KR20230125966A - Method for Fabricating Pellicle for EUV(extreme ultraviolet) Lithography - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 인장 잔류 응력(residual tensile stress)을 가지는 펠리클 막을 구비하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography. More specifically, it relates to a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography having a pellicle film having residual tensile stress.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 포토리소그라피라는 방법이 사용된다. 포토리소그라피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 형성된 각종 층에 전사된다. A method called photolithography is used to manufacture semiconductor devices or liquid crystal display panels. In photolithography, a mask is used as a patterning plate, and patterns on the mask are transferred to various layers formed on a wafer or a substrate for liquid crystal.
이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected by the dust, and thus the transferred pattern is damaged, resulting in a decrease in performance or yield of a semiconductor device or liquid crystal display panel.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 사용된다.Therefore, these operations are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is used to prevent dust from adhering to the mask surface.
이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그라피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In this case, the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film, and during lithography, since the focus is aligned on the pattern of the mask, the dust on the pellicle is out of focus and does not transfer to the pattern.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.The required resolution of an exposure apparatus for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and the wavelength of a light source is getting shorter and shorter in order to realize the resolution. Specifically, UV light sources include ultraviolet g-rays (436 nm), I-rays (365 nm), KrF excimer lasers (248 nm), and ArF excimer lasers (193 nm) to extreme ultraviolet (EUV, 13.5 nm). The wavelength is gradually getting shorter.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, it is indispensable to develop new light sources, resists, masks, and pellicles. That is, since the physical properties of the conventional organic pellicle film are changed by an exposure light source having high energy and have a short lifespan, it is difficult to use the pellicle for extreme ultraviolet rays. Various attempts are being made to solve this problem.
예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.
그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판에는 60% 이상의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. And, Patent Publication No. 2009-0122114 includes a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, and a pellicle for extreme ultraviolet rays is disclosed in which an opening of 60% or more is formed in the base substrate. .
공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그라피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.The pellicle for extreme ultraviolet rays disclosed in Patent Publication No. 2009-0122114 needs to form a silicon single crystal film as a thin film in order to transmit extreme ultraviolet rays. Since this silicon single crystal thin film can be easily damaged even by a small impact, a base substrate is used to support it. There is a problem that the reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and the pattern is transferred to the substrate in a lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그라피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Since extreme ultraviolet rays have a short wavelength, the energy is very high, and since transmittance is low, a considerable amount of energy is absorbed by the pellicle film and the base substrate, so that the pellicle film and the base substrate may be heated. Therefore, when the materials of the pellicle film and the base substrate are different from each other, there is also a problem that deformation may occur due to a difference in thermal expansion due to heat generated in the lithography process.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.A method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate for reinforcing the pellicle film is also disclosed.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Patent Registration No. 1552940 filed and registered by the present applicant discloses a method of obtaining a graphite thin film by forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil using an iron chloride-containing aqueous solution.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, in Registered Patent Nos. 1303795 and 1940791 filed and registered by the present applicant, after forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, the organic substrate is removed as a solvent. A method of obtaining a pellicle membrane by dissolving using a is disclosed.
또한, 실리콘 기판에 코어 층과 캐핑 층으로 이루어진 펠리클 막 층을 형성하고, 실리콘 기판을 패터닝하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 펠리클을 얻는 방법도 사용되고 있다.In addition, a method of obtaining a pellicle by forming a pellicle film layer composed of a core layer and a capping layer on a silicon substrate and forming a window through which extreme ultraviolet rays are transmitted by patterning the silicon substrate is also used.
그런데 이러한 방법으로 제조된 펠리클의 펠리클 막은 대부분 잔류 압축 응력(residual compressive stress)을 가지므로, 펠리클 막에 주름이 생길 수 있다는 문제가 있다.However, since most of the pellicle film of the pellicle manufactured in this way has residual compressive stress, there is a problem that wrinkles may occur in the pellicle film.
이러한 문제점을 개선하기 위해서, 한국공개특허 제10-2016-0094437호에는 필름(펠리클 막)의 양면을 서로 다른 압력에 노출시키도록 구성된 응력 조립체를 통해서 필름에 인장 응력을 가하고, 인장 응력이 가해진 필름을 기판에 부착하고, 기판을 패터닝하여 프레임을 형성하는 단계들을 포함하는 펠리클 제조 방법이 개시되어 있다.In order to improve these problems, Korean Patent Publication No. 10-2016-0094437 discloses that tensile stress is applied to the film through a stress assembly configured to expose both sides of the film (pellicle film) to different pressures, and the film to which the tensile stress is applied A method for manufacturing a pellicle including attaching a substrate to a substrate and forming a frame by patterning the substrate is disclosed.
그러나 이러한 방법은 별도의 필름 제조용 기판 위에 캐핑 층과 코어 층을 포함하는 펠리클 필름을 형성한 후, 이 펠리클 필름을 필름 제조용 기판으로부터 분리한 후에 필름에 인장 응력을 가하고, 다시 펠리클 프레임 형성을 위한 기판에 부착하여야 하므로, 공정이 복잡하다는 문제가 있다.However, this method forms a pellicle film including a capping layer and a core layer on a separate substrate for film production, then applies tensile stress to the film after separating the pellicle film from the substrate for film production, and then again substrate for forming a pellicle frame. Since it must be attached to, there is a problem that the process is complicated.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 잔류 인장 응력을 가지는 펠리클 막을 구비한 펠리클을 제조하는 새로운 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a new method for manufacturing a pellicle having a pellicle film having residual tensile stress.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 a) 기판에 스택을 형성하는 단계로서, 상기 스택은, 인장 응력이 잔류하는 펠리클 막 층과, 상기 펠리클 막 층과 상기 기판 사이에 형성되며 압축 응력이 잔류하는 제1 잔류 압축 응력 층과, 상기 펠리클 막 층 위에 형성되며 압축 응력이 잔류하는 제2 잔류 압축 응력 층 중에서 적어도 하나의 잔류 압축 응력 층을 포함하는 스택인 단계와, b) 상기 기판을 패터닝하는 단계와, c) 상기 제2 잔류 압축 응력 층을 제거하거나, 상기 제1 잔류 압축 응력 층의 중심부를 제거하거나, 상기 제2 잔류 압축 응력 층과 상기 제1 잔류 압축 응력 층의 중심부를 제거하여 상기 펠리클 막 층을 노출시키는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a) forming a stack on a substrate, wherein the stack is formed between a pellicle film layer in which tensile stress remains, and the pellicle film layer and the substrate, and the compressive stress is a stack comprising at least one residual compressive stress layer of a remaining first residual compressive stress layer and a second residual compressive stress layer formed on the pellicle film layer and having a compressive stress remaining; b) patterning the substrate; c) removing the second residual compressive stress layer, removing the central portion of the first residual compressive stress layer, or removing the central portion of the second residual compressive stress layer and the first residual compressive stress layer; It provides a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, including exposing the pellicle film layer.
또한, 상기 스택은 제2 잔류 압축 응력 층을 포함하며, 상기 b) 단계는, b-1) 상기 스택의 상기 기판 층 표면이 노출되지 않도록, 상기 기판을 1차 패터닝하는 단계와, b-2) 상기 스택의 상기 기판 층 표면이 노출되도록, 상기 기판을 2차 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 c) 단계는, 상기 b-1) 단계와 상기 b-2) 단계 사이에 상기 제2 잔류 압축 응력 층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the stack includes a second residual compressive stress layer, and step b) includes: b-1) first patterning the substrate so that the surface of the substrate layer of the stack is not exposed; b-2 ) secondarily patterning the substrate so that a surface of the substrate layer of the stack is exposed, wherein the step c) includes the second residual compression between the step b-1) and the step b-2) Provided is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, including removing the stress layer.
상기 a) 단계는, 기판에 상기 제1 잔류 압축 응력 층을 구성하는 제1 식각 저지층, 제1 식각 보호층, 펠리클 막 층, 상기 제2 잔류 압축 응력 층을 구성하는 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계이며, 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층 중에서 적어도 하나의 층에는 나머지 층들 중 적어도 하나의 층에 잔류하는 응력과 반대되는 응력이 잔류하고, 상기 펠리클 막 층에는 인장 응력이 잔류하도록, 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In the step a), a first etch stop layer constituting the first residual compressive stress layer, a first etch protection layer, a pellicle film layer, a second etch protection layer constituting the second residual compressive stress layer, and A step of sequentially forming a second etch stop layer, wherein at least one of the first etch stop layer, the first etch stop layer, the second etch stop layer, and the second etch stop layer has at least one of the remaining layers. The first etch stop layer, the first etch protection layer, the pellicle film layer, and the second etch protection layer, such that a stress opposite to the stress remaining in one layer remains, and a tensile stress remains in the pellicle film layer. Provided is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming a layer and the second etch stop layer.
또한, 본 발명은, 상기 a) 단계는, 상기 제1 식각 저지층과 상기 제1 식각 보호층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지며, 상기 제2 식각 저지층과 상기 제2 식각 보호층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지도록 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, in the present invention, in step a), the first etch stop layer and the first etch protection layer have residual stresses opposite to each other, and the second etch stop layer and the second etch protection layer are opposite to each other. A pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming the first etch-stop layer, the first etch-protection layer, the pellicle film layer, the second etch-stop layer, and the second etch-stop layer to have a residual stress Provides a manufacturing method of.
또한, 상기 a) 단계는, 상기 제1 식각 보호층과 상기 제2 식각 보호층이 잔류 압축 응력을 가지도록 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, in the step a), the first etch stop layer, the first etch protection layer, the pellicle film layer, and the second etch stop layer so that the first etch protection layer and the second etch protection layer have residual compressive stress. Provided is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming an etch protection layer and the second etch stop layer.
또한, 상기 a) 단계는, 상기 제1 식각 보호층과 상기 제2 식각 보호층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지며, 상기 제1 식각 저지층과 상기 제2 식각 저지층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지도록 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In step a), the first etch stop layer and the second etch stop layer have residual stresses opposite to each other, and the first etch stop layer and the second etch stop layer have residual stresses opposite to each other. A method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming the first etch stop layer, the first etch protective layer, the pellicle film layer, the second etch stop layer and the second etch stop layer to have to provide.
또한, 상기 a) 단계는, 상기 제1 식각 보호층과 상기 제2 식각 보호층이 상기 펠리클 막 층에 비해서 작은 잔류 인장 응력을 가지도록, 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, in step a), the first etch stop layer, the first etch protection layer, It provides a method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is the step of sequentially forming the pellicle film layer, the second etch protection layer, and the second etch stop layer.
또한, 상기 제1 식각 저지층과 제2 식각 저지층은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the first etch stop layer and the second etch stop layer provide a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a silicon compound containing at least one element selected from C, N, and O.
또한, 상기 제1 식각 보호층과 제2 식각 보호층은 다결정 실리콘(p-Si), SiO2, 비정질 실리콘(a-Si), SiN 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the first etch protection layer and the second etch protection layer are of the pellicle for extreme ultraviolet lithography including at least one material selected from polycrystalline silicon (p-Si), SiO 2 , amorphous silicon (a-Si), and SiN. A manufacturing method is provided.
또한, 상기 제1 잔류 압축 응력 층은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the first residual compressive stress layer is a silicon compound containing at least one element selected from C, N, and O, and provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
또한, 상기 제2 잔류 압축 응력 층은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the second residual compressive stress layer is a silicon compound containing at least one element selected from C, N, and O, and provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
또한, 상기 제2 잔류 압축 응력 층은 Ni, Cr, Mo 금속 또는 이들의 합금을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법을 제공한다.In addition, the second residual compressive stress layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography including Ni, Cr, Mo, or an alloy thereof.
또한, 상기 제2 잔류 압축 응력 층은 포토레지스트를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 제조방법을 제공한다.In addition, the second residual compressive stress layer provides a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography including a photoresist.
또한, 상기 b) 단계 전에 기판의 두께를 얇게 하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 제조방법을 제공한다.In addition, it provides a pellicle manufacturing method for extreme ultraviolet lithography comprising the step of thinning the thickness of the substrate before step b).
본 발명에 따르면 잔류 인장 응력을 가지는 펠리클 막을 구비한 펠리클을 용이하게 제조할 수 있다.According to the present invention, it is possible to easily manufacture a pellicle having a pellicle film having residual tensile stress.
도 1은 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 2 내지 4는 도 1의 각각의 단계를 설명하기 위한 도면들이다.
도 5와 6은 도 1의 각각의 단계를 설명하기 위한 도면들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.
도 8은 도 7의 기판에 제1 식각 저지층, 제1 식각 보호층, 펠리클 막 층, 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계의 순서도이다.
도 9는 도 7과 8의 각각의 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 기판에 형성된 제1 식각 저지층, 제1 식각 보호층, 펠리클 막 층, 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층의 잔류 응력을 나타낸 도면이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention.
2 to 4 are diagrams for explaining each step of FIG. 1 .
5 and 6 are diagrams for explaining each step of FIG. 1 .
7 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a flowchart of sequentially forming a first etch stop layer, a first etch stop layer, a pellicle film layer, a second etch stop layer, and a second etch stop layer on the substrate of FIG. 7 .
FIG. 9 is a diagram for explaining each step of FIGS. 7 and 8 .
10 is a view showing residual stress of a first etch stop layer, a first etch stop layer, a pellicle film layer, a second etch stop layer, and a second etch stop layer formed on a substrate.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numbers indicate like elements throughout the specification.
본 명세서에서 어떤 층이나 면 "위에" 형성 또는 도포된다는 것은 어떤 층이나 면의 바로 위에 형성되는 것을 지칭하거나, 어떤 층이나 면 상에 형성된 중간층 또는 중간층들 위에 형성되는 것을 지칭할 수 있다.In this specification, being formed or applied "on" a layer or surface may refer to being formed directly on a certain layer or surface, or may refer to being formed over an intermediate layer or intermediate layers formed on a certain layer or surface.
도 1은 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.1 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법은 기판에 스택을 형성하는 단계(S10), 기판을 패터닝하는 단계(S20), 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S30)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to the present invention includes forming a stack on a substrate (S10), patterning the substrate (S20), and exposing a pellicle film layer (S30). ).
이하, 도 2 내지 4를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.Hereinafter, each step will be described with reference to FIGS. 2 to 4 .
먼저, 기판에 스택을 형성하는 단계(S10)에 대해서 설명한다.First, the step of forming a stack on a substrate (S10) will be described.
기판(1)으로는 실리콘 기판을 사용할 수 있다. 필요한 경우에는 실리콘 기판에 다른 층들이 형성된 기판을 사용할 수도 있다.As the
스택은 인장 응력이 잔류하는 펠리클 막 층(4)과 펠리클 막 층(4)과 기판 사이에 형성되며 압축 응력이 잔류하는 제1 잔류 압축 응력 층(10)과, 펠리클 막 층(4) 위에 형성되며 압축 응력이 잔류하는 제2 잔류 압축 응력(20) 층 중에서 적어도 하나의 잔류 압축 응력 층을 포함한다.The stack is formed on the
도 2의 (a)는 기판(1)에 펠리클 막 층(4)과 제1 잔류 압축 응력 층(10)을 구비한 스택이 형성된 상태를 나타내며, 도 3의 (a)는 기판(1)에 펠리클 막 층(4)과 제2 잔류 압축 응력 층(20)을 구비한 스택이 형성된 상태를 나타내며, 도 4의 (a)는 기판(1)에 펠리클 막 층(4), 제1 잔류 압축 응력 층(10) 및 제2 잔류 압축 응력 층(20)을 구비한 스택이 형성된 상태를 나타낸다.2(a) shows a state in which a stack having a
펠리클 막 층(4)은 중심층과 중심층의 양쪽 면 또는 한쪽 면 위에 형성되는 보강층을 더 포함할 수 있다. 중심층이나 보강층은 단층으로 이루어질 수도 있으나, 복수의 서브 층들을 포함하는 것이 바람직하다.The
중심층은 Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N 중에서 선택된 원소 또는 선택된 원소들의 화합물을 포함할 수 있다.The central layer is an element selected from Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N or an element selected It may contain a compound of
또한, 중심층은 그래핀, CNT, 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the center layer may include at least one selected from graphene, CNT, graphite, graphene nanoplate, and carbon nanosheet.
또한, 중심층은 LaB6, B4C, MoC, Mo2C, BN, SiC, Si, MoS2, 금속 실리사이드(금속은 Zr, Ti, Nb, Mo, Ru 중에서 선택되는 금속임) 중에서 선택된 소재의 나노구조체를 포함할 수 있다.In addition, the center layer is a material selected from among LaB 6 , B 4 C, MoC, Mo 2 C, BN, SiC, Si, MoS 2 , metal silicide (the metal is a metal selected from Zr, Ti, Nb, Mo, and Ru) It may include a nanostructure of.
보강층은 Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 화합물 또는 산소(O)를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.The reinforcing layer is at least selected from Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N It may include a compound containing one element or a compound containing oxygen (O).
중심층과 보강층은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 이때, 공정조건을 조절하여 펠리클 막 층(4)에 잔류 인장 응력이 걸리도록 한다.The center layer and the reinforcing layer may be formed by depositing through a CVD or PVD process, such as a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a sputtering process. At this time, the residual tensile stress is applied to the
제1 잔류 압축 응력 층(10) 및 제2 잔류 압축 응력 층(20)은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물일 수 있다. 또한, 다결정 실리콘(p-Si), SiO2, 비정질 실리콘(a-Si), SiN 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함할 수 있다. 또한, 포토레지스트를 포함할 수 있다. 또한, Ni, Cr, Mo 등의 금속 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 제1 잔류 압축 응력 층(10) 및 제2 잔류 압축 응력 층(20)은 복수의 층으로 이루어질 수 있다.The first residual
제1 잔류 압축 응력 층(10) 및 제2 잔류 압축 응력 층(20)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 등의 증착 공정 또는 스핀 코팅 공정 등의 방법으로 형성할 수 있다.The first residual
이때, CVD 공정이나 PVD 공정의 공정 변수를 조절하여, 제1 잔류 압축 응력 층(10) 및 제2 잔류 압축 응력 층(20)에 압축 인장 응력이 잔류하도록 할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 공정을 사용할 경우, 스퍼터링 타겟에 인가되는 전력, 아르곤 가스 주입량, 기판 온도, 증착 두께 등을 조절하여 제1 잔류 압축 응력 층(10) 및 제2 잔류 압축 응력 층(20)에 잔류 압축 응력이 형성되도록 할 수 있다.In this case, by adjusting process parameters of the CVD process or the PVD process, compressive tensile stress may remain in the first residual
제1 잔류 압축 응력 층(10) 및 제2 잔류 압축 응력 층(20)이 복수의 층으로 이루어진 경우에는 전체 응력이 잔류 압축 응력이 되도록 형성한다. When the first residual
다음, 기판을 패터닝하는 단계(S20)에 대해서 설명한다.Next, the patterning of the substrate (S20) will be described.
도 2의 (b), 도 3의 (b), 도 4의 (b)는 기판(1)이 패터닝된 상태를 나타낸다.2(b), 3(b), and 4(b) show a state in which the
본 단계에서는 기판(1)의 윈도우 영역(중심 영역)을 습식 에칭이나 건식 에칭 방법으로 제거하여, 스택의 기판(1) 측 표면을 노출시킨다. 남아 있는 기판(7)은 펠리클 프레임 또는 별도의 펠리클 프레임과 결합되는 보더가 된다.In this step, the window region (central region) of the
본 단계는, 예를 들어, 기판(1)의 펠리클 막 층(4)이 형성된 면의 반대 면에 에칭액에 의해서 에칭되지 않는 식각 마스크 층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 마스크로 식각 마스크 층을 건식 에칭하여, 식각 마스크 패턴을 형성하고, 이 식각 마스크 패턴을 마스크로 기판(1)을 에칭하는 등의 종래의 방법으로 진행될 수 있다.In this step, for example, forming an etching mask layer that is not etched by the etchant on the surface opposite to the surface of the
식각 마스크 층으로는 실리콘을 포함하는 화합물, 예를 들어, SixNy, SixCy, SiOx 등이 사용될 수 있다.A compound containing silicon, such as Si x N y , Si x C y , SiO x , or the like, may be used as the etch mask layer.
또한, 본 단계에서 식각 마스크 층으로 포토레지스트를 사용할 수도 있다. 포토레지스트를 식각 마스크 층으로 사용하면, 추가로 식각 마스크 층을 형성하지 않고 포토레지스트를 패턴을 마스크로 기판을 에칭할 수 있다.In addition, a photoresist may be used as an etching mask layer in this step. If the photoresist is used as an etch mask layer, the substrate can be etched using the photoresist as a pattern mask without forming an additional etch mask layer.
또한, 기판을 패터닝하는 단계(S20) 전에 기판을 전체적으로 얇게 하는 공정이 포함될 수 있다.In addition, a process of thinning the substrate as a whole may be included before the patterning of the substrate (S20).
다음, 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S30)에 대해서 설명한다.Next, the step of exposing the pellicle film layer (S30) will be described.
본 단계에서는, 도 2의 (c)와 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 패터닝된 기판(7)을 마스크로 제1 잔류 압축 응력 층(10)을 습식 또는 건식 에칭한다. 그러면 제1 잔류 압축 응력 층(10)의 둘레부분(15)만 남고 중심부가 제거된다.In this step, as shown in (c) of FIG. 2 and (c) of FIG. 3 , the first residual
그리고 도 3의 (c)와 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 동시 또는 따로 제2 잔류 압축 응력 층(20)을 습식 또는 건식 에칭한다.Then, as shown in (c) of FIG. 3 and (c) of FIG. 4 , the second residual
이하, 도 5와 6을 참고하여, 기판을 패터닝하는 단계(S20), 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S30)를 진행하는 다른 방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 5 and 6, another method of proceeding with the step of patterning the substrate (S20) and the step of exposing the pellicle film layer (S30) will be described.
도 5와 6에 도시된 실시예들은 제2 잔류 압축 응력 층(20)을 포함한다.The embodiments shown in FIGS. 5 and 6 include a second residual
도 5와 6에 도시된 실시예들에서는 기판(1)을 패터닝하는 단계(S20)가 스택의 기판(1) 측 표면이 노출되지 않도록, 기판(1)을 1차 패터닝하는 단계(도 5의 (b), 도 6의 (b) 참조)와, 스택의 기판(1) 측 표면이 노출되도록, 기판(1)을 2차 패터닝하는 단계(도 5의 (d), 도 6의 (d) 참조)를 포함한다는 점에서, 도 2 내지 4에 도시된 실시예들과 차이가 있다.In the embodiments shown in FIGS. 5 and 6, the step of patterning the substrate 1 (S20) is the step of first patterning the
이 실시예들에서는 기판(1)을 1차 패터닝하는 단계와, 기판을 2차 패터닝하는 단계 사이에 제2 잔류 압축 응력 층(20)을 제거하는 단계(도 5의 (c), e도 6의 (c) 참조)가 진행된다는 점에서 도 2 내지 4에 도시된 실시예들과 차이가 있다. In these embodiments, the step of removing the second residual
본 실시예들은 제2 잔류 압축 응력 층(20)을 제거하는 과정에서 남아 있는 기판(11)이 펠리클 막 층(4)을 지지하기 때문에 펠리클 막 층(4)이 손상되는 것을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.The present embodiments have the advantage that damage to the
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법의 순서도이다.7 is a flowchart of a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to another embodiment of the present invention.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 일실시예에 따른 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법은, 기판에 제1 식각 저지층, 제1 식각 보호층, 펠리클 막 층, 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계(S1)와, 기판을 패터닝하는 단계(S2)와, 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층을 제거하고, 제1 식각 보호층 및 제1 식각 저지층의 일부를 제거하여 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S3)를 포함한다.As shown in FIG. 7, in the method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention, a first etch stop layer, a first etch protection layer, a pellicle film layer, a second etch protection layer and Sequentially forming a second etch stop layer (S1), patterning the substrate (S2), removing the second etch stop layer and the second etch stop layer, and then removing the first etch stop layer and the first etch stop layer. A step (S3) of exposing the pellicle membrane layer by removing a portion of the blocking layer is included.
이하, 도 8과 9를 참고하여, 각각의 단계에 대해서 설명한다.Hereinafter, each step will be described with reference to FIGS. 8 and 9 .
도 8은 도 7의 기판에 제1 식각 저지층, 제1 식각 보호층, 펠리클 막 층, 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계(S1)의 순서도이다.FIG. 8 is a flowchart of sequentially forming a first etch stop layer, a first etch stop layer, a pellicle film layer, a second etch stop layer, and a second etch stop layer on the substrate of FIG. 7 ( S1 ).
도 8에 도시된 바와 같이, 본 단계는 기판에 제1 식각 저지층을 형성하는 단계(S11)로 시작된다. 도 9의 (a)는 기판(1) 위에 제1 식각 저지층(2)이 형성된 상태를 나타낸다.As shown in FIG. 8 , this step begins with forming a first etch stop layer on the substrate (S11). (a) of FIG. 9 shows a state in which the first
기판(1)으로는 실리콘 기판을 사용할 수 있다. 필요한 경우에는 실리콘 기판에 다른 층들이 형성된 기판을 사용할 수도 있다.As the
제1 식각 저지층(2)은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물일 수 있다. 제1 식각 저지층(2)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다.The first
이때, CVD 공정이나 PVD 공정의 공정 변수를 조절하여, 제1 식각 저지층(2)에 압축 또는 인장 응력이 잔류하도록 할 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링 공정을 사용할 경우, 스퍼터링 타겟에 인가되는 전력, 아르곤 가스 주입량, 기판 온도, 증착 두께 등을 조절하여 제1 식각 저지층(2)에 잔류 응력이 형성되도록 할 수 있다.In this case, by adjusting process parameters of the CVD process or the PVD process, compressive or tensile stress may remain in the first
다음, 도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 식각 저지층 위에 제1 식각 보호층을 형성한다(S12).Next, as shown in (b) of FIG. 9, a first etch protection layer is formed on the first etch stop layer (S12).
제1 식각 보호층(3)은 다결정 실리콘(p-Si), SiO2, 비정질 실리콘(a-Si), SiN 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함할 수 있다. 제1 식각 보호층(3)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 이때, CVD 공정이나 PVD 공정의 공정 변수를 조절하여, 제1 식각 보호층(3)에 압축 또는 인장 응력이 잔류하도록 할 수 있다.The first
다음, 도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 식각 보호층 위에 펠리클 막 층을 형성한다(S13).Next, as shown in (c) of FIG. 9, a pellicle film layer is formed on the first etch protection layer (S13).
펠리클 막 층(4)은 중심층과 중심층의 양쪽 면 또는 한쪽 면 위에 형성되는 보강층을 더 포함할 수 있다. 중심층이나 보강층은 단층으로 이루어질 수도 있으나, 복수의 서브 층들을 포함하는 것이 바람직하다.The
중심층은 Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N 중에서 선택된 원소 또는 선택된 원소들의 화합물을 포함할 수 있다.The central layer is an element selected from Zr, La, Mo, Nb, Ce, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, B, P, C, S, N or an element selected It may contain a compound of
또한, 중심층은 그래핀, CNT, 흑연, 그래핀 나노플레이트, 카본 나노시트(Carbon nanosheet) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.In addition, the center layer may include at least one selected from graphene, CNT, graphite, graphene nanoplate, and carbon nanosheet.
또한, 중심층은 LaB6, B4C, MoC, Mo2C, BN, SiC, Si, MoS2, 금속 실리사이드(금속은 Zr, Ti, Nb, Mo, Ru 중에서 선택되는 금속임) 중에서 선택된 소재의 나노구조체를 포함할 수 있다.In addition, the center layer is a material selected from among LaB 6 , B 4 C, MoC, Mo 2 C, BN, SiC, Si, MoS 2 , metal silicide (the metal is a metal selected from Zr, Ti, Nb, Mo, and Ru) It may include a nanostructure of.
보강층은 Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 화합물 또는 산소(O)를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다.The reinforcing layer is at least selected from Mo, Ru, Zr, La, Nb, Nd, Y, U, Br, Ca, Pr, K, Sc, Be, Rb, Sr, Si, Ti, B, P, C, S, N It may include a compound containing one element or a compound containing oxygen (O).
중심층과 보강층은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 이때, 공정조건을 조절하여 펠리클 막 층(4)에 잔류 인장 응력이 걸리도록 한다.The center layer and the reinforcing layer may be formed by depositing through a CVD or PVD process, such as a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) process, an atomic layer deposition (ALD) process, or a sputtering process. At this time, the residual tensile stress is applied to the
다음, 도 9의 (d)에 도시된 바와 같이, 펠리클 막 층 위에 제2 식각 보호층을 형성한다(S14).Next, as shown in (d) of FIG. 9, a second etch protection layer is formed on the pellicle film layer (S14).
제2 식각 보호층(5)은 제1 식각 보호층(3)과 마찬가지로, 다결정 실리콘(p-Si), SiO2, 비정질 실리콘(a-Si), SiN 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함할 수 있다. 제2 식각 보호층(5)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 이때, CVD 공정이나 PVD 공정의 공정 변수를 조절하여, 제2 식각 보호층(5)에 압축 또는 인장 응력이 잔류하도록 할 수 있다.Like the first
다음, 도 9의 (e)에 도시된 바와 같이, 제2 식각 보호층 위에 제2 식각 저지층을 형성한다(S15).Next, as shown in (e) of FIG. 9, a second etch stop layer is formed on the second etch protection layer (S15).
제2 식각 저지층(6)은 제1 식각 저지층(2)과 마찬가지로, C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물일 수 있다. 제2 식각 저지층(6)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다. 이때, CVD 공정이나 PVD 공정의 공정 변수를 조절하여, 제2 식각 저지층(6)에 압축 또는 인장 응력이 잔류하도록 할 수 있다.Like the first etch-
상술한 기판(1)에 제1 식각 저지층(2), 제1 식각 보호층(3), 펠리클 막 층(4), 제2 식각 보호층(5) 및 제2 식각 저지층(6)을 순차적으로 형성하는 단계(S1)에서는 공정 조건을 조절하여 제1 식각 저지층(2), 제1 식각 보호층(3), 제2 식각 보호층(5) 및 제2 식각 저지층(6) 중에서 적어도 하나는 나머지 층들 중에서 적어도 하나에 잔류하는 응력과 반대되는 잔류 응력을 가지도록 조절한다.The first
예를 들어, 제1 식각 저지층(2)과 제1 식각 보호층(3)이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지며, 제2 식각 저지층(6)과 제2 식각 보호층(5)이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지도록 할 수 있다. 예를 들어, 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)이 잔류 압축 응력을 가지고, 제1 식각 저지층(2)과 제2 식각 저지층(6)이 잔류 인장 응력을 가지도록 할 수 있다.For example, the first
또한, 제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지며, 제1 식각 저지층(2)과 제2 식각 저지층(6)이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지도록 할 수도 있다. 예를 들어, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 식각 저지층(2)과 제1 식각 보호층(3)은 잔류 인장 응력을 가지며, 제2 식각 저지층(6)과 제2 식각 보호층(5)은 잔류 압축 응력을 가지도록 할 수 있다.In addition, the first
또한, 제1 식각 저지층(2), 제1 식각 보호층(3), 제2 식각 보호층(5) 및 제2 식각 저지층(6) 중에서 적어도 하나의 층이 펠리클 막 층(4)에 비해서 작은 잔류 인장 응력을 가지도록 할 수도 있다. 예를 들어, 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)이 펠리클 막 층(4)에 비해서 작은 잔류 인장 응력을 가지며, 제1 식각 저지층(2)과 제2 식각 저지층(6)은 잔류 압축 응력을 가지도록 할 수도 있다.In addition, at least one layer of the first
다음, 기판을 패터닝하는 단계(S2)에 대해서 설명한다. 도 9의 (f)는 기판(1)이 패터닝된 상태를 나타낸다. Next, the step (S2) of patterning the substrate will be described. 9(f) shows a state in which the
본 단계에서는 기판(1)의 윈도우 영역(중심 영역)을 습식 에칭이나 건식 에칭 방법으로 제거하여, 제1 식각 저지층(2)의 기판(1) 측 표면을 노출시킨다. 남아 있는 기판(7)은 펠리클 프레임 또는 별도의 펠리클 프레임과 결합되는 보더가 된다.In this step, the window region (central region) of the
본 단계는, 예를 들어, 기판(1)의 펠리클 막 층(4)이 형성된 면의 반대 면에 에칭액에 의해서 에칭되지 않는 식각 마스크 층을 형성하고, 포토레지스트 패턴을 마스크로 식각 마스크 층을 건식 에칭하여, 식각 마스크 패턴을 형성하고, 이 식각 마스크 패턴을 마스크로 기판(1)을 에칭하는 등의 종래의 방법으로 진행될 수 있다.In this step, for example, forming an etching mask layer that is not etched by the etchant on the surface opposite to the surface of the
식각 마스크 층으로는 실리콘을 포함하는 화합물, 예를 들어, SixNy, SixCy, SiOx 등이 사용될 수 있다.A compound containing silicon, such as Si x N y , Si x C y , SiO x , or the like, may be used as the etch mask layer.
또한, 본 단계에서 식각 마스크 층으로 포토레지스트를 사용할 수도 있다. 포토레지스트를 식각 마스크 층으로 사용하면, 추가로 식각 마스크 층을 형성하지 않고 포토레지스트를 패턴을 마스크로 기판을 에칭할 수 있다.In addition, a photoresist may be used as an etching mask layer in this step. If the photoresist is used as an etch mask layer, the substrate can be etched using the photoresist as a pattern mask without forming an additional etch mask layer.
또한, 기판을 패터닝하는 단계(S2) 전에 기판을 전체적으로 얇게 하는 공정이 포함될 수 있다. In addition, a process of thinning the substrate as a whole may be included before the patterning of the substrate (S2).
다음, 도 9의 (g)에 도시된 바와 같이, 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층을 제거하고, 제1 식각 보호층 및 제1 식각 저지층의 일부를 제거하여 펠리클 막 층을 노출시키는 단계(S3)에 대해서 설명한다.Next, as shown in (g) of FIG. 9 , the second etch protection layer and the second etch stop layer are removed, and portions of the first etch protection layer and the first etch stop layer are removed to expose the pellicle film layer. The step (S3) of making is described.
본 단계에서는, 먼저, 패터닝된 기판(7)을 마스크로 제1 식각 저지층(2)을 습식 또는 건식 에칭한다. 습식 에칭은 불화수소(HF), BOE(Buffered Oxide Etch), 인산(H3PO4) 등의 에칭액을 사용하여 진행할 수 있다.In this step, first, the first
건식 에칭은 육불화황(SF6), 사불화탄소(CF4), 브로민화수소(HBr), 염소(Cl2), 삼불화질소(NF3), 불화수소(HF), 사불화실리콘(SiF4), 헥사플로오로에탄(C2F6), 플루오로포롬(CHF3), 산소(O2) 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용하여 진행할 수 있다.Dry etching is sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), hydrogen bromide (HBr), chlorine (Cl 2 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), hydrogen fluoride (HF), silicon tetrafluoride (SiF 4 ), hexafluoroethane (C 2 F 6 ), fluoroform (CHF 3 ), and oxygen (O 2 ).
제2 식각 저지층(6)도 동시에 동일한 습식 에칭액 또는 에칭 가스를 이용하여 제거할 수 있다.The second
다음, 패터닝된 기판(7)과 제1 식각 저지층(8)을 마스크로 제1 식각 보호층(3)을 습식 또는 건식 에칭하여, 패터닝된(중심부가 제거된) 제1 식각 보호층(9)을 형성한다. 습식 에칭은 불화수소(HF), BOE(Buffered Oxide Etch), 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), HNA(HF, HNO3, CH3COOH 혼합용액), 에틸렌디아민-피로카테콜(EDP) 또는 수산화테트라메틸암모늄(TMAH, Tetramethylammoniumhydroxide) 등의 에칭액을 사용하여 진행할 수 있다.Next, the first
제2 식각 보호층(5)도 동시에 동일한 습식 에칭액 또는 에칭 가스를 이용하여 제거할 수 있다.The second
제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)을 펠리클 막 층(4)의 양면에 형성하면, 제1 식각 저지층(2)과 제2 식각 저지층(6)의 에칭 과정에서는 제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)이 펠리클 막 층(4)을 에칭액으로부터 보호할 수 있다.When the first
제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)은 제1 식각 저지층(2)과 제2 식각 저지층(6)에 비해서 용이하게 제거할 수 있다. 따라서 제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)을 제거하는 과정에서 펠리클 막 층(4)의 중심층을 보호하기 위한 보강층이 에칭액에 의해서 손상되지 않는다.The first
그러므로 제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)을 형성하진 않는 경우에 비해서 보강층의 두께를 얇게 할 수 있다는 장점이 있다. 보강층은 극자외선 투과율이 중심층에 비해서 낮기 때문에, 보강층이 두꺼워지면 펠리클 막의 극자외선 투과율을 떨어진다. 따라서 보강층은 가능하면 얇은 것이 바람직하다. 본 발명에서는 용이하게 에칭할 수 있는 제1 식각 보호층(3)과 제2 식각 보호층(5)을 사용함으로써, 보강층의 두께를 얇게 할 수 있다.Therefore, compared to the case where the first
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
1: 기판
2: 제1 식각 저지층
3: 제1 식각 보호층
4: 펠리클 막 층
5: 제2 식각 보호층
6: 제2 식각 저지층
10: 제1 잔류 압축 응력 층
20: 제2 잔류 압축 응력 층1: substrate
2: first etch stop layer
3: first etch protection layer
4: pellicle membrane layer
5: second etch protection layer
6: second etch stop layer
10: first residual compressive stress layer
20: second residual compressive stress layer
Claims (15)
상기 스택은,
인장 응력이 잔류하는 펠리클 막 층과,
상기 펠리클 막 층과 상기 기판 사이에 형성되며 압축 응력이 잔류하는 제1 잔류 압축 응력 층과, 상기 펠리클 막 층 위에 형성되며 압축 응력이 잔류하는 제2 잔류 압축 응력 층 중에서 적어도 하나의 잔류 압축 응력 층을 포함하는 스택인 단계와,
b) 상기 기판을 패터닝하는 단계와,
c) 상기 제2 잔류 압축 응력 층을 제거하거나, 상기 제1 잔류 압축 응력 층의 중심부를 제거하거나, 상기 제2 잔류 압축 응력 층과 상기 제1 잔류 압축 응력 층의 중심부를 제거하여 상기 펠리클 막 층을 노출시키는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.a) forming a stack on a substrate,
The stack is
A pellicle film layer in which tensile stress remains;
At least one residual compressive stress layer of a first residual compressive stress layer formed between the pellicle film layer and the substrate and having compressive stress remaining, and a second residual compressive stress layer formed on the pellicle film layer and having compressive stress remaining. A step of being a stack including;
b) patterning the substrate;
c) removing the second residual compressive stress layer, removing the central portion of the first residual compressive stress layer, or removing the central portion of the second residual compressive stress layer and the first residual compressive stress layer to remove the pellicle film layer; A method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising the step of exposing.
상기 스택은 제2 잔류 압축 응력 층을 포함하며,
상기 b) 단계는,
b-1) 상기 스택의 상기 기판 측 표면이 노출되지 않도록, 상기 기판을 1차 패터닝하는 단계와,
b-2) 상기 스택의 상기 기판 측 표면이 노출되도록, 상기 기판을 2차 패터닝하는 단계를 포함하며,
상기 c) 단계는,
상기 b-1) 단계와 상기 b-2) 단계 사이에 상기 제2 잔류 압축 응력 층을 제거하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
the stack includes a second residual compressive stress layer;
In step b),
b-1) firstly patterning the substrate so that the substrate-side surface of the stack is not exposed;
b-2) secondarily patterning the substrate so that the substrate-side surface of the stack is exposed;
In step c),
A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising the step of removing the second residual compressive stress layer between steps b-1) and steps b-2).
상기 a) 단계는,
기판에 상기 제1 잔류 압축 응력 층을 구성하는 제1 식각 저지층, 제1 식각 보호층, 펠리클 막 층, 상기 제2 잔류 압축 응력 층을 구성하는 제2 식각 보호층 및 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계로서,
상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층 중에서 적어도 하나의 층에는 나머지 층들 중 적어도 하나의 층에 잔류하는 응력과 반대되는 응력이 잔류하고,
상기 펠리클 막 층에는 인장 응력이 잔류하도록,
상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
In step a),
A first etch stop layer constituting the first residual compressive stress layer, a first etch protection layer, a pellicle film layer, a second etch stop layer constituting the second residual compressive stress layer, and a second etch stop layer constituting the first residual compressive stress layer on the substrate As a sequential formation step,
A stress opposite to the stress remaining in at least one of the other layers remains in at least one of the first etch stop layer, the first etch stop layer, the second etch stop layer, and the second etch stop layer. do,
So that tensile stress remains in the pellicle film layer,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising sequentially forming the first etch stop layer, the first etch stop layer, the pellicle film layer, the second etch stop layer, and the second etch stop layer.
상기 a) 단계는,
상기 제1 식각 저지층과 상기 제1 식각 보호층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지며,
상기 제2 식각 저지층과 상기 제2 식각 보호층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지도록 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 3,
In step a),
The first etch stop layer and the first etch protection layer have residual stresses opposite to each other,
The first etch stop layer, the first etch stop layer, the pellicle film layer, the second etch stop layer, and the first etch stop layer so that the second etch stop layer and the second etch stop layer have residual stresses opposite to each other. 2 A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming an etch stop layer.
상기 a) 단계는,
상기 제1 식각 보호층과 상기 제2 식각 보호층이 잔류 압축 응력을 가지도록 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 3 or 4,
In step a),
The first etch-stop layer, the first etch-protection layer, the pellicle film layer, the second etch-protection layer, and the second etch so that the first etch-protection layer and the second etch-protection layer have residual compressive stress. A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming a blocking layer.
상기 a) 단계는,
상기 제1 식각 보호층과 상기 제2 식각 보호층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지며,
상기 제1 식각 저지층과 상기 제2 식각 저지층이 서로 반대되는 잔류 응력을 가지도록 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 3,
In step a),
The first etch protection layer and the second etch protection layer have residual stresses opposite to each other,
The first etch stop layer, the first etch stop layer, the pellicle film layer, the second etch stop layer, and the first etch stop layer so that the second etch stop layer has residual stress opposite to each other. 2 A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming an etch stop layer.
상기 a) 단계는,
상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층 중에서 적어도 하나의 층이 상기 펠리클 막 층에 비해서 작은 잔류 인장 응력을 가지도록, 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 3,
In step a),
At least one layer of the first etch stop layer, the first etch stop layer, the second etch stop layer, and the second etch stop layer has a smaller residual tensile stress than the pellicle film layer, the first etch stop layer A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, comprising sequentially forming an etch stop layer, the first etch protection layer, the pellicle film layer, the second etch protection layer, and the second etch stop layer.
상기 a) 단계는,
상기 제1 식각 보호층과 상기 제2 식각 보호층이 상기 펠리클 막 층에 비해서 작은 잔류 인장 응력을 가지도록, 상기 제1 식각 저지층, 상기 제1 식각 보호층, 상기 펠리클 막 층, 상기 제2 식각 보호층 및 상기 제2 식각 저지층을 순차적으로 형성하는 단계인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 7,
In step a),
The first etch-stop layer, the first etch-protection layer, the pellicle film layer, and the second etch-stop layer so that the first etch-stop layer and the second etch-protection layer have a smaller residual tensile stress than the pellicle film layer. A method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, which is a step of sequentially forming an etch protection layer and the second etch stop layer.
상기 제1 식각 저지층과 제2 식각 저지층은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 3,
The first etch stop layer and the second etch stop layer are silicon compounds containing at least one element selected from C, N, and O. Method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography.
상기 제1 식각 보호층과 제2 식각 보호층은 다결정 실리콘(p-Si), SiO2, 비정질 실리콘(a-Si), SiN 중에서 선택된 적어도 하나의 소재를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 3,
The first etch protection layer and the second etch protection layer are polycrystalline silicon (p-Si), SiO 2 , amorphous silicon (a-Si), manufacturing method of a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing at least one material selected from SiN .
상기 제1 잔류 압축 응력 층은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the first residual compressive stress layer is a silicon compound containing at least one element selected from C, N, and O.
상기 제2 잔류 압축 응력 층은 C, N, O 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물인 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography, wherein the second residual compressive stress layer is a silicon compound containing at least one element selected from C, N, and O.
상기 제2 잔류 압축 응력 층은 Ni, Cr, Mo 금속 또는 이들의 합금을 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법.According to claim 1,
The second residual compressive stress layer is a method of manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography containing Ni, Cr, Mo metal or an alloy thereof.
상기 제2 잔류 압축 응력 층은 포토레지스트를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 제조방법.According to claim 1,
The second residual compressive stress layer is a pellicle manufacturing method for extreme ultraviolet lithography comprising a photoresist.
상기 b) 단계 전에 기판의 두께를 얇게 하는 단계를 포함하는 극자외선 리소그라피용 펠리클 제조방법.According to claim 1,
A method for manufacturing a pellicle for extreme ultraviolet lithography comprising the step of thinning the substrate before step b).
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|---|---|---|---|---|
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| KR20160086024A (en) | 2015-01-09 | 2016-07-19 | 삼성전자주식회사 | Pellicle and method of manufacturing the same |
| KR20160094437A (en) | 2013-12-05 | 2016-08-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Apparatus and method for manufacturing a pellicle, and a pellicle |
| KR20190005911A (en) | 2016-06-28 | 2019-01-16 | 미쯔이가가꾸가부시끼가이샤 | Pellicle membrane, pellicle frame body, pellicle and manufacturing method thereof |
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090088396A (en) | 2006-11-10 | 2009-08-19 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | Euv pellicle with increased euv light transmittance |
| KR20090122114A (en) | 2008-05-22 | 2009-11-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Pellicle and method for producing pellicle |
| KR101303795B1 (en) | 2011-12-26 | 2013-09-04 | 주식회사 에프에스티 | EUV pellicle and manufacturing method of the same |
| KR20160094437A (en) | 2013-12-05 | 2016-08-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | Apparatus and method for manufacturing a pellicle, and a pellicle |
| KR101552940B1 (en) | 2013-12-17 | 2015-09-14 | 삼성전자주식회사 | Pellicle film for extreme ultraviolet lithography including graphite-containing thin film |
| KR20160086024A (en) | 2015-01-09 | 2016-07-19 | 삼성전자주식회사 | Pellicle and method of manufacturing the same |
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| KR102015437B1 (en) | 2016-08-24 | 2019-08-28 | (주)에스앤에스텍 | Pellicle for an Extreme Ultraviolet(EUV) Lithography and method for fabricating the same |
| KR101940791B1 (en) | 2017-05-19 | 2019-01-21 | 주식회사 에프에스티 | Manufacturing method of EUV pellicle using organic sacrifice substrate |
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