KR102514745B1 - Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same - Google Patents
Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102514745B1 KR102514745B1 KR1020200129372A KR20200129372A KR102514745B1 KR 102514745 B1 KR102514745 B1 KR 102514745B1 KR 1020200129372 A KR1020200129372 A KR 1020200129372A KR 20200129372 A KR20200129372 A KR 20200129372A KR 102514745 B1 KR102514745 B1 KR 102514745B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- pellicle
- extreme ultraviolet
- amine group
- capping
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 35
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 30
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920002518 Polyallylamine hydrochloride Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 6
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 claims description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Abstract
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 a) 기판의 일면에 제1 캐핑(capping) 층을 형성하는 단계와, b) 상기 제1 캐핑 층 위에 아민기를 포함하는 결합 층을 형성하는 단계와, c) 상기 아민기를 포함하는 결합 층 위에 코어 층을 형성하는 단계와, d) 상기 코어 층 위에 제2 캐핑 층을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클은 코어 층과 캐핑 층 사이에는 아민기를 포함하는 결합 층이 형성되어, 캐핑 층과 코어 층 사이의 결합력이 향상된다.The present invention relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography and a manufacturing method thereof. The present invention includes the steps of a) forming a first capping layer on one surface of a substrate, b) forming a bonding layer including an amine group on the first capping layer, and c) bonding a bonding layer including the amine group. A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography is provided, which includes forming a core layer on the core layer and d) forming a second capping layer on the core layer. In the pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention, a bonding layer containing an amine group is formed between the core layer and the capping layer, thereby improving bonding strength between the capping layer and the core layer.
Description
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 캐핑 층과 코어 층 사이에 아민기를 포함하는 결합 층이 형성된 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a pellicle for extreme ultraviolet lithography in which a bonding layer containing an amine group is formed between a capping layer and a core layer, and a manufacturing method thereof.
[과제고유번호] D202023[Assignment identification number] D202023
[부처명] 경기도[Name of department] Gyeonggi-do
[연구관리전문기관] (재)경기도경제과학진흥원[Research management institution] Gyeonggi-do Economics & Science Promotion Agency
[연구사업명] 기업주도 일반[Research project name] Enterprise-led general
[연구과제명] 300W 급 이상의 극자외선 노광기에 사용가능한 ALD 증착기술 기반 극자외선 펠리클용 보호층이 적용된 극자외선 펠리클 개발[Research Project Title] Development of an extreme ultraviolet pellicle with a protective layer for an extreme ultraviolet pellicle based on ALD deposition technology that can be used for an extreme ultraviolet exposure machine of 300W or higher
[주관연구기관] ㈜ 에프에스티[Host Research Institution] FST Co., Ltd.
[연구기간] 2020. 1. 1. ~ 2020.12.31.[Research Period] 2020. 1. 1. ~ 2020.12.31.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에서 반도체 웨이퍼 또는 액정용 기판에 패터닝을 하는 경우에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 전사된다. 이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다는 문제가 발생한다. 따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 행해지고 있다. 이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In the case of patterning a semiconductor wafer or a substrate for liquid crystal in the manufacture of a semiconductor device or a liquid crystal display panel, a method called photolithography is used. In photolithography, a mask is used as a patterning plate, and the pattern on the mask is transferred to a wafer or liquid crystal substrate. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected by the dust, so the transferred pattern is damaged, resulting in a decrease in performance or yield of a semiconductor device or liquid crystal display panel. Therefore, these operations are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is being performed to prevent dust from adhering to the mask surface. In this case, the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film, and since the focus is aligned on the pattern of the mask during lithography, the dust on the pellicle is out of focus and does not transfer to the pattern.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436), I선(365), KrF 엑시머 레이저(248), ArF 엑시머 레이저(193)에서 극자외선(EUV, extreme UltraViolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다. 이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.The required resolution of an exposure apparatus for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and the wavelength of a light source is getting shorter and shorter in order to realize the resolution. Specifically, the UV light source is an ultraviolet light g-ray 436, an I-ray 365, a KrF excimer laser 248, and an ArF excimer laser 193 to extreme ultraviolet (EUV, extreme UltraViolet, 13.5 nm) with gradually shorter wavelengths. are losing In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, it is indispensable to develop new light sources, resists, masks, and pellicles. That is, since the physical properties of the conventional organic pellicle film are changed by an exposure light source having high energy and have a short lifespan, it is difficult to use the pellicle for extreme ultraviolet rays. Various attempts are being made to solve this problem.
예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.
그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판은 60% 이상의 개구부를 형성하는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. And Patent Publication No. 2009-0122114 discloses a pellicle for extreme ultraviolet rays comprising a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, and the base substrate forms an opening of 60% or more. .
공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.The pellicle for extreme ultraviolet rays disclosed in Patent Publication No. 2009-0122114 needs to form a silicon single crystal film as a thin film in order to transmit extreme ultraviolet rays. Since this silicon single crystal thin film can be easily damaged even by a small impact, a base substrate is used to support it. There is a problem that the reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and the pattern is transferred to the substrate in a lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Since extreme ultraviolet rays have a short wavelength, the energy is very high, and since transmittance is low, a considerable amount of energy is absorbed by the pellicle film and the base substrate, so that the pellicle film and the base substrate may be heated. Therefore, when the materials of the pellicle film and the base substrate are different from each other, there is also a problem that deformation may occur due to a difference in thermal expansion due to heat generated in the lithography process.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.A method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate for reinforcing the pellicle film is also disclosed.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Patent Registration No. 1552940 filed and registered by the present applicant discloses a method of obtaining a graphite thin film by forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil using an iron chloride-containing aqueous solution.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, in Registered Patent Nos. 1303795 and 1940791 filed and registered by the present applicant, after forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, the organic substrate is removed as a solvent. A method of obtaining a pellicle membrane by dissolving using a is disclosed.
또한, 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하고, 실리콘 기판의 윗면의 질화규소 층 위에 극자외선의 투과율이 높은 코어 층인 단결정 또는 다결정 실리콘 층, 질화규소 층, 캐핑 층을 순차적으로 형성한 후, 실리콘 기판의 아랫면에 형성된 질화규소 층에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하고, 질화규소 층의 중심부를 건식에칭으로 제거하고, 실리콘 기판의 중심부를 습식에칭으로 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 펠리클을 제조하는 방법도 사용되고 있다.In addition, after forming a silicon nitride layer on both sides of the silicon substrate, and sequentially forming a single crystal or polycrystalline silicon layer, which is a core layer having high extreme ultraviolet transmittance, a silicon nitride layer, and a capping layer on the silicon nitride layer on the upper surface of the silicon substrate, A method of manufacturing a pellicle by applying photoresist to the silicon nitride layer formed on the lower surface, then patterning, removing the center of the silicon nitride layer by dry etching, and removing the center of the silicon substrate by wet etching to form a window through which extreme ultraviolet rays are transmitted. is also being used.
또한, 코어 층으로 열전도도가 높고, 극자외선의 흡수율이 낮은 그래핀 층을 사용하는 방법도 연구되고 있다. 종래의 방법에서는 그래핀 층을 전이금속 촉매 층이 형성된 기판에 탄화수소를 포함한 혼합가스를 주입하여 열처리함으로써 탄소를 흡착시킨 후 냉각하는 방법으로 형성하였으며, 이 그래핀 층을 기판에서 분리한 후, 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판에 전사하였다.In addition, a method of using a graphene layer having high thermal conductivity and low absorption of extreme ultraviolet rays as a core layer is also being studied. In a conventional method, a graphene layer is formed by injecting a mixed gas containing hydrocarbon into a substrate on which a transition metal catalyst layer is formed and performing heat treatment to adsorb carbon and then cooling the graphene layer. After separating the graphene layer from the substrate, silicon nitride The layer was transferred to a silicon substrate.
그런데 이러한 방법으로 전사된 그래핀 층은 질화규소 층으로부터 쉽게 박리된다는 문제점이 있었다. 또한, 극자외선의 반사 등과 같이, 그래핀 층에 잔존하는 금속 촉매에 의한 펠리클 특성에 대한 악영향도 있을 수 있다는 문제점도 있었다.However, there is a problem in that the graphene layer transferred in this way is easily peeled off from the silicon nitride layer. In addition, there was also a problem that there may be adverse effects on the pellicle characteristics due to the metal catalyst remaining in the graphene layer, such as reflection of extreme ultraviolet rays.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 그래핀, 탄소나노튜브 등 탄소 층으로 이루어진 코어 층과 캐핑 층 사이의 결합력을 향상시킬 수 있는 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to improve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a pellicle for extreme ultraviolet lithography capable of improving the bonding force between a core layer made of carbon layers such as graphene and carbon nanotubes and a capping layer, and a method for manufacturing the same. to be
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 기판의 일면에 제1 캐핑(capping) 층을 형성하는 단계와, b) 상기 제1 캐핑 층 위에 아민기를 포함하는 결합 층을 형성하는 단계와, c) 상기 아민기를 포함하는 결합 층 위에 코어 층을 형성하는 단계와, d) 상기 코어 층 위에 제2 캐핑 층을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of a) forming a first capping layer on one surface of a substrate, b) forming a bonding layer containing an amine group on the first capping layer, c) forming a core layer on the bonding layer including the amine group; and d) forming a second capping layer on the core layer.
또한, 상기 코어 층은 그래핀 층, 탄소나노튜브 층 및 그래핀 나노플레이트 층 중에서 선택된 탄소 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the core layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a carbon layer selected from a graphene layer, a carbon nanotube layer, and a graphene nanoplate layer.
또한, 상기 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층은 SiC, SixNy(x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5), MoSi2, ZrSi2, YSi2, NbSi2, TiSi2, B4C, Mo2C, NbC, ZrC, TiC, Mo2B, Mo2B5, NbB2 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the first capping layer and the second capping layer are SiC, Si x N y (x and y are integers, x/y = 0.7 to 1.5), MoSi 2 , ZrSi 2 , YSi 2 , NbSi 2 , TiSi 2 , B 4 C, Mo 2 C, NbC, ZrC, TiC, Mo 2 B, Mo 2 B 5 , NbB 2 Provides a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing at least one material selected from among.
또한, 상기 아민기를 포함하는 결합 층은 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(polyallylamine hydrochloride), 또는 폴리아닐린(polyaniline)을 포함하는 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the bonding layer containing the amine group is a layer containing polyethylenimine, polyallylamine hydrochloride, or polyaniline, and provides a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
또한, 상기 아민기를 포함하는 결합 층은 딥 코팅 방법, 스핀 코팅 방법 또는 스프레이 코팅 방법으로 형성하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography in which the bonding layer including the amine group is formed by a dip coating method, a spin coating method, or a spray coating method is provided.
또한, 본 발명은 기판의 일면에 형성된 제1 캐핑과; 상기 제1 캐핑 층 위에 형성된 아민기를 포함하는 결합 층과; 상기 아민기를 포함하는 결합 층 위에 형성된 코어 층과; 상기 코어 층 위에 형성된 제2 캐핑 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클을 제공한다.In addition, the present invention is a first capping formed on one surface of the substrate; a bonding layer including an amine group formed on the first capping layer; a core layer formed on the bonding layer including the amine group; A pellicle for extreme ultraviolet lithography including a second capping layer formed on the core layer is provided.
또한, 상기 코어 층은 그래핀 층, 탄소나노튜브 층 및 그래핀 나노플레이트 층 중에서 선택된 탄소 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클을 제공한다.In addition, the core layer provides a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a carbon layer selected from a graphene layer, a carbon nanotube layer, and a graphene nanoplate layer.
또한, 상기 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층은 SiC, SixNy(x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5), MoSi2, ZrSi2, YSi2, NbSi2, TiSi2, B4C, Mo2C, NbC, ZrC, TiC, Mo2B, Mo2B5, NbB2 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클을 제공한다.In addition, the first capping layer and the second capping layer are SiC, Si x N y (x and y are integers, x/y = 0.7 to 1.5), MoSi 2 , ZrSi 2 , YSi 2 , NbSi 2 , TiSi 2 , B 4 C, Mo 2 C, NbC, ZrC, TiC, Mo 2 B, Mo 2 B 5 , NbB 2 It provides a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing at least one material selected from among.
또한, 상기 아민기를 포함하는 결합 층은 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(polyallylamine hydrochloride), 또는 폴리아닐린(polyaniline)을 포함하는 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클을 제공한다.In addition, the bonding layer including the amine group is a layer including polyethylenimine, polyallylamine hydrochloride, or polyaniline, and provides a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클은 코어 층과 캐핑 층 사이에 아민기를 포함하는 결합 층이 형성되어, 캐핑 층과 코어 층 사이의 결합력이 향상된다.In the pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention, a bonding layer containing an amine group is formed between the core layer and the capping layer, thereby improving bonding strength between the capping layer and the core layer.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 2a 내지 2e는 도 1에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
2A to 2E are diagrams for explaining each step of the embodiment shown in FIG. 1 .
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.The embodiments introduced below are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numbers indicate like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법은 기판의 일면에 제1 캐핑 층을 형성하는 단계(S1)와, 제1 캐핑 층 위에 아민기를 포함하는 결합 층을 형성하는 단계(S2)와, 아민기를 포함하는 결합 층 위에 코어 층을 형성하는 단계(S3)와, 코어 층 위에 제2 캐핑 층을 형성하는 단계(S4)와, 윈도우를 형성하는 단계(S5)를 포함한다.As shown in FIG. 1, a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention includes forming a first capping layer on one surface of a substrate (S1), and including an amine group on the first capping layer Forming a bonding layer (S2), forming a core layer on the bonding layer containing an amine group (S3), forming a second capping layer on the core layer (S4), and forming a window Step S5 is included.
이하, 도 2a 내지 2e를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.Hereinafter, each step will be described with reference to FIGS. 2A to 2E.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 상면에 제1 캐핑 층(2)을 형성한다(S1). 기판(1)으로는 실리콘 기판을 사용할 수 있다. 제1 캐핑 층(2)은 SiC, SixNy(x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5), MoSi2, ZrSi2, YSi2, NbSi2, TiSi2, B4C, Mo2C, NbC, ZrC, TiC, Mo2B, Mo2B5, NbB2 중에서 선택된 적어도 하나의 층으로 구성될 수 있다. 제1 캐핑 층(2)은 단일 층으로 구성될 수도 있으며, 순차적으로 적층되는 복수의 서브 층으로 구성될 수도 있다.First, as shown in FIG. 2A , a
제1 캐핑 층(2)은 습식 에칭 액과 수소 라디칼로부터 코어 층(5)을 보호하는 역할을 한다. 제1 캐핑 층(2)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다.The
또한, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 하면에는 마스크 층(3)을 형성할 수 있다. 기판(1)의 하면에 형성된 마스크 층(3)은 기판(1)의 중심부를 습식 에칭할 때 마스크로 작용하며, 기판(1)과 함께 펠리클 프레임을 형성할 수 있다. 마스크 층(3)은, 예를 들어, 질화규소 층일 수 있다.In addition, as shown in FIG. 2A , a
다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제1 캐핑 층(2) 위에 아민기를 포함하는 결합 층(4)을 형성한다(S2).Next, as shown in FIG. 2B, a bonding layer 4 including an amine group is formed on the first capping layer 2 (S2).
아민기를 포함하는 결합 층(4)은 제1 캐핑 층(2)과 코어 층(5) 사이의 결합력을 향상시키는 역할을 한다. 아민기를 포함하는 결합 층(4)은 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(polyallylamine hydrochloride), 또는 폴리아닐린(polyaniline)을 포함할 수 있다.The bonding layer 4 containing an amine group serves to improve bonding strength between the
아민기를 포함하는 결합 층(4)은 딥 코팅 방법, 스핀 코팅 방법 또는 스프레이 코팅 방법 등으로 도포할 수 있다. 코팅에 사용되는 아민 수용액은 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(polyallylamine hydrochloride), 또는 폴리아닐린(polyaniline) 등을 순수에 용해하는 방법으로 제조할 수 있다.The bonding layer 4 containing an amine group may be applied by a dip coating method, a spin coating method, or a spray coating method. The aqueous amine solution used for coating can be prepared by dissolving polyethylenimine, polyallylamine hydrochloride, or polyaniline in pure water.
아민기를 포함하는 결합 층(4)은 제1 캐핑 층(2)의 전면에 형성될 수도 있으며, 부분적으로 형성될 수도 있다.The bonding layer 4 containing an amine group may be formed on the entire surface of the
다음, 도 2c에 도시된 바와 같이, 아민기를 포함하는 결합 층(4) 위에 코어 층(5)을 형성한다(S3).Next, as shown in FIG. 2C, a core layer 5 is formed on the bonding layer 4 including an amine group (S3).
코어 층(5)은 탄소 층일 수 있다. 예를 들어, 그래핀 층, 탄소나노튜브 층 또는 그래핀 나노플레이트 층일 수 있다.The core layer 5 may be a carbon layer. For example, it may be a graphene layer, a carbon nanotube layer, or a graphene nanoplate layer.
코어 층(5)은 스프레이 코팅, 딥 코팅, 스핀 코팅, 롤 코팅, 다른 기판에 형성된 코어 층(5)을 전사하는 방법 등의 방법으로 형성할 수 있다. The core layer 5 may be formed by a method such as spray coating, dip coating, spin coating, roll coating, or transferring the core layer 5 formed on another substrate.
다음, 도 2d에 도시된 바와 같이, 코어 층(5) 위에 제2 캐핑 층(6)을 형성한다(S4).Next, as shown in FIG. 2D , a
제2 캐핑 층(6)은 고출력의 극자외선으로부터 코어 층(5)을 보호하는 역할을 한다. 제2 캐핑 층(6)은 극자외선 광에 의해서 발생하는 수소 라디칼에 안정적이며, 산화로부터 코어 층(5)을 보호해야 한다.The
제2 캐핑 층(6)은 제1 캐핑 층(2)과 마찬가지로 SiC, SixNy(x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5), MoSi2, ZrSi2, YSi2, NbSi2, TiSi2, B4C, Mo2C, NbC, ZrC, TiC, Mo2B, Mo2B5, NbB2 중에서 선택된 적어도 하나의 층으로 구성될 수 있다. 제2 캐핑 층(6)은 단일 층으로 구성될 수도 있으며, 순차적으로 적층되는 복수의 서브 층으로 구성될 수도 있다.Like the
제2 캐핑 층(6)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다.The
다음, 도 2e에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 다른 일면에 형성된 마스크 층(3)과 기판(1)을 에칭하여 윈도우를 형성한다(S5). Next, as shown in FIG. 2E, a window is formed by etching the substrate 1 and the
기판(1)의 하면에 형성된 마스크 층(3) 위에 포토레지스트 층을 도포하고, 패터닝을 한 후 건식 에칭으로 마스크 층(3)의 중심 부분을 제거하고, 습식 에칭을 통해서 기판(1)의 중심 부분을 제거하여, 극자외선이 투과될 수 있는 윈도우를 형성하면, 극자외용 펠리클을 얻을 수 있다.A photoresist layer is applied on the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
1: 기판
2: 제1 캐핑 층
3: 마스크 층
4: 아민기를 포함하는 결합 층
5: 코어 층
6: 제2 캐핑 층1: substrate
2: first capping layer
3: mask layer
4: bonding layer containing amine groups
5: core layer
6: second capping layer
Claims (9)
b) 상기 제1 캐핑 층 위에 아민기를 가지며, 카테콜(catechol) 계열의 작용기를 갖지 않는, 아민기를 포함하는 결합 층을 형성하는 단계와,
c) 상기 아민기를 포함하는 결합 층 위에 코어 층을 형성하는 단계와,
d) 상기 코어 층 위에 제2 캐핑 층을 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.a) forming a first capping layer on one surface of the substrate;
b) forming a bonding layer containing an amine group on the first capping layer, having an amine group and not having a catechol-based functional group;
c) forming a core layer on the bonding layer comprising the amine group;
d) a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, comprising forming a second capping layer on the core layer.
상기 코어 층은 그래핀 층, 탄소나노튜브 층 및 그래핀 나노플레이트 층 중에서 선택된 탄소 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The core layer is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a carbon layer selected from a graphene layer, a carbon nanotube layer, and a graphene nanoplate layer.
상기 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층은 SiC, SixNy(x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5), MoSi2, ZrSi2, YSi2, NbSi2, TiSi2, B4C, Mo2C, NbC, ZrC, TiC, Mo2B, Mo2B5, NbB2 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The first capping layer and the second capping layer are SiC, Si x N y (x and y are integers, x/y = 0.7 to 1.5), MoSi 2 , ZrSi 2 , YSi 2 , NbSi 2 , TiSi 2 , B 4 C, Mo 2 C, NbC, ZrC, TiC, Mo 2 B, Mo 2 B 5 , NbB 2 Method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing at least one material selected from.
상기 아민기를 포함하는 결합 층은 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(polyallylamine hydrochloride), 또는 폴리아닐린(polyaniline)을 포함하는 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the bonding layer containing an amine group is a layer containing polyethylenimine, polyallylamine hydrochloride, or polyaniline.
상기 아민기를 포함하는 결합 층은 딥 코팅 방법, 스핀 코팅 방법 또는 스프레이 코팅 방법으로 형성하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the bonding layer containing the amine group is formed by a dip coating method, a spin coating method, or a spray coating method.
상기 제1 캐핑 층 위에 형성되며, 아민기를 가지며, 카테콜(catechol) 계열의 작용기를 갖지 않는, 아민기를 포함하는 결합 층과,
상기 아민기를 포함하는 결합 층 위에 형성된 코어 층과,
상기 코어 층 위에 형성된 제2 캐핑 층을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클.A first capping layer formed on one surface of the substrate;
a bonding layer formed on the first capping layer and containing an amine group, having an amine group and not having a catechol-based functional group;
A core layer formed on the bonding layer containing the amine group;
A pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising a second capping layer formed on the core layer.
상기 코어 층은 그래핀 층, 탄소나노튜브 층 및 그래핀 나노플레이트 층 중에서 선택된 탄소 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클.According to claim 6,
The core layer is a graphene layer, a carbon nanotube layer, and a carbon layer selected from a graphene nanoplate layer, a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
상기 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층은 SiC, SixNy(x와 y는 정수이며, x/y = 0.7~1.5), MoSi2, ZrSi2, YSi2, NbSi2, TiSi2, B4C, Mo2C, NbC, ZrC, TiC, Mo2B, Mo2B5, NbB2 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클.According to claim 6,
The first capping layer and the second capping layer are SiC, Si x N y (x and y are integers, x/y = 0.7 to 1.5), MoSi 2 , ZrSi 2 , YSi 2 , NbSi 2 , TiSi 2 , B A pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising at least one material selected from 4 C, Mo 2 C, NbC, ZrC, TiC, Mo 2 B, Mo 2 B 5 , and NbB 2 .
상기 아민기를 포함하는 결합 층은 폴리에틸렌이민(Polyethylenimine), 폴리알릴아민 하이드로클로라이드(polyallylamine hydrochloride), 또는 폴리아닐린(polyaniline)을 포함하는 층인 극자외선 리소그라피용 펠리클.According to claim 6,
The bonding layer containing the amine group is a layer containing polyethylenimine, polyallylamine hydrochloride, or polyaniline.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200129372A KR102514745B1 (en) | 2020-10-07 | 2020-10-07 | Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200129372A KR102514745B1 (en) | 2020-10-07 | 2020-10-07 | Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220046216A KR20220046216A (en) | 2022-04-14 |
| KR102514745B1 true KR102514745B1 (en) | 2023-03-29 |
Family
ID=81211489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200129372A KR102514745B1 (en) | 2020-10-07 | 2020-10-07 | Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102514745B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020020984A (en) | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 旭化成株式会社 | Pellicle and method for producing the same |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7723704B2 (en) | 2006-11-10 | 2010-05-25 | Globalfoundries Inc. | EUV pellicle with increased EUV light transmittance |
| JP4934099B2 (en) | 2008-05-22 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | Pellicle and method for manufacturing pellicle |
| KR101355933B1 (en) * | 2011-10-19 | 2014-01-28 | 한국과학기술원 | Method for adsorbtion of various biomaterials to chemically modified graphene |
| KR101303795B1 (en) | 2011-12-26 | 2013-09-04 | 주식회사 에프에스티 | EUV pellicle and manufacturing method of the same |
| KR101552940B1 (en) | 2013-12-17 | 2015-09-14 | 삼성전자주식회사 | Pellicle film for extreme ultraviolet lithography including graphite-containing thin film |
| KR101676095B1 (en) * | 2014-04-17 | 2016-11-16 | 한양대학교 산학협력단 | Pellicle for EUV Lithography |
| KR102251999B1 (en) | 2015-01-09 | 2021-05-17 | 삼성전자주식회사 | Pellicle and method of manufacturing the same |
| KR102189172B1 (en) | 2016-06-28 | 2020-12-09 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | Pellicle membrane, pellicle frame, pellicle and manufacturing method thereof |
| KR102310124B1 (en) * | 2017-03-28 | 2021-10-08 | 삼성전자주식회사 | Pellicle for exposure to extreme ultraviolet light, photomask assembly and method of manufacturing the pellicle |
| KR101940791B1 (en) | 2017-05-19 | 2019-01-21 | 주식회사 에프에스티 | Manufacturing method of EUV pellicle using organic sacrifice substrate |
| KR102209853B1 (en) * | 2018-03-08 | 2021-02-02 | 주식회사 나노프레임 | Film for manufacturing semiconductor and method for manufacturing thereof |
| KR102634748B1 (en) * | 2018-06-15 | 2024-02-13 | 삼성전자주식회사 | Pellicle for photomask and method of fabricating the same |
| KR102446173B1 (en) * | 2018-06-26 | 2022-09-22 | 삼성전자주식회사 | Adhesive for pellicle, pellicle for photo mask and method for manufacturing the same |
| KR20190107603A (en) | 2019-04-22 | 2019-09-20 | 주식회사 에스앤에스텍 | Pellicle for Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and Method for fabricating the same |
-
2020
- 2020-10-07 KR KR1020200129372A patent/KR102514745B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020020984A (en) | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 旭化成株式会社 | Pellicle and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220046216A (en) | 2022-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101940791B1 (en) | Manufacturing method of EUV pellicle using organic sacrifice substrate | |
| KR102310124B1 (en) | Pellicle for exposure to extreme ultraviolet light, photomask assembly and method of manufacturing the pellicle | |
| KR101303795B1 (en) | EUV pellicle and manufacturing method of the same | |
| US7655568B2 (en) | Method for manufacturing underlying pattern of semiconductor device | |
| US20100285167A1 (en) | Templates for use in imprint lithography and related intermediate template structures | |
| TW201918372A (en) | Pellicle for EUV lithography | |
| KR102482649B1 (en) | Method for fabricating a pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography | |
| KR20120067170A (en) | Method of manufacturing stamp for nanoimprint | |
| WO2009131803A2 (en) | Templates for imprint lithography and methods of fabricating and using such templates | |
| KR102209853B1 (en) | Film for manufacturing semiconductor and method for manufacturing thereof | |
| KR102514745B1 (en) | Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same | |
| KR20190118455A (en) | Film for manufacturing semiconductor | |
| KR102349295B1 (en) | Pellicle film with Carbyne layer for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same | |
| US7807336B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| KR102546968B1 (en) | Method for Fabricating Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography | |
| KR102008057B1 (en) | Method for manufacturing pellicle | |
| TWI612369B (en) | EUV reticle inorganic protective film assembly manufacturing method | |
| KR102282273B1 (en) | Method for fabricating a pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography | |
| KR20230029242A (en) | Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography and Method for Fabricating of the Same | |
| KR20220129343A (en) | Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography | |
| KR20200124556A (en) | Methods of manufacturing pellicle assembly and photomask assembly | |
| KR20230125966A (en) | Method for Fabricating Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography | |
| KR20230174998A (en) | Method for Fabricating Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography | |
| KR102207851B1 (en) | Fine metal mask and method of manufacturing pellicle for EUV lithography using the same | |
| WO2016032096A1 (en) | Pellicle using silicon carbide and manufacturing method therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |