JP2000012427A - Method and device for treating substrate - Google Patents

Method and device for treating substrate

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JP2000012427A
JP2000012427A JP10171809A JP17180998A JP2000012427A JP 2000012427 A JP2000012427 A JP 2000012427A JP 10171809 A JP10171809 A JP 10171809A JP 17180998 A JP17180998 A JP 17180998A JP 2000012427 A JP2000012427 A JP 2000012427A
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air supply
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Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
Yoshio Taniguchi
由雄 谷口
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform drying or leveling of a liquid applied to a substrate without using any pressure reducing chamber. SOLUTION: This substrate treating device is for performing series of treatment to the substrate and is provided with a spin coater part 2, a dry promotion processing part 3 and a bake part 6. The spin coater part 2 applies a resist to the substrate. The dry promotion processing part 3 supplies clean air at a flow velocity higher than a prescribed velocity to the substrate coated with the resist by the spin coater part 2. The bake part 6 performs heat-treatment to the substrate processed by the drying promotion processing part 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト塗布液等
の塗布液を基板に塗布する工程を含む基板処理方法、及
び塗布液を基板に塗布する処理部を含む基板処理装置に
関する。
The present invention relates to a substrate processing method including a step of applying a coating liquid such as a resist coating liquid to a substrate, and a substrate processing apparatus including a processing unit for applying the coating liquid to the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板、例えば液晶ディスプレイを製造す
るためのガラス基板に各種の処理を施す製造工程におい
ては、ある一連の処理を行わせる基板処理装置が使用さ
れる。この装置の中に、レジスト塗布液等の塗布液を基
板に塗布する工程を含む基板処理装置がある。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process for performing various processes on a substrate, for example, a glass substrate for manufacturing a liquid crystal display, a substrate processing apparatus for performing a certain series of processes is used. Among these apparatuses, there is a substrate processing apparatus including a step of applying a coating liquid such as a resist coating liquid to a substrate.

【0003】例えば、液晶ディスプレイ製造工程におけ
るフォトレジスト塗布工程を行う基板処理装置では、紫
外光の感光樹脂材料を基板表面全体にわたり均一な厚さ
に塗布する。具体的には、基板上に滴下したレジスト液
を基板を回転させて遠心力で広げ均一厚にするスピン塗
布法や、ローラー表面の溝にいったん付着させたレジス
ト液を基板に転写するロール塗布法により塗布が行われ
る。ここでは、大きい面積にわたる均一塗布とその後の
エッチング条件等に適した任意の厚さを得るため、また
塗布方法の特性にも合わせて、溶媒量の制御により適切
な粘度を持たせたレジスト液が選定される。
For example, in a substrate processing apparatus for performing a photoresist coating process in a liquid crystal display manufacturing process, a photosensitive resin material of ultraviolet light is applied to a uniform thickness over the entire substrate surface. Specifically, a spin coating method that spreads the resist liquid dropped on the substrate by centrifugal force to rotate the substrate by centrifugal force to obtain a uniform thickness, and a roll coating method that transfers the resist liquid once attached to the groove on the roller surface to the substrate Is applied. Here, in order to obtain a uniform coating over a large area and an arbitrary thickness suitable for the subsequent etching conditions, etc., and also according to the characteristics of the coating method, a resist solution having an appropriate viscosity by controlling the amount of solvent is used. Selected.

【0004】また、通常はフォトレジスト塗布工程の後
に露光工程に移るが、この露光工程の前には残留溶媒を
蒸発させるためのプリベーク(ベーキング)処理が行わ
れる。さらに、場合によっては、パーティクル発生の防
止や露光時における位置合わせの観点から、基板の端面
付近の洗浄を行うエッジリンス処理が行われることもあ
る。
[0004] Usually, the process proceeds to an exposure process after a photoresist coating process, but before this exposure process, a pre-bake (baking) process for evaporating a residual solvent is performed. Further, in some cases, an edge rinsing process for cleaning the vicinity of the end surface of the substrate may be performed from the viewpoint of preventing generation of particles and alignment at the time of exposure.

【0005】そして、上記のような一連のフォトレジス
ト塗布工程を含む基板処理装置の中には、レジスト塗布
直後に基板を減圧チャンバーに収容して溶媒の蒸発を促
し、エッジリンス処理において塗布した液が端面に拡が
らないように塗布した液をある程度乾燥させる減圧乾燥
装置がある。
In a substrate processing apparatus including a series of photoresist coating steps as described above, a substrate is housed in a decompression chamber immediately after the application of the resist to promote the evaporation of the solvent, and the liquid applied in the edge rinsing processing is applied. There is a vacuum drying apparatus for drying the applied liquid to some extent so that the liquid does not spread to the end face.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来、レジスト液塗布
直後の減圧乾燥処理においては上記のように減圧チャン
バーに基板を収容して減圧チャンバー内の雰囲気を吸引
しているが、基板のサイズの大型化に伴って減圧チャン
バーを大きくしなければならない。このような大型の減
圧チャンバーは高価なものとなる。また、減圧チャンバ
ー内を減圧すると、密閉シール部分からのある程度のパ
ーティクルの巻き込みは避けられず、さらに、減圧下に
おける帯電基板の自己静電破壊の問題も大きい。
Conventionally, in a vacuum drying process immediately after the application of a resist solution, a substrate is accommodated in a vacuum chamber and the atmosphere in the vacuum chamber is sucked as described above. The decompression chamber must be enlarged with the development. Such a large decompression chamber is expensive. In addition, when the pressure in the decompression chamber is reduced, it is inevitable that a certain amount of particles are entangled from the hermetically sealed portion, and the problem of self-electrostatic destruction of the charged substrate under reduced pressure is also significant.

【0007】本発明の課題は、減圧チャンバーを使うこ
となく、基板に塗布された液の乾燥を行うことのできる
基板処理装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of drying a liquid applied to a substrate without using a decompression chamber.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
方法は、基板に対して一連の処理を行うための基板処理
方法であって、塗布処理工程と、ベーキング処理工程
と、乾燥促進処理工程と、端面洗浄処理工程とを備えて
いる。塗布処理工程では、基板に塗布液を塗布する。ベ
ーキング処理工程では、塗布液が塗布された基板に対し
て加熱処理を行う。乾燥促進処理工程は、塗布処理工程
とベーキング処理工程との間に設けられる工程であっ
て、この工程では基板に対して所定速度以上の流速の清
浄空気を供給する。端面洗浄処理工程は、乾燥促進処理
工程とベーキング処理工程との間に設けられる工程であ
って、この工程では基板の端面付近を洗浄する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for performing a series of processing on a substrate, comprising a coating process, a baking process, and a drying promoting process. And an end face cleaning step. In the coating process, a coating liquid is applied to the substrate. In the baking process, a heating process is performed on the substrate on which the coating solution has been applied. The drying acceleration processing step is a step provided between the coating processing step and the baking processing step. In this step, clean air is supplied to the substrate at a flow rate higher than a predetermined rate. The edge cleaning process is a process provided between the drying acceleration process and the baking process. In this process, the vicinity of the edge of the substrate is cleaned.

【0009】塗布液が塗布された基板を一定の膜厚以下
にすると塗布液の流動性が殆どなくなる。従来は、塗布
された塗布液が端面洗浄処理工程において流動して不具
合を発生させることを抑えるために、塗布直後に基板を
減圧下に置くことで一定の膜厚以下にしている。しかし
ながら、減圧することでパーティクルを巻き込み基板に
パーティクルが付着するという不具合が存在する。一
方、減圧せずに乾燥させようとすると、基板表面付近に
蒸発した処理液ガスが滞留するため、蒸発が妨げられて
処理時間が長くなる。
When the thickness of the substrate coated with the coating solution is reduced to a certain value or less, the fluidity of the coating solution is almost lost. Conventionally, in order to prevent the applied coating liquid from flowing in the end face cleaning processing step and causing a problem, the substrate is placed under reduced pressure immediately after the coating so as to have a certain thickness or less. However, there is a problem in that the particles are entangled by the pressure reduction and adhere to the substrate. On the other hand, if the drying is performed without reducing the pressure, the processing liquid gas evaporated near the substrate surface stays, so that the evaporation is hindered and the processing time becomes longer.

【0010】これに対して本発明では、乾燥促進処理工
程において、基板表面に滞留しがちな処理液ガスを清浄
空気の所定流速以上の流れによって吹き流し、短時間で
乾燥を行わせている。このため、端面洗浄処理工程にお
いては、基板表面の塗布された処理液は殆ど流動せず、
基板の端面付近の洗浄処理が行われても塗布された処理
液の塗布状態は良好に保たれる。また、清浄空気を供給
しているため、パーティクル等が基板に付着することも
殆どない。さらに、所定の流速で清浄空気を基板に供給
するため、基板表面付近に蒸発した処理液ガスが滞留し
難くなり、短時間に乾燥を行うことができるようにな
る。
On the other hand, in the present invention, in the drying acceleration processing step, the processing liquid gas, which tends to stay on the substrate surface, is blown off by a flow of a predetermined flow rate or more of the clean air, and drying is performed in a short time. Therefore, in the edge cleaning process, the processing liquid applied to the substrate surface hardly flows,
Even if a cleaning process is performed near the end surface of the substrate, the applied state of the applied processing liquid is kept good. Further, since clean air is supplied, particles and the like hardly adhere to the substrate. Further, since clean air is supplied to the substrate at a predetermined flow rate, the processing liquid gas evaporated near the surface of the substrate does not easily stay, and drying can be performed in a short time.

【0011】このように、ここでは、減圧チャンバーを
使うことなく、基板に塗布された液の乾燥を行うことが
できる。請求項2に係る基板処理装置は、基板に対して
一連の処理を行うための基板処理装置であって、塗布処
理部と、乾燥促進処理部と、ベーキング処理部と、端面
洗浄処理部とを備えている。塗布処理部は、基板に塗布
液を塗布する。乾燥促進処理部は、塗布処理部において
塗布液が塗布された基板に対して所定速度以上の流速の
清浄空気を供給する。ベーキング処理部は、乾燥促進処
理部での処理を終えた基板に加熱処理を施す。端面洗浄
処理部は、乾燥促進処理部での処理を終えた基板に対し
て、ベーキング処理部において加熱処理を施す前に、端
面付近の洗浄を施す。
As described above, the liquid applied to the substrate can be dried here without using the decompression chamber. The substrate processing apparatus according to claim 2 is a substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate, and includes a coating processing section, a drying promotion processing section, a baking processing section, and an end face cleaning processing section. Have. The application processing unit applies the application liquid to the substrate. The drying promotion processing section supplies clean air at a flow rate equal to or higher than a predetermined speed to the substrate on which the coating liquid has been applied in the coating processing section. The baking processing unit performs a heating process on the substrate that has been processed in the drying promotion processing unit. The edge cleaning section cleans the vicinity of the edge of the substrate after the processing in the drying acceleration processing section before performing the heating processing in the baking processing section.

【0012】塗布液が塗布された基板を一定の膜厚以下
にすると塗布液の流動性が殆どなくなる。従来は、塗布
された塗布液が端面洗浄処理部において流動して不具合
を発生させることを抑えるために、塗布直後に基板を減
圧下に置くことで一定の膜厚以下にしている。しかしな
がら、減圧することでパーティクルを巻き込み基板にパ
ーティクルが付着するという不具合が存在する。一方、
減圧せずに乾燥させようとすると、基板表面付近に蒸発
した処理液ガスが滞留するため、蒸発が妨げられて処理
時間が長くなる。
When the thickness of the substrate coated with the coating solution is reduced to a certain value or less, the fluidity of the coating solution is almost lost. Conventionally, in order to prevent the applied coating liquid from flowing in the edge cleaning section and causing problems, the substrate is placed under reduced pressure immediately after the coating, so as to have a certain thickness or less. However, there is a problem in that the particles are entangled by the pressure reduction and adhere to the substrate. on the other hand,
If drying is performed without reducing the pressure, the processing liquid gas evaporated near the surface of the substrate stays, so that evaporation is hindered and the processing time becomes longer.

【0013】これに対して本発明では、乾燥促進処理部
において、基板表面に滞留しがちな処理液ガスを清浄空
気の所定流速以上の流れによって吹き流し、短時間で乾
燥を行わせている。このため、端面洗浄処理部において
は、基板表面の塗布された処理液は殆ど流動せず、基板
の端面付近の洗浄処理が行われても塗布された処理液の
塗布状態は良好に保たれる。また、清浄空気を供給して
いるため、パーティクル等が基板に付着することも殆ど
ない。さらに、所定の流速で清浄空気を基板に供給する
ため、基板表面付近に蒸発した処理液ガスが滞留し難く
なり、短時間に乾燥を行うことができるようになる。
On the other hand, in the present invention, in the drying acceleration processing section, the processing liquid gas, which tends to stay on the substrate surface, is blown off by a flow of a predetermined flow rate or more of the clean air, and drying is performed in a short time. Therefore, in the edge cleaning section, the processing liquid applied to the substrate surface hardly flows, and the coated state of the applied processing liquid is maintained well even when the cleaning process is performed near the edge of the substrate. . Further, since clean air is supplied, particles and the like hardly adhere to the substrate. Further, since clean air is supplied to the substrate at a predetermined flow rate, the processing liquid gas evaporated near the surface of the substrate does not easily stay, and drying can be performed in a short time.

【0014】このように、ここでは、減圧チャンバーを
使うことなく、基板に塗布された液の乾燥を行うことが
できる。請求項3に係る基板処理装置は、請求項2に記
載の基板処理装置であって、乾燥促進処理部は清浄空気
を吹き出すエアー供給装置を有している。ここでは、エ
アー供給装置による清浄空気の吹き出しによって、清浄
空気の所定速度以上の流速の流れを生成している。基板
処理装置は通常クリーンルーム内に設置されることが多
いため、乾燥促進処理部においてクリーンルーム内の清
浄空気の流れをそのまま使って基板を乾燥させることも
可能だが、より短時間で乾燥を行わせるためにはエアー
供給装置を設けることが望ましく、ここでは別途エアー
供給装置を設けている。
As described above, the liquid applied to the substrate can be dried without using the decompression chamber. A substrate processing apparatus according to a third aspect is the substrate processing apparatus according to the second aspect, wherein the drying promotion processing unit includes an air supply device that blows clean air. Here, a flow of the clean air having a flow rate equal to or higher than a predetermined speed is generated by blowing the clean air by the air supply device. Since the substrate processing equipment is usually installed in a clean room, it is possible to dry the substrate using the flow of clean air in the clean room as it is in the drying promotion processing unit. Is desirably provided with an air supply device. Here, an air supply device is separately provided.

【0015】このようにエアー供給装置を設けること
は、減圧チャンバーを設置する場合に較べて簡易且つ低
コストであり、パーティクルの巻き込みの問題も解消さ
れる。請求項4に係る基板処理装置は、基板に対して一
連の処理を行うための装置であって、清浄空気を天井部
から下方にダウンフローさせているクリーンルーム内に
設置されるものである。この基板処理装置は、塗布処理
部と、乾燥促進処理部と、ベーキング処理部とを備えて
いる。塗布処理部は、基板に塗布液を塗布する。乾燥促
進処理部は、第1駆動装置を有しており、この第1駆動
装置によって基板をクリーンルームの天井部に近づけさ
せることで、塗布処理部において塗布液が塗布された基
板に対して所定速度以上の流速の清浄空気を供給する。
第1駆動装置は、基板をクリーンルームの天井部に近づ
けさせるための装置である。ベーキング処理部は、乾燥
促進処理部での処理を終えた基板に加熱処理を施す。
Providing an air supply apparatus in this way is simpler and less expensive than installing a decompression chamber, and also eliminates the problem of entrapment of particles. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate, which is installed in a clean room in which clean air is caused to flow downward from a ceiling. This substrate processing apparatus includes a coating processing section, a drying acceleration processing section, and a baking processing section. The application processing unit applies the application liquid to the substrate. The drying promotion processing unit has a first driving device, and the first driving device causes the substrate to approach the ceiling of the clean room, so that the substrate to which the coating liquid has been applied in the coating processing unit has a predetermined speed. Supply clean air at the above flow rate.
The first driving device is a device for bringing the substrate close to the ceiling of the clean room. The baking processing unit performs a heating process on the substrate that has been processed in the drying promotion processing unit.

【0016】塗布処理部において塗布液が塗布された基
板に対してすぐに加熱処理を施すと、塗布直後の波打っ
た表面状態のまま基板が乾燥してしまう等の不具合が発
生する。本発明では、塗布処理部と加熱処理を行うベー
キング処理部との間に乾燥促進処理部を設け、基板に対
して所定速度以上の流速の清浄空気を供給することによ
って、加熱処理を行う前にある程度基板を乾燥させてい
る。このため、塗布直後に基板の加熱処理を行う場合の
不具合を抑えることができる。また、清浄空気を供給し
ているため、パーティクル等が基板に付着することも殆
どない。さらに、所定の流速で清浄空気を基板に供給す
るため、基板表面付近に蒸発した処理液ガスが滞留し難
くなり、短時間に乾燥を行うことができるようになる。
If the substrate on which the coating solution is applied is immediately subjected to heat treatment in the application processing section, problems such as drying of the substrate in a wavy surface state immediately after application occur. In the present invention, a drying acceleration processing unit is provided between a coating processing unit and a baking processing unit that performs a heating process, and by supplying clean air having a flow rate equal to or higher than a predetermined speed to the substrate, before performing the heating process. The substrate has been dried to some extent. For this reason, it is possible to suppress problems when the substrate is heated immediately after the application. Further, since clean air is supplied, particles and the like hardly adhere to the substrate. Further, since clean air is supplied to the substrate at a predetermined flow rate, the processing liquid gas evaporated near the surface of the substrate does not easily stay, and drying can be performed in a short time.

【0017】このように、ここでは、減圧チャンバーを
使うことなく、基板に塗布された液の乾燥を行うことが
できる。また、ここでは、クリーンルーム内において天
井部から下方にダウンフローしている清浄空気を利用す
ることによって、乾燥促進処理部において基板に所定流
速の清浄空気を供給する。但し、クリーンルームの天井
部から離れていては所定流速の清浄空気を基板に供給す
ることは困難であることから、基板を天井部に近づけさ
せることのできる第1駆動装置が設けられている。
As described above, the liquid applied to the substrate can be dried here without using the decompression chamber. In addition, here, the clean air flowing down from the ceiling in the clean room is used to supply the clean air at a predetermined flow rate to the substrate in the drying promotion processing unit. However, since it is difficult to supply clean air at a predetermined flow rate to the substrate if it is away from the ceiling of the clean room, a first driving device that can bring the substrate close to the ceiling is provided.

【0018】請求項5に係る基板処理装置は、請求項4
に記載の基板処理装置であって、端面洗浄処理部をさら
に備えている。端面洗浄処理部は、乾燥促進処理部での
処理を終えた基板に対して、ベーキング処理部において
加熱処理を施す前に、端面付近の洗浄を施す。塗布液が
塗布された基板を一定の膜厚以下にすると塗布液の流動
性が殆どなくなる。従来は、塗布された塗布液が端面洗
浄処理部において流動して不具合を発生させることを抑
えるために、塗布直後に基板を減圧下に置くことで一定
の膜厚以下にしている。しかしながら、減圧することで
パーティクルを巻き込み基板にパーティクルが付着する
という不具合が存在する。一方、減圧せずに乾燥させよ
うとすると、基板表面付近に蒸発した処理液ガスが滞留
するため、蒸発が妨げられて処理時間が長くなる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the fourth aspect.
3. The substrate processing apparatus according to item 1, further comprising an edge cleaning unit. The edge cleaning section cleans the vicinity of the edge of the substrate after the processing in the drying acceleration processing section before performing the heating processing in the baking processing section. When the thickness of the substrate coated with the coating solution is reduced to a certain value or less, the fluidity of the coating solution is almost lost. Conventionally, in order to prevent the applied coating liquid from flowing in the edge cleaning section and causing problems, the substrate is placed under reduced pressure immediately after the coating, so as to have a certain thickness or less. However, there is a problem in that the particles are entangled by the pressure reduction and adhere to the substrate. On the other hand, if the drying is performed without reducing the pressure, the processing liquid gas evaporated near the substrate surface stays, so that the evaporation is hindered and the processing time becomes longer.

【0019】これに対して本発明では、乾燥促進処理部
において、基板表面に滞留しがちな処理液ガスを清浄空
気の所定流速以上の流れによって吹き流し、短時間で乾
燥を行わせている。このため、端面洗浄処理部において
は、基板表面の塗布された処理液は殆ど流動せず、基板
の端面付近の洗浄処理が行われても塗布された処理液の
塗布状態は良好に保たれる。
On the other hand, in the present invention, in the drying acceleration processing section, the processing liquid gas, which tends to stay on the substrate surface, is blown off by a flow of a predetermined flow rate or more of the clean air, and drying is performed in a short time. Therefore, in the edge cleaning section, the processing liquid applied to the substrate surface hardly flows, and the coated state of the applied processing liquid is maintained well even when the cleaning process is performed near the edge of the substrate. .

【0020】請求項6に係る基板処理装置は、請求項2
から5のいずれかに記載の基板処理装置であって、乾燥
促進処理部は、基板載置台を有している。この基板載置
台は、基板載置面が全周にわたって基板よりも大きな外
縁を有するものである。ここでは、基板載置面が全周に
わたって基板よりも大きな外縁を有する基板載置台に基
板を載置した状態で、基板に対して清浄空気を供給す
る。このため、基板に塗布された塗布液の表面にむらが
生じることが抑えられる。すなわち、基板載置台が基板
の大きさよりも小さいものであれば、基板の周辺部にお
いて基板の内側から外側へ向かう基板表面に沿ったほぼ
一方向への清浄空気の流れが生じ、基板に塗布された塗
布液の表面にはその流れ方向に沿っていわゆる風紋がで
きてむらになってしまうおそれがある。これに対して本
請求項に記載の装置では、基板載置台に載置される基板
の上面全体においては清浄空気の一部が停滞して渦状の
弱い乱流が生じ、この乱流の不規則さゆえに、基板に塗
布された塗布液の表面にむらが生じることが少なくな
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
6. The substrate processing apparatus according to any one of items 1 to 5, wherein the drying promotion processing unit has a substrate mounting table. In the substrate mounting table, the substrate mounting surface has an outer edge larger than the substrate over the entire circumference. Here, clean air is supplied to the substrate in a state where the substrate is placed on a substrate mounting table having a larger outer edge than the substrate over the entire circumference. For this reason, the occurrence of unevenness on the surface of the coating liquid applied to the substrate is suppressed. That is, if the substrate mounting table is smaller than the size of the substrate, a flow of clean air in substantially one direction along the surface of the substrate from the inside to the outside of the substrate occurs at the peripheral portion of the substrate, and is applied to the substrate. There is a possibility that so-called wind ripples are formed on the surface of the applied coating liquid along the flow direction, resulting in unevenness. On the other hand, in the apparatus according to the present invention, a part of the clean air stagnates on the entire upper surface of the substrate mounted on the substrate mounting table to generate a vortex-like weak turbulent flow. Therefore, the surface of the coating liquid applied to the substrate is less likely to be uneven.

【0021】なお、基板が載っていない基板載置台の周
辺部において上述した外側へ向かうほぼ一定な清浄空気
の流れが生じるが、これが基板に塗布された塗布液の表
面状態に対して悪影響を与えることは殆どない。請求項
7に係る基板処理装置は、請求項3に記載の基板処理装
置であって、エアー供給装置はエアーフィルターを有し
ている。
In the peripheral portion of the substrate mounting table on which no substrate is mounted, the above-mentioned substantially constant flow of clean air toward the outside occurs, which has an adverse effect on the surface condition of the coating liquid applied to the substrate. There is very little. The substrate processing apparatus according to claim 7 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device has an air filter.

【0022】ここでは、エアー供給装置自身がエアーフ
ィルターを有しているため、例えば基板処理装置がクリ
ーンルーム内に設置されている場合にエアー供給装置を
クリーンルーム外に設置することも可能となる。請求項
8に係る基板処理装置は、請求項3に記載の基板処理装
置であって、クリーンルーム内に設置されるものであ
る。そして、エアー供給装置は、クリーンルームを流れ
ている清浄空気を基板に対して供給する。
Here, since the air supply device itself has an air filter, for example, when the substrate processing apparatus is installed in a clean room, the air supply device can be installed outside the clean room. The substrate processing apparatus according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to claim 3, which is installed in a clean room. Then, the air supply device supplies the clean air flowing in the clean room to the substrate.

【0023】ここでは、エアー供給装置はクリーンルー
ム内に設置され且つクリーンルームの清浄空気を基板に
供給するものであるから、エアー供給装置自身でエアー
フィルターを備える必要がなくなる。請求項9に係る基
板処理装置は、請求項3に記載の基板処理装置であっ
て、乾燥促進処理部は、第2駆動装置をさらに有してい
る。第2駆動装置は、エアー供給装置と基板とを相対的
に移動させることができる装置である。
In this case, since the air supply device is installed in the clean room and supplies clean air from the clean room to the substrate, it is not necessary to provide an air filter in the air supply device itself. A substrate processing apparatus according to a ninth aspect is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the drying promotion processing unit further includes a second driving device. The second driving device is a device that can relatively move the air supply device and the substrate.

【0024】ここでは、基板とエアー供給装置とが第2
駆動装置の作動によって相対的に移動させられる。した
がって、例えば、乾燥促進処理部での処理時には両者を
近づけさせて基板への洗浄空気の流れの流速を確保し
て、基板の搬入搬出時には干渉を避けるように両者を遠
ざけさせることが可能となる。なお、第2駆動装置は、
基板を移動させるものであっても良いし、エアー供給装
置の方を動かすものであっても良い。
Here, the substrate and the air supply device are connected to the second
It is relatively moved by the operation of the driving device. Therefore, for example, it is possible to secure the flow velocity of the flow of the cleaning air to the substrate by bringing them close to each other at the time of processing in the drying acceleration processing unit, and to keep them away from each other so as to avoid interference when loading and unloading the substrate. . The second driving device is
The substrate may be moved, or the air supply device may be moved.

【0025】請求項10に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は整
流板を有している。この整流板は、基板に供給する清浄
空気の流れを整流する。ここでは、基板表面の塗布液の
乾燥状態が均一となるように、エアー供給装置に整流板
を設けている。この整流板は、例えばエアーフィルター
で兼用させても良いし、別途多数の孔が形成された板状
部材等を用いても良い。
A tenth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the air supply device has a rectifying plate. This rectifying plate rectifies the flow of the clean air supplied to the substrate. Here, a rectifying plate is provided in the air supply device so that the drying state of the coating liquid on the substrate surface becomes uniform. For example, an air filter may be used as the rectifying plate, or a plate-like member provided with a large number of holes may be used.

【0026】請求項11に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は、
エアー吐出口と、送風機と、供給経路とを有している。
エアー吐出口は、乾燥促進処理部にある基板の上方に位
置する。送風機は、空気の流れを発生させる。供給経路
は、エアー吐出口と送風機とを結ぶ経路である。ここで
は、エアー吐出口を基板の上方に位置させて基板近傍か
ら基板に清浄空気を供給するとともに、供給経路を設け
ることによって送風機の設置場所の確保を容易にしてい
る。これによれば、基板の上方に設置スペースが少ない
場合にも、エアー供給装置を設置することができる。
An eleventh aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the air supply device comprises:
It has an air discharge port, a blower, and a supply path.
The air discharge port is located above the substrate in the drying promotion processing section. The blower generates a flow of air. The supply path is a path connecting the air discharge port and the blower. Here, the air discharge port is positioned above the substrate to supply clean air to the substrate from the vicinity of the substrate, and a supply path is provided to easily secure an installation location of the blower. According to this, even when the installation space is small above the substrate, the air supply device can be installed.

【0027】請求項12に係る基板処理装置は、請求項
11に記載の基板処理装置であって、クリーンルーム内
に設置されるものである。そして、送風機はクリーンル
ーム内に配置されている。ここでは、送風機がクリーン
ルーム内に設置されているため、クリーンルーム内の清
浄空気を容易に利用することができる。
A substrate processing apparatus according to a twelfth aspect is the substrate processing apparatus according to the eleventh aspect, wherein the substrate processing apparatus is installed in a clean room. And a blower is arrange | positioned in the clean room. Here, since the blower is installed in the clean room, the clean air in the clean room can be easily used.

【0028】請求項13に係る基板処理装置は、請求項
12に記載の基板処理装置であって、送風機は、乾燥促
進処理部にある基板の上方に位置する。ここでは、エア
ー吐出口に加え、送風機も基板の上方に配置する。これ
により、クリーンルーム内の基板よりも上方にある清浄
空気を所定の流速で基板に供給することができる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the twelfth aspect, wherein the blower is located above the substrate in the drying promotion processing section. Here, a blower is arranged above the substrate in addition to the air discharge port. Thereby, the clean air above the substrate in the clean room can be supplied to the substrate at a predetermined flow rate.

【0029】請求項14に係る基板処理装置は、請求項
11に記載の基板処理装置であって、クリーンルーム内
に設置されるものである。そして、送風機はクリーンル
ーム外に配置される。ここでは、クリーンルーム内に送
風機を設置することが困難な場合や、クリーンルーム内
に送風機を設置するとパーティクルの発生の恐れがある
場合であっても、送風機をクリーンルーム外に設置して
いるためこれらの問題が解消される。
A substrate processing apparatus according to a fourteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the eleventh aspect, wherein the substrate processing apparatus is installed in a clean room. And a blower is arrange | positioned outside a clean room. Here, even if it is difficult to install a blower in a clean room, or if there is a possibility that particles may be generated when a blower is installed in a clean room, these problems are caused by installing the blower outside the clean room. Is eliminated.

【0030】請求項15に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は上
部カバーを有している。上部カバーは、基板に供給した
清浄空気が隣接する処理部へと流れないように、清浄空
気の流れを誘導する。ここでは、エアー供給装置により
基板に供給した洗浄空気が隣接する処理部に流れて、そ
の流れによって前記処理部における処理に悪影響を与え
ることがないよう、上部カバーを設けている。この上部
カバーによって清浄空気の流れが誘導されるため、エア
ー供給装置からの清浄空気が隣接する処理部に流れるこ
とが抑えられる。
A substrate processing apparatus according to a fifteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the third aspect, wherein the air supply device has an upper cover. The upper cover guides the flow of the clean air so that the clean air supplied to the substrate does not flow to the adjacent processing unit. Here, the upper cover is provided so that the cleaning air supplied to the substrate by the air supply device flows to the adjacent processing unit and the flow does not adversely affect the processing in the processing unit. Since the flow of the clean air is guided by the upper cover, the flow of the clean air from the air supply device to the adjacent processing unit is suppressed.

【0031】請求項16に係る基板処理装置は、請求項
15に記載の基板処理装置であって、乾燥促進処理部は
下部カバーをさらに有している。下部カバーは、エアー
供給装置から基板に供給された清浄空気が舞い上がらな
いように清浄空気の流れを下方に誘導する。ここでは、
エアー供給装置から基板に供給された清浄空気が基板を
支持している部材等に当たって上方に舞い上がると基板
表面にパーティクルが付着する恐れがあることに鑑み、
これを回避するために、清浄空気の流れを下方に誘導す
る下部カバーを乾燥促進処理部に設けている。これによ
り、例えば、基板搬送の高さレベルよりも下方に配置さ
れることの多い基板処理装置の駆動部分から発生するパ
ーティクルの舞い上げを回避することができる。
A substrate processing apparatus according to a sixteenth aspect is the substrate processing apparatus according to the fifteenth aspect, wherein the drying promotion processing unit further includes a lower cover. The lower cover guides the flow of the clean air downward so that the clean air supplied from the air supply device to the substrate does not soar. here,
In consideration of the possibility that particles may adhere to the substrate surface when the clean air supplied to the substrate from the air supply device hits a member supporting the substrate and so forth and rises upward.
In order to avoid this, a lower cover for guiding the flow of clean air downward is provided in the drying promotion processing unit. Thus, for example, it is possible to avoid soaring of particles generated from a driving portion of the substrate processing apparatus which is often arranged below the height level of the substrate transfer.

【0032】請求項17に係る基板処理装置は、請求項
16に記載の基板処理装置であって、乾燥促進処理部は
排気経路をさらに有している。排気経路は、下部カバー
により誘導された清浄空気を排気する。ここでは、下部
カバーにより誘導された清浄空気を排気経路によって排
気している。基板に供給された清浄空気をこの排気経路
によって所定の場所に排気すれば、他の処理部への悪影
響やパーティクルの舞い上げ等の不具合を抑えることが
可能となる。
A substrate processing apparatus according to a seventeenth aspect is the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, wherein the drying promotion processing unit further has an exhaust path. The exhaust path exhausts the clean air guided by the lower cover. Here, the clean air guided by the lower cover is exhausted through an exhaust path. If the clean air supplied to the substrate is exhausted to a predetermined place through this exhaust path, it is possible to suppress problems such as adverse effects on other processing units and flying of particles.

【0033】請求項18に係る基板処理装置は、請求項
17に記載の基板処理装置であって、排気経路には排気
ダンパーが設けられている。この排気ダンパーは清浄空
気の排気量を調整することができる。また、エアー供給
装置は、排気経路から排気される清浄空気の排気量より
も多い量の清浄空気を吹き出す。ここでは、排気ダンパ
ーの調整によって清浄空気の供給によって乾燥させられ
ている基板付近を周囲よりも陽圧に保つことにより、周
囲からの空気の吸い込みによる気流によって乾燥中の基
板に悪影響(乾燥の不均一,パーティクル付着)が出る
ことを抑えることができる。
The substrate processing apparatus according to claim 18 is the substrate processing apparatus according to claim 17, wherein an exhaust damper is provided in the exhaust path. This exhaust damper can adjust the amount of exhaust of the clean air. The air supply device blows out a larger amount of clean air than the amount of clean air exhausted from the exhaust path. Here, by adjusting the exhaust damper, the vicinity of the substrate being dried by the supply of clean air is maintained at a higher positive pressure than the surroundings, so that the airflow caused by the suction of air from the surroundings adversely affects the substrate being dried (improper drying). (Uniform, particle adhesion) can be suppressed.

【0034】なお、理想としては、排気経路から排気さ
れる清浄空気の排気量とエアー供給装置が吹き出す清浄
空気の量とを完全に一致させ、乾燥処理中の基板近傍へ
の周囲からの空気の吸い込みと、周囲への空気の噴出と
を完全になくすことが望ましい。請求項19に係る基板
処理装置は、請求項16から18のいずれかに記載の基
基板処理装置であって、エアー供給装置の上部カバー
は、その下端が下部カバーを覆うように形成されてい
る。また、上部カバーの下端の高さ位置は、下部カバー
の上端の高さ位置よりも低い。
In addition, ideally, the amount of clean air exhausted from the exhaust path and the amount of clean air blown out by the air supply device completely match each other, and the amount of air from the vicinity to the vicinity of the substrate during the drying process is reduced. It is desirable to completely eliminate inhalation and blowing of air into the surroundings. The substrate processing apparatus according to claim 19 is the base substrate processing apparatus according to any one of claims 16 to 18, wherein the upper cover of the air supply device is formed such that the lower end covers the lower cover. . The height position of the lower end of the upper cover is lower than the height position of the upper end of the lower cover.

【0035】ここでは、エアー供給装置の上部カバーの
下端が下部カバーを覆うように形成されており、且つ上
部カバーの下端の高さ位置が下部カバーの上端の高さ位
置よりも低いため、エアー供給装置から基板に供給され
る清浄空気は、上部カバーと下部カバーとの隙間から両
カバーの外に出た場合、下方に向かって流れる。したが
って、両カバーの隙間から出た清浄空気の流れがパーテ
ィクル等を舞い上げる恐れが少ない。
Here, the lower end of the upper cover of the air supply device is formed so as to cover the lower cover, and the height of the lower end of the upper cover is lower than the height of the upper end of the lower cover. The clean air supplied to the substrate from the supply device flows downward when coming out of both covers from the gap between the upper cover and the lower cover. Therefore, there is little possibility that the flow of clean air that has flowed out of the gap between the two covers will fly particles and the like.

【0036】請求項20に係る基板処理装置は、請求項
16又は17に記載の基板処理装置であって、エアー供
給装置の上部カバーの下端の形状と、下部カバーの上端
の形状とが対応している。そして、エアー供給装置の上
部カバーの下端と下部カバーの上端との間に挿入される
シール部材をさらに備えている。ここでは、上部カバー
の下端の形状と下部カバーの上端の形状とが対応してお
り、上部カバーと下部カバーとの間にシール部材が挿入
されるため、エアー供給装置から供給される清浄空気が
両カバーの隙間から外に漏れ出すことが抑えられる。こ
れにより、周囲からの空気の吸い込みによる気流によっ
て乾燥中の基板に悪影響(乾燥の不均一,パーティクル
付着)が出ることや、隣接する処理部に空気が流れ出て
その処理部での処理に悪影響を与えることを抑えること
ができる。
According to a twentieth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, the shape of the lower end of the upper cover of the air supply device corresponds to the shape of the upper end of the lower cover. ing. The air supply device further includes a seal member inserted between a lower end of the upper cover and an upper end of the lower cover. Here, the shape of the lower end of the upper cover corresponds to the shape of the upper end of the lower cover, and a seal member is inserted between the upper cover and the lower cover. Leakage to the outside through the gap between both covers is suppressed. As a result, the airflow caused by the suction of air from the surroundings adversely affects the substrate being dried (non-uniform drying and adheres to particles), and the air flows out to the adjacent processing unit and adversely affects the processing in the processing unit. Giving can be suppressed.

【0037】請求項21に係る基板処理装置は、請求項
20に記載の基板処理装置において、エアー供給装置
は、排気経路から排気される量よりも少ない清浄空気を
基板に供給する。ここでは、エアー供給装置、下部カバ
ー、及び排気経路で囲まれた空間の圧力を若干陰圧(負
圧状態)とすることで、乾燥処理が促進される。但し、
洗浄空気を供給して若干の陰圧としているため、基板に
パーティクルが付着する恐れは少ない。
According to a twenty-first aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the twentieth aspect, the air supply device supplies the substrate with clean air that is smaller than the amount exhausted from the exhaust path. Here, the drying process is promoted by setting the pressure in the space surrounded by the air supply device, the lower cover, and the exhaust path to a slightly negative pressure (negative pressure state). However,
Since the cleaning air is supplied to generate a slight negative pressure, there is little possibility that particles adhere to the substrate.

【0038】請求項22に係る基板処理装置は、請求項
21に記載の基板処理装置であって、乾燥促進処理部で
の処理において、エアー供給装置、下部カバー、及び排
気経路で囲まれた空間の圧力を、この空間の密閉を解除
する前に、周囲の圧力とほぼ等しくさせる制御が行われ
る。ここでは、負圧状態の空間をいきなり周囲に開放し
たのではパーティクルを巻き込んで基板に付着させてし
まう恐れがあるため、空間の密閉を解除する前に、周囲
の圧力とほぼ等しくさせる制御が行われる。具体的に
は、空間の密閉を解除する前にエアー供給装置による清
浄空気の供給量を増やしたり、排気量を絞ったりする。
A substrate processing apparatus according to a twenty-second aspect is the substrate processing apparatus according to the twenty-first aspect, wherein a space surrounded by an air supply device, a lower cover, and an exhaust path in processing in the drying acceleration processing unit. Is controlled to be substantially equal to the surrounding pressure before the sealing of the space is released. Here, if the space under negative pressure is suddenly opened to the surroundings, there is a risk that the particles may be entangled and adhere to the substrate, so control to make the pressure approximately equal to the surrounding pressure is performed before the sealing of the space is released. Will be Specifically, before the airtightness of the space is released, the supply amount of clean air by the air supply device is increased or the exhaust amount is reduced.

【0039】請求項23に係る基板処理装置は、請求項
20に記載の基板処理装置であって、ダウンフロークリ
ーンルーム内に設置されるものである。そして、排気経
路は、一端が下部カバーに接続され、他端がダウンフロ
ークリーンルームの下部空間に開放されている。ここで
は、排気経路は、下部カバーからダウンフロークリーン
ルームの下部空間へと基板に供給された洗浄空気を導
く。そして、このダウンフロークリーンルームの下部空
間に導かれた空気は、クリーンルームにダウンフローが
存在するため、舞い上がることなくクリーンルームのダ
ウンフローに合流する。このように排気経路を設置する
ことで、基板に供給された洗浄空気によって基板近傍に
パーティクルが舞い上がる等の不具合が抑えられる。
The substrate processing apparatus according to claim 23 is the substrate processing apparatus according to claim 20, which is installed in a downflow clean room. One end of the exhaust path is connected to the lower cover, and the other end is open to the lower space of the downflow clean room. Here, the exhaust path guides the cleaning air supplied to the substrate from the lower cover to the lower space of the downflow clean room. Then, the air guided into the lower space of the downflow clean room joins the downflow of the clean room without soaring because the downflow exists in the clean room. By providing the exhaust path in this way, problems such as particles flying up near the substrate due to the cleaning air supplied to the substrate can be suppressed.

【0040】請求項24に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は、
基板に供給する洗浄空気の量を調整する風量調整機能を
有している。ここでは、例えば塗布処理部において基板
に塗布される塗布液の種類によって、基板に供給する洗
浄空気の量(風量)を調整することが可能である。ま
た、乾燥促進処理部における処理中に、より短時間で乾
燥を行えるように風量を変更することもできる。
The substrate processing apparatus according to claim 24 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device comprises:
It has an air volume adjusting function for adjusting the amount of cleaning air supplied to the substrate. Here, for example, it is possible to adjust the amount (air volume) of the cleaning air supplied to the substrate according to the type of the coating liquid applied to the substrate in the coating processing unit. Also, during the processing in the drying promotion processing section, the air volume can be changed so that drying can be performed in a shorter time.

【0041】請求項25に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は、
基板に供給する洗浄空気の温度を調整する温度調整機能
を有している。ここでは、例えば塗布処理部において基
板に塗布される塗布液の種類によって、基板に供給する
洗浄空気の温度を調整することが可能である。また、乾
燥促進処理部における処理中に、より短時間で乾燥を行
えるように洗浄空気の温度を変更することもできる。
The substrate processing apparatus according to claim 25 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device comprises:
It has a temperature adjustment function for adjusting the temperature of the cleaning air supplied to the substrate. Here, for example, the temperature of the cleaning air supplied to the substrate can be adjusted according to the type of the coating liquid applied to the substrate in the coating processing unit. In addition, the temperature of the cleaning air can be changed so that drying can be performed in a shorter time during the processing in the drying acceleration processing unit.

【0042】請求項26に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は、
基板に供給する洗浄空気の湿度を調整する湿度調整機能
を有している。ここでは、例えば塗布処理部において基
板に塗布される塗布液の種類によって、基板に供給する
洗浄空気の湿度を調整することが可能である。また、乾
燥促進処理部における処理中に、より短時間で乾燥を行
えるように洗浄空気の湿度を変更することもできる。
The substrate processing apparatus according to claim 26 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device comprises:
It has a humidity adjustment function for adjusting the humidity of the cleaning air supplied to the substrate. Here, for example, the humidity of the cleaning air supplied to the substrate can be adjusted according to the type of the coating liquid applied to the substrate in the application processing unit. In addition, the humidity of the cleaning air can be changed so that drying can be performed in a shorter time during the processing in the drying acceleration processing unit.

【0043】請求項27に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は化
学吸着フィルターを有している。この化学吸着フィルタ
ーは、基板に供給する洗浄空気の溶剤含有率を低下させ
るものである。ここでは、基板に供給する洗浄空気の溶
剤含有率が低下するため、より短時間で乾燥を行えるよ
うになる。
A substrate processing apparatus according to claim 27 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device has a chemical adsorption filter. This chemical adsorption filter reduces the solvent content of the cleaning air supplied to the substrate. Here, since the solvent content of the cleaning air supplied to the substrate is reduced, drying can be performed in a shorter time.

【0044】請求項28に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、乾燥促進処理部は流
速調整機構をさらに有している。この流速調整機構は、
エアー供給装置から基板に供給される洗浄空気の基板付
近での流速を変える機構である。ここでは、例えば塗布
処理部において基板に塗布される塗布液の種類によっ
て、基板に供給する洗浄空気の基板付近での流速を変え
ることが可能である。また、乾燥促進処理部における処
理中に、より短時間で乾燥を行えるように洗浄空気の基
板付近での流速を変更することもできる。
The substrate processing apparatus according to claim 28 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the drying promotion processing section further has a flow rate adjusting mechanism. This flow rate adjustment mechanism
This is a mechanism for changing the flow velocity of the cleaning air supplied from the air supply device to the substrate near the substrate. Here, for example, the flow rate of the cleaning air supplied to the substrate in the vicinity of the substrate can be changed depending on the type of the coating liquid applied to the substrate in the coating processing section. In addition, the flow rate of the cleaning air in the vicinity of the substrate can be changed so that drying can be performed in a shorter time during the processing in the drying acceleration processing unit.

【0045】請求項29に係る基板処理装置は、請求項
28に記載の基板処理装置であって、流速調整機構は、
エアー供給装置と基板とを相対的に移動させる機構であ
る。ここでは、エアー供給装置と基板とを相対的に近づ
けることにより、基板に供給する洗浄空気の基板付近で
の流速を速くする。また、エアー供給装置と基板とを相
対的に遠ざけることにより、基板に供給する洗浄空気の
基板付近での流速を遅くする。例えば、時間の進行に応
じて徐々に両者を近づければ、乾燥度合いに応じた洗浄
空気の基板付近での流速を確保することが可能である。
The substrate processing apparatus according to claim 29 is the substrate processing apparatus according to claim 28, wherein the flow rate adjusting mechanism comprises:
This is a mechanism for relatively moving the air supply device and the substrate. Here, the flow rate of the cleaning air supplied to the substrate near the substrate is increased by relatively bringing the air supply device and the substrate closer to each other. Further, the flow rate of the cleaning air supplied to the substrate near the substrate is reduced by relatively separating the air supply device from the substrate. For example, if the two are gradually approached as time progresses, it is possible to secure a flow rate of the cleaning air near the substrate in accordance with the degree of drying.

【0046】請求項30に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は、
放出経路と、基板に供給する清浄空気を通す供給経路
と、放出経路と供給経路とを切り替える切替手段とを有
している。ここでは、切替手段により放出経路に切り替
えることによって、エアー供給装置の作動を止めること
なく、基板への清浄空気の供給を一時的に止めることが
できる。これにより、乾燥促進処理部への基板搬送時や
乾燥促進処理部からの基板搬出時にエアー供給装置の作
動を止める必要がなくなる。
The substrate processing apparatus according to claim 30 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device comprises:
It has a discharge path, a supply path through which clean air supplied to the substrate passes, and switching means for switching between the discharge path and the supply path. Here, the supply of the clean air to the substrate can be temporarily stopped without stopping the operation of the air supply device by switching to the discharge path by the switching unit. This eliminates the need to stop the operation of the air supply device when transporting the substrate to the drying promotion processing unit or when unloading the substrate from the drying promotion processing unit.

【0047】請求項31に係る基板処理装置は、請求項
3に記載の基板処理装置であって、エアー供給装置は、
案内部材を有している。この案内部材は、清浄空気の流
路の断面積が基板側に向かって小さく構成された部材で
ある。ここでは、案内部材によって清浄空気の流路が基
板側にいくほど小さくなっているため、基板側と反対側
から案内部材に入るときの清浄空気の流速がそれほど速
くない場合でも、基板側から案内部材を出て基板に供給
されるときに必要な清浄空気の流速を確保することがで
きる。すなわち、案内部材を設けることによって、例え
ば0.3m/sの流速の清浄空気を基板の近傍で1m/
sの流速とすることができる。
The substrate processing apparatus according to claim 31 is the substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device comprises:
It has a guide member. This guide member is a member configured such that the cross-sectional area of the flow path of the clean air decreases toward the substrate side. Here, since the flow path of the clean air is reduced toward the substrate side by the guide member, even if the flow rate of the clean air when entering the guide member from the side opposite to the substrate side is not so high, the guide from the substrate side is performed. The required flow rate of clean air when leaving the member and being supplied to the substrate can be ensured. That is, by providing the guide member, clean air at a flow rate of, for example, 0.3 m / s is supplied at a rate of 1 m /
s.

【0048】[0048]

【発明の実施の形態】[第1実施形態] (構成)本発明の基板処理装置の一実施形態(第1実施
形態)を図1に示す。この基板処理装置は、矩形のガラ
ス基板(以下、基板という。)に対して、複数の処理ユ
ニットを接続して一貫した処理を可能にしたレジスト塗
布のための装置であり、露光機や現像処理装置等と接続
させることもできる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment (Configuration) FIG. 1 shows an embodiment (first embodiment) of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus is an apparatus for resist coating that connects a plurality of processing units to a rectangular glass substrate (hereinafter, referred to as a substrate) to enable consistent processing. It can be connected to a device or the like.

【0049】この基板処理装置は、枚葉式の装置であっ
て、搬入部1、スピンコータ部(塗布処理部)2、乾燥
促進処理部3、エッジリンス部(端面洗浄処理部)4、
載置部5、及びベーク部(ベーキング処理部)6から構
成されている。この基板処理装置は、例えば前工程の装
置である基板洗浄装置11と後工程の装置である露光機
12との間に配置され、搬入部1に基板洗浄装置11か
らコンベア等の搬送手段によって基板を搬入し、ベーク
部6から露光機12へと搬送ロボット等によって基板を
搬出する。搬入部1から載置部5までは、複数のハンド
を持ち基板を隣接する処理部へ順送りしてゆくいわゆる
間歇移送スライダー7a〜7bによって基板が搬送され
る。
This substrate processing apparatus is a single-wafer type apparatus, and has a carry-in section 1, a spin coater section (coating processing section) 2, a drying acceleration processing section 3, an edge rinse section (edge cleaning section) 4,
It comprises a placing section 5 and a baking section (baking processing section) 6. The substrate processing apparatus is disposed, for example, between a substrate cleaning apparatus 11 that is a pre-processing apparatus and an exposure machine 12 that is a post-processing apparatus. And the substrate is carried out from the baking unit 6 to the exposure machine 12 by a transfer robot or the like. From the loading unit 1 to the mounting unit 5, the substrate is transported by so-called intermittent transfer sliders 7a to 7b which have a plurality of hands and sequentially transport the substrate to an adjacent processing unit.

【0050】なお、この基板処理装置は、図2に示すよ
うなクリーンルーム10内に設置される。クリーンルー
ム10は、HEPAフィルター(high efficiency part
iculate air filter) 10bで構成される天井の全面か
ら空気が室内に流入し対向床全面から流出するようにな
っている空間で、垂直に一方向流が流れる形式のクリー
ンルームである。クリーンルーム10の下部には、フリ
ーアクセス空間をその下部に形成する鋼製あるいはステ
ンレス製のすのこ状の床パネルであるグレーティングパ
ネル10aが設置されている。グレーティングパネル1
0aには吸い込み口が多数開けられている。また、エア
ーフローはブロワー10cによって生成されている。
The substrate processing apparatus is installed in a clean room 10 as shown in FIG. The clean room 10 uses a HEPA filter (high efficiency part)
iculate air filter) A clean room in which air flows into the room from the entire surface of the ceiling constituted by 10b and flows out from the entire surface of the opposing floor. At the lower part of the clean room 10, a grating panel 10a, which is a steel or stainless steel scaly floor panel forming a free access space at the lower part, is installed. Grating panel 1
A large number of suction ports are opened at 0a. The air flow is generated by the blower 10c.

【0051】次に、乾燥促進処理部3の構成について説
明する。乾燥促進処理部3は、図3に示すように、主と
して、基板を載置する基板載置台21と、基板に清浄空
気を緩やかに吹き出すエアー供給装置30とから構成さ
れる。基板載置台21は、矩形の基板Wを水平状態に載
置させるための台であって、基板Wの大きさと略同じ矩
形形状を有し、上面に基板支持ピン21aが複数設けら
れている。エアー供給装置30は、HEPAフィルター
31と、ブロワー(送風機)33と、HEPAフィルタ
ー31とブロワー33とをつなぐ供給配管(供給経路)
32とから構成されている。HEPAフィルター31
は、定格風量で粒径が0.3μmの粒子に対して99.
97%以上の粒子捕集率を有し、かつ初期圧力損失が一
般に300Pa以下の性能を持つエアフィルターであ
る。なお、ここではHEPAフィルター31を採用して
いるが、必要に応じてULPAフィルターを使用しても
良い。ブロワーは、HEPAフィルター31にエアーを
供給する送風機であり、クリーンルーム10内に設置し
てもよいし、基板Wの直上にHEPAフィルター31を
配しているためクリーンルーム10の外に設置すること
もできる。なお、ブロワー33をクリーンルーム内に設
置したときには、クリーンルーム10内のHEPAフィ
ルター10bを通った清浄な空気をHEPAフィルター
31に送ることができ、さらにHEPAフィルター31
の設置を省略することも可能である。但し、クリーンル
ーム10内にブロワー33を設置するとパーティクルの
発生の恐れがある場合には、ブロワー33はクリーンル
ーム10の外に設置することが望ましい。また、ブロワ
ー33を出たエアーは、ブロワー33と供給配管32と
の間に配置されているヒーター34によって加熱され
る。すなわち、エアー供給装置30は、このヒーター3
4を作動させることによって、HEPAフィルター31
から吹き出す清浄空気の温度を調整することができる。
Next, the configuration of the drying promotion processing section 3 will be described. As shown in FIG. 3, the drying promotion processing section 3 mainly includes a substrate mounting table 21 on which a substrate is mounted, and an air supply device 30 that gently blows clean air to the substrate. The substrate mounting table 21 is a table for mounting a rectangular substrate W in a horizontal state, has a rectangular shape substantially the same as the size of the substrate W, and has a plurality of substrate support pins 21a provided on the upper surface. The air supply device 30 includes a HEPA filter 31, a blower (blower) 33, and a supply pipe (supply path) connecting the HEPA filter 31 and the blower 33.
32. HEPA filter 31
Is 99.000 for particles having a rated air volume and a particle size of 0.3 μm.
The air filter has a particle collection rate of 97% or more and an initial pressure loss of generally 300 Pa or less. Although the HEPA filter 31 is used here, an ULPA filter may be used if necessary. The blower is a blower that supplies air to the HEPA filter 31 and may be installed in the clean room 10 or may be installed outside the clean room 10 because the HEPA filter 31 is arranged immediately above the substrate W. . When the blower 33 is installed in a clean room, the clean air that has passed through the HEPA filter 10b in the clean room 10 can be sent to the HEPA filter 31, and the HEPA filter 31
It is also possible to omit the installation. However, if particles may be generated when the blower 33 is installed in the clean room 10, it is preferable that the blower 33 be installed outside the clean room 10. The air that has exited the blower 33 is heated by a heater 34 disposed between the blower 33 and the supply pipe 32. That is, the air supply device 30 includes the heater 3
Activating the HEPA filter 31
The temperature of the clean air blown out from can be adjusted.

【0052】エアー供給装置30は、HEPAフィルタ
ー31の下部から、図3の1点鎖線の矢印に示すよう
に、基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出す。この
エアーは、HEPAフィルター31を通過しているた
め、清浄な空気である。基板Wの表面付近でのエアーの
流速は、0.25〜2.00m/sまで可変であるが、
通常0.50m/sに設定される。この流速は、HEP
Aフィルター31から基板Wまでの距離とブロワーの出
力とによって決定される。
The air supply device 30 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 31 toward the substrate W, as indicated by the dashed line arrow in FIG. This air is clean air since it has passed through the HEPA filter 31. The flow velocity of the air near the surface of the substrate W is variable from 0.25 to 2.00 m / s,
Usually, it is set to 0.50 m / s. This flow rate is HEP
It is determined by the distance from the A filter 31 to the substrate W and the output of the blower.

【0053】(基板処理)この基板処理装置では、まず
間歇移送スライダー7aによって基板が搬入部1からス
ピンコータ部2に運ばれて、基板に対してレジスト(塗
布液)の塗布が行われる。スピンコータ部2は、レジス
ト供給系、スピンモータ、カップ等により構成されてお
り、水平に載置された基板上にレジストを滴下し基板を
回転させることによって基板上に均一なレジスト膜を形
成させる。レジスト膜が形成された基板は、乾燥促進処
理部3に運ばれて、ある程度まで乾燥させられる。ここ
での処理については、後述する。この後、基板はエッジ
リンス部4に移される。エッジリンス部4では、基板端
面のレジスト膜が剥がれて発塵してしまうことを防止す
るために、基板表面の周辺や端面部分のレジストを溶剤
により取り除く処理が行われる。これらのレジスト塗布
に関する各処理を終えた基板は、図示しないロボットに
よって載置部5からベーク部6に移される。ベーク部6
では、基板上のレジスト膜中の残留溶剤の蒸発と基板の
密着性強化を目的として、熱処理が行われる。このベー
ク部6は複数の加熱部及び冷却部を有しており、基板は
これらに対して順番に搬入及び搬出される。こうして加
熱及び冷却処理が施された基板は、露光機12に搬出さ
れていく。
(Substrate Processing) In this substrate processing apparatus, first, the substrate is carried from the loading section 1 to the spin coater section 2 by the intermittent transfer slider 7a, and the substrate is coated with a resist (coating liquid). The spin coater unit 2 includes a resist supply system, a spin motor, a cup, and the like, and forms a uniform resist film on a horizontally mounted substrate by dropping the resist on the substrate and rotating the substrate. The substrate on which the resist film has been formed is carried to the drying promotion processing unit 3 and dried to a certain extent. This process will be described later. Thereafter, the substrate is moved to the edge rinsing section 4. In the edge rinsing section 4, a process of removing the resist on the periphery of the substrate surface and on the end surface portion with a solvent is performed in order to prevent the resist film on the substrate end surface from being peeled off and generating dust. The substrate that has been subjected to each of the processes related to the resist coating is transferred from the mounting unit 5 to the baking unit 6 by a robot (not shown). Bake part 6
Then, a heat treatment is performed for the purpose of evaporating the residual solvent in the resist film on the substrate and enhancing the adhesion of the substrate. The baking unit 6 has a plurality of heating units and cooling units, and the substrates are carried in and out of these sequentially. The substrate subjected to the heating and cooling processing is carried out to the exposure machine 12.

【0054】次に、乾燥促進処理部3の基板処理及び特
徴について説明する。ここでは、スピンコータ部2から
送られてきた基板Wが基板載置台21上に載せられる
と、エアー供給装置30から基板Wに向けて下向きに清
浄空気が吹き出される。この清浄空気の流れは、HEP
Aフィルター31を通ることによって整流されたものと
なっている。このような整流された清浄空気が緩やかな
速度で基板Wに当たるため、基板Wの表面上のレジスト
は、その表面形状がレベリングされながら乾燥してい
く。
Next, the substrate processing and features of the drying promotion processing section 3 will be described. Here, when the substrate W sent from the spin coater unit 2 is placed on the substrate mounting table 21, clean air is blown downward from the air supply device 30 toward the substrate W. This flow of clean air is HEP
The current is rectified by passing through the A filter 31. Since such rectified clean air hits the substrate W at a gentle speed, the resist on the surface of the substrate W dries while its surface shape is leveled.

【0055】スピンコータ部においてレジストが塗布さ
れた基板に対してすぐに加熱処理を施すと、塗布直後の
波打った表面状態のまま基板が乾燥してしまう等の不具
合が発生するが、本基板処理装置ではスピンコータ部2
とベーク部6との間に乾燥促進処理部3を設けている。
そして、乾燥促進処理部3において、ある程度基板を乾
燥させている。このため、塗布直後に基板の加熱処理を
行う場合に発生する上記の不具合が抑えられる。また、
清浄空気を基板Wに吹き出しているため、パーティクル
等が基板Wに付着する心配もない。さらに、所定の流速
で清浄空気を基板Wに当てているため、基板Wの表面付
近に蒸発したレジストの溶媒ガスが滞留し難くなり、乾
燥が促進されている。
If the substrate coated with the resist is heated immediately in the spin coater, problems such as drying of the substrate in a wavy surface state immediately after the application occur. In the device, spin coater 2
The drying promotion processing section 3 is provided between the baking section 6 and the drying section.
Then, the substrate is dried to some extent in the drying promotion processing section 3. For this reason, the above-described disadvantages that occur when the substrate is subjected to the heat treatment immediately after the application are suppressed. Also,
Since the clean air is blown to the substrate W, there is no fear that particles and the like adhere to the substrate W. Furthermore, since the clean air is applied to the substrate W at a predetermined flow rate, the solvent gas of the resist evaporated near the surface of the substrate W does not easily stay, and drying is promoted.

【0056】また、レジストが塗布された基板を一定の
膜厚以下にするとレジストの流動性が殆どなくなるた
め、従来は、塗布されたレジストがエッジリンス部にお
いて流動することを抑えるために、レジスト塗布直後に
基板を減圧下に置くことで一定の膜厚以下にしている。
しかしながら、減圧することでパーティクルを巻き込み
基板にパーティクルが付着するという不具合が存在す
る。一方、減圧せずに乾燥させようとすると、基板表面
付近に蒸発した処理液ガスが滞留するため、蒸発が妨げ
られて処理時間が長くなる。これに対し本基板処理装置
では、乾燥促進処理部3において、エアーのダウンフロ
ーによって基板Wの表面に滞留しがちな溶媒ガスを吹き
流すことで、短時間での乾燥を実現している。このた
め、エッジリンス部4においては、基板W上のレジスト
は殆ど流動せず、基板Wの端面付近の洗浄処理が行われ
てもレジストの塗布状態は良好に保たれる。
When the thickness of the substrate on which the resist is applied is reduced to a certain value or less, the fluidity of the resist is almost nil. Therefore, conventionally, in order to suppress the applied resist from flowing in the edge rinse portion, the resist coating is performed. Immediately after that, the substrate is placed under reduced pressure so that the film thickness is reduced to a certain value or less.
However, there is a problem in that the particles are entangled by the pressure reduction and adhere to the substrate. On the other hand, if the drying is performed without reducing the pressure, the processing liquid gas evaporated near the substrate surface stays, so that the evaporation is hindered and the processing time becomes longer. On the other hand, in the present substrate processing apparatus, drying in a short time is realized in the drying promotion processing unit 3 by blowing a solvent gas which tends to stay on the surface of the substrate W by downflow of air. Therefore, in the edge rinsing unit 4, the resist on the substrate W hardly flows, and the coated state of the resist is kept good even if the cleaning process near the end face of the substrate W is performed.

【0057】また、乾燥促進処理部3においては、エア
ー供給装置30によって清浄空気の所定速度以上の流れ
を生成している。クリーンルーム10内のダウンフロー
をそのまま使って基板Wを乾燥させることも可能である
が、より短時間で乾燥を行わせるために、ここでは別途
エアー供給装置30を設けている。また、エアー供給装
置30にはヒーター34が装備されているため、スピン
コータ部2において基板Wに塗布されるレジストの種類
に応じて基板Wに供給する洗浄空気の温度を調整するこ
とができる。これにより、乾燥促進処理部3における基
板Wの乾燥状態を最適なものにすることが可能となる。
Further, in the drying promotion processing section 3, the air supply device 30 generates a flow of clean air at a predetermined speed or higher. Although it is possible to dry the substrate W using the downflow in the clean room 10 as it is, an air supply device 30 is separately provided here to dry the substrate W in a shorter time. Further, since the air supply device 30 is provided with the heater 34, the temperature of the cleaning air supplied to the substrate W in the spin coater unit 2 can be adjusted according to the type of the resist applied to the substrate W. Thereby, it is possible to optimize the drying state of the substrate W in the drying promotion processing unit 3.

【0058】[第2実施形態]上記第1実施形態のエア
ー供給装置30に風量調整機能や湿度調整機能を持たせ
ることも可能である。エアー供給装置30に基板Wに供
給する洗浄空気の量を調整する風量調整機能を持たせた
場合、スピンコータ部2において基板Wに塗布されるレ
ジストの種類によって基板Wに供給する風量を調整する
ことができ、基板Wの乾燥状態を最適なものにすること
が可能となる。具体的には、ブロワー33の出力調整の
他、供給配管32にダンパーを設けたり、HEPAフィ
ルター31から基板Wまでの距離を調整したりする方法
がある。
[Second Embodiment] It is also possible to provide the air supply device 30 of the first embodiment with an air volume adjusting function and a humidity adjusting function. When the air supply device 30 is provided with an air volume adjustment function for adjusting the amount of cleaning air supplied to the substrate W, the spin coater unit 2 adjusts the air volume supplied to the substrate W according to the type of resist applied to the substrate W. This makes it possible to optimize the dry state of the substrate W. Specifically, in addition to adjusting the output of the blower 33, there is a method of providing a damper in the supply pipe 32 or adjusting the distance from the HEPA filter 31 to the substrate W.

【0059】また、エアー供給装置30に基板Wに供給
する洗浄空気の湿度を調整する湿度調整機能を持たせた
場合、スピンコータ部2において基板Wに塗布されるレ
ジストの種類によって基板Wに供給する洗浄空気の湿度
を調整することができ、基板Wの乾燥状態を最適なもの
にすることが可能となる。具体的には、除湿装置をブロ
アー33の吸い込み側あるいは吹き出し側に設ける方法
がある。
When the air supply device 30 is provided with a humidity adjusting function for adjusting the humidity of the cleaning air supplied to the substrate W, the air is supplied to the substrate W in the spin coater 2 depending on the type of resist applied to the substrate W. The humidity of the cleaning air can be adjusted, and the dry state of the substrate W can be optimized. Specifically, there is a method of providing a dehumidifying device on the suction side or the blowing side of the blower 33.

【0060】[第3実施形態]上記第1実施形態のエア
ー供給装置30に化学吸着フィルターを装備させること
もできる。この場合、基板Wに当たる洗浄空気に含まれ
る溶剤の含有率が低下するため、乾燥促進処理部3にお
いて、より短時間で乾燥を行えるようになる。 [第4実施形態]本実施形態では、上記第1実施形態の
エアー供給装置30に代えて、図4に示すエアー供給装
置40を用いている。
[Third Embodiment] The air supply device 30 of the first embodiment may be equipped with a chemical adsorption filter. In this case, since the content of the solvent contained in the cleaning air impinging on the substrate W decreases, the drying can be performed in the drying promotion processing unit 3 in a shorter time. [Fourth Embodiment] In this embodiment, an air supply device 40 shown in FIG. 4 is used in place of the air supply device 30 of the first embodiment.

【0061】図4に示すエアー供給装置40は、HEP
Aフィルター41と、ブロワー42とから構成されてい
る。HEPAフィルター41は基板載置台21に載置さ
れる基板Wの上方に配置され、ブロワー42はそのHE
PAフィルター41の上方に配置される。HEPAフィ
ルター41はHEPAフィルター31と同様のエアフィ
ルターであり、ブロワー42はブロワー33と同様の送
風機である。このエアー供給装置40は、HEPAフィ
ルター41の下部から、図4の1点鎖線の矢印に示すよ
うに、基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出す。こ
のエアーは、ブロワー42の作動によってクリーンルー
ム10のHEPAフィルター10bからダウンフローし
ている清浄空気が更にHEPAフィルター41を通過し
たものであり、清浄な空気である。
The air supply device 40 shown in FIG.
An A filter 41 and a blower 42 are provided. The HEPA filter 41 is disposed above the substrate W mounted on the substrate mounting table 21, and the blower 42
It is arranged above the PA filter 41. The HEPA filter 41 is an air filter similar to the HEPA filter 31, and the blower 42 is a blower similar to the blower 33. The air supply device 40 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 41 toward the substrate W, as indicated by a dashed line arrow in FIG. This air is clean air that is the clean air that has flowed down from the HEPA filter 10b of the clean room 10 by the operation of the blower 42 and has further passed through the HEPA filter 41.

【0062】ここでは、HEPAフィルター41に加
え、ブロワー42も基板Wの上方に配置されており、ク
リーンルーム10内の基板Wよりも上方にあるHEPA
フィルター10bを出たばかりの清浄な空気をHEPA
フィルター41を介して基板Wに吹き出すことができ
る。 [第5実施形態]本実施形態では、上記第1実施形態の
エアー供給装置30に代えて、図5に示すエアー供給装
置50を用いている。
Here, in addition to the HEPA filter 41, a blower 42 is also arranged above the substrate W, and the HEPA above the substrate W in the clean room 10.
Clean air that has just left the filter 10b is HEPA
It can be blown out to the substrate W via the filter 41. [Fifth Embodiment] In this embodiment, an air supply device 50 shown in FIG. 5 is used instead of the air supply device 30 of the first embodiment.

【0063】図5に示すエアー供給装置50は、HEP
Aフィルター51と、図示しないブロワーと、HEPA
フィルター51とブロワーとをつなぐ供給配管52と、
上部カバー53とから構成されている。HEPAフィル
ター51はHEPAフィルター31と同様のエアフィル
ターであり、ブロワーはブロワー33と同様の送風機で
ある。上部カバー53は、図5に示すように、上部から
下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもの
で、基板載置台21及び基板Wを上部から覆っている。
The air supply device 50 shown in FIG.
A filter 51, blower not shown, and HEPA
A supply pipe 52 connecting the filter 51 and the blower,
And an upper cover 53. The HEPA filter 51 is an air filter similar to the HEPA filter 31, and the blower is a blower similar to the blower 33. As shown in FIG. 5, the upper cover 53 has a shape in which the internal horizontal area increases from the upper part to the lower part, and covers the substrate mounting table 21 and the substrate W from the upper part.

【0064】エアー供給装置50は、HEPAフィルタ
ー51の下部から、図5の1点鎖線の矢印に示すよう
に、基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出す。この
とき、上部カバー53は、基板Wに向かって下向きに吹
き出したエアーが隣接するスピンコータ部2やエッジリ
ンス部4へと流れないように、エアーの流れを下方に誘
導する。したがって、ここでは、エアー供給装置50に
より基板Wに供給した洗浄空気が隣接するスピンコータ
部2やエッジリンス部4に流れて、その流れによってス
ピンコータ部2やエッジリンス部4における処理に悪影
響を与えることがなくなる。
The air supply device 50 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 51 toward the substrate W, as indicated by the dashed line arrow in FIG. At this time, the upper cover 53 guides the air flow downward so that the air blown downward toward the substrate W does not flow to the adjacent spin coater unit 2 or edge rinse unit 4. Therefore, here, the cleaning air supplied to the substrate W by the air supply device 50 flows to the adjacent spin coater unit 2 and edge rinse unit 4, and the flow adversely affects the processing in the spin coater unit 2 and edge rinse unit 4. Disappears.

【0065】[第6実施形態]本実施形態では、上記第
1実施形態のエアー供給装置30に代えて図6に示すエ
アー供給装置50を用いるとともに、乾燥促進処理部3
に下部カバー組立体60を設けている。図6に示すエア
ー供給装置50は、上記第5実施形態のエアー供給装置
50と同様のものである。下部カバー組立体60は、下
部カバー63と孔あき板61とから構成されている。下
部カバー63は、その上部が、基板載置台21及び基板
Wの外側であって上部カバー53の下部よりも内側の空
間に入り込むものである。この下部カバー63の下端に
は、複数の孔が形成された孔あき板61が装着されてい
る。この孔あき板61は、下部カバー63の内側にダウ
ンフローしてきたエアーを下方に通す。
[Sixth Embodiment] In this embodiment, an air supply device 50 shown in FIG. 6 is used instead of the air supply device 30 of the first embodiment, and
Is provided with a lower cover assembly 60. The air supply device 50 shown in FIG. 6 is the same as the air supply device 50 of the fifth embodiment. The lower cover assembly 60 includes a lower cover 63 and a perforated plate 61. The lower cover 63 has an upper portion that enters the space outside the substrate mounting table 21 and the substrate W and inside the lower portion of the upper cover 53. At the lower end of the lower cover 63, a perforated plate 61 in which a plurality of holes are formed is mounted. The perforated plate 61 allows the air flowing down inside the lower cover 63 to pass downward.

【0066】エアー供給装置50は、HEPAフィルタ
ー51の下部から、図6の1点鎖線の矢印に示すよう
に、基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出す。この
とき、上部カバー53は、基板Wに向かって下向きに吹
き出したエアーが隣接するスピンコータ部2やエッジリ
ンス部4へと流れないように、エアーの流れを下方に誘
導する。一方、下部カバー63は、エアー供給装置50
から基板Wに吹き出されたエアーが基板Wの下方部分か
ら舞い上がらないように、エアーの流れを孔あき板61
から下部カバー組立体60の下方へと誘導する。
The air supply device 50 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 51 toward the substrate W, as indicated by the dashed line arrow in FIG. At this time, the upper cover 53 guides the air flow downward so that the air blown downward toward the substrate W does not flow to the adjacent spin coater unit 2 or edge rinse unit 4. On the other hand, the lower cover 63 is
The air flow is controlled by the perforated plate 61 so that the air blown out to the substrate W from
From the lower cover assembly 60.

【0067】ここでは、エアーの流れを下方に誘導する
下部カバー組立体60を設けているため、エアー供給装
置50から基板Wに供給された清浄空気が基板載置台2
1や基板載置台21を支持している部材等に当たって上
方に舞い上がって基板Wの表面にパーティクルが付着す
る現象を回避させることができる。特に、基板Wの搬送
の高さレベルよりも下方に基板処理装置の駆動部分が配
置されている場合には、パーティクルの舞い上げを回避
させることのできる下部カバー組立体60の設置は有効
である。
Here, since the lower cover assembly 60 for guiding the air flow downward is provided, the clean air supplied to the substrate W from the air supply device 50 is supplied to the substrate mounting table 2.
It is possible to avoid a phenomenon in which particles are attached to the surface of the substrate W by flying upward on the member 1 or the member supporting the substrate mounting table 21 or the like. In particular, when the driving portion of the substrate processing apparatus is disposed below the height level of the transport of the substrate W, the installation of the lower cover assembly 60 that can prevent the particles from flying up is effective. .

【0068】また、図6に示すように、エアー供給装置
50の上部カバー53は、その下端が下部カバー63の
上部を覆うようになっている。また、上部カバー53の
下端の高さ位置は、下部カバー63の上端の高さ位置よ
りも低い。このため、エアー供給装置50から基板Wに
ダウンフローする清浄空気は、上部カバー53と下部カ
バー63との隙間から下部カバー組立体60の外側の空
間に出た場合、下方に向かって流れるため、この流れが
パーティクル等を舞い上げる恐れが少なくなっている。
As shown in FIG. 6, the lower end of the upper cover 53 of the air supply device 50 covers the upper portion of the lower cover 63. The height position of the lower end of the upper cover 53 is lower than the height position of the upper end of the lower cover 63. For this reason, when the clean air flowing down from the air supply device 50 to the substrate W exits from the gap between the upper cover 53 and the lower cover 63 to the space outside the lower cover assembly 60, it flows downward. There is less danger that this flow will soar particles and the like.

【0069】[第7実施形態]本実施形態では、上記第
1実施形態のエアー供給装置30に代えて図7に示すエ
アー供給装置70を用いるとともに、乾燥促進処理部3
に下部カバー組立体76を設けている。図7に示すエア
ー供給装置70は、HEPAフィルター71と、図示し
ないブロワーと、HEPAフィルター71とブロワーと
をつなぐ供給配管72と、上部カバー73とから構成さ
れている。HEPAフィルター71はHEPAフィルタ
ー31と同様のエアフィルターであり、ブロワーはブロ
ワー33と同様の送風機である。上部カバー73は、図
7に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面
積が大きくなる形状のもので、基板載置台21及び基板
Wを上部から覆っている。下部カバー組立体76は、下
部カバー77と孔あき板78とから構成されている。下
部カバー77は、その上端の形状が上部カバー73の下
端の形状に対応している。また、下部カバー77の上端
面には、上部カバー73の下端面と下部カバー77の上
端面とに挟持されるシールリング(シール部材)75が
装着されている。また、この下部カバー77の下端に
は、複数の孔が形成された孔あき板78が装着されてい
る。この孔あき板78は、下部カバー77の内側にダウ
ンフローしてきたエアーを下方に通す。この下部カバー
組立体76は、固定部材79によってクリーンルーム1
0の床面に固定されている。
[Seventh Embodiment] In this embodiment, an air supply device 70 shown in FIG. 7 is used instead of the air supply device 30 of the first embodiment, and
Is provided with a lower cover assembly 76. The air supply device 70 shown in FIG. 7 includes a HEPA filter 71, a blower (not shown), a supply pipe 72 connecting the HEPA filter 71 and the blower, and an upper cover 73. The HEPA filter 71 is an air filter similar to the HEPA filter 31, and the blower is a blower similar to the blower 33. As shown in FIG. 7, the upper cover 73 has a shape in which the internal horizontal area increases from the upper part to the lower part, and covers the substrate mounting table 21 and the substrate W from the upper part. The lower cover assembly 76 includes a lower cover 77 and a perforated plate 78. The shape of the upper end of the lower cover 77 corresponds to the shape of the lower end of the upper cover 73. Further, a seal ring (seal member) 75 that is sandwiched between the lower end surface of the upper cover 73 and the upper end surface of the lower cover 77 is mounted on the upper end surface of the lower cover 77. At the lower end of the lower cover 77, a perforated plate 78 in which a plurality of holes are formed is mounted. The perforated plate 78 allows the air flowing down inside the lower cover 77 to flow downward. The lower cover assembly 76 is fixed to the clean room 1 by a fixing member 79.
0 is fixed to the floor.

【0070】また、孔あき板78を通って下方に流れ出
たエアーは、排気配管(排気経路)78aを通ってクリ
ーンルーム10の外に排気される。なお、エアー供給装
置70のHEPAフィルター71及び上部カバー73
は、図示しない駆動装置により垂直移動が可能である。
すなわち、HEPAフィルター71及び上部カバー73
は、図7に示す状態から、基板載置台21及び下部カバ
ー組立体76から離れて上方に移動することができる。
The air flowing downward through the perforated plate 78 is exhausted to the outside of the clean room 10 through an exhaust pipe (exhaust path) 78a. The HEPA filter 71 and the upper cover 73 of the air supply device 70
Can be moved vertically by a driving device (not shown).
That is, the HEPA filter 71 and the upper cover 73
Can move upward away from the substrate mounting table 21 and the lower cover assembly 76 from the state shown in FIG.

【0071】エアー供給装置70は、図7に示すように
シールリング75によって上部カバー73と下部カバー
77との隙間がシールされた状態において、HEPAフ
ィルター71の下部から、図7の1点鎖線の矢印に示す
ように、基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出す。
このとき、上部カバー73及び下部カバー77によって
基板Wが覆われており、かつシールリング75によって
隙間がシールされているため、基板Wに向かって下向き
に吹き出されたエアーは、隣接するスピンコータ部2や
エッジリンス部4に流れず、孔あき板78を通って下方
へと排気される。
When the gap between the upper cover 73 and the lower cover 77 is sealed by the seal ring 75 as shown in FIG. 7, the air supply device 70 starts from below the HEPA filter 71 as indicated by the one-dot chain line in FIG. As shown by the arrow, air is blown downward toward the substrate W.
At this time, since the substrate W is covered by the upper cover 73 and the lower cover 77, and the gap is sealed by the seal ring 75, the air blown downward toward the substrate W is supplied to the adjacent spin coater 2 It does not flow to the edge rinse section 4 and is exhausted downward through the perforated plate 78.

【0072】このように、ここでは、基板Wに供給され
るエアーが両カバー73,77の隙間から外側に漏れ出
すことが抑えられる。これにより、基板Wが存在する両
カバー73,77の内部空間への周囲からの空気の吸い
込みによる気流によって乾燥中の基板Wに乾燥のムラや
パーティクル付着といった不具合が出ることが抑えられ
ている。また、隣接するスピンコータ部2やエッジリン
ス部4にエアーが流れ出てレジストの塗布処理やエッジ
リンス処理に悪影響を与えることを抑えられている。
As described above, the air supplied to the substrate W is prevented from leaking outside from the gap between the covers 73 and 77. This suppresses problems such as uneven drying and adhesion of particles to the substrate W during drying due to an airflow caused by suction of air from the surroundings into the internal space of the covers 73 and 77 where the substrate W is present. Further, it is possible to prevent air from flowing out to the adjacent spin coater section 2 and edge rinse section 4 and adversely affect resist coating processing and edge rinse processing.

【0073】また、本基板処理装置の乾燥促進処理部3
での処理においては、排気配管78aを通って排気され
るエアーの排気量よりもエアー供給装置70が基板Wに
吹き出すエアーの量のほうが少なくなるように制御が行
われ、エアー供給装置70,下部カバー組立体76,及
び排気配管78aで囲まれた空間の圧力を若干の負圧状
態として基板Wの乾燥処理が行われる。このように基板
Wの周囲を負圧状態とすることで、乾燥処理の促進が図
られている。
Further, the drying promotion processing section 3 of the substrate processing apparatus
In the processing in the step (a), control is performed such that the amount of air blown out from the air supply device 70 to the substrate W is smaller than the amount of air exhausted through the exhaust pipe 78a. The substrate W is dried by setting the pressure in the space surrounded by the cover assembly 76 and the exhaust pipe 78a to a slightly negative pressure. By setting the periphery of the substrate W in a negative pressure state, the drying process is promoted.

【0074】さらに上記のような制御に伴って、エアー
供給装置70,下部カバー組立体76,及び排気配管7
8aで囲まれた空間の圧力を、基板Wの乾燥処理が終わ
ってこの空間の密閉状態を解除する直前に、周囲の圧力
とほぼ等しくさせる制御が行われる。これは、空間の密
閉状態を解除する前に、排気配管78aによるエアーの
排気量を絞ることによって行われる。このように制御す
ることにより、負圧状態の空間をいきなり周囲に開放し
た場合のパーティクルの巻き込み及び基板へのパーティ
クルの付着を回避することができる。
Further, with the above control, the air supply device 70, the lower cover assembly 76, and the exhaust pipe 7
Control is performed so that the pressure in the space surrounded by 8a is substantially equal to the surrounding pressure immediately before the closed state of the space is released after the drying process of the substrate W is completed. This is performed by reducing the amount of air exhausted by the exhaust pipe 78a before releasing the sealed state of the space. By controlling in this way, it is possible to avoid entrapment of particles and adhesion of particles to the substrate when the space in the negative pressure state is suddenly opened to the surroundings.

【0075】[第8実施形態]本実施形態では、上記第
1実施形態のエアー供給装置30に代えて図8に示すエ
アー供給装置80を用いるとともに、乾燥促進処理部3
に下部カバー組立体86を設けている。以下に記述する
ように、上記第7実施形態においてはエアー供給装置7
0のHEPAフィルター71及び上部カバー73が垂直
移動するのに対し、本実施形態では下部カバー組立体8
6及び基板載置台21が垂直移動する。
[Eighth Embodiment] In the present embodiment, an air supply device 80 shown in FIG. 8 is used instead of the air supply device 30 of the first embodiment, and
Is provided with a lower cover assembly 86. As described below, in the seventh embodiment, the air supply device 7 is used.
0, the HEPA filter 71 and the upper cover 73 move vertically, whereas in the present embodiment, the lower cover assembly 8
6 and the substrate mounting table 21 move vertically.

【0076】図8に示すエアー供給装置80は、HEP
Aフィルター81と、図示しないブロワーと、HEPA
フィルター81とブロワーとをつなぐ供給配管82と、
上部カバー83とから構成されている。HEPAフィル
ター81はHEPAフィルター31と同様のエアフィル
ターであり、ブロワーはブロワー33と同様の送風機で
ある。上部カバー83は、図8に示すように、上部から
下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもの
で、基板載置台21及び基板Wを上部から覆っている。
下部カバー組立体86は、下部カバー87と孔あき板8
8とから構成されている。下部カバー87は、その上端
の形状が上部カバー83の下端の形状に対応している。
また、下部カバー87の上端面には、上部カバー83の
下端面と下部カバー87の上端面とに挟持されるシール
リング(シール部材)85が装着されている。また、こ
の下部カバー87の下端には、複数の孔が形成された孔
あき板88が装着されている。この孔あき板88は、下
部カバー87の内側にダウンフローしてきたエアーを下
方に通す。なお、この下部カバー組立体86と基板載置
台21とは、相対移動できないように一体化されてい
る。
The air supply device 80 shown in FIG.
A filter 81, blower not shown, and HEPA
A supply pipe 82 connecting the filter 81 and the blower,
And an upper cover 83. The HEPA filter 81 is an air filter similar to the HEPA filter 31, and the blower is a blower similar to the blower 33. As shown in FIG. 8, the upper cover 83 has a shape in which the internal horizontal area increases from the upper part to the lower part, and covers the substrate mounting table 21 and the substrate W from the upper part.
The lower cover assembly 86 includes the lower cover 87 and the perforated plate 8.
And 8. The shape of the upper end of the lower cover 87 corresponds to the shape of the lower end of the upper cover 83.
Further, a seal ring (seal member) 85 that is sandwiched between the lower end surface of the upper cover 83 and the upper end surface of the lower cover 87 is mounted on the upper end surface of the lower cover 87. At the lower end of the lower cover 87, a perforated plate 88 having a plurality of holes is mounted. The perforated plate 88 allows the air flowing down inside the lower cover 87 to flow downward. The lower cover assembly 86 and the substrate mounting table 21 are integrated so that they cannot move relative to each other.

【0077】この下部カバー組立体86及び基板載置台
21は、電動ボールねじシリンダー89によってクリー
ンルーム10の床面に固定されており、電動ボールねじ
シリンダー89を作動させることによって、図8に示す
状態から上方に移動してシールリング85が上部カバー
83及び下部カバー87によって挟持される状態とな
る。一方、エアー供給装置80の高さレベルは固定され
ている。
The lower cover assembly 86 and the substrate mounting table 21 are fixed to the floor of the clean room 10 by an electric ball screw cylinder 89, and by operating the electric ball screw cylinder 89, the state shown in FIG. Moving upward, the seal ring 85 is held by the upper cover 83 and the lower cover 87. On the other hand, the height level of the air supply device 80 is fixed.

【0078】エアー供給装置80は、シールリング85
によって上部カバー83と下部カバー87との隙間がシ
ールされた状態において、HEPAフィルター81の下
部から基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出す。こ
のとき、上部カバー83及び下部カバー87によって基
板Wが覆われており、かつシールリング85によって隙
間がシールされているため、基板Wに向かって下向きに
吹き出されたエアーは、隣接するスピンコータ部2やエ
ッジリンス部4に流れず、孔あき板78を通って下方へ
と排気される。
The air supply device 80 includes a seal ring 85
In the state where the gap between the upper cover 83 and the lower cover 87 is sealed, air is blown downward from the lower part of the HEPA filter 81 toward the substrate W. At this time, since the substrate W is covered by the upper cover 83 and the lower cover 87, and the gap is sealed by the seal ring 85, the air blown downward toward the substrate W is supplied to the adjacent spin coater unit 2. It does not flow to the edge rinse section 4 and is exhausted downward through the perforated plate 78.

【0079】このように、ここでは、基板Wに供給され
るエアーが両カバー83,87の隙間から外側に漏れ出
すことが抑えられる。これにより、基板Wが存在する両
カバー83,87の内部空間への周囲からの空気の吸い
込みによる気流によって乾燥中の基板Wに乾燥のムラや
パーティクル付着といった不具合が出ることが抑えられ
ている。
As described above, the air supplied to the substrate W is prevented from leaking outside from the gap between the covers 83 and 87. This suppresses problems such as uneven drying and adhesion of particles to the substrate W during drying due to an airflow caused by suction of air from the surroundings into the internal space of the covers 83 and 87 where the substrate W is present.

【0080】[第9実施形態]本実施形態では、上記第
1実施形態のエアー供給装置30に代えて図9に示すエ
アー供給装置90を用いるとともに、乾燥促進処理部3
に下部カバー組立体95を設けている。ここでは、下部
カバー組立体95及び基板載置台21が上下に移動す
る。
[Ninth Embodiment] In the ninth embodiment, an air supply device 90 shown in FIG. 9 is used instead of the air supply device 30 of the first embodiment, and
Is provided with a lower cover assembly 95. Here, the lower cover assembly 95 and the substrate mounting table 21 move up and down.

【0081】図9に示すエアー供給装置90は、HEP
Aフィルター91と、ブロワー92と、上部カバー93
とから構成されている。HEPAフィルター91は基板
載置台21に載置される基板Wの上方に配置され、ブロ
ワー92はそのHEPAフィルター91の上方に配置さ
れる。HEPAフィルター91はHEPAフィルター3
1と同様のエアフィルターであり、ブロワー92はブロ
ワー33と同様の送風機である。上部カバー93は、図
9に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面
積が大きくなる形状のもので、上方に移動した状態の基
板載置台21及び基板W(図9において点線で示すも
の)を上部から覆う。下部カバー組立体95は、下部カ
バー97と孔あき板98とから構成されている。下部カ
バー97は、下部カバー組立体95及び基板載置台21
が上方に位置するときに、その上部が、基板載置台21
及び基板Wの外側であって上部カバー93の下部よりも
内側の空間に入り込む。この下部カバー97の下端に
は、複数の孔が形成された孔あき板98が装着されてい
る。この孔あき板98は、下部カバー97の内側にダウ
ンフローしてきたエアーを下方に通す。なお、この下部
カバー組立体95と基板載置台21とは、相対移動でき
ないように一体化されている。
The air supply device 90 shown in FIG.
A filter 91, blower 92, upper cover 93
It is composed of The HEPA filter 91 is disposed above the substrate W mounted on the substrate mounting table 21, and the blower 92 is disposed above the HEPA filter 91. HEPA filter 91 is HEPA filter 3
The blower 92 is an air filter similar to the blower 33. As shown in FIG. 9, the upper cover 93 has such a shape that the internal horizontal area increases from the upper part to the lower part, and the substrate mounting table 21 and the substrate W (shown by dotted lines in FIG. Stuff) from the top. The lower cover assembly 95 includes a lower cover 97 and a perforated plate 98. The lower cover 97 includes the lower cover assembly 95 and the substrate mounting table 21.
Is located above, the upper part thereof is
And enters the space outside the substrate W and inside the lower part of the upper cover 93. At the lower end of the lower cover 97, a perforated plate 98 having a plurality of holes is mounted. The perforated plate 98 allows the air flowing down inside the lower cover 97 to flow downward. Note that the lower cover assembly 95 and the substrate mounting table 21 are integrated so that they cannot move relative to each other.

【0082】この下部カバー組立体95及び基板載置台
21は、電動ボールねじシリンダー99によってクリー
ンルーム10の床面に固定されており、電動ボールねじ
シリンダー99を作動させることによって、図9の実線
で示す状態から上方に移動して、図9の点線で示す状態
となる。一方、エアー供給装置90の高さレベルは固定
されている。
The lower cover assembly 95 and the substrate mounting table 21 are fixed to the floor of the clean room 10 by an electric ball screw cylinder 99. When the electric ball screw cylinder 99 is operated, the lower cover assembly 95 and the substrate mounting table 21 are shown by solid lines in FIG. It moves upward from the state to the state shown by the dotted line in FIG. On the other hand, the height level of the air supply device 90 is fixed.

【0083】エアー供給装置90は、HEPAフィルタ
ー91の下部から基板Wに向かって下向きにエアーを吹
き出す。このとき、上部カバー93は、基板Wに向かっ
て下向きに吹き出したエアーが隣接するスピンコータ部
2やエッジリンス部4へと流れないように、エアーの流
れを下方に誘導する。一方、下部カバー97は、エアー
供給装置90から基板Wに吹き出されたエアーが基板W
の下方部分から舞い上がらないように、エアーの流れを
孔あき板98から下部カバー組立体95の下方へと誘導
する。
The air supply device 90 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 91 toward the substrate W. At this time, the upper cover 93 guides the air flow downward so that the air blown downward toward the substrate W does not flow to the adjacent spin coater unit 2 or edge rinse unit 4. On the other hand, the air blown out from the air supply device 90 to the substrate W
The air flow is directed from the perforated plate 98 to below the lower cover assembly 95 so as not to soar from the lower portion of the lower cover assembly 95.

【0084】ここでは、図9に示すように、基板Wとエ
アー供給装置90とが電動ボールねじシリンダー99の
作動によって相対的に移動する。したがって、乾燥促進
処理部3での基板Wの乾燥処理時においては両者W,9
0を近づけさせて基板Wに当たるエアーの流速を確保
し、基板Wの基板載置台21に対する搬入/搬出時にお
いては干渉を避けるように両者を遠ざけさせることがで
きる。
Here, as shown in FIG. 9, the substrate W and the air supply device 90 are relatively moved by the operation of the electric ball screw cylinder 99. Therefore, during the drying processing of the substrate W in the drying promotion processing unit 3, both W, 9
By approaching 0, the flow velocity of the air impinging on the substrate W can be ensured, and when the substrate W is carried in / out of the substrate mounting table 21, the two can be moved away from each other so as to avoid interference.

【0085】また、電動ボールねじシリンダー99によ
って基板Wとエアー供給装置90との距離を制御させれ
ば、スピンコータ部2において基板Wに塗布されるレジ
ストの種類によって、基板Wに当てる洗浄空気の流速を
変えることが可能である。これにより、レジストの種類
に応じた適切な基板W上のレジストの乾燥処理を行うこ
とができる。さらには、乾燥処理中に時間の進行に応じ
て基板Wとエアー供給装置90とを相対的に近づけさせ
ることにより、乾燥度合いに応じた洗浄空気の基板W付
近での流速を確保することができる。
When the distance between the substrate W and the air supply device 90 is controlled by the electric ball screw cylinder 99, the flow rate of the cleaning air applied to the substrate W depends on the type of the resist applied to the substrate W in the spin coater 2. It is possible to change This makes it possible to perform an appropriate drying process of the resist on the substrate W according to the type of the resist. Furthermore, the flow rate of the cleaning air in the vicinity of the substrate W according to the degree of drying can be secured by relatively bringing the substrate W and the air supply device 90 closer to each other as the time progresses during the drying process. .

【0086】[第10実施形態]本実施形態では、上記
第1実施形態のエアー供給装置30に代えて図10に示
すエアー供給装置100を用いるとともに、乾燥促進処
理部3に下部カバー組立体105を設けている。図10
に示すエアー供給装置100は、HEPAフィルター1
01と、ブロワー104と、HEPAフィルター101
とブロワー104とをつなぐ供給配管102と、上部カ
バー103とから構成されている。ここでは、HEPA
フィルター101を基板Wの上方に位置させて基板Wの
近傍から基板Wに向けて清浄空気を吹き出させるととも
に、供給配管102を設けることによってブロワー10
4をクリーンルーム10の外に配置している。HEPA
フィルター101はHEPAフィルター31と同様のエ
アフィルターであり、ブロワー104はブロワー33と
同様の送風機である。上部カバー103は、図10に示
すように、上部から下部に向かって内部の水平面積が大
きくなる形状のもので、基板Wを上部から覆う。下部カ
バー組立体105は、下部カバー107と孔あき板10
6とから構成されている。下部カバー107は、その上
部が、基板Wの外側であって上部カバー103の下部よ
りも内側の空間に入り込むものである。この下部カバー
107の下端には、複数の孔が形成された孔あき板10
6が装着されている。この孔あき板106は、下部カバ
ー107の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に
通す。
[Tenth Embodiment] In this embodiment, an air supply device 100 shown in FIG. 10 is used instead of the air supply device 30 of the first embodiment, and the lower cover assembly 105 Is provided. FIG.
The air supply device 100 shown in FIG.
01, blower 104, HEPA filter 101
And a blower 104, and a supply pipe 102 for connecting the blower 104 and the upper cover 103. Here, HEPA
The filter 101 is positioned above the substrate W to blow clean air from the vicinity of the substrate W toward the substrate W, and the supply pipe 102 is provided to
4 is disposed outside the clean room 10. HEPA
The filter 101 is an air filter similar to the HEPA filter 31, and the blower 104 is a blower similar to the blower 33. As shown in FIG. 10, the upper cover 103 has a shape in which the internal horizontal area increases from the top to the bottom, and covers the substrate W from the top. The lower cover assembly 105 includes the lower cover 107 and the perforated plate 10.
6 is comprised. The upper part of the lower cover 107 enters the space outside the substrate W and inside the lower part of the upper cover 103. At the lower end of the lower cover 107, a perforated plate 10 having a plurality of holes is formed.
6 is mounted. The perforated plate 106 allows the air that has flowed down inside the lower cover 107 to flow downward.

【0087】また、孔あき板106を通って下方に流れ
出たエアーは、排気配管108を通ってクリーンルーム
10の外に排気される。この排気配管108には、排気
ダンパー109が組み込まれている。エアー供給装置1
00は、HEPAフィルター101の下部から基板Wに
向かって下向きにエアーを吹き出す。このとき、上部カ
バー103は、基板Wに向かって下向きに吹き出したエ
アーが隣接するスピンコータ部2やエッジリンス部4へ
と流れないように、エアーの流れを下方に誘導する。一
方、下部カバー107は、エアー供給装置100から基
板Wに吹き出されたエアーが基板Wの下方部分から舞い
上がらないように、エアーの流れを孔あき板106から
排気配管108へと誘導する。
The air flowing downward through the perforated plate 106 is exhausted to the outside of the clean room 10 through the exhaust pipe 108. The exhaust pipe 108 incorporates an exhaust damper 109. Air supply device 1
00 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 101 toward the substrate W. At this time, the upper cover 103 guides the air flow downward so that the air blown downward toward the substrate W does not flow to the adjacent spin coater unit 2 or edge rinse unit 4. On the other hand, the lower cover 107 guides the flow of the air from the perforated plate 106 to the exhaust pipe 108 so that the air blown from the air supply device 100 to the substrate W does not fly from below the substrate W.

【0088】ここでは、下部カバー組立体105により
誘導されたエアーを排気配管108によってクリーンル
ーム10の外に排気させている。このようにすることに
よって、スピンコータ部2やエッジリンス部4への悪影
響やパーティクルの舞い上げ等の不具合を抑えている。
また、ここでは、排気ダンパー109の開度の調整によ
って排気配管108によるエアーの量を調整し、エアー
供給装置100からの清浄空気の吹き出し量を排気配管
108から排気されるエアーの量よりも多くする制御が
行われている。これにより、基板W付近の空間を周囲よ
りも陽圧に保ち、周囲からの空気の吸い込みによる乾燥
中の基板Wに対する乾燥ムラやパーティクル付着といっ
た不具合を抑えている。
Here, the air guided by the lower cover assembly 105 is exhausted out of the clean room 10 by the exhaust pipe 108. By doing so, adverse effects such as adverse effects on the spin coater unit 2 and the edge rinse unit 4 and soaring of particles are suppressed.
Here, the amount of air from the exhaust pipe 108 is adjusted by adjusting the opening of the exhaust damper 109, and the amount of clean air blown from the air supply device 100 is larger than the amount of air exhausted from the exhaust pipe 108. Control is performed. This keeps the space near the substrate W at a more positive pressure than the surroundings, and suppresses problems such as drying unevenness and particle adhesion to the substrate W during drying due to suction of air from the surroundings.

【0089】[第11実施形態]上記第10実施形態で
は、下部カバー組立体105の孔あき板106を通って
下方に流れ出たエアーを排気配管108によってクリー
ンルーム10の外に排気しているが、本実施形態では、
図11に示すように、下部カバー組立体105の孔あき
板106を通って下方に流れ出たエアーを排気配管11
0によってクリーンルーム10のグレーティングパネル
10aの下方の空間に排気する。
[Eleventh Embodiment] In the tenth embodiment, the air flowing downward through the perforated plate 106 of the lower cover assembly 105 is exhausted to the outside of the clean room 10 by the exhaust pipe 108. In this embodiment,
As shown in FIG. 11, the air flowing downward through the perforated plate 106 of the lower cover assembly 105 is discharged to the exhaust pipe 11.
By 0, the air is exhausted to the space below the grating panel 10a in the clean room 10.

【0090】ここでは、エアー供給装置100から基板
Wに吹き出されたエアーはグレーティングパネル10a
の下方の空間に導かれる。そして、この空間に導かれた
エアーは、クリーンルーム10内にダウンフローが存在
するため、舞い上がることなくクリーンルーム10のダ
ウンフローに合流する。このように排気配管110を配
置することにより、基板Wに供給された洗浄空気によっ
て基板Wの近傍にパーティクルが舞い上がる不具合が抑
えられる。
Here, the air blown from the air supply device 100 to the substrate W is the grating panel 10a.
To the space below. The air introduced into this space joins the downflow of the clean room 10 without soaring because the downflow exists in the clean room 10. By arranging the exhaust pipe 110 in this way, the problem that particles fly up in the vicinity of the substrate W due to the cleaning air supplied to the substrate W can be suppressed.

【0091】[第12実施形態]本実施形態では、上記
第1実施形態のエアー供給装置30に代えて図12に示
すエアー供給装置120を用いるとともに、乾燥促進処
理部3に下部カバー組立体125を設けている。図12
に示すエアー供給装置120は、整流板121と、ブロ
ワー124と、整流板121とブロワー124とをつな
ぐ供給配管122と、上部カバー123とから構成され
ている。整流板121は、鋼製あるいはステンレス製の
パネルに千鳥格子状に多数の孔が開けられたものであっ
て、基板Wに吹き出すエアーを整流する。ブロワー12
4は、ブロワー33と同様の送風機のエアー吐出側にH
EPAフィルター124aが装着されたものである。上
部カバー123は、図12に示すように、上部から下部
に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもので、
基板Wを上部から覆う。下部カバー組立体125は、下
部カバー127と孔あき板126とから構成されてい
る。下部カバー127は、その上部が、基板Wの外側で
あって上部カバー123の下部よりも内側の空間に入り
込むものである。この下部カバー127の下端には、複
数の孔が形成された孔あき板126が装着されている。
この孔あき板126は、下部カバー127の内側にダウ
ンフローしてきたエアーを下方に通す。
[Twelfth Embodiment] In this embodiment, an air supply device 120 shown in FIG. 12 is used instead of the air supply device 30 of the first embodiment, and a lower cover assembly 125 Is provided. FIG.
The air supply device 120 shown in FIG. 1 includes a rectifying plate 121, a blower 124, a supply pipe 122 connecting the rectifying plate 121 and the blower 124, and an upper cover 123. The rectifying plate 121 is a steel or stainless steel panel having a large number of holes formed in a staggered lattice pattern, and rectifies the air blown to the substrate W. Blower 12
4 is H on the air discharge side of the blower similar to the blower 33.
The EPA filter 124a is attached. As shown in FIG. 12, the upper cover 123 is shaped so that the internal horizontal area increases from the upper part to the lower part.
The substrate W is covered from above. The lower cover assembly 125 includes a lower cover 127 and a perforated plate 126. The upper portion of the lower cover 127 enters the space outside the substrate W and inside the lower portion of the upper cover 123. At the lower end of the lower cover 127, a perforated plate 126 in which a plurality of holes are formed is mounted.
The perforated plate 126 allows the air flowing down inside the lower cover 127 to flow downward.

【0092】また、孔あき板126を通って下方に流れ
出たエアーは、排気配管128によってクリーンルーム
10のグレーティングパネル10aの下方の空間に排気
される。この排気配管128には、排気ダンパー129
が組み込まれている。エアー供給装置120は、整流板
121の下部から基板Wに向かって下向きにエアーを吹
き出す。
The air that has flowed downward through the perforated plate 126 is exhausted to the space below the grating panel 10a in the clean room 10 by the exhaust pipe 128. The exhaust pipe 128 has an exhaust damper 129.
Is incorporated. The air supply device 120 blows air downward from the lower part of the current plate 121 toward the substrate W.

【0093】ここでは、HEPAフィルター124aに
より清浄空気を生成するとともに、整流板121を設置
することにより基板W上のレジストの乾燥状態の均一化
を図っている。 [第13実施形態]本実施形態では、上記第10実施形
態においてHEPAフィルター101とブロワー104
とを結んでいる供給配管102の代わりに、図13に示
すように、放出配管135が接続された供給配管132
によってHEPAフィルター101とブロワー104と
を結んでいる。
Here, the HEPA filter 124a generates clean air, and the rectifying plate 121 is provided to make the dry state of the resist on the substrate W uniform. [Thirteenth Embodiment] In this embodiment, the HEPA filter 101 and the blower 104 in the tenth embodiment are described.
As shown in FIG. 13, a supply pipe 132 to which a discharge pipe 135 is connected is used instead of the supply pipe 102
Connects the HEPA filter 101 and the blower 104.

【0094】供給配管132には放出配管135が接続
されており、放出配管135の他端はクリーンルーム1
0の外において大気開放されている。これらの配管13
2,135には、それぞれ自動制御ダンパー(切替手
段)132a,135aが組み込まれており、図示しな
い制御コンピュータからの指令によって開度が変わる。
自動制御ダンパー132aを閉めて自動制御ダンパー1
35aを開ければ、ブロワー104から吐出されたエア
ーは全てHEPAフィルター101へ送られ、自動制御
ダンパー132aの開度を大きくし自動制御ダンパー1
35aの開度を小さくすれば、ブロワー104から吐出
されたエアーの一部あるいは全部が放出配管135から
大気放出される。
A discharge pipe 135 is connected to the supply pipe 132, and the other end of the discharge pipe 135 is connected to the clean room 1.
It is open to the atmosphere outside 0. These pipes 13
2 and 135 incorporate automatic control dampers (switching means) 132a and 135a, respectively, and the opening degree changes according to a command from a control computer (not shown).
Close the automatic control damper 132a and close the automatic control damper 1.
When 35a is opened, all the air discharged from the blower 104 is sent to the HEPA filter 101, and the opening degree of the automatic control damper 132a is increased to increase the automatic control damper 1
If the opening degree of 35 a is reduced, a part or all of the air discharged from the blower 104 is discharged to the atmosphere from the discharge pipe 135.

【0095】ここでは、自動制御ダンパー132a,1
35aの開度を制御することによって、ブロワー104
の作動を止めることなく、基板Wへの清浄空気の供給を
一時的に止めたり絞ったりすることができる。このた
め、乾燥促進処理部3への基板Wの搬送時や乾燥促進処
理部3からの基板Wの搬出時にブロワー104の作動を
止める必要がなく、また、必要に応じて基板Wへの清浄
空気の供給量を調整することができる。
Here, the automatic control dampers 132a, 132
The blower 104 is controlled by controlling the opening of the blower 104a.
, The supply of clean air to the substrate W can be temporarily stopped or throttled. Therefore, it is not necessary to stop the operation of the blower 104 when the substrate W is transferred to the drying promotion processing unit 3 or when the substrate W is unloaded from the drying promotion processing unit 3. Can be adjusted.

【0096】[第14実施形態]上記第1実施形態では
乾燥促進処理部3を図3に示すような構成としている
が、本実施形態においては、乾燥促進処理部3を図14
に示す構成としている。乾燥促進処理部3は、主とし
て、基板を載置する基板載置台21と、基板載置台21
の周囲を覆う下部カバー組立体140と、基板載置台2
1及び下部カバー組立体140を上下に移動させる電動
ボールねじシリンダー149とから構成されている。基
板載置台21は、基板Wを水平状態に載置させるための
台である。下部カバー組立体140は、下部カバー14
7と孔あき板148とから構成されている。下部カバー
147は、内部に基板載置台21を収容する筒状の部材
である。この下部カバー147の下端には、複数の孔が
形成された孔あき板148が装着されている。この孔あ
き板148は、下部カバー147の内側にダウンフロー
してきたエアーを下方に通す。また、孔あき板148を
通って下方に流れ出たエアーは、伸縮自在の排気配管1
48aを通ってクリーンルームの外に排気される。な
お、下部カバー組立体140と基板載置台21とは、相
対移動できないように一体化されている。
[Fourteenth Embodiment] In the first embodiment, the drying promotion processing unit 3 is configured as shown in FIG. 3, but in the present embodiment, the drying promotion processing unit 3 is replaced with the drying promotion processing unit 3 shown in FIG.
The configuration shown in FIG. The drying promotion processing unit 3 mainly includes a substrate mounting table 21 on which a substrate is mounted, and a substrate mounting table 21.
Cover assembly 140 covering the periphery of the
1 and an electric ball screw cylinder 149 for moving the lower cover assembly 140 up and down. The substrate mounting table 21 is a table for mounting the substrate W in a horizontal state. The lower cover assembly 140 includes the lower cover 14.
7 and a perforated plate 148. The lower cover 147 is a tubular member that houses the substrate mounting table 21 inside. At the lower end of the lower cover 147, a perforated plate 148 having a plurality of holes is mounted. The perforated plate 148 allows the air that has flowed down inside the lower cover 147 to pass downward. The air that has flowed downward through the perforated plate 148 is allowed to extend and retract.
The air is exhausted outside the clean room through 48a. The lower cover assembly 140 and the substrate mounting table 21 are integrated so as not to move relative to each other.

【0097】この下部カバー組立体140及び基板載置
台21は、電動ボールねじシリンダー149によってク
リーンルーム10の床面に固定されており、電動ボール
ねじシリンダー149を作動させることによって、図1
4の実線で示す状態から上方に移動して、図14の点線
で示す状態となる。次に、本実施形態の乾燥促進処理部
3の基板処理及び特徴について説明する。
The lower cover assembly 140 and the substrate mounting table 21 are fixed to the floor of the clean room 10 by an electric ball screw cylinder 149, and by operating the electric ball screw cylinder 149, FIG.
4 and moves upward from the state shown by the solid line to the state shown by the dotted line in FIG. Next, substrate processing and features of the drying promotion processing unit 3 of the present embodiment will be described.

【0098】ここでは、スピンコータ部2から送られて
きた基板Wが基板載置台21上に載せられると、電送ボ
ールねじシリンダー149を作動させて、基板載置台2
1を図14の実線で示す位置から図14の点線で示す位
置まで上昇させる。すると、HEPAフィルター10b
から下向きに吹き出されている清浄空気が基板Wに当た
る。この清浄空気の流れは、HEPAフィルター10b
を通ることによって整流されたものとなっている。この
ような整流された清浄空気が緩やかな速度で基板Wに当
たるため、スピンコータ部2で塗布された基板Wの表面
上のレジストは、その表面形状がレベリングされながら
乾燥していく。なお、このときに下部カバー147は、
基板Wの下方に流れていったエアーが舞い上がらないよ
うに、エアーの流れを孔あき板148から排気配管14
8aへと誘導する。
Here, when the substrate W sent from the spin coater unit 2 is placed on the substrate mounting table 21, the transmission ball screw cylinder 149 is operated, and the substrate mounting table 2 is moved.
1 is raised from the position shown by the solid line in FIG. 14 to the position shown by the dotted line in FIG. Then, the HEPA filter 10b
The clean air that is blown downward from the substrate W hits the substrate W. The flow of this clean air is HEPA filter 10b
It is rectified by passing through. Since such rectified clean air hits the substrate W at a gentle speed, the resist on the surface of the substrate W applied by the spin coater 2 is dried while its surface shape is leveled. At this time, the lower cover 147
In order to prevent the air flowing under the substrate W from rising, the air flow from the perforated plate 148 to the exhaust pipe 14 is reduced.
8a.

【0099】ここでは、図14に示すように、電動ボー
ルねじシリンダー149の作動によって基板WをHEP
Aフィルター10bに近づけさせることができ、乾燥促
進処理部3での基板Wの乾燥処理時においては基板Wを
HEPAフィルター10bに近づけて基板Wに当たるエ
アーの流速を確保している。また、基板Wの基板載置台
21に対する搬入/搬出時においては干渉を避けるよう
に基板Wを元の位置(図14において実線で示す位置)
に戻している。このように、本実施形態においては、ク
リーンルームのHEPAフィルター10bからの清浄空
気のダウンフローをそのまま利用して基板Wの乾燥を行
っており、別途エアー供給装置のようなものを設ける必
要がない。
In this case, as shown in FIG. 14, the substrate W is
The substrate W can be made to approach the A filter 10b, and at the time of the drying processing of the substrate W in the drying promotion processing section 3, the substrate W is brought close to the HEPA filter 10b to secure the flow velocity of the air impinging on the substrate W. Further, when loading / unloading the substrate W from / to the substrate mounting table 21, the substrate W is moved to its original position (the position indicated by the solid line in FIG. 14) so as to avoid interference.
Back to. As described above, in the present embodiment, the substrate W is dried using the downflow of the clean air from the HEPA filter 10b in the clean room as it is, and there is no need to separately provide an air supply device.

【0100】なお、クリーンルーム10のHEPAフィ
ルター10bから吹き出されダウンフローする清浄空気
の流速は、HEPAフィルター10bの出口付近におい
て0.25〜0.50m/sとなっている。したがっ
て、基板Wの乾燥促進のためにはHEPAフィルター1
0bにできるだけ基板Wを近づけることが望ましく、こ
こでは両者の距離が100〜300mm位まで近づけて
いる。
The flow velocity of the clean air blown down from the HEPA filter 10b of the clean room 10 and flowing down is 0.25 to 0.50 m / s near the outlet of the HEPA filter 10b. Therefore, the HEPA filter 1 is used to promote the drying of the substrate W.
It is desirable that the substrate W be as close as possible to 0b, and here the distance between them is as close as about 100 to 300 mm.

【0101】[第15実施形態]本実施形態では、上記
第1実施形態の図3に示す基板載置台21に代えて図1
5に示す基板載置台221を用いている。
[Fifteenth Embodiment] In the fifteenth embodiment, the substrate mounting table 21 of the first embodiment shown in FIG.
The substrate mounting table 221 shown in FIG.

【0102】図15に示す基板載置台221は、矩形の
基板Wの対角よりも十分に大きな円盤形状であって、そ
の上面である基板載置面221bの中央部等に基板Wを
載置するための複数の基板支持ピン221aが設けられ
ている。かかる基板載置台221を用いると、基板表面
に形成されているレジスト膜にむらが生じることがな
い。すなわち、基板載置台が例えば基板Wの大きさより
も小さいものであれば、図16(a)に示すように、基
板の中央部においては渦状の弱い乱流F1が生じるが、
基板の周辺部においては基板の内側から外側へ向かう気
流F2が生じる。この気流F2は図16(b)の拡大平
面図に示すように基板表面に沿ったほぼ一方向への流れ
となる傾向があり、乾燥されるレジスト膜にはその気流
の流れ方向に沿っていわゆる風紋ができてむらになって
しまうおそれがある。しかるにこの実施形態の基板載置
台221では、乾燥時にその中央部に載置される基板W
の上面全体においてエアー供給装置30から送られる清
浄空気の一部が停滞して渦状の弱い乱流を生じる(図1
5(b)参照)。そして、そこに生じる乱流の不規則さ
ゆえに、基板表面に形成されているレジスト膜の乾燥時
にむらが生じることがない。
The substrate mounting table 221 shown in FIG. 15 has a disk shape sufficiently larger than the diagonal of the rectangular substrate W, and mounts the substrate W at the center of the substrate mounting surface 221b, which is the upper surface thereof. Are provided. When such a substrate mounting table 221 is used, the resist film formed on the substrate surface does not become uneven. That is, if the substrate mounting table is smaller than the size of the substrate W, for example, as shown in FIG. 16A, a weak turbulent flow F1 occurs in the center of the substrate,
At the periphery of the substrate, an airflow F2 from the inside to the outside of the substrate is generated. This air flow F2 tends to flow in almost one direction along the substrate surface, as shown in the enlarged plan view of FIG. 16B, and the resist film to be dried is so-called along the flow direction of the air flow. There is a possibility that wind ripples may be formed and become uneven. However, in the substrate mounting table 221 of this embodiment, the substrate W
A part of the clean air sent from the air supply device 30 stagnates over the entire upper surface of the device to generate a vortex-like weak turbulence (FIG.
5 (b)). Further, the irregularity of the turbulence generated there does not cause unevenness when the resist film formed on the substrate surface is dried.

【0103】なお、この実施形態では、基板載置台22
1の周辺部において上述した外側へ向かう一定な気流が
生じるが、基板上のレジスト膜に悪影響を与えることは
ない。すなわちこの基板載置台221の大きさは、基板
Wに当たった清浄空気が基板表面において外側への流れ
を作らず、基板載置台上で外側への流れを作る程度の大
きさであればよい。なお、装置を無用に大型化すること
なくむらの発生を有効に抑制し得る大きさとして、本実
施形態では、基板Wから基板載置台221の外縁までの
距離が約3〜5cmとなるようにしている。すなわち本
実施形態では、基板Wの角部から基板載置台221の外
縁までの距離が約3〜5cmの大きさに形成されてい
る。
In this embodiment, the substrate mounting table 22
Although the above-described constant outward airflow is generated in the peripheral portion of No. 1, it does not adversely affect the resist film on the substrate. In other words, the size of the substrate mounting table 221 may be such that the clean air impinging on the substrate W does not generate an outward flow on the substrate surface but generates an outward flow on the substrate mounting table. In the present embodiment, the distance from the substrate W to the outer edge of the substrate mounting table 221 is set to be about 3 to 5 cm as a size that can effectively suppress the occurrence of unevenness without unnecessarily increasing the size of the apparatus. ing. That is, in the present embodiment, the distance from the corner of the substrate W to the outer edge of the substrate mounting table 221 is formed to be about 3 to 5 cm.

【0104】また、基板載置台の形状は、円盤状に限ら
ず、例えば基板Wと相似形の矩形状の基板載置台をもつ
ものであってもよく、具体的には基板載置台の外縁が基
板Wの各辺よりも約3〜5cmだけ外側に張り出した大
きさであればよい。 [第16実施形態]本実施形態では、上記第1実施形態
の図3に示すエアー供給装置30に代えて図17に示す
エアー供給装置430を用いている。
Further, the shape of the substrate mounting table is not limited to the disk shape, and may be, for example, a substrate mounting table having a rectangular shape similar to the substrate W. Specifically, the outer edge of the substrate mounting table is Any size may be used as long as it protrudes outward by about 3 to 5 cm from each side of the substrate W. Sixteenth Embodiment In this embodiment, an air supply device 430 shown in FIG. 17 is used instead of the air supply device 30 shown in FIG. 3 of the first embodiment.

【0105】図17に示すエアー供給装置430は、十
分な風量を得るために、基板Wの面積よりも十分に大き
な吹き出し面積を有するHEPAフィルター431を備
えるとともに、かかるHEPAフィルター431からの
清浄空気を基板Wに案内する上部案内部材(案内部材)
432を設けてある。この上部案内部材432は、図1
7に示すように、上部がHEPAフィルター431の吹
き出し面積とほぼ同等の水平面積を有するとともに、基
板位置近傍の下部において水平面積が上部よりも小さく
且つ基板Wよりもやや大きな面積となるように絞られた
形状となっている。すなわち、上部案内部材432は、
清浄空気の流路の断面積が基板W側に向かって小さくな
るように構成されている。かかる上部案内部材432を
設けることによって、例えば0.3m/sの速度で清浄
空気を吹き出すHEPAフィルター431を用いる場合
であってもその風量を多くすることができ、基板Wの近
傍でその流路を狭くすることで例えば1m/sの流速を
得ることができる。これによって、基板上のレジストは
より早く、より良好に乾燥される。
The air supply device 430 shown in FIG. 17 includes a HEPA filter 431 having a blowing area sufficiently larger than the area of the substrate W in order to obtain a sufficient air volume, and clean air from the HEPA filter 431 is supplied. Upper guide member (guide member) for guiding to the substrate W
432 are provided. This upper guide member 432 is the same as that shown in FIG.
As shown in FIG. 7, the upper portion has a horizontal area substantially equal to the blowout area of the HEPA filter 431, and the lower portion near the substrate position is narrowed so that the horizontal area is smaller than the upper portion and slightly larger than the substrate W. Shape. That is, the upper guide member 432 is
The cross section of the flow path of the clean air is configured to decrease toward the substrate W side. By providing the upper guide member 432, even when the HEPA filter 431 that blows clean air at a speed of, for example, 0.3 m / s can be used, the air volume can be increased, and the flow path near the substrate W can be increased. , A flow velocity of, for example, 1 m / s can be obtained. This allows the resist on the substrate to dry faster and better.

【0106】[0106]

【発明の効果】本発明では、塗布処理工程とベーキング
処理工程前の端面洗浄処理工程との間に乾燥促進処理工
程を設け、基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気
を供給することによって基板を乾燥させている。このた
め、塗布直後に基板の加熱処理を行う場合の不具合を抑
えることができ、高価な減圧チャンバーを使うことなく
基板に塗布された液の乾燥を行うことができる。
According to the present invention, a drying acceleration processing step is provided between the coating processing step and the end face cleaning processing step before the baking processing step, and clean air is supplied to the substrate at a flow rate higher than a predetermined speed. The substrate is drying. For this reason, it is possible to suppress problems when the substrate is heated immediately after the application, and to dry the liquid applied to the substrate without using an expensive decompression chamber.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態における基板処理装置の概
略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】クリーンルームの概略図。FIG. 2 is a schematic diagram of a clean room.

【図3】乾燥促進処理部の概略図。FIG. 3 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit.

【図4】第4実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 4 is a schematic diagram of a drying acceleration processing unit according to a fourth embodiment.

【図5】第5実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 5 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a fifth embodiment.

【図6】第6実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 6 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a sixth embodiment.

【図7】第7実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 7 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a seventh embodiment.

【図8】第8実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 8 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to an eighth embodiment.

【図9】第9実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 9 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a ninth embodiment.

【図10】第10実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 10 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a tenth embodiment.

【図11】第11実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 11 is a schematic view of a drying promotion processing section according to an eleventh embodiment.

【図12】第12実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 12 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a twelfth embodiment.

【図13】第13実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 13 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a thirteenth embodiment.

【図14】第14実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 14 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a fourteenth embodiment.

【図15】第15実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 15 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a fifteenth embodiment.

【図16】乾燥促進処理部の比較概略図。FIG. 16 is a schematic diagram of a comparison of a drying promotion processing unit.

【図17】第16実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 17 is a schematic view of a drying promotion processing unit according to a sixteenth embodiment.

【符号の説明】 2 スピンコータ部(塗布処理部) 3 乾燥促進処理部 4 エッジリンス部(端面洗浄処理部) 6 ベーク部(ベーキング処理部) 10 クリーンルーム 10a HEPAフィルター(天井部) 30,40,50,70,80,90,100,120
エアー供給装置 31,41,51,71,81,91,101,124
a HEPAフィルター(エアーフィルター/エアー
吐出口) 32,52,72,82,102,122,132
供給配管(供給経路) 33,42,92,104,124 ブロワー(送風
機) 53,73,83,93,103,123 上部カバ
ー 75,85 シールリング(シール部材) 77,87,97,107,127 下部カバー 78a,108,110,128 排気配管(排気経
路) 99 電動ボールねじシリンダー(第2駆動装置) 109,129 排気ダンパー 121 整流板(整流板/エアー吐出口) 132a,135a 自動制御ダンパー(切替手段) 135 放出配管(放出経路) 149 電動ボールねじシリンダー(第1駆動装置) 221 基板載置台 221b 基板載置面 432 上部案内部材(案内部材) W 基板
[Description of Signs] 2 Spin coater section (coating processing section) 3 Drying promotion processing section 4 Edge rinsing section (end face cleaning processing section) 6 Bake section (baking processing section) 10 Clean room 10a HEPA filter (ceiling section) 30, 40, 50 , 70, 80, 90, 100, 120
Air supply device 31, 41, 51, 71, 81, 91, 101, 124
a HEPA filter (air filter / air discharge port) 32, 52, 72, 82, 102, 122, 132
Supply piping (supply route) 33, 42, 92, 104, 124 Blower (blower) 53, 73, 83, 93, 103, 123 Upper cover 75, 85 Seal ring (seal member) 77, 87, 97, 107, 127 Lower cover 78a, 108, 110, 128 Exhaust pipe (exhaust path) 99 Electric ball screw cylinder (second drive unit) 109, 129 Exhaust damper 121 Rectifier plate (rectifier plate / air discharge port) 132a, 135a Automatic control damper (switching) Means) 135 Discharge pipe (discharge path) 149 Electric ball screw cylinder (first drive device) 221 Substrate mounting table 221b Substrate mounting surface 432 Upper guide member (guide member) W Substrate

フロントページの続き Fターム(参考) 3L113 AA01 AB02 AC08 AC25 AC45 AC46 AC50 AC51 AC52 AC54 AC55 AC56 AC57 AC63 AC67 AC74 AC76 AC77 AC83 BA34 CA08 CA09 CA11 CB23 CB24 CB27 CB28 CB34 DA05 DA06 DA10 DA13 DA19 DA24 5F046 JA04 JA22 KA07 Continued on the front page F term (reference) 3L113 AA01 AB02 AC08 AC25 AC45 AC46 AC50 AC51 AC52 AC54 AC55 AC56 AC57 AC63 AC67 AC74 AC76 AC77 AC83 BA34 CA08 CA09 CA11 CB23 CB24 CB27 CB28 CB34 DA05 DA06 DA10 DA13 DA19 DA24 5F046 JA04 JA22 KA07

Claims (31)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板に対して一連の処理を行うための基板
処理方法であって、 基板に塗布液を塗布する塗布処理工程と、 前記塗布液が塗布された基板に対して加熱処理を行うベ
ーキング処理工程と、 前記塗布処理工程と前記ベーキング処理工程との間に設
けられ、基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気を
供給する乾燥促進処理工程と、 前記乾燥促進処理工程と前記ベーキング処理工程との間
に設けられ基板の端面付近を洗浄する端面洗浄処理工程
と、を備えた基板処理方法。
1. A substrate processing method for performing a series of processing on a substrate, comprising: a coating processing step of applying a coating liquid to the substrate; and a heating processing to the substrate coated with the coating liquid. A baking treatment step, a drying promotion treatment step provided between the coating treatment step and the baking treatment step, and supplying clean air at a flow rate of a predetermined speed or more to the substrate; the drying promotion treatment step and the baking An end face cleaning step of cleaning the vicinity of the end face of the substrate provided between the processing steps.
【請求項2】基板に対して一連の処理を行うための基板
処理装置であって、 基板に塗布液を塗布する塗布処理部と、 前記塗布処理部において塗布液が塗布された基板に対し
て所定速度以上の流速の清浄空気を供給する乾燥促進処
理部と、 前記乾燥促進処理部での処理を終えた基板に加熱処理を
施すベーキング処理部と、 前記乾燥促進処理部での処理を終えた基板に対して、前
記ベーキング処理部において加熱処理を施す前に、端面
付近の洗浄を施す端面洗浄処理部と、を備えた基板処理
装置。
2. A substrate processing apparatus for performing a series of processing on a substrate, comprising: a coating processing section for coating a substrate with a coating liquid; A drying promotion processing unit that supplies clean air having a flow rate equal to or higher than a predetermined speed, a baking processing unit that performs a heating process on the substrate that has been processed in the drying promotion processing unit, and a process in the drying promotion processing unit. A substrate processing apparatus comprising: an edge cleaning section for cleaning the vicinity of an edge before subjecting a substrate to heat treatment in the baking section.
【請求項3】前記乾燥促進処理部は清浄空気を吹き出す
エアー供給装置を有している、請求項2に記載の基板処
理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein said drying promotion processing section has an air supply device for blowing clean air.
【請求項4】基板に対して一連の処理を行うための、清
浄空気を天井部から下方にダウンフローさせているクリ
ーンルーム内に設置される基板処理装置であって、 基板に塗布液を塗布する塗布処理部と、 基板を前記クリーンルームの天井部に近づけさせる第1
駆動装置を有し、基板を前記クリーンルームの天井部に
近づけることによって、前記塗布処理部において塗布液
が塗布された基板に対して所定速度以上の流速の清浄空
気を供給する乾燥促進処理部と、 前記乾燥促進処理部での処理を終えた基板に加熱処理を
施すベーキング処理部と、を備えた基板処理装置。
4. A substrate processing apparatus installed in a clean room for performing a series of processing on a substrate, in which clean air is caused to flow downward from a ceiling portion, wherein a coating liquid is applied to the substrate. A coating processing unit, and a first unit for bringing the substrate close to the ceiling of the clean room.
Having a driving device, by bringing the substrate close to the ceiling of the clean room, a drying promotion processing unit that supplies clean air at a flow rate of a predetermined speed or more to the substrate coated with the coating liquid in the coating processing unit, A substrate processing apparatus, comprising: a baking processing unit that performs a heating process on the substrate that has been processed in the drying promotion processing unit.
【請求項5】前記乾燥促進処理部での処理を終えた基板
に対して、前記ベーキング処理部において加熱処理を施
す前に、端面付近の洗浄を施す端面洗浄処理部をさらに
備えた、請求項4に記載の基板処理装置。
5. The apparatus according to claim 1, further comprising an edge cleaning section for cleaning the vicinity of an edge of the substrate which has been subjected to the processing in the drying acceleration processing section, before performing the heating processing in the baking processing section. 5. The substrate processing apparatus according to 4.
【請求項6】前記乾燥促進処理部は、基板載置面が全周
にわたって基板よりも大きな外縁を有する基板載置台を
有している、請求項2から5のいずれかに記載の基板処
理装置。
6. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the drying promotion processing section has a substrate mounting table having a substrate mounting surface having an outer edge larger than the substrate over the entire circumference. .
【請求項7】前記エアー供給装置はエアーフィルターを
有している、請求項3に記載の基板処理装置。
7. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said air supply device has an air filter.
【請求項8】クリーンルーム内に設置される請求項3に
記載の基板処理装置であって、 前記エアー供給装置は前記クリーンルームを流れている
清浄空気を基板に対して供給する、基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the substrate is installed in a clean room, wherein the air supply device supplies clean air flowing in the clean room to the substrate.
【請求項9】前記乾燥促進処理部は、前記エアー供給装
置と基板とを相対的に移動させる第2駆動装置をさらに
有している、請求項3に記載の基板処理装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the drying promotion processing unit further includes a second driving device that relatively moves the air supply device and the substrate.
【請求項10】前記エアー供給装置は、基板に供給する
清浄空気の流れを整流する整流板を有している、請求項
3に記載の基板処理装置。
10. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said air supply device has a rectifying plate for rectifying the flow of clean air supplied to the substrate.
【請求項11】前記エアー供給装置は、前記乾燥促進処
理部にある基板の上方に位置するエアー吐出口と、空気
の流れを発生させる送風機と、前記エアー吐出口と前記
送風機とを結ぶ供給経路とを有している、請求項3に記
載の基板処理装置。
11. An air supply device, comprising: an air discharge port located above a substrate in the drying promotion processing section; a blower for generating an air flow; and a supply path connecting the air discharge port and the blower. 4. The substrate processing apparatus according to claim 3, comprising:
【請求項12】クリーンルーム内に設置される請求項1
1に記載の基板処理装置であって、 前記送風機はクリーンルーム内に配置される、基板処理
装置。
12. The apparatus according to claim 1, which is installed in a clean room.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the blower is disposed in a clean room.
【請求項13】前記送風機は、前記乾燥促進処理部にあ
る基板の上方に位置する、請求項12に記載の基板処理
装置。
13. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein the blower is located above a substrate in the drying promotion processing section.
【請求項14】クリーンルーム内に設置される請求項1
1に記載の基板処理装置であって、 前記送風機はクリーンルーム外に配置される、基板処理
装置。
14. The apparatus according to claim 1, which is installed in a clean room.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the blower is disposed outside a clean room.
【請求項15】前記エアー供給装置は、基板に供給した
清浄空気が隣接する処理部へと流れないように清浄空気
の流れを誘導する上部カバーを有している、請求項3に
記載の基板処理装置。
15. The substrate according to claim 3, wherein the air supply device has an upper cover for guiding a flow of the clean air so that the clean air supplied to the substrate does not flow to an adjacent processing unit. Processing equipment.
【請求項16】前記乾燥促進処理部は、前記エアー供給
装置から基板に供給された清浄空気が舞い上がらないよ
うに清浄空気の流れを下方に誘導する下部カバーをさら
に有している、請求項15に記載の基板処理装置。
16. The drying promotion processing unit further comprises a lower cover for guiding a flow of the clean air downward so that the clean air supplied from the air supply device to the substrate does not flow. A substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項17】前記乾燥促進処理部は、前記下部カバー
により誘導された清浄空気を排気するための排気経路を
さらに有している、請求項16に記載の基板処理装置。
17. The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein said drying promotion processing unit further has an exhaust path for exhausting the clean air guided by said lower cover.
【請求項18】前記排気経路には、清浄空気の排気量を
調整するための排気ダンパーが設けられており、 前記エアー供給装置は、前記排気経路から排気される清
浄空気の排気量よりも多く清浄空気を吹き出す、請求項
17に記載の基板処理装置。
18. An exhaust path provided with an exhaust damper for adjusting an exhaust amount of clean air, wherein the air supply device has an exhaust amount larger than an exhaust amount of clean air exhausted from the exhaust path. 18. The substrate processing apparatus according to claim 17, wherein clean air is blown out.
【請求項19】前記エアー供給装置の上部カバーは、そ
の下端が前記下部カバーを覆うように形成されており、
その下端の高さ位置は前記下部カバーの上端の高さ位置
よりも低い、請求項16から18のいずれかに記載の基
板処理装置。
19. An upper cover of the air supply device is formed so that a lower end thereof covers the lower cover.
19. The substrate processing apparatus according to claim 16, wherein a height position of the lower end is lower than a height position of an upper end of the lower cover.
【請求項20】前記エアー供給装置の上部カバーの下端
の形状と前記下部カバーの上端の形状とは対応してお
り、 前記エアー供給装置の上部カバーの下端と前記下部カバ
ーの上端との間に挿入されるシール部材をさらに備え
た、請求項16又は17に記載の基板処理装置。
20. A shape of a lower end of an upper cover of the air supply device and a shape of an upper end of the lower cover correspond to each other, and between a lower end of the upper cover of the air supply device and an upper end of the lower cover. The substrate processing apparatus according to claim 16, further comprising a seal member inserted.
【請求項21】前記エアー供給装置は、前記排気経路か
ら排気される量よりも少ない清浄空気を基板に供給す
る、請求項20に記載の基板処理装置。
21. The substrate processing apparatus according to claim 20, wherein the air supply device supplies the substrate with a smaller amount of clean air exhausted from the exhaust path.
【請求項22】前記乾燥促進処理部での処理において、
前記エアー供給装置、前記下部カバー、及び前記排気経
路で囲まれた空間の圧力を、この空間の密閉を解除する
前に、周囲の圧力とほぼ等しくさせる制御が行われる、
請求項21に記載の基板処理装置。
22. The processing in the drying promotion processing section,
The pressure of a space surrounded by the air supply device, the lower cover, and the exhaust path is controlled to be substantially equal to the surrounding pressure before the sealing of the space is released.
The substrate processing apparatus according to claim 21.
【請求項23】ダウンフロークリーンルーム内に設置さ
れる請求項20に記載の基板処理装置であって、 前記排気経路は、一端が前記下部カバーに接続され、他
端が前記ダウンフロークリーンルームの下部空間に開放
されている、基板処理装置。
23. The substrate processing apparatus according to claim 20, wherein one end of the exhaust path is connected to the lower cover and the other end is a lower space of the downflow clean room. A substrate processing apparatus that is open to the public.
【請求項24】前記エアー供給装置は、基板に供給する
洗浄空気の量を調整する風量調整機能を有している、請
求項3に記載の基板処理装置。
24. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said air supply device has an air volume adjusting function for adjusting an amount of cleaning air supplied to the substrate.
【請求項25】前記エアー供給装置は、基板に供給する
洗浄空気の温度を調整する温度調整機能を有している、
請求項3に記載の基板処理装置。
25. The air supply device has a temperature adjustment function for adjusting the temperature of cleaning air supplied to a substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 3.
【請求項26】前記エアー供給装置は、基板に供給する
洗浄空気の湿度を調整する湿度調整機能を有している、
請求項3に記載の基板処理装置。
26. The air supply device has a humidity adjusting function for adjusting humidity of cleaning air supplied to a substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 3.
【請求項27】前記エアー供給装置は、基板に供給する
洗浄空気の溶剤含有率を低下させる化学吸着フィルター
を有している、請求項3に記載の基板処理装置。
27. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said air supply device has a chemical adsorption filter for reducing a solvent content of cleaning air supplied to the substrate.
【請求項28】前記乾燥促進処理部は、前記エアー供給
装置から基板に供給される洗浄空気の基板付近での流速
を変える流速調整機構をさらに有している、請求項3に
記載の基板処理装置。
28. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said drying promotion processing unit further includes a flow rate adjusting mechanism for changing a flow rate of the cleaning air supplied from the air supply device to the substrate near the substrate. apparatus.
【請求項29】前記流速調整機構は、前記エアー供給装
置と基板とを相対的に移動させる機構である、請求項2
8に記載の基板処理装置。
29. The flow rate adjusting mechanism according to claim 2, wherein the air supply device and the substrate are relatively moved.
9. The substrate processing apparatus according to 8.
【請求項30】前記エアー供給装置は、放出経路と、基
板に供給する清浄空気を通す供給経路と、前記放出経路
と前記供給経路とを切り替える切替手段とを有してい
る、請求項3に記載の基板処理装置。
30. The air supply device according to claim 3, wherein the air supply device has a discharge path, a supply path through which clean air supplied to the substrate passes, and switching means for switching between the discharge path and the supply path. The substrate processing apparatus according to any one of the preceding claims.
【請求項31】前記エアー供給装置は、清浄空気の流路
の断面積が基板側に向かって小さく構成された案内部材
を有している、請求項3に記載の基板処理装置。
31. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the air supply device has a guide member configured such that a cross-sectional area of a flow path of the clean air decreases toward the substrate side.
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