KR101678229B1 - Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium having program for executing the method recorded therein - Google Patents
Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium having program for executing the method recorded thereinInfo
- Publication number
- KR101678229B1 KR101678229B1 KR1020110022407A KR20110022407A KR101678229B1 KR 101678229 B1 KR101678229 B1 KR 101678229B1 KR 1020110022407 A KR1020110022407 A KR 1020110022407A KR 20110022407 A KR20110022407 A KR 20110022407A KR 101678229 B1 KR101678229 B1 KR 101678229B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- positioning
- substrate
- upper plate
- fixed
- liquid
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Abstract
본 발명은 기판의 상면측에서 가스를 공급하고 기판의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 기판의 하면을 처리하는 액처리 장치에 있어서, 톱플레이트의 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판(W)의 상면측에서 가스를 공급하고 기판(W)의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 기판(W)의 하면을 처리하는 액처리 장치(22)에서, 상면에 개구(105)를 갖는 처리 용기(100)와, 처리 용기(100) 안에 설치되며, 기판(W)의 둘레 가장자리부(WE)를 지지하는 지지부(70, 72)와, 승강 가능하게 설치되며, 하강한 상태로 개구(105)를 막는 상판부(110)와, 상판부(110)가 하강할 때에, 처리 용기(100)에 대한 상판부(110)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 기구(130)를 갖는다. The present invention relates to a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a lower surface of a substrate by supplying a gas from the upper surface side of the substrate and processing the lower surface of the substrate by the supplied processing liquid, And to provide a liquid processing apparatus and a liquid processing method that can be used.
In the liquid processing apparatus 22 for supplying the processing solution from the lower surface side of the substrate W by supplying the gas from the upper surface side of the substrate W and processing the lower surface of the substrate W by the supplied processing liquid, A supporting portion 70 and 72 which are provided in the processing vessel 100 and support the peripheral edge portion WE of the substrate W, A positioning mechanism 110 for positioning the relative position of the upper plate 110 with respect to the processing container 100 at a predetermined position when the upper plate 110 is lowered, (130).
Description
본 발명은 처리액을 이용하여 처리하는 액처리 장치, 액처리 방법, 및 그 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a recording medium on which a program for executing the liquid processing method is recorded.
반도체 디바이스의 제조 프로세스나 플랫 패널 디스 플레이(FPD)의 제조 프로세스에서는, 피처리 기판(이하, 「기판」 또는 「웨이퍼」라고 함)인 반도체 웨이퍼나 유리 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 액처리 프로세스가 다용되고 있다. BACKGROUND ART In a semiconductor device manufacturing process or a flat panel display (FPD) manufacturing process, a process liquid is supplied to a semiconductor wafer or a glass substrate, which is a substrate to be processed (hereinafter referred to as a & The processing process is becoming more common.
이러한 액처리 프로세스의 하나로서, 기판의 이면 또는 둘레 가장자리부에 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해, 기판의 이면 또는 둘레 가장자리부에 액처리를 실시하는 액처리 프로세스가 있다. As one of such liquid processing processes, there is a liquid processing process in which a process liquid is supplied to the back surface or peripheral edge portion of a substrate, and liquid processing is performed on the back surface or peripheral edge portion of the substrate by the supplied process liquid.
예컨대, 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에서는, 기판 표면에 각종 박막을 형성하기 위해 성막 공정이 실시되는 경우가 있다. 성막 공정에서는, 기판의 표면뿐만 아니라 기판의 이면 또는 둘레 가장자리부에도 박막이 성막되는 경우가 있다. 기판의 이면 또는 둘레 가장자리부에 형성된 박막은 그 후의 제조 공정 시에, 예컨대 열처리 등일 때에 기판에 휘어짐을 발생시키는 요인이 되기 때문에, 제거하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 기판의 이면 또는 둘레 가장자리부에 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해, 기판의 이면 또는 둘레 가장자리부를 에칭 처리하는 액처리 프로세스를 실시하는 경우가 있다. For example, in a manufacturing process of a semiconductor device or the like, a film forming process may be performed to form various thin films on the surface of a substrate. In the film forming step, a thin film may be formed not only on the surface of the substrate but also on the back surface or peripheral portion of the substrate. The thin film formed on the back surface or the peripheral edge of the substrate is preferably removed since it causes warping in the substrate during the subsequent manufacturing process, for example, heat treatment. To this end, there is a case where a liquid treatment process is performed in which the treatment liquid is supplied to the back surface or the peripheral edge portion of the substrate and the back surface or the peripheral edge portion of the substrate is etched by the supplied treatment liquid.
이러한 액처리 프로세스를 실시하는 액처리 장치로서, 기판의 상면에 기체를 공급하고 기판의 하면에 처리액을 공급하는 것에 의해, 기판의 하면 및 둘레 가장자리부에 대하여 액처리를 실시하는 액처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 나타내는 예에서는, 액처리 장치는 기판 유지 회전 수단(지지부), 처리액 공급 수단 및 차단판(톱플레이트)을 갖고 있다. 기판 유지 회전 수단(지지부)은 기판을 대략 수평으로 유지(지지)하면서 회전시킨다. 처리액 공급 수단은 기판 유지 회전 수단(지지부)에 의해 회전되는 기판의 하면을 향해 처리액을 공급한다. 차단판(톱플레이트)은 기판의 상면에 대하여 정해진 간격의 간극을 두고 대향하도록 기판 유지 회전 수단 위에 배치되어 있어, 기판 유지 회전 수단에 의해 기판과 함께 회전된다. 그리고, 차단판(톱플레이트)의 하면 대략 중앙에는, 기판의 상면에 기체를 공급하기 위한 개구부가 형성되어 있다. A liquid processing apparatus for performing such a liquid processing process includes a liquid processing apparatus for supplying a gas to an upper surface of a substrate and supplying a processing liquid to a lower surface of the substrate to perform liquid processing on the lower surface and the peripheral edge of the substrate (See, for example, Patent Document 1). In the example shown in Patent Document 1, the liquid processing apparatus has a substrate holding and rotating means (supporting portion), a processing liquid supplying means, and a shielding plate (top plate). The substrate holding and rotating means (supporting portion) rotates while holding (supporting) the substrate substantially horizontally. The treatment liquid supply means supplies the treatment liquid toward the lower surface of the substrate rotated by the substrate holding and rotating means (support portion). The blocking plate (top plate) is disposed on the substrate holding and rotating means so as to face the upper surface of the substrate with a predetermined gap therebetween, and is rotated together with the substrate by the substrate holding and rotating means. An opening for supplying a gas to the upper surface of the substrate is formed substantially at the center of the lower surface of the blocking plate (top plate).
그런데, 상기한 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 액처리 장치 및 액처리 방법에서는, 다음과 같은 문제가 있다. However, the liquid processing apparatus and the liquid processing method for processing a substrate using the above-described processing liquid have the following problems.
특허문헌 1에 나타내는 액처리 장치에서는, 지지부에 대한 톱플레이트의 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 없다. 즉, 기판 유지 회전 수단(지지부)에 유지(지지)되어 있는 기판에 대한 톱플레이트의 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 없다. 그 결과, 기판의 둘레 가장자리부와 톱플레이트 사이의 거리를, 기판의 둘레 방향을 따라 일정하게 할 수 없어, 둘레 가장자리부의 일부에서 기판과 톱플레이트 사이에 큰 간극이 생기는 경우가 있다. 그리고, 기판과 톱플레이트 사이에 큰 간극이 생기면, 기판의 하면 및 둘레 가장자리부에 공급된 처리액이 기판의 상면에 돌아 들어가거나 또는 비산될 우려가 있다. In the liquid processing apparatus disclosed in Patent Document 1, the position of the top plate with respect to the support portion can not be positioned with high accuracy. That is, the position of the top plate with respect to the substrate held (supported) by the substrate holding and rotating means (supporting portion) can not be positioned with high accuracy. As a result, the distance between the peripheral edge of the substrate and the top plate can not be made uniform along the circumferential direction of the substrate, and a large gap may be formed between the substrate and the top plate at a portion of the peripheral edge. If a large clearance is formed between the substrate and the top plate, there is a risk that the treatment liquid supplied to the lower surface and the peripheral portion of the substrate may be scattered or scattered on the upper surface of the substrate.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 상면측에서 가스를 공급하고 기판의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 기판의 하면을 처리하는 액처리 장치에서, 톱플레이트의 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a liquid processing apparatus which supplies gas at the upper surface side of a substrate and supplies the processing liquid at a lower surface side of the substrate, A liquid processing apparatus and a liquid processing method capable of positioning a plate with high precision are provided.
상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는, 다음에 기술하는 각 수단을 강구한 것을 특징으로 하는 것이다. In order to solve the above problems, the present invention is characterized in that each of the following means is devised.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 상면측에서 가스를 공급하고 상기 기판의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 상기 기판의 하면을 처리하는 액처리 장치에 있어서, 상면에 개구를 갖는 처리 용기와, 상기 처리 용기 안에 설치되며, 기판의 둘레 가장자리부를 지지하는 지지부와, 승강 가능하게 설치되며, 하강한 상태로 상기 개구를 막는 상판부와, 상기 상판부가 하강할 때에, 상기 처리 용기에 대한 상기 상판부의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 기구를 포함하는 액처리 장치가 제공된다. According to an embodiment of the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a lower surface of a substrate by supplying gas from an upper surface side of the substrate and processing the lower surface of the substrate by the supplied processing liquid, A supporting member which is provided in the processing container and supports the peripheral edge portion of the substrate, an upper plate portion which is provided so as to be able to raise and lower and which closes the opening in a lowered state, And a positioning mechanism for positioning the relative position of the upper plate portion with respect to the processing container at a predetermined position.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상면에 개구를 갖는 처리 용기와, 상기 처리 용기 안에 설치되며, 기판의 둘레 가장자리부를 지지하는 지지부와, 승강 가능하게 설치되며, 하강한 상태로 상기 개구를 막는 상판부를 포함하고, 상기 지지부에 지지되어 있는 기판의 상면측에서 가스를 공급하고 상기 기판의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 상기 기판의 하면을 처리하는 액처리 장치에서의 액처리 방법으로서, 상기 상판부가 하강할 때에, 상기 처리 용기에 대한 상기 상판부의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 공정을 포함하는 액처리 방법이 제공된다. According to an embodiment of the present invention, there is also provided a processing apparatus comprising: a processing container having an opening on an upper surface; a support portion provided in the processing container to support a peripheral edge portion of the substrate; A liquid processing apparatus including a top plate for closing the upper surface of the substrate supported by the support and supplying a processing liquid to the lower surface of the substrate by supplying gas and processing the lower surface of the substrate by the supplied processing liquid And a positioning step of positioning the relative position of the upper plate with respect to the processing container at a predetermined position when the upper plate is lowered.
본 발명에 의하면, 기판의 상면측에서 가스를 공급하고 기판의 하면측에서 처리액을 공급하여, 공급된 처리액에 의해 기판의 하면을 처리하는 액처리 장치에 있어서, 톱플레이트의 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 있다. According to the present invention, there is provided a liquid processing apparatus for supplying a processing liquid to a lower surface side of a substrate by supplying gas from an upper surface side of the substrate and processing the lower surface of the substrate by the supplied processing liquid, Can be positioned.
도 1은 실시형태에 따른 액처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 선 A-A를 따라 취한 정면측의 단면도이다.
도 3은 도 1의 선 B-B를 따라 취한 측면측의 단면도이다.
도 4는 실시형태에 따른 액처리 유닛의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 5는 실시형태에 따른 액처리 유닛의 회전컵 근방을 확대한 개략 단면도이다.
도 6은 실시형태에 따른 액처리 유닛의 회전컵의 사시도이다.
도 7은 실시형태에 따른 액처리 유닛의 구성을 도시하는 개략 평면도이다.
도 8은 실시형태에 따른 액처리 유닛의 플로팅 부재 근방을 확대한 개략 단면도이다.
도 9는 실시형태의 제1 변형예에 따른 액처리 유닛의 구성을 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은 실시형태의 제2 변형예에 따른 액처리 유닛의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. 1 is a plan view showing a schematic structure of a liquid processing system according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of the front side taken along the line AA in Fig.
3 is a cross-sectional side view taken along the line BB in Fig.
4 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a liquid processing unit according to the embodiment.
Fig. 5 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the rotating cup of the liquid processing unit according to the embodiment.
6 is a perspective view of the rotating cup of the liquid processing unit according to the embodiment.
7 is a schematic plan view showing the configuration of the liquid processing unit according to the embodiment.
8 is a schematic cross-sectional view of an enlargement of the vicinity of the floating member of the liquid processing unit according to the embodiment.
Fig. 9 is a schematic sectional view showing a configuration of a liquid processing unit according to a first modification of the embodiment. Fig.
10 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a liquid processing unit according to a second modification of the embodiment.
다음에, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면과 함께 설명한다. 여기서는, 본 발명을 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)의 이면을 세정하는 액처리 장치에 적용한 경우에 대해서 나타낸다. Next, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. Here, the present invention is applied to a liquid processing apparatus for cleaning the back surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as " wafer ").
(실시형태)(Embodiments)
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 실시형태에 따른 액처리 유닛이 탑재되는 액처리 시스템의 개략 구성에 대해서 설명한다. First, with reference to Fig. 1 to Fig. 3, a schematic structure of a liquid processing system on which a liquid processing unit according to the embodiment is mounted will be described.
또한, 액처리 유닛은 본 발명에서의 액처리 장치에 상당한다. The liquid processing unit corresponds to the liquid processing apparatus of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 액처리 시스템(10)의 개략 구성을 도시하는 평면도, 도 2는 도 1의 선 A-A를 따라 취한 정면측의 단면도, 도 3은 도 1의 선 B-B를 따라 취한 측면측의 단면도이다. FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a
이 액처리 시스템(10)은 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 캐리어(C)가 배치되어, 웨이퍼(W)를 반입·반출하는 반입반출 스테이션(기판 반입반출부)(1)과, 웨이퍼(W)에 세정 처리를 실시하기 위한 처리 스테이션(액처리부)(2)을 구비한다. 반입반출 스테이션(기판 반입반출부)(1) 및 처리 스테이션(액처리부)(2)은 인접하게 설치된다.The
반입반출 스테이션(1)은 캐리어 배치부(11), 반송부(12), 전달부(13) 및 하우징(14)을 갖는다. 캐리어 배치부(11)는 복수의 웨이퍼(W)를 수평 상태로 수용하는 웨이퍼 캐리어(C)를 구비한다. 반송부(12)는 웨이퍼(W)를 반송한다. 전달부(13)는 웨이퍼(W)를 전달한다. 하우징(14)은 반송부(12) 및 전달부(13)를 수용한다. The loading and unloading station 1 has a carrier arrangement section 11, a carrying
캐리어 배치부(11)에는 4개의 웨이퍼 캐리어(C)가 배치될 수 있다. 배치된 웨이퍼 캐리어(C)는 하우징(14)의 수직 벽부(12a)에 밀착된 상태가 되어, 대기에 닿지 않고 그 안의 웨이퍼(W)가 반송부(12)에 반입될 수 있게 되어 있다.Four wafer carriers C may be arranged in the carrier arrangement section 11. [ The arranged wafer carrier C is brought into close contact with the
하우징(14)은 반송부(12)와 전달부(13)를 수직으로 구획하는 구획 부재(14a)를 갖는다. 반송부(12)는 반송 기구(15)와, 그 위쪽에 설치된 청정 공기의 다운플로우를 공급하는 팬 필터 유닛(FFU)(16)을 갖는다. 반송 기구(15)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 아암(15a), 및 웨이퍼 유지 아암(15a)을 전후로 이동시키는 기구를 갖는다. 또한, 반송 기구(15)는 웨이퍼 캐리어(C)의 배열 방향인 X방향으로 연장되는 수평 가이드(17)(도 1 참조)를 따라 이동시키는 기구, 수직 방향으로 설치된 수직 가이드(18)(도 2 참조)를 따라 이동시키는 기구, 수평면 내에서 회전시키는 기구를 갖는다. 이 반송 기구(15)에 의해, 웨이퍼 캐리어(C)와 전달부(13) 사이에서 웨이퍼(W)가 반송된다. The
전달부(13)는 전달 스테이지(19)와, 그 위에 설치되며 웨이퍼(W)가 배치될 수 있는 배치부를 복수개 구비한 전달 선반(20)을 갖는다. 전달부(13)는 이 전달 선반(20)을 통해 처리 스테이션(2)과의 사이에서 웨이퍼(W)가 전달되게 한다.The
도 3에 도시하는 바와 같이, 처리 스테이션(2)은 직방체형을 이루는 하우징(21)를 갖는다. 처리 스테이션(2)은 하우징(21) 안에, 그 중앙 상부에 웨이퍼 캐리어(C)의 배열 방향인 X방향에 직교하는 Y방향을 따라 연장되는 반송로를 구성하는 반송실(21a)과, 반송실(21a)의 양측에 설치된 2개의 유닛실(21b, 21c)을 갖는다. 유닛실(21b, 21c)에는 각각 반송실(21a)을 따라 6개씩 총 12개의 액처리 유닛(22)이 수평으로 배열되어 있다. As shown in Fig. 3, the processing station 2 has a
하우징(21) 안의 유닛실(21b, 21c) 아래에는, 각각 각 액처리 유닛(22)의 구동계를 수용한 구동 영역(21d, 21e)이 설치되어 있다. 또한, 구동 영역(21d, 21e) 아래에는, 각각 배관을 수용한 배관 박스(21f, 21g)가 설치되어 있다. 또한, 배관 박스(21f, 21g) 아래에는, 각각 처리액 저류부로서의 약액 공급 유닛(21h, 21i)이 설치되어 있다. 한편, 반송실(21a) 아래쪽에는, 배기를 위한 배기 공간(21j)이 형성되어 있다. Under the
반송실(21a) 위쪽에는, 팬 필터 유닛(FFU)(23)이 설치되어, 반송실(21a)에 청정 공기의 다운플로우를 공급하도록 되어 있다. 반송실(21a) 내부에는 반송 기구(24)가 설치되어 있다. 반송 기구(24)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 아암(24a), 및 웨이퍼 유지 아암(24a)을 전후로 이동시키는 기구를 갖는다. 또한, 반송 기구(24)는, 반송실(21a)에 설치된 수평 가이드(25)(도 1 참조)에 따라서 Y 방향으로 이동시키는 기구, 수직 방향으로 설치된 수직 가이드(26)(도 3 참조)를 따라 이동시키는 기구, 수평면 내에서 회전시키는 기구를 갖는다. 이 반송 기구(24)에 의해, 각 액처리 유닛(22)에 대한 웨이퍼(W)를 반입반출하게 된다.A fan filter unit (FFU) 23 is provided above the
또한, 전달 스테이지(19)는 캐리어 배치부(11)보다 높은 위치에 설치되고, 액처리 유닛(22)은 전달 스테이지(19)보다 높은 위치에 설치된다.The
배관 박스(21f, 21g)에는, 처리액 배관군(30), 배액 배관군(31) 및 배기 배관군(32)이 수평으로 배치되어 있다. 처리액 배관군(30)은 예컨대 암모니아수와 과산화수소를 혼합하여 형성된 암모니아과수(SC1)를 공급하는 SC1 배관(30a), 희불산(DHF)을 공급하는 DHF 배관(30b), 순수를 공급하는 순수 배관(30c)을 갖는다. 또한, 배액 배관군(31)은 예컨대 배액을 배출하기 위한 배액 배관(31a), 배액을 회수하기 위한 회수 배관(31b)을 갖는다. 또한, 배기 배관군(32)은 예컨대 산을 배기하기 위한 산 배기 배관(32a), 알칼리를 배기하기 위한 알칼리 배기 배관(32b)을 갖는다.The processing
약액 공급 유닛(21h)은 반입반출 스테이션(1)측에 설치된, 예컨대 암모니아과수(SC1)를 저류하는 제1 약액 탱크(41)와 그것에 인접하는 제1 회수 탱크(42)를 갖는다.The chemical
도 2에 도시하는 바와 같이, 제1 약액 탱크(41)에는, 약액을 송출하기 위한 송출관(43)과, 약액을 복귀시키기 위한 복귀관(44)이 접속된다. 송출관(43)은 배관 박스(21f) 안에 수평으로 배치된 처리액 배관군(30)의 SC1 배관(30a)의 일단측에 접속된다. 또한, 복귀관(44)은 SC1 배관(30a)의 타단측에 접속된다.As shown in Fig. 2, a
제1 약액 탱크(41)의 상부에는 약액 공급 배관(51)이 접속되고, 이 약액 공급 배관(51)에는 혼합기(52)가 접속된다. 혼합기(52)에는, 순수 배관(53), 암모니아 배관(54) 및 과산화수소 배관(55)이 접속되어, 혼합기(52)에서 순수와 암모니아와 과산화수소가 혼합되어 암모니아과수(SC1)가 제1 약액 탱크(41)에 공급되도록 되어 있다. 순수 배관(53)에는 액체 플로우 컨트롤러(LFC)(56a) 및 밸브(56b)가 설치되어 있다. 암모니아 배관(54)에는 액체 플로우 컨트롤러(LFC)(57a) 및 밸브(57b)가 설치되어 있다. 과산화수소 배관(55)에는 액체 플로우 컨트롤러(LFC)(58a) 및 밸브(58b)가 설치되어 있다.A chemical liquid supply pipe 51 is connected to an upper portion of the first
또한, 약액 공급 유닛(21h)에는, 배액 배관군(31)의 회수 배관(31b)에 접속되어, 처리 완료된 약액을 회수하기 위한 제1 회수 탱크(42)가 설치되어 있다. 제1 회수 탱크(42)와 제1 약액 탱크(41)는 접속 배관(46)에 접속되어, 회수된 약액을 청정화 처리한 후, 제1 약액 탱크(41)에 복귀할 수 있게 되어 있다.The chemical
한편, 약액 공급 유닛(21i)은 반입반출 스테이션(1)측에 설치된, 예컨대 희불산(DHF)을 저류하는 제2 약액 탱크(47)(도 3 참조)와 그것에 인접한 제2 회수 탱크(도시 생략)를 갖는다. 그리고, 제2 약액 탱크(47)의 DHF도, 제1 약액 탱크(41)로부터의 SC1과 마찬가지로, 배관 박스(21f, 21g) 안의 DHF 배관(30b) 등에 의해 순환 공급될 수 있게 되어 있다. 또한, 제2 회수 탱크에의 DHF의 회수는 배관(48)(도 2 참조)을 통해 제1 회수 탱크(42)에의 SC1의 회수와 마찬가지로 이루어진다.On the other hand, the chemical liquid supply unit 21i is provided with a second chemical liquid tank 47 (see FIG. 3) for storing, for example, dilute hydrofluoric acid (DHF) provided on the loading / unloading station 1 side and a second recovery tank ). DHF of the second
또한, 이들 약액 세정 이외에, 순수에 의한 린스 및 건조가 이루어지지만, 이 때에는, 도시하지 않는 순수 공급원으로부터 순수 배관(30c)을 통해 순수가 공급된다. Further, in addition to these chemical solution cleaning, pure water is rinsed and dried. In this case, pure water is supplied from a pure water supply source (not shown) through the
배관 박스(21f, 21g)에 설치된 배액 배관군(31) 중, 배액 배관(31a)에는 드레인 배관(49)이 접속된다. 배액 배관(31a)으로부터의 배액은 드레인 배관(49)을 통해 드레인으로서 바닥 아래의 공장 배관에 폐기된다. A
다음에, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 실시형태에 따른 액처리 시스템(10)에 탑재된 액처리 유닛(22)인 액처리 장치에 대해서 설명한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 액처리 유닛(22)의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. 도 5는 본 실시형태에 따른 액처리 유닛(22)의 회전컵(71) 근방을 확대한 개략 단면도이다. 도 6은 본 실시형태에 따른 액처리 유닛(22)의 회전컵(71)의 사시도이다. Next, a liquid processing apparatus which is a
액처리 유닛(22)은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 회전 플레이트(60), 포위 부재(70), 회전컵(71), 회전 구동부(80), 기판 승강 부재(90), 처리액 공급 기구(93), 배기·배액부(컵)(100), 톱플레이트(110), 승강 기구(120), 비활성 가스 공급 기구(123), 위치 결정 기구(130), 및 플로팅 부재(150)를 갖는다. 4, the
또한, 배기·배액부(컵)(100)는 본 발명에서의 처리 용기에 상당한다. 또한 톱플레이트(110)는 본 발명에서의 상판부에 상당한다. The exhaust / liquid-dispensing portion (cup) 100 corresponds to the processing container of the present invention. The
회전 플레이트(60)는 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 베이스 플레이트(61) 및 회전축(62)을 갖는다. 베이스 플레이트(61)는 수평으로 설치되고, 중앙에 원형의 구멍(61a)를 갖는다. 회전축(62)은 베이스 플레이트(61)로부터 아래쪽을 향해 연장되도록 설치되고, 중심에 구멍(62a)이 형성된 원통 형상을 갖는다. The
포위 부재(70)는, 도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 바깥쪽에 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)를 전체 둘레에 걸쳐 위요하도록 설치되어 있다. 포위 부재(70)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 처리한 처리액을 배액컵(101)으로 유도한다. 또한, 포위 부재(70)는 지지핀(72)을 갖는다. 지지핀(72)은 포위 부재(70)의 하단으로부터 둘레 가장자리 안쪽으로 돌출되게 설치된다. 지지핀(72)은 웨이퍼(W) 둘레 가장자리부(WE)의 하면을 지지한다. 또한, 도 6에 도시하는 바와 같이, 지지핀(72)은 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라서, 대략 등간격으로 복수개 설치된다.As shown in Figs. 5 and 6, the surrounding
또한, 포위 부재(70) 및 지지핀(72)은 본 발명에서의 지지부에 상당한다. In addition, the surrounding
회전컵(71)은, 웨이퍼(W)의 하면측에 공급되며, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 외주측으로 비산하는 처리액이 되 튀겨 다시 웨이퍼(W)에 되돌아가는 것을 방지하기 위한 것이다. 또한, 회전하는 웨이퍼(W)로부터 외주측으로 비산하는 처리액이 웨이퍼(W)의 상면측으로 돌아 들어가지 않도록 하기 위한 것이기도 하다. The rotating
도 5에 도시하는 바와 같이, 베이스 플레이트(61), 포위 부재(70) 및 회전컵(71)은 각각을 관통하도록 형성된 구멍(73)에 체결 부재(74)를 끼워 넣는 것에 의해 체결된다. 이것에 의해, 베이스 플레이트(61), 포위 부재(70) 및 회전컵(71)은 일체로서 회전할 수 있게 설치된다. 5, the
회전 구동부(80)는 풀리(81), 구동 벨트(82) 및 모터(83)를 갖는다. 풀리(81)는 회전축(62)의 하측에서의 둘레 가장자리 바깥쪽에 배치된다. 구동 벨트(82)는 풀리(81)에 감겨 있다. 모터(83)는 구동 벨트(82)에 연결되어 있고, 구동 벨트(82)에 회전 구동력을 전달함으로써, 풀리(81)를 통해 회전축(62)을 회전시킨다. 즉, 회전 구동부(80)는 회전축(62)을 회전시킴으로써 베이스 플레이트(61), 포위 부재(70) 및 회전컵(71)을 회전시킨다. 또한, 회전축(62)의 둘레 가장자리 바깥쪽에는 베어링(63)이 배치된다.The
기판 승강 부재(90)는 베이스 플레이트(61)의 구멍(61a) 및 회전축(62)의 구멍(62a) 안에 승강 가능하게 설치되고, 리프트핀 플레이트(91) 및 리프트축(92)을 갖는다. 리프트핀 플레이트(91)는 둘레 가장자리에 복수 예컨대 3개의 리프트핀(91a)을 갖는다. 리프트축(92)은 리프트핀 플레이트(91)로부터 아래쪽으로 연장되어 있다. 리프트핀 플레이트(91) 및 리프트축(92)은 중심에 처리액 공급관(94)이 설치되어 있다. 또한, 리프트축(92)의 하단에는 도시하지 않는 실린더 기구가 접속되고, 이 실린더 기구에 의해 기판 승강 부재(90)를 승강시킴으로써, 웨이퍼(W)를 승강시켜 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩이 이루어진다.The
처리액 공급 기구(93)는 처리액 공급관(94)을 갖는다. 전술한 바와 같이, 처리액 공급관(94)은 리프트핀 플레이트(91) 및 리프트축(92) 내부(중공 공간 안)에, 상하 방향으로 연장되도록 설치된다. 처리액 공급관(94)은 처리액 배관군(30)의 각 배관에서 공급된 처리액을 웨이퍼(W)의 하면측까지 유도한다. 처리액 공급관(94)은 리프트핀 플레이트(91)의 상면에 형성된 처리액 공급구(94a)와 연통되어 있다. The treatment
배기·배액부(컵)(100)는 배액컵(101), 배액관(102), 배기컵(103) 및 배기관(104)을 갖는다. 또한, 배기·배액부(컵)(100)는 상면에 개구(105)가 형성되어 있다. 배기·배액부(컵)(100)는 주로 회전 플레이트(60)와 회전컵(71)에 위요된 공간으로부터 배출되는 기체 및 액체를 회수하기 위한 것이다. The evacuation / drainage section (cup) 100 has a
배액컵(101)은 회전컵(71)에 의해 유도된 처리액을 수용한다. 배액관(102)은 배액컵(101) 바닥부의 최외측 부분에 접속되어 있어, 배액컵(101)에 의해 수용된 처리액을 배액 배관군(31) 중 어느 하나의 배관을 통해 배출한다. 배기컵(103)은, 배액컵(101)의 바깥쪽 또는 아래쪽에서, 배액컵(101)과 연통하도록 설치되어 있다. 도 4에서는, 배기컵(103)이 배액컵(101)의 둘레 가장자리 안쪽 및 아래쪽에서, 배액컵(101)과 연통하도록 설치되어 있는 예를 나타낸다. 배기관(104)은 배기컵(103) 바닥부의 최외측 부분에 접속되어 있어, 배기컵(103) 안의 질소 가스 등의 기체를 배기 배관군(32) 중 어느 하나의 배관을 통해 배기한다. The
톱플레이트(110)는 승강 가능한 것으로서, 하강한 상태에서 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막도록 설치된다. 또한, 톱플레이트(110)는 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막을 때에, 지지핀(72)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)를 위쪽으로부터 덮도록 설치된다.The
톱플레이트(110)는 포위 부재(70)의 지지핀(72)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)와 대향하는 영역(111)에, 톱플레이트(110)의 하면(112)으로부터 아래쪽으로 돌출되게 설치된 간극 형성 부재(113)를 갖는다. 간극 형성 부재(113)는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)와의 사이에 간극(D1)을 형성한다. The
톱플레이트(110)에 간극 형성 부재(113)가 형성되어 있으면, 포위 부재(70)의 지지핀(72)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)와 톱플레이트(110)와의 간극(D1)은 웨이퍼(W)의 중심부(WC)와 톱플레이트(110) 사이의 거리(D0)보다 작아진다. The circumferential edge portion WE of the wafer W supported by the
승강 기구(120)는 아암(121), 승강 구동부(122)를 갖는다. 승강 구동부(122)는 배기·배액부(컵)(100)의 바깥쪽에 설치되고, 상하로 이동할 수 있도록 되어 있다. 아암(121)은 톱플레이트(110)와 승강 구동부(122)를 접속하도록 설치되어 있다. 즉, 승강 기구(120)는 아암(121)을 통해 승강 구동부(122)에 의해 톱플레이트(110)를 승강시킨다. The lifting mechanism (120) has an arm (121) and a lifting and lowering drive part (122). The lifting and lowering
비활성 가스 공급 기구(123)는 비활성 가스 공급관(124) 및 비활성 가스 공급원(125)을 갖는다. 비활성 가스 공급 기구(123)는 웨이퍼(W)의 상면측에 질소 가스나 아르곤 가스 등의 비활성 가스를 공급하기 위한 것이다. 비활성 가스 공급관(124)은 톱플레이트(110) 및 아암(121)의 내부에 연장되도록 설치된다. 비활성 가스 공급관(124)의 일단은 비활성 가스를 공급하는 비활성 가스 공급원(125)에 연결된다. 비활성 가스 공급관(124)은 톱플레이트(110)의 하면(112)의 중심부에 비활성 가스 공급구(124a)를 구성한다.The inert
도 4에 도시하는 바와 같이, 아암(121)은 톱플레이트(110)의 상면의 대략 중심에 접속될 수도 있다. 이것에 의해, 비활성 가스 공급구(124a)가 톱플레이트(110)의 하면(112)의 중심부에 형성되기 때문에, 비활성 가스를 톱플레이트(110) 중심으로부터 아래쪽에 공급할 수 있어, 웨이퍼(W)에 공급되는 비활성 가스의 유량을 둘레 방향을 따라 균일하게 할 수 있다. As shown in Fig. 4, the
본 실시형태에서는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 기구(130)를 갖는다. 이하, 도 5 및 도 7을 참조하여, 위치 결정 기구(130)에 대해서 설명한다. 도 7은 본 실시형태에 따른 액처리 유닛(22)의 구성을 도시하는 개략 평면도이다. 4 and 5, when the
위치 결정 기구(130)는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 제1 위치 결정 부재(131) 및 제2 위치 결정 부재(132)를 갖는다. The
제1 위치 결정 부재(131)는, 톱플레이트(110)에 고정된다. 또한, 제2 위치 결정 부재(132)는 제1 위치 결정 부재(131)에 대응하여 설치되며, 배기·배액부(컵)(100)에 고정된다. 제1 위치 결정 부재(131) 및 제2 위치 결정 부재(132)는 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 그 제1 위치 결정 부재(131) 및 제2 위치 결정 부재(132) 중 하나가 다른 하나에 걸림으로써, 위치 결정된다. The
제1 위치 결정 부재(131)는, 예컨대 톱플레이트(110)의 둘레 가장자리 바깥쪽의 위치로서 배기·배액부(컵)(100)의 상면과 평면에서 봤을 때 중첩되는 위치에 설치되어, 아래쪽을 향해 볼록 형상을 갖는 볼록형 부재(133)를 포함할 수 있다. 그리고, 제2 위치 결정 부재(132)는, 예컨대 평면에서 봤을 때 볼록형 부재(133)에 대응하는 위치에 설치되어, 위쪽을 향해 오목 형상을 갖는 오목형 부재(134)를 포함할 수 있다. 이 때는, 볼록형 부재(133)가 오목형 부재(134)에 끼워짐으로써 위치 결정된다. 또는, 제1 위치 결정 부재(131)가 오목형 부재를 포함하고, 제2 위치 결정 부재(132)가 볼록형 부재를 포함할 수도 있다.The
제1 위치 결정 부재(131)가 볼록형 부재(133)를 포함하고, 제2 위치 결정 부재(132)가 오목형 부재(134)를 포함할 때는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 볼록형 부재(133) 바로 위에, 오목형 부재(134)의 상면에 형성된 구멍(136)의 형상보다 큰 형상을 갖는 대직경 부재(135)를 가질 수 있다. 대직경 부재(135)의 하면부터 볼록형 부재(133)의 선단까지의 길이(LT)와, 오목형 부재(134)의 구멍(136)의 깊이(LB)와의 대소 관계에 의해, 상하 방향의 위치 결정 기준이 약간 상이하다. LT>LB일 때는, 볼록형 부재(133)의 선단부가 오목형 부재(134)의 구멍(136)의 바닥부에 접촉함으로써, 상하 방향의 위치 결정이 이루어진다. 또한, LT<LB일 때는, 대직경 부재(135)의 하면이 오목형 부재(134)의 상면에 접촉함으로써, 상하 방향의 위치 결정이 이루어진다. When the
한편, 볼록형 부재(133)가 오목형 부재(134)의 구멍(136)에 대략 간극없이 끼워 넣어지도록 설치될 때는, 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 볼록형 부재(133)가 오목형 부재(134)의 구멍(136)에 끼워 넣어짐으로써, 평면에서 봤을 때 위치 결정이 이루어진다. 또한, 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 볼록형 부재(133)가 오목형 부재(134)의 구멍(136)에 용이하게 끼워 넣어지도록, 도 5에 도시하는 바와 같이, 볼록형 부재(133)의 선단측 또는 오목형 부재(134)의 구멍(136)의 볼록형 부재(133)측에 테이퍼를 형성할 수도 있다.On the other hand, when the
도 7에 도시하는 바와 같이, 위치 결정 기구(130)는 제1 위치 결정 부재(131)와 제2 위치 결정 부재(132)로 이루어지는 한 쌍의 부재쌍을, 톱플레이트(110)의 둘레 가장자리부에서 둘레 방향을 따라 복수조 갖는다. 도 7에 도시하는 예에서는, 톱플레이트(110)의 둘레 가장자리부에서 전체 둘레를 대략 3등분하는 위치에서 3조의 부재쌍이 설치되어 있다. 복수의 부재쌍이 설치됨으로써 수평면 내에서 톱플레이트(110)를 더욱 고정밀도로 위치 결정할 수 있다. 7, the
또한, 제1 위치 결정 부재(131) 및 제2 위치 결정 부재(132)는 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 그 제1 위치 결정 부재(131) 및 제2 위치 결정 부재(132) 중 어느 하나가 톱플레이트(110)의 외주로부터 바깥쪽으로, 다른 하나에 걸리도록 설치될 수도 있다. 같은 정렬 정밀도라도, 복수의 위치 결정 부재(131, 132)의 쌍이 톱플레이트(110)의 외주로부터 바깥쪽으로 걸림으로써, 톱플레이트(110)의 정렬 정밀도가 보다 향상한다. The
또한, 톱플레이트(110)에 고정되는 제1 위치 결정 부재(131)는 고정 위치가 조정 가능하게 고정될 수 있다. 예컨대, 제1 위치 결정 부재(131)를, 톱플레이트(110)에 고정된 근원측 부재(137)와, 근원측 부재(137)에 고정된 선단측 부재(138)로 분할하여, 선단측 부재(138)의 근원측 부재(137)에 대한 상대 위치가 나사 등에 의해 조정 가능하도록 설치한다. 이것에 의해, 제1 위치 결정 부재(131)가 톱플레이트(110)에 고정되는 고정 위치를 조정할 수 있게 되어, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상하 방향 및 수평 방향을 따른 위치를 더욱 고정밀도로 정렬할 수 있다. 도 5에서는, 옆 둘레면에 나사 홈이 형성된 선단측 부재(138)가 근원측 부재(137)에 설치되어, 내주면에 나사 홈이 형성된 나사 구멍(139)과 너트(140)에 의해, 상하 방향을 따른 상대 위치가 조정 가능하게 설치되어 있는 예를 나타낸다. Further, the
또는, 배기·배액부(컵)(100)에 고정된 제2 위치 결정 부재(132)를, 배기·배액부(컵)(100)에 고정된 근원측 부재와, 근원측 부재에 고정된 선단측 부재로 분할하여, 선단측 부재의 근원측 부재에 대한 상대 위치가 나사 등에 의해 조정 가능하도록 설치할 수도 있다. 이것에 의해, 제2 위치 결정 부재(132)의 배기·배액부(컵)(100)에 고정되는 고정 위치를 조정할 수 있게 된다.Alternatively, the
또한, 본 실시형태에서는, 도 4 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 톱플레이트(110)와 아암(121)은 플로팅 부재(150)를 통해 접속된다. 이하, 도 8을 참조하여, 플로팅 부재(150)에 대해서 설명한다. 도 8은 본 실시형태에 따른 액처리 유닛(22)의 플로팅 부재(150) 근방을 확대한 개략 단면도이다. 4 and 7, the
플로팅 부재(150)는 제1 걸림 부재(151), 제2 걸림 부재(152), 탄성 부재(153)를 갖는다. 플로팅 부재(150)는 톱플레이트(110)가 하강한 상태로 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막고 있을 때에, 위치 결정 기구(130)에 의해 위치 결정된 톱플레이트(110)와, 승강 기구(120)의 아암(121) 사이의 위치 어긋남을 흡수하기 위한 것이다. The floating
또한, 플로팅 부재(150)는 본 발명에서의 압박 부재에 상당한다. Further, the floating
제1 걸림 부재(151)는 톱플레이트(110)에 고정된다. 또한, 제2 걸림 부재(152)는 아암(121)에 고정된다. 제1 걸림 부재(151) 및 제2 걸림 부재(152)는 예컨대 약간의 여유를 두고 걸리도록 설치된다. 즉, 톱플레이트(110)와 아암(121)이 제1 걸림 부재(151)와 제2 걸림 부재(152)에 의해 걸려 있을 때는, 아암(121)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치가 상하 방향 및 수평면 내의 방향으로 미소 거리 변위 가능하도록 되어 있다. The first engaging
또한, 아암(121)에 고정된 제2 걸림 부재(152)는 고정 위치가 조정 가능하도록 고정될 수도 있다. 예컨대, 도 8에서는, 볼트로 이루어지는 제2 걸림 부재(152)가 아암(121)의 하면에 형성된 나사 구멍(154)과 너트(155)에 의해 상하 방향을 따른 상대 위치를 미리 조정할 수 있게 설치되어 있는 예를 도시한다. 또는 톱플레이트(110)에 고정된 제1 걸림 부재(151)는 고정 위치가 조정 가능하도록 설치될 수도 있다. 이것에 의해, 아암(121)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 미리 조정할 수 있기 때문에, 실제 액처리 프로세스에 있어서, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 더욱 고정밀도로 정렬할 수 있다. Further, the second engaging
탄성 부재(153)는 톱플레이트(110)가 하강한 상태로 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막고 있을 때에, 톱플레이트(110)가 아암(121)으로부터 아래쪽으로 압박되도록, 상하 방향을 따라 탄성 변형 가능하게 설치된다. 즉, 플로팅 부재(150)는 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막고 있는 톱플레이트(110)를, 탄성 부재(153)에 의해 배기·배액부(컵)(100)에 위쪽으로부터 압박하는 것이다. 이것에 의해, 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 위치 결정 기구(130)에 의해 배기·배액부(컵)(100)에 대한 상대 위치가 고정밀도로 정렬된 톱플레이트(110)의 상하 방향 및 수평 방향을 따른 위치를, 상하 방향을 따라 탄성 변형 가능하게 설치된 플로팅 부재(150)에 의해 고정밀도로 유지할 수 있다. The
또한, 비활성 가스 공급관(124)은 제1 공급관(126) 및 제2 공급관(127)을 갖는다. 제1 공급관(126)은 일단이 톱플레이트(110)의 하면(112)에 개구되어 비활성 가스 공급구(124a)를 형성하고, 타단측이 아암(121)의 내부에서 제2 공급관(127)과 접속하도록 설치된다. 또한, 비활성 가스 공급관(124)은 아암(121)에 대하여 자유롭게 설치되기 때문에, 톱플레이트(110)가 하강하여 위치 결정 기구(130)에 의해 정렬될 때도 비활성 가스 공급관(124)은 톱플레이트(110)에 추종될 수 있도록 되어 있다. In addition, the inert
또한, 도 8에 도시하는 바와 같이, 제1 공급관(126)은 대직경부(128)를 가지며, 대직경부(128)가 제1 걸림 부재(151)에 접하도록 걸릴 수도 있다. 또한, 제1 공급관(126)은 O링 등의 밀봉 부재(129)에 의해, 톱플레이트(110)에 기밀하게 끼워 넣어질 수도 있다.8, the
또한, 플로팅 부재(150)는 톱플레이트(110)보다도 승강 기구(120)측에 설치될 수 있고, 예컨대 아암(121)과 승강 구동부(122) 사이에 설치될 수도 있다.The floating
또한, 액처리 시스템(10)은 도 4에 도시하는 바와 같이, 제어부(200)를 갖는다. 제어부(200)는 마이크로프로세서(컴퓨터)를 포함하는 프로세스 컨트롤러(201)를 갖고, 액처리 시스템(10)의 각 구성부가 이 프로세스 컨트롤러(201)에 접속되어 제어되도록 구성된다. 또한, 프로세스 컨트롤러(201)에는, 공정 관리자가 액처리 시스템(10)의 각 구성부를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 하는 키보드나, 액처리 시스템(10)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 포함하는 사용자 인터페이스(202)가 접속된다. 또한, 프로세스 컨트롤러(201)에는, 액처리 시스템(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(201)의 제어로써 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 액처리 시스템(10)의 각 구성부에 정해진 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램, 즉 레시피가 저장된 기억부(203)가 접속된다. 레시피는 기억부(203) 중 기억 매체(기록 매체)에 기억된다. 기억 매체(기록 매체)는 하드 디스크나 반도체 메모리일 수도 있다. 또한, 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 레시피를 적절하게 전송시킬 수도 있다.The
그리고, 필요에 따라, 사용자 인터페이스(202)로부터의 지시 등으로써 임의의 레시피를 기억부(203)로부터 호출하여 프로세스 컨트롤러(201)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(201)의 제어 하에서, 액처리 시스템(10)에서의 원하는 처리가 이루어진다.If necessary, an arbitrary recipe is called from the
다음에, 상기한 액처리 유닛(22)을 이용한 액처리 방법 및 그 작용에 대해서 설명한다. Next, a liquid processing method using the
본 실시형태에서는, 위치 결정 기구(130)의 제1 위치 결정 부재(131) 또는 제2 위치 결정 부재(132)가 근원측 부재(137)와 선단측 부재(138)로 나눠져 있어, 선단측 부재(138)의 근원측 부재(137)에 대한 상대 위치를, 근원측 부재(137)에 형성된 나사 구멍(139)과 너트(140)에 의해 조정할 수 있게 설치되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 플로팅 부재(150)가 아암(121)에 대한 제2 걸림 부재(152)의 상대 위치 또는 톱플레이트(110)에 대한 제1 걸림 부재(151)의 상대 위치를, 아암(121)[또는 톱플레이트(110)]에 형성된 나사 구멍과 너트에 의해 조정할 수 있게 설치되어 있다. 따라서, 미리, 승강 기구(120)에 의해 톱플레이트(110)를 하강시킨 상태로, 위치 결정 기구(130) 및 플로팅 부재(150)의 너트 등을 풀고, 제1 위치 결정 부재(131)와 제2 위치 결정 부재(132)와의 위치를 정렬한 상태에서, 위치 결정 기구(130) 및 플로팅 부재(150)의 너트 등을 체결함으로써, 각각의 상대 위치를 미리 조정해 둔다. In this embodiment, the
이와 같이 하여 위치 결정 기구(130) 및 플로팅 부재(150)의 상대 위치를 미리 조정한 후, 웨이퍼(W)에 대하여 액처리 프로세스를 실시한다. After the relative positions of the
또한, 액처리 프로세스는 본 발명에서의 액처리 방법에 상당한다. The liquid treatment process corresponds to the liquid treatment method in the present invention.
우선, 반입반출 스테이션(1)의 캐리어 배치부(11)에 배치된 웨이퍼 캐리어(C)로부터 반송 기구(15)의 웨이퍼 유지 아암(15a)에 의해 하나의 웨이퍼(W)를 취출하여, 전달 스테이지(19) 위의 전달 선반(20)의 배치부에 배치한다. 이 동작을 연속적으로 수행한다. 전달 선반(20)의 배치부에 배치된 웨이퍼(W)는 처리 스테이션(2)의 반송 기구(24)의 웨이퍼 유지 아암(24a)에 의해 순차 반송되어, 어느 하나의 액처리 유닛(22)에 반입된다. First, one wafer W is taken out from the wafer carrier C arranged in the carrier arrangement section 11 of the loading and unloading station 1 by the
웨이퍼(W)가 액처리 유닛(22)에 반입될 때, 톱플레이트(110)는 승강 기구(120)에 의해 상승해 있다. 그리고 액처리 유닛(22)에 반입된 웨이퍼(W)는 실린더 기구(도시 생략)에 의해 전달 위치(위쪽 위치)에 위치한 리프트핀 플레이트(91)의 리프트핀(91a) 위에 배치된다.When the wafer W is carried into the
다음에, 실린더 기구(도시 생략)에 의해, 리프트핀 플레이트(91)가 아래쪽으로 이동하여 웨이퍼 처리 위치에 위치한다. 리프트핀 플레이트(91)가 아래쪽으로 이동하는 동안에, 포위 부재(70)에 설치된 지지핀(72)에 의해 웨이퍼(W)의 하면이 지지된다. Next, the
그 후, 승강 기구(120)에 의해, 톱플레이트(110)를 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막도록 하강시킨다. 이 때, 위치 결정 공정이 실시된다.Thereafter, the
위치 결정 공정에서는, 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정한다. 제1 위치 결정 부재(131)와 제2 위치 결정 부재(132)의 상대 위치가 미리 조정되어 있다. 따라서, 톱플레이트(110)가 하강할 때에, 제1 위치 결정 부재(131)가 제2 위치 결정 부재(132)에 걸림으로써 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 있다. In the positioning process, when the
또한, 웨이퍼(W)를 여러 개 처리한 후 등, 시간 경과에 따른 변화에 의해, 톱플레이트(110)의 배기·배액부(컵)(100)에 대한 상대 위치가 어긋난 경우, 또는 톱플레이트(110)의 승강 기구(120)에 대한 상대 위치가 어긋난 경우에는, 플로팅 부재(150)가 그 위치 어긋남을 흡수할 수 있다. 따라서, 톱플레이트(110)를 하강시킬 때에, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 고정밀도로 위치 결정할 수 있다. When the
다음에, 회전 구동부(80)에 의해 회전축(62)이 회전 구동됨으로써, 베이스 플레이트(61), 포위 부재(70) 및 회전컵(71)이 회전된다. 구체적으로, 회전축(62)은 모터(83)로부터 구동 벨트(82)를 통해 풀리(81)에 구동력이 부여되는 것에 의해, 회전 구동된다. 이 결과, 포위 부재(70)에 설치된 지지핀(72) 위의 웨이퍼(W)가 회전한다. Next, the
이 때, 웨이퍼(W)의 하면에는, 처리액 배관군(30) 중 어느 하나의 배관으로부터 처리액 공급 기구(93)의 처리액 공급관(94)을 통해 처리액이 공급된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 하면에 공급된 처리액은 도 4에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)가 회전함으로써 발생하는 원심력에 의해 둘레 가장자리 바깥쪽을 향해 이동한다. 이 때의 처리액으로서는, 전술한 바와 같이, 예컨대 SC1, DHF 중 어느 하나 또는 양쪽 모두를 이용한다. At this time, the processing liquid is supplied to the lower surface of the wafer W from one of the processing
한편, 웨이퍼(W)의 상면에는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 톱플레이트(110)의 하면(112) 중심부에 형성된 비활성 가스 공급구(124a)로부터 질소가스 등의 비활성 가스가 공급된다. 공급된 비활성 가스는 웨이퍼(W)의 상면을 경유한 후, 웨이퍼(W)와 톱플레이트(110)의 간극 형성 부재(113) 사이의 간극(D1)을 통해, 포위 부재(70)의 위쪽으로부터 둘레 가장자리 바깥쪽, 더 아래쪽으로 돌아 들어가, 배기·배액부(컵)(100)의 배기컵(103)으로부터 배기관(104)으로 흐른다. 이 비활성 가스의 기류에 의해, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)에 도달한 처리액이 웨이퍼(W)와 포위 부재(70) 사이 또는 포위 부재(70)와 회전컵(71) 사이로부터 웨이퍼(W)의 상면측에 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다. On the other hand, an inert gas such as nitrogen gas is supplied to the upper surface of the wafer W from the inert
또한, 본 실시형태에서는, 톱플레이트(110)가 위치 결정 기구(130)에 의해 상하 방향으로 고정밀도로 위치 결정된다. 이에, 간극 형성 부재(113)와 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE) 사이의 간극(D1)이 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 일정해지도록, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정할 수 있다. 간극(D1)을 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 일정하게 함으로써, 웨이퍼(W)의 상면측에 흐르는 비활성 가스의 흐름을 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 균일하게 할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W) 둘레 가장자리부(WE)의 하면에 도달한 처리액이 웨이퍼(W)와 포위 부재(70) 사이 또는 포위 부재(70)와 회전컵(71) 사이로부터 웨이퍼(W)의 상면측에 돌아 들어가는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. Further, in the present embodiment, the
또한, 본 실시형태에서는, 톱플레이트(110)가 위치 결정 기구(130)에 의해 수평 방향으로도 고정밀도로 위치 결정된다. 이에, 도 5에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)로서, 간극 형성 부재(113)와 대향하는 영역보다 외주측 부분에서의 웨이퍼(W)의 직경 방향의 폭(L)이 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 일정해지도록, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정할 수 있다. 즉, 폭(L)을 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐 균일화할 수 있다. 폭(L)을 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐 균일화함으로써, 웨이퍼(W)의 상면측에 흐르는 비활성 가스의 흐름을 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 더 균일하게 할 수 있다. 이에, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)의 하면에 도달한 처리액이, 웨이퍼(W)와 지지핀(72) 및 회전컵(71)와의 사이로부터, 웨이퍼(W)의 상면측에 돌아 들어가는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)와 간극 형성 부재(113)와의 대향하는 영역에 형성되는 공간인, 단위 길이 부근의 체적을 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐 균일화할 수 있다. 따라서, 둘레 방향을 따른 일부 지점에서 비활성 가스의 기류가 적어지고, 그 지점으로부터 처리액이 웨이퍼(W)의 상면측에 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다. Further, in the present embodiment, the
