KR102577456B1 - 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트 - Google Patents

열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트 Download PDF

Info

Publication number
KR102577456B1
KR102577456B1 KR1020227025523A KR20227025523A KR102577456B1 KR 102577456 B1 KR102577456 B1 KR 102577456B1 KR 1020227025523 A KR1020227025523 A KR 1020227025523A KR 20227025523 A KR20227025523 A KR 20227025523A KR 102577456 B1 KR102577456 B1 KR 102577456B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
support
workpiece
support plate
base
light source
Prior art date
Application number
KR1020227025523A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220107329A (ko
Inventor
롤프 브레멘스도르퍼
요하네스 케플러
마이클 엑스. 양
토르스텐 휠스만
Original Assignee
매슨 테크놀로지 인크
베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매슨 테크놀로지 인크, 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 매슨 테크놀로지 인크
Publication of KR20220107329A publication Critical patent/KR20220107329A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102577456B1 publication Critical patent/KR102577456B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

워크피스를 균일하게 가열하기 위해 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트가 제공된다. 일 예시적인 구현예에서, 국부적인 가열은, 콜드 스폿을 야기하는 영역에 근접한 지지 플레이트의 하나 이상의 부분이 지지 플레이트의 나머지 부분보다 더 많은 열을 전달하도록 지지 플레이트의 열투과율을 변경함으로써 달성된다. 예를 들어, 지지 플레이트의 하나 이상의 부분(예를 들어, 하나 이상의 지지 핀에 근접한 영역)은 지지 플레이트의 나머지 부분보다 더 높은 열투과율(예를 들어, 더 높은 광투과율)을 갖는다. 다른 예시적인 구현예에서, 국부적인 가열은 열원로부터의 광에 의해 전역적으로 워크피스를 가열하는 것 이외에 투과성 지지 구조체(예를 들어, 하나 이상의 지지 핀, 또는 링 지지부)를 통해 간섭 광원을 통해 워크피스를 가열함으로써 달성된다.

Description

열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트{SUPPORT PLATE FOR LOCALIZED HEATING IN THERMAL PROCESSING SYSTEMS}
본 출원은 "열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트"라는 명칭으로 2018년 3월 20일자로 출원된 미국 가출원 62/645,476호의 우선권의 이익을 주장하며, 그 전체 내용은 모든 목적을 위해 본원에 참고로 편입된다.
본 발명은 일반적으로 열처리 시스템에 관한 것이다.
본 명세서에서 사용되는 열처리 챔버는 반도체 웨이퍼와 같은 워크피스를 가열하는 장치를 지칭한다. 이러한 장치는 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 플레이트, 및 가열 램프, 레이저 또는 다른 열원과 같은 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 에너지원을 구비할 수 있다. 열처리 동안, 반도체 웨이퍼는 사전 설정된 온도 계획(temperature regime)에 따라 제어된 조건들 하에서 가열될 수 있다.
많은 반도체 가열 공정은 웨이퍼가 디바이스(들)로 제조될 때 다양한 화학적 및 물리적 변환들이 발생할 수 있도록 웨이퍼가 고온으로 가열될 것을 요구한다. 급속 열처리 동안, 예를 들어, 반도체 웨이퍼는 전형적으로 수 분 미만의 시간 동안 약 300℃ 내지 약 1,200℃의 온도로 지지 플레이트를 통해 램프의 어레이에 의해 가열될 수 있다. 이들 공정 동안, 1차 목표는 가능한 한 균일하게 웨이퍼를 가열하는 것일 수 있다.
본 개시내용의 실시예에 대한 관점 및 이점이 하기의 상세한 설명에 부분적으로 기재되거나, 또는 그 설명으로부터 학습될 수 있거나, 또는 그 실시예의 실시를 통해 학습될 수 있다.
본 개시내용의 하나의 예시적인 관점은 열처리 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 워크피스를 가열하도록 구성된 복수의 열원(heat source)을 구비한다. 상기 장치는 열처리 동안 상기 워크피스를 지지하도록 작동가능한 회전가능한 지지 플레이트를 구비한다. 상기 회전가능한 지지 플레이트는 워크피스와 접촉하도록 구성된 투과성 지지 구조체를 구비한다. 상기 투과성 지지 구조체는 제1 단부 및 제2 단부를 구비한다. 상기 지지 구조체의 제1 단부는 워크피스를 지지하도록 배치된다. 상기 장치는 간섭광이 상기 투과성 지지 구조체와 접촉하는 상기 워크피스의 일부를 가열하도록 상기 투과성 지지 구조체를 통해 간섭광을 방출하도록 작동가능한 광원을 구비한다.
본 개시내용의 다른 예시적인 관점은 반도체 기판을 열적으로 처리하기 위한 시스템, 방법, 장치, 및 공정에 관한 것이다.
다양한 실시예들의 이들 및 다른 특징, 관점 및 이점은 하기의 설명 및 첨부된 청구범위를 참조하면 더 잘 이해될 것이다. 본 명세서의 일부로 포함되어 구성하는 첨부한 도면은 본 개시내용의 실시예를 도시하며, 그 설명과 함께 관련된 원리를 설명한다.
본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 관한 실시예들의 상세한 설명은 첨부된 도면들을 참조하여 본 명세서에서 설명된다.
도 1은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달구역을 갖는 지지 플레이트를 구비한 예시적인 급속 열처리(RTP) 시스템을 도시한다.
도 2a 및 2b는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 예시적인 지지 플레이트를 도시한다.
도 3은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 지지 플레이트를 통해 워크피스를 가열하기 위한 공정스의 흐름도를 도시한다.
도 4는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 회전가능한 지지 플레이트 및 간섭 광원을 갖는 예시적인 RTP 시스템을 도시한다.
도 5는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 예시적인 베이스를 도시한다.
도 6은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 회전가능한 지지 플레이트를 통해 워크피스를 가열하는 간섭광의 예를 도시한다.
도 7은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 링 지지부를 갖는 예시적인 회전가능한 지지 플레이트를 도시한다.
도 8은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 회전가능한 지지 플레이트 및 간섭 광원에 근거하여 워크피스를 가열하기 위한 공정의 흐름도를 도시한다.
이제, 실시예에 대한 참조가 상세하게 이룽지며, 그 하나 이상의 예는 도면에 도시된다. 각각의 예는 본 개시내용의 제한이 아닌 실시예의 설명에 의해 제공된다. 사실상, 본 개시내용의 범위 또는 사상으로부터 벗어나지 않고서 실시예에 대한 다양한 수정 및 변형이 이루어질 수 있다는 것이 당업자들에게 명백할 것이다. 예를 들어, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명된 특징은 또 다른 실시예를 산출하기 위해 다른 실시예와 함께 사용될 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 관점은 이러한 수정 및 변형을 포함하도록 의도된다.
본 개시내용의 예시적인 관점은 반도체 워크피스, 광-전자 워크피스, 평판 디스플레이, 또는 다른 적합한 워크피스와 같은 워크피스들을 균일하게 가열하기 위해 열처리 시스템에서 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트에 관한 것이다. 워크피스 재료는, 예를 들어 실리콘, 실리콘 게르마늄, 유리, 플라스틱, 또는 다른 적절한 재료를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 워크피스는 반도체 웨이퍼일 수 있다. 지지 플레이트는 진공 어닐링 공정, 급속 열 공정 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 다양한 워크피스 제조 공정을 구현하는 다양한 열처리 시스템에서 워크피스를 지지하는데 사용될 수 있다. 지지 플레이트는 워크피스의 일 측면(예를 들어, 후면) 또는 양 측면이 하나 이상의 열원에 노출되는 상기한 열처리 시스템에 적용될 수 있다.
열처리 챔버는 자외선으로부터 근적외선 전자기 스펙트럼 범위의 광을 방출하는 열원을 구비할 수 있다. 워크피스의 일 측면 또는 양 측면을 열원에 노출시키기 위해, 워크피스는 캐리어 구조체, 전형적으로 워크피스 아래의 베이스에 장착된 하나 이상의 지지 핀에 의해 지지된다. 상기 지지 핀 및 베이스는 지지 플레이트를 형성한다. 일부 구성에서, 상기 베이스는 매우 투명하고 균일한 재료(예컨대, 석영 유리)로 제조된다. 그러나, 상기 지지 핀에 의한 광의 차단은 회피될 수 없다. 이와 같이, 상기 지지 핀과 접촉하는 워크피스의 접촉 영역에서 워크피스 온도를 감소시키는 핀 스팟 효과(pin spot effect)가 있을 수 있다.
워크피스를 가열하는 동안, 워크피스는 열처리 챔버 내의 벽 및 지지 플레이트와 열 평형 상태에 있지 않다. 지지 핀의 재료(예를 들어, 석영 재료)의 열전도가 낮고 상기 지지 핀과 접촉하는 워크피스의 접촉 영역이 작더라도, 상기 지지 핀과 관련된 더 차가운 접촉 영역 내로의 열전도에 의한 냉각 효과가 여전히 존재한다. 또한, 신속한 열적 과도현상(예를 들어, 급속 열처리 적용)에서, 지지 핀의 추가된 열 질량은 접촉 영역에서 워크피스의 가열 속도를 감소시킬 수 있다. 그 결과, 워크피스 온도는 콜드 스폿(cold spot)을 형성하는 접촉 영역에서 감소된다. 전형적으로, 하나 이상의 콜드 스폿은 상기 지지 플레이트와 접촉하는 워크피스의 하나 이상의 접촉 영역에 남겨질 수 있다. 상기 콜드 스폿은 쉐도잉(shadowing), 열전도 및 더 높은 열 질량과 같은 3가지의 주요 효과에 의해 야기될 수 있다. 본 개시내용의 예시적인 관점에 따르면, 상기 접촉 영역의 국부적인 가열은 워크피스 상에 남겨진 콜드 스폿을 보상하는데 이용될 수 있다.
본 개시내용의 예시적인 관점은 워크피스 상의 콜드 스폿을 보상하기 위해 열처리 시스템에서 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트에 관한 것이다. 국부적인 가열은, 냉각 스폿이 지지 플레이트의 나머지보다 더 많은 열을 전달하게 하는 영역에 지지 플레이트의 하나 이상의 부분이 근접하도록 지지 플레이트의 열투과율을 변경함으로써 달성된다.
예를 들어, 상기 지지 플레이트는 베이스와, 처리 동안에 워크피스와 접촉하기 위한 하나 이상의 지지 핀을 구비할 수 있다. 하나 이상의 열원(예를 들어, 램프, 레이저, 또는 다른 열원)이 워크피스를 가열하는데 이용된다. 국부적인 가열은 지지 핀에 근접(예컨대, 아래 및/또는 주위, 위 및/또는 주위 등)한 지지 플레이트의 영역이 지지 플레이트의 나머지보다 열원으로부터 더 많은 광을 전달하도록 지지 플레이트의 광투과율을 변경함으로써 달성된다. 예를 들어, 상기 지지 플레이트의 광투과율은 상기 지지 핀이 베이스에 결합되는 베이스의 부분만이 상기 베이스의 비처리 재료(예를 들어, 석영 유리)에 대해 변경되지 않도록 수정된다. 상기 지지 핀으로부터 멀어지는 베이스의 부분에서, 광투과율은 베이스의 석영 유리의 처리에 의해 감소된다. 광투과율을 감소시키기 위한 처리는 그라인딩, 코팅, 각인, 또는 도핑을 포함할 수 있다. 미처리된 석영 유리를 갖는 베이스의 부분은 처리된 석영 유리로 베이스의 부분에 비해 더 높은 가열 플럭스를 전달한다. 이와 같이, 워크피스는 지지 핀에 근접하게 위치된 베이스의 부분으로부터 더 높은 가열 플럭스에 노출되어, 상기 지지 핀에 의해 야기된 콜드 스폿을 보상한다.
본 개시내용의 다른 예시적인 관점은 워크피스 상의 콜드 스폿을 보상하기 위해 열처리 시스템에서 국부적인 가열을 위한 열처리 장치에 관한 것이다. 상기 열처리 장치는 하나 이상의 열원(예를 들어, 램프, 또는 임의의 다른 열원), 간섭 광원(예를 들어, 레이저, 또는 임의의 다른 적절한 소스), 및 지지 구조체(예를 들어, 하나 이상의 지지 핀, 또는 링 지지부 등)를 갖는 회전가능한 지지 플레이트를 구비한다. 워크피스의 지지 구조체와의 접촉으로 인한 콜드 스폿은, 열원으로부터의 광에 의해 전역적으로 워크피스를 가열하는 것 이외에, 지지 구조체를 통해 간섭 광원을 통해 워크피스를 가열함으로써 보상될 수 있다. 이와 같이, 콜드 스폿은 간섭 광원으로부터의 광에 의해 국부적으로 가열된다.
예를 들어, 일부 실시예에서, 냉각 스폿은 간섭 광원으로부터 지지 핀 상으로 간섭광(예를 들어, 레이저 빔)의 빔을 비춤으로써 보상된다. 상기 지지 핀은 석영과 같은 투과성 재료로 제조된다. 상기 간섭광은 투과성 지지 핀을 통과하여 상기 지지 핀과 접촉하는 상기 워크피스의 부분을 가열한다.
일부 실시예에서, 상기 간섭 광원은 지지 핀이 지지 플레이트의 회전 동안 간섭광을 통해 회전하도록 열처리 장치의 고정 부분에 장착된다. 일부 실시예에서, 상기 간섭 광원은 지지 핀과 접촉하는 워크피스의 접촉 영역만을 가열하기 위해 워크피스 회전에 대해 스위치 온 및 오프로 동기화되도록 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 간섭 광원은 지지 플레이트가 지지 플레이트의 회전 동안 간섭 광원의 전방에 통과할 때 간섭광만을 방출하도록 제어될 수 있다.
일부 실시예에서, 동기화는 광원으로부터 방출된 간섭광의 전력을 형상화함으로써 달성될 수 있다. 예를 들어, 간섭광의 파워는 지지 핀이 간섭 광원의 전방에 통과하지 않을 때 제1 값에 있도록 제어될 수 있다. 상기 지지 핀이 간섭 광원에 접근함에 따라, 간섭광의 파워가 증가될 수 있다. 상기 지지 핀이 간섭 광원을 통과할 때, 간섭광의 파워는 제1 값보다 큰 제2 값으로 제어될 수 있다. 상기 지지 핀이 간섭 광원으로부터 멀어짐에 따라, 간섭광의 파워는, 예를 들어 제1 값 또는 제2 값보다 작은 제3 값으로 다시 감소될 수 있다.
일부 실시예에서, 이러한 동기화는 전기 제어 회로에 의해 달성될 수 있으며, 여기서 트리거 신호는 회전 배향 및 회전 속도를 나타내는 센서 신호로부터 생성된다. 예를 들어, 회전 배향의 알려진 정보 및 회전가능한 지지 플레이트 또는 워크피스의 속도에 근거하여, 간섭 광원의 방출은 회전가능한 지지 플레이트의 운동과 동기화될 수 있다. 상기 간섭 광원은 지지 핀이 지지 플레이트의 회전 동안 상기 간섭 광원을 통과할 때 간섭광을 상기 지지 핀 내로 그리고 상기 워크피스 상으로 방출하고, 상기 간섭 광원은 상기 지지 핀이 상기 간섭 광원의 전방에 위치되지 않을 때 상기 간섭광을 방출하는 것을 중단한다.
일부 실시예에서, 국부적인 가열은, 지지 핀에 근접한 베이스의 하나 이상의 부분이 간섭광을 투과시키고, 상기 베이스의 나머지가 간섭 광원으로부터의 간섭광에 대해 불투명하도록 베이스의 광투과율을 수정함으로써 달성될 수 있다. 상기 베이스의 불투명 부분은 그라인딩, 코팅, 각인 또는 도핑에 의해 생성될 수 있다. 상기 베이스의 불투명 부분은 열원으로부터 광을 차단하지 않도록 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 불투명 부분은 반-환형 불투명 부분(semi-annular opaque portion)(예를 들어, 세그먼트형 링)의 형태로 베이스의 일 측면(예를 들어, 후면) 또는 양 측면 상의 파장 선택 코팅(wavelength selective coating)이다. 상기 반-환형 불투명 부분은 간섭 광원에 대한 지지 플레이트의 회전 동안 베이스를 따른 간섭광의 경로를 따라 지지 핀들 사이에서 연장될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 반-환형 불투명 부분의 폭은 베이스와 접촉하는 간섭광의 접촉 영역의 직경 이하일 수 있다. 상기 접촉 영역의 예는 베이스 상에 간섭광의 초점, 또는 베이스와 접촉하는 간섭광의 단면을 포함한다. 파장 선택 코팅은 간섭광 방사의 좁은 대역만이 차단되도록 선택되는 반면에, 열원으로부터의 광대역 광은 거의 완전히 투과되어, 글로벌 온도 균일성에 대한 영향을 감소시킨다. 이와 같이, 상기 회전가능한 지지 플레이트의 회전에 대한 간섭 광원의 동기화는 본질적으로 회전가능한 지지 플레이트 자체에 의해 야기된다. 이러한 예시적인 실시예에서, 상기 간섭 광원은 전체 열 사이클 또는 열 사이클의 관련 부분 동안에 간섭광을 유지하여 방출시킬 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 지지 플레이트는 링 지지부를 구비할 수 있다. 상기 링 지지부는 간섭 광원으로부터의 간섭 광의 통과를 허용하여 워크피스를 가열하도록 하는 투과성 재료(예를 들어, 석영)일 수 있다. 이러한 예시적인 실시예에서, 상기 간섭 광원은 전체 열 사이클 동안 또는 열 사이클의 관련 부분 동안에 간섭광을 유지하여 방출시킬 수 있다. 상기 링 지지부는 워크피스의 중심에 대해 중심설정된 베이스에 장착될 수 있다. 상기 링 지지부의 높이는 지지 핀의 높이와 대략 동일할 수 있다. 추가적인 가열 없이, 상기 링 지지부는 워크피스 상에 회전 대칭 콜드 패턴을 야기할 수 있다. 상기 간섭 광원을 링 지지부에 근접(예컨대, 아래)에 배치함으로써 그리고 워크피스 및 상기 링 지지체를 그 공통 중심을 중심으로 회전시킴으로써, 상기 콜드 패턴은 상기 간섭 광원으로부터 상기 링 지지부를 통해 워크피스 상으로 연속적으로 방출되는 간섭광에 의해 보상된다.
본 개시내용의 관점은 다수의 기술적 효과 및 이점을 달성할 수 있다. 예를 들어, 본 개시내용의 관점은 열처리 툴 내의 지지 핀과 연관된 콜드 스폿의 존재를 감소시킬 수 있다.
본 개시내용의 이들 예시적인 실시예에 대한 변형 및 수정이 이루어질 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 단수형은 문맥상 명백히 달리 지시하지 않는 한 복수의 지시 대상을 포함한다. "제1", "제2", "제3" 및 "제4"의 사용은 식별자로서 사용되고 처리 순서에 관한 것이다. 예시적인 관점은 예시 및 논의의 목적들을 위해, "기판", "웨이퍼" 또는 "워크피스"를 참조하여 논의될 수 있다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 사용하여, 당업자는 본 개시내용의 예시적인 관점이 임의의 적절한 워크피스와 함께 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 수치 값과 관련하여 "약"이라는 용어의 사용은 언급된 수치 값의 20% 이내를 지칭한다.
도면을 참조하여 본 개시내용의 예시적인 실시예를 상세하게 설명한다. 도 1은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 지지 플레이트(120)를 구비한 예시적인 급속 열처리(RTP) 시스템(100)을 도시한다. 도시한 바와 같이, RTP 시스템(100)은 RTP 챔버(105), 워크피스(110), 지지 플레이트(120), 열원(130, 140), 공기 베어링(145), 고온계(165), 제어기(175), 도어(180) 및 가스 흐름 제어기(185)를 구비한다.
처리될 워크피스(110)는 지지 플레이트(120)에 의해 RTP 챔버(105)(예를 들어, 석영 RTP 챔버) 내에 지지된다. 지지 플레이트(120)는 열처리 동안 워크피스(110)를 지지한다. 지지 플레이트(120)는 회전가능한 베이스(135), 및 회전가능한 베이스(135)로부터 연장되는 적어도 하나의 지지 구조체(115)를 구비한다. 지지 구조체는 열처리 동안 워크피스를 접촉 및 지지하는 구조체를 기술한다. 지지 구조체의 예는 하나 이상의 지지 핀, 링 지지부, 또는 워크피스를 접촉하여 지지하는 임의의 다른 적절한 지지부를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 지지 구조체(115)는 하나 이상의 지지 핀(하나만 도시됨)을 구비한다. 지지 구조체(115) 및 회전가능한 베이스(135)는 열원(140)으로부터 열을 전달하고 워크피스(110)로부터 열을 흡수할 수 있다. 일부 실시예에서, 지지 구조체(115) 및 회전가능한 베이스(135)는 석영으로 제조될 수 있다. 회전가능한 베이스(135)는 후술하는 바와 같이, 규정된 회전 방향 및 규정된 회전 속도로 워크피스(110)을 회전시킨다.
가드 링(미도시)은 워크피스(110)의 하나 이상의 에지로부터의 방사의 에지 효과를 감소시키는데 사용될 수 있다. 단부 플레이트(190)는 챔버(105)에 밀봉되고, 도어(180)는 워크피스(110)를 도입하게 하고, 폐쇄될 때, 챔버(105)가 밀봉될 수 있게 하고, 프로세스 가스(125)가 챔버(105) 내로 도입될 수 있게 한다. 열원(예를 들어, 램프, 또는 다른 적절한 열원)(130, 140)의 2개의 뱅크는 워크피스(110)의 양 측면 상에 도시된다. 제어기(175)(예를 들어, 컴퓨터, 마이크로제어기(들), 다른 제어 장치(들) 등)는 열원(130, 140)을 제어하는데 이용된다. 제어기(175)는 가스 흐름 제어기(185), 도어(180), 및/또는 고온계(165)로 표시된 온도 측정 시스템을 제어하는데 이용될 수 있다.
가스 흐름(150)은 워크피스(110)와 반응하지 않는 불활성 가스일 수 있거나, 또는 가스 흐름(150)은 워크피스(110) 상에 층을 형성하기 위해 워크피스(110)(예를 들어, 반도체 웨이퍼 등)의 재료와 반응하는 산소 또는 질소와 같은 반응성 가스일 수 있다. 가스 흐름(150)는 워크피스(110)의 표면으로부터 임의의 재료를 소비하지 않고서 가열된 표면 상에 층을 형성하도록 처리되는 워크피스(110)의 가열된 표면에서 반응하는 실리콘 화합물을 포함할 수 있는 가스일 수 있다. 가스 흐름(150)이 표면 상에 층을 형성하기 위해 반응할 때, 공정은 급속 열-화학 기상 증착(RT-CVD)으로 지칭된다. 일부 실시예에서, 전류는 표면에서의 또는 표면과 반응성인 이온을 생성하기 위해 RTP 시스템(100) 내의 분위기를 통해 실행될 수 있고, 고에너지 이온으로 표면을 충격시킴으로써 표면에 여분의 에너지를 부여할 수 있다.
제어기(175)는 워크피스(110)를 회전시키도록 회전가능한 베이스(135)를 제어한다. 예를 들어, 제어기(175)는 회전가능한 베이스(135)의 회전 배향 및 회전 속도를 정의하는 명령을 생성하고, 정의된 회전 배향 및 정의된 회전 속도로 워크피스(110)를 회전시키도록 회전가능한 베이스(135)를 제어한다. 회전가능한 베이스(135)는 공기 베어링(145)에 의해 지지된다. 회전가능한 베이스(135)에 충돌하는 가스 흐름(150)은 회전가능한 베이스(135)가 축(155)을 중심으로 회전하게 한다.
일부 실시예에서, 회전가능한 베이스(135)는 제1 열투과율과 연관된 제1 부분 및 제2 열투과율과 연관된 제2 부분을 가질 수 있다. 제2 열투과율은 제1 열투과율과 상이하다. 제2 부분은 지지 핀(115)에 근접하게 위치된다. 회전가능한 베이스(135)의 예는 도 2a 및 2b와 관련하여 아래에서 더 설명된다.
도 2a 및 2b는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 예시적인 지지 플레이트(200)를 도시한다. 도 2a 및 2b의 실시예에서, 지지 플레이트(200)는 3개의 지지 핀(210) 및 회전가능한 베이스(230)를 구비한다. 더 많거나 더 적은 지지 핀들이 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 이용될 수 있다.
일부 실시예에서, 지지 플레이트(200)는 지지 플레이트(120)(도 1)의 예시적인 실시예이고, 하나의 지지 핀(210)은 예시적인 지지 핀(115)(도 1)의 실시예이다. 각각의 지지 핀(210)은 제1 단부(212) 및 제2 단부(214)를 갖는다. 지지 핀(210)의 제1 단부(212)는 워크피스(미도시)와 접촉하여 지지한다. 지지 핀(210)의 제2 단부(214)는 회전가능한 베이스(230)와 접촉(예를 들어, 결합)한다. 일부 실시예에서, 지지 핀(들)(210)은 회전가능한 베이스(230)와 일체형일 수 있다.
도시된 바와 같이, 회전가능한 베이스(230)는 3개의 원형 영역(220)을 구비한다. 각각의 원형 영역(220)은 하나의 지지 핀(210)의 제2 단부(214)에 근접하게 위치된다. 하나의 원형 영역(220)의 직경은 회전가능한 베이스(230)와 접촉하는 대응하는 지지 핀(210)의 접촉 영역의 직경보다 크다. 하나의 원형 영역(220)의 중심은 대응하는 지지 핀(210)의 중심과 일치한다. 회전가능한 베이스(230)의 나머지 영역(240)은 회전가능한 베이스(230) 내의 3개의 원형 영역(220)을 배제하는 영역을 기술한다. 나머지 영역(240)은 제1 열투과율과 연관되고, 3개의 원형 영역(220)은 제2 열투과율과 연관된다. 제2 열투과율은 제1 열투과율과 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2 열투과율은 제1 열투과율보다 높을 수 있다. 영역(240)은 원형 영역(220)보다 낮은 열투과율을 갖는 낮은 투과 영역으로 지칭된다. 이와 같이, 원형 영역(220)은 지지 핀(210)에 의해 지지되는 워크피스 상에 남겨질 수 있는 콜드 스폿을 보상하기 위해 나머지 영역(240)보다 더 많은 열을 전달한다. 그 결과, 더욱 균일한 열이 지지 플레이트(200)를 통해 워크피스에 분배된다.
본 개시내용은 예시 및 논의를 위해 원형 형상을 갖는 영역(220)으로 설명된다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 영역(220)이 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 다른 형상을 가질 수 있음을 이해할 것이다.
일부 실시예에서, 지지 플레이트(200)의 광투과율은 원형 영역(220)이 회전가능한 베이스(230)의 처리되지 않은 재료(예를 들어, 미처리 석영)에 대해 변경되지 않도록 수정된다. 나머지 영역은 원형 영역(220)에 대해 감소된 광투과율을 갖는 처리된 재료(예를 들어, 처리된 석영)일 수 있다. 처리된 석영은 그라인딩, 코팅, 각인 또는 도핑 중 하나 이상으로 처리될 수 있다. 미처리 석영을 갖는 원형 영역(220)은 처리된 석영으로 나머지 영역(240)에 비해 더 높은 가열 플럭스를 투과한다. 이와 같이, 워크피스는 원형 영역(220)으로부터 더 높은 가열 플럭스에 노출되어, 지지 핀(210)에 의해 야기된 콜드 스폿을 보상한다.
본 개시내용의 관점은 예시 및 논의를 위해 지지 구조체로서 하나 이상의 지지 핀을 갖는 지지 플레이트, 및 회전전가능한 베이스를 갖는 지지 플레이트를 참조하여 논의된다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 비-회전가능한 베이스가 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 이용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 비-회전가능한 베이스는 제1 열투과율과 연관된 제1 부분 및 제2 열투과율과 연관된 제2 부분을 가질 수 있다. 제2 열투과율은 제1 열투과율과 상이하고, 제2 부분은 지지 구조체(예를 들어, 지지 핀, 링 지지부 등)에 근접하게 위치된다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 임의의 지지 구조체(예를 들어, 지지 핀, 링 지지부, 임의의 형상을 갖는 지지 구조체 등)가 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 이용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 3은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 지지 플레이트를 통해 워크피스를 가열하기 위한 공정(300)의 흐름도를 도시한다. 공정(300)는 도 1의 RTP 시스템(100)을 이용하여 구현될 수 있다. 그러나, 상세히 후술되는 바와 같이, 본 개시내용의 예시적인 관점에 따른 공정(300)은 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 다른 열처리 시스템을 이용하여 구현될 수 있다. 도 3은 예시 및 논의를 위해 특정 순서로 수행되는 단계를 도시한다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 본 명세서에 설명된 방법 중 임의의 방법의 다양한 단계가 생략, 확장, 동시에 수행, 재배열, 및/또는 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 다양한 방식들로 수정될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 다양한 추가적인 단계들(미도시)이 수행될 수 있다.
(310)에서, 공정은 프로세싱 챔버 내의 지지 플레이트 상에 워크피스를 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 실시예에서, 지지 플레이트(120)는 지지 핀(115) 및 회전가능한 베이스(135)를 구비한다. 워크피스(110)는 도어(180)를 통해 RTP 챔버(120) 내의 지지 핀(115) 상에 배치된다. 일부 실시예에서, 지지 플레이트(120)는 어닐링 프로세싱 챔버에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 어닐링을 위한 워크피스는 어닐링 처리 챔버에서 지지 플레이트(120) 상에 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 지지 플레이트(120)는 다른 지지 구조체(예를 들어, 링 지지부, 임의의 형상을 갖는 지지 구조체 등)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 지지 플레이트(120)는 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 비-회전가능 베이스를 구비할 수 있다.
(320)에서, 공정은 프로세싱 챔버 내의 지지 플레이트로 워크피스를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 실시예에서, 제어기(175)는 RTP 챔버(105)에서 워크피스(110)를 회전시키도록 회전가능한 베이스(135)에 명령한다.
(330)에서, 공정은 지지 플레이트를 통해 복수의 열원으로 워크피스를 가열하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 실시예에서, 제어기(175)는 회전가능한 베이스(135) 및 지지 핀(115)을 통해 워크피스(110)를 사전 설정된 온도로 가열하도록 열원(140)을 제어한다.
(340)에서, 공정은 지지 플레이트로부터 워크피스를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 실시예에서, 워크피스(110)는 도어(180)를 통해 RTP 챔버(105)로부터 빠져나가기 위해 지지 핀(115)으로부터 제거될 수 있다.
도 4는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 회전가능한 지지 플레이트(410) 및 간섭 광원(430)을 갖는 예시적인 RTP 시스템(400)을 도시한다. RTP 시스템(400)은 RTP 챔버(105), 워크피스(110), 지지 핀(415)과 베이스(420)를 갖는 회전가능한 지지 플레이트(410), 간섭 광원(430), 제어기(440), 열원(130, 140), 공기 베어링(145), 고온계(165), 도어(180), 및 가스 흐름 제어기(185)를 구비한다.
간섭 광원(430)(예를 들어, 레이저)은 간섭광(435)을 챔버(105)에 제공할 수 있다. 일부 실시예에서, 간섭 광원(430)은 챔버(105) 외부에 위치되고, 광 파이프 또는 광 가이드(435)(예를 들어, 광섬유)를 통해 챔버(105)로 광(435)을 전달한다.
회전가능한 지지 플레이트(410)는 열처리 동안 워크피스(110)를 지지한다. 회전가능한 지지 플레이트(410)는 투과성 지지 구조체 및 회전가능한 베이스(415)를 구비한다. 투과성 지지 구조체는 워크피스(110)와 접촉하여 지지하고, 열처리 동안에 간섭 광원(430)(예를 들어, 레이저)으로부터 워크피스(110)로 광(435)을 전달하는 구조체를 기술한다. 투과성 지지 구조체의 예는 하나 이상의 지지 핀, 링 지지부, 또는 워크피스(110)와 접촉하여 지지하고 워크피스(110)에 광을 전달하는 임의의 다른 적절한 지지부를 구비할 수 있다.
투과성 지지 구조체는 제1 단부 및 제2 단부를 구비한다. 투과성 지지 플레이트의 제1 단부는 워크피스(110)를 지지하도록 배치된다. 투과성 지지 플레이트의 제2 단부는 회전가능한 베이스(420)의 제1 표면에 접촉(예를 들어, 결합)된다. 도 1의 예시적인 실시예에서, 투과성 지지 구조체는 하나 이상의 지지 핀(415)(하나만 도시됨)을 구비한다. 하나의 지지 핀(415)의 일 단부는 워크피스(110)의 후면과 접촉하고, 지지 핀(415)의 다른 단부는 베이스(4202)의 표면과 접촉한다. 베이스(420)는 후술되는 바와 같이, 제어기(440)로부터 수신된 명령에 근거하여 규정된 회전 배향 및 규정된 회전 속도로 워크피스(110)를 회전시킨다.
일부 실시예에서, 투과성 지지 구조체 및 베이스(420)는 열원(140)으로부터 열을 전달하고 워크피스(110)로부터 열을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 투과성 지지 구조체 및 베이스(420)는 석영으로 제조될 수 있다.
일부 실시예에서, 회전가능한 지지 플레이트(410)는 하나 이상의 지지 핀(415)을 구비하고, 베이스(420)는 지지 핀(415) 중 적어도 2개 사이에 배치된 반-환형 불투명 부분(도 5 및 6에 도시)을 갖는다. 반-환형 불투명 부분은 간섭 광원(430)이 워크피스(110)의 회전 동안 간섭광을 베이스(420) 상으로 연속적으로 방출할 수 있도록 워크피스(110)를 가열하는 것으로부터 간섭 광원(430)의 간섭광을 방해할 수 있다.
일부 실시예에서, 회전가능한 지지 플레이트(410)는 링 지지부(도 7에 도시) 및 베이스(420)를 구비한다. 예를 들어, 링 지지부 및 베이스(420) 양자는 간섭 광원(430)으로부터 연속적으로 방출되는 간섭광의 통과를 허용하여 워크피스(110)를 가열하게 하는 투과성 재료(예를 들어, 석영)일 수 있다.
간섭 광원(430)은 회전가능한 베이스(420) 및 투과성 지지 구조체를 통해 간섭광(435)을 방출하여, 간섭광이 투과성 지지 구조체와 접촉하는 워크피스(110)의 일부를 가열한다. 간섭 광원(430)의 예는 연속파 레이저, 펄스 레이저, 또는 간섭광을 방출하는 다른 적절한 광원을 포함할 수 있다.
도 4의 예시적인 실시예에서, 간섭 광원(430)은, 지지 핀(415)이 회전 지지 플레이트(4103)의 회전 동안에 간섭광(435)을 통해 회전하도록 RTP 챔버(105)의 고정 부분에 장착된다. 간섭 광원(430)은 베이스(420)의 후면 상에 간섭광(435)을 방출하고, 방출된 간섭광은 지지 핀(415)을 통과하여 지지 핀(415)과 접촉하는 워크피스(110)의 접촉 영역을 가열할 수 있다. 이와 같이, 워크피스(110)와 지지 핀(415)의 접촉으로 인한 콜드 스폿은 열원(140)으로부터의 광에 의해 전역적으로 워크피스(110)를 가열하는 것에 더하여 지지 핀(415)을 통해 간섭 광원(430)을 통해 워크피스(110)를 가열함으로써 보상될 수 있다. 일부 실시예에서, 간섭 광원(430)은 워크피스(110)의 회전에 대해 온 및 오프되어 동기화되도록 제어기(440)에 의해 제어되어 워크피스의 접촉 영역을 지지 핀(415)과 접촉하게 한다. 제어기(440)는 회전가능한 베이스(415), 간섭 광원(430), 열원(130, 140), 가스 흐름 제어기(185), 도어(180) 및 고온계(165) 중 하나 이상을 제어한다. 제어기(440)는 규정된 회전 배향 및 규정된 회전 속도로 워크피스(110)을 회전시키도록 베이스(420)를 제어한다. 예를 들어, 제어기(440)는 베이스(420)의 회전 배향 및 회전 속도를 정의하는 명령을 생성하고, 규정된 회전 배향 및 규정된 회전 속도로 워크피스(110)을 회전시키도록 베이스(420)를 제어한다. 일부 실시예에서, 제어기(440)는 베이스(4202)의 회전 배향 및 회전 속도에 근거하여 간섭광(435)을 방출하도록 간섭 광원(430)을 제어한다. 예를 들어, 제어기(440)는, 베이스(420)의 회전 배향 및 회전 속도를 나타내는 센서 신호에 근거하여 간섭광(435)을 방출하도록 간섭 광원(430)을 트리거하기 위한 트리거 신호를 생성하는 전기 제어 회로를 구비할 수 있다.
일부 실시예에서, 제어기(440)는, 지지 핀(415)이 베이스(420)의 회전 동안에 간섭 광원(430)을 통과할 때 간섭 광원(430)이 간섭광을 지지 핀(415) 중 하나 내로 그리고 워크피스(110) 상으로 방출하고, 지지 핀(415)이 간섭 광원(430)의 전방에 위치되지 않을 때 간섭 광원(430)이 간섭광의 방출을 중지하도록, 간섭 광원(430)으로부터의 간섭광의 방출을 베이스(420)의 운동과 동기화시킨다. 예를 들어, 제어기(440)는 간섭 광원(430)이 베이스(420)의 회전 배향 및 회전 속도에 근거하여 간섭광을 방출하도록 지시하는 명령을 생성한다. 명령은 간섭 광원(430)이 간섭광을 방출하도록 지시하는 커맨드, 간섭광을 방출하는 것을 중지하도록 간섭 광원(430)에 명령하는 커맨드, 방출과 워크피스(110)의 회전 배향 및 회전 속도에 근거한 간섭 광원(430)의 후속적인 방출 간의 시간 간격을 연산하는 커맨드를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 제어기(440)는 간섭광을 투과성 지지 구조체 내로 연속적으로 방출하도록 간섭 광원(430)를 제어한다. 예를 들어, 제어기(440)는 간섭 광원(430)이 간섭광을 베이스(420) 상에 유지시키고 지속적으로 방출하도록 지시하는 명령을 생성한다. 베이스(420)는 지지 구조체와 접촉하지 않는 워크피스(110)의 가열 부분으로부터 간섭 광원(430)의 간섭광을 방해하는 반-환형 불투명 부분을 구비할 수 있다. 지지 핀(415)이 간섭 광원(430)의 전방에 위치되지 않을 때, 제어기(440)는 반-환형 불투명 부분 상에 간섭광을 계속해서 방출하도록 간섭광(430)에 명령하여 간섭광(430)이 반-환형 불투명 부분에 의해 차단된다. 지지 핀(415)이 연속적으로 방출된 간섭광의 전방을 통과할 때, 간섭광은 지지 핀(415)을 통과하여 워크피스(110)를 가열한다.
또 다른 예에서, 제어기(440)는 간섭 광원(430)이 링 지지부와 함께 회전가능한 지지 플레이트(410) 상에 간섭광을 유지하여 계속해서 간섭광을 방출하도록 지시하는 명령을 생성한다. 워크피스(110)의 회전 동안, 링 지지부는 항상 간섭 광원(430)을 통과하여 워크피스(110)를 가열하도록 간섭광을 전달한다. 제어기(440)는 간섭 광원(430)이 간섭광을 링 지지부 내로 연속적으로 방출하도록 명령한다. 이와 같이, 링 지지부에 의해 야기된 콜드 패턴은 간섭 광원(430)으로부터 링 지지부를 통해 워크피스(110) 상으로 간섭광을 연속적으로 비춤으로써 보상된다.
도 5는 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 공간적으로 배치된 낮은 전달 구역을 갖는 예시적인 베이스(500)를 도시한다. 도 5의 실시예에서, 베이스(500)는 베이스(420)의 일 실시예일 수 있다. 베이스(500)는 3개의 둥근-형상 부분(510), 복수의 반-환형 불투명 부분(520), 및 나머지 부분(5300)을 구비한다. 하나의 둥근-형상 부분(510)은 지지 핀(미도시)과 접촉하는 워크피스의 접촉 영역이다. 베이스(500)의 나머지 부분(530)은 베이스(500) 내의 3개의 둥근-형상 부분(510) 및 복수의 반-환형 불투명 부분(520)을 배제하는 부분을 기술한다.
도 6은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 베이스(500) 및 지지 핀(415)을 통해 워크피스(110)를 가열하는 간섭광(610)의 예를 도시한다. 간섭광(610)은 간섭 광원(미도시)으로부터 방출된다. 간섭광(610)은 지지 핀(415)을 통과하여 워크피스(110)를 가열한다. 베이스(500)가 회전할 때, 지지 핀(415)은 간섭광(610)의 전방에 위치되지 않지만, 하나의 반-환형 불투명 부분(520)은 간섭광(610)을 통과하고 간섭광(610)을 차단하여 워크피스(110)를 가열한다. 이와 같이, 콜드 스폿은 베이스(500)의 회전 동안에 각각의 지지 핀 상에 연속적으로 방출되는 간섭광을 비춤으로써 보상된다.
도 5 및 6의 실시예에서, 반-환형 불투명 부분(520)의 폭은 베이스(500)와 접촉하는 간섭광(610)의 접촉 영역의 직경 이상이다. 간섭광(610)의 접촉 영역의 예는 베이스(500) 상으로의 간섭광(610)의 초점, 또는 베이스(500)와 접촉하는 간섭광(610)의 단면을 포함한다. 둥근-형상 부분(510) 및 나머지 부분(530)은 베이스(500)의 처리되지 않은 재료(예를 들어, 미처리 석영)에 대해 변경되지 않을 수 있다. 반-환형 불투명 부분(520)은 워크피스(110)를 가열하는 것으로부터 간섭 광원(미도시)의 간섭광을 차단하는 처리된 재료(예를 들어, 처리된 석영)일 수 있다. 처리된 재료는 그라인딩, 코팅, 각인 또는 도핑 중 하나 이상으로 처리될 수 있다. 일부 실시예에서, 반-환형 불투명 부분(520)은 베이스(500)의 일 측면(예를 들어, 후면) 또는 양 측면 상에 파장 선택 코팅을 구비한다. 파장 선택 코팅은 간섭광 방사의 좁은 대역만이 차단되는 반면, 열원으로부터의 광대역 광은 거의 완전히 투과되어, 글로벌 온도 균일성에 대한 영향을 감소시킨다.
일부 실시예에서, 반-환형 불투명 부분(520)은 간섭 광원(미도시)에 대한 베이스(500)의 회전 동안에 베이스(500)에 따른 간섭광(610)의 경로를 따라 지지 핀들(415) 사이에서 연장될 수 있다. 반-환형 불투명 부분(520)은 열원(미도시)으로부터의 광을 차단하지 않도록 작을 수 있다. 반-환형 불투명 부분(520)은 또한 워크피스를 가열하기 위해 간섭광을 차단하는 낮은 투과 영역으로 지칭된다.
본 개시내용의 관점은 예시 및 논의를 위해 투과성 지지 구조체로서 3개의 지지 핀을 갖는 회전가능한 지지 플레이트를 참조하여 논의된다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 회전가능한 대칭 배치를 갖는 복수의 분리된 지지부가 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 이용될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 복수의 지지체가 서로 연결되지 않지만, 이들 복수의 지지체는 베이스 상에 회전가능한 대칭 패턴으로 배치된다. 지지부는 임의의 형상을 가질 수 있다.
도 7은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 링 지지부(720)를 갖는 예시적인 회전가능한 지지 플레이트(700)를 도시한다. 도 7의 실시예에서, 회전가능한 지지부(700)는 회전가능한 지지 플레이트(410)의 일 실시예일 수 있다. 회전가능한 지지부(700)는 회전가능한 베이스(710) 및 링 지지부(720)를 구비한다. 링 지지부(720)는 회전가능한 베이스(710)의 중심에 대해 중심설정된다. 일부 실시예에서, 링 지지부(720)는, 링 지지부(720)를 접촉하는 워크피스(미도시)의 중심에 대해 중심설정된다. 링 지지부(720)의 폭은 링 지지부(7201)와 접촉하는 간섭광(미도시)의 접촉 영역의 직경 이상이다. 간섭광의 접촉 영역의 예는 링 지지부(720)상으로의 간섭광의 초점, 또는 링 지지부(720)와 접촉하는 간섭광의 단면을 포함한다. 일부 실시예에서, 링 지지부(710)의 높이는 지지 핀(4152)의 높이와 대략 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 회전가능한 베이스(710) 및 링 지지부(720) 양자는 간섭 광원으로부터의 간섭광의 통과를 허용하여 워크피스를 가열하는 것을 허용하는 투과성 재료(예를 들어, 미처리 석영)일 수 있다. 이와 같이, 간섭 광원은 회전가능한 베이스(710) 및 링 지지부(720)를 통과하는 간섭광을 연속적으로 방출하여, 링 지지부(720)와 접촉하는 워크피스를 가열할 수 있다. 추가적으로, 링 지지부(720)에 의해 야기된 콜드 패턴은 워크피스를 가열하기 위해 간섭 광원으로부터의 연속적인 방출에 의해 보상될 수 있다.
본 개시내용의 관점은 예시 및 논의를 위해 투과성 지지 구조체로서 링 지지부를 갖는 회전가능한 지지 플레이트를 참조하여 논의된다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 회전가능한 대칭 형상을 갖는 임의의 투과성 지지 구조체가 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 이용될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 8은 본 개시내용의 예시적인 실시예에 따른 회전가능한 지지 플레이트 및 간섭 광원에 근거하여 워크피스를 가열하기 위한 공정(800)의 흐름도를 도시한다. 공정(800)은 RTP 시스템(400)을 이용하여 구현될 수 있다. 그러나, 상세히 후술되는 바와 같이, 본 개시내용의 예시적인 관점에 따른 공정(800)은 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않으면서 다른 열처리 시스템을 이용하여 구현될 수 있다. 도 8은 예시 및 논의를 위해 특정 순서로 수행되는 단계를 도시한다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 본 명세서에 설명된 방법 중 임의의 방법의 다양한 단계가 생략, 확장, 동시에 수행, 재배열, 및/또는 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 다양한 방식으로 수정될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고서 다양한 추가적인 단계(미도시)가 수행될 수 있다.
(810)에서, 공정은 프로세싱 챔버 내의 회전가능한 지지 플레이트 상에 워크피스를 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 회전 지지 플레이트는 투과성 지지 구조체 및 베이스를 구비한다. 예를 들어, 도 4의 실시예에서, 회전가능한 지지 플레이트(410)는 지지 핀(415) 및 베이스(420)를 구비한다. 워크피스(110)는 도어(180)를 통해 RTP 챔버(105) 내의 지지 핀(415) 상에 배치된다. 일부 실시예에서, 회전가능한 지지 플레이트(410)는 어닐링 프로세싱 챔버에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 어닐링을 위한 워크피스는 어닐링 프로세싱 챔버 내의 회전가능한 지지 플레이트(410) 상에 배치될 수 있다.
(820)에서, 공정은 하나 이상의 열원을 사용하여 워크피스를 가열하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 실시예에서, 제어기(440)는 베이스(420) 및 지지 핀(415)을 통해 워크피스(110)를 사전 설정된 온도로 가열하도록 열원(140)을 제어한다.
(830)에서, 공정은 워크피스의 가열 동안 하나 이상의 열원에 대해 회전가능한 지지 플레이트로 워크피스를 회전시키는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 실시예에서, 제어기(440)는 규정된 회전 배향 및 규정된 회전 속도로 RTP 챔버(105) 내의 워크피스(110)를 회전시키도록 베이스(420)에 명령한다.
(840)에서, 공정은 간섭광이 투과성 지지 구조체와 접촉하는 워크피스의 일부를 가열하도록 베이스 및 투과성 지지 구조체를 통해 간섭 광원으로부터의 간섭광을 방출하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 실시예에서, 제어기(440)는, 지지 핀(415)이 베이스(420)의 회전 동안 간섭 광원(430)을 통과할 때 간섭 광원(430)이 간섭광을 지지 핀(415) 중 하나 내로 그리고 워크피스(110) 상으로 방출하고, 지지 핀(415)이 간섭 광원(4300)의 전방에 위치되지 않을 때 간섭 광원(430)이 간섭광을 방출하는 것을 중단하도록, 간섭 광원(430)으로부터의 간섭광의 방출을 베이스(420)의 운동과 동기화시킨다. 또 다른 예에서, 제어기(440)는 회전가능한 지지 플레이트(410)(예를 들어, 도 5 및 에서 지지 핀(415) 및 베이스(500)를 갖는 회전가능한 지지 플레이트, 또는 도 7의 회전가능한 지지 플레이트(700))를 통해 워크피스(110)로 간섭광을 연속적으로 방출하도록 간섭 광원(430)을 제어한다.
(850)에서, 공정은 회전가능한 지지 플레이트로부터 워크피스를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 4의 실시예에서, 워크피스(110)는 도어(180)를 통해 RTP 챔버(105)로부터 빠져나가기 위해 지지 핀(415)으로부터 제거될 수 있다.
본 개시내용의 관점은 회전가능한 지지 플레이트를 참조하여 논의된다. 본 명세서에 제공된 개시내용을 이용하여, 당업자는 본 개시내용의 예시적인 관점이 고정식 지지 플레이트로 구현될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 하나 이상의 간섭 광원은 고정식 지지 플레이트 상의 지지 핀의 관점에서 위치될 수 있다. 간섭 광원은 워크피스 상의 콜드 스폿 감소를 위해 고정식 지지 플레이트 상에 그리고 지지 핀을 통해 간섭광을 방출할 수 있다.
본 발명이 특정 예시적인 실시예에 대해 상세하게 설명되었지만, 당업자는 전술한 내용을 이해할 때 이러한 실시예에 대한 변경, 변형 및 등가물을 용이하게 생성할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시내용의 범위는 제한이 아닌 예시로서, 본 개시내용은 본 기술분야의 통상의 기술자에게 용이하게 명백한 바와 같이, 본 발명 요지에 대한 그러한 수정, 변형 및/또는 추가의 포함을 배제하지 않는다.

Claims (20)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 열처리 장치에서 워크피스를 지지하기 위한 지지 플레이트에 있어서,
    상기 지지 플레이트는,
    베이스; 및
    상기 베이스로부터 연장되며, 열처리 동안에 상기 워크피스를 지지하도록 구성되는 적어도 하나의 지지 구조체로서, 상기 적어도 하나의 지지 구조체는 복수의 지지 핀을 포함하는, 상기 적어도 하나의 지지 구조체
    를 포함하고,
    상기 베이스는 제1 열투과율과 연관된 제1 부분 및 제2 열투과율과 연관된 제2 부분을 포함하고, 상기 제2 열투과율은 상기 제1 열투과율과 상이하고, 상기 제2 부분은 상기 적어도 하나의 지지 구조에 근접하게 위치되고,
    상기 베이스는 상기 복수의 지지 핀 중 적어도 2개 사이에 배치된 반-환형 불투명 부분을 갖는,
    지지 플레이트.
  16. 삭제
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 복수의 지지 핀이 상기 베이스와 접촉하는 위치에 위치된 원형 영역을 포함하고, 상기 원형 영역의 직경은 상기 복수의 지지 핀의 직경보다 큰,
    지지 플레이트.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제2 부분은 처리되지 않은 석영을 포함하고, 상기 제1 부분은 처리된 석영을 포함하고, 상기 처리된 석영은 상기 제2 부분에 비해 감소된 광투과율을 갖는,
    지지 플레이트.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 처리된 석영은 그라인딩, 코팅, 각인(engraving) 또는 도핑 중 하나 이상으로 처리되는,
    지지 플레이트.
  20. 삭제
KR1020227025523A 2018-03-20 2019-03-18 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트 KR102577456B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862645476P 2018-03-20 2018-03-20
US62/645,476 2018-03-20
PCT/US2019/022681 WO2019182940A1 (en) 2018-03-20 2019-03-18 Support plate for localized heating in thermal processing systems
KR1020207029434A KR102425734B1 (ko) 2018-03-20 2019-03-18 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207029434A Division KR102425734B1 (ko) 2018-03-20 2019-03-18 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220107329A KR20220107329A (ko) 2022-08-02
KR102577456B1 true KR102577456B1 (ko) 2023-09-12

Family

ID=67983728

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207029434A KR102425734B1 (ko) 2018-03-20 2019-03-18 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트
KR1020227025523A KR102577456B1 (ko) 2018-03-20 2019-03-18 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207029434A KR102425734B1 (ko) 2018-03-20 2019-03-18 열처리 시스템에서의 국부적인 가열을 위한 지지 플레이트

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11521868B2 (ko)
JP (2) JP7039722B2 (ko)
KR (2) KR102425734B1 (ko)
CN (1) CN112236850A (ko)
DE (1) DE112019001415T5 (ko)
TW (2) TWI793283B (ko)
WO (1) WO2019182940A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113097129B (zh) * 2021-03-02 2022-05-06 长江存储科技有限责任公司 导电结构的制作方法、导电结构及机台设备
KR102640717B1 (ko) 2023-11-06 2024-02-23 이정수 교량용 지지 강관 거더

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011100055A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten und Vorrichtung zum Tragen von Substraten
JP2016225429A (ja) 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US20170103907A1 (en) * 2015-10-09 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Diode laser for wafer heating for epi processes

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097999A (ja) * 1996-09-21 1998-04-14 Tokyo Electron Ltd 加熱装置、処理装置、加熱方法及び処理方法
US5837555A (en) * 1996-04-12 1998-11-17 Ast Electronik Apparatus and method for rapid thermal processing
US6449428B2 (en) * 1998-12-11 2002-09-10 Mattson Technology Corp. Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system
US6970644B2 (en) * 2000-12-21 2005-11-29 Mattson Technology, Inc. Heating configuration for use in thermal processing chambers
US7445382B2 (en) 2001-12-26 2008-11-04 Mattson Technology Canada, Inc. Temperature measurement and heat-treating methods and system
DE10393962B4 (de) 2002-12-20 2019-03-14 Mattson Technology Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Stützen eines Werkstücks und zur Wärmebehandlung des Werkstücks
EP1612854A4 (en) * 2003-04-07 2007-10-17 Tokyo Electron Ltd LOADING TABLE AND HEAT TREATMENT DEVICE WITH LOADING TABLE
US7045746B2 (en) 2003-11-12 2006-05-16 Mattson Technology, Inc. Shadow-free shutter arrangement and method
US9482468B2 (en) 2005-09-14 2016-11-01 Mattson Technology, Inc. Repeatable heat-treating methods and apparatus
WO2008058397A1 (en) 2006-11-15 2008-05-22 Mattson Technology Canada, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
US7977258B2 (en) 2007-04-06 2011-07-12 Mattson Technology, Inc. Method and system for thermally processing a plurality of wafer-shaped objects
WO2009155117A2 (en) * 2008-05-30 2009-12-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for detecting the substrate temperature in a laser anneal system
JP2012169308A (ja) 2011-02-09 2012-09-06 Toshiba Corp 熱処理装置および半導体装置の製造装置
KR101704159B1 (ko) * 2012-01-26 2017-02-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 상부 기판 지지 어셈블리를 갖는 열 처리 챔버
JP5964626B2 (ja) * 2012-03-22 2016-08-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US8865602B2 (en) * 2012-09-28 2014-10-21 Applied Materials, Inc. Edge ring lip
US9403251B2 (en) * 2012-10-17 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Minimal contact edge ring for rapid thermal processing
KR101923050B1 (ko) 2012-10-24 2018-11-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 급속 열 처리를 위한 최소 접촉 에지 링
JP6138610B2 (ja) * 2013-07-10 2017-05-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
KR102446726B1 (ko) * 2015-09-11 2022-09-26 삼성전자주식회사 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
JP6587955B2 (ja) 2016-02-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP6814572B2 (ja) * 2016-08-25 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011100055A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten und Vorrichtung zum Tragen von Substraten
JP2016225429A (ja) 2015-05-29 2016-12-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US20170103907A1 (en) * 2015-10-09 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Diode laser for wafer heating for epi processes

Also Published As

Publication number Publication date
TWI793283B (zh) 2023-02-21
CN112236850A (zh) 2021-01-15
US11521868B2 (en) 2022-12-06
JP7039722B2 (ja) 2022-03-22
US20190295869A1 (en) 2019-09-26
JP2021517362A (ja) 2021-07-15
KR102425734B1 (ko) 2022-07-28
KR20220107329A (ko) 2022-08-02
JP2022071182A (ja) 2022-05-13
US20230098442A1 (en) 2023-03-30
WO2019182940A1 (en) 2019-09-26
TW202322268A (zh) 2023-06-01
TW201941360A (zh) 2019-10-16
DE112019001415T5 (de) 2020-12-10
KR20200123256A (ko) 2020-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230098442A1 (en) Support Plate for Localized Heating in Thermal Processing Systems
TWI692047B (zh) 用於epi製程之晶圓加熱的二極體雷射
US3627590A (en) Method for heat treatment of workpieces
JP7462604B2 (ja) 回転基板レーザアニール
US20050008351A1 (en) Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
KR102659565B1 (ko) 빔 폭 변조를 이용한 웨이퍼 스폿 가열
US20230369077A1 (en) Spot heating by moving a beam with horizontal rotary motion
US20160181133A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2007012846A (ja) 光照射式加熱装置および光照射式加熱方法
JPH0234164B2 (ko)
US20060115968A1 (en) Method and apparatus for thermally treating disk-shaped substrates
JP6183692B2 (ja) 熱処理装置
US20210272839A1 (en) Support Structure for Thermal Processing Systems
JP2003282470A (ja) 基板の熱処理装置
JP3709359B2 (ja) 基板の熱処理装置
JPH11312651A (ja) 基板処理装置
TW202029384A (zh) 用於epi製程之晶圓加熱的二極體雷射

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant