KR102606892B1 - Supporting plate for electrical test socket, socket pin for electrical test socket, and electrical test socket - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지의 고주파 특성 검사에 유리할 뿐만 아니라 반도체 패키지 외부 단자의 협피치화에 대응할 수 있는, 검사 소켓용 지지 플레이트, 검사 소켓용 소켓핀 및 이들을 구비하는 검사 소켓을 제공한다.The present invention provides a support plate for an inspection socket, a socket pin for an inspection socket, and an inspection socket including the same, which are not only advantageous for inspecting the high-frequency characteristics of a semiconductor package, but can also cope with narrowing the pitch of the external terminal of the semiconductor package.
Description
본 발명은 검사 소켓용 지지 플레이트, 검사 소켓용 소켓핀 및 이들을 구비하는 검사 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a support plate for an inspection socket, a socket pin for an inspection socket, and an inspection socket provided therewith.
반도체 소자의 전기적 특성 시험은 프로브 핀을 이용하여 반도체 웨이퍼를 검사하는 프로브 카드 기술과 소켓핀을 이용하여 반도체 패키지를 검사하는 검사 소켓 기술로 구분된다. 프로브 카드는 프로브 핀의 구조에 따라 수직형 프로브 카드, 캔틸레버형 프로브 카드, 멤스 프로브 카드로 구분된다. 이러한 프로브 카드는 반도체 웨이퍼를 검사하는 기술분야로서, 본 발명에서와 같이 반도체 패키지를 검사하는 검사 소켓 기술분야와는 차이가 있다. 특히 검사 대상물의 차이로 인해, 양 기술분야에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 서로 다르고, 그렇기 때문에 프로브 카드와 검사 소켓은 엄연히 구분되어 기술 개발되고 있다. 본 발명은 검사 소켓에 관한 기존 기술에서의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것이다. Testing the electrical properties of semiconductor devices is divided into probe card technology that inspects semiconductor wafers using probe pins, and inspection socket technology that inspects semiconductor packages using socket pins. Probe cards are classified into vertical probe cards, cantilever probe cards, and MEMS probe cards depending on the structure of the probe pins. This probe card is a technology field that inspects semiconductor wafers, and is different from the inspection socket technology field that inspects semiconductor packages as in the present invention. In particular, due to differences in inspection objects, the technical challenges to be solved in both technical fields are different, and therefore probe cards and inspection sockets are developed separately. The present invention was invented to solve problems in existing technology regarding test sockets.
일반적으로 제작되는 반도체 패키지는 그 불량여부를 판단하기 위하여 소정의 불량검사를 수행하게 된다. 이를 위하여 그 반도체 패키지는 검사 장치에 전기적으로 접속된 상태에서 검사 장치로부터 나오는 전기적 신호에 의하여 그 불량여부가 판별될 수 있다. 반도체 패키지의 검사에는 반도체 패키지의 외부 단자와 검사 신호를 인가하는 검사 장치를 전기적으로 연결하는 검사 소켓이 이용된다. 검사 장치와 반도체 패키지는 서로 직접 접속되는 것이 아니라, 검사 소켓을 통해 간접적으로 접속된다. 검사 소켓은 반도체 패키지의 단자와 검사 장치의 단자를 연결하는 매체체의 역할을 한다. Generally, semiconductor packages manufactured are subjected to a certain defect test to determine whether they are defective. To this end, the semiconductor package can be electrically connected to an inspection device and its defect can be determined by an electrical signal coming from the inspection device. To inspect a semiconductor package, an inspection socket is used to electrically connect an external terminal of the semiconductor package to an inspection device that applies an inspection signal. The inspection device and the semiconductor package are not directly connected to each other, but indirectly through an inspection socket. The test socket serves as a medium connecting the terminal of the semiconductor package and the terminal of the test device.
최근에는 집적기술의 발달로 반도체 패키지가 초소형화함에 따라 반도체 패키지의 외부 단자들 간의 간격이 마이크로 단위로 협피치화되고 있고, 그 사용 주파수 영역도 GHz대 이상으로 높아지고 있다Recently, as semiconductor packages have become ultra-miniaturized due to the development of integration technology, the pitch between the external terminals of the semiconductor package has been narrowed to microscale, and the frequency range of use is also increasing to the GHz range or higher.
기존의 검사 소켓에는, 포코 타입 소켓과 러버 타입 소켓이 있다. Existing inspection sockets include poco type sockets and rubber type sockets.
포고 타입 소켓은, 별도로 제작된 원형 단면의 배럴 내부에 코일 스프링을 끼우고 코일 스프링의 상,하부에 플런저를 결합함으로써 소켓핀을 구성하고 플런저와 스프링에 의하여 반도체 패키지의 외부 단자를 검사 장치의 단자에 전기적으로 접속하는 구조이다. 포고 타입 소켓은 소켓핀을 하우징에 형성된 관통홀에 억지 끼움 형태로 압압해서 설치하게 된다. 이러한 제작공정상의 이유로 소켓핀의 길이를 3㎜ 이하로 제작하기가 곤란하다. GHz대 이상의 고주파 영역에 대응하기 위해서는 포고 타입 소켓의 길이가 짧아져야 하지만, 포고 타입 소켓의 경우에는 소켓핀의 길이를 짧게 하는 것이 어렵기 때문에 검사 장치의 단자로부터 반도체 패키지의 외부 단자까지의 전류 패스가 길어지게 되는 문제가 발생하게 된다. The pogo-type socket constructs a socket pin by inserting a coil spring inside a separately manufactured barrel of circular cross-section and combining plungers at the top and bottom of the coil spring, and connects the external terminal of the semiconductor package to the terminal of the inspection device by the plunger and spring. It is a structure that is electrically connected to. The pogo type socket is installed by pressing the socket pin into the through hole formed in the housing in a forced fit. For these reasons in the manufacturing process, it is difficult to manufacture socket pins with a length of 3 mm or less. In order to respond to the high frequency range of GHz or higher, the length of the pogo-type socket must be shortened, but in the case of a pogo-type socket, it is difficult to shorten the length of the socket pin, so the current path from the terminal of the inspection device to the external terminal of the semiconductor package A problem arises where the length becomes longer.
또한 포고 타입 소켓의 소켓핀은 접촉 대상물과의 접촉 효과를 높이기 위해 뾰족한 팁부를 구비한다. 그런데 반도체 패키지의 협피치화에 대응하여 반도체 패키지의 외부 단자의 크기도 작게 제작 되는데, 뾰족한 형상의 팁부는 검사 후 반도체 패키지의 외부 단자에 압입의 흔적 또는 홈을 발생시킨다. 반도체 패키지의 외부 단자의 접촉 형상의 손실로 인하여, 비전검사의 오류를 발생시키고 솔더링 등의 이후 공정에서의 외부 단자의 신뢰성을 저하시키는 문제가 발생하게 된다. 따라서 기존의 포고 타입 소켓은 반도체 패키지의 고주파 특성 검사에 불리할 뿐만 아니라 반도체 패키지 단자의 협피치화에 대응하는데 한계가 있다.In addition, the socket pin of the pogo type socket has a sharp tip to increase the contact effect with the contact object. However, in response to the narrowing of the pitch of the semiconductor package, the size of the external terminal of the semiconductor package is also manufactured small, and the sharp tip portion creates traces or grooves of press fit on the external terminal of the semiconductor package after inspection. Due to the loss of the contact shape of the external terminal of the semiconductor package, errors in vision inspection occur and the reliability of the external terminal is reduced in subsequent processes such as soldering. Therefore, the existing pogo-type socket is not only disadvantageous in testing the high-frequency characteristics of semiconductor packages, but also has limitations in responding to the narrowing pitch of semiconductor package terminals.
한편, 러버 타입 소켓은, 실리콘 등 탄성력을 갖는 지지 플레이트의 내부에 다수의 도전성 입자가 포함되어 있는 형태로 하여 소켓핀이 지지 플레이트에 일체화된 구조를 갖는다. 이러한 러버 타입 소켓은, 유동성의 탄성 물질 내에 도전성 입자가 분포되어 있는 성형용 재료를 준비하고, 그 성형용 재료를 소정의 금형 내에 삽입한 후, 두께방향으로 자기장을 가하여 도전성 입자들을 두께방향으로 배열하여 소켓핀을 제작하기 때문에, 소켓핀의 길이를 짧게 하는 것이 가능하다. 그 결과 검사장치의 단자로부터 반도체 패키지의 단자까지의 전류 패스를 짧게 하는 것이 가능하다. 전류 패스를 짧게 하는 것이 가능하기 때문에, 러버 타입 소켓은 반도체 패키지의 고주파 특성을 검사하는데 보다 유리하다. Meanwhile, the rubber type socket has a structure in which a plurality of conductive particles, such as silicon, are contained inside a support plate having elastic force, and the socket pins are integrated into the support plate. This rubber-type socket prepares a molding material in which conductive particles are distributed in a fluid elastic material, inserts the molding material into a predetermined mold, and then applies a magnetic field in the thickness direction to arrange the conductive particles in the thickness direction. Since the socket pin is manufactured in this way, it is possible to shorten the length of the socket pin. As a result, it is possible to shorten the current path from the terminal of the inspection device to the terminal of the semiconductor package. Because it is possible to shorten the current path, rubber-type sockets are more advantageous for inspecting the high-frequency characteristics of semiconductor packages.
그러나, 반도체 패키지의 외부 단자의 협피치화에 대응하기 위해 자기장의 사이 간격이 좁아지면 도전성 입자들이 불규칙하게 배향되어 면방향으로 신호가 흐르게 되는 문제가 발생한다. 또한, 소켓핀 간의 간격이 좁아짐에 따라 인접하는 소켓핀들 사이에 구비되는 지지 플레이트의 강성이 약해지게 된다. 더욱이 이러한 러버 타입 소켓은 과도한 가압력으로 눌러줘야만 접촉 안정성이 확보되기 때문에 가압력에 의해 소켓핀이 폭 방향으로 변형되고 지지 플레이트를 폭 방향으로 가압하여 변형시킴으로써 장시간 사용시 지지 플레이트의 파손이 발생하는 문제가 발생한다. 또한 소켓핀 자체가 작게 제작됨에 따라 가압력에 의해 쉽게 파손되어 기대 수명이 낮다는 문제가 있다. 따라서 러버 타입 소켓으로는 협피치 기술 트렌드에 대응하는데 한계가 있다.However, when the spacing between magnetic fields is narrowed to cope with the narrowing of the pitch of the external terminal of the semiconductor package, a problem occurs in which the conductive particles are irregularly oriented and the signal flows in the plane direction. Additionally, as the gap between socket pins narrows, the rigidity of the support plate provided between adjacent socket pins weakens. Moreover, since these rubber-type sockets must be pressed with excessive pressure to ensure contact stability, the socket pins are deformed in the width direction by the pressure and the support plate is deformed by being pressed in the width direction, which causes the problem of damage to the support plate when used for a long time. do. In addition, as the socket pin itself is manufactured small, it is easily damaged by pressing force, resulting in a low life expectancy. Therefore, there are limitations in responding to the narrow pitch technology trend with rubber type sockets.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 반도체 패키지의 고주파 특성 검사에 유리할 뿐만 아니라 반도체 패키지 외부 단자의 협피치화에 대응할 수 있는, 검사 소켓용 지지 플레이트, 검사 소켓용 소켓핀 및 이들을 구비하는 검사 소켓을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention was created to solve the problems of the prior art described above. The present invention is not only advantageous for testing the high-frequency characteristics of semiconductor packages, but also provides a support plate for an inspection socket and an inspection device that can respond to the narrowing of the external terminals of the semiconductor package. The purpose is to provide socket pins for sockets and test sockets equipped with them.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 검사 소켓은, 반도체 패키지의 외부 단자와 접촉되는 제1접촉부와, 검사장치의 단자와 접촉되는 제2접촉부와, 상기 제1접촉부와 상기 제2접촉부 사이에 구비되는 탄성부를 포함하는 소켓핀; 및 상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되, 상기 소켓핀과 상기 지지 플레이트는 분리형으로 제작되고, 상기 소켓핀은 상기 제1접촉부, 상기 제2접촉부 및 상기 탄성부가 일체형으로 제작되어 상기 소켓핀이 상기 관통홀에 삽입되어 설치되고, 상기 관통홀은 사각 단면으로 형성되고, 상기 소켓핀은 상기 관통홀에 대응되는 외곽 단면 형상을 가지고, 상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이다.In order to achieve the above-described object, a test socket according to the present invention includes a first contact part in contact with an external terminal of a semiconductor package, a second contact part in contact with a terminal of a test device, and the first contact part and the second contact part. A socket pin including an elastic portion provided therebetween; and a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted, wherein the socket pin and the support plate are manufactured as separate types, and the socket pin has the first contact portion, the second contact portion, and the elastic portion integrated into each other. The socket pin is installed by inserting into the through hole, the through hole is formed with a square cross section, the socket pin has an outer cross sectional shape corresponding to the through hole, and the overall length dimension of the socket pin is It is 200㎛ or more and 1500㎛ or less.
또한, 상기 관통홀의 사각 단면을 구성하는 각각의 변은 그 길이 치수가 50㎛ 이상 400㎛ 이하의 길이를 가진다.Additionally, each side constituting the square cross-section of the through hole has a length of 50 ㎛ or more and 400 ㎛ or less.
또한, 상기 지지 플레이트의 두께 치수는 100㎛이상 500㎛이하이다.Additionally, the thickness of the support plate is 100 μm or more and 500 μm or less.
또한, 상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비된다.Additionally, a fixing part for fixing the socket pin to the support plate is provided on the outside of the socket pin.
또한, 상기 고정부는, 상기 지지 플레이트의 하면에 접하는 하부 고정돌기; 및 상기 지지 플레이트의 상면에 접하는 상부 고정돌기를 포함한다.In addition, the fixing part includes a lower fixing protrusion in contact with the lower surface of the support plate; and an upper fixing protrusion in contact with the upper surface of the support plate.
또한, 상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이다.Additionally, the pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less.
또한, 상기 제1접촉부는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 돌출되고, 상기 제2접촉부는 상기 지지 플레이트의 하면으로부터 돌출된다.Additionally, the first contact portion protrudes from the upper surface of the support plate, and the second contact portion protrudes from the lower surface of the support plate.
또한, 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 상기 소켓핀이 돌출된 돌출 길이는 50㎛이상 150㎛이하이고, 상기 지지 플레이트의 하면으로부터 상기 소켓핀이 돌출된 돌출 길이는 50㎛이상 150㎛이하이다.In addition, the protrusion length of the socket pin protruding from the upper surface of the support plate is 50 ㎛ or more and 150 ㎛ or less, and the protrusion length of the socket pin from the lower surface of the support plate is 50 ㎛ or more and 150 ㎛ or less.
한편, 본 발명에 따른 검사 소켓용 지지 플레이트는, 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 포함하는 검사 소켓용 지지 플레이트에 있어서, 상기 관통홀은 사각 단면으로 형성되되 상기 관통홀의 사각 단면을 구성하는 각각의 변은 그 길이 치수가 50㎛ 이상 400㎛ 이하의 길이를 가지고, 상기 관통홀들 간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이고, 상기 지지 플레이트의 두께 치수는 100㎛이상 500㎛이하이다.Meanwhile, the support plate for a test socket according to the present invention is a support plate for a test socket that includes a through hole into which a socket pin is inserted, wherein the through hole is formed with a rectangular cross section, and each of the support plates constituting the square cross section of the through hole The sides have a length of 50 ㎛ or more and 400 ㎛ or less, the pitch distance between the through holes is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less, and the thickness of the support plate is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less.
또한, 상기 지지 플레이트는, -50 ~ 500℃에 있어서의 열팽창 계수가, 1.0×10-6~6.0×10-6/℃이다.Additionally, the support plate has a thermal expansion coefficient of 1.0×10 -6 to 6.0×10 -6 /°C at -50 to 500°C.
또한, 상기 지지 플레이트는, 100㎛이상 500㎛이하인 두께 범위에서 3점 굽힘강도가 500MPa이상 2GPa이하이다.In addition, the support plate has a three-point bending strength of 500 MPa or more and 2 GPa or less in a thickness range of 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less.
또한, 상기 지지 플레이트는, 질화규소(Si3N4), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 지르코니아(ZrO2) 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 포함한다.Additionally, the support plate contains at least one of silicon nitride (Si 3 N 4 ), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and zirconia (ZrO 2 ) as a main component.
또한, 상기 지지 플레이트는, 금속 모재를 양극산화한후 상기 금속 모재를 제거하여 형성된 양극산화막으로 구성된다.Additionally, the support plate is composed of an anodized film formed by anodizing a metal base material and then removing the metal base material.
또한, 상기 지지 플레이트는 엔지니어링 플라스틱, 섬유 강화 플라스틱 및 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 중 적어도 어느 하나를 포함한다. Additionally, the support plate includes at least one of engineering plastic, fiber-reinforced plastic, and epoxy molding compound (EMC).
또한, 상기 지지 플레이트는, 그 표면에 보호층이 구비된다.Additionally, the support plate is provided with a protective layer on its surface.
또한, 상기 보호층은 원자층 증착막이다.Additionally, the protective layer is an atomic layer deposition film.
한편, 본 발명에 따른 검사 소켓은, 소켓핀; 및 상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되, 상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고, 상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며, 상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되고, 상기 지지 플레이트는, 질화규소(Si3N4), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 지르코니아(ZrO2) 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 포함한다.Meanwhile, the test socket according to the present invention includes a socket pin; and a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted, wherein the overall length of the socket pin is 200 ㎛ or more and 1500 ㎛ or less, and the pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less, and The socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers, and the support plate contains at least one of silicon nitride (Si 3 N 4 ), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and zirconia (ZrO 2 ) as a main ingredient. Included.
한편, 본 발명에 따른 검사 소켓은, 소켓핀; 및 상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되, 상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고, 상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며, 상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되고, 상기 지지 플레이트는 엔지니어링 플라스틱, 섬유 강화 플라스틱 및 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 중 적어도 어느 하나를 포함한다.Meanwhile, the test socket according to the present invention includes a socket pin; and a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted, wherein the overall length of the socket pin is 200 ㎛ or more and 1500 ㎛ or less, and the pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less, and The socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers, and the support plate includes at least one of engineering plastic, fiber-reinforced plastic, and epoxy molding compound (EMC).
한편, 본 발명에 따른 검사 소켓은, 소켓핀; 및 상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되, 상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고, 상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며, 상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되고, 상기 지지 플레이트는, 금속 모재를 양극산화한후 상기 금속 모재를 제거하여 형성된 양극산화막으로 구성된다.Meanwhile, the test socket according to the present invention includes a socket pin; and a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted, wherein the overall length of the socket pin is 200 ㎛ or more and 1500 ㎛ or less, and the pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less, and The socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers, and the support plate is composed of an anodized film formed by anodizing a metal base material and then removing the metal base material.
한편, 본 발명에 따른 검사 소켓은, 소켓핀; 및 상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되, 상기 관통홀의 사각 단면을 구성하는 각각의 변은 그 길이 치수가 50㎛ 이상 400㎛ 이하의 길이를 가지고, 상기 관통홀의 높이 치수는 100㎛이상 500㎛이하이고, 상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 상기 관통홀에 대응되는 외곽 단면 형상을 가지고, 상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이다. Meanwhile, the test socket according to the present invention includes a socket pin; and a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted, wherein each side constituting the square cross-section of the through hole has a length of 50 ㎛ or more and 400 ㎛ or less, and the height of the through hole The size is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less, the socket pin is made of a plurality of metal layers stacked and has an outer cross-sectional shape corresponding to the through hole, and the total length dimension of the socket pin is 200 ㎛ or more and 1500 ㎛ or less.
한편, 본 발명에 따른 검사 소켓은, 소켓핀; 및 상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되, 상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고, 상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며, 상기 관통홀은 적어도 10개 이상 5000개 이하로 형성된다. Meanwhile, the test socket according to the present invention includes a socket pin; and a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted, wherein the overall length of the socket pin is 200 ㎛ or more and 1500 ㎛ or less, and the pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less, and The number of through holes is at least 10 and not more than 5000.
한편, 본 발명에 따른 검사 소켓용 소켓핀은, 검사 소켓용 지지 플레이트의 관통홀에 삽입되는 검사 소켓용 소켓핀에 있어서, 반도체 패키지의 외부 단자와 접촉되는 제1접촉부; 검사장치의 단자와 접촉되는 제2접촉부; 및 상기 제1접촉부와 상기 제2접촉부 사이에 구비되는 탄성부;를 포함하고, 상기 제1접촉부, 상기 제2접촉부 및 상기 탄성부는 일체형으로 제작되고, 상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고, 상기 소켓핀의 전체 폭 치수는 150㎛이상 400㎛이하이고, 상기 소켓핀의 전체 높이 치수는 50㎛이상 200㎛이하이고, 상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비된다.Meanwhile, the socket pin for a test socket according to the present invention is a socket pin for a test socket inserted into a through hole of a support plate for a test socket, comprising: a first contact portion contacting an external terminal of a semiconductor package; a second contact portion in contact with the terminal of the inspection device; and an elastic part provided between the first contact part and the second contact part, wherein the first contact part, the second contact part, and the elastic part are manufactured as one piece, and the total length of the socket pin is 200㎛ or more. It is 1500 ㎛ or less, the total width dimension of the socket pin is 150 ㎛ or more and 400 ㎛ or less, the overall height dimension of the socket pin is 50 ㎛ or more and 200 ㎛ or less, and the socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers.
본 발명은 반도체 패키지의 고주파 특성 검사에 유리할 뿐만 아니라 반도체 패키지 외부 단자의 협피치화에 대응할 수 있는, 검사 소켓용 지지 플레이트, 검사 소켓용 소켓핀 및 이들을 구비하는 검사 소켓을 제공한다.The present invention provides a support plate for an inspection socket, a socket pin for an inspection socket, and an inspection socket including the same, which are not only advantageous for inspecting the high-frequency characteristics of a semiconductor package, but can also cope with narrowing the pitch of the external terminal of the semiconductor package.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 지지 플레이트를 도시한 도면.
도 2a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 소켓핀을 도시한 평면도.
도 2b은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 소켓핀을 도시한 사시도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 소켓핀을 지지 플레이트에 삽입하여 설치한 것을 도시한 도면.
도 4a는 플레이트 부재를 도시한 도면.
도 4b는 도 4a의 A-A’라인을 따른 단면도로서 관통홀에 소켓핀을 삽입한 상태를 도시한 도면.
도 5a는 플레이트 부재를 검사장치에 설치한 상태로서 반도체 패키지가 소켓핀에 접촉하기 전 상태를 도시한 도면.
도 5b는 반도체 패키지가 소켓핀에 접촉한 상태를 도시한 도면.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 지지 플레이트의 재질이 양극산화막으로 형성된 것을 도시한 도면.
도 7a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통홀의 배치를 도시한 도면이고, 도 7b는 도 7a의 관통홀에 소켓핀이 설치된 배치를 도시한 도면.
도 8a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통홀의 구조를 도시한 도면이고, 도 8b는 도 8a의 A-A라인의 단면도.1 is a view showing a support plate for a test socket according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2a is a plan view showing a socket pin for a test socket according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2b is a perspective view showing a socket pin for a test socket according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram showing a socket pin for a test socket inserted into a support plate and installed according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 4a is a diagram showing a plate member.
Figure 4b is a cross-sectional view taken along line A-A' of Figure 4a, showing a state in which a socket pin is inserted into a through hole.
FIG. 5A is a diagram illustrating a state in which a plate member is installed in an inspection device and before a semiconductor package contacts a socket pin.
Figure 5b is a diagram showing a state in which a semiconductor package is in contact with a socket pin.
6A and 6B are diagrams showing that the material of the support plate according to a preferred embodiment of the present invention is an anodic oxide film.
Figure 7a is a diagram showing the arrangement of a through hole according to a preferred embodiment of the present invention, and Figure 7b is a diagram showing the arrangement of a socket pin installed in the through hole of Figure 7a.
FIG. 8A is a diagram showing the structure of a through hole according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 8A.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following merely illustrates the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art will be able to invent various devices that embody the principles of the invention and are included in the concept and scope of the invention, although not clearly described or shown herein. In addition, all conditional terms and embodiments listed in this specification are, in principle, expressly intended only for the purpose of ensuring that the inventive concept is understood, and should be understood as not limiting to the embodiments and conditions specifically listed as such. .
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above-mentioned purpose, features and advantages will become clearer through the following detailed description in relation to the attached drawings, and accordingly, those skilled in the art in the technical field to which the invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the invention. .
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 본 명세서에서 사용한 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Embodiments described herein will be explained with reference to cross-sectional views and/or perspective views, which are ideal illustrations of the present invention. The thicknesses of films and regions shown in these drawings are exaggerated for effective explanation of technical content. The form of the illustration may be modified depending on manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include changes in form produced according to the manufacturing process. Technical terms used in this specification are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “comprise” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in this specification, but are intended to indicate the presence of one or more other It should be understood that this does not exclude in advance the presence or addition of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓은 반도체 패키지(20)의 고주파 특성 검사에 유리할 뿐만 아니라 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 협피치화에 대응할 수 있도록 구성된다. The test socket according to a preferred embodiment of the present invention is not only advantageous for testing the high-frequency characteristics of the
소켓핀(10)의 배치를 협피치로 구현했을 때, 소켓핀(10)의 변형으로 인해 지지 플레이트(30)가 변형되는 것을 방지하기 위해서는 소켓핀(10)과 지지 플레이트(30)는 일체형으로 제작되면 안 되고, 소켓핀(10)과 지지 플레이트(30)는 분리형으로 각각 제작된 후 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)의 관통홀(31)에 삽입되어 설치되는 구조이어야 한다. 또한 소켓핀(10)은 폭 및/또는 높이 치수가 작으면서도 길이 치수가 작게 형성되어야 고주파 특성 검사 및 협피치 대응에 유리하고, 또한 이를 위해서는 소켓핀(10)을 구성하는 부분들을 분리형으로 제작하여 조립하면 안 되고 일체형으로 제작되어야 한다. 또한 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)의 관통홀(31) 내에서 회전하지 않도록 구성하여 접촉 안정성을 확보하도록 하여야 한다. When the
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 반도체 패키지(20)의 고주파 특성 검사에 유리할 뿐만 아니라 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 협피치화에 대응할 수 있도록 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소켓에 대해 구체적으로 설명한다. Hereinafter, with reference to the attached drawings, a preferred embodiment of the present invention will be described, which is not only advantageous for testing the high-frequency characteristics of the
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 지지 플레이트(30)를 도시한 도면이다.Figure 1 is a diagram showing a
지지 플레이트(30)는 소켓핀(10)이 삽입되는 관통홀(31)을 포함한다. The
관통홀(21)의 형상, 크기, 배치는 반도체 패키지의 고주파 특성 검사에 유리할 뿐만 아니라 반도체 패키지 단자의 협피치화에 대응할 수 있도록 구성된다. The shape, size, and arrangement of the through hole 21 are not only advantageous for testing the high-frequency characteristics of the semiconductor package, but are also configured to respond to the narrowing pitch of the semiconductor package terminal.
관통홀(31)은 사각 단면으로 형성된다. 관통홀(31)의 사각 단면을 구성하는 각각의 변은 그 길이 치수(x)가 치수가 50㎛ 이상 400㎛ 이하의 길이를 가진다. 보다 바람직하게, 각 변은 적어도 70㎛ 이상 200㎛이하의 길이 치수를 가진다. 한편 관통홀(31)은 실질적으로 각 변의 길이 치수가 동일하게 형성될 수 있다. The through
관통홀(31)들 간의 피치거리(P)는 100㎛이상 500㎛이하이다. 보다 바람직하게, 관통홀(31)들 간의 피치거리(P)는 150㎛이상 300㎛이하로 형성된다. The pitch distance (P) between the through
관통홀(31)은 복수개가 형성된다. 관통홀(31)의 개수는 반도체 패키지 단자의 개수와 대응되는 개수로 형성된다. 관통홀은 적어도 10개 이상 5000개 이하의 범위에서 형성될 수 있다. A plurality of through
지지 플레이트(30)의 두께 치수(K)는 100㎛이상 500㎛이하이다. 보다 바람직하게, 지지 플레이트(30)의 두께 치수(K)는 150㎛이상 300㎛이하로 형성된다. The thickness K of the
지지 플레이트(30)는, -50 ~ 500℃에 있어서의 열팽창 계수가, 1.0×10-6~6.0×10-6/℃인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게, 지지 플레이트(30)는, -50 ~ 500℃에 있어서의 열팽창 계수가, 2.0×10-6~4.0×10-6/℃일 수 있다. 이는 검사 시의 온도가 변화할 때 반도체 패키지의 열 팽창율과 동일한 팽창률로 변형하도록 함으로써 위치 틀어짐을 최소화하기 위함이다. The
지지 플레이트(30)에는 복수개의 관통홀(31)들이 형성되고 관통홀(31)들이 협피치로 형성되어 있기 때문에 이러한 관통홀(31)의 구성에 의하더라도 지지 플레이트(30)는 충분한 기계적 강성을 가져야 한다. 따라서 지지 플레이트(30)는, 100㎛이상 500㎛이하인 두께 범위에서 3점 굽힘 강도가 500MPa이상 2GPa이하인 것이 바람직하다. 이를 통해 지지 플레이트(30)는 검사 시 반도체 패키지(20)가 소켓핀(10)에 접촉하더라도 지지 플레이트(30)가 충분한 기계적 강성을 갖는다. Since a plurality of through
지지 플레이트(30)는 질화규소(Si3N4), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 지르코니아(ZrO2) 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 포함하는 재질로 구성될 수 있다. 지지 플레이트(30)는 질화규소(Si3N4), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 지르코니아(ZrO2) 중 적어도 어느 하나의 재질로 구성되거나 이들 중 적어도 어느 하나를 성분으로 포함하여 구성될 수 있다. 이를 통해 충분한 변형 강도를 확보할 수 있고, 적절한 열팽창 계수를 얻을 수 있다. 또한 지지 플레이트(30)는 양극산화막(33)으로 구성될 수 있으며, 이에 대한 구체적인 설명은 후술한다.The
또한, 지지 플레이트(30)는 엔지니어링 플라스틱, 섬유 강화 플라스틱 및 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 엔지니어링 플라스틱은, 폴리아세탈(POM: Polyacetal), 폴리카보네이트(PC:Polycarbonate), 폴리 이미드(PI: Polyimide), 폴리아미드(PA: Polyamide), PBT 수지(poly-butylene-terephthalate fiber) 및 변성 폴리페닐렌옥사이드(PPO: polyphenylene oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종일 수 있다. Additionally, the
다만 지지 플레이트(30)의 재질은 이에 한정되는 것은 아니고 절연성을 갖는 재질로서 충분한 기계적 강성을 갖는 것이라면 이에 포함된다 할 것이다. However, the material of the
지지 플레이트(30)는 그 표면에 보호층(35)이 구비된다. 보호층(35)은 원자층 증착막일 수 있다. 원자층 증착막은 전구체 가스와 반응물 가스를 교대로 공급함으로써 형성될 수 있다. 이 경우, 보호층(35)은 전구체 가스 및 반응물 가스의 구성에 따라 다른 구성으로 형성될 수 있다. 일 예로서, 보호층(35)은, 알루미늄, 실리콘, 하프늄, 지르코늄, 이트륨, 에르븀, 티타늄 및 탄탈늄 중 적어도 어느 하나인 전구체 가스와 보호층(35)을 형성할 수 있는 반응물 가스를 교대로 공급하여 형성될 수 있다.The
전구체 가스 및 반응물 가스를 교대로 공급하여 형성되는 보호층(35)은, 전구체 가스 및 반응물 가스의 구성에 따라 알루미늄 산화물층, 이트륨 산화물층, 하프늄 산화물층, 실리콘 산화물층, 에르븀 산화물층, 지르코늄 산화물층, 플루오르화층, 전이금속층, 티타늄 질화물층, 탄탈륨 질화물층 및 지르코늄 질화물층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The
보호층(35)은 지지 플레이트(30)의 표면에 전구체 가스를 흡착시키고, 반응체 가스를 공급하여 전구체 가스와 반응체 가스의 화학적 치환으로 단원자층을 생성시키는 사이클(이하, '단원자층 생성 사이클'이라 함)을 반복적으로 수행함으로써 형성될 수 있다. 한 번의 단원자층을 생성시키는 사이클 수행시, 지지 플레이트(30)의 표면에는 얇은 두께의 한 층의 단원자층이 형성될 수 있다. 단원자층을 생성시키는 사이클을 반복적으로 수행함에 따라 복수층의 단원자층이 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 지지 플레이트(30)의 표면에 전구체 가스를 흡착하는 전구체 가스 흡착 단계, 캐리어 기체 공급 단계, 반응체 가스 흡착 및 치환 단계 및 캐리어 기체 공급 단계를 순차적으로 수행하는 단원자층 생성 사이클을 반복하여 수행하여 복수층의 단원자층을 생성하여 보호층(35)을 형성하는 단계에 의해 제조될 수 있다.The
이러한 보호층(35)은 지지 플레이트(30)의 관통홀(31) 내벽에도 형성된다. 관통홀(31)들 간의 피치 간격이 협피치화 됨에 따라, 지지 플레이트(30)는 반도체 패키지(20)의 가압력에 의해 휨 변형을 일으키게 되는데, 지지 플레이트(30)의 표면에 형성된 보호층(35)을 통해 지지 플레이트(30)의 전체적인 기계적 강도를 향상시킬 뿐만 아니라 내식성도 향상시킬 수 있게 된다. 또한 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 삽입 및 교체하거나 사용 중에 야기될 수 있는 파티클의 발생을 최소화할 수 있게 된다. This
도 2a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 소켓핀(10)을 도시한 평면도이고, 도 2b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 소켓핀(10)을 도시한 사시도이며, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓용 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 삽입하여 설치한 것을 도시한 도면이다. Figure 2a is a plan view showing a
소켓핀(10)은 핀부(100), 고정부(200) 및 연결부(300)를 포함한다. The
핀부(100)는 상부에 구비되는 제1접촉부(110), 하부에 구비되는 제2접촉부(120) 및 제1접촉부(110)와 제2접촉부(120) 사이에 구비되는 탄성부(130)를 포함한다. The
종래 포고 타입 소켓은 배럴과 소켓핀을 별도로 제작한 후 이들을 조립하여 구비되는 것인 반면에, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소켓핀(10)은 제1접촉부(110), 제2접촉부(120) 및 탄성부(130)를 도금 공정을 이용하여 한꺼번에 제작함으로써 일체형으로 구비된다는 점에서 구성상의 차이가 있다.While the conventional pogo type socket is provided by manufacturing the barrel and the socket pin separately and then assembling them, the
고정부(200)는 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 고정하는 역할을 하며 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)에 설치된 이후에는 소켓핀(10)은 지지 플레이트(30)에 고정된 상태를 유지한다. The fixing
연결부(300)는 소켓핀(10)의 폭 방향을 기준으로 핀부(100)와 고정부(200) 사이에 구비되어 핀부(100)와 고정부(200)를 연결한다. The
핀부(100), 고정부(200) 및 연결부(300)는 일체형으로 구비된다. 핀부(100), 고정부(200) 및 연결부(300)는 도금 공정을 이용하여 한꺼번에 제작된다. 소켓핀(10)은, 내부 공간을 구비하는 몰드를 이용하여 전기 도금으로 내부 공간에 금속 물질을 충진하여 형성되기 때문에, 핀부(100), 고정부(200) 및 연결부(300)가 서로 연결되는 일체형으로 제작된다. The
소켓핀(10)은 길이 방향(L방향)으로 탄성 변형 가능함과 동시에 폭 방향(W방향)으로 탄성 변형 가능하다. 소켓핀(10)은 탄성부(130)을 구성을 통해 길이 방향으로 탄성 변형 가능하고, 연결부(300)의 구성을 통해 폭 방향으로 탄성 변형 가능하다. The
소켓핀(10)의 높이 방향(H방향)으로 복수 개의 금속층이 적층되어 구비된다. 복수개의 금속층은, 제1금속(11)과 제2금속(13)을 포함한다. A plurality of metal layers are stacked in the height direction (H direction) of the
제1금속(11)은 제2금속(13)에 비해 상대적으로 내마모성 또는 경도가 높은 금속이며, 제2금속(13)은 제1금속(11)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속으로 구성될 수 있다. The
제1금속(11)은 바람직하게는, 로듐(Rd), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 망간(Mn), 텅스텐(W), 인(Ph) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(PdNi) 합금 또는 니켈-인(NiPh) 합금, 니켈-망간(NiMn), 니켈-코발트(NiCo) 또는 니켈-텅스텐(NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성될 수 있다.The
제2금속(13)은 바람직하게는, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성될 수 있다. The
다만, 제1, 2금속(11,13)은 상술한 금속 이외에 다른 금속을 포함하여 구성될 수 있으며 상술한 예시적인 재질만으로 제한되는 것은 아니다.However, the first and
제1금속(11)은 소켓핀(10)의 높이 방향으로 하면과 상면에 구비되고 제2금속(13)은 제1금속(11) 사이에 구비된다. 예를 들어, 소켓핀(10)은 제1금속(11), 제2금속(13), 제1금속(11) 순으로 교대로 적층되어 구비되며, 적층되는 층수는 3층 이상으로 구성될 수 있다. The
제1금속(11)과 제2금속(13)이 교번적으로 적층되어 구성되되 제2금속(13)은 제1금속(11)들 사이에 구비되어 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 접촉하는 위치에 구비될 수 있다. The
소켓핀(10)을 구성하는 복수개의 금속층은 소켓핀(10)의 각 구성별로 금속층의 재질 및/또는 함량에 차이가 있을 수 있다. 예컨대, 핀부(100), 고정부(200) 및 연결부(300) 중 적어도 어느 하나의 부분은 다른 적어도 하나의 구성에 비해 금속층의 재질, 적층수, 함량 중 적어도 어느 하나에 차이가 있을 수 있다. 또는 고정부(200), 연결부(300), 경계부(114), 제1접촉부(110), 탄성부(130) 및 제2접촉부(120) 중 적어도 어느 하나의 부분은 다른 적어도 하나에 비해 금속층의 재질, 적층수, 함량 중 적어도 어느 하나에 차이가 있을 수 있다. 각각의 부분들은 그 기능이 상이할 수 있고 그 기능에 맞춰는 각각의 부분들의 금속층의 재질, 적층수, 함량 중 적어도 어느 하나를 달리함으로써 각각의 부분들의 물리적 또는 전기적 특성을 다르게 할 수 있게 된다. 신속한 전류 흐름이 필요한 부분에 있어서는 제2금속(13)의 함량이 높을 수 있고, 충분한 탄성 변형 강도를 제공할 필요가 있는 부분에 있어서는 제1금속(11)의 함량이 높을 수 있다. 또한 일부 부분들에 있어서는 복수개의 금속층이 적층되지 않고 하나의 금속층만으로 구성될 수 있다. 예컨대, 제2접촉부(120)는 제1금속(11)만으로 구성되어 내마모성을 향상시킬 수 있다. The plurality of metal layers constituting the
제1금속(11)은 제2금속(13)에 비해 표면 측에서 돌출되어 구성된다. 제1금속(11) 사이에 구비되는 제2금속(13)은 표면 측에서 제1금속(11)보다 돌출되지 않는다. 이는 도금 공정을 완료한 이후에 제2금속(13)만을 선택적으로 에칭함으로써 구현될 수 있다. 제2금속(13)은 제1금속(11)에 비해 경도가 낮기 때문에 제1금속(11)과 제2금속(13)이 동일 평면상에 구비되는 경우에는 제2금속(13)이 마모됨에 따라 전기 전도성 접촉핀(10)의 내구성이 저하될 수 있다. 따라서 제2금속(13)이 외부 대상물과 접촉되지 않도록, 제2금속(13)이 제1금속(11)에 비해 돌출되지 않는 구성을 통해 접촉에 따른 내마모성을 향상시킬 수 있다. The
제2금속(13)이 제1금속(11)에 비해 돌출되지 않는 구성은 전기 전도성 접촉핀(10)의 전체적으로 구비되거나, 제2금속(13)이 외부 대상물과 실질적으로 접촉이 발생하는 부위에 선택적으로 구비될 수 있다.The configuration in which the
제2금속(13)이 제1금속(11)에 비해 돌출되지 않는 구성이 제2금속(13)이 외부 대상물과 실질적으로 접촉이 발생하는 부위에 선택적으로 구비되는 경우에는, 바람직하게는 제1접촉부(110), 제2접촉부(120), 및/또는 고정부(200)에 구비될 수 있다. In the case where a configuration in which the
제1접촉부(110)에서 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 접촉되는 면, 보다 구체적으로는 제1측부 접촉부(115)의 폭 방향 내면 및/또는 제1하부 접촉부(111)의 상면에서 제2금속(13)은 제1금속(11)에 비해 돌출되지 않고 내측으로 단차지게 위치할 수 있다. 이를 통해 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)는 제1금속(11)과 접촉할 수 있지만 제2금속(13)과는 접촉하지 않을 수 있다. 그 결과 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 제1접촉부(110)간의 접촉 포인트 개수를 늘림으로써 접촉 안정성을 향상시킨다. The surface of the
한편, 검사장치는 회로 기판(40)을 포함하고, 제2접촉부(110)는 회로 기판(40)의 단자(45)와 전기적으로 접속한다. 이때에 제2접촉부(110)의 하면에서 제2금속(13)은 제1금속(11)에 비해 돌출되지 않고 내측으로 단차지게 위치할 수 있다. 이를 통해 접촉 포인트 개수를 늘림으로써 접촉 안정성을 향상시킨다. Meanwhile, the inspection device includes a
한편, 고정부(200)는 지지 플레이트(30)에 고정되어 설치되는데, 지지 플레이트(30)에 대향하는 고정부(200)의 측면에서 제2금속(13)은 제1금속(11)에 비해 돌출되지 않고 내측으로 단차지게 위치할 수 있다. 이를 통해 접촉에 따른 마모를 최소화할 수 있게 된다.Meanwhile, the fixing
제1접촉부(110)는 소켓핀(10)의 길이 방향의 상부에 위치하고, 제2접촉부(120)는 소켓핀(10)의 길이 방향의 하부에 위치한다. The
제1접촉부(110)는 제1하부 접촉부(111)와 제1측부 접촉부(115)를 포함한다. The
제1하부 접촉부(111)는 접촉 대상물의 하부와 접촉한다. 따라서 제1하부 접촉부(111)는 접촉 대상물의 하방향 변위에 저항할 수 있다. 여기서 접촉 대상물은 검사 대상물의 외부 단자를 포함한다. 검사 대상물이 반도체 패키지(20)인 경우 접촉 대상물은 반도체 패키지(20)에 구비된 구형 외부 단자(25)일 수 있다. The first
제1측부 접촉부(115)는 접촉 대상물의 측부와 접촉한다. 따라서 제1측부 접촉부(115)는 접촉 대상물의 측방향 변위에 저항할 수 있다. 보다 구체적으로 제1측부 접촉부(115)는 제1하부 접촉부(111)의 외측에 구비되어 외부 단자(25)의 측부와 접촉한다. 외부 단자(25)의 하부와 접촉하는 제1하부 접촉부(111)와 외부 단자(25)의 측부와 접촉하는 제1측부 접촉부(115)의 구성을 통해 외부 단자(25)와의 접촉 안정성이 향상된다. The first
제1하부 접촉부(111)는 제1-1하부 접촉부(111a)와 제1-2하부 접촉부(111b)를 포함한다. 제1-1하부 접촉부(111a)와 제1-2하부 접촉부(111b)는 핀부(100)의 길이 방향 중심 축을 기준으로 폭 방향으로 이격되어 대칭적으로 구비된다. The first
제1-1하부 접촉부(111a)는 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 하부 일부와 접촉되며 폭 방향 좌측 및 길이 방향 상측으로 연장되어 구성되는 제1하면 지지부(113a)를 포함하고, 제1-2하부 접촉부(111b)는 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 하부 일부와 접촉되며 폭 방향 우측 및 길이 방향 상측으로 연장되어 구성되는 제2하면 지지부(113b)를 포함한다. The 1-1
제1하면 지지부(113a)의 하부에는 제1목부(112a)가 구비된다. 제1목부(112a)의 일 단부는 상부 탄성부(131)와 연결되고 타 단부는 제1하면 지지부(113a)에 연결된다. 제2하면 지지부(113b)의 하부에는 제2목부(112b)가 구비된다. 제2목부(112a)의 일 단부는 상부 탄성부(131)와 연결되고 타 단부는 제2하면 지지부(113b)에 연결된다.A
반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)가 제1-1하부 접촉부(111a)와 제1-2하부 접촉부(111b)에 접촉하게 되면 제1하면 지지부(113a)와 제2하면 지지부(113b)는 서로 멀어지는 방향으로 탄성 변형되면서 외부 단자(25)의 하부를 지지할 수 있게 된다. 또한 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)가 정확한 위치에서 안착되지 않고 어느 한 측으로 편심되어 안착되더라도 제1하면 지지부(113a) 또는 제2하면 지지부(113b)가 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 하부와 접촉할 수 있게 된다. 이처럼 제1하부 접촉부(111)가 서로 이격되어 구비되는 제1-1하부 접촉부(111a)와 제1-2하부 접촉부(111b)로 구성됨에 따라 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와의 접촉 안정성이 더욱 향상된다.When the
또한 제1-1하부 접촉부(111a)와 제1-2하부 접촉부(111b) 사이에는 이격 공간이 구비된다. 보다 구체적으로는 제1하부 접촉부(111a)의 제1목부(112a)와 제2하부 접촉부(111b)의 제2목부(112b) 사이에는 이격 공간이 존재한다. 검사대상물(20)의 외부 단자(25)로부터 탈락된 이물질은 제1하부 접촉부(111a)의 제1하면 지지부(113a)와 제2하부 접촉부(111b)의 제2하면 지지부(113b)에 의해 안내되어 제1목부(112a)와 제2목부(112b) 사이에 구비되는 이격 공간으로 투입된다. 이를 통해 제1하부 접촉부(111a)의 제1하면 지지부(113a)와 제2하부 접촉부(111b)의 제2하면 지지부(113b)에 이물질이 잔존하는 것을 최소화함으로써 접촉 안정성을 향상시킨다. 또한 이물질이 상부 탄성부(131)로 유입되는 것을 최소화할 수 있게 된다. Additionally, a separation space is provided between the 1-1
제1측부 접촉부(115)는 제1하부 접촉부(111)의 외측에 한 쌍으로 구비되어 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 측부에 접촉 가능하게 구비된다. 제1측부 접촉부(115)는 제1하부 접촉부(111)의 상부 측으로의 제1하부 접촉부(111)의 돌출 길이보다 더 돌출되어 형성된다. 구형의 외부 단자(25)는 그 하부가 제1하부 접촉부(111)에 접촉되고 그 측부가 제1측부 접촉부(115)에 접촉된다. 구형의 외부 단자(25)가 제1하부 접촉부(111)와 한 쌍의 제1측부 접촉부(115)에서 접촉됨으로써 기존의 점 접촉 방식에 비해 접촉 안정성이 향상된다. The first
한 쌍의 제1측부 접촉부(115)는 그 이격 거리가 멀어지거나 좁아지는 형태로 탄성 변형될 수 있다. 예를 들어 제1하부 접촉부(111)가 구형 외부 단자(25)와 접촉한 이후에 제1하부 접촉부(111)가 눌려지면, 한 쌍의 측부 접촉부(115)의 이격 거리가 좁아지는 형태로 탄성 변형될 수 있다. 또는 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 폭이 한 쌍의 제1측부 접촉부(115)의 이격 거리보다 클 경우에는 한 쌍의 제1측부 접촉부(115)간의 이격 거리가 멀어지는 형태로 탄성 변형될 수 있다. The pair of first
제1측부 접촉부(115)는 접촉 안정성을 향상시키기 위한 돌출 팁(116)을 구비한다. 돌출 팁(116)은 폭 방향 내측으로 돌출되어 구비되며 복수 개 구비될 수 있다. 돌출 팁(116)은 적어도 2개 이상으로 구비될 수 있다. 제1하부 접촉부(111)가 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 접촉 시 오버 드라이브에 의해 하강 압력이 가해지면 고정부(200)가 제1측부 접촉부(115)와 접촉하면서 제1측부 접촉부(115)가 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25) 방향으로 변위된다. 이때 돌출 팁(116)아 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 측면에 접촉하면서 접촉 안정성을 향상시킬 수 있게 된다. The first
반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)가 제1접촉부(110)와 접촉할 때에, 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 크기 및 위치 오차로 인해 제1하부 접촉부(111)와 접촉하지 않을 수 있지만, 적어도 제1측부 접촉부(115)에는 적어도 접촉할 수 있다. 제1측부 접촉부(115)만으로도 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 접촉할 수 있는 구성이기 때문에 반도체 패키지(20)을 눌러주는 하강력이 작은 상황에서도 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 제1접촉부(110)간의 접촉 안정성이 확보된다. 종래 고무 소재인 실리콘 러버 내부에 전도성 마이크로 볼을 배치한 러버 타입 소켓의 경우에는, 마이크로 볼들 간의 접속을 위해 충분히 큰 가압력으로 반도체 패키지를 눌러주어야 한다. 그 결과 소켓핀들의 개수에 따라 많게는 수 내지 수십 ton의 하강력이 필요하게 된다. 이에 반해, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소켓핀(10)의 경우에는 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 측면과 접촉할 수 있는 제1측부 접촉부(115)를 구비함으로써 상대적으로 작은 하강력으로도 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 제1접촉부(110)간의 접촉 안정성을 확보하는 것이 가능하게 된다. When the
탄성부(130)는 상부 탄성부(131)와 하부 탄성부(132)를 포함한다. 상부 탄성부(131)와 하부 탄성부(132) 사이에는 경계부(114)가 구비된다. 상부 탄성부(131)는 제1접촉부(110)와 연결되고 하부 탄성부(1232)는 제2접촉부(120)와 연결된다. 상부 탄성부(131)와 하부 탄성부(132)의 탄성 계수는 서로 다르게 형성될 수 있다. The
제1하부 접촉부(111)와 경계부(114)사이에는 상부 탄성부(131)가 구비된다. 상부 탄성부(131)는 복수개의 상부 직선부(135a)와 복수개의 상부 만곡부(137a)가 교대로 접속되어 형성된다. 상부 직선부(135a)는 좌, 우로 인접하는 상부 만곡부(137a)를 연결하며 상부 만곡부(137a)는 상, 하로 인접하는 상부 직선부(135a)를 연결한다. 상부 탄성부(131)의 중앙 부위에는 상부 직선부(135a)가 배치되고 상부 탄성부(131)의 외측 부위에는 상부 만곡부(137a)가 배치된다. 상부 직선부(135a)는 폭 방향과 평행하게 구비되어 접촉압에 따른 상부 만곡부(137a)의 변형이 보다 쉽게 이루어지도록 한다. 이를 통해 상부 탄성부(131)는 적절한 접촉압을 갖는다. An upper
상부 탄성부(131)의 하부는 경계부(114)와 연결된다. 보다 구체적으로는, 상부 탄성부(131)의 상부 만곡부(137a)가 경계부(114)와 연결된다.The lower part of the upper
상부 탄성부(131)의 상부는 제1하부 접촉부(111)와 연결된다. 보다 구체적으로는, 제1하부 접촉부(111)는 서로 이격되어 대칭적으로 구비되는 제1-1하부 접촉부(111a)와 제1-2하부 접촉부(111b)를 포함하므로, 상부 탄성부(131)의 상부는 제1-1하부 접촉부(111a)와 제1-2하부 접촉부(111b)와 연결된다. The upper part of the upper
제1하부 접촉부(111)가 상부 탄성부(131)에 연결되는 구성을 포함함으로써, 외부 단자(25)가 제1하부 접촉부(111)에 접촉되었을 때 탄성 변형되어 적절한 접촉압을 제공할 수 있게 된다.By including a configuration in which the first
제1측부 접촉부(115)는 연결부(300)로부터 연장되어 형성되거나 경계부(114)로부터 연장되어 형성될 수 있다.The first
경계부(114)는, 길이 방향으로는 상부 탄성부(131)와 하부 탄성부(132) 사이에 구비되고 폭 방향으로는 한 쌍의 연결부(300) 사이에 구비된다. 경계부(114)의 일측은 그 일측에 위치하는 연결부(300)와 연결되고, 경계부(114)의 타측은 그 타측에 위치하는 연결부(300)와 연결된다. The
경계부(114)는 그 상부에 상부 탄성부(131)가 연결되고 그 하부에 하부 탄성부(132)가 연결되며 폭 방향으로 연장되어 구비된다. 다시 말해 경계부(114)는 폭 방향으로 연장되는 판상 플레이트 형태로 구비되고 경계부(114)의 상부에 상부 탄성부(131)가 연결되고 경계부(114)의 하부에 하부 탄성부(132)가 연결되며 경계부(114)의 양 측부에 각각의 연결부(300)가 연결된다. 또한, 제1측부 접촉부(115)는 경계부(114)와 연결되어 상부로 연장되어 형성된다. The
경계부(114)는 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)가 접촉하는 접촉 영역과 하부 탄성부(132)가 탄력적으로 변형하는 탄성 영역을 독립된 공간으로 구분 짓는 역할을 수행한다. 하부 탄성부(132)의 상부에 위치하는 경계부(114)와 하부 탄성부(132)의 양 측부에 위치하는 연결부(300)의 구성을 통해 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)가 접촉하는 접촉 영역과 하부 탄성부(132)가 탄력적으로 변형하는 탄성 영역이 구분된다. 이를 통해 접촉 영역에서 접촉 시 발생하는 이물질이 탄성 영역 측으로 유입되는 것이 차단된다.The
하부 탄성부(132)는 길이 방향으로 경계부(114)와 제2접촉부(120)에 사이에 구비되어 탄성 변형된다. 하부 탄성부(132)의 최상단은 경계부(114)와 연결되고, 하부 탄성부(132)의 최하단은 제2접촉부(120)와 연결된다. The lower
하부 탄성부(132)는 복수개의 직선부(135b)와 복수개의 만곡부(137b)가 교대로 접속되어 형성된다. 직선부(135b)는 좌, 우로 인접하는 만곡부(137b)를 연결하며 만곡부(137)는 상, 하로 인접하는 직선부(135b)를 연결한다. 만곡부(137b)는 원호 형상으로 구비된다.The lower
하부 탄성부(132)의 중앙 부위에는 직선부(135b)가 배치되고 하부 탄성부(132)의 외측 부위에는 만곡부(137b)가 배치된다. 직선부(135b)는 폭 방향과 평행하게 구비되어 접촉압에 따른 만곡부(137b)의 변형이 보다 쉽게 이루어지도록 한다. 이를 통해 하부 탄성부(132)는 적절한 접촉압을 갖는다. A
경계부(114)와 연결되는 하부 탄성부(132)는 하부 탄성부(132)의 만곡부(137b)이고, 제2접촉부(120)와 연결되는 하부 탄성부(132)는 하부 탄성부(132)의 직선부(135b)일 수 있다. 하부 탄성부(132)의 최하단에서의 직선부(135b)는 일단은 자유단으로 구성되고 타단은 만곡부(137b)에 연결되어 제2접촉부(120)가 스크럽(scrub) 기능을 수행하면서 작동되도록 한다. The lower
만곡부(137b)의 상, 하부에는 평면부(138b)가 구비된다. 평면부(138b)는 납작한 평면형태로 구성되며, 하부 탄성부(132)의 변형 시 상, 하로 인접하는 평면부(138b)들이 서로 면 접촉한다. 검사 시 하부 탄성부(132)는 압축되며, 상, 하로 인접하는 평면부(138b)들이 서로 면 접촉하게 된다. 이를 통해 전기 신호 전달이 하부 탄성부(132)의 외측 부위에 구비되는 만곡부(137b)를 통해 신속하고 안정적으로 이루어진다.
각각의 만곡부(137b)에는 2개의 직선부(135b)가 연결되어 형성되되, 각각의 만곡부(137b)의 길이 방향의 거리를 초과하지 않는 범위 내에 2개의 직선부(135b)가 위치하게 된다. 각각의 만곡부(137b)의 상부에서 하부로 굴곡진 위치에서 하나의 직선부(135b)가 연결되고 각각의 만곡부(137b)의 하부에서 상부로 굴곡진 위치에서 다른 하나의 직선부(135b)가 연결됨으로써 하나의 만곡부(137b)에 연결된 2개의 직선부(135b)의 길이 방향의 이격 거리는 하나의 만곡부(137b)의 길이 방향의 이격 거리를 초과하지 않는다. 이를 통해 하부 탄성부(132)의 동일 길이 범위내에서 보다 많은 만곡부(137b)와 직선부(135b)를 구비토록 하는 것이 가능하므로 하부 탄성부(132)에 충분한 탄력을 제공할 수 있게 된다. 그 결과 하부 탄성부(132)의 길이를 짧게 하는 것이 가능하게 된다. Each
한편 상, 하로 인접하는 만곡부(137b)간의 이격 거리는 상, 하로 인접하는 직선부(135b)간의 이격 거리보다 짧게 구성된다. 이를 통해 하부 탄성부(132)가 압축될 때 상, 하로 인접하는 만곡부(137b)들이 먼저 접촉되어 만곡부(137b)를 통해 전류 통로를 형성하고, 추가적인 오버 드라이브가 가해지면 상, 하로 이격된 직선부(135b)를 통해 하부 탄성부(132)의 추가 변형을 유도할 수 있게 된다. Meanwhile, the separation distance between the
제2접촉부(120)는 회로 기판(40)의 단자(45)에 전기적으로 접속된다. 제2접촉부(120)는 탄성부(130)의 하부에서 탄성부(130)에 연결되어 구성되기 때문에, 제2접촉부(120)는 회로 기판(40)의 단자(45)에 탄력적으로 접속된다. The
제2접촉부(120)는 하부 탄성부(132)와 동일한 폭을 가지며, 내부에 여유공간부(125)를 포함한다. 여유공간부(125)는 제2접촉부(120)와 하부 탄성부(132)의 직선부(135)에 의해 둘러싸인 형태로 빈 공간으로 형성된다. 여유공간부(125)의 구성을 통해 제2접촉부(120)는 하부 탄성부(132)와 동일한 폭으로 형성될 수 있다. 제2접촉부(120) 내부에 구비되는 여유공간부(125)의 구성을 통해 제2접촉부(120)는 탄성력을 가지게 된다. The
고정부(200)는 소켓핀(10)의 폭 방향의 최 외측에 구비되며 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 고정하는 역할을 한다. 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)에 설치된 이후에 고정부(200)는 지지 플레이트(30)에 고정된 상태를 유지한다. The fixing
고정부(200)는 폭 방향 외측으로 돌출된 돌기(210)를 포함한다. 돌기(210)는 고정부(200)의 벽면에 구비된다. 돌기(210)는 상부 고정돌기(211)와 하부 고정돌기(213)를 포함한다. 상부 고정돌기(211)와 하부 고정돌기(213)의 구성을 통해 고정부(200)가 지지 플레이트(30)에 고정 설치된다. The fixing
상부 고정돌기(211)와 하부 고정돌기(213) 사이에 지지 플레이트(30)가 위치하게 된다. 상부 고정돌기(211)와 하부 고정돌기(213)는 단차진 걸림턱으로 구비되어 고정부(200)가 지지 플레이트(30)에 형성된 홀에 삽입된 이후에 지지 플레이트(30)가 상부 고정돌기(211)와 하부 고정돌기(213)에 걸려 고정부(200)가 상측 및 하측으로 이탈되지 않도록 한다. The
고정부(200)와 연결부(300)는 서로 이격되어 평행하게 구비되되 고정부(200)의 하단부와 연결부(300)의 하단부는 굴곡부(400)에 의해 연결된다. 굴곡부(400)는 그 외면이 폭 방향 내측으로 경사진 구성을 가진다. 이를 통해 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 형성된 관통홀(31)에 삽입하는 것이 더욱 간편해진다. 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)에 삽입하고자 할 때 경사진 외면을 가지는 굴곡부(400)가 지지 플레이트(30)에 구비된 홀에 접촉하면서 굴곡부(400)가 폭 방향 내측으로 압축되면서 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)에 자연스럽게 삽입될 수 있게 된다. 또한 삽입된 이후에는 탄성 복원력에 의해 소켓핀(10)가 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31) 내벽에 밀착되면서 상부 고정돌기(211)와 하부 고정돌기(213)에 의해 고정부(200)가 지지 플레이트(30)에 자연스럽게 고정 설치된다. 또한 고정 설치된 이후에도 탄성 복원력에 의해 고정부(200)는 관통홀(31)의 내벽면에 밀착됨으로써 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)로부터 이탈되는 것을 방지한다. The fixing
고정부(200)는 연장 돌출부(220)를 포함한다. 연장 돌출부(220)는 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)에 설치되었을때, 지지 플레이트(30)의 상측으로 연장되어 돌출된 고정부(200)의 일부분이다. 연장 돌출부(220)는 고정부(200)의 상부에 구비되는 고정돌기(211)보다 그 상부에 구비될 수 있다. 연장 돌출부(220)는 제1측부 접촉부(115)가 폭 방향 외측으로 변형될 때 제1측부 접촉부(115)의 측면을 지지하여 제1측부 접촉부(115)가 과도하게 변형되는 것을 방지한다.The fixing
고정부(200)의 하단부의 아래 방향 외측으로는 탄성부(130)의 적어도 일부가 돌출된다. 즉, 탄성부(130)의 적어도 일부는 고정부(200)보다 아래 방향으로 돌출되어 노출된다. 또한, 고정부(200)의 상단부의 위 방향 외측으로는 제1접촉부(110)의 적어도 일부가 돌출된다. 즉, 제1접촉부(110)의 적어도 일부는 고정부(200)보다 위 방향으로 돌출되어 노출된다. 이를 통해 소켓핀(10)의 위, 아래에서 접촉하는 접촉 대상물들이 소켓핀(10)과 접촉시 고정부(200)와의 간섭이 최소화됨으로써, 소켓핀(10)의 길이 방향으로 접촉하는 대상물들 간의 접촉 안정성을 향상시킨다. At least a portion of the
연결부(300)는 핀부(100)와 고정부(200)의 폭 방향 사이에 구비되어 핀부(100)와 고정부(200)를 연결한다. 연결부(300)는 고정부(200)의 길이 방향과 동일한 길이 방향으로 연장되어 구성된다. The connecting
연결부(300)는 핀부(100)의 적어도 일부와 연결되고 고정부(200)의 하단부와 연결된다. 바람직하게, 연결부(300)는 그 일단이 경계부(114)와 연결되고, 그 타단이 고정부(200)의 하단부와 연결되되, 연결부(300)와 고정부(200)는 “U”(알파벳 U 모양)자 모양을 가지는 굴곡부(400)에 의해 연결된다. 즉, 고정부(200)와 연결부(300)는 서로 이격되어 평행하게 구비되되 고정부(200)의 하단부와 연결부(300)의 하단부는 굴곡부(400)에 의해 연결된다. 연결부(300)는 고정부(200)의 폭 방향 내측에서 고정부(200)와 이격되어 구비되고, “U”(알파벳 U 모양)자 모양의 굴곡부(400)를 통해 고정부(200)와 연결부(300)가 서로 결합되는 구성을 통해, 핀부(100)의 폭 방향 변위를 탄력적으로 허용할 뿐만 아니라 핀부(100)의 길이 방향 변위를 탄력적으로 허용한다. The
경계부(114)보다 길이 방향 하측의 위치에서 고정부(200)의 하단부와 연결부(300)의 하단부가 굴곡부(400)를 통해 연결됨으로써, 경계부(114)는 고정부(200)에 대해 폭 방향으로 상대 변위 가능하다. 경계부(114)를 기준으로 그 상측의 위치에서 검사대상물(20)의 외부 단자(25)와 접촉이 이루어질 때, 경계부(114)가 고정부(200)에 대해 폭 방향으로 상대 변위하면서 외부 단자(25)와 접촉할 수 있게 된다. 이를 통해 외부 단자(25)가 어긋난 위치에서 근접하더라도 접촉 안정성을 향상시킬 수 있게 된다.The lower end of the fixing
소켓핀(10)의 폭 방향 변형을 탄력적으로 허용함에 따라 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 설치 및 교체하는 것이 간편해진다.By allowing elastic deformation of the
보다 구체적으로 설명하면, 고정부(200)와 연결부(300) 사이의 이격 공간이 변화하도록 연결부(300)는 고정부(200)에 대해 상대 이동이 가능하다. 지지 플레이트(30)에 형성된 홀의 내부 폭은 삽입 전의 소켓핀(10)의 폭 길이보다 작게 형성된다. 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)에 삽입하고자 할 때 소켓핀(10)의 하단부를 폭 방향으로 압축시켜 소켓핀(10)의 폭 길이를 작게 하는 것이 가능하여 쉽게 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)에 삽입할 수 있게 된다. 또한 삽입된 이후에는 고정부(200)와 연결부(300)간의 탄성 복원력에 의해 고정부(200)가 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31) 내벽에 밀착될 수 있다. 이처럼 고정부(200)와 연결부(300)간의 탄성 결합구조를 통해 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 설치하는 것이 간편해진다. To be more specific, the connecting
또한 지지 플레이트(30)에 기설치된 소켓핀(10)을 빼내는 작업 역시 간편해진다. 소켓핀(10)은 폭 방향으로 탄성 변형되는 구조이기 때문에, 고정부(200)를 폭 방향으로 압축시켜 지지 플레이트(30)로부터 쉽게 빼낼 수 있게 된다. Additionally, the task of removing the
외부 단자(25)들이 협피치화되는 기술 트렌드에 대응하여 외부 단자(25)의 크기도 작아지고 있다. 이로 인해 마이크로 단위 크기로 제작되는 외부 단자(25)들을 소켓핀(10)에 대응되게 정렬하는 것이 더욱 어려워지게 된다. 하지만 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 핀부(100)의 폭 방향 변위가 탄력적으로 허용됨에 따라 외부 단자(25)와 보다 안정적으로 접촉이 가능하다. 연결부(300)가 고정부(200)에 대해 폭 방향으로 상대 변위 가능하고, 핀부(100)는 연결부(300)에 일체로 형성되어 있기 때문에 핀부(100)는 소정의 각도 범위에서 좌, 우로 탄력적으로 틸팅 가능하게 된다. 외부 단자(25)가 비록 어긋난 위치(제조과정 또는 이송오차 등의 이유로)에서 제1접촉부(110)와 접촉하게 되더라도 제1접촉부(110)는 어긋난 위치의 외부 단자(25)의 가압력에 의해 틸팅되면서 접촉되는 것이 가능하게 된다. 이를 통해 위치 오차가 있는 외부 단자(25)와도 안정적인 접속이 가능하게 된다. In response to the technological trend of narrower pitch
경계부(114)는 고정부(200)를 기준으로 폭 방향으로 탄력적으로 이동 가능하게 구비되고, 경계부(114)에 연결된 제1측부 접촉부(115)는 폭 방향으로 탄력적으로 이동 가능하게 구비되며, 고정부(200)와 연결부(300)를 연결하는 굴곡부(400)는 폭 방향으로 탄력적으로 이동 가능하게 구비되고, 굴곡부(400)를 기준으로 고정부(200)는 폭 방향으로 탄력적으로 이동 가능하게 구비된다. 이를 통해 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)에 가하는 압력을 최소함으로써, 지지플레이트(30)에 형성되는 관통홀(31)이 협피치로 구현되더라도 지지 플레이트(30)의 파손을 방지할 수 있게 된다. The
고정부(200), 연결부(300) 및 경계부(114)는 평평한 판상 플레이트로 구성되고, 제1접촉부(110), 탄성부(130) 및 제2접촉부(120)는 적어도 일부가 굴곡진 판상 플레이트로 구성된다. 이처럼 소켓핀(10)은 그 전체가 실질적으로 동일한 폭을 가지는 판상의 플레이트들이 서로 연결되어 하나의 바디로서 일체로 구비된다. The fixing
소켓핀(10)은 전기 도금에 의해 복수개의 금속층이 적층되어 제작되는데, 소켓핀(10)을 구성하는 판상의 플레이트의 폭(t)을 실질적으로 동일하게 함으로써 소켓핀(10)의 전체적인 도금 편차가 최소화된다. 이를 통해 소켓핀(10)의 전기적 또는 물리적 특성을 균일하게 할 수 있다.The
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소켓핀(10)은, 판상 플레이트가 전체적으로 일체 연결되어 형성되는 구조이다. The
소켓핀(10)은 하나의 바디로서 일체로 구비되며, 길이 방향으로 연장되는 판상 플레이트 형태로 형성되는 한 쌍의 고정부(200); 각각의 고정부(200)의 하단부에서 연결부위를 통해 연결되고 길이 방향으로 연장되는 판상 플레이트 형태로 형성되는 한 쌍의 연결부(300); 각각의 연결부(300)와 연결되고 폭 방향으로 연장되는 판상 플레이트 형태로 형성되는 경계부(114); 경계부(114) 또는 연결부(300)와 연결되고 판상 플레이트 형태로 형성되는 상부 탄성부(131); 상부 탄성부(131)와 연결되고 판상 플레이트 형태로 형성되는 제1접촉부(110); 경계부(114) 또는 연결부(300)와 연결되고 판상 플레이트 형태로 형성되는 하부 탄성부(132); 및 하부 탄성부(132)와 연결되고 판상 플레이트 형태로 형성되는 제2접촉부(120)를 포함한다.The
보다 구체적으로, 한 쌍의 고정부(200)는 판상 플레이트 형태로 길이 방향으로 연장되어 형성된다. 또한, 각각의 고정부(200)의 하단부에 연결된 각각의 연결부(300)는 판상 플레이트 형태로 길이 방향으로 연장되어 형성된다. 또한, 각각의 연결부(300)들을 연결하는 경계부(114)는 판상 플레이트 형태로 각각의 연결부(300)의 상단부에서 폭 방향으로 연장되어 형성된다. 또한, 한 쌍의 연결부(300)와 경계부(114)에 의해 하부가 개구된 “П”자 모양의 반(half)-밀폐공간을 형성한다. 또한, 한 쌍의 연결부(300)와 경계부(114)에 의해 형성된 반-밀폐공간에는 하부 탄성부(132)가 판상 플레이트가 굴곡된 형태로 한 쌍의 연결부(300)와 경계부(114) 중 적어도 어느 하나에 일체로 연결되어 형성된다. 하부 탄성부(132)는 판상 플레이트 형태로 만곡부(137)와 직선부(135)를 형성하면서 형성된다. 또한, 상부 탄성부(131)는 판상 플레이트 형태로 경계부(114) 또는 연결부(300)와 일체로 형성된다. 제1접촉부(110)는 판상 플레이트 형태로 상부 탄성부(131)와 일체로 형성되고 제2접촉부(120)는 판상 플레이트 형태로 하부 탄성부(132)와 일체로 형성된다. More specifically, the pair of fixing
이상과 같이 소켓핀(10)은 그 전체가 판상 플레이트들이 서로 연결되어 하나의 바디로서 일체로 구비된다. As described above, the
소켓핀(10)은, 길이 방향으로 전체 길이 치수(L)를 가지고, 길이 방향의 수직한 높이 방향으로 전체 높이 치수(H)를 가지며, 상기 길이 방향의 수직한 폭 방향으로 전체 폭 치수(W)를 가진다. The
소켓핀(10)을 구성하는 판상 플레이트는 폭을 가진다. 여기서 폭은 판상 플레이트의 일면과, 일면과 대향하는 타면 간의 거리를 의미한다. 소켓핀(10)을 구성하는 판상 플레이트는 그 폭이 가장 작은 최소폭과 그 폭이 가장 큰 최대폭을 가진다. The plate-shaped plate constituting the
판상 플레이트의 실질 폭(t)은, 전체적인 판상 플레이트를 기준으로 하는 폭의 평균값이거나, 전체적인 판상 플레이트를 기준으로 하는 폭의 중간 값이거나, 소켓핀(10)을 구성하는 적어도 일부 구성을 기준으로 하는 판상 플레이트 폭의 평균값 또는 중간값이거나, 고정부(200), 연결부(300), 경계부(114) 및 탄성부(130)의 적어도 하나의 판상 플레이트를 기준으로 하는 평균값 또는 중간값이거나, 판상 플레이트의 폭이 동일한 폭으로 10㎛이상 연속될 때의 폭의 값일 수 있다. The actual width (t) of the plate-shaped plate is the average value of the width based on the entire plate-shaped plate, the intermediate value of the width based on the entire plate-shaped plate, or based on at least some components constituting the
반도체 패키지(20)의 고주파 특성 검사를 효과적으로 대응하기 위해서는 소켓핀(10)의 전체 길이(L)는 짧아야 한다. 이에 따라 탄성부(130)의 길이도 짧아져야 한다. 하지만 탄성부(130)의 길이가 짧아지게 되면 접촉압이 커지는 문제가 발생하게 된다. 탄성부(130)의 길이를 짧게 하면서도 접촉압이 커지지 않도록 하려면, 탄성부(130)를 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t)을 작게 해야 한다. 그러나 탄성부(130)를 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t)을 작게 하면 탄성부(130)가 쉽게 파손되는 문제를 발생하게 된다. 탄성부(130)의 길이를 짧게 하면서도 접촉압이 커지지 않고 탄성부(130)의 파손을 방지하기 위해서는 탄성부(130)를 구성하는 판상 플레이트의 전체 높이 치수(H)를 크게 형성하여야 한다. In order to effectively test the high-frequency characteristics of the
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소켓핀(10)은 판상 플레이트의 실질 폭(t)은 얇게 하면서도 판상 플레이트의 전체 높이 치수(H)는 크도록 형성된다. 즉, 판상 플레이트의 실질 폭(t) 대비 전체 높이 치수(H)가 크게 형성된다. 바람직하게는 소켓핀(10)을 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t)이 5㎛ 이상 15㎛이하의 범위로 구비되고, 전체 높이 치수(H)는 50㎛ 이상 200㎛이하의 범위로 구비되되, 판상 플레이트의 실질 폭(t)과 전체 높이 치수(H)는 1:5 내지 1:30의 범위로 구비된다. 예를 들어, 판상 플레이트의 실질 폭은 실질적으로 10㎛로 형성되고, 전체 높이 치수(H)는 100㎛로 형성되어 판상 플레이트의 실질 폭(t)과 전체 높이 치수(H)는 1:10의 비율로 형성될 수 있다. The
이를 통해 탄성부(130)의 파손을 방지하면서도 탄성부(130)의 길이를 짧게 하는 것이 가능하고 탄성부(130)의 길이를 짧게 하더라도 적절한 접촉압을 갖도록 하는 것이 가능하다. 더욱이 탄성부(130)를 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t) 대비 전체 높이 치수(H)를 크게 하는 것이 가능함에 따라 탄성부(130)의 앞, 뒤 방향으로 작용하는 모멘트에 대한 저항이 커지고 되고 그 결과 접촉 안정성이 향상된다.Through this, it is possible to shorten the length of the
탄성부(130)의 길이를 짧게 하는 것이 가능함에 따라, 소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)와 전체 길이 치수(L)는 1:3 내지 1:9의 범위로 구비된다. 바람직하게는 소켓핀(10)의 전체 길이 치수(L)는 200㎛ 이상 1500㎛하의 범위로 구비될 수 있으며, 보다 바람직하게는 300㎛ 이상 600㎛이하의 범위로 구비될 수 있다. 이처럼 소켓핀(10)의 전체 길이 치수(L)를 짧게 하는 것이 가능하게 되어 고주파 특성에 대응하는 것이 용이하게 되고, 탄성부(130)의 탄성 복원 시간이 단축됨에 따라 테스트 시간도 단축되는 효과를 발휘할 수 있게 된다. As it is possible to shorten the length of the
또한, 소켓핀(10)을 구성하는 판상 플레이트는 그 실질 폭(t)이 높이(H) 보다 작은 크기로 형성됨에 따라 전, 후 방향으로의 굽힘 저항력이 향상된다. In addition, the plate-shaped plate constituting the
탄성부(130)는 가압력을 받아 탄성 변형하는 구성이면서도 만곡부(137a, 137b)가 서로 접촉하여 전류 패스가 형성되는 구성이기도 하다. 따라서 상, 하로 인접하는 복수개의 만곡부(137a, 137b)는 가압력에 의해 전체적으로 서로 접촉되는 것이 바람직하다. The
소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 1:1 내지는 1:5의 범위로 구비된다. 바람직하게는 소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)는 50㎛ 이상 200㎛이하의 범위로 구비되고, 소켓핀(10)의 전체 폭 치수(W)는 100㎛ 이상 500㎛하의 범위로 구비될 수 있으며, 보다 바람직하게는 소켓핀(10)의 전체 폭 치수(W)는 150㎛ 이상 400㎛이하의 범위로 구비될 수 있다. 이처럼 소켓핀(10)의 전체 폭 치수(W)를 짧게 함으로써 협피치화하는 것이 가능하게 된다. The overall height dimension (H) and overall width dimension (W) of the
한편, 소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 실질적으로 동일한 길이로 형성될 수 있다. 따라서 전체 높이 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 실질적으로 동일한 길이가 되도록 별체로 제작된 복수개의 소켓핀(10)을 높이 방향으로 여러 개 접합할 필요가 없게 된다. 또한 소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 실질적으로 동일한 길이로 형성하는 것이 가능하게 됨에 따라, 소켓핀(10)의 앞, 뒤 방향으로 작용하는 모멘트에 대한 저항이 커지고 되고 그 결과 접촉 안정성이 향상된다. 더욱이 소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)는 50㎛ 이상이면서 전체 높이 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 1:1 내지는 1:5의 범위로 구비되는 구성에 따르면 소켓핀(10)의 전체적인 내구성 및 변형 안정성이 향상되면서 외부 단자(25)와의 접촉 안정성이 향상된다. 또한 소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)는 50㎛ 이상으로 형성됨에 따라 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)를 향상시킬 수 있게 된다. Meanwhile, the overall height dimension (H) and the overall width dimension (W) of the
종래 포토레지스트 몰드를 이용하여 제작되는 소켓핀(10)은 전체 높이 치수(H) 대비 전체 폭 치수(W)가 작다. 예를 들어 종래 소켓핀(10)은 전체 높이 치수(H)가 50㎛ 미만이면서 전체 높이 치수(H)와 전체 폭 치수(W)가 1:2 내지 1:10의 범위로 구성되기 때문에, 접촉압에 의해 소켓핀(10)을 앞, 뒤 방향으로 변형시키는 모멘트에 대한 저항력이 약하다. 종래에는 소켓핀(10)의 앞, 뒷면에 탄성부의 과도한 변형으로 인한 문제 발생을 방지하기 위해, 소켓핀(10)의 앞, 뒷면에 하우징을 추가로 형성하는 것을 고려해야 하지만, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 추가적인 하우징 구성이 필요없게 된다. The
지지 플레이트(30)의 상면으로부터 소켓핀(10)이 돌출된 돌출 길이(L1)는 50㎛이상 150㎛이하로 형성되고, 지지 플레이트(30)의 하면으로부터 소켓핀(10)이 돌출된 돌출 길이(L2)는 50㎛이상 150㎛이하로 형성된다. The protrusion length L1 of the
제1접촉부(110)는 지지 플레이트(30)의 상면으로부터 돌출되어 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 접속된다. 제2접촉부(120)는 지지 플레이트(30)의 하면으로부터 돌출되어 회로기판(40)의 단자(45)에 접속된다. The
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 설치하는 과정에 대해 설명한다. Hereinafter, the process of installing the
먼저 복수개의 관통홀(31)이 구비된 지지 플레이트(30)를 마련한다. 소켓핀(10)의높이 방향에 대응되는 관통홀(31)의 내부 폭은 소켓핀(10)의 전체 높이 치수(H)보다 크게 형성된다. 반면에 소켓핀(10)의 폭 방향에 대응되는 관통홀(31)의 내부 폭은 소켓핀(10)의 전체 폭 치수(W)보다 작게 형성된다. 보다 구체적으로는 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)의 내부 폭은 한 쌍의 고정부(200)들 사이의 폭 길이보다 작게 형성된다. First, a
핀부(100)의 일부와 연결되고 고정부(200)의 일부와 연결된 연결부(300)의 구성을 통해, 한 쌍의 고정부(200)들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능한 구조이다. 소켓핀(10)의 하단부의 고정부(200)들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)에 삽입한다.Through the configuration of the connecting
그 다음 소켓핀(10)을 상부에서 하부 방향으로 가압하여 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31) 내부로 강제로 밀어 넣는다. 소켓핀(10)은 폭 방향으로 압축되어 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31)의 하부로 이동한다. 이 경우 고정부(200)는 탄성 복원력에 의해 지지 플레이트(30)에 구비된 관통홀(31) 내벽에 밀착되어 하부로 이동한다.Next, the
하부 고정돌기(213)가 지지 플레이트(30)의 하면에 지지되고, 상부 고정돌기(211)가 지지 플레이트(30)의 상면에 지지됨으로써 소켓핀(10)은 지지 플레이트(30)에 고정 설치되며, 소켓핀(10)의 지지 플레이트(30)에 대한 설치가 종료된다.The
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소켓핀(10)의 작동 과정에 대해 설명한다. Hereinafter, the operating process of the
소켓핀(10)의 고정부(200)는 지지 플레이트(30)에 고정된 상태를 유지한 반면에, 핀부(100)는 고정부(200)에 대해 길이 방향 및 폭 방향으로 탄력적으로 변위될 수 있는 상태이다. While the fixing
반도체 패키지(20) 또는 지지 플레이트(30)가 서로에 대해 근접하게 상대 이동하면, 외부 단자(25)는 제1하부 접촉부(111)와 제1측부 접촉부(115)에 의해 형성되는 공간 내부로 안내된다. 이후 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)의 하부는 제1하부 접촉부(111)의 상면에 접촉되고 외부 단자(25)의 측부는 제1측부 접촉부(115)의 측면에 접촉된다. When the
반도체 패키지(20)이 제1하부 접촉부(111)와 어긋난 위치에서 하강하더라도 제1하부 접촉부(111)와 제1측부 접촉부(115)에 의해 형성되는 공간 내부로 안내되는 것이 가능하다. 어긋난 위치에서 하강하는 외부 단자(25)가 제1측부 접촉부(115)의 가이드부(117)에 접촉하게 되면, 핀부(100)는 어긋난 위치 방향으로 탄력적으로 변위되거나 틸팅될 수 있다. 이를 통해 외부 단자(25)가 제1하부 접촉부(111)와 제1측부 접촉부(115)에 의해 형성되는 공간 내부로 수용되는 것이 가능하게 된다. 제1하부 접촉부(111)와 제1측부 접촉부(115)에 의해 형성되는 공간 내부로 수용된 외부 단자(25)는 제1하부 접촉부(111)의 상면과 접촉하며, 제1하부 접촉부(111)의 하면 지지부(113)는 외부 단자(25)의 접촉 가압력에 의해 틸팅되면서 외부 단자(25)와 접촉하게 된다. 이를 통해 접촉 안정성이 향상된다. Even if the
또한 하부 탄성부(132)는 길이 방향으로 압축되어 상, 하로 인접한 만곡부(137a, 137b)들끼리 서로 접촉하게 된다. 보다 구체적으로는 만곡부(137a, 137b)의 상, 하부에 구비된 평면부(138a, 138b)들이 그 상, 하로 인접한 평면부(138a, 138b)들과 서로 접촉하게 된다. 만곡부(137a, 137b)들끼리 접촉이 되면, 전기 신호는 서로 접촉한 만곡부(137a, 137b)들을 통해 전달되므로 보다 신속한 검사가 가능하게 된다.Additionally, the lower
도 4a는 플레이트 부재(100)를 도시한 도면이고, 도 4b는 도 4a의 A-A’라인을 따른 단면도로서 관통홀(31)에 소켓핀(10)을 삽입한 상태를 도시한 도면이다. 도 5a는 플레이트 부재(1000)를 검사장치에 설치한 상태로서 반도체 패키지(20)가 소켓핀(10)에 접촉하기 전 상태를 도시한 도면이고, 도 5b는 반도체 패키지(20)가 소켓핀(10)에 접촉한 상태를 도시한 도면이다. FIG. 4A is a diagram showing the
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사 소켓은, 반도체 패키지(20)가 삽입될 수 있는 삽입공간이 중앙부에 마련되어 있는 몸체부(미도시)와, 몸체부(미도시)와 결합되며 삽입공간으로 삽입되는 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)를 검사 장치의 단자(45)와 전기적으로 연결시키는 소켓핀(10)이 마련된 플레이트 부재(1000)를 포함하여 구성된다.The test socket according to a preferred embodiment of the present invention includes a body portion (not shown) provided in the center with an insertion space into which the
플레이트 부재(1000)는 관통홀(31)이 구비된 지지 플레이트(30)와, 지지 플레이트(30)가 설치되는 보강 플레이트(50)를 포함한다. 보강 플레이트(50)는 체결보스(57)가 삽입되는 체결구멍(55)이 형성되고 내부에 지지 플레이트(30)가 구비된다. The
소켓핀(10)과 지지 플레이트(30)는 분리형으로 각각 제작되어 소켓핀(10)이 지지 플레이트(30)의 관통홀(31)에 삽입되어 설치된다. 소켓핀(10)의 외측에는 소켓핀(10)을 지지 플레이트(30)에 고정하기 위한 고정부(200)가 구비된다. 관통홀(31)은 사각 단면으로 형성되고 소켓핀(10)은 관통홀(31)에 대응되는 외곽 단면 형상을 가진다. The
관통홀(31)들간의 피치 거리 및 소켓핀(10)들 간의 피치 거리는 100㎛이상 500㎛이하로 형성된다.The pitch distance between the through
보강 플레이트(50)는 지지 플레이트(30)를 지지하는 기능을 수행하며, 서스(SUS) 재질로 형성될 수 있다. 다만 보강 플레이트(50)의 재질은 이에 한정되는 것은 아니고 지지 플레이트(30)와 동일 재질로 형성될 수 있다. The
플레이트 부재(1000)는 검사 장치에 고정되어 설치된다. 플레이트 부재(1000)에 형성된 체결 구멍(55)에 체결보스(57)를 삽입하여 플레이트 부재(100)를 검사장치에 고정 설치한다. 검사 장치에는 회로 기판(40)이 구비되며 소켓핀(10)의 제2접촉부(120)는 회로 기판(40)의 단자에 전기적으로 접속된다. 이후 반도체 패키지(20)를 소켓핀(10) 측으로 상대 이동시켜 반도체 패키지(20)의 외부 단자(25)와 소켓핀(10)의 제1접촉부(110)가 전기적으로 접속된다. The
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 지지 플레이트(30)의 재질이 양극산화막(33)으로 형성된 것을 도시한 도면이다. FIGS. 6A and 6B are diagrams showing that the
도 6a를 참조하면, 지지 플레이트(30)는 양극산화막(33)으로 구성된다. 다시 말해, 지지 플레이트(30)는 모재 금속을 양극산화한 후 모재 금속을 제거하여 형성되는 양극산화막(33)으로 구성될 수 있다. 양극산화막(33)은 모재 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 포어는 모재 금속을 양극산화하여 양극산화막(33)을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 일 실시예로서, 모재 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재 금속을 양극산화하면 모재 금속의 표면에 양극산화알루미늄 재질의 양극산화막(33)이 형성된다. 다만 모재 금속은 이에 한정되는 것은 아니며, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Zn, W, Sb 또는 이들의 합금을 포함한다. 지지 플레이트(30)를 양극산화막(33)으로 구성할 경우에는, 주변 열에 의해 지지 플레이트(30)가 변형되어 전기 전도성 접촉핀(10)의 위치가 틀어지는 것을 방지할 수 있다. 또한, 양극산화막(33)을 에칭하여 지지 플레이트(30)에 홀을 형성할 수 있기 때문에 소켓핀(10)의 외형에 맞춰 정밀한 관통홀(31) 가공이 가능하게 된다.Referring to FIG. 6A, the
도 6b를 참조하면, 지지 플레이트(30)는 복수개의 양극산화막(33)을 적층하여 구성된다. 복수개의 양극산화막(33)들의 사이에는 접합층(35)을 구비하여 서로가 상, 하로 접합된다. 이를 통해 지지 플레이트(30)로서 필요한 두께를 확보할 수 있다. Referring to FIG. 6B, the
한편, 복수개의 양극산화막(33)들 중 적어도 하나는 보강 플레이트(50)로서 구비될 수 있다. 이를 통해 보강 플레이트(50)와 지지 플레이트(30)의 재질 모두를 양극산화막(33)으로 구성함으로써 온도 변화에 따른 열 변형을 최소화할 수 있고, 관통홀(31)의 형성 공정을 보다 간편하게 할 수 있다. Meanwhile, at least one of the plurality of
도 7a은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통홀(31)의 배치를 도시한 도면이고, 도 7b는 도 7a의 관통홀(31)에 소켓핀(10)이 설치된 배치를 도시한 도면이다. FIG. 7A is a diagram showing the arrangement of the through
도 7a를 참조하면, 관통홀(31)은 장변과 단변으로 구성되는 직사각형 형상의 단면 구조를 가진다. 관통홀(31)은 세로 방향으로 장변이 배치되는 제1관통홀(31a)과, 가로 방향으로 장변이 배치되는 제2관통홀(31b)을 포함한다. 제1관통홀(31a)과 제2관통홀(31b)는 서로 교번적으로 배치된다. 제1관통홀(31a)과 제2관통홀(31b)는 가로 방향으로 서로 교번적으로 배치되고 또한 세로 방향으로 서로 교번적으로 배치된다. 제1관통홀(31a)을 기준으로 상, 하, 좌, 우에는 제2관통홀(310b)이 배치되고, 제2관통홀(31b)을 기준으로 상, 하, 좌, 우에는 제1관통홀(31a)이 배치된다. Referring to FIG. 7A, the through
제1관통홀(31a)의 장변은 제2관통홀(31b)의 단변에 대향되고 제1관통홀(31a)의 단변은 제2관통홀(31b)의 장변에 대향된다. The long side of the first through
제1관통홀(31a)만으로 배치하거나 또는 제2관통홀(31b)만으로 배치할 경우에는 물론 어느 한 방향으로는 협피치화할 수 있다. 하지만 다른 어느 한 방향으로 협피치화하는 어렵게 된다. 협피치화는 관통홀(31)들 간의 피치 거리 중에서 큰 것을 기준으로 하여 그 거리가 짧아져야 달성이 되기 때문에, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제1관통홀(31a) 및 제2관통홀(31b)의 배치 구성을 통해 관통홀(31)들 간의 피치 간격을 협피치화 하는 것이 가능하게 된다.When arranged only through the first through
도 8a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통홀의 구조를 도시한 도면이고, 도 8b는 도 8a의 A-A라인의 단면도이다.FIG. 8A is a diagram showing the structure of a through hole according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 8A.
지지 플레이트(30)는 절연 재질로 구성되고, 관통홀(31)의 내벽에는 금속 재질로 구성되는 금속부(37)가 구비된다. 관통홀(31)의 내벽에 금속부(37)를 형성함으로써, 소켓핀(10)이 금속부(37)와 접촉하도록 하여 전류 패스를 형성할 수 있도록 한다. The
금속부(37)는 지지 플레이트(30)와는 별도로 제작되어 관통홀(31)의 내벽에 삽입되어 설치되는 구조로 형성되거나, 관통홀(31)의 내벽에 증착 또는 도금 방법으로 일체로 형성될 수 있다. The
금속부(37)는 소켓핀(31)을 구성하는 금속 중 적어도 어느 하나의 금속과 동일 재질로 형성되거나 소켓핀(31)을 구성하는 금속과는 다른 재질로 형성될 수 있다. 이러한 금속부(37)의 재질은 관통홀(31)의 내마모성 또는 전기 전도성을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. The
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may modify the present invention in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following patent claims. Alternatively, it can be carried out in modification.
10: 소켓핀 30: 지지 플레이트
31: 관통홀 50: 보강 플레이트
55: 체결구멍 57: 체결보스10: socket pin 30: support plate
31: Through hole 50: Reinforcement plate
55: fastening hole 57: fastening boss
Claims (22)
상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하고,
상기 소켓핀과 상기 지지 플레이트는 분리형으로 제작되고, 상기 소켓핀은 상기 제1접촉부, 상기 제2접촉부 및 상기 탄성부가 일체형으로 제작되어 상기 소켓핀이 상기 관통홀에 삽입되어 설치되고,
상기 관통홀은 사각 단면으로 형성되고, 상기 소켓핀은 상기 관통홀에 대응되는 외곽 단면 형상을 가지고,
상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고,
상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비되고,
한 쌍의 상기 고정부들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능하고,
상기 고정부들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀에 삽입하고,
상기 고정부는 상기 관통홀의 내벽면에 밀착되는, 검사 소켓.A socket pin including a first contact part in contact with an external terminal of a semiconductor package, a second contact part in contact with a terminal of a testing device, and an elastic part provided between the first contact part and the second contact part; and
It includes a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted,
The socket pin and the support plate are manufactured separately, and the socket pin is manufactured so that the first contact part, the second contact part, and the elastic part are integrated so that the socket pin is inserted into the through hole and installed,
The through hole is formed with a square cross-section, and the socket pin has an outer cross-sectional shape corresponding to the through hole,
The total length dimension of the socket pin is 200㎛ or more and 1500㎛ or less,
A fixing part is provided on the outside of the socket pin to secure the socket pin to the support plate,
The pair of fixing parts are elastically deformable in the width direction,
Compressing the fixing parts in the width direction so that their width length is smaller than the inner width of the through hole provided in the support plate, then inserting the socket pin into the through hole provided in the support plate,
An inspection socket wherein the fixing part is in close contact with the inner wall of the through hole.
상기 관통홀의 사각 단면을 구성하는 각각의 변은 그 길이 치수가 50㎛ 이상 400㎛ 이하의 길이를 가지는, 검사 소켓.
According to paragraph 1,
Each side constituting the square cross-section of the through hole has a length of 50 ㎛ or more and 400 ㎛ or less.
상기 지지 플레이트의 두께 치수는 100㎛이상 500㎛이하인, 검사 소켓.
According to paragraph 1,
An inspection socket wherein the thickness of the support plate is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less.
상기 고정부는,
상기 지지 플레이트의 하면에 접하는 하부 고정돌기; 및
상기 지지 플레이트의 상면에 접하는 상부 고정돌기를 포함하는, 검사 소켓.
According to paragraph 1,
The fixing part,
a lower fixing protrusion in contact with the lower surface of the support plate; and
An inspection socket comprising an upper fixing protrusion in contact with the upper surface of the support plate.
상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하인, 검사 소켓.
According to paragraph 1,
An inspection socket where the pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less.
상기 제1접촉부는 상기 지지 플레이트의 상면으로부터 돌출되고,
상기 제2접촉부는 상기 지지 플레이트의 하면으로부터 돌출되는, 검사 소켓.
According to paragraph 1,
The first contact portion protrudes from the upper surface of the support plate,
The second contact portion protrudes from the lower surface of the support plate.
상기 지지 플레이트의 상면으로부터 상기 소켓핀이 돌출된 돌출 길이는 50㎛이상 150㎛이하이고,
상기 지지 플레이트의 하면으로부터 상기 소켓핀이 돌출된 돌출 길이는 50㎛이상 150㎛이하인, 검사 소켓.
According to paragraph 1,
The protrusion length of the socket pin protruding from the upper surface of the support plate is 50 ㎛ or more and 150 ㎛ or less,
A test socket wherein the protrusion length of the socket pin protruding from the lower surface of the support plate is 50 ㎛ or more and 150 ㎛ or less.
상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되,
상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고,
상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며,
상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되고,
상기 지지 플레이트는, 질화규소(Si3N4), 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 지르코니아(ZrO2) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비되고,
한 쌍의 상기 고정부들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능하고,
상기 고정부들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀에 삽입하고,
상기 고정부는 상기 관통홀의 내벽면에 밀착되는, 검사 소켓.
socket pin; and
Includes a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted,
The total length dimension of the socket pin is 200㎛ or more and 1500㎛ or less,
The pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less,
The socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers,
The support plate includes at least one of silicon nitride (Si 3 N 4 ), alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and zirconia (ZrO 2 ),
A fixing part is provided on the outside of the socket pin to secure the socket pin to the support plate,
The pair of fixing parts are elastically deformable in the width direction,
Compressing the fixing parts in the width direction so that their width length is smaller than the inner width of the through hole provided in the support plate, then inserting the socket pin into the through hole provided in the support plate,
An inspection socket wherein the fixing part is in close contact with the inner wall of the through hole.
상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되,
상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고,
상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며,
상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되고,
상기 지지 플레이트는, 금속 모재를 양극산화한후 상기 금속 모재를 제거하여 형성된 양극산화막으로 구성되고,
상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비되고,
한 쌍의 상기 고정부들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능하고,
상기 고정부들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀에 삽입하고,
상기 고정부는 상기 관통홀의 내벽면에 밀착되는, 검사 소켓.
socket pin; and
Includes a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted,
The total length dimension of the socket pin is 200㎛ or more and 1500㎛ or less,
The pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less,
The socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers,
The support plate is composed of an anodized film formed by anodizing a metal base material and then removing the metal base material,
A fixing part is provided on the outside of the socket pin to secure the socket pin to the support plate,
The pair of fixing parts are elastically deformable in the width direction,
Compressing the fixing parts in the width direction so that their width length is smaller than the inner width of the through hole provided in the support plate, then inserting the socket pin into the through hole provided in the support plate,
An inspection socket wherein the fixing part is in close contact with the inner wall of the through hole.
상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되,
상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고,
상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며,
상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되고,
상기 지지 플레이트는, 엔지니어링 플라스틱, 섬유 강화 플라스틱 및 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비되고,
한 쌍의 상기 고정부들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능하고,
상기 고정부들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀에 삽입하고,
상기 고정부는 상기 관통홀의 내벽면에 밀착되는, 검사 소켓.
socket pin; and
Includes a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted,
The total length dimension of the socket pin is 200㎛ or more and 1500㎛ or less,
The pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less,
The socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers,
The support plate includes at least one of engineering plastic, fiber reinforced plastic, and epoxy molding compound (EMC),
A fixing part is provided on the outside of the socket pin to secure the socket pin to the support plate,
The pair of fixing parts are elastically deformable in the width direction,
Compressing the fixing parts in the width direction so that their width length is smaller than the inner width of the through hole provided in the support plate, then inserting the socket pin into the through hole provided in the support plate,
An inspection socket wherein the fixing part is in close contact with the inner wall of the through hole.
상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되,
상기 관통홀의 사각 단면을 구성하는 각각의 변은 그 길이 치수가 50㎛ 이상 400㎛ 이하의 길이를 가지고, 상기 관통홀의 높이 치수는 100㎛이상 500㎛이하이고,
상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 상기 관통홀에 대응되는 외곽 단면 형상을 가지고,
상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고,
상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비되고,
한 쌍의 상기 고정부들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능하고,
상기 고정부들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀에 삽입하고,
상기 고정부는 상기 관통홀의 내벽면에 밀착되는, 검사 소켓.
socket pin; and
Includes a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted,
Each side constituting the square cross-section of the through hole has a length of 50 ㎛ or more and 400 ㎛ or less, and the height of the through hole is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less,
The socket pin is made by stacking a plurality of metal layers and has an outer cross-sectional shape corresponding to the through hole,
The total length dimension of the socket pin is 200㎛ or more and 1500㎛ or less,
A fixing part is provided on the outside of the socket pin to secure the socket pin to the support plate,
The pair of fixing parts are elastically deformable in the width direction,
Compressing the fixing parts in the width direction so that their width length is smaller than the inner width of the through hole provided in the support plate, then inserting the socket pin into the through hole provided in the support plate,
An inspection socket wherein the fixing part is in close contact with the inner wall of the through hole.
상기 소켓핀이 삽입되는 관통홀을 구비하는 지지 플레이트;를 포함하되,
상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고,
상기 소켓핀간의 피치거리는 100㎛이상 500㎛이하이며,
상기 관통홀은 적어도 10개 이상 5000개 이하로 형성되고,
상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비되고,
한 쌍의 상기 고정부들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능하고,
상기 고정부들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀에 삽입하고,
상기 고정부는 상기 관통홀의 내벽면에 밀착되는, 검사 소켓.
socket pin; and
Includes a support plate having a through hole into which the socket pin is inserted,
The total length dimension of the socket pin is 200㎛ or more and 1500㎛ or less,
The pitch distance between the socket pins is 100 ㎛ or more and 500 ㎛ or less,
The number of through holes is at least 10 and not more than 5000,
A fixing part is provided on the outside of the socket pin to secure the socket pin to the support plate,
The pair of fixing parts are elastically deformable in the width direction,
Compressing the fixing parts in the width direction so that their width length is smaller than the inner width of the through hole provided in the support plate, then inserting the socket pin into the through hole provided in the support plate,
An inspection socket wherein the fixing part is in close contact with the inner wall of the through hole.
반도체 패키지의 외부 단자와 접촉되는 제1접촉부;
검사장치의 단자와 접촉되는 제2접촉부; 및
상기 제1접촉부와 상기 제2접촉부 사이에 구비되는 탄성부;를 포함하고,
상기 제1접촉부, 상기 제2접촉부 및 상기 탄성부는 일체형으로 제작되고,
상기 소켓핀의 전체 길이 치수는 200㎛이상 1500㎛이하이고,
상기 소켓핀의 전체 폭 치수는 150㎛이상 400㎛이하이고,
상기 소켓핀의 전체 높이 치수는 50㎛이상 200㎛이하이고,
상기 소켓핀은 복수개의 금속층이 적층되어 구비되고,
상기 소켓핀의 외측에는 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 고정하기 위한 고정부가 구비되고,
한 쌍의 상기 고정부들은 그 폭 방향으로 탄성 변형이 가능하고,
상기 고정부들을 폭 방향으로 압축하여 그 폭 길이가 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀의 내부 폭보다 작도록 한 다음, 상기 소켓핀을 상기 지지 플레이트에 구비된 상기 관통홀에 삽입하고,
상기 고정부는 상기 관통홀의 내벽면에 밀착되는, 검사 소켓용 소켓핀.
In the socket pin for the test socket inserted into the through hole of the support plate for the test socket,
a first contact portion in contact with an external terminal of the semiconductor package;
a second contact portion in contact with the terminal of the inspection device; and
It includes an elastic portion provided between the first contact portion and the second contact portion,
The first contact part, the second contact part, and the elastic part are manufactured as one piece,
The total length dimension of the socket pin is 200㎛ or more and 1500㎛ or less,
The total width dimension of the socket pin is 150㎛ or more and 400㎛ or less,
The total height dimension of the socket pin is 50㎛ or more and 200㎛ or less,
The socket pin is provided by stacking a plurality of metal layers,
A fixing part is provided on the outside of the socket pin to secure the socket pin to the support plate,
The pair of fixing parts are elastically deformable in the width direction,
Compressing the fixing parts in the width direction so that their width length is smaller than the inner width of the through hole provided in the support plate, then inserting the socket pin into the through hole provided in the support plate,
The fixing part is a socket pin for an inspection socket that is in close contact with the inner wall of the through hole.
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