KR20220122706A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

기판의 상면 상에 있어서의 분위기 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현시키기 위해서, 기판을 수평 자세로 유지부로 하여금 유지하게 하고, 당해 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재로부터 기판의 상면 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부를 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회전시키면서, 액 토출부의 토출구로부터 기판의 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출함으로써 기판의 상면 상에 처리액을 공급한다. 이때, 처리액의 공급원으로부터 액 토출부로의 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 액 토출부로부터 토출되는 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 기판의 상면 중 액 토출부로부터 토출되는 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다.In order to simultaneously realize the control of the atmosphere on the upper surface of the substrate and the reduction of non-uniformity of processing on the upper surface of the substrate, the holding unit holds the substrate in a horizontal position, and is positioned in a state facing the upper surface of the substrate The substrate by discharging the processing liquid from the discharge port of the liquid discharge unit toward the direction along the upper surface of the substrate while supplying the inert gas from the atmosphere control member to the upper surface of the substrate while rotating the holding unit about an imaginary rotation axis along the vertical direction. The treatment liquid is supplied on the upper surface of the At this time, by changing the supply amount per unit time of the processing liquid from the processing liquid supply source to the liquid discharge unit and changing the discharge speed of the processing liquid discharged from the liquid discharge unit, the processing liquid discharged from the liquid discharge unit on the upper surface of the substrate is supplied. Change the liquid supply position.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치Substrate processing method and substrate processing apparatus

본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 태양 전지용 기판 등이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate. The substrate is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for an organic EL (Electroluminescence), a substrate for a flat panel display (FPD), a substrate for an optical display, a substrate for a magnetic disk, a substrate for an optical disk, a magneto-optical disk substrates for photomasks, substrates for solar cells, and the like.

종래부터, 기판에 양호한 처리를 실시하기 위해서, 스핀 척에 유지된 기판의 상면에 대향하도록 배치된 차단판 또는 기체 노즐 등의 부재(분위기 제어 부재라고도 한다)로부터 불활성 가스를 기판의 상면을 향해 토출함으로써 기판의 상면을 따른 공간의 분위기를 제어하면서, 기판의 처리를 행하는 경우가 있었다(예를 들면, 특허문헌 1~3 등을 참조).Conventionally, in order to treat a substrate favorably, an inert gas is discharged toward the upper surface of the substrate from a member (also referred to as an atmosphere control member) such as a blocking plate or a gas nozzle disposed to face the upper surface of the substrate held by the spin chuck. By doing so, there was a case where the substrate was processed while controlling the atmosphere of the space along the upper surface of the substrate (for example, refer to Patent Documents 1 to 3, etc.).

또, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 저감하기 위해서, 스핀 척에 유지된 기판이 회전하고 있는 상태로, 기판의 상면에 대한 처리액의 착액 위치를 중앙부와 주연부 사이에서 주사(스캔)시키도록, 처리액을 토출하는 노즐(처리액 토출 노즐이라고도 한다)을 요동시키는 경우가 있었다(예를 들면, 특허문헌 1~3 등을 참조).In addition, in order to reduce the unevenness of processing on the upper surface of the substrate, with the substrate held by the spin chuck being rotated, the liquid landing position of the processing liquid on the upper surface of the substrate is scanned (scanned) between the central portion and the peripheral portion. , the nozzle (also referred to as a processing liquid discharge nozzle) for discharging the processing liquid may be oscillated (for example, refer to Patent Documents 1 to 3, etc.).

일본국 특허공개 2018-157061호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2018-157061 일본국 특허공개 2014-197571호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2014-197571 일본국 특허공개 2017-69346호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2017-69346

그런데, 예를 들면, 처리액의 종류에 따라서는, 기판의 상면에 대한 처리가 기판의 상면을 따른 공간에 있어서의 산소 농도 또는 습기 등의 영향을 받기 쉽지만, 추가로 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 저감하고 싶은 경우가 있다. 즉, 기판의 상면 상의 분위기의 제어와, 기판의 상면에 있어서의 착액 위치의 스캔을 양립하고 싶은 경우가 있다.By the way, for example, depending on the type of the processing liquid, the treatment on the upper surface of the substrate is easily affected by oxygen concentration or moisture in the space along the upper surface of the substrate. There are cases where it is desired to reduce non-uniformity. That is, there are cases where it is desired to achieve both control of the atmosphere on the upper surface of the substrate and scanning of the liquid landing position on the upper surface of the substrate.

그러나, 예를 들면, 만일 기판의 상면 상의 분위기의 제어를 충분히 행하기 위해서, 기판의 상면에 분위기 제어 부재를 접근시키면, 처리액 토출 노즐의 요동에 의한 처리액의 착액 위치의 스캔을 기판의 상면의 광범위에 걸쳐 행할 수 없어, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 충분히 저감할 수 없는 경우가 있다.However, for example, if the atmosphere control member is brought close to the upper surface of the substrate in order to sufficiently control the atmosphere on the upper surface of the substrate, a scan of the liquid landing position of the processing liquid due to the fluctuation of the processing liquid discharge nozzle is performed on the upper surface of the substrate. It cannot be carried out over a wide range of , so that the unevenness of the treatment on the upper surface of the substrate cannot be sufficiently reduced in some cases.

한편, 예를 들면, 만일 기판의 상면의 광범위에 있어서의 착액 위치의 스캔을 행하기 위해서, 분위기 제어 부재를 기판의 상면으로부터 떼어 놓으면, 기판의 상면 상의 분위기의 제어가 불충분해져, 기판 처리의 품질의 저하를 초래할 수 있다. 또, 예를 들면, 처리액 토출 노즐로부터 기판의 상면을 향해 중력 방향으로 처리액을 토출하면, 기판의 상면 상에서 처리액의 튐이 발생하여, 처리액 토출 노즐 및 분위기 제어 부재가 오염되어, 기판 처리의 품질이 저하되는 경우도 있다.On the other hand, for example, if the atmosphere control member is detached from the upper surface of the substrate in order to scan the liquid landing position in a wide area of the upper surface of the substrate, the control of the atmosphere on the upper surface of the substrate becomes insufficient, and the quality of substrate processing may lead to a decrease in Also, for example, when the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle in the direction of gravity toward the upper surface of the substrate, splashing of the processing liquid occurs on the upper surface of the substrate, contaminating the processing liquid discharge nozzle and the atmosphere control member, and thus contaminating the substrate. In some cases, the quality of the treatment is reduced.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of simultaneously realizing atmosphere control on the upper surface of the substrate and reduction of the unevenness of the processing on the upper surface of the substrate. do it with

상기 과제를 해결하기 위해서, 제1 양태에 따른 기판 처리 방법은, 유지 공정과, 처리 공정을 갖는다. 상기 유지 공정에 있어서, 기판을 수평 자세로 유지부로 하여금 유지하게 한다. 상기 처리 공정에 있어서, 상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재로부터 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급하면서, 상기 유지부를 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회전시키면서, 액 토출부의 토출구로부터 상기 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 당해 처리액을 공급한다. 또, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 처리액의 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다.In order to solve the said subject, the substrate processing method which concerns on a 1st aspect has a holding process and a processing process. In the holding step, the holding unit holds the substrate in a horizontal position. In the processing step, while supplying an inert gas onto the upper surface from an atmosphere control member positioned in a state opposite to the upper surface of the substrate held in the horizontal posture by the holding portion, the holding portion is virtualized along a vertical direction. The treatment liquid is supplied onto the upper surface by discharging the treatment liquid from the discharge port of the liquid discharge unit in a direction along the upper surface while rotating about the rotating shaft. Further, in the treatment step, by changing the supply amount per unit time of the treatment liquid from the source of the treatment liquid to the liquid discharge unit to change the discharge rate of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit, in the upper surface The liquid supply position to which the processing liquid discharged from the liquid discharge unit is supplied is changed.

제2 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다.A substrate processing method according to a second aspect is a substrate processing method according to the first aspect, wherein, in the processing step, the liquid supply position is on an end side of the upper surface than when the liquid supply position is in a central region of the upper surface. When it is within the region, the supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit is reduced so that the discharge speed becomes smaller.

제3 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제2 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시킨다.A substrate processing method according to a third aspect is a substrate processing method according to a second aspect, wherein, in the processing step, the liquid supply position is determined by increasing or decreasing the supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit. It is reciprocated a plurality of times between the inside of the central area and the inside of the end-side area.

제4 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제3 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액한다.A substrate processing method according to a fourth aspect is a substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein, in the processing step, the processing liquid discharged from the liquid discharge unit is disposed between the upper surface and the atmosphere. The liquid lands on the upper surface through the space between the control members.

제5 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 토출구는, 연직 방향에 있어서, 상기 상면보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치된다.A substrate processing method according to a fifth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein in the processing step, the discharge port is disposed at a position higher than the upper surface in a vertical direction; In addition, it is disposed at a position lower than the lower surface of the atmosphere control member.

제6 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제5 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족한다.A substrate processing method according to a sixth aspect is a substrate processing method according to a fifth aspect, wherein in the processing step, a height in a vertical direction of the discharge port with respect to the upper surface is H, and the virtual rotation axis and the distance in the horizontal direction of the discharge port is R, and the angle between the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction in which the discharge port discharges the treatment liquid is θ, and the discharge direction is lower than the horizontal direction 0≤θ≤tan -1 (H/R) when the angle θ represents a positive value in the direction of satisfy the relationship of

제7 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제6 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급한다.A substrate processing method according to a seventh aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein in the processing step, the atmosphere control member is positioned to cover the upper surface, and the upper surface and an inert gas is supplied between the atmosphere control member.

제8 양태에 따른 기판 처리 방법은, 제1 내지 제6 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 방법으로서, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 위치하고, 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성한다.A substrate processing method according to an eighth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein in the processing step, the atmosphere control member faces a central region of the upper surface. and supplying an inert gas above the substrate to form an airflow flowing along the upper surface.

제9 양태에 따른 기판 처리 장치는, 유지부와, 제1 구동부와, 분위기 제어 부재와, 액 토출부와, 액 공급로와, 변경부와, 제어부를 구비한다. 상기 유지부는, 기판을 수평 자세로 유지한다. 상기 제1 구동부는, 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 상기 유지부를 회전시킨다. 상기 분위기 제어 부재는, 상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급한다. 상기 액 토출부는, 상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상기 상면을 따른 방향을 향해 토출구로부터 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 상기 처리액을 공급한다. 상기 액 공급로는, 상기 처리액의 공급원과 상기 액 토출부를 접속하고 있다. 상기 변경부는, 상기 액 공급로의 도중에 위치하며, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 상기 제어부는, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 상기 변경부로 하여금 변경하게 함으로써, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시키고, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다.A substrate processing apparatus according to a ninth aspect includes a holding unit, a first driving unit, an atmosphere control member, a liquid discharge unit, a liquid supply path, a change unit, and a control unit. The holding unit holds the substrate in a horizontal posture. The first driving unit rotates the holding unit about an imaginary rotation axis in a vertical direction. The atmosphere control member supplies the inert gas onto the upper surface of the substrate in a state opposite to the upper surface of the substrate held in the horizontal posture by the holding unit. The liquid discharge unit supplies the processing liquid onto the upper surface by discharging the processing liquid from the discharge ports in a direction along the upper surface of the substrate held in the horizontal position by the holding unit. The liquid supply path connects the supply source of the processing liquid and the liquid discharge unit. The change unit is located in the middle of the liquid supply path, and changes a supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit. The control unit may cause the changing unit to change a supply amount per unit time of the treatment liquid from the supply source to the liquid discharge unit, thereby changing a discharge rate of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit, and the liquid in the upper surface. The liquid supply position to which the processing liquid discharged from the discharge unit is supplied is changed.

제10 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다.A substrate processing apparatus according to a tenth aspect is the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, wherein the control unit has a liquid supply position within an end-side region of the upper surface than when the liquid supply position is within a central region of the upper surface. When it is, the supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit is decreased by the change unit so that the discharge speed becomes smaller.

제11 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제10 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 제어부는, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시킨다.A substrate processing apparatus according to an eleventh aspect is the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, wherein the control unit increases/decreases a supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit by the change unit to increase/decrease the amount of the liquid The feeding position is reciprocated a plurality of times between within the central region and within the end-side region.

제12 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제11 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 액 토출부는, 상기 처리액이 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액하도록, 상기 처리액을 토출한다.A substrate processing apparatus according to a twelfth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to eleventh aspects, wherein the liquid discharging unit is configured such that the processing liquid passes through a space between the upper surface and the atmosphere control member and passes through the upper surface. The processing liquid is discharged so as to land on the .

제13 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제12 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 토출구는, 연직 방향에 있어서 상기 상면보다 높고 또한 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상기 상면을 따른 방향을 향해 상기 처리액을 토출한다.A substrate processing apparatus according to a thirteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to twelfth aspects, wherein the discharge port is located at a position higher than the upper surface and lower than the lower surface of the atmosphere control member in a vertical direction. In the disposed state, the treatment liquid is discharged in a direction along the upper surface.

제14 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제13 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 액 토출부가 상기 상면에 상기 처리액을 공급할 때에, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족한다.A substrate processing apparatus according to a fourteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, wherein when the liquid discharge unit supplies the processing liquid to the upper surface, a height in a vertical direction of the discharge port with respect to the upper surface is determined. Let H be the distance between the virtual rotation axis and the horizontal direction of the discharge port, R, and the angle between the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction in which the discharge port discharges the treatment liquid is θ, When the angle θ shows a positive value when the discharge direction is downward than the horizontal direction and the angle θ shows a negative value when the discharge direction is upward than the horizontal direction, 0≤θ≤ The relationship of tan -1 (H/R) is satisfied.

제15 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제14 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급하는 차단판을 포함한다.A substrate processing apparatus according to a fifteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to fourteenth aspects, wherein the atmosphere control member covers the upper surface and is disposed between the upper surface and the atmosphere control member. and a blocking plate for supplying an inert gas.

제16 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제14 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성한다.A substrate processing apparatus according to a sixteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to fourteenth aspects, wherein the atmosphere control member is inactive above the substrate in a state opposite to a central region of the upper surface. By supplying the gas, an airflow flowing along the upper surface is formed.

제17 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제16 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와, 상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 액 토출부는, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 상기 토출구를 갖는 제1 관형상부와, 상기 제1 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제1 관형상부로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제2 관형상부와, 상기 제2 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제2 관형상부로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제3 관형상부를 갖는다.A substrate processing apparatus according to a seventeenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, and includes a guard part surrounding the holding part and a second driving part for raising and lowering the guard part in a vertical direction. wherein the control unit raises and lowers the guard unit by the second driving unit, and the liquid discharge unit has a first tubular portion extending in a horizontal direction and having the discharge port at its tip, and the first tubular type A second tubular portion in a state extending upward from the first tubular portion in communication with the upper portion, and a horizontal direction extending from the second tubular portion in communication with the second tubular portion and a third tubular portion in a closed state.

제18 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제17 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고, 상기 가드부는, 하방향을 향해 평면 투시한 경우에, 상기 분위기 제어 부재로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부를 갖는 내주연부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 강하시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간에 삽입 통과시키는 하강 동작, 및 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 상승시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 상승 동작 중 적어도 한쪽의 동작을 행한다.A substrate processing apparatus according to an eighteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the seventeenth aspect, comprising a third driving unit for raising and lowering the liquid discharge unit in a vertical direction, wherein the guard unit is viewed from the bottom in a planar view. , an inner periphery having a concave portion recessed in a direction away from the atmosphere control member, wherein the control unit lowers the liquid discharging portion by the third driving unit to insert the second tubular portion into the space within the concave portion At least one of a lowering operation and a lifting operation of moving the second tubular portion upward from the space in the concave portion by raising the liquid discharge portion by the third driving portion is performed.

제19 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제16 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와, 상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부와, 상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고, 상기 액 토출부는, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 상태의 관형상의 선단부를 갖고, 상기 선단부는, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 상기 토출구를 갖고, 상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 가드부와 상기 분위기 제어 부재의 간극에 대해 상기 선단부가 삽입 발거되도록, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 승강시킨다.A substrate processing apparatus according to a nineteenth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, and includes a guard part surrounding the holding part and a second driving part for raising and lowering the guard part in a vertical direction. and a third driving unit for raising and lowering the liquid discharge unit in a vertical direction, wherein the liquid discharge unit has a tubular tip portion extending in the vertical direction, the tip portion being opened in the horizontal direction wherein the control unit elevates the guard unit by the second driving unit, and discharges the liquid by the third driving unit such that the tip is inserted and removed from the gap between the guard unit and the atmosphere control member. boost wealth.

제20 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제9 내지 제16 중 어느 하나의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와, 상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 액 토출부는, 상기 가드부와 일체적으로 구성된 상태에 있다.A substrate processing apparatus according to a twentieth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the ninth to sixteenth aspects, and includes a guard part surrounding the holding part and a second driving part for raising and lowering the guard part in a vertical direction. wherein the control unit raises and lowers the guard unit by the second driving unit, and the liquid discharge unit is integrally configured with the guard unit.

제1 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서의 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.According to the substrate processing method according to the first aspect, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface of the substrate, the liquid discharge unit does not swing, and the processing liquid supply position in a wide area of the upper surface of the substrate can be scanned. Thereby, for example, it is possible to simultaneously realize control of the atmosphere on the upper surface of the substrate and reduction of the non-uniformity of the processing on the upper surface of the substrate.

제2 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 단부측 영역에 처리액이 공급될 때에는, 처리액의 속도 및 공급량이 저하된다. 이 때문에, 예를 들면, 유지부 중 기판의 외연부를 유지하고 있는 척 핀에 있어서의 처리액의 액튐이 발생하기 어렵다.According to the substrate processing method according to the second aspect, for example, when the processing liquid is supplied to the end-side region, the speed and the supply amount of the processing liquid are lowered. For this reason, for example, splashing of the processing liquid in the chuck pin holding the outer edge of the substrate among the holding parts is unlikely to occur.

제3 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행함으로써, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.According to the substrate processing method according to the third aspect, for example, by performing a plurality of scans of the liquid supply position of the processing liquid over a wide area of the upper surface of the substrate, it is possible to further reduce the non-uniformity of the processing on the upper surface of the substrate. .

제4 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 넓은 범위에 분위기 제어 부재를 대향시킨 상태로, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.According to the substrate processing method according to the fourth aspect, for example, in a state in which the atmosphere control member is opposed to a wide area of the upper surface of the substrate, the liquid is discharged while more strictly controlling the atmosphere on the upper surface of the substrate. It is possible to scan the liquid supply position of the processing liquid over a wide area of the upper surface of the substrate without swinging the unit.

제5 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 분위기 제어 부재에 의한 기판 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판의 상면의 광범위에 처리액을 공급할 수 있다.According to the substrate processing method according to the fifth aspect, for example, the processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface of the substrate while the atmosphere on the substrate is controlled by the atmosphere control member.

제6 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 중 가상적인 회전축 상의 부분까지 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.According to the substrate processing method according to the sixth aspect, it is possible to easily supply the processing liquid to, for example, a portion on the virtual rotation axis of the upper surface of the substrate.

제7 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.According to the substrate processing method according to the seventh aspect, it is possible to strictly control the atmosphere on the upper surface of the substrate, for example.

제8 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing method according to the eighth aspect, for example, the liquid discharge unit can be easily moved between a position at which the processing liquid is discharged and a position where the processing liquid is retracted.

제9 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 분위기 제어 부재로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서의 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판의 상면에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, the atmosphere on the upper surface of the substrate is satisfactorily controlled by, for example, supply of an inert gas from the atmosphere control member, the liquid discharge unit does not swing, and the substrate It is possible to scan the liquid supply position of the processing liquid in a wide area of the upper surface of the . Thereby, for example, control of the atmosphere on the upper surface of the substrate and reduction of the non-uniformity of processing on the upper surface of the substrate can be simultaneously realized.

제10 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 단부측 영역에 처리액이 공급될 때에는, 처리액의 속도 및 공급량이 저하된다. 이 때문에, 예를 들면, 유지부 중 기판의 외연부를 유지하고 있는 척 핀에 있어서의 처리액의 액튐이 발생하기 어렵다.According to the substrate processing apparatus according to the tenth aspect, for example, when the processing liquid is supplied to the end-side region, the speed and the supply amount of the processing liquid are reduced. For this reason, for example, splashing of the processing liquid in the chuck pin holding the outer edge of the substrate among the holding parts is unlikely to occur.

제11 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행함으로써, 기판의 상면에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the eleventh aspect, for example, by performing a plurality of scans of the liquid supply position of the processing liquid over a wide area of the upper surface of the substrate, it is possible to further reduce the unevenness of the processing on the upper surface of the substrate. .

제12 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면의 넓은 범위에 분위기 제어 부재를 대향시킨 상태로, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 액 토출부를 요동시키지 않고, 기판의 상면의 광범위에 있어서 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the twelfth aspect, for example, in a state in which the atmosphere control member is opposed to a wide area of the upper surface of the substrate, the liquid is discharged while more strictly controlling the atmosphere on the upper surface of the substrate. It is possible to scan the liquid supply position of the processing liquid over a wide area of the upper surface of the substrate without swinging the unit.

제13 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 분위기 제어 부재에 의한 기판 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판의 상면의 광범위에 처리액을 공급할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the thirteenth aspect, for example, the processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface of the substrate while the atmosphere on the substrate is controlled by the atmosphere control member.

제14 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 중 가상적인 회전축 상의 부분까지 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the fourteenth aspect, for example, the processing liquid can be easily supplied to a portion of the upper surface of the substrate on the virtual rotation axis.

제15 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판의 상면 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the fifteenth aspect, it is possible to strictly control the atmosphere on the upper surface of the substrate, for example.

제16 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, for example, the liquid discharge unit can be easily moved between a position at which the processing liquid is discharged and a position where the processing liquid is retracted.

제17 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극을 제2 관형상부가 삽입 통과하고 있는 상태로, 토출구를, 유지부에 유지된 기판의 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 예를 들면, 토출구로부터 토출되는 처리액의 토출 방향이 안정될 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the seventeenth aspect, for example, in a state where the second tubular portion is inserted through the gap between the guard portion and the atmosphere control member, the discharge port is directed along the upper surface of the substrate held by the holding portion. It can be arranged at a position for discharging the treatment liquid toward the . And, for example, the discharge direction of the processing liquid discharged from the discharge port can be stabilized.

제18 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 가드부의 상면이, 분위기 제어 부재의 하면보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁은 경우여도, 액 토출부를, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁아도, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the eighteenth aspect, for example, even when the upper surface of the guard part is disposed at a position higher than the lower surface of the atmosphere control member and the gap between the guard part and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge part, It can be easily inserted and removed from the gap between the guard portion and the atmosphere control member. Accordingly, for example, even if the gap between the guard unit and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge unit can be easily moved between the position at which the processing liquid is discharged and the position where the processing liquid is retracted.

제19 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 가드부의 상면이, 분위기 제어 부재의 하면보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁은 경우여도, 액 토출부를, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 가드부와 분위기 제어 부재의 간극이 좁아도, 액 토출부를, 처리액을 토출하는 위치와 퇴피시킨 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus according to the nineteenth aspect, for example, even when the upper surface of the guard is disposed at a higher position than the lower surface of the atmosphere control member and the gap between the guard and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge unit includes: It can be easily inserted and removed from the gap between the guard portion and the atmosphere control member. Accordingly, for example, even if the gap between the guard unit and the atmosphere control member is narrow, the liquid discharge unit can be easily moved between the position at which the processing liquid is discharged and the position where the processing liquid is retracted.

제20 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 액 토출부의 배치가 용이하다.According to the substrate processing apparatus according to the twentieth aspect, for example, arrangement of the liquid discharge unit is easy.

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는, Y축방향에 있어서의 기판 처리 장치의 중앙부의 개략적인 구성을 나타내는 측면도이다.
도 3은, 기판 처리 장치의 -Y측 부분의 개략적인 구성을 나타내는 측면도이다.
도 4는, 기판 처리 장치를 제어하기 위한 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다.
도 5는, 제어부의 일 구성예를 나타내는 블록도이다.
도 6은, 처리 유닛의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 7은, 처리 유닛의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 8은, 제1 액 토출부가 기판 상으로 처리액을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 9는, 제1 액 토출부가 기판 상으로 처리액을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10은, 제1 액 토출부로부터 기판 상으로 처리액을 토출하는 방향을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 11은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 12는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 13은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 14는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 15는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 16은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 17은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 18은, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 19는, 처리 유닛에 있어서의 기판에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다.
도 20은, 제2 실시 형태에 따른 처리 유닛의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 21은, 제2 실시 형태에 따른 분위기 제어 부재의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 22는, 제3 실시 형태에 따른 제1~3 액 토출부의 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 23은, 제4 실시 형태에 따른 처리 유닛의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 24는, 제5 실시 형태에 따른 처리 유닛에 있어서의 제1~3 액 토출부의 배치를 모식적으로 나타내는 측면도이다.1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
2 is a side view showing a schematic configuration of a central portion of the substrate processing apparatus in the Y-axis direction.
3 is a side view showing a schematic configuration of a -Y side portion of the substrate processing apparatus.
4 is a block diagram showing a functional configuration for controlling the substrate processing apparatus.
Fig. 5 is a block diagram showing a configuration example of a control unit.
6 is a side view schematically showing a configuration example of a processing unit.
7 is a plan view schematically illustrating an example of a configuration inside a processing unit.
8 is a diagram schematically illustrating a state in which the first liquid discharge unit discharges the processing liquid onto the substrate.
9 is a diagram schematically illustrating a state in which the first liquid discharge unit discharges the processing liquid onto the substrate.
10 is a diagram schematically illustrating a direction in which the processing liquid is discharged from the first liquid discharge unit onto the substrate.
11 is a flowchart illustrating an example of an operation flow of a series of substrate processing for a substrate in the processing unit.
12 is a flowchart illustrating an example of an operation flow of a series of substrate processing for a substrate in the processing unit.
13 is a schematic side view for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate in the processing unit.
14 is a schematic side view for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate in the processing unit.
15 is a schematic side view for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate in the processing unit.
16 is a schematic side view for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate in the processing unit.
17 is a schematic side view for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate in the processing unit.
18 is a schematic side view for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate in the processing unit.
19 is a schematic side view for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate in the processing unit.
20 is a side view schematically illustrating a configuration example of a processing unit according to the second embodiment.
Fig. 21 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing a configuration example of the atmosphere control member according to the second embodiment.
22 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the shape of the first to third liquid discharge units according to the third embodiment.
23 is a plan view schematically showing an example of a configuration inside the processing unit according to the fourth embodiment.
24 is a side view schematically illustrating the arrangement of first to third liquid discharge units in the processing unit according to the fifth embodiment.

이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 각종 실시 형태에 대해 설명한다. 이들 실시 형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해 용이를 위해서, 필요에 따라 각 부의 치수 및 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다. 또, 각 도면에 있어서는, 각 요소의 위치 관계를 설명하기 위해서, 오른손 좌표계의 XYZ 직교 좌표계를 부여하고 있다. 여기에서는, X축 및 Y축이 수평 방향으로 연장되어 있고, Z축이 연직 방향(상하 방향)으로 연장되어 있는 것으로 한다. 또, 이하의 설명에서는, 화살표의 선단이 향하는 쪽을 +(플러스) 방향으로 하고, 그 역방향을 -(마이너스) 방향으로 한다. 여기에서는, 연직 방향 상향이 +Z방향이며, 연직 방향 하향이 -Z방향이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, various embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing. The components described in these embodiments are merely examples, and are not intended to limit the scope of the present invention to only them. In the drawings, in some cases, the dimensions and number of each part are exaggerated or simplified as necessary for ease of understanding. In addition, in each figure, in order to demonstrate the positional relationship of each element, the XYZ rectangular coordinate system of a right-handed coordinate system is provided. Here, it is assumed that the X axis and the Y axis extend in the horizontal direction, and the Z axis extends in the vertical direction (up and down direction). In addition, in the following description, the direction to which the front-end|tip of an arrow points is set as the + (plus) direction, and the reverse direction is made into - (minus) direction. Here, the vertically upward direction is the +Z direction, and the vertical direction downward direction is the -Z direction.

상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현(예를 들면 「한 방향으로」 「한 방향을 따라」 「평행」 「직교」 「중심」 「동심」 「동축」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일 정도의 기능이 얻어지는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관하여 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 같은 상태임을 나타내는 표현(예를 들면 「동일」 「같다」 「균질」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 같은 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 동일 정도의 기능이 얻어지는 차가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현(예를 들면, 「사각형상」 또는 「원통형상」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 동일 정도의 효과가 얻어지는 범위에서, 예를 들면 요철이나 면취 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 하나의 구성 요소를 「갖다」 「갖추다」 「구비하다」 「포함한다」 또는 「가지다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현은 아니다. 「~의 위」란, 특별히 언급하지 않는 한, 2개의 요소가 접해 있는 경우 이외에, 2개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함하는 경우가 있다. 「특정 방향으로 이동시킨다」란, 특별히 언급하지 않는 한, 이 특정 방향과 평행하게 이동시키는 경우뿐만 아니라, 이 특정 방향의 성분을 가지는 방향으로 이동시키는 것을 포함하는 경우가 있다.Expressions indicating a relative or absolute positional relationship (for example, “in one direction”, “along a direction” “parallel” “orthogonal” “center” “concentric” “coaxial”, etc.) It is assumed that not only the relationship is strictly expressed, but also the state displaced with respect to an angle or a distance relative to a tolerance or a range in which a function of the same degree is obtained. Expressions indicating that they are in the same state (for example, "same", "same", "homogeneous", etc.), unless otherwise specified, not only indicate the same quantitatively and strictly, but also have tolerances or differences in which the same degree of function is obtained. It should also indicate the state. Expressions representing shapes (for example, “square shape” or “cylindrical shape”), unless otherwise specified, not only express the shape strictly geometrically, but also within the range where the same degree of effect is obtained, for example, For example, it is assumed that a shape having irregularities, chamfers, or the like is also indicated. The expressions "have", "have", "have", "include" or "have" one component are not exclusive expressions excluding the existence of other components. Unless otherwise noted, "above of" may include cases where two elements are separated from each other other than the case where two elements are in contact. Unless otherwise specified, "moving in a specific direction" may include moving in a direction having a component in this specific direction as well as moving in parallel to this specific direction.

<1. 제1 실시 형태><1. First embodiment>

<1-1. 기판 처리 장치의 개략적인 구성><1-1. Schematic configuration of substrate processing apparatus>

도 1은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼)(W)에 처리를 행한다.1 is a plan view of a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment. The substrate processing apparatus 1 processes a substrate (eg, a semiconductor wafer) W .

기판(W)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 태양 전지용 기판이다. 기판(W)은, 얇은 평판 형상을 갖는다. 본 실시 형태에서는, 기판(W)이, 평면에서 봤을 때 원형 형상을 갖는 반도체 웨이퍼인 예를 들어 설명한다. 기판(W)은, 예를 들면, 300밀리미터(mm) 정도의 직경과, 0.5mm~3mm 정도의 두께를 갖는다.The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for liquid crystal display, a substrate for organic EL (Electroluminescence), a substrate for FPD (Flat Panel Display), a substrate for optical display, a substrate for magnetic disk, a substrate for optical disk, A substrate for magneto-optical disks, a substrate for a photomask, and a substrate for a solar cell. The substrate W has a thin flat plate shape. In this embodiment, the example in which the board|substrate W is a semiconductor wafer which has a circular shape in planar view is given and demonstrated. The substrate W has, for example, a diameter of about 300 millimeters (mm) and a thickness of about 0.5 mm to 3 mm.

기판 처리 장치(1)는, 인덱서부(2)와, 처리 블록(5)과, 제어부(9)를 구비한다.The substrate processing apparatus 1 includes an indexer unit 2 , a processing block 5 , and a control unit 9 .

<1-1-1. 인덱서부><1-1-1. Index West>

인덱서부(2)는, 복수(예를 들면, 4개)의 캐리어 재치부(3)와, 제1 반송 기구(4)를 구비하고 있다. 인덱서부(2)는, 반송 스페이스(32)를 구비하고 있다. 반송 스페이스(32)는, 캐리어 재치부(3)의 +X측에 배치된다. 반송 스페이스(32)는, Y축방향을 따라 연장되어 있다.The indexer part 2 is equipped with the carrier mounting part 3 of several (for example, four), and the 1st conveyance mechanism 4 . The indexer unit 2 has a conveyance space 32 . The conveyance space 32 is arrange|positioned at the +X side of the carrier mounting part 3 . The conveyance space 32 is extended along the Y-axis direction.

복수의 캐리어 재치부(3)는, 예를 들면, Y축방향을 따라 일렬로 나열되어 있다. 각 캐리어 재치부(3)는 각각, 1개의 캐리어(C)를 재치한다.The plurality of carrier mounting units 3 are arranged in a line along the Y-axis direction, for example. Each carrier mounting unit 3 mounts one carrier C, respectively.

캐리어(C)는, 복수 장의 기판(W)을 수용한다. 캐리어(C)는, 예를 들면, FOUP(front opening unified pod)이다. 캐리어(C)는, 예를 들면, 용기와, 용기 내에 배치된 연직 방향으로 나열되는 복수의 선반을 구비한다. 연직 방향에 있어서 서로 이웃하는 선반은, 10mm 정도의 간격을 갖고 배치된다. 각 선반은, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 재치한다. 예를 들면, 캐리어(C)가 캐리어 재치부(3)에 재치된 상태에 있어서, 각 선반은, 용기의 +Y측의 내벽으로부터 -Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제1 지지부와, 용기의 -Y측의 내벽으로부터 +Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제2 지지부를 갖는다. 각 선반에 있어서, 제1 지지부와 제2 지지부의 간격은, 기판(W)의 직경보다 작다. 각 선반은, 예를 들면, 제1 지지부와 제2 지지부에 의해, 기판(W)의 주연부의 하면을 지지한다. 복수의 선반은, 각 선반이 기판(W)을 지지할 때에, 연직 방향으로 서로 이웃하는 선반 사이에 있어서 기판(W)을 상방으로 이동시키는 것이 가능한 간격을 갖는다. 캐리어(C)는, 예를 들면, 캐리어(C)의 식별, 또는 캐리어(C) 내에 있어서의 기판(W)의 식별을 행하기 위한 식별자로서의 바코드를 갖는다. 바코드는, 예를 들면, 용기에 표시된다.The carrier C accommodates the plurality of substrates W. The carrier C is, for example, a FOUP (front opening unified pod). The carrier C includes, for example, a container and a plurality of shelves arranged in a vertical direction arranged in the container. The shelves adjacent to each other in the vertical direction are arranged with an interval of about 10 mm. Each shelf mounts one board|substrate W in a horizontal attitude|position. For example, in the state in which the carrier C is mounted on the carrier mounting part 3 WHEREIN: Each shelf protrudes from the inner wall of the +Y side of a container in -Y direction, and the 1st extending along the X-axis direction. It has a support part, and a 2nd support part protruding in the +Y direction from the inner wall of the -Y side of a container, and extending along an X-axis direction. Each shelf WHEREIN: The space|interval of a 1st support part and a 2nd support part is smaller than the diameter of the board|substrate W. As shown in FIG. Each shelf supports the lower surface of the peripheral part of the board|substrate W with a 1st support part and a 2nd support part, for example. The plurality of shelves have an interval capable of moving the substrate W upward between the shelves adjacent to each other in the vertical direction when each shelf supports the substrate W. The carrier C has, for example, a barcode as an identifier for identifying the carrier C or identifying the substrate W in the carrier C. A barcode is displayed, for example, on a container.

또, 인덱서부(2)는, 예를 들면, 바코드 리더(31)를 구비한다. 바코드 리더(31)는, 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)에 표시된 바코드를 읽어낸다. 바코드 리더(31)는, 예를 들면, 캐리어 재치부(3)에 장착된다. 바코드 리더(31)는, 제어부(9)와 통신 가능하게 접속되어 있다.Moreover, the indexer part 2 is equipped with the barcode reader 31, for example. The barcode reader 31 reads the barcode displayed on the carrier C mounted on the carrier mounting unit 3 . The barcode reader 31 is attached to the carrier mounting part 3, for example. The barcode reader 31 is communicatively connected to the control unit 9 .

제1 반송 기구(4)는, 반송 스페이스(32)에 설치되어 있다. 제1 반송 기구(4)는, 캐리어 재치부(3)의 +X측에 배치되어 있다. 제1 반송 기구(4)는, 핸드(33)와, 핸드 구동부(34)를 구비하고 있다.The first conveyance mechanism 4 is provided in the conveyance space 32 . The 1st conveyance mechanism 4 is arrange|positioned at the +X side of the carrier mounting part 3 . The first conveyance mechanism 4 includes a hand 33 and a hand drive unit 34 .

핸드(33)는, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드(33)는, 기판(W)의 하면과 접촉함으로써, 기판(W)을 지지한다. 이때, 핸드(33)는, 예를 들면, 흡인부 등에 의해 기판(W)을 흡인해도 된다. 핸드 구동부(34)는, 핸드(33)에 연결되어 있다. 핸드 구동부(34)는, 핸드(33)를 이동시킨다.The hand 33 supports one board|substrate W in a horizontal attitude|position. The hand 33 supports the board|substrate W by making contact with the lower surface of the board|substrate W. At this time, the hand 33 may attract the board|substrate W by a suction part etc., for example. The hand drive unit 34 is connected to the hand 33 . The hand drive unit 34 moves the hand 33 .

도 2는, Y축방향에 있어서의 기판 처리 장치(1)의 중앙부의 구성을 나타내는 측면도이다. 도 1 및 도 2에서 나타내어지는 바와 같이, 핸드 구동부(34)는, 레일(34a)과, 수평 이동부(34b)와, 수직 이동부(34c)와, 회전부(34d)와, 진퇴 이동부(34e)를 구비한다. 레일(34a)은, 인덱서부(2)의 하부에 고정되어 있다. 예를 들면, 레일(34a)은, 반송 스페이스(32)의 저부에 배치된다. 레일(34a)은, Y축방향을 따라 연장되어 있다. 수평 이동부(34b)는, 레일(34a)에 지지된다. 수평 이동부(34b)는, 레일(34a)에 대해 Y축방향을 따라 이동한다. 수직 이동부(34c)는, 수평 이동부(34b)에 지지되어 있다. 수직 이동부(34c)는, 수평 이동부(34b)에 대해 상하 방향(±Z방향)으로 이동한다. 회전부(34d)는, 수직 이동부(34c)에 지지되어 있다. 회전부(34d)는, 수직 이동부(34c)에 대해 회전한다. 회전부(34d)는, 가상적인 회전축(Ax1)을 중심으로 하여 회전한다. 가상적인 회전축(Ax1)은, 연직 방향(±Z방향)과 평행이다. 진퇴 이동부(34e)는, 회전부(34d)의 방향에 의해 정해지는 수평 방향을 따른 한 방향으로 왕복 이동한다.2 : is a side view which shows the structure of the center part of the substrate processing apparatus 1 in a Y-axis direction. 1 and 2, the hand drive unit 34 includes a rail 34a, a horizontal moving unit 34b, a vertical moving unit 34c, a rotating unit 34d, and a forward/backward moving unit ( 34e) is provided. The rail 34a is being fixed to the lower part of the indexer part 2 . For example, the rail 34a is arrange|positioned at the bottom of the conveyance space 32 . The rail 34a extends along the Y-axis direction. The horizontal moving part 34b is supported by the rail 34a. The horizontal moving part 34b moves along the Y-axis direction with respect to the rail 34a. The vertical moving part 34c is supported by the horizontal moving part 34b. The vertical moving part 34c moves in the vertical direction (±Z direction) with respect to the horizontal moving part 34b. The rotating part 34d is supported by the vertical moving part 34c. The rotating part 34d rotates with respect to the vertical moving part 34c. The rotation part 34d rotates centering on the virtual rotation axis Ax1. The virtual rotation axis Ax1 is parallel to the vertical direction (±Z direction). The forward/backward movement part 34e reciprocates in one direction along the horizontal direction determined by the direction of the rotation part 34d.

핸드(33)는, 진퇴 이동부(34e)에 고정되어 있다. 핸드(33)는, 핸드 구동부(34)에 의해, 수평 방향 및 상하 방향(±Z방향) 각각을 따라 평행으로 이동할 수 있다. 핸드(33)는, 가상적인 회전축(Ax1)을 중심으로 하여 회전할 수 있다. 이에 의해, 제1 반송 기구(4)는, 모든 캐리어 재치부(3)에 재치되는 캐리어(C)에 액세스하는 것이 가능하다. 제1 반송 기구(4)는, 모든 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)에 기판(W)을 반입할 수 있음과 더불어, 모든 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)로부터 기판(W)을 반출할 수 있다.The hand 33 is being fixed to the forward/backward movement part 34e. The hand 33 can move in parallel along each of the horizontal direction and the vertical direction (±Z direction) by the hand drive unit 34 . The hand 33 can rotate about the virtual rotation axis Ax1. Thereby, the 1st conveyance mechanism 4 can access the carrier C mounted in all the carrier mounting parts 3 . The 1st conveyance mechanism 4 can carry in the board|substrate W to the carrier C mounted in all the carrier mounting parts 3, and the carrier C mounted in all the carrier mounting parts 3 It is possible to take out the substrate (W) from the.

<1-1-2. 처리 블록><1-1-2. processing block>

처리 블록(5)은, 인덱서부(2)에 접속되어 있다. 예를 들면, 처리 블록(5)은, 인덱서부(2)의 +X측에 접속되어 있다.The processing block 5 is connected to the indexer unit 2 . For example, the processing block 5 is connected to the +X side of the indexer unit 2 .

처리 블록(5)은, 재치부(6)와, 복수의 처리 유닛(7)과, 제2 반송 기구(8)를 구비하고 있다. 또, 처리 블록(5)은, 반송 스페이스(41)를 구비하고 있다. 반송 스페이스(41)는, Y축방향에 있어서의 처리 블록(5)의 중앙에 배치되어 있다. 반송 스페이스(41)는, X축방향을 따라 연장되어 있다. 반송 스페이스(41)는, 인덱서부(2)의 반송 스페이스(32)와 접하고 있다. 재치부(6) 및 제2 반송 기구(8)는, 반송 스페이스(41)에 설치되어 있다.The processing block 5 includes a mounting unit 6 , a plurality of processing units 7 , and a second conveying mechanism 8 . In addition, the processing block 5 is provided with a conveyance space 41 . The conveyance space 41 is arranged at the center of the processing block 5 in the Y-axis direction. The conveyance space 41 is extended along the X-axis direction. The conveyance space 41 is in contact with the conveyance space 32 of the indexer part 2 . The mounting unit 6 and the second conveying mechanism 8 are provided in the conveying space 41 .

재치부(6)는, 제2 반송 기구(8)의 -X측에 배치되어 있다. 재치부(6)는, 제1 반송 기구(4)의 +X측에 배치되어 있다. 재치부(6)에는, 복수 장의 기판(W)이 재치된다. 재치부(6)는, 제1 반송 기구(4)와 제2 반송 기구(8) 사이에 배치된다. 재치부(6)에는, 제1 반송 기구(4)와 제2 반송 기구(8) 사이에서 반송되는 기판(W)이 재치된다. 재치부(6)에는, 상술한 제1 반송 기구(4)가 액세스 가능하다. 제1 반송 기구(4)는, 재치부(6)에 기판(W)을 반입하는 것이 가능하고, 재치부(6)로부터 기판(W)을 반출하는 것이 가능하다.The mounting unit 6 is disposed on the -X side of the second conveying mechanism 8 . The mounting part 6 is arrange|positioned at the +X side of the 1st conveyance mechanism 4 . A plurality of substrates W are mounted on the mounting unit 6 . The mounting unit 6 is disposed between the first conveying mechanism 4 and the second conveying mechanism 8 . The board|substrate W conveyed between the 1st conveyance mechanism 4 and the 2nd conveyance mechanism 8 is mounted on the mounting part 6 . The above-mentioned 1st conveyance mechanism 4 is accessible to the mounting part 6 . The 1st conveyance mechanism 4 can carry in the board|substrate W to the mounting part 6, and can carry out the board|substrate W from the mounting part 6.

재치부(6)에는, 복수 장의 기판(W)을 재치하는 것이 가능하다. 재치부(6)는, 예를 들면, Y축방향에 있어서 서로 대향하도록 배치된 한 쌍의 지지벽과, 복수의 선반을 구비하고 있다. 각 지지벽은, 예를 들면, XZ 평면을 따른 형상을 갖는다. 한 쌍의 지지벽은, 복수의 선반을 지지한다. 복수의 선반은, 연직 방향으로 나열되도록 배치되어 있다. 각 선반은, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 재치하는 것이 가능하다. 각 선반은, 예를 들면, +Y측의 지지벽의 내벽으로부터 -Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제3 지지부와, -Y측의 지지벽의 내벽으로부터 +Y방향으로 돌출되고 또한 X축방향을 따라 연장되는 제4 지지부를 갖는다. 각 선반에 있어서, 제3 지지부와 제4 지지부의 간격은, 기판(W)의 직경보다 작다. 각 선반은, 예를 들면, 제3 지지부와 제4 지지부에 의해, 기판(W)의 주연부의 하면을 지지한다. 복수의 선반은, 각 선반이 기판(W)을 지지할 때에, 연직 방향으로 서로 이웃하는 선반 사이에 있어서 기판(W)을 상방으로 이동시키는 것이 가능한 간격을 갖는다.It is possible to mount the board|substrate W of several sheets on the mounting part 6 . The mounting part 6 is provided with a pair of support wall arrange|positioned so that it may mutually oppose in a Y-axis direction, and a some shelf, for example. Each support wall has, for example, a shape along the XZ plane. A pair of support walls supports a plurality of shelves. The plurality of shelves are arranged so as to be aligned in the vertical direction. Each shelf can mount one board|substrate W in a horizontal attitude|position. Each shelf has, for example, a third support portion that protrudes in the -Y direction and extends along the X-axis direction from the inner wall of the support wall on the +Y side, and protrudes in the +Y direction from the inner wall of the support wall on the -Y side. and a fourth support portion extending along the X-axis direction. Each shelf WHEREIN: The space|interval of a 3rd support part and a 4th support part is smaller than the diameter of the board|substrate W. As shown in FIG. Each shelf supports the lower surface of the peripheral part of the board|substrate W by a 3rd support part and a 4th support part, for example. The plurality of shelves have an interval capable of moving the substrate W upward between the shelves adjacent to each other in the vertical direction when each shelf supports the substrate W.

제2 반송 기구(8)는, 핸드(61)와, 핸드 구동부(62)를 구비한다.The second conveyance mechanism 8 includes a hand 61 and a hand drive unit 62 .

핸드(61)는, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드(61)는, 기판(W)의 하면과 접촉함으로써, 기판(W)을 지지한다. 이때, 핸드(61)는, 예를 들면, 흡인부 등에 의해 기판(W)을 흡인해도 된다. 핸드 구동부(62)는, 핸드(61)에 연결되어 있다. 핸드 구동부(62)는, 핸드(61)를 이동시킨다.The hand 61 supports one board|substrate W in a horizontal attitude|position. The hand 61 supports the board|substrate W by making contact with the lower surface of the board|substrate W. At this time, the hand 61 may attract the board|substrate W by a suction part etc., for example. The hand drive unit 62 is connected to the hand 61 . The hand drive unit 62 moves the hand 61 .

도 2에서 나타내어지는 바와 같이, 핸드 구동부(62)는, 지주(62a)와, 수직 이동부(62b)와, 회전부(62c)와, 진퇴 이동부(62d)를 구비하고 있다. 지주(62a)는, 처리 블록(5)의 하부에 고정되어 있다. 지주(62a)는, 연직 방향으로 연장되어 있다. 수직 이동부(62b)는, 지주(62a)에 지지되어 있다. 수직 이동부(62b)는, 지주(62a)에 대해 상하 방향(±Z방향)으로 이동한다. 회전부(62c)는, 수직 이동부(62b)에 지지되어 있다. 회전부(62c)는, 수직 이동부(62b)에 대해 회전한다. 회전부(62c)는, 가상적인 회전축(Ax2)을 중심으로 하여 회전한다. 가상적인 회전축(Ax2)은, 연직 방향과 평행이다. 진퇴 이동부(62d)는, 회전부(62c)의 방향에 의해 정해지는 수평 방향을 따른 한 방향으로 왕복 이동한다.As shown in FIG. 2, the hand drive part 62 is equipped with the support|pillar 62a, the vertical movement part 62b, the rotation part 62c, and the forward-backward movement part 62d. The post 62a is fixed to the lower part of the processing block 5 . The post 62a extends in the vertical direction. The vertical moving part 62b is supported by the support|pillar 62a. The vertical moving part 62b moves in the vertical direction (±Z direction) with respect to the support post 62a. The rotating part 62c is supported by the vertical moving part 62b. The rotating part 62c rotates with respect to the vertical moving part 62b. The rotating part 62c rotates centering on the virtual rotating shaft Ax2. The virtual rotation axis Ax2 is parallel to the vertical direction. The forward/backward movement unit 62d reciprocates in one direction along the horizontal direction determined by the direction of the rotation unit 62c.

핸드(61)는, 진퇴 이동부(62d)에 고정되어 있다. 핸드(61)는, 핸드 구동부(62)에 의해, 수평 방향 및 상하 방향(±Z방향) 각각을 따라 평행하게 이동할 수 있다. 핸드(61)는, 가상적인 회전축(Ax2)을 중심으로 하여 회전할 수 있다. 이에 의해, 제2 반송 기구(8)는, 재치부(6) 및 모든 처리 유닛(7)에 액세스 가능하다. 제2 반송 기구(8)는, 재치부(6) 또는 처리 유닛(7)에 기판(W)을 반입할 수 있음과 더불어, 재치부(6) 또는 처리 유닛(7)으로부터 기판(W)을 반출할 수 있다.The hand 61 is being fixed to the forward/backward movement part 62d. The hand 61 can move in parallel along each of the horizontal direction and the vertical direction (±Z direction) by the hand driving unit 62 . The hand 61 can rotate about the virtual rotation axis Ax2. Thereby, the 2nd conveyance mechanism 8 can access the mounting part 6 and all the processing units 7 . The 2nd conveyance mechanism 8 can carry in the board|substrate W to the mounting part 6 or the processing unit 7, and, while being able to carry in the board|substrate W from the mounting part 6 or the processing unit 7, can be taken out

각 처리 유닛(7)은, 1장의 기판(W)을 처리한다. 복수의 처리 유닛(7)은, 반송 스페이스(41)의 양측에 배치되어 있다. 복수의 처리 유닛(7)은, 제2 반송 기구(8)의 +Y측 및 -Y측 각각에 배치되어 있다. 구체적으로는, 처리 블록(5)은, 제1 처리 섹션(42)과, 제2 처리 섹션(43)을 구비한다. 제1 처리 섹션(42)과, 반송 스페이스(41)와, 제2 처리 섹션(43)은, -Y방향에 있어서 이 기재 순서로 나열되어 있다. 제1 처리 섹션(42)은, 반송 스페이스(41)의 +Y측에 배치되어 있다. 제2 처리 섹션(43)은, 반송 스페이스(41)의 -Y측에 배치되어 있다.Each processing unit 7 processes one board|substrate W. The plurality of processing units 7 are disposed on both sides of the conveyance space 41 . The plurality of processing units 7 are arranged on the +Y side and the -Y side of the second conveying mechanism 8 , respectively. Specifically, the processing block 5 includes a first processing section 42 and a second processing section 43 . The first processing section 42 , the conveying space 41 , and the second processing section 43 are arranged in this order of description in the -Y direction. The first processing section 42 is disposed on the +Y side of the conveyance space 41 . The second processing section 43 is disposed on the -Y side of the conveyance space 41 .

도 3은, 기판 처리 장치(1)의 -Y측 부분의 개략적인 구성을 나타내는 측면도이다. 제2 처리 섹션(43)에는, 복수의 처리 유닛(7)이, X축방향 및 연직 방향(Z축방향) 각각을 따르도록 행렬형상으로 배치되어 있다. 예를 들면, 제2 처리 섹션(43)에는, 6개의 처리 유닛(7)이, 연직 방향(Z축방향)에 있어서 3단을 이루도록 배치되어 있다. 제2 처리 섹션(43)의 각 단에는, X축방향을 따라 나열된 2개의 처리 유닛이 배치되어 있다. 도시를 생략하고 있지만, 제1 처리 섹션(42)에도, 제2 처리 섹션(43)과 동일하게, 복수의 처리 유닛(7)이, X축방향 및 연직 방향(Z축방향) 각각을 따르도록 행렬형상으로 배치되어 있다. 예를 들면, 제1 처리 섹션(42)에는, 6개의 처리 유닛(7)이, 연직 방향(Z축방향)에 있어서 3단을 이루도록 배치되어 있다. 제1 처리 섹션(42)의 각 단에는, X축방향을 따라 나열된 2개의 처리 유닛이 배치되어 있다.3 is a side view showing a schematic configuration of a -Y side portion of the substrate processing apparatus 1 . In the second processing section 43 , a plurality of processing units 7 are arranged in a matrix form so as to follow each of the X-axis direction and the vertical direction (Z-axis direction). For example, in the second processing section 43 , six processing units 7 are arranged so as to form three stages in the vertical direction (Z-axis direction). At each end of the second processing section 43, two processing units arranged along the X-axis direction are arranged. Although not shown, in the first processing section 42 , similarly to the second processing section 43 , the plurality of processing units 7 follow each of the X-axis direction and the vertical direction (Z-axis direction). arranged in a matrix form. For example, in the first processing section 42 , six processing units 7 are arranged so as to form three stages in the vertical direction (Z-axis direction). At each end of the first processing section 42, two processing units arranged along the X-axis direction are arranged.

<1-1-3. 제어부><1-1-3. Control Unit>

도 4는, 기판 처리 장치(1)를 제어하기 위한 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다. 제어부(9)는, 바코드 리더(31), 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 복수의 처리 유닛(7)과 통신 가능하게 접속되어 있다. 제어부(9)는, 예를 들면, 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 복수의 처리 유닛(7)을 제어한다.4 is a block diagram showing a functional configuration for controlling the substrate processing apparatus 1 . The control unit 9 is communicatively connected to the barcode reader 31 , the first conveyance mechanism 4 , the second conveyance mechanism 8 , and the plurality of processing units 7 . The control unit 9 controls the first conveying mechanism 4 , the second conveying mechanism 8 , and the plurality of processing units 7 , for example.

도 5는, 제어부(9)의 일 구성예를 나타내는 블록도이다. 제어부(9)는, 예를 들면, 일반적인 컴퓨터 등으로 실현된다. 제어부(9)는, 예를 들면, 버스 라인(9Bu)을 통해 접속된, 통신부(91), 입력부(92), 출력부(93), 기억부(94), 처리부(95) 및 드라이브(96)를 갖는다.5 is a block diagram showing an example of the configuration of the control unit 9 . The control unit 9 is realized by, for example, a general computer or the like. The control unit 9 includes, for example, a communication unit 91 , an input unit 92 , an output unit 93 , a storage unit 94 , a processing unit 95 , and a drive 96 , which are connected via a bus line 9Bu . ) has

통신부(91)는, 예를 들면, 바코드 리더(31), 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 복수의 처리 유닛(7) 각각의 사이에 있어서의 통신 회선을 통한 신호의 송수신을 행한다. 통신부(91)는, 예를 들면, 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위한 관리용 서버로부터의 신호를 수신해도 된다.The communication unit 91 is, for example, a signal through a communication line between each of the barcode reader 31 , the first conveying mechanism 4 , the second conveying mechanism 8 , and the plurality of processing units 7 . transmit and receive The communication unit 91 may receive, for example, a signal from a management server for managing the substrate processing apparatus 1 .

입력부(92)는, 예를 들면, 오퍼레이터의 동작 등에 따른 신호를 입력한다. 입력부(92)는, 예를 들면, 조작에 따른 신호를 입력 가능한 마우스 및 키보드 등의 조작부, 음성에 따른 신호를 입력 가능한 마이크 및 움직임에 따른 신호를 입력 가능한 각종 센서 등을 포함한다.The input unit 92 inputs, for example, a signal according to an operator's operation or the like. The input unit 92 includes, for example, an operation unit such as a mouse and keyboard capable of inputting a signal according to an operation, a microphone capable of inputting a signal according to a voice, various sensors capable of inputting a signal according to a movement, and the like.

출력부(93)는, 예를 들면, 각종 정보를 오퍼레이터가 인식 가능한 양태로 출력한다. 출력부(93)는, 예를 들면, 각종 정보를 가시적으로 출력하는 표시부 및 각종 정보를 가청적으로 출력하는 스피커 등을 포함한다. 표시부는, 예를 들면, 입력부(92)의 적어도 일부와 일체화된 터치 패널의 형태를 갖고 있어도 된다.The output unit 93 outputs, for example, various types of information in a mode that an operator can recognize. The output unit 93 includes, for example, a display unit for visually outputting various kinds of information, a speaker for audible output of various kinds of information, and the like. The display unit may have the form of a touch panel integrated with at least a part of the input unit 92 , for example.

기억부(94)는, 예를 들면, 프로그램(Pg1) 및 각종 정보를 기억한다. 기억부(94)는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체로 구성된다. 기억부(94)에는, 예를 들면, 1개의 기억 매체를 갖는 구성, 2개 이상의 기억 매체를 일체적으로 갖는 구성, 및 2개 이상의 기억 매체를 2개 이상의 부분으로 나누어 갖는 구성 중 어느 것이 적용되어도 된다. 기억 매체는, 예를 들면, 제1 반송 기구(4), 제2 반송 기구(8) 및 처리 유닛(7)의 동작 조건에 관한 정보를 기억한다. 처리 유닛(7)의 동작 조건에 관한 정보는, 예를 들면, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 레시피(프로세스 레시피)를 포함한다. 기억 매체는, 예를 들면, 각 기판(W)을 식별하기 위한 정보를 기억하고 있어도 된다.The storage unit 94 stores, for example, the program Pg1 and various types of information. The storage unit 94 is constituted of, for example, a nonvolatile storage medium such as a hard disk or flash memory. For the storage unit 94, for example, any one of a configuration having one storage medium, a configuration having two or more storage media integrally, and a configuration having two or more storage media divided into two or more parts is applied may be The storage medium stores, for example, information regarding operating conditions of the first conveying mechanism 4 , the second conveying mechanism 8 , and the processing unit 7 . The information regarding the operating conditions of the processing unit 7 includes, for example, a processing recipe (process recipe) for processing the substrate W . The storage medium may store information for identifying each substrate W, for example.

처리부(95)는, 예를 들면, 프로세서로서 기능하는 연산 처리부(95a) 및 연산 처리의 작업 영역으로서의 메모리(95b) 등을 포함한다. 연산 처리부(95a)에는, 예를 들면, 중앙 연산 장치(CPU) 등의 전자 회로가 적용되고, 메모리(95b)에는, 예를 들면, RAM(Random Access Memory) 등이 적용된다. 처리부(95)는, 예를 들면, 기억부(94)에 기억된 프로그램(Pg1)을 읽어들여 실행함으로써, 제어부(9)의 기능을 실현한다. 이 때문에, 제어부(9)에서는, 예를 들면, 프로그램(Pg1)에 기술된 순서에 따라 처리부(95)가 연산 처리를 행함으로써, 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 제어하는 각종 기능부가 실현된다. 즉, 기판 처리 장치(1)에 포함되는 제어부(9)에 의해 프로그램(Pg1)이 실행됨으로써, 기판 처리 장치(1)의 기능 및 동작이 실현될 수 있다. 제어부(9)에서 실현되는 일부 혹은 전부의 기능부는, 예를 들면, 전용의 논리 회로 등으로 하드웨어적으로 실현되어도 된다.The processing unit 95 includes, for example, an arithmetic processing unit 95a functioning as a processor, a memory 95b serving as a work area for arithmetic processing, and the like. An electronic circuit such as a central arithmetic unit (CPU) is applied to the arithmetic processing unit 95a , and a random access memory (RAM) or the like is applied to the memory 95b , for example. The processing unit 95 realizes the function of the control unit 9 by, for example, reading and executing the program Pg1 stored in the storage unit 94 . For this reason, in the control unit 9, for example, various functional units for controlling the operation of each unit of the substrate processing apparatus 1 by the processing unit 95 performing arithmetic processing according to the procedure described in the program Pg1 are provided. come true That is, by executing the program Pg1 by the control unit 9 included in the substrate processing apparatus 1 , the functions and operations of the substrate processing apparatus 1 can be realized. Some or all of the functional units realized in the control unit 9 may be implemented in hardware by, for example, a dedicated logic circuit or the like.

드라이브(96)는, 예를 들면, 가반성의 기억 매체(Sm1)의 탈착이 가능한 부분이다. 드라이브(96)는, 예를 들면, 기억 매체(Sm1)가 장착되어 있는 상태로, 이 기억 매체(Sm1)와 처리부(95) 사이에 있어서의 데이터의 주고 받음을 행하게 한다. 드라이브(96)는, 프로그램(Pg1)이 기억된 기억 매체(Sm1)가 드라이브(96)에 장착된 상태로, 기억 매체(Sm1)로부터 기억부(94) 내에 프로그램(Pg1)을 읽어들이게 하여 기억시킨다.The drive 96 is, for example, a removable part of the portable storage medium Sm1. The drive 96 transmits and receives data between the storage medium Sm1 and the processing unit 95, for example, with the storage medium Sm1 mounted thereon. The drive 96 reads and stores the program Pg1 from the storage medium Sm1 into the storage unit 94 with the storage medium Sm1 storing the program Pg1 stored therein. make it

여기서, 기판 처리 장치(1) 전체에 있어서의 동작의 일례에 대해 설명한다. 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 제어부(9)가, 기판(W)의 반송 순서 및 처리 조건 등을 기술한 레시피에 따라, 기판 처리 장치(1)가 구비하는 각 부를 제어함으로써, 이하에 설명하는 일련의 동작이 실행된다.Here, an example of the operation|movement in the whole substrate processing apparatus 1 is demonstrated. In the substrate processing apparatus 1 , for example, the control unit 9 controls each unit included in the substrate processing apparatus 1 according to a recipe that describes the conveyance order and processing conditions of the substrate W, A series of operations described below are executed.

미처리의 기판(W)을 수용한 캐리어(C)가 캐리어 재치부(3) 상에 재치되면, 제1 반송 기구(4)가, 이 캐리어(C)로부터 미처리의 기판(W)을 꺼낸다. 이때, 제어부(9)는, 바코드 리더(31)의 검출 결과(기판(W)의 형상에 관한 정보 등)에 따라, 핸드 구동부(34)를 제어한다. 그리고, 제1 반송 기구(4)는, 재치부(6)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 제2 반송 기구(8)는, 재치부(6)로부터 레시피 등에서 지정된 처리 유닛(7)에 미처리의 기판(W)을 반송한다. 또한, 제1 반송 기구(4)와 제2 반송 기구(8) 사이에 있어서의 기판(W)의 수도(受渡)는, 예를 들면, 핸드(33)와 핸드(61) 사이에서 직접 행해져도 된다. 기판(W)이 반입된 처리 유닛(7)은, 기판(W)에 대해, 정해진 처리를 실행한다. 처리 유닛(7)에 있어서 기판(W)에 대한 처리가 종료되면, 제2 반송 기구(8)는, 처리가 완료된 기판(W)을 처리 유닛(7)으로부터 꺼낸다. 제2 반송 기구(8)는, 처리가 완료된 기판(W)을 재치부(6)에 반송한다. 제1 반송 기구(4)는, 재치부(6)로부터 캐리어 재치부(3) 상의 캐리어(C)에 기판(W)을 반송한다. 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 반송 기구(4) 및 제2 반송 기구(8)가 레시피에 따라 상술한 반송 동작을 반복하여 행함과 더불어, 각 처리 유닛(7)이 처리 레시피에 따라 기판(W)에 대한 처리를 실행한다. 이에 의해, 기판(W)에 대한 처리가 잇달아 행해진다.When the carrier C which accommodated the unprocessed board|substrate W is mounted on the carrier mounting part 3, the 1st conveyance mechanism 4 will take out the unprocessed board|substrate W from this carrier C. As shown in FIG. At this time, the control unit 9 controls the hand drive unit 34 according to the detection result of the barcode reader 31 (information about the shape of the substrate W, etc.). And the 1st conveyance mechanism 4 conveys the unprocessed board|substrate W to the mounting part 6 . The second conveying mechanism 8 conveys the unprocessed substrate W from the mounting unit 6 to the processing unit 7 designated by the recipe or the like. In addition, even if the water supply of the board|substrate W between the 1st conveyance mechanism 4 and the 2nd conveyance mechanism 8 is performed directly between the hand 33 and the hand 61, for example, do. The processing unit 7 into which the substrate W is loaded performs a predetermined process on the substrate W. When the processing of the substrate W in the processing unit 7 is finished, the second conveying mechanism 8 takes the processed substrate W out of the processing unit 7 . The 2nd conveyance mechanism 8 conveys the processed board|substrate W to the mounting part 6 . The 1st conveyance mechanism 4 conveys the board|substrate W from the mounting part 6 to the carrier C on the carrier mounting part 3 . In the substrate processing apparatus 1, while the 1st conveyance mechanism 4 and the 2nd conveyance mechanism 8 repeat and perform the conveyance operation mentioned above according to a recipe, each processing unit 7 performs a board|substrate according to a processing recipe. The process for (W) is executed. Thereby, the process with respect to the board|substrate W is performed one after another.

<1-2. 처리 유닛의 구성><1-2. Configuration of processing unit>

각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해, 에칭, 세정, 소수화 및 건조를, 이 기재 순서로 행하는 일련의 기판 처리를 실행 가능한 매엽식의 처리 유닛이다.Each processing unit 7 is a single-wafer type processing unit capable of executing a series of substrate processing, for example, etching, cleaning, hydrophobizing, and drying the upper surface Wu of the substrate W in this order of description. to be.

도 6은, 처리 유닛(7)의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 7은, 처리 유닛(7)의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.6 is a side view schematically showing a configuration example of the processing unit 7 . 7 is a plan view schematically showing an example of a configuration inside the processing unit 7 .

도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 내부에 처리 공간을 형성하는 처리 챔버(7w)를 구비하고 있다. 처리 챔버(7w)에는, 예를 들면, 제2 반송 기구(8)의 핸드(61)를 처리 챔버(7w)의 내부에 삽입시키기 위한 반출입구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 반출입구에는, 예를 들면, 처리 유닛(7)의 내부에 핸드(61)가 삽입될 때에 개방되고, 처리 유닛(7)의 내부에 핸드(61)가 삽입되지 않을 때에 폐색되는 셔터 등이 설치되어 있다. 이 때문에, 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 제2 반송 기구(8)가 배치되어 있는 반송 스페이스(41)에, 이 반출입구를 대향시키도록 하여 위치하고 있다.As shown in FIG. 6 , each processing unit 7 includes, for example, a processing chamber 7w that forms a processing space therein. In the processing chamber 7w, for example, a carrying port (not shown) for inserting the hand 61 of the second conveying mechanism 8 into the processing chamber 7w is formed. The carry-in/out port includes, for example, a shutter that opens when the hand 61 is inserted into the processing unit 7 and is closed when the hand 61 is not inserted into the processing unit 7 . installed. For this reason, the processing unit 7 is located, for example, in the conveyance space 41 in which the 2nd conveyance mechanism 8 is arrange|positioned so that this carrying-out port may be opposed.

여기서, 처리 유닛(7)의 구체적인 구성에 대해 설명한다.Here, the specific structure of the processing unit 7 is demonstrated.

도 1 및 도 3에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)를 구비하고 있다. 회전 유지 기구(72)는, 예를 들면, 유지부(720)를 갖는다.1 and 3 , each processing unit 7 includes, for example, a rotation holding mechanism 72 . The rotation holding mechanism 72 has, for example, a holding part 720 .

유지부(720)는, 예를 들면, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 유지한다. 유지부(720)에는, 메커니컬 척 또는 메커니컬 그리퍼가 적용되어도 되고, 베르누이 척 또는 베르누이 그리퍼가 적용되어도 된다. 메커니컬 척은, 예를 들면, 비교적 두꺼운 기판(W)을 유지하는데 적합하고, 베르누이 척은, 예를 들면, 비교적 얇은 기판(W)을 유지하는데 적합하다. 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 처리 섹션(42)에 배치되는 6개의 처리 유닛(7)은, 각각, 유지부(720)에 메커니컬 척 또는 메커니컬 그리퍼가 적용된 제1 처리 유닛(7A)이다. 예를 들면, 제2 처리 섹션(43)에 배치되는 6개의 처리 유닛(7)은, 각각, 유지부(720)에 베르누이 척 또는 베르누이 그리퍼가 적용된 제2 처리 유닛(7B)이다. 도 6 및 도 7에는, 제1 처리 유닛(7A)의 일 구성예가 나타내어져 있다. 여기에서는, 처리 유닛(7)의 일 구성예로서, 제1 처리 유닛(7A)의 구성을 예로 들어 설명한다.The holding part 720 holds the board|substrate W of 1 sheet in a horizontal attitude|position, for example. A mechanical chuck or a mechanical gripper may be applied to the holding part 720 , and a Bernoulli chuck or a Bernoulli gripper may be applied. A mechanical chuck is suitable for holding a relatively thick substrate W, for example, and a Bernoulli chuck is suitable for holding a relatively thin substrate W, for example. In the first embodiment, for example, the six processing units 7 disposed in the first processing section 42 are, respectively, a first processing unit 7A to which a mechanical chuck or a mechanical gripper is applied to the holding portion 720 , respectively. )to be. For example, the six processing units 7 disposed in the second processing section 43 are, respectively, the second processing units 7B to which a Bernoulli chuck or a Bernoulli gripper is applied to the holding portion 720 . 6 and 7 , one configuration example of the first processing unit 7A is shown. Here, as an example of the configuration of the processing unit 7 , the configuration of the first processing unit 7A will be described as an example.

도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 유지부(720)는, 예를 들면, 스핀 베이스(723)와, 복수 개의 척 핀(724)을 갖는다. 스핀 베이스(723)는, 예를 들면, 대략 수평 자세의 원판형상의 부재이다. 복수 개의 척 핀(724)은, 예를 들면, 스핀 베이스(723)의 상면측의 주연부 부근에 세워져 설치되어 있고, 기판(W)의 주연부를 파지함으로써, 기판(W)을 유지하는 것이 가능한 부분이다. 구체적으로는, 예를 들면, 복수 개의 척 핀(724)이, 기판(W)을 수평 자세로 유지할 수 있다. 척 핀(724)은, 예를 들면, 원형의 기판(W)을 확실하게 유지하기 위해서 3개 이상 설치되어 있으면 되고, 스핀 베이스(723)의 주연부를 따라 등각도 간격으로 배치되어 있다. 각 척 핀(724)은, 예를 들면, 기판(W)의 주연부를 하방으로부터 지지하는 부분(기판 지지부라고도 한다)과, 기판 지지부에 지지된 기판(W)의 외주 단면을 압압하여 기판(W)을 유지하는 부분(기판 파지부라고도 한다)을 갖는다. 또, 각 척 핀(724)은, 기판 파지부가 기판(W)의 외주 단면을 압압하는 압압 상태와, 기판 파지부가 기판(W)의 외주 단면으로부터 멀어지는 해방 상태 사이에서 전환 가능하게 구성되어 있다. 여기서, 제2 반송 기구(8)가 유지부(720)에 대해 기판(W)을 수도할 때에는, 각 척 핀(724)이 해방 상태가 되고, 기판(W)에 대해 기판 처리를 실시할 때에는, 각 척 핀(724)이 압압 상태가 된다. 각 척 핀(724)이 압압 상태가 되면, 각 척 핀(724)은 기판(W)의 주연부를 파지하고, 기판(W)이 스핀 베이스(723)로부터 소정 간격을 두고 대략 수평 자세로 유지된다.As shown in FIG. 6 , the holding part 720 includes, for example, a spin base 723 and a plurality of chuck pins 724 . The spin base 723 is, for example, a disk-shaped member with a substantially horizontal posture. The plurality of chuck pins 724 are erected, for example, in the vicinity of the periphery of the upper surface side of the spin base 723 , and a portion capable of holding the substrate W by gripping the periphery of the substrate W . to be. Specifically, for example, the plurality of chuck pins 724 can hold the substrate W in a horizontal posture. For example, three or more chuck pins 724 may be provided to reliably hold the circular substrate W, and are arranged at equal angular intervals along the periphery of the spin base 723 . Each chuck pin 724 includes, for example, a portion that supports the peripheral portion of the substrate W from below (also referred to as a substrate support portion), and the substrate W by pressing the outer peripheral end face of the substrate W supported by the substrate support portion. ) has a part (also referred to as a substrate gripping part). In addition, each chuck pin 724 is configured to be switchable between a pressing state in which the substrate gripping portion presses the outer peripheral end face of the substrate W and a release state in which the substrate gripping portion moves away from the outer peripheral end surface of the substrate W. Here, when the 2nd conveyance mechanism 8 transfers the board|substrate W with respect to the holding part 720, each chuck pin 724 is in a released state, and when performing a board|substrate process with respect to the board|substrate W, , each chuck pin 724 is in a pressed state. When each chuck pin 724 is in a pressed state, each chuck pin 724 grips the periphery of the substrate W, and the substrate W is maintained in a substantially horizontal position at a predetermined distance from the spin base 723 . .

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 회전 유지 기구(72)는, 예를 들면, 중심축(721) 및 회전 기구(722)를 갖는다.Moreover, as shown in FIG. 6, the rotation holding mechanism 72 has the central shaft 721 and the rotation mechanism 722, for example.

중심축(721)은, 예를 들면, 연직 방향(Z축 방향)을 따른 길이 방향과 진원형상의 단면을 갖는 봉형상의 부재이다. 예를 들면, 중심축(721)의 상단부에, 스핀 베이스(723)의 하면의 대략 중앙이 나사 등의 체결 부품으로 고정되어 있다.The central axis 721 is, for example, a bar-shaped member having a longitudinal direction along the vertical direction (Z-axis direction) and a perfect circular cross section. For example, the substantially center of the lower surface of the spin base 723 is fixed to the upper end of the central shaft 721 with a fastening component such as a screw.

회전 기구(722)는, 예를 들면, 중심축(721)을 회전시키기 위한 모터 등의 구동력을 발생시키는 부분(제1 구동부라고도 한다)이다. 여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라 회전 기구(722)에 의해 중심축(721)이 회전되면, 중심축(721)에 고정된 스핀 베이스(723)가, 연직 방향을 따라 신장되는 가상적인 축(회전축이라고도 한다)(72a)을 중심으로 하여 회전한다. 즉, 회전 기구(722)는, 회전축(72a)을 중심으로 하여 유지부(720)를 회전시킬 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 유지부(720)에 의해 대략 수평 자세로 유지된 기판(W)이 회전축(72a)을 중심으로 하여 회전된다. 회전축(72a)은, 예를 들면, 유지부(720)에 유지된 기판(W)에 있어서의 상면(Wu) 및 하면(Wb) 각각의 중심을 지난다.The rotation mechanism 722 is, for example, a part (also referred to as a first drive unit) that generates a driving force such as a motor for rotating the central shaft 721 . Here, for example, when the central shaft 721 is rotated by the rotating mechanism 722 in response to an operation command from the control unit 9 , the spin base 723 fixed to the central shaft 721 moves in the vertical direction. It rotates around an imaginary axis (also referred to as a rotation axis) 72a extending along the . That is, the rotating mechanism 722 can rotate the holding part 720 about the rotating shaft 72a. Thereby, for example, the board|substrate W hold|maintained in the substantially horizontal attitude|position by the holding part 720 is rotated centering on the rotation shaft 72a. The rotating shaft 72a passes through the center of each of the upper surface Wu and the lower surface Wb in the board|substrate W held by the holding part 720, for example.

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 가드(73)를 구비하고 있다.Moreover, as shown in FIG. 6, each processing unit 7 is equipped with the guard 73, for example.

가드(73)는, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 둘러싸도록 배치되어 있다. 가드(73)는, 예를 들면, 승강 구동부(73m)에 의해 서로 독립적으로 승강 가능한 복수의 가드부를 갖는다. 구체적으로는, 가드(73)는, 예를 들면, 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733)를 갖는다. 승강 구동부(73m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 승강 구동부(73m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733) 각각을, 연직 방향을 따라 승강시킬 수 있는 부분(제2 구동부라고도 한다)으로서 기능한다. 바꾸어 말하면, 제어부(9)는, 승강 구동부(73m)에 의해 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733) 각각을 연직 방향을 따라 승강시킨다. 이에 의해, 제어부(9)는, 승강 구동부(73m)에 의해, 제1~3 가드부(731, 732, 733)를, 각각 상승된 위치(상승 위치라고도 한다)와 하강된 위치(하강 위치라고도 한다) 사이에서 승강시킨다. 그 결과, 예를 들면, 제1 가드부(731), 제2 가드부(732) 및 제3 가드부(733) 중 어느 하나에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 처리액을 받아 회수할 수 있다.The guard 73 is arrange|positioned so that the periphery of the side of the rotation holding mechanism 72 may be enclosed. The guard 73 has, for example, a plurality of guard parts that can be raised and lowered independently of each other by the lift drive part 73m. Specifically, the guard 73 includes, for example, a first guard part 731 , a second guard part 732 , and a third guard part 733 . Various mechanisms, such as a ball screw mechanism or an air cylinder, are applicable to the raising/lowering drive part 73m, for example. As a result, the lifting drive unit 73m controls each of the first guard unit 731 , the second guard unit 732 , and the third guard unit 733 according to an operation command from the control unit 9 , for example. , functions as a part (also referred to as a second driving unit) that can be raised and lowered along the vertical direction. In other words, the control part 9 raises and lowers each of the 1st guard part 731, the 2nd guard part 732, and the 3rd guard part 733 along the vertical direction by the raising/lowering drive part 73m. Thereby, the control part 9 sets the 1st - 3rd guard parts 731, 732, 733 by the raising/lowering drive part 73m, respectively in a raised position (also referred to as a raised position) and a lowered position (also referred to as a lowered position). ) and elevate between them. As a result, for example, processing scattered from the upper surface Wu of the substrate W by any one of the first guard unit 731 , the second guard unit 732 , and the third guard unit 733 . You can get the liquid and get it back.

제1 가드부(731)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 둘러싸도록 배치된다. 제1 가드부(731)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)에 유지된 기판(W)의 중심을 지나는 회전축(72a)에 대해 대략 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 제1 가드부(731)는, 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 한 원통형상의 형상을 갖는 측벽부와, 회전축(72a)을 중심으로 한 원환형상의 형상을 갖고 또한 측벽부의 상단부로부터 회전축(72a)에 가까워지도록 비스듬한 상방으로 신장되어 있는 상방 경사부를 갖는다.The 1st guard part 731 is arrange|positioned so that the periphery of the side of the rotation holding mechanism 72 may be enclosed, for example. The first guard portion 731 has, for example, a shape substantially rotationally symmetric with respect to a rotation shaft 72a passing through the center of the substrate W held by the rotation holding mechanism 72 . The first guard portion 731 has, for example, a side wall portion having a cylindrical shape centered on the rotation shaft 72a, and an annular shape centered on the rotation shaft 72a, and from the upper end of the side wall portion. It has an upwardly inclined part extending diagonally upward so that it may approach the rotating shaft 72a.

제2 가드부(732)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 둘러싸도록 위치하고 있는 제1 가드부(731)의 외주부를 추가로 측방으로부터 둘러싸도록 배치되어 있다. 제2 가드부(732)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)에 유지된 기판(W)의 중심을 지나는 회전축(72a)에 대해 대략 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 제2 가드부(732)는, 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 한 원통형상의 형상을 갖는 측벽부와, 회전축(72a)을 중심으로 한 원환형상의 형상을 갖고 또한 측벽부의 상단부로부터 회전축(72a)에 가까워지도록 비스듬한 상방으로 신장되어 있는 상방 경사부를 갖는다.The 2nd guard part 732 is arrange|positioned so that the outer peripheral part of the 1st guard part 731 located so that it may surround the lateral circumference of the rotation holding mechanism 72 may further surround from the side, for example. The second guard portion 732 has, for example, a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation shaft 72a passing through the center of the substrate W held by the rotation holding mechanism 72 . The second guard portion 732 has, for example, a side wall portion having a cylindrical shape centered on the rotation shaft 72a, and an annular shape centered on the rotation shaft 72a, and is formed from the upper end of the side wall portion. It has an upwardly inclined part extending diagonally upward so that it may approach the rotating shaft 72a.

제3 가드부(733)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)의 측방 주위를 순차적으로 둘러싸도록 위치하고 있는 제1 가드부(731) 및 제2 가드부(732)의 외주부를 추가로 측방으로부터 둘러싸도록 배치되어 있다. 제3 가드부(733)는, 예를 들면, 회전 유지 기구(72)에 유지된 기판(W)의 중심을 지나는 회전축(72a)에 대해 대략 회전 대칭이 되는 형상을 갖는다. 이 제3 가드부(733)는, 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 한 원통형상의 형상을 갖는 측벽부와, 회전축(72a)을 중심으로 한 원환형상의 형상을 갖고 또한 측벽부의 상단부로부터 회전축(72a)에 가까워지도록 비스듬한 상방으로 신장되어 있는 상방 경사부를 갖는다.The 3rd guard part 733, for example, the outer periphery of the 1st guard part 731 and 2nd guard part 732 which are positioned so that the periphery of the rotation holding mechanism 72 may surround sequentially may further lateral arranged to surround it. The 3rd guard part 733 has a shape which becomes substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis 72a passing through the center of the board|substrate W held by the rotation holding mechanism 72, for example. The third guard portion 733 has, for example, a side wall portion having a cylindrical shape centered on the rotation shaft 72a, and an annular shape centered on the rotation shaft 72a, and from the upper end of the side wall portion. It has an upwardly inclined part extending diagonally upward so that it may approach the rotating shaft 72a.

여기서, 예를 들면, 제1 가드부(731)가, 유지부(720)를 측방으로부터 둘러싸도록 상승 위치에 배치되어 있는 경우에는, 회전 유지 기구(72)에 유지되어 회전되어 있는 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 토출된 처리액이, 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 제1 가드부(731)를 향해 비산하고, 제1 가드부(731)의 회전축(72a) 측의 벽면(내벽면이라고도 한다)으로 받아진다. 제1 가드부(731)로 받아진 처리액은, 예를 들면, 제1 가드부(731)의 내벽면을 따라 흘러내리고, 제1 배액조(734) 및 제1 배액 포트(737)를 통해 회수된다.Here, for example, when the 1st guard part 731 is arrange|positioned at the raised position so that it may surround the holding part 720 from the side, the board|substrate W which is hold|maintained by the rotation holding mechanism 72 and rotated. The processing liquid discharged toward the upper surface Wu of the substrate W scatters from the upper surface Wu of the substrate W toward the first guard portion 731 , and the wall surface of the first guard portion 731 on the side of the rotation shaft 72a (also called inner wall surface). The processing liquid received by the first guard part 731 flows down along the inner wall surface of the first guard part 731 , for example, through the first drain tank 734 and the first drain port 737 . is recovered

또, 여기서, 예를 들면, 제1 가드부(731)가 하강 위치까지 하강되고, 제2 가드부(732)가 유지부(720)를 측방으로부터 둘러싸도록 상승 위치에 배치되어 있는 경우에는, 회전 유지 기구(72)에 유지되어 회전되어 있는 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 토출된 처리액이, 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 제2 가드부(732)를 향해 비산하고, 제2 가드부(732)의 회전축(72a) 측의 벽면(내벽면이라고도 한다)으로 받아진다. 제2 가드부(732)로 받아진 처리액은, 예를 들면, 제2 가드부(732)의 내벽면을 따라 흘러내리고, 제2 배액조(735) 및 제2 배액 포트(738)를 통해 회수된다.Here, for example, when the first guard portion 731 is lowered to the lowered position and the second guard portion 732 is disposed in the raised position so as to surround the holding portion 720 from the side, the rotation The processing liquid discharged toward the upper surface Wu of the substrate W held by the holding mechanism 72 and rotated is scattered toward the second guard portion 732 from the upper surface Wu of the substrate W, It is received by the wall surface (also referred to as an inner wall surface) on the side of the rotation shaft 72a of the second guard portion 732 . The processing liquid received by the second guard part 732 flows down along the inner wall surface of the second guard part 732 , for example, through the second drain tank 735 and the second drain port 738 . is recovered

또, 여기서, 예를 들면, 제1 가드부(731) 및 제2 가드부(732) 각각이 하강 위치까지 하강되고, 제3 가드부(733)가 유지부(720)를 측방으로부터 둘러싸도록 상승 위치에 배치되어 있는 경우에는, 회전 유지 기구(72)에 유지되어 회전되어 있는 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 토출된 처리액이, 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 제3 가드부(733)를 향해 비산하고, 제3 가드부(733)의 회전축(72a) 측의 벽면(내벽면이라고도 한다)으로 받아진다. 제3 가드부(733)로 받아진 액체는, 예를 들면, 제3 가드부(733)의 내벽면을 따라 흘러내리고, 제3 배액조(736) 및 제3 배액 포트(739)를 통해 회수된다.In addition, here, for example, each of the first guard part 731 and the second guard part 732 is lowered to the lowering position, and the third guard part 733 is raised so as to surround the holding part 720 from the side. When disposed at the position, the processing liquid discharged toward the upper surface Wu of the substrate W, which is held by the rotation holding mechanism 72 and rotated, flows from the upper surface Wu of the substrate W to the third guard. It scatters toward the part 733 and is received by the wall surface (also called an inner wall surface) of the rotation shaft 72a side of the 3rd guard part 733. The liquid received by the third guard part 733 flows down along the inner wall surface of the third guard part 733 , for example, and is recovered through the third drain tank 736 and the third drain port 739 . do.

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n), 제1~3 액 공급로(751p, 752p, 753p) 및 제1~3 변경부(751v, 752v, 753v)를 구비하고 있다.6 , each processing unit 7 includes, for example, first to third liquid discharge units 751n, 752n, 753n, and first to third liquid supply paths 751p, 752p, 753p. ) and the first to third change parts 751v, 752v, and 753v.

제1 액 토출부(751n)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 토출구(제1 토출구라고도 한다)(751o)로부터 처리액(제1 처리액이라고도 한다)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제1 처리액을 공급한다. 제1 액 토출부(751n)는, 예를 들면, 제1 처리액을 연속류의 상태로 토출하는 스트레이트 노즐 등의 노즐을 포함한다. 제1 처리액은, 예를 들면, 희불산(DHF：Diluted Hydrofluoric acid), 불산-과산화수소수 혼합액(FPM：Hydrofluoric Peroxide Mixture) 또는 인산 등의 기판(W)에 대한 에칭을 실시하는 것이 가능한 액체(약액이라고도 한다)를 포함한다.The first liquid discharge unit 751n is, for example, a discharge port (also referred to as a first discharge port) 751o in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal position by the holding unit 720 . The first processing liquid is supplied onto the upper surface Wu by discharging the processing liquid (also referred to as the first processing liquid) from the . The first liquid discharge unit 751n includes, for example, a nozzle such as a straight nozzle that discharges the first processing liquid in a continuous flow state. The first processing liquid is, for example, a liquid capable of etching the substrate W such as Diluted Hydrofluoric acid (DHF), Hydrofluoric Acid-hydrogen peroxide mixture (FPM: Hydrofluoric Peroxide Mixture), or phosphoric acid ( Also called drug solution).

제1 액 공급로(751p)는, 제1 처리액의 공급원(제1 공급원이라고도 한다)과 제1 액 토출부(751n)를 접속하고 있다. 제1 액 공급로(751p)에는, 예를 들면, 각종 배관 등이 적용된다. 제1 공급원은, 예를 들면, 약액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 약액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다.The first liquid supply path 751p connects a supply source of the first processing liquid (also referred to as a first supply source) and the first liquid discharge unit 751n. Various piping etc. are applied to the 1st liquid supply path 751p, for example. The first supply source includes, for example, a tank storing the chemical liquid, and a mechanism such as a pump for discharging the chemical liquid from the tank.

제1 변경부(751v)는, 제1 액 공급로(751p)의 도중에 위치하고, 예를 들면, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 제1 변경부(751v)는, 예를 들면, 조임 정도(개도라고도 한다)를 조정함으로써 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 것이 가능한 니들 밸브 등의 유량 제어 밸브를 포함한다. 유량 제어 밸브에 있어서의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 모터의 위치를 나타내는 펄스 수 등에 의해 나타내어진다. 유량 제어 밸브의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 펄스 수 등에 관한 동작 지령에 따라 변경된다. 이 때문에, 예를 들면, 제어부(9)는, 제1 변경부(751v)의 개도를 제어함으로써, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액의 토출의 유무를 제어할 수 있음과 더불어, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 제1 처리액이 토출되는 속도(토출 속도라고도 한다) 및 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 단위 시간당 제1 처리액이 토출되는 양(토출량이라고도 한다)을 변경할 수 있다.The first change unit 751v is located in the middle of the first liquid supply path 751p and, for example, changes the supply amount of the first processing liquid from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n per unit time. The first change unit 751v is, for example, a needle capable of changing the supply amount per unit time of the first treatment liquid from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n by adjusting the degree of tightening (also referred to as an opening degree). and a flow control valve such as a valve. The tightening degree (opening degree) in the flow control valve is expressed by, for example, the number of pulses indicating the position of the motor. The tightening degree (opening degree) of the flow control valve is changed according to, for example, an operation command regarding the number of pulses from the control unit 9 . For this reason, for example, the control unit 9 controls the opening degree of the first change unit 751v to perform the first processing on the upper surface Wu of the substrate W from the first liquid discharge unit 751n. In addition to being able to control whether or not the liquid is discharged, the speed at which the first processing liquid is discharged from the first liquid discharge unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W (also referred to as the discharge rate) and the second It is possible to change an amount (also referred to as a discharge amount) that the first processing liquid is discharged per unit time from the one liquid discharge unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W.

제2 액 토출부(752n)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 토출구(제2 토출구라고도 한다)(752o)로부터 처리액(제2 처리액이라고도 한다)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제2 처리액을 공급한다. 제2 액 토출부(752n)는, 예를 들면, 제2 처리액을 연속류의 상태로 토출하는 스트레이트 노즐 등의 노즐을 포함한다. 제2 처리액은, 예를 들면, 이소프로필알코올(IPA) 등의 용제를 포함한다.The second liquid discharge unit 752n is, for example, a discharge port (also referred to as a second discharge port) 752o in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 . The second processing liquid is supplied on the upper surface Wu by discharging the processing liquid (also referred to as the second processing liquid) from the . The second liquid discharge unit 752n includes, for example, a nozzle such as a straight nozzle that discharges the second processing liquid in a continuous flow state. A 2nd processing liquid contains solvents, such as isopropyl alcohol (IPA), for example.

제2 액 공급로(752p)는, 제2 처리액의 공급원(제2 공급원이라고도 한다)과 제2 액 토출부(752n)를 접속하고 있다. 제2 액 공급로(752p)에는, 예를 들면, 각종 배관 등이 적용된다. 제2 공급원은, 예를 들면, IPA 등의 용제를 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 용제를 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다.The second liquid supply path 752p connects a supply source of the second processing liquid (also referred to as a second supply source) and the second liquid discharge unit 752n. Various piping etc. are applied to the 2nd liquid supply path 752p, for example. The second supply source includes, for example, a tank storing a solvent such as IPA and a mechanism such as a pump for discharging the solvent from the tank.

제2 변경부(752v)는, 제2 액 공급로(752p)의 도중에 위치하고, 예를 들면, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 제2 변경부(752v)는, 예를 들면, 조임 정도(개도라고도 한다)를 조정함으로써 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 것이 가능한 니들 밸브 등의 유량 제어 밸브를 포함한다. 유량 제어 밸브에 있어서의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 모터의 위치를 나타내는 펄스 수 등에 의해 나타내어진다. 유량 제어 밸브의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 펄스 수 등에 관한 동작 지령에 따라 변경된다. 이 때문에, 예를 들면, 제어부(9)는, 제2 변경부(752v)의 개도를 제어함으로써, 제2 액 토출부(752n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제2 처리액의 토출의 유무를 제어할 수 있음과 더불어, 제2 액 토출부(752n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 제2 처리액이 토출되는 속도(토출 속도) 및 제2 액 토출부(752n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 단위 시간당 제2 처리액이 토출되는 양(토출량이라고도 한다)을 변경할 수 있다.The second change unit 752v is located in the middle of the second liquid supply path 752p and, for example, changes the supply amount of the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n per unit time. The second change unit 752v is a needle capable of changing the supply amount per unit time of the second treatment liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n by adjusting the degree of tightening (also referred to as an opening degree), for example. and a flow control valve such as a valve. The tightening degree (opening degree) in the flow control valve is expressed by, for example, the number of pulses indicating the position of the motor. The tightening degree (opening degree) of the flow control valve is changed according to, for example, an operation command regarding the number of pulses from the control unit 9 . For this reason, for example, the control unit 9 controls the opening degree of the second change unit 752v to perform a second process on the upper surface Wu of the substrate W from the second liquid discharge unit 752n. In addition to being able to control whether the liquid is discharged or not, the rate at which the second processing liquid is discharged from the second liquid discharge unit 752n onto the upper surface Wu of the substrate W (discharge rate) and the second liquid It is possible to change an amount (also referred to as a discharge amount) that the second processing liquid is discharged from the discharge unit 752n on the upper surface Wu of the substrate W per unit time.

제3 액 토출부(753n)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 토출구(제3 토출구라고도 한다)(753o)로부터 처리액(제3 처리액이라고도 한다)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제3 처리액을 공급한다. 제3 액 토출부(753n)는, 예를 들면, 제3 처리액을 연속류의 상태로 토출하는 스트레이트 노즐 등의 노즐을 포함한다. 제3 처리액은, 예를 들면, 소수화액을 포함한다. 소수화액은, 예를 들면, 실리콘계의 소수화액을 포함한다. 실리콘계의 소수화액은, 실리콘(Si) 자체 및 실리콘을 포함하는 화합물을 소수화시키는 소수화액이다. 실리콘계의 소수화액은, 예를 들면, 실란 커플링제(실릴화제라고도 한다)이다. 이 실릴화제는, 예를 들면, 분자의 일단에 가수분해로 실라놀기(Si-OH)를 부여하는 에톡시(또는 메톡시)기를 갖고, 타단에 아미노기 또는 글리시딜기 등의 유기 관능기를 갖는 유기 규소 화합물이다. 실릴화제는, 예를 들면, HMDS(헥사메틸디실라잔), TMS(테트라메틸실란), 불소화알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 및 비(非)클로로계 소수화액 중 적어도 하나를 포함한다. 비클로로계 소수화액은, 예를 들면, 디메틸실릴디메틸아민, 디메틸실릴디에틸아민, 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 비스(디메틸아미노)디메틸실란, N,N-디메틸아미노트리메틸실란, N-(트리메틸실릴)디메틸아민 및 오르가노실란 화합물 중 적어도 하나를 포함한다.The third liquid discharge unit 753n is, for example, a discharge port (also referred to as a third discharge port) 753o in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 . By discharging the processing liquid (also referred to as the third processing liquid) from the , the third processing liquid is supplied onto the upper surface Wu. The third liquid discharge unit 753n includes, for example, a nozzle such as a straight nozzle that discharges the third processing liquid in a continuous flow state. The third treatment liquid includes, for example, a hydrophobization liquid. The hydrophobizing liquid includes, for example, a silicone-based hydrophobicizing liquid. The silicone-based hydrophobizing solution is a hydrophobicizing solution for hydrophobizing silicon (Si) itself and a compound containing silicon. The silicone-based hydrophobic liquid is, for example, a silane coupling agent (also referred to as a silylating agent). This silylating agent has, for example, an ethoxy (or methoxy) group that imparts a silanol group (Si-OH) to one end of the molecule by hydrolysis, and an organic functional group such as an amino group or glycidyl group at the other end. It is a silicon compound. The silylating agent includes, for example, at least one of HMDS (hexamethyldisilazane), TMS (tetramethylsilane), fluorinated alkylchlorosilane, alkyldisilazane, and a non-chloro-based hydrophobic solution. The non-chloro-based hydrophobic solution is, for example, dimethylsilyldimethylamine, dimethylsilyldiethylamine, hexamethyldisilazane, tetramethyldisilazane, bis(dimethylamino)dimethylsilane, N,N-dimethylaminotrimethylsilane , N-(trimethylsilyl)dimethylamine and at least one of an organosilane compound.

제3 액 공급로(753p)는, 제3 처리액의 공급원(제3 공급원이라고도 한다)과 제3 액 토출부(753n)를 접속하고 있다. 제3 액 공급로(753p)에는, 예를 들면, 각종 배관 등이 적용된다. 제3 공급원은, 예를 들면, 실릴화제 등의 소수화액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 소수화액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다.The third liquid supply path 753p connects a supply source of the third processing liquid (also referred to as a third supply source) and the third liquid discharge unit 753n. Various piping etc. are applied to the 3rd liquid supply path 753p, for example. The third supply source includes, for example, a tank storing a hydrophobization liquid such as a silylating agent and a mechanism such as a pump for discharging the hydrophobicization liquid from the tank.

제3 변경부(753v)는, 제3 액 공급로(753p)의 도중에 위치하고, 예를 들면, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경한다. 제3 변경부(753v)는, 예를 들면, 조임 정도(개도라고도 한다)를 조정함으로써 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 것이 가능한 니들 밸브 등의 유량 제어 밸브를 포함한다. 유량 제어 밸브에 있어서의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 모터의 위치를 나타내는 펄스 수 등에 의해 나타내어진다. 유량 제어 밸브의 조임 정도(개도)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 펄스 수 등에 관한 동작 지령에 따라 변경된다. 이 때문에, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 변경부(753v)의 개도를 제어함으로써, 제3 액 토출부(753n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제3 처리액의 토출의 유무를 제어할 수 있음과 더불어, 제3 액 토출부(753n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 제3 처리액이 토출되는 속도(토출 속도) 및 제3 액 토출부(753n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 단위 시간당 제3 처리액이 토출되는 양(토출량이라고도 한다)을 변경할 수 있다.The third change unit 753v is located in the middle of the third liquid supply path 753p and changes, for example, the supply amount of the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n per unit time. The third changing unit 753v is a needle capable of changing the supply amount per unit time of the third treatment liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n by adjusting the degree of tightening (also referred to as an opening degree), for example. and a flow control valve such as a valve. The tightening degree (opening degree) in the flow control valve is expressed by, for example, the number of pulses indicating the position of the motor. The tightening degree (opening degree) of the flow control valve is changed according to, for example, an operation command regarding the number of pulses from the control unit 9 . For this reason, for example, the control unit 9 controls the opening degree of the third change unit 753v to perform a third process on the upper surface Wu of the substrate W from the third liquid discharge unit 753n. In addition to being able to control whether the liquid is discharged or not, the speed at which the third processing liquid is discharged from the third liquid discharge unit 753n onto the upper surface Wu of the substrate W (discharge rate) and the third liquid It is possible to change the amount (also referred to as a discharge amount) that the third processing liquid is discharged per unit time from the discharge unit 753n onto the upper surface Wu of the substrate W.

도 7에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)는, 예를 들면, 처리 챔버(7w)에 설치된 제1 이동 기구(751m)에 연결되어 있다. 제1 이동 기구(751m)는, 제1 액 토출부(751n)를 이동시키는 부분(제3 구동부)의 일례이다.As shown in FIG. 7 , the first liquid discharge unit 751n is connected to, for example, a first moving mechanism 751m provided in the processing chamber 7w. The first moving mechanism 751m is an example of a portion (third driving unit) that moves the first liquid discharge unit 751n.

제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 연직 방향을 따라 연장되는 가상적인 축(가상축이라고도 한다)(751a)을 중심으로 하여 제1 액 토출부(751n)를 회동시킨다. 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 가상축(751a)을 중심으로 하여 회동 가능하게 지지되어 있는 아암과, 이 아암을 회동시키는 모터 등을 포함한다. 이에 의해, 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출구(751o)를, 유지부(720)의 외주부의 상방 또는 그 근방의 위치(제1 내측 위치라고도 한다)와, 제1 내측 위치보다 회전축(72a)으로부터 멀어진 위치(제1 외측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다. 도 7에는, 제1 외측 위치에 위치하고 있는 제1 액 토출부(751n)가 실선으로 그려지고, 제1 내측 위치에 위치하고 있는 제1 액 토출부(751n)가 2점 쇄선으로 그려져 있다.The first moving mechanism 751m rotates the first liquid discharge unit 751n about, for example, a virtual axis (also referred to as a virtual axis) 751a extending in the vertical direction. The first moving mechanism 751m includes, for example, an arm supported rotatably about the virtual axis 751a, a motor that rotates the arm, and the like. Accordingly, the first moving mechanism 751m moves the first discharge port 751o of the first liquid discharge unit 751n to the holding unit 720 in response to an operation command from the control unit 9 , for example. It is moved between a position above or near the outer periphery (also referred to as a first inner position) and a position further away from the rotation shaft 72a than the first inner position (also referred to as a first outer position). In FIG. 7 , the first liquid discharge unit 751n located at the first outer position is drawn with a solid line, and the first liquid discharge unit 751n located at the first inner position is drawn with a two-dot chain line.

또, 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)를 연직 방향을 따라 승강시킨다. 제1 이동 기구(751m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 제1 이동 기구(751m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출구(751o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면에 근접한 위치(제1 하측 위치라고도 한다)와, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면으로부터 상방으로 멀어진 위치(제1 상측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다. 여기서, 제1 토출구(751o)가, 제1 내측 위치에 배치되며 또한 제1 하측 위치에 배치되어 있으면, 제1 액 토출부(751n)는, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해 제1 처리액을 토출하는 위치(제1 토출 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 이때, 예를 들면, 제1 토출구(751o)는, 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 위치하고 있지 않아도 되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 외주부의 상방에 위치하고 있어도 된다. 또, 제1 토출구(751o)가, 제1 외측 위치에 배치되며 또한 제1 상측 위치에 배치되어 있으면, 제1 액 토출부(751n)는, 유지부(720) 상 또는 그 근방으로부터 퇴피된 위치(제1 퇴피 위치라고도 한다)에 배치되어 있다.Also, the first moving mechanism 751m raises and lowers the first liquid discharge unit 751n in the vertical direction, for example. Various mechanisms, such as a ball screw mechanism and an air cylinder, are applicable to the 1st moving mechanism 751m, for example. Accordingly, the first moving mechanism 751m sets the first discharge port 751o of the first liquid discharge unit 751n to the holding unit 720 according to an operation command from the control unit 9 , for example. From a position close to the imaginary plane along the upper surface Wu of the held substrate W (also referred to as a first lower position) and an imaginary plane along the upper surface Wu of the substrate W held by the holding unit 720 . It is moved between the positions farther upward (also referred to as the first upper position). Here, when the first discharge port 751o is disposed at the first inner position and at the first lower position, the first liquid discharge unit 751n is disposed in the first position with respect to the upper surface Wu of the substrate W. It is disposed at a position at which the processing liquid is discharged (also referred to as a first discharge position). At this time, for example, the first discharge port 751o may not be located above the upper surface Wu of the substrate W, or may be located above the outer peripheral portion of the upper surface Wu of the substrate W. In addition, when the first discharge port 751o is disposed at the first outer position and at the first upper position, the first liquid discharge unit 751n is retracted from the holding unit 720 or its vicinity. (also referred to as the first evacuation position).

도 7에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n) 각각은, 예를 들면, 처리 챔버(7w)에 설치된 제2 이동 기구(752m)에 연결되어 있다. 제2 이동 기구(752m)는, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 이동시키는 부분(제3 구동부)의 일례이다.7 , each of the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n is connected to, for example, a second movement mechanism 752m provided in the processing chamber 7w. . The second moving mechanism 752m is an example of a portion (third driving unit) that moves the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n.

제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 연직 방향을 따라 연장되는 가상적인 축(가상축이라고도 한다)(752a)을 중심으로 하여 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 회동시킨다. 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 가상축(752a)을 중심으로 하여 회동 가능하게 지지되어 있는 아암과, 이 아암을 회동시키는 모터 등을 포함한다. 이에 의해, 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제2 액 토출부(752n)의 제2 토출구(752o)를, 유지부(720)의 외주부의 상방 또는 그 근방의 위치(제2 내측 위치라고도 한다)와, 제2 내측 위치보다 회전축(72a)으로부터 멀어진 위치(제2 외측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킴과 더불어, 제3 액 토출부(753n)의 제3 토출구(753o)를, 유지부(720)의 외주부의 상방 또는 그 근방의 위치(제3 내측 위치라고도 한다)와, 제3 내측 위치보다 회전축(72a)으로부터 멀어진 위치(제3 외측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다. 도 7에는, 제2 외측 위치에 위치하고 있는 제2 액 토출부(752n) 및 제3 외측 위치에 위치하고 있는 제3 액 토출부(753n)가 실선으로 그려지고, 제2 내측 위치에 위치하고 있는 제2 액 토출부(752n) 및 제3 내측 위치에 위치하고 있는 제3 액 토출부(753n)가 2점 쇄선으로 그려져 있다.The second moving mechanism 752m has, for example, a second liquid discharge unit 752n and a third liquid discharge unit ( 753n) is rotated. The second movement mechanism 752m includes, for example, an arm supported rotatably about the virtual axis 752a, a motor for rotating this arm, and the like. Accordingly, the second movement mechanism 752m moves the second discharge port 752o of the second liquid discharge unit 752n to the holding unit 720 in response to an operation command from the control unit 9 , for example. The third liquid discharge unit is moved between a position above or near the outer periphery (also referred to as a second inner position) and a position further away from the rotation shaft 72a than the second inner position (also referred to as a second outer position). The third discharge port 753o of (753n) is positioned above or near the outer periphery of the holding part 720 (also referred to as a third inner position), and at a position further away from the rotational shaft 72a than the third inner position (the third inner position). 3 It is also referred to as the outer position). In FIG. 7 , the second liquid discharge unit 752n located at the second outer position and the third liquid discharge unit 753n located at the third outer position are drawn with solid lines, and the second liquid discharge unit 752n located at the second inner position is drawn with solid lines. The liquid discharge part 752n and the third liquid discharge part 753n located at the third inner position are drawn by a dashed-dotted line.

또, 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 연직 방향을 따라 승강시킨다. 제2 이동 기구(752m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 제2 이동 기구(752m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 제2 액 토출부(752n)의 제2 토출구(752o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면에 근접한 위치(제2 하측 위치라고도 한다)와, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면으로부터 상방으로 멀어진 위치(제2 상측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킴과 더불어, 제3 액 토출부(753n)의 제3 토출구(753o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면에 근접한 위치(제3 하측 위치라고도 한다)와, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 가상 평면으로부터 상방으로 멀어진 위치(제3 상측 위치라고도 한다) 사이에서 이동시킨다.Also, the second moving mechanism 752m raises and lowers the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n in the vertical direction, for example. Various mechanisms, such as a ball screw mechanism or an air cylinder, are applicable to the 2nd moving mechanism 752m, for example. Accordingly, the second movement mechanism 752m sets the second discharge port 752o of the second liquid discharge unit 752n to the holding unit 720 according to, for example, an operation command from the control unit 9 . From a position close to the imaginary plane along the upper surface Wu of the held substrate W (also referred to as a second lower position) and an imaginary plane along the upper surface Wu of the substrate W held by the holding unit 720 . The upper surface of the substrate W held by the holding unit 720 is moved between the positions farther upward (also referred to as the second upper position) and the third discharge port 753o of the third liquid discharge unit 753n is moved. A position close to the imaginary plane along Wu (also referred to as a third lower position) and a position away upward from the imaginary plane along the upper surface Wu of the substrate W held by the holding unit 720 (third upper side) also called position).

여기서, 제2 토출구(752o)가, 제2 내측 위치에 배치되며 또한 제2 하측 위치에 배치되어 있으면, 제2 액 토출부(752n)는, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해 제2 처리액을 토출하는 위치(제2 토출 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 이때, 예를 들면, 제2 토출구(752o)는, 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 위치하고 있지 않아도 되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 외주부의 상방에 위치하고 있어도 된다. 또, 제2 토출구(752o)가, 제2 외측 위치에 배치되며 또한 제2 상측 위치에 배치되어 있으면, 제2 액 토출부(752n)는, 유지부(720) 상 또는 그 근방으로부터 퇴피된 위치(제2 퇴피 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 또, 제3 토출구(753o)가, 제3 내측 위치에 배치되며 또한 제3 하측 위치에 배치되어 있으면, 제3 액 토출부(753n)는, 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 제3 처리액을 토출하는 위치(제3 토출 위치라고도 한다)에 배치되어 있다. 이때, 예를 들면, 하방향을 향해 평면에서 봤을 때, 제3 토출구(753o)는, 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 위치하고 있지 않아도 되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 외주부의 상방에 위치하고 있어도 된다. 또, 제3 토출구(753o)가, 제3 외측 위치에 배치되며 또한 제3 상측 위치에 배치되어 있으면, 제3 액 토출부(753n)는, 유지부(720) 상 또는 그 근방으로부터 퇴피된 위치(제3 퇴피 위치라고도 한다)에 배치되어 있다.Here, when the second discharge port 752o is disposed at the second inner position and at the second lower position, the second liquid discharge unit 752n is disposed in the second position with respect to the upper surface Wu of the substrate W. It is disposed at a position at which the processing liquid is discharged (also referred to as a second discharge position). At this time, for example, the second discharge port 752o may not be located above the upper surface Wu of the substrate W, or may be located above the outer peripheral portion of the upper surface Wu of the substrate W. In addition, when the second discharge port 752o is disposed at the second outer position and at the second upper position, the second liquid discharge unit 752n is at a position retracted from on or near the holding unit 720 . (also referred to as the second evacuation position). In addition, when the third discharge port 753o is disposed at the third inner position and at the third lower position, the third liquid discharge unit 753n moves toward the upper surface Wu of the substrate W. It is disposed at a position (also referred to as a third discharge position) for discharging the processing liquid. At this time, for example, when viewed in the downward direction in a plan view, the third discharge port 753o does not need to be located above the upper surface Wu of the substrate W, and the upper surface Wu of the substrate W You may be located above the outer peripheral part. In addition, when the third discharge port 753o is disposed at the third outer position and at the third upper position, the third liquid discharge unit 753n is located on or near the holding unit 720 , retracted from the position. (also referred to as the third evacuation position).

또, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 각 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)를 구비하고 있다.Moreover, as shown in FIG. 6, each processing unit 7 is equipped with the atmosphere control member 74, for example.

분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급한다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 공간에 있어서의 산소 농도 및 습기의 저하 등을 도모할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 공급되는 각종 처리액에 대한 산소 및 습기에 의한 악영향이 생기기 어려워진다. 구체적으로는, 여기서 말하는 악영향은, 예를 들면, 과도한 에칭에 의한 재료 손실, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 표층부의 산화, 소수화액에 있어서의 활성종의 감소(실활이라고도 한다), 소수화액의 도포성의 저하 및 린스액으로부터 용제로의 치환성의 저하 등을 포함할 수 있다.The atmosphere control member 74 supplies the inert gas onto the upper surface Wu in a state opposite to the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 , for example. Thereby, for example, the oxygen concentration in the space along the upper surface Wu of the board|substrate W, the fall of moisture, etc. can be aimed at. As a result, for example, it becomes difficult to produce adverse effects due to oxygen and moisture to various processing liquids supplied on the upper surface Wu of the substrate W. Specifically, the adverse effects mentioned herein include, for example, material loss due to excessive etching, oxidation of the surface layer portion along the upper surface Wu of the substrate W, reduction of active species in the hydrophobicization solution (also referred to as deactivation), A decrease in the applicability of the hydrophobic solution and a decrease in the substitutability of the rinsing solution to the solvent may be included.

제1 실시 형태에서는, 분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로, 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하는 판형상의 부분(차단판이라고도 한다)(741)을 포함한다. 차단판(741)은, 예를 들면, 회전축(72a)이 중심을 지나는 원판형상의 부재이다. 차단판(741)의 하면(74b)은, 기판(W)의 상면(Wu)과 대략 평행하게 대향하는 면이 되어 있고, 기판(W)의 직경과 동등 이상의 크기를 갖는다. 이 차단판(741)에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.In the first embodiment, the atmosphere control member 74 is, for example, covered with the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 , and the upper surface Wu and the atmosphere A plate-shaped portion (also referred to as a blocking plate) 741 for supplying an inert gas between the control members 74 is included. The blocking plate 741 is, for example, a disk-shaped member through which the rotation shaft 72a passes through the center. The lower surface 74b of the blocking plate 741 is a surface substantially parallel to and opposed to the upper surface Wu of the substrate W, and has a size equal to or greater than the diameter of the substrate W. With this blocking plate 741, for example, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또, 분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 지지축(742)을 갖는다. 지지축(742)의 하단부에, 차단판(741)이 대략 수평 자세로 장착된 상태에 있다. 지지축(742)에는, 예를 들면, 아암(743) 및 제3 이동 기구(74m)가 순차적으로 연결되어 있다. 아암(743)은, 예를 들면, 수평 방향으로 연장되어 있는 상태이며, 지지축(742)을 유지하고 있는 상태에 있다. 제3 이동 기구(74m)에는, 예를 들면, 볼 나사 기구 또는 에어 실린더 등의 다양한 기구를 적용할 수 있다. 이에 의해, 제3 이동 기구(74m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 아암(743), 지지축(742) 및 차단판(741)을 연직 방향을 따라 승강시킨다. 제3 이동 기구(74m)는, 예를 들면, 제어부(9)로부터의 동작 지령에 따라, 차단판(741)을 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 근접시킨 위치(근접 위치라고도 한다) 또는 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 이격시킨 위치(이격 위치라고도 한다)에 배치시킬 수 있다. 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 이동 기구(74m)의 동작을 제어함으로써, 처리 유닛(7)에 대해 기판(W)을 반출입시킬 때에는, 도 6에서 나타내어지는 바와 같이, 차단판(741)을 회전 유지 기구(72)로부터 상방향(+Y방향)으로 이격한 이격 위치로 상승시키는 한편, 처리 유닛(7)에 있어서 기판(W)에 대해 소정의 기판 처리를 실시할 때에는, 차단판(741)을 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 근접한 근접 위치까지 하강시킨다. 차단판(741)이 근접 위치까지 하강된 상태는, 예를 들면, 후술하는 도 8(a) 및 도 9(a)에 나타내어져 있다.Moreover, the atmosphere control member 74 has the support shaft 742, for example. At the lower end of the support shaft 742 , the blocking plate 741 is mounted in a substantially horizontal position. An arm 743 and a third movement mechanism 74m are sequentially connected to the support shaft 742 , for example. The arm 743 is in a state extending in the horizontal direction, for example, and is in a state holding the support shaft 742 . Various mechanisms, such as a ball screw mechanism or an air cylinder, are applicable to the 3rd movement mechanism 74m, for example. Thereby, the 3rd movement mechanism 74m raises and lowers the arm 743, the support shaft 742, and the blocking plate 741 along the vertical direction according to the operation command from the control part 9, for example. . The third moving mechanism 74m is configured to bring the blocking plate 741 close to the upper surface Wu of the substrate W held by the holding unit 720 in response to an operation command from the control unit 9 , for example. It may be disposed at a position (also referred to as a proximal position) or a position spaced apart from the upper surface Wu of the substrate W held by the holding unit 720 (also referred to as a spaced position). For example, when the control unit 9 controls the operation of the third movement mechanism 74m to carry the substrate W into and out of the processing unit 7 , as shown in FIG. 6 , the blocking plate ( While raising the 741 to a position spaced apart from the rotation holding mechanism 72 in the upward direction (+Y direction), in the processing unit 7 , when a predetermined substrate processing is performed on the substrate W, block The plate 741 is lowered to a position close to the upper surface Wu of the substrate W held by the holding part 720 . A state in which the blocking plate 741 is lowered to the proximity position is shown, for example, in FIGS. 8(a) and 9(a), which will be described later.

또, 분위기 제어 부재(74)는, 예를 들면, 차단판(741)의 하면(74b)의 중앙부로부터 처리액을 하방으로 토출하는 중심 노즐군(74n)을 포함한다. 중심 노즐군(74n)은, 예를 들면, 차단판(741) 및 기판(W)의 중심을 지나는 가상적인 회전축(72a)을 따라 연직 방향으로 연장되어 있다. 중심 노즐군(74n)은, 유지부(720)의 상방에 배치되어 있다. 중심 노즐군(74n)은, 차단판(741) 및 지지축(742)과 함께 승강한다. 지지축(742)은, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 통형상의 형상을 갖고, 연직 방향을 따라 관통하고 있는 관통 구멍을 갖는다. 지지축(742)의 관통 구멍은, 차단판(741)의 중앙부를 연직 방향을 따라 관통하는 관통 구멍에 연통하고 있다. 차단판(741)의 관통 구멍은, 차단판(741)의 하면(74b)의 중앙부에서 개구되어 있다. 중심 노즐군(74n)은, 지지축(742)의 관통 구멍 내의 공간에 삽입된 상태로 위치하고 있다. 중심 노즐군(74n)의 하면은, 차단판(741)의 하면(74b)과 같은 높이 또는 차단판(741)의 하면(74b)보다 상방에 위치하고 있다.Further, the atmosphere control member 74 includes, for example, a central nozzle group 74n that discharges the processing liquid downward from the central portion of the lower surface 74b of the blocking plate 741 . The center nozzle group 74n extends in the vertical direction along an imaginary rotation axis 72a passing through the center of the blocking plate 741 and the substrate W, for example. The center nozzle group 74n is arranged above the holding part 720 . The center nozzle group 74n moves up and down together with the blocking plate 741 and the support shaft 742 . The support shaft 742 has a cylindrical shape extending along the vertical direction, and has a through hole passing through it along the vertical direction. The through hole of the support shaft 742 communicates with a through hole penetrating the central portion of the blocking plate 741 in the vertical direction. The through hole of the blocking plate 741 is opened in the central portion of the lower surface 74b of the blocking plate 741 . The center nozzle group 74n is positioned in a state inserted into the space in the through hole of the support shaft 742 . The lower surface of the center nozzle group 74n is located at the same height as the lower surface 74b of the blocking plate 741 or above the lower surface 74b of the blocking plate 741 .

중심 노즐군(74n)은, 예를 들면, 회전축(72a)을 따라 연직 방향으로 연장되어 있는 공통의 케이스 내에 수용된 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n)을 포함한다. 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n)은, 각각 회전축(72a)을 따라 연직 방향으로 연장되어 있다. 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n) 각각은, 예를 들면, 연직 방향을 따른 직관으로 구성되어 있다. 제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n) 각각의 하단에 형성된 개구(토출구)는, 차단판(741)의 하면(74b)과 같은 높이 또는 차단판(741)의 하면(74b)보다 상방에 배치되어 있다.The center nozzle group 74n includes, for example, a first center nozzle 747n, a second center nozzle 748n, and a third center nozzle (748n) accommodated in a common case extending in the vertical direction along the rotation axis 72a. 749n). The 1st center nozzle 747n, the 2nd center nozzle 748n, and the 3rd center nozzle 749n extend in the vertical direction along the rotation axis 72a, respectively. Each of the 1st center nozzle 747n, the 2nd center nozzle 748n, and the 3rd center nozzle 749n is comprised with the straight pipe along a perpendicular direction, for example. The opening (discharge port) formed at the lower ends of each of the first center nozzle 747n, the second center nozzle 748n, and the third center nozzle 749n is the same height as the lower surface 74b of the blocking plate 741 or the blocking plate It is arrange|positioned above the lower surface 74b of 741.

제1 중심 노즐(747n)은, 제1 액체 밸브(747v)가 도중에 설치된 제1 액체 공급로(747p)에 접속되어 있다. 제1 액체 공급로(747p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제1 액체 공급로(747p)는, 제4 처리액으로서의 순수(DIW：De-Ionized water) 등의 린스액을 공급하는 공급원(제4 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 제4 공급원은, 예를 들면, 제4 처리액으로서의 DIW 등의 린스액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 린스액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제1 액체 밸브(747v)가 열리면, 제4 공급원으로부터 제1 액체 공급로(747p)를 통해 제1 중심 노즐(747n)에 공급된 제4 처리액으로서의 린스액이, 제1 중심 노즐(747n)의 토출구로부터 하방으로 토출된다.The first center nozzle 747n is connected to a first liquid supply path 747p in which a first liquid valve 747v is provided on the way. A pipe is applied to the first liquid supply path 747p, for example. Further, the first liquid supply path 747p is connected to a supply source (also referred to as a fourth supply source) that supplies a rinse liquid such as deionized water (DIW) as the fourth processing liquid. The fourth supply source includes, for example, a tank storing a rinsing liquid such as DIW as the fourth processing liquid, and a mechanism such as a pump for discharging the rinsing liquid from the tank. Here, for example, when the first liquid valve 747v is opened according to an operation command of the control unit 9, the liquid supplied from the fourth supply source to the first central nozzle 747n through the first liquid supply path 747p is supplied. The rinse liquid as the fourth processing liquid is discharged downward from the discharge port of the first central nozzle 747n.

제2 중심 노즐(748n)은, 제2 액체 밸브(748v)가 도중에 설치된 제2 액체 공급로(748p)에 접속되어 있다. 제2 액체 공급로(748p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제2 액체 공급로(748p)는, 제5 처리액으로서의 소수화액을 공급하는 공급원(제5 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 제5 공급원은, 예를 들면, 실릴화제 등의 소수화액을 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 소수화액을 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다. 제5 처리액은, 제3 처리액과 동일해도 되고, 제3 처리액과 상이해도 된다. 제5 공급원은, 예를 들면, 제3 공급원과 동일해도 되고, 제3 공급원과 상이해도 된다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제2 액체 밸브(748v)가 열리면, 제5 공급원으로부터 제2 액체 공급로(748p)를 통해 제2 중심 노즐(748n)에 공급된 제5 처리액으로서의 소수화액이, 제2 중심 노즐(748n)의 토출구로부터 하방으로 토출된다.The second center nozzle 748n is connected to a second liquid supply path 748p in which a second liquid valve 748v is provided on the way. A pipe is applied to the second liquid supply path 748p, for example. Further, the second liquid supply path 748p is connected to a supply source (also referred to as a fifth supply source) for supplying the hydrophobicization liquid as the fifth processing liquid. The fifth supply source includes, for example, a tank storing a hydrophobicization liquid such as a silylating agent and a mechanism such as a pump for discharging the hydrophobicizing liquid from the tank. The 5th processing liquid may be the same as the 3rd processing liquid, and may be different from the 3rd processing liquid. The fifth source may be, for example, the same as the third source or different from the third source. Here, for example, when the second liquid valve 748v is opened according to an operation command of the control unit 9, the liquid supplied from the fifth supply source to the second central nozzle 748n through the second liquid supply path 748p is supplied. The hydrophobicization liquid as the fifth processing liquid is discharged downward from the discharge port of the second central nozzle 748n.

제3 중심 노즐(749n)은, 제3 액체 밸브(749v)가 도중에 설치된 제3 액체 공급로(749p)에 접속되어 있다. 제3 액체 공급로(749p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제3 액체 공급로(749p)는, 제6 처리액으로서의 용제를 공급하는 공급원(제6 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 제6 공급원은, 예를 들면, IPA 등의 용제를 저류하고 있는 탱크 및 이 탱크로부터 용제를 송출하기 위한 펌프 등의 기구를 포함한다. 제6 처리액은, 제2 처리액과 동일해도 되고, 제2 처리액과 상이해도 된다. 제6 공급원은, 예를 들면, 제2 공급원과 동일해도 되고, 제2 공급원과 상이해도 된다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제3 액체 밸브(749v)가 열리면, 제6 공급원으로부터 제3 액체 공급로(749p)를 통해 제3 중심 노즐(749n)에 공급된 제6 처리액으로서의 용제가, 제3 중심 노즐(749n)의 토출구로부터 하방으로 토출된다.The third center nozzle 749n is connected to a third liquid supply path 749p in which a third liquid valve 749v is provided on the way. A pipe is applied to the third liquid supply path 749p, for example. Further, the third liquid supply path 749p is connected to a supply source (also referred to as a sixth supply source) for supplying a solvent as the sixth processing liquid. The sixth supply source includes, for example, a tank storing a solvent such as IPA and a mechanism such as a pump for discharging the solvent from the tank. The sixth processing liquid may be the same as the second processing liquid or different from the second processing liquid. The sixth source may be, for example, the same as the second source or different from the second source. Here, for example, when the third liquid valve 749v is opened according to an operation command of the control unit 9, the liquid supplied from the sixth supply source to the third central nozzle 749n through the third liquid supply path 749p is supplied. The solvent as the sixth processing liquid is discharged downward from the discharge port of the third central nozzle 749n.

제1 중심 노즐(747n), 제2 중심 노즐(748n) 및 제3 중심 노즐(749n)은, 중심 노즐군(74n) 주위에 형성된 통형상의 가스 유로를 갖는 기체 노즐(745n)에 의해 둘러싸여 있다. 기체 노즐(745n)의 하단은, 중심 노즐군(74n)을 둘러싸도록 배치된 환상의 개구(환상 개구라고도 한다)를 형성하고 있다. 기체 노즐(745n)은, 제1 기체 밸브(745v)가 도중에 설치된 제1 기체 공급로(745p)에 접속되어 있다. 제1 기체 공급로(745p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제1 기체 공급로(745p)는, 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 공급원(가스 공급원이라고도 한다)에 접속되어 있다. 가스 공급원은, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스를 저류하고 있는 봄베 및 압력 레귤레이터 등을 포함한다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 제1 기체 밸브(745v)가 열리면, 가스 공급원으로부터 제1 기체 공급로(745p)를 통해 기체 노즐(745n)에 공급된 질소 가스 등의 불활성 가스가, 기체 노즐(745n)의 환상 개구로부터 하방으로 토출된다. 여기서, 예를 들면, 차단판(741)이 근접 위치 및 이격 위치 중 어디에 위치하고 있는 상태에 있어도, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 기체 노즐(745n)의 환상 개구로부터 하방으로 토출할 수 있다. 단, 차단판(741)이 이격 위치에 위치하고 있는 상태보다, 차단판(741)이 근접 위치에 위치하고 있는 상태에 있으면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 기체 노즐(745n)의 환상 개구로부터 하방으로 토출함으로써, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu) 상의 분위기를, 예를 들면, 산소 농도가 보다 낮고, 습기가 보다 적은 질소 가스 등의 불활성 가스로 치환할 수 있다. 즉, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행할 수 있다.The first center nozzle 747n, the second center nozzle 748n, and the third center nozzle 749n are surrounded by a gas nozzle 745n having a cylindrical gas flow path formed around the center nozzle group 74n. . The lower end of the gas nozzle 745n forms an annular opening (also referred to as an annular opening) arranged to surround the central nozzle group 74n. The gas nozzle 745n is connected to a first gas supply path 745p in which a first gas valve 745v is provided on the way. A pipe is applied to the first gas supply path 745p, for example. Further, the first gas supply path 745p is connected to a supply source (also referred to as a gas supply source) for supplying an inert gas such as nitrogen gas. The gas supply source includes, for example, a cylinder storing an inert gas such as nitrogen gas, a pressure regulator, and the like. Here, for example, when the first gas valve 745v is opened according to an operation command of the control unit 9, nitrogen gas supplied from the gas supply source to the gas nozzle 745n through the first gas supply path 745p, etc. of the inert gas is discharged downward from the annular opening of the gas nozzle 745n. Here, for example, even in a state where the blocking plate 741 is located in any of the proximal position and the separated position, an inert gas such as nitrogen gas is supplied to the annular gas nozzle 745n according to the operation command of the control unit 9 . It is possible to discharge downward from the opening. However, if the blocking plate 741 is located closer to the position than the state in which the blocking plate 741 is located at a spaced apart position, an inert gas such as nitrogen gas is supplied with gas according to the operation command of the control unit 9 By discharging downward from the annular opening of the nozzle 745n, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W held by the holding portion 720 is, for example, nitrogen gas having a lower oxygen concentration and less moisture. It can be substituted with inert gas, such as That is, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be satisfactorily controlled by the supply of the inert gas from the atmosphere control member 74 .

또, 차단판(741)은, 예를 들면, 차단판(741)의 하면(74b)의 주연부에 있어서 개구되어 있는 복수의 가스 토출구(746o)와, 복수의 가스 토출구(746o) 각각에 접속된 가스 유로(746r)를 포함한다. 복수의 가스 토출구(746o)는, 예를 들면, 차단판(741)의 하면(74b)의 주연부에 있어서의 전역에 분포하고 있다. 가스 유로(746r)는, 차단판(741)의 내부에 설치되어 있다. 가스 유로(746r)는, 제2 기체 밸브(746v)가 도중에 설치된 제2 기체 공급로(746p)에 접속되어 있다. 제2 기체 공급로(746p)에는, 예를 들면, 배관이 적용된다. 또, 제2 기체 공급로(746p)는, 질소 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 공급원(가스 공급원)에 접속되어 있다. 가스 공급원은, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스를 저류하고 있는 봄베 및 압력 레귤레이터 등을 포함한다. 제1 기체 공급로(745p) 및 제2 기체 공급로(746p)는, 각각 동일한 가스 공급원에 접속되어 있어도 되고, 각각 다른 가스 공급원에 접속되어 있어도 된다. 여기에서는, 예를 들면, 제2 기체 밸브(746v)가 열리면, 질소 가스 등의 불활성 가스가, 가스 공급원으로부터 제2 기체 공급로(746p) 및 가스 유로(746r)를 통해 각 가스 토출구(746o)에 공급되고, 기판(W)의 상면(Wu)의 주연부를 향해 각 가스 토출구(746o)로부터 하방으로 토출된다. 여기서, 예를 들면, 차단판(741)이 근접 위치 및 이격 위치 중 어디에 위치하고 있는 상태에 있어도, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 복수의 가스 토출구(746o)로부터 하방으로 토출할 수 있다. 단, 차단판(741)이 이격 위치에 위치하고 있는 상태보다, 차단판(741)이 근접 위치에 위치하고 있는 상태에 있으면, 제어부(9)의 동작 지령에 따라, 질소 가스 등의 불활성 가스를, 복수의 가스 토출구(746o)로부터 하방으로 토출함으로써, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu) 상의 분위기를, 예를 들면, 산소 농도가 보다 낮고, 습기가 보다 적은 질소 가스 등의 불활성 가스로 치환할 수 있다. 즉, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행할 수 있다.In addition, the blocking plate 741 includes, for example, a plurality of gas discharge ports 746o opened at the periphery of the lower surface 74b of the blocking plate 741 and a plurality of gas discharge ports 746o connected to each of the plurality of gas discharge ports 746o. and a gas flow path 746r. The plurality of gas discharge ports 746o are distributed, for example, over the entire periphery of the lower surface 74b of the blocking plate 741 . The gas flow path 746r is provided inside the blocking plate 741 . The gas flow path 746r is connected to a second gas supply path 746p in which a second gas valve 746v is provided on the way. A pipe is applied to the second gas supply path 746p, for example. Moreover, the 2nd gas supply path 746p is connected to the supply source (gas supply source) which supplies inert gas, such as nitrogen gas. The gas supply source includes, for example, a cylinder storing an inert gas such as nitrogen gas, a pressure regulator, and the like. The first gas supply path 745p and the second gas supply path 746p may be connected to the same gas supply source, respectively, or may be connected to different gas supply sources, respectively. Here, for example, when the second gas valve 746v is opened, an inert gas such as nitrogen gas flows from the gas supply source through the second gas supply path 746p and the gas flow path 746r to each gas outlet 746o. is supplied to, and is discharged downward from each gas discharge port 746o toward the periphery of the upper surface Wu of the substrate W. Here, for example, even in a state where the blocking plate 741 is located at any of the proximal position and the separated position, an inert gas such as nitrogen gas is supplied to the plurality of gas discharge ports 746o according to an operation command of the control unit 9 . It can be discharged downward from the However, if the blocking plate 741 is located closer to the position than the state in which the blocking plate 741 is located at a spaced apart position, a plurality of inert gas such as nitrogen gas is supplied according to the operation command of the control unit 9 . By discharging downward from the gas discharge port 746o of can be replaced with an inert gas of That is, the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be satisfactorily controlled by the supply of the inert gas from the atmosphere control member 74 .

또, 처리 유닛(7)은, 예를 들면, 팬 필터 유닛(FFU)(7f)을 구비한다. FFU(7f)는, 기판 처리 장치(1)가 설치되어 있는 클린룸 내의 공기를 더욱 청정화하여 처리 챔버(7w) 내의 공간에 공급할 수 있다. 이 FFU(7f)는, 예를 들면, 처리 챔버(7w)의 천정벽에 장착되어 있다. FFU(7f)는, 클린룸 내의 공기를 도입하여 처리 챔버(7w) 내에 송출하기 위한 팬 및 필터(예를 들면, HEPA 필터)를 구비하고 있고, 처리 챔버(7w) 내의 처리 공간에 청정 공기의 다운 플로를 형성할 수 있다. FFU(7f)로부터 공급된 청정 공기를 처리 챔버(7w) 내에 보다 균일하게 분산시키기 위해서, 다수의 분출 구멍을 형성한 펀칭 플레이트를 천정벽의 바로 아래에 배치해도 된다. 또, 예를 들면, 처리 챔버(7w)의 측벽의 일부이며 처리 챔버(7w)의 바닥벽의 근방에는, 배기 기구에 연통 접속되어 있는 배기 덕트(7e)가 설치되어 있다. 이에 의해, 예를 들면, FFU(7f)로부터 공급되어 처리 챔버(7w) 내를 흘러내린 청정 공기 중, 가드(73) 등의 근방을 통과한 공기는 배기 덕트(7e)를 통해 기판 처리 장치(1) 밖으로 배출된다. 또한, 예를 들면, 처리 챔버(7w) 내의 상부에 질소 가스 등의 불활성 가스를 도입하는 구성이 추가되어도 된다.Further, the processing unit 7 includes, for example, a fan filter unit (FFU) 7f. The FFU 7f may further purify the air in the clean room in which the substrate processing apparatus 1 is installed and supply it to the space in the processing chamber 7w. This FFU 7f is mounted on the ceiling wall of the processing chamber 7w, for example. The FFU 7f is provided with a fan and a filter (for example, HEPA filter) for introducing air from the clean room into the processing chamber 7w and sending the air into the processing chamber 7w, and provides clean air in the processing space in the processing chamber 7w. It can form a downflow. In order to more uniformly disperse the clean air supplied from the FFU 7f in the processing chamber 7w, a punching plate having a plurality of ejection holes formed therein may be disposed just below the ceiling wall. Also, for example, an exhaust duct 7e that is a part of a side wall of the processing chamber 7w and is connected to an exhaust mechanism is provided in the vicinity of the bottom wall of the processing chamber 7w. As a result, for example, from the clean air supplied from the FFU 7f and flowing down into the processing chamber 7w, the air passing through the vicinity of the guard 73 or the like passes through the exhaust duct 7e to the substrate processing apparatus ( 1) It is discharged outside. Also, for example, a configuration in which an inert gas such as nitrogen gas is introduced into the upper portion of the processing chamber 7w may be added.

<1-3. 제1~3 액 토출부로부터의 처리액의 토출><1-3. Discharge of the treatment liquid from the first to third liquid discharge units>

제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 동일한 양태로 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대해 처리액을 토출할 수 있다. 이 때문에, 여기에서는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상을 향해 제1 처리액을 토출하는 양태를 대표예로서 도시하면서 설명한다.The first liquid discharge unit 751n , the second liquid discharge unit 752n , and the third liquid discharge unit 753n may discharge the processing liquid onto the upper surface Wu of the substrate W in the same manner. . For this reason, here, a mode in which the first processing liquid is discharged from the first liquid discharge unit 751n toward the upper surface Wu of the substrate W will be described as a representative example.

도 8 및 도 9는, 각각 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 8(a) 및 도 9(a)는, 각각 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 8(b) 및 도 9(b)는, 각각 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 여기에서는, 도 8(a) 및 도 9(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 토출구(751o)는, 제1 내측 위치이고 또한 제1 하측 위치인 제1 토출 위치에 배치된 상태에 있다. 이 상태에 있어서, 제1 액 토출부(751n)는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 토출구(751o)로부터 제1 처리액(Lq1)을 토출할 수 있다. 또, 여기에서는, 도 8(a) 및 도 9(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 차단판(741)은, 근접 위치에 하강된 상태에 있다.8 and 9 are diagrams schematically illustrating a state in which the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W, respectively. 8A and 9A schematically show discharging the first processing liquid Lq1 from the first liquid discharging unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W, respectively. It is a side view showing 8(b) and 9(b) schematically show discharging the first processing liquid Lq1 from the first liquid discharging unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W, respectively. It is a plan view showing Here, as shown in Figs. 8(a) and 9(a), the first discharge port 751o is in a state arranged at the first discharge position which is a first inner position and a first lower position. In this state, the first liquid discharge unit 751n performs the first processing from the first discharge port 751o in the direction along the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 . The liquid Lq1 can be discharged. In addition, here, as shown in FIG.8(a) and FIG.9(a), the blocking plate 741 exists in the state lowered|falling to the proximity position.

여기서, 예를 들면, 제어부(9)는, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 제1 변경부(751v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이 공급되는 위치(액 공급 위치라고도 한다)가 변화된다. 액 공급 위치는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출된 제1 처리액(Lq1)이 기판(W)의 상면(Wu)에 최초로 도달하는 위치(착액 위치라고도 한다)이다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.Here, for example, the control unit 9 causes the first changing unit 751v to change the supply amount per unit time of the first treatment liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n, The discharge speed of the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n may be changed. Accordingly, for example, a position (also referred to as a liquid supply position) to which the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n is supplied on the upper surface Wu of the substrate W is changed. The liquid supply position is, for example, a position at which the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n first reaches the upper surface Wu of the substrate W (also referred to as a liquid landing position). When such a configuration is adopted, for example, the first liquid is discharged while the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is satisfactorily controlled by, for example, supply of an inert gas from the atmosphere control member 74 . The liquid supply position of the first processing liquid Lq1 in the wide area of the upper surface Wu of the substrate W can be scanned without swinging the portion 751n. Therefore, for example, control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduction of the non-uniformity of the processing on the upper surface Wu of the substrate W can be simultaneously realized.

예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 제2 변경부(752v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액이 공급되는 위치(액 공급 위치)가 변화한다. 이 액 공급 위치는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출된 제2 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)에 최초로 도달하는 위치(착액 위치)이다. 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 제3 변경부(753v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액이 공급되는 위치(액 공급 위치)가 변화한다. 이 액 공급 위치는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출된 제3 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)에 최초로 도달하는 위치(착액 위치)이다. 이들 제어에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제2 처리액 및 제3 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 따라서, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.For example, also with respect to the second liquid discharge unit 752n, the control unit 9 may change the supply amount of the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n per unit time to the second changing unit 752v. By changing the discharge speed of the second processing liquid discharged from the second liquid discharge unit 752n, the second liquid discharge unit 752n discharged from the upper surface Wu of the substrate W is changed. 2 The position at which the processing liquid is supplied (liquid supply position) changes. This liquid supply position is, for example, a position (liquid landing position) where the second processing liquid discharged from the second liquid discharge unit 752n first reaches the upper surface Wu of the substrate W . For example, also with respect to the third liquid discharge unit 753n, the control unit 9 sets the supply amount per unit time of the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n to the third changing unit 753v. by changing the discharging speed of the third processing liquid discharged from the third liquid discharging unit 753n, thereby changing the third liquid discharging unit 753n of the upper surface Wu of the substrate W. 3 The position at which the processing liquid is supplied (liquid supply position) changes. This liquid supply position is, for example, a position (liquid landing position) where the third processing liquid discharged from the third liquid discharge unit 753n first reaches the upper surface Wu of the substrate W . By these controls, for example, the second liquid discharge unit can be satisfactorily controlled in the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W by supply of an inert gas from the atmosphere control member 74 . It is possible to scan the liquid supply positions of the second processing liquid and the third processing liquid in a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without swinging the 752n and the third liquid discharge unit 753n. . Therefore, for example, control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduction of the non-uniformity of the processing on the upper surface Wu of the substrate W can be simultaneously realized.

여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)는, 도 8(a) 및 도 8(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙부 및 그 근방을 포함하는 영역(중앙 영역이라고도 한다)(A1) 내일 때보다, 도 9(a) 및 도 9(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 외주 단부측의 영역(단부측 영역이라고도 한다)(A2) 내일 때인 쪽이, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도가 작아지도록, 제1 변경부(751v)에 의해 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 저하시키는 양태가 생각된다. 여기에서는, 예를 들면, 상면(Wu)에 있어서의 회전축(72a) 상의 점(중심점이라고도 한다)으로부터 외연까지의 거리(반경)를 D로 하고, 3 이상의 정수를 N으로 했을 경우에, 상면(Wu) 중 중심점으로부터 D/N까지의 영역을 중앙 영역(A1)으로 할 수 있고, 상면(Wu) 중 외연으로부터 D/N까지의 영역을 단부측 영역(A2)으로 할 수 있다. N은, 바람직하게는, 5 이상이면 된다.Here, for example, as shown in FIGS. 8(a) and 8(b) , the control unit 9 is configured such that the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is located at the center of the upper surface Wu and the As shown in Figs. 9(a) and 9(b), the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is higher than that of the area (also referred to as the central area) A1 including the vicinity of the upper surface Wu. ) in the outer peripheral end region (also referred to as the end region) A2, the first change is such that the discharge speed of the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n becomes smaller. An aspect in which the supply amount per unit time of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge part 751n is reduced by the part 751v is conceivable. Here, for example, when the distance (radius) from a point (also referred to as a center point) on the rotation shaft 72a on the upper surface Wu to the outer edge is D, and an integer of 3 or more is N, the upper surface ( The area from the center point to D/N among Wu) can be made into the center area|region A1, and the area|region from the outer edge to D/N among the upper surface Wu can be made into the edge-side area|region A2. N is preferably 5 or more.

상기 양태가 채용되면, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제1 처리액(Lq1)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액튐이 발생하기 어렵다.If the above aspect is adopted, for example, a scan of the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 in a wide area from the central area A1 to the end-side area A2 among the upper surface Wu of the substrate W can be done Also, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the central region A1, the supply amount of the first processing liquid Lq1 on the upper surface Wu per unit time is relatively increased, The first processing liquid Lq1 is spread over a wide area on the upper surface Wu by rotation of the substrate W about the rotation shaft 72a. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the end-side region A2, the supply amount and the discharge rate of the first processing liquid Lq1 per unit time on the upper surface Wu are It is relatively reduced, and splashing of the first processing liquid Lq1 in the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge of the substrate W among the holding portions 720 is less likely to occur.

예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 대해서도, 제어부(9)가, 제2 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제2 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 속도가 작아지도록, 제2 변경부(752v)에 의해 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는 양태가 생각된다. 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 대해서도, 제어부(9)가, 제3 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제3 처리액의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 속도가 작아지도록, 제3 변경부(753v)에 의해 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는 양태가 생각된다. 이들 양태가 채용되어도, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제2 처리액 및 제3 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있음과 더불어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제2 처리액 및 제3 처리액의 액튐이 발생하기 어렵다.For example, also with respect to the second liquid discharging unit 752n, the control unit 9 controls the liquid of the second processing liquid to be lower than when the liquid supply position of the second processing liquid is within the central area A1 of the upper surface Wu. When the supply position is within the end-side region A2 of the upper surface Wu, the second changing unit 752v causes the discharging speed of the second processing liquid discharged from the second liquid discharging unit 752n to decrease. An aspect in which the supply amount per unit time of the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n is reduced is conceivable. For example, also with respect to the third liquid discharging unit 753n, the control unit 9 controls the liquid supply position of the third processing liquid to be lower than when the liquid supply position of the third processing liquid is within the central area A1 of the upper surface Wu. When the supply position is within the end-side region A2 of the upper surface Wu, the third changing unit 753v causes the discharging speed of the second processing liquid discharged from the third liquid discharging unit 753n to decrease. An aspect in which the supply amount per unit time of the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n is reduced is conceivable. Even if these aspects are employed, for example, the liquid supply position of the second processing liquid and the third processing liquid in a wide area from the central area A1 to the end-side area A2 among the upper surface Wu of the substrate W. can be scanned, and splashing of the second processing liquid and the third processing liquid in the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge of the substrate W among the holding unit 720 is less likely to occur. .

여기서, 예를 들면, 제어부(9)는, 제1 변경부(751v)에 의해 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1)과 단부측 영역(A2) 사이에서 복수 회 왕복시켜도 된다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행함으로써, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다. 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제2 변경부(752v)에 의해 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1)과 단부측 영역(A2) 사이에서 복수 회 왕복시켜도 된다. 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 대해서도, 제어부(9)는, 제3 변경부(753v)에 의해 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1)과 단부측 영역(A2) 사이에서 복수 회 왕복시켜도 된다.Here, for example, the control unit 9 increases/decreases the supply amount per unit time of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n by the first change unit 751v, so that the substrate The liquid supply position on the upper surface Wu of W may be reciprocated between the central region A1 and the end-side region A2 a plurality of times. Accordingly, for example, by scanning the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W a plurality of times, the upper surface Wu of the substrate W is The nonuniformity of a process can be reduced more. For example, also with respect to the second liquid discharge unit 752n, the control unit 9 controls the amount of the second processing liquid from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n by the second change unit 752v per unit time. By increasing or decreasing the supply amount, the liquid supply position on the upper surface Wu of the substrate W may be reciprocated between the central region A1 and the end-side region A2 a plurality of times. For example, also with respect to the third liquid discharge unit 753n, the control unit 9 controls the amount of the third processing liquid from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n by the third change unit 753v per unit time. By increasing or decreasing the supply amount, the liquid supply position on the upper surface Wu of the substrate W may be reciprocated between the central region A1 and the end-side region A2 a plurality of times.

여기에서는, 예를 들면, 기억부(94) 등에 기억된 처리 레시피 등에 있어서, 각 처리 유닛(7)에 대해, 제1 액 토출부(751n)에 관한 제1 변경부(751v)의 개도(펄스 수 등)의 최대값 및 최소값 그리고 개도의 변화에 필요로 하는 시간과, 제2 액 토출부(752n)에 관한 제2 변경부(752v)의 개도(펄스 수 등)의 최대값 및 최소값 그리고 개도의 변화에 필요로 하는 시간과, 제3 액 토출부(753n)에 관한 제3 변경부(753v)의 개도(펄스 수 등)의 최대값 및 최소값 그리고 개도의 변화에 필요로 하는 시간이 규정되어 있으면, 상기의 제어가 가능해진다. 처리 레시피에 있어서는, 예를 들면, 개도(펄스 수 등)와 더불어 처리액의 유량이 함께 규정되어 있어도 된다.Here, for example, in a processing recipe stored in the storage unit 94 or the like, the opening degree (pulse) of the first change unit 751v with respect to the first liquid discharge unit 751n for each processing unit 7 . number, etc.), the time required for change of the opening degree, and the maximum and minimum values and the opening degree of the opening degree (number of pulses, etc.) of the second changing part 752v with respect to the second liquid discharge part 752n The time required for the change of , the maximum and minimum values of the opening degree (number of pulses, etc.) of the third changing unit 753v with respect to the third liquid discharging unit 753n, and the time required for the change of the opening degree are specified. If there is, the above control becomes possible. In the process recipe, for example, the flow rate of the process liquid may be prescribed together with the opening degree (number of pulses, etc.).

또, 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)는, 제1 처리액(Lq1)이 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하도록, 제1 처리액(Lq1)을 토출한다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)는, 제2 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하도록 제2 처리액을 토출하고, 제3 액 토출부(753n)는, 제3 처리액이 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하도록 제3 처리액을 토출한다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제2 처리액 및 제3 처리액의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.Further, in the first embodiment, for example, in the first liquid discharge unit 751n, the first processing liquid Lq1 is disposed on the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here, The first processing liquid Lq1 is discharged so that the liquid lands on the upper surface Wu through the space between the lower surfaces 74b). Thereby, for example, in a state in which the atmosphere control member 74 is opposed to a wide range of the upper surface Wu of the substrate W, the control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is further improved. While strictly performing, the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 can be scanned over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without swinging the first liquid discharge unit 751n. Further, in the first embodiment, for example, in the second liquid discharge unit 752n, the second processing liquid is supplied to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here, the lower surface 74b). )) and discharges the second processing liquid so as to land on the upper surface Wu through the space between The third processing liquid is discharged through the space between the 74 (here, the lower surface 74b) so as to land on the upper surface Wu. Thereby, for example, in a state in which the atmosphere control member 74 is opposed to a wide range of the upper surface Wu of the substrate W, the control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is further improved. Strictly, the second processing liquid and the third processing liquid are mixed over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without swinging the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n. A scan of the liquid supply position can be performed.

또, 여기에서는, 예를 들면, 제1 토출구(751o)가, 연직 방향에 있어서 상면(Wu)보다 높고 또한 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 처리액(Lq1)을 토출하면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제1 처리액(Lq1)을 공급할 수 있다. 또, 예를 들면, 제2 토출구(752o)가, 연직 방향에 있어서 상면(Wu)보다 높고 또한 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 처리액을 토출하면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제2 처리액을 공급할 수 있다. 또, 예를 들면, 제3 토출구(753o)가, 연직 방향에 있어서 상면(Wu)보다 높고 또한 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 처리액을 토출하면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제3 처리액을 공급할 수 있다.Here, for example, the first discharge port 751o is disposed at a position higher than the upper surface Wu in the vertical direction and lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74, and the upper surface Wu When the first processing liquid Lq1 is discharged in the direction along One treatment liquid (Lq1) can be supplied. Further, for example, the second discharge port 752o is disposed at a position higher than the upper surface Wu in the vertical direction and lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 along the upper surface Wu. When the second processing liquid is discharged in the direction, the second processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface Wu of the substrate W while the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74 . have. Further, for example, the third discharge port 753o is disposed at a position higher than the upper surface Wu in the vertical direction and lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 along the upper surface Wu. When the third processing liquid is discharged in the direction, the third processing liquid can be supplied to a wide area of the upper surface Wu of the substrate W while the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74 . have.

도 10은, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 방향을 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 10(a)는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 방향을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 10(b)는, 제1 액 토출부(751n)의 구조를 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 10(a) 및 도 10(b)에는, 제1 토출구(751o)가 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 미리 설정된 방향(토출 방향이라고도 한다)(75d)이 2점 쇄선의 화살표로 나타내어져 있다.10 is a diagram schematically illustrating a direction in which the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W. As shown in FIG. 10A is a side view schematically illustrating a direction in which the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge unit 751n onto the upper surface Wu of the substrate W. As shown in FIG. 10B is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the structure of the first liquid discharging part 751n. In FIGS. 10A and 10B , a preset direction (also referred to as a discharge direction) 75d in which the first discharge port 751o discharges the first processing liquid Lq1 is indicated by a dashed-dotted arrow. it's gone

여기서, 도 10(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)가 기판(W)의 상면(Wu)에 제1 처리액(Lq1)을 공급할 때에, 상면(Wu)을 기준으로 한 제1 토출구(751o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 가상적인 회전축(72a)과 제1 토출구(751o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제1 토출구(751o)를 지나는 가상적인 수평면과 제1 토출구(751o)가 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 방향(토출 방향)(75d)이 이루는 각도를 θ로 한다. 그리고, 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고, 또한 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 것으로 한다. 이 경우에, 예를 들면, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계식을 만족하면, 제1 처리액(Lq1)에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 가상적인 회전축(72a) 상의 부분까지 제1 처리액(Lq1)을 용이하게 공급할 수 있다.Here, as shown in FIG. 10A , when the first liquid discharge unit 751n supplies the first processing liquid Lq1 to the upper surface Wu of the substrate W, the upper surface Wu is used as a reference. Let the height of one first outlet 751o in the vertical direction be H, the distance between the virtual rotation shaft 72a and the first outlet 751o in the horizontal direction be R, and the first outlet 751o An angle between the virtual horizontal plane passing through and the direction (discharge direction) 75d of the first discharge port 751o discharging the first processing liquid Lq1 is θ. Incidentally, it is assumed that the angle θ indicates a positive value when the discharge direction 75d is downward than the horizontal direction, and the angle θ indicates a negative value when the discharge direction 75d is upward than the horizontal direction. . In this case, for example, if the relational expression of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the effect of gravity on the first processing liquid Lq1 is also taken into consideration, and the upper surface Wu of the substrate W is ), the first processing liquid Lq1 may be easily supplied to a portion on the virtual rotation shaft 72a.

또, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)가 기판(W)의 상면(Wu)에 제2 처리액을 공급할 때에, 상면(Wu)을 기준으로 한 제2 토출구(752o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 가상적인 회전축(72a)과 제2 토출구(752o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제2 토출구(752o)를 지나는 가상적인 수평면과 제2 토출구(752o)가 제2 처리액을 토출하는 방향(토출 방향)이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고, 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 것으로 했을 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계식을 만족하면, 제2 처리액에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 가상적인 회전축(72a) 상의 부분까지 제2 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.Further, for example, when the second liquid discharge unit 752n supplies the second processing liquid to the upper surface Wu of the substrate W, the second discharge port 752o is perpendicular to the upper surface Wu as a reference. Let the height in H be H, the distance in the horizontal direction between the virtual rotation shaft 72a and the second outlet 752o is R, and the virtual horizontal plane passing through the second outlet 752o and the second outlet ( 752o), an angle formed by the direction (discharging direction) in which the second processing liquid is discharged is θ, and when the discharging direction is downward than the horizontal direction, the angle θ indicates a positive value, and the discharging direction is higher than the horizontal direction. When it is assumed that the angle θ represents a negative value in the upward direction, if the relational expression of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the effect of gravity on the second processing liquid is also taken into consideration, and the substrate The second processing liquid can be easily supplied to a portion on the virtual rotation shaft 72a among the upper surface Wu of W.

또, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)가 기판(W)의 상면(Wu)에 제3 처리액을 공급할 때에, 상면(Wu)을 기준으로 한 제3 토출구(753o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 가상적인 회전축(72a)과 제3 토출구(753o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제3 토출구(753o)를 지나는 가상적인 수평면과 제3 토출구(753o)가 제3 처리액을 토출하는 방향(토출 방향)이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고, 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 것으로 했을 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계식을 만족하면, 제3 처리액에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 가상적인 회전축(72a) 상의 부분까지 제3 처리액을 용이하게 공급할 수 있다.Further, for example, when the third liquid discharge unit 753n supplies the third processing liquid to the upper surface Wu of the substrate W, the third discharge port 753o is perpendicular to the upper surface Wu as a reference. Let the height in H be the distance between the virtual rotation shaft 72a and the third outlet 753o in the horizontal direction, R, and the virtual horizontal plane passing through the third outlet 753o and the third outlet ( 753o) represents an angle formed by a direction (discharge direction) in which the third processing liquid is discharged, and when the discharge direction is downward than the horizontal direction, the angle θ indicates a positive value, and the discharge direction is higher than the horizontal direction. When it is assumed that the angle θ represents a negative value in the upward direction, if the relational expression of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the effect of gravity on the third processing liquid is also taken into consideration, and the substrate The third processing liquid can be easily supplied to a portion on the virtual rotation shaft 72a among the upper surface Wu of W.

여기서, 예를 들면, 도 10(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)가, 제1 관형상부(75p1), 제2 관형상부(75p2) 및 제3 관형상부(75p3)를 갖는 양태가 생각된다. 제1 관형상부(75p1)는, 예를 들면, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태에 있고, 선단에 제1 토출구(751o)를 갖는다. 제2 관형상부(75p2)는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)에 연통하고 있는 상태로, 제1 관형상부(75p1)로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 제3 관형상부(75p3)는, 예를 들면, 제2 관형상부(75p2)에 연통하고 있는 상태로 제2 관형상부(75p2)로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 바꾸어 말하면, 제1 액 토출부(751n)는, 제1 액 공급로(751p)로부터 제1 토출구(751o)를 향해, 제3 관형상부(75p3), 제2 관형상부(75p2) 및 제1 관형상부(75p1)가, 이 기재 순번으로 연통하도록 접속된 형태를 갖는다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 도 8(a) 및 도 9(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극을 제2 관형상부(75p2)가 삽입 통과하고 있는 상태로, 제1 토출구(751o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 처리액(Lq1)을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 여기서, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)가, 미리 설정된 토출 방향(75d)을 따라 연장되어 있고, 토출 방향(75d)의 선단에 제1 토출구(751o)를 갖고 있으면, 제1 토출구(751o)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 방향(75d)이 안정될 수 있다. 여기에서는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)의 내경이 제1 토출구(751o)를 향해 감소하고 있는 형태가 채용된다.Here, for example, as shown in Fig. 10B, the first liquid discharge portion 751n includes the first tubular portion 75p1, the second tubular portion 75p2, and the third tubular portion 75p3. An aspect having a The first tubular portion 75p1 is, for example, in a state extending along the horizontal direction, and has a first discharge port 751o at its tip. The second tubular portion 75p2 is in communication with the first tubular portion 75p1, for example, and extends upwardly from the first tubular portion 75p1. The third tubular portion 75p3 is in a state extending from the second tubular portion 75p2 in the horizontal direction while communicating with the second tubular portion 75p2, for example. In other words, the first liquid discharge portion 751n extends from the first liquid supply path 751p toward the first discharge port 751o, the third tubular portion 75p3 , the second tubular portion 75p2 , and the first tubular portion The upper part 75p1 has the form connected so that it may communicate with this description order. When such a configuration is employed, for example, as shown in Figs. 8(a) and 9(a), the second tubular portion 75p2 is inserted into the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74. While passing, the first discharge port 751o is disposed at a position for discharging the first processing liquid Lq1 toward the direction along the upper surface Wu of the substrate W held by the holding part 720 . can do. Here, for example, if the first tubular portion 75p1 extends along a preset discharge direction 75d and has a first discharge port 751o at the tip of the discharge direction 75d, the first The discharge direction 75d of the first treatment liquid Lq1 discharged from the discharge port 751o may be stabilized. Here, for example, a form in which the inner diameter of the first tubular portion 75p1 decreases toward the first discharge port 751o is adopted.

여기에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)가, 제1 액 토출부(751n)와 동일한 형태를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 제2 액 토출부(752n)가, 제1 관형상부(75p1), 제2 관형상부(75p2) 및 제3 관형상부(75p3)를 갖는 양태가 생각된다. 이 경우에는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)는, 예를 들면, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 제2 토출구(752o)를 갖고, 제2 관형상부(75p2)는, 제1 관형상부(75p1)에 연통하고 있는 상태로 제1 관형상부(75p1)로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있고, 제3 관형상부(75p3)는, 제2 관형상부(75p2)에 연통하고 있는 상태로 제2 관형상부(75p2)로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 바꾸어 말하면, 제2 액 토출부(752n)는, 제2 액 공급로(752p)로부터 제2 토출구(752o)를 향해, 제3 관형상부(75p3), 제2 관형상부(75p2) 및 제1 관형상부(75p1)가, 이 기재 순번으로 연통하도록 접속된 형태를 갖는다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극을 제2 관형상부(75p2)가 삽입 통과하고 있는 상태로, 제2 토출구(752o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 처리액을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 여기서, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)가, 미리 설정된 토출 방향(75d)을 따라 연장되어 있고, 토출 방향(75d)의 선단에 제2 토출구(752o)를 갖고 있으면, 제2 토출구(752o)로부터 토출되는 제2 처리액의 토출 방향(75d)이 안정될 수 있다. 여기에서도, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)의 내경이 제1 토출구(751o)를 향해 감소하고 있는 형태가 채용된다.Here, for example, the second liquid discharge unit 752n may have the same shape as the first liquid discharge unit 751n. Specifically, an embodiment in which the second liquid discharge portion 752n includes a first tubular portion 75p1 , a second tubular portion 75p2 , and a third tubular portion 75p3 is conceivable. In this case, for example, the first tubular portion 75p1 has, for example, a second discharge port 752o at its tip in a state extending in the horizontal direction, and the second tubular portion 75p2, In a state of being in communication with the first tubular part 75p1 and extending upwardly from the first tubular part 75p1, the third tubular part 75p3 is in communication with the second tubular part 75p2, It is in a state extending in the horizontal direction from the second tubular portion 75p2 in a state where it is present. In other words, the second liquid discharge portion 752n extends from the second liquid supply path 752p toward the second discharge port 752o, the third tubular portion 75p3 , the second tubular portion 75p2 , and the first tubular portion The upper part 75p1 has the form connected so that it may communicate with this description order. When such a configuration is employed, for example, the second discharge port 752o is inserted into the holding portion ( It may be disposed at a position for discharging the second processing liquid in a direction along the upper surface Wu of the substrate W held by the 720 . Here, for example, if the first tubular portion 75p1 extends along a preset discharge direction 75d and has a second discharge port 752o at the tip of the discharge direction 75d, the second The discharge direction 75d of the second processing liquid discharged from the discharge port 752o may be stabilized. Also here, for example, a form in which the inner diameter of the first tubular portion 75p1 decreases toward the first discharge port 751o is adopted.

여기에서는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)가, 제1 액 토출부(751n)와 동일한 형태를 갖고 있어도 된다. 구체적으로는, 제3 액 토출부(753n)가, 제1 관형상부(75p1), 제2 관형상부(75p2) 및 제3 관형상부(75p3)를 갖는 양태가 생각된다. 이 경우에는, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)는, 예를 들면, 수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 제3 토출구(753o)를 갖고, 제2 관형상부(75p2)는, 제1 관형상부(75p1)에 연통하고 있는 상태로 제1 관형상부(75p1)로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있고, 제3 관형상부(75p3)는, 제2 관형상부(75p2)에 연통하고 있는 상태로 제2 관형상부(75p2)로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있다. 바꾸어 말하면, 제3 액 토출부(753n)는, 제3 액 공급로(753p)로부터 제3 토출구(753o)를 향해, 제3 관형상부(75p3), 제2 관형상부(75p2) 및 제1 관형상부(75p1)가, 이 기재 순번으로 연통하도록 접속된 형태를 갖는다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극을 제2 관형상부(75p2)가 삽입 통과하고 있는 상태로, 제3 토출구(753o)를, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 처리액을 토출하기 위한 위치에 배치할 수 있다. 그리고, 여기서, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)가, 미리 설정된 토출 방향(75d)을 따라 연장되어 있고, 토출 방향(75d)의 선단에 제3 토출구(753o)를 갖고 있으면, 제3 토출구(753o)로부터 토출되는 제3 처리액의 토출 방향(75d)이 안정될 수 있다. 여기에서도, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)의 내경이 제1 토출구(751o)를 향해 감소하고 있는 형태가 채용된다.Here, for example, the third liquid discharge unit 753n may have the same shape as the first liquid discharge unit 751n. Specifically, an embodiment in which the third liquid discharge portion 753n has a first tubular portion 75p1 , a second tubular portion 75p2 , and a third tubular portion 75p3 is conceivable. In this case, for example, the first tubular portion 75p1 has a third discharge port 753o at its tip in a state extending in the horizontal direction, for example, and the second tubular portion 75p2 includes: In a state of being in communication with the first tubular part 75p1 and extending upwardly from the first tubular part 75p1, the third tubular part 75p3 is in communication with the second tubular part 75p2, It is in a state extending in the horizontal direction from the second tubular portion 75p2 in a state where it is present. In other words, the third liquid discharge portion 753n extends from the third liquid supply path 753p toward the third discharge port 753o, the third tubular portion 75p3 , the second tubular portion 75p2 , and the first tubular portion The upper part 75p1 has the form connected so that it may communicate with this description order. When such a configuration is adopted, for example, the third discharge port 753o is inserted into the holding portion ( It may be disposed at a position for discharging the third processing liquid toward the direction along the upper surface Wu of the substrate W held by the 720 . Here, for example, if the first tubular portion 75p1 extends along a preset discharge direction 75d and has a third discharge port 753o at the tip of the discharge direction 75d, the third The discharge direction 75d of the third processing liquid discharged from the discharge port 753o may be stabilized. Also here, for example, a form in which the inner diameter of the first tubular portion 75p1 decreases toward the first discharge port 751o is adopted.

<1-4. 처리 유닛의 동작><1-4. Operation of the processing unit>

도 11 및 도 12는, 처리 유닛(7)에 있어서의 기판(W)에 대한 일련의 기판 처리의 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다. 본 동작 플로는, 제어부(9)에 의해 기판 처리 장치(1)의 동작이 제어됨으로써 실현된다. 여기서, 처리 대상이 되는 기판(W)에는, 예를 들면, 디바이스 형성면인 표면에 박막 패턴이 형성된 기판(W)이 이용된다. 박막 패턴은, 예를 들면, 산화실리콘막 등의 절연막을 포함한다. 박막 패턴은, 예를 들면, 저(低)저항화를 위한 불순물을 도입한 어모퍼스 실리콘막 또는 금속막 등의 도전막을 포함하고 있어도 되고, 폴리실리콘막, 질화실리콘막, BSG막(붕소를 포함하는 산화실리콘막) 및 TEOS막(TEOS(테트라에톡시실란)를 이용한 CVD법으로 형성된 산화실리콘막) 등의 복수의 막을 적층한 적층막을 포함하고 있어도 된다. 도 13~도 19는, 처리 유닛(7)에 있어서의 기판(W)에 대한 일련의 기판 처리의 동작의 일례를 설명하기 위한 모식적인 측면도이다. 도 13~도 19에서는, 도면의 복잡화를 방지하는 관점에서, 처리 유닛(7)의 일부의 구성이 편의적으로 생략되어 있다.11 and 12 are flowcharts showing an example of an operation flow of a series of substrate processing with respect to the substrate W in the processing unit 7 . This operation flow is realized by controlling the operation of the substrate processing apparatus 1 by the control unit 9 . Here, as the substrate W to be treated, for example, a substrate W having a thin film pattern formed on its surface as a device formation surface is used. The thin film pattern includes, for example, an insulating film such as a silicon oxide film. The thin film pattern may include, for example, a conductive film such as an amorphous silicon film or a metal film into which impurities for lowering resistance are introduced, a polysilicon film, a silicon nitride film, and a BSG film (including boron It may include a laminated film in which a plurality of films such as a silicon oxide film) and a TEOS film (a silicon oxide film formed by a CVD method using TEOS (tetraethoxysilane)) are laminated. 13 to 19 are schematic side views for explaining an example of an operation of a series of substrate processing with respect to the substrate W in the processing unit 7 . 13 to 19 , a part of the configuration of the processing unit 7 is omitted for convenience from the viewpoint of avoiding complication of the drawings.

일련의 기판 처리의 동작이 개시되는 초기 상태에서는, 예를 들면, 도 13(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1~3 가드부(731, 732, 733)가 하강 위치에 배치되고, 차단판(741)이 이격 위치에 배치되어 있는 상태에 있다. 또, 여기에서는, 도 시를 생략하고 있지만, 제1 액 토출부(751n)가 제1 퇴피 위치에 배치되고, 제2 액 토출부(752n)가 제2 퇴피 위치에 배치되고, 제3 액 토출부(753n)가 제3 퇴피 위치에 배치되어 있는 상태에 있다.In the initial state in which the operation of a series of substrate processing is started, for example, as shown in FIG. 741 is in a state in which it is arrange|positioned at the spaced-apart position. Incidentally, although not shown here, the first liquid discharge unit 751n is disposed at the first retracted position, the second liquid discharge unit 752n is disposed at the second retracted position, and the third liquid discharge unit is disposed at the second retracted position. The portion 753n is in a state disposed in the third retracted position.

우선, 예를 들면, 도 13(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 반송 기구(8)에 의해 처리 유닛(7) 내에 미처리의 기판(W)이 반입되고, 유지부(720)에 의해 디바이스 형성면인 표면을 위로 향한 상태로 기판(W)이 유지된다(도 11의 단계 Sp1). 바꾸어 말하면, 예를 들면, 기판(W)을 수평 자세로 유지부(720)로 하여금 유지하게 하는 공정(유지 공정이라고도 한다)이 행해진다. 여기에서는, 기판(W)의 디바이스 형성면이 상면(Wu)이 된다.First, for example, as shown in FIG. 13(b) , an unprocessed substrate W is loaded into the processing unit 7 by the second conveying mechanism 8 , and the device is loaded by the holding unit 720 . The substrate W is held with the surface as the formation surface facing upward (step Sp1 in Fig. 11). In other words, for example, a step (also referred to as a holding step) of causing the holding unit 720 to hold the substrate W in a horizontal posture is performed. Here, the device formation surface of the substrate W becomes the upper surface Wu.

다음에, 예를 들면, 도 13(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제1~3 가드부(731, 732, 733)를 하강 위치로부터 상승 위치까지 상승시킴과 더불어, 회전 기구(722)에 의해 유지부(720)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전을 개시시킨다(단계 Sp2).Next, for example, as shown in Fig. 13(c), the first to third guard portions 731, 732, 733 are raised from the lowered position to the raised position by the lifting driving unit 73m, The rotation about the rotation shaft 72a of the holding part 720 is started by the rotation mechanism 722 (step Sp2).

다음에, 도 14(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74)를 하강시켜 차단판(741)을 근접 위치에 배치한다(단계 Sp3). 여기에서는, 기판(W)의 상면(Wu)과 차단판(741)의 하면(74b)의 거리는, 예를 들면, 10mm 정도가 된다. 또, 이때, 제1 기체 밸브(745v) 및 제2 기체 밸브(746v)를 엶으로써 분위기 제어 부재(74) 중 기체 노즐(745n)의 환상 개구 및 복수의 가스 토출구(746o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향한 불활성 가스의 토출을 개시시킨다. 여기에서는, 분위기 제어 부재(74)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향한 불활성 가스의 토출량은, 예를 들면, 매분 100리터(100L/min) 정도가 된다. 또, 이때, 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 제1 토출 위치까지 진출시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)의 하강, 불활성 가스의 토출의 개시 및 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출 위치까지의 진출의 순번은, 적절히 설정되어도 된다.Next, as shown in Fig. 14(a), the atmosphere control member 74 is lowered by the third moving mechanism 74m, and the blocking plate 741 is disposed at the proximal position (step Sp3). Here, the distance between the upper surface Wu of the substrate W and the lower surface 74b of the blocking plate 741 is, for example, about 10 mm. In addition, at this time, by opening the first gas valve 745v and the second gas valve 746v, the annular opening of the gas nozzle 745n of the atmosphere control member 74 and the plurality of gas discharge ports 746o of the substrate W are opened. Discharge of the inert gas toward the upper surface Wu of the Here, the discharge amount of the inert gas from the atmosphere control member 74 toward the upper surface Wu of the substrate W is, for example, about 100 liters per minute (100 L/min). Also, at this time, the first liquid discharging unit 751n is advanced to the first discharging position by the first moving mechanism 751m. Here, for example, the order of descending of the atmosphere control member 74 , starting of discharging the inert gas, and advancing to the first discharging position of the first liquid discharging unit 751n may be appropriately set.

다음에, 제1 변경부(751v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 열려, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)를 향해 제1 처리액(Lq1)(약액)이 공급됨으로써, 도 14(b) 및 도 14(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 액 토출부(751n)로부터 제1 처리액(Lq1)(약액)이 토출된다(단계 Sp4). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 약액이 공급되고, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해 약액에 의한 처리(약액 처리라고도 한다)가 실시된다. 여기에서는, 예를 들면, 약액으로서 DHF가 사용된다. 그리고, 약액 처리가 미리 설정된 시간에 걸쳐 실행되면, 제1 변경부(751v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 닫혀, 제1 액 토출부(751n)로부터의 약액의 토출이 정지된다.Next, the flow rate control valve included in the first change unit 751v is opened to supply the first processing liquid Lq1 (chemical liquid) from the first supply source toward the first liquid discharge unit 751n, as shown in FIG. 14 ( b) and 14(c), the first processing liquid Lq1 (chemical liquid) is discharged from the first liquid discharge unit 751n (step Sp4). As a result, the chemical solution is supplied to the upper surface Wu of the substrate W, and a chemical treatment (also referred to as chemical solution treatment) is performed on the upper surface Wu of the substrate W. Here, for example, DHF is used as a chemical|medical solution. Then, when the chemical processing is executed over a preset period of time, the flow control valve included in the first changing unit 751v is closed, and the discharge of the chemical from the first liquid discharging unit 751n is stopped.

이 단계 Sp4에서는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 제1 액 토출부(751n)로부터 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 처리액(Lq1)을 토출함으로써 상면(Wu) 상에 제1 처리액(Lq1)을 공급하는 공정(제1 처리 공정이라고도 한다)이 실시된다. 이 제1 처리 공정에서는, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상면(Wu) 중 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이때, 예를 들면, 제어부(9)가, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 제1 변경부(751v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다. 도 14(b)에는, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내인 상태의 일례를 나타내고 있고, 도 14(c)에는, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내인 상태의 일례를 나타내고 있다.In this step Sp4, an inert gas is supplied onto the upper surface Wu from the atmosphere control member 74 positioned to face the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 . While rotating the holding unit 720, discharging the first treatment liquid Lq1 from the first liquid discharge unit 751n in the direction along the upper surface Wu, thereby discharging the first treatment liquid Lq1 onto the upper surface Wu ( A step (also referred to as a first treatment step) of supplying Lq1) is performed. In this first processing step, by changing the discharge speed of the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharging unit 751n, the first liquid discharged from the first liquid discharging unit 751n of the upper surface Wu is changed. The liquid supply position to which the processing liquid Lq1 is supplied is changed. At this time, for example, the control unit 9 causes the first changing unit 751v to change the supply amount per unit time of the first processing liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharging unit 751n, The discharge speed of the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n may be changed. For this reason, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, the first liquid discharge unit 751n does not swing, and the upper surface Wu of the substrate W is controlled. It is possible to scan the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 in a wide range. As a result, for example, control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduction of the unevenness of the processing on the upper surface Wu of the substrate W can be simultaneously realized. Fig. 14(b) shows an example of a state in which the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the central region A1 of the upper surface Wu, and in Fig. 14(c) , the first processing liquid Lq1 is shown. ) shows an example of a state in which the liquid supply position is in the end-side region A2 of the upper surface Wu.

제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제1 액 토출부(751n)로부터의 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도가 작아지도록, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제1 처리액(Lq1)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액튐이 발생하기 어렵다.In the first processing step, for example, the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is higher than when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the central region A1 of the upper surface Wu. The first liquid discharge unit 751n from the first supply source causes the discharge speed of the first processing liquid Lq1 from the first liquid discharge unit 751n to decrease when it is within the end-side area A2 among Wu). The supply amount per unit time of the first treatment liquid Lq1 to the furnace is reduced. Accordingly, for example, the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 can be scanned in a wide area from the center area A1 to the end side area A2 among the upper surface Wu of the substrate W. have. Also, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the central region A1, the supply amount of the first processing liquid Lq1 on the upper surface Wu per unit time is relatively increased, The first processing liquid Lq1 is spread over a wide area on the upper surface Wu by rotation of the substrate W about the rotation shaft 72a. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 is within the end-side region A2, the supply amount and the discharge rate of the first processing liquid Lq1 per unit time on the upper surface Wu are It is relatively reduced, and splashing of the first processing liquid Lq1 in the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge of the substrate W among the holding portions 720 is less likely to occur.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1) 내와 단부측 영역(A2) 내 사이에서 복수 회 왕복시키면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행할 수 있어, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.Also, in the first treatment step, for example, by increasing or decreasing the supply amount per unit time of the first treatment liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n, the liquid supply of the first treatment liquid Lq1 If the position is reciprocated a plurality of times between the inside of the center area A1 and the inside of the end side area A2, the scan of the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 in the wide area of the upper surface Wu of the substrate W is performed. It can be performed multiple times, and the nonuniformity of the process with respect to the upper surface Wu of the board|substrate W can be reduced more.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하는 구성이 채용되면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.In addition, in the first processing step, for example, the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n is applied to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here In , if a configuration in which liquid lands on the upper surface Wu through the space between the lower surfaces 74b) is adopted, the atmosphere control member 74 is opposed to the wide range of the upper surface Wu of the substrate W, the substrate While controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W more strictly, the first liquid discharge unit 751n is not oscillated and the first liquid discharge unit 751n is not oscillated over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. It is possible to scan the liquid supply position of the processing liquid Lq1.

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n) 중 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 제1 토출구(751o)가, 연직 방향에 있어서, 상면(Wu)보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치되어 있으면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제1 처리액(Lq1)을 공급할 수 있다. 또한, 여기에서는, 예를 들면, 제1 토출구(751o)가, 연직 방향에 있어서, 척 핀(724)의 상면보다 높은 위치에 배치되면, 제1 토출구(751o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향하는 제1 처리액(Lq1)의 경로가 척 핀(724)에 의해 차단되기 어렵다.Further, in the first processing step, for example, the first discharge port 751o of the first liquid discharge unit 751n for discharging the first processing liquid Lq1 is higher than the upper surface Wu in the vertical direction. In addition to being disposed at a position lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 , the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74 while the atmosphere on the substrate W is controlled. The first treatment liquid Lq1 may be supplied to a wide area of the upper surface Wu. In addition, here, for example, when the first discharge port 751o is disposed at a position higher than the upper surface of the chuck pin 724 in the vertical direction, the upper surface ( The path of the first processing liquid Lq1 toward Wu is difficult to be blocked by the chuck pin 724 .

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 도 10(a)를 참조하여 상술한 바와 같이, 상면(Wu)을 기준으로 한 제1 토출구(751o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 회전축(72a)과 제1 토출구(751o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제1 토출구(751o)를 지나는 가상적인 수평면과 제1 토출구(751o)가 제1 처리액(Lq1)을 토출하는 토출 방향(75d)이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 토출 방향(75d)이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하면, 제1 처리액(Lq1)에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 회전축(72a) 상의 부분까지 제1 처리액(Lq1)을 용이하게 공급할 수 있다.In the first treatment step, for example, as described above with reference to Fig. 10A, the height in the vertical direction of the first discharge port 751o with respect to the upper surface Wu is H. , the distance between the rotation shaft 72a and the first discharge port 751o in the horizontal direction is R, and the virtual horizontal plane passing through the first discharge port 751o and the first discharge port 751o are the first processing liquid Lq1 Let θ be the angle formed by the discharging direction 75d for discharging the When the angle θ shows a negative value in the direction, if the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the effect of gravity on the first processing liquid Lq1 is also taken into consideration, and the substrate ( The first processing liquid Lq1 may be easily supplied to a portion on the rotation shaft 72a of the upper surface Wu of the W).

또, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b))가, 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로 위치하고, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하고 있으면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.Further, in the first processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the lower surface 74b) is positioned to cover the upper surface Wu, and the upper surface Wu of the substrate W and the When the inert gas is supplied between the atmosphere control members 74 , the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또한, 제1 처리 공정에서는, 예를 들면, 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제1 처리액(Lq1)을 받는 제1 가드부(731)를 유지부(720)의 주위 및 기판(W)의 외주를 둘러싸도록 배치하고 있으면, 제1 가드부(731)에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제1 처리액(Lq1)을 받아 회수할 수 있다.Further, in the first processing step, for example, the first guard portion 731 receiving the first processing liquid Lq1 scattered from the upper surface Wu is placed around the holding portion 720 and the substrate W. When it is disposed so as to surround the outer periphery, the first processing liquid Lq1 scattered from the upper surface Wu of the substrate W can be received and recovered by the first guard portion 731 .

다음에, 제1 액체 밸브(747v)가 열려, 제4 공급원으로부터 제1 중심 노즐(747n)에 제4 처리액(Lq4)(린스액)이 공급되기 시작하고, 도 15(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 중심 노즐(747n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 제4 처리액(Lq4)(린스액)의 공급이 개시된다(단계 Sp5). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)의 전역에 제4 처리액(Lq4)(린스액)이 공급되고, 기판(W)에 부착되어 있는 제1 처리액(Lq1)(약액)을 제4 처리액(Lq4)(린스액)에 의해 씻어내는 처리(린스 처리라고도 한다)가 실시된다. 또, 여기에서는, 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 제1 토출 위치로부터 제1 퇴피 위치까지 퇴피시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 제1 이동 기구(751m)에 의해, 제1 액 토출부(751n)를 제1 하측 위치로부터 제1 상측 위치까지 상승시키고, 또한 제1 액 토출부(751n)를 제1 내측 위치로부터 제1 외측 위치까지 이동시킨다.Next, the first liquid valve 747v is opened, and the fourth processing liquid Lq4 (rinsing liquid) starts to be supplied from the fourth supply source to the first central nozzle 747n, and is shown in Fig. 15(a). As described above, the supply of the fourth processing liquid Lq4 (rinsing liquid) from the first central nozzle 747n onto the upper surface Wu of the substrate W is started (step Sp5). Accordingly, the fourth processing liquid Lq4 (rinsing liquid) is supplied to the entire upper surface Wu of the substrate W, and the first processing liquid Lq1 (chemical liquid) adhering to the substrate W is removed. 4 A treatment (also referred to as a rinse treatment) for washing with the treatment liquid Lq4 (rinsing liquid) is performed. Here, the first liquid discharge unit 751n is retracted from the first discharge position to the first retracted position by the first moving mechanism 751m. Here, for example, the first liquid discharge unit 751n is raised from the first lower position to the first upper position by the first moving mechanism 751m, and the first liquid discharge unit 751n is removed. 1 Move from the inner position to the first outer position.

다음에, 도 15(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n)를 제2 토출 위치까지 진출시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 토출 위치까지 진출시킨다(단계 Sp6).Next, as shown in FIG. 15B , the second liquid discharge unit 752n is advanced to the second discharge position by the second moving mechanism 752m and the third liquid discharge unit 753n is moved It advances to the third discharge position (step Sp6).

다음에, 린스 처리가 미리 설정된 시간에 걸쳐 실행되면, 제1 액체 밸브(747v)가 닫혀, 제4 공급원으로부터 제1 중심 노즐(747n)로의 제4 처리액(Lq4)(린스액)의 공급이 정지되고, 도 15(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 중심 노즐(747n)로부터 기판(W)의 상면(Wu) 상으로의 제4 처리액(Lq4)(린스액)의 공급이 종료된다(단계 Sp7). 여기에서는, 또한, 승강 구동부(73m)에 의해 제1 가드부(731) 및 제2 가드부(732)를 상승 위치로부터 하강 위치까지 하강시킨다.Next, when the rinsing process is performed over a preset time, the first liquid valve 747v is closed, so that the supply of the fourth treatment liquid Lq4 (rinsing liquid) from the fourth supply source to the first central nozzle 747n is stopped is stopped, and the supply of the fourth processing liquid Lq4 (rinsing liquid) from the first central nozzle 747n to the upper surface Wu of the substrate W is finished as shown in FIG. 15C . (Step Sp7). Here, further, the 1st guard part 731 and the 2nd guard part 732 are lowered from the raising position to the lowering position by the raising/lowering drive part 73m.

다음에, 제2 변경부(752v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 열려, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)를 향해 제2 처리액(Lq2)(용제)이 공급됨으로써, 도 16(a) 및 도 16(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 액 토출부(752n)로부터 제2 처리액(Lq2)(용제)이 토출된다(단계 Sp8). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 부착되어 있는 제4 처리액(Lq4)(린스액)이, 제2 처리액(Lq2)(용제)에 의해 씻겨나가 제2 처리액(Lq2)(용제)으로 치환된다. 그리고, 용제의 토출 개시로부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제2 변경부(752v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 닫혀, 제2 액 토출부(752n)로부터의 용제의 토출이 정지된다.Next, the flow control valve included in the second change unit 752v is opened to supply the second processing liquid Lq2 (solvent) from the second supply source toward the second liquid discharge unit 752n, as shown in FIG. 16 ( As shown in a) and Fig. 16(b) , the second processing liquid Lq2 (solvent) is discharged from the second liquid discharge unit 752n (step Sp8). Accordingly, the fourth processing liquid Lq4 (rinsing liquid) adhering to the upper surface Wu of the substrate W is washed away by the second processing liquid Lq2 (solvent), and the second processing liquid Lq2 (solvent) is substituted. Then, when a preset time elapses from the start of discharging the solvent, the flow control valve included in the second change unit 752v is closed, and the discharging of the solvent from the second liquid discharging unit 752n is stopped.

이 단계 Sp8에서는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 제2 액 토출부(752n)로부터 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 처리액(Lq2)을 토출함으로써 상면(Wu) 상에 제2 처리액(Lq2)을 공급하는 공정(제2 처리 공정)이 실시된다. 이 제2 처리 공정에서는, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상면(Wu) 중 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이때, 예를 들면, 제어부(9)가, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 제2 변경부(752v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 제2 액 토출부(752n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다. 도 16(a)에는, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내인 상태의 일례를 나타내고 있고, 도 16(b)에는, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내인 상태의 일례를 나타내고 있다.In this step Sp8, an inert gas is supplied onto the upper surface Wu from the atmosphere control member 74 positioned to face the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 . While rotating the holding unit 720, discharging the second treatment liquid Lq2 from the second liquid discharge unit 752n in the direction along the upper surface Wu, thereby discharging the second treatment liquid Lq2 onto the upper surface Wu ( A step (second treatment step) of supplying Lq2) is performed. In this second processing step, by changing the discharge speed of the second processing liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge unit 752n, the second liquid discharged from the second liquid discharge unit 752n of the upper surface Wu is changed. The liquid supply position to which the processing liquid Lq2 is supplied is changed. At this time, for example, the control unit 9 causes the second changing unit 752v to change the supply amount per unit time of the second processing liquid Lq2 from the second supply source to the second liquid discharging unit 752n, The discharge speed of the second processing liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge unit 752n may be changed. For this reason, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, the second liquid discharge unit 752n does not swing, and the upper surface Wu of the substrate W is not moved. It is possible to scan the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 in a wide range. As a result, for example, control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduction of the unevenness of the processing on the upper surface Wu of the substrate W can be simultaneously realized. Fig. 16(a) shows an example of a state where the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the central region A1 of the upper surface Wu, and in Fig. 16(b) , the second processing liquid Lq2 is shown. ) shows an example of a state in which the liquid supply position is in the end-side region A2 of the upper surface Wu.

제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제2 액 토출부(752n)로부터의 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도가 작아지도록, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제2 처리액(Lq2)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제2 처리액(Lq2)의 액튐이 발생하기 어렵다.In the second processing step, for example, the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is higher than when the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is in the central region A1 of the upper surface Wu. The second liquid discharge unit 752n from the second supply source causes the discharge speed of the second processing liquid Lq2 from the second liquid discharge unit 752n to decrease when it is within the end-side area A2 among Wu). The supply amount per unit time of the second treatment liquid Lq2 to the furnace is reduced. Accordingly, for example, a scan of the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 can be performed in a wide area from the central area A1 to the end-side area A2 of the upper surface Wu of the substrate W. have. Also, for example, when the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the central region A1, the supply amount of the second processing liquid Lq2 per unit time on the upper surface Wu is relatively increased, By rotation about the rotation shaft 72a of the substrate W, the second processing liquid Lq2 is spread over a wide area on the upper surface Wu. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 is within the end-side region A2, the supply amount and the discharge rate of the second processing liquid Lq2 per unit time on the upper surface Wu are It is relatively low, and it is difficult for the second processing liquid Lq2 to splash in the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge of the substrate W among the holding portions 720 .

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1) 내와 단부측 영역(A2) 내 사이에서 복수 회 왕복시키면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행할 수 있어, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.Further, in the second treatment step, for example, by increasing or decreasing the supply amount per unit time of the second treatment liquid Lq2 from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n, the second treatment liquid Lq2 is supplied. When the position is reciprocated a plurality of times between the inside of the central area A1 and the inside of the end-side area A2, the scan of the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 in the wide area of the upper surface Wu of the substrate W is performed. It can be performed multiple times, and the nonuniformity of the process with respect to the upper surface Wu of the board|substrate W can be reduced more.

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)이, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하는 구성이 채용되면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.Further, in the second processing step, for example, the second processing liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge unit 752n is applied to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here In , if a configuration in which liquid lands on the upper surface Wu through the space between the lower surfaces 74b) is adopted, the atmosphere control member 74 is opposed to the wide range of the upper surface Wu of the substrate W, the substrate While controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W more strictly, the second liquid discharge unit 752n does not swing and the second liquid discharge unit 752n is not oscillated over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. It is possible to scan the liquid supply position of the processing liquid Lq2.

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 중 제2 처리액(Lq2)을 토출하는 제2 토출구(752o)가, 연직 방향에 있어서, 상면(Wu)보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치되어 있으면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제2 처리액(Lq2)을 공급할 수 있다. 또한, 여기에서는, 예를 들면, 제2 토출구(752o)가, 연직 방향에 있어서, 척 핀(724)의 상면보다 높은 위치에 배치되면, 제2 토출구(752o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향하는 제2 처리액(Lq2)의 경로가 척 핀(724)에 의해 차단되기 어렵다.Further, in the second processing step, for example, the second discharge port 752o of the second liquid discharge unit 752n for discharging the second processing liquid Lq2 is higher than the upper surface Wu in the vertical direction. In addition to being disposed at a position lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 , the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74 while the atmosphere on the substrate W is controlled. The second processing liquid Lq2 may be supplied to a wide area of the upper surface Wu. In addition, here, for example, when the second discharge port 752o is disposed at a position higher than the upper surface of the chuck pin 724 in the vertical direction, the second discharge port 752o enters the upper surface ( The path of the second processing liquid Lq2 toward Wu is difficult to be blocked by the chuck pin 724 .

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 도 10(a)를 참조하여 상술한 바와 같이, 상면(Wu)을 기준으로 한 제2 토출구(752o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 회전축(72a)과 제2 토출구(752o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제2 토출구(752o)를 지나는 가상적인 수평면과 제2 토출구(752o)가 제2 처리액(Lq2)을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하면, 제2 처리액(Lq2)에 대한 중력의 영향도 고려하여, 기판(W)의 상면(Wu) 중 회전축(72a) 상의 부분까지 제1 처리액(Lq1)을 용이하게 공급할 수 있다.In the second processing step, for example, as described above with reference to Fig. 10A, the height in the vertical direction of the second discharge port 752o with respect to the upper surface Wu is H. , the distance in the horizontal direction between the rotation shaft 72a and the second discharge port 752o is R, and the virtual horizontal plane passing through the second discharge port 752o and the second discharge port 752o are the second processing liquid Lq2 Let θ be the angle formed by the discharging direction for discharging the , when the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the rotation axis of the upper surface Wu of the substrate W is also considered in consideration of the effect of gravity on the second processing liquid Lq2. The first processing liquid Lq1 can be easily supplied up to the portion on (72a).

또, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b))가, 기판(W)의 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하고 있으면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.Further, in the second processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the lower surface 74b) is positioned to cover the upper surface Wu of the substrate W, and the upper surface Wu and When the inert gas is supplied between the atmosphere control members 74 , the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또한, 제2 처리 공정에서는, 예를 들면, 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제2 처리액(Lq2)을 받는 제3 가드부(733)를 유지부(720)의 주위 및 기판(W)의 외주를 둘러싸도록 배치하고 있으면, 제3 가드부(733)에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제2 처리액(Lq2)을 받아 회수할 수 있다.Further, in the second processing step, for example, the third guard portion 733 receiving the second processing liquid Lq2 scattered from the upper surface Wu is placed around the holding portion 720 and the substrate W. When it is arranged so as to surround the outer periphery, it is possible to receive and recover the second processing liquid Lq2 scattered from the upper surface Wu of the substrate W by the third guard portion 733 .

다음에, 도 16(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제2 가드부(732)를 하강 위치로부터 상승 위치까지 상승시킴과 더불어, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74)를 더욱 하강시켜 차단판(741)을 기판(W)의 상면(Wu)에 더욱 근접한 위치(최근접 위치라고도 한다)에 배치한다(단계 Sp9). 여기에서는, 기판(W)의 상면(Wu)과 차단판(741)의 하면(74b)의 거리는, 예를 들면, 3mm 정도가 된다.Next, as shown in FIG.16(c), while raising the 2nd guard part 732 from the lowering position to the raising position by the raising/lowering drive part 73m, the atmosphere by the 3rd movement mechanism 74m The control member 74 is further lowered to place the blocking plate 741 at a position closer to the upper surface Wu of the substrate W (also referred to as the nearest position) (step Sp9). Here, the distance between the upper surface Wu of the substrate W and the lower surface 74b of the blocking plate 741 is, for example, about 3 mm.

다음에, 제3 변경부(753v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 열려, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)를 향해 제3 처리액(Lq3)(소수화액)이 공급됨으로써, 도 17(a) 및 도 17(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 액 토출부(753n)로부터 제3 처리액(Lq3)(소수화액)이 토출된다(단계 Sp10). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 소수화액이 공급됨으로써 기판(W)에 부착되어 있는 용제가 소수화액으로 치환되고, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 젖음성이 낮은 보호막(소수성 보호막이라고도 한다)이 형성되는 처리(소수화 처리라고도 한다)가 행해진다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)에 있어서의 박막 패턴이 소수성 보호막에 의해 피복된다. 소수화 처리가 행해질 때에는, 예를 들면, 스핀 베이스(723)에 내장된 히터 등으로 기판(W)을 가열함으로써, 소수화 처리가 보다 양호하게 행해지도록 해도 된다. 그리고, 소수화액의 토출 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제3 변경부(753v)에 포함되는 유량 제어 밸브가 닫혀, 제3 액 토출부(753n)로부터의 소수화액의 토출이 정지된다.Next, the flow control valve included in the third change unit 753v is opened to supply the third processing liquid Lq3 (hydrophobicity) from the third supply source toward the third liquid discharge unit 753n, as shown in FIG. 17 . As shown in (a) and 17(b) , the third treatment liquid Lq3 (hydrophobic liquid) is discharged from the third liquid discharge unit 753n (step Sp10). As a result, the hydrophobicization liquid is supplied to the upper surface Wu of the substrate W, so that the solvent adhering to the substrate W is replaced with the hydrophobicization liquid, and a protective film with low wettability on the upper surface Wu of the substrate W ( A treatment (also referred to as hydrophobicization treatment) in which a hydrophobic protective film is formed is performed. As a result, for example, the thin film pattern on the upper surface Wu of the substrate W is covered with the hydrophobic protective film. When the hydrophobization treatment is performed, for example, by heating the substrate W with a heater built into the spin base 723 or the like, the hydrophobization treatment may be performed more favorably. Then, when a preset time elapses from the start of discharging of the hydrophobic liquid, the flow control valve included in the third changing unit 753v is closed, and the discharging of the hydrophobicizing liquid from the third liquid discharging unit 753n is stopped.

이 단계 Sp10에서는, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 제3 액 토출부(753n)로부터 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 처리액(Lq3)을 토출함으로써 상면(Wu) 상에 제3 처리액(Lq3)을 공급하는 공정(제3 처리 공정)이 실시된다. 이 제3 처리 공정에서는, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상면(Wu) 중 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이때, 예를 들면, 제어부(9)가, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 제3 변경부(753v)로 하여금 변경하게 함으로써, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도를 변화시킬 수 있다. 이 때문에, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 행하면서, 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다. 도 17(a)에는, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내인 상태의 일례를 나타내고 있고, 도 17(b)에는, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내인 상태의 일례를 나타내고 있다.In this step Sp10, an inert gas is supplied onto the upper surface Wu from the atmosphere control member 74 positioned to face the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 . While rotating the holding part 720 while discharging the third treatment liquid Lq3 from the third liquid discharge unit 753n in the direction along the upper surface Wu, the third treatment liquid (Lq3) is discharged onto the upper surface Wu ( A process of supplying Lq3) (3rd treatment process) is implemented. In this third processing step, by changing the discharge speed of the third processing liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge unit 753n, the third liquid discharge unit 753n of the upper surface Wu is discharged. The liquid supply position to which the processing liquid Lq3 is supplied is changed. At this time, for example, the control unit 9 causes the third changing unit 753v to change the supply amount per unit time of the third processing liquid Lq3 from the third supply source to the third liquid discharging unit 753n, The discharge speed of the third processing liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge unit 753n may be changed. For this reason, for example, while controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W, the third liquid discharge unit 753n is not oscillated, and the upper surface Wu of the substrate W is controlled. It is possible to scan the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 in a wide range. As a result, for example, control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduction of the unevenness of the processing on the upper surface Wu of the substrate W can be simultaneously realized. Fig. 17(a) shows an example of a state in which the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is in the central region A1 of the upper surface Wu, and in Fig. 17(b) , the third processing liquid Lq3 is shown. ) shows an example of a state in which the liquid supply position is in the end-side region A2 of the upper surface Wu.

제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1) 내일 때보다, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 상면(Wu) 중 단부측 영역(A2) 내일 때인 쪽이, 제3 액 토출부(753n)로부터의 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도가 작아지도록, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 저하시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)으로부터 단부측 영역(A2)에 이르는 광범위에 있어서 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 중앙 영역(A1) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량이 상대적으로 증가하여, 기판(W)의 회전축(72a)을 중심으로 한 회전에 의해, 제3 처리액(Lq3)이 상면(Wu) 상의 광범위에 확산된다. 이에 반해, 예를 들면, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치가 단부측 영역(A2) 내일 때에는, 상면(Wu) 상에 대한 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량 및 토출 속도가 상대적으로 저하되어, 유지부(720) 중 기판(W)의 외연부를 유지하고 있는 복수의 척 핀(724)에 있어서의 제3 처리액(Lq3)의 액튐이 발생하기 어렵다.In the third processing step, for example, the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is higher than when the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the central region A1 of the upper surface Wu. The third liquid discharge unit 753n from the third supply source causes the discharge speed of the third processing liquid Lq3 from the third liquid discharge unit 753n to decrease when it is within the end-side area A2 among Wu). The supply amount per unit time of the third treatment liquid Lq3 to the furnace is reduced. Accordingly, for example, the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 can be scanned in a wide area from the central area A1 to the end side area A2 of the upper surface Wu of the substrate W. have. Further, for example, when the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the central region A1, the supply amount of the third processing liquid Lq3 per unit time on the upper surface Wu is relatively increased, By rotation about the rotation shaft 72a of the substrate W, the third processing liquid Lq3 is spread over a wide area on the upper surface Wu. On the other hand, for example, when the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 is within the end-side region A2, the supply amount and the discharge rate per unit time of the third processing liquid Lq3 on the upper surface Wu are It is relatively low, and it is difficult for the third processing liquid Lq3 to splash in the plurality of chuck pins 724 holding the outer edge of the substrate W among the holding portions 720 .

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치를 중앙 영역(A1) 내와 단부측 영역(A2) 내 사이에서 복수 회 왕복시키면, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 복수 회 행할 수 있어, 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일을 보다 저감할 수 있다.Further, in the third treatment step, for example, by increasing or decreasing the supply amount per unit time of the third treatment liquid Lq3 from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n, the third treatment liquid Lq3 is supplied. If the position is reciprocated a plurality of times between the inside of the center area A1 and the inside of the end side area A2, the scan of the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 in the wide area of the upper surface Wu of the substrate W is performed. It can be performed multiple times, and the nonuniformity of the process with respect to the upper surface Wu of the board|substrate W can be reduced more.

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)이, 기판(W)의 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b)) 사이의 공간을 지나 상면(Wu)에 착액하는 구성이 채용되면, 기판(W)의 상면(Wu)의 넓은 범위에 분위기 제어 부재(74)를 대향시킨 상태로, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 보다 엄격하게 행하면서, 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.In the third processing step, for example, the third processing liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge unit 753n is applied to the upper surface Wu of the substrate W and the atmosphere control member 74 (here In , if a configuration in which liquid lands on the upper surface Wu through the space between the lower surfaces 74b) is adopted, the atmosphere control member 74 is opposed to the wide range of the upper surface Wu of the substrate W, the substrate While controlling the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W more strictly, the third liquid discharge unit 753n is not oscillated and the third liquid discharge unit 753n is not oscillated over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W. It is possible to scan the liquid supply position of the processing liquid Lq3.

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n) 중 제3 처리액(Lq3)을 토출하는 제3 토출구(753o)가, 연직 방향에 있어서, 상면(Wu)보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 낮은 위치에 배치되어 있으면, 분위기 제어 부재(74)에 의한 기판(W) 상의 분위기의 제어를 행하면서, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 제3 처리액(Lq3)을 공급할 수 있다. 또한, 여기에서는, 예를 들면, 제3 토출구(753o)가, 연직 방향에 있어서, 척 핀(724)의 상면보다 높은 위치에 배치되면, 제3 토출구(753o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향하는 제3 처리액(Lq3)의 경로가 척 핀(724)에 의해 차단되기 어렵다.In the third processing step, for example, the third discharge port 753o of the third liquid discharge unit 753n for discharging the third processing liquid Lq3 is higher than the upper surface Wu in the vertical direction. In addition to being disposed at a position lower than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 , the atmosphere on the substrate W is controlled by the atmosphere control member 74 while the atmosphere on the substrate W is controlled. The third processing liquid Lq3 may be supplied to a wide area of the upper surface Wu. Here, for example, when the third discharge port 753o is disposed at a position higher than the upper surface of the chuck pin 724 in the vertical direction, the third discharge port 753o enters the upper surface ( The path of the third processing liquid Lq3 toward Wu is difficult to be blocked by the chuck pin 724 .

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 도 10(a)를 참조하여 상술한 바와 같이, 상면(Wu)을 기준으로 한 제3 토출구(753o)의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 회전축(72a)과 제3 토출구(753o)의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 제3 토출구(753o)를 지나는 가상적인 수평면과 제3 토출구(753o)가 제3 처리액(Lq3)을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 회전축(72a) 상의 부분까지 제3 처리액(Lq3)을 용이하게 공급할 수 있다.In the third processing step, for example, as described above with reference to Fig. 10A, the height in the vertical direction of the third discharge port 753o with respect to the upper surface Wu is H. , the distance in the horizontal direction between the rotation shaft 72a and the third discharge port 753o is R, and the virtual horizontal plane passing through the third discharge port 753o and the third discharge port 753o are the third processing liquid Lq3 Let θ be the angle formed by the discharging direction for discharging the , if the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied, the third processing liquid Lq3 can be easily transferred to the portion on the rotation shaft 72a of the upper surface Wu of the substrate W. can supply

또, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)(여기에서는, 하면(74b))가, 기판(W)의 상면(Wu)을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상면(Wu)과 분위기 제어 부재(74) 사이에 불활성 가스를 공급하고 있으면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기를 엄격하게 제어할 수 있다.Further, in the third processing step, for example, the atmosphere control member 74 (here, the lower surface 74b) is positioned to cover the upper surface Wu of the substrate W, and the upper surface Wu and the When the inert gas is supplied between the atmosphere control members 74 , the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W can be strictly controlled.

또한, 제3 처리 공정에서는, 예를 들면, 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제3 처리액(Lq3)을 받는 제2 가드부(732)를 유지부(720)의 주위 및 기판(W)의 외주를 둘러싸도록 배치하고 있으면, 제2 가드부(732)에 의해, 기판(W)의 상면(Wu) 상으로부터 비산하는 제3 처리액(Lq3)을 받아 회수할 수 있다.In the third processing step, for example, the second guard portion 732 receiving the third processing liquid Lq3 scattered from the upper surface Wu is placed around the holding portion 720 and the substrate W. If it is arranged so as to surround the outer periphery, it is possible to receive and recover the third processing liquid Lq3 scattered from the upper surface Wu of the substrate W by the second guard portion 732 .

다음에, 제2 액체 밸브(748v)가 열려, 제5 공급원으로부터 제2 중심 노즐(748n)에 제5 처리액(Lq5)(소수화액)이 공급되고, 도 17(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제2 중심 노즐(748n)의 토출구로부터 제5 처리액(Lq5)(소수화액)이 하방으로 토출된다(도 12의 단계 Sp11). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)의 전역에 소수화액이 공급되고, 추가로 기판(W)에 부착되어 있는 용제가 소수화액으로 치환된다. 이때, 예를 들면, 스핀 베이스(723)에 내장된 히터 등으로 기판(W)이 가열되어도 된다. 그리고, 소수화액의 토출 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제2 액체 밸브(748v)가 닫혀, 제2 중심 노즐(748n)로부터의 소수화액의 토출이 정지된다. 또, 여기에서는, 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n)를 제2 토출 위치로부터 제2 퇴피 위치까지 퇴피시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 토출 위치로부터 제3 퇴피 위치까지 퇴피시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 제2 이동 기구(752m)에 의해, 제2 액 토출부(752n)를 제2 하측 위치로부터 제2 상측 위치까지 상승시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 하측 위치로부터 제3 상측 위치까지 상승시키고, 추가로 제2 액 토출부(752n)를 제2 내측 위치로부터 제2 외측 위치까지 이동시킴과 더불어 제3 액 토출부(753n)를 제3 내측 위치로부터 제3 외측 위치까지 이동시킨다.Next, the second liquid valve 748v is opened, and the fifth processing liquid Lq5 (hydrophobic liquid) is supplied from the fifth supply source to the second central nozzle 748n, as shown in Fig. 17(c) . , the fifth treatment liquid Lq5 (hydrophobic liquid) is discharged downward from the discharge port of the second central nozzle 748n (step Sp11 in FIG. 12 ). Thereby, the hydrophobizing liquid is supplied to the entire area of the upper surface Wu of the substrate W, and the solvent adhering to the substrate W is further replaced with the hydrophobicizing liquid. At this time, for example, the substrate W may be heated by a heater built into the spin base 723 or the like. Then, when a predetermined time elapses from the start of discharging the hydrophobic liquid, the second liquid valve 748v is closed, and the discharging of the hydrophobic liquid from the second central nozzle 748n is stopped. Here, the second liquid discharge unit 752n is retracted from the second discharge position to the second retracted position by the second moving mechanism 752m, and the third liquid discharge unit 753n is moved to the third discharge position. evacuate to the third evacuation position. Here, for example, the second liquid discharge unit 752n is raised from the second lower position to the second upper position by the second moving mechanism 752m, and the third liquid discharge unit 753n is removed. 3 Elevate from the lower position to the third upper position, further move the second liquid discharge unit 752n from the second inner position to the second outer position, and move the third liquid discharge unit 753n to the third inner position to the third outer position.

다음에, 도 18(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제2 가드부(732)를 상승 위치로부터 하강 위치까지 하강시킨다(단계 Sp12).Next, as shown in FIG.18(a), the 2nd guard part 732 is lowered|falling from the raising position to the lowering position by the raising/lowering drive part 73m (step Sp12).

다음에, 제3 액체 밸브(749v)가 열려, 제6 공급원으로부터 제3 중심 노즐(749n)에 제6 처리액(Lq6)(용제)이 공급되고, 도 18(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 중심 노즐(749n)의 토출구로부터 제6 처리액(Lq6)(용제)이 하방으로 토출된다(단계 Sp13). 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 부착되어 있는 소수화액이 용제로 치환된다. 그리고, 용제의 토출 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 제3 액체 밸브(749v)가 닫혀, 제3 중심 노즐(749n)로부터의 용제의 토출이 정지된다.Next, the third liquid valve 749v is opened, and the sixth processing liquid Lq6 (solvent) is supplied from the sixth supply source to the third central nozzle 749n, and as shown in Fig. 18(b) , The sixth processing liquid Lq6 (solvent) is discharged downward from the discharge port of the third central nozzle 749n (step Sp13). Thereby, the hydrophobic solution adhering to the upper surface Wu of the board|substrate W is substituted with the solvent. Then, when a preset time elapses from the start of discharging the solvent, the third liquid valve 749v is closed, and discharging of the solvent from the third central nozzle 749n is stopped.

다음에, 도 18(c)에서 나타내어지는 바와 같이, 제3 중심 노즐(749n)의 토출구로부터의 제6 처리액(Lq6)의 토출이 정지된 후에, 기판(W)을 건조시키는 건조 처리가 행해진다(단계 Sp14). 여기에서는, 제어부(9)는, 회전 기구(722)를 제어하여, 기판(W)을 고회전 속도(예를 들면, 2500rpm 이상)로 회전시킨다. 이에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)에 부착되어 있는 용제에 큰 원심력이 작용하여, 용제가 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다. 이와 같이 하여, 용제가 기판(W)으로부터 제거되고, 기판(W)이 건조된다.Next, as shown in FIG. 18C , after the discharge of the sixth processing liquid Lq6 from the discharge port of the third central nozzle 749n is stopped, a drying process for drying the substrate W is performed. c (step Sp14). Here, the control part 9 controls the rotation mechanism 722, and rotates the board|substrate W at a high rotation speed (for example, 2500 rpm or more). Thereby, a large centrifugal force acts on the solvent adhering to the upper surface Wu of the substrate W, and the solvent is shaken off around the substrate W. In this way, the solvent is removed from the substrate W, and the substrate W is dried.

다음에, 건조 처리의 개시부터 미리 설정된 시간이 경과하면, 도 19(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 회전 기구(722)에 의해 유지부(720)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다(단계 Sp15). 또, 여기에서는, 도 19(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 제1 기체 밸브(745v) 및 제2 기체 밸브(746v)를 닫음으로써 분위기 제어 부재(74)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향한 불활성 가스의 토출을 정지시킴과 더불어, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74)를 상승시켜 차단판(741)을 이격 위치에 배치한다. 또, 여기에서는, 도 19(a)에서 나타내어지는 바와 같이, 승강 구동부(73m)에 의해 제3 가드부(733)를 상승 위치로부터 하강 위치까지 하강시킨다. 여기에서는, 예를 들면, 유지부(720)의 회전의 정지, 분위기 제어 부재(74)의 상승, 불활성 가스의 토출의 정지 및 제3 가드부(733)의 하강의 순번은, 적절히 설정되어도 된다.Next, when a preset time has elapsed from the start of the drying process, as shown in Fig. 19(a), the rotation mechanism 722 stops the rotation of the substrate W by the holding unit 720 ( Step Sp15). In addition, here, as shown in FIG.19(a), the upper surface Wu of the board|substrate W from the atmosphere control member 74 by closing the 1st gas valve 745v and the 2nd gas valve 746v. In addition to stopping the discharge of the inert gas toward Moreover, here, as shown in Fig.19 (a), the 3rd guard part 733 is made to fall from a rising position to a falling position by the raising/lowering drive part 73m. Here, for example, the order of stopping the rotation of the holding unit 720 , raising the atmosphere control member 74 , stopping the discharging of the inert gas, and lowering the third guard unit 733 may be appropriately set. .

다음에, 예를 들면, 도 19(b)에서 나타내어지는 바와 같이, 유지부(720)에 의한 기판(W)의 유지가 해제되고, 제2 반송 기구(8)에 의해 처리 유닛(7) 내로부터 처리가 완료된 기판(W)이 반출된다(단계 Sp16).Next, for example, as shown in FIG. 19(b) , the holding of the substrate W by the holding unit 720 is released, and the inside of the processing unit 7 by the second conveying mechanism 8 is released. The substrate W on which the processing has been completed is taken out (step Sp16).

<1-5. 제1 실시 형태의 정리><1-5. Summary of the first embodiment>

이상과 같이, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제1 액 토출부(751n)의 제1 토출구(751o)로부터 제1 처리액(Lq1)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제1 처리액(Lq1)을 공급한다. 이때, 예를 들면, 제1 공급원으로부터 제1 액 토출부(751n)로의 제1 처리액(Lq1)의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)의 토출 속도를 변화시켜, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제1 액 토출부(751n)로부터 토출되는 제1 처리액(Lq1)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제1 액 토출부(751n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제1 처리액(Lq1)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.As described above, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, for example, it is positioned in a state opposite to the upper surface Wu of the substrate W held in the horizontal posture by the holding unit 720 . While supplying an inert gas from the atmosphere control member 74 onto the upper surface Wu and rotating the holding unit 720 , the first liquid discharge unit 751n is directed along the upper surface Wu of the substrate W . By discharging the first processing liquid Lq1 from the first discharge port 751o of the , the first processing liquid Lq1 is supplied onto the upper surface Wu. At this time, for example, by changing the supply amount per unit time of the first treatment liquid Lq1 from the first supply source to the first liquid discharge unit 751n, the first treatment liquid discharged from the first liquid discharge unit 751n ( By changing the discharge speed of Lq1 , the liquid supply position to which the first processing liquid Lq1 discharged from the first liquid discharge unit 751n is supplied among the upper surface Wu of the substrate W is changed. In this way, for example, while the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is satisfactorily controlled by, for example, supply of an inert gas from the atmosphere control member 74 , the first liquid discharge unit 751n ), it is possible to scan the liquid supply position of the first processing liquid Lq1 over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking.

또, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제2 액 토출부(752n)의 제2 토출구(752o)로부터 제2 처리액(Lq2)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제2 처리액(Lq2)을 공급한다. 이때, 예를 들면, 제2 공급원으로부터 제2 액 토출부(752n)로의 제2 처리액(Lq2)의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)의 토출 속도를 변화시켜, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제2 액 토출부(752n)로부터 토출되는 제2 처리액(Lq2)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제2 액 토출부(752n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제2 처리액(Lq2)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.Moreover, in the substrate processing apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment, for example, the atmosphere control located in the state opposing the upper surface Wu of the board|substrate W hold|maintained by the holding part 720 in a horizontal attitude|position. While supplying the inert gas from the member 74 onto the upper surface Wu and rotating the holding unit 720 , the second liquid discharge unit 752n is removed in the direction along the upper surface Wu of the substrate W. By discharging the second processing liquid Lq2 from the second discharge port 752o, the second processing liquid Lq2 is supplied onto the upper surface Wu. At this time, for example, by changing the supply amount per unit time of the second treatment liquid Lq2 from the second supply source to the second liquid discharge unit 752n, the second treatment liquid discharged from the second liquid discharge unit 752n ( By changing the discharge speed of Lq2 , the liquid supply position to which the second processing liquid Lq2 discharged from the second liquid discharge unit 752n is supplied among the upper surface Wu of the substrate W is changed. In this way, for example, while the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is satisfactorily controlled by, for example, supply of an inert gas from the atmosphere control member 74 , the second liquid discharge unit 752n ), it is possible to scan the liquid supply position of the second processing liquid Lq2 over a wide area of the upper surface Wu of the substrate W.

또, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 예를 들면, 유지부(720)에 수평 자세로 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재(74)로부터 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급하면서, 유지부(720)를 회전시키면서, 기판(W)의 상면(Wu)을 따른 방향을 향해 제3 액 토출부(753n)의 제3 토출구(753o)로부터 제3 처리액(Lq3)을 토출함으로써, 상면(Wu) 상에 제3 처리액(Lq3)을 공급한다. 이때, 예를 들면, 제3 공급원으로부터 제3 액 토출부(753n)로의 제3 처리액(Lq3)의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)의 토출 속도를 변화시켜, 기판(W)의 상면(Wu) 중 제3 액 토출부(753n)로부터 토출되는 제3 처리액(Lq3)이 공급되는 액 공급 위치를 변화시킨다. 이에 의해, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74)로부터의 불활성 가스의 공급에 의해 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어를 양호하게 행하면서, 제3 액 토출부(753n)를 요동시키지 않고, 기판(W)의 상면(Wu)의 광범위에 있어서의 제3 처리액(Lq3)의 액 공급 위치의 스캔을 행할 수 있다.Moreover, in the substrate processing apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment, for example, the atmosphere control located in the state opposing the upper surface Wu of the board|substrate W hold|maintained by the holding part 720 in a horizontal attitude|position. While supplying an inert gas from the member 74 onto the upper surface Wu and rotating the holding unit 720 , the third liquid discharge unit 753n is removed in a direction along the upper surface Wu of the substrate W . By discharging the third processing liquid Lq3 from the 3 discharge port 753o, the third processing liquid Lq3 is supplied onto the upper surface Wu. At this time, for example, by changing the supply amount per unit time of the third treatment liquid Lq3 from the third supply source to the third liquid discharge unit 753n, the third treatment liquid discharged from the third liquid discharge unit 753n ( By changing the discharge speed of Lq3 , the liquid supply position to which the third processing liquid Lq3 discharged from the third liquid discharge unit 753n is supplied among the upper surface Wu of the substrate W is changed. Thereby, for example, the third liquid discharge part 753n is performed while the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W is satisfactorily controlled by, for example, supply of the inert gas from the atmosphere control member 74 . ), it is possible to scan the liquid supply position of the third processing liquid Lq3 in a wide area of the upper surface Wu of the substrate W without shaking.

따라서, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 있어서의 분위기의 제어와 기판(W)의 상면(Wu)에 대한 처리의 불균일의 저감을 동시에 실현할 수 있다.Therefore, for example, control of the atmosphere on the upper surface Wu of the substrate W and reduction of the non-uniformity of the processing on the upper surface Wu of the substrate W can be simultaneously realized.

<2. 그 외의 실시 형태><2. Other embodiments>

본 발명은 상술한 제1 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 다양한 변경 및 개량 등이 가능하다. This invention is not limited to 1st Embodiment mentioned above, In the range which does not deviate from the summary of this invention, various changes, improvement, etc. are possible.

<2-1. 제2 실시 형태><2-1. Second embodiment>

상기 제1 실시 형태에 있어서, 분위기 제어 부재(74)가, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)에 대향하고 있는 상태로, 기판(W)의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상면(Wu)을 따라 흐르는 기류를 형성하는 소형의 분위기 제어 부재(74A)로 치환되어도 된다. 이 경우에는, 예를 들면, 상술한 제1~3 처리 공정 모두에 있어서도, 분위기 제어 부재(74A)가, 기판(W)의 상면(Wu) 중 중앙 영역(A1)에 대향하고 있는 상태로 위치하고, 기판(W)의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상면(Wu)을 따라 흐르는 기류를 형성해도 된다. 여기에서는, 기판(W)의 상면(Wu)의 직경보다, 분위기 제어 부재(74A) 중 기판(W)의 상면(Wu)에 대향하고 있는 부분의 하면(74b)의 직경이 작은 양태가 상정된다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 직경이 300mm 정도이며, 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)의 직경이 95mm~120mm 정도인 양태가 상정된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)의 전역이 분위기 제어 부재(74A)에 의해 덮이는 상태로는 되지 않고, 제1 액 토출부(751n)를 제1 퇴피 위치와 제1 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다. 또, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)를 제2 퇴피 위치와 제2 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제3 액 토출부(753n)를 제3 퇴피 위치와 제3 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.In the first embodiment, the atmosphere control member 74 is inactive above the substrate W, for example, in a state facing the central region A1 among the upper surfaces Wu of the substrate W. By supplying a gas, it may be replaced with the small atmosphere control member 74A which forms the airflow which flows along the upper surface Wu. In this case, for example, also in all of the first to third processing steps described above, the atmosphere control member 74A is positioned in a state facing the central region A1 among the upper surfaces Wu of the substrate W. , by supplying an inert gas above the substrate W, an airflow flowing along the upper surface Wu may be formed. Here, it is assumed that the diameter of the lower surface 74b of the portion of the atmosphere control member 74A facing the upper surface Wu of the substrate W is smaller than the diameter of the upper surface Wu of the substrate W. . More specifically, for example, it is assumed that the diameter of the upper surface Wu of the substrate W is about 300 mm and the diameter of the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A is about 95 mm to 120 mm. If such a configuration is employed, for example, the entire upper surface Wu of the substrate W will not be covered by the atmosphere control member 74A, and the first liquid discharge portion 751n may be first It can be easily moved between the retracted position and the first discharge position. Further, for example, the second liquid discharge unit 752n can be easily moved between the second retracted position and the second discharge position, and the third liquid discharge unit 753n is moved between the third retracted position and the third discharge position. It can be easily moved between positions.

도 20은, 제2 실시 형태에 따른 처리 유닛(7)의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 21은, 제2 실시 형태에 따른 분위기 제어 부재(74A)의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.20 is a side view schematically showing a configuration example of the processing unit 7 according to the second embodiment. 21 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing a configuration example of the atmosphere control member 74A according to the second embodiment.

도 20 및 도 21에서 나타내어지는 바와 같이, 분위기 제어 부재(74A)는, 예를 들면, 상기 제1 실시 형태에 따른 분위기 제어 부재(74)를 베이스로 하고, 차단판(741), 지지축(742) 및 기체 노즐(745n)이, 기체 노즐(745nA)로 치환된 형태를 갖는다. 바꾸어 말하면, 분위기 제어 부재(74A)는, 중심 노즐군(74n) 및 기체 노즐(745nA)을 갖는다.20 and 21 , the atmosphere control member 74A is, for example, based on the atmosphere control member 74 according to the first embodiment, a blocking plate 741, a support shaft ( 742 and the gas nozzle 745n have a form in which the gas nozzle 745nA is substituted. In other words, the atmosphere control member 74A has a center nozzle group 74n and a gas nozzle 745nA.

기체 노즐(745nA)은, 예를 들면, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)의 상방에 질소 가스 등의 불활성 가스를 토출한다. 이에 의해, 기판(W)의 상방을 질소 가스 분위기로 덮을 수 있다. 기체 노즐(745nA)에는, 제1 기체 밸브(745v)가 도중에 설치된 제1 기체 공급로(745p)가 접속되어 있다.The gas nozzle 745nA discharges an inert gas, such as nitrogen gas, above the upper surface Wu of the board|substrate W held by the holding part 720, for example. Thereby, the upper side of the board|substrate W can be covered with nitrogen gas atmosphere. A first gas supply path 745p in which a first gas valve 745v is provided on the way is connected to the gas nozzle 745nA.

도 20 및 도 21의 예에서는, 중심 노즐군(74n)에, 기체 노즐(745nA)이 일체로 결합되어 있다. 이 때문에, 분위기 제어 부재(74A)는, 중심 노즐군(74n)에 의해 제4 처리액(Lq4)으로서 린스액, 제5 처리액(Lq5)으로서의 소수화액 및 제6 처리액(Lq6)으로서의 용제를 토출하는 기능과, 질소 가스 등의 불활성 가스를 토출하는 기능을 갖는다.In the example of FIG.20 and FIG.21, the gas nozzle 745nA is integrally couple|bonded with the center nozzle group 74n. For this reason, the atmosphere control member 74A uses the central nozzle group 74n as the rinse liquid as the fourth processing liquid Lq4, the hydrophobicization liquid as the fifth processing liquid Lq5, and the solvent as the sixth processing liquid Lq6. It has a function of discharging and discharging an inert gas such as nitrogen gas.

기체 노즐(745nA)은, 하단에 플랜지부(745nf)를 갖는 원통형상의 노즐 본체(745nm)를 갖는다. 노즐 본체(745nm)의 최외경은, 예를 들면, 95mm~120mm 정도이다. 플랜지부(745nf)의 측면인 외주면에는, 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)가, 각각 환상으로 외방을 향해 개구되어 있다. 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)는, 상하로 간격을 두고 배치되어 있다. 노즐 본체(745nm)의 하면(74b)에는, 중심 기체 토출구(745o)가 배치되어 있다.The gas nozzle 745nA has a cylindrical nozzle body 745 nm having a flange portion 745nf at its lower end. The outermost diameter of the nozzle body (745 nm) is, for example, about 95 mm to 120 mm. An upper gas outlet 746o1 and a lower gas outlet 746o2 are each annularly opened outwardly on the outer peripheral surface as a side surface of the flange portion 745nf. The upper gas discharge port 746o1 and the lower gas discharge port 746o2 are vertically spaced apart from each other. A central gas discharge port 745o is disposed on the lower surface 74b of the nozzle body 745 nm.

노즐 본체(745nm)에는, 제1 기체 공급로(745p)로부터 불활성 가스가 공급되는 기체 도입구(745i1, 745i2)가 형성되어 있다. 기체 도입구(745i1, 745i2)에 대해 개별적으로 불활성 가스를 공급하는 기체 공급로가 접속되어도 된다. 노즐 본체(745nm) 내에는, 기체 도입구(745i2)와 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)를 접속하는 통형상의 기체 유로(745nr)가 형성되어 있다. 또, 노즐 본체(745nm) 내에는, 기체 도입구(745i1)에 연통하는 통형상의 기체 유로(745nw)가 중심 노즐군(74n) 둘레로 형성되어 있다. 기체 유로(745nw)의 하부에는 버퍼 공간(745nb)이 연통하고 있다. 버퍼 공간(745nb)은, 또한 펀칭 플레이트(745np)를 통해, 그 하방의 공간(745ns)에 연통하고 있다. 이 공간(745ns)의 하부가 중심 기체 토출구(745o)로 되어 있다.Gas inlet ports 745i1 and 745i2 to which an inert gas is supplied from the first gas supply path 745p are formed in the nozzle body 745 nm. A gas supply path for individually supplying an inert gas may be connected to the gas inlet ports 745i1 and 745i2. A cylindrical gas flow path 745nr is formed in the nozzle body 745 nm to connect the gas inlet 745i2, the upper gas outlet 746o1, and the lower gas outlet 746o2. Moreover, in the nozzle main body 745 nm, the cylindrical gas flow path 745nw communicating with the gas inlet 745i1 is formed around the center nozzle group 74n. A buffer space 745nb communicates with the lower portion of the gas flow path 745nw. The buffer space 745nb further communicates with the space 745ns below it via the punching plate 745np. The lower part of this space 745ns serves as the center gas discharge port 745o.

기체 도입구(745i2)로부터 도입된 불활성 가스는, 기체 유로(745nr)를 통해 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)에 공급되고, 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)로부터 방사상으로 토출된다. 이에 의해, 상하로 겹쳐지는 2개의 방사상의 기류(방사상 기류라고도 한다)가 기판(W)의 상방에 형성된다. 한편, 기체 도입구(745i1)로부터 도입된 불활성 가스는, 기체 유로(745nw)를 통해 버퍼 공간(745nb)에 모아지고, 또한 펀칭 플레이트(745np)를 지나 확산된 후에, 공간(745ns)을 지나 중심 기체 토출구(745o)로부터 기판(W)의 상면(Wu)을 향해 하방으로 토출된다. 이 불활성 가스는, 기판(W)의 상면(Wu)에 부딪쳐 방향을 바꾸고, 불활성 가스의 방사상 기류를 기판(W)의 상방에 형성한다.The inert gas introduced from the gas inlet 745i2 is supplied to the upper gas outlet 746o1 and the lower gas outlet 746o2 through the gas flow passage 745nr, and the upper gas outlet 746o1 and the lower gas outlet 746o2 are supplied. discharged radially from Thereby, two radial airflows (also referred to as radial airflows) that overlap vertically are formed above the substrate W. As shown in FIG. On the other hand, the inert gas introduced from the gas introduction port 745i1 is collected in the buffer space 745nb through the gas flow path 745nw, and diffuses through the punching plate 745np, and then passes through the space 745ns to the center. It is discharged from the gas discharge port 745o downward toward the upper surface Wu of the substrate W. This inert gas collides with the upper surface Wu of the board|substrate W, and changes a direction, and forms the radial airflow of the inert gas above the board|substrate W.

따라서, 중심 기체 토출구(745o)로부터 토출되는 불활성 가스가 형성하는 방사상 기류와, 상측 기체 토출구(746o1) 및 하측 기체 토출구(746o2)로부터 토출되는 2층의 방사상 기류에 의해 3층의 방사상 기류가 기판(W)의 상방에 형성된다. 이 3층의 방사상 기류에 의해, 기판(W)의 상면(Wu)이 보호된다. 예를 들면, 회전축(72a)을 중심으로 하여 기판(W)을 고속으로 회전시킬 때에, 3층의 불활성 가스의 방사상 기류에 의해 기판(W)의 상면이 보호됨으로써, 기판(W)의 상면(Wu)이, 산소 그리고 액적 및 미스트 등의 습기로부터 보호된다.Therefore, the three layers of radial airflow are formed by the radial airflow formed by the inert gas discharged from the central gas outlet 745o and the two layers of radial airflow discharged from the upper gas outlet 746o1 and the lower gas outlet 746o2. It is formed above (W). The upper surface Wu of the substrate W is protected by the three-layer radial airflow. For example, when the substrate W is rotated at high speed about the rotation shaft 72a, the upper surface of the substrate W is protected by the radial airflow of the three layers of inert gas, so that the upper surface of the substrate W ( Wu) is protected from oxygen and moisture such as droplets and mist.

여기에서는, 예를 들면, 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)을 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)에 근접시킨 위치(근접 위치) 또는 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 상면(Wu)으로부터 이격시킨 위치(이격 위치)에 배치시킬 수 있다. 예를 들면, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해, 에칭, 세정, 소수화 및 건조를, 이 기재 순서로 행하는 일련의 기판 처리를 실행할 때에, 하면(74b)과 상면(Wu)의 간격을, 예를 들면, 3mm~10mm 정도로 설정할 수 있다.Here, for example, a position (proximity position) in which the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A is brought close to the upper surface Wu of the substrate W held by the holding unit 720 (proximity position) or the holding unit 720 . It can be arranged at a position (spaced position) spaced apart from the upper surface Wu of the substrate W held by the . For example, when performing a series of substrate processing in which etching, cleaning, hydrophobicization, and drying are performed in this order for the upper surface Wu of the substrate W, the gap between the lower surface 74b and the upper surface Wu is , for example, can be set to about 3 mm to 10 mm.

중심 노즐군(74n)은, 기체 유로(745nw), 버퍼 공간(745nb) 및 펀칭 플레이트(745np)를 관통하여 연직 방향으로 연장되어 있다. 중심 노즐군(74n)의 하단의 각 토출구는, 펀칭 플레이트(745np)의 하방에 위치하고 있다. 중심 노즐군(74n)의 하면은, 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)과 같은 높이 또는 하면(74b)보다 상방에 위치하고 있다.The center nozzle group 74n extends in the vertical direction through the gas flow path 745nw, the buffer space 745nb, and the punching plate 745np. Each discharge port at the lower end of the center nozzle group 74n is located below the punching plate 745np. The lower surface of the center nozzle group 74n is located at the same height as the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A or above the lower surface 74b.

여기서, 예를 들면, 제3 이동 기구(74m)는, 모터 등에 의해 연직 방향을 따른 가상적인 회전축(74a)을 중심으로 하여 아암(743)을 회동시킴으로써, 분위기 제어 부재(74A)를 유지부(720) 상에 있어서 요동시킬 수 있어도 된다. 또, 예를 들면, 제3 이동 기구(74m)는, 모터 등에 의해 회전축(74a)을 중심으로 하여 아암(743)을 회동시킴으로써, 분위기 제어 부재(74A)를 유지부(720) 상으로부터 퇴피시킬 수 있어도 된다.Here, for example, the third moving mechanism 74m rotates the arm 743 about a virtual rotational shaft 74a along the vertical direction with a motor or the like, thereby holding the atmosphere control member 74A to the holding part ( 720), you may make it rock|fluctuate. Further, for example, the third movement mechanism 74m rotates the arm 743 with a motor or the like about the rotation shaft 74a to retract the atmosphere control member 74A from the holder 720 . may be able

<2-2. 제3 실시 형태><2-2. Third embodiment>

상기 각 실시 형태에서는, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 각각, 예를 들면, 제1 관형상부(75p1)(도 10(b))를 갖고 있지 않아도 된다. 도 22는, 제3 실시 형태에 따른 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)의 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다.In each of the above embodiments, the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n are, for example, the first tubular portion 75p1 (Fig. 10). (b)) does not have to be present. 22 is a longitudinal sectional view schematically showing the forms of the first to third liquid discharge units 751n, 752n, and 753n according to the third embodiment.

제3 실시 형태에서는, 제2 관형상부(75p2)는, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 상태의 관형상의 선단부(75p4)를 갖는다. 그리고, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)에 있어서, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 선단부(75p4)가, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 제1 토출구(751o)를 갖고 있어도 된다. 또, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)에 있어서, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 선단부(75p4)가, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 제2 토출구(752o)를 갖고 있어도 된다. 또, 예를 들면, 제3 액 토출부(753n)에 있어서, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 선단부(75p4)가, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 제3 토출구(753o)를 갖고 있어도 된다. 여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 구동부의 일례인 제1 이동 기구(751m)에 의해, 제1~3 가드부(731, 732, 733) 중 적어도 1개의 가드부와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극에 대해 선단부(75p4)가 삽입 발거되도록, 제1 액 토출부(751n)를 연직 방향을 따라 승강시켜도 되고, 제3 구동부의 일례인 제2 이동 기구(752m)에 의해, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 연직 방향을 따라 승강시켜도 된다.In the third embodiment, the second tubular portion 75p2 has a tubular tip portion 75p4 extending along the vertical direction. Further, for example, in the first liquid discharge portion 751n, the tip portion 75p4 extending in the vertical direction may have a first discharge port 751o opened in the horizontal direction. Further, for example, in the second liquid discharge portion 752n, the tip portion 75p4 extending in the vertical direction may have a second discharge port 752o that is opened in the horizontal direction. Further, for example, in the third liquid discharge portion 753n, the tip portion 75p4 extending in the vertical direction may have a third discharge port 753o that is opened in the horizontal direction. Here, for example, the control unit 9 includes at least one of the first to third guard units 731 , 732 , 733 and the atmosphere by the first moving mechanism 751 m that is an example of the third driving unit. The first liquid discharge portion 751n may be raised and lowered in the vertical direction so that the tip portion 75p4 is inserted and removed from the gap between the control members 74 and 74A, and the second movement mechanism 752m, which is an example of the third drive portion Accordingly, the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n may be raised and lowered along the vertical direction.

이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)의 상면이, 분위기 제어 부재(74, 74A)의 하면(74b)보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극이 좁은 경우여도, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)의 제2 관형상부(75p2)를, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간격이 좁아도, 제1 액 토출부(751n)를, 제1 퇴피 위치와 제1 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제2 액 토출부(752n)를, 제2 퇴피 위치와 제2 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제3 액 토출부(753n)를, 제3 퇴피 위치와 제3 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.When such a configuration is employed, for example, the upper surface of the guard 73 is disposed at a position higher than the lower surface 74b of the atmosphere control members 74 and 74A, so that the guard 73 and the atmosphere control member 74, Even when the gap between the 74A is narrow, the second tubular portion 75p2 of the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n is connected to the guard 73 It can be easily inserted and removed from the gap between the atmosphere control members 74 and 74A. Specifically, for example, even when the gap between the guard 73 and the atmosphere control members 74 and 74A is narrow, the first liquid discharge unit 751n can be easily moved between the first retracted position and the first discharge position. can be moved, the second liquid discharge unit 752n can be easily moved between the second retracted position and the second discharge position, and the third liquid discharge unit 753n is moved between the third retracted position and the third It can be easily moved between discharging positions.

<2-3. 제4 실시 형태><2-3. Fourth embodiment>

상기 각 실시 형태에 있어서, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 좁은 간극에 대해, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)를 각각 삽입 발거 가능하게 하기 위해서, 가드(73)의 내주연부에 오목부가 형성되어도 된다. 도 23은, 제4 실시 형태에 따른 처리 유닛(7)의 내부의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 평면도이다.In each of the above embodiments, for example, the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n can be inserted and removed from the narrow gap between the guard 73 and the atmosphere control members 74 and 74A, respectively. For this purpose, a recess may be formed in the inner periphery of the guard 73 . 23 is a plan view schematically showing an example of the internal configuration of the processing unit 7 according to the fourth embodiment.

제4 실시 형태에서는, 도 23에서 나타내어지는 바와 같이, 가드(73)는, 하방 향을 향해 평면에서 봤을 때 혹은 평면 투시했을 경우에, 분위기 제어 부재(74)로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부(73r)를 갖는 내주연부(73i)를 갖고 있어도 된다. 다른 관점에서 말하면, 가드(73)는, 내주연부(73i)에 있어서, 회전축(72a)으로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부(73r)를 갖고 있어도 된다. 도 23의 예에서는, 가드(73)는, 2개의 오목부(73r)를 갖는다. 2개의 오목부(73r)는, 제1 액 토출부(751n)를 위한 제1 오목부(73r1)와, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 위한 제2 오목부(73r2)를 포함한다. 여기에서는, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 구동부의 일례로서의 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 강하시킴으로써 제2 관형상부(75p2)를 제1 오목부(73r1) 내의 공간에 삽입 통과시키는 동작(하강 동작), 및 제3 구동부의 일례로서의 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)를 상승시킴으로써 제2 관형상부(75p2)를 제1 오목부(73r1) 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 동작(상승 동작) 중 적어도 한쪽의 동작을 실행시켜도 된다. 또, 예를 들면, 제어부(9)는, 제3 구동부의 일례로서의 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 강하시킴으로써 각 제2 관형상부(75p2)를 제2 오목부(73r2) 내의 공간에 삽입 통과시키는 동작(하강 동작), 및 제3 구동부의 일례로서의 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)를 상승시킴으로써 각 제2 관형상부(75p2)를 제2 오목부(73r2) 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 동작(상승 동작) 중 적어도 한쪽의 동작을 실행시켜도 된다.In the fourth embodiment, as shown in FIG. 23 , the guard 73 has a concave portion ( 73r) may have an inner peripheral portion 73i. In other words, the guard 73 may have a concave portion 73r recessed in a direction away from the rotation shaft 72a in the inner peripheral portion 73i. In the example of FIG. 23 , the guard 73 has two concave portions 73r. The two concave portions 73r include a first concave portion 73r1 for the first liquid discharge portion 751n and a second concave portion for the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n. part 73r2. Here, for example, the control unit 9 lowers the first liquid discharge unit 751n by a first moving mechanism 751m as an example of the third drive unit to lower the second tubular portion 75p2 into the first recess. The second tubular portion 75p2 is inserted through the space within the portion 73r1 (lowering operation), and the first liquid discharge portion 751n is raised by the first moving mechanism 751m as an example of the third driving portion. You may perform at least one operation|movement of the operation|movement (lifting operation|movement) of moving upwardly from the space in the 1st recessed part 73r1. Also, for example, the control unit 9 lowers the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n by using the second moving mechanism 752m as an example of the third drive unit to lower each second A second liquid discharge portion 752n and At least one of the operations (lifting operation) of moving each second tubular portion 75p2 upward from the space within the second concave portion 73r2 may be executed by raising the third liquid discharge portion 753n.

이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 가드(73)의 상면이, 분위기 제어 부재(74, 74A)의 하면(74b)보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극이 좁은 경우여도, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)의 제2 관형상부(75p2)를, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74, 74A)의 간격이 좁아도, 제1 액 토출부(751n)를, 제1 퇴피 위치와 제1 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제2 액 토출부(752n)를, 제2 퇴피 위치와 제2 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있고, 제3 액 토출부(753n)를, 제3 퇴피 위치와 제3 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.When such a configuration is employed, for example, the upper surface of the guard 73 is disposed at a position higher than the lower surface 74b of the atmosphere control members 74 and 74A, so that the guard 73 and the atmosphere control member 74, Even when the gap between the 74A is narrow, the second tubular portion 75p2 of the first liquid discharge portion 751n, the second liquid discharge portion 752n, and the third liquid discharge portion 753n is connected to the guard 73 It can be easily inserted and removed from the gap between the atmosphere control members 74 and 74A. Specifically, for example, even when the gap between the guard 73 and the atmosphere control members 74 and 74A is narrow, the first liquid discharge unit 751n can be easily moved between the first retracted position and the first discharge position. can be moved, the second liquid discharge unit 752n can be easily moved between the second retracted position and the second discharge position, and the third liquid discharge unit 753n is moved between the third retracted position and the third It can be easily moved between discharging positions.

또, 여기에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)의 제2 관형상부(75p2)가 제1 오목부(73r1) 내의 공간에 삽입 통과된 상태로, 제1 이동 기구(751m)에 의해 제1 액 토출부(751n)가 회전축(72a)에 대해 접근 및 이격하는 방향으로 이동되어도 된다. 이에 의해, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)가 제1 관형상부(75p1)를 갖는 경우여도, 제1 토출구(751o)를 분위기 제어 부재(74, 74A)와 유지부(720) 사이의 공간에 대해 삽입 발거할 수 있다. 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)의 제2 관형상부(75p2)가 제2 오목부(73r2) 내의 공간에 삽입 통과된 상태로, 제2 이동 기구(752m)에 의해 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)가 회전축(72a)에 대해 접근 및 이격하는 방향으로 이동되어도 된다. 이에 의해, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)가 제1 관형상부(75p1)를 갖는 경우여도, 제2 토출구(752o) 및 제3 토출구(753o)를 분위기 제어 부재(74, 74A)와 유지부(720) 사이의 공간에 대해 삽입 발거할 수 있다.In addition, here, for example, the second tubular portion 75p2 of the first liquid discharge portion 751n is inserted into the space within the first concave portion 73r1 and is inserted into the first moving mechanism 751m. Accordingly, the first liquid discharge part 751n may be moved in a direction approaching and separating from the rotation shaft 72a. Accordingly, for example, even when the first liquid discharge portion 751n has the first tubular portion 75p1 , the first discharge port 751o is connected between the atmosphere control members 74 and 74A and the holding portion 720 . It can be inserted and removed for the space of For example, in a state in which the second tubular portion 75p2 of the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n is inserted into the space within the second concave portion 73r2, the second movement mechanism By 752m, the second liquid discharge unit 752n and the third liquid discharge unit 753n may be moved in a direction to approach and separate from the rotation shaft 72a. Accordingly, for example, even when the second liquid discharge portion 752n and the third liquid discharge portion 753n have the first tubular portion 75p1, the second discharge port 752o and the third discharge port 753o can be inserted and removed from the space between the atmosphere control members 74 and 74A and the holding part 720 .

<2-4. 제5 실시 형태><2-4. Fifth embodiment>

상기 제1 실시 형태 및 상기 제2 실시 형태에 있어서, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 각각 가드(73)와 일체적으로 구성된 상태에 있어도 된다. 도 24는, 제5 실시 형태에 따른 처리 유닛(7)에 있어서의 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)의 배치를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 24(a)에는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu)에 있어서의 중앙 영역(A1)에 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습이 나타내어져 있고, 도 24(b)에는, 제1 액 토출부(751n)로부터 기판(W)의 상면(Wu)에 있어서의 단부측 영역(A2)에 제1 처리액(Lq1)을 토출하고 있는 모습이 나타내어져 있다.In the first and second embodiments, for example, the first liquid discharge unit 751n, the second liquid discharge unit 752n, and the third liquid discharge unit 753n each have a guard 73 ) and may be in a state of being integrally formed. 24 is a side view schematically illustrating the arrangement of the first to third liquid discharge units 751n, 752n, and 753n in the processing unit 7 according to the fifth embodiment. Fig. 24(a) shows a state in which the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge unit 751n to the central area A1 on the upper surface Wu of the substrate W, , FIG. 24B shows a state in which the first processing liquid Lq1 is discharged from the first liquid discharge unit 751n to the end-side area A2 on the upper surface Wu of the substrate W. it's gone

도 24에서 나타내어지는 바와 같이, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n)가 제1 가드부(731)와 일체적으로 구성되어도 되고, 제2 액 토출부(752n)가 제3 가드부(733)와 일체적으로 구성되어도 되고, 제3 액 토출부(753n)가 제2 가드부(732)와 일체적으로 구성되어도 된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)의 배치가 용이하다.As shown in FIG. 24 , for example, the first liquid discharge unit 751n may be integrally configured with the first guard unit 731 , and the second liquid discharge unit 752n may be configured as a third guard unit ( 733 , or the third liquid discharging part 753n may be integrally configured with the second guard part 732 . If such a configuration is employed, for example, the arrangement of the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n is easy.

<2-5. 그 외><2-5. Others>

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1~6 처리액(Lq1~Lq6) 중 하나 이상의 처리액을 기판(W)의 상면(Wu) 상에 공급하고 있을 때에, 분위기 제어 부재(74, 74A)가, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 불활성 가스를 공급해도 된다.In each of the above embodiments, for example, when one or more of the first to sixth processing liquids Lq1 to Lq6 is supplied onto the upper surface Wu of the substrate W, the atmosphere control members 74 and 74A ) may supply an inert gas on the upper surface Wu of the substrate W.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n), 제2 액 공급로(752p) 및 제2 변경부(752v)를 설치하는 일 없이, 기판(W)의 상면(Wu) 상에 대한 용제의 토출이, 제3 중심 노즐(749n)로부터 행해지는 구성이 채용되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, the upper surface Wu of the substrate W is not provided without providing the second liquid discharge portion 752n, the second liquid supply path 752p, and the second change portion 752v. A configuration in which the solvent is discharged from the third central nozzle 749n may be employed.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제2 액 토출부(752n)가, 제2 처리액으로서, 용제 대신에, 린스액을 토출하는 구성이 채용되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, a configuration in which the second liquid discharge unit 752n discharges a rinse liquid instead of a solvent as the second processing liquid may be adopted.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제3 이동 기구(74m)에 의해 분위기 제어 부재(74, 74A)를 거의 혹은 완전히 승강시키지 않는 구성이 채용되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, a configuration in which the atmosphere control members 74 and 74A are hardly or completely raised/lowered by the third moving mechanism 74m may be employed.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 처리 유닛(7A) 및 제2 처리 유닛(7B)에 대해서는, 유지부(720)에, 메커니컬 척 또는 메커니컬 그리퍼가 적용되어도 되고, 베르누이 척 또는 베르누이 그리퍼가 적용되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, for the first processing unit 7A and the second processing unit 7B, a mechanical chuck or a mechanical gripper may be applied to the holding unit 720 , and a Bernoulli chuck or a Bernoulli gripper may be applied. may be applied.

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 액 토출부(751n), 제2 액 토출부(752n) 및 제3 액 토출부(753n)는, 각각 회전 유지 기구(72)와 일체적으로 구성되어도 된다.In each of the above embodiments, for example, the first liquid discharge unit 751n , the second liquid discharge unit 752n , and the third liquid discharge unit 753n are configured integrally with the rotation holding mechanism 72 , respectively. may be

상기 각 실시 형태에서는, 예를 들면, 불활성 가스에, 건조 공기 또는 청정 공기 등의 질소 가스 이외의 가스가 포함되어도 된다.In each said embodiment, gas other than nitrogen gas, such as dry air or clean air, may be contained in an inert gas, for example.

상기 제1 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)에 있어서, 제1 관형상부(75p1)가, 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회동 가능하게 제2 관형상부(75p2)에 설치되어 있어도 된다. 여기서, 예를 들면, 제어부(9)가, 모터 등의 구동부에 의해 제2 관형상부(75p2)를 중심으로 하여 제1 관형상부(75p1)의 방향을 변경하는 것이 가능해도 된다. 이러한 구성에 의하면, 예를 들면, 가드(73)의 상면이, 분위기 제어 부재(74)의 하면(74b)보다 높은 위치에 배치되어 있어, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극이 좁은 경우여도, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)를, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극에 대해 용이하게 삽입 발거할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 가드(73)와 분위기 제어 부재(74)의 간극이 좁아도, 제1~3 액 토출부(751n, 752n, 753n)를, 각각 퇴피 위치와 토출 위치 사이에서 용이하게 이동시킬 수 있다.In the first embodiment, for example, in the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n, the first tubular portion 75p1 can be rotated about an imaginary axis of rotation along the vertical direction. It may be provided in the second tubular portion 75p2. Here, for example, it may be possible for the control part 9 to change the direction of the 1st tubular part 75p1 centering on the 2nd tubular part 75p2 by a drive part, such as a motor. According to this configuration, for example, the upper surface of the guard 73 is disposed at a position higher than the lower surface 74b of the atmosphere control member 74 , so that the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74 is reduced. Even in a narrow case, the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n can be easily inserted and removed from the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74 . Accordingly, for example, even when the gap between the guard 73 and the atmosphere control member 74 is narrow, the first to third liquid discharge portions 751n, 752n, and 753n can be easily moved between the retracted position and the discharge position, respectively. can be moved

상기 제1, 3~5 실시 형태에서는, 예를 들면, 지지축(742)에 모터 등의 회전 기구를 설치하고, 기판(W)의 상면(Wu)에 대해, 에칭, 세정, 소수화 및 건조를, 이 기재 순서로 행하는 일련의 기판 처리를 실행할 때에, 회전축(72a)을 중심으로 하여 차단판(741)을 회전시켜도 된다. 이 경우에는, 예를 들면, 제어부(9)는, 회전 기구의 동작을 제어하여, 유지부(720)에 유지된 기판(W)의 회전에 따라 기판(W)과 같은 회전 방향으로 또한 대략 동일한 회전 속도로 차단판(741)을 회전시켜도 된다.In the first and third to fifth embodiments, for example, a rotation mechanism such as a motor is provided on the support shaft 742 , and etching, cleaning, hydrophobicization and drying are performed on the upper surface Wu of the substrate W. , When performing a series of substrate processing performed in this order of description, the blocking plate 741 may be rotated centering on the rotation shaft 72a. In this case, for example, the control unit 9 controls the operation of the rotation mechanism, in accordance with the rotation of the substrate W held by the holding unit 720 in the same rotational direction as the substrate W and approximately the same. The blocking plate 741 may be rotated at the rotation speed.

상기 제2 실시 형태에서는, 예를 들면, 제1 처리 공정에 있어서의 제1 토출구(751o)의 위치, 제2 처리 공정에 있어서의 제2 토출구(752o)의 위치, 및 제3 처리 공정에 있어서의 제3 토출구(753o)의 위치는, 각각 연직 방향에 있어서 분위기 제어 부재(74A)의 하면(74b)과 동등하거나 혹은 하면(74b)보다 약간 높은 위치여도 된다.In the second embodiment, for example, the position of the first discharge port 751o in the first processing step, the position of the second discharge port 752o in the second processing step, and the third processing step, The position of the third discharge port 753o may be equal to or slightly higher than the lower surface 74b of the lower surface 74b of the atmosphere control member 74A in the vertical direction, respectively.

또한, 상기 제1~5 실시 형태 및 각종 변형예를 각각 구성하는 전부 또는 일부를, 적절히, 모순되지 않는 범위에서 조합 가능한 것은, 말할 필요도 없다.In addition, it goes without saying that all or a part constituting each of the first to fifth embodiments and various modifications can be appropriately combined within a range that does not contradict each other.

1: 기판 처리 장치 7: 처리 유닛
72: 회전 유지 기구 720: 유지부
721: 중심축 722: 회전 기구
723: 스핀 베이스 724: 척 핀
72a: 회전축 73: 가드
731, 732, 733: 제1~3 가드부 73i: 내주연부
73m: 승강 구동부 73r: 오목부
73r1, 73r2: 제1, 2 오목부 74, 74A: 분위기 제어 부재
741: 차단판 745n, 745nA: 기체 노즐
74m: 제3 이동 기구 74n: 중심 노즐군
74b: 하면 751a: 가상축
751m: 제1 이동 기구 751n: 제1 액 토출부
751o: 제1 토출구 751p: 제1 액 공급로
751v: 제1 변경부 752a: 가상축
752m: 제2 이동 기구 752n: 제2 액 토출부
752o: 제2 토출구 752p: 제2 액 공급로
752v: 제2 변경부 753m: 제3 이동 기구
753n: 제3 액 토출부 753o: 제3 토출구
753p: 제3 액 공급로 753v: 제3 변경부
75d: 토출 방향 75p1: 제1 관형상부
75p2: 제2 관형상부 75p3: 제3 관형상부
75p4: 선단부 9: 제어부
A1: 중앙 영역 A2: 단부측 영역
Lq1~Lq6: 제1~6 처리액 W: 기판1: substrate processing apparatus 7: processing unit
72: rotation holding mechanism 720: holding part
721: central shaft 722: rotating mechanism
723: spin base 724: chuck pin
72a: axis of rotation 73: guard
731, 732, 733: first to third guard portions 73i: inner peripheral portion
73m: elevating drive 73r: concave
73r1, 73r2: first and second recesses 74, 74A: atmosphere control member
741: blocking plate 745n, 745nA: gas nozzle
74m: 3rd moving mechanism 74n: center nozzle group
74b: lower surface 751a: virtual axis
751m: first moving mechanism 751n: first liquid discharge unit
751o: first outlet 751p: first liquid supply path
751v: first change part 752a: virtual axis
752m: second movement mechanism 752n: second liquid discharge unit
752o: second outlet 752p: second liquid supply path
752v: second change part 753m: third movement mechanism
753n: third liquid discharge unit 753o: third discharge port
753p: third liquid supply path 753v: third change part
75d: discharge direction 75p1: first tubular portion
75p2: second tubular part 75p3: third tubular part
75p4: tip 9: control
A1: central area A2: end-side area
Lq1 to Lq6: first to sixth processing liquid W: substrate

Claims (20)

기판을 수평 자세로 유지부로 하여금 유지하게 하는 유지 공정과,
상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 위치하고 있는 분위기 제어 부재로부터 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급하면서, 상기 유지부를 연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 회전시키면서, 액 토출부의 토출구로부터 상기 상면을 따른 방향을 향해 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 당해 처리액을 공급하는 처리 공정을 갖고,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 처리액의 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하여, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시킴으로써, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시키는, 기판 처리 방법.A holding process for allowing a holding unit to hold the substrate in a horizontal position;
While supplying an inert gas onto the upper surface from an atmosphere control member positioned in a state opposite to the upper surface of the substrate held in the horizontal position by the holding unit, the holding unit rotates about an imaginary rotation axis in a vertical direction while discharging the treatment liquid from the discharge port of the liquid discharge unit toward the upper surface in a direction along the upper surface, thereby supplying the treatment liquid onto the upper surface;
In the treatment step, the liquid in the upper surface is changed by changing a supply amount per unit time of the treatment liquid from the treatment liquid supply source to the liquid discharge unit to change a discharge rate of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit. A substrate processing method for changing a liquid supply position to which the processing liquid discharged from a discharge unit is supplied. 청구항 1에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는, 기판 처리 방법.The method according to claim 1,
In the processing step, the liquid supply position is transferred from the supply source to the liquid discharge unit so that the discharge speed is smaller when the liquid supply position is in the end-side region of the upper surface than when the liquid supply position is in the central region of the upper surface. A substrate processing method for reducing the supply amount per unit time of the processing liquid. 청구항 2에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시키는, 기판 처리 방법.3. The method according to claim 2,
In the processing step, the liquid supply position is reciprocated a plurality of times between the inside of the central region and the end-side region by increasing/decreasing a supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit. . 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액하는, 기판 처리 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
In the processing step, the processing liquid discharged from the liquid discharge unit passes through a space between the upper surface and the atmosphere control member and lands on the upper surface. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 토출구는, 연직 방향에 있어서, 상기 상면보다 높은 위치에 배치됨과 더불어, 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치되는, 기판 처리 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
In the processing step, the discharge port is disposed at a position higher than the upper surface in a vertical direction and disposed at a position lower than a lower surface of the atmosphere control member. 청구항 5에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하는, 기판 처리 방법.6. The method of claim 5,
In the processing step, the height in the vertical direction of the discharge port with respect to the upper surface is H, and the distance between the virtual rotation axis and the discharge port in the horizontal direction is R, and the virtual passing through the discharge port is R. An angle between the horizontal plane and the discharge direction through which the discharge port discharges the processing liquid is θ, and when the discharge direction is downward than the horizontal direction, the angle θ indicates a positive value and the discharge direction is the horizontal direction The substrate processing method according to claim 1, wherein the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied when the angle θ shows a negative value in the upward direction. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로 위치하고, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급하는, 기판 처리 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
In the processing step, the atmosphere control member is positioned to cover the upper surface, and an inert gas is supplied between the upper surface and the atmosphere control member. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리 공정에 있어서, 상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 위치하고, 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성하는, 기판 처리 방법.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
In the processing step, the atmosphere control member is positioned to face a central region of the upper surface, and supplies an inert gas above the substrate to form an airflow flowing along the upper surface. 기판을 수평 자세로 유지하는 유지부와,
연직 방향을 따른 가상적인 회전축을 중심으로 하여 상기 유지부를 회전시키는 제1 구동부와,
상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상면에 대향하고 있는 상태로 상기 상면 상에 불활성 가스를 공급하는 분위기 제어 부재와,
상기 유지부에 수평 자세로 유지된 상기 기판의 상기 상면을 따른 방향을 향해 토출구로부터 처리액을 토출함으로써 상기 상면 상에 상기 처리액을 공급하는 액 토출부와,
상기 처리액의 공급원과 상기 액 토출부를 접속하고 있는 액 공급로와,
상기 액 공급로의 도중에 위치하며, 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 변경하는 변경부와,
상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 상기 변경부로 하여금 변경하게 함으로써, 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액의 토출 속도를 변화시키고, 상기 상면 중 상기 액 토출부로부터 토출되는 상기 처리액이 공급되는 액 공급 위치를 변화시키는 제어부를 구비하는, 기판 처리 장치.a holding unit for maintaining the substrate in a horizontal position;
A first driving unit for rotating the holding unit about a virtual axis of rotation in a vertical direction;
an atmosphere control member for supplying an inert gas to the upper surface of the substrate in a state opposite to the upper surface of the substrate held in the horizontal posture by the holding unit;
a liquid discharge unit configured to supply the treatment liquid onto the upper surface by discharging the treatment liquid from a discharge port in a direction along the upper surface of the substrate held in the horizontal position by the holding unit;
a liquid supply path connecting the supply source of the processing liquid and the liquid discharge unit;
a change unit located in the middle of the liquid supply path and configured to change a supply amount per unit time of the treatment liquid from the supply source to the liquid discharge unit;
By causing the changing unit to change the supply amount per unit time of the treatment liquid from the supply source to the liquid discharge unit, the discharge speed of the treatment liquid discharged from the liquid discharge unit is changed, and discharged from the liquid discharge unit in the upper surface and a control unit configured to change a liquid supply position to which the processing liquid is supplied. 청구항 9에 있어서,
상기 제어부는, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 중앙 영역 내일 때보다, 상기 액 공급 위치가 상기 상면 중 단부측 영역 내일 때인 쪽이, 상기 토출 속도가 작아지도록, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 저하시키는, 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The control unit is configured to cause the discharging speed to be smaller when the liquid supply position is in the end-side region of the upper surface than when the liquid supply position is in the central region of the upper surface, by the changing unit. A substrate processing apparatus for reducing a supply amount of the processing liquid per unit time to the liquid discharge unit. 청구항 10에 있어서,
상기 제어부는, 상기 변경부에 의해 상기 공급원으로부터 상기 액 토출부로의 상기 처리액의 단위 시간당 공급량을 증감시킴으로써, 상기 액 공급 위치를 상기 중앙 영역 내와 상기 단부측 영역 내 사이에서 복수 회 왕복시키는, 기판 처리 장치.11. The method of claim 10,
wherein the control unit increases/decreases a supply amount per unit time of the processing liquid from the supply source to the liquid discharge unit by the change unit, thereby reciprocating the liquid supply position between the central region and the end-side region a plurality of times; substrate processing equipment. 청구항 9 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 토출부는, 상기 처리액이 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이의 공간을 지나 상기 상면에 착액하도록, 상기 처리액을 토출하는, 기판 처리 장치.12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The liquid discharge unit discharges the processing liquid so that the processing liquid passes through a space between the upper surface and the atmosphere control member and lands on the upper surface. 청구항 9 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토출구는, 연직 방향에 있어서 상기 상면보다 높고 또한 상기 분위기 제어 부재의 하면보다 낮은 위치에 배치된 상태로 상기 상면을 따른 방향을 향해 상기 처리액을 토출하는, 기판 처리 장치.13. The method according to any one of claims 9 to 12,
The discharge port is disposed at a position higher than the upper surface and lower than a lower surface of the atmosphere control member in a vertical direction to discharge the processing liquid in a direction along the upper surface. 청구항 13에 있어서,
상기 액 토출부가 상기 상면에 상기 처리액을 공급할 때에, 상기 상면을 기준으로 한 상기 토출구의 연직 방향에 있어서의 높이를 H로 하고, 상기 가상적인 회전축과 상기 토출구의 수평 방향에 있어서의 거리를 R로 하고, 상기 토출구를 지나는 가상적인 수평면과 상기 토출구가 상기 처리액을 토출하는 토출 방향이 이루는 각도를 θ로 하고, 상기 토출 방향이 수평 방향보다 하향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 양의 값을 나타내고 또한 상기 토출 방향이 수평 방향보다 상향의 방향일 때에 상기 각도 θ가 음의 값을 나타내는 경우에, 0≤θ≤tan-1(H/R)의 관계를 만족하는, 기판 처리 장치.14. The method of claim 13,
When the liquid discharge unit supplies the treatment liquid to the upper surface, the height in the vertical direction of the discharge port with respect to the upper surface is H, and the distance between the virtual rotation axis and the discharge port in the horizontal direction is R and an angle between the virtual horizontal plane passing through the discharge port and the discharge direction through which the discharge port discharges the treatment liquid is θ, and when the discharge direction is in a downward direction than the horizontal direction, the angle θ is a positive value and the relationship of 0≤θ≤tan -1 (H/R) is satisfied when the angle θ shows a negative value when the discharge direction is upward than the horizontal direction. 청구항 9 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면을 덮고 있는 상태로, 상기 상면과 상기 분위기 제어 부재 사이에 불활성 가스를 공급하는 차단판을 포함하는, 기판 처리 장치.15. The method according to any one of claims 9 to 14,
The atmosphere control member includes a blocking plate for supplying an inert gas between the upper surface and the atmosphere control member while covering the upper surface. 청구항 9 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 분위기 제어 부재는, 상기 상면 중 중앙 영역에 대향하고 있는 상태로 상기 기판의 상방에 불활성 가스를 공급함으로써, 상기 상면을 따라 흐르는 기류를 형성하는, 기판 처리 장치.15. The method according to any one of claims 9 to 14,
The atmosphere control member forms an airflow flowing along the upper surface by supplying an inert gas above the substrate in a state opposite to a central region of the upper surface. 청구항 9 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와,
상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고,
상기 액 토출부는,
수평 방향을 따라 연장되어 있는 상태로 선단에 상기 토출구를 갖는 제1 관형상부와,
상기 제1 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제1 관형상부로부터 상방을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제2 관형상부와,
상기 제2 관형상부에 연통하고 있는 상태로 상기 제2 관형상부로부터 수평 방향을 향해 연장되어 있는 상태에 있는 제3 관형상부를 갖는, 기판 처리 장치.17. The method according to any one of claims 9 to 16,
a guard part surrounding the holding part;
and a second driving unit for lifting and lowering the guard unit in a vertical direction,
The control unit raises and lowers the guard unit by the second driving unit,
The liquid discharge unit,
A first tubular portion having the discharge port at the tip in a state extending in the horizontal direction;
a second tubular portion extending upwardly from the first tubular portion while communicating with the first tubular portion;
and a third tubular portion extending from the second tubular portion in a horizontal direction while communicating with the second tubular portion. 청구항 17에 있어서,
상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고,
상기 가드부는, 하방향을 향해 평면 투시한 경우에, 상기 분위기 제어 부재로부터 멀어지는 방향으로 패여 있는 오목부를 갖는 내주연부를 갖고,
상기 제어부는, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 강하시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간에 삽입 통과시키는 하강 동작, 및 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 상승시킴으로써 상기 제2 관형상부를 상기 오목부 내의 공간으로부터 상방으로 이동시키는 상승 동작 중 적어도 한쪽의 동작을 행하는, 기판 처리 장치.18. The method of claim 17,
and a third driving unit for lifting and lowering the liquid discharge unit in a vertical direction;
The guard portion has an inner peripheral portion having a concave portion recessed in a direction away from the atmosphere control member when viewed in plan view in a downward direction;
The control unit includes a lowering operation for inserting the second tubular portion into the space within the concave portion by lowering the liquid discharge portion by the third drive portion, and a lowering operation for raising the liquid discharge portion by the third drive portion. The substrate processing apparatus which performs at least one of the lifting operation|movement of moving a tubular part upward from the space in the said recessed part. 청구항 9 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와,
상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부와,
상기 액 토출부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제3 구동부를 구비하고,
상기 액 토출부는, 연직 방향을 따라 연장되어 있는 상태의 관형상의 선단부를 갖고,
상기 선단부는, 수평 방향을 향해 개구되어 있는 상기 토출구를 갖고,
상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고, 상기 가드부와 상기 분위기 제어 부재의 간극에 대해 상기 선단부가 삽입 발거되도록, 상기 제3 구동부에 의해 상기 액 토출부를 승강시키는, 기판 처리 장치.17. The method according to any one of claims 9 to 16,
a guard part surrounding the holding part;
a second driving unit for elevating and lowering the guard unit in a vertical direction;
and a third driving unit for lifting and lowering the liquid discharge unit in a vertical direction;
The liquid discharge portion has a tubular tip portion extending in the vertical direction,
The distal end has the outlet opening in the horizontal direction,
wherein the control unit raises and lowers the guard unit by the second driving unit, and raises and lowers the liquid discharge unit by the third driving unit such that the tip end is inserted and removed from a gap between the guard unit and the atmosphere control member. Device. 청구항 9 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유지부의 주위를 둘러싸는 가드부와,
상기 가드부를 연직 방향을 따라 승강시키는 제2 구동부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 제2 구동부에 의해 상기 가드부를 승강시키고,
상기 액 토출부는, 상기 가드부와 일체적으로 구성된 상태에 있는, 기판 처리 장치.17. The method according to any one of claims 9 to 16,
a guard part surrounding the holding part;
and a second driving unit for lifting and lowering the guard unit in a vertical direction,
The control unit raises and lowers the guard unit by the second driving unit,
The liquid discharge unit is in a state configured integrally with the guard unit.
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