전술한 바와 같은 처리액에 의한 액처리 프로세스가 종료되면, 처리액 배관군(30) 중 어느 하나의 배관으로부터 처리액 공급 기구(93)의 처리액 공급관(94)을 통한 웨이퍼(W)에의 처리액의 공급이 정지된다. 그리고, 다음에 처리액 배관군(30)의 순수 배관(30c)으로부터 처리액 공급 기구(93)의 처리액 공급관(94)을 통해 웨이퍼(W)에 순수를 공급하여 순수 린스를 수행한다. When the liquid treatment process by the treatment liquid as described above is terminated, the treatment of the wafer W through the treatment
또한, 상기한 액처리 프로세스시에는, 사용 완료된 처리액이 배액컵(101)으로부터 배액 배관군(31)에 이르러, 산 및 알칼리는 일부 회수되고, 다른 것은 폐기된다. 또한, 처리에 수반하여 발생한 기체 성분이 배기컵(103)으로부터 배기 배관군(32)에 이르러 배기된다. In the above-described liquid treatment process, the used processing liquid reaches the
다음에, 회전 구동부(80)에 의해 회전축(62)이 고속 회전된다. 이 결과, 지지핀(72) 위의 웨이퍼(W)가 고속 회전되어, 웨이퍼(W)가 건조된다. 그 후, 회전 구동부(80)의 모터(83)가 정지되고, 지지핀(72) 위의 웨이퍼(W)의 회전도 정지된다. Next, the
다음에, 승강 기구(120)에 의해, 톱플레이트(110)가 웨이퍼(W)의 전달 위치보다 위쪽 위치에 위치된다. 그 후, 실린더 기구(도시 생략)에 의해, 리프트핀 플레이트(91)가 위쪽 위치에 이동하여, 웨이퍼(W)가 전달 위치(위쪽 위치)로 상승한다. Next, the
다음에, 반송 기구(24)의 웨이퍼 유지 아암(24a)에 의해, 리프트핀 플레이트(91) 위에서 웨이퍼(W)가 반출된다. 이와 같이 하여, 하나의 웨이퍼(W)의 처리가 종료된다. Next, the wafer W is carried out from the
이와 같이 하여 반출된 웨이퍼(W)는 반송 기구(24)의 웨이퍼 유지 아암(24a)에 의해 액처리 유닛(22)으로부터 반출되어, 전달 스테이지(19)의 전달 선반(20)에 배치되며, 전달 선반(20)으로부터 반송 기구(15)의 웨이퍼 유지 아암(15a)에 의해 웨이퍼 캐리어(C)에 복귀된다. The wafers W thus carried out are taken out of the
본 실시형태에서는, 톱플레이트(110)의 중심부에 비활성 가스 공급구(124a)가 형성되는 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 톱플레이트(110)의 둘레 가장자리에, 비활성 가스 공급구(124a)가 형성될 수도 있다.In the present embodiment, an example in which the inert
(실시형태의 제1 변형예)(First Modification of Embodiment)
다음에, 도 9를 참조하여, 본 발명의 실시형태의 제1 변형예에 따른 액처리 장치 및 액처리 방법에 대해서 설명한다. 도 9는 본 변형예에 따른 액처리 유닛(22a)의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. Next, a liquid processing apparatus and a liquid processing method according to Modification 1 of the embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 9. Fig. Fig. 9 is a schematic sectional view showing the configuration of the
본 변형예에 따른 액처리 유닛(22a)은 톱플레이트(110a)가 간극 형성 부재를 갖고 있지 않은 점에서, 실시형태에 따른 액처리 유닛(22)과 상위하다. The
본 변형예에서도, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 실시형태에 따른 액처리 시스템(10)을 이용할 수 있다. 또한, 본 변형예에 따른 액처리 시스템(10)에 탑재되는 액처리 유닛(22a)은 도 9에 도시하는 바와 같이, 회전 플레이트(60), 포위 부재(70), 회전컵(71), 회전 구동부(80), 기판 승강 부재(90), 처리액 공급 기구(93), 배기·배액부(컵)(100), 톱플레이트(110a), 승강 기구(120), 비활성 가스 공급 기구(123), 위치 결정 기구(130), 및 플로팅 부재(150)를 갖고 있다. 톱플레이트(110a) 이외의 각 부에 대해서는, 실시형태에서 도 4를 이용하여 설명한 액처리 유닛(22)의 각 부와 같다. 그리고, 도 9에서, 도 4를 이용하여 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다. Also in this modification, the
한편, 본 변형예에서의 톱플레이트(110a)는 간극 형성 부재를 갖고 있지 않다. On the other hand, the
톱플레이트(110a)는 승강 가능한 것으로서, 하강한 상태로 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막도록 설치되어 있는 것은 실시형태와 같다. The
한편, 본 변형예에서는, 도 9에 도시하는 바와 같이, 톱플레이트(110a)는 포위 부재(70)의 지지핀(72)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)와 대향하는 영역에, 톱플레이트(110a)의 하면(112)으로부터 아래쪽으로 돌출된 간극 형성 부재가 설치되어 있지 않다. 이 때문에 톱플레이트(110a)와, 포위 부재(70)의 지지핀(72)에 지지되어 있는 웨이퍼(W) 사이의 거리는 웨이퍼(W) 전면에 걸쳐 대략 같아져, D0이 된다. 즉, 포위 부재(70)의 지지핀(72)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)와 톱플레이트(110a) 사이의 거리는 웨이퍼(W)의 중심부(WC)와 톱플레이트(110a) 사이의 거리(D0)보다 작아지지는 않는다. 9, the
그러나, 본 변형예에서도, 톱플레이트(110a)가 위치 결정 기구(130)에 의해, 상하 방향으로 고정밀도로 위치 결정된다. 이에, 톱플레이트(110a)와 웨이퍼(W) 사이의 거리가 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 일정해지도록, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110a)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면측에 흐르는 비활성 가스의 흐름을 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 균일하게 할 수 있다. 이에, 웨이퍼(W)와 톱플레이트(110a) 사이를 통해 웨이퍼(W)의 바깥쪽을 흐르는 비활성 가스의 유량을 균일하게 할 수 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)의 하면에 도달한 처리액이 웨이퍼(W)와 포위 부재(70) 사이 또는 포위 부재(70)와 회전컵(71) 사이로부터 웨이퍼(W)의 상면측에 돌아 들어가는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. In this modification, however, the
(실시형태의 제2 변형예)(Second Modification of Embodiment)
다음에, 도 10을 참조하여, 본 발명의 실시형태의 제2 변형예에 따른 액처리 장치 및 액처리 방법에 대해서 설명한다. 도 10은 본 변형예에 따른 액처리 유닛(22b)의 구성을 도시하는 개략 단면도이다. Next, a liquid processing apparatus and a liquid processing method according to a second modification of the embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 10 is a schematic sectional view showing the configuration of the
본 변형예에 따른 액처리 유닛(22b)은 톱플레이트(110b)가 플로팅 부재를 갖고 있지 않은 점에서, 실시형태에 따른 액처리 유닛(22)과 상위하다. The
본 변형예에서도, 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 실시형태에 따른 액처리 시스템(10)을 이용할 수 있다. 또한, 본 변형예에 따른 액처리 시스템(10)에 탑재되는 액처리 유닛(22b)은 도 10에 도시하는 바와 같이, 회전 플레이트(60), 포위 부재(70), 회전컵(71), 회전 구동부(80), 기판 승강 부재(90), 처리액 공급 기구(93), 배기·배액부(컵)(100), 톱플레이트(110b), 승강 기구(120b), 비활성 가스 공급 기구(123b) 및 위치 결정 기구(130)를 갖고 있지만, 플로팅 부재를 갖고 있지 않다. 톱플레이트(110b), 승강 기구(120b) 이외의 이들 각 부에 대해서는, 실시형태에서 도 4를 이용하여 설명한 액처리 유닛(22)의 각 부와 같다. 그리고, 도 10에서, 도 4를 이용하여 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다. Also in this modification, the
톱플레이트(110b)는 승강 가능한 것으로서, 하강한 상태로 배기·배액부(컵)(100)의 상면에 형성된 개구(105)를 막도록 설치되어 있는 것은 실시형태와 같다. 또한, 포위 부재(70)의 지지핀(72)에 지지되어 있는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)와 대향하는 영역에, 톱플레이트(110b)의 하면(112)으로부터 아래쪽으로 돌출된 간극 형성 부재(113)가 설치되어 있는 것은 실시형태와 같다. The
한편, 본 변형예에서는, 플로팅 부재가 설치되어 있지 않기 때문에, 도 10에 도시하는 바와 같이, 톱플레이트(110b)는 아암(121b)에 고정된다. 따라서, 톱플레이트(110b)는 아암(121b) 및 승강 구동부(122)를 통해 액처리 유닛(22b)의 일부에 고정된다. On the other hand, in this modification, since the floating member is not provided, the
또한, 도 10에 도시하는 바와 같이, 비활성 가스 공급 기구(123b)의 비활성 가스 공급관(124b)은 아암(121b) 내부에 일체로 형성될 수도 있고, 또는 도 4에 도시하는 바와 같이, 아암(121b) 내부에 별개의 부재로 형성될 수도 있다.10, the inert
본 변형예에서도, 톱플레이트(110b)에 고정되는 제1 위치 결정 부재(131) 또는 배기·배액부(컵)(100)에 고정되는 제2 위치 결정 부재(132)는 실시형태와 마찬가지로, 고정 위치가 조정 가능하게 고정될 수도 있다. 예컨대, 도 5를 이용하여 설명한 바와 같이, 제1 위치 결정 부재(131) 또는 제2 위치 결정 부재(132)가 근원측 부재와 선단측 부재로 나눠져 있어, 선단측 부재의 근원측 부재에 대한 상대 위치가 근원측 부재에 형성된 나사 구멍과 너트에 의해 조정 가능하게 설치될 수도 있다. 이것에 의해, 미리, 승강 기구(120b)에 의해 톱플레이트(110b)를 하강시킨 상태로, 위치 결정 기구(130)의 너트를 풀고, 제1 위치 결정 부재(131)와 제2 위치 결정 부재(132)와의 위치를 정렬한 상태로, 위치 결정 기구(130)의 너트를 체결함으로써, 각각의 상대 위치를 미리 조정해 둘 수 있다. In this modification, the
그 결과, 간극 형성 부재(113)와 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)와의 간극(D1)이 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 일정해지도록, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110b)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정할 수 있다. 간극(D1)을 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 일정하게 함으로써, 웨이퍼(W)의 상면측에 흐르는 비활성 가스의 흐름을 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 균일하게 할 수 있다. 또한, 본 변형예에서도, 실시형태에서 도 5를 이용하여 설명한 바와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)로서, 간극 형성 부재(113)와 대향하는 영역보다 외주측 부분에서의 웨이퍼(W)의 직경 방향의 폭(L)이 웨이퍼(W)의 둘레 방향을 따라 일정해지도록, 배기·배액부(컵)(100)에 대한 톱플레이트(110b)의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정할 수 있다. 이에, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부(WE)의 하면에 도달한 처리액이 웨이퍼(W)와 포위 부재(70) 사이 또는 포위 부재(70)와 회전컵(71) 사이로부터 웨이퍼(W)의 상면측에 돌아 들어가는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. As a result, the gap D 1 between the
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 기술했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 특허청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 여러 가지의 변형·변경이 가능하다. Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these specific embodiments, but various modifications and changes may be made within the scope of the present invention described in the claims.
10: 액처리 시스템 22: 액처리 유닛
70: 포위 부재 72: 지지핀
93: 처리액 공급 기구 100: 배기·배액부(컵)
105: 개구 110: 톱플레이트
113: 간극 형성 부재 123: 비활성 가스 공급 기구
130: 위치 결정 기구10: Liquid processing system 22: Liquid processing unit
70: surrounding member 72: support pin
93: Process liquid supply mechanism 100: Exhaust / liquid dispenser (cup)
105: opening 110: top plate
113: gap forming member 123: inert gas supply mechanism
130: Positioning mechanism
Claims (17)
상면에 개구를 갖는 처리 용기와,
상기 처리 용기 안에 설치되며, 상기 기판을 지지하여 회전시키는 지지부와,
승강 가능하게 설치되며, 하강한 상태로 상기 기판과 대향하는 상판부와,
상기 상판부가 하강할 때에, 상기 처리 용기에 대한 상기 상판부의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 기구
를 포함하고,
상기 위치 결정 기구는,
상기 상판부에 고정된 제1 위치 결정 부재와,
상기 제1 위치 결정 부재에 대응하여 상기 처리 용기에 고정된 제2 위치 결정 부재를 포함하고,
상기 상판부가 하강할 때에, 상기 제1 위치 결정 부재 및 상기 제2 위치 결정 부재 중 어느 하나가 다른 하나에 걸리는 것에 의해, 상기 상대 위치를 위치 결정하는 것이며,
상기 제1 위치 결정 부재가 상기 상판부에 고정되는 고정 위치 또는 상기 제2 위치 결정 부재가 상기 처리 용기에 고정되는 고정 위치가 조정 가능한 것인 액처리 장치. A liquid processing apparatus for supplying a gas from an upper surface side of a substrate and processing the substrate by a processing liquid,
A processing vessel having an opening on its upper surface,
A support provided in the processing vessel for supporting and rotating the substrate,
An upper plate portion provided so as to be able to move up and down and facing the substrate in a lowered state,
And a positioning mechanism for positioning the relative position of the upper plate to the processing container at a predetermined position when the upper plate is lowered,
Lt; / RTI >
Wherein the positioning mechanism comprises:
A first positioning member fixed to the upper plate portion,
And a second positioning member fixed to the processing container in correspondence with the first positioning member,
Wherein one of the first positioning member and the second positioning member is hooked on the other when the top plate portion descends, thereby positioning the relative position,
Wherein the fixing position where the first positioning member is fixed to the upper plate portion or the fixing position where the second positioning member is fixed to the processing container is adjustable.
상기 근원측 부재에 대한 상기 선단측 부재의 상대 위치를 조정 가능하게 함으로써, 상기 제1 위치 결정 부재가 상기 상판부에 고정되는 고정 위치를 조정할 수 있게 한 것인 액처리 장치. 2. The apparatus according to claim 1, wherein the first positioning member comprises a root side member fixed to the top plate portion, and a tip side member fixed to the root side member,
And the relative position of the distal end side member to the root side member can be adjusted so that the fixing position where the first positioning member is fixed to the upper plate can be adjusted.
상기 근원측 부재에 대한 상기 선단측 부재의 상대 위치를 조정 가능하게 함으로써, 상기 제2 위치 결정 부재가 상기 처리 용기에 고정되는 고정 위치를 조정할 수 있게 한 것인 액처리 장치. 2. The process cartridge according to claim 1, wherein the second positioning member comprises: a root side member fixed to the processing container; and a tip side member fixed to the root side member,
And the relative position of the distal end side member to the root side member can be adjusted so that the second positioning member can be adjusted to a fixed position to be fixed to the processing container.
상면에 개구를 갖는 처리 용기와,
상기 처리 용기 안에 설치되며, 상기 기판을 지지하여 회전시키는 지지부와,
승강 가능하게 설치되며, 하강한 상태로 상기 기판과 대향하는 상판부와,
상기 상판부가 하강할 때에, 상기 처리 용기에 대한 상기 상판부의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 기구
를 포함하고,
상기 상판부를 승강시키는 승강 기구와,
상기 상판부보다도 상기 승강 기구측에 상하 방향을 따라 탄성 변형 가능하게 설치되며, 상기 기판과 대향하는 상기 상판부를 상기 처리 용기에 압박하는 압박 부재
를 포함하며,
상기 압박 부재는, 상기 상판부에 고정되어 있는 제1 걸림 부재와, 상기 승강 기구에 고정되어 있는 제2 걸림 부재와, 상기 제2 걸림 부재와 상기 상판부 사이에 설치된 탄성 부재를 포함하고, 상기 제2 걸림 부재가 상기 승강 기구에 고정되는 고정 위치가 조정 가능한 것인 액처리 장치.A liquid processing apparatus for supplying a gas from an upper surface side of a substrate and processing the substrate by a processing liquid,
A processing vessel having an opening on its upper surface,
A support provided in the processing vessel for supporting and rotating the substrate,
An upper plate portion provided so as to be able to move up and down and facing the substrate in a lowered state,
And a positioning mechanism for positioning the relative position of the upper plate to the processing container at a predetermined position when the upper plate is lowered,
Lt; / RTI >
A lifting mechanism for lifting and lowering the upper plate portion,
A pressing member which is provided on an elevating mechanism side of the upper plate portion so as to be elastically deformable along a vertical direction and which presses the upper plate portion opposed to the substrate against the processing container,
/ RTI >
Wherein the pressing member includes a first engaging member fixed to the upper plate portion, a second engaging member fixed to the elevating mechanism, and an elastic member provided between the second engaging member and the upper plate portion, Wherein the fixing position where the latching member is fixed to the lifting mechanism can be adjusted.
상기 상판부에 설치되어 있는 제1 위치 결정 부재와,
상기 제1 위치 결정 부재에 대응하여 상기 처리 용기에 설치되어 있는 제2 위치 결정 부재를 포함하고,
상기 상판부가 하강할 때에, 상기 제1 위치 결정 부재 및 상기 제2 위치 결정 부재 중 어느 하나가 다른 하나에 걸리는 것에 의해, 상기 상대 위치를 위치 결정하는 것인 액처리 장치.The positioning apparatus according to claim 4,
A first positioning member provided on the upper plate portion,
And a second positioning member provided in the processing container in correspondence with the first positioning member,
Wherein the relative position is determined by one of the first positioning member and the second positioning member being engaged with the other when the top plate portion descends.
상기 제1 위치 결정 부재는 상기 상판부에 고정되고,
상기 제2 위치 결정 부재는 상기 처리 용기에 고정되며,
상기 제1 위치 결정 부재 또는 상기 제2 위치 결정 부재는, 고정 위치가 조정 가능하게 고정되어 있는 것인 액처리 장치. 6. The method of claim 5,
Wherein the first positioning member is fixed to the upper plate portion,
Wherein the second positioning member is fixed to the processing vessel,
Wherein the first positioning member or the second positioning member is fixed at a fixed position in an adjustable manner.
상기 기판의 상기 둘레 가장자리부와 대향하는 영역에, 상기 상판부의 하면으로부터 아래쪽으로 돌출되게 설치되며, 상기 기판의 상기 둘레 가장자리부와의 사이에 간극을 형성하는 간극 형성 부재를 포함하고,
상기 위치 결정 기구는, 상기 간극이 상기 기판의 둘레 방향을 따라 일정해지도록, 상기 상대 위치를 위치 결정하는 것인 액처리 장치. [8] The apparatus of claim 7,
And a gap forming member protruding downward from a lower surface of the upper plate portion in a region facing the peripheral edge portion of the substrate and forming a gap between the peripheral edge portion of the substrate and the peripheral edge portion,
Wherein the positioning mechanism positions the relative position such that the gap is constant along the circumferential direction of the substrate.
상기 상판부가 하강할 때에, 상기 처리 용기에 대한 상기 상판부의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 공정을 포함하고,
상기 위치 결정 공정은, 상기 상판부가 하강할 때에, 상기 상판부에 고정된 제1 위치 결정 부재, 및 상기 제1 위치 결정 부재에 대응하여 상기 처리 용기에 고정된 제2 위치 결정 부재 중 어느 하나가 다른 하나에 걸리는 것에 의해, 상기 상대 위치를 위치 결정하는 것이며,
상기 제1 위치 결정 부재가 상기 상판부에 고정되는 고정 위치 또는 상기 제2 위치 결정 부재가 상기 처리 용기에 고정되는 고정 위치가 조정 가능한 것인 액처리 방법.A supporting portion which is provided in the processing container and supports and rotates the substrate; and an upper plate portion which is provided so as to be able to move up and down and faces the substrate in a lowered state, and is supported by the supporting portion 1. A liquid processing method in a liquid processing apparatus for supplying a gas from an upper surface side of a substrate,
And a positioning step of positioning the relative position of the upper plate part with respect to the processing container at a predetermined position when the upper plate part is lowered,
Wherein the positioning step includes a step of positioning either one of the first positioning member fixed to the upper plate portion and the second positioning member fixed to the processing container in correspondence with the first positioning member when the upper plate portion descends And the relative position is determined by being engaged with one of the two relative positions,
Wherein the fixing position where the first positioning member is fixed to the upper plate portion or the fixing position where the second positioning member is fixed to the processing container is adjustable.
상기 근원측 부재에 대한 상기 선단측 부재의 상대 위치를 조정 가능하게 함으로써, 상기 제1 위치 결정 부재가 상기 상판부에 고정되는 고정 위치를 조정할 수 있게 한 것인 액처리 방법. 11. The apparatus according to claim 10, wherein the first positioning member comprises a root side member fixed to the top plate portion and a distal side member fixed to the root side member,
And the relative position of the distal end side member to the root side member can be adjusted so that the fixing position where the first positioning member is fixed to the upper plate can be adjusted.
상기 근원측 부재에 대한 상기 선단측 부재의 상대 위치를 조정 가능하게 함으로써, 상기 제2 위치 결정 부재가 상기 처리 용기에 고정되는 고정 위치를 조정할 수 있게 한 것인 액처리 방법. 11. The process cartridge according to claim 10, wherein the second positioning member comprises: a root side member fixed to the processing container; and a tip side member fixed to the root side member,
And the relative position of the distal end side member to the root side member is adjustable so that the second positioning member can adjust the fixed position to be fixed to the processing vessel.
상기 상판부가 하강할 때에, 상기 처리 용기에 대한 상기 상판부의 상대 위치를 정해진 위치에 위치 결정하는 위치 결정 공정을 포함하고,
상기 액처리 장치는 상기 상판부를 승강시키는 승강 기구를 포함하며,
상기 위치 결정 공정은, 상기 상판부보다도 상기 승강 기구측에 상하 방향을 따라 탄성 변형 가능하게 설치된 압박 부재에 의해, 상기 기판과 대향하는 상기 상판부를 상기 처리 용기에 압박하는 것이고,
상기 압박 부재는, 상기 상판부에 고정되어 있는 제1 걸림 부재와, 상기 승강 기구에 고정되어 있는 제2 걸림 부재와, 상기 제2 걸림 부재와 상기 상판부 사이에 설치된 탄성 부재를 포함하며, 상기 제2 걸림 부재가 상기 승강 기구에 고정되는 고정 위치가 조정 가능한 것인 액처리 방법.A supporting portion which is provided in the processing container and supports and rotates the substrate; and an upper plate portion which is provided so as to be able to move up and down and faces the substrate in a lowered state, and is supported by the supporting portion 1. A liquid processing method in a liquid processing apparatus for supplying a gas from an upper surface side of a substrate,
And a positioning step of positioning the relative position of the upper plate part with respect to the processing container at a predetermined position when the upper plate part is lowered,
Wherein the liquid processing apparatus includes a lifting mechanism for lifting the upper plate portion,
Wherein the positioning step presses the upper plate portion opposed to the substrate against the processing container by a pressing member provided on the side of the lifting mechanism in the up-down direction more elastically than the upper plate portion,
Wherein the pressing member includes a first engaging member fixed to the upper plate portion, a second engaging member fixed to the elevating mechanism, and an elastic member provided between the second engaging member and the upper plate portion, Wherein the fixing position where the latching member is fixed to the lifting mechanism is adjustable.
상기 기판의 상기 둘레 가장자리부와 대향하는 영역에, 상기 상판부의 하면으로부터 아래쪽으로 돌출되게 설치되며, 상기 기판의 상기 둘레 가장자리부와의 사이에 간극을 형성하는 간극 형성 부재를 포함하고,
상기 위치 결정 공정은, 상기 간극이 상기 기판의 둘레 방향을 따라 일정해지도록, 상기 상대 위치를 위치 결정하는 것인 액처리 방법. 15. The apparatus according to claim 14,
And a gap forming member protruding downward from a lower surface of the upper plate portion in a region facing the peripheral edge portion of the substrate and forming a gap between the peripheral edge portion of the substrate and the peripheral edge portion,
Wherein the positioning step positions the relative position such that the gap is constant along the circumferential direction of the substrate.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010068604 | 2010-03-24 | ||
JPJP-P-2010-068604 | 2010-03-24 | ||
JP2011019981A JP5546472B2 (en) | 2010-03-24 | 2011-02-01 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium storing program for executing liquid processing method |
JPJP-P-2011-019981 | 2011-02-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110107277A KR20110107277A (en) | 2011-09-30 |
KR101678229B1 true KR101678229B1 (en) | 2016-11-21 |
Family
ID=44956733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110022407A KR101678229B1 (en) | 2010-03-24 | 2011-03-14 | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium having program for executing the method recorded therein |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101678229B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101512560B1 (en) * | 2012-08-31 | 2015-04-15 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008041741A1 (en) | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating apparatus, substrate treating method, and rinsing method for drainage cup |
JP2009295803A (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus |
JP2010021279A (en) | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3102831B2 (en) * | 1994-06-20 | 2000-10-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Rotary processing equipment |
JP3745214B2 (en) | 2000-09-27 | 2006-02-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Bevel etching apparatus and bevel etching method |
-
2011
- 2011-03-14 KR KR1020110022407A patent/KR101678229B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008041741A1 (en) | 2006-10-05 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Limited | Substrate treating apparatus, substrate treating method, and rinsing method for drainage cup |
JP2009295803A (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus |
JP2010021279A (en) | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus and liquid processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110107277A (en) | 2011-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100914764B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20110109850A (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
US20210057235A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
KR102182116B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR101621482B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
US11670517B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
KR102402297B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4881345B2 (en) | Pressure control mechanism, substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
KR101678229B1 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium having program for executing the method recorded therein | |
KR102090419B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
CN115023793A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP5883470B2 (en) | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium storing program for executing liquid processing method | |
KR101470686B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
CN110660701B (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method | |
JP7176936B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR20220002532A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium | |
US20240030048A1 (en) | Batch substrate treatment apparatus | |
KR102193031B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
WO2023127050A1 (en) | Substrate-drying device, substrate treatment device, and method for manufacturing substrate | |
JP7170511B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
US20240014050A1 (en) | Batch substrate treatment apparatus | |
JP3619667B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR102533055B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
JP2024017656A (en) | Substrate processing equipment | |
KR20210027444A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |