KR102616007B1 - Substrate processing method and substrate processing device - Google Patents

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Abstract

기판의 상면 상에 있어서의 분위기 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현시키기 위해서, 기판을 수평 자세로 유지부로 하여금 유지하게 하고, 당해 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재로부터 기판의 상면 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부를 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회전시키면서, 액 토출부의 토출구로부터 기판의 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출함으로써 기판의 상면 상에 처리액을 공급한다. 이때, 처리액의 공급원으로부터 액 토출부로의 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 액 토출부로부터 토출되는 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 기판의 상면 중 액 토출부로부터 토출되는 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다.In order to simultaneously control the atmosphere on the upper surface of the substrate and reduce the unevenness of processing on the upper surface of the substrate, the substrate is held in a horizontal position by a holding unit and is positioned against the upper surface of the substrate. Supplying an inert gas onto the upper surface of the substrate from the atmosphere control member, rotating the holding unit around a virtual rotation axis along the vertical direction, and discharging the processing liquid from the discharge port of the liquid discharge unit in the direction along the upper surface of the substrate, The treatment liquid is supplied on the upper surface of . At this time, by changing the supply amount per unit time of the processing liquid from the processing liquid supply source to the liquid discharge unit and changing the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharge unit, the processing liquid discharged from the liquid discharge unit on the upper surface of the substrate is supplied. Change the liquid supply location.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing device

본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 태양 전지용 기판 등이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. Substrates include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, organic EL (electroluminescence) substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates, optical display substrates, magnetic disk substrates, optical disk substrates, and magneto-optical disks. These include substrates for photomasks, substrates for solar cells, etc.

종래부터, 기판에 양호한 처리를 실시하기 위해서, 스핀 척에 유지된 기판의 상면에 대향하도록 배치된 차단판 또는 기체 노즐 등의 부재(분위기 제어 부재라고도 한다)로부터 불활성 가스를 기판의 상면을 향해 토출함으로써 기판의 상면을 따른 공간의 분위기를 제어하면서, 기판의 처리를 행하는 경우가 있었다(예를 들면, 특허문헌 1~3 등을 참조).Conventionally, in order to provide good processing to a substrate, inert gas is discharged toward the upper surface of the substrate from a member such as a blocking plate or gas nozzle (also referred to as an atmosphere control member) arranged to face the upper surface of the substrate held in the spin chuck. By doing this, there are cases where processing of the substrate is performed while controlling the atmosphere of the space along the upper surface of the substrate (for example, see Patent Documents 1 to 3, etc.).

또, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 저감하기 위해서, 스핀 척에 유지된 기판이 회전하고 있는 상태로, 기판의 상면에 대한 처리액의 착액 위치를 중앙부와 주연부 사이에서 주사(스캔)시키도록, 처리액을 토출하는 노즐(처리액 토출 노즐이라고도 한다)을 요동시키는 경우가 있었다(예를 들면, 특허문헌 1~3 등을 참조).In addition, in order to reduce unevenness in processing on the upper surface of the substrate, the position of the processing liquid on the upper surface of the substrate is scanned between the center and the peripheral portion while the substrate held in the spin chuck is rotating. In some cases, the nozzle that discharges the processing liquid (also referred to as the processing liquid discharge nozzle) is shaken (for example, refer to Patent Documents 1 to 3, etc.).

일본국 특허공개 2018-157061호 공보Japanese Patent Publication No. 2018-157061 일본국 특허공개 2014-197571호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-197571 일본국 특허공개 2017-69346호 공보Japanese Patent Publication No. 2017-69346

그런데, 예를 들면, 처리액의 종류에 따라서는, 기판의 상면에 대한 처리가 기판의 상면을 따른 공간에 있어서의 산소 농도 또는 습기 등의 영향을 받기 쉽지만, 추가로 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 저감하고 싶은 경우가 있다. 즉, 기판의 상면 상의 분위기의 제어와, 기판의 상면에 있어서의 착액 위치의 스캔을 양립하고 싶은 경우가 있다.However, for example, depending on the type of processing liquid, processing on the upper surface of the substrate is likely to be influenced by oxygen concentration or moisture in the space along the upper surface of the substrate, but additionally, processing on the upper surface of the substrate There are cases where it is desired to reduce unevenness. That is, there are cases where it is desired to achieve both control of the atmosphere on the upper surface of the substrate and scanning of the liquid landing position on the upper surface of the substrate.

그러나, 예를 들면, 만일 기판의 상면 상의 분위기의 제어를 충분히 행하기 위해서, 기판의 상면에 분위기 제어 부재를 접근시키면, 처리액 토출 노즐의 요동에 의한 처리액의 착액 위치의 스캔을 기판의 상면의 광범위에 걸쳐 행할 수 없어, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있다.However, for example, if the atmosphere control member is brought close to the upper surface of the substrate in order to sufficiently control the atmosphere on the upper surface of the substrate, the location of the liquid landing position of the processing liquid due to the swing of the processing liquid discharge nozzle is scanned on the upper surface of the substrate. It may not be possible to sufficiently reduce the unevenness of the treatment on the upper surface of the substrate.

한편, 예를 들면, 만일 기판의 상면의 광범위에 있어서의 착액 위치의 스캔을 행하기 위해서, 분위기 제어 부재를 기판의 상면으로부터 떼어 놓으면, 기판의 상면 상의 분위기의 제어가 불충분해져, 기판 처리의 품질의 저하를 초래할 수 있다. 또, 예를 들면, 처리액 토출 노즐로부터 기판의 상면을 향해 중력 방향으로 처리액을 토출하면, 기판의 상면 상에서 처리액의 튐이 발생하여, 처리액 토출 노즐 및 분위기 제어 부재가 오염되어, 기판 처리의 품질이 저하되는 경우도 있다.On the other hand, for example, if the atmosphere control member is separated from the upper surface of the substrate in order to scan the liquid landing position over a wide area of the upper surface of the substrate, control of the atmosphere on the upper surface of the substrate becomes insufficient, resulting in insufficient substrate processing quality. may result in a decline in Also, for example, if the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle toward the upper surface of the substrate in the direction of gravity, the processing liquid will splatter on the upper surface of the substrate, contaminating the processing liquid discharge nozzle and the atmosphere control member, and damaging the substrate. In some cases, the quality of processing deteriorates.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was made in view of the above problems, and its purpose is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can simultaneously realize control of the atmosphere on the upper surface of the substrate and reduction of unevenness in processing on the upper surface of the substrate. Do it as

상기 과제를 해결하기 위해서, 제1 양태에 따른 기판 처리 방법은, 유지 공정과, 처리 공정을 갖는다. 상기 유지 공정에 있어서, 기판을 수평 자세로 유지부로 하여금 유지하게 한다. 상기 처리 공정에 있어서, 상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재로부터 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급하면서, 상기 유지부를 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회전시키면서, 액 토출부의 토출구로부터 상기 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 당해 처리액을 공급한다. 또, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 처리액의 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다.In order to solve the above problems, the substrate processing method according to the first aspect has a holding process and a processing process. In the above holding process, the substrate is held in a horizontal position by a holding unit. In the processing step, an inert gas is supplied onto the upper surface from an atmosphere control member positioned opposite to the upper surface of the substrate held in a horizontal position by the holding unit, while the holding unit is held in a virtual position along the vertical direction. While rotating around the rotation axis, the processing liquid is discharged from the discharge port of the liquid discharge unit in a direction along the upper surface, thereby supplying the processing liquid onto the upper surface. Also, in the processing step, the supply amount of the processing liquid per unit time from the processing liquid supply source to the liquid discharge unit is changed, and the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharge unit is changed, thereby changing the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharge unit. The liquid supply position where the processing liquid discharged from the liquid discharge unit is supplied is changed.

제2 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다.The substrate processing method according to the second aspect is the substrate processing method according to the first aspect, wherein, in the processing step, the liquid supply position is at an end side of the upper surface rather than when the liquid supply position is at the center area of the upper surface. When it is within the region, the supply amount of the processing liquid per unit time from the supply source to the liquid discharge unit is reduced so that the discharge speed is reduced.

제3 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제2 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시킨다.The substrate processing method according to the third aspect is the substrate processing method according to the second aspect, wherein, in the processing step, the liquid supply position is adjusted by increasing or decreasing the supply amount of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit per unit time. It is moved back and forth between the central region and the end region a plurality of times.

제4 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제3 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액한다.The substrate processing method according to the fourth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein, in the processing step, the processing liquid discharged from the liquid discharge unit is divided into the upper surface and the atmosphere. The liquid passes through the space between the control members and lands on the upper surface.

제5 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 토출구는, 연직 방향에 있어서, 상기 상면보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치된다.The substrate processing method according to the fifth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein in the processing step, the discharge port is disposed at a position higher than the upper surface in the vertical direction; In addition, it is disposed at a lower position than the lower surface of the atmosphere control member.

제6 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제5 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족한다.The substrate processing method according to the sixth aspect is the substrate processing method according to the fifth aspect, wherein, in the processing step, the height of the discharge port in the vertical direction with respect to the upper surface is H, and the virtual rotation axis is H. and the distance in the horizontal direction of the discharge port is R, the angle formed between the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction in which the discharge port discharges the processing liquid is θ, and the discharge direction is downward from the horizontal direction. When the angle θ represents a positive value in the direction of and the angle θ represents a negative value when the discharge direction is upward from the horizontal direction, 0≤θ≤tan -1 (H/R) satisfies the relationship.

제7 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제6 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급한다.The substrate processing method according to the seventh aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein in the processing step, the atmosphere control member is positioned in a state covering the upper surface, and An inert gas is supplied between the atmosphere control member and the atmosphere control member.

제8 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제6 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 위치하고, 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성한다.The substrate processing method according to the eighth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein in the processing step, the atmosphere control member is in a state facing the central region of the upper surface. By supplying an inert gas to the upper part of the substrate, an air current flowing along the upper surface is formed.

제9 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 제1 구동부와, 분위기 제어 부재와, 액 토출부와, 액 공급로와, 변경부와, 제어부를 구비한다. 상기 유지부는, 기판을 수평 자세로 유지한다. 상기 제1 구동부는, 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 상기 유지부를 회전시킨다. 상기 분위기 제어 부재는, 상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급한다. 상기 액 토출부는, 상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상기 상면을 따른 방향을 향해 토출구로부터 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 상기 처리액을 공급한다. 상기 액 공급로는, 상기 처리액의 공급원과 상기 액 토출부를 접속하고 있다. 상기 변경부는, 상기 액 공급로의 도중에 위치하며, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 상기 제어부는, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 상기 변경부로 하여금 변경하게 함으로써, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시키고, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다.A substrate processing apparatus according to the ninth aspect includes a holding unit, a first driving unit, an atmosphere control member, a liquid discharge unit, a liquid supply path, a change unit, and a control unit. The holding portion maintains the substrate in a horizontal position. The first driving unit rotates the holding unit around a virtual rotation axis along the vertical direction. The atmosphere control member supplies an inert gas on the upper surface of the substrate held in a horizontal position by the holding unit while facing the upper surface. The liquid discharge unit supplies the processing liquid on the upper surface by discharging the processing liquid from the discharge port in a direction along the upper surface of the substrate held in a horizontal position by the holding unit. The liquid supply path connects the processing liquid supply source and the liquid discharge unit. The changing unit is located in the middle of the liquid supply path and changes the amount of processing liquid supplied per unit time from the supply source to the liquid discharge unit. The control unit changes the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharge unit by causing the changing unit to change the supply amount of the processing liquid per unit time from the supply source to the liquid discharge unit, and changes the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharge unit, The liquid supply position where the processing liquid discharged from the discharge unit is supplied is changed.

제10 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다.The substrate processing apparatus according to the tenth aspect is the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, wherein the control unit determines that the liquid supply position is within an end region of the upper surface rather than when the liquid supply position is within the central region of the upper surface. In this case, the amount of processing liquid supplied per unit time from the supply source to the liquid discharge unit is reduced by the change unit so that the discharge speed is reduced.

제11 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제10 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시킨다.The substrate processing apparatus according to the eleventh aspect is the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, wherein the control unit increases or decreases the supply amount of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit per unit time by the change unit, so that the liquid The supply position is moved back and forth between the central region and the end region a plurality of times.

제12 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제11 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 액 토출부는, 상기 처리액이 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액하도록, 상기 처리액을 토출한다.The substrate processing apparatus according to the twelfth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to eleventh aspects, wherein the liquid discharge unit causes the processing liquid to pass through the space between the upper surface and the atmosphere control member to the upper surface. The treatment liquid is discharged so that it contacts the liquid.

제13 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제12 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 토출구는, 연직 방향에 있어서 상기 상면보다 높고 또한 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상기 상면을 따른 방향을 향해 상기 처리액을 토출한다.The substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to twelfth aspects, wherein the discharge port is located at a position higher than the upper surface and lower than the lower surface of the atmosphere control member in the vertical direction. In the arranged state, the treatment liquid is discharged in a direction along the upper surface.

제14 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제13 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 액 토출부가 상기 상면에 상기 처리액을 공급할 때에, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족한다.The substrate processing apparatus according to the fourteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, wherein, when the liquid discharge unit supplies the processing liquid to the upper surface, the height of the discharge port in the vertical direction with respect to the upper surface is adjusted. Let H be the distance between the virtual rotation axis and the discharge port in the horizontal direction as R, and let the angle formed between the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction in which the discharge port discharges the processing liquid be θ, When the angle θ represents a positive value when the discharge direction is downward from the horizontal direction and the angle θ represents a negative value when the discharge direction is upward from the horizontal direction, 0≤θ≤ Satisfies the relationship of tan -1 (H/R).

제15 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제14 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급하는 차단판을 포함한다.The substrate processing apparatus according to the fifteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to fourteenth aspects, wherein the atmosphere control member covers the upper surface and is between the upper surface and the atmosphere control member. It includes a blocking plate that supplies inert gas.

제16 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제14 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성한다.The substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to fourteenth aspects, wherein the atmosphere control member is inert above the substrate in a state facing a central region of the upper surface. By supplying gas, an air current flowing along the upper surface is formed.

제17 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제16 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와, 상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 액 토출부는, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 상기 토출구를 갖는 제1 관형상부와, 상기 제1 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제1 관형상부로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제2 관형상부와, 상기 제2 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제2 관형상부로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제3 관형상부를 갖는다.The substrate processing apparatus according to the seventeenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, comprising a guard part surrounding the holding part, and a second driving part that raises and lowers the guard part along a vertical direction. wherein the control unit raises and lowers the guard unit by the second driving unit, and the liquid discharge unit includes a first tubular portion extending along a horizontal direction and having the discharge port at a tip, and the first tubular portion. a second tubular portion extending upwardly from the first tubular portion in a state in which it is in communication with an upper portion; and a second tubular portion extending in a horizontal direction from the second tubular portion in a state in which it is in communication with the second tubular portion. It has a third tubular portion in a state of

제18 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제17 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고, 상기 가드부는, 하방향을 향해 평면 투시한 경우에, 상기 분위기 제어 부재로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부를 갖는 내주연부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 강하시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간에 삽입 통과시키는 하강 동작, 및 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 상승시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 상승 동작 중 적어도 한쪽의 동작을 행한다.The substrate processing apparatus according to the eighteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the seventeenth aspect, and includes a third driving unit that raises and lowers the liquid discharge unit along a vertical direction, and the guard unit when viewed in plan view facing downward. It has an inner peripheral portion having a concave portion that is recessed in a direction away from the atmosphere control member, and the control portion inserts and passes the second tubular portion into the space within the concave portion by lowering the liquid discharge portion by the third driving portion. At least one of a lowering operation and a rising operation of moving the second tubular portion upward from the space within the concave portion by raising the liquid discharge portion by the third driving unit is performed.

제19 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제16 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와, 상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부와, 상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고, 상기 액 토출부는, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 상태의 관형상의 선단부를 갖고, 상기 선단부는, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 상기 토출구를 갖고, 상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 가드부와 상기 분위기 제어 부재의 간극에 대해 상기 선단부가 삽입 발거되도록, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 승강시킨다.The substrate processing apparatus according to the 19th aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the 9th to 16th aspects, comprising a guard part surrounding the holding part, and a second driving part that raises and lowers the guard part along a vertical direction. and a third driving part that raises and lowers the liquid discharge unit along a vertical direction, wherein the liquid discharge unit has a tubular tip extending in a vertical direction, and the tip is open toward the horizontal direction. It has the discharge port, and the control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit, and discharges the liquid by the third drive unit so that the tip part is inserted and removed with respect to the gap between the guard unit and the atmosphere control member. Elevates wealth.

제20 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제16 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와, 상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 액 토출부는, 상기 가드부와 일체적으로 구성된 상태에 있다.The substrate processing apparatus according to the twentieth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, comprising a guard part surrounding the holding part, and a second driving part that raises and lowers the guard part along a vertical direction. wherein the control unit raises and lowers the guard unit by the second driving unit, and the liquid discharge unit is configured integrally with the guard unit.

제1 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서의 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.According to the substrate processing method according to the first aspect, for example, the liquid supply position of the processing liquid over a wide area of the upper surface of the substrate is controlled without shaking the liquid discharge unit while controlling the atmosphere on the upper surface of the substrate. can be scanned. As a result, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface of the substrate and reduce unevenness in processing on the upper surface of the substrate.

제2 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 단부측 영역에 처리액이 공급될 때에는, 처리액의 속도 및 공급량이 저하된다. 이 때문에, 예를 들면, 유지부 중 기판의 외연부를 유지하고 있는 척 핀에 있어서의 처리액의 액튐이 발생하기 어렵다.According to the substrate processing method according to the second aspect, for example, when the processing liquid is supplied to the end side region, the speed and supply amount of the processing liquid decrease. For this reason, for example, it is difficult for the processing liquid to splash out on the chuck pin that holds the outer edge of the substrate among the holding parts.

제3 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행함으로써, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.According to the substrate processing method according to the third aspect, for example, by scanning the liquid supply position of the processing liquid multiple times over a wide area of the upper surface of the substrate, unevenness in processing on the upper surface of the substrate can be further reduced. .

제4 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 넓은 범위에 분위기 제어 부재를 대향시킨 상태로, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.According to the substrate processing method according to the fourth aspect, for example, the liquid is discharged while more strictly controlling the atmosphere on the upper surface of the substrate in a state where the atmosphere control member is opposed to a wide range of the upper surface of the substrate. The liquid supply position of the processing liquid can be scanned over a wide area of the upper surface of the substrate without shaking the unit.

제5 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 분위기 제어 부재에 의한 기판 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판의 상면의 광범위에 처리액을 공급할 수 있다.According to the substrate processing method according to the fifth aspect, for example, the processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface of the substrate while controlling the atmosphere on the substrate by an atmosphere control member.

제6 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 중 가상적인 회전축 상의 부분까지 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.According to the substrate processing method according to the sixth aspect, for example, the processing liquid can be easily supplied to the portion on the virtual rotation axis of the upper surface of the substrate.

제7 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.According to the substrate processing method according to the seventh aspect, for example, the atmosphere on the upper surface of the substrate can be strictly controlled.

제8 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing method according to the eighth aspect, for example, the liquid discharge portion can be easily moved between the position where the processing liquid is discharged and the retracted position.

제9 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 분위기 제어 부재로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서의 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, the atmosphere on the upper surface of the substrate is well controlled by, for example, supplying an inert gas from an atmosphere control member, while the substrate is maintained without shaking the liquid discharge unit. The liquid supply position of the processing liquid over a wide area of the upper surface can be scanned. As a result, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface of the substrate and reduce unevenness in processing on the upper surface of the substrate.

제10 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 단부측 영역에 처리액이 공급될 때에는, 처리액의 속도 및 공급량이 저하된다. 이 때문에, 예를 들면, 유지부 중 기판의 외연부를 유지하고 있는 척 핀에 있어서의 처리액의 액튐이 발생하기 어렵다.According to the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, for example, when the processing liquid is supplied to the end side region, the speed and supply amount of the processing liquid decrease. For this reason, for example, it is difficult for the processing liquid to splash out on the chuck pin that holds the outer edge of the substrate among the holding parts.

제11 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행함으로써, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the eleventh aspect, for example, by scanning the liquid supply position of the processing liquid multiple times over a wide area of the upper surface of the substrate, unevenness in processing on the upper surface of the substrate can be further reduced. .

제12 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 넓은 범위에 분위기 제어 부재를 대향시킨 상태로, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the twelfth aspect, the liquid is discharged while more strictly controlling the atmosphere on the upper surface of the substrate, for example, with the atmosphere control member facing a wide range of the upper surface of the substrate. The liquid supply position of the processing liquid can be scanned over a wide area of the upper surface of the substrate without shaking the unit.

제13 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 분위기 제어 부재에 의한 기판 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판의 상면의 광범위에 처리액을 공급할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, for example, the processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface of the substrate while controlling the atmosphere on the substrate by an atmosphere control member.

제14 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 중 가상적인 회전축 상의 부분까지 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the fourteenth aspect, for example, the processing liquid can be easily supplied to the portion on the virtual rotation axis of the upper surface of the substrate.

제15 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the fifteenth aspect, for example, the atmosphere on the upper surface of the substrate can be strictly controlled.

제16 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, for example, the liquid discharge portion can be easily moved between the position where the processing liquid is discharged and the retracted position.

제17 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극을 제2 관형상부가 삽입 통과하고 있는 상태로, 토출구를, 유지부에 유지된 기판의 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 예를 들면, 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향이 안정될 수 있다.According to the substrate processing device according to the seventeenth aspect, for example, with the second tubular portion inserted through the gap between the guard portion and the atmosphere control member, the discharge port is directed along the upper surface of the substrate held by the holding portion. It can be placed in a position to discharge the treatment liquid toward. And, for example, the discharge direction of the processing liquid discharged from the discharge port can be stabilized.

제18 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 가드부의 상면이, 분위기 제어 부재의 하면보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁은 경우여도, 액 토출부를, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁아도, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the eighteenth aspect, for example, even when the upper surface of the guard part is disposed at a higher position than the lower surface of the atmosphere control member and the gap between the guard part and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge portion is It can be easily inserted and removed from the gap between the guard part and the atmosphere control member. As a result, for example, even if the gap between the guard portion and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge portion can be easily moved between the position where the processing liquid is discharged and the position where it is retracted.

제19 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 가드부의 상면이, 분위기 제어 부재의 하면보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁은 경우여도, 액 토출부를, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁아도, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the 19th aspect, for example, even when the upper surface of the guard part is disposed at a higher position than the lower surface of the atmosphere control member and the gap between the guard part and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge portion is It can be easily inserted and removed from the gap between the guard part and the atmosphere control member. As a result, for example, even if the gap between the guard portion and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge portion can be easily moved between the position where the processing liquid is discharged and the position where it is retracted.

제20 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 액 토출부의 배치가 용이하다.According to the substrate processing apparatus according to the twentieth aspect, arrangement of the liquid discharge portion is easy, for example.

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는, Y축방향에 있어서의 기판 처리 장치의 중앙부의 개략적인 구성을 나타내는 측면도이다.
도 3은, 기판 처리 장치의 -Y측 부분의 개략적인 구성을 나타내는 측면도이다.
도 4는, 기판 처리 장치를 제어하기 위한 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다.
도 5는, 제어부의 일 구성예를 나타내는 블록도이다.
도 6은, 처리 유닛의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 7은, 처리 유닛의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은, 제1 액 토출부가 기판 상으로 처리액을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9는, 제1 액 토출부가 기판 상으로 처리액을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10은, 제1 액 토출부로부터 기판 상으로 처리액을 토출하는 방향을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 11은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 12는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 13은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 14는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 15는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 16은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 17은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 18은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 19는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 20은, 제2 실시 형태에 따른 처리 유닛의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 21은, 제2 실시 형태에 따른 분위기 제어 부재의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 22는, 제3 실시 형태에 따른 제1~3 액 토출부의 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 23은, 제4 실시 형태에 따른 처리 유닛의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 24는, 제5 실시 형태에 따른 처리 유닛에 있어서의 제1~3 액 토출부의 배치를 모식적으로 나타내는 측면도이다.1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of the central portion of the substrate processing apparatus in the Y-axis direction.
Figure 3 is a side view showing the schematic configuration of the -Y side portion of the substrate processing apparatus.
Figure 4 is a block diagram showing a functional configuration for controlling a substrate processing device.
Figure 5 is a block diagram showing an example of the configuration of the control unit.
Figure 6 is a side view schematically showing an example of a configuration of a processing unit.
Fig. 7 is a plan view schematically showing an example of the internal configuration of the processing unit.
FIG. 8 is a diagram schematically showing the first liquid discharge unit discharging the processing liquid onto the substrate.
FIG. 9 is a diagram schematically showing the first liquid discharge unit discharging the processing liquid onto the substrate.
FIG. 10 is a diagram schematically showing the direction in which the processing liquid is discharged from the first liquid discharge unit onto the substrate.
Fig. 11 is a flowchart showing an example of the operation flow of a series of substrate processes for a substrate in a processing unit.
FIG. 12 is a flowchart showing an example of the operation flow of a series of substrate processes for a substrate in a processing unit.
FIG. 13 is a schematic side view for explaining an example of a series of substrate processing operations for a substrate in a processing unit.
FIG. 14 is a schematic side view for explaining an example of a series of substrate processing operations for a substrate in a processing unit.
Figure 15 is a schematic side view for explaining an example of a series of substrate processing operations for a substrate in a processing unit.
Figure 16 is a schematic side view for explaining an example of a series of substrate processing operations for a substrate in a processing unit.
Fig. 17 is a schematic side view for explaining an example of a series of substrate processing operations for a substrate in a processing unit.
Fig. 18 is a schematic side view for explaining an example of a series of substrate processing operations for a substrate in a processing unit.
Fig. 19 is a schematic side view for explaining an example of a series of substrate processing operations for a substrate in a processing unit.
Fig. 20 is a side view schematically showing an example of the configuration of a processing unit according to the second embodiment.
Fig. 21 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing an example of the configuration of an atmosphere control member according to the second embodiment.
Figure 22 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the shape of the first to third liquid discharge parts according to the third embodiment.
Fig. 23 is a plan view schematically showing an example of the internal configuration of a processing unit according to the fourth embodiment.
Figure 24 is a side view schematically showing the arrangement of the first to third liquid discharge parts in the processing unit according to the fifth embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 각종 실시 형태에 대해 설명한다. 이들 실시 형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해 용이를 위해서, 필요에 따라 각 부의 치수 및 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다. 또, 각 도면에 있어서는, 각 요소의 위치 관계를 설명하기 위해서, 오른손 좌표계의 XYZ 직교 좌표계를 부여하고 있다. 여기에서는, X축 및 Y축이 수평 방향으로 연장되어 있고, Z축이 연직 방향(상하 방향)으로 연장되어 있는 것으로 한다. 또, 이하의 설명에서는, 화살표의 선단이 향하는 쪽을 +(플러스) 방향으로 하고, 그 역방향을 -(마이너스) 방향으로 한다. 여기에서는, 연직 방향 상향이 +Z방향이며, 연직 방향 하향이 -Z방향이다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The components described in these embodiments are merely examples and are not intended to limit the scope of the present invention to these only. In the drawings, for ease of understanding, the dimensions and number of each part may be exaggerated or simplified as necessary. In addition, in each drawing, in order to explain the positional relationship of each element, a right-handed XYZ orthogonal coordinate system is given. Here, it is assumed that the X-axis and Y-axis extend in the horizontal direction, and the Z-axis extends in the vertical direction (up and down direction). In addition, in the following description, the direction toward which the tip of the arrow faces is taken to be the + (plus) direction, and the opposite direction is taken to be the - (minus) direction. Here, the vertical direction upward is the +Z direction, and the vertical direction downward is the -Z direction.

상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현(예를 들면 「한 방향으로」 「한 방향을 따라」 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관하여 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 같은 상태임을 나타내는 표현(예를 들면 「동일」 「같다」 「균질」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 같은 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현(예를 들면, 「사각형상」 또는 「원통형상」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들면 요철이나 면취 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 하나의 구성 요소를 「갖다」 「갖추다」 「구비하다」 「포함한다」 또는 「가지다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현은 아니다. 「~의 위」란, 특별히 언급하지 않는 한, 2개의 요소가 접해 있는 경우 이외에, 2개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함하는 경우가 있다. 「특정 방향으로 이동시킨다」란, 특별히 언급하지 않는 한, 이 특정 방향과 평행하게 이동시키는 경우뿐만 아니라, 이 특정 방향의 성분을 가지는 방향으로 이동시키는 것을 포함하는 경우가 있다.Expressions expressing relative or absolute positional relationships (e.g., “in one direction,” “along one direction,” “parallel,” “orthogonal,” “center,” “concentric,” “coaxial,” etc.) refer to the position unless specifically stated. Not only does it represent the relationship strictly, but it also represents a state of relative displacement in terms of angle or distance within the range where tolerance or the same degree of function is obtained. Expressions indicating the same state (e.g., “same,” “same,” “homogeneous,” etc.) not only express the exact same state quantitatively, unless specifically stated, but also indicate the existence of tolerances or differences in obtaining the same degree of function. It should also indicate the status. Unless otherwise specified, expressions representing shapes (e.g., “rectangular” or “cylindrical”) not only strictly represent the shape geometrically, but are also used to the extent that the same level of effect is obtained, for example. For example, shapes with irregularities, chamfers, etc. are also shown. The expressions “to have,” “to have,” “to have,” “to include,” or “to have” a component are not exclusive expressions that exclude the presence of other components. Unless otherwise specified, “above” may include cases where two elements are in contact, as well as cases where two elements are separated. Unless otherwise specified, “moving in a specific direction” may include not only moving in parallel to this specific direction, but also moving in a direction that has components of this specific direction.

<1. 제1 실시 형태><1. First Embodiment>

<1-1. 기판 처리 장치의 개략적인 구성><1-1. Schematic configuration of substrate processing equipment>

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼)(W)에 처리를 행한다.FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment. The substrate processing apparatus 1 processes a substrate (eg, semiconductor wafer) W.

기판(W)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 태양 전지용 기판이다. 기판(W)은, 얇은 평판 형상을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 기판(W)이, 평면에서 봤을 때 원형 형상을 갖는 반도체 웨이퍼인 예를 들어 설명한다. 기판(W)은, 예를 들면, 300밀리미터(mm) 정도의 직경과, 0.5mm~3mm 정도의 두께를 갖는다.The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for organic EL (Electroluminescence), a substrate for an FPD (Flat Panel Display), a substrate for an optical display, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical disk, These are substrates for magneto-optical disks, substrates for photomasks, and substrates for solar cells. The substrate W has a thin flat plate shape. In this embodiment, an example will be given where the substrate W is a semiconductor wafer having a circular shape in plan view. The substrate W has, for example, a diameter of about 300 millimeters (mm) and a thickness of about 0.5 mm to 3 mm.

기판 처리 장치(1)는, 인덱서부(2)와, 처리 블록(5)과, 제어부(9)를 구비한다.The substrate processing apparatus 1 includes an indexer unit 2, a processing block 5, and a control unit 9.

<1-1-1. 인덱서부><1-1-1. Index West>

인덱서부(2)는, 복수(예를 들면, 4개)의 캐리어 재치부(3)와, 제1 반송 기구(4)를 구비하고 있다. 인덱서부(2)는, 반송 스페이스(32)를 구비하고 있다. 반송 스페이스(32)는, 캐리어 재치부(3)의 +X측에 배치된다. 반송 스페이스(32)는, Y축방향을 따라 연장되어 있다.The indexer unit 2 is provided with a plurality (for example, four) carrier placement units 3 and a first transport mechanism 4. The indexer unit 2 is provided with a conveyance space 32. The conveyance space 32 is disposed on the +X side of the carrier placement unit 3. The conveyance space 32 extends along the Y-axis direction.

복수의 캐리어 재치부(3)는, 예를 들면, Y축방향을 따라 일렬로 나열되어 있다. 각 캐리어 재치부(3)는 각각, 1개의 캐리어(C)를 재치한다.The plurality of carrier placement units 3 are arranged in a line along the Y-axis direction, for example. Each carrier placement unit 3 places one carrier C each.

캐리어(C)는, 복수 장의 기판(W)을 수용한다. 캐리어(C)는, 예를 들면, FOUP(front opening unified pod)이다. 캐리어(C)는, 예를 들면, 용기와, 용기 내에 배치된 연직 방향으로 나열되는 복수의 선반을 구비한다. 연직 방향에 있어서 서로 이웃하는 선반은, 10mm 정도의 간격을 갖고 배치된다. 각 선반은, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 재치한다. 예를 들면, 캐리어(C)가 캐리어 재치부(3)에 재치된 상태에 있어서, 각 선반은, 용기의 +Y측의 내벽으로부터 -Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제1 지지부와, 용기의 -Y측의 내벽으로부터 +Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제2 지지부를 갖는다. 각 선반에 있어서, 제1 지지부와 제2 지지부의 간격은, 기판(W)의 직경보다 작다. 각 선반은, 예를 들면, 제1 지지부와 제2 지지부에 의해, 기판(W)의 주연부의 하면을 지지한다. 복수의 선반은, 각 선반이 기판(W)을 지지할 때에, 연직 방향으로 서로 이웃하는 선반 사이에 있어서 기판(W)을 상방으로 이동시키는 것이 가능한 간격을 갖는다. 캐리어(C)는, 예를 들면, 캐리어(C)의 식별, 또는 캐리어(C) 내에 있어서의 기판(W)의 식별을 행하기 위한 식별자로서의 바코드를 갖는다. 바코드는, 예를 들면, 용기에 표시된다.The carrier C accommodates a plurality of substrates W. The carrier C is, for example, a front opening unified pod (FOUP). The carrier C includes, for example, a container and a plurality of shelves arranged in the vertical direction and arranged within the container. Shelves adjacent to each other in the vertical direction are arranged with an interval of about 10 mm. On each shelf, one board W is placed in a horizontal position. For example, when the carrier C is placed on the carrier placing unit 3, each shelf has a first shelf that protrudes in the -Y direction from the inner wall on the +Y side of the container and extends along the X-axis direction. It has a support part and a second support part that protrudes in the +Y direction from the inner wall on the -Y side of the container and extends along the X-axis direction. In each shelf, the distance between the first support part and the second support part is smaller than the diameter of the substrate W. Each shelf supports the lower surface of the peripheral portion of the substrate W by, for example, a first support part and a second support part. When each shelf supports the substrate W, the plurality of shelves have a gap that allows the substrate W to be moved upward between shelves adjacent to each other in the vertical direction. The carrier C has, for example, a barcode as an identifier for identification of the carrier C or identification of the substrate W within the carrier C. A barcode is displayed on a container, for example.

또, 인덱서부(2)는, 예를 들면, 바코드 리더(31)를 구비한다. 바코드 리더(31)는, 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)에 표시된 바코드를 읽어낸다. 바코드 리더(31)는, 예를 들면, 캐리어 재치부(3)에 장착된다. 바코드 리더(31)는, 제어부(9)와 통신 가능하게 접속되어 있다.Additionally, the indexer unit 2 is provided with a barcode reader 31, for example. The barcode reader 31 reads the barcode displayed on the carrier C placed on the carrier loading unit 3. The barcode reader 31 is mounted on the carrier placement unit 3, for example. The barcode reader 31 is connected to the control unit 9 to enable communication.

제1 반송 기구(4)는, 반송 스페이스(32)에 설치되어 있다. 제1 반송 기구(4)는, 캐리어 재치부(3)의 +X측에 배치되어 있다. 제1 반송 기구(4)는, 핸드(33)와, 핸드 구동부(34)를 구비하고 있다.The first transport mechanism 4 is installed in the transport space 32 . The first transport mechanism 4 is arranged on the +X side of the carrier placement unit 3. The first conveyance mechanism 4 is provided with a hand 33 and a hand drive unit 34.

핸드(33)는, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드(33)는, 기판(W)의 하면과 접촉함으로써, 기판(W)을 지지한다. 이때, 핸드(33)는, 예를 들면, 흡인부 등에 의해 기판(W)을 흡인해도 된다. 핸드 구동부(34)는, 핸드(33)에 연결되어 있다. 핸드 구동부(34)는, 핸드(33)를 이동시킨다.The hand 33 supports one substrate W in a horizontal position. The hand 33 supports the substrate W by contacting the lower surface of the substrate W. At this time, the hand 33 may suction the substrate W using, for example, a suction portion. The hand drive unit 34 is connected to the hand 33. The hand drive unit 34 moves the hand 33.

도 2는, Y축방향에 있어서의 기판 처리 장치(1)의 중앙부의 구성을 나타내는 측면도이다. 도 1 및 도 2에서 나타내어지는 바와 같이, 핸드 구동부(34)는, 레일(34a)과, 수평 이동부(34b)와, 수직 이동부(34c)와, 회전부(34d)와, 진퇴 이동부(34e)를 구비한다. 레일(34a)은, 인덱서부(2)의 하부에 고정되어 있다. 예를 들면, 레일(34a)은, 반송 스페이스(32)의 저부에 배치된다. 레일(34a)은, Y축방향을 따라 연장되어 있다. 수평 이동부(34b)는, 레일(34a)에 지지된다. 수평 이동부(34b)는, 레일(34a)에 대해 Y축방향을 따라 이동한다. 수직 이동부(34c)는, 수평 이동부(34b)에 지지되어 있다. 수직 이동부(34c)는, 수평 이동부(34b)에 대해 상하 방향(±Z방향)으로 이동한다. 회전부(34d)는, 수직 이동부(34c)에 지지되어 있다. 회전부(34d)는, 수직 이동부(34c)에 대해 회전한다. 회전부(34d)는, 가상적인 회전축(Ax1)을 중심으로 하여 회전한다. 가상적인 회전축(Ax1)은, 연직 방향(±Z방향)과 평행이다. 진퇴 이동부(34e)는, 회전부(34d)의 방향에 의해 정해지는 수평 방향을 따른 한 방향으로 왕복 이동한다.FIG. 2 is a side view showing the configuration of the central portion of the substrate processing apparatus 1 in the Y-axis direction. As shown in FIGS. 1 and 2, the hand drive unit 34 includes a rail 34a, a horizontal movement unit 34b, a vertical movement unit 34c, a rotation unit 34d, and a forward/backward movement unit ( 34e) is provided. The rail 34a is fixed to the lower part of the indexer portion 2. For example, the rail 34a is disposed at the bottom of the conveyance space 32. The rail 34a extends along the Y-axis direction. The horizontal moving part 34b is supported on the rail 34a. The horizontal moving part 34b moves along the Y-axis direction with respect to the rail 34a. The vertical moving part 34c is supported by the horizontal moving part 34b. The vertical moving part 34c moves in the vertical direction (±Z direction) with respect to the horizontal moving part 34b. The rotating part 34d is supported by the vertical moving part 34c. The rotating part 34d rotates with respect to the vertical moving part 34c. The rotating part 34d rotates around the virtual rotating axis Ax1. The virtual rotation axis Ax1 is parallel to the vertical direction (±Z direction). The forward/backward movement unit 34e reciprocates in one direction along the horizontal direction determined by the direction of the rotation unit 34d.

핸드(33)는, 진퇴 이동부(34e)에 고정되어 있다. 핸드(33)는, 핸드 구동부(34)에 의해, 수평 방향 및 상하 방향(±Z방향) 각각을 따라 평행으로 이동할 수 있다. 핸드(33)는, 가상적인 회전축(Ax1)을 중심으로 하여 회전할 수 있다. 이에 의해, 제1 반송 기구(4)는, 모든 캐리어 재치부(3)에 재치되는 캐리어(C)에 액세스하는 것이 가능하다. 제1 반송 기구(4)는, 모든 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)에 기판(W)을 반입할 수 있음과 더불어, 모든 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 반출할 수 있다.The hand 33 is fixed to the forward/backward movement unit 34e. The hand 33 can move in parallel along each of the horizontal direction and the vertical direction (±Z direction) by the hand driving unit 34. The hand 33 can rotate around the virtual rotation axis Ax1. As a result, the first transport mechanism 4 can access all of the carriers C placed on the carrier placement unit 3. The first transport mechanism 4 is capable of loading the substrate W into the carriers C placed on all the carrier placement units 3, as well as transporting the substrate W onto the carriers C placed on all the carrier placement units 3. The substrate W can be taken out from.

<1-1-2. 처리 블록><1-1-2. Processing Block>

처리 블록(5)은, 인덱서부(2)에 접속되어 있다. 예를 들면, 처리 블록(5)은, 인덱서부(2)의 +X측에 접속되어 있다.The processing block 5 is connected to the indexer unit 2. For example, the processing block 5 is connected to the +X side of the indexer unit 2.

처리 블록(5)은, 재치부(6)와, 복수의 처리 유닛(7)과, 제2 반송 기구(8)를 구비하고 있다. 또, 처리 블록(5)은, 반송 스페이스(41)를 구비하고 있다. 반송 스페이스(41)는, Y축방향에 있어서의 처리 블록(5)의 중앙에 배치되어 있다. 반송 스페이스(41)는, X축방향을 따라 연장되어 있다. 반송 스페이스(41)는, 인덱서부(2)의 반송 스페이스(32)와 접하고 있다. 재치부(6) 및 제2 반송 기구(8)는, 반송 스페이스(41)에 설치되어 있다.The processing block 5 is provided with a placement unit 6, a plurality of processing units 7, and a second transfer mechanism 8. Additionally, the processing block 5 is provided with a conveyance space 41. The conveyance space 41 is arranged at the center of the processing block 5 in the Y-axis direction. The conveyance space 41 extends along the X-axis direction. The conveyance space 41 is in contact with the conveyance space 32 of the indexer unit 2. The placement unit 6 and the second transport mechanism 8 are installed in the transport space 41 .

재치부(6)는, 제2 반송 기구(8)의 -X측에 배치되어 있다. 재치부(6)는, 제1 반송 기구(4)의 +X측에 배치되어 있다. 재치부(6)에는, 복수 장의 기판(W)이 재치된다. 재치부(6)는, 제1 반송 기구(4)와 제2 반송 기구(8) 사이에 배치된다. 재치부(6)에는, 제1 반송 기구(4)와 제2 반송 기구(8) 사이에서 반송되는 기판(W)이 재치된다. 재치부(6)에는, 상술한 제1 반송 기구(4)가 액세스 가능하다. 제1 반송 기구(4)는, 재치부(6)에 기판(W)을 반입하는 것이 가능하고, 재치부(6)로부터 기판(W)을 반출하는 것이 가능하다.The placement unit 6 is arranged on the -X side of the second transport mechanism 8. The placement unit 6 is arranged on the +X side of the first transport mechanism 4. A plurality of substrates W are placed in the placement unit 6 . The placement unit 6 is disposed between the first transport mechanism 4 and the second transport mechanism 8. The substrate W to be transported between the first transport mechanism 4 and the second transport mechanism 8 is placed on the placement unit 6 . The above-described first transport mechanism 4 is accessible to the placement unit 6. The first transport mechanism 4 is capable of loading the substrate W into the placement unit 6 and unloading the substrate W from the placement unit 6 .

재치부(6)에는, 복수 장의 기판(W)을 재치하는 것이 가능하다. 재치부(6)는, 예를 들면, Y축방향에 있어서 서로 대향하도록 배치된 한 쌍의 지지벽과, 복수의 선반을 구비하고 있다. 각 지지벽은, 예를 들면, XZ 평면을 따른 형상을 갖는다. 한 쌍의 지지벽은, 복수의 선반을 지지한다. 복수의 선반은, 연직 방향으로 나열되도록 배치되어 있다. 각 선반은, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 재치하는 것이 가능하다. 각 선반은, 예를 들면, +Y측의 지지벽의 내벽으로부터 -Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제3 지지부와, -Y측의 지지벽의 내벽으로부터 +Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제4 지지부를 갖는다. 각 선반에 있어서, 제3 지지부와 제4 지지부의 간격은, 기판(W)의 직경보다 작다. 각 선반은, 예를 들면, 제3 지지부와 제4 지지부에 의해, 기판(W)의 주연부의 하면을 지지한다. 복수의 선반은, 각 선반이 기판(W)을 지지할 때에, 연직 방향으로 서로 이웃하는 선반 사이에 있어서 기판(W)을 상방으로 이동시키는 것이 가능한 간격을 갖는다.It is possible to place a plurality of substrates W on the placement unit 6. The placement unit 6 includes, for example, a pair of support walls arranged to oppose each other in the Y-axis direction, and a plurality of shelves. Each support wall has a shape along, for example, the XZ plane. A pair of support walls supports a plurality of shelves. A plurality of shelves are arranged in a vertical line. Each shelf can place one board W in a horizontal position. Each shelf includes, for example, a third support portion that protrudes in the -Y direction from the inner wall of the support wall on the +Y side and extends along the X-axis direction, and a third support portion that protrudes in the +Y direction from the inner wall of the support wall on the -Y side. and also has a fourth support portion extending along the X-axis direction. In each shelf, the distance between the third support part and the fourth support part is smaller than the diameter of the substrate W. Each shelf supports the lower surface of the peripheral portion of the substrate W by, for example, a third support portion and a fourth support portion. When each shelf supports the substrate W, the plurality of shelves have a gap that allows the substrate W to be moved upward between shelves adjacent to each other in the vertical direction.

제2 반송 기구(8)는, 핸드(61)와, 핸드 구동부(62)를 구비한다.The second conveyance mechanism 8 includes a hand 61 and a hand drive unit 62.

핸드(61)는, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드(61)는, 기판(W)의 하면과 접촉함으로써, 기판(W)을 지지한다. 이때, 핸드(61)는, 예를 들면, 흡인부 등에 의해 기판(W)을 흡인해도 된다. 핸드 구동부(62)는, 핸드(61)에 연결되어 있다. 핸드 구동부(62)는, 핸드(61)를 이동시킨다.The hand 61 supports one substrate W in a horizontal position. The hand 61 supports the substrate W by contacting the lower surface of the substrate W. At this time, the hand 61 may suction the substrate W using, for example, a suction portion. The hand drive unit 62 is connected to the hand 61. The hand drive unit 62 moves the hand 61.

도 2에서 나타내어지는 바와 같이, 핸드 구동부(62)는, 지주(62a)와, 수직 이동부(62b)와, 회전부(62c)와, 진퇴 이동부(62d)를 구비하고 있다. 지주(62a)는, 처리 블록(5)의 하부에 고정되어 있다. 지주(62a)는, 연직 방향으로 연장되어 있다. 수직 이동부(62b)는, 지주(62a)에 지지되어 있다. 수직 이동부(62b)는, 지주(62a)에 대해 상하 방향(±Z방향)으로 이동한다. 회전부(62c)는, 수직 이동부(62b)에 지지되어 있다. 회전부(62c)는, 수직 이동부(62b)에 대해 회전한다. 회전부(62c)는, 가상적인 회전축(Ax2)을 중심으로 하여 회전한다. 가상적인 회전축(Ax2)은, 연직 방향과 평행이다. 진퇴 이동부(62d)는, 회전부(62c)의 방향에 의해 정해지는 수평 방향을 따른 한 방향으로 왕복 이동한다.As shown in FIG. 2, the hand drive unit 62 is provided with a support 62a, a vertical movement unit 62b, a rotation unit 62c, and a forward/backward movement unit 62d. The support 62a is fixed to the lower part of the processing block 5. The support 62a extends in the vertical direction. The vertical moving part 62b is supported on the support 62a. The vertical moving portion 62b moves in the vertical direction (±Z direction) with respect to the support column 62a. The rotating part 62c is supported by the vertical moving part 62b. The rotating part 62c rotates with respect to the vertical moving part 62b. The rotation unit 62c rotates around the virtual rotation axis Ax2. The virtual rotation axis Ax2 is parallel to the vertical direction. The forward/backward movement unit 62d reciprocates in one direction along the horizontal direction determined by the direction of the rotation unit 62c.

핸드(61)는, 진퇴 이동부(62d)에 고정되어 있다. 핸드(61)는, 핸드 구동부(62)에 의해, 수평 방향 및 상하 방향(±Z방향) 각각을 따라 평행하게 이동할 수 있다. 핸드(61)는, 가상적인 회전축(Ax2)을 중심으로 하여 회전할 수 있다. 이에 의해, 제2 반송 기구(8)는, 재치부(6) 및 모든 처리 유닛(7)에 액세스 가능하다. 제2 반송 기구(8)는, 재치부(6) 또는 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반입할 수 있음과 더불어, 재치부(6) 또는 처리 유닛(7)으로부터 기판(W)을 반출할 수 있다.The hand 61 is fixed to the forward/backward movement unit 62d. The hand 61 can move in parallel along each of the horizontal direction and the vertical direction (±Z direction) by the hand driving unit 62. The hand 61 can rotate around the virtual rotation axis Ax2. As a result, the second transfer mechanism 8 can access the placement unit 6 and all processing units 7. The second transport mechanism 8 can load the substrate W into the placement unit 6 or the processing unit 7 and also transport the substrate W from the placement unit 6 or the processing unit 7. It can be taken out.

각 처리 유닛(7)은, 1장의 기판(W)을 처리한다. 복수의 처리 유닛(7)은, 반송 스페이스(41)의 양측에 배치되어 있다. 복수의 처리 유닛(7)은, 제2 반송 기구(8)의 +Y측 및 -Y측 각각에 배치되어 있다. 구체적으로는, 처리 블록(5)은, 제1 처리 섹션(42)과, 제2 처리 섹션(43)을 구비한다. 제1 처리 섹션(42)과, 반송 스페이스(41)와, 제2 처리 섹션(43)은, -Y방향에 있어서 이 기재 순서로 나열되어 있다. 제1 처리 섹션(42)은, 반송 스페이스(41)의 +Y측에 배치되어 있다. 제2 처리 섹션(43)은, 반송 스페이스(41)의 -Y측에 배치되어 있다.Each processing unit 7 processes one substrate W. A plurality of processing units 7 are arranged on both sides of the conveyance space 41 . A plurality of processing units 7 are arranged on each of the +Y side and -Y side of the second conveyance mechanism 8. Specifically, the processing block 5 includes a first processing section 42 and a second processing section 43. The first processing section 42, the conveyance space 41, and the second processing section 43 are arranged in this order of description in the -Y direction. The first processing section 42 is arranged on the +Y side of the conveyance space 41. The second processing section 43 is arranged on the -Y side of the conveyance space 41.

도 3은, 기판 처리 장치(1)의 -Y측 부분의 개략적인 구성을 나타내는 측면도이다. 제2 처리 섹션(43)에는, 복수의 처리 유닛(7)이, X축방향 및 연직 방향(Z축방향) 각각을 따르도록 행렬형상으로 배치되어 있다. 예를 들면, 제2 처리 섹션(43)에는, 6개의 처리 유닛(7)이, 연직 방향(Z축방향)에 있어서 3단을 이루도록 배치되어 있다. 제2 처리 섹션(43)의 각 단에는, X축방향을 따라 나열된 2개의 처리 유닛이 배치되어 있다. 도시를 생략하고 있지만, 제1 처리 섹션(42)에도, 제2 처리 섹션(43)과 동일하게, 복수의 처리 유닛(7)이, X축방향 및 연직 방향(Z축방향) 각각을 따르도록 행렬형상으로 배치되어 있다. 예를 들면, 제1 처리 섹션(42)에는, 6개의 처리 유닛(7)이, 연직 방향(Z축방향)에 있어서 3단을 이루도록 배치되어 있다. 제1 처리 섹션(42)의 각 단에는, X축방향을 따라 나열된 2개의 처리 유닛이 배치되어 있다.FIG. 3 is a side view showing the schematic configuration of the -Y side portion of the substrate processing apparatus 1. In the second processing section 43, a plurality of processing units 7 are arranged in a matrix along the X-axis direction and the vertical direction (Z-axis direction), respectively. For example, in the second processing section 43, six processing units 7 are arranged in three stages in the vertical direction (Z-axis direction). At each stage of the second processing section 43, two processing units are arranged along the X-axis direction. Although not shown, in the first processing section 42, as in the second processing section 43, a plurality of processing units 7 are arranged along the X-axis direction and the vertical direction (Z-axis direction), respectively. It is arranged in a matrix shape. For example, in the first processing section 42, six processing units 7 are arranged in three stages in the vertical direction (Z-axis direction). At each stage of the first processing section 42, two processing units are arranged along the X-axis direction.

<1-1-3. 제어부><1-1-3. Control section>

도 4는, 기판 처리 장치(1)를 제어하기 위한 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다. 제어부(9)는, 바코드 리더(31), 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 복수의 처리 유닛(7)과 통신 가능하게 접속되어 있다. 제어부(9)는, 예를 들면, 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 복수의 처리 유닛(7)을 제어한다.FIG. 4 is a block diagram showing a functional configuration for controlling the substrate processing apparatus 1. The control unit 9 is communicatively connected to the barcode reader 31, the first conveyance mechanism 4, the second conveyance mechanism 8, and a plurality of processing units 7. The control unit 9 controls, for example, the first conveyance mechanism 4, the second conveyance mechanism 8, and the plurality of processing units 7.

도 5는, 제어부(9)의 일 구성예를 나타내는 블록도이다. 제어부(9)는, 예를 들면, 일반적인 컴퓨터 등으로 실현된다. 제어부(9)는, 예를 들면, 버스 라인(9Bu)을 통해 접속된, 통신부(91), 입력부(92), 출력부(93), 기억부(94), 처리부(95) 및 드라이브(96)를 갖는다.FIG. 5 is a block diagram showing an example of the configuration of the control unit 9. The control unit 9 is realized by, for example, a general computer. The control unit 9 includes, for example, a communication unit 91, an input unit 92, an output unit 93, a storage unit 94, a processing unit 95, and a drive 96 connected via a bus line 9Bu. ) has.

통신부(91)는, 예를 들면, 바코드 리더(31), 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 복수의 처리 유닛(7) 각각의 사이에 있어서의 통신 회선을 통한 신호의 송수신을 행한다. 통신부(91)는, 예를 들면, 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위한 관리용 서버로부터의 신호를 수신해도 된다.The communication unit 91 provides, for example, a signal via a communication line between the barcode reader 31, the first conveyance mechanism 4, the second conveyance mechanism 8, and the plurality of processing units 7. Transmit and receive. The communication unit 91 may receive a signal from a management server for managing the substrate processing apparatus 1, for example.

입력부(92)는, 예를 들면, 오퍼레이터의 동작 등에 따른 신호를 입력한다. 입력부(92)는, 예를 들면, 조작에 따른 신호를 입력 가능한 마우스 및 키보드 등의 조작부, 음성에 따른 신호를 입력 가능한 마이크 및 움직임에 따른 신호를 입력 가능한 각종 센서 등을 포함한다.The input unit 92 inputs signals according to operator actions, etc., for example. The input unit 92 includes, for example, operation units such as a mouse and keyboard capable of inputting signals according to manipulation, a microphone capable of inputting signals according to voice, and various sensors capable of inputting signals according to movement.

출력부(93)는, 예를 들면, 각종 정보를 오퍼레이터가 인식 가능한 양태로 출력한다. 출력부(93)는, 예를 들면, 각종 정보를 가시적으로 출력하는 표시부 및 각종 정보를 가청적으로 출력하는 스피커 등을 포함한다. 표시부는, 예를 들면, 입력부(92)의 적어도 일부와 일체화된 터치 패널의 형태를 갖고 있어도 된다.For example, the output unit 93 outputs various types of information in a form that can be recognized by the operator. The output unit 93 includes, for example, a display unit that visually outputs various information and a speaker that audibly outputs various information. For example, the display unit may have the form of a touch panel integrated with at least a part of the input unit 92.

기억부(94)는, 예를 들면, 프로그램(Pg1) 및 각종 정보를 기억한다. 기억부(94)는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체로 구성된다. 기억부(94)에는, 예를 들면, 1개의 기억 매체를 갖는 구성, 2개 이상의 기억 매체를 일체적으로 갖는 구성, 및 2개 이상의 기억 매체를 2개 이상의 부분으로 나누어 갖는 구성 중 어느 것이 적용되어도 된다. 기억 매체는, 예를 들면, 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 처리 유닛(7)의 동작 조건에 관한 정보를 기억한다. 처리 유닛(7)의 동작 조건에 관한 정보는, 예를 들면, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 레시피(프로세스 레시피)를 포함한다. 기억 매체는, 예를 들면, 각 기판(W)을 식별하기 위한 정보를 기억하고 있어도 된다.The storage unit 94 stores, for example, a program Pg1 and various types of information. The storage unit 94 is composed of a non-volatile storage medium such as a hard disk or flash memory, for example. The storage unit 94 may, for example, have one of the following configurations: a configuration having one storage medium, a configuration having two or more storage media integrally, and a configuration having two or more storage media divided into two or more parts. It's okay. The storage medium stores, for example, information about the operating conditions of the first conveyance mechanism 4, the second conveyance mechanism 8, and the processing unit 7. Information about the operating conditions of the processing unit 7 includes, for example, a processing recipe (process recipe) for processing the substrate W. For example, the storage medium may store information for identifying each substrate W.

처리부(95)는, 예를 들면, 프로세서로서 기능하는 연산 처리부(95a) 및 연산 처리의 작업 영역으로서의 메모리(95b) 등을 포함한다. 연산 처리부(95a)에는, 예를 들면, 중앙 연산 장치(CPU) 등의 전자 회로가 적용되고, 메모리(95b)에는, 예를 들면, RAM(Random Access Memory) 등이 적용된다. 처리부(95)는, 예를 들면, 기억부(94)에 기억된 프로그램(Pg1)을 읽어들여 실행함으로써, 제어부(9)의 기능을 실현한다. 이 때문에, 제어부(9)에서는, 예를 들면, 프로그램(Pg1)에 기술된 순서에 따라 처리부(95)가 연산 처리를 행함으로써, 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 제어하는 각종 기능부가 실현된다. 즉, 기판 처리 장치(1)에 포함되는 제어부(9)에 의해 프로그램(Pg1)이 실행됨으로써, 기판 처리 장치(1)의 기능 및 동작이 실현될 수 있다. 제어부(9)에서 실현되는 일부 혹은 전부의 기능부는, 예를 들면, 전용의 논리 회로 등으로 하드웨어적으로 실현되어도 된다.The processing unit 95 includes, for example, an arithmetic processing unit 95a functioning as a processor and a memory 95b as a work area for arithmetic processing. For example, an electronic circuit such as a central processing unit (CPU) is applied to the calculation processing unit 95a, and a RAM (Random Access Memory) or the like is applied to the memory 95b, for example. The processing unit 95 realizes the functions of the control unit 9 by, for example, reading and executing the program Pg1 stored in the storage unit 94. For this reason, in the control unit 9, various functions are included to control the operation of each unit of the substrate processing apparatus 1, for example, by the processing unit 95 performing calculation processing according to the order described in the program Pg1. It comes true. That is, by executing the program Pg1 by the control unit 9 included in the substrate processing apparatus 1, the functions and operations of the substrate processing apparatus 1 can be realized. Some or all of the functional units realized in the control unit 9 may be realized in hardware, for example, with a dedicated logic circuit.

드라이브(96)는, 예를 들면, 가반성의 기억 매체(Sm1)의 탈착이 가능한 부분이다. 드라이브(96)는, 예를 들면, 기억 매체(Sm1)가 장착되어 있는 상태로, 이 기억 매체(Sm1)와 처리부(95) 사이에 있어서의 데이터의 주고 받음을 행하게 한다. 드라이브(96)는, 프로그램(Pg1)이 기억된 기억 매체(Sm1)가 드라이브(96)에 장착된 상태로, 기억 매체(Sm1)로부터 기억부(94) 내에 프로그램(Pg1)을 읽어들이게 하여 기억시킨다.The drive 96 is, for example, a removable part of the portable storage medium Sm1. For example, the drive 96 allows data to be exchanged between the storage medium Sm1 and the processing unit 95 while the storage medium Sm1 is mounted. The drive 96 stores the program Pg1 by reading it from the storage medium Sm1 into the storage unit 94 while the storage medium Sm1 in which the program Pg1 is stored is mounted on the drive 96. I order it.

여기서, 기판 처리 장치(1) 전체에 있어서의 동작의 일례에 대해 설명한다. 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 제어부(9)가, 기판(W)의 반송 순서 및 처리 조건 등을 기술한 레시피에 따라, 기판 처리 장치(1)가 구비하는 각 부를 제어함으로써, 이하에 설명하는 일련의 동작이 실행된다.Here, an example of the operation of the entire substrate processing apparatus 1 will be described. In the substrate processing apparatus 1, for example, the control unit 9 controls each unit included in the substrate processing apparatus 1 according to a recipe that describes the transfer order and processing conditions of the substrate W, etc. A series of operations described below are executed.

미처리의 기판(W)을 수용한 캐리어(C)가 캐리어 재치부(3) 상에 재치되면, 제1 반송 기구(4)가, 이 캐리어(C)로부터 미처리의 기판(W)을 꺼낸다. 이때, 제어부(9)는, 바코드 리더(31)의 검출 결과(기판(W)의 형상에 관한 정보 등)에 따라, 핸드 구동부(34)를 제어한다. 그리고, 제1 반송 기구(4)는, 재치부(6)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 제2 반송 기구(8)는, 재치부(6)로부터 레시피 등에서 지정된 처리 유닛(7)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 또한, 제1 반송 기구(4)와 제2 반송 기구(8) 사이에 있어서의 기판(W)의 수도(受渡)는, 예를 들면, 핸드(33)와 핸드(61) 사이에서 직접 행해져도 된다. 기판(W)이 반입된 처리 유닛(7)은, 기판(W)에 대해, 정해진 처리를 실행한다. 처리 유닛(7)에 있어서 기판(W)에 대한 처리가 종료되면, 제2 반송 기구(8)는, 처리가 완료된 기판(W)을 처리 유닛(7)으로부터 꺼낸다. 제2 반송 기구(8)는, 처리가 완료된 기판(W)을 재치부(6)에 반송한다. 제1 반송 기구(4)는, 재치부(6)로부터 캐리어 재치부(3) 상의 캐리어(C)에 기판(W)을 반송한다. 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 반송 기구(4) 및 제2 반송 기구(8)가 레시피에 따라 상술한 반송 동작을 반복하여 행함과 더불어, 각 처리 유닛(7)이 처리 레시피에 따라 기판(W)에 대한 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)에 대한 처리가 잇달아 행해진다.When the carrier C containing the unprocessed substrate W is placed on the carrier placing unit 3, the first transport mechanism 4 takes out the unprocessed substrate W from this carrier C. At this time, the control unit 9 controls the hand drive unit 34 according to the detection result of the barcode reader 31 (information about the shape of the substrate W, etc.). Then, the first transport mechanism 4 transports the unprocessed substrate W to the placement unit 6 . The second transport mechanism 8 transports the unprocessed substrate W from the placement unit 6 to the processing unit 7 specified in the recipe or the like. In addition, the transfer of the substrate W between the first transfer mechanism 4 and the second transfer mechanism 8 may be performed directly between the hand 33 and the hand 61, for example. do. The processing unit 7 into which the substrate W is loaded performs a specified process on the substrate W. When processing of the substrate W in the processing unit 7 is completed, the second transport mechanism 8 takes out the processed substrate W from the processing unit 7 . The second transport mechanism 8 transports the processed substrate W to the placement unit 6 . The first transport mechanism 4 transports the substrate W from the placement unit 6 to the carrier C on the carrier placement unit 3. In the substrate processing apparatus 1, the first transfer mechanism 4 and the second transfer mechanism 8 repeatedly perform the above-described transfer operation according to the recipe, and each processing unit 7 processes the substrate according to the processing recipe. Execute processing for (W). Thereby, processing on the substrate W is performed one after another.

<1-2. 처리 유닛의 구성><1-2. Configuration of processing unit>

각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해, 에칭, 세정, 소수화 및 건조를, 이 기재 순서로 행하는 일련의 기판 처리를 실행 가능한 매엽식의 처리 유닛이다.Each processing unit 7 is a single-wafer type processing unit capable of performing a series of substrate treatments, for example, etching, cleaning, hydrophobization, and drying on the upper surface Wu of the substrate W in the order described above. am.

도 6은, 처리 유닛(7)의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 7은, 처리 유닛(7)의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.FIG. 6 is a side view schematically showing an example of the configuration of the processing unit 7. FIG. 7 is a plan view schematically showing an example of the internal configuration of the processing unit 7.

도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 내부에 처리 공간을 형성하는 처리 챔버(7w)를 구비하고 있다. 처리 챔버(7w)에는, 예를 들면, 제2 반송 기구(8)의 핸드(61)를 처리 챔버(7w)의 내부에 삽입시키기 위한 반출입구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 반출입구에는, 예를 들면, 처리 유닛(7)의 내부에 핸드(61)가 삽입될 때에 개방되고, 처리 유닛(7)의 내부에 핸드(61)가 삽입되지 않을 때에 폐색되는 셔터 등이 설치되어 있다. 이 때문에, 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 제2 반송 기구(8)가 배치되어 있는 반송 스페이스(41)에, 이 반출입구를 대향시키도록 하여 위치하고 있다.As shown in FIG. 6, each processing unit 7 is provided with, for example, a processing chamber 7w forming a processing space therein. The processing chamber 7w is provided with an inlet/outlet (not shown) for inserting, for example, the hand 61 of the second transfer mechanism 8 into the processing chamber 7w. This loading/unloading port has, for example, a shutter that opens when the hand 61 is inserted into the processing unit 7 and is closed when the hand 61 is not inserted into the processing unit 7. It is installed. For this reason, the processing unit 7 is located, for example, in the transfer space 41 where the second transfer mechanism 8 is arranged, with its loading and unloading ports facing each other.

여기서, 처리 유닛(7)의 구체적인 구성에 대해 설명한다.Here, the specific configuration of the processing unit 7 will be described.

도 1 및 도 3에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)를 구비하고 있다. 회전 유지 기구(72)는, 예를 들면, 유지부(720)를 갖는다.As shown in FIGS. 1 and 3, each processing unit 7 is provided with a rotation holding mechanism 72, for example. The rotation holding mechanism 72 has a holding portion 720, for example.

유지부(720)는, 예를 들면, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 유지한다. 유지부(720)에는, 메커니컬 척 또는 메커니컬 그리퍼가 적용되어도 되고, 베르누이 척 또는 베르누이 그리퍼가 적용되어도 된다. 메커니컬 척은, 예를 들면, 비교적 두꺼운 기판(W)을 유지하는데 적합하고, 베르누이 척은, 예를 들면, 비교적 얇은 기판(W)을 유지하는데 적합하다. 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 처리 섹션(42)에 배치되는 6개의 처리 유닛(7)은, 각각, 유지부(720)에 메커니컬 척 또는 메커니컬 그리퍼가 적용된 제1 처리 유닛(7A)이다. 예를 들면, 제2 처리 섹션(43)에 배치되는 6개의 처리 유닛(7)은, 각각, 유지부(720)에 베르누이 척 또는 베르누이 그리퍼가 적용된 제2 처리 유닛(7B)이다. 도 6 및 도 7에는, 제1 처리 유닛(7A)의 일 구성예가 나타내어져 있다. 여기에서는, 처리 유닛(7)의 일 구성예로서, 제1 처리 유닛(7A)의 구성을 예로 들어 설명한다.The holding portion 720 holds, for example, one substrate W in a horizontal position. A mechanical chuck or mechanical gripper may be applied to the holding portion 720, or a Bernoulli chuck or Bernoulli gripper may be applied. A mechanical chuck is suitable for holding a relatively thick substrate W, for example, and a Bernoulli chuck is suitable for holding a relatively thin substrate W, for example. In the first embodiment, for example, the six processing units 7 disposed in the first processing section 42 are each a first processing unit 7A in which a mechanical chuck or mechanical gripper is applied to the holding portion 720. )am. For example, the six processing units 7 disposed in the second processing section 43 are second processing units 7B in which a Bernoulli chuck or Bernoulli gripper is applied to the holding portion 720, respectively. 6 and 7 show an example of the configuration of the first processing unit 7A. Here, as an example of a configuration of the processing unit 7, the configuration of the first processing unit 7A will be described as an example.

도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 유지부(720)는, 예를 들면, 스핀 베이스(723)와, 복수 개의 척 핀(724)을 갖는다. 스핀 베이스(723)는, 예를 들면, 대략 수평 자세의 원판형상의 부재이다. 복수 개의 척 핀(724)은, 예를 들면, 스핀 베이스(723)의 상면측의 주연부 부근에 세워져 설치되어 있고, 기판(W)의 주연부를 파지함으로써, 기판(W)을 유지하는 것이 가능한 부분이다. 구체적으로는, 예를 들면, 복수 개의 척 핀(724)이, 기판(W)을 수평 자세로 유지할 수 있다. 척 핀(724)은, 예를 들면, 원형의 기판(W)을 확실하게 유지하기 위해서 3개 이상 설치되어 있으면 되고, 스핀 베이스(723)의 주연부를 따라 등각도 간격으로 배치되어 있다. 각 척 핀(724)은, 예를 들면, 기판(W)의 주연부를 하방으로부터 지지하는 부분(기판 지지부라고도 한다)과, 기판 지지부에 지지된 기판(W)의 외주 단면을 압압하여 기판(W)을 유지하는 부분(기판 파지부라고도 한다)을 갖는다. 또, 각 척 핀(724)은, 기판 파지부가 기판(W)의 외주 단면을 압압하는 압압 상태와, 기판 파지부가 기판(W)의 외주 단면으로부터 멀어지는 해방 상태 사이에서 전환 가능하게 구성되어 있다. 여기서, 제2 반송 기구(8)가 유지부(720)에 대해 기판(W)을 수도할 때에는, 각 척 핀(724)이 해방 상태가 되고, 기판(W)에 대해 기판 처리를 실시할 때에는, 각 척 핀(724)이 압압 상태가 된다. 각 척 핀(724)이 압압 상태가 되면, 각 척 핀(724)은 기판(W)의 주연부를 파지하고, 기판(W)이 스핀 베이스(723)로부터 소정 간격을 두고 대략 수평 자세로 유지된다.As shown in FIG. 6, the holding portion 720 has, for example, a spin base 723 and a plurality of chuck pins 724. The spin base 723 is, for example, a disc-shaped member in a substantially horizontal position. The plurality of chuck pins 724 are, for example, installed erectly near the periphery of the upper surface side of the spin base 723, and are capable of holding the substrate W by gripping the peripheral portion of the substrate W. am. Specifically, for example, the plurality of chuck pins 724 can maintain the substrate W in a horizontal position. For example, three or more chuck pins 724 may be installed to reliably hold the circular substrate W, and are arranged at equiangular intervals along the periphery of the spin base 723. Each chuck pin 724, for example, presses a portion supporting the peripheral portion of the substrate W from below (also referred to as a substrate support portion) and an outer peripheral end surface of the substrate W supported on the substrate support portion to form a substrate W ) has a part (also called a substrate holding part) that holds the part. Additionally, each chuck pin 724 is configured to be switchable between a pressing state in which the substrate holding portion presses the outer peripheral end surface of the substrate W and a release state in which the substrate holding portion moves away from the outer peripheral end surface of the substrate W. Here, when the second transfer mechanism 8 transfers the substrate W to the holding portion 720, each chuck pin 724 is released, and when substrate processing is performed on the substrate W, , each chuck pin 724 is in a pressed state. When each chuck pin 724 is pressed, each chuck pin 724 grips the peripheral portion of the substrate W, and the substrate W is maintained in a substantially horizontal position at a predetermined distance from the spin base 723. .

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 회전 유지 기구(72)는, 예를 들면, 중심축(721) 및 회전 기구(722)를 갖는다.Moreover, as shown in FIG. 6, the rotation holding mechanism 72 has a central axis 721 and a rotation mechanism 722, for example.

중심축(721)은, 예를 들면, 연직 방향(Z축 방향)을 따른 길이 방향과 진원형상의 단면을 갖는 봉형상의 부재이다. 예를 들면, 중심축(721)의 상단부에, 스핀 베이스(723)의 하면의 대략 중앙이 나사 등의 체결 부품으로 고정되어 있다.The central axis 721 is, for example, a rod-shaped member having a longitudinal direction along the vertical direction (Z-axis direction) and a circular cross-section. For example, approximately the center of the lower surface of the spin base 723 is fixed to the upper end of the central axis 721 with a fastening part such as a screw.

회전 기구(722)는, 예를 들면, 중심축(721)을 회전시키기 위한 모터 등의 구동력을 발생시키는 부분(제1 구동부라고도 한다)이다. 여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라 회전 기구(722)에 의해 중심축(721)이 회전되면, 중심축(721)에 고정된 스핀 베이스(723)가, 연직 방향을 따라 신장되는 가상적인 축(회전축이라고도 한다)(72a)을 중심으로 하여 회전한다. 즉, 회전 기구(722)는, 회전축(72a)을 중심으로 하여 유지부(720)를 회전시킬 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 유지부(720)에 의해 대략 수평 자세로 유지된 기판(W)이 회전축(72a)을 중심으로 하여 회전된다. 회전축(72a)은, 예를 들면, 유지부(720)에 유지된 기판(W)에 있어서의 상면(Wu) 및 하면(Wb) 각각의 중심을 지난다.The rotation mechanism 722 is a part (also referred to as a first drive unit) that generates a driving force, such as a motor for rotating the central axis 721, for example. Here, for example, when the central axis 721 is rotated by the rotation mechanism 722 in accordance with an operation command from the control unit 9, the spin base 723 fixed to the central axis 721 is rotated in the vertical direction. It rotates around a virtual axis (also called a rotation axis) 72a that extends along . That is, the rotation mechanism 722 can rotate the holding portion 720 around the rotation axis 72a. As a result, for example, the substrate W held in a substantially horizontal position by the holding portion 720 is rotated around the rotation axis 72a. The rotation axis 72a passes through the centers of the upper surface Wu and the lower surface Wb of the substrate W held by the holding portion 720, for example.

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 가드(73)를 구비하고 있다.Additionally, as shown in FIG. 6, each processing unit 7 is provided with a guard 73, for example.

가드(73)는, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 가드(73)는, 예를 들면, 승강 구동부(73m)에 의해 서로 독립적으로 승강 가능한 복수의 가드부를 갖는다. 구체적으로는, 가드(73)는, 예를 들면, 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733)를 갖는다. 승강 구동부(73m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 승강 구동부(73m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733) 각각을, 연직 방향을 따라 승강시킬 수 있는 부분(제2 구동부라고도 한다)으로서 기능한다. 바꾸어 말하면, 제어부(9)는, 승강 구동부(73m)에 의해 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733) 각각을 연직 방향을 따라 승강시킨다. 이에 의해, 제어부(9)는, 승강 구동부(73m)에 의해, 제1~3 가드부(731, 732, 733)를, 각각 상승된 위치(상승 위치라고도 한다)와 하강된 위치(하강 위치라고도 한다) 사이에서 승강시킨다. 그 결과, 예를 들면, 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733) 중 어느 하나에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 처리액을 받아 회수할 수 있다.The guard 73 is arranged to surround the side of the rotation holding mechanism 72 . The guard 73 has a plurality of guard parts that can be raised and lowered independently of each other by, for example, a lifting drive unit 73m. Specifically, the guard 73 has, for example, a first guard portion 731, a second guard portion 732, and a third guard portion 733. For example, various mechanisms such as a ball screw mechanism or an air cylinder can be applied to the lifting drive unit 73m. Accordingly, the lifting drive unit 73m operates each of the first guard unit 731, the second guard unit 732, and the third guard unit 733 according to an operation command from the control unit 9, for example. , It functions as a part that can be raised and lowered along the vertical direction (also referred to as a second driving part). In other words, the control unit 9 raises and lowers each of the first guard unit 731, the second guard unit 732, and the third guard unit 733 along the vertical direction by the lifting drive unit 73m. As a result, the control unit 9 moves the first to third guard parts 731, 732, and 733 to an elevated position (also referred to as a raised position) and a lowered position (also referred to as a lowered position), respectively, by the lifting drive unit 73m. ) is raised and lowered in between. As a result, for example, the process of scattering from the upper surface Wu of the substrate W by any one of the first guard part 731, the second guard part 732, and the third guard part 733 The liquid can be collected and recovered.

제1 가드부(731)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 둘러싸도록 배치된다. 제1 가드부(731)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)에 유지된 기판(W)의 중심을 지나는 회전축(72a)에 대해 대략 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 제1 가드부(731)는, 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 한 원통형상의 형상을 갖는 측벽부와, 회전축(72a)을 중심으로 한 원환형상의 형상을 갖고 또한 측벽부의 상단부로부터 회전축(72a)에 가까워지도록 비스듬한 상방으로 신장되어 있는 상방 경사부를 갖는다.The first guard portion 731 is arranged to surround the side of the rotation holding mechanism 72, for example. The first guard portion 731 has a shape that is substantially rotationally symmetrical with respect to the rotation axis 72a passing through the center of the substrate W held by the rotation holding mechanism 72, for example. This first guard portion 731, for example, has a side wall portion having a cylindrical shape centered on the rotation axis 72a, and an annular shape centered on the rotation axis 72a, and is formed from the upper end of the side wall portion. It has an upward inclined portion extending obliquely upward so as to approach the rotation axis 72a.

제2 가드부(732)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 둘러싸도록 위치하고 있는 제1 가드부(731)의 외주부를 추가로 측방으로부터 둘러싸도록 배치되어 있다. 제2 가드부(732)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)에 유지된 기판(W)의 중심을 지나는 회전축(72a)에 대해 대략 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 제2 가드부(732)는, 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 한 원통형상의 형상을 갖는 측벽부와, 회전축(72a)을 중심으로 한 원환형상의 형상을 갖고 또한 측벽부의 상단부로부터 회전축(72a)에 가까워지도록 비스듬한 상방으로 신장되어 있는 상방 경사부를 갖는다.The second guard portion 732 is arranged to further surround the outer periphery of the first guard portion 731, which is positioned to surround the lateral periphery of the rotation holding mechanism 72, from the side, for example. The second guard portion 732 has a shape that is substantially rotationally symmetrical with respect to the rotation axis 72a passing through the center of the substrate W held by the rotation holding mechanism 72, for example. This second guard portion 732, for example, has a side wall portion having a cylindrical shape centered on the rotation axis 72a, and an annular shape centered on the rotation axis 72a, and is formed from the upper end of the side wall portion. It has an upward inclined portion extending obliquely upward so as to approach the rotation axis 72a.

제3 가드부(733)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 순차적으로 둘러싸도록 위치하고 있는 제1 가드부(731) 및 제2 가드부(732)의 외주부를 추가로 측방으로부터 둘러싸도록 배치되어 있다. 제3 가드부(733)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)에 유지된 기판(W)의 중심을 지나는 회전축(72a)에 대해 대략 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 제3 가드부(733)는, 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 한 원통형상의 형상을 갖는 측벽부와, 회전축(72a)을 중심으로 한 원환형상의 형상을 갖고 또한 측벽부의 상단부로부터 회전축(72a)에 가까워지도록 비스듬한 상방으로 신장되어 있는 상방 경사부를 갖는다.For example, the third guard portion 733 further extends the outer periphery of the first guard portion 731 and the second guard portion 732, which are positioned to sequentially surround the lateral surface of the rotation holding mechanism 72. It is arranged to surround from. The third guard portion 733 has a shape that is substantially rotationally symmetrical with respect to the rotation axis 72a passing through the center of the substrate W held by the rotation holding mechanism 72, for example. This third guard portion 733, for example, has a side wall portion having a cylindrical shape centered on the rotation axis 72a, and an annular shape centered on the rotation axis 72a, and is formed from the upper end of the side wall portion. It has an upward inclined portion extending obliquely upward so as to approach the rotation axis 72a.

여기서, 예를 들면, 제1 가드부(731)가, 유지부(720)를 측방으로부터 둘러싸도록 상승 위치에 배치되어 있는 경우에는, 회전 유지 기구(72)에 유지되어 회전되어 있는 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 토출된 처리액이, 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 제1 가드부(731)를 향해 비산하고, 제1 가드부(731)의 회전축(72a) 측의 벽면(내벽면이라고도 한다)으로 받아진다. 제1 가드부(731)로 받아진 처리액은, 예를 들면, 제1 가드부(731)의 내벽면을 따라 흘러내리고, 제1 배액조(734) 및 제1 배액 포트(737)를 통해 회수된다.Here, for example, when the first guard portion 731 is disposed in a raised position to surround the holding portion 720 from the side, the substrate W held and rotated by the rotation holding mechanism 72 The processing liquid discharged toward the upper surface Wu scatters from the upper surface Wu of the substrate W toward the first guard portion 731, and the wall surface on the rotation axis 72a side of the first guard portion 731 It is accepted as (also called inner wall surface). The treatment liquid received into the first guard part 731 flows down, for example, along the inner wall surface of the first guard part 731 and through the first drain tank 734 and the first drain port 737. It is recovered.

또, 여기서, 예를 들면, 제1 가드부(731)가 하강 위치까지 하강되고, 제2 가드부(732)가 유지부(720)를 측방으로부터 둘러싸도록 상승 위치에 배치되어 있는 경우에는, 회전 유지 기구(72)에 유지되어 회전되어 있는 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 토출된 처리액이, 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 제2 가드부(732)를 향해 비산하고, 제2 가드부(732)의 회전축(72a) 측의 벽면(내벽면이라고도 한다)으로 받아진다. 제2 가드부(732)로 받아진 처리액은, 예를 들면, 제2 가드부(732)의 내벽면을 따라 흘러내리고, 제2 배액조(735) 및 제2 배액 포트(738)를 통해 회수된다.In addition, here, for example, when the first guard portion 731 is lowered to the lowered position and the second guard portion 732 is disposed at the raised position to surround the holding portion 720 from the side, rotation The processing liquid discharged toward the upper surface Wu of the substrate W held and rotated by the holding mechanism 72 scatters from the upper surface Wu of the substrate W toward the second guard portion 732, It is received by the wall surface (also referred to as the inner wall surface) on the rotation axis 72a side of the second guard portion 732. The treatment liquid received into the second guard part 732 flows down, for example, along the inner wall surface of the second guard part 732 and through the second drain tank 735 and the second drain port 738. It is recovered.

또, 여기서, 예를 들면, 제1 가드부(731) 및 제2 가드부(732) 각각이 하강 위치까지 하강되고, 제3 가드부(733)가 유지부(720)를 측방으로부터 둘러싸도록 상승 위치에 배치되어 있는 경우에는, 회전 유지 기구(72)에 유지되어 회전되어 있는 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 토출된 처리액이, 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 제3 가드부(733)를 향해 비산하고, 제3 가드부(733)의 회전축(72a) 측의 벽면(내벽면이라고도 한다)으로 받아진다. 제3 가드부(733)로 받아진 액체는, 예를 들면, 제3 가드부(733)의 내벽면을 따라 흘러내리고, 제3 배액조(736) 및 제3 배액 포트(739)를 통해 회수된다.Also, here, for example, each of the first guard portion 731 and the second guard portion 732 is lowered to the lowered position, and the third guard portion 733 is raised to surround the holding portion 720 from the side. When placed in the position, the processing liquid discharged toward the upper surface Wu of the substrate W held and rotated by the rotation holding mechanism 72 flows from the upper surface Wu of the substrate W to the third guard. It scatters toward the part 733 and is received by the wall surface (also referred to as the inner wall surface) on the side of the rotation axis 72a of the third guard part 733. The liquid received in the third guard part 733 flows down, for example, along the inner wall surface of the third guard part 733 and is recovered through the third drain tank 736 and the third drain port 739. do.

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n), 제1~3 액 공급로(751p, 752p, 753p) 및 제1~3 변경부(751v, 752v, 753v)를 구비하고 있다.In addition, as shown in FIG. 6, each processing unit 7 includes, for example, first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n, and first to third liquid supply passages 751p, 752p, and 753p. ) and 1st to 3rd change units (751v, 752v, 753v).

제1 액 토출부(751n)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 토출구(제1 토출구라고도 한다)(751o)로부터 처리액(제1 처리액이라고도 한다)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제1 처리액을 공급한다. 제1 액 토출부(751n)는, 예를 들면, 제1 처리액을 연속류의 상태로 토출하는 스트레이트 노즐 등의 노즐을 포함한다. 제1 처리액은, 예를 들면, 희불산(DHF：Diluted Hydrofluoric acid), 불산-과산화수소수 혼합액(FPM：Hydrofluoric Peroxide Mixture) 또는 인산 등의 기판(W)에 대한 에칭을 실시하는 것이 가능한 액체(약액이라고도 한다)를 포함한다.For example, the first liquid discharge portion 751n has a discharge port (also referred to as a first discharge port) 751o directed in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding portion 720. By discharging the processing liquid (also referred to as the first processing liquid) from , the first processing liquid is supplied on the upper surface Wu. The first liquid discharge unit 751n includes a nozzle, such as a straight nozzle, that discharges the first processing liquid in a continuous flow. The first treatment liquid is a liquid capable of etching the substrate W, for example, diluted hydrofluoric acid (DHF), hydrofluoric acid-hydrogen peroxide mixture (FPM), or phosphoric acid. (also called chemical solution).

제1 액 공급로(751p)는, 제1 처리액의 공급원(제1 공급원이라고도 한다)과 제1 액 토출부(751n)를 접속하고 있다. 제1 액 공급로(751p)에는, 예를 들면, 각종 배관 등이 적용된다. 제1 공급원은, 예를 들면, 약액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 약액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다.The first liquid supply path 751p connects the first processing liquid supply source (also referred to as the first supply source) with the first liquid discharge unit 751n. For example, various pipes are applied to the first liquid supply passage 751p. The first supply source includes, for example, a tank storing the chemical solution and a mechanism such as a pump for delivering the chemical solution from the tank.

제1 변경부(751v)는, 제1 액 공급로(751p)의 도중에 위치하고, 예를 들면, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 제1 변경부(751v)는, 예를 들면, 조임 정도(개도라고도 한다)를 조정함으로써 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 것이 가능한 니들 밸브 등의 유량 제어 밸브를 포함한다. 유량 제어 밸브에 있어서의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 모터의 위치를 나타내는 펄스 수 등에 의해 나타내어진다. 유량 제어 밸브의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 펄스 수 등에 관한 동작 지령에 따라 변경된다. 이 때문에, 예를 들면, 제어부(9)는, 제1 변경부(751v)의 개도를 제어함으로써, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액의 토출의 유무를 제어할 수 있음과 더불어, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 제1 처리액이 토출되는 속도(토출 속도라고도 한다) 및 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 단위 시간당 제1 처리액이 토출되는 양(토출량이라고도 한다)을 변경할 수 있다.The first change unit 751v is located in the middle of the first liquid supply path 751p and, for example, changes the supply amount of the first processing liquid from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n per unit time. The first change unit 751v is a needle capable of changing the supply amount of the first treatment liquid from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n per unit time, for example, by adjusting the tightening degree (also referred to as the opening degree). Including flow control valves such as valves. The degree of tightening (opening degree) in the flow control valve is expressed, for example, by the number of pulses indicating the position of the motor. For example, the tightening degree (opening degree) of the flow control valve changes in accordance with an operation command regarding the number of pulses, etc. from the control unit 9. For this reason, for example, the control unit 9 controls the opening degree of the first change unit 751v, thereby performing the first process on the upper surface Wu of the substrate W from the first liquid discharge unit 751n. In addition to being able to control the presence or absence of liquid discharge, the speed at which the first processing liquid is discharged from the first liquid discharge portion 751n onto the upper surface Wu of the substrate W (also referred to as discharge speed) and the The amount (also referred to as the discharge amount) of the first processing liquid discharged from the liquid discharge unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W per unit time can be changed.

제2 액 토출부(752n)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 토출구(제2 토출구라고도 한다)(752o)로부터 처리액(제2 처리액이라고도 한다)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제2 처리액을 공급한다. 제2 액 토출부(752n)는, 예를 들면, 제2 처리액을 연속류의 상태로 토출하는 스트레이트 노즐 등의 노즐을 포함한다. 제2 처리액은, 예를 들면, 이소프로필알코올(IPA) 등의 용제를 포함한다.For example, the second liquid discharge portion 752n has a discharge port (also referred to as a second discharge port) 752o directed in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding portion 720. By discharging the processing liquid (also referred to as the second processing liquid) from , the second processing liquid is supplied on the upper surface Wu. The second liquid discharge unit 752n includes a nozzle, such as a straight nozzle, that discharges the second processing liquid in a continuous flow. The second treatment liquid contains a solvent such as isopropyl alcohol (IPA), for example.

제2 액 공급로(752p)는, 제2 처리액의 공급원(제2 공급원이라고도 한다)과 제2 액 토출부(752n)를 접속하고 있다. 제2 액 공급로(752p)에는, 예를 들면, 각종 배관 등이 적용된다. 제2 공급원은, 예를 들면, IPA 등의 용제를 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 용제를 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다.The second liquid supply path 752p connects the second processing liquid supply source (also referred to as the second supply source) with the second liquid discharge unit 752n. For example, various pipes are applied to the second liquid supply passage 752p. The second supply source includes, for example, a tank storing a solvent such as IPA and a mechanism such as a pump for delivering the solvent from the tank.

제2 변경부(752v)는, 제2 액 공급로(752p)의 도중에 위치하고, 예를 들면, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 제2 변경부(752v)는, 예를 들면, 조임 정도(개도라고도 한다)를 조정함으로써 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 것이 가능한 니들 밸브 등의 유량 제어 밸브를 포함한다. 유량 제어 밸브에 있어서의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 모터의 위치를 나타내는 펄스 수 등에 의해 나타내어진다. 유량 제어 밸브의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 펄스 수 등에 관한 동작 지령에 따라 변경된다. 이 때문에, 예를 들면, 제어부(9)는, 제2 변경부(752v)의 개도를 제어함으로써, 제2 액 토출부(752n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제2 처리액의 토출의 유무를 제어할 수 있음과 더불어, 제2 액 토출부(752n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 제2 처리액이 토출되는 속도(토출 속도) 및 제2 액 토출부(752n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 단위 시간당 제2 처리액이 토출되는 양(토출량이라고도 한다)을 변경할 수 있다.The second change unit 752v is located in the middle of the second liquid supply path 752p and, for example, changes the supply amount of the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n per unit time. The second change unit 752v is a needle capable of changing the supply amount of the second treatment liquid per unit time from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n, for example, by adjusting the tightening degree (also referred to as the opening degree). Including flow control valves such as valves. The degree of tightening (opening degree) in the flow control valve is expressed, for example, by the number of pulses indicating the position of the motor. For example, the tightening degree (opening degree) of the flow control valve changes in accordance with an operation command regarding the number of pulses, etc. from the control unit 9. For this reason, for example, the control unit 9 controls the opening degree of the second change unit 752v, thereby performing a second process on the upper surface Wu of the substrate W from the second liquid discharge unit 752n. In addition to being able to control the presence or absence of discharge of the liquid, the speed at which the second processing liquid is discharged from the second liquid discharge portion 752n onto the upper surface Wu of the substrate W (discharge speed) and the second liquid The amount (also referred to as the discharge amount) of the second processing liquid discharged from the discharge portion 752n onto the upper surface Wu of the substrate W per unit time can be changed.

제3 액 토출부(753n)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 토출구(제3 토출구라고도 한다)(753o)로부터 처리액(제3 처리액이라고도 한다)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제3 처리액을 공급한다. 제3 액 토출부(753n)는, 예를 들면, 제3 처리액을 연속류의 상태로 토출하는 스트레이트 노즐 등의 노즐을 포함한다. 제3 처리액은, 예를 들면, 소수화액을 포함한다. 소수화액은, 예를 들면, 실리콘계의 소수화액을 포함한다. 실리콘계의 소수화액은, 실리콘(Si) 자체 및 실리콘을 포함하는 화합물을 소수화시키는 소수화액이다. 실리콘계의 소수화액은, 예를 들면, 실란 커플링제(실릴화제라고도 한다)이다. 이 실릴화제는, 예를 들면, 분자의 일단에 가수분해로 실라놀기(Si-OH)를 부여하는 에톡시(또는 메톡시)기를 갖고, 타단에 아미노기 또는 글리시딜기 등의 유기 관능기를 갖는 유기 규소 화합물이다. 실릴화제는, 예를 들면, HMDS(헥사메틸디실라잔), TMS(테트라메틸실란), 불소화알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 및 비(非)클로로계 소수화액 중 적어도 하나를 포함한다. 비클로로계 소수화액은, 예를 들면, 디메틸실릴디메틸아민, 디메틸실릴디에틸아민, 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 비스(디메틸아미노)디메틸실란, N,N-디메틸아미노트리메틸실란, N-(트리메틸실릴)디메틸아민 및 오르가노실란 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.For example, the third liquid discharge portion 753n has a discharge port (also referred to as a third discharge port) 753o directed in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding portion 720. By discharging the processing liquid (also referred to as the third processing liquid) from , the third processing liquid is supplied on the upper surface Wu. The third liquid discharge unit 753n includes, for example, a nozzle such as a straight nozzle that discharges the third processing liquid in a continuous flow. The third treatment liquid contains, for example, a hydrophobization liquid. The hydrophobizing liquid includes, for example, a silicone-based hydrophobizing liquid. Silicone-based hydrophobizing liquid is a hydrophobizing liquid that hydrophobizes silicon (Si) itself and compounds containing silicon. The silicone-based hydrophobizing liquid is, for example, a silane coupling agent (also called a silylating agent). This silylating agent is, for example, an organic compound having an ethoxy (or methoxy) group that imparts a silanol group (Si-OH) through hydrolysis at one end of the molecule and an organic functional group such as an amino group or glycidyl group at the other end. It is a silicon compound. The silylating agent includes, for example, at least one of HMDS (hexamethyldisilazane), TMS (tetramethylsilane), fluorinated alkylchlorosilane, alkyldisilazane, and non-chloro-based hydrophobizing liquid. Non-chloro hydrophobized liquids include, for example, dimethylsilyldimethylamine, dimethylsilyldiethylamine, hexamethyldisilazane, tetramethyldisilazane, bis(dimethylamino)dimethylsilane, and N,N-dimethylaminotrimethylsilane. , N-(trimethylsilyl)dimethylamine, and organosilane compounds.

제3 액 공급로(753p)는, 제3 처리액의 공급원(제3 공급원이라고도 한다)과 제3 액 토출부(753n)를 접속하고 있다. 제3 액 공급로(753p)에는, 예를 들면, 각종 배관 등이 적용된다. 제3 공급원은, 예를 들면, 실릴화제 등의 소수화액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 소수화액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다.The third liquid supply path 753p connects a third processing liquid supply source (also referred to as a third supply source) and the third liquid discharge unit 753n. For example, various pipes are applied to the third liquid supply passage 753p. The third supply source includes, for example, a tank storing a hydrophobizing liquid such as a silylating agent and a mechanism such as a pump for delivering the hydrophobizing liquid from this tank.

제3 변경부(753v)는, 제3 액 공급로(753p)의 도중에 위치하고, 예를 들면, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 제3 변경부(753v)는, 예를 들면, 조임 정도(개도라고도 한다)를 조정함으로써 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 것이 가능한 니들 밸브 등의 유량 제어 밸브를 포함한다. 유량 제어 밸브에 있어서의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 모터의 위치를 나타내는 펄스 수 등에 의해 나타내어진다. 유량 제어 밸브의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 펄스 수 등에 관한 동작 지령에 따라 변경된다. 이 때문에, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 변경부(753v)의 개도를 제어함으로써, 제3 액 토출부(753n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제3 처리액의 토출의 유무를 제어할 수 있음과 더불어, 제3 액 토출부(753n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 제3 처리액이 토출되는 속도(토출 속도) 및 제3 액 토출부(753n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 단위 시간당 제3 처리액이 토출되는 양(토출량이라고도 한다)을 변경할 수 있다.The third change unit 753v is located in the middle of the third liquid supply path 753p and, for example, changes the supply amount of the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n per unit time. The third change unit 753v is a needle capable of changing the supply amount of the third treatment liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n per unit time, for example, by adjusting the tightening degree (also referred to as the opening degree). Including flow control valves such as valves. The degree of tightening (opening degree) in the flow control valve is expressed, for example, by the number of pulses indicating the position of the motor. For example, the tightening degree (opening degree) of the flow control valve changes in accordance with an operation command regarding the number of pulses, etc. from the control unit 9. For this reason, for example, the control unit 9 controls the opening degree of the third change unit 753v, thereby performing a third process on the upper surface Wu of the substrate W from the third liquid discharge unit 753n. In addition to being able to control the presence or absence of liquid discharge, the speed at which the third processing liquid is discharged from the third liquid discharge portion 753n onto the upper surface Wu of the substrate W (discharge speed) and the third liquid The amount (also referred to as the discharge amount) of the third processing liquid discharged from the discharge portion 753n onto the upper surface Wu of the substrate W per unit time can be changed.

도 7에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)는, 예를 들면, 처리 챔버(7w)에 설치된 제1 이동 기구(751m)에 연결되어 있다. 제1 이동 기구(751m)는, 제1 액 토출부(751n)를 이동시키는 부분(제3 구동부)의 일례이다.As shown in FIG. 7 , the first liquid discharge portion 751n is connected to, for example, a first movement mechanism 751m installed in the processing chamber 7w. The first moving mechanism 751m is an example of a part (third driving part) that moves the first liquid discharge part 751n.

제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 연직 방향을 따라 연장되는 가상적인 축(가상축이라고도 한다)(751a)을 중심으로 하여 제1 액 토출부(751n)를 회동시킨다. 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 가상축(751a)을 중심으로 하여 회동 가능하게 지지되어 있는 아암과, 이 아암을 회동시키는 모터 등을 포함한다. 이에 의해, 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출구(751o)를, 유지부(720)의 외주부의 상방 또는 그 근방의 위치(제1 내측 위치라고도 한다)와, 제1 내측 위치보다 회전축(72a)으로부터 멀어진 위치(제1 외측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다. 도 7에는, 제1 외측 위치에 위치하고 있는 제1 액 토출부(751n)가 실선으로 그려지고, 제1 내측 위치에 위치하고 있는 제1 액 토출부(751n)가 2점 쇄선으로 그려져 있다.The first moving mechanism 751m rotates the first liquid discharge portion 751n around, for example, an imaginary axis (also referred to as an imaginary axis) 751a extending along the vertical direction. The first moving mechanism 751m includes, for example, an arm rotatably supported around the virtual axis 751a, a motor that rotates the arm, and the like. Accordingly, the first moving mechanism 751m moves the first discharge port 751o of the first liquid discharge portion 751n to the holding portion 720 in accordance with an operation command from the control unit 9, for example. It is moved between a position above or near the outer periphery (also referred to as a first inside position) and a position further away from the rotation axis 72a than the first inside position (also referred to as a first outside position). In Fig. 7, the first liquid discharge portion 751n located at the first outer position is drawn with a solid line, and the first liquid discharge portion 751n located at the first inner position is drawn with a two-dot chain line.

또, 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)를 연직 방향을 따라 승강시킨다. 제1 이동 기구(751m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출구(751o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면에 근접한 위치(제1 하측 위치라고도 한다)와, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면으로부터 상방으로 멀어진 위치(제1 상측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다. 여기서, 제1 토출구(751o)가, 제1 내측 위치에 배치되며 또한 제1 하측 위치에 배치되어 있으면, 제1 액 토출부(751n)는, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해 제1 처리액을 토출하는 위치(제1 토출 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 이때, 예를 들면, 제1 토출구(751o)는, 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 위치하고 있지 않아도 되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 외주부의 상방에 위치하고 있어도 된다. 또, 제1 토출구(751o)가, 제1 외측 위치에 배치되며 또한 제1 상측 위치에 배치되어 있으면, 제1 액 토출부(751n)는, 유지부(720) 상 또는 그 근방으로부터 퇴피된 위치(제1 퇴피 위치라고도 한다)에 배치되어 있다.Additionally, the first moving mechanism 751m raises and lowers the first liquid discharge portion 751n along the vertical direction, for example. For the first moving mechanism 751m, various mechanisms such as a ball screw mechanism or an air cylinder can be applied, for example. Accordingly, the first moving mechanism 751m moves the first discharge port 751o of the first liquid discharge portion 751n to the holding portion 720, for example, in accordance with an operation command from the control portion 9. From a position close to the virtual plane along the upper surface Wu of the substrate W held (also referred to as the first lower position) and a virtual plane along the upper surface Wu of the substrate W held in the holding portion 720. It is moved between positions farther upward (also called the first upper position). Here, when the first discharge port 751o is disposed at the first inner position and at the first lower position, the first liquid discharge portion 751n is disposed at the first liquid discharge portion 751n with respect to the upper surface Wu of the substrate W. It is disposed at a position where the processing liquid is discharged (also referred to as a first discharge position). At this time, for example, the first discharge port 751o does not have to be located above the upper surface Wu of the substrate W, and may be located above the outer peripheral portion of the upper surface Wu of the substrate W. Additionally, when the first discharge port 751o is disposed at the first outer position and the first upper position, the first liquid discharge portion 751n is at a position retracted from on or near the holding portion 720. It is placed at (also called the first retreat position).

도 7에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n) 각각은, 예를 들면, 처리 챔버(7w)에 설치된 제2 이동 기구(752m)에 연결되어 있다. 제2 이동 기구(752m)는, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 이동시키는 부분(제3 구동부)의 일례이다.As shown in FIG. 7, each of the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n is connected to, for example, a second movement mechanism 752m installed in the processing chamber 7w. . The second moving mechanism 752m is an example of a part (third driving part) that moves the second liquid discharge part 752n and the third liquid discharge part 753n.

제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 연직 방향을 따라 연장되는 가상적인 축(가상축이라고도 한다)(752a)을 중심으로 하여 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 회동시킨다. 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 가상축(752a)을 중심으로 하여 회동 가능하게 지지되어 있는 아암과, 이 아암을 회동시키는 모터 등을 포함한다. 이에 의해, 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제2 액 토출부(752n)의 제2 토출구(752o)를, 유지부(720)의 외주부의 상방 또는 그 근방의 위치(제2 내측 위치라고도 한다)와, 제2 내측 위치보다 회전축(72a)으로부터 멀어진 위치(제2 외측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킴과 더불어, 제3 액 토출부(753n)의 제3 토출구(753o)를, 유지부(720)의 외주부의 상방 또는 그 근방의 위치(제3 내측 위치라고도 한다)와, 제3 내측 위치보다 회전축(72a)으로부터 멀어진 위치(제3 외측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다. 도 7에는, 제2 외측 위치에 위치하고 있는 제2 액 토출부(752n) 및 제3 외측 위치에 위치하고 있는 제3 액 토출부(753n)가 실선으로 그려지고, 제2 내측 위치에 위치하고 있는 제2 액 토출부(752n) 및 제3 내측 위치에 위치하고 있는 제3 액 토출부(753n)가 2점 쇄선으로 그려져 있다.For example, the second moving mechanism 752m is centered on a virtual axis (also referred to as an imaginary axis) 752a extending along the vertical direction, and includes a second liquid discharge portion 752n and a third liquid discharge portion ( 753n) is rotated. The second moving mechanism 752m includes, for example, an arm rotatably supported around the virtual axis 752a, a motor for rotating the arm, etc. Accordingly, the second moving mechanism 752m moves the second discharge port 752o of the second liquid discharge portion 752n to the holding portion 720, for example, in accordance with an operation command from the control portion 9. In addition to moving between a position above or near the outer periphery (also referred to as a second inner position) and a position further away from the rotation axis 72a than the second inner position (also referred to as a second outer position), the third liquid discharge portion The third discharge port 753o of 753n is positioned at or near the outer periphery of the holding portion 720 (also referred to as the third inner position) and a position further away from the rotation axis 72a than the third inner position (the third inner position). 3 (also called outer position). In FIG. 7, the second liquid discharge portion 752n located at the second outer position and the third liquid discharge portion 753n located at the third outer position are drawn with solid lines, and the second liquid discharge portion 753n located at the second inner position is drawn with a solid line. The liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n located at the third inner position are drawn with a two-dot chain line.

또, 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 연직 방향을 따라 승강시킨다. 제2 이동 기구(752m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제2 액 토출부(752n)의 제2 토출구(752o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면에 근접한 위치(제2 하측 위치라고도 한다)와, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면으로부터 상방으로 멀어진 위치(제2 상측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킴과 더불어, 제3 액 토출부(753n)의 제3 토출구(753o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면에 근접한 위치(제3 하측 위치라고도 한다)와, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면으로부터 상방으로 멀어진 위치(제3 상측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다.Additionally, the second moving mechanism 752m raises and lowers the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n along the vertical direction, for example. For the second moving mechanism 752m, various mechanisms such as a ball screw mechanism or an air cylinder can be applied, for example. Accordingly, the second moving mechanism 752m moves the second discharge port 752o of the second liquid discharge portion 752n to the holding portion 720, for example, in accordance with an operation command from the control portion 9. From a position close to the virtual plane along the upper surface Wu of the substrate W held (also referred to as the second lower position) and a virtual plane along the upper surface Wu of the substrate W held in the holding portion 720. In addition to moving the third discharge port 753o of the third liquid discharge portion 753n between positions distant upward (also referred to as second upper positions), the upper surface of the substrate W held by the holding portion 720 A position close to the virtual plane along (Wu) (also referred to as the third lower position) and a position away from the virtual plane upward from the virtual plane along the upper surface (Wu) of the substrate W held in the holding portion 720 (third upper position) (also called location).

여기서, 제2 토출구(752o)가, 제2 내측 위치에 배치되며 또한 제2 하측 위치에 배치되어 있으면, 제2 액 토출부(752n)는, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해 제2 처리액을 토출하는 위치(제2 토출 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 이때, 예를 들면, 제2 토출구(752o)는, 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 위치하고 있지 않아도 되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 외주부의 상방에 위치하고 있어도 된다. 또, 제2 토출구(752o)가, 제2 외측 위치에 배치되며 또한 제2 상측 위치에 배치되어 있으면, 제2 액 토출부(752n)는, 유지부(720) 상 또는 그 근방으로부터 퇴피된 위치(제2 퇴피 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 또, 제3 토출구(753o)가, 제3 내측 위치에 배치되며 또한 제3 하측 위치에 배치되어 있으면, 제3 액 토출부(753n)는, 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 제3 처리액을 토출하는 위치(제3 토출 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 이때, 예를 들면, 하방향을 향해 평면에서 봤을 때, 제3 토출구(753o)는, 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 위치하고 있지 않아도 되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 외주부의 상방에 위치하고 있어도 된다. 또, 제3 토출구(753o)가, 제3 외측 위치에 배치되며 또한 제3 상측 위치에 배치되어 있으면, 제3 액 토출부(753n)는, 유지부(720) 상 또는 그 근방으로부터 퇴피된 위치(제3 퇴피 위치라고도 한다)에 배치되어 있다.Here, when the second discharge port 752o is disposed at the second inner position and at the second lower position, the second liquid discharge portion 752n is disposed at the second liquid discharge portion 752n with respect to the upper surface Wu of the substrate W. It is disposed at a position where the processing liquid is discharged (also referred to as a second discharge position). At this time, for example, the second discharge port 752o does not have to be located above the upper surface Wu of the substrate W, and may be located above the outer peripheral portion of the upper surface Wu of the substrate W. In addition, when the second discharge port 752o is disposed at the second outer position and the second upper position, the second liquid discharge portion 752n is at a position retracted from the top of the holding portion 720 or near it. It is placed at (also called the second retreat position). Additionally, when the third discharge port 753o is disposed at the third inner position and at the third lower position, the third liquid discharge portion 753n is directed toward the upper surface Wu of the substrate W. It is disposed at a position where the processing liquid is discharged (also referred to as a third discharge position). At this time, for example, when viewed from a planar direction downward, the third discharge port 753o does not have to be located above the upper surface Wu of the substrate W, and is located on the upper surface Wu of the substrate W. It may be located above the outer periphery. Additionally, when the third discharge port 753o is disposed at the third outer position and the third upper position, the third liquid discharge portion 753n is at a position retracted from on or near the holding portion 720. (Also called the third evacuation position).

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)를 구비하고 있다.Moreover, as shown in FIG. 6, each processing unit 7 is provided with, for example, an atmosphere control member 74.

분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급한다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 공간에 있어서의 산소 농도 및 습기의 저하 등을 도모할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 공급되는 각종 처리액에 대한 산소 및 습기에 의한 악영향이 생기기 어려워진다. 구체적으로는, 여기서 말하는 악영향은, 예를 들면, 과도한 에칭에 의한 재료 손실, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 표층부의 산화, 소수화액에 있어서의 활성종의 감소(실활이라고도 한다), 소수화액의 도포성의 저하 및 린스액으로부터 용제로의 치환성의 저하 등을 포함할 수 있다.For example, the atmosphere control member 74 supplies an inert gas to the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding portion 720 while facing the upper surface Wu. As a result, for example, it is possible to reduce the oxygen concentration and moisture in the space along the upper surface Wu of the substrate W. As a result, for example, it becomes difficult for oxygen and moisture to adversely affect various processing liquids supplied on the upper surface Wu of the substrate W. Specifically, the adverse effects referred to here include, for example, material loss due to excessive etching, oxidation of the surface layer along the upper surface Wu of the substrate W, reduction of active species in the hydrophobization liquid (also called deactivation), This may include a decrease in the applicability of the hydrophobic liquid and a decrease in the transferability from the rinse solution to the solvent.

제1 실시 형태에서는, 분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로, 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하는 판형상의 부분(차단판이라고도 한다)(741)을 포함한다. 차단판(741)은, 예를 들면, 회전축(72a)이 중심을 지나는 원판형상의 부재이다. 차단판(741)의 하면(74b)은, 기판(W)의 상면(Wu)과 대략 평행하게 대향하는 면이 되어 있고, 기판(W)의 직경과 동등 이상의 크기를 갖는다. 이 차단판(741)에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.In the first embodiment, the atmosphere control member 74 covers the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding portion 720, for example, and forms the upper surface Wu and the atmosphere. It includes a plate-shaped portion (also referred to as a blocking plate) 741 that supplies inert gas between the control members 74. The blocking plate 741 is, for example, a disk-shaped member through which the rotation axis 72a passes through the center. The lower surface 74b of the blocking plate 741 is substantially parallel to the upper surface Wu of the substrate W, and has a size equal to or greater than the diameter of the substrate W. By using this blocking plate 741, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또, 분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 지지축(742)을 갖는다. 지지축(742)의 하단부에, 차단판(741)이 대략 수평 자세로 장착된 상태에 있다. 지지축(742)에는, 예를 들면, 아암(743) 및 제3 이동 기구(74m)가 순차적으로 연결되어 있다. 아암(743)은, 예를 들면, 수평 방향으로 연장되어 있는 상태이며, 지지축(742)을 유지하고 있는 상태에 있다. 제3 이동 기구(74m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 제3 이동 기구(74m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 아암(743), 지지축(742) 및 차단판(741)을 연직 방향을 따라 승강시킨다. 제3 이동 기구(74m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 차단판(741)을 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 근접시킨 위치(근접 위치라고도 한다) 또는 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 이격시킨 위치(이격 위치라고도 한다)에 배치시킬 수 있다. 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 이동 기구(74m)의 동작을 제어함으로써, 처리 유닛(7)에 대해 기판(W)을 반출입시킬 때에는, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 차단판(741)을 회전 유지 기구(72)로부터 상방향(+Y방향)으로 이격한 이격 위치로 상승시키는 한편, 처리 유닛(7)에 있어서 기판(W)에 대해 소정의 기판 처리를 실시할 때에는, 차단판(741)을 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 근접한 근접 위치까지 하강시킨다. 차단판(741)이 근접 위치까지 하강된 상태는, 예를 들면, 후술하는 도 8(a) 및 도 9(a)에 나타내어져 있다.Additionally, the atmosphere control member 74 has a support shaft 742, for example. The blocking plate 741 is mounted on the lower end of the support shaft 742 in a substantially horizontal position. For example, an arm 743 and a third moving mechanism 74m are sequentially connected to the support shaft 742. The arm 743 is, for example, extended in the horizontal direction and is in a state holding the support shaft 742. For the third moving mechanism 74m, various mechanisms such as a ball screw mechanism or an air cylinder can be applied, for example. Thereby, the third movement mechanism 74m raises and lowers the arm 743, the support shaft 742, and the blocking plate 741 along the vertical direction, for example, in accordance with an operation command from the control unit 9. . For example, the third moving mechanism 74m moves the blocking plate 741 closer to the upper surface Wu of the substrate W held by the holding unit 720 in accordance with an operation command from the control unit 9. It can be placed in a position (also referred to as a proximate position) or a position spaced apart from the upper surface Wu of the substrate W held by the holding portion 720 (also referred to as a spaced position). For example, the control unit 9 controls the operation of the third moving mechanism 74m, so that when carrying the substrate W into and out of the processing unit 7, as shown in FIG. 6, the blocking plate ( 741) is raised to a position spaced apart from the rotation holding mechanism 72 in the upward direction (+Y direction), and when a predetermined substrate process is performed on the substrate W in the processing unit 7, it is blocked. The plate 741 is lowered to a position close to the upper surface Wu of the substrate W held by the holding portion 720. The state in which the blocking plate 741 is lowered to the proximate position is shown, for example, in FIGS. 8(a) and 9(a), which will be described later.

또, 분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 차단판(741)의 하면(74b)의 중앙부로부터 처리액을 하방으로 토출하는 중심 노즐군(74n)을 포함한다. 중심 노즐군(74n)은, 예를 들면, 차단판(741) 및 기판(W)의 중심을 지나는 가상적인 회전축(72a)을 따라 연직 방향으로 연장되어 있다. 중심 노즐군(74n)은, 유지부(720)의 상방에 배치되어 있다. 중심 노즐군(74n)은, 차단판(741) 및 지지축(742)과 함께 승강한다. 지지축(742)은, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 통형상의 형상을 갖고, 연직 방향을 따라 관통하고 있는 관통 구멍을 갖는다. 지지축(742)의 관통 구멍은, 차단판(741)의 중앙부를 연직 방향을 따라 관통하는 관통 구멍에 연통하고 있다. 차단판(741)의 관통 구멍은, 차단판(741)의 하면(74b)의 중앙부에서 개구되어 있다. 중심 노즐군(74n)은, 지지축(742)의 관통 구멍 내의 공간에 삽입된 상태로 위치하고 있다. 중심 노즐군(74n)의 하면은, 차단판(741)의 하면(74b)과 같은 높이 또는 차단판(741)의 하면(74b)보다 상방에 위치하고 있다.Additionally, the atmosphere control member 74 includes, for example, a central nozzle group 74n that discharges the processing liquid downward from the central portion of the lower surface 74b of the blocking plate 741. The central nozzle group 74n extends in the vertical direction along the virtual rotation axis 72a that passes through the center of the blocking plate 741 and the substrate W, for example. The central nozzle group 74n is arranged above the holding portion 720. The central nozzle group 74n moves up and down together with the blocking plate 741 and the support shaft 742. The support shaft 742 has a cylindrical shape extending along the vertical direction and has a through hole penetrating along the vertical direction. The through hole of the support shaft 742 communicates with a through hole penetrating the central part of the blocking plate 741 along the vertical direction. The through hole of the blocking plate 741 is opened in the central portion of the lower surface 74b of the blocking plate 741. The central nozzle group 74n is positioned inserted into the space within the through hole of the support shaft 742. The lower surface of the central nozzle group 74n is located at the same height as the lower surface 74b of the blocking plate 741 or above the lower surface 74b of the blocking plate 741.

중심 노즐군(74n)은, 예를 들면, 회전축(72a)을 따라 연직 방향으로 연장되어 있는 공통의 케이스 내에 수용된 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n)을 포함한다. 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n)은, 각각 회전축(72a)을 따라 연직 방향으로 연장되어 있다. 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n) 각각은, 예를 들면, 연직 방향을 따른 직관으로 구성되어 있다. 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n) 각각의 하단에 형성된 개구(토출구)는, 차단판(741)의 하면(74b)과 같은 높이 또는 차단판(741)의 하면(74b)보다 상방에 배치되어 있다.The center nozzle group 74n includes, for example, a first center nozzle 747n, a second center nozzle 748n, and a third center nozzle ( 749n). The first center nozzle 747n, the second center nozzle 748n, and the third center nozzle 749n each extend in the vertical direction along the rotation axis 72a. Each of the first center nozzle 747n, the second center nozzle 748n, and the third center nozzle 749n is made of straight pipe along the vertical direction, for example. The opening (discharge port) formed at the lower end of each of the first center nozzle 747n, the second center nozzle 748n, and the third center nozzle 749n is at the same level as the lower surface 74b of the blocking plate 741 or the blocking plate 741. It is arranged above the lower surface 74b of 741.

제1 중심 노즐(747n)은, 제1 액체 밸브(747v)가 도중에 설치된 제1 액체 공급로(747p)에 접속되어 있다. 제1 액체 공급로(747p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제1 액체 공급로(747p)는, 제4 처리액으로서의 순수(DIW：De-Ionized water) 등의 린스액을 공급하는 공급원(제4 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 제4 공급원은, 예를 들면, 제4 처리액으로서의 DIW 등의 린스액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 린스액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제1 액체 밸브(747v)가 열리면, 제4 공급원으로부터 제1 액체 공급로(747p)를 통해 제1 중심 노즐(747n)에 공급된 제4 처리액으로서의 린스액이, 제1 중심 노즐(747n)의 토출구로부터 하방으로 토출된다.The first central nozzle 747n is connected to a first liquid supply path 747p with a first liquid valve 747v installed in the middle. For example, piping is applied to the first liquid supply path 747p. Additionally, the first liquid supply path 747p is connected to a supply source (also referred to as a fourth supply source) that supplies a rinse liquid such as pure water (DIW: De-Ionized water) as the fourth treatment liquid. The fourth supply source includes, for example, a tank storing a rinse liquid such as DIW as the fourth treatment liquid and a mechanism such as a pump for delivering the rinse liquid from this tank. Here, for example, when the first liquid valve 747v is opened according to an operation command of the control unit 9, the liquid supplied from the fourth supply source to the first center nozzle 747n through the first liquid supply path 747p The rinse liquid as the fourth processing liquid is discharged downward from the discharge port of the first central nozzle 747n.

제2 중심 노즐(748n)은, 제2 액체 밸브(748v)가 도중에 설치된 제2 액체 공급로(748p)에 접속되어 있다. 제2 액체 공급로(748p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제2 액체 공급로(748p)는, 제5 처리액으로서의 소수화액을 공급하는 공급원(제5 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 제5 공급원은, 예를 들면, 실릴화제 등의 소수화액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 소수화액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다. 제5 처리액은, 제3 처리액과 동일해도 되고, 제3 처리액과 상이해도 된다. 제5 공급원은, 예를 들면, 제3 공급원과 동일해도 되고, 제3 공급원과 상이해도 된다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제2 액체 밸브(748v)가 열리면, 제5 공급원으로부터 제2 액체 공급로(748p)를 통해 제2 중심 노즐(748n)에 공급된 제5 처리액으로서의 소수화액이, 제2 중심 노즐(748n)의 토출구로부터 하방으로 토출된다.The second central nozzle 748n is connected to a second liquid supply path 748p with a second liquid valve 748v installed in the middle. For example, piping is applied to the second liquid supply path 748p. Additionally, the second liquid supply path 748p is connected to a supply source (also referred to as a fifth supply source) that supplies the hydrophobization liquid as the fifth treatment liquid. The fifth supply source includes, for example, a tank storing a hydrophobizing liquid such as a silylating agent and a mechanism such as a pump for delivering the hydrophobizing liquid from this tank. The fifth processing liquid may be the same as the third processing liquid or may be different from the third processing liquid. For example, the fifth supply source may be the same as the third supply source or may be different from the third supply source. Here, for example, when the second liquid valve 748v is opened according to an operation command of the control unit 9, the liquid supplied from the fifth supply source to the second center nozzle 748n through the second liquid supply path 748p The hydrophobization liquid as the fifth treatment liquid is discharged downward from the discharge port of the second central nozzle 748n.

제3 중심 노즐(749n)은, 제3 액체 밸브(749v)가 도중에 설치된 제3 액체 공급로(749p)에 접속되어 있다. 제3 액체 공급로(749p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제3 액체 공급로(749p)는, 제6 처리액으로서의 용제를 공급하는 공급원(제6 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 제6 공급원은, 예를 들면, IPA 등의 용제를 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 용제를 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다. 제6 처리액은, 제2 처리액과 동일해도 되고, 제2 처리액과 상이해도 된다. 제6 공급원은, 예를 들면, 제2 공급원과 동일해도 되고, 제2 공급원과 상이해도 된다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제3 액체 밸브(749v)가 열리면, 제6 공급원으로부터 제3 액체 공급로(749p)를 통해 제3 중심 노즐(749n)에 공급된 제6 처리액으로서의 용제가, 제3 중심 노즐(749n)의 토출구로부터 하방으로 토출된다.The third central nozzle 749n is connected to a third liquid supply path 749p with a third liquid valve 749v installed in the middle. For example, piping is applied to the third liquid supply path 749p. Additionally, the third liquid supply path 749p is connected to a supply source (also referred to as a sixth supply source) that supplies solvent as the sixth processing liquid. The sixth supply source includes, for example, a tank storing a solvent such as IPA and a mechanism such as a pump for delivering the solvent from this tank. The sixth processing liquid may be the same as the second processing liquid or may be different from the second processing liquid. For example, the sixth supply source may be the same as the second supply source or may be different from the second supply source. Here, for example, when the third liquid valve 749v is opened according to an operation command of the control unit 9, the liquid supplied from the sixth supply source to the third center nozzle 749n through the third liquid supply path 749p Solvent as the sixth processing liquid is discharged downward from the discharge port of the third central nozzle 749n.

제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n)은, 중심 노즐군(74n) 주위에 형성된 통형상의 가스 유로를 갖는 기체 노즐(745n)에 의해 둘러싸여 있다. 기체 노즐(745n)의 하단은, 중심 노즐군(74n)을 둘러싸도록 배치된 환상의 개구(환상 개구라고도 한다)를 형성하고 있다. 기체 노즐(745n)은, 제1 기체 밸브(745v)가 도중에 설치된 제1 기체 공급로(745p)에 접속되어 있다. 제1 기체 공급로(745p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제1 기체 공급로(745p)는, 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 공급원(가스 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 가스 공급원은, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스를 저류하고 있는 봄베 및 압력 레귤레이터 등을 포함한다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제1 기체 밸브(745v)가 열리면, 가스 공급원으로부터 제1 기체 공급로(745p)를 통해 기체 노즐(745n)에 공급된 질소 가스 등의 불활성 가스가, 기체 노즐(745n)의 환상 개구로부터 하방으로 토출된다. 여기서, 예를 들면, 차단판(741)이 근접 위치 및 이격 위치 중 어디에 위치하고 있는 상태에 있어도, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 기체 노즐(745n)의 환상 개구로부터 하방으로 토출할 수 있다. 단, 차단판(741)이 이격 위치에 위치하고 있는 상태보다, 차단판(741)이 근접 위치에 위치하고 있는 상태에 있으면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 기체 노즐(745n)의 환상 개구로부터 하방으로 토출함으로써, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu) 상의 분위기를, 예를 들면, 산소 농도가 보다 낮고, 습기가 보다 적은 질소 가스 등의 불활성 가스로 치환할 수 있다. 즉, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행할 수 있다.The first central nozzle 747n, the second central nozzle 748n, and the third central nozzle 749n are surrounded by a gas nozzle 745n having a cylindrical gas flow path formed around the central nozzle group 74n. . The lower end of the gas nozzle 745n forms an annular opening (also referred to as an annular opening) arranged to surround the central nozzle group 74n. The gas nozzle 745n is connected to the first gas supply path 745p with the first gas valve 745v installed in the middle. For example, piping is applied to the first gas supply path 745p. Additionally, the first gas supply path 745p is connected to a supply source (also referred to as a gas supply source) that supplies an inert gas such as nitrogen gas. The gas supply source includes, for example, a cylinder storing an inert gas such as nitrogen gas, a pressure regulator, etc. Here, for example, when the first gas valve 745v is opened according to an operation command of the control unit 9, nitrogen gas is supplied from the gas source to the gas nozzle 745n through the first gas supply passage 745p, etc. The inert gas is discharged downward from the annular opening of the gas nozzle 745n. Here, for example, even if the blocking plate 741 is located in either the close position or the remote position, inert gas such as nitrogen gas is supplied to the gas nozzle 745n according to the operation command of the control unit 9. It can be discharged downward from the opening. However, if the blocking plate 741 is located in a closer position than the state in which the blocking plate 741 is located in a spaced position, inert gas such as nitrogen gas is supplied according to the operation command of the control unit 9. By discharging downward from the annular opening of the nozzle 745n, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W held in the holding portion 720 is changed to, for example, nitrogen gas with a lower oxygen concentration and less moisture. It can be replaced with an inert gas such as That is, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be well controlled by supplying the inert gas from the atmosphere control member 74.

또, 차단판(741)은, 예를 들면, 차단판(741)의 하면(74b)의 주연부에 있어서 개구되어 있는 복수의 가스 토출구(746o)와, 복수의 가스 토출구(746o) 각각에 접속된 가스 유로(746r)를 포함한다. 복수의 가스 토출구(746o)는, 예를 들면, 차단판(741)의 하면(74b)의 주연부에 있어서의 전역에 분포하고 있다. 가스 유로(746r)는, 차단판(741)의 내부에 설치되어 있다. 가스 유로(746r)는, 제2 기체 밸브(746v)가 도중에 설치된 제2 기체 공급로(746p)에 접속되어 있다. 제2 기체 공급로(746p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제2 기체 공급로(746p)는, 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 공급원(가스 공급원)에 접속되어 있다. 가스 공급원은, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스를 저류하고 있는 봄베 및 압력 레귤레이터 등을 포함한다. 제1 기체 공급로(745p) 및 제2 기체 공급로(746p)는, 각각 동일한 가스 공급원에 접속되어 있어도 되고, 각각 다른 가스 공급원에 접속되어 있어도 된다. 여기에서는, 예를 들면, 제2 기체 밸브(746v)가 열리면, 질소 가스 등의 불활성 가스가, 가스 공급원으로부터 제2 기체 공급로(746p) 및 가스 유로(746r)를 통해 각 가스 토출구(746o)에 공급되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 주연부를 향해 각 가스 토출구(746o)로부터 하방으로 토출된다. 여기서, 예를 들면, 차단판(741)이 근접 위치 및 이격 위치 중 어디에 위치하고 있는 상태에 있어도, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 복수의 가스 토출구(746o)로부터 하방으로 토출할 수 있다. 단, 차단판(741)이 이격 위치에 위치하고 있는 상태보다, 차단판(741)이 근접 위치에 위치하고 있는 상태에 있으면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 복수의 가스 토출구(746o)로부터 하방으로 토출함으로써, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu) 상의 분위기를, 예를 들면, 산소 농도가 보다 낮고, 습기가 보다 적은 질소 가스 등의 불활성 가스로 치환할 수 있다. 즉, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행할 수 있다.In addition, the blocking plate 741 is, for example, connected to a plurality of gas discharge ports 746o opening at the peripheral portion of the lower surface 74b of the blocking plate 741 and to each of the plurality of gas discharge ports 746o. Includes gas flow path (746r). The plurality of gas discharge ports 746o are distributed throughout the peripheral portion of the lower surface 74b of the blocking plate 741, for example. The gas flow path 746r is installed inside the blocking plate 741. The gas flow path 746r is connected to a second gas supply path 746p with a second gas valve 746v installed in the middle. For example, piping is applied to the second gas supply path 746p. Additionally, the second gas supply path 746p is connected to a supply source (gas supply source) that supplies inert gas such as nitrogen gas. The gas supply source includes, for example, a cylinder storing an inert gas such as nitrogen gas, a pressure regulator, etc. The first gas supply path 745p and the second gas supply path 746p may be respectively connected to the same gas supply source or may be respectively connected to different gas supply sources. Here, for example, when the second gas valve 746v is opened, an inert gas such as nitrogen gas flows from the gas source to each gas outlet 746o through the second gas supply path 746p and the gas flow path 746r. and is discharged downward from each gas discharge port 746o toward the periphery of the upper surface Wu of the substrate W. Here, for example, even if the blocking plate 741 is located in either the close position or the remote position, inert gas such as nitrogen gas is supplied to the plurality of gas discharge ports 746o according to the operation command of the control unit 9. It can be discharged downward from. However, if the blocking plate 741 is located in a closer position than the state in which the blocking plate 741 is located in a spaced position, inert gas such as nitrogen gas is supplied according to the operation command of the control unit 9. By discharging downward from the gas discharge port 746o, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W held in the holding portion 720 is changed to, for example, nitrogen gas with a lower oxygen concentration and less moisture. It can be replaced with an inert gas. That is, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be well controlled by supplying the inert gas from the atmosphere control member 74.

또, 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 팬 필터 유닛(FFU)(7f)을 구비한다. FFU(7f)는, 기판 처리 장치(1)가 설치되어 있는 클린룸 내의 공기를 더욱 청정화하여 처리 챔버(7w) 내의 공간에 공급할 수 있다. 이 FFU(7f)는, 예를 들면, 처리 챔버(7w)의 천정벽에 장착되어 있다. FFU(7f)는, 클린룸 내의 공기를 도입하여 처리 챔버(7w) 내에 송출하기 위한 팬 및 필터(예를 들면, HEPA 필터)를 구비하고 있고, 처리 챔버(7w) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로를 형성할 수 있다. FFU(7f)로부터 공급된 청정 공기를 처리 챔버(7w) 내에 보다 균일하게 분산시키기 위해서, 다수의 분출 구멍을 형성한 펀칭 플레이트를 천정벽의 바로 아래에 배치해도 된다. 또, 예를 들면, 처리 챔버(7w)의 측벽의 일부이며 처리 챔버(7w)의 바닥벽의 근방에는, 배기 기구에 연통 접속되어 있는 배기 덕트(7e)가 설치되어 있다. 이에 의해, 예를 들면, FFU(7f)로부터 공급되어 처리 챔버(7w) 내를 흘러내린 청정 공기 중, 가드(73) 등의 근방을 통과한 공기는 배기 덕트(7e)를 통해 기판 처리 장치(1) 밖으로 배출된다. 또한, 예를 들면, 처리 챔버(7w) 내의 상부에 질소 가스 등의 불활성 가스를 도입하는 구성이 추가되어도 된다.Additionally, the processing unit 7 includes, for example, a fan filter unit (FFU) 7f. The FFU 7f can further purify the air in the clean room where the substrate processing apparatus 1 is installed and supply it to the space within the processing chamber 7w. This FFU 7f is mounted on the ceiling wall of the processing chamber 7w, for example. The FFU 7f is equipped with a fan and a filter (e.g., HEPA filter) for introducing air from the clean room and sending it into the processing chamber 7w, and supplies clean air to the processing space within the processing chamber 7w. A down flow can be formed. In order to more uniformly distribute the clean air supplied from the FFU 7f within the processing chamber 7w, a punching plate having a plurality of blowing holes may be placed directly below the ceiling wall. In addition, for example, an exhaust duct 7e is installed as part of the side wall of the processing chamber 7w and is connected in communication with an exhaust mechanism near the bottom wall of the processing chamber 7w. As a result, for example, among the clean air supplied from the FFU 7f and flowing through the processing chamber 7w, the air that has passed near the guard 73 and the like passes through the exhaust duct 7e to the substrate processing device ( 1) It is discharged outside. Additionally, for example, a configuration for introducing an inert gas such as nitrogen gas may be added to the upper part of the processing chamber 7w.

<1-3. 제1~3 액 토출부로부터의 처리액의 토출><1-3. Discharge of treatment liquid from the 1st to 3rd liquid discharge parts>

제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 동일한 양태로 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 처리액을 토출할 수 있다. 이 때문에, 여기에서는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상을 향해 제1 처리액을 토출하는 양태를 대표예로서 도시하면서 설명한다.The first liquid discharge unit 751n, the second liquid discharge unit 752n, and the third liquid discharge unit 753n can discharge the processing liquid onto the upper surface Wu of the substrate W in the same manner. . For this reason, the mode in which the first processing liquid is discharged from the first liquid discharge portion 751n toward the upper surface Wu of the substrate W will be described here, showing as a representative example.

도 8 및 도 9는, 각각 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 8(a) 및 도 9(a)는, 각각 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 8(b) 및 도 9(b)는, 각각 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 여기에서는, 도 8(a) 및 도 9(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 토출구(751o)는, 제1 내측 위치이고 또한 제1 하측 위치인 제1 토출 위치에 배치된 상태에 있다. 이 상태에 있어서, 제1 액 토출부(751n)는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 토출구(751o)로부터 제1 처리액(Lq1)을 토출할 수 있다. 또, 여기에서는, 도 8(a) 및 도 9(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 차단판(741)은, 근접 위치에 하강된 상태에 있다.FIGS. 8 and 9 are diagrams schematically showing the first processing liquid Lq1 being discharged from the first liquid discharge portion 751n onto the upper surface Wu of the substrate W, respectively. Figures 8(a) and 9(a) schematically show the first processing liquid Lq1 being discharged from the first liquid discharge portion 751n onto the upper surface Wu of the substrate W, respectively. This is a side view showing. 8(b) and 9(b) schematically show the first processing liquid Lq1 being discharged from the first liquid discharge unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W, respectively. It is a floor plan that represents Here, as shown in Fig. 8(a) and Fig. 9(a), the first discharge port 751o is disposed at the first discharge position, which is the first inner position and the first lower position. In this state, the first liquid discharge portion 751n performs the first treatment from the first discharge port 751o toward the direction along the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding portion 720. Liquid (Lq1) can be discharged. In addition, here, as shown in Fig. 8(a) and Fig. 9(a), the blocking plate 741 is in a state lowered to a proximate position.

여기서, 예를 들면, 제어부(9)는, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 제1 변경부(751v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이 공급되는 위치(액 공급 위치라고도 한다)가 변화된다. 액 공급 위치는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출된 제1 처리액(Lq1)이 기판(W)의 상면(Wu)에 최초로 도달하는 위치(착액 위치라고도 한다)이다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.Here, for example, the control unit 9 causes the first change unit 751v to change the supply amount per unit time of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n, The discharge speed of the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n can be changed. As a result, for example, the position on the upper surface Wu of the substrate W to which the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge portion 751n is supplied (also referred to as the liquid supply position) changes. The liquid supply position is, for example, a position (also referred to as a liquid landing position) where the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge portion 751n first reaches the upper surface Wu of the substrate W. When such a configuration is adopted, the first liquid is discharged while controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, for example, by supplying an inert gas from the atmosphere control member 74. The liquid supply position of the first processing liquid Lq1 can be scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking the portion 751n. Therefore, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduce unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W.

예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 제2 변경부(752v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액이 공급되는 위치(액 공급 위치)가 변화한다. 이 액 공급 위치는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출된 제2 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)에 최초로 도달하는 위치(착액 위치)이다. 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 제3 변경부(753v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액이 공급되는 위치(액 공급 위치)가 변화한다. 이 액 공급 위치는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출된 제3 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)에 최초로 도달하는 위치(착액 위치)이다. 이들 제어에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제2 처리액 및 제3 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.For example, also for the second liquid discharge unit 752n, the control unit 9 controls the supply amount of the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n per unit time through the second change unit 752v. By changing the discharge speed of the second processing liquid discharged from the second liquid discharge portion 752n, the second liquid discharge portion 752n of the upper surface Wu of the substrate W is changed. 2 The location where the treatment liquid is supplied (liquid supply location) changes. This liquid supply position is, for example, a position (liquid landing position) at which the second processing liquid discharged from the second liquid discharge unit 752n first reaches the upper surface Wu of the substrate W. For example, also for the third liquid discharge unit 753n, the control unit 9 controls the supply amount of the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n per unit time through the third change unit 753v. By changing the discharge speed of the third processing liquid discharged from the third liquid discharge portion 753n, the third processing liquid discharged from the third liquid discharge portion 753n of the upper surface Wu of the substrate W is changed. 3 The location where the treatment liquid is supplied (liquid supply location) changes. This liquid supply position is, for example, a position (liquid landing position) where the third processing liquid discharged from the third liquid discharge unit 753n first reaches the upper surface Wu of the substrate W. Through these controls, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is well controlled by supplying an inert gas from the atmosphere control member 74, while the second liquid discharge unit The liquid supply positions of the second processing liquid and the third processing liquid can be scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking the 752n and the third liquid discharge portion 753n. . Therefore, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduce unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W.

여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)는, 도 8(a) 및 도 8(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙부 및 그 근방을 포함하는 영역(중앙 영역이라고도 한다)(A1) 내일 때보다, 도 9(a) 및 도 9(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 외주 단부측의 영역(단부측 영역이라고도 한다)(A2) 내일 때인 쪽이, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도가 작아지도록, 제1 변경부(751v)에 의해 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 저하시키는 양태가 생각된다. 여기에서는, 예를 들면, 상면(Wu)에 있어서의 회전축(72a) 상의 점(중심점이라고도 한다)으로부터 외연까지의 거리(반경)를 D로 하고, 3 이상의 정수를 N으로 했을 경우에, 상면(Wu) 중 중심점으로부터 D/N까지의 영역을 중앙 영역(A1)으로 할 수 있고, 상면(Wu) 중 외연으로부터 D/N까지의 영역을 단부측 영역(A2)으로 할 수 있다. N은, 바람직하게는, 5 이상이면 된다.Here, for example, the control unit 9 determines the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 at the center of the upper surface Wu and the liquid supply position thereof, as shown in FIGS. 8(a) and 8(b). As shown in FIGS. 9(a) and 9(b), the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is closer to the upper surface Wu than in the area including the vicinity (also referred to as the central area) A1. ), the region on the outer peripheral end side (also referred to as the end side region) (A2) is the first change so that the discharge speed of the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge portion 751n is reduced. An aspect in which the unit 751v reduces the supply amount of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n per unit time is considered. Here, for example, when D is the distance (radius) from the point on the rotation axis 72a (also called the center point) on the upper surface Wu to the outer edge, and N is an integer of 3 or more, the upper surface ( The area from the center point of Wu to D/N can be used as the central area A1, and the area from the outer edge to D/N of the upper surface Wu can be used as the end area A2. N is preferably 5 or more.

상기 양태가 채용되면, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제1 처리액(Lq1)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액튐이 발생하기 어렵다.When the above mode is adopted, for example, the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is scanned over a wide area from the central area A1 to the end area A2 of the upper surface Wu of the substrate W. can be done. Also, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the central area A1, the supply amount of the first processing liquid Lq1 per unit time relative to the upper surface Wu increases, As the substrate W rotates about the rotation axis 72a, the first processing liquid Lq1 spreads over a wide area on the upper surface Wu. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the end area A2, the supply amount and discharge rate per unit time of the first processing liquid Lq1 on the upper surface Wu are It is relatively low, making it difficult for the first processing liquid Lq1 to splash out on the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge of the substrate W in the holding part 720.

예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 대해서도, 제어부(9)가, 제2 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제2 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 속도가 작아지도록, 제2 변경부(752v)에 의해 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는 양태가 생각된다. 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 대해서도, 제어부(9)가, 제3 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제3 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 속도가 작아지도록, 제3 변경부(753v)에 의해 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는 양태가 생각된다. 이들 양태가 채용되어도, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제2 처리액 및 제3 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있음과 더불어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제2 처리액 및 제3 처리액의 액튐이 발생하기 어렵다.For example, also for the second liquid discharge unit 752n, the control unit 9 controls the liquid supply position of the second processing liquid more than when the liquid supply position of the second processing liquid is within the central area A1 of the upper surface Wu. When the supply position is within the end area A2 of the upper surface Wu, the discharge speed of the second processing liquid discharged from the second liquid discharge portion 752n is reduced by the second change portion 752v. An aspect in which the supply amount of the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge portion 752n per unit time is reduced is conceivable. For example, also for the third liquid discharge unit 753n, the control unit 9 controls the liquid supply position of the third processing liquid more than when the liquid supply position of the third processing liquid is within the central area A1 of the upper surface Wu. When the supply position is within the end area A2 of the upper surface Wu, the discharge speed of the second processing liquid discharged from the third liquid discharge portion 753n is reduced by the third change portion 753v. An aspect in which the supply amount of the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge portion 753n per unit time is reduced is conceivable. Even if these aspects are adopted, for example, the liquid supply position of the second processing liquid and the third processing liquid in a wide area from the central area A1 to the end area A2 of the upper surface Wu of the substrate W. In addition to being able to perform a scan, it is difficult for the second and third processing liquids to splash out on the plurality of chuck pins 724 that hold the outer edge of the substrate W in the holding portion 720. .

여기서, 예를 들면, 제어부(9)는, 제1 변경부(751v)에 의해 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1)과 단부측 영역(A2) 사이에서 복수 회 왕복시켜도 된다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행함으로써, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다. 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제2 변경부(752v)에 의해 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1)과 단부측 영역(A2) 사이에서 복수 회 왕복시켜도 된다. 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제3 변경부(753v)에 의해 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1)과 단부측 영역(A2) 사이에서 복수 회 왕복시켜도 된다.Here, for example, the control unit 9 increases or decreases the supply amount of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n by the first change unit 751v per unit time, thereby The liquid supply position on the upper surface Wu of (W) may be reciprocated multiple times between the central area A1 and the end area A2. Accordingly, for example, by scanning the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 multiple times over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W, Non-uniformity in processing can be further reduced. For example, also for the second liquid discharge unit 752n, the control unit 9 controls the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n by the second change unit 752v per unit time. By increasing or decreasing the supply amount, the liquid supply position on the upper surface Wu of the substrate W may be reciprocated multiple times between the central area A1 and the end area A2. For example, also for the third liquid discharge unit 753n, the control unit 9 controls the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n by the third change unit 753v per unit time. By increasing or decreasing the supply amount, the liquid supply position on the upper surface Wu of the substrate W may be reciprocated multiple times between the central area A1 and the end area A2.

여기에서는, 예를 들면, 기억부(94) 등에 기억된 처리 레시피 등에 있어서, 각 처리 유닛(7)에 대해, 제1 액 토출부(751n)에 관한 제1 변경부(751v)의 개도(펄스 수 등)의 최대값 및 최소값 그리고 개도의 변화에 필요로 하는 시간과, 제2 액 토출부(752n)에 관한 제2 변경부(752v)의 개도(펄스 수 등)의 최대값 및 최소값 그리고 개도의 변화에 필요로 하는 시간과, 제3 액 토출부(753n)에 관한 제3 변경부(753v)의 개도(펄스 수 등)의 최대값 및 최소값 그리고 개도의 변화에 필요로 하는 시간이 규정되어 있으면, 상기의 제어가 가능해진다. 처리 레시피에 있어서는, 예를 들면, 개도(펄스 수 등)와 더불어 처리액의 유량이 함께 규정되어 있어도 된다.Here, for example, in the processing recipe stored in the storage unit 94 or the like, for each processing unit 7, the opening degree (pulse) of the first change unit 751v with respect to the first liquid discharge unit 751n The maximum and minimum values and the time required to change the opening degree, and the maximum and minimum values and the opening degree (number of pulses, etc.) of the second change portion 752v relative to the second liquid discharge portion 752n. The time required for the change, the maximum and minimum values of the opening degree (number of pulses, etc.) of the third change part 753v with respect to the third liquid discharge part 753n, and the time required for the change in the opening degree are specified. If there is, the above control becomes possible. In the processing recipe, for example, the flow rate of the processing liquid may be specified together with the opening degree (number of pulses, etc.).

또, 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)는, 제1 처리액(Lq1)이 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하도록, 제1 처리액(Lq1)을 토출한다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)는, 제2 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하도록 제2 처리액을 토출하고, 제3 액 토출부(753n)는, 제3 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하도록 제3 처리액을 토출한다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제2 처리액 및 제3 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.In addition, in the first embodiment, for example, the first liquid discharge portion 751n is configured to apply the first processing liquid Lq1 to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here, The first treatment liquid Lq1 is discharged so that it passes through the space between the lower surfaces 74b and lands on the upper surface Wu. By this, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be controlled with the atmosphere control member 74 opposed to a wide range of the upper surface Wu of the substrate W. The liquid supply position of the first processing liquid Lq1 can be scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking the first liquid discharge portion 751n while performing the operation strictly. Also, in the first embodiment, for example, the second liquid discharge portion 752n is configured to apply the second processing liquid to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here, lower surface 74b). )) The second processing liquid is discharged so as to land on the upper surface Wu through the space between them, and the third liquid discharge portion 753n is configured to allow the third processing liquid to contact the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member. (74) The third treatment liquid is discharged so as to pass through the space between the lower surfaces (here, the lower surface 74b) and land on the upper surface Wu. By this, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be controlled with the atmosphere control member 74 opposed to a wide range of the upper surface Wu of the substrate W. Strictly, without shaking the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n, the second processing liquid and the third processing liquid are distributed over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. A scan of the liquid supply position can be performed.

또, 여기에서는, 예를 들면, 제1 토출구(751o)가, 연직 방향에 있어서 상면(Wu)보다 높고 또한 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 처리액(Lq1)을 토출하면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제1 처리액(Lq1)을 공급할 수 있다. 또, 예를 들면, 제2 토출구(752o)가, 연직 방향에 있어서 상면(Wu)보다 높고 또한 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 처리액을 토출하면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제2 처리액을 공급할 수 있다. 또, 예를 들면, 제3 토출구(753o)가, 연직 방향에 있어서 상면(Wu)보다 높고 또한 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 처리액을 토출하면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제3 처리액을 공급할 수 있다.In addition, here, for example, the first discharge port 751o is disposed at a position higher than the upper surface Wu in the vertical direction and lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74, and the upper surface Wu When the first processing liquid Lq1 is discharged in the direction along ), the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74 and the 1 Treatment liquid (Lq1) can be supplied. Also, for example, the second discharge port 752o is arranged at a position higher than the upper surface Wu and lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 in the vertical direction, along the upper surface Wu. By discharging the second processing liquid in this direction, the second processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface Wu of the substrate W while controlling the atmosphere on the substrate W by the atmosphere control member 74. there is. Also, for example, the third discharge port 753o is arranged at a position higher than the upper surface Wu and lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 in the vertical direction, along the upper surface Wu. When the third processing liquid is discharged in this direction, the third processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface Wu of the substrate W while controlling the atmosphere on the substrate W by the atmosphere control member 74. there is.

도 10은, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 방향을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 10(a)는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 방향을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 10(b)는, 제1 액 토출부(751n)의 구조를 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 10(a) 및 도 10(b)에는, 제1 토출구(751o)가 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 미리 설정된 방향(토출 방향이라고도 한다)(75d)이 2점 쇄선의 화살표로 나타내어져 있다.FIG. 10 is a diagram schematically showing the direction in which the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge portion 751n onto the upper surface Wu of the substrate W. FIG. 10(a) is a side view schematically showing the direction in which the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge portion 751n onto the upper surface Wu of the substrate W. FIG. 10(b) is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the structure of the first liquid discharge portion 751n. In FIGS. 10(a) and 10(b), a preset direction (also referred to as a discharge direction) 75d in which the first discharge port 751o discharges the first processing liquid Lq1 is indicated by a double-dash arrow. It's messy.

여기서, 도 10(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)가 기판(W)의 상면(Wu)에 제1 처리액(Lq1)을 공급할 때에, 상면(Wu)을 기준으로 한 제1 토출구(751o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 가상적인 회전축(72a)과 제1 토출구(751o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제1 토출구(751o)를 지나는 가상적인 수평면과 제1 토출구(751o)가 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 방향(토출 방향)(75d)이 이루는 각도를 θ로 한다. 그리고, 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고, 또한 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 것으로 한다. 이 경우에, 예를 들면, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계식을 만족하면, 제1 처리액(Lq1)에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 가상적인 회전축(72a) 상의 부분까지 제1 처리액(Lq1)을 용이하게 공급할 수 있다.Here, as shown in FIG. 10(a), when the first liquid discharge unit 751n supplies the first processing liquid Lq1 to the upper surface Wu of the substrate W, the Let the height of the first discharge port 751o in the vertical direction be H, the distance between the virtual rotation axis 72a and the first discharge port 751o in the horizontal direction be R, and the first discharge port 751o The angle formed between the virtual horizontal plane passing through and the direction 75d in which the first discharge port 751o discharges the first processing liquid Lq1 (discharge direction) is set to θ. In addition, when the discharge direction 75d is downward from the horizontal direction, angle θ represents a positive value, and when the discharge direction 75d is upward from the horizontal direction, angle θ represents a negative value. . In this case, for example, if the relational expression 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the influence of gravity on the first processing liquid Lq1 is also taken into consideration, and the upper surface of the substrate W (Wu ), the first treatment liquid Lq1 can be easily supplied to the portion on the virtual rotation axis 72a.

또, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)가 기판(W)의 상면(Wu)에 제2 처리액을 공급할 때에, 상면(Wu)을 기준으로 한 제2 토출구(752o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 가상적인 회전축(72a)과 제2 토출구(752o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제2 토출구(752o)를 지나는 가상적인 수평면과 제2 토출구(752o)가 제2 처리액을 토출하는 방향(토출 방향)이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고, 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 것으로 했을 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계식을 만족하면, 제2 처리액에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 가상적인 회전축(72a) 상의 부분까지 제2 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.Also, for example, when the second liquid discharge unit 752n supplies the second processing liquid to the upper surface Wu of the substrate W, the vertical direction of the second discharge port 752o with the upper surface Wu as a reference. The height in is set to H, the distance in the horizontal direction between the virtual rotation axis 72a and the second discharge port 752o is set to R, and the virtual horizontal plane passing through the second discharge port 752o and the second discharge port ( 752o) Let the angle formed by the direction (discharge direction) of discharging the second processing liquid be θ. When the discharge direction is downward rather than the horizontal direction, the angle θ represents a positive value, and the discharge direction is lower than the horizontal direction. When the angle θ is assumed to have a negative value in the upward direction, if the relational expression 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the effect of gravity on the second processing liquid is also taken into consideration, and the substrate The second processing liquid can be easily supplied to the portion of the upper surface Wu of (W) on the virtual rotation axis 72a.

또, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)가 기판(W)의 상면(Wu)에 제3 처리액을 공급할 때에, 상면(Wu)을 기준으로 한 제3 토출구(753o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 가상적인 회전축(72a)과 제3 토출구(753o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제3 토출구(753o)를 지나는 가상적인 수평면과 제3 토출구(753o)가 제3 처리액을 토출하는 방향(토출 방향)이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고, 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 것으로 했을 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계식을 만족하면, 제3 처리액에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 가상적인 회전축(72a) 상의 부분까지 제3 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.Also, for example, when the third liquid discharge unit 753n supplies the third processing liquid to the upper surface Wu of the substrate W, the vertical direction of the third discharge port 753o based on the upper surface Wu Let the height in H be H, the distance in the horizontal direction between the virtual rotation axis 72a and the third discharge port 753o be R, and let the virtual horizontal plane passing through the third discharge port 753o and the third discharge port ( 753o) Let the angle formed by the direction (discharge direction) of discharging the third processing liquid be θ. When the discharge direction is downward rather than the horizontal direction, the angle θ represents a positive value, and the discharge direction is lower than the horizontal direction. When the angle θ is assumed to have a negative value in the upward direction, if the relational expression 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the influence of gravity on the third processing liquid is also taken into consideration, and the substrate The third treatment liquid can be easily supplied to the portion of the upper surface Wu of W that is on the virtual rotation axis 72a.

여기서, 예를 들면, 도 10(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)가, 제1 관형상부(75p1), 제2 관형상부(75p2) 및 제3 관형상부(75p3)를 갖는 양태가 생각된다. 제1 관형상부(75p1)는, 예를 들면, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태에 있고, 선단에 제1 토출구(751o)를 갖는다. 제2 관형상부(75p2)는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)에 연통하고 있는 상태로, 제1 관형상부(75p1)로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 제3 관형상부(75p3)는, 예를 들면, 제2 관형상부(75p2)에 연통하고 있는 상태로 제2 관형상부(75p2)로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 바꾸어 말하면, 제1 액 토출부(751n)는, 제1 액 공급로(751p)로부터 제1 토출구(751o)를 향해, 제3 관형상부(75p3), 제2 관형상부(75p2) 및 제1 관형상부(75p1)가, 이 기재 순번으로 연통하도록 접속된 형태를 갖는다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 도 8(a) 및 도 9(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극을 제2 관형상부(75p2)가 삽입 통과하고 있는 상태로, 제1 토출구(751o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 처리액(Lq1)을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 여기서, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)가, 미리 설정된 토출 방향(75d)을 따라 연장되어 있고, 토출 방향(75d)의 선단에 제1 토출구(751o)를 갖고 있으면, 제1 토출구(751o)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 방향(75d)이 안정될 수 있다. 여기에서는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)의 내경이 제1 토출구(751o)를 향해 감소하고 있는 형태가 채용된다.Here, for example, as shown in FIG. 10(b), the first liquid discharge portion 751n includes a first tubular portion 75p1, a second tubular portion 75p2, and a third tubular portion 75p3. An aspect of having is considered. The first tubular portion 75p1 is, for example, extended along the horizontal direction and has a first discharge port 751o at its tip. For example, the second tubular portion 75p2 is in communication with the first tubular portion 75p1 and extends upward from the first tubular portion 75p1. For example, the third tubular portion 75p3 is in a state of being in communication with the second tubular portion 75p2 and extending in the horizontal direction from the second tubular portion 75p2. In other words, the first liquid discharge portion 751n includes a third tubular portion 75p3, a second tubular portion 75p2, and a first tubular portion from the first liquid supply passage 751p toward the first discharge port 751o. The upper part 75p1 is connected so as to communicate in this order. When this configuration is adopted, for example, as shown in FIGS. 8(a) and 9(a), the second tubular portion 75p2 is inserted into the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74. The first discharge port 751o is disposed at a position for discharging the first processing liquid Lq1 in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in the holding portion 720 in a passing state. can do. Here, for example, if the first tubular portion 75p1 extends along a preset discharge direction 75d and has a first discharge port 751o at the tip of the discharge direction 75d, the first discharge port 751o The discharge direction 75d of the first treatment liquid Lq1 discharged from the discharge port 751o can be stabilized. Here, for example, a form in which the inner diameter of the first tubular portion 75p1 decreases toward the first discharge port 751o is adopted.

여기에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)가, 제1 액 토출부(751n)와 동일한 형태를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 제2 액 토출부(752n)가, 제1 관형상부(75p1), 제2 관형상부(75p2) 및 제3 관형상부(75p3)를 갖는 양태가 생각된다. 이 경우에는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)는, 예를 들면, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 제2 토출구(752o)를 갖고, 제2 관형상부(75p2)는, 제1 관형상부(75p1)에 연통하고 있는 상태로 제1 관형상부(75p1)로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있고, 제3 관형상부(75p3)는, 제2 관형상부(75p2)에 연통하고 있는 상태로 제2 관형상부(75p2)로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 바꾸어 말하면, 제2 액 토출부(752n)는, 제2 액 공급로(752p)로부터 제2 토출구(752o)를 향해, 제3 관형상부(75p3), 제2 관형상부(75p2) 및 제1 관형상부(75p1)가, 이 기재 순번으로 연통하도록 접속된 형태를 갖는다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극을 제2 관형상부(75p2)가 삽입 통과하고 있는 상태로, 제2 토출구(752o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 처리액을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 여기서, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)가, 미리 설정된 토출 방향(75d)을 따라 연장되어 있고, 토출 방향(75d)의 선단에 제2 토출구(752o)를 갖고 있으면, 제2 토출구(752o)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 방향(75d)이 안정될 수 있다. 여기에서도, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)의 내경이 제1 토출구(751o)를 향해 감소하고 있는 형태가 채용된다.Here, for example, the second liquid discharge portion 752n may have the same shape as the first liquid discharge portion 751n. Specifically, an embodiment in which the second liquid discharge portion 752n has a first tubular portion 75p1, a second tubular portion 75p2, and a third tubular portion 75p3 is considered. In this case, for example, the first tubular portion 75p1 has a second discharge port 752o at its tip while extending, for example, along the horizontal direction, and the second tubular portion 75p2 has, It is in a state in which it is in communication with the first tubular portion 75p1 and extends upward from the first tubular portion 75p1, and the third tubular portion 75p3 is in communication with the second tubular portion 75p2. In this state, it extends in the horizontal direction from the second tubular portion 75p2. In other words, the second liquid discharge portion 752n includes a third tubular portion 75p3, a second tubular portion 75p2, and a first tubular portion from the second liquid supply passage 752p toward the second discharge port 752o. The upper part 75p1 is connected so as to communicate in this order. When this configuration is adopted, for example, with the second tubular portion 75p2 inserted through the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74, the second discharge port 752o is opened by the holding portion ( It may be disposed at a position for discharging the second processing liquid in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in 720). Here, for example, if the first tubular portion 75p1 extends along a preset discharge direction 75d and has a second discharge port 752o at the tip of the discharge direction 75d, the second discharge port 752o The discharge direction 75d of the second processing liquid discharged from the discharge port 752o can be stabilized. Here too, for example, a form in which the inner diameter of the first tubular portion 75p1 decreases toward the first discharge port 751o is adopted.

여기에서는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)가, 제1 액 토출부(751n)와 동일한 형태를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 제3 액 토출부(753n)가, 제1 관형상부(75p1), 제2 관형상부(75p2) 및 제3 관형상부(75p3)를 갖는 양태가 생각된다. 이 경우에는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)는, 예를 들면, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 제3 토출구(753o)를 갖고, 제2 관형상부(75p2)는, 제1 관형상부(75p1)에 연통하고 있는 상태로 제1 관형상부(75p1)로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있고, 제3 관형상부(75p3)는, 제2 관형상부(75p2)에 연통하고 있는 상태로 제2 관형상부(75p2)로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 바꾸어 말하면, 제3 액 토출부(753n)는, 제3 액 공급로(753p)로부터 제3 토출구(753o)를 향해, 제3 관형상부(75p3), 제2 관형상부(75p2) 및 제1 관형상부(75p1)가, 이 기재 순번으로 연통하도록 접속된 형태를 갖는다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극을 제2 관형상부(75p2)가 삽입 통과하고 있는 상태로, 제3 토출구(753o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 처리액을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 여기서, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)가, 미리 설정된 토출 방향(75d)을 따라 연장되어 있고, 토출 방향(75d)의 선단에 제3 토출구(753o)를 갖고 있으면, 제3 토출구(753o)로부터 토출되는 제3 처리액의 토출 방향(75d)이 안정될 수 있다. 여기에서도, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)의 내경이 제1 토출구(751o)를 향해 감소하고 있는 형태가 채용된다.Here, for example, the third liquid discharge portion 753n may have the same shape as the first liquid discharge portion 751n. Specifically, an embodiment in which the third liquid discharge portion 753n has a first tubular portion 75p1, a second tubular portion 75p2, and a third tubular portion 75p3 is considered. In this case, for example, the first tubular portion 75p1 has a third discharge port 753o at its tip while extending, for example, along the horizontal direction, and the second tubular portion 75p2 has, It is in a state in which it is in communication with the first tubular portion 75p1 and extends upward from the first tubular portion 75p1, and the third tubular portion 75p3 is in communication with the second tubular portion 75p2. In this state, it extends in the horizontal direction from the second tubular portion 75p2. In other words, the third liquid discharge portion 753n includes a third tubular portion 75p3, a second tubular portion 75p2, and a first tubular portion from the third liquid supply passage 753p toward the third discharge port 753o. The upper part 75p1 is connected so as to communicate in this order. When this configuration is adopted, for example, with the second tubular portion 75p2 inserted through the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74, the third discharge port 753o is opened by the holding portion ( It can be placed at a position for discharging the third processing liquid in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in 720). Here, for example, if the first tubular portion 75p1 extends along a preset discharge direction 75d and has a third discharge port 753o at the tip of the discharge direction 75d, the third discharge port 753o The discharge direction 75d of the third processing liquid discharged from the discharge port 753o can be stabilized. Here too, for example, a form in which the inner diameter of the first tubular portion 75p1 decreases toward the first discharge port 751o is adopted.

<1-4. 처리 유닛의 동작><1-4. Operation of processing unit>

도 11 및 도 12는, 처리 유닛(7)에 있어서의 기판(W)에 대한 일련의 기판 처리의 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다. 본 동작 플로는, 제어부(9)에 의해 기판 처리 장치(1)의 동작이 제어됨으로써 실현된다. 여기서, 처리 대상이 되는 기판(W)에는, 예를 들면, 디바이스 형성면인 표면에 박막 패턴이 형성된 기판(W)이 이용된다. 박막 패턴은, 예를 들면, 산화실리콘막 등의 절연막을 포함한다. 박막 패턴은, 예를 들면, 저(低)저항화를 위한 불순물을 도입한 어모퍼스 실리콘막 또는 금속막 등의 도전막을 포함하고 있어도 되고, 폴리실리콘막, 질화실리콘막, BSG막(붕소를 포함하는 산화실리콘막) 및 TEOS막(TEOS(테트라에톡시실란)를 이용한 CVD법으로 형성된 산화실리콘막) 등의 복수의 막을 적층한 적층막을 포함하고 있어도 된다. 도 13~도 19는, 처리 유닛(7)에 있어서의 기판(W)에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다. 도 13~도 19에서는, 도면의 복잡화를 방지하는 관점에서, 처리 유닛(7)의 일부의 구성이 편의적으로 생략되어 있다.11 and 12 are flowcharts showing an example of the operation flow of a series of substrate processes for the substrate W in the processing unit 7. This operation flow is realized by controlling the operation of the substrate processing apparatus 1 by the control unit 9. Here, as the substrate W to be processed, for example, a substrate W on which a thin film pattern is formed on the surface that is the device formation surface is used. The thin film pattern includes, for example, an insulating film such as a silicon oxide film. The thin film pattern may include, for example, a conductive film such as an amorphous silicon film or a metal film into which impurities are introduced to reduce resistance, and may include a polysilicon film, silicon nitride film, or BSG film (boron-containing film). It may include a laminated film in which a plurality of films, such as a silicon oxide film) and a TEOS film (a silicon oxide film formed by a CVD method using TEOS (tetraethoxysilane)) are laminated. 13 to 19 are schematic side views for explaining an example of a series of substrate processing operations for the substrate W in the processing unit 7. 13 to 19, some configurations of the processing unit 7 are conveniently omitted from the viewpoint of preventing complication of the drawings.

일련의 기판 처리의 동작이 개시되는 초기 상태에서는, 예를 들면, 도 13(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1~3 가드부(731, 732, 733)가 하강 위치에 배치되고, 차단판(741)이 이격 위치에 배치되어 있는 상태에 있다. 또, 여기에서는, 도 시를 생략하고 있지만, 제1 액 토출부(751n)가 제1 퇴피 위치에 배치되고, 제2 액 토출부(752n)가 제2 퇴피 위치에 배치되고, 제3 액 토출부(753n)가 제3 퇴피 위치에 배치되어 있는 상태에 있다.In the initial state in which a series of substrate processing operations are started, for example, as shown in FIG. 13(a), the first to third guard parts 731, 732, and 733 are disposed in the lowered position, and the blocking plate (741) is in a state where it is placed in a spaced position. In addition, although the illustration is omitted here, the first liquid discharge portion 751n is disposed at the first retracted position, the second liquid discharge portion 752n is disposed at the second retracted position, and the third liquid discharge portion 751n is disposed at the second retracted position. The portion 753n is in a state disposed at the third retracted position.

우선, 예를 들면, 도 13(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 반송 기구(8)에 의해 처리 유닛(7) 내에 미처리의 기판(W)이 반입되고, 유지부(720)에 의해 디바이스 형성면인 표면을 위로 향한 상태로 기판(W)이 유지된다(도 11의 단계 Sp1). 바꾸어 말하면, 예를 들면, 기판(W)을 수평 자세로 유지부(720)로 하여금 유지하게 하는 공정(유지 공정이라고도 한다)이 행해진다. 여기에서는, 기판(W)의 디바이스 형성면이 상면(Wu)이 된다.First, for example, as shown in FIG. 13(b), the unprocessed substrate W is loaded into the processing unit 7 by the second transfer mechanism 8, and the unprocessed substrate W is loaded into the device by the holding portion 720. The substrate W is maintained with the surface, which is the forming surface, facing upward (step Sp1 in FIG. 11). In other words, for example, a process (also referred to as a holding process) is performed to have the holding unit 720 hold the substrate W in a horizontal position. Here, the device formation surface of the substrate W becomes the upper surface Wu.

다음에, 예를 들면, 도 13(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제1~3 가드부(731, 732, 733)를 하강 위치로부터 상승 위치까지 상승시킴과 더불어, 회전 기구(722)에 의해 유지부(720)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전을 개시시킨다(단계 Sp2).Next, for example, as shown in FIG. 13(c), the first to third guard parts 731, 732, and 733 are raised from the lowered position to the raised position by the lifting drive unit 73m, Rotation around the rotation axis 72a of the holding portion 720 is started by the rotation mechanism 722 (step Sp2).

다음에, 도 14(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74)를 하강시켜 차단판(741)을 근접 위치에 배치한다(단계 Sp3). 여기에서는, 기판(W)의 상면(Wu)과 차단판(741)의 하면(74b)의 거리는, 예를 들면, 10mm 정도가 된다. 또, 이때, 제1 기체 밸브(745v) 및 제2 기체 밸브(746v)를 엶으로써 분위기 제어 부재(74) 중 기체 노즐(745n)의 환상 개구 및 복수의 가스 토출구(746o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향한 불활성 가스의 토출을 개시시킨다. 여기에서는, 분위기 제어 부재(74)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향한 불활성 가스의 토출량은, 예를 들면, 매분 100리터(100L/min) 정도가 된다. 또, 이때, 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 제1 토출 위치까지 진출시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)의 하강, 불활성 가스의 토출의 개시 및 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출 위치까지의 진출의 순번은, 적절히 설정되어도 된다.Next, as shown in FIG. 14(a), the atmosphere control member 74 is lowered by the third moving mechanism 74m and the blocking plate 741 is placed at a proximate position (step Sp3). Here, the distance between the upper surface Wu of the substrate W and the lower surface 74b of the blocking plate 741 is, for example, about 10 mm. Also, at this time, by opening the first gas valve 745v and the second gas valve 746v, the substrate W is discharged from the annular opening of the gas nozzle 745n and the plurality of gas discharge ports 746o in the atmosphere control member 74. The discharge of the inert gas toward the upper surface Wu is started. Here, the discharge amount of the inert gas from the atmosphere control member 74 toward the upper surface Wu of the substrate W is, for example, approximately 100 liters per minute (100 L/min). Also, at this time, the first liquid discharge portion 751n is advanced to the first discharge position by the first movement mechanism 751m. Here, for example, the order of lowering of the atmosphere control member 74, start of discharge of inert gas, and advance to the first discharge position of the first liquid discharge portion 751n may be set appropriately.

다음에, 제1 변경부(751v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 열려, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)를 향해 제1 처리액(Lq1)(약액)이 공급됨으로써, 도 14(b) 및 도 14(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)로부터 제1 처리액(Lq1)(약액)이 토출된다(단계 Sp4). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 약액이 공급되고, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해 약액에 의한 처리(약액 처리라고도 한다)가 실시된다. 여기에서는, 예를 들면, 약액으로서 DHF가 사용된다. 그리고, 약액 처리가 미리 설정된 시간에 걸쳐 실행되면, 제1 변경부(751v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 닫혀, 제1 액 토출부(751n)로부터의 약액의 토출이 정지된다.Next, the flow control valve included in the first change unit 751v is opened, and the first treatment liquid Lq1 (chemical liquid) is supplied from the first supply source toward the first liquid discharge unit 751n, as shown in Figure 14 ( As shown in b) and FIG. 14(c), the first treatment liquid Lq1 (chemical liquid) is discharged from the first liquid discharge portion 751n (step Sp4). Accordingly, the chemical liquid is supplied to the upper surface Wu of the substrate W, and the upper surface Wu of the substrate W is treated with the chemical liquid (also referred to as chemical liquid treatment). Here, for example, DHF is used as a chemical solution. Then, when the chemical liquid process is performed for a preset time, the flow control valve included in the first change unit 751v is closed, and discharge of the chemical liquid from the first liquid discharge unit 751n is stopped.

이 단계 Sp4에서는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 제1 액 토출부(751n)로부터 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 처리액(Lq1)을 토출함으로써 상면(Wu) 상에 제1 처리액(Lq1)을 공급하는 공정(제1 처리 공정이라고도 한다)이 실시된다. 이 제1 처리 공정에서는, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상면(Wu) 중 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이때, 예를 들면, 제어부(9)가, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 제1 변경부(751v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다. 도 14(b)에는, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내인 상태의 일례를 나타내고 있고, 도 14(c)에는, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내인 상태의 일례를 나타내고 있다.In this step Sp4, an inert gas is supplied onto the upper surface Wu from the atmosphere control member 74 positioned opposite the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position on the holding portion 720. While rotating the holding portion 720, the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge unit 751n in the direction along the upper surface Wu, thereby forming the first processing liquid Lq1 on the upper surface Wu. A process for supplying Lq1) (also referred to as a first treatment process) is performed. In this first treatment process, by changing the discharge speed of the first treatment liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n, the first treatment liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n of the upper surface Wu Change the liquid supply location where the treatment liquid (Lq1) is supplied. At this time, for example, the control unit 9 causes the first change unit 751v to change the supply amount per unit time of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n, The discharge speed of the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n can be changed. For this reason, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, without shaking the first liquid discharge portion 751n, The liquid supply position of the first processing liquid Lq1 can be scanned over a wide range. As a result, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduce unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W. FIG. 14(b) shows an example of a state where the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the central area A1 of the upper surface Wu, and FIG. 14(c) shows the first processing liquid Lq1. ) shows an example of a state where the liquid supply position is within the end area A2 of the upper surface Wu.

제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제1 액 토출부(751n)로부터의 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도가 작아지도록, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제1 처리액(Lq1)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액튐이 발생하기 어렵다.In the first treatment process, for example, when the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 is within the central area A1 of the upper surface Wu, the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 is within the upper surface (Wu). Wu), which is within the end area A2, is disposed from the first supply source to the first liquid discharge portion 751n so that the discharge speed of the first treatment liquid Lq1 from the first liquid discharge portion 751n is reduced. The supply amount of the first treatment liquid Lq1 to the furnace per unit time is reduced. As a result, for example, the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 can be scanned over a wide area from the central area A1 to the end area A2 of the upper surface Wu of the substrate W. there is. Also, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the central area A1, the supply amount of the first processing liquid Lq1 per unit time relative to the upper surface Wu increases, As the substrate W rotates about the rotation axis 72a, the first processing liquid Lq1 spreads over a wide area on the upper surface Wu. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the end area A2, the supply amount and discharge rate per unit time of the first processing liquid Lq1 on the upper surface Wu are It is relatively low, making it difficult for the first processing liquid Lq1 to splash out on the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge of the substrate W in the holding part 720.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1) 내와 단부측 영역(A2) 내 사이에서 복수 회 왕복시키면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행할 수 있어, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.Additionally, in the first treatment process, the first treatment liquid Lq1 is supplied, for example, by increasing or decreasing the supply amount of the first treatment liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n per unit time. By reciprocating the position multiple times between the central area A1 and the end area A2, the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. Since it can be performed multiple times, unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W can be further reduced.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하는 구성이 채용되면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.In addition, in the first processing process, for example, the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge portion 751n is connected to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here In this case, if a configuration in which liquid lands on the upper surface Wu through the space between the lower surfaces 74b is adopted, the atmosphere control member 74 is opposed to a wide range of the upper surface Wu of the substrate W, and the substrate While more strictly controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, without shaking the first liquid discharge portion 751n, The liquid supply position of the processing liquid Lq1 can be scanned.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n) 중 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 제1 토출구(751o)가, 연직 방향에 있어서, 상면(Wu)보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치되어 있으면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제1 처리액(Lq1)을 공급할 수 있다. 또한, 여기에서는, 예를 들면, 제1 토출구(751o)가, 연직 방향에 있어서, 척 핀(724)의 상면보다 높은 위치에 배치되면, 제1 토출구(751o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향하는 제1 처리액(Lq1)의 경로가 척 핀(724)에 의해 차단되기 어렵다.In addition, in the first treatment process, for example, the first discharge port 751o that discharges the first treatment liquid Lq1 among the first liquid discharge portions 751n is higher than the upper surface Wu in the vertical direction. In addition to being disposed at a position lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74, the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74, while the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74. The first treatment liquid Lq1 can be supplied to a wide area of the upper surface Wu. In addition, here, for example, if the first discharge port 751o is disposed at a position higher than the upper surface of the chuck pin 724 in the vertical direction, the upper surface of the substrate W from the first discharge port 751o ( It is difficult for the path of the first treatment liquid Lq1 toward Wu to be blocked by the chuck pin 724.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 도 10(a)를 참조하여 상술한 바와 같이, 상면(Wu)을 기준으로 한 제1 토출구(751o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 회전축(72a)과 제1 토출구(751o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제1 토출구(751o)를 지나는 가상적인 수평면과 제1 토출구(751o)가 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 토출 방향(75d)이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하면, 제1 처리액(Lq1)에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 회전축(72a) 상의 부분까지 제1 처리액(Lq1)을 용이하게 공급할 수 있다.In addition, in the first processing step, for example, as described above with reference to FIG. 10(a), the height in the vertical direction of the first discharge port 751o with respect to the upper surface Wu is set to H. , the distance in the horizontal direction between the rotation axis 72a and the first discharge port 751o is R, and the virtual horizontal plane passing through the first discharge port 751o and the first discharge port 751o are the first processing liquid Lq1. Let the angle formed by the discharge direction 75d, which discharges the When the angle θ represents a negative value in the direction, if the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the influence of gravity on the first processing liquid Lq1 is also taken into consideration, and the substrate ( The first treatment liquid Lq1 can be easily supplied to the portion of the upper surface Wu of W on the rotating shaft 72a.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b))가, 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로 위치하고, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하고 있으면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.In addition, in the first processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the lower surface 74b) is positioned in a state covering the upper surface Wu, and the upper surface Wu of the substrate W If an inert gas is supplied between the atmosphere control members 74, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또한, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제1 처리액(Lq1)을 받는 제1 가드부(731)를 유지부(720)의 주위 및 기판(W)의 외주를 둘러싸도록 배치하고 있으면, 제1 가드부(731)에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제1 처리액(Lq1)을 받아 회수할 수 있다.Additionally, in the first processing process, for example, the first guard portion 731, which receives the first processing liquid Lq1 flying from the upper surface Wu, is placed around the holding portion 720 and around the substrate W. If arranged to surround the outer periphery, the first processing liquid Lq1 flying from the upper surface Wu of the substrate W can be received and recovered by the first guard portion 731.

다음에, 제1 액체 밸브(747v)가 열려, 제4 공급원으로부터 제1 중심 노즐(747n)에 제4 처리액(Lq4)(린스액)이 공급되기 시작하고, 도 15(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 중심 노즐(747n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제4 처리액(Lq4)(린스액)의 공급이 개시된다(단계 Sp5). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)의 전역에 제4 처리액(Lq4)(린스액)이 공급되고, 기판(W)에 부착되어 있는 제1 처리액(Lq1)(약액)을 제4 처리액(Lq4)(린스액)에 의해 씻어내는 처리(린스 처리라고도 한다)가 실시된다. 또, 여기에서는, 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 제1 토출 위치로부터 제1 퇴피 위치까지 퇴피시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 제1 이동 기구(751m)에 의해, 제1 액 토출부(751n)를 제1 하측 위치로부터 제1 상측 위치까지 상승시키고, 또한 제1 액 토출부(751n)를 제1 내측 위치로부터 제1 외측 위치까지 이동시킨다.Next, the first liquid valve 747v opens, and the fourth processing liquid Lq4 (rinse liquid) begins to be supplied from the fourth supply source to the first center nozzle 747n, as shown in FIG. 15(a). As shown, supply of the fourth processing liquid Lq4 (rinse liquid) from the first center nozzle 747n to the upper surface Wu of the substrate W begins (step Sp5). As a result, the fourth processing liquid Lq4 (rinse liquid) is supplied to the entire upper surface Wu of the substrate W, and the first processing liquid Lq1 (chemical liquid) adhering to the substrate W is removed. 4 A washing treatment (also called a rinse treatment) is performed using the treatment liquid Lq4 (rinse liquid). Also, here, the first liquid discharge portion 751n is retracted from the first discharge position to the first retracted position by the first movement mechanism 751m. Here, for example, the first liquid discharge portion 751n is raised from the first lower position to the first upper position by the first moving mechanism 751m, and the first liquid discharge portion 751n is raised to the first upper position. 1 Move from the inner position to the first outer position.

다음에, 도 15(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n)를 제2 토출 위치까지 진출시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 토출 위치까지 진출시킨다(단계 Sp6).Next, as shown in FIG. 15(b), the second liquid discharge portion 752n is advanced to the second discharge position by the second movement mechanism 752m and the third liquid discharge portion 753n is moved. Advance to the third discharge position (step Sp6).

다음에, 린스 처리가 미리 설정된 시간에 걸쳐 실행되면, 제1 액체 밸브(747v)가 닫혀, 제4 공급원으로부터 제1 중심 노즐(747n)로의 제4 처리액(Lq4)(린스액)의 공급이 정지되고, 도 15(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 중심 노즐(747n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로의 제4 처리액(Lq4)(린스액)의 공급이 종료된다(단계 Sp7). 여기에서는, 또한, 승강 구동부(73m)에 의해 제1 가드부(731) 및 제2 가드부(732)를 상승 위치로부터 하강 위치까지 하강시킨다.Next, when the rinsing process is performed over a preset time, the first liquid valve 747v is closed to allow the supply of the fourth treatment liquid Lq4 (rinse liquid) from the fourth supply source to the first center nozzle 747n. It stops, and as shown in FIG. 15(c), the supply of the fourth processing liquid Lq4 (rinse liquid) from the first center nozzle 747n onto the upper surface Wu of the substrate W is terminated. (Step Sp7). Here, the first guard part 731 and the second guard part 732 are lowered from the raised position to the lowered position by the lifting drive unit 73m.

다음에, 제2 변경부(752v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 열려, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)를 향해 제2 처리액(Lq2)(용제)이 공급됨으로써, 도 16(a) 및 도 16(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 액 토출부(752n)로부터 제2 처리액(Lq2)(용제)이 토출된다(단계 Sp8). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 부착되어 있는 제4 처리액(Lq4)(린스액)이, 제2 처리액(Lq2)(용제)에 의해 씻겨나가 제2 처리액(Lq2)(용제)으로 치환된다. 그리고, 용제의 토출 개시로부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제2 변경부(752v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 닫혀, 제2 액 토출부(752n)로부터의 용제의 토출이 정지된다.Next, the flow control valve included in the second change unit 752v is opened, and the second processing liquid Lq2 (solvent) is supplied from the second supply source toward the second liquid discharge unit 752n, as shown in Figure 16 ( As shown in a) and FIG. 16(b), the second processing liquid Lq2 (solvent) is discharged from the second liquid discharge portion 752n (step Sp8). As a result, the fourth processing liquid Lq4 (rinse liquid) adhering to the upper surface Wu of the substrate W is washed away by the second processing liquid Lq2 (solvent), and the fourth processing liquid Lq2 (solvent) is washed away. It is replaced by (solvent). Then, when a preset time elapses from the start of discharging the solvent, the flow control valve included in the second change unit 752v is closed, and discharging the solvent from the second liquid discharging unit 752n is stopped.

이 단계 Sp8에서는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 제2 액 토출부(752n)로부터 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 처리액(Lq2)을 토출함으로써 상면(Wu) 상에 제2 처리액(Lq2)을 공급하는 공정(제2 처리 공정)이 실시된다. 이 제2 처리 공정에서는, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상면(Wu) 중 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이때, 예를 들면, 제어부(9)가, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 제2 변경부(752v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 제2 액 토출부(752n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다. 도 16(a)에는, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내인 상태의 일례를 나타내고 있고, 도 16(b)에는, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내인 상태의 일례를 나타내고 있다.In this step Sp8, an inert gas is supplied onto the upper surface Wu from the atmosphere control member 74 positioned opposite the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position on the holding portion 720. While rotating the holding portion 720, the second processing liquid Lq2 is discharged from the second liquid discharge unit 752n in the direction along the upper surface Wu, thereby forming the second processing liquid Lq2 on the upper surface Wu. A process for supplying Lq2) (second treatment process) is carried out. In this second treatment process, by changing the discharge speed of the second treatment liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge unit 752n, the second treatment liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge unit 752n in the upper surface Wu Change the liquid supply location where the treatment liquid (Lq2) is supplied. At this time, for example, the control unit 9 causes the second change unit 752v to change the supply amount per unit time of the second processing liquid Lq2 from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n, The discharge speed of the second processing liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge unit 752n can be changed. For this reason, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, without shaking the second liquid discharge portion 752n, the upper surface Wu of the substrate W The liquid supply position of the second processing liquid Lq2 can be scanned over a wide range. As a result, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduce unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W. FIG. 16(a) shows an example of a state where the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the central area A1 of the upper surface Wu, and FIG. 16(b) shows an example of a state where the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the central area A1 of the upper surface Wu. ) shows an example of a state where the liquid supply position is within the end area A2 of the upper surface Wu.

제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제2 액 토출부(752n)로부터의 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도가 작아지도록, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제2 처리액(Lq2)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제2 처리액(Lq2)의 액튐이 발생하기 어렵다.In the second treatment process, for example, when the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the central area A1 of the upper surface Wu, the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the upper surface (Wu). Wu), the direction within the end area A2 is such that the discharge speed of the second treatment liquid Lq2 from the second liquid discharge portion 752n is reduced, so that the second liquid discharge portion 752n is discharged from the second supply source. The supply amount of the second treatment liquid Lq2 to the furnace per unit time is reduced. As a result, for example, the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 can be scanned over a wide area from the central area A1 to the end area A2 of the upper surface Wu of the substrate W. there is. Also, for example, when the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the central area A1, the supply amount of the second processing liquid Lq2 per unit time relative to the upper surface Wu increases, As the substrate W rotates about the rotation axis 72a, the second processing liquid Lq2 spreads over a wide area on the upper surface Wu. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the end area A2, the supply amount and discharge rate per unit time of the second processing liquid Lq2 on the upper surface Wu are This is relatively low, making it difficult for the second processing liquid Lq2 to splash out on the plurality of chuck pins 724 that hold the outer edge of the substrate W in the holding portion 720.

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1) 내와 단부측 영역(A2) 내 사이에서 복수 회 왕복시키면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행할 수 있어, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.Additionally, in the second treatment process, the second treatment liquid Lq2 is supplied, for example, by increasing or decreasing the supply amount of the second treatment liquid Lq2 from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n per unit time. By reciprocating the position multiple times between the central area A1 and the end area A2, the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. Since it can be performed multiple times, unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W can be further reduced.

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)이, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하는 구성이 채용되면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.Additionally, in the second processing process, for example, the second processing liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge portion 752n is connected to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (hereinafter referred to as In this case, if a configuration in which liquid lands on the upper surface Wu through the space between the lower surfaces 74b is adopted, the atmosphere control member 74 is opposed to a wide range of the upper surface Wu of the substrate W, and the substrate While controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W more strictly, the second liquid discharge portion 752n is not shaken and the second liquid discharge portion 752n is not shaken over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. The liquid supply position of the processing liquid Lq2 can be scanned.

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 중 제2 처리액(Lq2)을 토출하는 제2 토출구(752o)가, 연직 방향에 있어서, 상면(Wu)보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치되어 있으면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제2 처리액(Lq2)을 공급할 수 있다. 또한, 여기에서는, 예를 들면, 제2 토출구(752o)가, 연직 방향에 있어서, 척 핀(724)의 상면보다 높은 위치에 배치되면, 제2 토출구(752o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향하는 제2 처리액(Lq2)의 경로가 척 핀(724)에 의해 차단되기 어렵다.Also, in the second processing process, for example, the second discharge port 752o that discharges the second processing liquid Lq2 among the second liquid discharge portions 752n is higher than the upper surface Wu in the vertical direction. In addition to being disposed at a position lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74, the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74, while the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74. The second treatment liquid Lq2 can be supplied to a wide area of the upper surface Wu. In addition, here, for example, if the second discharge port 752o is disposed at a position higher than the upper surface of the chuck pin 724 in the vertical direction, the upper surface of the substrate W from the second discharge port 752o ( It is difficult for the path of the second treatment liquid Lq2 toward Wu to be blocked by the chuck pin 724.

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 도 10(a)를 참조하여 상술한 바와 같이, 상면(Wu)을 기준으로 한 제2 토출구(752o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 회전축(72a)과 제2 토출구(752o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제2 토출구(752o)를 지나는 가상적인 수평면과 제2 토출구(752o)가 제2 처리액(Lq2)을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하면, 제2 처리액(Lq2)에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 회전축(72a) 상의 부분까지 제1 처리액(Lq1)을 용이하게 공급할 수 있다.In addition, in the second processing step, for example, as described above with reference to FIG. 10(a), the height in the vertical direction of the second discharge port 752o with respect to the upper surface Wu is set to H. , the distance in the horizontal direction between the rotation axis 72a and the second discharge port 752o is R, and the virtual horizontal plane passing through the second discharge port 752o and the second discharge port 752o are the second processing liquid Lq2. Let the angle formed by the discharge direction that discharges be θ, and when the discharge direction is downward than the horizontal direction, the angle θ is a positive value, and when the discharge direction is upward than the horizontal direction, the angle θ is a negative value. In the case where the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the rotation axis of the upper surface Wu of the substrate W takes into account the influence of gravity on the second processing liquid Lq2. (72a) The first treatment liquid Lq1 can be easily supplied to the upper portion.

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b))가, 기판(W)의 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하고 있으면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.In addition, in the second processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the lower surface 74b) is positioned in a state covering the upper surface Wu of the substrate W, and the upper surface Wu and If an inert gas is supplied between the atmosphere control members 74, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또한, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제2 처리액(Lq2)을 받는 제3 가드부(733)를 유지부(720)의 주위 및 기판(W)의 외주를 둘러싸도록 배치하고 있으면, 제3 가드부(733)에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제2 처리액(Lq2)을 받아 회수할 수 있다.Additionally, in the second processing process, for example, the third guard portion 733, which receives the second processing liquid Lq2 flying from the upper surface Wu, is installed around the holding portion 720 and around the substrate W. If arranged to surround the outer periphery, the second processing liquid Lq2 flying from the upper surface Wu of the substrate W can be received and recovered by the third guard portion 733.

다음에, 도 16(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제2 가드부(732)를 하강 위치로부터 상승 위치까지 상승시킴과 더불어, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74)를 더욱 하강시켜 차단판(741)을 기판(W)의 상면(Wu)에 더욱 근접한 위치(최근접 위치라고도 한다)에 배치한다(단계 Sp9). 여기에서는, 기판(W)의 상면(Wu)과 차단판(741)의 하면(74b)의 거리는, 예를 들면, 3mm 정도가 된다.Next, as shown in FIG. 16(c), the second guard portion 732 is raised from the lowered position to the raised position by the lifting drive unit 73m, and the atmosphere is raised by the third moving mechanism 74m. The control member 74 is further lowered to place the blocking plate 741 at a position closer to the upper surface Wu of the substrate W (also referred to as the closest position) (step Sp9). Here, the distance between the upper surface Wu of the substrate W and the lower surface 74b of the blocking plate 741 is, for example, about 3 mm.

다음에, 제3 변경부(753v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 열려, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)를 향해 제3 처리액(Lq3)(소수화액)이 공급됨으로써, 도 17(a) 및 도 17(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 액 토출부(753n)로부터 제3 처리액(Lq3)(소수화액)이 토출된다(단계 Sp10). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 소수화액이 공급됨으로써 기판(W)에 부착되어 있는 용제가 소수화액으로 치환되고, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 젖음성이 낮은 보호막(소수성 보호막이라고도 한다)이 형성되는 처리(소수화 처리라고도 한다)가 행해진다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)에 있어서의 박막 패턴이 소수성 보호막에 의해 피복된다. 소수화 처리가 행해질 때에는, 예를 들면, 스핀 베이스(723)에 내장된 히터 등으로 기판(W)을 가열함으로써, 소수화 처리가 보다 양호하게 행해지도록 해도 된다. 그리고, 소수화액의 토출 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제3 변경부(753v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 닫혀, 제3 액 토출부(753n)로부터의 소수화액의 토출이 정지된다.Next, the flow control valve included in the third change unit 753v is opened, and the third treatment liquid Lq3 (hydrophobic liquid) is supplied from the third supply source toward the third liquid discharge unit 753n, as shown in FIG. 17 As shown in (a) and FIG. 17(b), the third treatment liquid Lq3 (hydrophobic liquid) is discharged from the third liquid discharge portion 753n (step Sp10). As a result, the hydrophobic liquid is supplied to the upper surface Wu of the substrate W, so that the solvent adhering to the substrate W is replaced with the hydrophobic liquid, and a protective film with low wettability is formed on the upper surface Wu of the substrate W. A treatment (also called hydrophobization treatment) to form a hydrophobic protective film is performed. As a result, for example, the thin film pattern on the upper surface Wu of the substrate W is covered with a hydrophobic protective film. When the hydrophobization treatment is performed, for example, the substrate W may be heated with a heater built into the spin base 723 to ensure that the hydrophobization treatment is performed more satisfactorily. Then, when a preset time elapses from the start of discharging the hydrophobizing liquid, the flow control valve included in the third change unit 753v is closed, and discharging of the hydrophobizing liquid from the third liquid discharging unit 753n is stopped.

이 단계 Sp10에서는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 제3 액 토출부(753n)로부터 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 처리액(Lq3)을 토출함으로써 상면(Wu) 상에 제3 처리액(Lq3)을 공급하는 공정(제3 처리 공정)이 실시된다. 이 제3 처리 공정에서는, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상면(Wu) 중 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이때, 예를 들면, 제어부(9)가, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 제3 변경부(753v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다. 도 17(a)에는, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내인 상태의 일례를 나타내고 있고, 도 17(b)에는, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내인 상태의 일례를 나타내고 있다.In this step Sp10, an inert gas is supplied onto the upper surface Wu from the atmosphere control member 74 positioned opposite the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position on the holding portion 720. While rotating the holding unit 720, the third treatment liquid Lq3 is discharged from the third liquid discharge unit 753n in the direction along the upper surface Wu, thereby forming the third treatment liquid (Lq3) on the upper surface Wu. A process for supplying Lq3) (third treatment process) is carried out. In this third treatment process, the third treatment liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge unit 753n in the upper surface Wu is changed by changing the discharge speed of the third treatment liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge unit 753n. Change the liquid supply location where the treatment liquid (Lq3) is supplied. At this time, for example, the control unit 9 causes the third change unit 753v to change the supply amount per unit time of the third processing liquid Lq3 from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n, The discharge speed of the third processing liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge unit 753n can be changed. For this reason, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, without shaking the third liquid discharge portion 753n, The liquid supply position of the third processing liquid Lq3 can be scanned over a wide range. As a result, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduce unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W. FIG. 17(a) shows an example of a state where the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the central area A1 of the upper surface Wu, and FIG. 17(b) shows the third processing liquid Lq3. ) shows an example of a state where the liquid supply position is within the end area A2 of the upper surface Wu.

제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제3 액 토출부(753n)로부터의 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도가 작아지도록, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제3 처리액(Lq3)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제3 처리액(Lq3)의 액튐이 발생하기 어렵다.In the third processing step, for example, when the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the central area A1 of the upper surface Wu, the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the upper surface (Wu). Wu), which is located within the end area A2, has a lower discharge speed of the third treatment liquid Lq3 from the third liquid discharge unit 753n, so that the third liquid discharge portion 753n is discharged from the third supply source. The supply amount per unit time of the third treatment liquid (Lq3) to the furnace is reduced. As a result, for example, the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 can be scanned over a wide area from the central area A1 to the end area A2 of the upper surface Wu of the substrate W. there is. Also, for example, when the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the central area A1, the supply amount of the third processing liquid Lq3 per unit time relative to the upper surface Wu increases, As the substrate W rotates about the rotation axis 72a, the third processing liquid Lq3 spreads over a wide area on the upper surface Wu. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the end area A2, the supply amount and discharge rate per unit time of the third processing liquid Lq3 on the upper surface Wu are This is relatively low, making it difficult for the third processing liquid Lq3 to splash out on the plurality of chuck pins 724 that hold the outer edge of the substrate W in the holding portion 720.

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1) 내와 단부측 영역(A2) 내 사이에서 복수 회 왕복시키면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행할 수 있어, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.Additionally, in the third treatment process, the third treatment liquid Lq3 is supplied, for example, by increasing or decreasing the supply amount of the third treatment liquid Lq3 from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n per unit time. By reciprocating the position multiple times between the central area A1 and the end area A2, the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. Since it can be performed multiple times, unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W can be further reduced.

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)이, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하는 구성이 채용되면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.Additionally, in the third processing process, for example, the third processing liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge portion 753n is applied to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (hereinafter referred to as In this case, if a configuration in which liquid lands on the upper surface Wu through the space between the lower surfaces 74b is adopted, the atmosphere control member 74 is opposed to a wide range of the upper surface Wu of the substrate W, and the substrate While controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W more strictly, the third liquid discharge portion 753n is not shaken, and the third liquid discharge portion 753n is spread over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. The liquid supply position of the processing liquid Lq3 can be scanned.

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n) 중 제3 처리액(Lq3)을 토출하는 제3 토출구(753o)가, 연직 방향에 있어서, 상면(Wu)보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치되어 있으면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제3 처리액(Lq3)을 공급할 수 있다. 또한, 여기에서는, 예를 들면, 제3 토출구(753o)가, 연직 방향에 있어서, 척 핀(724)의 상면보다 높은 위치에 배치되면, 제3 토출구(753o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향하는 제3 처리액(Lq3)의 경로가 척 핀(724)에 의해 차단되기 어렵다.Additionally, in the third treatment process, for example, the third discharge port 753o that discharges the third treatment liquid Lq3 among the third liquid discharge portions 753n is higher than the upper surface Wu in the vertical direction. In addition to being disposed at a position lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74, the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74, while the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74. The third treatment liquid Lq3 can be supplied to a wide area of the upper surface Wu. In addition, here, for example, if the third discharge port 753o is disposed at a position higher than the upper surface of the chuck pin 724 in the vertical direction, the upper surface of the substrate W from the third discharge port 753o ( It is difficult for the path of the third treatment liquid Lq3 toward Wu to be blocked by the chuck pin 724.

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 도 10(a)를 참조하여 상술한 바와 같이, 상면(Wu)을 기준으로 한 제3 토출구(753o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 회전축(72a)과 제3 토출구(753o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제3 토출구(753o)를 지나는 가상적인 수평면과 제3 토출구(753o)가 제3 처리액(Lq3)을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 회전축(72a) 상의 부분까지 제3 처리액(Lq3)을 용이하게 공급할 수 있다.Additionally, in the third processing step, for example, as described above with reference to FIG. 10(a), the height in the vertical direction of the third discharge port 753o based on the upper surface Wu is set to H. , the distance in the horizontal direction between the rotation axis 72a and the third discharge port 753o is R, and the virtual horizontal plane passing through the third discharge port 753o and the third discharge port 753o are the third treatment liquid Lq3. Let the angle formed by the discharge direction that discharges be θ, and when the discharge direction is downward than the horizontal direction, the angle θ is a positive value, and when the discharge direction is upward than the horizontal direction, the angle θ is a negative value. In the case where the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the third processing liquid Lq3 can be easily spread to the portion on the rotation axis 72a of the upper surface Wu of the substrate W. can be supplied.

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b))가, 기판(W)의 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하고 있으면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.In addition, in the third processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the lower surface 74b) is positioned in a state covering the upper surface Wu of the substrate W, and the upper surface Wu and If an inert gas is supplied between the atmosphere control members 74, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또한, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제3 처리액(Lq3)을 받는 제2 가드부(732)를 유지부(720)의 주위 및 기판(W)의 외주를 둘러싸도록 배치하고 있으면, 제2 가드부(732)에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제3 처리액(Lq3)을 받아 회수할 수 있다.Additionally, in the third processing process, for example, the second guard portion 732, which receives the third processing liquid Lq3 flying from the upper surface Wu, is placed around the holding portion 720 and around the substrate W. If arranged to surround the outer periphery, the third processing liquid Lq3 flying from the upper surface Wu of the substrate W can be received and recovered by the second guard portion 732.

다음에, 제2 액체 밸브(748v)가 열려, 제5 공급원으로부터 제2 중심 노즐(748n)에 제5 처리액(Lq5)(소수화액)이 공급되고, 도 17(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 중심 노즐(748n)의 토출구로부터 제5 처리액(Lq5)(소수화액)이 하방으로 토출된다(도 12의 단계 Sp11). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)의 전역에 소수화액이 공급되고, 추가로 기판(W)에 부착되어 있는 용제가 소수화액으로 치환된다. 이때, 예를 들면, 스핀 베이스(723)에 내장된 히터 등으로 기판(W)이 가열되어도 된다. 그리고, 소수화액의 토출 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제2 액체 밸브(748v)가 닫혀, 제2 중심 노즐(748n)로부터의 소수화액의 토출이 정지된다. 또, 여기에서는, 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n)를 제2 토출 위치로부터 제2 퇴피 위치까지 퇴피시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 토출 위치로부터 제3 퇴피 위치까지 퇴피시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 제2 이동 기구(752m)에 의해, 제2 액 토출부(752n)를 제2 하측 위치로부터 제2 상측 위치까지 상승시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 하측 위치로부터 제3 상측 위치까지 상승시키고, 추가로 제2 액 토출부(752n)를 제2 내측 위치로부터 제2 외측 위치까지 이동시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 내측 위치로부터 제3 외측 위치까지 이동시킨다.Next, the second liquid valve 748v is opened, and the fifth treatment liquid Lq5 (hydrophobic liquid) is supplied from the fifth supply source to the second center nozzle 748n, as shown in FIG. 17(c). , the fifth processing liquid Lq5 (hydrophobic liquid) is discharged downward from the discharge port of the second center nozzle 748n (step Sp11 in FIG. 12). As a result, the hydrophobic liquid is supplied to the entire upper surface Wu of the substrate W, and the solvent adhering to the substrate W is further replaced by the hydrophobic liquid. At this time, the substrate W may be heated, for example, with a heater built into the spin base 723. Then, when a preset time has elapsed from the start of discharging the hydrophobizing liquid, the second liquid valve 748v is closed, and discharge of the hydrophobizing liquid from the second central nozzle 748n is stopped. In addition, here, the second liquid discharge portion 752n is retracted from the second discharge position to the second retracted position by the second movement mechanism 752m, and the third liquid discharge portion 753n is moved to the third discharge position. It is retreated from to the third retreat position. Here, for example, the second liquid discharge portion 752n is raised from the second lower position to the second upper position by the second moving mechanism 752m, and the third liquid discharge portion 753n is raised to the second upper position. 3 Raise from the lower position to the third upper position, further move the second liquid discharge part 752n from the second inner position to the second outer position, and move the third liquid discharge part 753n to the third inner position. Move from to the third outer position.

다음에, 도 18(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제2 가드부(732)를 상승 위치로부터 하강 위치까지 하강시킨다(단계 Sp12).Next, as shown in FIG. 18(a), the second guard portion 732 is lowered from the raised position to the lowered position by the lifting drive unit 73m (step Sp12).

다음에, 제3 액체 밸브(749v)가 열려, 제6 공급원으로부터 제3 중심 노즐(749n)에 제6 처리액(Lq6)(용제)이 공급되고, 도 18(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 중심 노즐(749n)의 토출구로부터 제6 처리액(Lq6)(용제)이 하방으로 토출된다(단계 Sp13). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 부착되어 있는 소수화액이 용제로 치환된다. 그리고, 용제의 토출 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제3 액체 밸브(749v)가 닫혀, 제3 중심 노즐(749n)로부터의 용제의 토출이 정지된다.Next, the third liquid valve 749v is opened, and the sixth processing liquid Lq6 (solvent) is supplied from the sixth supply source to the third center nozzle 749n, as shown in FIG. 18(b). The sixth processing liquid Lq6 (solvent) is discharged downward from the discharge port of the third central nozzle 749n (step Sp13). As a result, the hydrophobic liquid adhering to the upper surface Wu of the substrate W is replaced with the solvent. Then, when a preset time elapses from the start of solvent discharge, the third liquid valve 749v is closed, and the discharge of solvent from the third center nozzle 749n is stopped.

다음에, 도 18(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 중심 노즐(749n)의 토출구로부터의 제6 처리액(Lq6)의 토출이 정지된 후에, 기판(W)을 건조시키는 건조 처리가 행해진다(단계 Sp14). 여기에서는, 제어부(9)는, 회전 기구(722)를 제어하여, 기판(W)을 고회전 속도(예를 들면, 2500rpm 이상)로 회전시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 부착되어 있는 용제에 큰 원심력이 작용하여, 용제가 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다. 이와 같이 하여, 용제가 기판(W)으로부터 제거되고, 기판(W)이 건조된다.Next, as shown in FIG. 18(c), after the discharge of the sixth processing liquid Lq6 from the discharge port of the third center nozzle 749n is stopped, a drying process for drying the substrate W is performed. c (step Sp14). Here, the control unit 9 controls the rotation mechanism 722 to rotate the substrate W at a high rotation speed (for example, 2500 rpm or more). As a result, a large centrifugal force acts on the solvent adhering to the upper surface Wu of the substrate W, and the solvent is thrown out around the substrate W. In this way, the solvent is removed from the substrate W, and the substrate W is dried.

다음에, 건조 처리의 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 도 19(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 회전 기구(722)에 의해 유지부(720)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다(단계 Sp15). 또, 여기에서는, 도 19(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 기체 밸브(745v) 및 제2 기체 밸브(746v)를 닫음으로써 분위기 제어 부재(74)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향한 불활성 가스의 토출을 정지시킴과 더불어, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74)를 상승시켜 차단판(741)을 이격 위치에 배치한다. 또, 여기에서는, 도 19(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제3 가드부(733)를 상승 위치로부터 하강 위치까지 하강시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 유지부(720)의 회전의 정지, 분위기 제어 부재(74)의 상승, 불활성 가스의 토출의 정지 및 제3 가드부(733)의 하강의 순번은, 적절히 설정되어도 된다.Next, when a preset time has elapsed from the start of the drying process, as shown in FIG. 19(a), the rotation of the substrate W by the holding portion 720 is stopped by the rotation mechanism 722 ( Step Sp15). In addition, here, as shown in FIG. 19(a), the upper surface Wu of the substrate W is removed from the atmosphere control member 74 by closing the first gas valve 745v and the second gas valve 746v. In addition to stopping the discharge of the inert gas toward , the atmosphere control member 74 is raised by the third moving mechanism 74m and the blocking plate 741 is placed in a spaced position. In addition, here, as shown in FIG. 19(a), the third guard part 733 is lowered from the raised position to the lowered position by the lifting drive part 73m. Here, for example, the order of stopping the rotation of the holding part 720, raising the atmosphere control member 74, stopping the discharge of the inert gas, and lowering the third guard part 733 may be set appropriately. .

다음에, 예를 들면, 도 19(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 유지부(720)에 의한 기판(W)의 유지가 해제되고, 제2 반송 기구(8)에 의해 처리 유닛(7) 내로부터 처리가 완료된 기판(W)이 반출된다(단계 Sp16).Next, for example, as shown in FIG. 19(b), the holding portion W of the substrate W by the holding portion 720 is released, and the substrate W is placed within the processing unit 7 by the second transport mechanism 8. The processed substrate W is taken out (step Sp16).

<1-5. 제1 실시 형태의 정리><1-5. Summary of the first embodiment>

이상과 같이, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출구(751o)로부터 제1 처리액(Lq1)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제1 처리액(Lq1)을 공급한다. 이때, 예를 들면, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시켜, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, for example, the substrate W held in a horizontal position by the holding portion 720 is positioned opposite to the upper surface Wu. While supplying an inert gas from the atmosphere control member 74 onto the upper surface Wu and rotating the holding portion 720, the first liquid discharge portion 751n is directed in a direction along the upper surface Wu of the substrate W. By discharging the first processing liquid Lq1 from the first discharge port 751o, the first processing liquid Lq1 is supplied on the upper surface Wu. At this time, for example, by changing the supply amount per unit time of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n, the first processing liquid discharged from the first liquid discharge unit 751n ( By changing the discharge speed of Lq1), the liquid supply position at which the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge portion 751n on the upper surface Wu of the substrate W is supplied is changed. Thereby, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is well controlled by supplying the inert gas from the atmosphere control member 74, while the first liquid discharge portion 751n ), the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 can be scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking the surface.

또, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 액 토출부(752n)의 제2 토출구(752o)로부터 제2 처리액(Lq2)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제2 처리액(Lq2)을 공급한다. 이때, 예를 들면, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도를 변화시켜, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, for example, the atmosphere control is located in a state facing the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding part 720. While supplying the inert gas from the member 74 onto the upper surface Wu and rotating the holding portion 720, the second liquid discharge portion 752n is moved in the direction along the upper surface Wu of the substrate W. 2 By discharging the second processing liquid Lq2 from the discharge port 752o, the second processing liquid Lq2 is supplied on the upper surface Wu. At this time, for example, by changing the supply amount per unit time of the second processing liquid Lq2 from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n, the second processing liquid discharged from the second liquid discharge unit 752n ( By changing the discharge speed of Lq2), the liquid supply position at which the second processing liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge portion 752n on the upper surface Wu of the substrate W is supplied is changed. As a result, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is well controlled by supplying the inert gas from the atmosphere control member 74, while the second liquid discharge portion 752n ), the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 can be scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking the surface.

또, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 액 토출부(753n)의 제3 토출구(753o)로부터 제3 처리액(Lq3)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제3 처리액(Lq3)을 공급한다. 이때, 예를 들면, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도를 변화시켜, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.In addition, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, for example, the atmosphere control is located in a state facing the upper surface Wu of the substrate W held in a horizontal position by the holding part 720. While supplying the inert gas from the member 74 onto the upper surface Wu and rotating the holding portion 720, the third liquid discharge portion 753n is moved toward the direction along the upper surface Wu of the substrate W. 3 By discharging the third processing liquid Lq3 from the discharge port 753o, the third processing liquid Lq3 is supplied on the upper surface Wu. At this time, for example, the supply amount per unit time of the third processing liquid Lq3 from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n is changed, and the third processing liquid discharged from the third liquid discharge unit 753n ( By changing the discharge speed of Lq3), the liquid supply position at which the third processing liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge portion 753n on the upper surface Wu of the substrate W is supplied is changed. Thereby, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is well controlled by supplying the inert gas from the atmosphere control member 74, while the third liquid discharge portion 753n ), the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 can be scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking the surface.

따라서, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.Therefore, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduce unevenness in processing on the upper surface Wu of the substrate W.

<2. 그 외의 실시 형태><2. Other embodiments>

본 발명은 상술한 제1 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 다양한 변경 및 개량 등이 가능하다. The present invention is not limited to the above-described first embodiment, and various changes and improvements are possible without departing from the gist of the present invention.

<2-1. 제2 실시 형태><2-1. Second Embodiment>

상기 제1 실시 형태에 있어서, 분위기 제어 부재(74)가, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)에 대향하고 있는 상태로, 기판(W)의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상면(Wu)을 따라 흐르는 기류를 형성하는 소형의 분위기 제어 부재(74A)로 치환되어도 된다. 이 경우에는, 예를 들면, 상술한 제1~3 처리 공정 모두에 있어서도, 분위기 제어 부재(74A)가, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)에 대향하고 있는 상태로 위치하고, 기판(W)의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상면(Wu)을 따라 흐르는 기류를 형성해도 된다. 여기에서는, 기판(W)의 상면(Wu)의 직경보다, 분위기 제어 부재(74A) 중 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 부분의 하면(74b)의 직경이 작은 양태가 상정된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 직경이 300mm 정도이며, 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)의 직경이 95mm~120mm 정도인 양태가 상정된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 전역이 분위기 제어 부재(74A)에 의해 덮이는 상태로는 되지 않고, 제1 액 토출부(751n)를 제1 퇴피 위치와 제1 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다. 또, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)를 제2 퇴피 위치와 제2 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제3 액 토출부(753n)를 제3 퇴피 위치와 제3 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.In the first embodiment, the atmosphere control member 74 is inert above the substrate W, for example, in a state facing the central area A1 of the upper surface Wu of the substrate W. It may be replaced with a small atmosphere control member 74A that forms an airflow flowing along the upper surface Wu by supplying gas. In this case, for example, even in all of the above-described first to third processing steps, the atmosphere control member 74A is positioned facing the central area A1 of the upper surface Wu of the substrate W, , an airflow flowing along the upper surface Wu may be formed by supplying an inert gas to the upper part of the substrate W. Here, an embodiment is assumed in which the diameter of the lower surface 74b of the portion of the atmosphere control member 74A facing the upper surface Wu of the substrate W is smaller than the diameter of the upper surface Wu of the substrate W. . More specifically, for example, it is assumed that the diameter of the upper surface Wu of the substrate W is about 300 mm, and the diameter of the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A is about 95 mm to 120 mm. If this configuration is adopted, for example, the entire upper surface Wu of the substrate W will not be covered by the atmosphere control member 74A, and the first liquid discharge portion 751n will not be covered by the first liquid discharge portion 751n. It can be easily moved between the retracted position and the first discharge position. Also, for example, the second liquid discharge portion 752n can be easily moved between the second retracted position and the second discharge position, and the third liquid discharge portion 753n can be moved between the third retracted position and the third discharge position. It can be easily moved between locations.

도 20은, 제2 실시 형태에 따른 처리 유닛(7)의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 21은, 제2 실시 형태에 따른 분위기 제어 부재(74A)의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.Fig. 20 is a side view schematically showing an example of the configuration of the processing unit 7 according to the second embodiment. FIG. 21 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing an example of the configuration of the atmosphere control member 74A according to the second embodiment.

도 20 및 도 21에서 나타내어지는 바와 같이, 분위기 제어 부재(74A)는, 예를 들면, 상기 제1 실시 형태에 따른 분위기 제어 부재(74)를 베이스로 하고, 차단판(741), 지지축(742) 및 기체 노즐(745n)이, 기체 노즐(745nA)로 치환된 형태를 갖는다. 바꾸어 말하면, 분위기 제어 부재(74A)는, 중심 노즐군(74n) 및 기체 노즐(745nA)을 갖는다.As shown in FIGS. 20 and 21, the atmosphere control member 74A is, for example, based on the atmosphere control member 74 according to the first embodiment, and includes a blocking plate 741 and a support shaft ( 742) and the gas nozzle 745n are replaced with the gas nozzle 745nA. In other words, the atmosphere control member 74A has a central nozzle group 74n and a gas nozzle 745nA.

기체 노즐(745nA)은, 예를 들면, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 질소 가스 등의 불활성 가스를 토출한다. 이에 의해, 기판(W)의 상방을 질소 가스 분위기로 덮을 수 있다. 기체 노즐(745nA)에는, 제1 기체 밸브(745v)가 도중에 설치된 제1 기체 공급로(745p)가 접속되어 있다.For example, the gas nozzle 745nA discharges an inert gas such as nitrogen gas above the upper surface Wu of the substrate W held in the holding portion 720. Thereby, the upper part of the substrate W can be covered with a nitrogen gas atmosphere. The gas nozzle 745nA is connected to a first gas supply path 745p with a first gas valve 745v installed in the middle.

도 20 및 도 21의 예에서는, 중심 노즐군(74n)에, 기체 노즐(745nA)이 일체로 결합되어 있다. 이 때문에, 분위기 제어 부재(74A)는, 중심 노즐군(74n)에 의해 제4 처리액(Lq4)으로서 린스액, 제5 처리액(Lq5)으로서의 소수화액 및 제6 처리액(Lq6)으로서의 용제를 토출하는 기능과, 질소 가스 등의 불활성 가스를 토출하는 기능을 갖는다.In the examples of FIGS. 20 and 21 , the gas nozzle 745nA is integrally coupled to the central nozzle group 74n. For this reason, the atmosphere control member 74A is provided with a rinse liquid as the fourth treatment liquid Lq4, a hydrophobization liquid as the fifth treatment liquid Lq5, and a solvent as the sixth treatment liquid Lq6 through the central nozzle group 74n. It has a function of discharging and a function of discharging inert gas such as nitrogen gas.

기체 노즐(745nA)은, 하단에 플랜지부(745nf)를 갖는 원통형상의 노즐 본체(745nm)를 갖는다. 노즐 본체(745nm)의 최외경은, 예를 들면, 95mm~120mm 정도이다. 플랜지부(745nf)의 측면인 외주면에는, 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)가, 각각 환상으로 외방을 향해 개구되어 있다. 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)는, 상하로 간격을 두고 배치되어 있다. 노즐 본체(745nm)의 하면(74b)에는, 중심 기체 토출구(745o)가 배치되어 있다.The gas nozzle 745nA has a cylindrical nozzle body 745nm with a flange portion 745nf at the lower end. The outermost diameter of the nozzle body (745 nm) is, for example, about 95 mm to 120 mm. On the outer peripheral surface, which is the side surface of the flange portion 745nf, an upper gas discharge port 746o1 and a lower gas discharge port 746o2 each open outward in an annular shape. The upper gas outlet 746o1 and the lower gas outlet 746o2 are arranged at intervals up and down. A central gas discharge port 745o is disposed on the lower surface 74b of the nozzle body 745nm.

노즐 본체(745nm)에는, 제1 기체 공급로(745p)로부터 불활성 가스가 공급되는 기체 도입구(745i1, 745i2)가 형성되어 있다. 기체 도입구(745i1, 745i2)에 대해 개별적으로 불활성 가스를 공급하는 기체 공급로가 접속되어도 된다. 노즐 본체(745nm) 내에는, 기체 도입구(745i2)와 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)를 접속하는 통형상의 기체 유로(745nr)가 형성되어 있다. 또, 노즐 본체(745nm) 내에는, 기체 도입구(745i1)에 연통하는 통형상의 기체 유로(745nw)가 중심 노즐군(74n) 둘레로 형성되어 있다. 기체 유로(745nw)의 하부에는 버퍼 공간(745nb)이 연통하고 있다. 버퍼 공간(745nb)은, 또한 펀칭 플레이트(745np)를 통해, 그 하방의 공간(745ns)에 연통하고 있다. 이 공간(745ns)의 하부가 중심 기체 토출구(745o)로 되어 있다.Gas inlet ports 745i1 and 745i2 through which inert gas is supplied from the first gas supply path 745p are formed in the nozzle body (745 nm). Gas supply paths that individually supply inert gas may be connected to the gas inlet ports 745i1 and 745i2. In the nozzle body 745nm, a cylindrical gas flow path 745nr is formed that connects the gas inlet 745i2, the upper gas discharge port 746o1, and the lower gas discharge port 746o2. Additionally, within the nozzle body 745nm, a cylindrical gas passage 745nw communicating with the gas inlet 745i1 is formed around the central nozzle group 74n. A buffer space 745nb is in communication with the lower part of the gas flow path 745nw. The buffer space 745nb is further connected to the space 745ns below it through the punching plate 745np. The lower part of this space (745ns) is the central gas discharge port (745o).

기체 도입구(745i2)로부터 도입된 불활성 가스는, 기체 유로(745nr)를 통해 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)에 공급되고, 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)로부터 방사상으로 토출된다. 이에 의해, 상하로 겹쳐지는 2개의 방사상의 기류(방사상 기류라고도 한다)가 기판(W)의 상방에 형성된다. 한편, 기체 도입구(745i1)로부터 도입된 불활성 가스는, 기체 유로(745nw)를 통해 버퍼 공간(745nb)에 모아지고, 또한 펀칭 플레이트(745np)를 지나 확산된 후에, 공간(745ns)을 지나 중심 기체 토출구(745o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 하방으로 토출된다. 이 불활성 가스는, 기판(W)의 상면(Wu)에 부딪쳐 방향을 바꾸고, 불활성 가스의 방사상 기류를 기판(W)의 상방에 형성한다.The inert gas introduced from the gas inlet 745i2 is supplied to the upper gas outlet 746o1 and the lower gas outlet 746o2 through the gas flow path 745nr, and the upper gas outlet 746o1 and the lower gas outlet 746o2 It is discharged radially from. As a result, two radial airflows (also referred to as radial airflows) that overlap vertically are formed above the substrate W. On the other hand, the inert gas introduced from the gas inlet 745i1 is collected in the buffer space 745nb through the gas flow path 745nw, diffuses through the punching plate 745np, and then passes through the space 745ns to the center. It is discharged downward from the gas discharge port 745o toward the upper surface Wu of the substrate W. This inert gas strikes the upper surface Wu of the substrate W, changes direction, and forms a radial airflow of the inert gas above the substrate W.

따라서, 중심 기체 토출구(745o)로부터 토출되는 불활성 가스가 형성하는 방사상 기류와, 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)로부터 토출되는 2층의 방사상 기류에 의해 3층의 방사상 기류가 기판(W)의 상방에 형성된다. 이 3층의 방사상 기류에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)이 보호된다. 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 하여 기판(W)을 고속으로 회전시킬 때에, 3층의 불활성 가스의 방사상 기류에 의해 기판(W)의 상면이 보호됨으로써, 기판(W)의 상면(Wu)이, 산소 그리고 액적 및 미스트 등의 습기로부터 보호된다.Therefore, a three-layer radial airflow is formed by the radial airflow formed by the inert gas discharged from the central gas discharge port 745o, and the two-layer radial airflow discharged from the upper gas discharge port 746o1 and the lower gas discharge port 746o2. It is formed above (W). The upper surface Wu of the substrate W is protected by the radial airflow of these three layers. For example, when rotating the substrate W at high speed around the rotation axis 72a, the upper surface of the substrate W is protected by the radial airflow of the three layers of inert gas, so that the upper surface of the substrate W ( Wu) is protected from oxygen and moisture such as droplets and mist.

여기에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)을 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 근접시킨 위치(근접 위치) 또는 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 이격시킨 위치(이격 위치)에 배치시킬 수 있다. 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해, 에칭, 세정, 소수화 및 건조를, 이 기재 순서로 행하는 일련의 기판 처리를 실행할 때에, 하면(74b)과 상면(Wu)의 간격을, 예를 들면, 3mm~10mm 정도로 설정할 수 있다.Here, for example, the position (proximity position) where the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A is brought close to the upper surface Wu of the substrate W held by the holding part 720 or the holding part 720 It can be placed at a position (separated position) away from the upper surface (Wu) of the substrate (W) held in . For example, when performing a series of substrate processes such as etching, cleaning, hydrophobization, and drying on the upper surface Wu of the substrate W in the order described, the gap between the lower surface 74b and the upper surface Wu is , For example, it can be set to about 3mm to 10mm.

중심 노즐군(74n)은, 기체 유로(745nw), 버퍼 공간(745nb) 및 펀칭 플레이트(745np)를 관통하여 연직 방향으로 연장되어 있다. 중심 노즐군(74n)의 하단의 각 토출구는, 펀칭 플레이트(745np)의 하방에 위치하고 있다. 중심 노즐군(74n)의 하면은, 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)과 같은 높이 또는 하면(74b)보다 상방에 위치하고 있다.The central nozzle group 74n extends in the vertical direction through the gas flow path 745nw, the buffer space 745nb, and the punching plate 745np. Each discharge port at the lower end of the central nozzle group 74n is located below the punching plate 745np. The lower surface of the central nozzle group 74n is located at the same height as the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A or above the lower surface 74b.

여기서, 예를 들면, 제3 이동 기구(74m)는, 모터 등에 의해 연직 방향을 따른 가상적인 회전축(74a)을 중심으로 하여 아암(743)을 회동시킴으로써, 분위기 제어 부재(74A)를 유지부(720) 상에 있어서 요동시킬 수 있어도 된다. 또, 예를 들면, 제3 이동 기구(74m)는, 모터 등에 의해 회전축(74a)을 중심으로 하여 아암(743)을 회동시킴으로써, 분위기 제어 부재(74A)를 유지부(720) 상으로부터 퇴피시킬 수 있어도 된다.Here, for example, the third moving mechanism 74m rotates the arm 743 around the virtual rotation axis 74a along the vertical direction using a motor or the like, thereby holding the atmosphere control member 74A. 720) It may be shaken in the phase. In addition, for example, the third moving mechanism 74m allows the atmosphere control member 74A to be retracted from the holding portion 720 by rotating the arm 743 around the rotation axis 74a using a motor or the like. You can do it.

<2-2. 제3 실시 형태><2-2. Third Embodiment>

상기 각 실시 형태에서는, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 각각, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)(도 10(b))를 갖고 있지 않아도 된다. 도 22는, 제3 실시 형태에 따른 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)의 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.In each of the above embodiments, the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n are each, for example, the first tubular portion 75p1 (FIG. 10) You do not need to have (b)). Figure 22 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the shape of the first to third liquid discharge parts 751n, 752n, and 753n according to the third embodiment.

제3 실시 형태에서는, 제2 관형상부(75p2)는, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 상태의 관형상의 선단부(75p4)를 갖는다. 그리고, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)에 있어서, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 선단부(75p4)가, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 제1 토출구(751o)를 갖고 있어도 된다. 또, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 있어서, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 선단부(75p4)가, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 제2 토출구(752o)를 갖고 있어도 된다. 또, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 있어서, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 선단부(75p4)가, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 제3 토출구(753o)를 갖고 있어도 된다. 여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 구동부의 일례인 제1 이동 기구(751m)에 의해, 제1~3 가드부(731, 732, 733) 중 적어도 1개의 가드부와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극에 대해 선단부(75p4)가 삽입 발거되도록, 제1 액 토출부(751n)를 연직 방향을 따라 승강시켜도 되고, 제3 구동부의 일례인 제2 이동 기구(752m)에 의해, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 연직 방향을 따라 승강시켜도 된다.In the third embodiment, the second tubular portion 75p2 has a tubular tip portion 75p4 extending along the vertical direction. And, for example, in the first liquid discharge portion 751n, the tip portion 75p4 extending along the vertical direction may have a first discharge port 751o opening toward the horizontal direction. Also, for example, in the second liquid discharge portion 752n, the tip portion 75p4 extending along the vertical direction may have a second discharge port 752o that opens in the horizontal direction. Also, for example, in the third liquid discharge portion 753n, the tip portion 75p4 extending along the vertical direction may have a third discharge port 753o opening toward the horizontal direction. Here, for example, the control unit 9 moves the atmosphere with at least one of the first to third guard units 731, 732, and 733 by the first moving mechanism 751m, which is an example of the third drive unit. The first liquid discharge portion 751n may be raised and lowered along the vertical direction so that the tip portion 75p4 is inserted and removed from the gap between the control members 74 and 74A, and the second moving mechanism 752m, which is an example of the third drive portion, may be used. Accordingly, the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n may be raised and lowered along the vertical direction.

이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)의 상면이, 분위기 제어 부재(74, 74A)의 하면(74b)보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극이 좁은 경우여도, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)의 제2 관형상부(75p2)를, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간격이 좁아도, 제1 액 토출부(751n)를, 제1 퇴피 위치와 제1 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제2 액 토출부(752n)를, 제2 퇴피 위치와 제2 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제3 액 토출부(753n)를, 제3 퇴피 위치와 제3 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.When this configuration is adopted, for example, the upper surface of the guard 73 is disposed at a higher position than the lower surface 74b of the atmosphere control members 74 and 74A, so that the guard 73 and the atmosphere control members 74, Even if the gap between 74A) is narrow, the second tubular portions 75p2 of the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n are connected to the guard 73. It can be easily inserted and removed from the gap between the atmosphere control members 74 and 74A. Specifically, for example, even if the gap between the guard 73 and the atmosphere control members 74 and 74A is narrow, the first liquid discharge portion 751n can be easily moved between the first retracted position and the first discharge position. It can be moved, the second liquid discharge portion 752n can be easily moved between the second retracted position and the second discharge position, and the third liquid discharge portion 753n can be easily moved between the third retracted position and the third discharge position. It can be easily moved between discharge positions.

<2-3. 제4 실시 형태><2-3. Fourth Embodiment>

상기 각 실시 형태에 있어서, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 좁은 간극에 대해, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)를 각각 삽입 발거 가능하게 하기 위해서, 가드(73)의 내주연부에 오목부가 형성되어도 된다. 도 23은, 제4 실시 형태에 따른 처리 유닛(7)의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.In each of the above embodiments, for example, the first to third liquid discharge parts 751n, 752n, and 753n can be inserted and removed, respectively, into the narrow gap between the guard 73 and the atmosphere control members 74 and 74A. To do this, a concave portion may be formed on the inner peripheral edge of the guard 73. FIG. 23 is a plan view schematically showing an example of the internal configuration of the processing unit 7 according to the fourth embodiment.

제4 실시 형태에서는, 도 23에서 나타내어지는 바와 같이, 가드(73)는, 하방 향을 향해 평면에서 봤을 때 혹은 평면 투시했을 경우에, 분위기 제어 부재(74)로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부(73r)를 갖는 내주연부(73i)를 갖고 있어도 된다. 다른 관점에서 말하면, 가드(73)는, 내주연부(73i)에 있어서, 회전축(72a)으로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부(73r)를 갖고 있어도 된다. 도 23의 예에서는, 가드(73)는, 2개의 오목부(73r)를 갖는다. 2개의 오목부(73r)는, 제1 액 토출부(751n)를 위한 제1 오목부(73r1)와, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 위한 제2 오목부(73r2)를 포함한다. 여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 구동부의 일례로서의 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 강하시킴으로써 제2 관형상부(75p2)를 제1 오목부(73r1) 내의 공간에 삽입 통과시키는 동작(하강 동작), 및 제3 구동부의 일례로서의 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 상승시킴으로써 제2 관형상부(75p2)를 제1 오목부(73r1) 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 동작(상승 동작) 중 적어도 한쪽의 동작을 실행시켜도 된다. 또, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 구동부의 일례로서의 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 강하시킴으로써 각 제2 관형상부(75p2)를 제2 오목부(73r2) 내의 공간에 삽입 통과시키는 동작(하강 동작), 및 제3 구동부의 일례로서의 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 상승시킴으로써 각 제2 관형상부(75p2)를 제2 오목부(73r2) 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 동작(상승 동작) 중 적어도 한쪽의 동작을 실행시켜도 된다.In the fourth embodiment, as shown in FIG. 23, the guard 73 has a concave portion ( It may have an inner peripheral edge 73i having 73r). From another viewpoint, the guard 73 may have a concave portion 73r on the inner peripheral edge 73i that is recessed in a direction away from the rotation axis 72a. In the example of Fig. 23, the guard 73 has two concave portions 73r. The two recesses 73r include a first recess 73r1 for the first liquid discharge portion 751n, and second recesses for the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n. Includes part 73r2. Here, for example, the control unit 9 lowers the first liquid discharge unit 751n by the first moving mechanism 751m as an example of the third drive unit, thereby lowering the second tubular portion 75p2 into the first concave position. The second tubular portion 75p2 is raised by inserting and passing it through the space within the portion 73r1 (lowering operation) and raising the first liquid discharge portion 751n by the first moving mechanism 751m as an example of the third driving portion. At least one of the operations of moving upward from the space within the first concave portion 73r1 (raising operation) may be performed. Also, for example, the control unit 9 moves the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n down by the second moving mechanism 752m as an example of the third drive unit, thereby lowering the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n. An operation of inserting the tubular portion 75p2 into the space within the second concave portion 73r2 (lowering operation), and a second moving mechanism 752m as an example of the third drive section, cause the second liquid discharge portion 752n and At least one of the operations (raising operation) of moving each second tubular portion 75p2 upward from the space within the second recess 73r2 by raising the third liquid discharge portion 753n may be performed.

이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)의 상면이, 분위기 제어 부재(74, 74A)의 하면(74b)보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극이 좁은 경우여도, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)의 제2 관형상부(75p2)를, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간격이 좁아도, 제1 액 토출부(751n)를, 제1 퇴피 위치와 제1 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제2 액 토출부(752n)를, 제2 퇴피 위치와 제2 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제3 액 토출부(753n)를, 제3 퇴피 위치와 제3 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.When this configuration is adopted, for example, the upper surface of the guard 73 is disposed at a higher position than the lower surface 74b of the atmosphere control members 74 and 74A, so that the guard 73 and the atmosphere control members 74, Even if the gap between 74A) is narrow, the second tubular portions 75p2 of the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n are connected to the guard 73. It can be easily inserted and removed from the gap between the atmosphere control members 74 and 74A. Specifically, for example, even if the gap between the guard 73 and the atmosphere control members 74 and 74A is narrow, the first liquid discharge portion 751n can be easily moved between the first retracted position and the first discharge position. It can be moved, the second liquid discharge portion 752n can be easily moved between the second retracted position and the second discharge position, and the third liquid discharge portion 753n can be easily moved between the third retracted position and the third discharge position. It can be easily moved between discharge positions.

또, 여기에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)의 제2 관형상부(75p2)가 제1 오목부(73r1) 내의 공간에 삽입 통과된 상태로, 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)가 회전축(72a)에 대해 접근 및 이격하는 방향으로 이동되어도 된다. 이에 의해, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)가 제1 관형상부(75p1)를 갖는 경우여도, 제1 토출구(751o)를 분위기 제어 부재(74, 74A)와 유지부(720) 사이의 공간에 대해 삽입 발거할 수 있다. 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)의 제2 관형상부(75p2)가 제2 오목부(73r2) 내의 공간에 삽입 통과된 상태로, 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)가 회전축(72a)에 대해 접근 및 이격하는 방향으로 이동되어도 된다. 이에 의해, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)가 제1 관형상부(75p1)를 갖는 경우여도, 제2 토출구(752o) 및 제3 토출구(753o)를 분위기 제어 부재(74, 74A)와 유지부(720) 사이의 공간에 대해 삽입 발거할 수 있다.Also, here, for example, the second tubular portion 75p2 of the first liquid discharge portion 751n is inserted into the space within the first recessed portion 73r1 and is moved to the first moving mechanism 751m. Accordingly, the first liquid discharge portion 751n may be moved in a direction toward or away from the rotation axis 72a. As a result, for example, even when the first liquid discharge portion 751n has the first tubular portion 75p1, the first discharge port 751o is positioned between the atmosphere control members 74 and 74A and the holding portion 720. It can be inserted and removed in the space of . For example, with the second tubular portion 75p2 of the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n inserted into the space within the second recessed portion 73r2, the second moving mechanism By (752m), the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n may be moved in directions to approach and separate from the rotation axis 72a. As a result, for example, even in the case where the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n have the first tubular portion 75p1, the second discharge port 752o and the third discharge port 753o Can be inserted and removed into the space between the atmosphere control members 74 and 74A and the holding portion 720.

<2-4. 제5 실시 형태><2-4. Fifth Embodiment>

상기 제1 실시 형태 및 상기 제2 실시 형태에 있어서, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 각각 가드(73)와 일체적으로 구성된 상태에 있어도 된다. 도 24는, 제5 실시 형태에 따른 처리 유닛(7)에 있어서의 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)의 배치를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 24(a)에는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu)에 있어서의 중앙 영역(A1)에 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습이 나타내어져 있고, 도 24(b)에는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu)에 있어서의 단부측 영역(A2)에 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습이 나타내어져 있다.In the first and second embodiments, for example, the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n each have a guard 73. ) may be in an integrated state. FIG. 24 is a side view schematically showing the arrangement of the first to third liquid discharge parts 751n, 752n, and 753n in the processing unit 7 according to the fifth embodiment. FIG. 24(a) shows the first processing liquid Lq1 being discharged from the first liquid discharge portion 751n to the central area A1 on the upper surface Wu of the substrate W. 24(b) shows the first processing liquid Lq1 being discharged from the first liquid discharge portion 751n to the end area A2 on the upper surface Wu of the substrate W. It's messy.

도 24에서 나타내어지는 바와 같이, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)가 제1 가드부(731)와 일체적으로 구성되어도 되고, 제2 액 토출부(752n)가 제3 가드부(733)와 일체적으로 구성되어도 되고, 제3 액 토출부(753n)가 제2 가드부(732)와 일체적으로 구성되어도 된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)의 배치가 용이하다.As shown in FIG. 24, for example, the first liquid discharge part 751n may be formed integrally with the first guard part 731, and the second liquid discharge part 752n may be formed of the third guard part ( 733), and the third liquid discharge part 753n may be formed integrally with the second guard part 732. If this configuration is adopted, for example, arrangement of the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n is easy.

<2-5. 그 외><2-5. Others>

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1~6 처리액(Lq1~Lq6) 중 하나 이상의 처리액을 기판(W)의 상면(Wu) 상에 공급하고 있을 때에, 분위기 제어 부재(74, 74A)가, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급해도 된다.In each of the above embodiments, for example, when one or more of the first to sixth processing liquids (Lq1 to Lq6) are supplied onto the upper surface Wu of the substrate W, the atmosphere control members 74 and 74A ) may supply an inert gas on the upper surface Wu of the substrate W.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n), 제2 액 공급로(752p) 및 제2 변경부(752v)를 설치하는 일 없이, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 용제의 토출이, 제3 중심 노즐(749n)로부터 행해지는 구성이 채용되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, the upper surface Wu of the substrate W is maintained without providing the second liquid discharge portion 752n, the second liquid supply path 752p, and the second change portion 752v. A configuration in which the solvent is discharged onto the bed from the third central nozzle 749n may be adopted.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)가, 제2 처리액으로서, 용제 대신에, 린스액을 토출하는 구성이 채용되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, the second liquid discharge portion 752n may be configured to discharge a rinse liquid instead of a solvent as the second processing liquid.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74, 74A)를 거의 혹은 완전히 승강시키지 않는 구성이 채용되어도 된다.In each of the above-described embodiments, for example, a configuration in which the atmosphere control members 74 and 74A are hardly or completely raised or lowered by the third moving mechanism 74m may be adopted.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 처리 유닛(7A) 및 제2 처리 유닛(7B)에 대해서는, 유지부(720)에, 메커니컬 척 또는 메커니컬 그리퍼가 적용되어도 되고, 베르누이 척 또는 베르누이 그리퍼가 적용되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, for the first processing unit 7A and the second processing unit 7B, a mechanical chuck or a mechanical gripper may be applied to the holding portion 720, and a Bernoulli chuck or a Bernoulli gripper may be applied. may be applied.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 각각 회전 유지 기구(72)와 일체적으로 구성되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n are each configured integrally with the rotation holding mechanism 72. It's okay.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 불활성 가스에, 건조 공기 또는 청정 공기 등의 질소 가스 이외의 가스가 포함되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, the inert gas may contain a gas other than nitrogen gas, such as dry air or clean air.

상기 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)에 있어서, 제1 관형상부(75p1)가, 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회동 가능하게 제2 관형상부(75p2)에 설치되어 있어도 된다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)가, 모터 등의 구동부에 의해 제2 관형상부(75p2)를 중심으로 하여 제1 관형상부(75p1)의 방향을 변경하는 것이 가능해도 된다. 이러한 구성에 의하면, 예를 들면, 가드(73)의 상면이, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극이 좁은 경우여도, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)를, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극이 좁아도, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)를, 각각 퇴피 위치와 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.In the first embodiment, for example, in the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n, the first tubular portion 75p1 can rotate around a virtual rotation axis along the vertical direction. Alternatively, it may be installed on the second tubular portion 75p2. Here, for example, the control unit 9 may be able to change the direction of the first tubular part 75p1 with the second tubular part 75p2 as the center by a driving unit such as a motor. According to this configuration, for example, the upper surface of the guard 73 is disposed at a higher position than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74, and the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74 is Even if it is narrow, the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n can be easily inserted and removed from the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74. Thereby, for example, even if the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74 is narrow, the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n can be easily moved between the retracted position and the discharge position, respectively. It can be moved.

상기 제1, 3~5 실시 형태에서는, 예를 들면, 지지축(742)에 모터 등의 회전 기구를 설치하고, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해, 에칭, 세정, 소수화 및 건조를, 이 기재 순서로 행하는 일련의 기판 처리를 실행할 때에, 회전축(72a)을 중심으로 하여 차단판(741)을 회전시켜도 된다. 이 경우에는, 예를 들면, 제어부(9)는, 회전 기구의 동작을 제어하여, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)과 같은 회전 방향으로 또한 대략 동일한 회전 속도로 차단판(741)을 회전시켜도 된다.In the first, third to fifth embodiments, for example, a rotation mechanism such as a motor is installed on the support shaft 742, and etching, cleaning, hydrophobization, and drying are performed on the upper surface Wu of the substrate W. , when performing a series of substrate processes in this described order, the blocking plate 741 may be rotated around the rotation axis 72a. In this case, for example, the control unit 9 controls the operation of the rotation mechanism to rotate the substrate W held by the holding unit 720 in the same rotation direction as the substrate W and in approximately the same direction. The blocking plate 741 may be rotated at a rotational speed.

상기 제2 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 처리 공정에 있어서의 제1 토출구(751o)의 위치, 제2 처리 공정에 있어서의 제2 토출구(752o)의 위치, 및 제3 처리 공정에 있어서의 제3 토출구(753o)의 위치는, 각각 연직 방향에 있어서 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)과 동등하거나 혹은 하면(74b)보다 약간 높은 위치여도 된다.In the second embodiment, for example, the position of the first discharge port 751o in the first processing step, the position of the second discharge port 752o in the second processing step, and the third processing step. The position of the third discharge port 753o may be equal to or slightly higher than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A in the vertical direction.

또한, 상기 제1~5 실시 형태 및 각종 변형예를 각각 구성하는 전부 또는 일부를, 적절히, 모순되지 않는 범위에서 조합 가능한 것은, 말할 필요도 없다.In addition, it goes without saying that all or part of the first to fifth embodiments and various modifications can be appropriately combined within a non-contradictory range.

1: 기판 처리 장치 7: 처리 유닛
72: 회전 유지 기구 720: 유지부
721: 중심축 722: 회전 기구
723: 스핀 베이스 724: 척 핀
72a: 회전축 73: 가드
731, 732, 733: 제1~3 가드부 73i: 내주연부
73m: 승강 구동부 73r: 오목부
73r1, 73r2: 제1, 2 오목부 74, 74A: 분위기 제어 부재
741: 차단판 745n, 745nA: 기체 노즐
74m: 제3 이동 기구 74n: 중심 노즐군
74b: 하면 751a: 가상축
751m: 제1 이동 기구 751n: 제1 액 토출부
751o: 제1 토출구 751p: 제1 액 공급로
751v: 제1 변경부 752a: 가상축
752m: 제2 이동 기구 752n: 제2 액 토출부
752o: 제2 토출구 752p: 제2 액 공급로
752v: 제2 변경부 753m: 제3 이동 기구
753n: 제3 액 토출부 753o: 제3 토출구
753p: 제3 액 공급로 753v: 제3 변경부
75d: 토출 방향 75p1: 제1 관형상부
75p2: 제2 관형상부 75p3: 제3 관형상부
75p4: 선단부 9: 제어부
A1: 중앙 영역 A2: 단부측 영역
Lq1~Lq6: 제1~6 처리액 W: 기판1: substrate processing device 7: processing unit
72: Rotation holding mechanism 720: Holding part
721: central axis 722: rotation mechanism
723: Spin base 724: Chuck pin
72a: rotation axis 73: guard
731, 732, 733: 1st to 3rd guard parts 73i: inner peripheral edge
73m: lifting driving part 73r: concave part
73r1, 73r2: first and second recesses 74, 74A: atmosphere control member
741: Blocking plate 745n, 745nA: Gas nozzle
74m: Third moving mechanism 74n: Center nozzle group
74b: Bottom 751a: Virtual axis
751m: first moving mechanism 751n: first liquid discharge unit
751o: first discharge port 751p: first liquid supply path
751v: first change unit 752a: virtual axis
752m: second moving mechanism 752n: second liquid discharge unit
752o: second discharge port 752p: second liquid supply path
752v: Second change section 753m: Third moving mechanism
753n: third liquid discharge portion 753o: third discharge port
753p: Third liquid supply path 753v: Third change section
75d: Discharge direction 75p1: First tubular portion
75p2: second tubular portion 75p3: third tubular portion
75p4: tip 9: control section
A1: Central area A2: End area
Lq1 to Lq6: 1st to 6th processing liquid W: substrate

Claims (22)

기판을 수평 자세로 유지부로 하여금 유지하게 하는 유지 공정과,
상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재로부터 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급하면서, 상기 유지부를 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회전시키면서, 액 토출부의 토출구로부터 상기 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 당해 처리액을 공급하는 처리 공정을 갖고,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 처리액의 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시키는, 기판 처리 방법.A holding process in which the substrate is held in a horizontal position by a holding unit,
Rotating the holding unit around a virtual rotation axis along a vertical direction while supplying an inert gas onto the upper surface from an atmosphere control member positioned opposite to the upper surface of the substrate held in a horizontal position by the holding unit. A processing step of supplying the processing liquid onto the upper surface by discharging the processing liquid from the discharge port of the liquid discharge unit in a direction along the upper surface while doing so,
In the treatment process, the supply amount of the treatment liquid per unit time from the supply source of the treatment liquid to the liquid discharge unit is changed, and the discharge speed of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit is changed, so that the liquid in the upper surface is changed. A substrate processing method of changing a liquid supply position where the processing liquid discharged from the discharge unit is supplied. 청구항 1에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 토출부는 요동하지 않고, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상기 액 공급 위치를, 상기 상면 상의 중앙부 및 그 근방을 포함하는 영역인 중앙 영역 내와 상기 상면 상의 외주 단부측의 영역인 단부측 영역 내 사이에서 스캔시키는, 기판 처리 방법.In claim 1,
In the treatment process, the liquid discharge unit is not shaken, but the supply amount of the treatment liquid per unit time from the supply source to the liquid discharge unit is changed, and the discharge speed of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit is changed, A substrate processing method wherein the liquid supply position is scanned between a central area, which is an area including the central part and its vicinity on the upper surface, and an end-side area, which is an area on an outer peripheral end side on the upper surface. 청구항 2에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 상기 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 상기 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는, 기판 처리 방법.In claim 2,
In the processing step, the liquid is supplied from the supply source so that the discharge speed is lower when the liquid supply position is within the end region of the upper surface than when the liquid supply position is within the central region of the upper surface. A substrate processing method that reduces the supply amount of the processing liquid to a discharge unit per unit time. 청구항 3에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시키는, 기판 처리 방법.In claim 3,
In the processing step, the liquid supply position is reciprocated between the central region and the end region a plurality of times by increasing or decreasing the supply amount of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit per unit time. . 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
In the processing step, the processing liquid discharged from the liquid discharge unit passes through a space between the upper surface and the atmosphere control member and lands on the upper surface. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 토출구는, 연직 방향에 있어서, 상기 상면보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치되는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
In the processing step, the discharge port is disposed at a position higher than the upper surface in the vertical direction and lower than the lower surface of the atmosphere control member. 청구항 6에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하는, 기판 처리 방법.In claim 6,
In the processing step, the height in the vertical direction of the discharge port relative to the upper surface is set to H, the distance between the virtual rotation axis and the discharge port in the horizontal direction is set to R, and the virtual axis passing through the discharge port is set to R. Let the angle formed between a horizontal plane and the discharge direction in which the discharge port discharges the processing liquid be θ. When the discharge direction is downward rather than the horizontal direction, the angle θ has a positive value and the discharge direction is horizontal. A substrate processing method that satisfies the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) when the angle θ represents a negative value in a more upward direction. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
In the processing step, the atmosphere control member is positioned covering the upper surface, and an inert gas is supplied between the upper surface and the atmosphere control member. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 위치하고, 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성하는, 기판 처리 방법.The method according to any one of claims 1 to 4,
In the processing step, the atmosphere control member is positioned facing a central region of the upper surface, and supplies an inert gas to an upper portion of the substrate to form an airflow flowing along the upper surface. 기판을 수평 자세로 유지하는 유지부와,
연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 상기 유지부를 회전시키는 제1 구동부와,
상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급하는 분위기 제어 부재와,
상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상기 상면을 따른 방향을 향해 토출구로부터 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 상기 처리액을 공급하는 액 토출부와,
상기 처리액의 공급원과 상기 액 토출부를 접속하고 있는 액 공급로와,
상기 액 공급로의 도중에 위치하며, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 변경부와,
상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 상기 변경부로 하여금 변경하게 함으로써, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시키고, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시키는 제어부를 구비하는, 기판 처리 장치.a holding portion that maintains the substrate in a horizontal position;
a first driving unit that rotates the holding unit around a virtual rotation axis along a vertical direction;
an atmosphere control member that supplies an inert gas to the upper surface of the substrate held in a horizontal position by the holding unit;
a liquid discharge unit that supplies the processing liquid on the upper surface by discharging the processing liquid from a discharge port in a direction along the upper surface of the substrate held in a horizontal position by the holding unit;
a liquid supply path connecting the supply source of the treatment liquid and the liquid discharge unit;
a change unit located in the middle of the liquid supply path to change a supply amount of the treatment liquid per unit time from the supply source to the liquid discharge unit;
By causing the changing unit to change the supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharging portion, the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharging portion is changed, and the discharging speed of the processing liquid discharged from the liquid discharging portion of the upper surface is changed. A substrate processing apparatus comprising a control unit that changes a liquid supply position to which the processing liquid is supplied. 청구항 10에 있어서,
상기 제어부는, 상기 액 토출부를 요동시키지 않고, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 상기 변경부로 하여금 변경하게 함으로써, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시키는 것에 의해, 상기 액 공급 위치를, 상기 상면 상의 중앙부 및 그 근방을 포함하는 영역인 중앙 영역 내와 상기 상면 상의 외주 단부측의 영역인 단부측 영역 내 사이에서 스캔시키는, 기판 처리 장치.In claim 10,
The control unit adjusts the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharge unit by causing the change unit to change the amount of processing liquid supplied from the supply source to the liquid discharge unit per unit time without shaking the liquid discharge unit. By changing, the liquid supply position is scanned between a central area, which is an area including the central part and its vicinity on the upper surface, and an end-side area, which is an area on an outer peripheral end side on the upper surface. 청구항 11에 있어서,
상기 제어부는, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 상기 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 상기 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는, 기판 처리 장치.In claim 11,
The control unit adjusts the supply source to the change unit so that the discharge speed becomes smaller when the liquid supply position is within the end side region of the upper surface than when the liquid supply position is within the central region of the upper surface. A substrate processing apparatus that reduces the supply amount of the processing liquid per unit time from the liquid discharge unit to the liquid discharge unit. 청구항 12에 있어서,
상기 제어부는, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시키는, 기판 처리 장치.In claim 12,
The control unit reciprocates the liquid supply position between the central area and the end area a plurality of times by increasing or decreasing the supply amount of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit by the changing unit per unit time. Substrate processing equipment. 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 토출부는, 상기 처리액이 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액하도록, 상기 처리액을 토출하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 10 to 13,
The liquid discharge unit discharges the processing liquid so that the processing liquid passes through a space between the upper surface and the atmosphere control member and lands on the upper surface. 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토출구는, 연직 방향에 있어서 상기 상면보다 높고 또한 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상기 상면을 따른 방향을 향해 상기 처리액을 토출하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 10 to 13,
The substrate processing apparatus, wherein the discharge port is disposed at a position higher than the upper surface and lower than the lower surface of the atmosphere control member in the vertical direction and discharges the processing liquid in a direction along the upper surface. 청구항 15에 있어서,
상기 액 토출부가 상기 상면에 상기 처리액을 공급할 때에, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하는, 기판 처리 장치.In claim 15,
When the liquid discharge unit supplies the processing liquid to the upper surface, the height in the vertical direction of the discharge port with respect to the upper surface is set to H, and the distance between the virtual rotation axis and the discharge port in the horizontal direction is R. Let the angle formed between a virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction in which the discharge hole discharges the processing liquid be θ, and when the discharge direction is downward rather than the horizontal direction, the angle θ has a positive value. A substrate processing apparatus that satisfies the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) when the angle θ represents a negative value when the discharge direction is upward from the horizontal direction. 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급하는 차단판을 포함하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 10 to 13,
The atmosphere control member includes a blocking plate covering the upper surface and supplying an inert gas between the upper surface and the atmosphere control member. 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성하는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 10 to 13,
The substrate processing apparatus wherein the atmosphere control member forms an airflow flowing along the upper surface by supplying an inert gas to the upper part of the substrate while facing a central region of the upper surface. 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와,
상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고,
상기 액 토출부는,
수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 상기 토출구를 갖는 제1 관형상부와,
상기 제1 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제1 관형상부로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제2 관형상부와,
상기 제2 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제2 관형상부로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제3 관형상부를 갖는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 10 to 13,
A guard portion surrounding the holding portion,
and a second driving unit that lifts and lowers the guard unit along a vertical direction,
The control unit elevates and lowers the guard unit by the second driving unit,
The liquid discharge part,
a first tubular portion extending along a horizontal direction and having the discharge port at its distal end;
a second tubular portion in communication with the first tubular portion and extending upward from the first tubular portion;
A substrate processing apparatus comprising a third tubular portion in a state in a state of being in communication with the second tubular portion and extending in a horizontal direction from the second tubular portion. 청구항 19에 있어서,
상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고,
상기 가드부는, 하방향을 향해 평면 투시한 경우에, 상기 분위기 제어 부재로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부를 갖는 내주연부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 강하시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간에 삽입 통과시키는 하강 동작, 및 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 상승시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 상승 동작 중 적어도 한쪽의 동작을 행하는, 기판 처리 장치.In claim 19,
A third driving unit is provided to raise and lower the liquid discharge unit along a vertical direction,
The guard portion has an inner peripheral portion having a concave portion that is recessed in a direction away from the atmosphere control member when viewed in plan view downward,
The control unit performs a lowering operation of inserting and passing the second tubular portion into the space within the concave portion by lowering the liquid discharge portion by the third driving portion, and raising the liquid discharging portion by the third driving portion to cause the second tubular portion to pass through. A substrate processing apparatus that performs at least one of the lifting operations of moving a tubular portion upward from a space within the concave portion. 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와,
상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부와,
상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고,
상기 액 토출부는, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 상태의 관형상의 선단부를 갖고,
상기 선단부는, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 상기 토출구를 갖고,
상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 가드부와 상기 분위기 제어 부재의 간극에 대해 상기 선단부가 삽입 발거되도록, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 승강시키는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 10 to 13,
A guard portion surrounding the holding portion,
a second driving unit that lifts and lowers the guard unit along a vertical direction;
A third driving unit is provided to raise and lower the liquid discharge unit along a vertical direction,
The liquid discharge portion has a tubular tip extending along a vertical direction,
The distal end has the discharge port opening in a horizontal direction,
The control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit, and raises and lowers the liquid discharge unit by the third drive unit so that the tip part is inserted and removed with respect to the gap between the guard unit and the atmosphere control member. Device. 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와,
상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고,
상기 액 토출부는, 상기 가드부와 일체적으로 구성된 상태에 있는, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 10 to 13,
A guard portion surrounding the holding portion,
and a second driving unit that lifts and lowers the guard unit along a vertical direction,
The control unit elevates and lowers the guard unit by the second driving unit,
A substrate processing device, wherein the liquid discharge unit is integrated with the guard unit.
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