JP2018046004A - Conductive material and connection structure - Google Patents

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敬三 西岡
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諭 齋藤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive material that makes it possible to efficiently dispose solder in conductive particles between electrodes to be connected, and to improve storage stability.SOLUTION: A conductive material has a binder resin, and a plurality of conductive particles having solder on the external surface of a conductive part, with the conductive particles having a surface flow potential of -1000 mV or more and 0 mV or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、はんだを有する導電性粒子を含む導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体に関する。   The present invention relates to a conductive material including conductive particles having solder. The present invention also relates to a connection structure using the conductive material.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー中に導電性粒子が分散されている。   Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, conductive particles are dispersed in a binder.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記接続構造体としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等が挙げられる。   The anisotropic conductive material is used to obtain various connection structures. Examples of the connection structure include a connection between a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)), a connection between a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (Chip on Film)), and a semiconductor chip and a glass substrate. (COG (Chip on Glass)), connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy board (FOB (Film on Board)), and the like.

上記異方性導電材料により、例えば、フレキシブルプリント基板の電極とガラスエポキシ基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラスエポキシ基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、フレキシブルプリント基板を積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して、接続構造体を得る。   For example, when electrically connecting the electrode of the flexible printed circuit board and the electrode of the glass epoxy substrate by the anisotropic conductive material, an anisotropic conductive material containing conductive particles is disposed on the glass epoxy substrate. To do. Next, a flexible printed circuit board is laminated, and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected via the conductive particles to obtain a connection structure.

上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献1には、導電性粒子と、該導電性粒子の融点で硬化が完了しない樹脂成分とを含む異方性導電材料が記載されている。上記導電性粒子としては、具体的には、錫(Sn)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、カドミウム(Cd)、ガリウム(Ga)、銀(Ag)及びタリウム(Tl)等の金属や、これらの金属の合金が挙げられている。   As an example of the anisotropic conductive material, Patent Document 1 described below describes an anisotropic conductive material including conductive particles and a resin component that cannot be cured at the melting point of the conductive particles. Specifically, as the conductive particles, tin (Sn), indium (In), bismuth (Bi), copper (Cu), zinc (Zn), lead (Pb), cadmium (Cd), gallium (Ga) ), Silver (Ag), thallium (Tl) and other metals, and alloys of these metals.

特許文献1では、上記導電性粒子の融点よりも高く、かつ上記樹脂成分の硬化が完了しない温度に、異方性導電材料を加熱する樹脂加熱ステップと、上記樹脂成分を硬化させる樹脂成分硬化ステップとを経て、電極間を電気的に接続することが記載されている。また、特許文献1には、特許文献1の図8に示された温度プロファイルで実装を行うことが記載されている。特許文献1では、異方性導電材料が加熱される温度にて硬化が完了しない樹脂成分内で、導電性粒子が溶融する。   In Patent Document 1, a resin heating step for heating the anisotropic conductive material to a temperature higher than the melting point of the conductive particles and at which the curing of the resin component is not completed, and a resin component curing step for curing the resin component The electrical connection between the electrodes is described. Patent Document 1 describes that mounting is performed with the temperature profile shown in FIG. In Patent Document 1, conductive particles melt in a resin component that is not completely cured at a temperature at which the anisotropic conductive material is heated.

下記の特許文献2には、熱硬化性樹脂を含む樹脂層と、はんだ粉と、硬化剤とを含み、上記はんだ粉と上記硬化剤とが上記樹脂層中に存在する接着テープが開示されている。この接着テープは、フィルム状であり、ペースト状ではない。   Patent Document 2 below discloses an adhesive tape that includes a resin layer containing a thermosetting resin, solder powder, and a curing agent, and the solder powder and the curing agent are present in the resin layer. Yes. This adhesive tape is in the form of a film, not a paste.

下記の特許文献3には、熱硬化性成分と、複数のはんだ粒子とを含む導電ペーストが開示されている。上記はんだ粒子の表面のゼータ電位はプラスである。特許文献3では、実施例及び比較例において、上記ゼータ電位がプラスであるはんだ粒子と、上記ゼータ電位が−25mV及び−27mVであるはんだ粒子とが記載されている。   The following Patent Document 3 discloses a conductive paste containing a thermosetting component and a plurality of solder particles. The zeta potential on the surface of the solder particles is positive. Patent Document 3 describes solder particles having a positive zeta potential and solder particles having a zeta potential of −25 mV and −27 mV in Examples and Comparative Examples.

特開2004−260131号公報JP 2004-260131 A WO2008/023452A1WO2008 / 023452A1 WO2015/125778A1WO2015 / 125778A1

特許文献1,2に記載のような従来の導電材料では、導電性粒子又ははんだ粉の電極(ライン)上への移動速度が遅く、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子又ははんだ粉を効率的に配置することができないことがある。   In the conventional conductive materials as described in Patent Documents 1 and 2, the moving speed of the conductive particles or solder powder onto the electrodes (lines) is slow, and the conductive particles or solder powder is between the upper and lower electrodes to be connected. May not be efficiently arranged.

また、特許文献3に記載のような従来の導電ペーストでは、貯蔵安定性が低いことがある。その結果、時間経過とともに導電ペーストの粘度が上昇して、導電ペーストの塗布性にばらつきが生じることがある。   In addition, the conventional conductive paste as described in Patent Document 3 may have low storage stability. As a result, the viscosity of the conductive paste increases with time, and the applicability of the conductive paste may vary.

本発明の目的は、接続されるべき電極間に、導電性粒子におけるはんだを効率的に配置することができ、かつ、貯蔵安定性を高めることができる導電材料を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電材料を用いた接続構造体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a conductive material that can efficiently dispose solder in conductive particles between electrodes to be connected and can improve storage stability. Another object of the present invention is to provide a connection structure using the conductive material.

本発明の広い局面によれば、バインダー樹脂と、導電部の外表面部分にはんだを有する複数の導電性粒子とを含み、前記導電性粒子の表面の流動電位が、−1000mV以上、0mV以下である、導電材料が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, the binder resin and a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion, the flow potential of the surface of the conductive particles is −1000 mV or more and 0 mV or less. A conductive material is provided.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、25℃及び湿度50%で24時間保管したときの25℃での粘度の、25℃及び湿度50%で0.5時間保管したときの25℃での粘度に対する比が、1.0以上、3.0以下である。   In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the viscosity at 25 ° C when stored for 24 hours at 25 ° C and 50% humidity is 25 ° C when stored for 0.5 hours at 25 ° C and 50% humidity. The ratio with respect to the viscosity is 1.0 or more and 3.0 or less.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記バインダー樹脂が、ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物を含む。   In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the binder resin includes a thermosetting compound having a polyether skeleton.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、融点が80℃以上、140℃以下であるフラックスを含む。   In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, a flux having a melting point of 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower is included.

本発明に係る導電材料のある特定の局面では、前記導電性粒子が、はんだ粒子である。   In a specific aspect of the conductive material according to the present invention, the conductive particles are solder particles.

本発明の広い局面によれば、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電材料であり、前記第1の電極と前記第2の電極とが前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。   According to a wide aspect of the present invention, a first connection target member having at least one first electrode on the surface, a second connection target member having at least one second electrode on the surface, and the first A connection portion connecting the second connection target member and the second connection target member, wherein the material of the connection portion is the conductive material described above, and the first electrode and the second electrode Is provided that is electrically connected by a solder part in the connection part.

本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている。   In a specific aspect of the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode. When the portion is viewed, the solder portion in the connection portion is arranged in 50% or more of the area of 100% of the portion where the first electrode and the second electrode face each other.

本発明に係る導電材料は、バインダー樹脂と、導電部の外表面部分にはんだを有する複数の導電性粒子とを含み、上記導電性粒子の表面の流動電位が、−1000mV以上、0mV以下であるので、接続されるべき電極間に、導電性粒子におけるはんだを効率的に配置することができ、かつ、貯蔵安定性を高めることができる。   The conductive material according to the present invention includes a binder resin and a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion, and the flow potential of the surface of the conductive particles is −1000 mV or more and 0 mV or less. Therefore, the solder in the conductive particles can be efficiently disposed between the electrodes to be connected, and the storage stability can be improved.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体を製造する方法の一例の各工程を説明するための断面図である。2A to 2C are cross-sectional views for explaining each step of an example of a method for manufacturing a connection structure using a conductive material according to an embodiment of the present invention. 図3は、接続構造体の変形例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification of the connection structure. 図4は、導電材料に使用可能な導電性粒子の第1の例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles that can be used as a conductive material. 図5は、導電材料に使用可能な導電性粒子の第2の例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles that can be used for the conductive material. 図6は、導電材料に使用可能な導電性粒子の第3の例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles that can be used for the conductive material.

以下、本発明の詳細を説明する。   Details of the present invention will be described below.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、バインダー樹脂と、複数の導電性粒子とを含む。本発明に係る導電材料は、上記導電性粒子の表面の流動電位が、−1000mV以上、0mV以下である。上記導電性粒子は、導電部を有する。上記導電性粒子は、導電部の外表面部分に、はんだを有する。上記はんだは、導電部に含まれ、導電部の一部又は全部である。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes a binder resin and a plurality of conductive particles. In the conductive material according to the present invention, the flow potential on the surface of the conductive particles is −1000 mV or more and 0 mV or less. The conductive particles have a conductive part. The conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The solder is included in the conductive part and is a part or all of the conductive part.

本発明では、上記の構成が備えられているので、接続されるべき電極間に、導電性粒子におけるはんだを効率的に配置することができ、かつ、貯蔵安定性を高めることができる。従来の導電材料では、電極幅又は電極間幅が狭い場合に、電極上に導電性粒子におけるはんだを寄せ集め難い傾向がある。本発明では、電極幅又は電極間幅が狭くても、電極上に導電性粒子におけるはんだを十分に寄せ集めることができる。本発明では、上記の構成が備えられているので、電極間を電気的に接続した場合に、導電性粒子におけるはんだが、上下の対向した電極間に位置しやすく、導電性粒子におけるはんだを電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、本発明では、電極幅が広いと、導電性粒子におけるはんだが電極上により一層効率的に配置される。   In this invention, since said structure is provided, the solder in electroconductive particle can be arrange | positioned efficiently between the electrodes which should be connected, and storage stability can be improved. In a conventional conductive material, when the electrode width or the inter-electrode width is narrow, there is a tendency that the solder in the conductive particles is difficult to gather on the electrodes. In the present invention, even if the electrode width or the inter-electrode width is narrow, the solder in the conductive particles can be sufficiently gathered on the electrodes. In the present invention, since the above configuration is provided, when the electrodes are electrically connected, the solder in the conductive particles is easily located between the upper and lower electrodes, and the solder in the conductive particles is used as the electrode. (Line) can be arranged efficiently. In the present invention, when the electrode width is wide, the solder in the conductive particles is arranged more efficiently on the electrode.

また、接続構造体を得る場合において、第1の接続対象部材上にスクリーン印刷等により導電材料を配置する際に、導電材料の粘度が上昇し難いので、導電材料を均一に塗布することができる。また、第1の接続対象部材と導電材料との積層体が、導電材料上に第2の接続対象部材を配置する前に、一定期間保管されることがある。本発明では、上記積層体が保管されたとしても、導電材料の粘度上昇を抑制することができるので、導通信頼性に優れた接続構造体を得ることができる。   Further, in the case of obtaining a connection structure, when the conductive material is disposed on the first connection target member by screen printing or the like, the viscosity of the conductive material is unlikely to increase, so that the conductive material can be uniformly applied. . Moreover, the laminated body of the first connection target member and the conductive material may be stored for a certain period before the second connection target member is disposed on the conductive material. In this invention, even if the said laminated body is stored, since the viscosity raise of an electrically-conductive material can be suppressed, the connection structure excellent in conduction | electrical_connection reliability can be obtained.

上記のような効果を得るために、上記導電性粒子の表面の流動電位が、−1000mV以上、0mV以下であることは大きく寄与する。   In order to obtain the effects as described above, the fact that the streaming potential of the surface of the conductive particles is −1000 mV or more and 0 mV or less greatly contributes.

また、本発明では、導電性粒子におけるはんだの一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくすることができる。本発明では、対向する電極間に位置していないはんだを、対向する電極間に効率的に移動させることができる。したがって、電極間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。   In the present invention, it is difficult for a part of the solder in the conductive particles to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder disposed in a region where no electrode is formed is considerably reduced. Can do. In the present invention, the solder that is not located between the opposing electrodes can be efficiently moved between the opposing electrodes. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.

さらに、本発明では、電極間の位置ずれを防ぐことができる。本発明では、導電材料を上面に配置した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせた際に、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とのアライメントがずれた状態でも、そのずれを補正して、第1の接続対象部材の電極と第2の接続対象部材の電極とを接続させることができる(セルフアライメント効果)。   Furthermore, in the present invention, it is possible to prevent positional deviation between the electrodes. In the present invention, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member having the conductive material disposed on the upper surface, the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member Even in a state where the alignment is shifted, the shift can be corrected and the electrode of the first connection target member and the electrode of the second connection target member can be connected (self-alignment effect).

電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、25℃で液状であることが好ましく、導電ペーストであることが好ましい。   From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the conductive material is preferably liquid at 25 ° C., and preferably a conductive paste.

電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料の25℃での粘度(η25)は、好ましくは50Pa・s以上、より好ましくは80Pa・s以上であり、好ましくは300Pa・s以下、より好ましくは200Pa・s以下である。上記粘度(η25)は、配合成分の種類及び配合量により適宜調整することができる。   From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the viscosity (η25) at 25 ° C. of the conductive material is preferably 50 Pa · s or more, more preferably 80 Pa · s or more. , Preferably 300 Pa · s or less, more preferably 200 Pa · s or less. The said viscosity ((eta) 25) can be suitably adjusted with the kind and compounding quantity of a compounding component.

上記粘度(η25)は、例えば、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)等を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定可能である。   The viscosity (η25) can be measured using, for example, an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) and the like at 25 ° C. and 5 rpm.

上記導電材料の25℃及び湿度50%で24時間保管したときの25℃での粘度(η2)の、25℃及び湿度50%で0.5時間保管したときの25℃での粘度(η1)に対する比(η2/η1)は、好ましくは1.0以上であり、好ましくは3.0以下、より好ましくは2.0以下である。上記比(η2/η1)が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置することができ、導電材料の貯蔵安定性をより一層高めることができる。なお、上記導電材料が冷凍されている場合には、25℃及び湿度50%で1時間放置することで上記導電材料を解凍した後に、上記η1及び上記η2を測定することが好ましい。   Viscosity (η1) at 25 ° C. when stored for 24 hours at 25 ° C. and 50% humidity of the above conductive material (η1) when stored for 0.5 hour at 25 ° C. and 50% humidity The ratio (η2 / η1) to is preferably 1.0 or more, preferably 3.0 or less, more preferably 2.0 or less. When the ratio (η2 / η1) is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder in the conductive particles can be more efficiently disposed on the electrode, and the storage stability of the conductive material is further improved. be able to. When the conductive material is frozen, it is preferable to measure η1 and η2 after thawing the conductive material by leaving it at 25 ° C. and 50% humidity for 1 hour.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電ペーストは異方性導電ペーストであることが好ましく、上記導電フィルムは異方性導電フィルムであることが好ましい。電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記導電材料は、導電ペーストであることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。   The conductive material can be used as a conductive paste and a conductive film. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste, and the conductive film is preferably an anisotropic conductive film. From the viewpoint of more efficiently arranging the solder in the conductive particles on the electrode, the conductive material is preferably a conductive paste. The conductive material is preferably used for electrical connection of electrodes. The conductive material is preferably a circuit connection material.

以下、上記導電材料に含まれる各成分を説明する。   Hereinafter, each component contained in the conductive material will be described.

(導電性粒子)
上記導電性粒子は、接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電部の外表面部分にはんだを有する。上記導電性粒子は、はんだ粒子であってもよい。上記はんだ粒子は、はんだを導電部の外表面部分に有する。上記はんだ粒子は、中心部分及び導電部の外表面部分のいずれもがはんだにより形成されている。上記はんだ粒子は、上記はんだ粒子の中心部分及び導電部の外表面部分のいずれもがはんだである粒子である。上記導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有していてもよい。この場合に、上記導電性粒子は、導電部の外表面部分に、はんだを有する。
(Conductive particles)
The conductive particles electrically connect the electrodes of the connection target member. The conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. The conductive particles may be solder particles. The solder particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion. As for the said solder particle, both the center part and the outer surface part of an electroconductive part are formed with the solder. The solder particles are particles in which both the central portion of the solder particles and the outer surface portion of the conductive portion are solder. The said electroconductive particle may have a base material particle and the electroconductive part arrange | positioned on the surface of this base material particle. In this case, the conductive particles have solder on the outer surface portion of the conductive portion.

なお、上記はんだ粒子を用いた場合と比べて、はんだにより形成されていない基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ部とを備える導電性粒子を用いた場合には、電極上に導電性粒子が集まり難くなる。また、はんだにより形成されていない基材粒子と基材粒子の表面上に配置されたはんだ部とを備える導電性粒子では、導電性粒子同士のはんだ接合性が低いために、電極上に移動した導電性粒子が電極外に移動しやすくなる傾向があり、電極間の位置ずれの抑制効果も低くなる傾向がある。したがって、上記導電性粒子は、はんだにより形成されたはんだ粒子であることが好ましい。   Compared to the case where the above solder particles are used, in the case where conductive particles including base particles not formed by solder and solder portions arranged on the surface of the base particles are used, It becomes difficult for conductive particles to gather. In addition, in the conductive particles including the base particles that are not formed by the solder and the solder portions arranged on the surface of the base particles, the conductive particles move to the electrodes because the solder bonding property between the conductive particles is low. The conductive particles tend to move out of the electrodes, and the effect of suppressing displacement between the electrodes tends to be low. Therefore, the conductive particles are preferably solder particles formed by solder.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記導電性粒子の外表面(はんだの外表面)に、カルボキシル基又はアミノ基が存在することが好ましく、カルボキシル基が存在することが好ましく、アミノ基が存在することが好ましい。上記導電性粒子の外表面(はんだの外表面)に、Si−O結合、エーテル結合、エステル結合又は下記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合していることが好ましい。カルボキシル基又はアミノ基を含む基は、カルボキシル基とアミノ基との双方を含んでいてもよい。なお、下記式(X)において、右端部及び左端部は結合部位を表す。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, a carboxyl group or an amino group is present on the outer surface of the conductive particles (the outer surface of the solder). It is preferable that a carboxyl group is present, and an amino group is preferably present. A group containing a carboxyl group or an amino group is shared on the outer surface of the conductive particle (the outer surface of the solder) via a Si-O bond, an ether bond, an ester bond, or a group represented by the following formula (X). Bonding is preferred. The group containing a carboxyl group or an amino group may contain both a carboxyl group and an amino group. In the following formula (X), the right end and the left end represent a binding site.

Figure 2018046004
Figure 2018046004

はんだの表面に水酸基が存在する。この水酸基とカルボキシル基を含む基とを共有結合させることにより、他の配位結合(キレート配位)等にて結合させる場合よりも強い結合を形成できるため、電極間の接続抵抗を低くし、かつボイドの発生を抑えることが可能な導電性粒子が得られる。   Hydroxyl groups exist on the surface of the solder. By covalently bonding this hydroxyl group and a group containing a carboxyl group, a stronger bond can be formed than in the case of bonding by other coordination bond (chelate coordination) or the like, so the connection resistance between the electrodes is reduced, And the electroconductive particle which can suppress generation | occurrence | production of a void is obtained.

上記導電性粒子では、はんだの表面と、カルボキシル基を含む基との結合形態に、配位結合が含まれていなくてもよく、キレート配位による結合が含まれていなくてもよい。   In the conductive particles, the bond form between the surface of the solder and the group containing a carboxyl group may not include a coordination bond, and may not include a bond due to a chelate coordination.

上記導電性粒子は、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基又はアミノ基とを有する化合物(以下、化合物Xと記載することがある)を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることにより得られることが好ましい。上記の好ましい方法により得られた導電性粒子は、接続構造体における接続抵抗を効果的に低くすることができ、ボイドの発生を効果的に抑制することができる。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記化合物Xにおける上記水酸基と反応可能な官能基とを反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合している導電性粒子を容易に得ることができる。また、はんだの表面の水酸基と上記化合物Xにおける上記水酸基と反応可能な官能基とを反応させることで、はんだの表面にエーテル結合又はエステル結合を介してカルボキシル基又はアミノ基を含む基が共有結合している導電性粒子を得ることもできる。上記はんだの表面の水酸基に上記水酸基と反応可能な官能基を反応させることで、はんだの表面に、上記化合物Xを共有結合の形態で化学結合させることができる。   The conductive particles react with a hydroxyl group on the surface of the solder using a compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group and a carboxyl group or an amino group (hereinafter sometimes referred to as compound X). It is preferably obtained by reacting possible functional groups. The conductive particles obtained by the above preferred method can effectively reduce the connection resistance in the connection structure, and can effectively suppress the generation of voids. In the above reaction, a covalent bond is formed. By reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X, conductive particles in which a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded to the surface of the solder are easily obtained. be able to. In addition, by reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X, a group containing a carboxyl group or an amino group is covalently bonded to the surface of the solder via an ether bond or an ester bond. Conductive particles can also be obtained. By reacting a hydroxyl group on the surface of the solder with a functional group capable of reacting with the hydroxyl group, the compound X can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

上記水酸基と反応可能な官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エステル基及びカルボニル基等が挙げられる。水酸基又はカルボキシル基が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。   Examples of the functional group capable of reacting with the hydroxyl group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an ester group, and a carbonyl group. A hydroxyl group or a carboxyl group is preferred. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group may be a hydroxyl group or a carboxyl group.

水酸基と反応可能な官能基を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、5−ケトヘキサン酸、3−ヒドロキシプロピオン酸、4−アミノ酪酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトイソブチル酸、3−メチルチオプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、3−フェニルイソブチル酸、4−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、9−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、(9,12,15)−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記水酸基と反応可能な官能基を有する化合物は、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物であることが好ましい。   Examples of the compound having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4- Aminobutyric acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, Hexadecanoic acid, 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid and dodecanedioic acid It is done. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. Only 1 type may be used for the compound which has the functional group which can react with the said hydroxyl group, and 2 or more types may be used together. The compound having a functional group capable of reacting with the hydroxyl group is preferably a compound having at least one carboxyl group.

上記化合物Xは、フラックス作用を有することが好ましく、上記化合物Xは、はんだの表面に結合した状態でフラックス作用を有することが好ましい。フラックス作用を有する化合物は、はんだの表面の酸化膜及び電極の表面の酸化膜を除去可能である。カルボキシル基はフラックス作用を有する。   The compound X preferably has a flux action, and the compound X preferably has a flux action in a state of being bonded to the solder surface. The compound having a flux action can remove the oxide film on the surface of the solder and the oxide film on the surface of the electrode. The carboxyl group has a flux action.

フラックス作用を有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、5−ケトヘキサン酸、3−ヒドロキシプロピオン酸、4−アミノ酪酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトイソブチル酸、3−メチルチオプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、3−フェニルイソブチル酸及び4−フェニル酪酸等が挙げられる。グルタル酸又はグリコール酸が好ましい。上記フラックス作用を有する化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the compound having a flux action include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-aminobutyric acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3- Examples include methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, and 4-phenylbutyric acid. Glutaric acid or glycolic acid is preferred. As for the compound which has the said flux effect | action, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記化合物Xにおける上記水酸基と反応可能な官能基が、水酸基又はカルボキシル基であることが好ましい。上記化合物Xにおける上記水酸基と反応可能な官能基は、水酸基であってもよく、カルボキシル基であってもよい。上記水酸基と反応可能な官能基がカルボキシル基である場合には、上記化合物Xは、カルボキシル基を少なくとも2個有することが好ましい。カルボキシル基を少なくとも2個有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基に反応させることで、はんだの表面にカルボキシル基を含む基が共有結合している導電性粒子が得られる。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X is preferably a hydroxyl group or a carboxyl group. The functional group capable of reacting with the hydroxyl group in the compound X may be a hydroxyl group or a carboxyl group. When the functional group capable of reacting with the hydroxyl group is a carboxyl group, the compound X preferably has at least two carboxyl groups. By reacting a part of the carboxyl group of the compound having at least two carboxyl groups with the hydroxyl group on the surface of the solder, conductive particles in which the group containing the carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be obtained.

上記導電性粒子の製造方法は、例えば、導電性粒子を用いて、該導電性粒子、水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、触媒及び溶媒を混合する工程を備える。上記導電性粒子の製造方法では、上記混合工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合している導電性粒子を容易に得ることができる。   The manufacturing method of the said electroconductive particle is equipped with the process of mixing the compound, catalyst, and solvent which have the functional group and carboxyl group which can react with this electroconductive particle and a hydroxyl group, for example using electroconductive particle. In the method for producing conductive particles, conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be easily obtained by the mixing step.

また、上記導電性粒子の製造方法では、導電性粒子を用いて、該導電性粒子、上記水酸基と反応可能な官能基とカルボキシル基とを有する化合物、上記触媒及び上記溶媒を混合し、加熱することが好ましい。混合及び加熱工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が共有結合している導電性粒子をより一層容易に得ることができる。   Moreover, in the said manufacturing method of electroconductive particle, using electroconductive particle, this electroconductive particle, the compound which has the functional group and carboxyl group which can react with the said hydroxyl group, the said catalyst, and the said solvent are mixed, and it heats. It is preferable. By the mixing and heating step, conductive particles in which a group containing a carboxyl group is covalently bonded to the surface of the solder can be obtained more easily.

上記溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、トルエン及びキシレン等が挙げられる。上記溶媒は有機溶媒であることが好ましく、トルエンであることがより好ましい。上記溶媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the solvent include methanol, ethanol, propanol, butanol, acetone, methyl ethyl ketone, ethyl acetate, toluene, and xylene. The solvent is preferably an organic solvent, and more preferably toluene. As for the said solvent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記触媒としては、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及び10−カンファースルホン酸等が挙げられる。上記触媒は、p−トルエンスルホン酸であることが好ましい。上記触媒は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the catalyst include p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid and 10-camphorsulfonic acid. The catalyst is preferably p-toluenesulfonic acid. As for the said catalyst, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記混合時に加熱することが好ましい。加熱温度は、好ましくは90℃以上、より好ましくは100℃以上であり、好ましくは130℃以下、より好ましくは110℃以下である。   It is preferable to heat at the time of the mixing. The heating temperature is preferably 90 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 130 ° C. or lower, more preferably 110 ° C. or lower.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記導電性粒子は、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させる工程を経て得られることが好ましい。上記反応では、共有結合を形成させる。はんだの表面の水酸基と上記イソシアネート化合物とを反応させることで、はんだの表面に、イソシアネート基に由来する基の窒素原子が共有結合している導電性粒子を容易に得ることができる。上記はんだの表面の水酸基に上記イソシアネート化合物を反応させることで、はんだの表面に、イソシアネート基に由来する基を共有結合の形態で化学結合させることができる。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the conductive particles react with the isocyanate compound to the hydroxyl group on the surface of the solder using the isocyanate compound. It is preferable that it is obtained through the process of making it. In the above reaction, a covalent bond is formed. By reacting the hydroxyl group on the surface of the solder with the isocyanate compound, it is possible to easily obtain conductive particles in which the nitrogen atom of the group derived from the isocyanate group is covalently bonded to the surface of the solder. By reacting the isocyanate compound with a hydroxyl group on the surface of the solder, a group derived from an isocyanate group can be chemically bonded to the surface of the solder in the form of a covalent bond.

また、イソシアネート基に由来する基には、シランカップリング剤を容易に反応させることができる。上記導電性粒子を容易に得ることができるので、上記カルボキシル基を含む基が、カルボキシル基を有するシランカップリング剤を用いた反応により導入されていることが好ましい。また、上記導電性粒子を容易に得ることができるので、上記カルボキシル基を含む基が、シランカップリング剤を用いた反応の後に、シランカップリング剤に由来する基にカルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物を反応させることで導入されていることが好ましい。上記導電性粒子は、上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物を反応させることにより得られることが好ましい。   Moreover, a silane coupling agent can be easily reacted with a group derived from an isocyanate group. Since the said electroconductive particle can be obtained easily, it is preferable that the group containing the said carboxyl group is introduce | transduced by reaction using the silane coupling agent which has a carboxyl group. Moreover, since the said electroconductive particle can be obtained easily, the group containing the said carboxyl group has at least 1 carboxyl group in the group derived from a silane coupling agent after reaction using a silane coupling agent. It is preferably introduced by reacting a compound. The conductive particles are preferably obtained by reacting the isocyanate compound with a hydroxyl group on the surface of the solder using the isocyanate compound and then reacting a compound having at least one carboxyl group.

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物が、カルボキシル基を複数有することが好ましい。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the compound having at least one carboxyl group preferably has a plurality of carboxyl groups.

上記イソシアネート化合物としては、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート(MDI)、ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)、トルエンジイソシアネート(TDI)及びイソホロンジイソシアネート(IPDI)等が挙げられる。これら以外のイソシアネート化合物を用いてもよい。この化合物をはんだの表面に反応させた後、残イソシアネート基と、その残イソシアネート基と反応性を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだの表面に上記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。   Examples of the isocyanate compound include diphenylmethane-4,4'-diisocyanate (MDI), hexamethylene diisocyanate (HDI), toluene diisocyanate (TDI), and isophorone diisocyanate (IPDI). Isocyanate compounds other than these may be used. After reacting this compound on the surface of the solder, by reacting the residual isocyanate group and a compound having reactivity with the residual isocyanate group and having a carboxyl group, the surface of the solder is represented by the above formula (X). A carboxyl group can be introduced through the group represented.

上記イソシアネート化合物としては、不飽和二重結合を有し、かつイソシアネート基を有する化合物を用いてもよい。例えば、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート及び2−イソシアナトエチルメタクリレートが挙げられる。この化合物のイソシアネート基をはんだの表面に反応させた後、残存している不飽和二重結合に対し反応性を有する官能基を有し、かつカルボキシル基を有する化合物を反応させることで、はんだの表面に上記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を導入することができる。   As said isocyanate compound, you may use the compound which has an unsaturated double bond and has an isocyanate group. Examples include 2-acryloyloxyethyl isocyanate and 2-isocyanatoethyl methacrylate. After reacting the isocyanate group of this compound on the surface of the solder, reacting the compound having a functional group having reactivity with the remaining unsaturated double bond and having a carboxyl group, A carboxyl group can be introduced to the surface via a group represented by the above formula (X).

上記シランカップリング剤としては、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン(信越シリコーン社製「KBE−9007」)、及び3−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン(MOMENTIVE社製「Y−5187」)等が挙げられる。上記シランカップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the silane coupling agent include 3-isocyanatopropyltriethoxysilane (“KBE-9007” manufactured by Shin-Etsu Silicone), 3-isocyanatepropyltrimethoxysilane (“Y-5187” manufactured by MOMENTIVE), and the like. As for the said silane coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物としては、レブリン酸、グルタル酸、グリコール酸、コハク酸、リンゴ酸、シュウ酸、マロン酸、アジピン酸、5−ケトヘキサン酸、3−ヒドロキシプロピオン酸、4−アミノ酪酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトイソブチル酸、3−メチルチオプロピオン酸、3−フェニルプロピオン酸、3−フェニルイソブチル酸、4−フェニル酪酸、デカン酸、ドデカン酸、テトラデカン酸、ペンタデカン酸、ヘキサデカン酸、9−ヘキサデセン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、(9,12,15)−リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、デカン二酸及びドデカン二酸等が挙げられる。グルタル酸、アジピン酸又はグリコール酸が好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the compound having at least one carboxyl group include levulinic acid, glutaric acid, glycolic acid, succinic acid, malic acid, oxalic acid, malonic acid, adipic acid, 5-ketohexanoic acid, 3-hydroxypropionic acid, 4-amino Butyric acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptoisobutyric acid, 3-methylthiopropionic acid, 3-phenylpropionic acid, 3-phenylisobutyric acid, 4-phenylbutyric acid, decanoic acid, dodecanoic acid, tetradecanoic acid, pentadecanoic acid, hexadecane Examples include acid, 9-hexadecenoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, (9,12,15) -linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, decanedioic acid, and dodecanedioic acid. . Glutaric acid, adipic acid or glycolic acid is preferred. As for the compound which has at least 1 said carboxyl group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を複数有する化合物の一部のカルボキシル基を、はんだの表面の水酸基と反応させることで、カルボキシル基を含む基を残存させることができる。   After reacting the isocyanate compound with the hydroxyl group on the surface of the solder using the isocyanate compound, the carboxyl group of the compound having a plurality of carboxyl groups is reacted with the hydroxyl group on the surface of the solder. The group containing can be left.

上記導電性粒子の製造方法では、導電性粒子を用いて、かつ、イソシアネート化合物を用いて、はんだの表面の水酸基に、上記イソシアネート化合物を反応させた後、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物を反応させて、はんだの表面に、上記式(X)で表される基を介して、カルボキシル基を含む基が結合している導電性粒子を得る。上記導電性粒子の製造方法では、上記の工程により、はんだの表面に、カルボキシル基を含む基が導入された導電性粒子を容易に得ることができる。   In the method for producing conductive particles, the conductive particles are used and the isocyanate compound is used to react the hydroxyl group on the surface of the solder with the isocyanate compound, and then the compound having at least one carboxyl group is reacted. Thus, conductive particles in which a group containing a carboxyl group is bonded to the surface of the solder via the group represented by the above formula (X) are obtained. In the method for producing conductive particles, conductive particles in which a group containing a carboxyl group is introduced on the surface of the solder can be easily obtained by the above-described steps.

上記導電性粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒に導電性粒子を分散させ、イソシアネート基を有するシランカップリング剤を添加する。その後、導電性粒子のはんだの表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、はんだの表面にシランカップリング剤を共有結合させる。次に、シランカップリング剤のケイ素原子に結合しているアルコキシ基を加水分解することで、水酸基を生成させる。生成した水酸基に、カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物のカルボキシル基を反応させる。   The following method is mentioned as a specific manufacturing method of the said electroconductive particle. Conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a silane coupling agent having an isocyanate group is added. Thereafter, a silane coupling agent is covalently bonded to the surface of the solder using a reaction catalyst between a hydroxyl group and an isocyanate group on the surface of the solder of the conductive particles. Next, a hydroxyl group is produced | generated by hydrolyzing the alkoxy group couple | bonded with the silicon atom of a silane coupling agent. The produced hydroxyl group is reacted with a carboxyl group of a compound having at least one carboxyl group.

また、上記導電性粒子の具体的な製造方法としては、以下の方法が挙げられる。有機溶媒に導電性粒子を分散させ、イソシアネート基と不飽和二重結合を有する化合物を添加する。その後、導電性粒子のはんだの表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒を用い、共有結合を形成させる。その後、導入された不飽和二重結合に対して、不飽和二重結合、及びカルボキシル基を有する化合物を反応させる。   Moreover, the following method is mentioned as a specific manufacturing method of the said electroconductive particle. Conductive particles are dispersed in an organic solvent, and a compound having an isocyanate group and an unsaturated double bond is added. Thereafter, a covalent bond is formed using a reaction catalyst of a hydroxyl group and an isocyanate group on the surface of the solder of the conductive particles. Thereafter, the unsaturated double bond introduced is reacted with a compound having an unsaturated double bond and a carboxyl group.

導電性粒子のはんだの表面の水酸基とイソシアネート基との反応触媒としては、錫系触媒(ジブチル錫ジラウレート等)、アミン系触媒(トリエチレンジアミン等)、カルボキシレート触媒(ナフテン酸鉛、酢酸カリウム等)、及びトリアルキルホスフィン触媒(トリエチルホスフィン等)等が挙げられる。   The reaction catalyst for hydroxyl groups and isocyanate groups on the surface of the solder of the conductive particles includes tin catalysts (dibutyltin dilaurate, etc.), amine catalysts (triethylenediamine, etc.), carboxylate catalysts (lead naphthenate, potassium acetate, etc.) And a trialkylphosphine catalyst (such as triethylphosphine).

接続構造体における接続抵抗を効果的に低くし、ボイドの発生を効果的に抑制する観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は、下記式(1)で表される化合物であることが好ましい。下記式(1)で表される化合物は、フラックス作用を有する。また、下記式(1)で表される化合物は、はんだの表面に導入された状態でフラックス作用を有する。   From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance in the connection structure and effectively suppressing the generation of voids, the compound having at least one carboxyl group is a compound represented by the following formula (1): Is preferred. The compound represented by the following formula (1) has a flux action. Moreover, the compound represented by following formula (1) has a flux effect | action in the state introduced into the surface of solder.

Figure 2018046004
Figure 2018046004

上記式(1)中、Xは、水酸基と反応可能な官能基を表し、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。該有機基は、炭素原子と水素原子と酸素原子とを含んでいてもよい。該有機基は炭素数1〜5の2価の炭化水素基であってもよい。該有機基の主鎖は2価の炭化水素基であることが好ましい。該有機基では、2価の炭化水素基にカルボキシル基や水酸基が結合していてもよい。上記式(1)で表される化合物には、例えばクエン酸が含まれる。   In said formula (1), X represents the functional group which can react with a hydroxyl group, R represents a C1-C5 bivalent organic group. The organic group may contain a carbon atom, a hydrogen atom, and an oxygen atom. The organic group may be a divalent hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms. The main chain of the organic group is preferably a divalent hydrocarbon group. In the organic group, a carboxyl group or a hydroxyl group may be bonded to a divalent hydrocarbon group. Examples of the compound represented by the above formula (1) include citric acid.

上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は、下記式(1A)又は下記式(1B)で表される化合物であることが好ましい。上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物は、下記式(1A)で表される化合物であることが好ましく、下記式(1B)で表される化合物であることがより好ましい。   The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A) or the following formula (1B). The compound having at least one carboxyl group is preferably a compound represented by the following formula (1A), and more preferably a compound represented by the following formula (1B).

Figure 2018046004
Figure 2018046004

上記式(1A)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(1A)中のRは上記式(1)中のRと同様である。   In said formula (1A), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (1A) is the same as R in the above formula (1).

Figure 2018046004
Figure 2018046004

上記式(1B)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(1B)中のRは上記式(1)中のRと同様である。   In said formula (1B), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (1B) is the same as R in the above formula (1).

はんだの表面に、下記式(2A)又は下記式(2B)で表される基が結合していることが好ましい。はんだの表面に、下記式(2A)で表される基が結合していることが好ましく、下記式(2B)で表される基が結合していることがより好ましい。なお、下記式(2A)及び下記式(2B)において、左端部は結合部位を表す。   A group represented by the following formula (2A) or the following formula (2B) is preferably bonded to the surface of the solder. A group represented by the following formula (2A) is preferably bonded to the surface of the solder, and more preferably a group represented by the following formula (2B) is bonded. In the following formula (2A) and the following formula (2B), the left end portion represents a binding site.

Figure 2018046004
Figure 2018046004

上記式(2A)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(2A)中のRは上記式(1)中のRと同様である。   In said formula (2A), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (2A) is the same as R in the above formula (1).

Figure 2018046004
Figure 2018046004

上記式(2B)中、Rは、炭素数1〜5の2価の有機基を表す。上記式(2B)中のRは上記式(1)中のRと同様である。   In said formula (2B), R represents a C1-C5 bivalent organic group. R in the above formula (2B) is the same as R in the above formula (1).

はんだの表面の濡れ性を高める観点からは、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物の分子量は、好ましくは10000以下、より好ましくは1000以下、さらに好ましくは500以下である。   From the viewpoint of enhancing the wettability of the solder surface, the molecular weight of the compound having at least one carboxyl group is preferably 10,000 or less, more preferably 1000 or less, and even more preferably 500 or less.

上記分子量は、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物が重合体ではない場合、及び上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記カルボキシル基を少なくとも1つ有する化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。   The molecular weight means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the compound having at least one carboxyl group is not a polymer and when the structural formula of the compound having at least one carboxyl group can be specified. Further, when the compound having at least one carboxyl group is a polymer, it means a weight average molecular weight.

電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点、及び、導電材料の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、導電性粒子本体と、疎水性化合物層と、酸化合物層とを備えることが好ましい。上記疎水性化合物層は、上記導電性粒子本体の表面上に配置されていることが好ましく、上記酸化合物層は、上記疎水性化合物層の表面上に配置されていることが好ましい。   From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, and from the viewpoint of further improving the storage stability of the conductive material, the conductive particles include a conductive particle body, a hydrophobic compound layer, and the like. And an acid compound layer. The hydrophobic compound layer is preferably disposed on the surface of the conductive particle body, and the acid compound layer is preferably disposed on the surface of the hydrophobic compound layer.

電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記酸化合物層は、カルボキシル基を有する化合物により形成されていることが好ましい。上記酸化合物層における酸化合物は、カルボキシル基を有する化合物であることが好ましい。上記カルボキシル基を有する化合物としては、グルタル酸及びアジピン酸等が挙げられる。上記導電性粒子は、導電性粒子本体と、疎水性化合物層と、上記疎水性化合物層の表面上に配置されたカルボキシル基を有する化合物とを有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記疎水性化合物層をカルボキシル基を有する化合物で表面処理することにより得られることが好ましい。上記導電性粒子は、カルボキシル基を有する化合物による表面処理物であることが好ましい。上記カルボキシル基を有する化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the acid compound layer is preferably formed of a compound having a carboxyl group. The acid compound in the acid compound layer is preferably a compound having a carboxyl group. Examples of the compound having a carboxyl group include glutaric acid and adipic acid. The conductive particles preferably have a conductive particle body, a hydrophobic compound layer, and a compound having a carboxyl group disposed on the surface of the hydrophobic compound layer. The conductive particles are preferably obtained by surface-treating the hydrophobic compound layer with a compound having a carboxyl group. The conductive particles are preferably a surface-treated product with a compound having a carboxyl group. As for the compound which has the said carboxyl group, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記疎水性化合物層をカルボキシル基を有する化合物で表面処理する方法としては、脱水縮合等が挙げられる。   Examples of the method for surface-treating the hydrophobic compound layer with a compound having a carboxyl group include dehydration condensation.

本発明に係る導電材料は、上記導電性粒子の表面の流動電位が、−1000mV以上、0mV以下である。電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点、及び、導電材料の貯蔵安定性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の流動電位は、好ましくは−700mV以上、より好ましくは−600mV以上であり、好ましくは−200mV以下、より好ましくは−300mV以下である。   In the conductive material according to the present invention, the flow potential on the surface of the conductive particles is −1000 mV or more and 0 mV or less. From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode and further improving the storage stability of the conductive material, the flow potential of the conductive particles is preferably −700 mV or more, more Preferably it is -600 mV or more, preferably -200 mV or less, more preferably -300 mV or less.

上記流動電位は、以下のようにして測定される。   The streaming potential is measured as follows.

導電材料をアセトン中で溶解させることで、導電性粒子を回収する。得られた導電性粒子1gを水90g、アセトン10gに分散させる。この分散液の流動電位を、流動電位測定装置(マイクロトラック・ベル社製「Stabino PMX 400」)を用いて、測定する。測定時間は60秒、セルとピストンとのギャップは400μmに設定する。   Conductive particles are recovered by dissolving the conductive material in acetone. 1 g of the obtained conductive particles are dispersed in 90 g of water and 10 g of acetone. The streaming potential of this dispersion is measured using a streaming potential measuring device (“Stabino PMX 400” manufactured by Microtrack Bell). The measurement time is set to 60 seconds, and the gap between the cell and the piston is set to 400 μm.

上記流動電位を好適な範囲に調整する方法としては、導電性粒子の表面上に配置されたカルボキシル基を有する化合物やリン酸化合物等の量を調整する方法等が挙げられる。上記カルボキシル基を有する化合物やリン酸化合物等の量を調整する方法としては、カルボキシル基を有する化合物又はリン酸化合物等により表面処理された導電性粒子の流動電位を測定しながら、該導電性粒子をヘキサン又はアセトンで洗浄する方法等が挙げられる。   Examples of the method for adjusting the streaming potential within a suitable range include a method for adjusting the amount of a compound having a carboxyl group or a phosphoric acid compound disposed on the surface of the conductive particles. As a method for adjusting the amount of the compound having a carboxyl group, the phosphoric acid compound, etc., the conductive particles are measured while measuring the streaming potential of the conductive particles surface-treated with the compound having a carboxyl group or the phosphoric acid compound. The method etc. which wash | clean this with hexane or acetone are mentioned.

次に、図面を参照しつつ、導電性粒子の具体例を説明する。   Next, specific examples of conductive particles will be described with reference to the drawings.

図4は、導電材料に使用可能な導電性粒子の第1の例を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first example of conductive particles that can be used as a conductive material.

図4に示す導電性粒子21は、はんだ粒子である。導電性粒子21は、全体がはんだにより形成されている。導電性粒子21は、基材粒子をコアに有さず、コアシェル粒子ではない。導電性粒子21は、中心部分及び導電部の外表面部分のいずれもがはんだにより形成されている。   The conductive particles 21 shown in FIG. 4 are solder particles. The conductive particles 21 are entirely formed of solder. The conductive particles 21 do not have base particles in the core, and are not core-shell particles. As for the electroconductive particle 21, both the center part and the outer surface part of an electroconductive part are formed with the solder.

図5は、導電材料に使用可能な導電性粒子の第2の例を示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second example of conductive particles that can be used for the conductive material.

図5に示す導電性粒子31は、基材粒子32と、基材粒子32の表面上に配置された導電部33とを備える。導電部33は、基材粒子32の表面を被覆している。導電性粒子31は、基材粒子32の表面が導電部33により被覆された被覆粒子である。   The conductive particle 31 shown in FIG. 5 includes a base particle 32 and a conductive part 33 disposed on the surface of the base particle 32. The conductive portion 33 covers the surface of the base particle 32. The conductive particles 31 are coated particles in which the surface of the base particle 32 is covered with the conductive portion 33.

導電部33は、第2の導電部33Aと、はんだ部33B(第1の導電部)とを有する。導電性粒子31は、基材粒子32と、はんだ部33Bとの間に、第2の導電部33Aを備える。従って、導電性粒子31は、基材粒子32と、基材粒子32の表面上に配置された第2の導電部33Aと、第2の導電部33Aの外表面上に配置されたはんだ部33Bとを備える。   The conductive portion 33 includes a second conductive portion 33A and a solder portion 33B (first conductive portion). The conductive particle 31 includes a second conductive portion 33A between the base particle 32 and the solder portion 33B. Therefore, the conductive particles 31 are composed of the base particle 32, the second conductive portion 33A disposed on the surface of the base particle 32, and the solder portion 33B disposed on the outer surface of the second conductive portion 33A. With.

図6は、導電材料に使用可能な導電性粒子の第3の例を示す断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a third example of conductive particles that can be used for the conductive material.

上記のように、導電性粒子31における導電部33は2層構造を有する。図6に示す導電性粒子41は、単層の導電部として、はんだ部42を有する。導電性粒子41は、基材粒子32と、基材粒子32の表面上に配置されたはんだ部42とを備える。   As described above, the conductive portion 33 in the conductive particle 31 has a two-layer structure. The conductive particle 41 shown in FIG. 6 has a solder part 42 as a single-layer conductive part. The conductive particles 41 include base particles 32 and solder portions 42 disposed on the surfaces of the base particles 32.

上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記基材粒子は、銅粒子であってもよい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有していてもよく、コアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。   Examples of the substrate particles include resin particles, inorganic particles excluding metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The substrate particles are preferably substrate particles excluding metal, and are preferably resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles. The substrate particles may be copper particles. The base particle may have a core and a shell disposed on the surface of the core, or may be a core-shell particle. The core may be an organic core, and the shell may be an inorganic shell.

上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、及びポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ジビニルベンゼン重合体、並びにジビニルベンゼン系共重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン系共重合体等としては、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体及びジビニルベンゼン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。   Various organic materials are suitably used as the resin for forming the resin particles. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene, and polybutadiene; acrylic resins such as polymethyl methacrylate and polymethyl acrylate; Polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polyethylene terephthalate, polysulfone, polyphenylene Oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyether agent Ketone, polyether sulfone, divinyl benzene polymer, and divinylbenzene copolymer, and the like. Examples of the divinylbenzene copolymer include divinylbenzene-styrene copolymer and divinylbenzene- (meth) acrylic acid ester copolymer. Since the hardness of the resin particles can be easily controlled within a suitable range, the resin for forming the resin particles is a polymer obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having an ethylenically unsaturated group. It is preferably a coalescence.

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、該エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。   When the resin particles are obtained by polymerizing a polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group, the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group includes a non-crosslinkable monomer and And a crosslinkable monomer.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、及びα−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、及び無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、及びイソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート化合物;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、及びグリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート化合物;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、及びプロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、及びステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物;エチレン、プロピレン、イソプレン、及びブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、及びクロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, Alkyl (meth) acrylate compounds such as cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate, and glycidyl (meth) Oxygen atom-containing (meth) acrylate compounds such as acrylate; Nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; Vinyl ether compounds such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; Vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, and stearin Acid vinyl ester compounds such as vinyl acid; unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene, and butadiene; trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorostyrene And halogen-containing monomers such as

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、及び1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート化合物;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、並びに、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、及びビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。   Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, and dipenta Erythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylate compounds such as acrylate, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate; triallyl (iso) silane Silane-containing monomers such as nurate, triallyl trimellitate, divinylbenzene, diallyl phthalate, diallylacrylamide, diallyl ether, and γ- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, vinyltrimethoxysilane Examples include the body.

「(メタ)アクリレート」の用語は、アクリレートとメタクリレートとを示す。「(メタ)アクリル」の用語は、アクリルとメタクリルとを示す。「(メタ)アクリロイル」の用語は、アクリロイルとメタクリロイルとを示す。   The term “(meth) acrylate” refers to acrylate and methacrylate. The term “(meth) acryl” refers to acrylic and methacrylic. The term “(meth) acryloyl” refers to acryloyl and methacryloyl.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。   The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of polymerizing by swelling a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。   In the case where the substrate particles are inorganic particles or organic-inorganic hybrid particles excluding metal, examples of the inorganic material for forming the substrate particles include silica, alumina, barium titanate, zirconia, and carbon black. The inorganic substance is preferably not a metal. The particles formed from the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。   The organic-inorganic hybrid particles are preferably core-shell type organic-inorganic hybrid particles having a core and a shell disposed on the surface of the core. The core is preferably an organic core. The shell is preferably an inorganic shell. From the viewpoint of effectively reducing the connection resistance between the electrodes, the base material particles are preferably organic-inorganic hybrid particles having an organic core and an inorganic shell disposed on the surface of the organic core.

上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。   Examples of the material for forming the organic core include the resin for forming the resin particles described above.

上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物等が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼結させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。   Examples of the material for forming the inorganic shell include inorganic substances for forming the above-described base material particles. The material for forming the inorganic shell is preferably silica. The inorganic shell is preferably formed on the surface of the core by forming a metal alkoxide into a shell by a sol-gel method and then sintering the shell. The metal alkoxide is preferably a silane alkoxide. The inorganic shell is preferably formed of a silane alkoxide.

上記コアの粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、さらに好ましくは40μm以下、特に好ましくは30μm以下、最も好ましくは15μm以下である。上記コアの粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。例えば、上記コアの粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ基材粒子の表面に導電部を形成する際、凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。   The particle diameter of the core is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, further preferably 40 μm or less, particularly preferably 30 μm or less, and most preferably 15 μm or less. It is. When the particle diameter of the core is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, conductive particles more suitable for electrical connection between electrodes can be obtained, and the base particles can be suitably used for the use of conductive particles. Become. For example, when the particle diameter of the core is not less than the lower limit and not more than the upper limit, when the electrodes are connected using the conductive particles, the contact area between the conductive particles and the electrodes is sufficiently large, and When the conductive portion is formed on the surface of the base particle, it is difficult to form aggregated conductive particles. Further, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive portion is difficult to peel from the surface of the base particle.

上記コアの粒子径は、上記コアが真球状である場合には直径を意味し、上記コアが真球状以外の形状である場合には、最大径を意味する。また、コアの粒子径は、コアを任意の粒子径測定装置により測定した平均粒子径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析等の原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。   The particle diameter of the core means the diameter when the core is a true sphere, and the maximum diameter when the core is a shape other than the true sphere. Moreover, the particle diameter of a core means the average particle diameter which measured the core with arbitrary particle diameter measuring apparatuses. For example, a particle size distribution measuring machine using principles such as laser light scattering, electrical resistance value change, and image analysis after imaging can be used.

上記シェルの厚みは、好ましくは100nm以上、より好ましくは200nm以上であり、好ましくは5μm以下、より好ましくは3μm以下である。上記シェルの厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。上記シェルの厚みは、基材粒子1個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記シェルの厚みが制御可能である。   The thickness of the shell is preferably 100 nm or more, more preferably 200 nm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less. When the thickness of the shell is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, conductive particles more suitable for electrical connection between the electrodes can be obtained, and the base particles can be suitably used for the use of conductive particles. . The thickness of the shell is an average thickness per base particle. The thickness of the shell can be controlled by controlling the sol-gel method.

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子は銅粒子であることが好ましい。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。   When the substrate particles are metal particles, examples of the metal for forming the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. When the base material particles are metal particles, the metal particles are preferably copper particles. However, the substrate particles are preferably not metal particles.

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1μm以上、さらに好ましくは1.5μm以上、特に好ましくは2μm以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、より一層好ましくは40μm以下、さらに好ましくは20μm以下、さらに一層好ましくは10μm以下、特に好ましくは5μm以下、最も好ましくは3μm以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性をより一層高めることができ、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が十分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができ、さらに電極間の間隔をより小さくすることができる。   The particle diameter of the substrate particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1 μm or more, further preferably 1.5 μm or more, and particularly preferably 2 μm or more. The particle diameter of the substrate particles is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, still more preferably 40 μm or less, still more preferably 20 μm or less, still more preferably 10 μm or less, particularly preferably 5 μm or less, and most preferably 3 μm. It is as follows. When the particle diameter of the base material particles is equal to or larger than the lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes is increased, so that the conduction reliability between the electrodes can be further improved and the connection is made through the conductive particles. The connection resistance between the formed electrodes can be further reduced. When the particle diameter of the substrate particles is not more than the above upper limit, the conductive particles are easily compressed, the connection resistance between the electrodes can be further reduced, and the interval between the electrodes can be further reduced. it can.

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。   The particle diameter of the base particle indicates a diameter when the base particle is a true sphere, and indicates a maximum diameter when the base particle is not a true sphere.

上記基材粒子の粒子径は、2μm以上、5μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が2μm以上、5μm以下の範囲内であると、電極間の間隔をより小さくすることができ、かつ導電層の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子を得ることができる。   The particle diameter of the substrate particles is particularly preferably 2 μm or more and 5 μm or less. When the particle diameter of the substrate particles is in the range of 2 μm or more and 5 μm or less, the distance between the electrodes can be further reduced, and even if the thickness of the conductive layer is increased, small conductive particles can be obtained. Can do.

上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法、並びに上記基材粒子の表面上又は上記第2の導電部の表面上にはんだ部を形成する方法は特に限定されない。上記導電部及び上記はんだ部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的な衝突による方法、メカノケミカル反応による方法、物理的蒸着又は物理的吸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。無電解めっき、電気めっき又は物理的な衝突による方法が好適である。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。また、上記物理的な衝突による方法では、例えば、シーターコンポーザ(徳寿工作所社製)等が用いられる。   The method for forming the conductive part on the surface of the base particle and the method for forming the solder part on the surface of the base particle or the surface of the second conductive part are not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive portion and the solder portion include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical collision, a method by mechanochemical reaction, a method by physical vapor deposition or physical adsorption, And a method of coating the surface of the substrate particles with a paste containing metal powder or metal powder and a binder. Electroless plating, electroplating or physical collision methods are preferred. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering. Further, in the method based on the physical collision, for example, a sheeter composer (manufactured by Tokuju Kogakusha Co., Ltd.) or the like is used.

上記基材粒子の融点は、上記導電部及び上記はんだ部の融点よりも高いことが好ましい。上記基材粒子の融点は、好ましくは160℃を超え、より好ましくは300℃を超え、さらに好ましくは400℃を超え、特に好ましくは450℃を超える。なお、上記基材粒子の融点は、400℃未満であってもよい。上記基材粒子の融点は、160℃以下であってもよい。上記基材粒子の軟化点は260℃以上であることが好ましい。上記基材粒子の軟化点は260℃未満であってもよい。   The melting point of the substrate particles is preferably higher than the melting points of the conductive part and the solder part. The melting point of the substrate particles is preferably higher than 160 ° C, more preferably higher than 300 ° C, still more preferably higher than 400 ° C, and particularly preferably higher than 450 ° C. The melting point of the substrate particles may be less than 400 ° C. The melting point of the substrate particles may be 160 ° C. or less. The softening point of the substrate particles is preferably 260 ° C. or higher. The softening point of the substrate particles may be less than 260 ° C.

上記導電性粒子は、単層のはんだ部を有していてもよい。上記導電性粒子は、複数の層の導電部(はんだ部,第2の導電部)を有していてもよい。すなわち、上記導電性粒子では、導電部を2層以上積層してもよい。上記導電部が2層以上の場合、上記導電性粒子は、導電部の外表面部分にはんだを有することが好ましい。   The conductive particles may have a single layer solder portion. The conductive particles may have a plurality of layers of conductive parts (solder part, second conductive part). That is, in the conductive particles, two or more conductive portions may be stacked. When the conductive part has two or more layers, the conductive particles preferably have solder on the outer surface portion of the conductive part.

上記はんだは、融点が450℃以下である金属(低融点金属)であることが好ましい。上記はんだ部は、融点が450℃以下である金属層(低融点金属層)であることが好ましい。上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。上記導電性粒子におけるはんだは、融点が450℃以下である金属粒子(低融点金属粒子)であることが好ましい。上記低融点金属粒子は、低融点金属を含む粒子である。該低融点金属とは、融点が450℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は、好ましくは300℃以下、より好ましくは160℃以下である。また、上記導電性粒子におけるはんだは錫を含むことが好ましい。上記はんだ部に含まれる金属100重量%中及び上記導電性粒子におけるはんだに含まれる金属100重量%中、錫の含有量は、好ましくは30重量%以上、より好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上、特に好ましくは90重量%以上である。上記導電性粒子におけるはんだに含まれる錫の含有量が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との導通信頼性がより一層高くなる。   The solder is preferably a metal (low melting point metal) having a melting point of 450 ° C. or lower. The solder part is preferably a metal layer (low melting point metal layer) having a melting point of 450 ° C. or lower. The low melting point metal layer is a layer containing a low melting point metal. The solder in the conductive particles is preferably metal particles having a melting point of 450 ° C. or lower (low melting point metal particles). The low melting point metal particles are particles containing a low melting point metal. The low melting point metal is a metal having a melting point of 450 ° C. or lower. The melting point of the low melting point metal is preferably 300 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower. The solder in the conductive particles preferably contains tin. In 100% by weight of the metal contained in the solder part and 100% by weight of the metal contained in the solder in the conductive particles, the content of tin is preferably 30% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, and still more preferably. Is 70% by weight or more, particularly preferably 90% by weight or more. When the content of tin contained in the solder in the conductive particles is not less than the above lower limit, the conduction reliability between the conductive particles and the electrode is further enhanced.

なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置(堀場製作所社製「ICP−AES」)、又は蛍光X線分析装置(島津製作所社製「EDX−800HS」)等を用いて測定可能である。   The tin content is determined using a high frequency inductively coupled plasma optical emission spectrometer (“ICP-AES” manufactured by Horiba, Ltd.) or a fluorescent X-ray analyzer (“EDX-800HS” manufactured by Shimadzu). It can be measured.

上記はんだを導電部の外表面部分に有する導電性粒子を用いることで、はんだが溶融して電極に接合し、はんだが電極間を導通させる。例えば、はんだと電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、はんだを導電部の外表面部分に有する導電性粒子の使用により、はんだと電極との接合強度が高くなる結果、はんだと電極との剥離がより一層生じ難くなり、導通信頼性が効果的に高くなる。   By using the conductive particles having the solder on the outer surface portion of the conductive portion, the solder is melted and joined to the electrodes, and the solder conducts between the electrodes. For example, since the solder and the electrode are not in point contact but in surface contact, the connection resistance is lowered. In addition, the use of conductive particles having solder on the outer surface of the conductive portion increases the bonding strength between the solder and the electrode, and as a result, the solder and the electrode are more unlikely to peel off, and the conduction reliability is effective. To be high.

上記はんだ部及び上記はんだ粒子を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金等が挙げられる。電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましい。錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。   The low melting point metal constituting the solder part and the solder particles is not particularly limited. The low melting point metal is preferably tin or an alloy containing tin. Examples of the alloy include a tin-silver alloy, a tin-copper alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, a tin-zinc alloy, and a tin-indium alloy. The low melting point metal is preferably tin, a tin-silver alloy, a tin-silver-copper alloy, a tin-bismuth alloy, or a tin-indium alloy because of its excellent wettability with respect to the electrode. More preferred are a tin-bismuth alloy and a tin-indium alloy.

上記はんだ(はんだ部)を構成する材料は、JIS Z3001:溶接用語に基づき、液相線が450℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだの組成としては、例えば亜鉛、金、銀、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウム等を含む金属組成が挙げられる。低融点で鉛フリーである錫−インジウム系(117℃共晶)、又は錫−ビスマス系(139℃共晶)が好ましい。すなわち、上記はんだは、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ、又は錫とビスマスとを含むはんだであることが好ましい。   The material constituting the solder (solder part) is preferably a filler material having a liquidus of 450 ° C. or lower based on JIS Z3001: Welding terms. Examples of the composition of the solder include a metal composition containing zinc, gold, silver, lead, copper, tin, bismuth, indium and the like. A tin-indium system (117 ° C eutectic) or a tin-bismuth system (139 ° C eutectic) that has a low melting point and is free of lead is preferable. That is, the solder preferably does not contain lead, and is preferably a solder containing tin and indium or a solder containing tin and bismuth.

上記はんだと電極との接合強度をより一層高めるために、上記導電性粒子におけるはんだは、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。また、はんだと電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記導電性粒子におけるはんだは、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。はんだ部又は導電性粒子におけるはんだと電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、上記導電性粒子におけるはんだ100重量%中、好ましくは0.0001重量%以上、好ましくは1重量%以下である。   In order to further increase the bonding strength between the solder and the electrode, the solder in the conductive particles is nickel, copper, antimony, aluminum, zinc, iron, gold, titanium, phosphorus, germanium, tellurium, cobalt, bismuth, manganese. Further, it may contain a metal such as chromium, molybdenum and palladium. Moreover, from the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode, the solder in the conductive particles preferably contains nickel, copper, antimony, aluminum, or zinc. From the viewpoint of further increasing the bonding strength between the solder and the electrode in the solder portion or the conductive particles, the content of these metals for increasing the bonding strength is preferably 0% in 100% by weight of the solder in the conductive particles. 0.0001% by weight or more, preferably 1% by weight or less.

上記第2の導電部の融点は、上記はんだ部の融点よりも高いことが好ましい。上記第2の導電部の融点は、好ましくは160℃を超え、より好ましくは300℃を超え、さらに好ましくは400℃を超え、さらに一層好ましくは450℃を超え、特に好ましくは500℃を超え、最も好ましくは600℃を超える。上記はんだ部は融点が低いために導電接続時に溶融する。上記第2の導電部は導電接続時に溶融しないことが好ましい。上記導電性粒子は、はんだを溶融させて用いられることが好ましく、上記はんだ部を溶融させて用いられることが好ましく、上記はんだ部を溶融させてかつ上記第2の導電部を溶融させずに用いられることが好ましい。上記第2の導電部の融点が上記はんだ部の融点よりも高いことによって、導電接続時に、上記第2の導電部を溶融させずに、上記はんだ部のみを溶融させることができる。   The melting point of the second conductive part is preferably higher than the melting point of the solder part. The melting point of the second conductive part is preferably more than 160 ° C, more preferably more than 300 ° C, still more preferably more than 400 ° C, still more preferably more than 450 ° C, particularly preferably more than 500 ° C, Most preferably above 600 ° C. Since the solder part has a low melting point, it melts during conductive connection. It is preferable that the second conductive portion does not melt during conductive connection. The conductive particles are preferably used by melting solder, preferably used by melting the solder part, and used without melting the solder part and melting the second conductive part. It is preferred that Since the melting point of the second conductive part is higher than the melting point of the solder part, only the solder part can be melted without melting the second conductive part at the time of conductive connection.

上記はんだ部の融点と上記第2の導電部の融点との差の絶対値は、0℃を超え、好ましくは5℃以上、より好ましくは10℃以上、さらに好ましくは30℃以上、特に好ましくは50℃以上、最も好ましくは100℃以上である。   The absolute value of the difference between the melting point of the solder part and the melting point of the second conductive part exceeds 0 ° C, preferably 5 ° C or more, more preferably 10 ° C or more, still more preferably 30 ° C or more, particularly preferably 50 ° C. or higher, most preferably 100 ° C. or higher.

上記第2の導電部は、金属を含むことが好ましい。上記第2の導電部を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム(ITO)を用いてもよい。上記金属は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The second conductive part preferably contains a metal. The metal which comprises the said 2nd electroconductive part is not specifically limited. Examples of the metal include gold, silver, copper, platinum, palladium, zinc, lead, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, germanium and cadmium, and alloys thereof. Further, tin-doped indium oxide (ITO) may be used as the metal. As for the said metal, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記第2の導電部は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることがさらに好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することがさらに好ましい。これらの好ましい導電部を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電部の表面には、はんだ部をより一層容易に形成できる。   The second conductive part is preferably a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably a nickel layer or a gold layer, and even more preferably a copper layer. The conductive particles preferably have a nickel layer, a palladium layer, a copper layer, or a gold layer, more preferably have a nickel layer or a gold layer, and more preferably have a copper layer. By using the conductive particles having these preferable conductive parts for the connection between the electrodes, the connection resistance between the electrodes is further reduced. Moreover, a solder part can be more easily formed on the surface of these preferable conductive parts.

上記はんだ部の厚みは、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、さらに好ましくは0.3μm以下である。はんだ部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。   The thickness of the solder part is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, and even more preferably 0.3 μm or less. When the thickness of the solder part is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles do not become too hard, and the conductive particles are sufficiently deformed when connecting the electrodes. .

上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上、さらに好ましくは3μm以上であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは50μm以下、さらに好ましくは40μm以下、特に好ましくは30μm以下である。上記導電性粒子の平均粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間に導電性粒子におけるはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。   The average particle diameter of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, further preferably 3 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, still more preferably 40 μm or less, particularly preferably. Is 30 μm or less. When the average particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder in the conductive particles can be arranged more efficiently on the electrodes, and there are many solders in the conductive particles between the electrodes. It is easy to arrange and the conduction reliability is further enhanced.

上記導電性粒子の平均粒子径は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、例えば、任意の導電性粒子50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。   The average particle diameter of the conductive particles indicates a number average particle diameter. The average particle diameter of the conductive particles is obtained, for example, by observing 50 arbitrary conductive particles with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記導電性粒子の粒子径の変動係数は、好ましくは5%以上、より好ましくは10%以上であり、好ましくは40%以下、より好ましくは30%以下である。上記粒子径の変動係数が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置することができる。但し、上記導電性粒子の粒子径の変動係数は、5%未満であってもよい。   The variation coefficient of the particle diameter of the conductive particles is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, preferably 40% or less, more preferably 30% or less. When the variation coefficient of the particle diameter is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder in the conductive particles can be more efficiently arranged on the electrode. However, the coefficient of variation of the particle diameter of the conductive particles may be less than 5%.

上記変動係数(CV値)は下記式で表される。   The coefficient of variation (CV value) is expressed by the following equation.

CV値(%)=(ρ/Dn)×100
ρ:導電性粒子の粒子径の標準偏差
Dn:導電性粒子の粒子径の平均値
CV value (%) = (ρ / Dn) × 100
ρ: Standard deviation of particle diameter of conductive particles Dn: Average value of particle diameter of conductive particles

上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、扁平状等の球形状以外の形状であってもよい。   The shape of the conductive particles is not particularly limited. The conductive particles may have a spherical shape or a shape other than a spherical shape such as a flat shape.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、さらに好ましくは10重量%以上、特に好ましくは20重量%以上、最も好ましくは30重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置することができ、電極間に導電性粒子におけるはんだを多く配置することが容易であり、導通信頼性がより一層高くなる。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の含有量は多い方が好ましい。   The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 1% by weight or more, more preferably 2% by weight or more, still more preferably 10% by weight or more, particularly preferably 20% by weight or more, and most preferably. Is 30% by weight or more, preferably 80% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and still more preferably 50% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder in the conductive particles can be arranged more efficiently on the electrodes, and more solder in the conductive particles is arranged between the electrodes. It is easy to do and the conduction reliability is further increased. From the viewpoint of further improving the conduction reliability, the content of the conductive particles is preferably large.

(バインダー樹脂)
上記バインダー樹脂は、特に限定されない。上記バインダー樹脂としては、公知の絶縁性の樹脂を用いることができる。
(Binder resin)
The binder resin is not particularly limited. A known insulating resin can be used as the binder resin.

上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. As for the said binder resin, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。   Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, and styrene resin. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include an epoxy resin, a urethane resin, a polyimide resin, and an unsaturated polyester resin. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated product of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogenated product of a styrene block copolymer. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分又は熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分を含んでいてもよく、熱硬化性成分を含んでいてもよい。上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、加熱により硬化可能な熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。   The conductive material and the binder resin preferably contain a thermoplastic component or a thermosetting component. The conductive material and the binder resin may contain a thermoplastic component or may contain a thermosetting component. The conductive material and the binder resin preferably contain a thermosetting component. The thermosetting component preferably contains a thermosetting compound curable by heating and a thermosetting agent.

(熱硬化性成分:熱硬化性化合物)
上記熱硬化性化合物は、加熱により硬化可能な化合物である。上記熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。導電材料の硬化性及び粘度をより一層良好にし、接続信頼性をより一層高める観点から、エポキシ化合物又はエピスルフィド化合物が好ましい。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting component: thermosetting compound)
The thermosetting compound is a compound that can be cured by heating. Examples of the thermosetting compound include oxetane compounds, epoxy compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenolic compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, silicone compounds, and polyimide compounds. From the viewpoint of further improving the curability and viscosity of the conductive material and further improving the connection reliability, an epoxy compound or an episulfide compound is preferable. As for the said thermosetting compound, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化性化合物は、ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the thermosetting compound preferably includes a thermosetting compound having a polyether skeleton.

上記ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物としては、炭素数3〜12のアルキル鎖の両末端にグリシジルエーテル基を有する化合物、並びに炭素数2〜4のポリエーテル骨格を有し、該ポリエーテル骨格2〜10個が連続して結合した構造単位を有するポリエーテル型エポキシ化合物等が挙げられる。   Examples of the thermosetting compound having a polyether skeleton include a compound having a glycidyl ether group at both ends of an alkyl chain having 3 to 12 carbon atoms, and a polyether skeleton having 2 to 4 carbon atoms. Examples thereof include polyether type epoxy compounds having structural units in which 2 to 10 are bonded continuously.

導電材料の硬化物の耐熱性をより一層高める観点、並びに導電材料の硬化物の誘電率をより一層低くする観点からは、上記熱硬化性化合物は、トリアジン骨格を有する熱硬化性化合物を含むことが好ましい。   From the viewpoint of further increasing the heat resistance of the cured material of the conductive material and further reducing the dielectric constant of the cured material of the conductive material, the thermosetting compound includes a thermosetting compound having a triazine skeleton. Is preferred.

上記トリアジン骨格を有する熱硬化性化合物としてはトリアジントリグリシジルエーテル等が挙げられ、日産化学工業社製TEPICシリーズ(TEPIC−G、TEPIC−S、TEPIC−SS、TEPIC−HP、TEPIC−L、TEPIC−PAS、TEPIC−VL、TEPIC−UC)等が挙げられる。   Examples of the thermosetting compound having a triazine skeleton include triazine triglycidyl ether, and the like. PAS, TEPIC-VL, TEPIC-UC) and the like.

上記エポキシ化合物としては、芳香族エポキシ化合物が挙げられる。レゾルシノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、及びベンゾフェノン型エポキシ化合物等の結晶性エポキシ化合物が好ましい。常温(23℃)で固体であり、かつ溶融温度がはんだの融点以下であるエポキシ化合物が好ましい。溶融温度は、好ましくは100℃以下、より好ましくは80℃以下であり、好ましくは40℃以上である。上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、接続対象部材を貼り合わせた段階では、粘度が高く、搬送等の衝撃により加速度が付与された際に、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材との位置ずれを抑制することができる。さらに、上記の好ましいエポキシ化合物を用いることで、硬化時の熱により、導電材料の粘度を大きく低下させることができ、はんだの凝集を効率よく進行させることができる。   An aromatic epoxy compound is mentioned as said epoxy compound. Crystalline epoxy compounds such as resorcinol type epoxy compounds, naphthalene type epoxy compounds, biphenyl type epoxy compounds, and benzophenone type epoxy compounds are preferred. An epoxy compound that is solid at normal temperature (23 ° C.) and has a melting temperature equal to or lower than the melting point of the solder is preferable. The melting temperature is preferably 100 ° C. or lower, more preferably 80 ° C. or lower, and preferably 40 ° C. or higher. By using the preferable epoxy compound, the first connection target member and the second connection target are high when the connection target member is bonded to each other when the viscosity is high and acceleration is applied by impact such as conveyance. The positional deviation with respect to the member can be suppressed. Furthermore, by using the above-mentioned preferable epoxy compound, the viscosity of the conductive material can be greatly reduced by the heat at the time of curing, and the aggregation of the solder can be efficiently advanced.

上記導電材料100重量%中、上記熱硬化性化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは40重量%以上、さらに好ましくは50重量%以上であり、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、さらに好ましくは90重量%以下、特に好ましくは80重量%以下である。上記熱硬化性化合物の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置し、電極間の位置ずれをより一層抑制し、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。耐衝撃性をより一層高める観点からは、上記熱硬化性化合物の含有量は多い方が好ましい。   The content of the thermosetting compound in 100% by weight of the conductive material is preferably 20% by weight or more, more preferably 40% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, and preferably 99% by weight or less. More preferably, it is 98 weight% or less, More preferably, it is 90 weight% or less, Most preferably, it is 80 weight% or less. When the content of the thermosetting compound is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder in the conductive particles is more efficiently arranged on the electrodes, and the displacement between the electrodes is further suppressed, and the electrodes The conduction reliability between them can be further enhanced. From the viewpoint of further improving the impact resistance, it is preferable that the content of the thermosetting compound is large.

(熱硬化性成分:熱硬化剤)
上記熱硬化剤は、上記熱硬化性化合物を熱硬化させる。上記熱硬化剤としては、イミダゾール硬化剤、フェノール硬化剤、チオール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、熱カチオン硬化剤及び熱ラジカル発生剤等がある。上記熱硬化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
(Thermosetting component: thermosetting agent)
The thermosetting agent thermosets the thermosetting compound. Examples of the thermosetting agent include an imidazole curing agent, a phenol curing agent, a thiol curing agent, an amine curing agent, an acid anhydride curing agent, a thermal cation curing agent, and a thermal radical generator. As for the said thermosetting agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

導電材料を低温でより一層速やかに硬化可能とする観点からは、上記熱硬化剤は、イミダゾール硬化剤、チオール硬化剤、又はアミン硬化剤であることが好ましい。また、上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを混合したときの保存安定性を高める観点からは、上記熱硬化剤は、潜在性の硬化剤であることが好ましい。潜在性の硬化剤は、潜在性イミダゾール硬化剤、潜在性チオール硬化剤又は潜在性アミン硬化剤であることが好ましい。なお、上記熱硬化剤は、ポリウレタン樹脂又はポリエステル樹脂等の高分子物質で被覆されていてもよい。   From the viewpoint of allowing the conductive material to be cured more rapidly at a low temperature, the thermosetting agent is preferably an imidazole curing agent, a thiol curing agent, or an amine curing agent. Further, from the viewpoint of enhancing the storage stability when the thermosetting compound and the thermosetting agent are mixed, the thermosetting agent is preferably a latent curing agent. The latent curing agent is preferably a latent imidazole curing agent, a latent thiol curing agent, or a latent amine curing agent. In addition, the said thermosetting agent may be coat | covered with polymeric substances, such as a polyurethane resin or a polyester resin.

上記イミダゾール硬化剤は、特に限定されない。上記イミダゾール硬化剤としては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン及び2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物等が挙げられる。   The imidazole curing agent is not particularly limited. Examples of the imidazole curing agent include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6. -[2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine and 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adducts Etc.

上記チオール硬化剤は、特に限定されない。上記チオール硬化剤としては、トリメチロールプロパントリス−3−メルカプトプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス−3−メルカプトプロピオネート及びジペンタエリスリトールヘキサ−3−メルカプトプロピオネート等が挙げられる。   The thiol curing agent is not particularly limited. Examples of the thiol curing agent include trimethylolpropane tris-3-mercaptopropionate, pentaerythritol tetrakis-3-mercaptopropionate, and dipentaerythritol hexa-3-mercaptopropionate.

上記アミン硬化剤は、特に限定されない。上記アミン硬化剤は、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3,9−ビス(3−アミノプロピル)−2,4,8,10−テトラスピロ[5.5]ウンデカン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、メタフェニレンジアミン及びジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。   The amine curing agent is not particularly limited. The amine curing agent is hexamethylenediamine, octamethylenediamine, decamethylenediamine, 3,9-bis (3-aminopropyl) -2,4,8,10-tetraspiro [5.5] undecane, bis (4- Aminocyclohexyl) methane, metaphenylenediamine, diaminodiphenylsulfone and the like.

上記熱カチオン硬化剤としては、ヨードニウム系カチオン硬化剤、オキソニウム系カチオン硬化剤及びスルホニウム系カチオン硬化剤等が挙げられる。上記ヨードニウム系カチオン硬化剤としては、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。上記オキソニウム系カチオン硬化剤としては、トリメチルオキソニウムテトラフルオロボラート等が挙げられる。上記スルホニウム系カチオン硬化剤としては、トリ−p−トリルスルホニウムヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。   Examples of the thermal cationic curing agent include iodonium-based cationic curing agents, oxonium-based cationic curing agents, and sulfonium-based cationic curing agents. Examples of the iodonium-based cationic curing agent include bis (4-tert-butylphenyl) iodonium hexafluorophosphate. Examples of the oxonium-based cationic curing agent include trimethyloxonium tetrafluoroborate. Examples of the sulfonium-based cationic curing agent include tri-p-tolylsulfonium hexafluorophosphate.

上記熱ラジカル発生剤は、特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤としては、アゾ化合物及び有機過酸化物等が挙げられる。上記アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)等が挙げられる。上記有機過酸化物としては、ジ−tert−ブチルペルオキシド及びメチルエチルケトンペルオキシド等が挙げられる。   The thermal radical generator is not particularly limited. Examples of the thermal radical generator include azo compounds and organic peroxides. Examples of the azo compound include azobisisobutyronitrile (AIBN). Examples of the organic peroxide include di-tert-butyl peroxide and methyl ethyl ketone peroxide.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、好ましくは50℃以上、より好ましくは70℃以上、さらに好ましくは80℃以上であり、好ましくは250℃以下、より好ましくは200℃以下、さらに好ましくは150℃以下、特に好ましくは140℃以下である。上記熱硬化剤の反応開始温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子におけるはんだが電極上により一層効率的に配置される。上記熱硬化剤の反応開始温度は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。   The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably 50 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, further preferably 80 ° C. or higher, preferably 250 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or lower, and further preferably 150 ° C. Hereinafter, it is particularly preferably 140 ° C. or lower. When the reaction start temperature of the thermosetting agent is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the solder in the conductive particles is more efficiently arranged on the electrode. The reaction initiation temperature of the thermosetting agent is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.

はんだを電極上により一層効率的に配置する観点からは、上記熱硬化剤の反応開始温度は、上記導電性粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことがさらに好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder on the electrode, the reaction initiation temperature of the thermosetting agent is preferably higher than the melting point of the solder in the conductive particles, more preferably 5 ° C or higher, More preferably, it is 10 ° C. or higher.

上記熱硬化剤の反応開始温度は、DSCでの発熱ピークの立ち上がり開始の温度を意味する。   The reaction start temperature of the thermosetting agent means a temperature at which the exothermic peak of DSC starts to rise.

上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは0.01重量部以上、より好ましくは1重量部以上であり、好ましくは200重量部以下、より好ましくは100重量部以下、さらに好ましくは75重量部以下である。熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、熱硬化性化合物を十分に硬化させることが容易である。熱硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化後に硬化に関与しなかった余剰の熱硬化剤が残存し難くなり、かつ硬化物の耐熱性がより一層高くなる。   The content of the thermosetting agent is not particularly limited. The content of the thermosetting agent with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound is preferably 0.01 parts by weight or more, more preferably 1 part by weight or more, preferably 200 parts by weight or less, more preferably 100 parts by weight or less, more preferably 75 parts by weight or less. It is easy to fully harden a thermosetting compound as content of a thermosetting agent is more than the said minimum. When the content of the thermosetting agent is not more than the above upper limit, it is difficult for an excess thermosetting agent that did not participate in curing after curing to remain, and the heat resistance of the cured product is further enhanced.

(フラックス)
上記導電材料は、フラックスを含むことが好ましい。フラックスの使用により、電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置することができる。上記フラックスは特に限定されない。フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。
(flux)
The conductive material preferably contains a flux. By using the flux, the solder in the conductive particles can be arranged more efficiently on the electrode. The flux is not particularly limited. As the flux, a flux generally used for soldering or the like can be used.

上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Examples of the flux include zinc chloride, a mixture of zinc chloride and an inorganic halide, a mixture of zinc chloride and an inorganic acid, a molten salt, phosphoric acid, a derivative of phosphoric acid, an organic halide, hydrazine, an organic acid, and pine resin. Etc. As for the said flux, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.

上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸、グルタミン酸及びグルタル酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸又は松脂であることが好ましい。上記フラックスは、カルボキシル基を2個以上有する有機酸であってもよく、松脂であってもよい。カルボキシル基を2個以上有する有機酸、松脂の使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   Examples of the molten salt include ammonium chloride. Examples of the organic acid include lactic acid, citric acid, stearic acid, glutamic acid, and glutaric acid. Examples of the pine resin include activated pine resin and non-activated pine resin. The flux is preferably an organic acid or pine resin having two or more carboxyl groups. The flux may be an organic acid having two or more carboxyl groups, or pine resin. By using an organic acid having two or more carboxyl groups, pine resin, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。   The rosin is a rosin composed mainly of abietic acid. The flux is preferably rosins, and more preferably abietic acid. By using this preferable flux, the conduction reliability between the electrodes is further enhanced.

上記フラックスの融点(活性温度)は、好ましくは60℃以上、より好ましくは70℃以上、さらに好ましくは80℃以上であり、好ましくは220℃以下、より好ましくは190℃以下、より一層好ましくは160℃以下、さらに好ましくは150℃以下、さらに一層好ましくは140℃以下である。上記フラックスの融点が、上記下限以上及び上記上限以下であると、フラックス効果がより一層効果的に発揮され、電極上に導電性粒子におけるはんだがより一層効率的に配置される。上記フラックスの融点(活性温度)は80℃以上、190℃以下であることが好ましい。上記フラックスの融点(活性温度)は80℃以上、140℃以下であることが特に好ましい。   The melting point (activation temperature) of the flux is preferably 60 ° C. or higher, more preferably 70 ° C. or higher, further preferably 80 ° C. or higher, preferably 220 ° C. or lower, more preferably 190 ° C. or lower, and still more preferably 160 ° C or lower, more preferably 150 ° C or lower, and still more preferably 140 ° C or lower. When the melting point of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the flux effect is more effectively exhibited, and the solder in the conductive particles is more efficiently disposed on the electrode. The melting point (activation temperature) of the flux is preferably 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower. The melting point (activation temperature) of the flux is particularly preferably 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower.

フラックスの融点(活性温度)が80℃以上、190℃以下である上記フラックスとしては、コハク酸(融点186℃)、グルタル酸(融点96℃)、アジピン酸(融点152℃)、ピメリン酸(融点104℃)、スベリン酸(融点142℃)等のジカルボン酸、安息香酸(融点122℃)、リンゴ酸(融点130℃)等が挙げられる。   Examples of the flux having a melting point (activation temperature) of 80 ° C. or higher and 190 ° C. or lower include succinic acid (melting point 186 ° C.), glutaric acid (melting point 96 ° C.), adipic acid (melting point 152 ° C.), pimelic acid (melting point) 104 ° C.), dicarboxylic acids such as suberic acid (melting point 142 ° C.), benzoic acid (melting point 122 ° C.), malic acid (melting point 130 ° C.) and the like.

また、上記フラックスの沸点は、200℃以下であることが好ましい。   The boiling point of the flux is preferably 200 ° C. or lower.

電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記導電性粒子におけるはんだの融点よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことがさらに好ましい。   From the viewpoint of more efficiently arranging the solder in the conductive particles on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the melting point of the solder in the conductive particles, and more preferably 5 ° C. or higher. More preferably, it is 10 ° C. or higher.

電極上に導電性粒子におけるはんだをより一層効率的に配置する観点からは、上記フラックスの融点は、上記熱硬化剤の反応開始温度よりも、高いことが好ましく、5℃以上高いことがより好ましく、10℃以上高いことがさらに好ましい。   From the viewpoint of more efficiently disposing the solder in the conductive particles on the electrode, the melting point of the flux is preferably higher than the reaction start temperature of the thermosetting agent, and more preferably 5 ° C or higher. More preferably, it is 10 ° C. or higher.

上記フラックスは、導電材料中に分散されていてもよく、導電性粒子の表面上に付着していてもよい。   The said flux may be disperse | distributed in the electrically-conductive material and may adhere on the surface of electroconductive particle.

フラックスの融点が、はんだの融点より高いことにより、電極部分にはんだを効率的に凝集させることができる。これは、接合時に熱を付与した場合、接続対象部材上に形成された電極と、電極周辺の接続対象部材の部分とを比較すると、電極部分の熱伝導率が電極周辺の接続対象部材部分の熱伝導率よりも高いことにより、電極部分の昇温が速いことに起因する。導電性粒子におけるはんだの融点を超えた段階では、導電性粒子におけるはんだは溶解するが、表面に形成された酸化被膜は、フラックスの融点(活性温度)に達していないので、除去されない。この状態で、電極部分の温度が先に、フラックスの融点(活性温度)に達するため、優先的に電極上に来た導電性粒子におけるはんだの表面の酸化被膜が除去されることや、活性化したフラックスにより導電性粒子におけるはんだの表面の電荷が中和されることにより、はんだが電極の表面上に濡れ拡がることができる。これにより、電極上に効率的にはんだを凝集させることができる。   When the melting point of the flux is higher than the melting point of the solder, the solder can be efficiently aggregated on the electrode portion. This is because, when heat is applied at the time of joining, when the electrode formed on the connection target member is compared with the portion of the connection target member around the electrode, the thermal conductivity of the electrode portion is that of the connection target member portion around the electrode. Due to the fact that it is higher than the thermal conductivity, the temperature rise of the electrode portion is fast. At the stage where the melting point of the solder in the conductive particles is exceeded, the solder in the conductive particles dissolves, but the oxide film formed on the surface does not reach the melting point (activation temperature) of the flux and is not removed. In this state, since the temperature of the electrode part first reaches the melting point (activation temperature) of the flux, the oxide film on the surface of the solder on the conductive particles preferentially coming on the electrode is removed or activated. Since the electric charge on the surface of the solder in the conductive particles is neutralized by the flux, the solder can spread on the surface of the electrode. Thereby, a solder can be efficiently aggregated on an electrode.

上記導電材料100重量%中、上記フラックスの含有量は、好ましくは0.5重量%以上であり、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。上記導電材料は、フラックスを含んでいなくてもよい。フラックスの含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、はんだ及び電極の表面に酸化被膜がより一層形成され難くなり、さらに、はんだ及び電極の表面に形成された酸化被膜をより一層効果的に除去できる。   The content of the flux in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.5% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less. The conductive material may not contain flux. When the content of the flux is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it becomes more difficult to form an oxide film on the surface of the solder and the electrode, and further, the oxide film formed on the surface of the solder and the electrode is more effective. Can be removed.

(絶縁性粒子)
導電材料の硬化物により接続される接続対象部材間の間隔を高精度に制御する観点、及び導電性粒子におけるはんだにより接続される接続対象部材間の間隔を高精度に制御する観点からは、上記導電材料は、絶縁性粒子を含むことが好ましい。上記導電材料において、上記絶縁性粒子は、導電性粒子の表面に付着していなくてもよい。上記導電材料中で、上記絶縁性粒子は上記導電性粒子と離れて存在することが好ましい。
(Insulating particles)
From the viewpoint of controlling the interval between the connection target members connected by the cured material of the conductive material with high accuracy and from the viewpoint of controlling the interval between the connection target members connected by the solder in the conductive particles with high accuracy, The conductive material preferably contains insulating particles. In the conductive material, the insulating particles may not be attached to the surface of the conductive particles. In the conductive material, the insulating particles are preferably present apart from the conductive particles.

上記絶縁性粒子の平均粒子径は、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上、さらに好ましくは25μm以上であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは75μm以下、さらに好ましくは50μm以下である。上記絶縁性粒子の平均粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料の硬化物により接続される接続対象部材間の間隔、及び導電性粒子におけるはんだにより接続される接続対象部材間の間隔がより一層適度になる。   The average particle diameter of the insulating particles is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, further preferably 25 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 75 μm or less, and further preferably 50 μm or less. When the average particle diameter of the insulating particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the interval between the connection target members connected by the cured material of the conductive material, and the connection target member connected by the solder in the conductive particles The interval between them becomes even more reasonable.

上記絶縁性粒子の材料としては、絶縁性の樹脂、及び絶縁性の無機物等が挙げられる。上記絶縁性の樹脂としては、基材粒子として用いることが可能な樹脂粒子を形成するための樹脂として挙げた上記樹脂等が挙げられる。上記絶縁性の無機物としては、基材粒子として用いることが可能な無機粒子を形成するための無機物として挙げた上記無機物等が挙げられる。   Examples of the material of the insulating particles include an insulating resin and an insulating inorganic substance. As said insulating resin, the said resin etc. which were mentioned as resin for forming the resin particle which can be used as a base particle are mentioned. As said insulating inorganic substance, the said inorganic substance etc. which were mentioned as an inorganic substance for forming the inorganic particle which can be used as a base particle are mentioned.

上記絶縁性粒子の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン化合物、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。   Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating particles include polyolefin compounds, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked thermoplastic resins, heat Examples thereof include curable resins and water-soluble resins.

上記ポリオレフィン化合物としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記(メタ)アクリレート重合体としては、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリエチル(メタ)アクリレート及びポリブチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、SB型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びSBS型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。   Examples of the polyolefin compound include polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. Examples of the (meth) acrylate polymer include polymethyl (meth) acrylate, polyethyl (meth) acrylate, and polybutyl (meth) acrylate. Examples of the block polymer include polystyrene, styrene-acrylic acid ester copolymer, SB type styrene-butadiene block copolymer, SBS type styrene-butadiene block copolymer, and hydrogenated products thereof. Examples of the thermoplastic resin include vinyl polymers and vinyl copolymers. As said thermosetting resin, an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, etc. are mentioned. Examples of the water-soluble resin include polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyacrylamide, polyvinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, and methyl cellulose. A water-soluble resin is preferable, and polyvinyl alcohol is more preferable.

上記絶縁性粒子の材料である絶縁性無機物の具体例としては、シリカ及び有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。   Specific examples of the insulating inorganic material that is the material of the insulating particles include silica and organic-inorganic hybrid particles. The particles formed from the silica are not particularly limited. For example, after forming a crosslinked polymer particle by hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups, firing may be performed as necessary. The particle | grains obtained by performing are mentioned. Examples of the organic / inorganic hybrid particles include organic / inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記導電材料100重量%中、上記絶縁性粒子の含有量は、好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上であり、好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下である。上記導電材料は、絶縁性粒子を含んでいなくてもよい。絶縁性粒子の含有量が、上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料の硬化物により接続される接続対象部材間の間隔、及び導電性粒子におけるはんだにより接続される接続対象部材間の間隔がより一層適度になる。   The content of the insulating particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, preferably 10% by weight or less, more preferably 5% by weight. % Or less. The conductive material may not contain insulating particles. When the content of the insulating particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the interval between the connection target members connected by the cured material of the conductive material, and between the connection target members connected by the solder in the conductive particles The interval becomes even more reasonable.

上記導電材料は、必要に応じて、例えば、カップリング剤、遮光剤、反応性希釈剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。   The conductive material may be, for example, a coupling agent, a light-shielding agent, a reactive diluent, an antifoaming agent, a leveling agent, a filler, an extender, a softening agent, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, or a coloring agent. Various additives such as an agent, an antioxidant, a heat stabilizer, a light stabilizer, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant may be included.

(接続構造体及び接続構造体の製造方法)
本発明に係る接続構造体は、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、上記第1の接続対象部材と、上記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、上述した導電材料である。上記接続部が、上述した導電材料の硬化物である。上記接続部が、上述した導電材料により形成されている。本発明に係る接続構造体では、上記第1の電極と上記第2の電極とが、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている。
(Connection structure and method of manufacturing connection structure)
A connection structure according to the present invention includes a first connection target member having at least one first electrode on the surface, a second connection target member having at least one second electrode on the surface, and the first The connection object member and the connection part which has connected the said 2nd connection object member are provided. In the connection structure according to the present invention, the material of the connection portion is the conductive material described above. The connecting portion is a cured product of the conductive material described above. The connecting portion is formed of the conductive material described above. In the connection structure according to the present invention, the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.

上記接続構造体の製造方法は、上述した導電材料を用いて、少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材の表面上に、上記導電材料を配置する工程を備える。上記接続構造体の製造方法は、上記導電材料の上記第1の接続対象部材側とは反対の表面上に、少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材を、上記第1の電極と上記第2の電極とが対向するように配置する工程を備える。上記接続構造体の製造方法は、上記導電性粒子におけるはんだの融点以上に上記導電材料を加熱することで、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材とを接続している接続部を、上記導電材料により形成し、かつ、上記第1の電極と上記第2の電極とを、上記接続部中のはんだ部により電気的に接続する工程を備える。好ましくは、上記熱硬化性成分(熱硬化性化合物)の硬化温度以上に上記導電材料を加熱する。   The manufacturing method of the said connection structure is equipped with the process of arrange | positioning the said electrically-conductive material on the surface of the 1st connection object member which has an at least 1 1st electrode on the surface using the electrically conductive material mentioned above. In the method for manufacturing the connection structure, the second connection target member having at least one second electrode on the surface of the conductive material opposite to the first connection target member side is provided on the surface. A step of disposing the first electrode and the second electrode so as to face each other. In the method for manufacturing the connection structure, the first connection target member and the second connection target member are connected by heating the conductive material to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder in the conductive particles. Forming a portion with the conductive material and electrically connecting the first electrode and the second electrode with a solder portion in the connection portion. Preferably, the conductive material is heated above the curing temperature of the thermosetting component (thermosetting compound).

本発明に係る接続構造体及び上記接続構造体の製造方法では、特定の導電材料を用いているので、複数の導電性粒子におけるはんだが第1の電極と第2の電極との間に集まりやすく、はんだを電極(ライン)上に効率的に配置することができる。また、はんだの一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくすることができる。従って、第1の電極と第2の電極との間の導通信頼性を高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続を防ぐことができ、絶縁信頼性を高めることができる。   In the connection structure according to the present invention and the method for manufacturing the connection structure, since a specific conductive material is used, solder in a plurality of conductive particles easily collects between the first electrode and the second electrode. The solder can be efficiently arranged on the electrode (line). In addition, a part of the solder is difficult to be disposed in a region (space) where no electrode is formed, and the amount of solder disposed in a region where no electrode is formed can be considerably reduced. Therefore, the conduction reliability between the first electrode and the second electrode can be improved. In addition, it is possible to prevent electrical connection between laterally adjacent electrodes that should not be connected, and to improve insulation reliability.

また、複数の導電性粒子におけるはんだを電極上に効率的に配置し、かつ電極が形成されていない領域に配置されるはんだの量をかなり少なくするためには、上記導電材料は、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いることが好ましい。   Further, in order to efficiently arrange the solder in the plurality of conductive particles on the electrode and to considerably reduce the amount of the solder arranged in the region where the electrode is not formed, the conductive material is made of a conductive film. It is preferable to use a conductive paste.

電極間でのはんだ部の厚みは、好ましくは10μm以上、より好ましくは20μm以上であり、好ましくは100μm以下、より好ましくは80μm以下である。電極の表面上のはんだ濡れ面積(電極の露出した面積100%中のはんだが接している面積)は、好ましくは50%以上、より好ましくは70%以上であり、好ましくは100%以下である。   The thickness of the solder part between the electrodes is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, preferably 100 μm or less, more preferably 80 μm or less. The solder wetted area on the surface of the electrode (area where the solder is in contact with 100% of the exposed area of the electrode) is preferably 50% or more, more preferably 70% or more, and preferably 100% or less.

本発明に係る接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、加圧を行わず、上記導電材料には、上記第2の接続対象部材の重量が加わることが好ましい。上記接続構造体の製造方法では、上記第2の接続対象部材を配置する工程及び上記接続部を形成する工程において、上記導電材料には、上記第2の接続対象部材の重量の力を超える加圧圧力は加わらないことが好ましい。これらの場合には、複数のはんだ部において、はんだ量の均一性をより一層高めることができる。さらに、はんだ部の厚みをより一層効果的に厚くすることができ、複数の導電性粒子におけるはんだが電極間に多く集まりやすくなり、複数の導電性粒子におけるはんだを電極(ライン)上により一層効率的に配置することができる。また、複数の導電性粒子におけるはんだの一部が、電極が形成されていない領域(スペース)に配置され難く、電極が形成されていない領域に配置される導電性粒子におけるはんだの量をより一層少なくすることができる。従って、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。しかも、接続されてはならない横方向に隣接する電極間の電気的な接続をより一層防ぐことができ、絶縁信頼性をより一層高めることができる。   In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, no pressure is applied, and the second connection is applied to the conductive material. The weight of the target member is preferably added. In the method for manufacturing the connection structure, in the step of arranging the second connection target member and the step of forming the connection portion, the conductive material is subjected to a process that exceeds the weight force of the second connection target member. It is preferable that no pressure is applied. In these cases, the uniformity of the amount of solder can be further enhanced in the plurality of solder portions. Furthermore, the thickness of the solder portion can be made even more effective, and a large amount of solder in a plurality of conductive particles tends to gather between the electrodes, and the solder in the plurality of conductive particles is more efficiently distributed on the electrode (line). Can be arranged. In addition, it is difficult for a part of the solder in the plurality of conductive particles to be disposed in the region (space) where the electrode is not formed, and the amount of solder in the conductive particle disposed in the region where the electrode is not formed is further increased. Can be reduced. Therefore, the conduction reliability between the electrodes can be further enhanced. In addition, the electrical connection between the laterally adjacent electrodes that should not be connected can be further prevented, and the insulation reliability can be further improved.

また、導電フィルムではなく、導電ペーストを用いれば、導電ペーストの塗布量によって、接続部及びはんだ部の厚みを調整することが容易になる。一方で、導電フィルムでは、接続部の厚みを変更したり、調整したりするためには、異なる厚みの導電フィルムを用意したり、所定の厚みの導電フィルムを用意したりしなければならないという問題がある。また、導電フィルムでは、導電ペーストと比べて、はんだの溶融温度で、導電フィルムの溶融粘度を十分に下げることができず、はんだの凝集が阻害されやすい傾向がある。   Moreover, if a conductive paste is used instead of a conductive film, it becomes easy to adjust the thickness of the connection part and the solder part depending on the amount of the conductive paste applied. On the other hand, in the conductive film, in order to change or adjust the thickness of the connection portion, it is necessary to prepare a conductive film having a different thickness or to prepare a conductive film having a predetermined thickness. There is. Moreover, in the conductive film, compared with the conductive paste, the melt viscosity of the conductive film cannot be sufficiently lowered at the melting temperature of the solder, and the aggregation of the solder tends to be hindered.

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。   Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて得られる接続構造体を模式的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a connection structure obtained using a conductive material according to an embodiment of the present invention.

図1に示す接続構造体1は、第1の接続対象部材2と、第2の接続対象部材3と、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4とを備える。接続部4は、上述した導電材料により形成されている。本実施形態では、上記導電材料は、導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。本実施形態では、導電材料は、導電性粒子として、はんだ粒子を含む。本実施形態では、バインダー樹脂は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む。上記熱硬化性化合物と上記熱硬化剤とを、熱硬化性成分と呼ぶ。   The connection structure 1 shown in FIG. 1 is a connection that connects a first connection target member 2, a second connection target member 3, and the first connection target member 2 and the second connection target member 3. Part 4. The connection part 4 is formed of the conductive material described above. In the present embodiment, the conductive material includes conductive particles and a binder resin. In the present embodiment, the conductive material includes solder particles as conductive particles. In this embodiment, binder resin contains a thermosetting compound and a thermosetting agent. The thermosetting compound and the thermosetting agent are referred to as thermosetting components.

接続部4は、複数のはんだ粒子が集まり互いに接合したはんだ部4Aと、熱硬化性成分が熱硬化された硬化物部4Bとを有する。   The connection portion 4 includes a solder portion 4A in which a plurality of solder particles are gathered and joined to each other, and a cured product portion 4B in which a thermosetting component is thermally cured.

第1の接続対象部材2は表面(上面)に、複数の第1の電極2aを有する。第2の接続対象部材3は表面(下面)に、複数の第2の電極3aを有する。第1の電極2aと第2の電極3aとが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。従って、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とが、はんだ部4Aにより電気的に接続されている。なお、接続部4において、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだは存在しない。はんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)では、はんだ部4Aと離れたはんだは存在しない。なお、少量であれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まったはんだ部4Aとは異なる領域(硬化物部4B部分)に、はんだが存在していてもよい。   The first connection target member 2 has a plurality of first electrodes 2a on the surface (upper surface). The second connection target member 3 has a plurality of second electrodes 3a on the surface (lower surface). The first electrode 2a and the second electrode 3a are electrically connected by the solder portion 4A. Therefore, the first connection target member 2 and the second connection target member 3 are electrically connected by the solder portion 4A. In the connection portion 4, no solder exists in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In an area different from the solder part 4A (hardened product part 4B part), there is no solder separated from the solder part 4A. If the amount is small, the solder may be present in a region (cured product portion 4B portion) different from the solder portion 4A gathered between the first electrode 2a and the second electrode 3a.

図1に示すように、接続構造体1では、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に、複数のはんだ粒子が集まり、複数のはんだ粒子が溶融した後、はんだ粒子の溶融物が電極の表面を濡れ拡がった後に固化して、はんだ部4Aが形成されている。このため、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接続面積が大きくなる。すなわち、はんだ粒子を用いることにより、導電部の外表面部分がニッケル、金又は銅等の金属である導電性粒子を用いた場合と比較して、はんだ部4Aと第1の電極2a、並びにはんだ部4Aと第2の電極3aとの接触面積が大きくなる。このため、接続構造体1における導通信頼性及び接続信頼性が高くなる。   As shown in FIG. 1, in the connection structure 1, a plurality of solder particles gather between the first electrode 2 a and the second electrode 3 a, and after the plurality of solder particles melt, After the electrode surface wets and spreads, it solidifies to form the solder portion 4A. For this reason, the connection area of 4 A of solder parts and the 1st electrode 2a, and 4 A of solder parts, and the 2nd electrode 3a becomes large. That is, by using solder particles, the solder portion 4A, the first electrode 2a, and the solder as compared with the case where the outer surface portion of the conductive portion is made of conductive particles such as nickel, gold or copper are used. The contact area between the portion 4A and the second electrode 3a increases. For this reason, the conduction | electrical_connection reliability and connection reliability in the connection structure 1 become high.

なお、図1に示す接続構造体1では、はんだ部4Aの全てが、第1,第2の電極2a,3a間の対向している領域に位置している。図3に示す変形例の接続構造体1Xは、接続部4Xのみが、図1に示す接続構造体1と異なる。接続部4Xは、はんだ部4XAと硬化物部4XBとを有する。接続構造体1Xのように、はんだ部4XAの多くが、第1,第2の電極2a,3aの対向している領域に位置しており、はんだ部4XAの一部が第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出していてもよい。第1,第2の電極2a,3aの対向している領域から側方にはみ出しているはんだ部4XAは、はんだ部4XAの一部であり、はんだ部4XAから離れたはんだではない。なお、本実施形態では、はんだ部から離れたはんだの量を少なくすることができるが、はんだ部から離れたはんだが硬化物部中に存在していてもよい。   In addition, in the connection structure 1 shown in FIG. 1, all the solder parts 4A are located in the area | region which the 1st, 2nd electrodes 2a and 3a oppose. The connection structure 1X of the modification shown in FIG. 3 is different from the connection structure 1 shown in FIG. 1 only in the connection portion 4X. The connection part 4X has the solder part 4XA and the hardened | cured material part 4XB. As in the connection structure 1X, most of the solder portions 4XA are located in regions where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed to each other, and a part of the solder portion 4XA is first and second. You may protrude to the side from the area | region which electrode 2a, 3a has opposed. The solder part 4XA protruding laterally from the region where the first and second electrodes 2a and 3a are opposed is a part of the solder part 4XA and is not a solder separated from the solder part 4XA. In the present embodiment, the amount of solder away from the solder portion can be reduced, but the solder away from the solder portion may exist in the cured product portion.

はんだ粒子の使用量を少なくすれば、接続構造体1を得ることが容易になる。はんだ粒子の使用量を多くすれば、接続構造体1Xを得ることが容易になる。   If the amount of solder particles used is reduced, the connection structure 1 can be easily obtained. If the amount of the solder particles used is increased, it becomes easy to obtain the connection structure 1X.

接続構造体1,1Xでは、第1の電極2aと接続部4,4Xと第2の電極3aとの積層方向に第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分をみたときに、第1の電極2aと第2の電極3aとの対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、接続部4,4X中のはんだ部4A,4XAが配置されていることが好ましい。上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。   In connection structure 1, 1X, when the part which 1st electrode 2a and 2nd electrode 3a oppose in the lamination direction of 1st electrode 2a, connection part 4, 4X, and 2nd electrode 3a is seen In addition, it is preferable that the solder portions 4A and 4XA in the connection portions 4 and 4X are arranged in 50% or more of the area of 100% of the facing portion between the first electrode 2a and the second electrode 3a. . Satisfaction of the above preferred embodiment can further enhance the conduction reliability.

上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の60%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがより好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の70%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることがさらに好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の80%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが特に好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の90%以上に、上記接続部中のはんだ部が配置されていることが最も好ましい。上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。   When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is preferable that the solder portion in the connecting portion is arranged in 50% or more of the area of 100% of the portion facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is more preferable that the solder portion in the connection portion is disposed in 60% or more of 100% of the area of the portion facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode More preferably, the solder portion in the connecting portion is arranged in 70% or more of the area of 100% of the portion facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is particularly preferable that the solder portion in the connecting portion is disposed in 80% or more of 100% of the area facing the two electrodes. When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode It is most preferable that the solder portion in the connection portion is disposed in 90% or more of the area of 100% of the portion facing the two electrodes. Satisfaction of the above preferred embodiment can further enhance the conduction reliability.

上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の60%以上が配置されていることが好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の70%以上が配置されていることがより好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の90%以上が配置されていることがさらに好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の95%以上が配置されていることが特に好ましい。上記第1の電極と上記接続部と上記第2の電極との積層方向と直交する方向に上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、上記第1の電極と上記第2の電極との対向し合う部分に、上記接続部中のはんだ部の99%以上が配置されていることが最も好ましい。上記の好ましい態様を満足することで、導通信頼性をより一層高めることができる。   When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, It is preferable that 60% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, More preferably, 70% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, More preferably, 90% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, It is particularly preferable that 95% or more of the solder portion in the connection portion is disposed at a portion where the electrode and the second electrode face each other. When the portion where the first electrode and the second electrode face each other in the direction orthogonal to the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode is seen, It is most preferable that 99% or more of the solder portion in the connection portion is disposed in a portion where the electrode and the second electrode face each other. Satisfaction of the above preferred embodiment can further enhance the conduction reliability.

次に、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体1を製造する方法の一例を説明する。   Next, an example of a method for manufacturing the connection structure 1 using the conductive material according to the embodiment of the present invention will be described.

先ず、第1の電極2aを表面(上面)に有する第1の接続対象部材2を用意する。次に、図2(a)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上に、熱硬化性成分11Bと、複数のはんだ粒子11Aとを含む導電材料11を配置する(第1の工程)。用いた導電材料11は、熱硬化性成分11Bとして、熱硬化性化合物と熱硬化剤とを含む。   First, the 1st connection object member 2 which has the 1st electrode 2a on the surface (upper surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2A, a conductive material 11 including a thermosetting component 11B and a plurality of solder particles 11A is disposed on the surface of the first connection target member 2 (first Process). The used conductive material 11 contains a thermosetting compound and a thermosetting agent as the thermosetting component 11B.

第1の接続対象部材2の第1の電極2aが設けられた表面上に、導電材料11を配置する。導電材料11の配置の後に、はんだ粒子11Aは、第1の電極2a(ライン)上と、第1の電極2aが形成されていない領域(スペース)上との双方に配置されている。   The conductive material 11 is disposed on the surface of the first connection target member 2 on which the first electrode 2a is provided. After the conductive material 11 is disposed, the solder particles 11A are disposed both on the first electrode 2a (line) and on a region (space) where the first electrode 2a is not formed.

導電材料11の配置方法としては、特に限定されないが、ディスペンサーによる塗布、スクリーン印刷、及びインクジェット装置による吐出等が挙げられる。   The arrangement method of the conductive material 11 is not particularly limited, and examples thereof include application using a dispenser, screen printing, and ejection using an inkjet apparatus.

また、第2の電極3aを表面(下面)に有する第2の接続対象部材3を用意する。次に、図2(b)に示すように、第1の接続対象部材2の表面上の導電材料11において、導電材料11の第1の接続対象部材2側とは反対側の表面上に、第2の接続対象部材3を配置する(第2の工程)。導電材料11の表面上に、第2の電極3a側から、第2の接続対象部材3を配置する。このとき、第1の電極2aと第2の電極3aとを対向させる。   Moreover, the 2nd connection object member 3 which has the 2nd electrode 3a on the surface (lower surface) is prepared. Next, as shown in FIG. 2B, in the conductive material 11 on the surface of the first connection target member 2, on the surface opposite to the first connection target member 2 side of the conductive material 11, The 2nd connection object member 3 is arrange | positioned (2nd process). On the surface of the conductive material 11, the second connection target member 3 is disposed from the second electrode 3a side. At this time, the first electrode 2a and the second electrode 3a are opposed to each other.

次に、はんだ粒子11Aの融点以上に導電材料11を加熱する(第3の工程)。好ましくは、熱硬化性成分11B(熱硬化性化合物)の硬化温度以上に導電材料11を加熱する。この加熱時には、電極が形成されていない領域に存在していたはんだ粒子11Aは、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まる(自己凝集効果)。導電フィルムではなく、導電ペーストを用いた場合には、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。また、はんだ粒子11Aは溶融し、互いに接合する。また、熱硬化性成分11Bは熱硬化する。この結果、図2(c)に示すように、第1の接続対象部材2と第2の接続対象部材3とを接続している接続部4を、導電材料11により形成する。導電材料11により接続部4が形成され、複数のはんだ粒子11Aが接合することによってはんだ部4Aが形成され、熱硬化性成分11Bが熱硬化することによって硬化物部4Bが形成される。はんだ粒子11Aが十分に移動すれば、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に位置していないはんだ粒子11Aの移動が開始してから、第1の電極2aと第2の電極3aとの間にはんだ粒子11Aの移動が完了するまでに、温度を一定に保持しなくてもよい。   Next, the conductive material 11 is heated above the melting point of the solder particles 11A (third step). Preferably, the conductive material 11 is heated above the curing temperature of the thermosetting component 11B (thermosetting compound). At the time of this heating, the solder particles 11A that existed in the region where no electrode is formed gather between the first electrode 2a and the second electrode 3a (self-aggregation effect). When the conductive paste is used instead of the conductive film, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. Also, the solder particles 11A are melted and joined together. Further, the thermosetting component 11B is thermoset. As a result, as shown in FIG. 2C, the connection portion 4 that connects the first connection target member 2 and the second connection target member 3 is formed of the conductive material 11. The connection part 4 is formed of the conductive material 11, the solder part 4A is formed by joining a plurality of solder particles 11A, and the cured part 4B is formed by thermosetting the thermosetting component 11B. If the solder particles 11A are sufficiently moved, the first electrode 2a and the second electrode are moved after the movement of the solder particles 11A not located between the first electrode 2a and the second electrode 3a starts. It is not necessary to keep the temperature constant until the movement of the solder particles 11A is completed.

本実施形態では、上記第2の工程及び上記第3の工程において、加圧を行わない方が好ましい。この場合には、導電材料11には、第2の接続対象部材3の重量が加わる。このため、接続部4の形成時に、はんだ粒子11Aが、第1の電極2aと第2の電極3aとの間に効果的に集まる。なお、上記第2の工程及び上記第3の工程の内の少なくとも一方において、加圧を行えば、はんだ粒子11Aが第1の電極2aと第2の電極3aとの間に集まろうとする作用が阻害される傾向が高くなる。   In the present embodiment, it is preferable that no pressure is applied in the second step and the third step. In this case, the weight of the second connection target member 3 is added to the conductive material 11. For this reason, when the connection part 4 is formed, the solder particles 11A are effectively collected between the first electrode 2a and the second electrode 3a. In addition, if pressure is applied in at least one of the second step and the third step, the solder particles 11A tend to collect between the first electrode 2a and the second electrode 3a. The tendency to be inhibited becomes high.

また、本実施形態では、加圧を行っていないため、導電材料を塗布した第1の接続対象部材に、第2の接続対象部材を重ね合わせた際に、第1の電極と第2の電極とのアライメントがずれた状態でも、そのずれを補正して、第1の電極と第2の電極とを接続させることができる(セルフアライメント効果)。これは、第1の電極と第2の電極との間に自己凝集した溶融しているはんだが、第1の電極と第2の電極との間のはんだと導電材料のその他の成分とが接する面積が最小となる方がエネルギー的に安定になるため、その最小の面積となる接続構造であるアライメントのあった接続構造にする力が働くためである。この際、導電材料が硬化していないこと、及び、その温度、時間にて、導電材料の導電性粒子以外の成分の粘度が十分低いことが望ましい。   In the present embodiment, since no pressure is applied, when the second connection target member is superimposed on the first connection target member coated with the conductive material, the first electrode and the second electrode are overlapped. Even in a state where the alignment is shifted, the shift can be corrected and the first electrode and the second electrode can be connected (self-alignment effect). This is because the molten solder self-aggregated between the first electrode and the second electrode is in contact with the solder between the first electrode and the second electrode and the other components of the conductive material. This is because the area having the smallest area is more stable in terms of energy, and therefore the force to make the connection structure with alignment, which is the connection structure having the smallest area, works. At this time, it is desirable that the conductive material is not cured, and that the viscosity of components other than the conductive particles of the conductive material is sufficiently low at that temperature and time.

このようにして、図1に示す接続構造体1が得られる。なお、上記第2の工程と上記第3の工程とは連続して行われてもよい。また、上記第2の工程を行った後に、得られる第1の接続対象部材2と導電材料11と第2の接続対象部材3との積層体を、加熱部に移動させて、上記第3の工程を行ってもよい。上記加熱を行うために、加熱部材上に上記積層体を配置してもよく、加熱された空間内に上記積層体を配置してもよい。   In this way, the connection structure 1 shown in FIG. 1 is obtained. The second step and the third step may be performed continuously. Moreover, after performing the said 2nd process, the laminated body of the 1st connection object member 2, the electrically-conductive material 11, and the 2nd connection object member 3 which are obtained is moved to a heating part, and the said 3rd connection object is carried out. You may perform a process. In order to perform the heating, the laminate may be disposed on a heating member, or the laminate may be disposed in a heated space.

上記第3の工程における上記加熱温度は、好ましくは140℃以上、より好ましくは160℃以上であり、好ましくは450℃以下、より好ましくは250℃以下、さらに好ましくは200℃以下である。   The heating temperature in the third step is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 160 ° C. or higher, preferably 450 ° C. or lower, more preferably 250 ° C. or lower, and even more preferably 200 ° C. or lower.

上記第3の工程における加熱方法としては、はんだの融点以上及び熱硬化性化合物の硬化温度以上に、接続構造体全体を、リフロー炉を用いて又はオーブンを用いて加熱する方法や、接続構造体の接続部のみを局所的に加熱する方法が挙げられる。   As a heating method in the third step, a method of heating the entire connection structure using a reflow furnace or an oven above the melting point of the solder and the curing temperature of the thermosetting compound, or a connection structure The method of heating only the connection part of these is mentioned.

上記第1,第2の接続対象部材は、特に限定されない。上記第1,第2の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、半導体パッケージ、LEDチップ、LEDパッケージ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びに樹脂フィルム、プリント基板、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル、リジッドフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第1,第2の接続対象部材は、電子部品であることが好ましい。   The said 1st, 2nd connection object member is not specifically limited. Specifically as said 1st, 2nd connection object member, electronic components, such as a semiconductor chip, a semiconductor package, LED chip, LED package, a capacitor | condenser, a diode, and a resin film, a printed circuit board, a flexible printed circuit board, flexible Examples thereof include electronic components such as circuit boards such as flat cables, rigid flexible boards, glass epoxy boards, and glass boards. The first and second connection target members are preferably electronic components.

上記第1の接続対象部材及び上記第2の接続対象部材の内の少なくとも一方が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。上記第2の接続対象部材が、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板であることが好ましい。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル及びリジッドフレキシブル基板は、柔軟性が高く、比較的軽量であるという性質を有する。このような接続対象部材の接続に導電フィルムを用いた場合には、はんだが電極上に集まりにくい傾向がある。これに対して、導電ペーストを用いることで、樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いたとしても、はんだを電極上に効率的に集めることで、電極間の導通信頼性を十分に高めることができる。樹脂フィルム、フレキシブルプリント基板、フレキシブルフラットケーブル又はリジッドフレキシブル基板を用いる場合に、半導体チップ等の他の接続対象部材を用いた場合と比べて、加圧を行わないことによる電極間の導通信頼性の向上効果がより一層効果的に得られる。   It is preferable that at least one of the first connection target member and the second connection target member is a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. The second connection target member is preferably a resin film, a flexible printed board, a flexible flat cable, or a rigid flexible board. Resin films, flexible printed boards, flexible flat cables, and rigid flexible boards have the property of being highly flexible and relatively lightweight. When a conductive film is used for connection of such a connection object member, there exists a tendency for a solder not to gather on an electrode. On the other hand, by using a conductive paste, even if a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board is used, the conductive reliability between the electrodes can be efficiently collected by collecting the solder on the electrodes. Can be increased sufficiently. When using a resin film, a flexible printed circuit board, a flexible flat cable, or a rigid flexible circuit board, compared to the case of using other connection target members such as a semiconductor chip, the conduction reliability between the electrodes by not applying pressure is improved. The improvement effect can be obtained more effectively.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極、SUS電極、及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極、銀電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極、銀電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。   Examples of the electrode provided on the connection target member include metal electrodes such as a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, a SUS electrode, and a tungsten electrode. When the connection object member is a flexible printed board, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, a silver electrode, or a copper electrode. When the connection target member is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, a silver electrode, or a tungsten electrode. In addition, when the said electrode is an aluminum electrode, the electrode formed only with aluminum may be sufficient and the electrode by which the aluminum layer was laminated | stacked on the surface of the metal oxide layer may be sufficient. Examples of the material for the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al, and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited only to the following examples.

熱硬化性化合物1:エポキシ化合物、ADEKA社製「EP−3300」、エポキシ当量160g/eq
熱硬化性化合物2:エポキシ化合物、日産化学社製「TEPIC−SS」
潜在性エポキシ熱硬化剤1:T&K TOKA社製「フジキュア7000」
潜在性エポキシ熱硬化剤2:旭化成イーマテリアルズ社製「HXA3922−HP」
潜在性エポキシ熱硬化剤3:淀化学社製「TMTP−E」
フラックス:
グルタル酸25重量部、及びグルタル酸モノメチル25重量部を3つ口フラスコに入れ、窒素フロー下にて、80℃で溶解させた。その後、ベンジルアミン57重量部を添加し、80℃で減圧下(4Torr以下)2時間反応させることにより、25℃で固体である、フラックスを得た。
Thermosetting compound 1: Epoxy compound, “EP-3300” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 160 g / eq
Thermosetting compound 2: Epoxy compound, “TEPIC-SS” manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.
Latent epoxy thermosetting agent 1: “Fujicure 7000” manufactured by T & K TOKA
Latent epoxy thermosetting agent 2: “HXA3922-HP” manufactured by Asahi Kasei E-materials
Latent epoxy thermosetting agent 3: “TMTP-E” manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.
flux:
25 parts by weight of glutaric acid and 25 parts by weight of monomethyl glutarate were placed in a three-necked flask and dissolved at 80 ° C. under a nitrogen flow. Thereafter, 57 parts by weight of benzylamine was added and reacted at 80 ° C. under reduced pressure (4 Torr or less) for 2 hours to obtain a flux that was solid at 25 ° C.

絶縁性粒子:平均粒子径30μm、CV値5%、軟化点330℃、積水化学工業社製、ジビニルベンゼン架橋粒子   Insulating particles: average particle size 30 μm, CV value 5%, softening point 330 ° C., Sekisui Chemical Co., Ltd., divinylbenzene crosslinked particles

導電性粒子1の作製:
導電性粒子本体(はんだ粒子)200gと、シランカップリング剤40gと、触媒としてジラウリン酸ブチル錫0.5gとを秤量し、100℃で2時間反応させた。次に、メタノール120gを添加し、60℃で1時間反応させた。その後、ろ過で導電性粒子を回収し、メタノールで洗浄した。
Production of conductive particles 1:
200 g of conductive particle bodies (solder particles), 40 g of a silane coupling agent, and 0.5 g of butyltin dilaurate as a catalyst were weighed and reacted at 100 ° C. for 2 hours. Next, 120 g of methanol was added and reacted at 60 ° C. for 1 hour. Thereafter, the conductive particles were collected by filtration and washed with methanol.

次に、回収した導電性粒子の全量を水150gに入れ、30分間反応させた。その後、減圧ろ過で導電性粒子を回収した。   Next, the entire amount of the collected conductive particles was put in 150 g of water and reacted for 30 minutes. Thereafter, the conductive particles were collected by vacuum filtration.

次に、回収した導電性粒子の全量と、アジピン酸モノエチル30gと、脱水縮合触媒であるジメチルアンモニウムペンタフルオロベンゼンスルホナート0.2gと、アセトン30gとを秤量し、60℃で45分間反応させた。次に、エステル交換触媒としてランタンイソプロポキシド0.2gと、グルタル酸30gと、アセトン90gとを添加し、60℃で1時間反応させた。その後、ろ過で導電性粒子を回収し、アセトン150gとヘキサン150gとの混合溶媒で導電性粒子を洗浄した。   Next, the total amount of the collected conductive particles, 30 g of monoethyl adipate, 0.2 g of dimethylammonium pentafluorobenzenesulfonate as a dehydration condensation catalyst, and 30 g of acetone were weighed and reacted at 60 ° C. for 45 minutes. . Next, 0.2 g of lanthanum isopropoxide, 30 g of glutaric acid, and 90 g of acetone were added as a transesterification catalyst and reacted at 60 ° C. for 1 hour. Thereafter, the conductive particles were collected by filtration, and the conductive particles were washed with a mixed solvent of 150 g of acetone and 150 g of hexane.

得られた導電性粒子1の表面の流動電位は、−420mVであった。   The streaming potential of the surface of the obtained conductive particles 1 was −420 mV.

導電性粒子2の作製:
導電性粒子を洗浄する際に、アセトン90gとヘキサン210gとの混合溶媒を用いたこと以外は、導電性粒子1と同様にして、導電性粒子2を得た。
Production of conductive particles 2:
Conductive particles 2 were obtained in the same manner as the conductive particles 1 except that a mixed solvent of 90 g of acetone and 210 g of hexane was used when washing the conductive particles.

得られた導電性粒子2の表面の流動電位は、−250mVであった。   The streaming potential on the surface of the obtained conductive particles 2 was −250 mV.

導電性粒子3の作製:
導電性粒子を洗浄する際に、アセトン210gとヘキサン90gとの混合溶媒を用いたこと以外は、導電性粒子1と同様にして、導電性粒子3を得た。
Production of conductive particles 3:
Conductive particles 3 were obtained in the same manner as the conductive particles 1 except that a mixed solvent of 210 g of acetone and 90 g of hexane was used when washing the conductive particles.

得られた導電性粒子3の表面の流動電位は、−620mVであった。   The flow potential on the surface of the obtained conductive particles 3 was −620 mV.

導電性粒子4の作製:
導電性粒子を洗浄する際に、アセトン30gとヘキサン270gとの混合溶媒を用いたこと以外は、導電性粒子1と同様にして、導電性粒子4を得た。
Production of conductive particles 4:
Conductive particles 4 were obtained in the same manner as the conductive particles 1 except that a mixed solvent of 30 g of acetone and 270 g of hexane was used when washing the conductive particles.

得られた導電性粒子4の表面の流動電位は、−170mVであった。   The streaming potential on the surface of the obtained conductive particles 4 was -170 mV.

導電性粒子5の作製:
導電性粒子を洗浄する際に、アセトン270gとヘキサン30gとの混合溶媒を用いたこと以外は、導電性粒子1と同様にして、導電性粒子5を得た。
Production of conductive particles 5:
Conductive particles 5 were obtained in the same manner as the conductive particles 1 except that a mixed solvent of 270 g of acetone and 30 g of hexane was used when washing the conductive particles.

得られた導電性粒子5の表面の流動電位は、−750mVであった。   The flow potential on the surface of the obtained conductive particles 5 was −750 mV.

導電性粒子6の作製:
導電性粒子1の作製において、シランカップリング剤、水、アジピン酸モノエチル、及びグルタル酸との反応を実施せず、導電性粒子本体を導電性粒子6として使用した。
Production of conductive particles 6:
In the production of the conductive particles 1, the reaction with the silane coupling agent, water, monoethyl adipate, and glutaric acid was not performed, and the conductive particle main body was used as the conductive particles 6.

得られた導電性粒子6の表面の流動電位は、−900mVであった。   The flow potential on the surface of the obtained conductive particles 6 was −900 mV.

導電性粒子7の作製:
導電性粒子1の作製において、アジピン酸モノエチル及びグルタル酸との反応を実施せず、シランカップリング剤及び水との反応のみを実施し、導電性粒子を回収した。回収した導電性粒子を導電性粒子7として使用した。
Production of conductive particles 7:
In the production of the conductive particles 1, the reaction with monoethyl adipate and glutaric acid was not carried out, but only the reaction with the silane coupling agent and water was carried out to collect the conductive particles. The collected conductive particles were used as the conductive particles 7.

得られた導電性粒子7の表面の流動電位は、−1100mVであった。   The flow potential on the surface of the obtained conductive particles 7 was −1100 mV.

導電性粒子8の作製:
導電性粒子本体(はんだ粒子)200gと、アジピン酸40gと、アセトン70gと、触媒としてジブチル錫オキサイド0.3gとを秤量し、60℃で4時間反応させた。その後、導電性粒子をろ過することで回収した。
Production of conductive particles 8:
200 g of conductive particle bodies (solder particles), 40 g of adipic acid, 70 g of acetone, and 0.3 g of dibutyltin oxide as a catalyst were weighed and reacted at 60 ° C. for 4 hours. Then, it collect | recovered by filtering electroconductive particle.

回収した導電性粒子の全量と、アジピン酸50gと、トルエン200gと、パラトルエンスルホンサン0.3gとを秤量し、120℃で3時間反応させた。その後、ろ過で導電性粒子を回収し、ヘキサンで洗浄した。   The total amount of the collected conductive particles, 50 g of adipic acid, 200 g of toluene, and 0.3 g of paratoluenesulfone sun were weighed and reacted at 120 ° C. for 3 hours. Thereafter, the conductive particles were collected by filtration and washed with hexane.

得られた導電性粒子8の表面の流動電位は、10mVであった。   The flow potential on the surface of the obtained conductive particles 8 was 10 mV.

(導電性粒子の表面の流動電位)
導電性粒子の表面の流動電位は、以下のようにして測定した。
(Flow potential on the surface of conductive particles)
The streaming potential on the surface of the conductive particles was measured as follows.

得られた導電性粒子1gを水90g、アセトン10gに分散させた。この分散液の流動電位を、流動電位測定装置(マイクロトラック・ベル社製「Stabino PMX 400」)を用いて、測定した。測定時間は60秒、セルとピストンとのギャップは400μmに設定した。   1 g of the obtained conductive particles was dispersed in 90 g of water and 10 g of acetone. The streaming potential of this dispersion was measured using a streaming potential measuring device (“Stabino PMX 400” manufactured by Microtrack Bell). The measurement time was set to 60 seconds, and the gap between the cell and the piston was set to 400 μm.

(実施例1−6及び比較例1,2)
(1)導電材料の作製
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量で配合して、導電材料(異方性導電ペースト)を得た。
(Examples 1-6 and Comparative Examples 1 and 2)
(1) Production of conductive material The components shown in Table 1 below were blended in the blending amounts shown in Table 1 to obtain a conductive material (anisotropic conductive paste).

(2)接続構造体の作製
L/Sが100μm/100μm、電極長さ4mmの金電極パターン(金電極の厚み10μm)を上面に有するガラスエポキシ基板(第1の電極)を用意した。また、L/Sが100μm/100μmの金電極パターンを下面に有するフレキシブルプリント基板(第2の電極)を用意した。
(2) Production of Connection Structure A glass epoxy substrate (first electrode) having a gold electrode pattern (gold electrode thickness 10 μm) having an L / S of 100 μm / 100 μm and an electrode length of 4 mm on the upper surface was prepared. Moreover, the flexible printed circuit board (2nd electrode) which has a gold electrode pattern with L / S of 100 micrometers / 100 micrometers on the lower surface was prepared.

上記ガラスエポキシ基板と上記フレキシブルプリント基板との重ね合わせ面積は、1.5cm×4mmとし、接続した電極数は72対とした。   The overlapping area of the glass epoxy substrate and the flexible printed board was 1.5 cm × 4 mm, and the number of connected electrodes was 72 pairs.

上記ガラスエポキシ基板の上面に、作成直後の異方性導電ペーストを厚さ120μmとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層の上面に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。このとき、加圧を行わなかった。異方性導電ペースト層には、上記フレキシブルプリント基板の重量は加わる。その後、異方性導電ペースト層の温度が150℃となるように加熱しながらはんだを溶融させ、かつ異方性導電ペースト層を150℃で硬化させ、接続構造体を得た。   On the upper surface of the glass epoxy substrate, the anisotropic conductive paste immediately after preparation was applied to a thickness of 120 μm to form an anisotropic conductive paste layer. Next, the flexible printed circuit board was laminated on the upper surface of the anisotropic conductive paste layer so that the electrodes face each other. At this time, no pressure was applied. The weight of the flexible printed board is added to the anisotropic conductive paste layer. Thereafter, the solder was melted while heating so that the temperature of the anisotropic conductive paste layer was 150 ° C., and the anisotropic conductive paste layer was cured at 150 ° C. to obtain a connection structure.

(評価)
(1)粘度比(η2/η1)
作製直後の導電材料を25℃及び湿度50%で0.5時間保管したときの25℃での粘度(η1)を測定した。また、作製直後の導電材料を25℃及び湿度50%で保管した。その後、25℃及び湿度50%で24時間保管したときの導電材料の25℃での粘度(η2)を測定した。上記粘度は、E型粘度計(東機産業社製「TVE22L」)を用いて、25℃及び5rpmの条件で測定した。粘度の測定値から、粘度比(η2/η1)を算出した。
(Evaluation)
(1) Viscosity ratio (η2 / η1)
The viscosity (η1) at 25 ° C. when the conductive material immediately after production was stored at 25 ° C. and 50% humidity for 0.5 hours was measured. Further, the conductive material immediately after the production was stored at 25 ° C. and a humidity of 50%. Thereafter, the viscosity (η2) at 25 ° C. of the conductive material when stored at 25 ° C. and 50% humidity for 24 hours was measured. The viscosity was measured under the conditions of 25 ° C. and 5 rpm using an E-type viscometer (“TVE22L” manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.). The viscosity ratio (η2 / η1) was calculated from the measured viscosity value.

(2)電極上のはんだの配置精度
得られた接続構造体において、第1の電極とはんだ部と第2の電極との積層方向に第1の電極と第2の電極との対向し合う部分をみたときに、第1の電極と第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の、はんだ部が配置されている面積の割合Xを評価した。電極上のはんだの配置精度1を下記の基準で判定した。
(2) Solder placement accuracy on the electrode In the obtained connection structure, a portion where the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the solder portion, and the second electrode The ratio X of the area where the solder portion is disposed in the area of 100% of the portion where the first electrode and the second electrode face each other was evaluated. The solder placement accuracy 1 on the electrode was determined according to the following criteria.

[電極上のはんだの配置精度1の判定基準]
○○:割合Xが70%以上
○:割合Xが60%以上、70%未満
△:割合Xが50%以上、60%未満
×:割合Xが50%未満
[Criteria for solder placement accuracy 1 on electrode]
○○: Ratio X is 70% or more ○: Ratio X is 60% or more and less than 70% Δ: Ratio X is 50% or more and less than 60% X: Ratio X is less than 50%

(3)上下の電極間の導通信頼性
得られた接続構造体(n=15個)において、上下の電極間の1接続箇所あたりの接続抵抗をそれぞれ、4端子法により、測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧=電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。但し、n=15個中一つでも上下の電極間が導通していない場合には、「×」と判定した。
(3) Conduction reliability between upper and lower electrodes In the obtained connection structure (n = 15), the connection resistance per connection portion between the upper and lower electrodes was measured by a four-terminal method. The average value of connection resistance was calculated. Note that the connection resistance can be obtained by measuring the voltage when a constant current is passed from the relationship of voltage = current × resistance. The conduction reliability was determined according to the following criteria. However, when even one of n = 15 was not conductive between the upper and lower electrodes, it was determined as “x”.

[導通信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が6.5Ω以下
○:接続抵抗の平均値が6.5Ωを超え、6.8Ω以下
△:接続抵抗の平均値が6.8Ωを超え、7.2Ω以下
×:接続抵抗の平均値が7.2Ωを超える、又は接続不良が生じている
[Judgment criteria for conduction reliability]
◯: Average value of connection resistance is 6.5Ω or less ○: Average value of connection resistance exceeds 6.5Ω, 6.8Ω or less △: Average value of connection resistance exceeds 6.8Ω, 7.2Ω or less × : The average value of connection resistance exceeds 7.2Ω, or connection failure occurs.

(4)横方向に隣接する電極間の絶縁信頼性
得られた接続構造体(n=15個)において、85℃、湿度85%の雰囲気中に100時間放置後、横方向に隣接する電極間に、15Vを印加し、抵抗値を25箇所で測定した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。但し、n=15個中一つでも横方向に隣接する電極間が導通している場合には、「×」と判定した。
(4) Insulation reliability between electrodes adjacent in the horizontal direction In the obtained connection structure (n = 15), after leaving in an atmosphere of 85 ° C. and 85% humidity for 100 hours, between the electrodes adjacent in the horizontal direction Then, 15V was applied, and the resistance value was measured at 25 locations. Insulation reliability was judged according to the following criteria. However, when even one of n = 15 electrodes is electrically connected in the horizontal direction, it was determined as “x”.

[絶縁信頼性の判定基準]
○○:接続抵抗の平均値が10Ω以上
○:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
△:接続抵抗の平均値が10Ω以上、10Ω未満
×:接続抵抗の平均値が10Ω未満
[Criteria for insulation reliability]
◯: Average connection resistance is 10 6 Ω or more ○: Average connection resistance is 10 5 Ω or more, less than 10 6 Ω △: Average connection resistance is 10 4 Ω or more, less than 10 5 Ω ×: Connection The average resistance is less than 10 4 Ω

結果を下記の表1に示す。   The results are shown in Table 1 below.

Figure 2018046004
Figure 2018046004

1,1X…接続構造体
2…第1の接続対象部材
2a…第1の電極
3…第2の接続対象部材
3a…第2の電極
4,4X…接続部
4A,4XA…はんだ部
4B,4XB…硬化物部
11…導電材料
11A…はんだ粒子(導電性粒子)
11B…熱硬化性成分
21…導電性粒子(はんだ粒子)
31…導電性粒子
32…基材粒子
33…導電部(はんだを有する導電部)
33A…第2の導電部
33B…はんだ部
41…導電性粒子
42…はんだ部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1X ... Connection structure 2 ... 1st connection object member 2a ... 1st electrode 3 ... 2nd connection object member 3a ... 2nd electrode 4, 4X ... Connection part 4A, 4XA ... Solder part 4B, 4XB ... Cured part 11 ... Conductive material 11A ... Solder particles (conductive particles)
11B ... thermosetting component 21 ... conductive particles (solder particles)
31 ... Conductive particles 32 ... Base particle 33 ... Conductive part (conductive part having solder)
33A ... second conductive part 33B ... solder part 41 ... conductive particles 42 ... solder part

Claims (7)

バインダー樹脂と、導電部の外表面部分にはんだを有する複数の導電性粒子とを含み、
前記導電性粒子の表面の流動電位が、−1000mV以上、0mV以下である、導電材料。
Including a binder resin and a plurality of conductive particles having solder on the outer surface portion of the conductive portion;
A conductive material having a surface flow potential of the conductive particles of −1000 mV or more and 0 mV or less.
25℃及び湿度50%で24時間保管したときの25℃での粘度の、25℃及び湿度50%で0.5時間保管したときの25℃での粘度に対する比が、1.0以上、3.0以下である、請求項1に記載の導電材料。   The ratio of the viscosity at 25 ° C. when stored at 25 ° C. and 50% humidity for 24 hours to the viscosity at 25 ° C. when stored at 25 ° C. and 50% humidity for 0.5 hours is 1.0 or more, 3 The conductive material according to claim 1, which is 0.0 or less. 前記バインダー樹脂が、ポリエーテル骨格を有する熱硬化性化合物を含む、請求項1又は2に記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, wherein the binder resin contains a thermosetting compound having a polyether skeleton. 融点が80℃以上、140℃以下であるフラックスを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, comprising a flux having a melting point of 80 ° C. or higher and 140 ° C. or lower. 前記導電性粒子が、はんだ粒子である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電材料。   The conductive material according to claim 1, wherein the conductive particles are solder particles. 少なくとも1つの第1の電極を表面に有する第1の接続対象部材と、
少なくとも1つの第2の電極を表面に有する第2の接続対象部材と、
前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電材料であり、
前記第1の電極と前記第2の電極とが前記接続部中のはんだ部により電気的に接続されている、接続構造体。
A first connection target member having at least one first electrode on its surface;
A second connection target member having at least one second electrode on its surface;
A connection portion connecting the first connection target member and the second connection target member;
The material of the connection part is the conductive material according to any one of claims 1 to 5,
A connection structure in which the first electrode and the second electrode are electrically connected by a solder portion in the connection portion.
前記第1の電極と前記接続部と前記第2の電極との積層方向に前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分をみたときに、前記第1の電極と前記第2の電極との対向し合う部分の面積100%中の50%以上に、前記接続部中のはんだ部が配置されている、請求項6に記載の接続構造体。   When the first electrode and the second electrode face each other in the stacking direction of the first electrode, the connection portion, and the second electrode, the first electrode and the second electrode 7. The connection structure according to claim 6, wherein a solder portion in the connection portion is arranged in 50% or more of an area of 100% of a portion facing the two electrodes.
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