KR20230029242A - Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography and Method for Fabricating of the Same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 기계적 특성이 향상된 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography and a manufacturing method thereof. More specifically, it relates to a pellicle for extreme ultraviolet lithography with improved mechanical properties and a manufacturing method thereof.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 형성된 각종 층에 전사된다. A method called photolithography is used to manufacture semiconductor devices or liquid crystal display panels. In photolithography, a mask is used as a patterning plate, and patterns on the mask are transferred to various layers formed on a wafer or a substrate for liquid crystal.
이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected by the dust, and thus the transferred pattern is damaged, resulting in a decrease in performance or yield of a semiconductor device or liquid crystal display panel.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 사용된다.Therefore, these operations are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is used to prevent dust from adhering to the mask surface.
이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In this case, the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film, and during lithography, since the focus is aligned on the pattern of the mask, the dust on the pellicle is out of focus and does not transfer to the pattern.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.The required resolution of an exposure apparatus for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and the wavelength of a light source is getting shorter and shorter in order to realize the resolution. Specifically, UV light sources include ultraviolet g-rays (436 nm), I-rays (365 nm), KrF excimer lasers (248 nm), and ArF excimer lasers (193 nm) to extreme ultraviolet (EUV, 13.5 nm). The wavelength is gradually getting shorter.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, it is indispensable to develop new light sources, resists, masks, and pellicles. That is, since the physical properties of the conventional organic pellicle film are changed by an exposure light source having high energy and have a short lifespan, it is difficult to use the pellicle for extreme ultraviolet rays. Various attempts are being made to solve this problem.
예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.
그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판에는 60% 이상의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. And, Patent Publication No. 2009-0122114 includes a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, and a pellicle for extreme ultraviolet rays is disclosed in which an opening of 60% or more is formed in the base substrate. .
공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.The pellicle for extreme ultraviolet rays disclosed in Patent Publication No. 2009-0122114 needs to form a silicon single crystal film as a thin film in order to transmit extreme ultraviolet rays. Since this silicon single crystal thin film can be easily damaged even by a small impact, a base substrate is used to support it. There is a problem that the reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and the pattern is transferred to the substrate in a lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Since extreme ultraviolet rays have a short wavelength, the energy is very high, and since transmittance is low, a considerable amount of energy is absorbed by the pellicle film and the base substrate, so that the pellicle film and the base substrate may be heated. Therefore, when the materials of the pellicle film and the base substrate are different from each other, there is also a problem that deformation may occur due to a difference in thermal expansion due to heat generated in the lithography process.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.A method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate for reinforcing the pellicle film is also disclosed.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Patent Registration No. 1552940 filed and registered by the present applicant discloses a method of obtaining a graphite thin film by forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil using an iron chloride-containing aqueous solution.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, in Registered Patent Nos. 1303795 and 1940791 filed and registered by the present applicant, after forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, the organic substrate is removed as a solvent. A method of obtaining a pellicle membrane by dissolving using a is disclosed.
또한, 기판의 일면 위에 펠리클 막을 구성하는 층을 형성한 후에 기판의 반대 면의 중심부를 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우 영역을 형성하여 펠리클을 제조하는 방법도 사용되고 있다.In addition, a method of manufacturing a pellicle by forming a layer constituting a pellicle film on one surface of a substrate and then removing a central portion of the opposite surface of the substrate to form a window area through which extreme ultraviolet rays are transmitted is also used.
그런데 이러한 방법으로 제조된 극자외선 리소그라피용 펠리클은 펠리클 막의 두께가 나노미터 수준이어서 펠리클 막이 쉽게 손상될 수 있다는 문제가 있다. 특히, 노광 공정 중에 펠리클 막이 파손된다면, 펠리클이 부착된 마스크와 노광 장치 등이 오염될 수 있으므로, 펠리클 막의 기계적 강도를 향상시킬 필요가 있다.However, the pellicle for extreme ultraviolet lithography manufactured in this way has a problem that the pellicle film can be easily damaged because the thickness of the pellicle film is on the order of nanometers. In particular, if the pellicle film is damaged during the exposure process, the mask attached with the pellicle and the exposure apparatus may be contaminated, and therefore, it is necessary to improve the mechanical strength of the pellicle film.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 펠리클 막의 기계적 강도가 향상된 극자외선 리소그라피용 펠리클 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to improve the above problems, and an object of the present invention is to provide a pellicle for extreme ultraviolet lithography with improved mechanical strength of the pellicle film and a manufacturing method thereof.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 제1 면 위에 제1 식각 저지 층이 형성되고, 상기 제1 면의 반대 면인 제2 면 위에 제2 식각 저지 층이 형성된 기판을 준비하는 단계와, b) 상기 제1 식각 저지 층 위에 압축 응력 또는 인장 응력이 잔류하는 펠리클 막 층을 형성하는 단계와, c) 상기 펠리클 막 층 위에 제3 식각 저지 층을 형성하는 단계와, d) 상기 제2 식각 저지층을 패터닝하여 식각 저지 패턴을 형성하는 단계와, e) 상기 식각 저지 패턴을 마스크로 상기 기판을 식각하여, 상기 제1 식각 저지 층을 노출시키는 단계와, f) 윈도우 영역의 상기 제1 식각 저지 층과, 상기 제3 식각 저지 층 중 적어도 하나의 두께를 조절 또는 제거하는 단계를 포함하며, 상기 제1 식각 저지 층과 상기 제3 식각 저지 층 중 적어도 하나는 상기 펠리클 막 층에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류하도록 형성되며, 상기 f) 단계는 상기 제1 식각 저지 층과 상기 제3 식각 저지 층 중 적어도 하나와 상기 펠리클 막 층을 포함하는 스택의 상기 윈도우 영역의 잔류 응력이 5 내지 500㎫이 되도록 상기 윈도우 영역의 상기 제1 식각 저지 층과, 상기 제3 식각 저지 층 중에서 적어도 하나의 두께를 조절하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a) preparing a substrate having a first etch stop layer formed on a first surface and a second etch stop layer formed on a second surface opposite to the first surface; , b) forming a pellicle film layer having compressive stress or tensile stress on the first etch stop layer, c) forming a third etch stop layer on the pellicle film layer, and d) the second etch stop layer. patterning an etch stop layer to form an etch stop pattern; e) etching the substrate using the etch stop pattern as a mask to expose the first etch stop layer; f) the first etch stop layer in a window area; and adjusting or removing a thickness of at least one of an etch stop layer and the third etch stop layer, wherein at least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer remains on the pellicle film layer. A stress opposite to the stress is formed to remain, and the step f) is such that the residual stress of the window region of the stack including at least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer and the pellicle film layer is 5 It provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is the step of adjusting the thickness of at least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer in the window region to be 500 MPa to 500 MPa.
또한, 상기 펠리클 층은 상기 중심층의 적어도 일면 위에 형성되는 보강층을 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the pellicle layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography further comprising a reinforcing layer formed on at least one surface of the center layer.
또한, 상기 보강층은 Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 화합물 또는 산소(O)를 포함하는 화합물을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the reinforcing layer is Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N Provided is a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising a compound containing at least one element selected from
또한, 상기 보강층은 복수의 서브 층들을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the reinforcing layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography including a plurality of sub-layers.
또한, 상기 제1 식각 저지층은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물 또는 B이 도핑된 Si인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다. In addition, the first etch-stop layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography in which a compound of Si and at least one element selected from C, O, and N or Si doped with B is provided.
또한, 상기 제3 식각 저지층은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the third etch stop layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a compound of Si and at least one element selected from C, O, and N.
또한, 상기 중심층은 Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N 중에서 선택된 원소 또는 선택된 원소들의 화합물을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the center layer is an element selected from Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, and N Alternatively, it provides a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing a compound of selected elements.
또한, 상기 중심층은 그래핀, CNT, 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the central layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography including at least one selected from graphene, CNT, graphite, graphene nanoplate, and carbon nanosheet.
또한, 상기 중심층은 LaB6, B4C, MoC, Mo2C, BN, SiC, Si, MoS2, 금속 실리사이드(금속은 Zr, Ti, Nb, Mo, Ru 중에서 선택되는 금속임) 중에서 선택된 소재의 나노구조체를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the center layer is LaB 6 , B 4 C, MoC, Mo 2 C, BN, SiC, Si, MoS 2 , metal silicide (the metal is a metal selected from Zr, Ti, Nb, Mo, Ru) selected from Provided is a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography including a nanostructure of a material.
또한, 상기 중심층은 복수의 서브 층들을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the central layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography including a plurality of sub-layers.
또한, 본 발명은 윈도우 영역이 개방된 기판과, 상기 기판 위에 형성된 스택을 포함하며, 상기 스택은, 상기 기판 위에 형성되며, 압축 응력 또는 인장 응력이 잔류하는 펠리클 막 층과, 상기 펠리클 막 층의 일면과 상기 기판 사이에 형성되는 제1 식각 저지층과, 상기 펠리클 막 층의 다른 일면 위에 형성되는 제3 식각 저지층 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 스택에 포함된 상기 제1 식각 저지층과 상기 제3 식각 저지층 중 적어도 하나에는 상기 펠리클 막 층에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류하며, 상기 윈도우 영역의 상기 스택의 잔류 응력은 5 내지 500㎫인 극자외선 리소그라피용 펠리클을 제공한다.In addition, the present invention includes a substrate having an open window region, and a stack formed on the substrate, wherein the stack is formed on the substrate and includes a pellicle film layer on which compressive stress or tensile stress remains, and a pellicle film layer formed on the substrate. A first etch stop layer formed between one surface and the substrate, and at least one of a third etch stop layer formed on the other surface of the pellicle film layer, the first etch stop layer included in the stack and the A stress opposite to that remaining in the pellicle film layer remains in at least one of the third etch stop layers, and the residual stress of the stack in the window region is 5 to 500 MPa.
본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 따르면 기계적 강도가 향상된 펠리클 막을 구비한 펠리클을 제조할 수 있다.According to the method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention, a pellicle having a pellicle film having improved mechanical strength can be manufactured.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 펠리클 막 층의 일부를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 4는 도 3에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 5와 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 개념도들이다.1 is a conceptual diagram of a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a portion of the pellicle film layer shown in FIG. 1;
3 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram for explaining each step of the embodiment shown in FIG. 3 .
5 and 6 are conceptual diagrams of a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numbers indicate like elements throughout the specification.
본 명세서에서 어떤 층이나 면 "위에" 형성 또는 도포된다는 것은 어떤 층이나 면의 바로 위에 형성되는 것을 지칭하거나, 어떤 층이나 면 상에 형성된 중간층 또는 중간층들 위에 형성되는 것을 지칭할 수 있다.In this specification, being formed or applied "on" a layer or surface may refer to being formed directly on a certain layer or surface, or may refer to being formed over an intermediate layer or intermediate layers formed on a certain layer or surface.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클(10)은 중심부의 윈도우 영역(W)이 개방된 기판(1)과, 기판(1) 위에 형성된 스택(8)을 포함한다.1 is a schematic diagram of a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a
기판(1)으로는 실리콘 기판을 사용할 수 있다. 원도우 영역(W)은 극자외선이 투과하는 영역이다. 윈도우 영역(W)이 개방된 기판(1)은 스택(8)을 지지하는 펠리클 프레임 또는 펠리클 프레임과 결합하는 보더 역할을 할 수 있다. 기판(1)은 제1 면(도 1에서는 상면)과 제1 면의 반대 면이며 제1 면과 나란한 제2 면을 구비한다.As the
또한, 기판(1)의 제2 면 위에는 식각 저지 패턴(6)이 형성된다. 식각 저지 패턴(6)은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물일 수 있다.In addition, an
스택(8)은 펠리클 막 층(4)과 펠리클 막 층(4)의 양면에 각각 형성되는 제1 식각 저지층(2)과 제3 식각 저지층(5)을 포함한다.The stack 8 includes a
도 2에 도시된 바와 같이, 펠리클 막 층(4)은 중심층(41)을 구비하며, 중심층(41)의 양쪽 면 또는 한쪽 면 위에 형성되는 보강층(42, 43)을 더 포함할 수 있다. 중심층(41)이나 보강층(42, 43)은 단층으로 이루어질 수도 있으나, 복수의 서브 층들을 포함하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2, the
중심층(41)은 Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N 중에서 선택된 원소 또는 선택된 원소들의 화합물을 포함할 수 있다.The
또한, 중심층(41)은 그래핀, CNT, 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the
또한, 중심층(41)은 LaB6, B4C, MoC, Mo2C, BN, SiC, Si, MoS2, 금속 실리사이드(금속은 Zr, Ti, Nb, Mo, Ru 중에서 선택되는 금속임) 중에서 선택된 소재의 나노구조체를 포함할 수 있다.In addition, the
보강층(42, 43)은 Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 화합물 또는 산소(O)를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.The reinforcing layers 42 and 43 are Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S , N may include a compound containing at least one element selected from, or a compound containing oxygen (O).
도 1에 도시된 바와 같이, 제1 식각 저지층(2)은 기판(1)의 제1 면 위에 형성된다. 제1 식각 저지층(2)은 기판(1)의 제1 면과 펠리클 막 층(4) 사이에 형성된다. 제1 식각 저지층(2)은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물 또는 B이 도핑된 Si일 수 있다.As shown in FIG. 1 , the first
제1 식각 저지층(2)은 중심부의 윈도우 영역(W)의 두께가 둘레부에 비해서 얇도록 두께가 조절되어 있다. 중심부의 두께는 0.5 내지 10㎚ 정도일 수 있다.The thickness of the first etch-
제3 식각 저지층(5)은 펠리클 막 층(4)을 사이에 두고 제1 식각 저지층(2)의 반대쪽에 형성된다. 제3 식각 저지층(5)은 펠리클 막 층(4) 위에 형성된다. 제3 식각 저지층(5)은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물일 수 있다. 제3 식각 저지층(5)의 두께는 0.5 내지 10㎚ 정도일 수 있다.The third
제1 식각 저지층(2)과 제3 식각 저지층(5)은 서로 같은 화합물일 수도 있으며, 서로 다른 화합물일 수 있다.The first
상술한 극자외선 리소그라피용 펠리클(10)의 펠리클 막 층(4)에는 압축 또는 인장 응력이 잔류한다. 그리고 제1 식각 저지층(2)과 제3 식각 저지층(5) 중 적어도 하나에는 펠리클 막 층에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류한다. 즉, 펠리클 막 층(4)에 압축 응력이 잔류하면 인장 응력이 잔류하며, 인장 응력이 잔류하면 압축 응력이 잔류한다. 그리고 스택(8)의 총 잔류 응력은 5 내지 500㎫인 것이 바람직하다.Compressive or tensile stress remains in the
이하, 상술한 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 대해서 도 3과 4를 참고하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the pellicle for extreme ultraviolet lithography described above will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이며, 도 4는 도 3에 도시된 실시예의 각 단계를 설명하기 위한 도면이다.3 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram for explaining each step of the embodiment shown in FIG. 3 .
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법은 양면에 각각 식각 저지 층이 형성된 기판을 준비하는 단계(S1)와, 제1 식각 저지 층 위에 중심층을 구비한 펠리클 막 층을 형성하는 단계(S2)와, 펠리클 막 층 위에 제3 식각 저지 층을 형성하는 단계(S3)와, 윈도우 영역이 개방된 식각 저지 패턴을 형성하는 단계(S4)와, 식각 저지 패턴을 마스크로 기판을 식각하여, 제1 식각 저지 층을 노출시키는 단계(S5)와, 제1 식각 저지 층과 상기 제3 식각 저지 층 중 적어도 하나의 두께를 조절하는 단계(S6)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention includes preparing a substrate having etch stop layers formed on both sides (S1), and a center on the first etch stop layer. Forming a pellicle film layer having a layer (S2), forming a third etch stop layer on the pellicle film layer (S3), forming an etch stop pattern having an open window area (S4) Etching the substrate using the etch stop pattern as a mask to expose the first etch stop layer (S5), and adjusting the thickness of at least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer (S6) includes
이하, 도 3과 4를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.Hereinafter, each step will be described with reference to FIGS. 3 and 4 .
먼저, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 양면에 각각 식각 저지 층(2, 3)이 형성된 기판(1)을 준비한다(S1).First, as shown in (a) of FIG. 4, a
기판(1)으로는 실리콘 기판을 사용할 수 있다. 기판(1)은 제1 면(도 4에서는 상면)과 제1 면의 반대 면이며, 제1 면과 나란한 제2 면을 구비한다.As the
제1 식각 저지층(2)은 기판(1)의 제1 면 위에 형성된다. 제1 식각 저지층(2)은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물 또는 B이 도핑된 Si일 수 있다.The first
제2 식각 저지층(3)은 기판(1)의 제2 면 위에 형성된다. 제2 식각 저지층(3)은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물일 수 있다.The second
제1 식각 저지층(2)과 제2 식각 저지층(3)은 서로 같은 화합물일 수도 있으며, 서로 다른 화합물일 수 있다.The first
제1 식각 저지층(2)과 제2 식각 저지층(3)은 CVD나 PVD 공정으로 형성할 수 있다.The first
이때, CVD 공정이나 PVD 공정의 공정 변수를 조절하여, 제1 식각 지지층(2)에 압축 또는 인장응력이 잔류하도록 할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 공정을 사용할 경우, 스퍼터링 타겟에 인가되는 전력, 아르곤 가스 주입량, 기판 온도, 증착 두께 등을 조절하여 제1 식각 지지층(2)에 잔류 응력이 형성되도록 할 수 있다.At this time, by adjusting process parameters of the CVD process or the PVD process, compressive or tensile stress may remain in the first
다음, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 식각 저지 층(2) 위에 중심층을 구비한 펠리클 막 층(4)을 형성한다(S2).Next, as shown in (b) of FIG. 4, a
펠리클 막 층(4)은 중심층과 중심층의 양쪽 면 또는 한쪽 면 위에 형성되는 보강층을 더 포함할 수 있다. 중심층이나 보강층은 단층으로 이루어질 수도 있으나, 복수의 서브 층들을 포함하는 것이 바람직하다.The
중심층은 Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N 중에서 선택된 원소 또는 선택된 원소들의 화합물을 포함할 수 있다.The central layer is an element selected from Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N or an element selected It may contain a compound of
또한, 중심층은 그래핀, CNT, 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the center layer may include at least one selected from graphene, CNT, graphite, graphene nanoplate, and carbon nanosheet.
또한, 중심층은 LaB6, B4C, MoC, Mo2C, BN, SiC, Si, MoS2, 금속 실리사이드(금속은 Zr, Ti, Nb, Mo, Ru 중에서 선택되는 금속임) 중에서 선택된 소재의 나노구조체를 포함할 수 있다.In addition, the center layer is a material selected from among LaB 6 , B 4 C, MoC, Mo 2 C, BN, SiC, Si, MoS 2 , metal silicide (the metal is a metal selected from Zr, Ti, Nb, Mo, and Ru) It may include a nanostructure of.
보강층은 Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 화합물 또는 산소(O)를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.The reinforcing layer is at least selected from Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N It may include a compound containing one element or a compound containing oxygen (O).
중심층과 보강층은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 이때, 공정조건을 조절하여 펠리클 막 층(4)에 잔류 응력이 걸리도록 한다.The center layer and the reinforcing layer may be formed by depositing through a CVD or PVD process, such as a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a sputtering process. At this time, residual stress is applied to the
다음, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 펠리클 막 층(4) 위에 제3 식각 저지 층(5)을 형성한다(S3).Next, as shown in (c) of FIG. 4, a third
제3 식각 저지층(5)은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물일 수 있다. 제3 식각 저지층(5)은 CVD나 PVD 공정으로 형성할 수 있다. 이때, CVD 공정이나 PVD 공정의 공정 변수를 조절하여, 제3 식각 지지층(5)에 인장 또는 압축 응력이 걸리도록 할 수 있다.The third
S1 단계에서 형성된 제1 식각 저지층(2)과, 본 단계에서 형성된 제3 식각 저지층(5) 모두 또는 적어도 하나의 층에는 펠리클 막 층(4)에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류하도록 할 필요가 있다. 예를 들어, 펠리클 막 층(4)에 압축 응력이 잔류한다면, 제1 식각 저지층(2)과, 제3 식각 저지층(5) 모두 또는 적어도 하나의 층에는 인장 응력이 잔류하도록 할 필요가 있다.Stress opposite to the stress remaining in the
제3 식각 저지층(5)과 제1 식각 저지층(2)은 서로 같은 화합물일 수도 있으며, 서로 다른 화합물일 수 있다. The third
다음, 도 4의 (d)에 도시된 바와 같이, 중심부가 개방된 식각 저지 패턴(6)을 형성한다(S4).Next, as shown in (d) of FIG. 4, an
본 단계에서는 제2 식각 저지층(3) 위에 포토레지스트 층을 형성하고, 노광 및 현상을 통해서 포토레지스트 층을 패터닝하여 중심부가 개방된 포토레지스트 패턴을 형성한다.In this step, a photoresist layer is formed on the second
그리고 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 제2 식각 저지층(3)을 식각하여 중심부가 개방된 식각 저지 패턴(6)을 형성한다.Then, using the photoresist pattern as a mask, the second
본 단계는 습식 또는 건식 에칭 단계일 수 있다.This step may be a wet or dry etching step.
예를 들어, 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계일 수 있다.For example, sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), silicon tetrafluoride ( It may be a dry etching step using at least one gas selected from SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ).
다음, 도 4의 (e)에 도시된 바와 같이, 식각 저지 패턴(6)을 마스크로 기판(1)을 식각하여, 제1 식각 저지 층(2)을 노출시킨다(S5).Next, as shown in FIG. 4(e), the
본 단계는 습식 또는 건식 에칭 단계일 수 있다.This step may be a wet or dry etching step.
예를 들어, 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammonium hydroxide) 에칭액을 사용하는 습식 에칭 단계일 수 있다.For example, potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), HNA (HF, HNO 3 , CH 3 COOH mixed solution), ethylenediamine-pyrocatechol (EDP) or tetramethylammonium hydroxide (TMAH) It may be a wet etching step using an etchant.
다음, 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 제1 식각 저지 층(2)과 상기 제3 식각 저지 층(5) 중 적어도 하나를 식각하여 두께를 조절한다(S6).Next, as shown in (f) of FIG. 4 , at least one of the first
본 단계는 습식 또는 건식 에칭 단계일 수 있다.This step may be a wet or dry etching step.
예를 들어, 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화 수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하는 건식 에칭 단계일 수 있다.For example, sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), silicon tetrafluoride ( It may be a dry etching step using at least one gas selected from SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ).
본 단계에서는 제1 식각 저지 층(2), 펠리클 막 층 (4) 및 제3 식각 저지 층(5)으로 이루어진 스택(8)의 윈도우 영역(W)의 잔류 응력이 5 내지 500㎫이 되도록 제1 식각 저지 층(2)과, 제3 식각 저지 층(5) 중에서 적어도 하나의 두께를 조절한다. 이와 같이, 스택(8)의 윈도우 영역(W)의 잔류 응력을 조절함으로써 스택(8)의 기계적 강도를 향상시킬 수 있다.In this step, the residual stress of the window region W of the stack 8 composed of the first
본 단계에서는 도 4의 (f)에 도시된 바와 같이, 윈도우 영역(W)의 제1 식각 저지 층(2)과, 제3 식각 저지 층(5) 모두의 두께를 얇게 할 수 있다. 또한, 제1 식각 저지 층(2)과, 제3 식각 저지 층(5) 중 하나를 제거하고, 나머지 하나의 식각 저지 층의 두께를 조절할 수도 있다.In this step, as shown in (f) of FIG. 4 , the thicknesses of both the first
도 5와 6은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 개략도들이다.5 and 6 are schematic diagrams of pellicles for extreme ultraviolet lithography according to other embodiments of the present invention.
도 5에 도시된 극자외선 리소그라피용 펠리클(20)은 제3 식각 저지 층(5)이 제거되었다는 점에서, 도 1에 도시된 실시예와 차이가 있다. 본 실시예에서는 제1 식각 저지층(2)에 펠리클 막 층(4)에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류한다. 제1 식각 저지층(2)의 응력은 제1 식각 저지층(2)과 펠리클 막 층(4)으로 이루어진 스택의 윈도우 영역(W)의 잔류 응력이 5 내지 500㎫이 되도록 조절된다. 제1 식각 저지층(2)의 응력은 제1 식각 저지층(2)의 두께를 조절하는 방법으로 조절된다.The
도 6에 도시된 극자외선 리소그라피용 펠리클(30)은 윈도우 영역(W)의 제1 식각 저지 층(2)이 제거되었다는 점에서, 도 1에 도시된 실시예와 차이가 있다. 본 실시예에서는 제3 식각 저지층(5)에 펠리클 막 층(4)에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류한다. 제3 식각 저지층(5)의 응력은 제1 식각 저지층(5)과 펠리클 막 층(4)으로 이루어진 스택의 윈도우 영역(W)의 잔류 응력이 5 내지 500㎫이 되도록 조절된다. 제3 식각 저지층(5)의 응력은 제1 식각 저지층(5)의 두께를 조절하는 방법으로 조절된다.The
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
W: 윈도우 영역
10, 20, 30: 극자외선 리소그라피용 펠리클
1: 기판
2: 제1 식각 저지층
3: 제2 식각 저지층
4: 펠리클 막 층
5: 제3 식각 저지층
6: 식각 저지 패턴
8: 스택W: window area
10, 20, 30: pellicle for extreme ultraviolet lithography
1: substrate
2: first etch stop layer
3: second etch stop layer
4: pellicle membrane layer
5: third etch stop layer
6: etch stop pattern
8: stack
Claims (11)
b) 상기 제1 식각 저지 층 위에 압축 응력 또는 인장 응력이 잔류하는 펠리클 막 층을 형성하는 단계와,
c) 상기 펠리클 막 층 위에 제3 식각 저지 층을 형성하는 단계와,
d) 상기 제2 식각 저지층을 패터닝하여 식각 저지 패턴을 형성하는 단계와,
e) 상기 식각 저지 패턴을 마스크로 상기 기판을 식각하여, 상기 제1 식각 저지 층을 노출시키는 단계와,
f) 윈도우 영역의 상기 제1 식각 저지 층과, 상기 제3 식각 저지 층 중 적어도 하나의 두께를 조절 또는 제거하는 단계를 포함하며,
상기 제1 식각 저지 층과 상기 제3 식각 저지 층 중 적어도 하나는 상기 펠리클 막 층에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류하도록 형성되며,
상기 f) 단계는 상기 제1 식각 저지 층과 상기 제3 식각 저지 층 중 적어도 하나와 상기 펠리클 막 층을 포함하는 스택의 상기 윈도우 영역의 잔류 응력이 5 내지 500㎫이 되도록 상기 윈도우 영역의 상기 제1 식각 저지 층과, 상기 제3 식각 저지 층 중에서 적어도 하나의 두께를 조절하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.a) preparing a substrate having a first etch stop layer formed on a first surface and a second etch stop layer formed on a second surface opposite to the first surface;
b) forming a pellicle film layer having compressive stress or tensile stress remaining on the first etch stop layer;
c) forming a third etch stop layer over the pellicle film layer;
d) patterning the second etch stop layer to form an etch stop pattern;
e) etching the substrate using the etch stop pattern as a mask to expose the first etch stop layer;
f) adjusting or removing a thickness of at least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer in a window region;
At least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer is formed such that a stress opposite to that remaining in the pellicle film layer remains,
The step f) is such that the residual stress of the window region of the stack including at least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer and the pellicle film layer is 5 to 500 MPa. 1. A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, the step of adjusting the thickness of at least one of an etch stop layer and the third etch stop layer.
상기 펠리클 층은 상기 중심층의 적어도 일면 위에 형성되는 보강층을 더 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the pellicle layer further comprises a reinforcing layer formed on at least one surface of the center layer.
상기 보강층은 Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 화합물 또는 산소(O)를 포함하는 화합물을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 2,
The reinforcing layer is selected from Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising a compound containing at least one element or a compound containing oxygen (O).
상기 보강층은 복수의 서브 층들을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 2,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the reinforcing layer includes a plurality of sub-layers.
상기 제1 식각 저지층은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물 또는 B이 도핑된 Si인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법. According to claim 1,
The first etch stop layer is a compound of at least one element selected from C, O, N and Si or Si doped with B. Method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
상기 제3 식각 저지층은 C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소와 Si의 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
Wherein the third etch stop layer is a compound of at least one element selected from C, O, N and Si, a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
상기 중심층은 Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N 중에서 선택된 원소 또는 선택된 원소들의 화합물을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The center layer is an element selected from Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N or selected A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing a compound of elements.
상기 중심층은 그래핀, CNT, 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the central layer includes at least one selected from graphene, CNT, graphite, graphene nanoplate, and carbon nanosheet.
상기 중심층은 LaB6, B4C, MoC, Mo2C, BN, SiC, Si, MoS2, 금속 실리사이드(금속은 Zr, Ti, Nb, Mo, Ru 중에서 선택되는 금속임) 중에서 선택된 소재의 나노구조체를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The center layer is made of a material selected from among LaB 6 , B 4 C, MoC, Mo 2 C, BN, SiC, Si, MoS 2 , and a metal silicide (the metal being a metal selected from among Zr, Ti, Nb, Mo, and Ru). Method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing nanostructures.
상기 중심층은 복수의 서브 층들을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the center layer includes a plurality of sub-layers.
상기 기판 위에 형성된 스택을 포함하며,
상기 스택은,
상기 기판 위에 형성되며, 압축 응력 또는 인장 응력이 잔류하는 펠리클 막 층과,
상기 펠리클 막 층의 일면과 상기 기판 사이에 형성되는 제1 식각 저지층과, 상기 펠리클 막 층의 다른 일면 위에 형성되는 제3 식각 저지층 중 적어도 하나를 포함하며,
상기 스택에 포함된 상기 제1 식각 저지층과 상기 제3 식각 저지층 중 적어도 하나에는 상기 펠리클 막 층에 잔류하는 응력과 반대인 응력이 잔류하며,
상기 윈도우 영역의 상기 스택의 잔류 응력은 5 내지 500㎫인 극자외선 리소그라피용 펠리클.A substrate having an open window area;
A stack formed on the substrate;
The stack is
A pellicle film layer formed on the substrate and having compressive stress or tensile stress remaining;
At least one of a first etch stop layer formed between one surface of the pellicle film layer and the substrate, and a third etch stop layer formed on the other surface of the pellicle film layer,
A stress opposite to the stress remaining in the pellicle film layer remains in at least one of the first etch stop layer and the third etch stop layer included in the stack,
The residual stress of the stack in the window region is 5 to 500 MPa pellicle for extreme ultraviolet lithography.
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