KR102574308B1 - Apparatus for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지며 기판이 출입하는 출입구가 구비된 하우징과; 처리 공간 내부에 위치하고 기판을 지지하는 지지 유닛과; 출입구를 개폐하는 도어를 가지는 셔터 부재와; 도어를 가열하는 히터를 포함하되, 히터는 도어와 인접하게 처리 공간 내에 제공되고, 셔터 부재는, 도어가 출입구를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 도어가 출입구를 개방하는 개방 위치 간으로 도어를 이동시키는 구동기를 더 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. In one example, a substrate processing apparatus includes a housing having a processing space for processing a substrate therein and having an entrance through which a substrate enters and exits; a support unit located inside the processing space and supporting the substrate; a shutter member having a door that opens and closes the entrance; A heater for heating the door, wherein the heater is provided in the processing space adjacent to the door, and the shutter member includes a driver for moving the door between a closed position in which the door closes the entrance and an open position in which the door opens the entrance. can include more.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing device {APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 출입구 개폐에 따른 출입구 주위의 온도 저하를 보상하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus that compensates for a temperature drop around an entrance due to opening and closing of an entrance.

최근 영상 표시장치의 제조에는 액정 디스플레이소자(LCD) 및 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 소자 등이 사용되며, 이는 평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)의 기판이 사용된다.Recently, liquid crystal display devices (LCD) and plasma display panel (PDP) devices are used in the manufacture of image display devices, and a flat panel display (FPD) substrate is used.

평판표시장치를 제작하는 과정으로는, 기판제작공정, 셀 제작공정, 모듈제작공정 등 많은 공정들이 진행되어야 한다. 특히, 기판제작공정에는 기판 상에 다양한 패턴들을 형성하기 위한 사진 공정이 진행된다. 사진공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포공정, 도포된 감광막 위에 특정 패턴을 형성하는 노광공정, 그리고 노광된 감광막에 대응되는 영역을 현상처리하는 현상공정을 순차적으로 수행한다. 이중 도포공정 및 현상공정이 수행되기 전후 각각에는 기판을 열 처리하는 베이크공정이 수행된다.As a process of manufacturing a flat panel display device, many processes such as a substrate manufacturing process, a cell manufacturing process, and a module manufacturing process must be performed. In particular, in the substrate manufacturing process, a photo process for forming various patterns on the substrate is performed. The photo process sequentially performs a coating process of applying a photoresist such as photoresist on a substrate, an exposure process of forming a specific pattern on the applied photoresist film, and a developing process of developing an area corresponding to the exposed photoresist film. A bake process for heat treating the substrate is performed before and after the double coating process and the developing process, respectively.

베이크공정은 외부와 밀폐된 베이크 챔버 내에서 수행된다. 그러나 기판이 베이크 챔버로 반입되는 과정에서 외부 기류가 베이크 챔버 내에 유입되어 내부 온도를 저하시킨다. 특히, 기판이 출입하도록 베이크 챔버에 제공된 출입구 주위의 온도가 저하된다.The baking process is performed in a bake chamber that is closed to the outside. However, in the process of carrying the substrate into the bake chamber, an external air flow is introduced into the bake chamber to lower the internal temperature. In particular, the temperature around the entrance provided in the bake chamber to allow the substrate to enter and exit is lowered.

이러한 출입구 주위 온도를 보상하기 위해서, 출입구를 개폐하는 셔터에 온도 보상장치가 제공된다. 도 1은 셔터에 온도 보상 장치가 제공된 일반적인 베이크 챔버를 도시한다. 도 1을 참조하면, 베이크 챔버(1) 일측에 기판이 출입하는 출입구(2)가 제공된다. 셔터(3)는 힌지(4)를 중심으로 회전하며 출입구(2)를 개폐한다. 셔터(3) 내부에 온도 보상 장치로써, 니크롬 열선(5)이 제공된다. 그리고, 셔터 내부에는 니크롬 열선(5)의 온도를 측정하기 위해서 온도 센서(6) 및 셔터의 오작동을 방지하는 인터락(7) 등이 제공된다.In order to compensate for the temperature around the entrance, a temperature compensating device is provided in a shutter that opens and closes the entrance. Figure 1 shows a typical bake chamber provided with a temperature compensating device in the shutter. Referring to FIG. 1 , an entrance 2 through which substrates enter and exit is provided at one side of the bake chamber 1 . The shutter 3 rotates around the hinge 4 and opens and closes the entrance 2. As a temperature compensation device inside the shutter 3, a nichrome heating wire 5 is provided. In addition, a temperature sensor 6 for measuring the temperature of the nichrome hot wire 5 and an interlock 7 for preventing malfunction of the shutter are provided inside the shutter.

그러나, 니크롬 열선(5), 온도 센서(6) 그리고 인터락(7)은 셔터(3) 내부에서 외부로 연장된 전선(8)을 통해 전원이 공급되고, 전기적 작동신호를 수신하므로, 셔터(3) 외부로 연장된 전선(8)들이 셔터(3) 작동에 종속돼 접힘과 펼침이 반복적으로 이루어진다. 이에 따라, 전선(8)에 스트레스가 가해지고, 전선(8)의 피복이 가루형태로 비산해 파티클이 유발되었고, 경우에 따라서는 단선되는 문제가 있었다.However, since the nichrome hot wire 5, the temperature sensor 6, and the interlock 7 are supplied with power through the wire 8 extending from the inside to the outside of the shutter 3 and receive an electrical operation signal, the shutter ( 3) The wires 8 extended to the outside are subordinated to the operation of the shutter 3 and are repeatedly folded and unfolded. Accordingly, stress is applied to the wire 8, the coating of the wire 8 is scattered in the form of powder, causing particles, and in some cases, there is a problem of disconnection.

본 발명은 셔터를 가열해 출입구의 온도를 보상하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that compensates for the temperature of an entrance by heating a shutter.

본 발명은 히터에 전원을 제공하기 위한 전선의 갈림 내지 단선 문제가 발생되지 않는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that does not cause a problem of splitting or disconnection of a wire for providing power to a heater.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은, 기판 처리 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지며 기판이 출입하는 출입구가 구비된 하우징과; 처리 공간 내부에 위치하고 기판을 지지하는 지지 유닛과; 출입구를 개폐하는 도어를 가지는 셔터 부재와; 도어를 가열하는 히터를 포함하되, 히터는 도어와 인접하게 처리 공간 내에 제공되고, 셔터 부재는, 도어가 출입구를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 도어가 출입구를 개방하는 개방 위치 간으로 도어를 이동시키는 구동기를 더 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. In one example, a substrate processing apparatus includes a housing having a processing space for processing a substrate therein and having an entrance through which a substrate enters and exits; a support unit located inside the processing space and supporting the substrate; a shutter member having a door that opens and closes the entrance; A heater for heating the door, wherein the heater is provided in the processing space adjacent to the door, and the shutter member includes a driver for moving the door between a closed position in which the door closes the entrance and an open position in which the door opens the entrance. can include more.

일 예에서, 셔터 부재는 도어의 회전 중심이 되는 회전축을 더 포함하고, 구동기는 도어를 회전축을 중심으로 회전시킬 수 있다.In one example, the shutter member may further include a rotation shaft serving as a rotation center of the door, and the actuator may rotate the door around the rotation shaft.

일 예에서, 회전축은 처리 공간 내에 배치될 수 있다.In one example, the axis of rotation may be disposed within the processing space.

일 예에서, 히터는 회전축에 제공될 수 있다.In one example, the heater may be provided on the rotating shaft.

일 예에서, 히터는 지지 유닛과 도어 사이에 위치될 수 있다.In one example, a heater may be positioned between the support unit and the door.

일 예에서, 셔터 부재는, 처리 공간을 향하는 도어의 측면에 제공되는 반사 부재를 더 포함할 수 있다.In one example, the shutter member may further include a reflective member provided on a side of the door facing the processing space.

일 예에서, 셔터 부재는, 처리 공간을 향하는 도어의 측면에 제공되는 흡수 부재를 더 포함할 수 있다.In one example, the shutter member may further include an absorbent member provided on a side of the door facing the processing space.

일 예에서, 히터는, 하나 또는 복수 개의 IR 램프(Infrared ramp)로 제공될 수 있다.In one example, the heater may be provided with one or a plurality of IR lamps (Infrared ramp).

일 예에서, 도어는 하우징의 외부를 향해 볼록한 곡선 형상의 단면을 가질 수 있다.In one example, the door may have a convex curved cross section toward the outside of the housing.

일 예에서, 도어의 단면은 호(arc)형상으로 제공될 수 있다.In one example, the cross section of the door may be provided in an arc shape.

일 예에서, 호의 중심 위치에 히터가 위치될 수 있다.In one example, a heater may be positioned at the center of the arc.

일 예에서, 도어는 호의 길이 방향으로 회전하여 개방 위치와 폐쇄 위치 간으로 이동될 수 있다.In one example, the door can be moved between an open position and a closed position by rotation in the longitudinal direction of the arc.

일 예에서, 기판의 처리는, 기판을 가열하는 처리일 수 있다.In one example, the treatment of the substrate may be a treatment of heating the substrate.

일 예에서, 처리 공간 내에서 기판을 가열하는 기판 가열 유닛을 더 포함하고, 기판 가열 유닛은, 기판의 상면에 대응되는 위치 또는 기판의 저면에 대응되는 위치 중 적어도 어느 하나에 제공될 수 있다.In one example, the process space may further include a substrate heating unit that heats the substrate, and the substrate heating unit may be provided at least one of a position corresponding to an upper surface of the substrate or a position corresponding to a lower surface of the substrate.

또한, 기판 처리 장치는, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지며 기판이 출입하는 출입구가 구비된 하우징과; 처리 공간 내부에 위치하고 기판을 지지하는 지지 유닛과; 기판을 가열하는 기판 가열 유닛과; 출입구를 개폐하는 도어를 가지는 셔터 부재와; 도어를 가열하는 히터를 포함하되, 히터는 처리 공간 내에 도어와 인접하게 제공되고, 셔터 부재는, 도어가 출입구를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 도어가 출입구를 개방하는 개방 위치 간으로 도어를 이동시키는 구동기를 더 포함하고, 도어의 단면은 호(arc)형상으로 제공되며, 구동기는 도어를 호의 길이 방향으로 회전시켜 개방 위치와 폐쇄 위치 간으로 이동시킬 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus includes: a housing having a processing space for processing a substrate therein and having an entrance through which a substrate enters and exits; a support unit located inside the processing space and supporting the substrate; a substrate heating unit for heating the substrate; a shutter member having a door that opens and closes the entrance; a heater for heating the door, wherein the heater is provided adjacent to the door in the processing space, and the shutter member includes a driver for moving the door between a closed position in which the door closes the entrance and an open position in which the door opens the entrance. Further, the cross section of the door is provided in an arc shape, and the actuator may rotate the door in the longitudinal direction of the arc to move it between an open position and a closed position.

일 예에서, 셔터 부재는 도어의 회전 중심이 되는 회전축을 더 포함하고, 구동기는 도어를 회전축을 중심으로 회전시킬 수 있다.In one example, the shutter member may further include a rotation shaft serving as a rotation center of the door, and the actuator may rotate the door around the rotation shaft.

일 예에서, 회전축은 처리 공간 내에 배치될 수 있다.In one example, the axis of rotation may be disposed within the processing space.

일 예에서, 히터는 회전축에 제공될 수 있다.In one example, the heater may be provided on the rotating shaft.

일 예에서, 기판은 사각 기판으로 제공될 수 있다.In one example, the substrate may be provided as a rectangular substrate.

일 예에서, 기판 가열 유닛은, 기판의 상면에 대응되는 위치 또는 기판의 저면에 대응되는 위치 중 적어도 어느 하나에 제공될 수 있다.In one example, the substrate heating unit may be provided at least one of a position corresponding to the upper surface of the substrate or a position corresponding to the lower surface of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 의하면 본 발명은 셔터를 가열해 출입구의 온도를 보상할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the present invention can compensate for the temperature of the entrance by heating the shutter.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면 히터에 전원을 제공하기 위한 전선의 갈림 내지 단선 문제를 방지할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent a problem of splitting or disconnection of a wire for providing power to a heater.

발생본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 베이크 챔버의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 도포 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 2의 건조 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2의 베이크 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 2의 베이크 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2의 베이크 챔버의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 6의 히터의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 9 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 셔터가 작동되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view of a general bake chamber.
2 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view showing the application unit of FIG. 2;
4 is a cross-sectional view showing the drying unit of FIG. 2 .
5 is a perspective view showing the bake unit of FIG. 2;
6 is a cross-sectional view showing an example of the bake chamber of FIG. 2 .
7 is a perspective view showing an example of the bake chamber of FIG. 2 .
8 is a perspective view showing an example of the heater of FIG. 6 .
9 to 10 are diagrams schematically showing how a shutter is operated according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize clearer description.

또한 본 발명의 실시예에는 사진공정에서 기판을 베이크 처리하는 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 기판을 열 처리하는 공정이라면, 다양하게 적용 가능하다.In addition, in the embodiment of the present invention, an apparatus for baking a substrate in a photo process will be described as an example. However, the present embodiment is not limited thereto, and may be applied in various ways if it is a process of heat treating a substrate.

또한 본 발명의 실시예에는 평판표시패널을 제조하기 위한 사각 기판을 일 예로 들어 설명한다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 원형의 웨이퍼에도 적용 가능하다.In addition, in the embodiment of the present invention, a rectangular substrate for manufacturing a flat panel display panel will be described as an example. However, the present embodiment is not limited thereto and can be applied to circular wafers.

이하 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 실시예를 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 유닛(100), 세정 유닛(110), 복수 개의 베이크 유닛(400), 도포 유닛(200), 건조 유닛(300), 버퍼 유닛(130), 인터페이스(140), 노광 유닛(180), 에지 노광기(150), 현상 유닛(160), 그리고 검사 유닛(170)을 포함한다. 각각의 처리 유닛들은 인라인 타입으로 처리가 가능하도록 배치되며, 인덱스 유닛(100), 세정 유닛(110), 도포 유닛(200), 건조 유닛(300), 버퍼 유닛(130), 인터페이스(140), 에지 노광기(150), 현상 유닛(160), 그리고 검사 유닛(170)은 순차적으로 배치된다.Hereinafter, this embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 10 . 2 is a view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 , the substrate processing apparatus includes an index unit 100, a cleaning unit 110, a plurality of bake units 400, a coating unit 200, a drying unit 300, a buffer unit 130, an interface ( 140), an exposure unit 180, an edge exposure machine 150, a developing unit 160, and an inspection unit 170. Each processing unit is arranged to be processed in an inline type, and includes an index unit 100, a cleaning unit 110, an application unit 200, a drying unit 300, a buffer unit 130, an interface 140, The edge exposure unit 150, the developing unit 160, and the inspection unit 170 are sequentially disposed.

복수 개의 베이크 유닛들(400)은 도포 유닛(200)의 전후, 그리고 현상 유닛(160)의 전후에 각각 배치된다. 인터페이스(140)의 일측에는 노광 유닛(180)이 배치된다. 이러한 처리 유닛들 사이에는 반송로봇이 각각 설치되며, 반송로봇은 서로 인접한 처리 유닛들 간에 기판(S)을 반송할 수 있다. 본 실시예에는 도포 유닛(200), 건조 유닛(300), 그리고 베이크 유닛(400)에 대해서만 설명하며, 이 밖에 처리 유닛들에 대한 상세한 설명을 생략한다.The plurality of bake units 400 are respectively disposed before and after the application unit 200 and before and after the developing unit 160 . An exposure unit 180 is disposed on one side of the interface 140 . A transport robot is installed between these processing units, and the transport robot can transport the substrate S between processing units adjacent to each other. In this embodiment, only the application unit 200, the drying unit 300, and the bake unit 400 are described, and detailed descriptions of other processing units are omitted.

도포 유닛(200)은 기판(S) 상에 도포막을 도포한다. 도 3은 도 2의 도포 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 3을 참조하면, 도포 유닛(200)은 플레이트(210), 기판 이동 부재(220), 도포 노즐(230), 그리고 노즐 이동 부재(240)를 포함한다. 이하, 플레이트(210)의 폭 방향은 제1 방향(12)이라 하고, 플레이트(210)의 길이 방향은 제2 방향(14)이라 칭한다. 상부에서 바라볼 때, 제1 방향(12)과 제2 방향(14)은 서로 수직하게 제공된다.The application unit 200 applies a coating film on the substrate (S). 3 is a perspective view showing the application unit of FIG. 2; Referring to FIG. 3 , the application unit 200 includes a plate 210 , a substrate moving member 220 , an application nozzle 230 , and a nozzle moving member 240 . Hereinafter, the width direction of the plate 210 is referred to as a first direction 12 , and the longitudinal direction of the plate 210 is referred to as a second direction 14 . When viewed from above, the first direction 12 and the second direction 14 are provided perpendicular to each other.

플레이트(210)의 상면에는 가스홀(212)이 형성된다. 가스홀(212)은 이와 연결된 가스공급라인(미도시)로부터 가스를 제공받아 가스를 분사한다. 선택적으로, 가스홀(212)은 플레이트(210) 상에 가스압 또는 진공압을 제공할 수 있다. 가스홀(212)로부터 분사된 가스는 플레이트(210)에 놓인 기판(S)을 부양시킨다.A gas hole 212 is formed on the upper surface of the plate 210 . The gas hole 212 receives gas from a gas supply line (not shown) connected thereto and injects the gas. Optionally, the gas holes 212 may provide gas pressure or vacuum pressure on the plate 210 . The gas injected from the gas hole 212 lifts the substrate S placed on the plate 210 .

기판 이동 부재(220)는 제1 방향(12)을 향하는 플레이트(210)의 양 측면에 설치된다. 기판 이동 부재(220)는 기판 이동 레일(222) 및 파지 부재(224)를 포함한다. 기판 이동 레일(222)은 플레이트(210)의 양측 각각에서 제2 방향(14)을 따라 길게 제공된다. 각각의 기판 이동 레일(222)에는 파지 부재(224)가 설치된다.The substrate moving member 220 is installed on both sides of the plate 210 facing the first direction 12 . The substrate moving member 220 includes a substrate moving rail 222 and a holding member 224 . The substrate moving rails 222 are provided elongated along the second direction 14 on each side of the plate 210 . A holding member 224 is installed on each substrate moving rail 222 .

파지 부재(224)는 플레이트(210)로부터 부양된 기판(S)을 파지한다. 파지 부재(224)는 기판 이동 레일(222)을 따라 제2 방향(14)으로 이동 가능하도록 제공된다. 파지 부재(224)는 부양된 기판(S)을 지지한 채로 기판(S)과 함께 제2 방향(14)으로 이동 가능하다.The gripping member 224 grips the substrate S floated from the plate 210 . The gripping member 224 is provided to be movable in the second direction 14 along the substrate moving rail 222 . The holding member 224 is movable in the second direction 14 together with the substrate S while supporting the floating substrate S.

도포 노즐(230)은 기판(S) 상에 제1처리액 또는 제2처리액을 공급한다. 도포 노즐(230)은 제1 방향(12)을 향하는 길이방향을 가진다. 도포 노즐(230)의 저면에는 슬릿 형상의 분사구가 형성되며, 분사구의 길이방향은 제1 방향(12)을 향하도록 제공된다. 제1 방향(12)을 향하는 분사구의 길이는 기판(S)의 폭과 대응되거나 이보다 길게 제공될 수 있다. 예컨대, 제1처리액은 포토레지스트이고, 제2처리액은 용제일 수 있다. 포토레지스트는 감광액이고, 용제는 신나일 수 있다. 포토레지스트 및 용제는 하나의 도포 노즐(230) 또는 복수 개의 도포 노즐(230)들 각각으로부터 분사될 수 있다.The application nozzle 230 supplies the first treatment liquid or the second treatment liquid onto the substrate S. The application nozzle 230 has a longitudinal direction directed in the first direction 12 . A slit-shaped spray hole is formed on the bottom surface of the application nozzle 230, and the longitudinal direction of the spray hole is provided to face the first direction 12. The length of the spray hole directed in the first direction 12 may correspond to or be longer than the width of the substrate S. For example, the first treatment liquid may be a photoresist, and the second treatment liquid may be a solvent. The photoresist is a photoresist, and the solvent may be thinner. The photoresist and the solvent may be sprayed from one coating nozzle 230 or each of the plurality of coating nozzles 230 .

노즐 이동 부재(240)는 지지대(242), 수직프레임(244), 가이드레일(246), 그리고 구동부(미도시)를 포함한다. 지지대(242)는 플레이트(210)의 상부에서 도포 노즐(230)과 결합된다. 지지대(242)는 그 길이방향이 제1 방향(12)을 향하도록 제공된다. 지지대(242)의 양단은 수직프레임(244)에 연결된다. 수직프레임(244)은 지지대(242)의 양단으로부터 아래로 연장되게 제공된다. 수직프레임(244)의 하단은 가이드레일(246)에 설치된다. 가이드레일(246)은 기판 이동 레일(222)의 양측에 각각 위치된다. 가이드레일(246)은 그 길이방향이 제2 방향(14)을 향하도록 제공된다. 구동부는 수직프레임(244)을 가이드레일(246) 상에서 제2 방향(14)으로 이동시킨다. 수직프레임(244)이 제2 방향(14)으로 이동됨에 따라 지지대(242) 및 도포 노즐(230)은 제2 방향(14)으로 함께 이동된다.The nozzle moving member 240 includes a support 242, a vertical frame 244, a guide rail 246, and a driving unit (not shown). The support 242 is coupled to the application nozzle 230 on top of the plate 210 . The support 242 is provided so that its longitudinal direction faces the first direction 12 . Both ends of the support 242 are connected to the vertical frame 244 . The vertical frame 244 is provided to extend downward from both ends of the support 242 . The lower end of the vertical frame 244 is installed on the guide rail 246. Guide rails 246 are located on both sides of the substrate moving rail 222 , respectively. The guide rail 246 is provided so that its longitudinal direction faces the second direction 14 . The driving unit moves the vertical frame 244 in the second direction 14 on the guide rail 246 . As the vertical frame 244 moves in the second direction 14, the support 242 and the application nozzle 230 move together in the second direction 14.

건조 유닛(300)은 진공 분위기에서 기판을 건조 처리한다. 도 4는 도 2의 건조 유닛(300)을 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 건조 유닛(300)은 건조챔버(310), 스테이지(320), 그리고 감압부재(314)를 포함한다.The drying unit 300 dries the substrate in a vacuum atmosphere. 4 is a cross-sectional view showing the drying unit 300 of FIG. 2 . Referring to FIG. 4 , the drying unit 300 includes a drying chamber 310 , a stage 320 , and a pressure reducing member 314 .

건조챔버(310)의 저면 가장자리영역에는 배기홀(312)이 형성된다. 스테이지(320)는 건조챔버(310)의 내부에서 기판을 지지한다. 스테이지(320)의 상면에는 복수의 지지핀들(322)이 설치된다. 지지핀들(322)은 스테이지(320)의 상면으로부터 돌출되도록 설치된다. 각각의 지지핀(322)은 기판이 스테이지(320)에 이격되도록 기판을 지지할 수 있다. 감압부재(314)는 배기홀(312)에 연결되어 건조챔버(310)의 내부를 진공 분위기로 형성한다.An exhaust hole 312 is formed at the bottom edge of the drying chamber 310 . The stage 320 supports the substrate inside the drying chamber 310 . A plurality of support pins 322 are installed on the upper surface of the stage 320 . The support pins 322 are installed to protrude from the upper surface of the stage 320 . Each support pin 322 may support the substrate so that the substrate is spaced apart from the stage 320 . The pressure reducing member 314 is connected to the exhaust hole 312 to form a vacuum atmosphere inside the drying chamber 310 .

베이크 유닛(400)은 기판(S)을 열처리한다. 도 5는 도 1의 베이크 유닛의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 6 내지 도 7은 도 5의 베이크 유닛에 제공된 셔터와 히터를 예시한 단면도이다.The bake unit 400 heat-treats the substrate S. 5 is a cross-sectional view showing an example of the bake unit of FIG. 1 , and FIGS. 6 and 7 are cross-sectional views illustrating shutters and heaters provided in the bake unit of FIG. 5 .

이하, 도 5 내지 도 7를 참조하여 본원 발명의 베이크 유닛(400)에 대해 설명한다. 도 5는 도 2의 베이크 유닛(400)을 보여주는 사시도이고, 도 6은 도 2의 베이크 챔버(401)의 일 예를 보여주는 단면도이고, 도 7은 도 2의 베이크 챔버(401)의 일 예를 보여주는 사시도이다.Hereinafter, the bake unit 400 of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 7 . FIG. 5 is a perspective view showing the bake unit 400 of FIG. 2 , FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the bake chamber 401 of FIG. 2 , and FIG. 7 is an example of the bake chamber 401 of FIG. 2 . It is a perspective view showing

도 5를 참조하면, 베이크 유닛(400)에는 복수의 베이크 챔버(401a, 401b, 401c, 401d)가 제공될 수 있다. 일 예에서, 베이크 챔버(401a, 401b, 401c, 401d)는 네 개가 적층되어 제공될 수 있다. 각각의 베이크 챔버(401a, 401b, 401c, 401d))의 크기와 내부 구성은 동일하게 제공될 수 있다. 선택적으로, 각의 베이크 챔버(401a, 401b, 401c, 401d)의 크기 또는 내부 구성은 상이하게 제공될 수 있다.Referring to FIG. 5 , a plurality of bake chambers 401a, 401b, 401c, and 401d may be provided in the bake unit 400. In one example, four bake chambers 401a, 401b, 401c, and 401d may be provided in a stacked manner. Each of the bake chambers 401a, 401b, 401c, and 401d may have the same size and internal configuration. Optionally, the size or internal configuration of each of the bake chambers 401a, 401b, 401c, and 401d may be provided differently.

도 6 내지 도 7을 참조하면, 베이크 유닛(400)은 하우징(410), 지지 유닛(430), 기판 가열 유닛(450), 셔터 부재(480) 그리고 히터(490)를 포함한다. 하우징(410)은 직육면체 형상을 가지도록 제공된다.Referring to FIGS. 6 and 7 , the bake unit 400 includes a housing 410 , a support unit 430 , a substrate heating unit 450 , a shutter member 480 and a heater 490 . The housing 410 is provided to have a rectangular parallelepiped shape.

하우징(410)은 내부에 처리 공간(402)을 제공한다. 하우징(410)의 일측벽에는 출입구(414)가 형성된다. 출입구(414)는 기판(S)이 출입되는 입구로 기능한다. 일 예에서, 하우징(410)의 측면에는 배기홀(416)이 형성된다. 선택적으로, 배기홀(416)은 하우징(410)의 저면에 제공될 수 있다. 배기홀(416)은 배기 부재(418)와 연결된다. 배기 부재(418)는 배기홀(416)을 통해 처리 공간(402)에 발생된 공정 부산물을 배기한다. 일 예에서, 배기 부재(417)는 감압 부재로 제공된다. 일 예에서, 배기 부재(418)에 의해 처리 공간(402)이 배기되는 과정에서 처리 공간(402)은 상압보다 낮게 제공될 수 있다.The housing 410 provides a processing space 402 therein. An entrance 414 is formed on one side wall of the housing 410 . The entrance 414 functions as an entrance through which the substrate S is in and out. In one example, an exhaust hole 416 is formed on a side surface of the housing 410 . Optionally, the exhaust hole 416 may be provided on the lower surface of the housing 410 . The exhaust hole 416 is connected to the exhaust member 418 . The exhaust member 418 exhausts process by-products generated in the processing space 402 through the exhaust hole 416 . In one example, the evacuation member 417 serves as a pressure reducing member. In one example, while the processing space 402 is exhausted by the exhaust member 418, the processing space 402 may be provided with a pressure lower than normal pressure.

지지 유닛(430)은 하우징(410) 내에서 기판(S)을 지지한다. 일 예에서, 지지 유닛(430)의 상면에는 복수의 흡착홀들(미도시) 및 핀 홀들(미도시)이 형성될 수 있다. 흡착홀들(미도시)은 감압 부재(미도시)에 연결되어 지지 유닛(430)에 놓인 기판(S)을 진공 흡착할 수 있다. 진공 흡착된 기판(S)은 지지 유닛(430)에 고정될 수 있다.The support unit 430 supports the substrate S within the housing 410 . In one example, a plurality of suction holes (not shown) and pin holes (not shown) may be formed on the upper surface of the support unit 430 . Adsorption holes (not shown) may be connected to a decompression member (not shown) to vacuum adsorb the substrate S placed on the support unit 430 . The vacuum adsorbed substrate S may be fixed to the support unit 430 .

핀홀들(미도시) 각각에는 리프트핀(432)이 제공된다. 일 예에서, 리프트핀(432)은 핀 구동 부재에 의해 승강 위치 및 하강 위치로 이동 가능하다. 여기서 승강 위치는 리프트핀(432)의 상단이 핀홀로부터 돌출된 위치이고, 하강 위치는 리프트핀(432)의 상단이 핀홀에 제공되는 위치이다. 예컨대, 승강 위치는 리프트핀(432)의 상단이 출입구(414)와 대향되는 높이인 위치로 제공될 수 있다.A lift pin 432 is provided in each of the pinholes (not shown). In one example, the lift pins 432 are movable to an elevated position and a lowered position by a pin driving member. Here, the lifting position is a position where the upper end of the lift pin 432 protrudes from the pinhole, and the lowering position is a position where the upper end of the lift pin 432 is provided in the pinhole. For example, the lifting position may be provided at a height where the upper end of the lift pin 432 faces the entrance 414 .

일 예에서, 지지 유닛(430)의 내부에 기판 가열 유닛(450)이 위치된다. 기판 가열 유닛(450)은 지지 유닛(430)에 안착된 기판(S)을 가열 처리한다. 일 예에서, 기판 가열 유닛(450)은 열선 또는 램프로 제공된다. 또한, 기판 가열 유닛(450)은 처리 공간(402)이 상온보다 높은 공정 분위기를 형성하도록 처리 공간(402)을 가열한다. 기판 가열 유닛(450)은 기판(S)이 처리 공간(402)으로 반입되기 전에 처리 공간(402)을 가열 분위기로 형성할 수 있다.In one example, a substrate heating unit 450 is positioned inside the support unit 430 . The substrate heating unit 450 heats the substrate S seated on the support unit 430 . In one example, the substrate heating unit 450 is provided as a hot wire or lamp. In addition, the substrate heating unit 450 heats the processing space 402 to form a process atmosphere higher than room temperature in the processing space 402 . The substrate heating unit 450 may form the processing space 402 into a heating atmosphere before the substrate S is loaded into the processing space 402 .

일 예에서, 기판 가열 유닛(450)은 처리 공간(402)의 상부에도 제공될 수 있다. 예컨대, 처리 공간(402)의 상부에 케이스(440)가 제공되고, 케이스(440)의 내부에 기판 가열 유닛(450)이 제공될 수 있다. 일 예에서, 지지 유닛(430)의 내부에 제공된 기판 가열 유닛(450)과 케이스(440) 내부에 제공된 기판 가열 유닛(450)이 조합하여 처리 공간(402)을 원하는 설정 온도까지 가열시킬 수 있다. 선택적으로, 기판 가열 유닛(450)은 지지 유닛(430)의 내부 또는 처리 공간(402)의 상부 중 적어도 어느 하나의 위치에 제공될 수 있다.In one example, the substrate heating unit 450 may also be provided at the top of the processing space 402 . For example, a case 440 may be provided above the processing space 402 , and a substrate heating unit 450 may be provided inside the case 440 . In one example, the substrate heating unit 450 provided inside the support unit 430 and the substrate heating unit 450 provided inside the case 440 may be combined to heat the processing space 402 to a desired set temperature. . Optionally, the substrate heating unit 450 may be provided at least one of the inside of the support unit 430 and the top of the processing space 402 .

셔터 부재(480)는 출입구(414)를 개폐한다. 일 예에서, 셔터 부재(480)는 도어(460)와 구동 부재(470)를 포함한다. 도어(460)는 출입구(414)를 개폐한다. 일 예에서, 도어(460)는 그 단면이 곡선 형상으로 제공될 수 있다. 일 예에서, 도어(460)의 단면은 하우징(410)의 외부를 향해 볼록한 곡선 형상을 가질 수 있다. 일 예에서, 도어(460)의 단면은 호(arc) 형상으로 제공된다.The shutter member 480 opens and closes the entrance 414 . In one example, the shutter member 480 includes a door 460 and a drive member 470 . The door 460 opens and closes the entrance 414 . In one example, the door 460 may have a curved cross section. In one example, the cross section of the door 460 may have a convex curved shape toward the outside of the housing 410 . In one example, the cross section of the door 460 is provided in an arc shape.

구동 부재(470)는 도어(460)를 움직인다. 일 예에서 구동 부재(470)는, 회전축(474), 구동기(미도시)를 포함한다. 구동기(미도시)는 도어(460)가 출입구(414)를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 도어(460)가 출입구(414)를 개방하는 개방 위치 간으로 도어(460)를 이동시킨다. 일 예에서, 구동기(미도시)는 회전축(474)을 중심으로 도어(460)를 회전시킨다. 구동기(미도시)와 회전축(474)이 연결되어, 구동기(미도시)는 회전축(474)에 동력을 전달한다. 일 예에서, 회전축(474)은 처리 공간(402) 내에 제공된다. 선택적으로, 구동기(미도시)는 도어(460)의 회전 반경과 회전축(474)의 회전 반경을 달리할 수 있다. 예컨대, 구동기(미도시)에는 도어(460)의 회전 중심과 회전축(474)의 회전 중심을 편향시키는 로터리 실린더가 제공될 수 있다.The driving member 470 moves the door 460. In one example, the driving member 470 includes a rotating shaft 474 and an actuator (not shown). An actuator (not shown) moves the door 460 between a closed position in which the door 460 closes the entrance 414 and an open position in which the door 460 opens the entrance 414 . In one example, an actuator (not shown) rotates the door 460 about a rotation axis 474 . An actuator (not shown) and the rotary shaft 474 are connected, and the actuator (not shown) transmits power to the rotary shaft 474 . In one example, a rotational axis 474 is provided within processing space 402 . Optionally, the actuator (not shown) may vary the rotation radius of the door 460 and the rotation radius of the rotation shaft 474 . For example, a rotary cylinder that biases the center of rotation of the door 460 and the center of rotation of the rotation shaft 474 may be provided to the driver (not shown).

일 예에서, 구동 부재(470)은 회전축(474)과 도어(460)를 연결시키는 연결 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 일 예에서, 연결 부재(미도시)는 하우징(410) 외부에 제공될 수 있다. 선택적으로, 연결 부재(미도시)는 하우징(410) 내부에 제공될 수 있다.In one example, the driving member 470 may further include a connecting member (not shown) connecting the rotating shaft 474 and the door 460 . In one example, a connecting member (not shown) may be provided outside the housing 410 . Optionally, a connecting member (not shown) may be provided inside the housing 410 .

도어(460)는 호의 길이 방향으로 회전하여 개방 위치와 폐쇄 위치 간으로 이동될 수 있다. 개방 위치는 도어(460)가 출입구(414)를 통해 기판(S)이 드나들 수 있도록 제공되는 위치이다. 일 예에서, 도어(460)의 상단이 리프트핀의 상단의 높이와 같은 높이에 위치하거나 그 보다 낮은 높이에 위치하는 위치이다. 일 예에서, 개방 위치는, 개방 위치에서 도어(460)의 하단은 하우징(410)과 충돌하지 않는 위치로 제공될 수 있다.The door 460 can be moved between an open position and a closed position by rotating in the longitudinal direction of the arc. The open position is a position where the door 460 is provided so that the substrate S can come in and out through the entrance 414 . In one example, the top of the door 460 is positioned at the same height as or lower than the height of the top of the lift pin. In one example, the open position may be provided at a position where the lower end of the door 460 does not collide with the housing 410 in the open position.

폐쇄 위치는 도어(460)가 출입구(414)를 완전히 막는 위치이다. 일 예에서, 폐쇄 위치에서 처리 공간(402)이 밀폐될 수 있도록 하우징(410)과 도어(460)의 하단 사이에 가림판(412)이 제공될 수 있다. 가림판(412)은 기판(S)이 처리되는 동안 처리 공간(402)이 외부의 영향을 받지 않도록 하우징(410)과 도어(460)의 하단 사이를 차폐시킨다. 일 예에서, 폐쇄 위치는, 폐쇄 위치에서 도어(460)의 상단은 하우징(410)과 충돌하지 않는 위치로 제공될 수 있다.The closed position is a position where the door 460 completely blocks the entrance 414 . In one example, a baffle plate 412 may be provided between the housing 410 and the lower end of the door 460 to allow the processing space 402 to be sealed in the closed position. The cover plate 412 shields the space between the housing 410 and the lower end of the door 460 so that the processing space 402 is not influenced by the outside while the substrate S is being processed. In one example, the closed position may be provided at a position where the upper end of the door 460 does not collide with the housing 410 in the closed position.

히터(490)는 셔터 부재(480)를 가열한다. 기판(S)이 처리 공간(402) 내로 반입 시 셔터 부재(480)의 개폐로 인해 처리 공간(402)에서 셔터 부재(480)와 인접한 영역은 다른 영역보다 온도가 더 낮아진다. 히터(490)는 셔터 부재(480)를 가열해 공정 처리 시, 처리 공간(402) 내에서 셔터 부재(480)와 인접한 영역의 온도를 보상한다.The heater 490 heats the shutter member 480 . When the substrate S is carried into the processing space 402, the temperature of the area adjacent to the shutter member 480 in the processing space 402 is lower than other areas due to the opening and closing of the shutter member 480. The heater 490 heats the shutter member 480 to compensate for the temperature of an area adjacent to the shutter member 480 in the processing space 402 during processing.

일 예에서, 히터(490)는 처리 공간(402) 내에 제공된다. 일 예에서, 히터(490)는 지지 유닛과 도어(460) 사이에 위치된다. 예컨대, 히터(490)는 도어(460) 부근의 온도를 보상하기 위해 도어(460)와 인접하게 제공된다. 일 예에서, 회전축(474)에 제공된다. 예컨대, 히터(490)는 도 8에 도시된 바와 같이, 회전축(474) 내부에 제공된다. 선택적으로 히터(490)는 회전축(474)의 외부에 장착될 수 있다.In one example, a heater 490 is provided within processing space 402 . In one example, heater 490 is positioned between the support unit and door 460 . For example, a heater 490 is provided adjacent to the door 460 to compensate for the temperature near the door 460 . In one example, a rotation axis 474 is provided. For example, the heater 490 is provided inside the rotating shaft 474 as shown in FIG. 8 . Optionally, the heater 490 may be mounted outside the rotating shaft 474 .

히터(490)는, 하나 또는 복수 개의 IR 램프(Infrared ramp)로 제공될 수 있다. 선택적으로, 히터(490)는 할로겐 램프와 같은 다른 종류의 램프로 제공될 수 있다. 선택적으로, 히터(490)는 열선으로 제공될 수 있다.The heater 490 may be provided as one or a plurality of IR lamps (Infrared ramp). Alternatively, heater 490 may be provided with other types of lamps such as halogen lamps. Optionally, the heater 490 may be provided as a hot wire.

셔터 부재(480)는, 반사 부재(464)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 반사 부재(464)는 처리 공간(402)을 향하는 도어(460)의 측면에 제공될 수 있다. 반사 부재(464)의 후면에 도어 플레이트가 제공될 수 있다. 일 예에서, 반사 부재(464)는 반사 물질로 구성되는 반사판으로 제공될 수 있다. 선택적으로 반사 부재(464)는 처리 공간(402)을 향하는 도어(460)의 측면에 코팅될 수 있다. 반사 부재(464)는 히터(490)로부터 발생된 열을 처리 공간(402) 내부로 반사하여, 열이 확산되도록 한다. 도어(460)가 외부를 향하는 볼록한 형상으로 제공됨에 따라, 반사 부재(464)에 의해 반사되는 열은 처리 공간(402) 내부로 전달될 수 있다.The shutter member 480 may include a reflective member 464 . In one example, a reflective member 464 may be provided on the side of the door 460 facing the processing space 402 . A door plate may be provided on the rear surface of the reflective member 464 . In one example, the reflective member 464 may be provided as a reflective plate made of a reflective material. Optionally, a reflective member 464 may be coated on the side of the door 460 facing the processing space 402 . The reflective member 464 reflects heat generated from the heater 490 into the processing space 402 to diffuse the heat. As the door 460 is provided in a convex shape facing the outside, heat reflected by the reflective member 464 may be transferred into the processing space 402 .

선택적으로, 셔터 부재(480)는 반사 부재(464) 대신 흡수 부재를 포함할 수 있다. 흡수 부재는 반사 부재(464)와 마찬가지로, 처리 공간(402)을 향하는 도어(460)의 측면에 제공될 수 있다. 흡수 부재는 히터(490)가 제공한 열을 흡수하여 도어(460)의 온도 하강을 방지한다. 도어(460)에 반사 부재(464)가 제공될 때 보다, 도어(460)에 흡수 부재가 제공될 때 히터(490)의 발열량은 더 크게 제공될 수 있다. 흡수 부재는 처리 공간(402) 내에서 기판(S) 가열 유닛과 인접한 영역과 출입구(414)와 인접한 영역 간의 온도 편차를 줄인다. 일 예에서, 흡수 부재는 열 전도율이 높은 금속으로 제공될 수 있다. 예컨대, 흡수 부재는 알루미늄, 구리 등으로 제공될 수 있다.Optionally, the shutter member 480 may include an absorbing member instead of the reflective member 464 . Like the reflective member 464 , an absorbent member may be provided on the side of the door 460 facing the processing space 402 . The absorbing member absorbs heat provided by the heater 490 to prevent the temperature of the door 460 from dropping. The amount of heat generated by the heater 490 may be greater when the door 460 is provided with the absorbing member than when the reflective member 464 is provided at the door 460 . The absorptive member reduces a temperature difference between an area adjacent to the substrate S heating unit and an area adjacent to the entrance 414 within the processing space 402 . In one example, the absorbent member may be provided with a metal having high thermal conductivity. For example, the absorbent member may be provided with aluminum, copper or the like.

도 9 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 셔터 부재(480)가 작동되는 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 베이크 챔버(401) 내에서 기판(S)을 처리하기 위해 도어(460)를 개방한다. 구동기(미도시)에 의해 회전축(474)이 회전하고, 이에 따라 회전축(474)과 도어(460)에 연결된 연결 부재(미도시)가 회전됨에 따라 도어(460)가 회전된다. 일 예에서, 도어(460)가 개방 위치에 놓이기 이전에 기판(S) 가열 유닛에 의해 처리 공간(402)이 기 설정 온도로 가열될 수 있다. 도 10을 참조하면, 베이크 챔버(401) 내에서 기판(S)을 가열 처리하기 위해 도어(460)를 폐쇄한다. 구동기(미도시)에 의해 회전축(474)이 회전하고, 이에 따라 연결 부재(미도시)가 회전하여 도어(460)를 회전시킨다.9 to 10 are views schematically showing how the shutter member 480 operates according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 9 , the door 460 is opened to process the substrate S in the bake chamber 401 . The rotary shaft 474 is rotated by a driver (not shown), and as a result, a connecting member (not shown) connected to the rotary shaft 474 and the door 460 is rotated, so that the door 460 is rotated. In one example, the processing space 402 may be heated to a predetermined temperature by the substrate (S) heating unit before the door 460 is placed in the open position. Referring to FIG. 10 , the door 460 is closed to heat-process the substrate S in the bake chamber 401 . The rotating shaft 474 is rotated by a driver (not shown), and the connecting member (not shown) rotates accordingly to rotate the door 460 .

본 발명에 따르면, 도어(460)가 회전 가능하게 제공되어 도어(460)와 하우징(410) 간의 충돌에 따라 베이크 챔버(401) 내의 충격과 진동이 발생하고 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, since the door 460 is rotatably provided, it is possible to prevent impact and vibration in the bake chamber 401 and generation of particles due to a collision between the door 460 and the housing 410 .

또한, 본 발명에 따르면 도어(460)의 구동 부재(470)가 처리 공간(402) 내부에 제공되어, 종래에 도어(460)의 온도 보상을 위해 도어(460)에 장착된 히터(490)를 작동시키기 위한 케이블, 전선 등과 구동 부재(470) 간의 간섭을 방지할 수 있다. 이에, 케이블, 전선 등의 갈림 내지 단선이 발생되는 것이 방지된다.In addition, according to the present invention, the driving member 470 of the door 460 is provided inside the processing space 402, and the heater 490 mounted on the door 460 is conventionally provided to compensate for the temperature of the door 460. Interference between the driving member 470 such as a cable or electric wire for operation may be prevented. Thus, splitting or disconnection of cables, wires, etc., is prevented from occurring.

또한, 본 발명에 따르면, 히터(490)가 회전축(474)에 제공되어, 종래에 도어(460)의 온도 보상을 위해 도어(460)에 장착된 히터(490)를 작동시키기 위한 케이블, 전선 등과 구동 부재(470) 간의 간섭을 방지할 수 있다. 이에, 케이블, 전선 등의 갈림 내지 단선이 발생되는 것이 방지된다.In addition, according to the present invention, the heater 490 is provided on the rotating shaft 474, and cables, wires, etc. for operating the heater 490 mounted on the door 460 to compensate for the temperature of the door 460 in the prior art. Interference between the driving members 470 may be prevented. Thus, splitting or disconnection of cables, wires, etc., is prevented from occurring.

또한, 본 발명에 따르면, 처리 공간(402) 내부에 히터(490)가 제공되는 바, 출입구(414)가 개방되었을 때에도 도어(460) 부근의 온도가 낮아지는 현상을 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, since the heater 490 is provided inside the processing space 402, it is possible to prevent a phenomenon in which the temperature near the door 460 is lowered even when the entrance 414 is opened.

또한, 본 발명에 따르면, 도어(460)의 내측에 반사 부재(464)를 제공하여 처리 공간(402) 내의 온도 편차 및 온도 하강에 따른 공정 부산물 발생을 줄일 수 있다.Further, according to the present invention, by providing the reflective member 464 inside the door 460 , it is possible to reduce generation of process by-products due to temperature deviation and temperature drop in the processing space 402 .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

430: 지지 유닛
460: 도어
470: 구동 부재
480: 셔터 부재430: support unit
460: door
470: driving member
480: shutter member

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지며 상기 기판이 출입하는 출입구가 구비된 하우징과;
상기 처리 공간 내부에 위치하고 상기 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 출입구를 개폐하는 도어를 가지는 셔터 부재와;
상기 도어를 가열하는 히터를 포함하되,
상기 히터는 상기 도어와 인접하게 상기 처리 공간 내에 제공되고,
상기 셔터 부재는,
상기 도어가 상기 출입구를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 상기 도어가 상기 출입구를 개방하는 개방 위치 간으로 상기 도어를 이동시키는 구동기와;
상기 도어의 회전 중심이 되는 회전축을 더 포함하고,
상기 구동기는,
상기 도어를 상기 회전축을 중심으로 회전시키며,
상기 히터는,
상기 회전축에 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a housing having a processing space for processing a substrate therein and having an entrance through which the substrate enters and exits;
a support unit located inside the processing space and supporting the substrate;
a shutter member having a door that opens and closes the entrance;
Including a heater for heating the door,
the heater is provided in the processing space adjacent to the door;
The shutter member,
a driver for moving the door between a closed position in which the door closes the entrance and an open position in which the door opens the entrance;
Further comprising a rotation axis that is the rotation center of the door,
the actuator,
Rotating the door around the axis of rotation,
the heater,
A substrate processing device provided on the rotational shaft. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 회전축은 상기 처리 공간 내에 배치되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The rotation shaft is disposed within the processing space. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 히터는 상기 지지 유닛과 상기 도어 사이에 위치되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The heater is positioned between the support unit and the door. 제1항에 있어서,
상기 셔터 부재는,
상기 처리 공간을 향하는 상기 도어의 측면에 제공되는 반사 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The shutter member,
A substrate processing apparatus further comprising a reflective member provided on a side surface of the door facing the processing space. 제1항에 있어서,
상기 셔터 부재는,
상기 처리 공간을 향하는 상기 도어의 측면에 제공되는 흡수 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The shutter member,
The substrate processing apparatus further comprises an absorption member provided on a side surface of the door facing the processing space. 제1항에 있어서,
상기 히터는,
하나 또는 복수 개의 IR 램프(Infrared ramp)로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
the heater,
A substrate processing device provided with one or a plurality of IR lamps (Infrared ramp). 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지며 상기 기판이 출입하는 출입구가 구비된 하우징과;
상기 처리 공간 내부에 위치하고 상기 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 출입구를 개폐하는 도어를 가지는 셔터 부재와;
상기 도어를 가열하는 히터를 포함하되,
상기 히터는 상기 도어와 인접하게 상기 처리 공간 내에 제공되고,
상기 셔터 부재는,
상기 도어가 상기 출입구를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 상기 도어가 상기 출입구를 개방하는 개방 위치 간으로 상기 도어를 이동시키는 구동기를 더 포함하며,
상기 도어는,
상기 하우징의 외부를 향해 볼록한 곡선 형상의 단면을 가지는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a housing having a processing space for processing a substrate therein and having an entrance through which the substrate enters and exits;
a support unit located inside the processing space and supporting the substrate;
a shutter member having a door that opens and closes the entrance;
Including a heater for heating the door,
the heater is provided in the processing space adjacent to the door;
The shutter member,
Further comprising a driver for moving the door between a closed position in which the door closes the entrance and an open position in which the door opens the entrance,
the door,
A substrate processing apparatus having a cross section of a convex curved shape toward the outside of the housing. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지며 상기 기판이 출입하는 출입구가 구비된 하우징과;
상기 처리 공간 내부에 위치하고 상기 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 출입구를 개폐하는 도어를 가지는 셔터 부재와;
상기 도어를 가열하는 히터를 포함하되,
상기 히터는 상기 도어와 인접하게 상기 처리 공간 내에 제공되고,
상기 셔터 부재는,
상기 도어가 상기 출입구를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 상기 도어가 상기 출입구를 개방하는 개방 위치 간으로 상기 도어를 이동시키는 구동기를 더 포함하며,
상기 도어는,
단면이 호(arc)형상으로 제공되는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a housing having a processing space for processing a substrate therein and having an entrance through which the substrate enters and exits;
a support unit located inside the processing space and supporting the substrate;
a shutter member having a door that opens and closes the entrance;
Including a heater for heating the door,
the heater is provided in the processing space adjacent to the door;
The shutter member,
Further comprising a driver for moving the door between a closed position in which the door closes the entrance and an open position in which the door opens the entrance,
the door,
A substrate processing apparatus provided with an arc shape in cross section. 제10항에 있어서,
상기 호의 중심 위치에 상기 히터가 위치되는 기판 처리 장치.According to claim 10,
A substrate processing apparatus in which the heater is located at the center of the arc. 제10항에 있어서,
상기 도어는 상기 호의 길이 방향으로 회전하여 상기 개방 위치와 상기 폐쇄 위치 간으로 이동되는 기판 처리 장치.According to claim 10,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the door rotates in the longitudinal direction of the arc and moves between the open position and the closed position. 제1항 또는 제3항 또는 제5항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판의 처리는,
상기 기판을 가열하는 처리인 기판 처리 장치.According to any one of claims 1 or 3 or 5 to 12,
The treatment of the substrate,
A substrate processing apparatus that is a process of heating the substrate. 제10항에 있어서,
상기 처리 공간 내에서 기판을 가열하는 기판 가열 유닛을 더 포함하고,
상기 기판 가열 유닛은,
상기 기판의 상면에 대응되는 위치 또는 상기 기판의 저면에 대응되는 위치 중 적어도 어느 하나에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 10,
Further comprising a substrate heating unit for heating a substrate in the processing space;
The substrate heating unit,
A substrate processing apparatus provided at at least one of a position corresponding to the upper surface of the substrate or a position corresponding to the lower surface of the substrate. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지며 상기 기판이 출입하는 출입구가 구비된 하우징과;
상기 처리 공간 내부에 위치하고 상기 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 기판을 가열하는 기판 가열 유닛과;
상기 출입구를 개폐하는 도어를 가지는 셔터 부재와;
상기 도어를 가열하는 히터를 포함하되,
상기 히터는 상기 처리 공간 내에 상기 도어와 인접하게 제공되고,
상기 셔터 부재는,
상기 도어가 상기 출입구를 폐쇄하는 폐쇄 위치 그리고 상기 도어가 상기 출입구를 개방하는 개방 위치 간으로 상기 도어를 이동시키는 구동기를 더 포함하고,
상기 도어의 단면은 호(arc)형상으로 제공되며,
상기 구동기는 상기 도어를 상기 호의 길이 방향으로 회전시켜 상기 개방 위치와 상기 폐쇄 위치 간으로 이동시키는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a housing having a processing space for processing a substrate therein and having an entrance through which the substrate enters and exits;
a support unit located inside the processing space and supporting the substrate;
a substrate heating unit for heating the substrate;
a shutter member having a door that opens and closes the entrance;
Including a heater for heating the door,
The heater is provided in the processing space adjacent to the door,
The shutter member,
Further comprising a driver for moving the door between a closed position in which the door closes the entrance and an open position in which the door opens the entrance;
The cross section of the door is provided in an arc shape,
The driver rotates the door in the longitudinal direction of the arc to move it between the open position and the closed position. 제15항에 있어서,
상기 셔터 부재는
상기 도어의 회전 중심이 되는 회전축을 더 포함하고,
상기 구동기는 상기 도어를 상기 회전축을 중심으로 회전시키는 기판 처리 장치.According to claim 15,
The shutter member is
Further comprising a rotation axis that is the rotation center of the door,
The driver rotates the door about the rotation shaft. 제16항에 있어서,
상기 회전축은 상기 처리 공간 내에 배치되는 기판 처리 장치.According to claim 16,
The rotation shaft is disposed within the processing space. 제16항에 있어서,
상기 히터는 상기 회전축에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 16,
The heater is provided on the rotating shaft. 제15항 내지 18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 사각 기판으로 제공되는 기판 처리 장치.According to any one of claims 15 to 18,
The substrate is a substrate processing apparatus provided as a square substrate. 제19항에 있어서,
상기 기판 가열 유닛은,
상기 기판의 상면에 대응되는 위치 또는 상기 기판의 저면에 대응되는 위치 중 적어도 어느 하나에 제공되는 기판 처리 장치.
According to claim 19,
The substrate heating unit,
A substrate processing apparatus provided at at least one of a position corresponding to the upper surface of the substrate or a position corresponding to the lower surface of the substrate.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004523880A (en) * 2000-09-15 2004-08-05 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド Double double slot type load lock for processing equipment
KR102076593B1 (en) * 2018-08-21 2020-02-12 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM476362U (en) * 2012-09-07 2014-04-11 Applied Materials Inc Load lock chamber with slit valve doors
KR20160039768A (en) * 2014-10-01 2016-04-12 세메스 주식회사 Bake apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004523880A (en) * 2000-09-15 2004-08-05 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド Double double slot type load lock for processing equipment
KR102076593B1 (en) * 2018-08-21 2020-02-12 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate

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