JP2021125473A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing method and substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021125473A JP2021125473A JP2020015305A JP2020015305A JP2021125473A JP 2021125473 A JP2021125473 A JP 2021125473A JP 2020015305 A JP2020015305 A JP 2020015305A JP 2020015305 A JP2020015305 A JP 2020015305A JP 2021125473 A JP2021125473 A JP 2021125473A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- unit
- discharge
- substrate processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 596
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 341
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 915
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 194
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 352
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 44
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 40
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 30
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 99
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 98
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 27
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 230000004044 response Effects 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 9
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 8
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- ADTGAVILDBXARD-UHFFFAOYSA-N diethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CCN(CC)[Si](C)C ADTGAVILDBXARD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N dimethylamino(dimethyl)silicon Chemical compound CN(C)[Si](C)C KZFNONVXCZVHRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N n-[dimethylamino(dimethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)N(C)C QULMGWCCKILBTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 organosilane compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical group 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板に処理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板等である。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. The substrates include, for example, semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, organic EL (Electroluminescence) substrates, FPD (Flat Panel Display) substrates, optical display substrates, magnetic disk substrates, optical disk substrates, magneto-optical disk substrates, etc. A substrate for a photomask, a substrate for a solar cell, and the like.
従来から、基板に良好な処理を施すために、スピンチャックに保持された基板の上面に対向するように配置された遮断板または気体ノズルなどの部材(雰囲気制御部材ともいう)から不活性ガスを基板の上面に向けて吐出することで基板の上面に沿った空間の雰囲気を制御しつつ、基板の処理を行う場合があった(例えば、特許文献1〜3等を参照)。
Conventionally, in order to perform good treatment on a substrate, an inert gas is emitted from a member (also referred to as an atmosphere control member) such as a blocking plate or a gas nozzle arranged so as to face the upper surface of the substrate held by the spin chuck. In some cases, the substrate is processed while controlling the atmosphere of the space along the upper surface of the substrate by discharging the gas toward the upper surface of the substrate (see, for example,
また、基板の上面に対する処理のばらつきを低減するために、スピンチャックに保持された基板が回転している状態で、基板の上面に対する処理液の着液位置を中央部と周縁部との間で走査(スキャン)させるように、処理液を吐出するノズル(処理液吐出ノズルともいう)を揺動させる場合があった(例えば、特許文献1〜3等を参照)。
Further, in order to reduce the variation in processing on the upper surface of the substrate, the position of the treatment liquid on the upper surface of the substrate is set between the central portion and the peripheral portion while the substrate held by the spin chuck is rotating. In some cases, the nozzle for discharging the treatment liquid (also referred to as the treatment liquid discharge nozzle) may be swung so as to scan (see, for example,
ところで、例えば、処理液の種類によっては、基板の上面に対する処理が基板の上面に沿った空間における酸素濃度または湿気などの影響を受けやすいものの、さらに基板の上面に対する処理のばらつきを低減したい場合がある。つまり、基板の上面上の雰囲気の制御と、基板の上面における着液位置のスキャンと、を両立したい場合がある。 By the way, for example, depending on the type of treatment liquid, there are cases where the treatment on the upper surface of the substrate is easily affected by oxygen concentration or humidity in the space along the upper surface of the substrate, but it is desired to further reduce the variation in the treatment on the upper surface of the substrate. be. That is, there are cases where it is desired to achieve both control of the atmosphere on the upper surface of the substrate and scanning of the liquid landing position on the upper surface of the substrate.
しかしながら、例えば、仮に基板の上面上の雰囲気の制御を十分行うために、基板の上面に雰囲気制御部材を接近させると、処理液吐出ノズルの揺動による処理液の着液位置のスキャンを基板の上面の広範囲にわたって行うことができず、基板の上面に対する処理のばらつきを十分に低減することができない場合がある。 However, for example, if the atmosphere control member is brought close to the upper surface of the substrate in order to sufficiently control the atmosphere on the upper surface of the substrate, the processing liquid discharge nozzle swings to scan the landing position of the processing liquid on the substrate. It may not be possible to carry out over a wide range of the upper surface, and it may not be possible to sufficiently reduce the variation in processing with respect to the upper surface of the substrate.
一方、例えば、仮に基板の上面の広範囲における着液位置のスキャンを行うために、雰囲気制御部材を基板の上面から離すと、基板の上面上の雰囲気の制御が不十分となり、基板処理の品質の低下を招き得る。また、例えば、処理液吐出ノズルから基板の上面に向けて重力方向に処理液を吐出すると、基板の上面上で処理液の跳ねが生じて、処理液吐出ノズルおよび雰囲気制御部材が汚染され、基板処理の品質が低下する場合もある。 On the other hand, for example, if the atmosphere control member is separated from the upper surface of the substrate in order to scan the liquid landing position in a wide range on the upper surface of the substrate, the control of the atmosphere on the upper surface of the substrate becomes insufficient, and the quality of the substrate processing is improved. It can lead to a decline. Further, for example, when the treatment liquid is discharged from the treatment liquid discharge nozzle toward the upper surface of the substrate in the direction of gravity, the treatment liquid splashes on the upper surface of the substrate, the treatment liquid discharge nozzle and the atmosphere control member are contaminated, and the substrate is contaminated. The quality of processing may be reduced.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の上面上における雰囲気制御と基板の上面に対する処理のばらつきの低減とを同時に実現させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of simultaneously realizing atmosphere control on the upper surface of a substrate and reduction of variations in processing on the upper surface of the substrate. The purpose is.
上記課題を解決するために、第1の態様に係る基板処理方法は、保持工程と、処理工程と、を有する。前記保持工程において、基板を水平姿勢で保持部に保持させる。前記処理工程において、前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で位置している雰囲気制御部材から前記上面上に不活性ガスを供給しつつ、前記保持部を鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として回転させながら、液吐出部の吐出口から前記上面に沿った方向に向けて処理液を吐出することで前記上面上に該処理液を供給する。また、前記保持工程において、前記処理液の供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更して、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる。 In order to solve the above problems, the substrate processing method according to the first aspect includes a holding step and a processing step. In the holding step, the substrate is held by the holding portion in a horizontal posture. In the processing step, the holding portion is pressed while supplying an inert gas onto the upper surface from an atmosphere control member located so as to face the upper surface of the substrate held in the holding portion in a horizontal posture. The treatment liquid is supplied onto the upper surface by discharging the treatment liquid from the discharge port of the liquid discharge unit in the direction along the upper surface while rotating around a virtual rotation axis along the vertical direction. .. Further, in the holding step, the supply amount of the treatment liquid from the supply source of the treatment liquid to the liquid discharge portion per unit time is changed to reduce the discharge speed of the treatment liquid discharged from the liquid discharge portion. By changing, the liquid supply position where the processing liquid discharged from the liquid discharge portion on the upper surface is supplied is changed.
第2の態様に係る基板処理方法は、第1の態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記液供給位置が前記上面のうちの中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる。 The substrate processing method according to the second aspect is the substrate processing method according to the first aspect, and the liquid is more than when the liquid supply position is in the central region of the upper surface in the processing step. The amount of the processing liquid supplied from the supply source to the liquid discharge portion per unit time is set so that the discharge speed becomes smaller when the supply position is in the end side region of the upper surface. Decrease.
第3の態様に係る基板処理方法は、第2の態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる。 The substrate processing method according to the third aspect is the substrate processing method according to the second aspect, and in the processing step, the amount of the processing liquid supplied from the supply source to the liquid discharge unit per unit time is determined. By increasing or decreasing, the liquid supply position is reciprocated a plurality of times between the central region and the end side region.
第4の態様に係る基板処理方法は、第1から第3の何れか1つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記液吐出部から吐出される前記処理液が、前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液する。 The substrate processing method according to the fourth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, and in the processing step, the processing liquid discharged from the liquid discharge unit is the said. The liquid is landed on the upper surface through the space between the upper surface and the atmosphere control member.
第5の態様に係る基板処理方法は、第1から第4の何れか1つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記吐出口は、鉛直方向において、前記上面よりも高い位置に配置されるとともに、前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置される。 The substrate processing method according to the fifth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to fourth aspects, and in the processing step, the discharge port is higher than the upper surface in the vertical direction. It is arranged at a position and is arranged at a position lower than the lower surface of the atmosphere control member.
第6の態様に係る基板処理方法は、第5の態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをHとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をRとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係を満たす。 The substrate processing method according to the sixth aspect is the substrate processing method according to the fifth aspect, wherein in the processing step, the height of the discharge port in the vertical direction with respect to the upper surface is H, and the virtual Let R be the distance between the rotation axis and the discharge port in the horizontal direction, and let θ be the angle formed by the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction in which the discharge port discharges the treatment liquid. When the angle θ shows a positive value when the direction is downward from the horizontal direction, and the angle θ shows a negative value when the discharge direction is upward from the horizontal direction. The relationship of 0 ≦ θ ≦ tan -1 (H / R) is satisfied.
第7の態様に係る基板処理方法は、第1から第6の何れか1つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で位置し、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する。 The substrate processing method according to the seventh aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, in which the atmosphere control member covers the upper surface in the processing step. It is located and supplies an inert gas between the top surface and the atmosphere control member.
第8の態様に係る基板処理方法は、第1から第6の何れか1つの態様に係る基板処理方法であって、前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で位置し、前記基板の上方に不活性ガスを供給することで、前記上面に沿って流れる気流を形成する。 The substrate processing method according to the eighth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, and in the processing step, the atmosphere control member is placed in the central region of the upper surface. They are located facing each other and supply an inert gas above the substrate to form an air flow that flows along the top surface.
第9の態様に係る基板処理装置は、保持部と、第1駆動部と、雰囲気制御部材と、液吐出部と、液供給路と、変更部と、制御部と、を備える。前記保持部は、基板を水平姿勢で保持する。前記第1駆動部は、鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として前記保持部を回転させる。前記雰囲気制御部材は、前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で前記上面上に不活性ガスを供給する。前記液吐出部は、前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の前記上面に沿った方向に向けて吐出口から処理液を吐出することで前記上面上に前記処理液を供給する。前記液供給路は、前記処理液の供給源と前記液吐出部とを接続している。前記変更部は、前記液供給路の途中に位置し、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。前記制御部は、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を前記変更部に変更させることで、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させ、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる。 The substrate processing apparatus according to the ninth aspect includes a holding unit, a first driving unit, an atmosphere control member, a liquid discharge unit, a liquid supply path, a changing unit, and a control unit. The holding portion holds the substrate in a horizontal posture. The first drive unit rotates the holding unit around a virtual rotation axis along a vertical direction. The atmosphere control member supplies an inert gas onto the upper surface of the substrate while being held in a horizontal position on the holding portion so as to face the upper surface of the substrate. The liquid discharge unit supplies the treatment liquid onto the upper surface by discharging the treatment liquid from the discharge port in a direction along the upper surface of the substrate held in the holding portion in a horizontal posture. The liquid supply path connects the supply source of the treatment liquid and the liquid discharge portion. The changing unit is located in the middle of the liquid supply path, and changes the amount of the processing liquid supplied from the supply source to the liquid discharging unit per unit time. The control unit changes the supply amount of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit per unit time to the changing unit, so that the discharge speed of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit can be adjusted. It is changed to change the liquid supply position where the processing liquid discharged from the liquid discharge portion on the upper surface is supplied.
第10の態様に係る基板処理装置は、第9の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記液供給位置が前記上面のうちの中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる。 The substrate processing apparatus according to the tenth aspect is the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, and the control unit has the liquid as compared with the case where the liquid supply position is in the central region of the upper surface. Per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge part by the change part so that the discharge rate becomes smaller when the supply position is in the end side region of the upper surface. Reduce the supply of.
第11の態様に係る基板処理装置は、第10の態様に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる。 The substrate processing apparatus according to the eleventh aspect is the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, and the control unit is per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit by the change unit. By increasing or decreasing the supply amount of the liquid, the liquid supply position is reciprocated a plurality of times between the central region and the end side region.
第12の態様に係る基板処理装置は、第9から第11の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記液吐出部は、前記処理液が前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液するように、前記処理液を吐出する。 The substrate processing apparatus according to the twelfth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to eleventh aspects, and in the liquid discharge unit, the processing liquid is the upper surface and the atmosphere control member. The treatment liquid is discharged so as to land on the upper surface through the space between them.
第13の態様に係る基板処理装置は、第9から第12の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記吐出口は、鉛直方向において前記上面よりも高く且つ前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置された状態で前記上面に沿った方向に向けて前記処理液を吐出する。 The substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to twelfth aspects, and the discharge port is higher than the upper surface in the vertical direction and the atmosphere control member. The treatment liquid is discharged in a direction along the upper surface in a state of being arranged at a position lower than the lower surface.
第14の態様に係る基板処理装置は、第13の態様に係る基板処理装置であって、前記液吐出部が前記上面に前記処理液を供給する際に、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをHとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をRとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係を満たす。 The substrate processing apparatus according to the fourteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, and when the liquid discharge unit supplies the processing liquid to the upper surface, the discharge port with the upper surface as a reference. The height in the vertical direction is H, the distance between the virtual rotation axis and the discharge port in the horizontal direction is R, and the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge port discharge the treatment liquid. The angle formed by the discharge direction is θ, and when the discharge direction is downward from the horizontal direction, the angle θ shows a positive value and the discharge direction is upward from the horizontal direction. When the angle θ shows a negative value, the relationship of 0 ≦ θ ≦ tan -1 (H / R) is satisfied.
第15の態様に係る基板処理装置は、第9から第14の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する遮断板、を含む。 The substrate processing apparatus according to the fifteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to fourteenth aspects, and the atmosphere control member covers the upper surface and the upper surface and the upper surface. Includes a blocking plate, which supplies an inert gas to and from the atmosphere control member.
第16の態様に係る基板処理装置は、第9から第14の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で前記基板の上方に不活性ガスを供給することによって、前記上面に沿って流れる気流を形成する。 The substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to fourteenth aspects, and the atmosphere control member faces the central region of the upper surface. By supplying the inert gas above the substrate, an air flow flowing along the upper surface is formed.
第17の態様に係る基板処理装置は、第9から第16の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第2駆動部と、を備え、前記制御部は、前記第2駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記液吐出部は、水平方向に沿って延びている状態で先端に前記吐出口を有する第1管状部と、前記第1管状部に連通している状態で前記第1管状部から上方に向けて延びている状態にある第2管状部と、前記第2管状部に連通している状態で前記第2管状部から水平方向に向けて延びている状態にある第3管状部と、を有する。 The substrate processing apparatus according to the seventeenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, the guard portion surrounding the holding portion and the guard portion along the vertical direction. A second drive unit is provided, and the control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit, and the liquid discharge unit extends at the tip in a horizontal direction. Communicates with the first tubular portion having an outlet, the second tubular portion communicating with the first tubular portion and extending upward from the first tubular portion, and the second tubular portion. It has a third tubular portion that extends in the horizontal direction from the second tubular portion in the state of being
第18の態様に係る基板処理装置は、第17の態様に係る基板処理装置であって、前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第3駆動部と、を備え、前記ガード部は、下方向に向けて平面透視した場合に、前記雰囲気制御部材から離れる方向に凹んでいる凹部を有する内周縁部を有し、前記制御部は、前記第3駆動部によって前記液吐出部を降下させることで前記第2管状部を前記凹部内の空間に挿通させる下降動作、および前記第3駆動部によって前記液吐出部を上昇させることで前記第2管状部を前記凹部内の空間から上方に移動させる上昇動作のうちの少なくとも一方の動作を行う。 The substrate processing apparatus according to the eighteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the seventeenth aspect, and includes a third drive unit that raises and lowers the liquid discharge unit along the vertical direction, and the guard unit includes a third drive unit. When viewed in a plane downward, the control unit has an inner peripheral edge portion having a recess recessed in a direction away from the atmosphere control member, and the control unit lowers the liquid discharge unit by the third drive unit. As a result, the lowering operation of inserting the second tubular portion into the space in the recess, and raising the liquid discharge portion by the third drive portion causes the second tubular portion to move upward from the space in the recess. Perform at least one of the ascending movements.
第19の態様に係る基板処理装置は、第9から第16の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第2駆動部と、前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第3駆動部と、を備え、前記液吐出部は、鉛直方向に沿って延びている状態の管状の先端部を有し、前記先端部は、水平方向に向けて開口している前記吐出口を有し、前記制御部は、前記第2駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記ガード部と前記雰囲気制御部材との隙間に対して前記先端部が挿抜されるように、前記第3駆動部によって前記液吐出部を昇降させる。 The substrate processing apparatus according to the nineteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, wherein a guard portion surrounding the holding portion and the guard portion are provided along the vertical direction. A second drive unit for raising and lowering the liquid discharge unit and a third drive unit for moving the liquid discharge unit up and down along the vertical direction are provided, and the liquid discharge unit is a tubular tip portion extending along the vertical direction. The tip portion has the discharge port that is open in the horizontal direction, and the control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit to control the guard unit and the atmosphere. The liquid discharge unit is moved up and down by the third drive unit so that the tip portion is inserted and removed from the gap with the member.
第20の態様に係る基板処理装置は、第9から第16の何れか1つの態様に係る基板処理装置であって、前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第2駆動部と、を備え、前記制御部は、前記第2駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記液吐出部は、前記ガード部と一体的に構成された状態にある。 The substrate processing apparatus according to the twentieth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, and the guard portion surrounding the periphery of the holding portion and the guard portion along the vertical direction. The control unit includes a second drive unit that moves up and down, and the control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit, and the liquid discharge unit is integrally configured with the guard unit.
第1の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面上における雰囲気の制御を行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲における処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。これにより、例えば、基板の上面上における雰囲気制御と基板の上面に対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。 According to the substrate processing method according to the first aspect, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface of the substrate, the liquid supply position of the processing liquid over a wide range on the upper surface of the substrate is not shaken. Can scan. Thereby, for example, it is possible to simultaneously realize the atmosphere control on the upper surface of the substrate and the reduction of the variation in the processing on the upper surface of the substrate.
第2の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、端部側領域に処理液が供給される際には、処理液の速度および供給量が低下する。このため、例えば、保持部のうちの基板の外縁部を保持しているチャックピンにおける処理液の液跳ねが生じにくい。 According to the substrate processing method according to the second aspect, for example, when the treatment liquid is supplied to the end side region, the speed and the supply amount of the treatment liquid decrease. Therefore, for example, the liquid splashing of the processing liquid on the chuck pin holding the outer edge portion of the substrate in the holding portion is unlikely to occur.
第3の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを複数回行うことで、基板の上面に対する処理のばらつきをより低減することができる。 According to the substrate processing method according to the third aspect, for example, by scanning the liquid supply position of the processing liquid a plurality of times over a wide area on the upper surface of the substrate, it is possible to further reduce the variation in processing with respect to the upper surface of the substrate. ..
第4の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面の広い範囲に雰囲気制御部材を対向させた状態で、基板の上面上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。 According to the substrate processing method according to the fourth aspect, for example, in a state where the atmosphere control member faces a wide range on the upper surface of the substrate, the atmosphere on the upper surface of the substrate is controlled more strictly, and the liquid discharge portion. It is possible to scan the liquid supply position of the treatment liquid over a wide range on the upper surface of the substrate without shaking.
第5の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、雰囲気制御部材による基板上の雰囲気の制御を行いつつ、基板の上面の広範囲に処理液を供給することができる。 According to the substrate processing method according to the fifth aspect, for example, the processing liquid can be supplied to a wide range on the upper surface of the substrate while controlling the atmosphere on the substrate by the atmosphere control member.
第6の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面のうちの仮想的な回転軸上の部分まで処理液を容易に供給することができる。 According to the substrate processing method according to the sixth aspect, the processing liquid can be easily supplied to, for example, a portion of the upper surface of the substrate on the virtual rotation axis.
第7の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、基板の上面上における雰囲気を厳格に制御することができる。 According to the substrate processing method according to the seventh aspect, for example, the atmosphere on the upper surface of the substrate can be strictly controlled.
第8の態様に係る基板処理方法によれば、例えば、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。 According to the substrate processing method according to the eighth aspect, for example, the liquid discharge portion can be easily moved between the position where the treatment liquid is discharged and the position where the treatment liquid is retracted.
第9の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、雰囲気制御部材からの不活性ガスの供給によって基板の上面上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲における処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。これにより、例えば、基板の上面上における雰囲気の制御と基板の上面に対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, for example, the atmosphere on the upper surface of the substrate is satisfactorily controlled by supplying the inert gas from the atmosphere control member, and the liquid discharge portion is not shaken. It is possible to scan the liquid supply position of the processing liquid over a wide range on the upper surface of the substrate. Thereby, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface of the substrate and reduce the variation in processing on the upper surface of the substrate.
第10の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、端部側領域に処理液が供給される際には、処理液の速度および供給量が低下する。このため、例えば、保持部のうちの基板の外縁部を保持しているチャックピンにおける処理液の液跳ねが生じにくい。 According to the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, for example, when the processing liquid is supplied to the end side region, the speed and the supply amount of the processing liquid decrease. Therefore, for example, the liquid splashing of the processing liquid on the chuck pin holding the outer edge portion of the substrate in the holding portion is unlikely to occur.
第11の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを複数回行うことで、基板の上面に対する処理のばらつきをより低減することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the eleventh aspect, for example, by scanning the liquid supply position of the processing liquid a plurality of times over a wide area on the upper surface of the substrate, it is possible to further reduce the variation in processing with respect to the upper surface of the substrate. ..
第12の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面の広い範囲に雰囲気制御部材を対向させた状態で、基板の上面上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、液吐出部を揺動させずに、基板の上面の広範囲において処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。 According to the substrate processing apparatus according to the twelfth aspect, for example, in a state where the atmosphere control member faces a wide range on the upper surface of the substrate, the atmosphere on the upper surface of the substrate is controlled more strictly, and the liquid discharge unit is used. It is possible to scan the liquid supply position of the treatment liquid over a wide range on the upper surface of the substrate without shaking.
第13の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、雰囲気制御部材による基板上の雰囲気の制御を行いつつ、基板の上面の広範囲に処理液を供給することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, for example, the processing liquid can be supplied to a wide range on the upper surface of the substrate while controlling the atmosphere on the substrate by the atmosphere control member.
第14の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面のうちの仮想的な回転軸上の部分まで処理液を容易に供給することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the fourteenth aspect, the processing liquid can be easily supplied to, for example, a portion of the upper surface of the substrate on the virtual rotation axis.
第15の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、基板の上面上における雰囲気を厳格に制御することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the fifteenth aspect, for example, the atmosphere on the upper surface of the substrate can be strictly controlled.
第16の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。 According to the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, for example, the liquid discharging portion can be easily moved between the position where the processing liquid is discharged and the position where the processing liquid is retracted.
第17の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、ガード部と雰囲気制御部材との隙間を第2管状部が挿通している状態で、吐出口を、保持部に保持された基板の上面に沿った方向に向けて処理液を吐出するための位置に配置することができる。そして、例えば、吐出口から吐出される処理液の吐出方向が安定し得る。 According to the substrate processing apparatus according to the seventeenth aspect, for example, in a state where the second tubular portion is inserted through the gap between the guard portion and the atmosphere control member, the discharge port is held on the upper surface of the substrate held by the holding portion. It can be arranged at a position for discharging the processing liquid in the direction along the above. Then, for example, the discharge direction of the processing liquid discharged from the discharge port can be stabilized.
第18の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、ガード部の上面が、雰囲気制御部材の下面よりも高い位置に配されていて、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭い場合であっても、液吐出部を、ガード部と雰囲気制御部材との間隙に対して容易に挿抜することができる。これにより、例えば、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭くても、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。 According to the substrate processing apparatus according to the eighteenth aspect, for example, the upper surface of the guard portion is arranged at a position higher than the lower surface of the atmosphere control member, and the gap between the guard portion and the atmosphere control member is narrow. However, the liquid discharge portion can be easily inserted and removed from the gap between the guard portion and the atmosphere control member. Thereby, for example, even if the gap between the guard portion and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge portion can be easily moved between the position where the processing liquid is discharged and the position where the treatment liquid is retracted.
第19の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、ガード部の上面が、雰囲気制御部材の下面よりも高い位置に配されていて、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭い場合であっても、液吐出部を、ガード部と雰囲気制御部材との間隙に対して容易に挿抜することができる。これにより、例えば、ガード部と雰囲気制御部材との間隙が狭くても、液吐出部を、処理液を吐出する位置と退避させた位置との間で容易に移動させることができる。 According to the substrate processing apparatus according to the nineteenth aspect, for example, the upper surface of the guard portion is arranged at a position higher than the lower surface of the atmosphere control member, and the gap between the guard portion and the atmosphere control member is narrow. However, the liquid discharge portion can be easily inserted and removed from the gap between the guard portion and the atmosphere control member. Thereby, for example, even if the gap between the guard portion and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge portion can be easily moved between the position where the processing liquid is discharged and the position where the treatment liquid is retracted.
第20の態様に係る基板処理装置によれば、例えば、液吐出部の配置が容易である。 According to the substrate processing apparatus according to the twentieth aspect, for example, the arrangement of the liquid discharge portion is easy.
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の各種実施形態について説明する。これらの実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示されている場合がある。また、各図においては、各要素の位置関係を説明するために、右手系のXYZ直交座標系を付している。ここでは、X軸およびY軸が水平方向に延びており、Z軸が鉛直方向(上下方向)に延びているものとする。また、以下の説明では、矢印の先端が向く方を+(プラス)方向とし、その逆方向を−(マイナス)方向とする。ここでは、鉛直方向上向きが+Z方向であり、鉛直方向下向きが−Z方向である。 Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The components described in these embodiments are merely examples, and the scope of the present invention is not limited to them. In the drawings, the dimensions and numbers of each part may be exaggerated or simplified as necessary for easy understanding. Further, in each figure, a right-handed XYZ Cartesian coordinate system is attached in order to explain the positional relationship of each element. Here, it is assumed that the X-axis and the Y-axis extend in the horizontal direction, and the Z-axis extends in the vertical direction (vertical direction). Further, in the following description, the direction in which the tip of the arrow points is defined as the + (plus) direction, and the opposite direction is defined as the − (minus) direction. Here, the upward direction in the vertical direction is the + Z direction, and the downward direction in the vertical direction is the −Z direction.
相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」等)は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」等)は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」等)は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取り等を有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「〜の上」とは、特に断らない限り、2つの要素が接している場合のほか、2つの要素が離れている場合も含む場合がある。「特定方向に移動させる」とは、特に断らない限りにおいて、この特定方向と平行に移動させる場合のみならず、この特定方向の成分を持つ方向に移動させることを含む場合がある。 Expressions indicating relative or absolute positional relationships (for example, "in one direction", "along one direction", "parallel", "orthogonal", "center", "concentric", "coaxial", etc.) are not specified unless otherwise specified. Not only does it represent the positional relationship exactly, but it also represents the state of being displaced relative to the angle or distance within the range where tolerances or similar functions can be obtained. Unless otherwise specified, expressions indicating equal states (for example, "same", "equal", "homogeneous", etc.) not only represent quantitatively exactly equal states, but also provide tolerances or similar functions. It shall also represent the state in which there is a difference. Unless otherwise specified, the expression indicating the shape (for example, "square shape" or "cylindrical shape") not only expresses the shape strictly geometrically, but also within the range where the same effect can be obtained, for example. A shape having irregularities, chamfers, etc. shall also be represented. The expressions "equipped", "equipped", "equipped", "included", or "have" one component are not exclusive expressions that exclude the existence of other components. Unless otherwise specified, "above" may include not only the case where two elements are in contact with each other but also the case where two elements are separated from each other. Unless otherwise specified, "moving in a specific direction" may include not only moving in parallel with this specific direction but also moving in a direction having a component in this specific direction.
<1.第1実施形態>
<1−1.基板処理装置の概略的な構成>
図1は、第1実施形態に係る基板処理装置1の平面図である。基板処理装置1は、基板(例えば、半導体ウエハ)Wに処理を行う。
<1. First Embodiment>
<1-1. Schematic configuration of substrate processing equipment>
FIG. 1 is a plan view of the
基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Wは、薄い平板形状を有する。本実施形態では、基板Wが、平面視で円形形状を有する半導体ウエハである例を挙げて説明する。基板Wは、例えば、300ミリメートル(mm)程度の直径と、0.5mmから3mm程度の厚さと、を有する。 The substrate W includes, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, an organic EL (Electroluminescence) substrate, an FPD (Flat Panel Display) substrate, an optical display substrate, a magnetic disk substrate, an optical disk substrate, and a magneto-optical disk substrate. , Photomask substrate, solar cell substrate. The substrate W has a thin flat plate shape. In the present embodiment, an example in which the substrate W is a semiconductor wafer having a circular shape in a plan view will be described. The substrate W has, for example, a diameter of about 300 mm (mm) and a thickness of about 0.5 mm to 3 mm.
基板処理装置1は、インデクサ部2と、処理ブロック5と、制御部9と、を備える。
The
<1−1−1.インデクサ部>
インデクサ部2は、複数(例えば、4つ)のキャリア載置部3と、第1搬送機構4と、を備えている。インデクサ部2は、搬送スペース32を備えている。搬送スペース32は、キャリア載置部3の+X側に配置される。搬送スペース32は、Y軸方向に沿って延びている。
<1-1-1. Indexer Department >
The
複数のキャリア載置部3は、例えば、Y軸方向に沿って一列に並んでいる。各キャリア載置部3はそれぞれ、1つのキャリアCを載置する。
The plurality of
キャリアCは、複数枚の基板Wを収容する。キャリアCは、例えば、FOUP(front opening unified pod)である。キャリアCは、例えば、容器と、容器内に配置された鉛直方向に並ぶ複数の棚と、を備える。鉛直方向において隣り合う棚は、10mm程度の間隔を有して配置される。各棚は、1枚の基板Wを水平姿勢で載置する。例えば、キャリアCがキャリア載置部3に載置された状態において、各棚は、容器の+Y側の内壁から−Y方向に突出し且つX軸方向に沿って延びる第1支持部と、容器の−Y側の内壁から+Y方向に突出し且つX軸方向に沿って延びる第2支持部と、を有する。各棚において、第1支持部と第2支持部との間隔は、基板Wの直径よりも小さい。各棚は、例えば、第1支持部と第2支持部とによって、基板Wの周縁部の下面を支持する。複数の棚は、各棚が基板Wを支持するときに、鉛直方向に隣り合う棚の間において基板Wを上方に移動させることが可能な間隔を有する。キャリアCは、例えば、キャリアCの識別、またはキャリアC内における基板Wの識別を行うための識別子としてのバーコードを有する。バーコードは、例えば、容器に付される。
The carrier C accommodates a plurality of substrates W. Carrier C is, for example, FOUP (front opening unified pod). The carrier C includes, for example, a container and a plurality of vertically arranged shelves arranged in the container. The shelves adjacent to each other in the vertical direction are arranged with an interval of about 10 mm. On each shelf, one substrate W is placed in a horizontal position. For example, in a state where the carrier C is mounted on the
また、インデクサ部2は、例えば、バーコードリーダ31を備える。バーコードリーダ31は、キャリア載置部3に載置されたキャリアCに付されたバーコードを読み取る。バーコードリーダ31は、例えば、キャリア載置部3に取り付けられる。バーコードリーダ31は、制御部9と通信可能に接続されている。
Further, the
第1搬送機構4は、搬送スペース32に設置されている。第1搬送機構4は、キャリア載置部3の+X側に配置されている。第1搬送機構4は、ハンド33と、ハンド駆動部34と、を備えている。
The
ハンド33は、1枚の基板Wを水平姿勢で支持する。ハンド33は、基板Wの下面と接触することによって、基板Wを支持する。このとき、ハンド33は、例えば、吸引部等によって基板Wを吸引してもよい。ハンド駆動部34は、ハンド33に連結されている。ハンド駆動部34は、ハンド33を移動する。
The
図2は、Y軸方向における基板処理装置1の中央部の構成を示す側面図である。図1および図2で示されるように、ハンド駆動部34は、レール34aと、水平移動部34bと、垂直移動部34cと、回転部34dと、進退移動部34eと、を備える。レール34aは、インデクサ部2の下部に固定されている。例えば、レール34aは、搬送スペース32の底部に配置される。レール34aは、Y軸方向に沿って延びている。水平移動部34bは、レール34aに支持される。水平移動部34bは、レール34aに対してY軸方向に沿って移動する。垂直移動部34cは、水平移動部34bに支持されている。垂直移動部34cは、水平移動部34bに対して上下方向(±Z方向)に移動する。回転部34dは、垂直移動部34cに支持されている。回転部34dは、垂直移動部34cに対して回転する。回転部34dは、仮想的な回転軸Ax1を中心として回転する。仮想的な回転軸Ax1は、鉛直方向(±Z方向)と平行である。進退移動部34eは、回転部34dの向きによって決まる水平方向に沿った一方向に往復移動する。
FIG. 2 is a side view showing the configuration of the central portion of the
ハンド33は、進退移動部34eに固定されている。ハンド33は、ハンド駆動部34によって、水平方向および上下方向(±Z方向)のそれぞれに沿って平行に移動することができる。ハンド33は、仮想的な回転軸Ax1を中心として回転することができる。これにより、第1搬送機構4は、全てのキャリア載置部3に載置されるキャリアCにアクセスすることが可能である。第1搬送機構4は、全てのキャリア載置部3に載置されたキャリアCに基板Wを搬入することができるとともに、全てのキャリア載置部3に載置されたキャリアCから基板Wを搬出することができる。
The
<1−1−2.処理ブロック>
処理ブロック5は、インデクサ部2に接続されている。例えば、処理ブロック5は、インデクサ部2の+X側に接続されている。
<1-1-2. Processing block>
The
処理ブロック5は、載置部6と、複数の処理ユニット7と、第2搬送機構8と、を備えている。また、処理ブロック5は、搬送スペース41を備えている。搬送スペース41は、Y軸方向における処理ブロック5の中央に配置されている。搬送スペース41は、X軸方向に沿って延びている。搬送スペース41は、インデクサ部2の搬送スペース32と接している。載置部6および第2搬送機構8は、搬送スペース41に設置されている。
The
載置部6は、第2搬送機構8の−X側に配置されている。載置部6は、第1搬送機構4の+X側に配置されている。載置部6には、複数枚の基板Wが載置される。載置部6は、第1搬送機構4と第2搬送機構8との間に配置される。載置部6には、第1搬送機構4と第2搬送機構8との間で搬送される基板Wが載置される。載置部6には、上述した第1搬送機構4がアクセス可能である。第1搬送機構4は、載置部6に基板Wを搬入することが可能であり、載置部6から基板Wを搬出することが可能である。
The mounting portion 6 is arranged on the −X side of the
載置部6には、複数枚の基板Wを載置することが可能である。載置部6は、例えば、Y軸方向において互いに対向するように配置された一対の支持壁と、複数の棚と、を備えている。各支持壁は、例えば、XZ平面に沿った形状を有する。一対の支持壁は、複数の棚を支持する。複数の棚は、鉛直方向に並ぶように配置されている。各棚は、1枚の基板Wを水平姿勢で載置することが可能である。各棚は、例えば、+Y側の支持壁の内壁から−Y方向に突出し且つX軸方向に沿って延びる第3支持部と、−Y側の支持壁の内壁から+Y方向に突出し且つX軸方向に沿って延びる第4支持部と、を有する。各棚において、第3支持部と第4支持部との間隔は、基板Wの直径よりも小さい。各棚は、例えば、第3支持部と第4支持部とによって、基板Wの周縁部の下面を支持する。複数の棚は、各棚が基板Wを支持するときに、鉛直方向に隣り合う棚の間において基板Wを上方に移動させることが可能な間隔を有する。 A plurality of substrates W can be mounted on the mounting portion 6. The mounting portion 6 includes, for example, a pair of support walls arranged so as to face each other in the Y-axis direction, and a plurality of shelves. Each support wall has, for example, a shape along the XZ plane. A pair of support walls support a plurality of shelves. The shelves are arranged so as to be arranged in the vertical direction. On each shelf, one substrate W can be placed in a horizontal position. Each shelf has, for example, a third support portion that protrudes in the −Y direction and extends along the X-axis direction from the inner wall of the support wall on the + Y side, and a third support portion that protrudes in the + Y direction and extends in the X-axis direction from the inner wall of the support wall on the −Y side. It has a fourth support portion extending along the. In each shelf, the distance between the third support portion and the fourth support portion is smaller than the diameter of the substrate W. Each shelf supports the lower surface of the peripheral edge portion of the substrate W by, for example, a third support portion and a fourth support portion. The plurality of shelves have an interval that allows the substrate W to be moved upward between the vertically adjacent shelves when each shelf supports the substrate W.
第2搬送機構8は、ハンド61と、ハンド駆動部62と、を備える。
The
ハンド61は、1枚の基板Wを水平姿勢で支持する。ハンド61は、基板Wの下面と接触することによって、基板Wを支持する。このとき、ハンド61は、例えば、吸引部等によって基板Wを吸引してもよい。ハンド駆動部62は、ハンド61に連結されている。ハンド駆動部62は、ハンド61を移動する。
The
図2で示されるように、ハンド駆動部62は、支柱62aと、垂直移動部62bと、回転部62cと、進退移動部62dと、を備えている。支柱62aは、処理ブロック5の下部に固定されている。支柱62aは、鉛直方向に延びている。垂直移動部62bは、支柱62aに支持されている。垂直移動部62bは、支柱62aに対して上下方向(±Z方向)に移動する。回転部62cは、垂直移動部62bに支持されている。回転部62cは、垂直移動部62bに対して回転する。回転部62cは、仮想的な回転軸Ax2を中心として回転する。仮想的な回転軸Ax2は、鉛直方向と平行である。進退移動部62dは、回転部62cの向きによって決まる水平方向に沿った一方向に往復移動する。
As shown in FIG. 2, the
ハンド61は、進退移動部62dに固定されている。ハンド61は、ハンド駆動部62によって、水平方向および上下方向(±Z方向)のそれぞれに沿って平行に移動することができる。ハンド61は、仮想的な回転軸Ax2を中心として回転することができる。これにより、第2搬送機構8は、載置部6および全ての処理ユニット7にアクセス可能である。第2搬送機構8は、載置部6または処理ユニット7に基板Wを搬入することができるとともに、載置部6または処理ユニット7から基板Wを搬出することができる。
The
各処理ユニット7は、1枚の基板Wを処理する。複数の処理ユニット7は、搬送スペース41の両側に配置されている。複数の処理ユニット7は、第2搬送機構8の+Y側および−Y側のそれぞれに配置されている。具体的には、処理ブロック5は、第1処理セクション42と、第2処理セクション43と、を備える。第1処理セクション42と、搬送スペース41と、第2処理セクション43とは、−Y方向においてこの記載の順に並んでいる。第1処理セクション42は、搬送スペース41の+Y側に配置されている。第2処理セクション43は、搬送スペース41の−Y側に配置されている。
Each
図3は、基板処理装置1の−Y側の部分の概略的な構成を示す側面図である。第2処理セクション43には、複数の処理ユニット7が、X軸方向および鉛直方向(Z軸方向)のそれぞれに沿うように行列状に配置されている。例えば、第2処理セクション43には、6個の処理ユニット7が、鉛直方向(Z軸方向)において3段をなすように配置されている。第2処理セクション43の各段には、X軸方向に沿って並んだ2つの処理ユニットが配置されている。図示を省略しているが、第1処理セクション42にも、第2処理セクション43と同様に、複数の処理ユニット7が、X軸方向および鉛直方向(Z軸方向)のそれぞれに沿うように行列状に配置されている。例えば、第1処理セクション42には、6個の処理ユニット7が、鉛直方向(Z軸方向)において3段をなすように配置されている。第1処理セクション42の各段には、X軸方向に沿って並んだ2つの処理ユニットが配置されている。
FIG. 3 is a side view showing a schematic configuration of a portion on the −Y side of the
<1−1−3.制御部>
図4は、基板処理装置1を制御するための機能的な構成を示すブロック図である。制御部9は、バーコードリーダ31、第1搬送機構4、第2搬送機構8および複数の処理ユニット7と通信可能に接続されている。制御部9は、例えば、第1搬送機構4、第2搬送機構8および複数の処理ユニット7を制御する。
<1-1-3. Control unit>
FIG. 4 is a block diagram showing a functional configuration for controlling the
図5は、制御部9の一構成例を示すブロック図である。制御部9は、例えば、一般的なコンピュータ等で実現される。制御部9は、例えば、バスライン9Buを介して接続された、通信部91、入力部92、出力部93、記憶部94、処理部95およびドライブ96を有する。
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration example of the
通信部91は、例えば、バーコードリーダ31、第1搬送機構4、第2搬送機構8および複数の処理ユニット7のそれぞれとの間における通信回線を介した信号の送受信を行う。通信部91は、例えば、基板処理装置1を管理するための管理用サーバからの信号を受信してもよい。
The
入力部92は、例えば、オペレータの動作等に応じた信号を入力する。入力部92は、例えば、操作に応じた信号を入力可能なマウスおよびキーボード等の操作部、音声に応じた信号を入力可能なマイクおよび動きに応じた信号を入力可能な各種センサ等を含む。
The
出力部93は、例えば、各種情報をオペレータが認識可能な態様で出力する。出力部93は、例えば、各種情報を可視的に出力する表示部および各種情報を可聴的に出力するスピーカ等を含む。表示部は、例えば、入力部92の少なくとも一部と一体化されたタッチパネルの形態を有していてもよい。
The
記憶部94は、例えば、プログラムPg1および各種の情報を記憶する。記憶部94は、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体で構成される。記憶部94には、例えば、1つの記憶媒体を有する構成、2つ以上の記憶媒体を一体的に有する構成、および2つ以上の記憶媒体を2つ以上の部分に分けて有する構成の何れが適用されてもよい。記憶媒体は、例えば、第1搬送機構4、第2搬送機構8および処理ユニット7の動作条件に関する情報を記憶する。処理ユニット7の動作条件に関する情報は、例えば、基板Wを処理するための処理レシピ(プロセスレシピ)を含む。記憶媒体は、例えば、各基板Wを識別するための情報を記憶していてもよい。
The
処理部95は、例えば、プロセッサとして働く演算処理部95aおよび演算処理の作業領域としてのメモリ95b等を含む。演算処理部95aには、例えば、中央演算装置(CPU)等の電子回路が適用され、メモリ95bには、例えば、RAM(Random Access Memory)等が適用される。処理部95は、例えば、記憶部94に記憶されたプログラムPg1を読み込んで実行することで、制御部9の機能を実現する。このため、制御部9では、例えば、プログラムPg1に記述された手順に従って処理部95が演算処理を行うことで、基板処理装置1の各部の動作を制御する各種の機能部が実現される。すなわち、基板処理装置1に含まれる制御部9によってプログラムPg1が実行されることで、基板処理装置1の機能および動作が実現され得る。制御部9で実現される一部あるいは全部の機能部は、例えば、専用の論理回路等でハードウエア的に実現されてもよい。
The
ドライブ96は、例えば、可搬性の記憶媒体Sm1の脱着が可能な部分である。ドライブ96は、例えば、記憶媒体Sm1が装着されている状態で、この記憶媒体Sm1と処理部95との間におけるデータの授受を行わせる。ドライブ96は、プログラムPg1が記憶された記憶媒体Sm1がドライブ96に装着された状態で、記憶媒体Sm1から記憶部94内にプログラムPg1を読み込ませて記憶させる。
The
ここで、基板処理装置1の全体における動作の一例について説明する。基板処理装置1では、例えば、制御部9が、基板Wの搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理装置1が備える各部を制御することで、以下に説明する一連の動作が実行される。
Here, an example of the operation of the
未処理の基板Wを収容したキャリアCがキャリア載置部3上に載置されると、第1搬送機構4が、このキャリアCから未処理の基板Wを取り出す。このとき、制御部9は、バーコードリーダ31の検出結果(基板Wの形状に係る情報等)に応じて、ハンド駆動部34を制御する。そして、第1搬送機構4は、載置部6に未処理の基板Wを搬送する。第2搬送機構8は、載置部6からレシピ等で指定された処理ユニット7に未処理の基板Wを搬送する。なお、第1搬送機構4と第2搬送機構8との間における基板Wの受け渡しは、例えば、ハンド33とハンド61との間で直接行われてもよい。基板Wが搬入された処理ユニット7は、基板Wに対して、定められた処理を実行する。処理ユニット7において基板Wに対する処理が終了すると、第2搬送機構8は、処理済みの基板Wを処理ユニット7から取り出す。第2搬送機構8は、処理済みの基板Wを載置部6に搬送する。第1搬送機構4は、載置部6からキャリア載置部3上のキャリアCに基板Wを搬送する。基板処理装置1では、第1搬送機構4および第2搬送機構8がレシピにしたがって上述した搬送動作を反復して行うとともに、各処理ユニット7が処理レシピにしたがって基板Wに対する処理を実行する。これによって、基板Wに対する処理が次々と行われる。
When the carrier C accommodating the untreated substrate W is placed on the
<1−2.処理ユニットの構成>
各処理ユニット7は、例えば、基板Wの上面Wuに対して、エッチング、洗浄、疎水化および乾燥を、この記載の順に行う一連の基板処理を実行可能な枚葉式の処理ユニットである。
<1-2. Processing unit configuration>
Each
図6は、処理ユニット7の一構成例を模式的に示す側面図である。図7は、処理ユニット7の内部の一構成例を模式的に示す平面図である。
FIG. 6 is a side view schematically showing a configuration example of the
図6で示されるように、各処理ユニット7は、例えば、内部に処理空間を形成する処理チャンバ7wを備えている。処理チャンバ7wには、例えば、第2搬送機構8のハンド61を処理チャンバ7wの内部に挿入させるための搬出入口(不図示)が形成されている。この搬出入口には、例えば、処理ユニット7の内部にハンド61が挿入される際に開放され、処理ユニット7の内部にハンド61が挿入されない際に閉鎖されるシャッター等が設けられている。このため、処理ユニット7は、例えば、第2搬送機構8が配置されている搬送スペース41に、この搬出入口を対向させるようにして位置している。
As shown in FIG. 6, each
ここで、処理ユニット7の具体的な構成について説明する。
Here, a specific configuration of the
図1および図3で示されるように、各処理ユニット7は、例えば、回転保持機構72を備えている。回転保持機構72は、例えば、保持部720を有する。
As shown in FIGS. 1 and 3, each
保持部720は、例えば、1枚の基板Wを水平姿勢で保持する。保持部720には、メカニカルチャックまたはメカニカルグリッパーが適用されてもよいし、ベルヌーイチャックまたはベルヌーイグリッパーが適用されてもよい。メカニカルチャックは、例えば、比較的に厚い基板Wを保持するのに適しており、ベルヌーイチャックは、例えば、比較的に薄い基板Wを保持するのに適している。第1実施形態では、例えば、第1処理セクション42に配置される6個の処理ユニット7は、それぞれ、保持部720にメカニカルチャックまたはメカニカルグリッパーが適用された第1処理ユニット7Aである。例えば、第2処理セクション43に配置される6個の処理ユニット7は、それぞれ、保持部720にベルヌーイチャックまたはベルヌーイグリッパーが適用された第2処理ユニット7Bである。図6および図7には、第1処理ユニット7Aの一構成例が示されている。ここでは、処理ユニット7の一構成例として、第1処理ユニット7Aの構成を例に挙げて説明する。
The holding
図6で示されるように、保持部720は、例えば、スピンベース723と、複数個のチャックピン724と、を有する。スピンベース723は、例えば、略水平姿勢の円板状の部材である。複数個のチャックピン724は、例えば、スピンベース723の上面側の周縁部付近に立設されており、基板Wの周縁部を把持することで、基板Wを保持することが可能な部分である。具体的には、例えば、複数個のチャックピン724が、基板Wを水平姿勢で保持することができる。チャックピン724は、例えば、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上設けてあればよく、スピンベース723の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。各チャックピン724は、例えば、基板Wの周縁部を下方から支持する部分(基板支持部ともいう)と、基板支持部に支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する部分(基板把持部ともいう)とを有する。また、各チャックピン724は、基板把持部が基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板把持部が基板Wの外周端面から離れる解放状態と、の間で切り替え可能に構成されている。ここで、第2搬送機構8が保持部720に対して基板Wを受け渡す際には、各チャックピン724が解放状態とされ、基板Wに対して基板処理を施す際には、各チャックピン724が押圧状態とされる。各チャックピン724が押圧状態となると、各チャックピン724は基板Wの周縁部を把持し、基板Wがスピンベース723から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持される。
As shown in FIG. 6, the holding
また、図6で示されるように、回転保持機構72は、例えば、中心軸721および回転機構722を有する。
Further, as shown in FIG. 6, the
中心軸721は、例えば、鉛直方向(Z軸方向)に沿った長手方向と真円状の断面とを有する棒状の部材である。例えば、中心軸721の上端部に、スピンベース723の下面の略中央がネジ等の締結部品で固定されている。
The
回転機構722は、例えば、中心軸721を回転させるためのモータ等の駆動力を生じさせる部分(第1駆動部ともいう)である。ここでは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて回転機構722によって中心軸721が回転されると、中心軸721に固定されたスピンベース723が、鉛直方向に沿って伸びる仮想的な軸(回転軸ともいう)72aを中心として回転する。すなわち、回転機構722は、回転軸72aを中心として保持部720を回転させることができる。これにより、例えば、保持部720によって略水平姿勢で保持された基板Wが回転軸72aを中心として回転される。回転軸72aは、例えば、保持部720に保持された基板Wにおける上面Wuおよび下面Wbのそれぞれの中心を通る。
The
また、図6で示されるように、各処理ユニット7は、例えば、ガード73を備えている。
Further, as shown in FIG. 6, each
ガード73は、回転保持機構72の側方の周囲を取り囲むように配置されている。ガード73は、例えば、昇降駆動部73mによって互いに独立して昇降可能な複数のガード部を有する。具体的には、ガード73は、例えば、第1ガード部731、第2ガード部732および第3ガード部733を有する。昇降駆動部73mには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、昇降駆動部73mは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて、第1ガード部731、第2ガード部732および第3ガード部733のそれぞれを、鉛直方向に沿って昇降させることができる部分(第2駆動部ともいう)として機能する。換言すれば、制御部9は、昇降駆動部73mによって第1ガード部731、第2ガード部732および第3ガード部733のそれぞれを鉛直方向に沿って昇降させる。これにより、制御部9は、昇降駆動部73mによって、第1〜3ガード部731,732,733を、それぞれ上昇された位置(上昇位置ともいう)と下降された位置(下降位置ともいう)との間で昇降させる。その結果、例えば、第1ガード部731、第2ガード部732および第3ガード部733の何れかによって、基板Wの上面Wu上から飛散する処理液を受け止めて回収することができる。
The
第1ガード部731は、例えば、回転保持機構72の側方の周囲を取り囲むように配置される。第1ガード部731は、例えば、回転保持機構72に保持された基板Wの中心を通る回転軸72aに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この第1ガード部731は、例えば、回転軸72aを中心とした円筒状の形状を有する側壁部と、回転軸72aを中心とした円環状の形状を有し且つ側壁部の上端部から回転軸72aに近づくように斜め上方に伸びている上方傾斜部と、を有する。
The
第2ガード部732は、例えば、回転保持機構72の側方の周囲を取り囲むように位置している第1ガード部731の外周部をさらに側方から取り囲むように配置されている。第2ガード部732は、例えば、回転保持機構72に保持された基板Wの中心を通る回転軸72aに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この第2ガード部732は、例えば、回転軸72aを中心とした円筒状の形状を有する側壁部と、回転軸72aを中心とした円環状の形状を有し且つ側壁部の上端部から回転軸72aに近づくように斜め上方に伸びている上方傾斜部と、を有する。
The
第3ガード部733は、例えば、回転保持機構72の側方の周囲を順に取り囲むように位置している第1ガード部731および第2ガード部732の外周部をさらに側方から取り囲むように配置されている。第3ガード部733は、例えば、回転保持機構72に保持された基板Wの中心を通る回転軸72aに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この第3ガード部733は、例えば、回転軸72aを中心とした円筒状の形状を有する側壁部と、回転軸72aを中心とした円環状の形状を有し且つ側壁部の上端部から回転軸72aに近づくように斜め上方に伸びている上方傾斜部と、を有する。
The
ここで、例えば、第1ガード部731が、保持部720を側方から囲むように上昇位置に配されている場合には、回転保持機構72に保持されて回転されている基板Wの上面Wuに向けて吐出された処理液が、基板Wの上面Wuから第1ガード部731に向けて飛散し、第1ガード部731の回転軸72a側の壁面(内壁面ともいう)で受け止められる。第1ガード部731で受け止められた処理液は、例えば、第1ガード部731の内壁面に沿って流下し、第1排液槽734および第1排液ポート737を介して回収される。
Here, for example, when the
また、ここで、例えば、第1ガード部731が下降位置まで下降されて、第2ガード部732が保持部720を側方から囲むように上昇位置に配されている場合には、回転保持機構72に保持されて回転されている基板Wの上面Wuに向けて吐出された処理液が、基板Wの上面Wuから第2ガード部732に向けて飛散し、第2ガード部732の回転軸72a側の壁面(内壁面ともいう)で受け止められる。第2ガード部732で受け止められた処理液は、例えば、第2ガード部732の内壁面に沿って流下し、第2排液槽735および第2排液ポート738を介して回収される。
Further, here, for example, when the
また、ここで、例えば、第1ガード部731および第2ガード部732のそれぞれが下降位置まで下降されて、第3ガード部733が保持部720を側方から囲むように上昇位置に配されている場合には、回転保持機構72に保持されて回転されている基板Wの上面Wuに向けて吐出された処理液が、基板Wの上面Wuから第3ガード部733に向けて飛散し、第3ガード部733の回転軸72a側の壁面(内壁面ともいう)で受け止められる。第3ガード部733で受け止められた液体は、例えば、第3ガード部733の内壁面に沿って流下し、第3排液槽736および第3排液ポート739を介して回収される。
Further, here, for example, each of the
また、図6で示されるように、各処理ユニット7は、例えば、第1〜3液吐出部751n,752n,753n、第1〜3液供給路751p,752p,753pおよび第1〜3変更部751v,752v,753vを備えている。
Further, as shown in FIG. 6, each
第1液吐出部751nは、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて吐出口(第1吐出口ともいう)751oから処理液(第1処理液ともいう)を吐出することで、上面Wu上に第1処理液を供給する。第1液吐出部751nは、例えば、第1処理液を連続流の状態で吐出するストレートノズル等のノズルを含む。第1処理液は、例えば、希フッ酸(DHF:Diluted Hydrofluoric acid)、フッ酸−過酸化水素水混合液(FPM:Hydrofluoric Peroxide Mixture)またはリン酸等の基板Wに対するエッチングを施すことが可能な液体(薬液ともいう)を含む。
The first
第1液供給路751pは、第1処理液の供給源(第1供給源ともいう)と第1液吐出部751nとを接続している。第1液供給路751pには、例えば、各種の配管等が適用される。第1供給源は、例えば、薬液を貯留しているタンクおよびこのタンクから薬液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。
The first
第1変更部751vは、第1液供給路751pの途中に位置し、例えば、第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。第1変更部751vは、例えば、絞り度合い(開度ともいう)を調整することで第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液の単位時間あたりの供給量を変更することが可能なニードル弁等の流量制御弁を含む。流量制御弁における絞り度合い(開度)は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。流量制御弁の絞り度合い(開度)は、例えば、制御部9からのパルス数等に係る動作指令に応じて変更される。このため、例えば、制御部9は、第1変更部751vの開度を制御することで、第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上に対する第1処理液の吐出の有無を制御することができるとともに、第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上に対して第1処理液が吐出される速度(吐出速度ともいう)および第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上に対して単位時間あたりに第1処理液が吐出される量(吐出量ともいう)を変更することができる。
The
第2液吐出部752nは、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて吐出口(第2吐出口ともいう)752oから処理液(第2処理液ともいう)を吐出することで、上面Wu上に第2処理液を供給する。第2液吐出部752nは、例えば、第2処理液を連続流の状態で吐出するストレートノズル等のノズルを含む。第2処理液は、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)等の溶剤を含む。
The second
第2液供給路752pは、第2処理液の供給源(第2供給源ともいう)と第2液吐出部752nとを接続している。第2液供給路752pには、例えば、各種の配管等が適用される。第2供給源は、例えば、IPA等の溶剤を貯留しているタンクおよびこのタンクから溶剤を送り出すためのポンプ等の機構を含む。
The second
第2変更部752vは、第2液供給路752pの途中に位置し、例えば、第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。第2変更部752vは、例えば、絞り度合い(開度ともいう)を調整することで第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液の単位時間あたりの供給量を変更することが可能なニードル弁等の流量制御弁を含む。流量制御弁における絞り度合い(開度)は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。流量制御弁の絞り度合い(開度)は、例えば、制御部9からのパルス数等に係る動作指令に応じて変更される。このため、例えば、制御部9は、第2変更部752vの開度を制御することで、第2液吐出部752nから基板Wの上面Wu上に対する第2処理液の吐出の有無を制御することができるとともに、第2液吐出部752nから基板Wの上面Wu上に対して第2処理液が吐出される速度(吐出速度)および第2液吐出部752nから基板Wの上面Wu上に対して単位時間あたりに第2処理液が吐出される量(吐出量ともいう)を変更することができる。
The
第3液吐出部753nは、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて吐出口(第3吐出口ともいう)753oから処理液(第3処理液ともいう)を吐出することで、上面Wu上に第3処理液を供給する。第3液吐出部753nは、例えば、第3処理液を連続流の状態で吐出するストレートノズル等のノズルを含む。第3処理液は、例えば、疎水化液を含む。疎水化液は、例えば、シリコン系の疎水化液を含む。シリコン系の疎水化液は、シリコン(Si)自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化液である。シリコン系の疎水化液は、例えば、シランカップリング剤(シリル化剤ともいう)である。このシリル化剤は、例えば、分子の一端に加水分解でシラノール基(Si−OH)を与えるエトキシ(又はメトキシ)基を有し、他端にアミノ基またはグリシジル基等の有機官能基を有する有機ケイ素化合物である。シリル化剤は、例えば、HMDS(ヘキサメチルジシラザン)、TMS(テトラメチルシラン)、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化液の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化液は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス(ジメチルアミノ)ジメチルシラン、N,N−ジメチルアミノトリメチルシラン、N−(トリメチルシリル)ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。
The third
第3液供給路753pは、第3処理液の供給源(第3供給源ともいう)と第3液吐出部753nとを接続している。第3液供給路753pには、例えば、各種の配管等が適用される。第3供給源は、例えば、シリル化剤等の疎水化液を貯留しているタンクおよびこのタンクから疎水化液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。
The third
第3変更部753vは、第3液供給路753pの途中に位置し、例えば、第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液の単位時間あたりの供給量を変更する。第3変更部753vは、例えば、絞り度合い(開度ともいう)を調整することで第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液の単位時間あたりの供給量を変更することが可能なニードル弁等の流量制御弁を含む。流量制御弁における絞り度合い(開度)は、例えば、モータの位置を示すパルス数等によって示される。流量制御弁の絞り度合い(開度)は、例えば、制御部9からのパルス数等に係る動作指令に応じて変更される。このため、例えば、制御部9は、第3変更部753vの開度を制御することで、第3液吐出部753nから基板Wの上面Wu上に対する第3処理液の吐出の有無を制御することができるとともに、第3液吐出部753nから基板Wの上面Wu上に対して第3処理液が吐出される速度(吐出速度)および第3液吐出部753nから基板Wの上面Wu上に対して単位時間あたりに第3処理液が吐出される量(吐出量ともいう)を変更することができる。
The
図7で示されるように、第1液吐出部751nは、例えば、処理チャンバ7wに設けられた第1移動機構751mに連結されている。第1移動機構751mは、第1液吐出部751nを移動させる部分(第3駆動部)の一例である。
As shown in FIG. 7, the first
第1移動機構751mは、例えば、鉛直方向に沿って延びる仮想的な軸(仮想軸ともいう)751aを中心として第1液吐出部751nを回動させる。第1移動機構751mは、例えば、仮想軸751aを中心として回動自在に支持されているアームと、このアームを回動させるモータ等と、を含む。これにより、第1移動機構751mは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて、第1液吐出部751nの第1吐出口751oを、保持部720の外周部の上方またはその近傍の位置(第1内側位置ともいう)と、第1内側位置よりも回転軸72aから離れた位置(第1外側位置ともいう)と、の間で移動させる。図7には、第1外側位置に位置している第1液吐出部751nが実線で描かれ、第1内側位置に位置している第1液吐出部751nが2点鎖線で描かれている。
The
また、第1移動機構751mは、例えば、第1液吐出部751nを鉛直方向に沿って昇降させる。第1移動機構751mには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、第1移動機構751mは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて、第1液吐出部751nの第1吐出口751oを、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った仮想平面に近接した位置(第1下位置ともいう)と、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った仮想平面から上方に離れた位置(第1上位置ともいう)と、の間で移動させる。ここで、第1吐出口751oが、第1内側位置に配され且つ第1下位置に配されていれば、第1液吐出部751nは、基板Wの上面Wuに対して第1処理液を吐出する位置(第1吐出位置ともいう)に配されている。このとき、例えば、第1吐出口751oは、基板Wの上面Wuの上方に位置していなくてもよいし、基板Wの上面Wuの外周部の上方に位置していてもよい。また、第1吐出口751oが、第1外側位置に配され且つ第1上位置に配されていれば、第1液吐出部751nは、保持部720上またはその近傍から退避された位置(第1退避位置ともいう)に配されている。
Further, the first moving
図7で示されるように、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nのそれぞれは、例えば、処理チャンバ7wに設けられた第2移動機構752mに連結されている。第2移動機構752mは、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを移動させる部分(第3駆動部)の一例である。
As shown in FIG. 7, each of the second
第2移動機構752mは、例えば、鉛直方向に沿って延びる仮想的な軸(仮想軸ともいう)752aを中心として第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを回動させる。第2移動機構752mは、例えば、仮想軸752aを中心として回動自在に支持されているアームと、このアームを回動させるモータ等と、を含む。これにより、第2移動機構752mは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて、第2液吐出部752nの第2吐出口752oを、保持部720の外周部の上方またはその近傍の位置(第2内側位置ともいう)と、第2内側位置よりも回転軸72aから離れた位置(第2外側位置ともいう)と、の間で移動させるとともに、第3液吐出部753nの第3吐出口753oを、保持部720の外周部の上方またはその近傍の位置(第3内側位置ともいう)と、第3内側位置よりも回転軸72aから離れた位置(第3外側位置ともいう)と、の間で移動させる。図7には、第2外側位置に位置している第2液吐出部752nおよび第3外側位置に位置している第3液吐出部753nが実線で描かれ、第2内側位置に位置している第2液吐出部752nおよび第3内側位置に位置している第3液吐出部753nが2点鎖線で描かれている。
The
また、第2移動機構752mは、例えば、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを鉛直方向に沿って昇降させる。第2移動機構752mには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、第2移動機構752mは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて、第2液吐出部752nの第2吐出口752oを、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った仮想平面に近接した位置(第2下位置ともいう)と、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った仮想平面から上方に離れた位置(第2上位置ともいう)と、の間で移動させるとともに、第3液吐出部753nの第3吐出口753oを、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った仮想平面に近接した位置(第3下位置ともいう)と、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った仮想平面から上方に離れた位置(第3上位置ともいう)と、の間で移動させる。
Further, the
ここで、第2吐出口752oが、第2内側位置に配され且つ第2下位置に配されていれば、第2液吐出部752nは、基板Wの上面Wuに対して第2処理液を吐出する位置(第2吐出位置ともいう)に配されている。このとき、例えば、第2吐出口752oは、基板Wの上面Wuの上方に位置していなくてもよいし、基板Wの上面Wuの外周部の上方に位置していてもよい。また、第2吐出口752oが、第2外側位置に配され且つ第2上位置に配されていれば、第2液吐出部752nは、保持部720上またはその近傍から退避された位置(第2退避位置ともいう)に配されている。また、第3吐出口753oが、第3内側位置に配され且つ第3下位置に配されていれば、第3液吐出部753nは、基板Wの上面Wuに向けて第3処理液を吐出する位置(第3吐出位置ともいう)に配されている。このとき、例えば、下方向に向けて平面視して、第3吐出口753oは、基板Wの上面Wuの上方に位置していなくてもよいし、基板Wの上面Wuの外周部の上方に位置していてもよい。また、第3吐出口753oが、第3外側位置に配され且つ第3上位置に配されていれば、第3液吐出部753nは、保持部720上またはその近傍から退避された位置(第3退避位置ともいう)に配されている。
Here, if the second discharge port 752o is arranged at the second inner position and the second lower position, the second
また、図6で示されるように、各処理ユニット7は、例えば、雰囲気制御部材74を備えている。
Further, as shown in FIG. 6, each
雰囲気制御部材74は、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに対向している状態で上面Wu上に不活性ガスを供給する。これにより、例えば、基板Wの上面Wuに沿った空間における酸素濃度および湿気の低下等を図ることができる。その結果、例えば、基板Wの上面Wu上に供給される各種の処理液に対する酸素および湿気による悪影響が生じにくくなる。具体的には、ここで言う悪影響は、例えば、過度なエッチングによる材料損失、基板Wの上面Wuに沿った表層部の酸化、疎水化液における活性種の減少(失活ともいう)、疎水化液の塗布性の低下およびリンス液から溶剤への置換性の低下等を含み得る。
For example, the
第1実施形態では、雰囲気制御部材74は、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuを覆っている状態で、上面Wuと雰囲気制御部材74との間に不活性ガスを供給する板状の部分(遮断板ともいう)741を含む。遮断板741は、例えば、回転軸72aが中心を通る円板状の部材である。遮断板741の下面74bは、基板Wの上面Wuと略平行に対向する面となっており、基板Wの直径と同等以上の大きさを有する。この遮断板741によって、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気を厳格に制御することができる。
In the first embodiment, the
また、雰囲気制御部材74は、例えば、支軸742を有する。支軸742の下端部に、遮断板741が略水平姿勢で取り付けられた状態にある。支軸742には、例えば、アーム743および第3移動機構74mが順に連結されている。アーム743は、例えば、水平方向に延びている状態で、支軸742を保持している状態にある。第3移動機構74mには、例えば、ボールネジ機構またはエアシリンダ等の種々の機構を適用することができる。これにより、第3移動機構74mは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて、アーム743、支軸742および遮断板741を鉛直方向に沿って昇降させる。第3移動機構74mは、例えば、制御部9からの動作指令に応じて、遮断板741を保持部720に保持された基板Wの上面Wuに近接させた位置(近接位置ともいう)または保持部720に保持された基板Wの上面Wuから離間させた位置(離間位置ともいう)に配置させることができる。例えば、制御部9は、第3移動機構74mの動作を制御することで、処理ユニット7に対して基板Wを搬入出させる際には、図6で示されるように、遮断板741を回転保持機構72から上方向(+Y方向)に離間した離間位置に上昇させる一方、処理ユニット7において基板Wに対して所定の基板処理を施す際には、遮断板741を保持部720に保持された基板Wの上面Wuに近接した近接位置まで下降させる。遮断板741が近接位置まで下降された状態は、例えば、後述する図8(a)および図9(a)に示されている。
Further, the
また、雰囲気制御部材74は、例えば、遮断板741の下面74bの中央部から処理液を下方に吐出する中心ノズル群74nを含む。中心ノズル群74nは、例えば、遮断板741および基板Wの中心を通る仮想的な回転軸72aに沿って鉛直方向に延びている。中心ノズル群74nは、保持部720の上方に配置されている。中心ノズル群74nは、遮断板741および支軸742と共に昇降する。支軸742は、鉛直方向に沿って延びている筒状の形状を有し、鉛直方向に沿って貫通している貫通孔を有する。支軸742の貫通孔は、遮断板741の中央部を鉛直方向に沿って貫通する貫通孔に連通している。遮断板741の貫通孔は、遮断板741の下面74bの中央部で開口している。中心ノズル群74nは、支軸742の貫通孔内の空間に挿入された状態で位置している。中心ノズル群74nの下面は、遮断板741の下面74bと同じ高さまたは遮断板741の下面74bよりも上方に位置している。
Further, the
中心ノズル群74nは、例えば、回転軸72aに沿って鉛直方向に延びている共通のケース内に収容された第1中心ノズル747n、第2中心ノズル748nおよび第3中心ノズル749nを含む。第1中心ノズル747n、第2中心ノズル748nおよび第3中心ノズル749nは、それぞれ回転軸72aに沿って鉛直方向に延びている。第1中心ノズル747n、第2中心ノズル748nおよび第3中心ノズル749nのそれぞれは、例えば、鉛直方向に沿った直管で構成されている。第1中心ノズル747n、第2中心ノズル748nおよび第3中心ノズル749nのそれぞれの下端に設けられた開口(吐出口)は、遮断板741の下面74bと同じ高さまたは遮断板741の下面74bより上方に配置されている。
The
第1中心ノズル747nは、第1液体バルブ747vが途中に設けられた第1液体供給路747pに接続されている。第1液体供給路747pには、例えば、配管が適用される。また、第1液体供給路747pは、第4処理液としての純水(DIW:De-Ionized water)等のリンス液を供給する供給源(第4供給源ともいう)に接続されている。第4供給源は、例えば、第4処理液としてのDIW等のリンス液を貯留しているタンクおよびこのタンクからリンス液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。ここで、例えば、制御部9の動作指令に応じて、第1液体バルブ747vが開かれると、第4供給源から第1液体供給路747pを介して第1中心ノズル747nに供給された第4処理液としてのリンス液が、第1中心ノズル747nの吐出口から下方に吐出される。
The first
第2中心ノズル748nは、第2液体バルブ748vが途中に設けられた第2液体供給路748pに接続されている。第2液体供給路748pには、例えば、配管が適用される。また、第2液体供給路748pは、第5処理液としての疎水化液を供給する供給源(第5供給源ともいう)に接続されている。第5供給源は、例えば、シリル化剤等の疎水化液を貯留しているタンクおよびこのタンクから疎水化液を送り出すためのポンプ等の機構を含む。第5処理液は、第3処理液と同一であってもよいし、第3処理液と異なっていてもよい。第5供給源は、例えば、第3供給源と同一であってもよいし、第3供給源と異なっていてもよい。ここで、例えば、制御部9の動作指令に応じて、第2液体バルブ748vが開かれると、第5供給源から第2液体供給路748pを介して第2中心ノズル748nに供給された第5処理液としての疎水化液が、第2中心ノズル748nの吐出口から下方に吐出される。
The second
第3中心ノズル749nは、第3液体バルブ749vが途中に設けられた第3液体供給路749pに接続されている。第3液体供給路749pには、例えば、配管が適用される。また、第3液体供給路749pは、第6処理液としての溶剤を供給する供給源(第6供給源ともいう)に接続されている。第6供給源は、例えば、IPA等の溶剤を貯留しているタンクおよびこのタンクから溶剤を送り出すためのポンプ等の機構を含む。第6処理液は、第2処理液と同一であってもよいし、第2処理液と異なっていてもよい。第6供給源は、例えば、第2供給源と同一であってもよいし、第2供給源と異なっていてもよい。ここで、例えば、制御部9の動作指令に応じて、第3液体バルブ749vが開かれると、第6供給源から第3液体供給路749pを介して第3中心ノズル749nに供給された第6処理液としての溶剤が、第3中心ノズル749nの吐出口から下方に吐出される。
The third
第1中心ノズル747n、第2中心ノズル748nおよび第3中心ノズル749nは、中心ノズル群74nの周囲に形成された筒状のガス流路を有する気体ノズル745nによって取り囲まれている。気体ノズル745nの下端は、中心ノズル群74nを取り囲むように配された環状の開口(環状開口ともいう)を形成している。気体ノズル745nは、第1気体バルブ745vが途中に設けられた第1気体供給路745pに接続されている。第1気体供給路745pには、例えば、配管が適用される。また、第1気体供給路745pは、窒素ガス等の不活性ガスを供給する供給源(ガス供給源ともいう)に接続されている。ガス供給源は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスを貯留しているボンベおよび圧力レギュレータ等を含む。ここで、例えば、制御部9の動作指令に応じて、第1気体バルブ745vが開かれると、ガス供給源から第1気体供給路745pを介して気体ノズル745nに供給された窒素ガス等の不活性ガスが、気体ノズル745nの環状開口から下方に吐出される。ここで、例えば、遮断板741が近接位置および離間位置の何れに位置している状態にあっても、制御部9の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、気体ノズル745nの環状開口から下方に吐出することができる。但し、遮断板741が離間位置に位置している状態よりも、遮断板741が近接位置に位置している状態にあれば、制御部9の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、気体ノズル745nの環状開口から下方に吐出することで、保持部720に保持された基板Wの上面Wu上の雰囲気を、例えば、酸素濃度がより低く、湿気がより少ない窒素ガス等の不活性ガスに置換することができる。すなわち、雰囲気制御部材74からの不活性ガスの供給によって基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を良好に行うことができる。
The first
また、遮断板741は、例えば、遮断板741の下面74bの周縁部において開口している複数のガス吐出口746oと、複数のガス吐出口746oのそれぞれに接続されたガス流路746rと、を含む。複数のガス吐出口746oは、例えば、遮断板741の下面74bの周縁部における全域に分布している。ガス流路746rは、遮断板741の内部に設けられている。ガス流路746rは、第2気体バルブ746vが途中に設けられた第2気体供給路746pに接続されている。第2気体供給路746pには、例えば、配管が適用される。また、第2気体供給路746pは、窒素ガス等の不活性ガスを供給する供給源(ガス供給源)に接続されている。ガス供給源は、例えば、窒素ガス等の不活性ガスを貯留しているボンベおよび圧力レギュレータ等を含む。第1気体供給路745pおよび第2気体供給路746pは、それぞれ同一のガス供給源に接続されていてもよいし、それぞれ別々のガス供給源に接続されていてもよい。ここでは、例えば、第2気体バルブ746vが開かれると、窒素ガス等の不活性ガスが、ガス供給源から第2気体供給路746pおよびガス流路746rを介して各ガス吐出口746oに供給され、基板Wの上面Wuの周縁部に向けて各ガス吐出口746oから下方に吐出される。ここで、例えば、遮断板741が近接位置および離間位置の何れに位置している状態にあっても、制御部9の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、複数のガス吐出口746oから下方に吐出することができる。但し、遮断板741が離間位置に位置している状態よりも、遮断板741が近接位置に位置している状態にあれば、制御部9の動作指令に応じて、窒素ガス等の不活性ガスを、複数のガス吐出口746oから下方に吐出することで、保持部720に保持された基板Wの上面Wu上の雰囲気を、例えば、酸素濃度がより低く、湿気がより少ない窒素ガス等の不活性ガスに置換することができる。すなわち、雰囲気制御部材74からの不活性ガスの供給によって基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を良好に行うことができる。
Further, the blocking
また、処理ユニット7は、例えば、ファンフィルタユニット(FFU)7fを備える。FFU7fは、基板処理装置1が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化して処理チャンバ7w内の空間に供給することができる。このFFU7fは、例えば、処理チャンバ7wの天井壁に取り付けられている。FFU7fは、クリーンルーム内の空気を取り込んで処理チャンバ7w内に送り出すためのファンおよびフィルタ(例えば、HEPAフィルタ)を備えており、処理チャンバ7w内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成することができる。FFU7fから供給された清浄空気を処理チャンバ7w内により均一に分散させるために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートを天井壁の直下に配置してもよい。また、例えば、処理チャンバ7wの側壁の一部であって処理チャンバ7wの床壁の近傍には、排気機構に連通接続されている排気ダクト7eが設けられている。これにより、例えば、FFU7fから供給されて処理チャンバ7w内を流下した清浄空気のうち、ガード73等の近傍を通過した空気は排気ダクト7eを介して基板処理装置1の外に排出される。なお、例えば、処理チャンバ7w内の上部に窒素ガス等の不活性ガスを導入する構成が加えられてもよい。
Further, the
<1−3.第1〜3液吐出部からの処理液の吐出>
第1液吐出部751n、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nは、同様な態様で基板Wの上面Wu上に対して処理液を吐出することができる。このため、ここでは、第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上に向けて第1処理液を吐出する態様を代表例として図示しながら説明する。
<1-3. Discharge of processing liquid from the 1st to 3rd liquid discharge parts>
The first
図8および図9は、それぞれ第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上へ第1処理液Lq1を吐出している様子を模式的に示す図である。図8(a)および図9(a)は、それぞれ第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上へ第1処理液Lq1を吐出している様子を模式的に示す側面図である。図8(b)および図9(b)は、それぞれ第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上へ第1処理液Lq1を吐出している様子を模式的に示す平面図である。ここでは、図8(a)および図9(a)で示されるように、第1吐出口751oは、第1内側位置であり且つ第1下位置である第1吐出位置に配された状態にある。この状態において、第1液吐出部751nは、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて第1吐出口751oから第1処理液Lq1を吐出することができる。また、ここでは、図8(a)および図9(a)で示されるように、遮断板741は、近接位置に下降された状態にある。
8 and 9 are diagrams schematically showing how the first treatment liquid Lq1 is discharged from the first
ここで、例えば、制御部9は、第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量を第1変更部751vに変更させることで、第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1の吐出速度を変化させることができる。これにより、例えば、基板Wの上面Wuのうちの第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1が供給される位置(液供給位置ともいう)が変化する。液供給位置は、例えば、第1液吐出部751nから吐出された第1処理液Lq1が基板Wの上面Wuに最初に到達する位置(着液位置ともいう)である。このような構成が採用されれば、例えば、雰囲気制御部材74からの不活性ガスの供給によって基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第1液吐出部751nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを行うことができる。よって、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御と基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。
Here, for example, the
例えば、第2液吐出部752nについても、制御部9は、第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液の単位時間あたりの供給量を第2変更部752vに変更させることで、第2液吐出部752nから吐出される第2処理液の吐出速度を変化させることにより、基板Wの上面Wuのうちの第2液吐出部752nから吐出される第2処理液が供給される位置(液供給位置)が変化する。この液供給位置は、例えば、第2液吐出部752nから吐出された第2処理液が基板Wの上面Wuに最初に到達する位置(着液位置)である。例えば、第3液吐出部753nについても、制御部9は、第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液の単位時間あたりの供給量を第3変更部753vに変更させることで、第3液吐出部753nから吐出される第3処理液の吐出速度を変化させることにより、基板Wの上面Wuのうちの第3液吐出部753nから吐出される第3処理液が供給される位置(液供給位置)が変化する。この液供給位置は、例えば、第3液吐出部753nから吐出された第3処理液が基板Wの上面Wuに最初に到達する位置(着液位置)である。これらの制御によっても、例えば、雰囲気制御部材74からの不活性ガスの供給によって基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第2処理液および第3処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。よって、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御と基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。
For example, also for the second
ここでは、例えば、制御部9は、図8(a)および図8(b)で示されるように、第1処理液Lq1の液供給位置が上面Wuのうちの中央部およびその近傍を含む領域(中央領域ともいう)A1内であるときよりも、図9(a)および図9(b)で示されるように、第1処理液Lq1の液供給位置が上面Wuのうちの外周端部側の領域(端部側領域ともいう)A2内であるときの方が、第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1の吐出速度が小さくなるように、第1変更部751vによって第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量を低下させる態様が考えられる。ここでは、例えば、上面Wuにおける回転軸72a上の点(中心点ともいう)から外縁までの距離(半径)をDとし、3以上の整数をNとした場合に、上面Wuのうちの中心点からD/Nまでの領域を中央領域A1とすることができ、上面Wuのうちの外縁からD/Nまでの領域を端部側領域A2とすることができる。Nは、好ましくは、5以上であればよい。
Here, for example, in the
上記態様が採用されれば、例えば、基板Wの上面Wuのうちの中央領域A1から端部側領域A2に至る広範囲において第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第1処理液Lq1の液供給位置が中央領域A1内であるときには、上面Wu上に対する第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Wの回転軸72aを中心とした回転によって、第1処理液Lq1が上面Wu上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第1処理液Lq1の液供給位置が端部側領域A2内であるときには、上面Wu上に対する第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部720のうちの基板Wの外縁部を保持している複数のチャックピン724における第1処理液Lq1の液跳ねが生じにくい。
If the above aspect is adopted, for example, the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 can be scanned in a wide range from the central region A1 to the end side region A2 of the upper surface Wu of the substrate W. Further, for example, when the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 is within the central region A1, the supply amount of the first treatment liquid Lq1 per unit time relative to the upper surface Wu increases, and the rotation axis of the substrate W. The rotation around 72a causes the first treatment liquid Lq1 to spread over a wide area on the upper surface Wu. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 is within the end side region A2, the supply amount and the discharge speed of the first treatment liquid Lq1 per unit time relative to the upper surface Wu are relatively high. It is lowered, and the liquid splash of the first treatment liquid Lq1 is less likely to occur in the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge portion of the substrate W in the holding
例えば、第2液吐出部752nについても、制御部9が、第2処理液の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内であるときよりも、第2処理液の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内であるときの方が、第2液吐出部752nから吐出される第2処理液の吐出速度が小さくなるように、第2変更部752vによって第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる態様が考えられる。例えば、第3液吐出部753nについても、制御部9が、第3処理液の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内であるときよりも、第3処理液の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内であるときの方が、第3液吐出部753nから吐出される第2処理液の吐出速度が小さくなるように、第3変更部753vによって第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる態様が考えられる。これらの態様が採用されても、例えば、基板Wの上面Wuのうちの中央領域A1から端部側領域A2に至る広範囲において第2処理液および第3処理液の液供給位置のスキャンを行うことができるとともに、保持部720のうちの基板Wの外縁部を保持している複数のチャックピン724における第2処理液および第3処理液の液跳ねが生じにくい。
For example, with respect to the second
ここで、例えば、制御部9は、第1変更部751vによって第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量を増減させることで、基板Wの上面Wu上における液供給位置を中央領域A1と端部側領域A2との間で複数回往復させてもよい。これにより、例えば、基板Wの上面Wuの広範囲において第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを複数回行うことで、基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきをより低減することができる。例えば、第2液吐出部752nについても、制御部9は、第2変更部752vによって第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、基板Wの上面Wu上における液供給位置を中央領域A1と端部側領域A2との間で複数回往復させてもよい。例えば、第3液吐出部753nについても、制御部9は、第3変更部753vによって第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、基板Wの上面Wu上における液供給位置を中央領域A1と端部側領域A2との間で複数回往復させてもよい。
Here, for example, the
ここでは、例えば、記憶部94等に記憶された処理レシピ等において、各処理ユニット7について、第1液吐出部751nに係る第1変更部751vの開度(パルス数等)の最大値および最小値ならびに開度の変化に要する時間と、第2液吐出部752nに係る第2変更部752vの開度(パルス数等)の最大値および最小値ならびに開度の変化に要する時間と、第3液吐出部753nに係る第3変更部753vの開度(パルス数等)の最大値および最小値ならびに開度の変化に要する時間と、が規定されていれば、上記の制御が可能となる。処理レシピにおいては、例えば、開度(パルス数等)とともに処理液の流量が併せて規定されていてもよい。
Here, for example, in the processing recipe or the like stored in the
また、第1実施形態では、例えば、第1液吐出部751nは、第1処理液Lq1が基板Wの上面Wuと雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)との間の空間を通って上面Wuに着液するように、第1処理液Lq1を吐出する。これにより、例えば、基板Wの上面Wuの広い範囲に雰囲気制御部材74を対向させた状態で、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第1液吐出部751nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲において第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、第1実施形態では、例えば、第2液吐出部752nは、第2処理液が基板Wの上面Wuと雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)との間の空間を通って上面Wuに着液するように第2処理液を吐出し、第3液吐出部753nは、第3処理液が基板Wの上面Wuと雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)との間の空間を通って上面Wuに着液するように第3処理液を吐出する。これにより、例えば、基板Wの上面Wuの広い範囲に雰囲気制御部材74を対向させた状態で、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲において第2処理液および第3処理液の液供給位置のスキャンを行うことができる。
Further, in the first embodiment, for example, in the first
また、ここでは、例えば、第1吐出口751oが、鉛直方向において上面Wuよりも高く且つ雰囲気制御部材74の下面74bよりも低い位置に配置された状態で上面Wuに沿った方向に向けて第1処理液Lq1を吐出すれば、雰囲気制御部材74による基板W上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Wの上面Wuの広範囲に第1処理液Lq1を供給することができる。また、例えば、第2吐出口752oが、鉛直方向において上面Wuよりも高く且つ雰囲気制御部材74の下面74bよりも低い位置に配置された状態で上面Wuに沿った方向に向けて第2処理液を吐出すれば、雰囲気制御部材74による基板W上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Wの上面Wuの広範囲に第2処理液を供給することができる。また、例えば、第3吐出口753oが、鉛直方向において上面Wuよりも高く且つ雰囲気制御部材74の下面74bよりも低い位置に配置された状態で上面Wuに沿った方向に向けて第3処理液を吐出すれば、雰囲気制御部材74による基板W上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Wの上面Wuの広範囲に第3処理液を供給することができる。
Further, here, for example, in a state where the first discharge port 751o is arranged at a position higher than the upper surface Wu in the vertical direction and lower than the
図10は、第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上へ第1処理液Lq1を吐出する方向を模式的に示す図である。図10(a)は、第1液吐出部751nから基板Wの上面Wu上へ第1処理液Lq1を吐出する方向を模式的に示す側面図である。図10(b)は、第1液吐出部751nの構造を模式的に示す縦断面図である。図10(a)および図10(b)には、第1吐出口751oが第1処理液Lq1を吐出する予め設定された方向(吐出方向ともいう)75dが2点鎖線の矢印で示されている。
FIG. 10 is a diagram schematically showing a direction in which the first treatment liquid Lq1 is discharged from the first
ここで、図10(a)で示されるように、第1液吐出部751nが基板Wの上面Wuに第1処理液Lq1を供給する際に、上面Wuを基準とした第1吐出口751oの鉛直方向における高さをHとし、仮想的な回転軸72aと第1吐出口751oとの水平方向における距離をRとし、第1吐出口751oを通る仮想的な水平面と第1吐出口751oが第1処理液Lq1を吐出する方向(吐出方向)75dとが成す角度をθとする。そして、吐出方向75dが水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し、且つ吐出方向75dが水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示すものとする。この場合に、例えば、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係式を満たせば、第1処理液Lq1に対する重力の影響も考慮して、基板Wの上面Wuのうちの仮想的な回転軸72a上の部分まで第1処理液Lq1を容易に供給することができる。
Here, as shown in FIG. 10A, when the first
また、例えば、第2液吐出部752nが基板Wの上面Wuに第2処理液を供給する際に、上面Wuを基準とした第2吐出口752oの鉛直方向における高さをHとし、仮想的な回転軸72aと第2吐出口752oとの水平方向における距離をRとし、第2吐出口752oを通る仮想的な水平面と第2吐出口752oが第2処理液を吐出する方向(吐出方向)とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し、且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示すものとした場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係式を満たせば、第2処理液に対する重力の影響も考慮して、基板Wの上面Wuのうちの仮想的な回転軸72a上の部分まで第2処理液を容易に供給することができる。
Further, for example, when the second
また、例えば、第3液吐出部753nが基板Wの上面Wuに第3処理液を供給する際に、上面Wuを基準とした第3吐出口753oの鉛直方向における高さをHとし、仮想的な回転軸72aと第3吐出口753oとの水平方向における距離をRとし、第3吐出口753oを通る仮想的な水平面と第3吐出口753oが第3処理液を吐出する方向(吐出方向)とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し、且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示すものとした場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係式を満たせば、第3処理液に対する重力の影響も考慮して、基板Wの上面Wuのうちの仮想的な回転軸72a上の部分まで第3処理液を容易に供給することができる。
Further, for example, when the third
ここで、例えば、図10(b)で示されるように、第1液吐出部751nが、第1管状部75p1、第2管状部75p2および第3管状部75p3を有する態様が考えられる。第1管状部75p1は、例えば、水平方向に沿って延びている状態にあり、先端に第1吐出口751oを有する。第2管状部75p2は、例えば、第1管状部75p1に連通している状態で、第1管状部75p1から上方に向けて延びている状態にある。第3管状部75p3は、例えば、第2管状部75p2に連通している状態で第2管状部75p2から水平方向に向けて延びている状態にある。換言すれば、第1液吐出部751nは、第1液供給路751pから第1吐出口751oに向けて、第3管状部75p3、第2管状部75p2および第1管状部75p1が、この記載の順番に連通するように接続された形態を有する。このような構成が採用されれば、例えば、図8(a)および図9(a)で示されるように、ガード73と雰囲気制御部材74との隙間を第2管状部75p2が挿通している状態で、第1吐出口751oを、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて第1処理液Lq1を吐出するための位置に配置することができる。そして、ここで、例えば、第1管状部75p1が、予め設定された吐出方向75dに沿って延びており、吐出方向75dの先端に第1吐出口751oを有していれば、第1吐出口751oから吐出される第1処理液Lq1の吐出方向75dが安定し得る。ここでは、例えば、第1管状部75p1の内径が第1吐出口751oに向けて減少しているような形態が採用される。
Here, for example, as shown in FIG. 10B, a mode in which the first
ここでは、例えば、第2液吐出部752nが、第1液吐出部751nと同様な形態を有していてもよい。具体的には、第2液吐出部752nが、第1管状部75p1、第2管状部75p2および第3管状部75p3を有する態様が考えられる。この場合には、例えば、第1管状部75p1は、例えば、水平方向に沿って延びている状態で先端に第2吐出口752oを有し、第2管状部75p2は、第1管状部75p1に連通している状態で第1管状部75p1から上方に向けて延びている状態にあり、第3管状部75p3は、第2管状部75p2に連通している状態で第2管状部75p2から水平方向に向けて延びている状態にある。換言すれば、第2液吐出部752nは、第2液供給路752pから第2吐出口752oに向けて、第3管状部75p3、第2管状部75p2および第1管状部75p1が、この記載の順番に連通するように接続された形態を有する。このような構成が採用されれば、例えば、ガード73と雰囲気制御部材74との隙間を第2管状部75p2が挿通している状態で、第2吐出口752oを、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて第2処理液を吐出するための位置に配置することができる。そして、ここで、例えば、第1管状部75p1が、予め設定された吐出方向75dに沿って延びており、吐出方向75dの先端に第2吐出口752oを有していれば、第2吐出口752oから吐出される第2処理液の吐出方向75dが安定し得る。ここでも、例えば、第1管状部75p1の内径が第1吐出口751oに向けて減少しているような形態が採用される。
Here, for example, the second
ここでは、例えば、第3液吐出部753nが、第1液吐出部751nと同様な形態を有していてもよい。具体的には、第3液吐出部753nが、第1管状部75p1、第2管状部75p2および第3管状部75p3を有する態様が考えられる。この場合には、例えば、第1管状部75p1は、例えば、水平方向に沿って延びている状態で先端に第3吐出口753oを有し、第2管状部75p2は、第1管状部75p1に連通している状態で第1管状部75p1から上方に向けて延びている状態にあり、第3管状部75p3は、第2管状部75p2に連通している状態で第2管状部75p2から水平方向に向けて延びている状態にある。換言すれば、第3液吐出部753nは、第3液供給路753pから第3吐出口753oに向けて、第3管状部75p3、第2管状部75p2および第1管状部75p1が、この記載の順番に連通するように接続された形態を有する。このような構成が採用されれば、例えば、ガード73と雰囲気制御部材74との隙間を第2管状部75p2が挿通している状態で、第3吐出口753oを、保持部720に保持された基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて第3処理液を吐出するための位置に配置することができる。そして、ここで、例えば、第1管状部75p1が、予め設定された吐出方向75dに沿って延びており、吐出方向75dの先端に第3吐出口753oを有していれば、第3吐出口753oから吐出される第3処理液の吐出方向75dが安定し得る。ここでも、例えば、第1管状部75p1の内径が第1吐出口751oに向けて減少しているような形態が採用される。
Here, for example, the third
<1−4.処理ユニットの動作>
図11および図12は、処理ユニット7における基板Wに対する一連の基板処理の動作フローの一例を示す流れ図である。本動作フローは、制御部9によって基板処理装置1の動作が制御されることで実現される。ここで、処理対象となる基板Wには、例えば、デバイス形成面である表面に薄膜パターンが形成された基板Wが用いられる。薄膜パターンは、例えば、酸化シリコン膜等の絶縁膜を含む。薄膜パターンは、例えば、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜または金属膜等の導電膜を含んでいてもよいし、ポリシリコン膜、窒化シリコン膜、BSG膜(ホウ素を含む酸化シリコン膜)およびTEOS膜(TEOS(テトラエトキシシラン)を用いたCVD法で形成された酸化シリコン膜)等の複数の膜を積層した積層膜を含んでいてもよい。図13から図19は、処理ユニット7における基板Wに対する一連の基板処理の動作の一例を説明するための模式的な側面図である。図13から図19では、図面の複雑化を防ぐ観点から、処理ユニット7の一部の構成が便宜的に省略されている。
<1-4. Operation of processing unit>
11 and 12 are flow charts showing an example of an operation flow of a series of substrate processing on the substrate W in the
一連の基板処理の動作が開始される初期の状態では、例えば、図13(a)で示されるように、第1〜3ガード部731,732,733が下降位置に配され、遮断板741が離間位置に配されている状態にある。また、ここでは、図示を省略しているが、第1液吐出部751nが第1退避位置に配され、第2液吐出部752nが第2退避位置に配され、第3液吐出部753nが第3退避位置に配されている状態にある。
In the initial state in which a series of substrate processing operations are started, for example, as shown in FIG. 13A, the first to
まず、例えば、図13(b)で示されるように、第2搬送機構8によって処理ユニット7内に未処理の基板Wが搬入され、保持部720によってデバイス形成面である表面を上に向けた状態で基板Wが保持される(図11のステップSp1)。換言すれば、例えば、基板Wを水平姿勢で保持部720に保持させる工程(保持工程ともいう)が行われる。ここでは、基板Wのデバイス形成面が上面Wuとなる。
First, for example, as shown in FIG. 13B, the untreated substrate W is carried into the
次に、例えば、図13(c)で示されるように、昇降駆動部73mによって第1〜3ガード部731,732,733を下降位置から上昇位置まで上昇させるとともに、回転機構722によって保持部720の回転軸72aを中心とした回転を開始させる(ステップSp2)。
Next, for example, as shown in FIG. 13C, the elevating drive unit 73m raises the first to
次に、図14(a)で示されるように、第3移動機構74mによって雰囲気制御部材74を下降させて遮断板741を近接位置に配置する(ステップSp3)。ここでは、基板Wの上面Wuと遮断板741の下面74bとの距離は、例えば、10mm程度とされる。また、このとき、第1気体バルブ745vおよび第2気体バルブ746vを開けることで雰囲気制御部材74のうちの気体ノズル745nの環状開口および複数のガス吐出口746oから基板Wの上面Wuに向けた不活性ガスの吐出を開始させる。ここでは、雰囲気制御部材74から基板Wの上面Wuに向けた不活性ガスの吐出量は、例えば、毎分100リットル(100L/min)程度とされる。また、このとき、第1移動機構751mによって第1液吐出部751nを第1吐出位置まで進出させる。ここでは、例えば、雰囲気制御部材74の下降、不活性ガスの吐出の開始および第1液吐出部751nの第1吐出位置までの進出の順番は、適宜設定されてもよい。
Next, as shown in FIG. 14A, the
次に、第1変更部751vに含まれる流量制御弁が開かれて、第1供給源から第1液吐出部751nに向けて第1処理液Lq1(薬液)が供給されることで、図14(b)および図14(c)で示されるように、第1液吐出部751nから第1処理液Lq1(薬液)が吐出される(ステップSp4)。これにより、基板Wの上面Wuに薬液が供給され、基板Wの上面Wuに対して薬液による処理(薬液処理ともいう)が施される。ここでは、例えば、薬液としてDHFが使用される。そして、薬液処理が予め設定された時間にわたって実行されると、第1変更部751vに含まれる流量制御弁が閉じられて、第1液吐出部751nからの薬液の吐出が停止される。
Next, the flow rate control valve included in the
このステップSp4では、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに対向している状態で位置している雰囲気制御部材74から上面Wu上に不活性ガスを供給しつつ、保持部720を回転させながら、第1液吐出部751nから上面Wuに沿った方向に向けて第1処理液Lq1を吐出することで上面Wu上に第1処理液Lq1を供給する工程(第1処理工程ともいう)が実施される。この第1処理工程では、第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1の吐出速度を変化させることで、上面Wuのうちの第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1が供給される液供給位置を変化させる。このとき、例えば、制御部9が、第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量を第1変更部751vに変更させることで、第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1の吐出速度を変化させることができる。このため、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を行いつつ、第1液吐出部751nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを行うことができる。その結果、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御と基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。図14(b)には、第1処理液Lq1の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内である状態の一例を示しており、図14(c)には、第1処理液Lq1の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内である状態の一例を示している。
In this step Sp4, the holding portion while supplying the inert gas onto the upper surface Wu from the
第1処理工程では、例えば、第1処理液Lq1の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内であるときよりも、第1処理液Lq1の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内であるときの方が、第1液吐出部751nからの第1処理液Lq1の吐出速度が小さくなるように、第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量を低下させる。これにより、例えば、基板Wの上面Wuのうちの中央領域A1から端部側領域A2に至る広範囲において第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第1処理液Lq1の液供給位置が中央領域A1内であるときには、上面Wu上に対する第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Wの回転軸72aを中心とした回転によって、第1処理液Lq1が上面Wu上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第1処理液Lq1の液供給位置が端部側領域A2内であるときには、上面Wu上に対する第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部720のうちの基板Wの外縁部を保持している複数のチャックピン724における第1処理液Lq1液跳ねが生じにくい。
In the first treatment step, for example, the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 is the end portion of the upper surface Wu than when the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 is in the central region A1 of the upper surface Wu. The first treatment liquid from the first supply source to the first
また、第1処理工程では、例えば、第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量を増減させることで、第1処理液Lq1の液供給位置を中央領域A1内と端部側領域A2内との間で複数回往復させれば、基板Wの上面Wuの広範囲において第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを複数回行うことができ、基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきをより低減することができる。
Further, in the first treatment step, for example, the liquid supply position of the first treatment liquid Lq1 is increased or decreased by increasing or decreasing the supply amount of the first treatment liquid Lq1 from the first supply source to the first
また、第1処理工程では、例えば、第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1が、基板Wの上面Wuと雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)との間の空間を通って上面Wuに着液する構成が採用されれば、基板Wの上面Wuの広い範囲に雰囲気制御部材74を対向させた状態で、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第1液吐出部751nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲において第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを行うことができる。
Further, in the first treatment step, for example, the first treatment liquid Lq1 discharged from the first
また、第1処理工程では、例えば、第1液吐出部751nのうちの第1処理液Lq1を吐出する第1吐出口751oが、鉛直方向において、上面Wuよりも高い位置に配置されるとともに、雰囲気制御部材74の下面74bよりも低い位置に配置されていれば、雰囲気制御部材74による基板W上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Wの上面Wuの広範囲に第1処理液Lq1を供給することができる。なお、ここでは、例えば、第1吐出口751oが、鉛直方向において、チャックピン724の上面よりも高い位置に配置されれば、第1吐出口751oから基板Wの上面Wuに向かう第1処理液Lq1の経路がチャックピン724によって遮断されにくい。
Further, in the first treatment step, for example, the first discharge port 751o for discharging the first treatment liquid Lq1 in the first
また、第1処理工程では、例えば、図10(a)を参照して上述したように、上面Wuを基準とした第1吐出口751oの鉛直方向における高さをHとし、回転軸72aと第1吐出口751oとの水平方向における距離をRとし、第1吐出口751oを通る仮想的な水平面と第1吐出口751oが第1処理液Lq1を吐出する吐出方向75dとが成す角度をθとし、吐出方向75dが水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し且つ吐出方向75dが水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示す場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係を満たせば、第1処理液Lq1に対する重力の影響も考慮して、基板Wの上面Wuのうちの回転軸72a上の部分まで第1処理液Lq1を容易に供給することができる。
Further, in the first processing step, for example, as described above with reference to FIG. 10A, the height of the first discharge port 751o in the vertical direction with respect to the upper surface Wu is set to H, and the
また、第1処理工程では、例えば、雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)が、上面Wuを覆っている状態で位置し、基板Wの上面Wuと雰囲気制御部材74との間に不活性ガスを供給していれば、基板Wの上面Wu上における雰囲気を厳格に制御することができる。
Further, in the first processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the
なお、第1処理工程では、例えば、上面Wu上から飛散する第1処理液Lq1を受ける第1ガード部731を保持部720の周囲および基板Wの外周を取り囲むように配置していれば、第1ガード部731によって、基板Wの上面Wu上から飛散する第1処理液Lq1を受け止めて回収することができる。
In the first treatment step, for example, if the
次に、第1液体バルブ747vが開けられて、第4供給源から第1中心ノズル747nに第4処理液Lq4(リンス液)が供給され始め、図15(a)で示されるように、第1中心ノズル747nから基板Wの上面Wu上に対する第4処理液Lq4(リンス液)の供給が開始される(ステップSp5)。これにより、基板Wの上面Wuの全域に第4処理液Lq4(リンス液)が供給され、基板Wに付着している第1処理液Lq1(薬液)を第4処理液Lq4(リンス液)によって洗い流す処理(リンス処理ともいう)が施される。また、ここでは、第1移動機構751mによって第1液吐出部751nを第1吐出位置から第1退避位置まで退避させる。ここでは、例えば、第1移動機構751mによって、第1液吐出部751nを第1下位置から第1上位置まで上昇させ、さらに第1液吐出部751nを第1内側位置から第1外側位置まで移動させる。
Next, the first
次に、図15(b)で示されるように、第2移動機構752mによって第2液吐出部752nを第2吐出位置まで進出させるとともに第3液吐出部753nを第3吐出位置まで進出させる(ステップSp6)。
Next, as shown in FIG. 15B, the second
次に、リンス処理が予め設定された時間にわたって実行されると、第1液体バルブ747vが閉められて、第4供給源から第1中心ノズル747nへの第4処理液Lq4(リンス液)の供給が停止され、図15(c)で示されるように、第1中心ノズル747nから基板Wの上面Wu上への第4処理液Lq4(リンス液)の供給が終了される(ステップSp7)。ここでは、さらに、昇降駆動部73mによって第1ガード部731および第2ガード部732を上昇位置から下降位置まで下降させる。
Next, when the rinsing treatment is executed for a preset time, the first
次に、第2変更部752vに含まれる流量制御弁が開かれて、第2供給源から第2液吐出部752nに向けて第2処理液Lq2(溶剤)が供給されることで、図16(a)および図16(b)で示されるように、第2液吐出部752nから第2処理液Lq2(溶剤)が吐出される(ステップSp8)。これにより、基板Wの上面Wuに付着している第4処理液Lq4(リンス液)が、第2処理液Lq2(溶剤)によって洗い流されて第2処理液Lq2(溶剤)に置換される。そして、溶剤の吐出の開始から予め設定された時間が経過すると、第2変更部752vに含まれる流量制御弁が閉じられて、第2液吐出部752nからの溶剤の吐出が停止される。
Next, the flow control valve included in the
このステップSp8では、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに対向している状態で位置している雰囲気制御部材74から上面Wu上に不活性ガスを供給しつつ、保持部720を回転させながら、第2液吐出部752nから上面Wuに沿った方向に向けて第2処理液Lq2を吐出することで上面Wu上に第2処理液Lq2を供給する工程(第2処理工程)が実施される。この第2処理工程では、第2液吐出部752nから吐出される第2処理液Lq2の吐出速度を変化させることで、上面Wuのうちの第2液吐出部752nから吐出される第2処理液Lq2が供給される液供給位置を変化させる。このとき、例えば、制御部9が、第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液Lq2の単位時間あたりの供給量を第2変更部752vに変更させることで、第2液吐出部752nから吐出される第2処理液Lq2の吐出速度を変化させることができる。このため、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を行いつつ、第2液吐出部752nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第2処理液Lq2の液供給位置のスキャンを行うことができる。その結果、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御と基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。図16(a)には、第2処理液Lq2の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内である状態の一例を示しており、図16(b)には、第2処理液Lq2の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内である状態の一例を示している。
In this step Sp8, the holding portion while supplying the inert gas onto the upper surface Wu from the
第2処理工程では、例えば、第2処理液Lq2の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内であるときよりも、第2処理液Lq2の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内であるときの方が、第2液吐出部752nからの第2処理液Lq2の吐出速度が小さくなるように、第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液Lq2の単位時間あたりの供給量を低下させる。これにより、例えば、基板Wの上面Wuのうちの中央領域A1から端部側領域A2に至る広範囲において第2処理液Lq2の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第2処理液Lq2の液供給位置が中央領域A1内であるときには、上面Wu上に対する第2処理液Lq2の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Wの回転軸72aを中心とした回転によって、第2処理液Lq2が上面Wu上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第2処理液Lq2の液供給位置が端部側領域A2内であるときには、上面Wu上に対する第2処理液Lq2の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部720のうちの基板Wの外縁部を保持している複数のチャックピン724における第2処理液Lq2の液跳ねが生じにくい。
In the second treatment step, for example, the liquid supply position of the second treatment liquid Lq2 is the end portion of the upper surface Wu than when the liquid supply position of the second treatment liquid Lq2 is in the central region A1 of the upper surface Wu. The second treatment liquid from the second supply source to the second
また、第2処理工程では、例えば、第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液Lq2の単位時間あたりの供給量を増減させることで、第2処理液Lq2の液供給位置を中央領域A1内と端部側領域A2内との間で複数回往復させれば、基板Wの上面Wuの広範囲において第2処理液Lq2の液供給位置のスキャンを複数回行うことができ、基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきをより低減することができる。
Further, in the second treatment step, for example, the liquid supply position of the second treatment liquid Lq2 is increased or decreased by increasing or decreasing the supply amount of the second treatment liquid Lq2 from the second supply source to the second
また、第2処理工程では、例えば、第2液吐出部752nから吐出される第2処理液Lq2が、基板Wの上面Wuと雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)との間の空間を通って上面Wuに着液する構成が採用されれば、基板Wの上面Wuの広い範囲に雰囲気制御部材74を対向させた状態で、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第2液吐出部752nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲において第2処理液Lq2の液供給位置のスキャンを行うことができる。
Further, in the second treatment step, for example, the second treatment liquid Lq2 discharged from the second
また、第2処理工程では、例えば、第2液吐出部752nのうちの第2処理液Lq2を吐出する第2吐出口752oが、鉛直方向において、上面Wuよりも高い位置に配置されるとともに、雰囲気制御部材74の下面74bよりも低い位置に配置されていれば、雰囲気制御部材74による基板W上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Wの上面Wuの広範囲に第2処理液Lq2を供給することができる。なお、ここでは、例えば、第2吐出口752oが、鉛直方向において、チャックピン724の上面よりも高い位置に配置されれば、第2吐出口752oから基板Wの上面Wuに向かう第2処理液Lq2の経路がチャックピン724によって遮断されにくい。
Further, in the second treatment step, for example, the second discharge port 752o for discharging the second treatment liquid Lq2 in the second
また、第2処理工程では、例えば、図10(a)を参照して上述したように、上面Wuを基準とした第2吐出口752oの鉛直方向における高さをHとし、回転軸72aと第2吐出口752oとの水平方向における距離をRとし、第2吐出口752oを通る仮想的な水平面と第2吐出口752oが第2処理液Lq2を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示す場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係を満たせば、第2処理液Lq2に対する重力の影響も考慮して、基板Wの上面Wuのうちの回転軸72a上の部分まで第1処理液Lq1を容易に供給することができる。
Further, in the second processing step, for example, as described above with reference to FIG. 10A, the height of the second discharge port 752o in the vertical direction with respect to the upper surface Wu is set to H, and the
また、第2処理工程では、例えば、雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)が、基板Wの上面Wuを覆っている状態で位置し、上面Wuと雰囲気制御部材74との間に不活性ガスを供給していれば、基板Wの上面Wu上における雰囲気を厳格に制御することができる。
Further, in the second processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the
なお、第2処理工程では、例えば、上面Wu上から飛散する第2処理液Lq2を受ける第3ガード部733を保持部720の周囲および基板Wの外周を取り囲むように配置していれば、第3ガード部733によって、基板Wの上面Wu上から飛散する第2処理液Lq2を受け止めて回収することができる。
In the second treatment step, for example, if the
次に、図16(c)で示されるように、昇降駆動部73mによって第2ガード部732を下降位置から上昇位置まで上昇させるとともに、第3移動機構74mによって雰囲気制御部材74をさらに下降させて遮断板741を基板Wの上面Wuにさらに近接した位置(最近接位置ともいう)に配置する(ステップSp9)。ここでは、基板Wの上面Wuと遮断板741の下面74bとの距離は、例えば、3mm程度とされる。
Next, as shown in FIG. 16C, the elevating drive unit 73m raises the
次に、第3変更部753vに含まれる流量制御弁が開かれて、第3供給源から第3液吐出部753nに向けて第3処理液Lq3(疎水化液)が供給されることで、図17(a)および図17(b)で示されるように、第3液吐出部753nから第3処理液Lq3(疎水化液)が吐出される(ステップSp10)。これにより、基板Wの上面Wuに疎水化液が供給されることで基板Wに付着している溶剤が疎水化液に置換され、基板Wの上面Wu上に濡れ性が低い保護膜(疎水性保護膜ともいう)が形成される処理(疎水化処理ともいう)が行われる。その結果、例えば、基板Wの上面Wuにおける薄膜パターンが疎水性保護膜によって被覆される。疎水化処理が行われる際には、例えば、スピンベース723に内蔵されたヒータ等で基板Wを加熱することで、疎水化処理がより良好に行われるようにしてもよい。そして、疎水化液の吐出開始から予め設定された時間が経過すると、第3変更部753vに含まれる流量制御弁が閉じられて、第3液吐出部753nからの疎水化液の吐出が停止される。
Next, the flow rate control valve included in the
このステップSp10では、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに対向している状態で位置している雰囲気制御部材74から上面Wu上に不活性ガスを供給しつつ、保持部720を回転させながら、第3液吐出部753nから上面Wuに沿った方向に向けて第3処理液Lq3を吐出することで上面Wu上に第3処理液Lq3を供給する工程(第3処理工程)が実施される。この第3処理工程では、第3液吐出部753nから吐出される第3処理液Lq3の吐出速度を変化させることで、上面Wuのうちの第3液吐出部753nから吐出される第3処理液Lq3が供給される液供給位置を変化させる。このとき、例えば、制御部9が、第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液Lq3の単位時間あたりの供給量を第3変更部753vに変更させることで、第3液吐出部753nから吐出される第3処理液Lq3の吐出速度を変化させることができる。このため、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を行いつつ、第3液吐出部753nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第3処理液Lq3の液供給位置のスキャンを行うことができる。その結果、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御と基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。図17(a)には、第3処理液Lq3の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内である状態の一例を示しており、図17(b)には、第3処理液Lq3の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内である状態の一例を示している。
In this step Sp10, the holding portion while supplying the inert gas onto the upper surface Wu from the
第3処理工程では、例えば、第3処理液Lq3の液供給位置が上面Wuのうちの中央領域A1内であるときよりも、第3処理液Lq3の液供給位置が上面Wuのうちの端部側領域A2内であるときの方が、第3液吐出部753nからの第3処理液Lq3の吐出速度が小さくなるように、第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液Lq3の単位時間あたりの供給量を低下させる。これにより、例えば、基板Wの上面Wuのうちの中央領域A1から端部側領域A2に至る広範囲において第3処理液Lq3の液供給位置のスキャンを行うことができる。また、例えば、第3処理液Lq3の液供給位置が中央領域A1内であるときには、上面Wu上に対する第3処理液Lq3の単位時間あたりの供給量が相対的に増加し、基板Wの回転軸72aを中心とした回転によって、第3処理液Lq3が上面Wu上の広範囲に拡がる。これに対して、例えば、第3処理液Lq3の液供給位置が端部側領域A2内であるときには、上面Wu上に対する第3処理液Lq3の単位時間あたりの供給量および吐出速度が相対的に低下し、保持部720のうちの基板Wの外縁部を保持している複数のチャックピン724における第3処理液Lq3の液跳ねが生じにくい。
In the third treatment step, for example, the liquid supply position of the third treatment liquid Lq3 is the end portion of the upper surface Wu than when the liquid supply position of the third treatment liquid Lq3 is in the central region A1 of the upper surface Wu. The third treatment liquid from the third supply source to the third
また、第3処理工程では、例えば、第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液Lq3の単位時間あたりの供給量を増減させることで、第3処理液Lq3の液供給位置を中央領域A1内と端部側領域A2内との間で複数回往復させれば、基板Wの上面Wuの広範囲において第3処理液Lq3の液供給位置のスキャンを複数回行うことができ、基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきをより低減することができる。
Further, in the third treatment step, for example, the liquid supply position of the third treatment liquid Lq3 is increased or decreased by increasing or decreasing the supply amount of the third treatment liquid Lq3 from the third supply source to the third
また、第3処理工程では、例えば、第3液吐出部753nから吐出される第3処理液Lq3が、基板Wの上面Wuと雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)との間の空間を通って上面Wuに着液する構成が採用されれば、基板Wの上面Wuの広い範囲に雰囲気制御部材74を対向させた状態で、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御をより厳格に行いつつ、第3液吐出部753nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲において第3処理液Lq3の液供給位置のスキャンを行うことができる。
Further, in the third treatment step, for example, the third treatment liquid Lq3 discharged from the third
また、第3処理工程では、例えば、第3液吐出部753nのうちの第3処理液Lq3を吐出する第3吐出口753oが、鉛直方向において、上面Wuよりも高い位置に配置されるとともに、雰囲気制御部材74の下面74bよりも低い位置に配置されていれば、雰囲気制御部材74による基板W上の雰囲気の制御を行いつつ、基板Wの上面Wuの広範囲に第3処理液Lq3を供給することができる。なお、ここでは、例えば、第3吐出口753oが、鉛直方向において、チャックピン724の上面よりも高い位置に配置されれば、第3吐出口753oから基板Wの上面Wuに向かう第3処理液Lq3の経路がチャックピン724によって遮断されにくい。
Further, in the third treatment step, for example, the third discharge port 753o for discharging the third treatment liquid Lq3 in the third
また、第3処理工程では、例えば、図10(a)を参照して上述したように、上面Wuを基準とした第3吐出口753oの鉛直方向における高さをHとし、回転軸72aと第3吐出口753oとの水平方向における距離をRとし、第3吐出口753oを通る仮想的な水平面と第3吐出口753oが第3処理液Lq3を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに角度θが正の値を示し且つ吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに角度θが負の値を示す場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係を満たせば、基板Wの上面Wuのうちの回転軸72a上の部分まで第3処理液Lq3を容易に供給することができる。
Further, in the third processing step, for example, as described above with reference to FIG. 10A, the height of the third discharge port 753o in the vertical direction with respect to the upper surface Wu is set to H, and the
また、第3処理工程では、例えば、雰囲気制御部材74(ここでは、下面74b)が、基板Wの上面Wuを覆っている状態で位置し、上面Wuと雰囲気制御部材74との間に不活性ガスを供給していれば、基板Wの上面Wu上における雰囲気を厳格に制御することができる。
Further, in the third processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the
なお、第3処理工程では、例えば、上面Wu上から飛散する第3処理液Lq3を受ける第2ガード部732を保持部720の周囲および基板Wの外周を取り囲むように配置していれば、第2ガード部732によって、基板Wの上面Wu上から飛散する第3処理液Lq3を受け止めて回収することができる。
In the third treatment step, for example, if the
次に、第2液体バルブ748vが開けられて、第5供給源から第2中心ノズル748nに第5処理液Lq5(疎水化液)が供給され、図17(c)で示されるように、第2中心ノズル748nの吐出口から第5処理液Lq5(疎水化液)が下方に吐出される(図12のステップSp11)。これにより、基板Wの上面Wuの全域に疎水化液が供給され、さらに基板Wに付着している溶剤が疎水化液に置換される。このとき、例えば、スピンベース723に内蔵されたヒータ等で基板Wが加熱されてもよい。そして、疎水化液の吐出開始から予め設定された時間が経過すると、第2液体バルブ748vが閉じられて、第2中心ノズル748nからの疎水化液の吐出が停止される。また、ここでは、第2移動機構752mによって第2液吐出部752nを第2吐出位置から第2退避位置まで退避させるとともに第3液吐出部753nを第3吐出位置から第3退避位置まで退避させる。ここでは、例えば、第2移動機構752mによって、第2液吐出部752nを第2下位置から第2上位置まで上昇させるとともに第3液吐出部753nを第3下位置から第3上位置まで上昇させ、さらに第2液吐出部752nを第2内側位置から第2外側位置まで移動させるとともに第3液吐出部753nを第3内側位置から第3外側位置まで移動させる。
Next, the second
次に、図18(a)で示されるように、昇降駆動部73mによって第2ガード部732を上昇位置から下降位置まで下降させる(ステップSp12)。
Next, as shown in FIG. 18A, the elevating drive unit 73m lowers the
次に、第3液体バルブ749vが開けられて、第6供給源から第3中心ノズル749nに第6処理液Lq6(溶剤)が供給され、図18(b)で示されるように、第3中心ノズル749nの吐出口から第6処理液Lq6(溶剤)が下方に吐出される(ステップSp13)。これにより、基板Wの上面Wuに付着している疎水化液が溶剤に置換される。そして、溶剤の吐出開始から予め設定された時間が経過すると、第3液体バルブ749vが閉じられて、第3中心ノズル749nからの溶剤の吐出が停止される。
Next, the third
次に、図18(c)で示されるように、第3中心ノズル749nの吐出口からの第6処理液Lq6の吐出が停止された後に、基板Wを乾燥させる乾燥処理が行われる(ステップSp14)。ここでは、制御部9は、回転機構722を制御して、基板Wを高回転速度(例えば、2500rpm以上)で回転させる。これにより、基板Wの上面Wuに付着している溶剤に大きな遠心力が作用して、溶剤が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、溶剤が基板Wから除去され、基板Wが乾燥する。
Next, as shown in FIG. 18C, after the discharge of the sixth treatment liquid Lq6 from the discharge port of the
次に、乾燥処理の開始から予め設定された時間が経過すると、図19(a)で示されるように、回転機構722によって保持部720による基板Wの回転を停止させる(ステップSp15)。また、ここでは、図19(a)で示されるように、第1気体バルブ745vおよび第2気体バルブ746vを閉めることで雰囲気制御部材74から基板Wの上面Wuに向けた不活性ガスの吐出を停止させるとともに、第3移動機構74mによって雰囲気制御部材74を上昇させて遮断板741を離間位置に配置する。また、ここでは、図19(a)で示されるように、昇降駆動部73mによって第3ガード部733を上昇位置から下降位置まで下降させる。ここでは、例えば、保持部720の回転の停止、雰囲気制御部材74の上昇、不活性ガスの吐出の停止および第3ガード部733の下降の順番は、適宜設定されてもよい。
Next, when a preset time elapses from the start of the drying process, the
次に、例えば、図19(b)で示されるように、保持部720による基板Wの保持が解除され、第2搬送機構8によって処理ユニット7内から処理済みの基板Wが搬出される(ステップSp16)。
Next, for example, as shown in FIG. 19B, the holding of the substrate W by the holding
<1−5.第1実施形態のまとめ>
以上のように、第1実施形態に係る基板処理装置1では、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに対向している状態で位置している雰囲気制御部材74から上面Wu上に不活性ガスを供給しつつ、保持部720を回転させながら、基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて第1液吐出部751nの第1吐出口751oから第1処理液Lq1を吐出することで、上面Wu上に第1処理液Lq1を供給する。このとき、例えば、第1供給源から第1液吐出部751nへの第1処理液Lq1の単位時間あたりの供給量を変更して、第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1の吐出速度を変化させ、基板Wの上面Wuのうちの第1液吐出部751nから吐出される第1処理液Lq1が供給される液供給位置を変化させる。これにより、例えば、雰囲気制御部材74からの不活性ガスの供給によって基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第1液吐出部751nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第1処理液Lq1の液供給位置のスキャンを行うことができる。
<1-5. Summary of the first embodiment>
As described above, in the
また、第1実施形態に係る基板処理装置1では、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに対向している状態で位置している雰囲気制御部材74から上面Wu上に不活性ガスを供給しつつ、保持部720を回転させながら、基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて第2液吐出部752nの第2吐出口752oから第2処理液Lq2を吐出することで、上面Wu上に第2処理液Lq2を供給する。このとき、例えば、第2供給源から第2液吐出部752nへの第2処理液Lq2の単位時間あたりの供給量を変更して、第2液吐出部752nから吐出される第2処理液Lq2の吐出速度を変化させ、基板Wの上面Wuのうちの第2液吐出部752nから吐出される第2処理液Lq2が供給される液供給位置を変化させる。これにより、例えば、雰囲気制御部材74からの不活性ガスの供給によって基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第2液吐出部752nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第2処理液Lq2の液供給位置のスキャンを行うことができる。
Further, in the
また、第1実施形態に係る基板処理装置1では、例えば、保持部720に水平姿勢で保持された基板Wの上面Wuに対向している状態で位置している雰囲気制御部材74から上面Wu上に不活性ガスを供給しつつ、保持部720を回転させながら、基板Wの上面Wuに沿った方向に向けて第3液吐出部753nの第3吐出口753oから第3処理液Lq3を吐出することで、上面Wu上に第3処理液Lq3を供給する。このとき、例えば、第3供給源から第3液吐出部753nへの第3処理液Lq3の単位時間あたりの供給量を変更して、第3液吐出部753nから吐出される第3処理液Lq3の吐出速度を変化させ、基板Wの上面Wuのうちの第3液吐出部753nから吐出される第3処理液Lq3が供給される液供給位置を変化させる。これにより、例えば、雰囲気制御部材74からの不活性ガスの供給によって基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御を良好に行いつつ、第3液吐出部753nを揺動させずに、基板Wの上面Wuの広範囲における第3処理液Lq3の液供給位置のスキャンを行うことができる。
Further, in the
したがって、例えば、基板Wの上面Wu上における雰囲気の制御と基板Wの上面Wuに対する処理のばらつきの低減とを同時に実現することができる。 Therefore, for example, it is possible to simultaneously control the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduce the variation in processing with respect to the upper surface Wu of the substrate W.
<2.その他の実施形態>
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更および改良等が可能である。
<2. Other embodiments>
The present invention is not limited to the above-mentioned first embodiment, and various modifications and improvements can be made without departing from the gist of the present invention.
<2−1.第2実施形態>
上記第1実施形態において、雰囲気制御部材74が、例えば、基板Wの上面Wuのうちの中央領域A1に対向している状態で、基板Wの上方に不活性ガスを供給することで、上面Wuに沿って流れる気流を形成する小型の雰囲気制御部材74Aに置換されてもよい。この場合には、例えば、上述した第1〜3処理工程の何れにおいても、雰囲気制御部材74Aが、基板Wの上面Wuのうちの中央領域A1に対向している状態で位置し、基板Wの上方に不活性ガスを供給することで、上面Wuに沿って流れる気流を形成してもよい。ここでは、基板Wの上面Wuの直径よりも、雰囲気制御部材74Aのうちの基板Wの上面Wuに対向している部分の下面74bの直径が小さい態様が想定される。より具体的には、例えば、基板Wの上面Wuの直径が300mm程度であり、雰囲気制御部材74Aの下面74bの直径が95mmから120mm程度であるような態様が想定される。このような構成が採用されれば、例えば、基板Wの上面Wuの全域が雰囲気制御部材74Aによって覆われる状態にはならず、第1液吐出部751nを第1退避位置と第1吐出位置との間で容易に移動させることができる。また、例えば、第2液吐出部752nを第2退避位置と第2吐出位置との間で容易に移動させることができ、第3液吐出部753nを第3退避位置と第3吐出位置との間で容易に移動させることができる。
<2-1. Second Embodiment>
In the first embodiment, for example, the
図20は、第2実施形態に係る処理ユニット7の一構成例を模式的に示す側面図である。図21は、第2実施形態に係る雰囲気制御部材74Aの一構成例を模式的に示す縦断面図である。
FIG. 20 is a side view schematically showing a configuration example of the
図20および図21で示されるように、雰囲気制御部材74Aは、例えば、上記第1実施形態に係る雰囲気制御部材74をベースとして、遮断板741、支軸742および気体ノズル745nが、気体ノズル745nAに置換された形態を有する。換言すれば、雰囲気制御部材74Aは、中心ノズル群74nおよび気体ノズル745nAを有する。
As shown in FIGS. 20 and 21, the
気体ノズル745nAは、例えば、保持部720に保持された基板Wの上面Wuの上方に窒素ガス等の不活性ガスを吐出する。これにより、基板Wの上方を窒素ガス雰囲気で覆うことができる。気体ノズル745nAには、第1気体バルブ745vが途中に設けられた第1気体供給路745pが接続されている。
The gas nozzle 745nA discharges, for example, an inert gas such as nitrogen gas above the upper surface Wu of the substrate W held by the holding
図20および図21の例では、中心ノズル群74nに、気体ノズル745nAが一体に結合されている。このため、雰囲気制御部材74Aは、中心ノズル群74nによって第4処理液Lq4としてリンス液、第5処理液Lq5としての疎水化液および第6処理液Lq6としての溶剤を吐出する機能と、窒素ガス等の不活性ガスを吐出する機能と、を有する。
In the examples of FIGS. 20 and 21, the gas nozzle 745nA is integrally coupled to the
気体ノズル745nAは、下端にフランジ部745nfを有する円筒状のノズル本体745nmを有する。ノズル本体745nmの最外径は、例えば、95mmから120mm程度である。フランジ部745nfの側面である外周面には、上側気体吐出口746o1および下側気体吐出口746o2が、それぞれ環状に外方に向けて開口している。上側気体吐出口746o1および下側気体吐出口746o2は、上下に間隔を空けて配置されている。ノズル本体745nmの下面74bには、中心気体吐出口745oが配置されている。
The gas nozzle 745nA has a cylindrical nozzle body 745 nm having a flange portion 745 nf at the lower end. The outermost diameter of the nozzle body of 745 nm is, for example, about 95 mm to 120 mm. The upper gas discharge port 746o1 and the lower gas discharge port 746o2 are annularly opened outward on the outer peripheral surface which is the side surface of the flange portion 745nf. The upper gas discharge port 746o1 and the lower gas discharge port 746o2 are arranged vertically at intervals. A central gas discharge port 745o is arranged on the
ノズル本体745nmには、第1気体供給路745pから不活性ガスが供給される気体導入口745i1,745i2が形成されている。気体導入口745i1,745i2に対して個別に不活性ガスを供給する気体供給路が接続されてもよい。ノズル本体745nm内には、気体導入口745i2と上側気体吐出口746o1および下側気体吐出口746o2とを接続する筒状の気体流路745nrが形成されている。また、ノズル本体745nm内には、気体導入口745i1に連通する筒状の気体流路745nwが中心ノズル群74nのまわりに形成されている。気体流路745nwの下部にはバッファ空間745nbが連通している。バッファ空間745nbは、さらにパンチングプレート745npを介して、その下方の空間745nsに連通している。この空間745nsの下部が中心気体吐出口745oとなっている。
Gas introduction ports 745i1 and 745i2 to which the inert gas is supplied from the first
気体導入口745i2から導入された不活性ガスは、気体流路745nrを介して上側気体吐出口746o1および下側気体吐出口746o2に供給され、上側気体吐出口746o1および下側気体吐出口746o2から放射状に吐出される。これにより、上下に重なる2つの放射状の気流(放射状気流ともいう)が基板Wの上方に形成される。一方、気体導入口745i1から導入された不活性ガスは、気体流路745nwを介してバッファ空間745nbに蓄えられ、さらにパンチングプレート745npを通って拡散された後に、空間745nsを通って中心気体吐出口745oから基板Wの上面Wuに向けて下方に吐出される。この不活性ガスは、基板Wの上面Wuにぶつかって方向を変え、不活性ガスの放射状気流を基板Wの上方に形成する。 The inert gas introduced from the gas introduction port 745i2 is supplied to the upper gas discharge port 746o1 and the lower gas discharge port 746o2 via the gas flow path 745nr, and radiates from the upper gas discharge port 746o1 and the lower gas discharge port 746o2. Is discharged to. As a result, two vertically overlapping radial airflows (also referred to as radial airflows) are formed above the substrate W. On the other hand, the inert gas introduced from the gas introduction port 745i1 is stored in the buffer space 745nb via the gas flow path 745nw, further diffused through the punching plate 745np, and then passed through the space 745ns to the central gas discharge port. The gas is discharged downward from the 745o toward the upper surface Wu of the substrate W. The inert gas collides with the upper surface Wu of the substrate W and changes its direction to form a radial air flow of the inert gas above the substrate W.
よって、中心気体吐出口745oから吐出される不活性ガスが形成する放射状気流と、上側気体吐出口746o1および下側気体吐出口746o2から吐出される2層の放射状気流と、によって3層の放射状気流が基板Wの上方に形成される。この3層の放射状気流によって、基板Wの上面Wuが保護される。例えば、回転軸72aを中心として基板Wを高速で回転させるときに、3層の不活性ガスの放射状気流によって基板Wの上面が保護されることで、基板Wの上面Wuが、酸素ならびに液滴およびミスト等の湿気から保護される。
Therefore, the three-layer radial airflow is formed by the radial airflow formed by the inert gas discharged from the central gas discharge port 745o and the two-layer radial airflow discharged from the upper gas discharge port 746o1 and the lower gas discharge port 746o2. Is formed above the substrate W. The upper surface Wu of the substrate W is protected by the three layers of radial airflow. For example, when the substrate W is rotated at high speed around the
ここでは、例えば、雰囲気制御部材74Aの下面74bを保持部720に保持された基板Wの上面Wuに近接させた位置(近接位置)または保持部720に保持された基板Wの上面Wuから離間させた位置(離間位置)に配置させることができる。例えば、基板Wの上面Wuに対して、エッチング、洗浄、疎水化および乾燥を、この記載の順に行う一連の基板処理を実行する際に、下面74bと上面Wuとの間隔を、例えば、3mmから10mm程度に設定することができる。
Here, for example, the
中心ノズル群74nは、気体流路745nw、バッファ空間745nbおよびパンチングプレート745npを貫通して鉛直方向に延びている。中心ノズル群74nの下端の各吐出口は、パンチングプレート745npの下方に位置している。中心ノズル群74nの下面は、雰囲気制御部材74Aの下面74bと同じ高さまたは下面74bよりも上方に位置している。
The
ここで、例えば、第3移動機構74mは、モータ等によって鉛直方向に沿った仮想的な回転軸74aを中心としてアーム743を回動させることで、雰囲気制御部材74Aを保持部720上において揺動させることができてもよい。また、例えば、第3移動機構74mは、モータ等によって回転軸74aを中心としてアーム743を回動させることで、雰囲気制御部材74Aを保持部720上から退避させることができてもよい。
Here, for example, the third moving
<2−2.第3実施形態>
上記各実施形態では、第1液吐出部751n、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nは、それぞれ、例えば、第1管状部75p1(図10(b))を有していなくてもよい。図22は、第3実施形態に係る第1〜3液吐出部751n,752n,753nの形態を模式的に示す縦断面図である。
<2-2. Third Embodiment>
In each of the above embodiments, the first
第3実施形態では、第2管状部75p2は、鉛直方向に沿って延びている状態の管状の先端部75p4を有する。そして、例えば、第1液吐出部751nにおいて、鉛直方向に沿って延びている先端部75p4が、水平方向に向けて開口している第1吐出口751oを有していてもよい。また、例えば、第2液吐出部752nにおいて、鉛直方向に沿って延びている先端部75p4が、水平方向に向けて開口している第2吐出口752oを有していてもよい。また、例えば、第3液吐出部753nにおいて、鉛直方向に沿って延びている先端部75p4が、水平方向に向けて開口している第3吐出口753oを有していてもよい。ここでは、例えば、制御部9は、第3駆動部の一例である第1移動機構751mによって、第1〜3ガード部731、732,733の少なくとも1つのガード部と雰囲気制御部材74,74Aとの隙間に対して先端部75p4が挿抜されるように、第1液吐出部751nを鉛直方向に沿って昇降させてもよいし、第3駆動部の一例である第2移動機構752mによって、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを鉛直方向に沿って昇降させてもよい。
In the third embodiment, the second tubular portion 75p2 has a tubular tip portion 75p4 extending along the vertical direction. Then, for example, in the first
このような構成が採用されれば、例えば、ガード73の上面が、雰囲気制御部材74,74Aの下面74bよりも高い位置に配されていて、ガード73と雰囲気制御部材74,74Aとの間隙が狭い場合であっても、第1液吐出部751n、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nの第2管状部75p2を、ガード73と雰囲気制御部材74,74Aとの間隙に対して容易に挿抜することができる。具体的には、例えば、ガード73と雰囲気制御部材74,74Aとの間隔が狭くても、第1液吐出部751nを、第1退避位置と第1吐出位置との間で容易に移動させることができ、第2液吐出部752nを、第2退避位置と第2吐出位置との間で容易に移動させることができ、第3液吐出部753nを、第3退避位置と第3吐出位置との間で容易に移動させることができる。
If such a configuration is adopted, for example, the upper surface of the
<2−3.第4実施形態>
上記各実施形態において、例えば、ガード73と雰囲気制御部材74,74Aとの狭い間隙に対して、第1〜3液吐出部751n,752n,753nをそれぞれ挿抜可能とするために、カード73の内周縁部に凹部が設けられてもよい。図23は、第4実施形態に係る処理ユニット7の内部の一構成例を模式的に示す平面図である。
<2-3. Fourth Embodiment>
In each of the above embodiments, for example, in order to allow the first to third
第4実施形態では、図23で示されるように、ガード73は、下方向に向けて平面視あるいは平面透視した場合に、雰囲気制御部材74から離れる方向に凹んでいる凹部73rを有する内周縁部73iを有していてもよい。別の観点から言えば、ガード73は、内周縁部73iにおいて、回転軸72aから離れる方向に凹んでいる凹部73rを有していてもよい。図23の例では、ガード73は、2つの凹部73rを有する。2つの凹部73rは、第1液吐出部751nのための第1凹部73r1と、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nのための第2凹部73r2と、を含む。ここでは、例えば、制御部9は、第3駆動部の一例としての第1移動機構751mによって第1液吐出部751nを降下させることで第2管状部75p2を第1凹部73r1内の空間に挿通させる動作(下降動作)、および第3駆動部の一例としての第1移動機構751mによって第1液吐出部751nを上昇させることで第2管状部75p2を第1凹部73r1内の空間から上方に移動させる動作(上昇動作)のうちの少なくとも一方の動作を実行させてもよい。また、例えば、制御部9は、第3駆動部の一例としての第2移動機構752mによって第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを降下させることで各第2管状部75p2を第2凹部73r2内の空間に挿通させる動作(下降動作)、および第3駆動部の一例としての第2移動機構752mによって第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nを上昇させることで各第2管状部75p2を第2凹部73r2内の空間から上方に移動させる動作(上昇動作)のうちの少なくとも一方の動作を実行させてもよい。
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 23, the
このような構成が採用されれば、例えば、ガード73の上面が、雰囲気制御部材74,74Aの下面74bよりも高い位置に配されていて、ガード73と雰囲気制御部材74,74Aとの間隙が狭い場合であっても、第1液吐出部751n、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nの第2管状部75p2を、ガード73と雰囲気制御部材74,74Aとの間隙に対して容易に挿抜することができる。具体的には、例えば、ガード73と雰囲気制御部材74,74Aとの間隔が狭くても、第1液吐出部751nを、第1退避位置と第1吐出位置との間で容易に移動させることができ、第2液吐出部752nを、第2退避位置と第2吐出位置との間で容易に移動させることができ、第3液吐出部753nを、第3退避位置と第3吐出位置との間で容易に移動させることができる。
If such a configuration is adopted, for example, the upper surface of the
また、ここでは、例えば、第1液吐出部751nの第2管状部75p2が第1凹部73r1内の空間に挿通された状態で、第1移動機構751mによって第1液吐出部751nが回転軸72aに対して接近および離間する方向に移動されてもよい。これにより、例えば、第1液吐出部751nが第1管状部75p1を有する場合でも、第1吐出口751oを雰囲気制御部材74,74Aと保持部720との間の空間に対して挿抜することができる。例えば、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nの第2管状部75p2が第2凹部73r2内の空間に挿通された状態で、第2移動機構752mによって第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nが回転軸72aに対して接近および離間する方向に移動されてもよい。これにより、例えば、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nが第1管状部75p1を有する場合でも、第2吐出口752oおよび第3吐出口753oを雰囲気制御部材74,74Aと保持部720との間の空間に対して挿抜することができる。
Further, here, for example, in a state where the second tubular portion 75p2 of the first
<2−4.第5実施形態>
上記第1実施形態および上記第2実施形態において、例えば、第1液吐出部751n、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nは、それぞれガード73と一体的に構成された状態にあってもよい。図24は、第5実施形態に係る処理ユニット7における第1〜3液吐出部751n,752n,753nの配置を模式的に示す側面図である。図24(a)には、第1液吐出部751nから基板Wの上面Wuにおける中央領域A1に第1処理液Lq1を吐出している様子が示されており、図24(b)には、第1液吐出部751nから基板Wの上面Wuにおける端部側領域A2に第1処理液Lq1を吐出している様子が示されている。
<2-4. Fifth Embodiment>
In the first embodiment and the second embodiment, for example, the first
図24で示されるように、例えば、第1液吐出部751nが第1ガード部731と一体的に構成されてもよいし、第2液吐出部752nが第3ガード部733と一体的に構成されてもよいし、第3液吐出部753nが第2ガード部732と一体的に構成されてもよい。このような構成が採用されれば、例えば、第1〜3液吐出部751n,752n,753nの配置が容易である。
As shown in FIG. 24, for example, the first
<2−5.その他>
上記各実施形態では、例えば、第1〜6処理液Lq1〜Lq6のうちの1つ以上の処理液を基板Wの上面Wu上に供給している際に、雰囲気制御部材74,74Aが、基板Wの上面Wu上に不活性ガスを供給してもよい。
<2-5. Others>
In each of the above embodiments, for example, when one or more of the treatment liquids Lq1 to Lq6 of the first to sixth treatment liquids Lq1 to Lq6 are supplied onto the upper surface Wu of the substrate W, the
上記各実施形態では、例えば、第2液吐出部752n、第2液供給路752pおよび第2変更部752vを設けることなく、基板Wの上面Wu上に対する溶剤の吐出が、第3中心ノズル749nから行われる構成が採用されてもよい。
In each of the above embodiments, for example, the solvent is discharged from the
上記各実施形態では、例えば、第2液吐出部752nが、第2処理液として、溶剤の代わりに、リンス液を吐出する構成が採用されてもよい。
In each of the above embodiments, for example, a configuration may be adopted in which the second
上記各実施形態では、例えば、第3移動機構74mによって雰囲気制御部材74,74Aを殆どあるいは全く昇降させない構成が採用されてもよい。
In each of the above embodiments, for example, a configuration may be adopted in which the
上記各実施形態では、例えば、第1処理ユニット7Aおよび第2処理ユニット7Bについては、保持部720に、メカニカルチャックまたはメカニカルグリッパーが適用されてもよいし、ベルヌーイチャックまたはベルヌーイグリッパーが適用されてもよい。
In each of the above embodiments, for example, for the
上記各実施形態では、例えば、第1液吐出部751n、第2液吐出部752nおよび第3液吐出部753nは、それぞれ回転保持機構72と一体的に構成されてもよい。
In each of the above embodiments, for example, the first
上記各実施形態では、例えば、不活性ガスに、乾燥空気または清浄空気等の窒素ガス以外のガスが含まれてもよい。 In each of the above embodiments, for example, the inert gas may contain a gas other than nitrogen gas, such as dry air or clean air.
上記第1実施形態では、例えば、第1〜3液吐出部751n,752n,753nにおいて、第1管状部75p1が、鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として回動可能に第2管状部75p2に設けられていてもよい。ここで、例えば、制御部9が、モータ等の駆動部によって第2管状部75p2を中心として第1管状部75p1の向きを変更することが可能であってもよい。このような構成によれば、例えば、ガード73の上面が、雰囲気制御部材74の下面74bよりも高い位置に配されていて、ガード73と雰囲気制御部材74との間隙が狭い場合であっても、第1〜3液吐出部751n,752n,753nを、ガード73と雰囲気制御部材74との間隙に対して容易に挿抜することができる。これにより、例えば、ガード73と雰囲気制御部材74との間隙が狭くても、第1〜3液吐出部751n,752n,753nを、それぞれ退避位置と吐出位置との間で容易に移動させることができる。
In the first embodiment, for example, in the first to third
上記第1,3〜5実施形態では、例えば、支軸742にモータ等の回転機構を設けて、基板Wの上面Wuに対して、エッチング、洗浄、疎水化および乾燥を、この記載の順に行う一連の基板処理を実行する際に、回転軸72aを中心として遮断板741を回転させてもよい。この場合には、例えば、制御部9は、回転機構の動作を制御して、保持部720に保持された基板Wの回転に応じて基板Wと同じ回転方向でかつ略同一の回転速度で遮断板741を回転させてもよい。
In the first, third to fifth embodiments, for example, a rotation mechanism such as a motor is provided on the
上記第2実施形態では、例えば、第1処理工程における第1吐出口751oの位置、第2処理工程における第2吐出口752oの位置、および第3処理工程における第3吐出口753oの位置は、それぞれ鉛直方向において雰囲気制御部材74Aの下面74bと同等あるいは下面74bよりも若干高い位置であってもよい。
In the second embodiment, for example, the position of the first discharge port 751o in the first treatment step, the position of the second discharge port 752o in the second treatment step, and the position of the third discharge port 753o in the third treatment step are set. The positions may be equal to or slightly higher than the
なお、上記第1〜5実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。 Needless to say, all or a part of the first to fifth embodiments and various modifications can be combined as appropriate within a consistent range.
1 基板処理装置
7 処理ユニット
72 回転保持機構
720 保持部
721 中心軸
722 回転機構
723 スピンベース
724 チャックピン
72a 回転軸
73 カード
731,732,733 第1〜3ガード部
73i 内周縁部
73m 昇降駆動部
73r 凹部
73r1,73r2 第1,2凹部
74,74A 雰囲気制御部材
741 遮断板
745n,745nA 気体ノズル
74m 第3移動機構
74n 中心ノズル群
74b 下面
751a 仮想軸
751m 第1移動機構
751n 第1液吐出部
751o 第1吐出口
751p 第1液供給路
751v 第1変更部
752a 仮想軸
752m 第2移動機構
752n 第2液吐出部
752o 第2吐出口
752p 第2液供給路
752v 第2変更部
753m 第3移動機構
753n 第3液吐出部
753o 第3吐出口
753p 第3液供給路
753v 第3変更部
75d 吐出方向
75p1 第1管状部
75p2 第2管状部
75p3 第3管状部
75p4 先端部
9 制御部
A1 中央領域
A2 端部側領域
Lq1〜Lq6 第1〜6処理液
W 基板
1
Claims (20)
前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で位置している雰囲気制御部材から前記上面上に不活性ガスを供給しつつ、前記保持部を鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として回転させながら、液吐出部の吐出口から前記上面に沿った方向に向けて処理液を吐出することで前記上面上に該処理液を供給する処理工程と、を有し、
前記処理工程において、前記処理液の供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更して、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させることにより、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる、基板処理方法。 The holding process of holding the board in the holding part in a horizontal position,
While supplying an inert gas onto the upper surface from an atmosphere control member located so as to face the upper surface of the substrate held in the holding portion in a horizontal posture, the holding portion is vertically oriented. A treatment step of supplying the treatment liquid onto the upper surface by discharging the treatment liquid from the discharge port of the liquid discharge unit in a direction along the upper surface while rotating around a virtual rotation axis. Have and
In the treatment step, the supply amount of the treatment liquid from the supply source of the treatment liquid to the liquid discharge portion per unit time is changed to change the discharge speed of the treatment liquid discharged from the liquid discharge portion. A substrate processing method that changes the liquid supply position to which the processing liquid discharged from the liquid discharge portion on the upper surface is supplied.
前記処理工程において、前記液供給位置が前記上面のうちの中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 1.
In the processing step, the discharge rate is higher when the liquid supply position is in the end side region of the upper surface than when the liquid supply position is in the central region of the upper surface. A substrate processing method in which the amount of the processing liquid supplied from the supply source to the liquid discharge portion per unit time is reduced so as to be smaller.
前記処理工程において、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 2.
In the treatment step, the liquid supply position is set between the central region and the end side region by increasing or decreasing the supply amount of the treatment liquid from the supply source to the liquid discharge portion per unit time. A substrate processing method that reciprocates multiple times with.
前記処理工程において、前記液吐出部から吐出される前記処理液が、前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液する、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3.
A substrate processing method in which, in the processing step, the processing liquid discharged from the liquid discharging portion lands on the upper surface through a space between the upper surface and the atmosphere control member.
前記処理工程において、前記吐出口は、鉛直方向において、前記上面よりも高い位置に配置されるとともに、前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置される、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 4.
A substrate processing method in which, in the processing step, the discharge port is arranged at a position higher than the upper surface and lower than the lower surface of the atmosphere control member in the vertical direction.
前記処理工程において、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをHとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をRとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係を満たす、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 5.
In the processing step, the height of the discharge port in the vertical direction with respect to the upper surface is H, the distance between the virtual rotation axis and the discharge port in the horizontal direction is R, and the virtual through the discharge port. Let θ be the angle formed by the horizontal plane and the discharge direction in which the discharge port discharges the treatment liquid, and the angle θ shows a positive value when the discharge direction is downward from the horizontal direction. A substrate processing method that satisfies the relationship of 0 ≦ θ ≦ tan -1 (H / R) when the angle θ shows a negative value when the discharge direction is upward from the horizontal direction.
前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で位置し、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 6.
A substrate processing method in which the atmosphere control member is positioned so as to cover the upper surface in the processing step, and an inert gas is supplied between the upper surface and the atmosphere control member.
前記処理工程において、前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で位置し、前記基板の上方に不活性ガスを供給することで、前記上面に沿って流れる気流を形成する、基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 6.
In the processing step, the atmosphere control member is positioned so as to face the central region of the upper surface, and by supplying the inert gas above the substrate, the airflow flowing along the upper surface is flown. Substrate processing method to form.
鉛直方向に沿った仮想的な回転軸を中心として前記保持部を回転させる第1駆動部と、
前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の上面に対向している状態で前記上面上に不活性ガスを供給する雰囲気制御部材と、
前記保持部に水平姿勢で保持された前記基板の前記上面に沿った方向に向けて吐出口から処理液を吐出することで前記上面上に前記処理液を供給する液吐出部と、
前記処理液の供給源と前記液吐出部とを接続している液供給路と、
前記液供給路の途中に位置し、前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を変更する変更部と、
前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を前記変更部に変更させることで、前記液吐出部から吐出される前記処理液の吐出速度を変化させ、前記上面のうちの前記液吐出部から吐出される前記処理液が供給される液供給位置を変化させる制御部と、を備える、基板処理装置。 A holding part that holds the board in a horizontal position,
A first drive unit that rotates the holding unit around a virtual rotation axis along the vertical direction, and
An atmosphere control member that supplies an inert gas onto the upper surface of the substrate while facing the upper surface of the substrate held in the holding portion in a horizontal position.
A liquid discharge unit that supplies the treatment liquid onto the upper surface by discharging the treatment liquid from the discharge port in a direction along the upper surface of the substrate held in the holding portion in a horizontal posture.
A liquid supply path connecting the treatment liquid supply source and the liquid discharge portion,
A changing part located in the middle of the liquid supply path and changing the supply amount of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge part per unit time.
By changing the supply amount of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit per unit time to the changing unit, the discharge speed of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit is changed, and the upper surface thereof. A substrate processing apparatus including a control unit that changes a liquid supply position to which the processing liquid discharged from the liquid discharge unit is supplied.
前記制御部は、前記液供給位置が前記上面のうちの中央領域内であるときよりも、前記液供給位置が前記上面のうちの端部側領域内であるときの方が、前記吐出速度が小さくなるように、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を低下させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 9.
In the control unit, the discharge rate is higher when the liquid supply position is in the end side region of the upper surface than when the liquid supply position is in the central region of the upper surface. A substrate processing apparatus that reduces the amount of the processing liquid supplied from the supply source to the liquid discharge unit per unit time by the change unit so as to be smaller.
前記制御部は、前記変更部によって前記供給源から前記液吐出部への前記処理液の単位時間あたりの供給量を増減させることで、前記液供給位置を前記中央領域内と前記端部側領域内との間で複数回往復させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 10.
The control unit increases or decreases the amount of the processing liquid supplied from the supply source to the liquid discharge unit per unit time by the change unit, so that the liquid supply position is set in the central region and the end side region. A substrate processing device that reciprocates between the inside and the inside multiple times.
前記液吐出部は、前記処理液が前記上面と前記雰囲気制御部材との間の空間を通って前記上面に着液するように、前記処理液を吐出する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 11.
The liquid discharge unit is a substrate processing device that discharges the treatment liquid so that the treatment liquid passes through the space between the upper surface and the atmosphere control member and lands on the upper surface.
前記吐出口は、鉛直方向において前記上面よりも高く且つ前記雰囲気制御部材の下面よりも低い位置に配置された状態で前記上面に沿った方向に向けて前記処理液を吐出する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 12.
A substrate processing apparatus that discharges the processing liquid in a direction along the upper surface in a state where the discharge port is arranged at a position higher than the upper surface in the vertical direction and lower than the lower surface of the atmosphere control member.
前記液吐出部が前記上面に前記処理液を供給する際に、前記上面を基準とした前記吐出口の鉛直方向における高さをHとし、前記仮想的な回転軸と前記吐出口との水平方向における距離をRとし、前記吐出口を通る仮想的な水平面と前記吐出口が前記処理液を吐出する吐出方向とが成す角度をθとし、前記吐出方向が水平方向よりも下向きの方向であるときに前記角度θが正の値を示し且つ前記吐出方向が水平方向よりも上向きの方向であるときに前記角度θが負の値を示す場合に、0≦θ≦tan−1(H/R)の関係を満たす、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 13.
When the liquid discharge unit supplies the treatment liquid to the upper surface, the height of the discharge port in the vertical direction with respect to the upper surface is set to H, and the horizontal direction between the virtual rotation axis and the discharge port. Is R, the angle formed by the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction of the discharge port for discharging the treatment liquid is θ, and the discharge direction is downward from the horizontal direction. 0 ≦ θ ≦ tan -1 (H / R) when the angle θ shows a positive value and the angle θ shows a negative value when the discharge direction is upward from the horizontal direction. A substrate processing device that satisfies the relationship of.
前記雰囲気制御部材は、前記上面を覆っている状態で、前記上面と前記雰囲気制御部材との間に不活性ガスを供給する遮断板、を含む、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 14.
The atmosphere control member is a substrate processing apparatus including a blocking plate that supplies an inert gas between the upper surface and the atmosphere control member while covering the upper surface.
前記雰囲気制御部材は、前記上面のうちの中央領域に対向している状態で前記基板の上方に不活性ガスを供給することによって、前記上面に沿って流れる気流を形成する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 14.
The atmosphere control member is a substrate processing device that forms an air flow flowing along the upper surface by supplying an inert gas above the substrate while facing the central region of the upper surface.
前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、
前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第2駆動部と、を備え、
前記制御部は、前記第2駆動部によって前記ガード部を昇降させ、
前記液吐出部は、
水平方向に沿って延びている状態で先端に前記吐出口を有する第1管状部と、
前記第1管状部に連通している状態で前記第1管状部から上方に向けて延びている状態にある第2管状部と、
前記第2管状部に連通している状態で前記第2管状部から水平方向に向けて延びている状態にある第3管状部と、を有する、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 16.
A guard portion that surrounds the holding portion and
A second drive unit that raises and lowers the guard unit along the vertical direction is provided.
The control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit.
The liquid discharge part is
A first tubular portion having the discharge port at the tip in a state of extending along the horizontal direction,
A second tubular portion that communicates with the first tubular portion and extends upward from the first tubular portion.
A substrate processing apparatus having a third tubular portion that communicates with the second tubular portion and extends horizontally from the second tubular portion.
前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第3駆動部と、を備え、
前記ガード部は、下方向に向けて平面透視した場合に、前記雰囲気制御部材から離れる方向に凹んでいる凹部を有する内周縁部を有し、
前記制御部は、前記第3駆動部によって前記液吐出部を降下させることで前記第2管状部を前記凹部内の空間に挿通させる下降動作、および前記第3駆動部によって前記液吐出部を上昇させることで前記第2管状部を前記凹部内の空間から上方に移動させる上昇動作のうちの少なくとも一方の動作を行う、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 17.
A third drive unit that moves the liquid discharge unit up and down along the vertical direction is provided.
The guard portion has an inner peripheral edge portion having a recess recessed in a direction away from the atmosphere control member when viewed in a plane downward.
The control unit lowers the liquid discharge unit by the third drive unit to insert the second tubular portion into the space in the recess, and raises the liquid discharge unit by the third drive unit. A substrate processing apparatus that performs at least one of the ascending operations of moving the second tubular portion upward from the space in the recess.
前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、
前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第2駆動部と、
前記液吐出部を鉛直方向に沿って昇降させる第3駆動部と、を備え、
前記液吐出部は、鉛直方向に沿って延びている状態の管状の先端部を有し、
前記先端部は、水平方向に向けて開口している前記吐出口を有し、
前記制御部は、前記第2駆動部によって前記ガード部を昇降させ、前記ガード部と前記雰囲気制御部材との隙間に対して前記先端部が挿抜されるように、前記第3駆動部によって前記液吐出部を昇降させる、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 16.
A guard portion that surrounds the holding portion and
A second drive unit that raises and lowers the guard unit along the vertical direction,
A third drive unit that moves the liquid discharge unit up and down along the vertical direction is provided.
The liquid discharge portion has a tubular tip portion that extends along the vertical direction.
The tip portion has the discharge port that is open in the horizontal direction.
The control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit, and the liquid is inserted and removed by the third drive unit so that the tip portion is inserted and removed from the gap between the guard unit and the atmosphere control member. A substrate processing device that raises and lowers the discharge section.
前記保持部の周囲を取り囲むガード部と、
前記ガード部を鉛直方向に沿って昇降させる第2駆動部と、を備え、
前記制御部は、前記第2駆動部によって前記ガード部を昇降させ、
前記液吐出部は、前記ガード部と一体的に構成された状態にある、基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 16.
A guard portion that surrounds the holding portion and
A second drive unit that raises and lowers the guard unit along the vertical direction is provided.
The control unit raises and lowers the guard unit by the second drive unit.
The liquid discharge unit is a substrate processing device in a state of being integrally configured with the guard unit.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020015305A JP7455597B2 (en) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN202080095099.1A CN115023793A (en) | 2020-01-31 | 2020-12-11 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
KR1020227025948A KR102616007B1 (en) | 2020-01-31 | 2020-12-11 | Substrate processing method and substrate processing device |
PCT/JP2020/046230 WO2021153033A1 (en) | 2020-01-31 | 2020-12-11 | Substrate processing method and substrate processing device |
TW109146581A TWI770741B (en) | 2020-01-31 | 2020-12-29 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020015305A JP7455597B2 (en) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021125473A true JP2021125473A (en) | 2021-08-30 |
JP7455597B2 JP7455597B2 (en) | 2024-03-26 |
Family
ID=77078947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020015305A Active JP7455597B2 (en) | 2020-01-31 | 2020-01-31 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7455597B2 (en) |
KR (1) | KR102616007B1 (en) |
CN (1) | CN115023793A (en) |
TW (1) | TWI770741B (en) |
WO (1) | WO2021153033A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023045549A (en) * | 2021-09-22 | 2023-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device |
CN116444168B (en) * | 2023-04-27 | 2023-11-10 | 江苏纳帝电子科技有限公司 | Liquid crystal glass etching treatment device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6317547B2 (en) | 2012-08-28 | 2018-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method |
US20140261572A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
US10332761B2 (en) * | 2015-02-18 | 2019-06-25 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP6573520B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-09-11 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2017183595A (en) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社荏原製作所 | Substrate washing device |
JP6818484B2 (en) * | 2016-09-26 | 2021-01-20 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate cleaning method, substrate cleaning recipe creation method, and substrate cleaning recipe creation device |
JP6812279B2 (en) | 2017-03-17 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | Board processing equipment |
-
2020
- 2020-01-31 JP JP2020015305A patent/JP7455597B2/en active Active
- 2020-12-11 WO PCT/JP2020/046230 patent/WO2021153033A1/en active Application Filing
- 2020-12-11 KR KR1020227025948A patent/KR102616007B1/en active IP Right Grant
- 2020-12-11 CN CN202080095099.1A patent/CN115023793A/en active Pending
- 2020-12-29 TW TW109146581A patent/TWI770741B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102616007B1 (en) | 2023-12-20 |
TWI770741B (en) | 2022-07-11 |
WO2021153033A1 (en) | 2021-08-05 |
JP7455597B2 (en) | 2024-03-26 |
CN115023793A (en) | 2022-09-06 |
TW202133249A (en) | 2021-09-01 |
KR20220122706A (en) | 2022-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101266620B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP6770886B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
JP2023155279A (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
KR20090118826A (en) | Application apparatus and application method | |
JP7064905B2 (en) | Board processing method and board processing equipment | |
WO2021153033A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP5771035B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5662081B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI669769B (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
TWI774970B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TW201916219A (en) | Method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
JP5248652B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
CN109545703B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2022104307A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
US8127713B2 (en) | Multi-channel developer system | |
JP6310583B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI785330B (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer readable storage medium | |
JP5674851B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2009224513A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
JP2021106213A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
KR102671168B1 (en) | Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus | |
JP6118309B2 (en) | Substrate processing method | |
TW202228860A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20240051175A (en) | Substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
JP2022045904A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240313 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7455597 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |