwise over 30 minutes, and after the dropwise addition was completed, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The precipitated white crystals were collected by filtration, washed with acetone, and vacuum dried to obtain Flux 1. The average particle diameter was measured with 50 arbitrary particles using a scanning electron microscope (“S-4300SEN” manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.), and the average value was calculated. Additionally, the melting point was determined by measuring the endothermic peak using DSC (“DSC6200” manufactured by Seiko Instruments).

플럭스 2의 제조 방법:Preparation method of Flux 2:

플럭스 1과 동일한 방법으로 얻어진 백색 결정에 대해서, 평균 입자 직경이 10㎛가 될 때까지 유발로 분쇄하고, 플럭스 2를 얻었다.The white crystals obtained in the same manner as Flux 1 were ground in a mortar until the average particle diameter reached 10 μm, and Flux 2 was obtained.

플럭스 3의 제조 방법:Preparation method of Flux 3:

플럭스 1과 동일한 방법으로 얻어진 백색 결정에 대해서, 평균 입자 직경이 1㎛가 될 때까지 유발로 분쇄하고, 플럭스 3을 얻었다.The white crystals obtained in the same manner as Flux 1 were ground in a mortar until the average particle diameter reached 1 μm, and Flux 3 was obtained.

플럭스 4의 제조 방법:Preparation method of Flux 4:

플럭스 1과 동일한 방법으로 얻어진 백색 결정에 대해서, 평균 입자 직경이 0.05㎛가 될 때까지 유발로 분쇄하고, 플럭스 4를 얻었다.The white crystals obtained in the same manner as Flux 1 were ground in a mortar until the average particle diameter reached 0.05 μm, and Flux 4 was obtained.

플럭스 5의 제조 방법:Preparation method of Flux 5:

3구 플라스크에, 아세톤 160g과, 시클로헥산카르복실산(와코 쥰야꾸 고교사제) 31g을 넣고, 실온에서 균일해질 때까지 용해시켰다. 그 후, 시클로헥실아민(도꾜 가세이 고교제) 24g을 30분에 걸쳐 적하하고, 적하 완료 후 2시간 실온에서 교반하였다. 석출한 백색 결정을 여과에 의해 분취하고, 아세톤으로 세정하여, 진공 건조하였다. 그 후, 유발로, 평균 입자 직경이 10㎛가 될 때까지 분쇄하고, 플럭스 5를 얻었다.In a three-necked flask, 160 g of acetone and 31 g of cyclohexanecarboxylic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added and dissolved at room temperature until uniform. After that, 24 g of cyclohexylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added dropwise over 30 minutes, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours after the dropwise addition was completed. The precipitated white crystals were collected by filtration, washed with acetone, and dried under vacuum. After that, it was pulverized in a mortar until the average particle diameter reached 10 μm, and flux 5 was obtained.

플럭스 6의 제조 방법:Preparation method of Flux 6:

3구 플라스크에, 아세톤 160g과, 아디프산(와코 쥰야꾸 고교사제) 35g을 넣고, 실온에서 균일해질 때까지 용해시켰다. 그 후, 벤질아민(와코 쥰야꾸 고교사제) 26g을 30분에 걸쳐 적하하고, 적하 완료 후 2시간 실온에서 교반하였다. 석출한 백색 결정을 여과에 의해 분취하고, 아세톤으로 세정하여, 진공 건조하였다. 그 후, 유발로, 평균 입자 직경이 10㎛가 될 때까지 분쇄하고, 플럭스 6을 얻었다.In a three-neck flask, 160 g of acetone and 35 g of adipic acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added and dissolved at room temperature until uniform. After that, 26 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added dropwise over 30 minutes, and after the dropwise addition was completed, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The precipitated white crystals were collected by filtration, washed with acetone, and dried under vacuum. After that, it was pulverized in a mortar until the average particle diameter reached 10 μm, and flux 6 was obtained.

플럭스 7의 제조 방법:Preparation method of Flux 7:

3구 플라스크에, 시트르산 1수화물 12.6g에, 트리에탄올아민 26.8g을 첨가하고, 120℃의 오일 배스에서 교반하면서 시트르산을 용해시켰다. 얻어진 시트르산 트리에탄올아민염은, 25℃에서 액체였다.In a three-neck flask, 26.8 g of triethanolamine was added to 12.6 g of citric acid monohydrate, and the citric acid was dissolved while stirring in an oil bath at 120°C. The obtained triethanolamine citric acid salt was liquid at 25°C.

플럭스 8의 제조 방법:How to make Flux 8:

3구 플라스크에, 글루타르산 35.0g에, 트리에탄올아민 37.25g을 첨가하고, 120℃의 오일 배스에서 교반하면서 글루타르산을 용해시켰다. 얻어진 글루타르산 트리에탄올아민염은, 25℃에서 반고체였다.In a three-neck flask, 37.25 g of triethanolamine was added to 35.0 g of glutaric acid, and the glutaric acid was dissolved while stirring in an oil bath at 120°C. The obtained triethanolamine glutaric acid salt was semi-solid at 25°C.

또한, 25℃에서 고형의 플럭스에 대해서는, 도전성 입자 및 열경화성 성분과 혼합되기 전의 플럭스 단체와, 도전성 입자 및 열경화성 성분과 혼합된 후의 도전 재료 중의 플럭스로, 플럭스의 평균 입자 직경은 동일하였다.Additionally, for the solid flux at 25°C, the average particle diameter of the flux was the same as that of the flux alone before being mixed with the conductive particles and thermosetting components, and the flux in the conductive material after being mixed with the conductive particles and thermosetting components.

땜납 입자 1(SnBi 땜납 입자, 융점 139℃, 미츠이 긴조쿠사제 「DS-10」, 평균 입자 직경(메디안 직경 12㎛))Solder particle 1 (SnBi solder particle, melting point 139°C, “DS-10” manufactured by Mitsui Kinzoku Corporation, average particle diameter (median diameter 12 μm))

땜납 입자 2(SAC 땜납 입자, 융점 217℃, 미츠이 긴조쿠사제 「DS-10」, 평균 입자 직경(메디안 직경 12㎛))Solder particle 2 (SAC solder particle, melting point 217°C, “DS-10” manufactured by Mitsui Kinzoku Corporation, average particle diameter (median diameter 12 μm))

땜납 입자 3의 제조 방법:Manufacturing method of solder particles 3:

3구 플라스크에, 아세톤 160g과, 글루타르산(와코 쥰야꾸 고교사제) 32g을 넣고, 실온에서 균일해질 때까지 용해시켰다. 그 후, 땜납 입자 1을 100g 넣고 15분 교반시킨 후, 벤질아민(와코 쥰야꾸 고교사제) 26g을 30분에 걸쳐 적하하고, 적하 완료 후 2시간 실온에서 교반함으로써, 땜납 입자의 표면에 플럭스를 석출시켰다. 그 후, 땜납 입자를 아세톤으로 1회 세정하고, 진공 건조하여, 땜납 입자 3을 얻었다.In a three-necked flask, 160 g of acetone and 32 g of glutaric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were added and dissolved at room temperature until uniform. After that, 100 g of solder particles 1 were added and stirred for 15 minutes, then 26 g of benzylamine (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added dropwise over 30 minutes and stirred at room temperature for 2 hours after the dropwise addition was completed to apply flux to the surface of the solder particles. It was precipitated. After that, the solder particles were washed once with acetone and dried under vacuum to obtain solder particles 3.

(실시예 1 내지 17 및 비교예 1 내지 2)(Examples 1 to 17 and Comparative Examples 1 to 2)

(1) 이방성 도전 페이스트의 제조(1) Preparation of anisotropic conductive paste

하기의 표 1, 2에 나타내는 성분을 하기의 표 1, 2에 나타내는 배합 양으로 배합하여, 이방성 도전 페이스트를 얻었다. 얻어진 이방성 도전 페이스트에 있어서, 플럭스는 표 1, 2에 나타내는 상태로 존재하고 있었다.The components shown in Tables 1 and 2 below were mixed in the amounts shown in Tables 1 and 2 below to obtain an anisotropic electrically conductive paste. In the obtained anisotropic electrically conductive paste, the flux existed in the state shown in Tables 1 and 2.

(2) 접속 구조체(에어리어 어레이)의 제조(2) Manufacturing of connection structure (area array)

제1 접속 대상 부재로서, 반도체 칩 본체(사이즈 5×5mm, 두께 0.4mm)의 표면에, 400㎛ 피치로 직경 250㎛, 두께 10㎛의 구리 전극이, 에어리어 어레이로 배치되어 있는 반도체 칩을 준비하였다. 구리 전극의 수는, 반도체 칩 1개당, 10개×10개인 합계 100개이다.As the first connection target member, a semiconductor chip was prepared in which copper electrodes with a diameter of 250 μm and a thickness of 10 μm were arranged in an area array at a pitch of 400 μm on the surface of the semiconductor chip main body (size 5 × 5 mm, thickness 0.4 mm). did. The number of copper electrodes per semiconductor chip is 10 x 10, a total of 100.

제2 접속 대상 부재로서, 유리 에폭시 기판 본체(사이즈 20×20mm, 두께 1.2mm, 재질 FR-4)의 표면에, 제1 접속 대상 부재의 전극에 대하여 동일한 패턴이 되도록, 금 전극이 배치되어 있고, 금 전극이 배치되어 있지 않은 영역에 솔더 레지스트막이 형성되어 있는 유리 에폭시 기판을 준비하였다. 구리 전극의 표면과 솔더 레지스트막의 표면의 단차는 15㎛이고, 솔더 레지스트막은 구리 전극보다도 돌출되어 있다.As the second connection target member, a gold electrode is disposed on the surface of the glass epoxy substrate main body (size 20 x 20 mm, thickness 1.2 mm, material FR-4) so as to have the same pattern as that of the electrode of the first connection target member, , a glass epoxy substrate was prepared with a solder resist film formed in the area where the gold electrode was not placed. The level difference between the surface of the copper electrode and the surface of the solder resist film is 15 μm, and the solder resist film protrudes beyond the copper electrode.

상기 유리 에폭시 기판의 상면에, 제조 직후의 이방성 도전 페이스트를 두께 50㎛가 되도록 도공하고, 이방성 도전 페이스트층을 형성하였다. 23℃ 50% RH에서, 2시간 방치 후, 이방성 도전 페이스트층의 상면에 반도체 칩을 전극끼리가 대향하도록 적층하였다. 이방성 도전 페이스트층에는, 상기 반도체 칩의 중량은 가해진다. 그 상태로부터, 이방성 도전 페이스트층의 온도가, 승온 개시로부터 5초 후에 땜납의 융점(실시예 1 내지 9, 12 내지 17 및 비교예 1, 2에서는 139℃, 실시예 10, 11에서는, 217℃)이 되도록 가열하였다. 또한, 승온 개시로부터 15초 후에, 이방성 도전 페이스트층의 온도가 땜납의 융점+21℃(실시예 1 내지 9, 12 내지 17 및 비교예 1, 2에서는 160℃, 실시예 10, 11에서는, 238℃)가 되도록 가열하고, 5분간 유지함으로써 이방성 도전 페이스트층을 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다. 가열 시에는, 가압을 행하지 않았다.An anisotropic conductive paste immediately after manufacture was applied to the upper surface of the glass epoxy substrate to a thickness of 50 μm to form an anisotropic conductive paste layer. After leaving for 2 hours at 23°C 50% RH, a semiconductor chip was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer with the electrodes facing each other. The weight of the semiconductor chip is applied to the anisotropic conductive paste layer. From that state, the temperature of the anisotropic conductive paste layer was the melting point of the solder 5 seconds after the start of the temperature increase (139°C in Examples 1 to 9, 12 to 17 and Comparative Examples 1 and 2, and 217°C in Examples 10 and 11). ) was heated to In addition, 15 seconds after the start of the temperature increase, the temperature of the anisotropic conductive paste layer was the melting point of the solder + 21°C (160°C in Examples 1 to 9, 12 to 17 and Comparative Examples 1 and 2, and 238°C in Examples 10 and 11). °C) and maintained for 5 minutes to cure the anisotropic conductive paste layer, thereby obtaining a bonded structure. During heating, no pressurization was performed.

(평가)(evaluation)

(1) 점도(1) Viscosity

이방성 도전 페이스트의 25℃에서 점도(η25)를 E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」)를 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정하였다.The viscosity (η25) of the anisotropic conductive paste at 25°C was measured using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) under conditions of 25°C and 5 rpm.

(2) 보존 안정성(2) Storage stability

이방성 도전 페이스트를 시린지에 넣고, 23℃에서 24시간 보관하였다. 보관 후에, 이방성 도전 페이스트의 25℃에서 점도(η25)를 E형 점도계(도끼 산교사제 「TVE22L」)를 사용하여, 25℃ 및 5rpm의 조건에서 측정하였다. 보존 안정성을 하기의 기준으로 판정하였다.The anisotropic conductive paste was placed in a syringe and stored at 23°C for 24 hours. After storage, the viscosity (η25) of the anisotropic conductive paste at 25°C was measured using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) under conditions of 25°C and 5 rpm. Storage stability was determined based on the following criteria.

[보존 안정성의 판정 기준][Judgement criteria for storage stability]

○○: 보관 후의 점도가 보관 전의 점도의 ±25% 이내○○: Viscosity after storage is within ±25% of the viscosity before storage

○: ○○의 기준에 상당하지 않고, 보관 후의 점도가 보관 전의 점도의 ±50% 이내○: Does not correspond to the standards for ○○, and the viscosity after storage is within ±50% of the viscosity before storage.

△: ○○ 및 ○의 기준에 상당하지 않고, 보관 후의 점도가 보관 전의 점도의 ±75% 이내△: Does not correspond to the standards of ○○ and ○, and the viscosity after storage is within ±75% of the viscosity before storage.

×: ○○, ○ 및 △의 기준에 상당하지 않는다×: Does not correspond to the standards of ○○, ○ and △

(3) 땜납부의 두께(3) Thickness of solder part

얻어진 접속 구조체를 단면 관찰함으로써, 상하의 전극 사이에 위치하고 있는 땜납부의 두께를 평가하였다.The thickness of the solder portion located between the upper and lower electrodes was evaluated by cross-sectional observation of the obtained connection structure.

(4) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1(4) Placement precision of solder on electrode 1

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의, 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는 면적의 비율 X를 평가하였다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1을 하기의 기준으로 판정하였다.In the obtained connection structure, when the portions of the first electrode and the second electrode are viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the area of the portions of the first electrode and the second electrode that face each other is 100 The ratio The placement accuracy 1 of the solder on the electrode was determined based on the following standards.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 1의 판정 기준][Judgment criteria for placement accuracy 1 of solder on electrode]

○○: 비율 X가 70% 이상○○: Ratio

○: 비율 X가 60% 이상 70% 미만○: Ratio X is 60% or more and less than 70%

△: 비율 X가 50% 이상 60% 미만△: Ratio X is 50% or more and less than 60%

×: 비율 X가 50% 미만×: Ratio X is less than 50%

(5) 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2(5) Solder placement accuracy 2 on the electrode

얻어진 접속 구조체에 있어서, 제1 전극과 접속부와 제2 전극의 적층 방향과 직교하는 방향으로 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 접속부 중의 땜납부 100% 중, 제1 전극과 제2 전극의 서로 대향하는 부분에 배치되어 있는 접속부 중의 땜납부의 비율 Y를 평가하였다. 전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2를 하기의 기준으로 판정하였다.In the obtained connection structure, when the portions of the first electrode and the second electrode facing each other are viewed in a direction perpendicular to the lamination direction of the first electrode, the connection section, and the second electrode, the first electrode is 100% of the solder portion in the connection section. The ratio Y of the solder portion in the connection portion disposed in the opposing portions of the and second electrodes was evaluated. The placement accuracy 2 of the solder on the electrode was determined based on the following standards.

[전극 상의 땜납의 배치 정밀도 2의 판정 기준][Judgment criteria for placement accuracy 2 of solder on electrode]

○○: 비율 Y가 99% 이상○○: Ratio Y is 99% or more

○: 비율 Y가 90% 이상 99% 미만○: Ratio Y is 90% or more and less than 99%

△: 비율 Y가 70% 이상 90% 미만△: Ratio Y is 70% or more and less than 90%

×: 비율 Y가 70% 미만×: Ratio Y is less than 70%

(6) 상하의 전극 간의 도통 신뢰성(6) Conduction reliability between upper and lower electrodes

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 상하의 전극 간의 1 접속 개소당의 접속 저항을 각각, 4 단자법에 의해, 측정하였다. 접속 저항의 평균값을 산출하였다. 또한, 전압=전류×저항의 관계로부터, 일정한 전류를 흘렸을 때의 전압을 측정함으로써 접속 저항을 구할 수 있다. 도통 신뢰성을 하기의 기준으로 판정하였다. 단, n=15개 중 하나라도 상하의 전극 간이 도통하고 있지 않은 경우에는, 「×」라고 판정하였다.In the obtained connected structures (n=15 pieces), the connection resistance per connection point between the upper and lower electrodes was measured using the four-terminal method. The average value of the connection resistance was calculated. Additionally, from the relationship of voltage = current x resistance, the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed. Continuity reliability was determined based on the following criteria. However, in the case where the upper and lower electrodes were not conducting at least one out of n = 15, it was determined as “×”.

[도통 신뢰성의 판정 기준][Judgement criteria for continuity reliability]

○○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ 이하○○: The average value of connection resistance is 50mΩ or less.

○: 접속 저항의 평균값이 50mΩ를 초과하고 70mΩ 이하○: The average value of connection resistance exceeds 50mΩ and is 70mΩ or less.

△: 접속 저항의 평균값이 70mΩ를 초과하고 100mΩ 이하△: Average value of connection resistance exceeds 70mΩ and is less than 100mΩ

×: 접속 저항의 평균값이 100mΩ를 초과하거나, 또는 접속 불량이 발생하고 있다×: The average value of the connection resistance exceeds 100 mΩ, or a connection defect has occurred.

(7) 가로 방향으로 인접하는 전극 간의 절연 신뢰성(7) Insulation reliability between horizontally adjacent electrodes

얻어진 접속 구조체(n=15개)에 있어서, 85℃, 습도 85%의 분위기 중에 100시간 방치 후, 가로 방향으로 인접하는 전극 간에, 15V를 인가하고, 저항값을 25군데에서 측정하였다. 절연 신뢰성을 하기의 기준으로 판정하였다. 단, n=15개 중 하나라도 가로 방향으로 인접하는 전극 간이 도통하고 있는 경우에는, 「×」라고 판정하였다.In the obtained bonded structure (n = 15 pieces), after being left in an atmosphere of 85°C and 85% humidity for 100 hours, 15 V was applied between horizontally adjacent electrodes, and the resistance value was measured at 25 locations. Insulation reliability was determined based on the following criteria. However, if even one of n = 15 electrodes adjacent to each other in the horizontal direction were conducting, it was determined as “×”.

[절연 신뢰성의 판정 기준][Judgment criteria for insulation reliability]

○○○: 접속 저항의 평균값이 1014Ω 이상○○○: The average value of connection resistance is 10 14 Ω or more.

○○: 접속 저항의 평균값이 108Ω 이상 1014Ω 미만○○: Average value of connection resistance is 10 8 Ω or more but less than 10 14 Ω

○: 접속 저항의 평균값이 106Ω 이상 108Ω 미만○: The average value of connection resistance is 10 6 Ω or more and less than 10 8 Ω.

△: 접속 저항의 평균값이 105Ω 이상 106Ω 미만△: Average value of connection resistance is 10 5 Ω or more and less than 10 6 Ω

×: 접속 저항의 평균값이 105Ω 미만×: Average value of connection resistance is less than 10 5 Ω

상세 및 결과를 하기의 표 1, 2에 나타내었다.Details and results are shown in Tables 1 and 2 below.

Figure 112018002853810-pct00007
Figure 112018002853810-pct00007

Figure 112018002853810-pct00008
Figure 112018002853810-pct00008

1, 1X…접속 구조체
2…제1 접속 대상 부재
2a…제1 전극
3…제2 접속 대상 부재
3a…제2 전극
4, 4X…접속부
4A, 4XA…땜납부
4B, 4XB…경화물부
11…도전 재료
11A…땜납 입자(도전성 입자)
11B…열경화성 성분
21…도전성 입자(땜납 입자)
31…도전성 입자
32…기재 입자
33…도전부(땜납을 갖는 도전부)
33A…제2 도전부
33B…땜납부
41…도전성 입자
42…땜납부
1, 1X… connection structure
2… Absence of first connection target
2a… first electrode
3… Absence of second connection target
3a… second electrode
4, 4X… connection
4A, 4XA… solder
4B, 4XB… Hard cargo department
11… challenge material
11A… Solder particles (conductive particles)
11B… thermosetting ingredients
21… Conductive particles (solder particles)
31… conductive particles
32… substrate particles
33… Conductive part (conductive part with solder)
33A… 2nd challenge
33B… solder
41… conductive particles
42… solder

Claims (14)

도전부의 외표면 부분에 땜납을 갖는 복수의 도전성 입자와,
열경화성 성분과,
플럭스를 포함하고,
상기 플럭스가, 카르복실기를 갖는 유기 화합물과 아미노기를 갖는 유기 화합물의 염이고,
상기 아미노기를 갖는 유기 화합물이, 방향족 아민 화합물 또는 지방족 지환식 아민 화합물이고,
25℃의 도전 재료 중에서, 상기 플럭스가 고체로 존재하고,
상기 플럭스의 평균 입자 직경이 0.1㎛ 이상 30㎛ 이하인, 도전 재료.
A plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion,
thermosetting ingredients,
Contains flux,
The flux is a salt of an organic compound having a carboxyl group and an organic compound having an amino group,
The organic compound having the amino group is an aromatic amine compound or an aliphatic alicyclic amine compound,
In a conductive material at 25°C, the flux exists as a solid,
A conductive material wherein the flux has an average particle diameter of 0.1 μm or more and 30 μm or less.
제1항에 있어서, 상기 도전성 입자 및 상기 열경화성 성분과 혼합되어 있지 않은 상태에서, 상기 플럭스 단체가 25℃에서 고체인, 도전 재료.The electrically conductive material according to claim 1, wherein the flux alone is solid at 25°C when not mixed with the electrically conductive particles and the thermosetting component. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플럭스의 평균 입자 직경의, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경에 대한 비가 3 이하인, 도전 재료.The conductive material according to claim 1 or 2, wherein a ratio of the average particle diameter of the flux to the average particle diameter of the conductive particles is 3 or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 플럭스의 융점이, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점-50℃ 이상, 상기 도전성 입자에 있어서의 땜납의 융점+50℃ 이하인, 도전 재료.The electrically conductive material according to claim 1 or 2, wherein the flux has a melting point of -50°C or higher and the melting point of the solder in the conductive particles +50°C or lower. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자가 땜납 입자인, 도전 재료.The electrically conductive material according to claim 1 or 2, wherein the electrically conductive particles are solder particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열경화성 성분이, 트리아진 골격을 갖는 열경화성 화합물을 포함하는, 도전 재료.The electrically-conductive material according to claim 1 or 2, wherein the thermosetting component contains a thermosetting compound having a triazine skeleton. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 표면 상에, 상기 플럭스가 부착되어 있는, 도전 재료.The electrically conductive material according to claim 1 or 2, wherein the flux is adhered on the surface of the electrically conductive particles. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상 40㎛ 이하인, 도전 재료.The electrically-conductive material of Claim 1 or 2 whose average particle diameter of the said electroconductive particle is 1 micrometer or more and 40 micrometers or less. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도전 재료 100중량% 중, 상기 도전성 입자의 함유량이 10중량% 이상 90중량% 이하인, 도전 재료.The electrically conductive material according to claim 1 or 2, wherein the content of the conductive particles is 10% by weight or more and 90% by weight or less in 100% by weight of the electrically conductive material. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도전 페이스트인, 도전 재료.The electrically conductive material according to claim 1 or 2, which is a conductive paste. 적어도 하나의 제1 전극을 표면에 갖는 제1 접속 대상 부재와,
적어도 하나의 제2 전극을 표면에 갖는 제2 접속 대상 부재와,
상기 제1 접속 대상 부재와 상기 제2 접속 대상 부재를 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
상기 접속부의 재료가, 제1항 또는 제2항에 기재된 도전 재료이고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 접속부 중의 땜납부에 의해 전기적으로 접속되어 있는, 접속 구조체.
A first connection target member having at least one first electrode on its surface,
a second connection target member having at least one second electrode on its surface;
It has a connection part connecting the first connection target member and the second connection target member,
The material of the connection part is the conductive material according to claim 1 or 2,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.
제11항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 접속부와 상기 제2 전극의 적층 방향으로 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분을 보았을 때에, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 서로 대향하는 부분의 면적 100% 중의 50% 이상에, 상기 접속부 중의 땜납부가 배치되어 있는, 접속 구조체.The method of claim 11, wherein when the opposing portions of the first electrode and the second electrode are viewed in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode are A connection structure in which a solder portion of the connection portion is disposed in 50% or more of 100% of the area of the portions facing each other. 삭제delete 삭제delete
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