KR20230069757A - Pellicle film for extreme ultraviolet lithography comprising a multi-component silicon compound layer - Google Patents
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- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 51
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 13
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 lanthanide group compound Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 17
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002601 lanthanoid compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
본 발명은 극자외선 리소그래피용 펠리클 막에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 3성분 이상의 다성분계 실리콘 화합물 층을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막에 관한 것이다. 본 발명은 극자외선 리소그래피용 펠리클 막으로서, 1) 실리콘(Si)과, 2) Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 하나의 성분과, 3) B, C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 성분, 또는 Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 다른 하나의 성분을 포함하는 3성분계 이상의 다성분계 실리콘 화합물 층을 포함하는 펠리클 막을 제공한다.The present invention relates to a pellicle film for extreme ultraviolet lithography. More specifically, it relates to a pellicle film for extreme ultraviolet lithography including a multi-component silicon compound layer of three or more components. The present invention is a pellicle film for extreme ultraviolet lithography, 1) silicon (Si) and 2) Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr At least one selected from Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu A component of, 3) at least one component selected from B, C, O, N, or Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr , Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu A pellicle film comprising a three-component or multi-component silicone compound layer containing one component is provided.
Description
본 발명은 극자외선 리소그래피용 펠리클 막에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 3성분 이상의 다성분계 실리콘 화합물 층을 포함하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막에 관한 것이다. The present invention relates to a pellicle film for extreme ultraviolet lithography. More specifically, it relates to a pellicle film for extreme ultraviolet lithography including a multi-component silicon compound layer of three or more components.
반도체 디바이스 또는 액정 표시판 등의 제조에 포토리소그래피라는 방법이 사용된다. 포토리소그래피에서는 패터닝의 원판으로서 마스크가 사용되고, 마스크 상의 패턴이 웨이퍼 또는 액정용 기판에 형성된 각종 층에 전사된다. A method called photolithography is used to manufacture semiconductor devices or liquid crystal display panels. In photolithography, a mask is used as an original plate for patterning, and patterns on the mask are transferred to various layers formed on a wafer or a substrate for liquid crystal.
이 마스크에 먼지가 부착되어 있으면 이 먼지로 인하여 빛이 흡수되거나, 반사되기 때문에 전사한 패턴이 손상되어 반도체 장치나 액정 표시판 등의 성능이나 수율의 저하를 초래한다. If dust adheres to the mask, light is absorbed or reflected by the dust, and thus the transferred pattern is damaged, resulting in a decrease in performance or yield of a semiconductor device or liquid crystal display panel.
따라서, 이들의 작업은 보통 클린룸에서 행해지지만 이 클린룸 내에도 먼지가 존재하므로, 마스크 표면에 먼지가 부착하는 것을 방지하기 위하여 펠리클을 부착하는 방법이 사용된다.Therefore, these operations are usually performed in a clean room, but since dust exists even in this clean room, a method of attaching a pellicle is used to prevent dust from adhering to the mask surface.
이 경우, 먼지는 마스크의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 막 위에 부착되고, 리소그래피 시에는 초점이 마스크의 패턴 상에 일치되어 있으므로 펠리클 상의 먼지는 초점이 맞지 않아 패턴에 전사되지 않는 이점이 있다.In this case, the dust is not directly attached to the surface of the mask, but is attached to the pellicle film, and since the focus is matched to the pattern of the mask during lithography, the dust on the pellicle is out of focus and does not transfer to the pattern.
점차 반도체 제조용 노광 장치의 요구 해상도는 높아져 가고 있고, 그 해상도를 실현하기 위해서 광원의 파장이 점점 더 짧아지고 있다. 구체적으로, UV 광원은 자외광 g선(436㎚), I선(365㎚), KrF 엑시머 레이저(248㎚), ArF 엑시머 레이저(193㎚)에서 극자외선(EUV, extreme Ultraviolet, 13.5㎚)으로 점점 파장이 짧아지고 있다.The required resolution of an exposure apparatus for semiconductor manufacturing is gradually increasing, and the wavelength of a light source is getting shorter and shorter in order to realize the resolution. Specifically, UV light sources include ultraviolet g-rays (436 nm), I-rays (365 nm), KrF excimer lasers (248 nm), and ArF excimer lasers (193 nm) to extreme ultraviolet (EUV, 13.5 nm). The wavelength is gradually getting shorter.
이러한 극자외선을 이용한 노광 기술을 실현하기 위해서는 새로운 광원, 레지스트, 마스크, 펠리클의 개발이 불가결하다. 즉, 종래의 유기 펠리클 막은 높은 에너지를 가진 노광 광원에 의해서 물성이 변화되고, 수명이 짧기 때문에 극자외선용 펠리클에는 사용되기 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 다양한 시도가 진행되고 있다.In order to realize exposure technology using extreme ultraviolet rays, it is indispensable to develop new light sources, resists, masks, and pellicles. That is, since the physical properties of the conventional organic pellicle film are changed by an exposure light source having high energy and have a short lifespan, it is difficult to use the pellicle for extreme ultraviolet rays. Various attempts are being made to solve this problem.
예를 들어, 공개특허 제2009-0088396호에는 에어로겔 필름으로 이루어진 펠리클이 개시되어 있다.For example, Patent Publication No. 2009-0088396 discloses a pellicle made of an airgel film.
그리고 공개특허 제2009-0122114호에는 실리콘 단결정 막으로 이루어지는 펠리클 막과 그 펠리클 막을 지지하는 베이스 기판을 포함하며, 베이스 기판에는 60% 이상의 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 극자외선용 펠리클이 개시되어 있다. And, Patent Publication No. 2009-0122114 includes a pellicle film made of a silicon single crystal film and a base substrate supporting the pellicle film, and a pellicle for extreme ultraviolet rays is disclosed in which an opening of 60% or more is formed in the base substrate. .
공개특허 제2009-0122114호에 개시된 극자외선용 펠리클은 극자외선의 투과를 위해서 실리콘 단결정 막을 박막으로 형성하여야 한다. 이러한 실리콘 단결정 박막은 작은 충격에도 쉽게 손상될 수 있으므로, 이를 지지하기 위한 베이스 기판을 사용한다. 이러한 베이스 기판의 보강 틀은 일정한 패턴을 형성하며, 이 패턴이 리소그래피 공정에서 기판에 전사된다는 문제가 있다. 또한, 투과율이 60% 정도로 매우 낮다는 문제가 있다.The pellicle for extreme ultraviolet rays disclosed in Patent Publication No. 2009-0122114 needs to form a silicon single crystal film as a thin film in order to transmit extreme ultraviolet rays. Since this silicon single crystal thin film can be easily damaged even by a small impact, a base substrate is used to support it. There is a problem in that the reinforcing frame of the base substrate forms a certain pattern, and the pattern is transferred to the substrate in a lithography process. In addition, there is a problem that the transmittance is very low, about 60%.
극자외선은 파장이 짧기 때문에 에너지가 매우 높으며, 투과율이 낮기 때문에 상당량의 에너지가 펠리클 막과 베이스 기판에 흡수되어 펠리클 막과 베이스 기판이 가열될 수 있다. 따라서 펠리클 막과 베이스 기판의 재질이 서로 다를 경우에는 리소그래피 공정에서 발생하는 열에 의한 열팽창 차이에 의해서 변형이 발생할 수 있다는 문제 또한 있다.Since extreme ultraviolet rays have a short wavelength, the energy is very high, and since transmittance is low, a considerable amount of energy is absorbed by the pellicle film and the base substrate, so that the pellicle film and the base substrate may be heated. Therefore, when the materials of the pellicle film and the base substrate are different from each other, there is also a problem that deformation may occur due to a difference in thermal expansion due to heat generated in a lithography process.
펠리클 막을 보강하기 위한 별도의 베이스 기판을 사용하지 않는 프리스텐딩 펠리클을 사용하는 방법도 개시되어 있다.A method of using a freestanding pellicle without using a separate base substrate for reinforcing the pellicle film is also disclosed.
예를 들어, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1552940호에는 니켈 호일에 흑연 박막을 형성한 후 니켈 호일을 염화철이 포함된 수용액을 이용하여 에칭하여 흑연 박막을 얻는 방법이 개시되어 있다.For example, Patent Registration No. 1552940 filed and registered by the present applicant discloses a method of obtaining a graphite thin film by forming a graphite thin film on a nickel foil and then etching the nickel foil using an iron chloride-containing aqueous solution.
또한, 본 출원인에 의해서 출원되어 등록된 등록특허 제1303795호, 제1940791호에는 유기물 기판에 지르코늄 또는 몰리브덴 금속 박막 층, 실리콘 박막 층, 탄화규소 박막 층 또는 카본 박막 층을 형성한 후 유기물 기판을 용매를 이용하여 용해하여 펠리클 막을 얻는 방법이 개시되어 있다.In addition, in Registered Patent Nos. 1303795 and 1940791 filed and registered by the present applicant, after forming a zirconium or molybdenum metal thin film layer, a silicon thin film layer, a silicon carbide thin film layer, or a carbon thin film layer on an organic substrate, the organic substrate is removed as a solvent. A method of obtaining a pellicle membrane by dissolving using a is disclosed.
또한, 실리콘 기판의 양면에 질화규소 층을 형성하고, 실리콘 기판의 윗면의 질화규소 층 위에 극자외선의 투과율이 높은 코어 층인 단결정 또는 다결정 실리콘 층, 질화규소 층, 캐핑 층을 순차적으로 형성한 후, 실리콘 기판의 아랫면에 형성된 질화규소 층에 포토레지스트를 도포한 후 패터닝하고, 질화규소 층의 중심부를 건식에칭으로 제거하고, 실리콘 기판의 중심부를 습식에칭으로 제거하여 극자외선이 투과되는 윈도우를 형성하여 펠리클을 제조하는 방법도 사용되고 있다.In addition, after forming a silicon nitride layer on both sides of the silicon substrate, and sequentially forming a single crystal or polycrystalline silicon layer, which is a core layer having high extreme ultraviolet transmittance, a silicon nitride layer, and a capping layer on the silicon nitride layer on the upper surface of the silicon substrate, A method of manufacturing a pellicle by applying photoresist to the silicon nitride layer formed on the lower surface, then patterning, removing the center of the silicon nitride layer by dry etching, and removing the center of the silicon substrate by wet etching to form a window through which extreme ultraviolet rays are transmitted. is also being used.
그런데 실리콘 코어 층은 열 방사율(radiation emissivity) 및 열 기계 안정성(thermo-mechanical stability)의 한계로 수명이 매우 짧다는 문제가 있었다. 그리고 실리콘은 극자외선 노광 환경에서 발생하는 수소 라디칼(radical)이나 하전 수소(charged hydrogen)와 같은 활성 수소 종(active hydrogen species)에 식각되기 때문에 반드시 캐핑 층이 필요한데 이러한 캐핑 층은 극자외선에 대한 투과율이 낮다는 문제점도 있었다.However, the silicon core layer has a problem in that the lifetime is very short due to limitations in radiation emissivity and thermo-mechanical stability. In addition, since silicon is etched by active hydrogen species such as hydrogen radicals or charged hydrogen generated in an extreme ultraviolet exposure environment, a capping layer is required. There was also the problem of being low.
또한, 코어 층으로 열전도도가 높고, 극자외선의 흡수율이 낮은 그래핀 층을 사용하는 방법도 연구되고 있다. 종래의 방법에서는 그래핀 층을 전이금속 촉매 층이 형성된 기판에 탄화수소를 포함한 혼합가스를 주입하여 열처리함으로써 탄소를 흡착시킨 후 냉각하는 방법으로 형성하였으며, 이 그래핀 층을 기판에서 분리한 후, 질화규소 층이 형성된 실리콘 기판에 전사하였다.In addition, a method of using a graphene layer having high thermal conductivity and low absorption of extreme ultraviolet rays as a core layer is also being studied. In the conventional method, a graphene layer is formed by injecting a mixed gas containing hydrocarbon into a substrate on which a transition metal catalyst layer is formed and heat-treating it to adsorb carbon and then cooling it. After the graphene layer is separated from the substrate, silicon nitride The layer was transferred to a silicon substrate.
그런데 이러한 방법으로 전사된 그래핀 층은 질화규소 층으로부터 쉽게 박리된다는 문제점이 있었다. 또한, 극자외선의 반사 등과 같이, 그래핀 층에 잔존하는 금속 촉매에 의한 악영향이 있을 수 있다는 문제점도 있었다.However, there is a problem in that the graphene layer transferred in this way is easily peeled off from the silicon nitride layer. In addition, there was also a problem that there may be adverse effects due to the metal catalyst remaining in the graphene layer, such as reflection of extreme ultraviolet rays.
또한, 그래핀은 실리콘에 비해 극자외선 투과율이 낮아서 두께를 20㎚ 이하로 만들어야 한다는 문제가 있었다. 그래핀 소재는 우수한 기계적 강도로 20㎚ 이하의 박막으로 제작할 수도 있을 것으로 기대되나, 다층 그래핀을 성장시키는 과정에서 성장되는 초반 몇 개 층을 제외하면 그 이후 형성되는 층은 그래핀 보다 흑연에 가까운 특성을 보이고, 전체 다층 그래핀은 예상했던 그래핀의 기계적 특성을 보이지 못하는 것으로 알려졌다. 또한, 층간 결합력이 그다지 강하지 않아 다층 구조에서 상대적으로 약하다는 단점도 있다. In addition, graphene has a problem in that it has a lower extreme ultraviolet ray transmittance than silicon, so that the thickness must be made less than 20 nm. It is expected that the graphene material can be produced as a thin film of 20 nm or less with excellent mechanical strength, but except for the first few layers grown in the process of growing multi-layer graphene, the layers formed thereafter are closer to graphite than graphene. It is known that the entire multilayer graphene does not show the expected mechanical properties of graphene. In addition, there is a disadvantage that the interlayer bonding force is not very strong and is relatively weak in a multilayer structure.
또한, 그래핀 또는 흑연 소재는 활성 수소 종에 노출 시 식각된다는 탄소 자체의 문제가 있어서 반드시 캐핑 층이 필요하며, 이 경우 그래핀 두께를 더 얇게 만들어야 하는 문제가 발생한다.In addition, graphene or graphite materials have a problem of carbon itself that is etched when exposed to active hydrogen species, so a capping layer is necessarily required, and in this case, a problem of making the graphene thinner occurs.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 3성분 이상의 다성분계실리콘 화합물 층을 구비하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 막을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to improve the above problems, and an object of the present invention is to provide a pellicle film for extreme ultraviolet lithography having a multi-component silicon compound layer of three or more components.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 극자외선 리소그래피용 펠리클 막으로서, 1) 실리콘(Si)과, 2) Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 하나의 성분과, 3) B, C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 성분, 또는 Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 다른 하나의 성분을 포함하는 3성분계 이상의 다성분계 실리콘 화합물 층을 포함하는 펠리클 막을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a pellicle film for extreme ultraviolet lithography, 1) silicon (Si) and 2) Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf , Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm , Yb, Lu, and 3) at least one component selected from B, C, O, N, or Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf , Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm , Yb, and provides a pellicle film comprising a multi-component silicon compound layer of three or more components containing at least one other component selected from Lu.
또한, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층과 교대로 적층되어 다층 구조를 형성하는 적어도 한 층의 보완 층을 더 포함하며, 상기 보완 층은 금속 실리사이드 층, 전이 금속 층, 실리콘 층, 실리콘 화합물 층, 카본 층 중에서 선택되는 펠리클 막을 제공한다.The multi-component silicon compound layer may further include at least one complementary layer alternately stacked with the multi-component silicon compound layer to form a multi-layered structure, wherein the supplementary layer includes a metal silicide layer, a transition metal layer, a silicon layer, a silicon compound layer, and a carbon layer. It provides a pellicle film selected from.
또한, 상기 다층 구조의 구조 및 기계적 강도의 향상을 위해서, 상기 보완 층의 종류와 순서가 정해진 펠리클 막을 제공한다.In addition, in order to improve the structure and mechanical strength of the multi-layer structure, the pellicle film in which the type and order of the supplementary layer is determined is provided.
또한, 상기 보완 층은 상기 다성분계 실리콘 화합물 층에 비해서 열 방사율 및 파괴 온도가 높은 층인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the supplementary layer provides a pellicle film that is a layer having higher thermal emissivity and higher breakdown temperature than the multi-component silicon compound layer.
또한, 상기 펠리클 막의 내부 혹은 외부로부터의 특정 원소의 침입, 확산, 화학 반응을 제어하기 위해서, 상기 다층 구조를 형성하는 각 층의 결정화도(crystallinity) 및 층들 사이의 계면 혼합(intermixing)이 제어된 펠리클 막을 제공한다.In addition, in order to control the invasion, diffusion, and chemical reaction of a specific element from the inside or outside of the pellicle film, the crystallinity of each layer forming the multilayer structure and the intermixing between the layers are controlled. provide a barrier
또한, 상기 다층 구조의 최외곽 층은 상기 다성분계 실리콘 화합물 층에 비해서 결정화도가 낮고, 비정질 정도가 높은 금속 실리사이드 층인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the outermost layer of the multi-layer structure provides a pellicle film that is a metal silicide layer having a lower crystallinity and a higher amorphous degree than the multi-component silicon compound layer.
또한, 상기 다층 구조의 최외곽 층은 상기 다성분계 실리콘 화합물 층에 비해서 평균 입경이 작은 금속 실리사이드 층인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the outermost layer of the multi-layer structure provides a pellicle film that is a metal silicide layer having a smaller average particle diameter than the multi-component silicon compound layer.
또한, 상기 다층 구조는 상기 다성분계 실리콘 화합물 층과 상기 보완 층 사이에 고용체가 형성되지 않는 다층 구조인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the multi-layer structure provides a pellicle film having a multi-layer structure in which a solid solution is not formed between the multi-component silicon compound layer and the supplementary layer.
또한, 상기 다층 구조의 최외곽 층은 C, B, N, O 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 금속 실리사이드 층인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the outermost layer of the multilayer structure provides a pellicle film that is a metal silicide layer containing at least one element of C, B, N, and O.
또한, 상기 실리콘 화합물 층은 C, B, N, O 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물 층인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the silicon compound layer provides a pellicle film that is a silicon compound layer containing at least one element of C, B, N, and O.
또한, 상기 실리콘 화합물 층은 SixCy, SixNy, SixOy, SixBy, SixCyOz, SixCyNz, SixByCz, SixByNz, SixNyOz, SixByOz 중에서 선택된 실리콘 화합물 층인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the silicon compound layer is Si x C y , Si x N y , Si x O y , Si x B y , Si x C y O z , Si x C y N z , Si x B y C z , Si x A pellicle film that is a silicon compound layer selected from B y N z , Si x N y O z , and Si x B y O z is provided.
또한, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 구조적인 안정성을 향상시키기 위해서, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 표면 또는 보완 층과의 계면에 배치되며, B, N, O, C 또는 전이 금속 중에서 선택된 소재를 포함하는 구조 안정화 층을 더 포함하는 펠리클 막을 제공한다.In addition, in order to improve the structural stability of the multi-component silicone compound layer, it is disposed on the surface of the multi-component silicone compound layer or at the interface with the supplementary layer, and includes a material selected from B, N, O, C, or a transition metal. It provides a pellicle film further comprising a structure stabilizing layer to.
또한, 상기 구조 안정화 층은 증착 또는 이온 주입 방법으로 통해서 형성되는 펠리클 막을 제공한다.In addition, the structure stabilization layer provides a pellicle film formed through a deposition or ion implantation method.
또한, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 구조적인 안정성을 향상시키기 위해서, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 내부에 배치되며, B, N, O, C 또는 전이 금속 중에서 선택된 소재를 포함하는 구조 안정화 층을 포함하는 펠리클 막을 제공한다.In addition, in order to improve the structural stability of the multi-component silicone compound layer, a structure stabilization layer is disposed inside the multi-component silicone compound layer and includes a material selected from B, N, O, C, or a transition metal. It provides a pellicle membrane that does.
또한, 상기 구조 안정화 층은 이온 주입 방법으로 통해서 형성되는 펠리클 막을 제공한다.In addition, the structure stabilization layer provides a pellicle film formed through an ion implantation method.
또한, 상기 구조 안정화 층의 전이 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Pt, Au 중에서 선택되는 적어도 하나의 전이 금속을 포함하는 펠리클 막을 제공한다.In addition, the transition metal of the structure stabilization layer is Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, A pellicle film containing at least one transition metal selected from among Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Pt, and Au is provided.
또한, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 방사율 개선 및 보호를 위해 최외곽에 형성되는 캐핑 층을 더 포함하는 펠리클 막을 제공한다.In addition, it provides a pellicle film further comprising a capping layer formed on the outermost part to improve and protect the emissivity of the multi-component silicon compound layer.
또한, 상기 캐핑 층은 금속 실리사이드, 전이 금속 화합물, 보론 화합물, 란탄 족 화합물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 펠리클 막을 제공한다.In addition, the capping layer provides a pellicle film including at least one material selected from a metal silicide, a transition metal compound, a boron compound, and a lanthanide group compound.
또한, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층은 B, C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 성분을 포함하며, 상기 실리콘은 원자 백분율 기준으로 50 내지 95%이며, B, C, O, N 중에서 선택된 하나의 성분의 원자 백분율 또는 여러 성분의 원자 백분율의 합은 5 내지 30%인 펠리클 막을 제공한다.In addition, the multi-component silicone compound layer includes at least one component selected from B, C, O, and N, and the silicon is 50 to 95% based on atomic percentage, and one selected from B, C, O, and N The atomic percentage of a component or the sum of the atomic percentages of several components is between 5 and 30% to provide a pellicle membrane.
본 발명에 따른 펠리클 막은 3성분 이상의 다성분계 실리콘 화합물 층을 사용함으로써, 극자외선 리소그래피용이라는 사용 목적에 알맞게 펠리클 막의 특성을 보완하고 조절하기 용이하다는 장점이 있다.The pellicle film according to the present invention has the advantage of easily supplementing and adjusting the characteristics of the pellicle film according to the purpose of use for extreme ultraviolet lithography by using a multi-component silicon compound layer of three or more components.
또한, 다성분계 실리콘 화합물 층과 보완 층이 교대로 적층된 다층 구조를 사용할 경우에는 다성분계 실리콘 화합물의 장점을 발휘하면서도, 부족한 부분을 개선할 수 있다는 장점이 있다.In addition, in the case of using a multi-layer structure in which multi-component silicone compound layers and supplementary layers are alternately stacked, there is an advantage in that insufficient parts can be improved while exhibiting the advantages of the multi-component silicone compound.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1과 2에 도시된 펠리클 막의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 펠리클 막의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펠리클 막의 일부를 나타낸 단면도이다.1 is a perspective view showing a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention is attached to a pellicle frame.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the pellicle film for extreme ultraviolet lithography shown in FIG. 1 is attached to a pellicle frame.
3 is a cross-sectional view showing a portion of the pellicle film shown in FIGS. 1 and 2;
4 is a cross-sectional view showing a part of a pellicle film according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a part of a pellicle film according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments introduced below are provided as examples to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention may be embodied in other forms without being limited to the embodiments described below. And in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Like reference numbers indicate like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 극자외선 리소그래피용 펠리클 막이 펠리클 프레임에 부착된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1과 2에 도시된 펠리클 막의 단면도이다.1 is a perspective view showing a state in which a pellicle film for extreme ultraviolet lithography according to an embodiment of the present invention is attached to a pellicle frame, and FIG. 2 shows a state in which the pellicle film for extreme ultraviolet lithography shown in FIG. 1 is attached to a pellicle frame. 3 is a cross-sectional view of the pellicle film shown in FIGS. 1 and 2.
도 1과 2에 도시된 바와 같이, 펠리클 프레임(1)은 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(10)을 지지하는 중공의 사각 통 형상이다. 도시하지 않았으나, 펠리클 프레임(1)의 장변에는 레티클에 부착된 스터드와 결합하는 픽스처가 결합하는 날개부가 형성될 수도 있다. 또한, 펠리클 프레임(1)에는 펠리클 내부와 외부의 압력 차이를 줄이기 위한 통기구가 형성될 수도 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the pellicle frame 1 has a hollow rectangular cylinder shape supporting the
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 극자외선 리소그래피용 펠리클 막(10)은 코어 층(15)과, 코어 층(15)의 양면에 각각 결합하는 제1 캐핑 층(18)과 제2 캐핑 층(19)을 포함한다.As shown in FIG. 3, in this embodiment, the
코어 층(15)은 극자외선에 대해서 투과율이 높은 재료로 이루어진다. 코어 층(15)은 극자외선에 대해서 80% 이상의 투과율을 갖는 것이 바람직하다. The
제1 캐핑 층(18)과 제2 캐핑 층(19)은 습식 에칭 액과 수소 라디칼로부터 코어 층을 보호하고, 코어 층(15)의 열 방사율(emissivity)을 개선하는 역할을 한다.The
제1 캐핑 층(18)과 제2 캐핑 층(19)은 금속 실리사이드, 전이 금속 화합물, 보론 화합물, 란탄 족 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The
제1 캐핑 층(18)과 제2 캐핑 층(19)은 CVD나 PVD 공정, 예를 들어, 저압 화학 증착(LPCVD) 공정, 원자층 증착(Atomic layer doposition, ALD) 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정 등을 통해서 증착하는 방법으로 형성할 수 있다.The
코어 층(15)은 다성분계 실리콘 화합물 층(11)과 보완 층(12)이 교대로 적층된 다층 구조를 포함한다. The
본 발명에서는 금속과 실리콘의 장점을 모두 가지고 있는 다성분계 실리콘 화합물 층(11)과, 다성분계 실리콘 화합물 층(11)을 보완할 수 있는 보완 층(12)을 교대로 적층한 다층 구조로 코어 층(15)을 형성함으로써, 다성분계 실리콘 화합물 층(11)의 장점을 최대한 유지하면서, 펠리클 막(10)의 광학적, 열-기계적, 화학적 특성을 개선한다.In the present invention, the core layer has a multi-layer structure in which a multi-component
도 3에서는 코어 층(15)이 총 7층을 구성된 것으로 도시되어 있으나, 8층 이상으로 구성될 수도 있으며, 2 내지 6층으로 구성될 수도 있다.In FIG. 3, the
여기서, 다성분계 실리콘 화합물은 3성분계 이상의 실리콘 화합물이다.Here, the multi-component silicone compound is a three-component silicone compound or higher.
다성분계 실리콘 화합물은 ① 실리콘(Si)과, ② Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 하나의 성분과, ③ B, C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 성분 또는 Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 하나의 다른 성분을 포함할 수 있다. 다른 성분은 ②에서 선택된 성분과 다른 성분을 의미한다.Multi-component silicone compounds include ① silicon (Si) and ② Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co , Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and at least one component selected from Lu, ③ B, C , O, at least one component selected from N or Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni , Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and at least one other component selected from Lu. The other component means a component different from the component selected in ②.
B, C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 성분을 포함하는 다성분계 실리콘 화합물의 경우, 실리콘은 원자 백분율 기준으로 50 내지 95%이며, B, C, O, N 중에서 선택된 하나의 성분의 원자 백분율 또는 여러 성분의 원자 백분율의 합은 5 내지 30%이며, 나머지는 선택된 금속 성분 및 불순물로 이루어진다.In the case of a multi-component silicone compound containing at least one component selected from B, C, O, and N, silicon is 50 to 95% based on atomic percentage, and the atomic percentage of one component selected from B, C, O, and N is or the sum of the atomic percentages of the various components is 5 to 30%, the remainder being the selected metal component and impurities.
적어도 두 개의 금속 성분을 포함하는 다성분계 실리콘 화합물에서는 실리콘이 원자 백분율 기준으로 50 내지 95%이며, 나머지는 선택된 금속 성분들 및 불순물로 이루어진다.In a multi-component silicon compound containing at least two metal components, silicon is 50 to 95% on an atomic percentage basis, and the remainder is composed of selected metal components and impurities.
코어 층(15)을 구성하는 다성분계 실리콘 화합물 층(11)들은 서로 같은 다성분계 실리콘 화합물로 이루어질 수도 있으며, 서로 다른 다성분계 실리콘 화합물로 이루어질 수도 있다.The multi-component silicone compound layers 11 constituting the
보완 층(12)은 금속 실리사이드 층, 전이 금속 층, 실리콘 층, 실리콘 화합물 층, 카본 층 중에서 선택될 수 있다.The
실리콘 화합물 층은 C, B, N, O 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물 층인 것이 바람직하다. 예를 들어, 실리콘 화합물 층은 SixCy, SixNy, SixOy, SixBy, SixCyOz, SixCyNz, SixByCz, SixByNz, SixNyOz, SixByOz 중에서 선택된 실리콘 화합물 층일 수 있다.The silicon compound layer is preferably a silicon compound layer containing at least one element of C, B, N, and O. For example, the silicon compound layer may be Si x C y , Si x N y , Si x O y , Si x B y , Si x C y O z , Si x C y N z , Si x B y C z , Si It may be a silicon compound layer selected from x B y N z , Si x N y O z , and Si x B y O z .
보완 층(12)은 서로 같은 물질로 이루어질 수도 있으며, 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다. 보완 층(12)의 소재 및 순서는, 코어 층(15)의 구조 및 기계적 강도의 강화를 위해서 조절될 수 있다.
또한, 코어 층(15)의 열 및 열-기계적 강도의 향상을 위해서 보완 층(12)은 다성분계 실리콘 화합물 층(11)에 비해서 열 방사율 및 파괴 온도가 높은 층일 수 있다.In addition, in order to improve the thermal and thermo-mechanical strength of the
또한, 펠리클 막(10)의 내부 혹은 외부로부터의 특정 원소의 침입, 확산, 화학 반응을 제어하기 위해서, 코어 층(15)를 형성하는 각 층(11, 12)의 결정화도(crystallinity) 및 층들 사이의 계면 혼합(intermixing)이 제어될 수 있다. In addition, in order to control the intrusion, diffusion, and chemical reaction of a specific element from the inside or outside of the
예를 들어, 코어 층(15)의 최외곽 층은 다성분계 실리콘 화합물 층(11)에 비해서 결정화도가 낮고, 비정질 정도가 높은 금속 실리사이드 보완 층(12)일 수 있다. 또한, 다층 구조는 다성분계 실리콘 화합물 층(11)과 보완 층(12) 사이에 고용체가 형성되지 않도록 계면 혼합이 제어된 다층 구조일 수 있다. For example, the outermost layer of the
또한, 다층 구조의 최외곽 층은 다성분계 실리콘 화합물 층에 비해서 평균 입경이 작은 금속 실리사이드 보완 층(12)일 수 있다. 또한, 다층 구조의 최외곽 층은 C, B, N, O 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 금속 실리사이드 보완 층(12)일 수도 있다.In addition, the outermost layer of the multi-layer structure may be a metal
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 펠리클 막의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a pellicle film according to another embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 펠리클 막(20)은 제1 캐핑 층과 제2 캐핑 층을 구비하지 않는다는 점에서, 도 3에 도시된 펠리클 막(10)과 차이가 있다. 또한, 다성분계 실리콘 화합물 층(21)의 표면 또는 다성분계 실리콘 화합물 층(21)과 보완 층(22)의 계면에 구조 안정화 층(25)이 형성된다는 점에서도, 도 3에 도시된 펠리클 막(10)과 차이가 있다.As shown in FIG. 4 , the
구조 안정화 층(25)은 다성분계 실리콘 화합물 층(21)의 구조적인 안정성을 향상시키기 위해서, 증착 또는 이온 주입 방법으로 통해서 형성된다.The
구조 안정화 층(25)은 B, N, O, C 또는 전이 금속 중에서 선택된 소재를 포함하며, 0.2 내지 2㎚의 두께로 형성된다. 전이 금속으로는 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Pt, Au 중에서 선택되는 적어도 하나의 전이 금속이 선택될 수 있다.The
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 펠리클 막의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a pellicle film according to another embodiment of the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 펠리클 막(30)은 구조 안정화 층(35)이 다성분계 실리콘 화합물 층(21)의 중심부에 형성된다는 점에서, 도 4에 도시된 실시예와 차이가 있다. 본 실시예에서 구조 안정화 층(35)은 이온 주입 방법으로 형성할 수 있다.As shown in FIG. 5, the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and is common in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Of course, various modifications and implementations are possible by those with knowledge of, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or perspective of the present invention.
10, 20, 30: 펠리클 막
11, 21, 31: 다성분계 실리콘 화합물 층
12, 22, 32: 보완 층
18: 제1 캐핑 층
19: 제2 캐핑 층
25, 35: 구조 안정화 층10, 20, 30: pellicle membrane
11, 21, 31: multi-component silicone compound layer
12, 22, 32: complementary layer
18: first capping layer
19: second capping layer
25, 35: structural stabilization layer
Claims (19)
1) 실리콘(Si)과,
2) Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 하나의 성분과,
3) B, C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 성분, 또는 Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu 중에서 선택된 적어도 다른 하나의 성분을 포함하는 3성분계 이상의 다성분계 실리콘 화합물 층을 포함하는 펠리클 막.As a pellicle film for extreme ultraviolet lithography,
1) silicon (Si);
2) Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe, U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, At least one component selected from Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu;
3) at least one component selected from B, C, O, N, or Zr, Y, La, Mo, Nb, Ru, W, Ti, Ta, Pt, Hf, Cu, Nd, V, Cr, Mn, Fe , U, Co, Ni, Ce, Th, Pu, Re, Rh, Ir, Pr, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu A pellicle film comprising a three-component or multi-component silicone compound layer comprising:
상기 다성분계 실리콘 화합물 층과 교대로 적층되어 다층 구조를 형성하는 적어도 한 층의 보완 층을 더 포함하며,
상기 보완 층은 금속 실리사이드 층, 전이 금속 층, 실리콘 층, 실리콘 화합물 층, 카본 층 중에서 선택되는 펠리클 막.According to claim 1,
Further comprising at least one complementary layer alternately stacked with the multi-component silicon compound layer to form a multi-layer structure,
The supplementary layer is a pellicle film selected from a metal silicide layer, a transition metal layer, a silicon layer, a silicon compound layer, and a carbon layer.
상기 다층 구조의 구조 및 기계적 강도의 향상을 위해서, 상기 보완 층의 종류와 순서가 정해진 펠리클 막.According to claim 2,
In order to improve the structure and mechanical strength of the multilayer structure, the pellicle film in which the type and order of the supplementary layer are determined.
상기 보완 층은 상기 다성분계 실리콘 화합물 층에 비해서 열 방사율 및 파괴 온도가 높은 층인 펠리클 막.According to claim 2,
The supplementary layer is a layer having a higher thermal emissivity and breakdown temperature than the multi-component silicon compound layer.
상기 펠리클 막의 내부 혹은 외부로부터의 특정 원소의 침입, 확산, 화학 반응을 제어하기 위해서, 상기 다층 구조를 형성하는 각 층의 결정화도(crystallinity) 및 층들 사이의 계면 혼합(intermixing)이 제어된 펠리클 막.According to claim 2,
In order to control the penetration, diffusion, and chemical reaction of a specific element from the inside or outside of the pellicle film, the crystallinity of each layer forming the multilayer structure and the intermixing between the layers are controlled Pellicle film.
상기 다층 구조의 최외곽 층은 상기 다성분계 실리콘 화합물 층에 비해서 결정화도가 낮고, 비정질 정도가 높은 금속 실리사이드 층인 펠리클 막.According to claim 2,
The outermost layer of the multi-layer structure is a metal silicide layer having a lower crystallinity and a higher amorphous degree than the multi-component silicon compound layer.
상기 다층 구조의 최외곽 층은 상기 다성분계 실리콘 화합물 층에 비해서 평균 입경이 작은 금속 실리사이드 층인 펠리클 막.According to claim 2,
The outermost layer of the multi-layer structure is a metal silicide layer having a smaller average particle diameter than the multi-component silicon compound layer.
상기 다층 구조는 상기 다성분계 실리콘 화합물 층과 상기 보완 층 사이에 고용체가 형성되지 않는 다층 구조인 펠리클 막.According to claim 2,
The multi-layer structure is a multi-layer structure in which a solid solution is not formed between the multi-component silicon compound layer and the supplementary layer.
상기 다층 구조의 최외곽 층은 C, B, N, O 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 금속 실리사이드 층인 펠리클 막.According to claim 2,
The outermost layer of the multilayer structure is a metal silicide layer containing at least one element of C, B, N, and O. The pellicle film.
상기 실리콘 화합물 층은 C, B, N, O 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 실리콘 화합물 층인 펠리클 막.According to claim 2,
The silicon compound layer is a pellicle film that is a silicon compound layer containing at least one element of C, B, N, and O.
상기 실리콘 화합물층은 SixCy, SixNy, SixOy, SixBy, SixCyOz, SixCyNz, SixByCz, SixByNz, SixNyOz, SixByOz 중에서 선택된 실리콘 화합물 층인 펠리클 막.According to claim 10,
The silicon compound layer is Si x C y , Si x N y , Si x O y , Si x B y , Si x C y O z , Si x C y N z , Si x B y C z , Si x B y N A pellicle film that is a silicon compound layer selected from z , Si x Ny O z , and Si x B y O z .
상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 구조적인 안정성을 향상시키기 위해서, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 표면 또는 보완 층과의 계면에 배치되며, B, N, O, C 또는 전이 금속 중에서 선택된 소재를 포함하는 구조 안정화 층을 더 포함하는 펠리클 막.According to claim 2,
In order to improve the structural stability of the multi-component silicon compound layer, it is disposed on the surface of the multi-component silicon compound layer or at the interface with the complementary layer, and includes a material selected from B, N, O, C, or transition metal. A pellicle membrane further comprising a stabilizing layer.
상기 구조 안정화 층은 증착 또는 이온 주입 방법으로 통해서 형성되는 펠리클 막.According to claim 12,
The structure stabilization layer is a pellicle film formed through a deposition or ion implantation method.
상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 구조적인 안정성을 향상시키기 위해서, 상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 내부에 배치되며, B, N, O, C 또는 전이 금속 중에서 선택된 소재를 포함하는 구조 안정화 층을 포함하는 펠리클 막.According to claim 2,
In order to improve structural stability of the multi-component silicon compound layer, a pellicle comprising a structure stabilizing layer disposed inside the multi-component silicon compound layer and including a material selected from B, N, O, C or a transition metal membrane.
상기 구조 안정화 층은 이온 주입 방법으로 통해서 형성되는 펠리클 막.According to claim 14,
The structure stabilization layer is a pellicle film formed through an ion implantation method.
상기 구조 안정화 층의 전이 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Pt, Au 중에서 선택되는 적어도 하나의 전이 금속을 포함하는 펠리클 막.According to claim 12 or 14,
The transition metal of the structure stabilization layer is Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Lu, A pellicle film comprising at least one transition metal selected from Hf, Ta, W, Re, Os, Pt, and Au.
상기 다성분계 실리콘 화합물 층의 방사율 개선 및 보호를 위해 최외곽에 형성되는 캐핑 층을 더 포함하는 펠리클 막.According to claim 1,
A pellicle film further comprising a capping layer formed on an outermost part to improve emissivity and protect the multi-component silicon compound layer.
상기 캐핑 층은 금속 실리사이드, 전이 금속 화합물, 보론 화합물, 란탄 족 화합물 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 펠리클 막.According to claim 17,
The capping layer includes at least one material selected from a metal silicide, a transition metal compound, a boron compound, and a lanthanide group compound.
상기 다성분계 실리콘 화합물 층은 B, C, O, N 중에서 선택된 적어도 하나의 성분을 포함하며,
상기 실리콘은 원자 백분율 기준으로 50 내지 95%이며,
B, C, O, N 중에서 선택된 하나의 성분의 원자 백분율 또는 여러 성분의 원자 백분율의 합은 5 내지 30%인 펠리클 막.
According to claim 1,
The multi-component silicone compound layer includes at least one component selected from B, C, O, and N,
The silicon is 50 to 95% on an atomic percentage basis,
A pellicle membrane wherein the atomic percentage of one component selected from B, C, O, and N or the sum of atomic percentages of several components is 5 to 30%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2022/017536 WO2023085761A1 (en) | 2021-11-12 | 2022-11-09 | Pellicle film comprising multi-component silicon compound layer for extreme ultraviolet lithography |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210155971 | 2021-11-12 | ||
| KR20210155971 | 2021-11-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230069757A true KR20230069757A (en) | 2023-05-19 |
Family
ID=86546902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210174530A KR20230069757A (en) | 2021-11-12 | 2021-12-08 | Pellicle film for extreme ultraviolet lithography comprising a multi-component silicon compound layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230069757A (en) |
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-
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- 2021-12-08 KR KR1020210174530A patent/KR20230069757A/en not_active Application Discontinuation
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