KR102581086B1 - Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography - Google Patents
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 막에 관한 것이다. 본 발명은 코어 층과, 코어 층의 상면과 하면에 각각 결합하는 제1 캐핑 층 및 제2 캐핑 층을 포함하는 펠리클 막으로서, 상기 코어 층, 상기 제1 캐핑 층 및 상기 제2 캐핑 층 중 적어도 하나는 복수의 서브 층들로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.The present invention relates to a pellicle membrane for extreme ultraviolet lithography. The present invention relates to a pellicle membrane comprising a core layer and a first capping layer and a second capping layer respectively bonded to the upper and lower surfaces of the core layer, at least one of the core layer, the first capping layer, and the second capping layer. One provides a pellicle membrane for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it consists of a plurality of sub-layers.
Description
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 막에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle membrane for extreme ultraviolet lithography.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 형성된 각종 층에 전사된다. A method called photolithography is used to manufacture semiconductor devices or liquid crystal displays. In photolithography, a mask is used as a patterning plate, and the pattern on the mask is transferred to various layers formed on a wafer or liquid crystal substrate.
이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected due to the dust, which damages the transferred pattern, resulting in a decrease in performance or yield of semiconductor devices or liquid crystal displays.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 사용된다.Therefore, these works are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is used to prevent dust from adhering to the mask surface.
이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In this case, the dust is not attached directly to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film. During lithography, the focus is aligned with the pattern of the mask, so there is an advantage that the dust on the pellicle is not transferred to the pattern because it is out of focus.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.The resolution required for exposure equipment for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and in order to realize that resolution, the wavelength of the light source is becoming shorter and shorter. Specifically, the UV light source ranges from ultraviolet g-ray (436㎚), I-ray (365㎚), KrF excimer laser (248㎚), and ArF excimer laser (193㎚) to extreme ultraviolet (EUV, 13.5㎚). The wavelength is getting shorter.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, the development of new light sources, resists, masks, and pellicles is essential. That is, the conventional organic pellicle film has a problem in that it is difficult to use in a pellicle for extreme ultraviolet rays because its physical properties change due to exposure light sources with high energy and its lifespan is short. Various attempts are being made to solve these problems.
예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.
그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판에는 60% 이상의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. And, in Patent Publication No. 2009-0122114, a pellicle for extreme ultraviolet rays is disclosed, which includes a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, and the base substrate has an opening of 60% or more. .
공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.The pellicle for extreme ultraviolet rays disclosed in Patent Publication No. 2009-0122114 requires a thin silicon single crystal film to transmit extreme ultraviolet rays. Since these silicon single crystal thin films can be easily damaged even by small impacts, a base substrate is used to support them. The reinforcement frame of this base substrate forms a certain pattern, and there is a problem that this pattern is transferred to the substrate during the lithography process. Additionally, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Because extreme ultraviolet rays have a short wavelength, their energy is very high, and because their transmittance is low, a significant amount of energy is absorbed by the pellicle film and base substrate, causing the pellicle film and base substrate to heat up. Therefore, if the pellicle film and the base substrate are made of different materials, there is also a problem that deformation may occur due to differences in thermal expansion due to heat generated during the lithography process.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.A method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate to reinforce the pellicle membrane is also disclosed.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Patent No. 1552940, applied for and registered by the present applicant, discloses a method of forming a graphite thin film on nickel foil and then etching the nickel foil using an aqueous solution containing iron chloride to obtain a graphite thin film.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, Patent Nos. 1303795 and 1940791 applied and registered by the present applicant include forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, and then dissolving the organic substrate in a solvent. A method of obtaining a pellicle membrane by dissolving using is disclosed.
또한, 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하고, 실리콘 기판의 윗면의 질화규소 층 위에 극자외선의 투과율이 높은 코어 층인 단결정 또는 다결정 실리콘 층, 질화규소 층, 캐핑 층을 순차적으로 형성한 후, 실리콘 기판의 아랫면에 형성된 질화규소 층에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하고, 질화규소 층의 중심부를 건식에칭으로 제거하고, 실리콘 기판의 중심부를 습식에칭으로 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 펠리클을 제조하는 방법도 사용되고 있다.In addition, a silicon nitride layer is formed on both sides of the silicon substrate, and a single or polycrystalline silicon layer, a silicon nitride layer, and a capping layer, which are core layers with high transmittance of extreme ultraviolet rays, are sequentially formed on the silicon nitride layer on the top surface of the silicon substrate. A method of manufacturing a pellicle by applying photoresist to the silicon nitride layer formed on the bottom and patterning it, removing the center of the silicon nitride layer by dry etching, and removing the center of the silicon substrate by wet etching to form a window through which extreme ultraviolet rays pass through. is also being used.
또한, 코어 층으로 열전도도가 높고, 극자외선의 흡수율이 낮은 그래핀 층을 사용하는 방법도 연구되고 있다. 종래의 방법에서는 그래핀 층을 전이금속 촉매 층이 형성된 기판에 탄화수소를 포함한 혼합가스를 주입하여 열처리함으로써 탄소를 흡착시킨 후 냉각하는 방법으로 형성하였으며, 이 그래핀 층을 기판에서 분리한 후, 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판에 전사하였다.In addition, a method of using a graphene layer with high thermal conductivity and low absorption of extreme ultraviolet rays as a core layer is also being studied. In the conventional method, the graphene layer was formed by injecting a mixed gas containing hydrocarbons into the substrate on which the transition metal catalyst layer was formed and heat treating it to adsorb carbon and then cooling. After separating the graphene layer from the substrate, silicon nitride was formed. The layer was transferred to a silicon substrate.
한편, 극자외선 리소그라피 광학계는 극자외선 소스 자체 그리고 포토레지스트 재료들로부터 방출되는 여러 가지 입자에 의해 쉽게 오염된다. 이를 방지하기 위해서 수소를 이용하면 극자외선에 의해 수소 라디칼이 형성되고 이 수소 라디칼이 여러 가지 오염을 제거한다. 그러나 이러한 수소 라디칼은 펠리클 막 역시 손상시킬 수 있으므로, 손상을 방지하기 위한 대책이 필요하다.Meanwhile, extreme ultraviolet lithography optical systems are easily contaminated by various particles emitted from the extreme ultraviolet ray source itself and photoresist materials. To prevent this, when hydrogen is used, hydrogen radicals are formed by extreme ultraviolet rays, and these hydrogen radicals remove various contaminants. However, these hydrogen radicals can also damage the pellicle membrane, so measures are needed to prevent damage.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 수소 라디칼에 의한 손상 등으로부터 보호받을 수 있는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is intended to improve the above-mentioned problems and aims to provide a pellicle membrane for extreme ultraviolet lithography that can be protected from damage caused by hydrogen radicals.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 코어 층과, 코어 층의 상면과 하면에 각각 결합하는 제1 캐핑 층 및 제2 캐핑 층을 포함하는 펠리클 막으로서, 상기 코어 층, 상기 제1 캐핑 층 및 상기 제2 캐핑 층 중 적어도 하나는 복수의 서브 층들로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.In order to achieve the above-described object, the present invention is a pellicle film comprising a core layer, a first capping layer and a second capping layer respectively bonded to the upper and lower surfaces of the core layer, wherein the core layer and the first capping layer and at least one of the second capping layers is comprised of a plurality of sub-layers.
또한, 상기 제1 캐핑 층과 상기 제2 캐핑 층 중 적어도 하나는 다결정 물질로 이루어진 적어도 하나의 서브 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.In addition, the pellicle film for extreme ultraviolet lithography is provided, wherein at least one of the first capping layer and the second capping layer includes at least one sub-layer made of a polycrystalline material.
또한, 상기 제1 캐핑 층과 상기 제2 캐핑 층 중 적어도 하나는 다결정 물질로 이루어진 복수의 서브 층들을 포함이며, 다결정 물질로 이루어진 서브 층들은 최외곽 층으로 갈수록 결정 입도(grain size)가 작아지는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다. In addition, at least one of the first capping layer and the second capping layer includes a plurality of sub-layers made of a polycrystalline material, and the sub-layers made of a polycrystalline material have a grain size that decreases toward the outermost layer. Provided is a pellicle membrane for extreme ultraviolet lithography, characterized in that:
또한, 상기 다결정 물질로 이루어진 적어도 하나의 서브 층의 입자 경계(grain boundaries)들에는 회복 층(healing layer)이 형성된 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.In addition, a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is provided, wherein a healing layer is formed on grain boundaries of at least one sub-layer made of the polycrystalline material.
또한, 상기 회복 층은 SiC 또는 SiO2 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.In addition, the recovery layer provides a pellicle film for extreme ultraviolet lithography, wherein the recovery layer is a SiC or SiO 2 layer.
또한, 상기 코어 층은 단결정 층 또는 비정질 층으로 이루어지며, 상기 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층은 복수의 다결정 서브 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.In addition, the core layer is made of a single crystal layer or an amorphous layer, and the first capping layer and the second capping layer are made of a plurality of polycrystalline sub-layers.
또한, 상기 코어 층은 Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Mo, Si, B, P, C, S, N의 단일 원소 또는 화합물, 그래핀, 탄소나노튜브(CNT), 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.In addition, the core layer is composed of single elements of Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Mo, Si, B, P, C, S, N Or, it provides a pellicle membrane for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it contains at least one material selected from compounds, graphene, carbon nanotubes (CNT), graphite, graphene nanoplates, and carbon nanosheets.
또한, 상기 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층은 Mo, Ru, Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 또는 이를 포함하는 화합물 또는 이들의 산화물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막을 제공한다.In addition, the first capping layer and the second capping layer are Mo, Ru, Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B It provides a pellicle membrane for extreme ultraviolet lithography, characterized in that it contains at least one material selected from , P, C, S, N, compounds containing these, or oxides thereof.
본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 막은 코어 층, 제1 캐핑 층 및 제2 캐핑 층 중 적어도 하나가 복수의 서브 층들로 이루어지고, 서브 층들 사이의 계면은 수소 라디칼 등의 침투를 방지하는 투과 차단막(permeation barrier)으로서의 역할을 수행할 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클 막은 수소 라디칼에 의한 손상이 최소화된다는 장점이 있다. The pellicle film for extreme ultraviolet lithography according to the present invention includes at least one of a core layer, a first capping layer, and a second capping layer composed of a plurality of sub-layers, and the interface between the sub-layers is a transmission barrier film that prevents penetration of hydrogen radicals, etc. It can play a role as a permeation barrier. Therefore, the pellicle film for extreme ultraviolet lithography according to the present invention has the advantage of minimizing damage by hydrogen radicals.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1과 2에 도시된 펠리클 막의 단면도이다.
도 4와 5는 펠리클 막의 다른 예들의 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 캐핑 층의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 캐핑 층의 단면도이다.
도 8은 펠리클 막의 또 다른 예의 단면도이다.Figure 1 is a perspective view showing a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing the pellicle film for extreme ultraviolet lithography shown in FIG. 1 attached to the pellicle frame.
Figure 3 is a cross-sectional view of the pellicle membrane shown in Figures 1 and 2.
4 and 5 are cross-sectional views of other examples of pellicle membranes.
FIG. 6 is a plan view showing a portion of the capping layer shown in FIG. 1.
Figure 7 is a cross-sectional view of the capping layer shown in Figure 6.
Figure 8 is a cross-sectional view of another example of a pellicle membrane.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The examples introduced below are provided as examples so that the idea of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1과 2에 도시된 펠리클 막의 단면도이며, 도 4와 5는 펠리클 막의 다른 예들의 단면도들이다.Figure 1 is a perspective view showing a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography is attached to a pellicle frame according to an embodiment of the present invention, and Figure 2 shows a state in which the pellicle film for extreme ultraviolet lithography shown in Figure 1 is attached to a pellicle frame. It is a cross-sectional view, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the pellicle membrane shown in FIGS. 1 and 2, and FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views of other examples of the pellicle membrane.
도 1과 2에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임(1)은 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(10)을 지지하는 중공의 사각 통 형상이다. 도시하지 않았으나, 펠리클 프레임(1)의 장변에는 레티클에 부착된 스터드와 결합하는 픽스처가 결합하는 날개부가 형성될 수도 있다. 또한, 펠리클 프레임(1)에는 펠리클 내부와 외부의 압력 차이를 줄이기 위한 통기구가 형성될 수도 있다.As shown in Figures 1 and 2, the
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(10)은 코어 층(12)과, 코어 층(12)의 양면에 각각 결합하는 제1 캐핑 층(11)과 제2 캐핑 층(13)을 포함한다.As shown in FIG. 3, in this embodiment, the
코어 층(12), 제1 캐핑 층(11) 및 제2 캐핑 층(13) 중 적어도 하나는 복수의 서브 층들을 포함한다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 코어 층(12), 제1 캐핑 층(11) 및 제2 캐핑 층(13) 모두가 복수의 서브 층들(11a~11f, 12a~12f, 13a~13f)을 포함할 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 캐핑 층(11)과 제2 캐핑 층(13)만 복수의 서브 층들을 포함할 수 있으며, 도 5에 도시된 바와 같이, 코어 층(12)만 복수의 서브 층들을 포함할 수도 있다.At least one of the
제1 캐핑 층(11, 211)과 제2 캐핑 층(13, 213)은 단결정, 다결정 또는 비정질 층일 수 있다.The first capping layers 11 and 211 and the second capping layers 13 and 213 may be single crystalline, polycrystalline or amorphous layers.
코어 층(12, 112)은 단결정이나 비정질 층인 것이 바람직하다. The core layers 12 and 112 are preferably single crystal or amorphous layers.
도 3에 도시된 바와 같이, 서브 층들(11a~11f, 12a~12f, 13a~13f) 사이의 계면은 수소 라디칼 등의 침투를 방지하는 투과 차단막(permeation barrier)으로서의 역할을 수행할 수 있다. 서브 층들(11a~11f, 12a~12f, 13a~13f) 사이의 계면은 2개 이상인 것이 바람직하다. 즉, 3개 이상의 서브 층들(11a~11f, 12a~12f, 13a~13f)을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 제1 캐핑 층(11)과 제2 캐핑 층(13)은 3개 이상의 서브 층들(11a~11f, 13a~13f)을 포함하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3, the interface between the sub-layers 11a to 11f, 12a to 12f, and 13a to 13f may serve as a permeation barrier to prevent penetration of hydrogen radicals, etc. It is preferable that there are two or more interfaces between the sub-layers 11a to 11f, 12a to 12f, and 13a to 13f. That is, it is preferable to include three or more sub-layers (11a to 11f, 12a to 12f, and 13a to 13f). In particular, the
코어 층(12) 또는 코어 층(12)을 구성하는 서브 층들(12a~12f)은 Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Mo, Si, B, P, C, S, N의 단일 원소 또는 화합물, 그래핀, 탄소나노튜브(CNT), 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The
코어 층(12) 또는 코어 층(12)을 구성하는 서브 층들(12a~12f) 각각은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정이나, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정을 통해서 증착하는 방법 등으로 형성할 수 있다.The
그리고 캐핑 층(11, 13) 또는 캐핑 층(11, 13)을 구성하는 서브 층들(11a~11f, 13a~13f)은 Mo, Ru, Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 또는 이를 포함하는 화합물 또는 이들의 산화물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.And the capping layer (11, 13) or the sub-layers (11a ~ 11f, 13a ~ 13f) constituting the capping layer (11, 13) are Mo, Ru, Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca , Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N or a compound containing them or an oxide thereof may be included.
캐핑 층(11, 13) 또는 캐핑 층(11, 13)을 구성하는 서브 층들(11a~11f, 13a~13f) 각각은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정이나, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정을 통해서 증착하는 방법 등으로 형성할 수 있다.Each of the capping layers 11 and 13 or the sub-layers 11a to 11f and 13a to 13f constituting the capping layers 11 and 13 is subjected to a CVD or PVD process, for example, a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, or an atomic vapor deposition (LPCVD) process. It can be formed by deposition through a layer deposition (Atomic layer doposition, ALD) process.
도 6은 도 5에 도시된 캐핑 층의 일부를 나타낸 평면도이며, 도 7은 도 6에 도시된 캐핑 층의 단면도이다. FIG. 6 is a plan view showing a portion of the capping layer shown in FIG. 5, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the capping layer shown in FIG. 6.
도 6과 7에 도시된 바와 같이, 캐핑 층(211) 또는 캐핑 층(211)의 서브 층으로 다결정 층을 사용하는 경우에는 다결정 층의 입자 경계(grain boundaries)들의 적어도 일부를 덮는 회복 층(215, healing layer)을 형성할 수 있다. 회복 층(215)은 입자 경계를 통해서 수소 라디칼이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다.As shown in FIGS. 6 and 7, when a polycrystalline layer is used as the
회복 층(215)으로는 예를 들어, SiC나 SiO2를 사용할 수 있다. 회복 층(215)은 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 다결정 층에 회복 층(215)을 증착하면, 다결정 층의 입자 경계 부위가 회복 층(215)을 구성하는 물질의 핵 생성 영역이 된다. 회복 층(215)은 먼저 입자 경계 부위에서 3차원으로 성장한다. 계속 증착하면 회복 층(215)이 입자 경계 부위를 넘어서 다결정 층 전체를 덮을 때까지 성장하게 되므로, 입자 경계 부위를 덮으면 증착을 중단하는 것이 바람직하다.For example, SiC or SiO 2 may be used as the
제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층으로 복수의 다결정 서브 층들을 사용하는 경우에는 각각의 다결정 서브 층에 회복 층을 모두 형성할 수도 있으며, 일부 다결정 서브 층에만 회복 층을 형성할 수도 있다.When using a plurality of polycrystalline sub-layers as the first capping layer and the second capping layer, the recovery layer may be formed on each polycrystalline sub-layer, or the recovery layer may be formed only on some of the polycrystalline sub-layers.
도 8은 펠리클 막의 또 다른 예의 단면도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 캐핑 층(311, 313)의 서브 층들(311a~311c, 313a~313c) 이 복수의 다결정 층들을 포함하는 경우에는 최외곽 층으로 진행할수록 결정 입도(grain size)가 작아지는 것이 바람직하다.Figure 8 is a cross-sectional view of another example of a pellicle membrane. As shown in FIG. 8, when the sub-layers 311a to 311c and 313a to 313c of the capping layers 311 and 313 include a plurality of polycrystalline layers, the grain size increases as it progresses to the outermost layer. It is desirable to be smaller.
즉, 제1 캐핑 층(311)의 서브 층들(311a~311c)은 도면상 위로 갈수록 결정 입도가 작아지고, 제2 캐핑 층(313)의 서브 층들(313a~313c)은 도면상 아래로 갈수록 결정 입도가 작아지는 것이 바람직하다. 결정 입도가 작아지면, 수소 라디칼의 침투 경로가 길어지기 때문에 수소 라디칼의 침투를 최소화할 수 있다. 그러나 결정 입도가 작아지면 극자외선 투과율이 낮아질 수 있으므로, 코어 층(312)에 가까워질수록 결정 입도가 커지는 것이 바람직하다.That is, the crystal grain size of the sub-layers 311a to 311c of the
코어 층(312) 및 그 서브 층은 다결정 층이 아닌 단결정이나 비정질 층인 것이 바람직하다. 다결정 층은 극자외선의 투과율이 낮기 때문이다.The
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been shown and described, but the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and may be commonly used in the technical field to which the invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Of course, various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be understood individually from the technical idea or perspective of the present invention.
1: 펠리클 프레임
10, 110, 210, 310: 펠리클 막
11, 211, 311: 제1 캐핑 층
12, 112, 312: 코어 층
13, 213, 313: 제2 캐핑 층
215: 회복 층 1: Pellicle frame
10, 110, 210, 310: pellicle membrane
11, 211, 311: first capping layer
12, 112, 312: core layer
13, 213, 313: second capping layer
215: recovery floor
Claims (8)
상기 코어 층은 단결정 층 또는 비정질 층으로 이루어지고,
상기 제1 캐핑 층과 상기 제2 캐핑 층은 다결정 층으로 이루어지며,
상기 제1 캐핑 층과 상기 제2 캐핑 층 중 적어도 하나는 최외곽 층으로 갈수록 결정 입도(grain size)가 작아지는 다결정 서브 층들로 이루어진 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막.A pellicle film comprising a core layer and a first capping layer and a second capping layer respectively bonded to the upper and lower surfaces of the core layer,
The core layer is made of a single crystal layer or an amorphous layer,
The first capping layer and the second capping layer are made of a polycrystalline layer,
A pellicle film for extreme ultraviolet lithography, characterized in that at least one of the first capping layer and the second capping layer is made of polycrystalline sub-layers whose crystal grain size becomes smaller toward the outermost layer.
상기 다결정 서브 층들 중 적어도 하나의 층의 입자 경계(grain boundaries)들에는 회복 층(healing layer)이 형성된 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막.According to paragraph 1,
A pellicle film for extreme ultraviolet lithography, wherein a healing layer is formed on grain boundaries of at least one of the polycrystalline sub-layers.
상기 회복 층은 SiC 또는 SiO2 층인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막.According to paragraph 4,
A pellicle film for extreme ultraviolet lithography, wherein the recovery layer is a SiC or SiO 2 layer.
상기 코어 층은 Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Mo, Si, B, P, C, S, N의 단일 원소 또는 화합물, 그래핀, 탄소나노튜브(CNT), 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막.According to paragraph 1,
The core layer is a single element or compound of Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Mo, Si, B, P, C, S, N A pellicle film for extreme ultraviolet lithography, comprising at least one material selected from graphene, carbon nanotubes (CNT), graphite, graphene nanoplates, and carbon nanosheets.
상기 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층은 Mo, Ru, Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 또는 이를 포함하는 화합물 또는 이들의 산화물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 막.
According to paragraph 1,
The first capping layer and the second capping layer are Mo, Ru, Zr, La, Y, Nb, Ce, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P , C, S, N or a compound containing them or an oxide thereof.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |