JP7317472B2 - Pellicle for photomask, reticle including the same, and method for manufacturing pellicle for photomask - Google Patents

Pellicle for photomask, reticle including the same, and method for manufacturing pellicle for photomask Download PDF

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Description

本発明は、フォトマスク用ペリクル、及びそれを含むレチクル、並びにフォトマスク用ペリクル製造方法に関する。 The present invention relates to a photomask pellicle, a reticle including the same, and a method of manufacturing a photomask pellicle.

フォトマスク用ペリクル(pellicle)は、光学的リソグラフィ(optical lithography)工程において、外部汚染物質(例えば、ほこり、レジストなど)からフォトマスクを保護するために、フォトマスク上にフィルム状に設けられる。かようなフォトマスク用ペリクルは、リソグラフィ工程に使用される光に対して、高い透過率を有さなければならず、放熱特性、強度、均一性、耐久性、安定性のような多様な側面の要求条件を満足する必要がある。半導体素子/電子回路の線幅が低減するにつれ、それを具現するために、リソグラフィ工程に使用される光の波長が短くなり、リソグラフィ工程に使用される光源により、それに適するペリクル材料を開発する必要がある。 A photomask pellicle is provided in the form of a film on a photomask to protect the photomask from external contaminants (eg, dust, resist, etc.) during an optical lithography process. Such a pellicle for a photomask should have a high transmittance for light used in a lithography process, and various aspects such as heat dissipation properties, strength, uniformity, durability, and stability are required. must meet the requirements of As the line width of semiconductor devices/electronic circuits decreases, the wavelength of the light used in the lithography process becomes shorter. There is

本発明が解決しようとする課題は、光リソグラフィ工程(optical lithography process)に使用される光源に適するペリクル物質を提供することである。
本発明が解決しようとする課題は、フォトマスクを外部の汚染から保護するフォトマスク用ペリクル、及びそれを含むレチクル、並びにかようなフォトマスク用ペリクルの製造方法を提供することである。
The problem to be solved by the present invention is to provide a pellicle material suitable for light sources used in optical lithography processes.
The problem to be solved by the present invention is to provide a photomask pellicle that protects a photomask from external contamination, a reticle including the same, and a method of manufacturing such a photomask pellicle.

一側面によるフォトマスク用ペリクルは、フォトマスクを保護するためのフォトマスク用ペリクル(pellicle)において、
基板と、前記基板上に設けられた金属触媒層と、前記金属触媒層上に設けられた、二次元(2D:two-dimensional)物質を含むペリクルメンブレン(pellicle membrane)と、を含む。
A photomask pellicle according to one aspect is a photomask pellicle for protecting a photomask,
A substrate, a metal catalyst layer provided on the substrate, and a pellicle membrane containing a two-dimensional (2D) material provided on the metal catalyst layer.

前記ペリクルメンブレンは、中央領域及びエッジ領域を有することができ、前記エッジ領域は、少なくとも部分的に前記中央領域を取り囲む。 The pellicle membrane can have a central region and an edge region, the edge region at least partially surrounding the central region.

前記基板及び前記金属触媒層は、集合的に、前記ペリクルメンブレンのエッジ領域を支持し、前記中央領域を支持しない。 The substrate and the metal catalyst layer collectively support the edge regions of the pellicle membrane and do not support the central region.

前記金属触媒層の厚みは、10nm~100μmでもある。 The thickness of the metal catalyst layer is also 10 nm to 100 μm.

前記金属触媒層の厚みは、10nm~10μmでもある。 The thickness of the metal catalyst layer is also between 10 nm and 10 μm.

前記ペリクルは、前記基板と前記金属触媒層との間に設けられたバリア層をさらに含んでもよい。 The pellicle may further include a barrier layer provided between the substrate and the metal catalyst layer.

前記バリア層は、SiO、Si、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含んでもよい。 The barrier layer may include at least one of SiO2 , Si3N4 , TiN and TaN .

前記2D物質は、h-BN、ケイ素(Si)、リン(P)、ホウ素(B)及びグラフェン(graphene)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 The 2D material may include at least one of h-BN, silicon (Si), phosphorus (P), boron (B), and graphene.

前記ペリクルメンブレンの厚みは、5nm~50nmでもある。 The thickness of the pellicle membrane is also between 5 nm and 50 nm.

前記金属触媒層は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 The metal catalyst layer includes platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium (Pd) and ruthenium (Ru). may include at least one of

前記ペリクルメンブレンの光透過度は、80%以上でもある。 The light transmittance of the pellicle membrane is also above 80%.

前記金属触媒層及び前記基板を合わせた高さは、1mm~10mmでもある。 The combined height of the metal catalyst layer and the substrate is also 1 mm to 10 mm.

前記ペリクルメンブレンの少なくとも一面に設けられる保護膜をさらに含んでもよい。 A protective film may be provided on at least one surface of the pellicle membrane.

前記保護膜は、炭素系の物質、遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、ケイ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、ホウ素(B)及び窒化ケイ素(SiN)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 The protective film is a carbon-based material, transition metal dichalcogenide (TMD), ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), silicon (Si), zirconium (Zr), boron (B), and silicon nitride (SiN). At least one may be included.

一側面によるフォトマスク用ペリクルの製造方法は、フォトマスクを保護するためのフォトマスク用ペリクル(pellicle)の製造方法において、
基板上に金属触媒層を形成する段階と、前記金属触媒層上にペリクルメンブレン(pellicle membrane)を形成する段階と、前記ペリクルメンブレンの中央領域を支持する前記基板、及び前記金属触媒層の内側領域をエッチングする段階と、を含む。
A method for manufacturing a pellicle for a photomask according to one aspect is a method for manufacturing a pellicle for a photomask for protecting a photomask, comprising:
forming a metal catalyst layer on a substrate; forming a pellicle membrane on the metal catalyst layer; the substrate supporting a central region of the pellicle membrane; and an inner region of the metal catalyst layer. and etching.

前記ペリクルメンブレンは、二次元(2D)物質を含んでもよい。前記ペリクルメンブレンは、中央領域及びエッジ領域を含み、前記エッジ領域は、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲む。 The pellicle membrane may comprise a two-dimensional (2D) material. The pellicle membrane includes a central region and an edge region, the edge region at least partially surrounding the central region.

前記基板及び前記金属触媒層は、集合的に、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持しない。 The substrate and the metal catalyst layer collectively support the edge regions of the pellicle membrane and do not support the central region.

前記基板上にバリア層を形成する段階をさらに含んでもよい。 The method may further include forming a barrier layer on the substrate.

前記ペリクルメンブレンの少なくとも一面に保護膜を形成する段階をさらに含んでもよい。 The method may further include forming a protective layer on at least one surface of the pellicle membrane.

前記ペリクルメンブレンは、前記金属触媒層上に直接形成される。 The pellicle membrane is directly formed on the metal catalyst layer.

前記基板及び前記金属触媒層をエッチングする段階は、機械的エッチング、乾式エッチング及び湿式エッチングのうち少なくともいずれか一つの方法によって遂行される。 Etching the substrate and the metal catalyst layer may be performed by at least one of mechanical etching, dry etching, and wet etching.

他の側面によるフォトマスク用ペリクルの製造方法は、フォトマスクを保護するためのフォトマスク用ペリクル(pellicle)の製造方法において、
基板上にバリア層を形成する段階と、前記バリア層上に金属触媒層を形成する段階と、前記金属触媒層と前記バリア層との間に2D物質を含むペリクルメンブレン(pellicle membrane)を形成する段階と、前記金属触媒層を除去する段階と、前記ペリクルメンブレンの中央部分を支持する前記基板及び前記バリア層の内側領域をエッチングする段階と、を含む。
Another aspect of a method for manufacturing a pellicle for a photomask is a method for manufacturing a pellicle for a photomask for protecting a photomask, comprising:
forming a barrier layer on a substrate; forming a metal catalyst layer on the barrier layer; and forming a pellicle membrane containing a 2D material between the metal catalyst layer and the barrier layer. removing the metal catalyst layer; and etching inner regions of the substrate and the barrier layer supporting a central portion of the pellicle membrane.

前記ペリクルメンブレンは、中央領域及びエッジ領域を含み、前記エッジ領域は、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲む。 The pellicle membrane includes a central region and an edge region, the edge region at least partially surrounding the central region.

前記基板と前記バリア層は、集合的に、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持しない。 The substrate and the barrier layer collectively support the edge regions of the pellicle membrane and do not support the central region.

前記ペリクルメンブレンの少なくとも一面に保護膜を形成する段階をさらに含んでもよい。 The method may further include forming a protective layer on at least one surface of the pellicle membrane.

前記金属触媒層を除去する段階、並びに前記基板及び前記バリア層をエッチングする段階は、機械的エッチング、乾式エッチング及び湿式エッチングのうち少なくともいずれか一つの方法によっても遂行される。 Removing the metal catalyst layer and etching the substrate and the barrier layer may be performed by at least one of mechanical etching, dry etching, and wet etching.

一側面によるレチクル(reticle)は、マスクパターンを含むフォトマスクと、ペリクルと、を含む。 A reticle according to one aspect includes a photomask containing a mask pattern and a pellicle.

前記ペリクルは、基板、前記基板上に設けられ、前記マスクパターンを取り囲む金属触媒層、及び二次元(2D)物質を含むペリクルメンブレン(pellicle membrane)を含んでもよい。前記ペリクルメンブレンは、中央領域及びエッジ領域を含み、前記エッジ領域は、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲むことができる。前記エッジ領域は、前記基板及び前記金属触媒層によって支持され、前記中央領域は、前記基板及び前記金属触媒層によって支持されない。 The pellicle may include a substrate, a metal catalyst layer provided on the substrate and surrounding the mask pattern, and a pellicle membrane including a two-dimensional (2D) material. The pellicle membrane may include a central region and an edge region, the edge region at least partially surrounding the central region. The edge region is supported by the substrate and the metal catalyst layer, and the central region is unsupported by the substrate and the metal catalyst layer.

前記フォトマスクは、前記ペリクルメンブレンと1mm~10mm離隔されている。 The photomask is separated from the pellicle membrane by 1 mm to 10 mm.

前記金属触媒層の厚みは、10nm~100μmでもある。 The thickness of the metal catalyst layer is also 10 nm to 100 μm.

前記金属触媒層の厚みは、10nm~10μmでもある。 The thickness of the metal catalyst layer is also between 10 nm and 10 μm.

前記基板と前記金属触媒層との間に設けられたバリア層を含んでもよい。 A barrier layer may be provided between the substrate and the metal catalyst layer.

前記バリア層は、SiO、Si、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含んでもよい。 The barrier layer may include at least one of SiO2 , Si3N4 , TiN and TaN .

前記2D物質は、h-BN、ケイ素(Si)、リン(P)、ホウ素(B)及びグラフェン(graphene)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 The 2D material may include at least one of h-BN, silicon (Si), phosphorus (P), boron (B), and graphene.

前記ペリクルメンブレンの厚みは、5nm~50nmでもある。 The thickness of the pellicle membrane is also between 5 nm and 50 nm.

前記金属触媒層は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 The metal catalyst layer includes platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium (Pd) and ruthenium (Ru). may include at least one of

前記ペリクルメンブレンの光透過度は、80%以上でもある。 The light transmittance of the pellicle membrane is also above 80%.

前記ペリクルメンブレンの少なくとも一面に設けられる保護膜をさらに含んでもよい。 A protective film may be provided on at least one surface of the pellicle membrane.

前記保護膜は、炭素系物質、遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、ケイ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、ホウ素(B)及び窒化ケイ素(SiN)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 The protective film includes at least carbon-based material, transition metal dichalcogenide (TMD), ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), silicon (Si), zirconium (Zr), boron (B), and silicon nitride (SiN). may contain one.

一側面によるフォトマスク保護用ペリクルは、金属触媒層と、前記金属触媒層上に設けられたペリクルメンブレンと、を含む。前記ペリクルメンブレンは、二次元(2D)物質を含み、中央領域及びエッジ領域を有することができる。前記エッジ領域は、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲むことができる。前記金属触媒層は、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持しない。 According to one aspect, a pellicle for photomask protection includes a metal catalyst layer and a pellicle membrane overlying the metal catalyst layer. The pellicle membrane may include a two-dimensional (2D) material and have a central region and edge regions. The edge region can at least partially surround the central region. The metal catalyst layer supports the edge regions of the pellicle membrane and does not support the central region.

前記ペリクルは、基板をさらに含み、このとき、前記金属触媒層は、前記基板上にあり、前記基板及び前記金属触媒層は、集合的に、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持しない。 The pellicle further includes a substrate, wherein the metal catalyst layer is on the substrate, the substrate and the metal catalyst layer collectively supporting the edge regions of the pellicle membrane and the central Do not support territory.

前記ペリクルは、前記基板と前記金属触媒層との間にバリア層をさらに含んでもよい。 The pellicle may further include a barrier layer between the substrate and the metal catalyst layer.

一側面によるフォトマスク保護用ペリクルの製造方法は、金属触媒層上にペリクルメンブレンを形成する段階を含む。前記ペリクルメンブレンは、二次元(2D)物質を含んでもよい。前記ペリクルメンブレンは、中央領域及びエッジ領域を含んでもよい。前記エッジ領域は、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲むことができる。前記方法は、前記ペリクルメンブレンの前記中央領域を支持する前記金属触媒層の少なくとも内側領域をエッチングする段階をさらに含んでもよい。従って、前記金属触媒層は、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持しない。 According to one aspect, a method of manufacturing a pellicle for photomask protection includes forming a pellicle membrane on a metal catalyst layer. The pellicle membrane may comprise a two-dimensional (2D) material. The pellicle membrane may include a central region and edge regions. The edge region can at least partially surround the central region. The method may further comprise etching at least an inner region of the metal catalyst layer supporting the central region of the pellicle membrane. Thus, the metal catalyst layer supports the edge regions of the pellicle membrane and does not support the central region.

前記方法は、基板上に前記金属触媒層を形成する段階をさらに含んでもよい。このとき、前記エッチングする段階は、前記ペリクルメンブレンの前記中央領域を支持する前記基板、及び前記金属触媒層の内側領域をエッチングし、それにより、前記基板及び前記金属触媒層は、集合的に、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持しない。 The method may further comprise forming the metal catalyst layer on a substrate. The etching step then etches the substrate supporting the central region of the pellicle membrane and an inner region of the metal catalyst layer, whereby the substrate and the metal catalyst layer collectively: The edge regions of the pellicle membrane are supported and the central region is unsupported.

前記方法は、前記基板上にバリア層を形成する段階をさらに含んでもよい。 The method may further comprise forming a barrier layer on the substrate.

前記方法は、前記ペリクルメンブレンの少なくとも一つの表面上に、保護膜を形成する段階をさらに含んでもよい。 The method may further comprise forming a protective coating on at least one surface of the pellicle membrane.

前記ペリクルメンブレンを形成する段階は、前記金属触媒層の表面上に、直接前記ペリクルメンブレンを形成する段階を含んでもよい。 Forming the pellicle membrane may include forming the pellicle membrane directly on the surface of the metal catalyst layer.

本発明によれば、フォトマスクを外部の汚染源から保護するペリクルメンブレンは、一定時間以上極紫外線(EUV)領域の光への露出や、表面クリーニング工程などによっても損傷されない優秀な物理化学的耐久性を有することができる。 According to the present invention, the pellicle membrane, which protects the photomask from external contamination sources, has excellent physico-chemical durability that is not damaged by exposure to light in the extreme ultraviolet (EUV) region for a certain period of time or by surface cleaning processes. can have

また、2D物質を金属触媒層上で直接形成した後、金属触媒層を選択的に除去し、ペリクルメンブレン(pellicle membrane)を形成することにより、転写(transfer)過程を経ずに、ペリクルメンブレンを形成することができる。 In addition, after the 2D material is directly formed on the metal catalyst layer, the metal catalyst layer is selectively removed to form a pellicle membrane, thereby removing the pellicle membrane without a transfer process. can be formed.

また、該ペリクルメンブレン形成のために選択的に除去された金属触媒層及び基板などは、ペリクルメンブレンを支持するフレームとしても使用される。 Also, the metal catalyst layer and the substrate selectively removed for forming the pellicle membrane are also used as a frame for supporting the pellicle membrane.

また、ペリクルメンブレンの少なくとも一面に、保護膜を形成することにより、ペリクルメンブレンの耐久性をさらに向上させることができ、熱蓄積によって発生しうるペリクルメンブレンの変形を最小化させることができ、それにより、ペリクルの寿命を延長させることができる。 In addition, by forming a protective film on at least one surface of the pellicle membrane, the durability of the pellicle membrane can be further improved, and deformation of the pellicle membrane that can occur due to heat accumulation can be minimized. , the life of the pellicle can be extended.

例示的な実施形態による露光装置を概略的に図示した図面である。1 is a drawing schematically illustrating an exposure apparatus according to an exemplary embodiment; 一実施形態によるフォトマスク用ペリクルを図示した図面である。1 is a diagram illustrating a pellicle for a photomask according to one embodiment; 一実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to an embodiment; 一実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to an embodiment; 一実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to an embodiment; 一実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to an embodiment; 他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルを図示した図面である。FIG. 4 is a diagram illustrating a pellicle for a photomask according to another embodiment; FIG. 他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; 他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; 他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; 他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; 他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。3A to 3D are diagrams illustrating steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルを図示した図面である。FIG. 10 is a diagram illustrating a pellicle for a photomask according to another embodiment; FIG. さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。4A to 4D are diagrams illustrating a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。4A to 4D are diagrams illustrating a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。4A to 4D are diagrams illustrating a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。4A to 4D are diagrams illustrating a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。4A to 4D are diagrams illustrating a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した図面である。4A to 4D are diagrams illustrating a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した断面図である。5A to 5D are cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to still another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した断面図である。5A to 5D are cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to still another embodiment; さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示した断面図である。5A to 5D are cross-sectional views showing steps of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to still another embodiment;

以下では、添付した図面を参照し、当該技術分野で当業者が容易に実施することができるように、実施形態について詳細に説明する。しかし、具現される形態は、さまざまに多様であり、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。そして、図面において、説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて、類似した部分については、類似した図面符号を付した。 Embodiments are described in detail below with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement them. However, many different forms may be implemented and should not be limited to the embodiments set forth herein. In the drawings, parts that are not related to the description are omitted, and similar parts are given similar reference numerals throughout the specification.

明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、それは、特別に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含んでもよいということを意味する。 Throughout the specification, when a part "includes" a component, it does not exclude other components, and may further include other components, unless specifically stated to the contrary. That means.

図1は、例示的な実施形態による露光装置99を概略的に図示したものである。 FIG. 1 schematically depicts an exposure apparatus 99 according to an exemplary embodiment.

図1を参照すれば、露光装置99は、フォトリソグラフィ工程に使用されるもの、すなわち、フォトリソグラフィ工程を遂行することができるものであり、所定波長の光を利用し、基板70上に形成されたレジスト層(resist layer)80をパターニングすることができる。かような露光装置99は、所定波長の光を放出する光源90、光源90から放出された光を利用し、レジスト層80に露光作業を遂行するフォトマスク30、及びフォトマスク30を保護するためのペリクル(pellicle)60を含む。 Referring to FIG. 1, an exposure device 99 is used for a photolithography process, that is, it can perform a photolithography process, and uses light of a predetermined wavelength to form an image on a substrate 70 . A resist layer 80 may be patterned. The exposure apparatus 99 includes a light source 90 emitting light of a predetermined wavelength, a photomask 30 for exposing the resist layer 80 using the light emitted from the light source 90, and a photomask 30 for protecting the photomask 30. pellicle 60 of.

光源90は、レジスト層80に微細パターンを形成するための短波長領域の光を放出することができる。具体的には、光源90は、およそ13.3nm波長を有する極紫外線(EUV)領域の光を放出することができる。 The light source 90 can emit light in a short wavelength region for forming fine patterns on the resist layer 80 . Specifically, the light source 90 may emit light in the extreme ultraviolet (EUV) region having a wavelength of approximately 13.3 nm.

光源90から放出された極紫外線(EUV)領域の光は、レチクル95に入射される。ここで、レチクル95とは、フォトマスク30とペリクル60とが結合された構造物を意味する。一方、図面には図示されていないが、光源90とレチクル95との間の光経路上には、例えば、光源90から放出された極紫外線(EUV)領域の光をレチクル95に均一に入射させるために、コリメーティングレンズ(collimating lens)のような光学系がさらに設けられてもよい。 Light in the extreme ultraviolet (EUV) region emitted from the light source 90 is incident on the reticle 95 . Here, the reticle 95 means a structure in which the photomask 30 and the pellicle 60 are combined. On the other hand, although not shown in the drawing, on the optical path between the light source 90 and the reticle 95, for example, light in the extreme ultraviolet (EUV) region emitted from the light source 90 is uniformly incident on the reticle 95. For this purpose, further optics such as a collimating lens may be provided.

フォトマスク30は、光源90から放出された極紫外線(EUV)領域の光を利用し、基板70上に形成されたレジスト層80に露光作業を遂行することができる。フォトマスク30は、マスク基板20、及びマスク基板20の一面に所定形態に設けられたマスクパターン10を含んでもよい。また、ペリクル60は、マスクパターン10を覆うように、マスク基板20の下部に設けられる。 The photomask 30 may expose the resist layer 80 formed on the substrate 70 using extreme ultraviolet (EUV) light emitted from the light source 90 . The photomask 30 may include a mask substrate 20 and a mask pattern 10 provided in a predetermined shape on one surface of the mask substrate 20 . Also, the pellicle 60 is provided under the mask substrate 20 so as to cover the mask pattern 10 .

フォトマスク30は、反射型フォトマスクを含んでもよい。その場合、光源90から放出された極紫外線(EUV)領域の光は、ペリクル60を透過し、フォトマスク30に入射し、フォトマスク30で反射した極紫外線(EUV)領域の光は、ペリクル60を透過し、基板70上のレジスト層80に入射する。ここで、マスク基板20は、極紫外線(EUV)領域の光を反射させる反射層を含み、マスクパターン10は、極紫外線(EUV)領域の光を吸収する吸収パターンを含んでもよい。一方、図面には図示されていないが、レチクル95とレジスト層80との間の光経路上には、例えば、レチクル95から出る極紫外線(EUV)領域の光を集束する集束レンズ(focusing lens)のような光学系がさらに設けられてもよい。 Photomask 30 may include a reflective photomask. In that case, the light in the extreme ultraviolet (EUV) region emitted from the light source 90 passes through the pellicle 60 and enters the photomask 30, and the light in the extreme ultraviolet (EUV) region reflected by the photomask 30 passes through the pellicle 60. , and strikes the resist layer 80 on the substrate 70 . Here, the mask substrate 20 may include a reflective layer that reflects light in the extreme ultraviolet (EUV) region, and the mask pattern 10 may include an absorption pattern that absorbs light in the extreme ultraviolet (EUV) region. On the other hand, although not shown in the drawings, a focusing lens for focusing light in the extreme ultraviolet (EUV) region emitted from the reticle 95 is provided on the optical path between the reticle 95 and the resist layer 80, for example. An optical system such as may be further provided.

ペリクル60は、フォトマスク30の下部に設けられ、フォトマスク30に、ほこりやレジストのような外部の汚染源が吸着することを防止するものであり、フォトマスク30を保護する役割を行う。そのために、ペリクル60は、フォトマスク30と所定間隔ほど離隔して設けられるペリクルメンブレン(pellicle membrane)40を含んでもよい。それにより、ペリクル60及びフォトマスク30により、介在空間(intervening space)44の範囲が限定される。介在空間44は、ペリクルメンブレン40とフォトマスク30との間にある。ペリクルメンブレン40は、フォトマスク30とおよそ数mmほど離隔して設けられてもよい。例えば、ペリクルメンブレン40とフォトマスク30との間隔は、およそ1mm~10mmほどにもなる。 The pellicle 60 is installed under the photomask 30 to prevent external contaminants such as dust and resist from adhering to the photomask 30 and protect the photomask 30 . To this end, the pellicle 60 may include a pellicle membrane 40 spaced apart from the photomask 30 by a predetermined distance. Pellicle 60 and photomask 30 thereby delimit an intervening space 44 . Intervening space 44 is between pellicle membrane 40 and photomask 30 . The pellicle membrane 40 may be separated from the photomask 30 by about several millimeters. For example, the distance between the pellicle membrane 40 and the photomask 30 is approximately 1 mm to 10 mm.

ペリクルメンブレン40とフォトマスク30との間には、フレーム(frame)50が設けられてもよい。ここで、フレーム50は、フォトマスク30のエッジ部分に設けられ、ペリクルメンブレン40がフォトマスク30と決まった間隔で離隔ドエドロックペリクルメンブレン40を支持する役割を行う。例えば、ペリクルメンブレン40とフォトマスク30との間隔が1mm~10mmほどになるように、フレーム50の高さも、1mm~10mmほどにもなる。フレーム50を構成する層に係わる説明は、後述する。 A frame 50 may be provided between the pellicle membrane 40 and the photomask 30 . Here, the frame 50 is installed at the edge portion of the photomask 30, and serves to support the pellicle membrane 40 and the photomask 30 with a fixed gap. For example, the height of the frame 50 is about 1 mm to 10 mm so that the distance between the pellicle membrane 40 and the photomask 30 is about 1 mm to 10 mm. A description of the layers forming the frame 50 will be given later.

前述のような構造の露光装置99において、光源90から放出された極紫外線(EUV)領域の光は、ペリクルメンブレン40を透過し、フォトマスク30に入射され、フォトマスク30で反射した極紫外線(EUV)領域の光は、ペリクルメンブレン40を透過し、基板70上に形成されたレジスト層80に入射することにより、露光工程が遂行される。すなわち、露光装置99は、露光工程を遂行するために設けられたものである。 In the exposure apparatus 99 having the structure described above, light in the extreme ultraviolet (EUV) region emitted from the light source 90 passes through the pellicle membrane 40, is incident on the photomask 30, and is reflected by the photomask 30 as extreme ultraviolet (EUV) light. The light in the EUV) region passes through the pellicle membrane 40 and is incident on the resist layer 80 formed on the substrate 70, thereby performing the exposure process. That is, the exposure device 99 is provided to perform the exposure process.

一方、図1に図示された露光装置99においては、フォトマスク30として、反射型フォトマスクが使用された場合が例示的に図示されている。しかし、それに限定されるものではなく、フォトマスク30は、透過型フォトマスクにもなる。その場合、マスク基板20は、入射する光を透過させる透過層を含み、マスクパターン10は、入射する光を吸収する吸収パターンを含んでもよい。 On the other hand, in the exposure apparatus 99 shown in FIG. 1, a case where a reflective photomask is used as the photomask 30 is illustrated as an example. However, it is not limited to this, and the photomask 30 can also be a transmissive photomask. In that case, the mask substrate 20 may include a transmissive layer that transmits incident light, and the mask pattern 10 may include an absorption pattern that absorbs incident light.

図1で説明したペリクル60は、そこに記述されたペリクルのうちいかなるペリクルでもあり、ここで説明された図面のうちいずれか一つによって説明されたペリクルのうちいかなるペリクルであってもよい。 Pellicle 60 illustrated in FIG. 1 can be any of the pellicles described therein and can be any of the pellicles illustrated by any one of the drawings described herein.

言い換えれば、例示的な実施形態による露光装置99は、ここで記述したペリクルのうちあるペリクルであり、ここで説明された図面のうちある図面に説明されたペリクルのうちあるペリクルであるペリクル60を含むレチクル95を含んでもよい。 In other words, the exposure apparatus 99 according to the exemplary embodiment uses the pellicle 60, which is one of the pellicles described herein, and one of the pellicles illustrated in one of the drawings described herein. A reticle 95 may be included.

図2は、一実施形態によるフォトマスク用ペリクルを図示したものである。 FIG. 2 illustrates a photomask pellicle according to one embodiment.

図2を参照すれば、ペリクル100は、図1で図示されたペリクルメンブレン40及びフレーム50を含むペリクル60と同一役割を遂行することができる。ペリクル100は、フォトマスクのマスクパターンを覆うように、マスク基板に設けられてもよい。 Referring to FIG. 2, the pellicle 100 can perform the same role as the pellicle 60 including the pellicle membrane 40 and the frame 50 shown in FIG. The pellicle 100 may be provided on the mask substrate so as to cover the mask pattern of the photomask.

ペリクル100は、基板110、基板110上に形成された金属触媒層120及びペリクルメンブレン130を含む。また、基板110上の金属触媒層120は、ペリクルメンブレン130の1以上のエッジ部分130eを支持することができる。言い換えれば、ペリクルメンブレン130の中央部分130cには、金属触媒層120及び基板110が形成されておらず、1以上のエッジ部分130eだけによって支持される。そのように形成された基板110及び金属触媒層120は、図1のフレーム50のような役割を行うことができ、レチクル(例えば、レチクル95)を形成するとき、介在空間44のような介在空間を少なくとも部分的に限定するために、フォトマスク30と結合し、マスクパターン10を取り囲むことができる。 Pellicle 100 includes substrate 110 , metal catalyst layer 120 formed on substrate 110 , and pellicle membrane 130 . Also, the metal catalyst layer 120 on the substrate 110 can support one or more edge portions 130 e of the pellicle membrane 130 . In other words, the central portion 130c of the pellicle membrane 130 does not have the metal catalyst layer 120 and the substrate 110 formed thereon, and is supported only by one or more edge portions 130e. The substrate 110 and metal catalyst layer 120 so formed can act like the frame 50 of FIG. can surround the mask pattern 10 in combination with the photomask 30 to at least partially define the .

ペリクルメンブレンの「中央領域(central region)」は、前記ペリクルメンブレンの「中央部分(central portion)」とも表現される。ペリクルメンブレンの「エッジ領域(edge region)」は、前記ペリクルメンブレンの「エッジ部分(edge portion)」とも表現される。一実施形態によれば、ペリクルメンブレン130のエッジ領域130eは、少なくとも部分的には、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを取り囲むことができる。例えば、図2に図示されているように、ペリクルメンブレン130のエッジ領域130eは、少なくとも部分的及び/または完全に、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを取り囲むことができる。 The "central region" of a pellicle membrane is also referred to as the "central portion" of said pellicle membrane. The "edge region" of a pellicle membrane is also referred to as the "edge portion" of said pellicle membrane. According to one embodiment, edge region 130 e of pellicle membrane 130 can at least partially surround central region 130 c of pellicle membrane 130 . For example, edge region 130e of pellicle membrane 130 can at least partially and/or completely surround central region 130c of pellicle membrane 130, as illustrated in FIG.

言い換えれば、金属触媒層120上のペリクルメンブレン130は、二次元(2D)物質を含んでもよい。ペリクルメンブレン130は、中央領域130c及びエッジ領域130eを有することができ、エッジ領域130eは、少なくとも部分的に、中央領域130cを取り囲む。基板110と金属触媒層120は、集合的に(collectively)、ペリクルメンブレン130のエッジ領域130eを支持することができ、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを支持しない。 In other words, the pellicle membrane 130 on the metal catalyst layer 120 may comprise two-dimensional (2D) material. Pellicle membrane 130 can have a central region 130c and an edge region 130e, with edge region 130e at least partially surrounding central region 130c. Substrate 110 and metal catalyst layer 120 can collectively support edge region 130 e of pellicle membrane 130 and not support central region 130 c of pellicle membrane 130 .

ペリクルメンブレン130とフォトマスクとが、所定間隔ほど離隔されるように、基板110及び金属触媒層120を合わせた高さは、大体1mm~10mmほどにもなる。 The combined height of the substrate 110 and the metal catalyst layer 120 is about 1 mm to 10 mm so that the pellicle membrane 130 and the photomask are separated by a predetermined distance.

基板110上に設けられた金属触媒層120は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含んでもよい。金属触媒層120の厚みは、100μm以下でもあり、例えば、10nm以上100μm以下でもある。他の実施形態において、金属触媒層120の厚みは、10nm以上10μm以下でもある。 The metal catalyst layer 120 provided on the substrate 110 includes platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium ( Pd) and at least one of ruthenium (Ru). The thickness of the metal catalyst layer 120 is also 100 μm or less, for example, 10 nm or more and 100 μm or less. In another embodiment, the thickness of the metal catalyst layer 120 is also between 10 nm and 10 μm.

ペリクルメンブレン130は、金属触媒層120の表面120a上に、物質を直接成長させて形成することができる。ペリクルメンブレン130は、二次元形状の結晶構造を有する物質、すなわち、2D物質を含んでもよい。例えば、ペリクルメンブレン130は、h-BN、ケイ素(Si)、リン(P)、ホウ素(B)及びグラフェン(graphene)のうち少なくとも一つを含む2D物質を含んでもよい。また、ペリクルメンブレン130の厚みは、およそ5nm~50nmにもなる。 The pellicle membrane 130 can be formed by directly growing a material on the surface 120 a of the metal catalyst layer 120 . The pellicle membrane 130 may include a material having a two-dimensional shape crystal structure, ie, a 2D material. For example, the pellicle membrane 130 may include a 2D material including at least one of h-BN, silicon (Si), phosphorus (P), boron (B), and graphene. Also, the thickness of the pellicle membrane 130 is approximately 5 nm to 50 nm.

ペリクルメンブレン130は、高い物理化学的耐久性及び光透過度を有することができる。例えば、ペリクルメンブレンの光透過度は、およそ80%以上にもなる。 The pellicle membrane 130 can have high physico-chemical durability and optical transparency. For example, the light transmittance of a pellicle membrane is approximately 80% or more.

ペリクルメンブレン130の両表面130a,130bのうち少なくとも1つの表面上に保護膜が形成されている。かような保護膜は、極紫外線(EUV)領域の光を利用する露光工程において、ペリクルメンブレン130の耐久性をさらに強化させ、熱蓄積によって発生しうるペリクルメンブレン130の変形を低減させたり最小化させたりすることができる。また、該保護膜は、ペリクルメンブレン130が、一定時間以上極紫外線(EUV)領域の光への露出や、表面クリーニング工程などによっても損傷されないように、ペリクルメンブレン130にすぐれた物理化学的耐久性を付与することができる。 A protective film is formed on at least one of both surfaces 130 a and 130 b of the pellicle membrane 130 . Such a protective layer further enhances the durability of the pellicle membrane 130 in an exposure process using light in the extreme ultraviolet (EUV) region, and reduces or minimizes deformation of the pellicle membrane 130 that may occur due to heat accumulation. You can let In addition, the protective film provides excellent physical and chemical durability to the pellicle membrane 130 so that the pellicle membrane 130 is not damaged by exposure to light in the extreme ultraviolet (EUV) region for a certain period of time or by surface cleaning processes. can be given.

該保護膜は、炭素系物質、二次元(2D)物質、遷移金属ジカルコゲナイド(TMD:transition metal dichalcogenide)、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、ケイ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、ホウ素(B)及び窒化ケイ素(SiN)のうち少なくとも一つを含んでもよい。ここで、該炭素系物質は、例えば、非晶質炭素(amorphous carbon)、グラフェン(graphene)、ナノグラファイト(nano graphite)、カーボンナノシート(carbon nanosheet)、カーボンナノチューブ(carbon nanotube)、SiC及びB4Cのうち少なくとも一つを含んでもよい。そして、前記TMDは、金属原素、例えば、Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc及びReのうち一つと、S、Se及びTeのうち一つとのカルコゲン元素を含んでもよい。前記二次元物質は、Cu、Ga、In、Sn、Ge及びPbのうち一つを含んでもよい。 The protective film can be carbon-based materials, two-dimensional (2D) materials, transition metal dichalcogenides (TMD), ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), silicon (Si), zirconium (Zr), boron ( B) and at least one of silicon nitride (SiN). Here, the carbon-based material includes, for example, amorphous carbon, graphene, nano graphite, carbon nanosheet, carbon nanotube, SiC and B4C. At least one of them may be included. The TMD includes metal elements, for example, one of Mo, W, Nb, V, Ta, Ti, Zr, Hf, Tc and Re and one of S, Se and Te as a chalcogen element. It's okay. The 2D material may include one of Cu, Ga, In, Sn, Ge, and Pb.

ペリクルメンブレン130、及びペリクルメンブレン130の両面に形成された保護膜のエッジ領域は、金属触媒層120及び基板110によっても支持される。従って、金属触媒層120と基板110は、集合的に、ペリクルメンブレン130の少なくとも1つのエッジ領域130eを支持することができ、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを支持しない。言い換えれば、金属触媒層120及び基板110は、図1のフレーム50の役割を行うことができる。 The pellicle membrane 130 and the edge regions of the protective films formed on both sides of the pellicle membrane 130 are also supported by the metal catalyst layer 120 and the substrate 110 . Accordingly, metal catalyst layer 120 and substrate 110 can collectively support at least one edge region 130 e of pellicle membrane 130 and not central region 130 c of pellicle membrane 130 . In other words, the metal catalyst layer 120 and the substrate 110 can act as the frame 50 of FIG.

図3Aないし図3Dは、一実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示したものである。 3A-3D illustrate a step-by-step method for manufacturing a photomask pellicle according to one embodiment.

図3A及び図3Bを参照すれば、基板110上に、金属触媒層120を形成する。基板110は、Si、ガラス、クォーツ(quartz)、Alのような物質によっても形成される。金属触媒層120は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含んでもよい。金属触媒層120の厚みは、100μm以下でもあり、例えば、10nm以上10μm以下でもある。 3A and 3B, a metal catalyst layer 120 is formed on a substrate 110. As shown in FIG. The substrate 110 may also be made of materials such as Si, glass, quartz, Al2O3 . Metal catalyst layer 120 includes platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium (Pd) and ruthenium (Ru). may include at least one of The thickness of the metal catalyst layer 120 is also 100 μm or less, for example, 10 nm or more and 10 μm or less.

図3Cを参照すれば、金属触媒層120の表面120a上に、2D物質を含むペリクルメンブレン130を形成する。 Referring to FIG. 3C, a pellicle membrane 130 containing a 2D material is formed on the surface 120a of the metal catalyst layer 120. Referring to FIG.

図3Cに図示されているように、ペリクルメンブレン130は、金属触媒層120の表面120a上に直接形成されてもよい。ここに記述されているように、他の実施形態においては、ペリクルメンブレン130は、金属触媒層120上に間接的に形成されもするが、その場合、金属触媒層120とペリクルメンブレン130との間に挿入層(intervening layer)(例えば、下記の保護層150)があってもよい。 The pellicle membrane 130 may be formed directly on the surface 120a of the metal catalyst layer 120, as illustrated in FIG. 3C. As described herein, in other embodiments, the pellicle membrane 130 may also be formed indirectly on the metal catalyst layer 120, in which case the metal catalyst layer 120 and the pellicle membrane 130 are interposed between the metal catalyst layer 120 and the pellicle membrane 130. There may also be an intervening layer (eg, protective layer 150 described below).

ペリクルメンブレン130が、物質層の表面上に直接形成されるとき、例えば、金属触媒層120の表面120a上に直接形成されるとき、ペリクルメンブレン130は、金属触媒層120の表面120a上に直接成長される。 When the pellicle membrane 130 is formed directly on the surface of the material layer, for example, when formed directly on the surface 120a of the metal catalyst layer 120, the pellicle membrane 130 grows directly on the surface 120a of the metal catalyst layer 120. be done.

ペリクルメンブレン130は、二次元形状の結晶構造を有する物質、すなわち、2D物質を含んでもよい。例えば、ペリクルメンブレン130は、h-BN、ケイ素(Si)、リン(P)、ホウ素(B)及びグラフェン(graphene)のうち少なくとも一つを含んでもよい。また、ペリクルメンブレン130の厚みは、およそ5nm~50nmにもなる。 The pellicle membrane 130 may include a material having a two-dimensional shape crystal structure, ie, a 2D material. For example, the pellicle membrane 130 may include at least one of h-BN, silicon (Si), phosphorus (P), boron (B), and graphene. Also, the thickness of the pellicle membrane 130 is approximately 5 nm to 50 nm.

ペリクルメンブレン130は、化学気相蒸着法(CVD)、物理気相蒸着法(PVD)のような方法によっても形成される。 Pellicle membrane 130 may also be formed by methods such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD).

また、図3Cにおいて、金属触媒層120上に、ペリクルメンブレン130を形成する前に、金属触媒層120上に保護膜をまず形成することができる。該保護膜を形成した後、保護膜上に、ペリクルメンブレン130を形成し、ペリクルメンブレン130の表面130a上に、保護膜(例えば、図3Dに図示されているような保護膜150)をさらに形成することができる。すなわち、該保護膜は、ペリクルメンブレン130の両表面130a,130b上にも形成される。図3Dのペリクルメンブレン130の表面130a上に、前述の保護膜150に加え、またはその代わりに、図3Cのペリクルメンブレン130と金属触媒層120との間に保護膜150が形成されてもよい。しかし、それに限定されるものではなく、ペリクルメンブレン130の一面にだけ保護膜が形成されもする。そのように、ペリクルメンブレン130の少なくとも一面に保護膜が形成される場合、該保護膜は、ペリクルメンブレン130と類似した表面粗度を有することができる。 Also, in FIG. 3C, a protective film may first be formed on the metal catalyst layer 120 before forming the pellicle membrane 130 on the metal catalyst layer 120 . After forming the protective film, a pellicle membrane 130 is formed on the protective film, and a protective film (eg, protective film 150 as shown in FIG. 3D) is further formed on the surface 130a of the pellicle membrane 130. can do. That is, the protective film is also formed on both surfaces 130 a and 130 b of the pellicle membrane 130 . A protective film 150 may be formed between the pellicle membrane 130 and the metal catalyst layer 120 of FIG. 3C on the surface 130a of the pellicle membrane 130 of FIG. 3D, in addition to or instead of the protective film 150 previously described. However, it is not limited thereto, and the protective film may be formed only on one side of the pellicle membrane 130 . As such, when a protective layer is formed on at least one surface of the pellicle membrane 130 , the protective layer may have a surface roughness similar to that of the pellicle membrane 130 .

図3Dを参照すれば、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを支持する基板110及び金属触媒層120の少なくとも内側領域(inner region)110b,120bをエッチングする(例えば、選択的に除去される)。それにより、基板110と金属触媒層120との残り領域は、集合的に、ペリクルメンブレン130の1以上のエッジ領域130eを支持し、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを支持しない。従って、ペリクルメンブレン130の1以上のエッジ領域130eは、金属触媒層120と基板110とによって支持されると理解され、ペリクルメンブレン130の中央領域130cは、金属触媒層120と基板110とによって支持されるものではないと理解される。 Referring to FIG. 3D, at least the inner regions 110b, 120b of the substrate 110 and the metal catalyst layer 120 supporting the central region 130c of the pellicle membrane 130 are etched (eg, selectively removed). The remaining regions of substrate 110 and metal catalyst layer 120 thereby collectively support one or more edge regions 130 e of pellicle membrane 130 and do not support central region 130 c of pellicle membrane 130 . Accordingly, one or more edge regions 130 e of pellicle membrane 130 are understood to be supported by metal catalyst layer 120 and substrate 110 , and central region 130 c of pellicle membrane 130 is understood to be supported by metal catalyst layer 120 and substrate 110 . It is understood that it is not

図3Dに図示されているように、ペリクルメンブレン130の1以上のエッジ領域130eを集合的に支持し、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを支持しない基板110と金属触媒層120との残った領域(remainder region)は、単に、基板110及び金属触媒層120とする。基板110及び金属触媒層120は、機械的エッチング、乾式エッチング及び湿式エッチングのうち少なくともいずれか1つの方法が遂行される。 The remaining regions of substrate 110 and metal catalyst layer 120 that collectively support one or more edge regions 130e of pellicle membrane 130 and do not support central region 130c of pellicle membrane 130 (see FIG. 3D). The remainder region) is simply the substrate 110 and the metal catalyst layer 120 . The substrate 110 and the metal catalyst layer 120 are subjected to at least one of mechanical etching, dry etching and wet etching.

前述のエッチング段階を介して、基板110及び金属触媒層120は、ペリクルメンブレン130の1以上のエッジ領域130eを支持し、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを支持しないフレームとしての役割を行うことができる。ここに言及されたように、そして少なくとも図3Dに図示されているように、ペリクルメンブレンの中央領域を支持しないと記述された層は、前記ペリクルメンブレンの1以上のエッジ領域を直接支持し、前記ペリクルメンブレンの中央領域を直接支持しないが、前記ペリクルメンブレンの前記1以上のエッジ領域を介して、前記ペリクルメンブレンの中央領域を間接的に支持するとも理解される。 Through the etching steps described above, the substrate 110 and the metal catalyst layer 120 can act as a frame that supports one or more edge regions 130e of the pellicle membrane 130 and does not support the central region 130c of the pellicle membrane 130. . As mentioned herein, and as illustrated at least in FIG. 3D, the layers described as not supporting the central region of the pellicle membrane directly support one or more edge regions of the pellicle membrane, and the It does not directly support the central region of the pellicle membrane, but is also understood to indirectly support the central region of the pellicle membrane via the one or more edge regions of the pellicle membrane.

例えば、図3Dに図示されているように、金属触媒層120と基板110とは、ペリクルメンブレン130の1以上のエッジ領域130eを集合的に直接支持すると理解され、ペリクルメンブレン130の中央領域130cを集合的に直接支持するものではないが、1以上のエッジ領域130eを介して、中央領域130cを間接的に支持するとも理解される。従って、金属触媒層120と基板110とは、ペリクルメンブレン130の1以上のエッジ領域130eを集合的に支持し、ペリクルメンブレン130の中央領域130cは支持しないと理解することができる。 For example, as illustrated in FIG. 3D, metal catalyst layer 120 and substrate 110 are understood to collectively directly support one or more edge regions 130e of pellicle membrane 130 and center region 130c of pellicle membrane 130. While not collectively providing direct support, it is also understood to indirectly support central region 130c through one or more edge regions 130e. Accordingly, it can be seen that metal catalyst layer 120 and substrate 110 collectively support one or more edge regions 130 e of pellicle membrane 130 and do not support central region 130 c of pellicle membrane 130 .

図4は、他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルを図示したものである。 FIG. 4 illustrates a photomask pellicle according to another embodiment.

図4を参照すれば、ペリクル200は、図1で図示されたペリクルメンブレン40とフレーム50とを含むペリクル60と同一役割を行うことができる。 Referring to FIG. 4, the pellicle 200 can perform the same function as the pellicle 60 including the pellicle membrane 40 and the frame 50 shown in FIG.

ペリクル200は、基板210、基板210上に形成されたバリア層220、バリア層220上に形成された金属触媒層230、及びペリクルメンブレン240を含む。図4に図示されているように、バリア層220は、基板210と金属触媒層230との間にある。基板210、バリア層220及び金属触媒層230は、ペリクルメンブレン240の1以上のエッジ領域240eのみを支持し、ペリクルメンブレン240の中央領域240cを支持するものではない。すなわち、中央領域240cは、1以上のエッジ領域240eを介して間接的にのみ支持される。 Pellicle 200 includes substrate 210 , barrier layer 220 formed on substrate 210 , metal catalyst layer 230 formed on barrier layer 220 , and pellicle membrane 240 . As illustrated in FIG. 4, barrier layer 220 is between substrate 210 and metal catalyst layer 230 . Substrate 210 , barrier layer 220 and metal catalyst layer 230 support only one or more edge regions 240 e of pellicle membrane 240 and do not support central region 240 c of pellicle membrane 240 . That is, central region 240c is supported only indirectly through one or more edge regions 240e.

基板210上に設けられたバリア層220は、金属触媒層230と基板210とをさらに堅固に接合させることができる。それを介して、ペリクル200の耐久性をさらに向上させることができる。バリア層220は、SiO、Si、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含んでもよい。 The barrier layer 220 provided on the substrate 210 may further firmly bond the metal catalyst layer 230 and the substrate 210 together. Through this, the durability of the pellicle 200 can be further improved. The barrier layer 220 may include at least one of SiO2 , Si3N4 , TiN and TaN .

バリア層220上に形成された金属触媒層230は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 The metal catalyst layer 230 formed on the barrier layer 220 may be platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium At least one of (Pd) and ruthenium (Ru) may be included.

バリア層220を除いた基板210、金属触媒層230及びペリクルメンブレン240の構造及び物質は、図2の説明と同一であり、省略する。 The structures and materials of the substrate 210, the metal catalyst layer 230, and the pellicle membrane 240 except for the barrier layer 220 are the same as those described with reference to FIG.

図5Aないし図5Eは、他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示したものである。 5A through 5E are step-by-step illustrations of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to another embodiment.

図5A及び図5Bを参照すれば、基板210上に、バリア層220を形成する。基板210は、Si、ガラス、クォーツ(quartz)、Alのような物質によっても形成される。バリア層220は、SiO、Si、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含んでもよい。 Referring to FIGS. 5A and 5B, a barrier layer 220 is formed on substrate 210 . The substrate 210 may also be made of materials such as Si, glass, quartz, Al2O3 . The barrier layer 220 may include at least one of SiO2 , Si3N4 , TiN and TaN .

図5Cを参照すれば、バリア層220上に、金属触媒層230を形成する。金属触媒層230は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 Referring to FIG. 5C, a metal catalyst layer 230 is formed on the barrier layer 220 . The metal catalyst layer 230 may be platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium (Pd) and ruthenium (Ru). may include at least one of

図5Dを参照すれば、金属触媒層230の表面230a上に、2D物質を含むペリクルメンブレン240を、直接的または間接的に形成する。ペリクルメンブレン240は、化学気相蒸着法(CVD)、物理気相蒸着法(PVD)などの方法によっても形成される。 Referring to FIG. 5D, a pellicle membrane 240 containing a 2D material is directly or indirectly formed on the surface 230a of the metal catalyst layer 230. Referring to FIG. Pellicle membrane 240 may also be formed by methods such as chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), and the like.

図5Eを参照すれば、ペリクルメンブレン240の中央部分240cを支持する基板210、バリア層220及び金属触媒層230の内側領域210b,220b,230bをそれぞれエッチングする。基板210、バリア層220及び金属触媒層230は、機械的エッチング、乾式エッチング及び湿式エッチングのうち少なくともいずれか1つの方法によっても遂行される。 Referring to FIG. 5E, the inner regions 210b, 220b and 230b of the substrate 210, the barrier layer 220 and the metal catalyst layer 230 supporting the central portion 240c of the pellicle membrane 240 are etched, respectively. The substrate 210, the barrier layer 220 and the metal catalyst layer 230 are also etched by at least one of mechanical etching, dry etching and wet etching.

前述のエッチング段階を介して、図5Eに図示されているように、基板210、バリア層220及び金属触媒層230の残った領域は、ペリクルメンブレン240の1以上のエッジ領域240eを直接支持し、ペリクルメンブレン240の中央領域240cは、直接支持しないフレームとしての役割を行うことができる。 Through the etching steps described above, the remaining regions of substrate 210, barrier layer 220, and metal catalyst layer 230 directly support one or more edge regions 240e of pellicle membrane 240, as shown in FIG. 5E; A central region 240c of the pellicle membrane 240 can act as a non-supporting frame directly.

図6は、さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルを図示したものである。 FIG. 6 illustrates a photomask pellicle according to still another embodiment.

図6を参照すれば、ペリクル300は、図1で図示されたペリクルメンブレン40とフレーム50とを含むペリクル60と同一役割を行うことができる。 Referring to FIG. 6, the pellicle 300 can perform the same role as the pellicle 60 including the pellicle membrane 40 and the frame 50 shown in FIG.

ペリクル300は、基板310、基板310上に形成されたバリア層320及びペリクルメンブレン330を含む。基板310及びバリア層320は、ペリクルメンブレン330の1以上のエッジ領域330eを支持する図1のフレーム50の役割を行うことができる。 Pellicle 300 includes substrate 310 , barrier layer 320 formed over substrate 310 , and pellicle membrane 330 . Substrate 310 and barrier layer 320 may perform the role of frame 50 of FIG. 1 supporting one or more edge regions 330 e of pellicle membrane 330 .

図7Aないし図7Fは、さらに他の実施形態によるフォトマスク用ペリクルの製造方法を段階的に図示したものである。 7A through 7F are step-by-step illustrations of a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to still another embodiment.

図7A及び図7Bを参照すれば、基板310上に、バリア層320を形成する。基板310は、Si、ガラス、クォーツ(quartz)、Alのような物質によっても形成される。バリア層320は、SiO、Si、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含んでもよい。 Referring to FIGS. 7A and 7B, a barrier layer 320 is formed on substrate 310 . The substrate 310 may also be made of materials such as Si, glass, quartz, Al2O3 . The barrier layer 320 may include at least one of SiO2 , Si3N4 , TiN and TaN .

図7Cを参照すれば、バリア層320上に、金属触媒層340を形成する。金属触媒層340は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)、及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含んでもよい。 Referring to FIG. 7C, a metal catalyst layer 340 is formed on the barrier layer 320 . The metal catalyst layer 340 may be platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium (Pd), and ruthenium (Ru ) may include at least one of

図7Dを参照すれば、金属触媒層340の下部上に、例えば、下部表面340f上に、2D物質を含むペリクルメンブレン330を直接的または間接的に形成する。例えば、ペリクルメンブレン330は、金属触媒層340とバリア層320との間に形成される。ペリクルメンブレン330は、二次元形状の結晶構造を有する物質、すなわち、2D物質を含んでもよい。例えば、ペリクルメンブレン330は、h-BN、ケイ素(Si)、リン(P)、ホウ素(B)及びグラフェン(graphene)のうち少なくとも一つを含んでもよい。ペリクルメンブレン330を構成する2D物質を、化学気相蒸着法(CVD)、物理気相蒸着法(PVD)などの方法を利用し、金属触媒層340に蒸着させれば、該2D物質は、金属触媒層340内部に侵透する。このとき、下部バリア層320を構成する物質の調節、及び工程温度と圧力との調節により、金属触媒層340の下部に、2D物質を含むペリクルメンブレン330が形成される。 Referring to FIG. 7D, a pellicle membrane 330 containing 2D material is directly or indirectly formed on the lower portion of the metal catalyst layer 340, eg, on the lower surface 340f. For example, pellicle membrane 330 is formed between metal catalyst layer 340 and barrier layer 320 . The pellicle membrane 330 may include a material having a two-dimensional shape crystal structure, ie, a 2D material. For example, the pellicle membrane 330 may include at least one of h-BN, silicon (Si), phosphorus (P), boron (B), and graphene. If the 2D material constituting the pellicle membrane 330 is deposited on the metal catalyst layer 340 using a method such as chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD), the 2D material is a metal Penetrates inside the catalyst layer 340 . At this time, the pellicle membrane 330 including the 2D material is formed below the metal catalyst layer 340 by controlling the material forming the lower barrier layer 320 and controlling the process temperature and pressure.

図7Eを参照すれば、金属触媒層340を除去する。金属触媒層340の除去には、機械的エッチング、乾式エッチング及び湿式エッチングのうち少なくともいずれか1つの方法が使用される。言い換えれば、金属触媒層340は、機械的エッチング方法、乾式エッチング方法及び湿式エッチング方法のうち少なくとも一つを使用することにより除去される。 Referring to FIG. 7E, the metal catalyst layer 340 is removed. At least one of mechanical etching, dry etching, and wet etching is used to remove the metal catalyst layer 340 . In other words, the metal catalyst layer 340 is removed using at least one of a mechanical etching method, a dry etching method, and a wet etching method.

図7Fを参照すれば、ペリクルメンブレン330の中央領域330cを支持する基板310及びバリア層320の内側領域310b,320bをそれぞれエッチングする。基板310及びバリア層320のエッチングは、機械的エッチング、乾式エッチング及び湿式エッチングのうち少なくともいずれか1つの方法によっても遂行される。 Referring to FIG. 7F, substrate 310 supporting central region 330c of pellicle membrane 330 and inner regions 310b and 320b of barrier layer 320 are etched, respectively. Etching of the substrate 310 and the barrier layer 320 may also be performed by at least one of mechanical etching, dry etching, and wet etching.

前述のエッチング段階を介して、基板310及びバリア層320は、ペリクルメンブレン330の1以上のエッジ領域330eを直接支持し、ペリクルメンブレン330の中央領域330cは、直接支持しない。 Through the aforementioned etching steps, substrate 310 and barrier layer 320 directly support one or more edge regions 330e of pellicle membrane 330 and central region 330c of pellicle membrane 330 does not.

図8Aないし図8Cは、例示的な一実施形態によるフォトマスク用ペリクルを製造する方法について説明する断面図である。 8A-8C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a pellicle for a photomask according to an exemplary embodiment.

例示的な実施形態において、前記金属触媒層は、基板の役割を行うこともできる。または、前記基板は、前記金属触媒層役割を行うこともできる。従って、前記金属触媒層から分離された要素としての基板は、ペリクルから省略される。 In an exemplary embodiment, the metal catalyst layer may also act as a substrate. Alternatively, the substrate may act as the metal catalyst layer. Therefore, the substrate as a separate element from the metal catalyst layer is omitted from the pellicle.

図8Aを参照すれば、金属触媒層の役割を行うように設けられた基板410が準備される。基板410は、Pt、Cu、Ni、Co、Ag、W、Mo、Pd及びRuのうち少なくとも一つを含む物質を含んでもよい。一実施形態において、基板410は、100μm以下の厚みを有することができるが、例えば、10nmより厚く、10μmよりも薄い。従って、基板410は、前述の金属触媒層の性質及び/または特性の一部または全部を有する「金属触媒層」とも表現される。 Referring to FIG. 8A, a substrate 410 is prepared to serve as a metal catalyst layer. The substrate 410 may include a material including at least one of Pt, Cu, Ni, Co, Ag, W, Mo, Pd and Ru. In one embodiment, the substrate 410 can have a thickness of 100 μm or less, but for example greater than 10 nm and less than 10 μm. Accordingly, the substrate 410 is also referred to as a "metal catalyst layer" having some or all of the properties and/or characteristics of the metal catalyst layer described above.

図8Bを参照すれば、2D物質を含むペリクルメンブレン430は、基板410の表面410a上に直接形成される。ペリクルメンブレン430は、二次元タイプ結晶構造を有する物質、すなわち、2D物質を含んでもよい。例えば、ペリクルメンブレン430は、h-BN、Si、P、B及びグラフェンのうち少なくとも一つを含んでもよい。また、ペリクルメンブレン430は、5nm~50nmの厚みを有することができる。 Referring to FIG. 8B, a pellicle membrane 430 containing 2D material is formed directly on surface 410a of substrate 410. Referring to FIG. Pellicle membrane 430 may include a material having a two-dimensional type crystal structure, ie, a 2D material. For example, the pellicle membrane 430 may include at least one of h-BN, Si, P, B, and graphene. Also, the pellicle membrane 430 can have a thickness of 5 nm to 50 nm.

ペリクルメンブレン430は、化学気相蒸着(CVD)方法または物理気相蒸着(PVD)方法によっても形成される。 Pellicle membrane 430 may also be formed by chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD) methods.

また、図8Bにおいて、基板410上に、ペリクルメンブレン430を形成する前に、保護膜(図示せず)が、基板410の表面410a上に形成されてもよい。前記保護膜を形成した後、ペリクルメンブレン430は、前記保護膜上に形成される。また、ある保護膜が、ペリクルメンブレン430の基板から遠い表面上にも形成される。すなわち、該保護膜は、ペリクルメンブレン430の対向する表面上にも形成される。しかし、一実施形態は、それに限定されるものではない。すなわち、前記保護膜は、ペリクルメンブレン430の個別表面上にのみ形成されてもよい。かような方法により、ある保護膜が、ペリクルメンブレン430の少なくとも1つの表面上に形成されるとき、前記保護膜は、ペリクルメンブレン430の表面粗度(surface roughness)と類似した表面粗度を有することができる。 Also in FIG. 8B, prior to forming pellicle membrane 430 on substrate 410, a protective film (not shown) may be formed on surface 410a of substrate 410. As shown in FIG. After forming the protective film, a pellicle membrane 430 is formed on the protective film. A protective coating is also formed on the surface of the pellicle membrane 430 remote from the substrate. That is, the protective film is also formed on the facing surface of the pellicle membrane 430 . However, an embodiment is not so limited. That is, the protective film may be formed only on individual surfaces of the pellicle membrane 430 . When a protective film is formed on at least one surface of the pellicle membrane 430 by such a method, the protective film has a surface roughness similar to that of the pellicle membrane 430. be able to.

図8Bに図示されているように、ペリクルメンブレン430は、基板410の表面410aの制限された領域410b上に形成され、従って、基板410のエッジ領域410eは、露出される。ペリクルメンブレン430は、基板410の制限された領域410b上に、特定または所定の形態及び/またはサイズを有するようにも形成される。 As illustrated in FIG. 8B, a pellicle membrane 430 is formed over a restricted area 410b of the surface 410a of the substrate 410, thus exposing an edge area 410e of the substrate 410. As shown in FIG. The pellicle membrane 430 is also formed on the restricted area 410b of the substrate 410 to have a particular or predetermined shape and/or size.

図8Cを参照すれば、ペリクルメンブレン430の中央領域430cを支持する基板410の制限された領域410bの少なくとも内側領域410cは、エッチングされる。すなわち、内側領域410cは、選択的に除去される。それにより、基板410の制限された領域410bの残り領域410rが残る。さらに、図8Cに図示されているように、ペリクルメンブレン430周囲の露出された基板410の1以上のエッジ領域410eがエッチングされる。従って、ペリクルメンブレン430と基板410との外部側面430d,410dは、平らであるか、あるいは実質的に平らである。すなわち、外部側面430d,410dは、製造過程の公差内、及び/または物質公差(material tolerance)内で平らである。基板410は、機械的エッチング方法、乾式エッチング方法及び湿式エッチング方法のうち少なくとも一つを使用することによりエッチングされる。 Referring to FIG. 8C, at least the inner region 410c of the restricted region 410b of the substrate 410 supporting the central region 430c of the pellicle membrane 430 is etched. That is, inner region 410c is selectively removed. A remaining region 410r of the restricted region 410b of the substrate 410 thereby remains. In addition, one or more edge regions 410e of exposed substrate 410 around pellicle membrane 430 are etched, as shown in FIG. 8C. Thus, the outer sides 430d, 410d of pellicle membrane 430 and substrate 410 are flat or substantially flat. That is, the outer sides 430d, 410d are flat within manufacturing tolerances and/or material tolerances. The substrate 410 is etched using at least one of a mechanical etching method, a dry etching method, and a wet etching method.

かようなエッチング工程を介して、基板410の残り領域410rは、ペリクルメンブレン430の1以上のエッジ領域430eを直接支持し、ペリクルメンブレン430の中央領域430cは、直接支持しない(すなわち、1以上のエッジ領域430eを介して、中央領域430cを間接的に支持する)フレームの役割を行うことができる。従って、図8Cに図示されているように、ペリクルメンブレン430と、基板410の残り領域410rとを含むペリクル800が形成される。 Through such an etching process, the remaining region 410r of the substrate 410 directly supports one or more edge regions 430e of the pellicle membrane 430, and the central region 430c of the pellicle membrane 430 does not directly support (i.e., one or more The edge region 430e can serve as a frame that indirectly supports the central region 430c. Thus, a pellicle 800 is formed that includes the pellicle membrane 430 and the remaining region 410r of the substrate 410, as illustrated in FIG. 8C.

前述のフォトマスク用ペリクル製造方法において、ペリクルメンブレンは、既存の転写方式によって形成されるのではなく、成長方式を利用して物質層上に直接形成される。例えば、前記ペリクルメンブレンが、図3Cのペリクルメンブレン130であり、前記物質膜が金属触媒層120であるとするとき、ペリクルメンブレン130が、既存の転写方式によって形成されるときと、直接成長方式によって形成されるときとで、ペリクルメンブレン130と金属触媒層120との付着力に違いがある。 In the above method of manufacturing a pellicle for a photomask, the pellicle membrane is directly formed on the material layer using a growth method instead of being formed by the existing transfer method. For example, when the pellicle membrane is the pellicle membrane 130 of FIG. 3C and the material film is the metal catalyst layer 120, the pellicle membrane 130 is formed by an existing transfer method or by a direct growth method. There is a difference in adhesion between the pellicle membrane 130 and the metal catalyst layer 120 when formed.

実験例によれば、ペリクルメンブレン130が、既存の転写方式によって金属触媒層120上に形成された場合、ペリクルメンブレン130と金属触媒層120との付着力は、180MPaほどであった。 According to an experimental example, when the pellicle membrane 130 was formed on the metal catalyst layer 120 by a conventional transfer method, the adhesive force between the pellicle membrane 130 and the metal catalyst layer 120 was about 180 MPa.

一方、ペリクルメンブレン130が、直接成長方式によって金属触媒層120の表面120a上に形成された場合、ペリクルメンブレン130と金属触媒層120との付着力は、1,200MPaほどであった。かような実験結果を介して、ペリクルメンブレン130と金属触媒層120との付着力は、ペリクルメンブレン130が、既存の電子方式によって金属触媒層120上に形成されるときより、直接成長方式によって金属触媒層120上に形成されるとき、大きく上昇するということが分かる。 On the other hand, when the pellicle membrane 130 was formed on the surface 120a of the metal catalyst layer 120 by direct growth, the adhesion between the pellicle membrane 130 and the metal catalyst layer 120 was about 1,200 MPa. Through these experimental results, the adhesion between the pellicle membrane 130 and the metal catalyst layer 120 is higher than that when the pellicle membrane 130 is formed on the metal catalyst layer 120 by the existing electronic method. It can be seen that when formed on the catalyst layer 120, it rises significantly.

前記実験例において、基板110として、シリコン(Si)基板を使用し、金属触媒層120として、ニッケル銅合金(Ni-Cu)を使用し、ペリクルメンブレン130として、数十nm厚のグラフェンを使用した。また、既存の転写方式として、PMMAを利用した湿式転写(wet transfer)方法を利用し、前記成長方式としては、化学気相蒸着(CVD)方法を利用した。 In the experimental example, a silicon (Si) substrate was used as the substrate 110, a nickel-copper alloy (Ni—Cu) was used as the metal catalyst layer 120, and graphene having a thickness of several tens of nanometers was used as the pellicle membrane 130. . In addition, a wet transfer method using PMMA is used as an existing transfer method, and a chemical vapor deposition (CVD) method is used as the growth method.

一実施形態によれば、フォトマスクを、外部の汚染源から保護するペリクルメンブレンは、一定時間以上、極紫外線(EUV)領域の光への露出や、表面クリーニング工程などによっても損傷されないすぐれた物理化学的耐久性を有することができる。 According to one embodiment, the pellicle membrane, which protects the photomask from external sources of contamination, has excellent physico-chemical properties, such as exposure to light in the extreme ultraviolet (EUV) range for extended periods of time, surface cleaning processes, etc. durability.

また、2D物質を金属触媒層上で直接形成した後、金属触媒層を選択的に除去し、ペリクルメンブレン(pellicle membrane)を形成することにより、転写(transfer)の過程を経ずに、ペリクルメンブレンを形成することができる。 In addition, after the 2D material is directly formed on the metal catalyst layer, the metal catalyst layer is selectively removed to form a pellicle membrane. can be formed.

また、ペリクルメンブレン形成のために選択的に除去された金属触媒層及び基板などは、ペリクルメンブレンを支持するフレームとしても使用される。 In addition, the metal catalyst layer and the substrate selectively removed for forming the pellicle membrane are also used as a frame for supporting the pellicle membrane.

また、ペリクルメンブレンの少なくとも一面に、保護膜を形成することにより、ペリクルメンブレンの耐久性をさらに向上させることができ、熱蓄積によって発生しうるペリクルメンブレンの変形を最小化させることができ、それにより、ペリクルの寿命を延長させることができる。 In addition, by forming a protective film on at least one surface of the pellicle membrane, the durability of the pellicle membrane can be further improved, and deformation of the pellicle membrane that can occur due to heat accumulation can be minimized. , the life of the pellicle can be extended.

前述の説明は、例示のためのものであり、当該技術分野の当業者であるならば、技術的思想や、必須な特徴を変更せずとも、他の具体的な形態に容易に変形が可能であるということを理解することができるであろう。従って、以上で記述した実施形態は、全ての面において、例示的なものであり、限定的ではないと理解しなければならない。例えば、単一形に説明されている各構成要素は、分散して実施されもし、同様に、分散していると説明されている構成要素は、結合された形態によっても実施される。 The foregoing description is for illustrative purposes only and can be easily modified to other specific forms without changing the technical concept or essential characteristics by those skilled in the art. It will be possible to understand that Accordingly, the embodiments described above are to be understood in all respects as illustrative and not restrictive. For example, each component described in a singular form may also be implemented in distributed form, and similarly, components described as being distributed may also be implemented in a combined form.

権利範囲は、前述の詳細な説明よりは、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味、範囲そしてその均等概念から導出される全ての変更、または変形された形態が権利範囲に含まれると解釈されなければならない。 The scope of rights is indicated by the claims rather than the foregoing detailed description, and all modifications or variations derived from the meaning, scope and equivalents of the claims are included in the scope of rights. must be interpreted as

本発明の、フォトマスク用ペリクル、及びそれを含むレチクル、並びにフォトマスク用ペリクルの製造方法は、例えば、光学的リソグラフィ関連の技術分野に効果的に適用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The photomask pellicle, the reticle including the photomask pellicle, and the method of manufacturing the photomask pellicle according to the present invention can be effectively applied to, for example, optical lithography-related technical fields.

10 マスクパターン
20 マスク基板
30 フォトマスク
40,130,240,330 ペリクルメンブレン
44 介在空間
50 フレーム
60,100,200,300 ペリクル
70 基板
80 レジスト層
90 光源
95 レチクル
99 露光装置
110,210,310 基板
120,230,340 金属触媒層
220,320 バリア層
10 Mask pattern 20 Mask substrate 30 Photomask 40, 130, 240, 330 Pellicle membrane 44 Intervening space 50 Frame 60, 100, 200, 300 Pellicle 70 Substrate 80 Resist layer 90 Light source 95 Reticle 99 Exposure device 110, 210, 310 Substrate 120 , 230, 340 metal catalyst layers 220, 320 barrier layers

Claims (33)

フォトマスクを保護するためのフォトマスク用ペリクルにおいて、
側面と上部面とを含む基板と、
前記基板上に設けられた金属触媒層と、
前記基板と前記金属触媒層との間に設けられた、Si、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含むバリア層と、
前記金属触媒層上に設けられた、二次元(2D:two-dimensional)物質を含むペリクルメンブレンと、を含み、
前記ペリクルメンブレンは、中央領域及びエッジ領域を有し、前記エッジ領域は、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲み、
前記基板、前記バリア層及び前記金属触媒層は、集合的に、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記ペリクルメンブレンの前記中央領域を支持せず、前記バリア層は、前記基板の前記上部面上にのみ存在し、前記基板の前記上部面と前記金属触媒層の底面との間にのみ存在する、フォトマスク用ペリクル。
In a photomask pellicle for protecting a photomask,
a substrate including side surfaces and a top surface ;
a metal catalyst layer provided on the substrate;
a barrier layer comprising at least one of Si 3 N 4 , TiN and TaN provided between the substrate and the metal catalyst layer;
a pellicle membrane comprising a two-dimensional (2D) material provided on the metal catalyst layer;
the pellicle membrane has a central region and an edge region, the edge region at least partially surrounding the central region;
The substrate , the barrier layer and the metal catalyst layer collectively support the edge regions of the pellicle membrane and do not support the central region of the pellicle membrane, and the barrier layer supports the top portion of the substrate. A pellicle for a photomask , present only on the surface and present only between the top surface of the substrate and the bottom surface of the metal catalyst layer.
前記金属触媒層の厚みは、10nm~100μmであることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用ペリクル。 2. The pellicle for a photomask according to claim 1, wherein the metal catalyst layer has a thickness of 10 nm to 100 μm. 前記金属触媒層の厚みは、10nm~10μmであることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用ペリクル。 2. The pellicle for a photomask according to claim 1, wherein the metal catalyst layer has a thickness of 10 nm to 10 μm. 前記2D物質は、h-BN、ケイ素(Si)、リン(P)、ホウ素(B)及びグラフェンのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用ペリクル。 2. The pellicle of claim 1, wherein the 2D material includes at least one of h-BN, silicon (Si), phosphorus (P), boron (B), and graphene. 前記ペリクルメンブレンの厚みは、5nm~50nmであることを特徴とする請求項4に記載のフォトマスク用ペリクル。 5. The pellicle for a photomask according to claim 4, wherein the pellicle membrane has a thickness of 5 nm to 50 nm. 前記金属触媒層は、白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)及びルテニウム(Ru)のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用ペリクル。 The metal catalyst layer includes platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), silver (Ag), tungsten (W), molybdenum (Mo), palladium (Pd) and ruthenium (Ru). 2. The pellicle for a photomask according to claim 1, comprising at least one of: 前記ペリクルメンブレンの光透過度は、80%以上であることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用ペリクル。 2. The pellicle for a photomask according to claim 1, wherein the pellicle membrane has a light transmittance of 80% or more. 前記金属触媒層及び前記基板を合わせた高さは、1mm~10mmであることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用ペリクル。 2. The pellicle for a photomask according to claim 1, wherein the total height of said metal catalyst layer and said substrate is 1 mm to 10 mm. 前記ペリクルメンブレンの少なくとも一面に設けられる保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク用ペリクル。 2. The pellicle of claim 1, further comprising a protective film provided on at least one surface of the pellicle membrane. 前記保護膜は、炭素系物質、遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、ケイ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、ホウ素(B)及び窒化ケイ素(SiN)のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項9に記載のフォトマスク用ペリクル。 The protective film includes at least carbon-based material, transition metal dichalcogenide (TMD), ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), silicon (Si), zirconium (Zr), boron (B), and silicon nitride (SiN). 10. The photomask pellicle of claim 9, comprising one. フォトマスクを保護するためのフォトマスク用ペリクルの製造方法において、
基板上にSi、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含むバリア層を形成する段階と、
前記バリア層上に金属触媒層を形成する段階と、
二次元(2D:two-dimensional)物質を含み、中央領域と、前記中央領域を少なくとも部分的に取り囲むエッジ領域とを含むペリクルメンブレンを、前記金属触媒層上に形成する段階と、
前記ペリクルメンブレンの前記中央領域を支持する前記基板、及び前記金属触媒層の内側領域をエッチングする段階と、を含み、
前記基板、前記バリア層及び前記金属触媒層は、集合的に、前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持せず、前記エッチング段階後に前記バリア層は、前記基板の上部面上にのみ存在し、前記基板の前記上部面と前記金属触媒層の底面との間にのみ存在する、フォトマスク用ペリクルの製造方法。
In a method for manufacturing a photomask pellicle for protecting a photomask,
forming a barrier layer including at least one of Si3N4 , TiN and TaN on a substrate ;
forming a metal catalyst layer on the barrier layer;
forming a pellicle membrane comprising a two-dimensional (2D) material and including a central region and edge regions at least partially surrounding the central region over the metal catalyst layer;
etching the substrate supporting the central region of the pellicle membrane and an inner region of the metal catalyst layer;
The substrate , the barrier layer and the metal catalyst layer collectively support the edge regions of the pellicle membrane and do not support the central region, and after the etching step the barrier layer is formed on the upper surface of the substrate. A method of manufacturing a photomask pellicle that exists only on the substrate and only between the top surface of the substrate and the bottom surface of the metal catalyst layer.
前記ペリクルメンブレンの少なくとも一面に、保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載のフォトマスク用ペリクルの製造方法。 12. The method of claim 11, further comprising forming a protective layer on at least one surface of the pellicle membrane. 前記ペリクルメンブレンは、前記金属触媒層の表面上に、直接形成されることを特徴とする請求項11に記載のフォトマスク用ペリクルの製造方法。 12. The method of manufacturing a pellicle for a photomask according to claim 11, wherein the pellicle membrane is formed directly on the surface of the metal catalyst layer. 前記基板及び前記金属触媒層をエッチングする前記段階は、機械的エッチング、乾式エッチング及び湿式エッチングのうち少なくともいずれか1つの方法によって遂行されることを特徴とする請求項11に記載のフォトマスク用ペリクルの製造方法。 12. The pellicle of claim 11, wherein etching the substrate and the metal catalyst layer is performed by at least one of mechanical etching, dry etching, and wet etching. manufacturing method. マスクパターンを含むフォトマスクと、
請求項1~10のいずれか一項に記載のペリクルと、を含み、
前記金属触媒層は、前記マスクパターンを取り囲むレチクル。
a photomask including a mask pattern;
a pellicle according to any one of claims 1 to 10,
The metal catalyst layer is a reticle surrounding the mask pattern.
前記フォトマスクは、前記ペリクルメンブレンと1mm~10mm離隔されたことを特徴とする請求項15に記載のレチクル。 16. The reticle of claim 15, wherein the photomask is separated from the pellicle membrane by 1 mm to 10 mm. 基板上に備えられたバリア層と、
前記バリア層上に備えられた金属触媒層と、
前記金属触媒層上に設けられたペリクルメンブレンと、を含み、
前記ペリクルメンブレンは、二次元(2D:two-dimensional)物質を含み、中央領域及びエッジ領域を有し、
前記エッジ領域は、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲み、
前記基板、前記バリア層及び前記金属触媒層は、集合的に前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域を支持せず、
前記バリア層は、前記基板の上部面上にのみ存在し、前記基板の上部面と前記金属触媒層の底面との間にのみ存在する、フォトマスク保護用ペリクル。
a barrier layer provided on the substrate;
a metal catalyst layer provided on the barrier layer ;
a pellicle membrane provided on the metal catalyst layer,
the pellicle membrane includes a two -dimensional (2D) material and has a central region and an edge region;
the edge region at least partially surrounds the central region;
the substrate, the barrier layer and the metal catalyst layer collectively support the edge regions and not support the central region of the pellicle membrane;
A pellicle for photomask protection, wherein the barrier layer is present only on the top surface of the substrate and only between the top surface of the substrate and the bottom surface of the metal catalyst layer.
前記バリア層は、TiN及びTaNのうち少なくとも1つを含む、請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクルの製造方法。18. The method of claim 17, wherein the barrier layer includes at least one of TiN and TaN. 前記バリア層は、SiO、Si、TiN及びTaNのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle of claim 17 , wherein the barrier layer comprises at least one of SiO2 , Si3N4 , TiN and TaN. 前記金属触媒層の高さと、前記基板の高さとの和は、1mm~10mmであることを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle for photomask protection according to claim 17 , wherein the sum of the height of the metal catalyst layer and the height of the substrate is 1 mm to 10 mm. 前記金属触媒層は、10nm~100μmの厚みを有することを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle for photomask protection according to claim 17, wherein the metal catalyst layer has a thickness of 10 nm to 100 μm. 前記金属触媒層は、10nm~10μmの厚みを有することを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle for photomask protection according to claim 17, wherein the metal catalyst layer has a thickness of 10 nm to 10 μm. 前記2D物質は、h-BN、Si、P、B及びグラフェンのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。18. The pellicle of claim 17, wherein the 2D material includes at least one of h-BN, Si, P, B, and graphene. 前記ペリクルメンブレンは、5nm~50nmの厚みを有することを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle for photomask protection according to claim 17, wherein the pellicle membrane has a thickness of 5 nm to 50 nm. 前記金属触媒層は、Pt、Cu、Ni、Co、Ag、W、Mo、Pd及びRuのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle of claim 17, wherein the metal catalyst layer comprises at least one of Pt, Cu, Ni, Co, Ag, W, Mo, Pd and Ru. 前記ペリクルメンブレンの光透過度は、80%以上であることを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle for protecting a photomask according to claim 17, wherein the pellicle membrane has a light transmittance of 80% or more. 前記ペリクルメンブレンの少なくとも1つの表面上に形成された保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 18. The pellicle for photomask protection of claim 17, further comprising a protective film formed on at least one surface of the pellicle membrane. 前記保護膜は、炭素系物質、遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、ケイ素(Si)、ジルコニウム(Zr)、ホウ素(B)及び窒化ケイ素(SiN)のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項27に記載のフォトマスク保護用ペリクル。 The protective film includes at least carbon-based material, transition metal dichalcogenide (TMD), ruthenium (Ru), molybdenum (Mo), silicon (Si), zirconium (Zr), boron (B), and silicon nitride (SiN). 28. The photomask protective pellicle of claim 27, comprising one. 基板、バリア層及び金属触媒層を順次に形成する段階と、
次元(2D:two-dimensional)物質を含み、中央領域と、少なくとも部分的に、前記中央領域を取り囲むエッジ領域と、を含むペリクルメンブレンを前記金属触媒層上に形成する段階と、
前記ペリクルメンブレンの前記中央領域を支持する前記基板、前記バリア層、及び前記金属触媒層の少なくとも内側領域をエッチングする段階と、を含み、
前記基板、前記バリア層、及び前記金属触媒層は、集合的に前記ペリクルメンブレンの前記エッジ領域を支持し、前記中央領域と支持せず、
前記エッチング段階後に前記バリア層は、前記基板の上部面上にのみ存在し、前記基板の上部面と前記金属触媒層の底面との間にのみ存在する、フォトマスク保護用ペリクルの製造方法。
sequentially forming a substrate, a barrier layer and a metal catalyst layer;
forming a pellicle membrane on the metal catalyst layer comprising a two -dimensional (2D) material and including a central region and edge regions at least partially surrounding the central region;
etching at least inner regions of the substrate supporting the central region of the pellicle membrane, the barrier layer, and the metal catalyst layer;
the substrate, the barrier layer, and the metal catalyst layer collectively support the edge regions of the pellicle membrane and do not support the central region;
A method of manufacturing a pellicle for protecting a photomask, wherein after the etching step, the barrier layer exists only on the top surface of the substrate and only between the top surface of the substrate and the bottom surface of the metal catalyst layer.
前記ペリクルメンブレンの少なくとも1つの表面上に、保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載のフォトマスク保護用ペリクルの製造方法。 30. The method of claim 29, further comprising forming a protective layer on at least one surface of the pellicle membrane. 前記ペリクルメンブレンを形成する前記段階は、前記金属触媒層の表面上に、直接前記ペリクルメンブレンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項29に記載のフォトマスク保護用ペリクルの製造方法。 30. The method of claim 29, wherein forming the pellicle membrane includes forming the pellicle membrane directly on the surface of the metal catalyst layer. 前記金属触媒層をエッチングする前記段階は、機械的エッチング方法、乾式エッチング方法及び湿式エッチング方法のうち少なくとも一つを使用することにより前記金属触媒層をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項29に記載のフォトマスク保護用ペリクルの製造方法。 3. The etching of the metal catalyst layer comprises etching the metal catalyst layer using at least one of a mechanical etching method, a dry etching method, and a wet etching method. 29. The method for manufacturing a pellicle for photomask protection according to 29 above. 前記2D物質は、h-BN、Si、P、B及びグラフェンのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項28に記載のフォトマスク保護用ペリクルの製造方法。29. The method of claim 28, wherein the 2D material includes at least one of h-BN, Si, P, B, and graphene.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102282273B1 (en) * 2020-01-17 2021-07-27 주식회사 에프에스티 Method for fabricating a pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography
KR102482649B1 (en) * 2020-07-09 2022-12-29 (주)에프에스티 Method for fabricating a pellicle for EUV(extreme ultraviolet) lithography
KR102482650B1 (en) 2021-02-25 2022-12-29 (주)에프에스티 Pellicle film with BN nano structure layer for EUV(extreme ultraviolet) lithography and method for fabricating the same
KR102705080B1 (en) * 2021-04-14 2024-09-11 한국전자기술연구원 Pellicle for extreme ultraviolet lithography
KR102504698B1 (en) * 2022-04-04 2023-02-28 주식회사 그래핀랩 Method for manufacturing pelicle

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016515091A (en) 2013-03-15 2016-05-26 ガーディアン インダストリーズ コーポレイションGuardian Industries Corp. Method for directly producing graphene on a dielectric substrate, and related article / apparatus
US20170090278A1 (en) 2015-09-30 2017-03-30 G-Force Nanotechnology Ltd. Euv pellicle film and manufacturing method thereof
WO2017067813A2 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Asml Netherlands B.V. A method of manufacturing a pellicle for a lithographic apparatus, a pellicle for a lithographic apparatus, a lithographic apparatus, a device manufacturing method, an apparatus for processing a pellicle, and a method for processing a pellicle

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW448487B (en) * 1997-11-22 2001-08-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
KR20020006670A (en) * 1999-03-12 2002-01-24 시마무라 테루오 Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
KR20070069341A (en) * 2005-12-28 2007-07-03 주식회사 하이닉스반도체 Reticle for manufacturing semiconductor
KR20170067662A (en) * 2015-12-08 2017-06-16 주식회사 에스앤에스텍 Pellicle for Extreme Ultra-Violet Photomask and Method for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016515091A (en) 2013-03-15 2016-05-26 ガーディアン インダストリーズ コーポレイションGuardian Industries Corp. Method for directly producing graphene on a dielectric substrate, and related article / apparatus
US20170090278A1 (en) 2015-09-30 2017-03-30 G-Force Nanotechnology Ltd. Euv pellicle film and manufacturing method thereof
WO2017067813A2 (en) 2015-10-22 2017-04-27 Asml Netherlands B.V. A method of manufacturing a pellicle for a lithographic apparatus, a pellicle for a lithographic apparatus, a lithographic apparatus, a device manufacturing method, an apparatus for processing a pellicle, and a method for processing a pellicle

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