JP2002110535A - Wafer treatment device and method of drying wafer - Google Patents

Wafer treatment device and method of drying wafer

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JP2002110535A JP2000304462A JP2000304462A JP2002110535A JP 2002110535 A JP2002110535 A JP 2002110535A JP 2000304462 A JP2000304462 A JP 2000304462A JP 2000304462 A JP2000304462 A JP 2000304462A JP 2002110535 A JP2002110535 A JP 2002110535A
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer treatment device with which uneven drying of a wafer hardly occurs even when clean air is applied to the wafer at a high flow rate. SOLUTION: This wafer treatment device has a spin coater, an edge rinse unit and a drying acceleration unit. The spin coater coats a wafer W with a resist. The edge rinse unit performs other treatments on the wafer W coated with the resist. The drying acceleration unit is disposed between the spin coater and the edge rinse unit and accelerates drying of the wafer W by applying clean air to the wafer W coated with the resist from upward. This drying acceleration unit has a pad 26 generally surrounding the lower and side portions of the wafer W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置、及
び基板乾燥方法、特に、塗布液が塗布された基板に対し
て上方から清浄空気を当てる乾燥促進処理部を備えた基
板処理装置、及び基板に対して清浄空気を当てる工程を
備えた基板乾燥方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate drying method, and more particularly to a substrate processing apparatus provided with a drying acceleration processing section for applying clean air from above to a substrate coated with a coating liquid. The present invention relates to a substrate drying method including a step of applying clean air to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】基板、例えば液晶ディスプレイを製造す
るためのガラス基板に各種の処理を施す製造工程におい
ては、ある一連の処理を行う基板処理装置が使用され
る。この装置の中に、レジスト塗布液等の塗布液を基板
に塗布する工程を含む基板処理装置がある。
2. Description of the Related Art In a manufacturing process for performing various processes on a substrate, for example, a glass substrate for manufacturing a liquid crystal display, a substrate processing apparatus for performing a certain series of processes is used. Among these apparatuses, there is a substrate processing apparatus including a step of applying a coating liquid such as a resist coating liquid to a substrate.

【0003】例えば、液晶ディスプレイ製造工程におけ
るフォトレジスト塗布工程を行う基板処理装置では、紫
外光の感光樹脂材料を基板表面全体にわたり均一な厚さ
に塗布する。具体的には、基板上に滴下したレジスト液
を基板を回転させて遠心力で広げ均一厚にするスピン塗
布法や、ローラー表面の溝にいったん付着させたレジス
ト液を基板に転写するロール塗布法により塗布が行われ
る。ここでは、大きい面積にわたる均一塗布とその後の
エッチング条件等に適した任意の厚さを得るため、また
塗布方法の特性にも合わせて、溶媒量の制御により適切
な粘度を持たせたレジスト液が選定される。
For example, in a substrate processing apparatus for performing a photoresist coating process in a liquid crystal display manufacturing process, a photosensitive resin material of ultraviolet light is applied to a uniform thickness over the entire substrate surface. Specifically, a spin coating method that spreads the resist liquid dropped on the substrate by centrifugal force to rotate the substrate by centrifugal force to obtain a uniform thickness, and a roll coating method that transfers the resist liquid once attached to the groove on the roller surface to the substrate Is applied. Here, in order to obtain a uniform coating over a large area and an arbitrary thickness suitable for the subsequent etching conditions, etc., and also according to the characteristics of the coating method, a resist solution having an appropriate viscosity by controlling the amount of solvent is used. Selected.

【0004】また、通常はフォトレジスト塗布工程の後
に露光工程に移るが、この露光工程の前には残留溶媒を
蒸発させるためのプリベーク(ベーキング)処理が行わ
れる。さらに、場合によっては、パーティクル発生の防
止や露光時における位置合わせの観点から、基板の端面
付近の洗浄を行うエッジリンス処理が行われることもあ
る。
[0004] Usually, the process proceeds to an exposure process after a photoresist coating process, but before this exposure process, a pre-bake (baking) process for evaporating a residual solvent is performed. Further, in some cases, an edge rinsing process for cleaning the vicinity of the end surface of the substrate may be performed from the viewpoint of preventing generation of particles and alignment at the time of exposure.

【0005】そして、上記のような一連のフォトレジス
ト塗布工程を含む基板処理装置の中には、レジスト塗布
直後に基板を減圧チャンバーに収容して溶媒の蒸発を促
し、塗布した液をある程度乾燥させる減圧乾燥装置があ
る。ここでの乾燥によって、塗布したレジスト液がエッ
ジリンス処理において端面に拡がることが抑えられる。
但し、基板サイズが大きくなると大型の減圧チャンバー
が必要となるため、減圧乾燥装置は相当に高価なものと
なる。また、減圧チャンバー内を減圧すると、密閉シー
ル部分からのある程度のパーティクルの巻き込みは避け
られず、さらに、減圧下における帯電基板の自己静電破
壊の問題も大きい。
In a substrate processing apparatus including a series of photoresist coating steps as described above, the substrate is accommodated in a reduced pressure chamber immediately after the application of the resist, to promote the evaporation of the solvent and to dry the applied liquid to some extent. There is a vacuum drying device. The drying here suppresses the spread of the applied resist solution to the end face in the edge rinsing process.
However, when the substrate size is large, a large-sized decompression chamber is required, so that the decompression drying device becomes considerably expensive. In addition, when the pressure in the decompression chamber is reduced, it is inevitable that a certain amount of particles are entangled from the hermetically sealed portion, and the problem of self-electrostatic destruction of the charged substrate under reduced pressure is also significant.

【0006】このようなことから、本願出願人は、特開
2000−012427号公報に開示するように、減圧
乾燥装置に代わる乾燥促進処理部を備えた基板処理装置
を提案している。この基板処理装置に含まれる乾燥促進
処理部は、基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気
を供給することによって、塗布液の乾燥を促進させるも
のである。
[0006] For this reason, the applicant of the present application has proposed a substrate processing apparatus provided with a drying acceleration processing unit instead of a reduced-pressure drying apparatus, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-012427. The drying promotion processing section included in the substrate processing apparatus promotes drying of the coating liquid by supplying clean air having a flow rate equal to or higher than a predetermined speed to the substrate.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】また、上記公報の図1
5に示す基板処理装置では、基板の周辺部において基板
の内側から外側へ向かう気流(横風)が生じて、乾燥さ
れるレジスト膜に乾燥ムラ(風紋)ができることを防ぐ
ために、基板載置台(基板支持台)のサイズを基板の大
きさよりもかなり大きくしている。これにより、基板の
周辺部で発生する横風が少なくなるため、乾燥時間短縮
のために比較的速い速度で清浄空気を基板に当てる場合
においても、乾燥ムラが発生し難い。
FIG. 1 of the above publication is disclosed.
In the substrate processing apparatus shown in FIG. 5, in order to prevent airflow (lateral wind) from the inside to the outside of the substrate from being generated at the periphery of the substrate, and to prevent drying unevenness (wind ripples) from occurring in the resist film to be dried, the substrate mounting table (substrate) The size of the support is considerably larger than the size of the substrate. Thereby, the side wind generated at the peripheral portion of the substrate is reduced, so that even when the substrate is exposed to the clean air at a relatively high speed in order to shorten the drying time, uneven drying is unlikely to occur.

【0008】しかし、スペース的な制約から基板支持台
をそれほど大きなサイズにすることができない場合があ
る。また、レジスト液の特性によっては、基板周辺部に
おける横風の発生が少なくても、ムラができた状態でレ
ジスト膜が乾燥してしまう恐れがある。このような場合
には、基板に当てる清浄空気の流速を速めることができ
ず、乾燥に要する時間が長くなってしまう。
However, there are cases where the substrate support cannot be made so large in size due to space constraints. Further, depending on the characteristics of the resist solution, the resist film may be dried in a state where unevenness is generated even if the generation of the cross wind in the peripheral portion of the substrate is small. In such a case, the flow rate of the clean air applied to the substrate cannot be increased, and the time required for drying increases.

【0009】本発明の課題は、他処理部での処理へと基
板を早く移行させるために基板に塗布した塗布液の乾燥
を促進させる乾燥促進処理部を備える基板処理装置であ
って、清浄空気を速い流速で基板に当てたときにも基板
乾燥時に発生する乾燥ムラが少ない基板処理装置を提供
することにある。また、本発明の課題は、他処理部での
処理へと基板を早く移行させるために基板に塗布した塗
布液の乾燥を促進させる基板乾燥方法であって、清浄空
気を速い流速で基板に当てたときにも基板乾燥時に発生
する乾燥ムラが少ない基板乾燥方法を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus provided with a drying promotion processing section for promoting drying of a coating solution applied to a substrate in order to quickly transfer the substrate to processing in another processing section. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which even when the substrate is applied to the substrate at a high flow rate, drying unevenness that occurs during substrate drying is small. Another object of the present invention is a substrate drying method for accelerating the drying of a coating liquid applied to a substrate in order to quickly transfer the substrate to processing in another processing unit. Another object of the present invention is to provide a method for drying a substrate, which causes less drying unevenness when the substrate is dried.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る基板処理
装置は、塗布処理部と、他処理部と、乾燥促進処理部と
を備えている。塗布処理部は、基板に塗布液を塗布す
る。他処理部は、塗布液が塗布された基板に対して、他
の処理を行う。乾燥促進処理部は、塗布処理部と他処理
部との間に配置されており、塗布液が塗布された基板に
対して上方から清浄空気を当てることによって基板の乾
燥を促進させる。この乾燥促進処理部は、基板の下方及
び側方を概ね囲うバットを有している。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a coating processing section, another processing section, and a drying promotion processing section. The application processing unit applies the application liquid to the substrate. The other processing unit performs another processing on the substrate on which the coating liquid has been applied. The drying promotion processing unit is disposed between the coating processing unit and another processing unit, and promotes drying of the substrate by applying clean air from above to the substrate coated with the coating liquid. The drying promotion processing section has a bat which substantially surrounds the lower side and the side of the substrate.

【0011】ここでは、乾燥促進処理部において、基板
に上方から清浄空気を当てることで基板の乾燥を促進さ
せるとともに、清浄空気が基板中央部上方から基板周囲
部を経由して基板の下方に流れていかないように、基板
の下方及び側方をバットで囲っている。このようにバッ
トで囲っているため、多少基板に当てる清浄空気の流速
を速めても、基板の周囲部において内側から外側に向か
う横風が殆ど発生せず、乾燥時における基板上の塗布液
の乾燥ムラが抑制される。また、清浄空気の流速を速め
ることができるため、乾燥時間も短くなる。
Here, in the drying promotion processing section, the substrate is dried by blasting the substrate with clean air from above, and the clean air flows from above the central portion of the substrate to below the substrate via the peripheral portion of the substrate. The bat is enclosed below and on the sides of the substrate so as not to go. Even if the flow rate of the clean air applied to the substrate is slightly increased, almost no crosswind from the inside to the outside is generated around the substrate, and the coating liquid on the substrate is dried during drying. Unevenness is suppressed. Further, since the flow rate of the clean air can be increased, the drying time is also shortened.

【0012】請求項2に係る基板処理装置は、請求項1
に記載の装置であって、基板の側方を囲うバットの側壁
は、その上端が基板の上面よりも10mm以上高い位置
にある。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
Wherein the upper end of the side wall of the bat surrounding the side of the substrate is at a position higher than the upper surface of the substrate by 10 mm or more.

【0013】本願の発明者によるテスト結果では、基板
の側方を囲うバットの側壁が基板の上面よりも10mm
以上高いものであるときに横風の発生度合いが著しく低
下することが確認されている。これは、ある程度バット
の側壁の高さがあるほうが、バット内に清浄空気が滞留
して、基板周囲部における横風が発生し難くなるためと
考えられる。
According to the test results by the inventor of the present application, the side wall of the bat surrounding the side of the substrate is 10 mm from the upper surface of the substrate.
It has been confirmed that the degree of occurrence of the crosswind is significantly reduced when the height is higher than the above. It is considered that this is because when the bat has a certain height of the side wall, the clean air stays in the bat and the cross wind around the substrate is less likely to be generated.

【0014】これに鑑み、本請求項の装置では、バット
の側壁の上端が基板の上面よりも10mm以上高い位置
にくるように構成している。なお、本願の発明者はテス
トを繰り返しており、そのテスト結果によると、最も横
風を抑えることができているバットの側壁は、その上端
が基板の上面よりも約40mm高い位置にきているもの
であった。
In view of this, the apparatus according to the present invention is configured such that the upper end of the side wall of the bat is located at a position higher than the upper surface of the substrate by 10 mm or more. In addition, the inventor of the present application has repeated the test, and according to the test results, the side wall of the bat which can suppress the cross wind most has the upper end located at a position about 40 mm higher than the upper surface of the substrate. Met.

【0015】請求項3に係る基板処理装置は、請求項1
又は2に記載の装置であって、バットの底面は、基板の
上面から50mm下がった位置よりも高い位置にある。
本願の発明者によるテスト結果では、バットの底面が基
板から大きく離れていると、特に清浄空気を基板に当て
始めたときにおいて、清浄空気が基板中央部上方から基
板周囲部を経由して基板の下方へと流れる量が多くなっ
ている。そして、横風による乾燥ムラを抑えるために
は、バットの底面をできるだけ基板に近づけ、基板の下
方に清浄空気が流れにくい状態を作らなければならない
ことが判明している。
A third aspect of the present invention is a substrate processing apparatus.
Or the apparatus according to 2, wherein the bottom surface of the bat is at a position higher than a position 50 mm below the upper surface of the substrate.
According to the test results by the inventor of the present application, when the bottom surface of the bat is far away from the substrate, particularly when the clean air starts to be applied to the substrate, the clean air flows from above the substrate central portion through the substrate peripheral portion to the substrate. The amount flowing downward has increased. Then, in order to suppress the drying unevenness due to the crosswind, it has been found that the bottom surface of the bat must be brought as close as possible to the substrate so that a state in which the clean air does not easily flow below the substrate must be created.

【0016】これに鑑み、乾燥ムラを許容レベル内に抑
えるために、本請求項の装置では、バットの底面が基板
の上面から50mm下がった位置よりも高い位置にくる
ように構成している。
In view of this, in order to suppress the drying unevenness within an allowable level, the apparatus according to the present invention is configured such that the bottom surface of the bat is located at a position higher than the position 50 mm lower than the upper surface of the substrate.

【0017】なお、乾燥ムラに対する要求レベルが高く
乾燥ムラの発生が殆どない状態にしなければならないよ
うな場合には、構造を変えてでも、基板上面とバットの
底面との距離を10mm以下にすることが望ましい。
If the required level of drying unevenness is so high that it is necessary to make the drying hardly occur, the distance between the top surface of the substrate and the bottom surface of the bat is reduced to 10 mm or less even if the structure is changed. It is desirable.

【0018】請求項4に係る基板処理装置は、請求項1
から3のいずれかに記載の装置であって、バットは、基
板を支持しつつ基板を囲う。ここでは、バットが基板支
持台を兼ねているため、構造がシンプルでコストも小さ
くなる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus.
4. The apparatus according to any one of items 1 to 3, wherein the bat surrounds the substrate while supporting the substrate. Here, since the bat also serves as the substrate support, the structure is simple and the cost is small.

【0019】請求項5に係る基板処理装置は、請求項1
から3のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進処理
部は、バットとは別に、基板を支持する基板支持台を有
している。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the first aspect.
4. The apparatus according to any one of items 1 to 3, wherein the drying promotion processing unit has a substrate support stand that supports the substrate, separately from the bat.

【0020】ここでは、バットとは別に基板支持台を設
けているため、バットと基板支持台とを相対的に移動さ
せるようなことが容易となる。請求項6に係る基板処理
装置は、請求項5に記載の装置であって、シール部材を
さらに備えている。このシール部材は、底面に開口が設
けられているバットと、基板支持台との間に配置され
る。基板支持台は、バットの開口を貫通する部材に連結
されている。
Here, since the substrate support is provided separately from the bat, it is easy to relatively move the bat and the substrate support. A substrate processing apparatus according to a sixth aspect is the apparatus according to the fifth aspect, further comprising a seal member. The seal member is arranged between the bat having an opening on the bottom surface and the substrate support. The substrate support is connected to a member that passes through the opening of the bat.

【0021】ここでは、基板を囲うバットの底面に開口
を設けて部材を貫通させ、その部材と基板支持台とを連
結させている。基板支持台に連結される部材は、基板支
持台に固定されていてもよいし、リンク機構等を介して
連結されていてもよい。このような構成のため、基板の
支持が行いやすいように基板支持台をバット内に配する
場合においても、バットと基板支持台との相対移動が可
能となる。
Here, an opening is provided in the bottom surface of the bat surrounding the substrate, the member is penetrated, and the member and the substrate support are connected. The member connected to the substrate support may be fixed to the substrate support or may be connected via a link mechanism or the like. With such a configuration, the relative movement between the bat and the substrate support can be achieved even when the substrate support is arranged in the bat so that the substrate can be easily supported.

【0022】また、バットと基板支持台とが別部材であ
るため両者の間に隙間が生じるが、ここではシール部材
を備えているため、必要なときにはバットと基板支持台
との隙間を埋めてシールすることができる。これによ
り、基板の下方の空間がバット外部の空間と連通するこ
とが抑えられ、清浄空気が基板中央部上方から基板周囲
部を経由して基板の下方に流れることが抑えられる。
Since the bat and the substrate support are separate members, a gap is formed between them. However, since a seal member is provided here, the gap between the bat and the substrate support is filled when necessary. Can be sealed. This suppresses the space below the substrate from communicating with the space outside the bat, and suppresses the flow of clean air from above the central portion of the substrate to below the substrate via the peripheral portion of the substrate.

【0023】請求項7に係る基板処理装置は、請求項5
又は6に記載の装置であって、乾燥促進処理部は、移動
機構をさらに有している。移動機構は、基板に対して上
方から清浄空気を当てているときに、バットと基板支持
台との相対高さ位置を変える。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the fifth aspect.
Or the apparatus according to 6, wherein the drying promotion processing unit further includes a moving mechanism. The moving mechanism changes the relative height between the bat and the substrate support when the substrate is exposed to clean air from above.

【0024】基板の下方及び側方を囲うバットは、基板
周囲部における横風の発生を抑えて乾燥ムラを防ぐ重要
な部材であるが、乾燥時間の観点から見れば、清浄空気
を滞留させるためマイナスに働く。
The bat which surrounds the lower side and the side of the substrate is an important member for suppressing the generation of the cross wind around the substrate to prevent the drying unevenness. However, from the viewpoint of the drying time, the bat is a negative member for retaining the clean air. Work on.

【0025】そこで、本請求項の装置では、移動機構を
設けて、清浄空気により塗布液を乾燥させているとき
に、バットと基板支持台との相対高さ位置を変えるよう
にしている。すなわち、乾燥時にバットと基板支持台と
の相対高さ位置を変えて、バットによる基板の囲い具合
を変化させている。このため、乾燥ムラが発生しやすい
ときには基板の囲い具合を強化し、乾燥ムラが発生する
恐れが小さくなったときには基板の囲い具合を緩めるこ
とができるようになる。これにより、乾燥ムラを抑えつ
つ、乾燥時間を短縮することが可能となる。
Therefore, in the apparatus according to the present invention, a moving mechanism is provided to change the relative height position between the bat and the substrate support when the coating liquid is dried by clean air. That is, the relative height position between the bat and the substrate support is changed at the time of drying to change how the bat surrounds the substrate. For this reason, when the drying unevenness is likely to occur, the enclosure of the substrate can be strengthened, and when the risk of the occurrence of the drying unevenness is reduced, the enclosure of the substrate can be relaxed. This makes it possible to reduce drying time while suppressing drying unevenness.

【0026】なお、バットと基板支持台との相対高さ位
置を変えるため、移動機構はバット及び基板支持台の少
なくとも一方を上下動させる必要があるが、大きく薄い
ガラス基板のようなものを支持する基盤支持台を移動さ
せるのが難しい装置の場合には、バット側を移動させる
構成を採ることが望ましい。
In order to change the relative height position between the bat and the substrate support, the moving mechanism needs to move at least one of the bat and the substrate support up and down. In the case of a device in which it is difficult to move the base support, it is desirable to adopt a configuration in which the bat side is moved.

【0027】また、基板に当たる清浄空気の流れが急激
に変化すると乾燥ムラが発生する恐れが高くなるため、
移動機構の動作は、乾燥具合に合わせて徐々に変えるこ
とが望ましい。
Also, if the flow of clean air impinging on the substrate changes suddenly, there is a high possibility that drying unevenness will occur.
It is desirable that the operation of the moving mechanism be gradually changed in accordance with the degree of drying.

【0028】請求項8に係る基板処理装置は、請求項7
に記載の装置であって、移動機構によるバットと基板支
持台との相対高さ位置の変化によって、基板の側方を囲
っているバットの側壁が、基板の側方から外れる。
[0028] The substrate processing apparatus according to claim 8 provides the substrate processing apparatus according to claim 7.
The side wall of the bat surrounding the side of the substrate is displaced from the side of the substrate by a change in the relative height position between the bat and the substrate support base by the moving mechanism.

【0029】ここでは、基板の側方を囲っているバット
の側壁が基板の側方から外れるところまで、バットと基
板支持台との相対高さ位置を移動機構により変化させ
る。このように、完全にバットが基板の側方から外れ
て、基板の側方が開放されることによって、基板周囲を
流れる清浄空気の量や速さを増やすことができる。この
状態を、乾燥ムラの発生の恐れが極めて小さい乾燥促進
処理の後半に持ってくれば、乾燥ムラを抑えつつ乾燥時
間を大幅に短縮することができる。
Here, the relative height position between the bat and the substrate support is changed by the moving mechanism until the side wall of the bat surrounding the side of the substrate comes off the side of the substrate. In this way, the bat completely comes off the side of the substrate and the side of the substrate is opened, so that the amount and speed of the clean air flowing around the substrate can be increased. If this state is brought to the latter half of the drying promotion process in which the risk of occurrence of drying unevenness is extremely small, the drying time can be significantly reduced while suppressing drying unevenness.

【0030】請求項9に係る基板処理装置は、請求項7
又は8に記載の装置であって、移動機構は、清浄空気の
流れを作る空気供給源へと次第に基板が近づくように、
基板支持台を上昇させる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the seventh aspect.
Or the apparatus of claim 8, wherein the moving mechanism is configured to gradually move the substrate closer to an air supply that creates a flow of clean air.
Raise the substrate support.

【0031】ここでは、基板支持台が次第に上昇するた
め、バットによる基板の囲い具合が次第に緩まってい
く。すなわち、乾燥が進むにしたがって基板の囲い具合
が緩まるため、乾燥初期に発生し易い乾燥ムラを抑えつ
つ、乾燥後半には清浄空気の流れが強まり乾燥時間が短
くなる。
Here, since the substrate support is gradually raised, the surrounding condition of the substrate by the bat is gradually loosened. That is, since the surroundings of the substrate are loosened as the drying proceeds, the unevenness of drying which is likely to occur in the early stage of drying is suppressed, and the flow of clean air is increased in the latter half of drying, so that the drying time is shortened.

【0032】また、基板支持台が上昇するにしたがって
基板が空気供給源に近づくため、清浄空気の流れがより
強まっていく。これも、乾燥後半の乾燥時間の短縮に寄
与する。
In addition, as the substrate support rises, the substrate approaches the air supply source, so that the flow of clean air is further increased. This also contributes to shortening the drying time in the latter half of drying.

【0033】なお、ガラス基板ではなくプリント基板等
のように基板支持台を移動させる構造を採りやすい場合
には、特に請求項9に係る構成を採用することが容易と
なる。
In the case where a structure for moving the substrate support, such as a printed board instead of a glass substrate, can be easily adopted, the configuration according to claim 9 can be easily adopted.

【0034】また、本請求項における空気供給源として
は、装置を設置するクリーンルームにおいて空気のダウ
ンフローを発生させる天井部や、別個に乾燥促進用に設
けられる空気供給機構などが該当する。
The air supply source in the present invention corresponds to a ceiling for generating a downflow of air in a clean room in which the apparatus is installed, and an air supply mechanism separately provided for promoting drying.

【0035】請求項10に係る基板処理装置は、請求項
7から9のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進処
理部は、基板を支持する基板支持部を、基板支持台とは
別に有している。また、この基板処理装置では、移動機
構によるバットと基板支持台との相対高さ位置の変化に
よって、基板支持台による基板の支持と基板支持部によ
る基板の支持とが切り替わる。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to any one of the seventh to ninth aspects, wherein the drying promotion processing section includes a substrate supporting section for supporting the substrate separately from the substrate supporting table. Have. Further, in this substrate processing apparatus, the support of the substrate by the substrate support and the support of the substrate by the substrate support are switched by the change in the relative height between the bat and the substrate support by the moving mechanism.

【0036】ここでは、基板支持台とは別に基板支持部
を設け、乾燥の途中で基板の支持が切り替わるように構
成したため、基板上の塗布液の乾燥の均一性をさらに高
めることができる。すなわち、基板を長時間同一位置で
支持していると、基板を支持している部分の熱的影響が
基板の被支持部に及んで、その被支持部付近の膜圧など
が変動する恐れがあるが、ここでは基板を支持する部分
が乾燥の途中で変わるので、塗布液の乾燥の均一性が高
くなる。
Here, since the substrate support is provided separately from the substrate support and the support of the substrate is switched during the drying, the uniformity of the drying of the coating solution on the substrate can be further improved. That is, if the substrate is supported at the same position for a long time, the thermal effect of the portion supporting the substrate affects the supported portion of the substrate, and the film pressure and the like near the supported portion may fluctuate. However, here, since the portion supporting the substrate changes during the drying, the uniformity of the drying of the coating liquid is improved.

【0037】なお、基板支持部を複数設けて2回以上基
板の支持が切り替わるようにすることや、基板支持部の
ほうも移動するように構成して基板の支持の切り替わり
回数を増やすことも可能である。
It is to be noted that a plurality of substrate supports may be provided to switch the support of the substrate two or more times, or the substrate support may be configured to move so as to increase the number of times the substrate support is switched. It is.

【0038】請求項11に係る基板処理装置は、請求項
1から10のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進
処理部は、排気機構をさらに有している。排気機構は、
バットの基板よりも下方にある下部空間を排気する機構
である。この排気機構は、基板に対して上方から清浄空
気を当てているときに、基板の乾燥の程度に合わせて排
気量を増やす。
An eleventh aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the first to tenth aspects, wherein the drying promotion processing section further includes an exhaust mechanism. The exhaust mechanism is
This is a mechanism for exhausting a lower space below the bat substrate. This exhaust mechanism increases the amount of exhaust according to the degree of drying of the substrate when the substrate is exposed to clean air from above.

【0039】基板の下方及び側方を囲うバットは、基板
周囲部における横風の発生を抑えて乾燥ムラを防ぐ重要
な部材であるが、乾燥時間の観点から見れば、清浄空気
を滞留させるためマイナスに働く。
The bat which surrounds the lower side and the side of the substrate is an important member for suppressing the generation of the cross wind around the substrate and preventing the drying unevenness. Work on.

【0040】そこで、本請求項の装置では、排気機構を
設けて、基板の下方に位置するバットの下部空間を排気
するようにしている。具体的には、清浄空気により塗布
液を乾燥させているときに、基板の乾燥の程度に合わせ
て排気量を増やしている。このため、基板(の塗布液)
の乾燥が進んで乾燥ムラが発生し難くなったときには、
排気量が増え、清浄空気が基板中央部上方から基板周囲
部を経由して基板の下方に多く流れるようになる。これ
により、基板周囲の清浄空気の流れが強くなり、乾燥時
間が短くなる。一方、乾燥の程度が小さいときには、排
気量が増えていないため、乾燥ムラを抑えつつ徐々に乾
燥が進む。
Therefore, in the apparatus of the present invention, an exhaust mechanism is provided to exhaust the space below the bat located below the substrate. Specifically, when the coating liquid is being dried with clean air, the exhaust amount is increased in accordance with the degree of drying of the substrate. For this reason, the substrate (coating liquid)
When the drying progresses and drying unevenness hardly occurs,
The amount of exhaust increases, and a large amount of clean air flows from above the central portion of the substrate to below the substrate via the peripheral portion of the substrate. Thereby, the flow of the clean air around the substrate is increased, and the drying time is shortened. On the other hand, when the degree of drying is small, the amount of exhaust gas has not increased, so that drying proceeds gradually while suppressing drying unevenness.

【0041】なお、乾燥し始めにおいては、排気機構が
全く排気を行わないことが望ましい。また、請求項11
に記載する排気機構の動作は、請求項7に記載する移動
機構の動作に代えて行ってもよいし、請求項7に記載す
る移動機構の動作に加えて行ってもよい。
At the beginning of drying, it is desirable that the exhaust mechanism does not exhaust at all. Claim 11
The operation of the exhaust mechanism described in (1) may be performed instead of the operation of the moving mechanism described in claim 7, or may be performed in addition to the operation of the moving mechanism described in claim 7.

【0042】請求項12に係る基板処理装置は、請求項
1から11のいずれかに記載の装置であって、乾燥促進
処理部は、上方から基板に対して清浄空気を流す空気供
給機構をさらに有している。
A substrate processing apparatus according to a twelfth aspect is the apparatus according to any one of the first to eleventh aspects, wherein the drying promotion processing unit further includes an air supply mechanism for flowing clean air from above to the substrate. Have.

【0043】ここでは、乾燥促進処理部が独自に空気供
給機構を有しているため、塗布液の種類によって清浄空
気の流れの強さ調整したり、乾燥中に乾燥度合いに合わ
せて風量を変更したりすることが容易にできる。
Here, since the drying promotion processing unit has its own air supply mechanism, the strength of the flow of the clean air is adjusted according to the type of the coating liquid, and the air volume is changed according to the degree of drying during drying. Can be easily done.

【0044】請求項13に係る基板処理装置は、請求項
12に記載の装置であって、空気供給機構は、清浄空気
の高温化、低湿度化、及び低溶剤濃度化の少なくとも1
つを行うことができる。
A thirteenth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the twelfth aspect, wherein the air supply mechanism has at least one of a higher temperature, a lower humidity, and a lower solvent concentration of the clean air.
One can do.

【0045】ここでは、清浄空気の高温化を行ったとき
には、より短時間で基板を乾燥させることができる。ま
た、清浄空気を低湿度化を行ったときにも、より短時間
で基板を乾燥させることができる。
Here, when the temperature of the clean air is increased, the substrate can be dried in a shorter time. Further, even when the humidity of the clean air is reduced, the substrate can be dried in a shorter time.

【0046】また、清浄空気の低溶剤濃度化を行ったと
きにも、清浄空気の溶剤含有率が低下するため、より短
時間で基板を乾燥させることができる。なお、清浄空気
の低溶剤濃度化は、化学吸着フィルター等を用いて、清
浄空気の溶剤含有率を低下させることにより行えばよ
い。
Further, even when the concentration of the solvent in the clean air is reduced, the solvent content of the clean air is reduced, so that the substrate can be dried in a shorter time. The concentration of the solvent in the clean air may be reduced by lowering the solvent content of the clean air using a chemical adsorption filter or the like.

【0047】請求項14に係る基板乾燥方法は、塗布液
の塗布処理を終えた基板を他の処理前に乾燥させる乾燥
処理において用いる基板乾燥方法であって、第1工程と
第2工程とを備えている。第1工程では、基板に対して
清浄空気を当てる。第2工程では、清浄空気の供給源と
基板との相対距離を次第に縮める、あるいは清浄空気の
流れを作る空気供給源を次第に強めることにより、基板
周囲の清浄空気の流れを次第に速める。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate drying method used in a drying process for drying a substrate after the application of a coating solution before another process, wherein the first step and the second step are performed. Have. In the first step, clean air is applied to the substrate. In the second step, the flow of the clean air around the substrate is gradually increased by gradually reducing the relative distance between the supply source of the clean air and the substrate, or by gradually increasing the air supply source that generates the flow of the clean air.

【0048】ここでは、基本的に、基板に清浄空気を当
てる第1工程によって、基板を乾燥させる。そして、乾
燥ムラを抑えつつ基板の乾燥時間を短縮するために、第
2工程において、基板周囲の清浄空気の流れを次第に速
める。すなわち、乾燥を始めたときには基板周囲の清浄
空気の流れは遅いが、基板の乾燥が進むにつれて、基板
周囲の清浄空気の流れが速くなるように第2工程が設け
られている。したがって、本乾燥方法では、乾燥ムラが
発生し易い乾燥初期には遅い清浄空気の流れが基板に当
たり、乾燥がある程度進んで乾燥ムラの発生の恐れが少
なくなると、比較的速い清浄空気の流れが基板に当たる
ようになる。
Here, the substrate is basically dried by the first step of blowing clean air to the substrate. In the second step, the flow of clean air around the substrate is gradually increased in order to reduce drying time of the substrate while suppressing drying unevenness. That is, when the drying is started, the flow of the clean air around the substrate is slow, but the second step is provided so that the flow of the clean air around the substrate becomes faster as the drying of the substrate proceeds. Therefore, in the present drying method, a slow flow of clean air hits the substrate in the initial stage of drying where drying unevenness is likely to occur. Will be hit.

【0049】このように、本請求項の基板乾燥方法を用
いれば、乾燥初期に発生しやすい乾燥ムラを抑えつつ、
次第に基板周囲の清浄空気の流れを強めることにより、
全体としての乾燥時間が短くなる。
As described above, according to the substrate drying method of the present invention, while suppressing drying unevenness which is likely to occur at the beginning of drying,
By gradually increasing the flow of clean air around the substrate,
Overall drying time is reduced.

【0050】[0050]

【発明の実施の形態】[第1実施形態] <装置の全体構成>本発明の一実施形態(第1実施形
態)に係る基板処理装置を図1に示す。この基板処理装
置は、矩形のガラス基板(以下、基板という。)に対し
て、複数の処理ユニットを接続して一貫した処理を可能
にしたレジスト塗布のための装置であり、露光機や現像
処理装置等と接続させることもできる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment <Overall Configuration of Apparatus> FIG. 1 shows a substrate processing apparatus according to one embodiment (first embodiment) of the present invention. This substrate processing apparatus is an apparatus for resist coating that connects a plurality of processing units to a rectangular glass substrate (hereinafter, referred to as a substrate) to enable consistent processing. It can be connected to a device or the like.

【0051】この基板処理装置は、枚葉式の装置であっ
て、搬入部1、スピンコータ部(塗布処理部)2、乾燥
促進処理部3、エッジリンス部4、載置部5、及びベー
ク部6から構成されている。この基板処理装置は、例え
ば前工程の装置である基板洗浄装置11と後工程の装置
である露光機12との間に配置され、基板洗浄装置11
からコンベア等の搬送手段によって搬入部1へと基板を
搬入し、ベーク部6から露光機12へと搬送ロボット等
によって基板を搬出する。搬入部1から載置部5まで
は、複数のハンドを持ち基板を隣接する処理部へ順送り
してゆく間歇移送スライダー7a〜7bによって基板が
搬送される。
This substrate processing apparatus is a single-wafer type apparatus, and includes a loading section 1, a spin coater section (coating processing section) 2, a drying acceleration processing section 3, an edge rinsing section 4, a placing section 5, and a baking section. 6. The substrate processing apparatus is disposed, for example, between a substrate cleaning apparatus 11 that is a pre-processing apparatus and an exposure machine 12 that is a post-processing apparatus.
Then, the substrate is carried into the carry-in section 1 by carrying means such as a conveyor, and is carried out from the baking section 6 to the exposure machine 12 by a carrying robot or the like. From the loading unit 1 to the placement unit 5, the substrates are transported by intermittent transfer sliders 7a to 7b which have a plurality of hands and sequentially transport the substrates to the adjacent processing unit.

【0052】なお、この基板処理装置は、図2に示すよ
うなクリーンルーム10内に設置される。クリーンルー
ム10では、HEPAフィルター(high efficiency pa
rticulate air filter)10bで構成される天井の全面
から清浄空気が室内に流入し、その空気が床全面から流
出している。すなわち、クリーンルーム10では、垂直
に一方向流(ダウンフロー)が発生する。クリーンルー
ム10の下部には、フリーアクセス空間をその下部に形
成する鋼製あるいはステンレス製のすのこ状のグレーテ
ィングパネル(床パネル)10aが設置されている。グ
レーティングパネル10aには、吸い込み口が多数設け
られている。また、エアーフローは、図2に示すよう
に、ブロワー10cによって生成されている。
The substrate processing apparatus is installed in a clean room 10 as shown in FIG. In the clean room 10, the HEPA filter (high efficiency pa)
The clean air flows into the room from the entire surface of the ceiling constituted by the rticulate air filter (10b), and the air flows out from the entire floor. That is, in the clean room 10, a one-way flow (downflow) occurs vertically. In the lower part of the clean room 10, a steel or stainless steel grating-like grating panel (floor panel) 10a that forms a free access space in the lower part is installed. The grating panel 10a is provided with a large number of suction ports. The air flow is generated by the blower 10c as shown in FIG.

【0053】<乾燥促進処理部の構成>次に、乾燥促進
処理部3の構成について説明する。乾燥促進処理部3
は、主として、基板Wに清浄空気を緩やかに吹き出すエ
アー供給装置30(図3参照)と、基板Wを載置する基
板支持台21(図4〜図9参照)と、バット26とから
構成されている。
<Structure of Drying Acceleration Processing Unit> Next, the structure of the drying acceleration processing unit 3 will be described. Drying promotion processing section 3
Is mainly composed of an air supply device 30 (see FIG. 3) for gently blowing clean air to the substrate W, a substrate support 21 on which the substrate W is mounted (see FIGS. 4 to 9), and a bat 26. ing.

【0054】(エアー供給装置)エアー供給装置30
は、図3に示すように、HEPAフィルター31と、ブ
ロワー(送風機)33と、HEPAフィルター31とブ
ロワー33とをつなぐ供給配管(供給経路)32とから
構成されている。HEPAフィルター31は、定格風量
で粒径が0.3μmの粒子に対して99.97%以上の
粒子捕集率を有し、かつ初期圧力損失が一般に300P
a以下の性能を持つエアフィルターである。なお、ここ
ではHEPAフィルター31を採用しているが、必要に
応じてULPAフィルターを使用しても良い。ブロワー
は、HEPAフィルター31にエアーを供給する送風機
であり、クリーンルーム10内に設置してもよいし、基
板Wの直上にHEPAフィルター31を配しているため
クリーンルーム10の外に設置することもできる。な
お、ブロワー33をクリーンルーム内に設置したときに
は、クリーンルーム10内のHEPAフィルター10b
を通った清浄な空気をHEPAフィルター31に送るこ
とができ、さらにHEPAフィルター31の設置を省略
することも可能である。但し、クリーンルーム10内へ
のブロワー33の設置によってパーティクルが発生する
恐れのある場合には、ブロワー33はクリーンルーム1
0の外に設置することが望ましい。また、ブロワー33
を出たエアーは、ブロワー33と供給配管32との間に
配置されているヒーター34によって加熱される。すな
わち、エアー供給装置30は、ヒーター34を作動させ
ることによって、HEPAフィルター31から吹き出す
清浄空気の温度を上げることができる。
(Air supply device) Air supply device 30
3 includes a HEPA filter 31, a blower (blower) 33, and a supply pipe (supply path) 32 connecting the HEPA filter 31 and the blower 33, as shown in FIG. The HEPA filter 31 has a particle collection rate of 99.97% or more for particles having a rated air volume of 0.3 μm and an initial pressure loss of generally 300P.
a is an air filter having the following performance. Although the HEPA filter 31 is used here, an ULPA filter may be used if necessary. The blower is a blower that supplies air to the HEPA filter 31 and may be installed in the clean room 10 or may be installed outside the clean room 10 because the HEPA filter 31 is arranged immediately above the substrate W. . When the blower 33 is installed in the clean room, the HEPA filter 10b in the clean room 10
The clean air that has passed through can be sent to the HEPA filter 31, and the installation of the HEPA filter 31 can be omitted. However, if particles may be generated by installing the blower 33 in the clean room 10, the blower 33 is
It is desirable to set it outside of zero. Also, blower 33
Is heated by a heater 34 disposed between the blower 33 and the supply pipe 32. That is, the air supply device 30 can increase the temperature of the clean air blown out from the HEPA filter 31 by operating the heater 34.

【0055】また、エアー供給装置30は、HEPAフ
ィルター31の下部から、図3の1点鎖線の矢印に示す
ように、基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出す。
このエアーは、HEPAフィルター31を通過している
ため、清浄な空気である。基板Wの表面付近でのエアー
の流速は、HEPAフィルター31から基板Wまでの距
離とブロワー33の出力とから決まる。
Further, the air supply device 30 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 31 toward the substrate W as indicated by a dashed line arrow in FIG.
This air is clean air since it has passed through the HEPA filter 31. The flow velocity of the air near the surface of the substrate W is determined by the distance from the HEPA filter 31 to the substrate W and the output of the blower 33.

【0056】(基板支持台)基板支持台21は、図5〜
図8に示すように、矩形の基板Wを水平状態で保持する
ための台である。基板支持台21は、図4に示すよう
に、基板Wの大きさと略同じ(基板Wの端面よりも20
〜25mmぐらい外側に端部がある程度)又は若干小さ
い矩形形状の本体21aを有し、その本体21aの上面
に基板支持ピン21bが複数設けられている。なお、基
板Wは、500〜1000mm角の薄いガラス基板であ
るが、図面においては、理解の容易のため模式的に表示
している。すなわち、基板Wの図面寸法は、実寸と異な
っている。これに伴い、基板支持台21の図面寸法も、
実寸と異なっている。
(Substrate Support) The substrate support 21 is shown in FIGS.
As shown in FIG. 8, it is a table for holding a rectangular substrate W in a horizontal state. As shown in FIG. 4, the substrate support 21 has a size substantially equal to the size of the substrate W (20 mm from the end surface of the substrate W).
The main body 21a has a rectangular body 21a whose end is somewhat smaller by about 25 mm or slightly smaller, and a plurality of substrate support pins 21b are provided on the upper surface of the main body 21a. Although the substrate W is a thin glass substrate of 500 to 1000 mm square, it is schematically shown in the drawings for easy understanding. That is, the drawing dimensions of the substrate W are different from the actual dimensions. Along with this, the drawing dimensions of the substrate support table 21 also
It is different from the actual size.

【0057】この基板支持台21は、昇降装置23によ
り上昇・下降する昇降シャフト22の上端に固定されて
おり、昇降装置23の駆動により上下に垂直移動する。
昇降シャフト22は、後述するバット26の開口26c
を貫通している。昇降装置23としては、例えば電動ボ
ールネジを用いたものを用いればよい。
The substrate support 21 is fixed to the upper end of an elevating shaft 22 which is raised and lowered by an elevating device 23, and vertically moves by driving the elevating device 23.
The elevating shaft 22 is provided with an opening 26c of a bat 26 described later.
Penetrates. As the elevating device 23, for example, a device using an electric ball screw may be used.

【0058】(バット)バット26は、基板支持台21
により保持された基板Wの下方及び側方を囲い得る薄板
構造体であって、図4に示すように、主として、底面板
26aと、側壁板26bとから構成される。底面板26
aは、平面視において基板支持台21よりも一回り大き
く、図4に示すように、その中央に開口26cが開けら
れている。また、底面板26aの開口26cの周囲に
は、O−リングやV−リングといったシール部材29が
装着される。このシール部材29は、基板支持台21の
本体21aに対してバット26が近づいたときに、基板
支持台21の本体21aと底面板26aとの間に挟まれ
る。側壁板26bは、底面板26aの各辺の端部から鉛
直上方に延びるもので、図6に示すような高さ(H1+
H2)を有している。
(Bat) The bat 26 is mounted on the substrate support 21.
This is a thin plate structure that can enclose the lower side and the side of the substrate W held by the above, and is mainly composed of a bottom plate 26a and a side wall plate 26b as shown in FIG. Bottom plate 26
a is slightly larger than the substrate support 21 in plan view, and has an opening 26c at the center as shown in FIG. A seal member 29 such as an O-ring or a V-ring is mounted around the opening 26c of the bottom plate 26a. The seal member 29 is sandwiched between the main body 21a of the substrate support 21 and the bottom plate 26a when the butt 26 approaches the main body 21a of the substrate support 21. The side wall plate 26b extends vertically upward from the end of each side of the bottom plate 26a, and has a height (H1 +
H2).

【0059】このバット26は、昇降装置27の駆動に
より上下に垂直移動する。昇降装置27としては、例え
ば電動ボールネジを用いたものを用いればよい。 <装置全体の制御・動作>この基板処理装置では、まず
間歇移送スライダー7aによって基板が搬入部1からス
ピンコータ部2に運ばれて、基板に対してレジスト(塗
布液)の塗布が行われる。スピンコータ部2は、レジス
ト供給系、スピンモータ、カップ等により構成されてお
り、水平に載置された基板上にレジストを滴下し基板を
回転させることによって基板上に均一なレジスト膜を形
成させる。レジスト膜が形成された基板は、乾燥促進処
理部3に運ばれて、ある程度まで乾燥させられる。ここ
での制御・動作については、後述する。この後、基板は
エッジリンス部4に移される。エッジリンス部4では、
基板端面のレジスト膜が剥がれて発塵してしまうことを
防止するために、基板表面の周辺や端面部分のレジスト
を溶剤により取り除く処理が行われる。これらのレジス
ト塗布に関する各処理を終えた基板は、図示しないロボ
ットによって載置部5からベーク部6に移される。ベー
ク部6では、基板上のレジスト膜中の残留溶剤の蒸発と
基板の密着性強化を目的として、熱処理が行われる。こ
のベーク部6は複数の加熱部及び冷却部を有しており、
基板はこれらに対して順番に搬入及び搬出される。こう
して加熱及び冷却処理が施された基板は、露光機12に
搬出されていく。
The bat 26 moves vertically up and down by driving the lifting device 27. As the elevating device 27, for example, a device using an electric ball screw may be used. <Control and Operation of the Entire Apparatus> In this substrate processing apparatus, first, the substrate is carried from the loading section 1 to the spin coater section 2 by the intermittent transfer slider 7a, and a resist (coating liquid) is applied to the substrate. The spin coater unit 2 includes a resist supply system, a spin motor, a cup, and the like, and forms a uniform resist film on a horizontally mounted substrate by dropping the resist on the substrate and rotating the substrate. The substrate on which the resist film has been formed is carried to the drying promotion processing unit 3 and dried to a certain extent. The control and operation here will be described later. Thereafter, the substrate is moved to the edge rinsing section 4. In the edge rinse section 4,
In order to prevent the resist film on the end face of the substrate from being peeled off and generating dust, a process of removing the resist on the periphery of the substrate surface and the end face portion with a solvent is performed. The substrate that has been subjected to each of the processes related to the resist coating is transferred from the mounting unit 5 to the baking unit 6 by a robot (not shown). In the bake section 6, heat treatment is performed for the purpose of evaporating the residual solvent in the resist film on the substrate and enhancing the adhesion of the substrate. This bake section 6 has a plurality of heating sections and cooling sections,
The substrates are carried in and out of these in order. The substrate subjected to the heating and cooling processing is carried out to the exposure machine 12.

【0060】<乾燥促進処理部の制御・動作>次に、乾
燥促進処理部3における基板の乾燥について説明する。
ここでは、スピンコータ部2からスライダー7aによっ
て送られてきた基板W(図4参照)が、図5に示すよう
に、まず基板支持台21上に載せられる。このときに
は、昇降装置23により基板支持台21が所定の高さま
で上昇する。
<Control / Operation of Drying Acceleration Processing Unit> Next, drying of a substrate in the drying acceleration processing unit 3 will be described.
Here, the substrate W (see FIG. 4) sent from the spin coater unit 2 by the slider 7a is first placed on the substrate support 21 as shown in FIG. At this time, the substrate support 21 is raised to a predetermined height by the lifting device 23.

【0061】基板Wが基板支持台21の載ってスライダ
ー7aが基板支持台21の上方から外れると、バット2
6が昇降装置27の駆動によって図6に示す高さ位置ま
で上昇してくる。そして、エアー供給装置30のHEP
Aフィルター31から清浄空気が下方に流される。
When the substrate W rests on the substrate support 21 and the slider 7a comes off from above the substrate support 21, the butt 2
6 rises to the height position shown in FIG. Then, the HEP of the air supply device 30
Clean air is flowed downward from the A filter 31.

【0062】図6に示す乾燥初期の基板Wの高さ位置
は、基板Wの上面からバット26の側壁板26bの上端
までの距離が寸法H1、基板Wの上面からバット26の
底面板26aの上面までの距離が寸法H2である。ここ
では、寸法H1を40mm、寸法H2を10mmとして
いる。これらの設定寸法は、試験を繰り返した結果、基
板Wの周囲部分での乾燥ムラが最も少なくなったものを
用いている。なお、これらの乾燥初期における寸法は、
寸法H1については10mm以上、寸法H2については
50mm以下であれば、基板Wの周囲部分での乾燥ムラ
が少なくなることが確認されている。
The height position of the substrate W in the initial stage of the drying shown in FIG. 6 is such that the distance from the upper surface of the substrate W to the upper end of the side wall plate 26b of the bat 26 is the dimension H1, and the height position of the bottom plate 26a of the bat 26 from the upper surface of the substrate W. The distance to the upper surface is a dimension H2. Here, the dimension H1 is 40 mm, and the dimension H2 is 10 mm. As these set dimensions, those in which the drying unevenness in the peripheral portion of the substrate W is minimized as a result of repeating the test are used. In addition, these dimensions in the initial stage of drying,
It has been confirmed that when the dimension H1 is 10 mm or more and the dimension H2 is 50 mm or less, drying unevenness in the peripheral portion of the substrate W is reduced.

【0063】時間が経過し基板Wの乾燥が進むにつれ
て、バット26を段階的に(あるいは無段階に)下降さ
せる。これにより、バット26による基板Wの囲い具合
を緩めていく。例えば、図7に示す段階では、基板Wの
上面からバット26の側壁板26bの上端までの寸法H
3が10mm、基板Wの上面からバット26の底面板2
6aの上面までの寸法H4が40mmである。図6に示
す状態から図7に示す状態に移行するまでに、さらに1
段階設けることもできる。
As time elapses and the drying of the substrate W proceeds, the bat 26 is lowered stepwise (or steplessly). Thereby, the degree of surrounding the substrate W by the bat 26 is loosened. For example, at the stage shown in FIG. 7, the dimension H from the upper surface of the substrate W to the upper end of the side wall plate 26b of the bat 26 is set.
3 is 10 mm from the top surface of the substrate W to the bottom plate 2 of the bat 26.
The dimension H4 up to the upper surface of 6a is 40 mm. Before the state shown in FIG. 6 shifts to the state shown in FIG.
Steps may be provided.

【0064】そして、乾燥の最終段階では、図8に示す
ように、基板Wの上面がバット26の側壁板26bの上
端よりも高くなるようにしてもよいし、図7に示す状態
を乾燥の最終段階としてもよい。
At the final stage of drying, the upper surface of the substrate W may be higher than the upper end of the side wall plate 26b of the bat 26 as shown in FIG. 8, or the state shown in FIG. It may be the final stage.

【0065】基板Wの乾燥を終えると、基板支持台21
からスライダー7cへと基板Wを受け渡し、スライダー
7cによって基板Wをエッジリンス部4へと移送する。 <装置の特徴> (1)本装置の乾燥促進処理部3では、エアー供給装置
30から基板Wに向けて下向きに清浄空気が吹き出され
る。この清浄空気の流れは、HEPAフィルター31を
通ることによって整流されたものとなっている。このよ
うな整流された清浄空気が基板Wに当たるため、基板W
の表面上のレジストは、その表面形状がレベリングされ
ながら乾燥していく。基板Wの表面付近における蒸発し
たレジストの溶媒ガスの滞留が清浄空気により押し流さ
れるため、基板Wの乾燥が促進される。
When the drying of the substrate W is completed, the substrate support 21
Then, the substrate W is transferred to the slider 7c, and the substrate W is transferred to the edge rinse section 4 by the slider 7c. <Features of Apparatus> (1) In the drying promotion processing unit 3 of the present apparatus, clean air is blown downward from the air supply apparatus 30 toward the substrate W. The flow of the clean air is rectified by passing through the HEPA filter 31. Since such rectified clean air hits the substrate W, the substrate W
The resist on the surface is dried while its surface shape is leveled. Since the solvent gas of the evaporated resist near the surface of the substrate W is swept away by the clean air, the drying of the substrate W is promoted.

【0066】また、清浄空気を基板Wに吹き出している
ため、パーティクル等が基板Wに付着する心配もない。 (2)本装置の乾燥促進処理部3では、エアー供給装置
30によって清浄空気の基板Wに対する流れを生成して
いる。クリーンルーム10内のダウンフローをそのまま
使って基板Wを乾燥させることも可能であるが、より短
時間で乾燥を行わせるために、ここでは別途エアー供給
装置30を設けている。
Further, since the clean air is blown to the substrate W, there is no fear that particles and the like adhere to the substrate W. (2) In the drying promotion processing section 3 of the present apparatus, the flow of the clean air to the substrate W is generated by the air supply device 30. Although it is possible to dry the substrate W using the downflow in the clean room 10 as it is, an air supply device 30 is separately provided here to dry the substrate W in a shorter time.

【0067】また、エアー供給装置30にはヒーター3
4が装備されているため、スピンコータ部2において基
板Wに塗布されるレジストの種類に応じて基板Wに供給
する洗浄空気の温度を上げることができる。これによ
り、乾燥促進処理部3における基板Wの乾燥をより促進
させることが可能である。
The heater 3 is provided in the air supply device 30.
4, the temperature of the cleaning air supplied to the substrate W in the spin coater 2 can be increased in accordance with the type of resist applied to the substrate W. Thereby, it is possible to further promote the drying of the substrate W in the drying promotion processing unit 3.

【0068】(3)本装置の乾燥促進処理部3では、基
板Wに上方から清浄空気を当てることで基板Wの乾燥を
促進させるとともに、清浄空気が基板Wの中央部上方か
ら周囲部を経由して基板Wの下方に流れていかないよう
に、基板Wの下方及び側方をバット26で囲っている。
このようにバット26で囲っているため、多少基板Wに
当てる清浄空気の流速を速めても、基板Wの周辺部にお
いて内側から外側に向かう横風が殆ど発生せず、乾燥時
における基板W上のレジスト膜の乾燥ムラが抑制され
る。また、清浄空気の流速を速めることができるため、
乾燥時間も短くなる。
(3) In the drying promotion processing section 3 of the present apparatus, the drying of the substrate W is promoted by irradiating the substrate W with clean air from above, and the clean air passes from above the central portion of the substrate W to the peripheral portion. In order not to flow below the substrate W, the lower side and the side of the substrate W are surrounded by the bat 26.
Thus, even if the flow rate of the clean air applied to the substrate W is slightly increased, a crosswind from the inside to the outside is hardly generated in the peripheral portion of the substrate W, and the cross-section on the substrate W during drying is slightly increased. Drying unevenness of the resist film is suppressed. Also, since the flow rate of clean air can be increased,
The drying time is also shorter.

【0069】もしも、バット26が存在しない装置にお
いて、流速の速い清浄空気を基板Wに当てたとすると、
図10に示すように乾燥ムラ(風紋UE)が基板W上に
発生してしまう。図10(a)に示すように基板支持台
321上の載せられた基板Wにエアーを上方から流す
と、基板Wの中央部においては渦状の弱い乱流F1が生
じるが、基板Wの周辺部においては基板Wの内側から外
側へ向かう気流F2が生じる。この気流F2は図10
(b)の拡大平面図に示すように基板表面に沿ったほぼ
一方向への流れとなる傾向があり、乾燥されるレジスト
膜には、その気流F2の流れ方向に沿って、いわゆる風
紋UEができてしまうおそれがある(図10(c)参
照)。
If, in an apparatus without the bat 26, clean air with a high flow velocity is applied to the substrate W,
As shown in FIG. 10, drying unevenness (wind ripple UE) occurs on the substrate W. As shown in FIG. 10A, when air flows from above onto the substrate W placed on the substrate support 321, a weak turbulent flow F1 occurs in the center of the substrate W, but the peripheral portion of the substrate W , An airflow F2 from the inside to the outside of the substrate W is generated. This air flow F2 is shown in FIG.
As shown in the enlarged plan view of (b), the flow tends to flow in almost one direction along the surface of the substrate, and a so-called wind ripple UE is formed on the dried resist film along the flow direction of the gas flow F2. There is a possibility that it will be possible (see FIG. 10C).

【0070】これに対し、本装置の乾燥促進処理部3で
は、少なくとも乾燥初期には基板Wをバット26で囲っ
ているため、図6に示すように、基板Wの周辺部におけ
る基板Wの内側から外側へ向かう気流(横風)が抑えら
れ、風紋UEが殆ど発生しなくなる。
On the other hand, in the drying promotion processing section 3 of the present apparatus, the substrate W is surrounded by the bat 26 at least in the initial stage of the drying, and therefore, as shown in FIG. The airflow (crosswind) from outside to the outside is suppressed, and the wind ripple UE hardly occurs.

【0071】(4)本願の発明者によるテスト結果で
は、基板Wの側方を囲うバット26の側壁板26bが基
板Wの上面よりも10mm以上高いものであるときに横
風の発生度合いが著しく低下することが確認されてい
る。
(4) According to the test results by the inventor of the present invention, when the side wall plate 26b of the bat 26 surrounding the side of the substrate W is higher than the upper surface of the substrate W by 10 mm or more, the degree of occurrence of the side wind is significantly reduced. Has been confirmed to be.

【0072】これに鑑み、本装置の乾燥促進処理部3で
は、バット26の側壁板26bの上端が基板Wの上面よ
りも10mm以上高い位置にくるように構成している。
具体的には、テストの繰り返しから得られた結果によ
り、最も横風を抑えることができた寸法のバット26
(側壁板26bの上端が基板Wの上面よりも約40mm
高い位置にきているもの)を採用している。
In view of this, the drying promotion processing section 3 of the present apparatus is configured such that the upper end of the side wall plate 26b of the bat 26 is at a position higher than the upper surface of the substrate W by 10 mm or more.
Specifically, according to the results obtained from the repetition of the test, the bat 26 having the dimension that can minimize the
(The upper end of the side wall plate 26b is about 40 mm higher than the upper surface of the substrate W.
That are at a higher position).

【0073】また、本願の発明者によるテスト結果で
は、横風による乾燥ムラ(風紋)を抑えるためには、バ
ット26の底面板26aをできるだけ基板Wに近づけ、
基板Wの下方に清浄空気が流れにくい状態を作らなけれ
ばならないことが判明している。
According to the test results by the inventor of the present invention, in order to suppress drying unevenness (wind ripples) due to cross wind, the bottom plate 26a of the bat 26 is brought as close to the substrate W as possible.
It has been found that it is necessary to create a state in which clean air does not easily flow below the substrate W.

【0074】これに鑑み、本装置の乾燥促進処理部3で
は、乾燥ムラを許容レベル内に抑えるために、バット2
6の底面板26aが基板Wの上面から50mm下がった
位置よりも高い位置にくるように構成している。具体的
には、乾燥ムラの発生が殆どない寸法のバット26(底
面板26aが基板Wの上面に対して約10mmまで近づ
くもの)を採用している。
In view of this, in the drying promotion processing unit 3 of the present apparatus, the bat 2
6, so that the bottom plate 26a is positioned higher than a position 50 mm below the upper surface of the substrate W. Specifically, a bat 26 (the bottom plate 26a is close to the upper surface of the substrate W up to about 10 mm) having almost no drying unevenness is employed.

【0075】(5)本装置の乾燥促進処理部3では、バ
ット26の底面板26aの開口26cの周囲に、O−リ
ング等のシール部材29を装着している。このシール部
材29は、図6に示すように、基板乾燥時にバット26
が上昇し、基板支持台21の本体21aに対してバット
26が近づいたときに、基板支持台21の本体21aと
底面板26aとの間に挟まれ、両者21a,26aの間
をシールする。
(5) In the drying promotion processing section 3 of the present apparatus, a seal member 29 such as an O-ring is mounted around the opening 26c of the bottom plate 26a of the bat 26. As shown in FIG. 6, this seal member 29
Rises, and when the bat 26 approaches the main body 21a of the substrate support 21, the butt 26 is sandwiched between the main body 21a of the substrate support 21 and the bottom plate 26a to seal between the two 21a, 26a.

【0076】このため、基板支持台21を上下動させる
ための昇降シャフト22を貫通させる開口26cが底面
板26aに開いている場合においても、図6に示す乾燥
初期には、基板Wの周囲の空間が下方に完全に閉じた状
態となる。したがって、基板Wの乾燥初期に清浄空気が
基板Wの周囲部を経由して基板Wの下方に流れる現象が
ほぼ完全に抑えられ、乾燥ムラの発生がより少なくな
る。このようにシールすることは、特にカラーレジスト
等の敏感な薬液を用いる場合に有効となる。
For this reason, even when the opening 26c through which the elevating shaft 22 for vertically moving the substrate support 21 is passed is opened in the bottom plate 26a, the periphery of the substrate W in the initial stage of drying shown in FIG. The space is completely closed downward. Therefore, the phenomenon that the clean air flows below the substrate W via the peripheral portion of the substrate W at the initial stage of the drying of the substrate W is almost completely suppressed, and the occurrence of drying unevenness is further reduced. Such sealing is particularly effective when a sensitive chemical such as a color resist is used.

【0077】(6)基板Wの下方及び側方を囲うバット
26は、基板Wの周囲部における横風の発生を抑えて乾
燥ムラを防ぐ重要な構成要素であるが、乾燥時間の観点
から見れば、清浄空気をバット26内に滞留させること
になるためマイナスに働く。
(6) The bat 26 surrounding the lower side and the side of the substrate W is an important component that suppresses the generation of the cross wind around the substrate W and prevents uneven drying. From the viewpoint of the drying time, In this case, the clean air stays in the bat 26, so that it acts negatively.

【0078】このような問題点を小さく抑えるために、
本装置の乾燥促進処理部3では、バット26を上下に移
動させる昇降装置27を設け、乾燥時において、次第に
バット26が下降するように制御している。これによ
り、乾燥初期のように乾燥ムラが発生しやすいときには
バット26による基板Wの囲い具合が強化され、乾燥ム
ラが発生する恐れが小さくなった乾燥後期には基板Wの
囲い具合が緩まる。したがって、乾燥初期においては、
乾燥ムラの発生が抑えられ、乾燥後期においては、囲い
具合が緩まり基板Wの周囲での清浄空気の流れが強くな
ることによって乾燥時間が短くなる。
In order to reduce such a problem,
In the drying promotion processing section 3 of the present apparatus, an elevating device 27 for moving the bat 26 up and down is provided, and the bat 26 is controlled to gradually descend during drying. Thereby, when drying unevenness is likely to occur as in the early stage of drying, the surrounding condition of the substrate W by the bat 26 is strengthened, and in the latter half of drying when the risk of occurrence of drying unevenness is reduced, the surrounding condition of the substrate W is relaxed. Therefore, in the early stage of drying,
The occurrence of drying unevenness is suppressed, and in the latter stage of drying, the enclosure is loosened and the flow of clean air around the substrate W is increased, thereby shortening the drying time.

【0079】なお、バット26と基板支持台21との相
対高さ位置を変えるため、ここでは基板乾燥中にバット
26を移動させている。これは、大きく薄いガラス基板
Wを支持している基盤支持台21を移動させるよりも、
バット26を移動させるほうが容易であることによる。
Here, in order to change the relative height position between the bat 26 and the substrate support 21, the bat 26 is moved during the drying of the substrate. This is better than moving the base support 21 supporting the large and thin glass substrate W.
This is because it is easier to move the bat 26.

【0080】(7)図8に示すように、乾燥の最終段階
においてバット26の側壁板26bが基板Wの側方から
外れるようにした場合には、基板Wの側方が開放される
ため、基板Wの周囲を流れる清浄空気の量や速さがより
増加して、乾燥時間が大幅に短縮される。
(7) As shown in FIG. 8, if the side wall plate 26b of the bat 26 is separated from the side of the substrate W in the final stage of drying, the side of the substrate W is opened. The amount and speed of the clean air flowing around the substrate W is further increased, and the drying time is greatly reduced.

【0081】[第2実施形態]上記第1実施形態のエア
ー供給装置30に風量調整機能や湿度調整機能を持たせ
ることも可能である。
[Second Embodiment] The air supply device 30 of the first embodiment may have an air volume adjusting function and a humidity adjusting function.

【0082】エアー供給装置30に基板Wに供給する洗
浄空気の量を調整する風量調整機能を持たせた場合、ス
ピンコータ部2において基板Wに塗布されるレジストの
種類によって基板Wに供給する風量を調整することがで
き、基板Wの乾燥状態を最適なものにすることが可能と
なる。具体的には、ブロワー33の出力調整の他、供給
配管32にダンパーを設けたり、HEPAフィルター3
1から基板Wまでの距離を調整したりする方法がある。
When the air supply device 30 is provided with an air volume adjusting function for adjusting the amount of cleaning air supplied to the substrate W, the amount of air supplied to the substrate W in the spin coater 2 depends on the type of resist applied to the substrate W. It can be adjusted, and the dried state of the substrate W can be optimized. Specifically, in addition to adjusting the output of the blower 33, a damper is provided in the supply pipe 32, and the HEPA filter 3
There is a method of adjusting the distance from 1 to the substrate W.

【0083】また、エアー供給装置30に基板Wに供給
する洗浄空気の湿度を調整する湿度調整機能を持たせた
場合、スピンコータ部2において基板Wに塗布されるレ
ジストの種類によって基板Wに供給する洗浄空気の湿度
を調整することができ、基板Wの乾燥状態を最適なもの
にすることが可能となる。具体的には、除湿装置をブロ
アー33の吸い込み側あるいは吹き出し側に設ける方法
がある。
When the air supply device 30 is provided with a humidity adjustment function for adjusting the humidity of the cleaning air supplied to the substrate W, the air is supplied to the substrate W according to the type of resist applied to the substrate W in the spin coater 2. The humidity of the cleaning air can be adjusted, and the dry state of the substrate W can be optimized. Specifically, there is a method of providing a dehumidifying device on the suction side or the blowing side of the blower 33.

【0084】[第3実施形態]上記第1実施形態のエア
ー供給装置30に化学吸着フィルターを装備させること
もできる。この場合、基板Wに当たる洗浄空気に含まれ
る溶剤の含有率が低下するため、乾燥促進処理部3にお
いて、より短時間で乾燥を行えるようになる。
[Third Embodiment] The air supply device 30 of the first embodiment may be equipped with a chemical adsorption filter. In this case, since the content of the solvent contained in the cleaning air impinging on the substrate W decreases, the drying can be performed in the drying promotion processing unit 3 in a shorter time.

【0085】[第4実施形態]本実施形態では、上記第
1実施形態のエアー供給装置30に代えて、図11に示
すエアー供給装置40を用いている。
[Fourth Embodiment] In this embodiment, an air supply device 40 shown in FIG. 11 is used in place of the air supply device 30 of the first embodiment.

【0086】図11に示すエアー供給装置40は、HE
PAフィルター41と、ブロワー42とから構成されて
いる。HEPAフィルター41は基板支持台21に載置
される基板Wの上方に配置され、ブロワー42はそのH
EPAフィルター41の上方に配置される。HEPAフ
ィルター41はHEPAフィルター31と同様のエアフ
ィルターであり、ブロワー42はブロワー33と同様の
送風機である。このエアー供給装置40は、HEPAフ
ィルター41の下部から、図11の1点鎖線の矢印に示
すように、基板Wに向かって下向きにエアーを吹き出
す。このエアーは、ブロワー42の作動によってクリー
ンルーム10のHEPAフィルター10bからダウンフ
ローしている清浄空気が更にHEPAフィルター41を
通過したものであり、清浄な空気である。
The air supply device 40 shown in FIG.
It comprises a PA filter 41 and a blower 42. The HEPA filter 41 is arranged above the substrate W placed on the substrate support 21, and the blower 42
It is arranged above the EPA filter 41. The HEPA filter 41 is an air filter similar to the HEPA filter 31, and the blower 42 is a blower similar to the blower 33. The air supply device 40 blows air downward from the lower part of the HEPA filter 41 toward the substrate W, as indicated by a dashed line arrow in FIG. This air is clean air that is the clean air that has flowed down from the HEPA filter 10b of the clean room 10 by the operation of the blower 42 and has further passed through the HEPA filter 41.

【0087】ここでは、HEPAフィルター41に加
え、ブロワー42も基板Wの上方に配置されており、ク
リーンルーム10内の基板Wよりも上方にあるHEPA
フィルター10bを出たばかりの清浄な空気をHEPA
フィルター41を介して基板Wに吹き出すことができ
る。
Here, in addition to the HEPA filter 41, a blower 42 is also disposed above the substrate W, and the HEPA above the substrate W in the clean room 10.
Clean air that has just left the filter 10b is HEPA
It can be blown out to the substrate W via the filter 41.

【0088】[第5実施形態]上記第1実施形態では昇
降装置27によりバット26の上下移動を可能にしてい
るが、図12〜図15に示すように、バット26を固定
とすることも可能である。
[Fifth Embodiment] In the first embodiment, the bat 26 can be moved up and down by the lifting device 27. However, as shown in FIGS. 12 to 15, the bat 26 can be fixed. It is.

【0089】<乾燥促進処理部の制御・動作>本実施形
態の装置では、スピンコータ部2からスライダー7aに
よって送られてきた基板W(図12参照)が、図13に
示すように、まず基板支持台21上に載せられる。この
ときには、昇降装置23により基板支持台21が所定の
高さまで上昇する。
<Control / Operation of Drying Acceleration Processing Unit> In the apparatus of the present embodiment, the substrate W (see FIG. 12) sent from the spin coater unit 2 by the slider 7a first receives the substrate support as shown in FIG. It is placed on the table 21. At this time, the substrate support 21 is raised to a predetermined height by the lifting device 23.

【0090】基板Wが基板支持台21に載り移ると、ス
ライダー7aが基板支持台21の上方から外れるととも
に、基板支持台21が図14に示すポジションまで下降
し、エアー供給装置30のHEPAフィルター31から
清浄空気が下方に流され始める。
When the substrate W is transferred onto the substrate support 21, the slider 7 a comes off from above the substrate support 21, and the substrate support 21 descends to the position shown in FIG. From which clean air begins to flow downward.

【0091】図14に示す乾燥初期の基板Wの高さ位置
は、基板Wの上面からバット26の側壁板26bの上端
までの距離が寸法H1、基板Wの上面からバット26の
底面板26aの上面までの距離が寸法H2である。各寸
法H1,H2は、第1実施形態と同じく、寸法H1が4
0mm、寸法H2が10mmである。
The height position of the substrate W in the initial stage of the drying shown in FIG. 14 is such that the distance from the upper surface of the substrate W to the upper end of the side wall plate 26b of the bat 26 is the dimension H1, and the height position of the bottom plate 26a of the bat 26 from the upper surface of the substrate W. The distance to the upper surface is a dimension H2. Each of the dimensions H1 and H2 is 4 as in the first embodiment.
0 mm and the dimension H2 is 10 mm.

【0092】時間が経過し基板Wの乾燥が進むにつれ
て、基板支持台21を段階的に(あるいは無段階に)上
昇させる。これにより、バット26による基板Wの囲い
具合を緩めていく。例えば、図15に示す最終段階で
は、基板Wの上面がバット26の側壁板26bの上端よ
りも高くなっている。
As time elapses and drying of the substrate W proceeds, the substrate support 21 is raised stepwise (or steplessly). Thereby, the degree of surrounding the substrate W by the bat 26 is loosened. For example, in the final stage shown in FIG. 15, the upper surface of the substrate W is higher than the upper end of the side wall plate 26b of the bat 26.

【0093】<装置の特徴>ここでは、基板支持台21
が次第に上昇するため、バット26による基板の囲い具
合が次第に緩まっていく。すなわち、基板Wの乾燥が進
むにしたがって基板Wの囲い具合が緩まるため、乾燥初
期に発生し易い乾燥ムラが抑えられるとともに、乾燥後
半には清浄空気の流れが強まり乾燥時間が短くなる。
<Features of Apparatus> Here, the substrate support 21
Gradually rises, so that the surrounding condition of the substrate by the bat 26 gradually loosens. That is, as the drying of the substrate W progresses, the surrounding condition of the substrate W is loosened, so that drying unevenness that is likely to occur in the early stage of drying is suppressed, and the flow of clean air is increased in the latter half of drying, so that the drying time is shortened.

【0094】また、基板支持台21が上昇するにしたが
って基板Wがエアー供給装置30のHEPAフィルター
31に近づくため、清浄空気の流れがより強まってい
く。これも、乾燥後半の乾燥時間の短縮に寄与する。
Further, as the substrate support 21 rises, the substrate W approaches the HEPA filter 31 of the air supply device 30, so that the flow of the clean air further increases. This also contributes to shortening the drying time in the latter half of drying.

【0095】なお、本実施形態の構成(基板支持台21
を乾燥中に上昇させる構成)は、ガラス基板ではなくプ
リント基板等のように基板支持台21を移動させる構造
を採りやすい場合に、特に採用し易い構成である。
The configuration of the present embodiment (the substrate support 21
Is a configuration that is particularly easy to adopt when it is easy to adopt a structure for moving the substrate support 21 such as a printed board instead of a glass substrate.

【0096】[第6実施形態]上記第1実施形態では乾
燥中のバット26の下降、上記第5実施形態では乾燥中
の基板支持台21の上昇によって、バット26による基
板Wの囲い具合を緩め、乾燥の進行にしたがって基板W
の周囲の清浄空気の流れが次第に強まるようにしている
が、これに代えて、バット26の下部空間の排気を制御
することによって同様の効果を得ることができる。
[Sixth Embodiment] In the first embodiment, the bat 26 is lowered during drying, and in the fifth embodiment, the substrate support table 21 is raised during drying, thereby loosening the surrounding state of the substrate W by the bat 26. , The substrate W as the drying proceeds
The flow of the clean air around the bat 26 is gradually increased, but the same effect can be obtained by controlling the exhaust of the lower space of the bat 26 instead.

【0097】<乾燥促進処理部の構成>本実施形態の装
置は、図16に示すように、バット26の下部空間から
排気を行う排気機構50を備えている。排気機構50
は、排気管51と、排気用ジャバラ52と、自動制御ダ
ンパー53と、図示しない排気ファンとを有している。
<Structure of Drying Acceleration Processing Unit> The apparatus of this embodiment is provided with an exhaust mechanism 50 for exhausting air from the space below the bat 26 as shown in FIG. Exhaust mechanism 50
Has an exhaust pipe 51, an exhaust bellows 52, an automatic control damper 53, and an exhaust fan (not shown).

【0098】排気管51は、排気ファンに接続されてい
る。この排気管51の端部には、排気用ジャバラ52の
一端が接続される。排気用ジャバラ52は、バット26
の底面板26aに設けられた複数の穴と排気管51とを
つないでいる。また、排気管51は、排気用ジャバラ5
2と排気ファンとの間に配置される自動制御ダンパー5
3を内蔵している。自動制御ダンパー53は、図示しな
い制御部により開度調整が為されるものであり、バット
26の下部空間からの排気量を0から次第に増やすこと
ができる。
The exhaust pipe 51 is connected to an exhaust fan. One end of an exhaust bellows 52 is connected to an end of the exhaust pipe 51. The bellows 52 for exhausting the bat 26
Are connected to a plurality of holes provided in the bottom plate 26a. The exhaust pipe 51 is provided with the bellows 5 for exhaust.
Automatically controlled damper 5 arranged between 2 and the exhaust fan
3 built-in. The opening degree of the automatic control damper 53 is adjusted by a control unit (not shown), and the displacement from the lower space of the bat 26 can be gradually increased from zero.

【0099】<乾燥促進処理部の制御・動作>本実施形
態の装置では、基板乾燥中には基板支持台21とバット
26との相対移動をさせず、バット26の下部空間の排
気を制御することによって、基板Wの周囲の清浄空気の
流れを次第に強めていく。具体的には、図18(a)、
又は図18(b)に示す排気カーブとなるように排気を
制御する。
<Control / Operation of Drying Acceleration Processing Unit> In the apparatus of the present embodiment, the exhaust of the lower space of the bat 26 is controlled without relative movement between the substrate support 21 and the bat 26 during substrate drying. As a result, the flow of clean air around the substrate W is gradually increased. Specifically, FIG.
Alternatively, the exhaust gas is controlled so as to have an exhaust curve shown in FIG.

【0100】時刻t1までの基板搬入時、及び時刻t1
から時刻t2までの初期乾燥時においては、排気量は0
とする。このときには、図16に示すように、自動制御
ダンパー53は全閉状態である。したがって、初期乾燥
時においては、図16に示すように、HEPAフィルタ
ー31から下向きに流れる清浄空気は、基板Wよりも下
方には殆ど流れず、基板W上で渦状の弱い乱流となる。
At the time of carrying in the substrate until time t1, and at time t1
During the initial drying from time t2 to time t2, the displacement is 0
And At this time, as shown in FIG. 16, the automatic control damper 53 is in the fully closed state. Therefore, at the time of initial drying, as shown in FIG. 16, the clean air flowing downward from the HEPA filter 31 hardly flows below the substrate W, and becomes a vortex-like weak turbulent flow on the substrate W.

【0101】時刻t2から時刻t3にかけては、自動制
御ダンパー53の開度を開けていって、徐々に排気量を
増やす。これに伴い、基板Wの周囲の清浄空気の流れも
次第に速くなり、HEPAフィルター31からの清浄空
気の一部がバット26の側壁板26bと基板Wの端面と
の間をすり抜けて、バット26の下部空間から排気管5
1へと流れるようになる。
From time t2 to time t3, the opening degree of the automatic control damper 53 is increased, and the exhaust amount is gradually increased. Accordingly, the flow of the clean air around the substrate W also gradually increases, and a portion of the clean air from the HEPA filter 31 passes through between the side wall plate 26b of the bat 26 and the end surface of the substrate W, and Exhaust pipe 5 from lower space
It will flow to 1.

【0102】そして、時刻t3近くになると、図17に
示すように、自動制御ダンパー53の開度がほぼ全開状
態となり、基板Wの周囲の清浄空気の流れがかなり速く
なる。
Then, near time t3, as shown in FIG. 17, the opening of the automatic control damper 53 is almost fully opened, and the flow of clean air around the substrate W is considerably increased.

【0103】時刻t3を過ぎると、乾燥促進処理を終え
て、排気量を0に戻す。 <装置の特徴>本装置の乾燥促進処理部では、図18に
示すように、清浄空気により基板Wを乾燥させていると
きに、基板Wの乾燥の程度に合わせて排気量を増やして
いる。すなわち、基板Wの乾燥が進んで乾燥ムラが発生
し難い段階に進んだときには、排気量を増やして基板W
の周囲の清浄空気の流れを強くし、乾燥時間の短縮を図
っている。一方、乾燥の程度が小さいときには、排気量
を0として、乾燥ムラを抑えている。
After the time t3, the drying promotion process is completed, and the displacement is returned to zero. <Characteristics of Apparatus> In the drying promotion processing unit of the present apparatus, as shown in FIG. 18, when the substrate W is dried with clean air, the exhaust amount is increased in accordance with the degree of drying of the substrate W. That is, when the drying of the substrate W progresses to a stage where the drying unevenness hardly occurs, the exhaust amount is increased and the substrate W
The flow of the clean air around is strengthened to shorten the drying time. On the other hand, when the degree of drying is small, the exhaust amount is set to 0 to suppress drying unevenness.

【0104】[第7実施形態]上記第6実施形態では、
乾燥中にバット26と基板支持台21とを相対移動させ
ることに代えてバット26の下部空間の排気を制御する
構成を採っているが、両者を組み合わせることもでき
る。
[Seventh Embodiment] In the sixth embodiment,
Although the bat 26 and the substrate support 21 are moved relative to each other during drying, the exhaust of the lower space of the bat 26 is controlled, but both may be combined.

【0105】例えば、図19に示すように、時刻t1か
ら時刻t2までの初期乾燥時においては、排気量を0と
するとともに、基板支持台21をバット26内の下部に
位置させておき、時刻t2から時刻t3にかけては、徐
々に排気量を増やしつつ、基板支持台21をバット26
内の中間部から上部へと相対移動させていくことが考え
られる。
For example, as shown in FIG. 19, during the initial drying from time t1 to time t2, the exhaust amount is set to 0, and the substrate support table 21 is positioned at the lower part in the bat 26, and From the time t2 to the time t3, the substrate support 21 is
It is conceivable to move relatively from the middle part to the top.

【0106】[第8実施形態]上記各実施形態では、角
形の基板Wに対して、平面視で角形の基板支持台21及
びバット26を想定しているが、図20に示すように、
角形の基板Wに対して円形の基板支持台121及びバッ
ト126を採用することもできる。
[Eighth Embodiment] In each of the above embodiments, a rectangular substrate support 21 and a bat 26 in plan view are assumed for a rectangular substrate W, but as shown in FIG.
For the square substrate W, a circular substrate support table 121 and a butt 126 may be employed.

【0107】なお、図20における基板支持台121の
支持ピン121bの数量は、図面を見易くするため実際
の数量よりも少なくなっている。 [第9実施形態]上記第1実施形態では、支持ピン21
b上に基板Wを載置するタイプの基板支持台21を採用
しているが、真空吸着機構を備えた基板支持台を採用す
ることもできる。この場合には、支持ピンを有する基板
支持台の場合に較べて、乾燥初期における基板Wの上面
とバットの底面板との距離を小さく設定することが容易
となる。
Note that the number of support pins 121b of the substrate support table 121 in FIG. 20 is smaller than the actual number in order to make the drawing easier to see. Ninth Embodiment In the first embodiment, the support pins 21
Although the substrate supporting table 21 of the type in which the substrate W is placed on the substrate b is employed, a substrate supporting table provided with a vacuum suction mechanism may be employed. In this case, it is easier to set the distance between the upper surface of the substrate W and the bottom plate of the bat in the initial stage of drying as compared to the case of the substrate support having the support pins.

【0108】[第10実施形態]上記第1実施形態で
は、基板支持台21とは別にバット26を設けている
が、基板支持台を利用してバットを構成することも可能
である。
[Tenth Embodiment] In the first embodiment, the bat 26 is provided separately from the substrate support 21, but the bat may be formed by using the substrate support.

【0109】図21に示す装置では、基板支持台221
の基板Wを載せる部分の外側から、側壁板226bを上
方に延ばしている。これにより、基板支持台221が底
面であり側壁板226bが側面であるバット226を構
成することができる。この場合には、基板支持台221
とバット226とが一体であるため両者を相対移動させ
るようなことはできなくなるが、極めて簡単な構成とな
りコストも安く抑えられる。
In the apparatus shown in FIG.
The side wall plate 226b extends upward from outside the portion where the substrate W is placed. Thus, a bat 226 in which the substrate support 221 is the bottom surface and the side wall plate 226b is the side surface can be configured. In this case, the substrate support 221
Since the bat 226 and the bat 226 are integrated, they cannot be moved relative to each other, but the configuration is extremely simple and the cost can be kept low.

【0110】[第11実施形態]上記第1実施形態で
は、スピンコータ部2、乾燥促進処理部3、エッジリン
ス部4の順に各ユニットを配置し、基板に対する処理も
この順序で行っているが、これに代えて、スピンコータ
部2、エッジリンス部4、乾燥促進処理部3の順にユニ
ットを配置し、この順序で基板処理を施してもよい。
[Eleventh Embodiment] In the first embodiment, the units are arranged in the order of the spin coater unit 2, the drying promotion processing unit 3, and the edge rinsing unit 4, and the processing for the substrate is performed in this order. Alternatively, the units may be arranged in the order of the spin coater 2, the edge rinsing unit 4, and the drying promotion processing unit 3, and the substrate processing may be performed in this order.

【0111】[第12実施形態]上記第1実施形態で
は、図6等に示すように、基板乾燥中は基板Wを常時基
板支持台21によって支持しているが、図22及び図2
3に示すように、バット26の内部にバット側基板支持
ピン28を設けて、基板支持台21による基板支持とバ
ット側基板支持ピン28による基板支持とが乾燥途中で
切り替わるように構成することもできる。このようにし
た場合には、基板上のレジスト膜の均一性をより良好に
保つことができる。
[Twelfth Embodiment] In the first embodiment, as shown in FIG. 6 and the like, the substrate W is always supported by the substrate support 21 during the drying of the substrate.
As shown in FIG. 3, a bat-side substrate support pin 28 may be provided inside the bat 26 so that the substrate support by the substrate support 21 and the substrate support by the bat-side substrate support pin 28 are switched during drying. it can. In this case, the uniformity of the resist film on the substrate can be kept better.

【0112】ここでは、バット26の底面板26aに、
複数のバット側基板支持ピン28を固定している。バッ
ト側基板支持ピン28は、平面的に基板支持台21の周
囲に位置しており、バット26内において基板Wを支持
することができる。
Here, the bottom plate 26a of the bat 26
A plurality of butt-side substrate support pins 28 are fixed. The butt-side substrate support pins 28 are positioned in a plane around the substrate support 21 and can support the substrate W within the bat 26.

【0113】乾燥処理の当初は、基板支持台21をバッ
ト側基板支持ピン28の上端よりも上方の高さ位置に停
止させて、基板支持台21によって基板Wをバット26
内の比較的上方の位置で支持する(図22参照)。そし
て、乾燥処理時間の概ね半分が経過したときに、図23
に示すように、基板支持台21をさらに下降させ、バッ
ト側基板支持ピン28の上端よりも下方の位置に基板支
持台21を停止させる。すると、基板Wは、基板支持台
21ではなくバット側基板支持ピン28によって支持さ
れた状態となる。
At the beginning of the drying process, the substrate support 21 is stopped at a position above the upper end of the butt-side substrate support pins 28, and the substrate W is
(See FIG. 22). Then, when approximately half of the drying processing time has elapsed, FIG.
As shown in (2), the substrate support 21 is further lowered to stop the substrate support 21 at a position below the upper end of the butt-side substrate support pin 28. Then, the substrate W is supported by the butt-side substrate support pins 28 instead of the substrate support table 21.

【0114】このように、乾燥処理時間の途中で基板W
を持ち替えて基板Wを支持する位置を変えることによ
り、基板Wに形成したレジスト膜の均一性がさらに良好
に保たれるようになる。すなわち、基板Wを長時間同じ
位置で支持していると、基板Wを支持する部材(ピンな
ど)の熱的影響が基板Wの被支持部位に及んで、その被
支持部位の近傍における膜圧が変動する恐れがあるが、
基板Wの持ち替えによって、膜圧の変動によるピン跡と
呼ばれる痕跡の発生が抑えられる。
As described above, during the drying processing time, the substrate W
By changing the position where the substrate W is supported by changing the position, the uniformity of the resist film formed on the substrate W can be maintained more favorably. In other words, if the substrate W is supported at the same position for a long time, the thermal effect of the members (pins and the like) supporting the substrate W affects the supported portion of the substrate W, and the film pressure near the supported portion is increased. May fluctuate,
By changing the substrate W, the occurrence of a trace called a pin trace due to a change in the film pressure is suppressed.

【0115】なお、図22及び図23では乾燥処理時間
の途中に1回だけ基板Wの持ち替えを行う例を示してい
るが、複数組のバット側基板支持ピン28を配備して、
それぞれの組ごとに昇降を可能にするような構成を採る
ことも可能である。そして、初めは基板Wを第1の組で
支持して、次に第2の組で基板Wを支持するようにすれ
ば、2回以上の基板Wの持ち替えを行えるようになり、
膜圧変動の発生がより確実に抑制される。
Although FIGS. 22 and 23 show an example in which the substrate W is changed only once during the drying processing time, a plurality of sets of the bat side substrate support pins 28 are provided.
It is also possible to adopt a configuration that enables ascending and descending for each pair. If the substrate W is first supported by the first set and then the substrate W is supported by the second set, the substrate W can be changed more than once,
Occurrence of membrane pressure fluctuation is more reliably suppressed.

【0116】[0116]

【発明の効果】本発明では、乾燥促進処理部において、
上方から清浄空気を当てる基板の下方及び側方をバット
で囲っているため、多少基板に当てる清浄空気の流速を
速めても、基板の周囲部において内側から外側に向かう
横風が殆ど発生しなくなり、乾燥時における基板上の塗
布液の乾燥ムラが抑制される。
According to the present invention, in the drying acceleration processing section,
Since the bat surrounds the lower side and the side of the substrate to which the clean air is applied from above, even if the flow rate of the clean air applied to the substrate is slightly increased, the cross wind from the inside to the outside hardly occurs around the substrate, Drying unevenness of the coating liquid on the substrate during drying is suppressed.

【0117】なお、本発明は、液晶表示装置用ガラス基
板を対象とする基板処理装置/基板乾燥方法の他、半導
体ウェハ、PDP用ガラス基板などの各被処理基板に対
する基板処理装置/基板乾燥方法にも適用することがで
きる。
The present invention is not limited to a substrate processing apparatus / substrate drying method for a glass substrate for a liquid crystal display device, and a substrate processing apparatus / substrate drying method for each target substrate such as a semiconductor wafer and a PDP glass substrate. Can also be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態における基板処理装置の概
略構成図。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】クリーンルームの概略図。FIG. 2 is a schematic diagram of a clean room.

【図3】乾燥促進処理部のエアー供給装置の概略図。FIG. 3 is a schematic diagram of an air supply device of a drying acceleration processing unit.

【図4】乾燥促進処理部の基板支持台及びバット周辺の
概略図。
FIG. 4 is a schematic view of the periphery of a substrate support and a bat in a drying promotion processing unit.

【図5】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。FIG. 5 is an operation diagram of the drying promotion processing unit when the substrate is dried.

【図6】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。FIG. 6 is an operation diagram of the drying promotion processing unit when the substrate is dried.

【図7】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。FIG. 7 is an operation diagram of the drying promotion processing unit when the substrate is dried.

【図8】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。FIG. 8 is an operation diagram of the drying promotion processing unit when the substrate is dried.

【図9】乾燥促進処理部の基板乾燥時の動作図。FIG. 9 is an operation diagram of the drying promotion processing unit when the substrate is dried.

【図10】バットがない場合の基板乾燥の状態を表す
図。
FIG. 10 is a diagram illustrating a state of substrate drying when there is no bat.

【図11】第4実施形態のエアー供給装置の概略図。FIG. 11 is a schematic diagram of an air supply device according to a fourth embodiment.

【図12】第5実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時
の動作図。
FIG. 12 is an operation diagram of a drying promotion processing unit according to a fifth embodiment when a substrate is dried.

【図13】第5実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時
の動作図。
FIG. 13 is an operation diagram of the drying promotion processing unit according to the fifth embodiment when the substrate is dried.

【図14】第5実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時
の動作図。
FIG. 14 is an operation diagram of the drying promotion processing unit according to the fifth embodiment when the substrate is dried.

【図15】第5実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時
の動作図。
FIG. 15 is an operation diagram of the drying promotion processing unit according to the fifth embodiment when the substrate is dried.

【図16】第6実施形態の乾燥処理促進部の概略図。FIG. 16 is a schematic diagram of a drying processing accelerating unit according to a sixth embodiment.

【図17】第6実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時
の動作図。
FIG. 17 is an operation diagram of the drying promotion processing unit according to the sixth embodiment when the substrate is dried.

【図18】第6実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時
における排気カーブを示す図。
FIG. 18 is a diagram illustrating an exhaust curve when a substrate is dried by a drying promotion processing unit according to a sixth embodiment.

【図19】第7実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥時
における排気カーブ及び基板支持台とバットとの相対位
置を示す図。
FIG. 19 is a diagram illustrating an exhaust curve and a relative position between a substrate support and a bat when a substrate is dried in a drying promotion processing unit according to a seventh embodiment.

【図20】第8実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 20 is a schematic view of a drying promotion processing unit according to an eighth embodiment.

【図21】第10実施形態の乾燥促進処理部の概略図。FIG. 21 is a schematic diagram of a drying promotion processing unit according to a tenth embodiment.

【図22】第12実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥
時の動作図。
FIG. 22 is an operational diagram of the drying promotion processing unit according to the twelfth embodiment when drying a substrate.

【図23】第12実施形態の乾燥促進処理部の基板乾燥
時の動作図。
FIG. 23 is an operational diagram of the drying promotion processing unit according to the twelfth embodiment when drying a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 スピンコータ部(塗布処理部) 3 乾燥促進処理部 4 エッジリンス部(他処理部) 6 ベーク部 21 基板支持台 23 昇降装置(移動機構) 26 バット 26a 底面板(底面) 26b 側壁板(側壁) 26c 開口 27 昇降装置(移動機構) 28 バット側基板支持ピン(基板支持部) 29 シール部材 30 エアー供給装置(空気供給機構) 50 排気機構 W 基板 Reference Signs List 2 spin coater section (coating processing section) 3 drying promotion processing section 4 edge rinse section (other processing section) 6 bake section 21 substrate support 23 elevating device (moving mechanism) 26 bat 26a bottom plate (bottom surface) 26b side wall plate (side wall) 26c opening 27 elevating device (moving mechanism) 28 butt-side substrate supporting pin (substrate supporting portion) 29 sealing member 30 air supply device (air supply mechanism) 50 exhaust mechanism W substrate

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板に塗布液を塗布する塗布処理部と、 前記塗布液が塗布された基板に対して他の処理を行う他
処理部と、 前記塗布処理部と前記他処理部との間に配置され、基板
の下方及び側方を概ね囲うバットを有し、前記塗布液が
塗布された基板に対して上方から清浄空気を当てる乾燥
促進処理部と、を備えた基板処理装置。
A coating unit configured to apply a coating liquid to the substrate; another processing unit configured to perform another processing on the substrate coated with the coating liquid; A bat that is disposed at a side of the substrate and substantially surrounds a lower side and a side of the substrate, and a drying promotion processing unit that irradiates the substrate coated with the coating liquid with clean air from above.
【請求項2】基板の側方を囲う前記バットの側壁は、そ
の上端が基板の上面よりも10mm以上高い位置にあ
る、請求項1に記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a side wall of the bat surrounding a side of the substrate has a top end located at least 10 mm higher than an upper surface of the substrate.
【請求項3】前記バットの底面は、基板の上面から50
mm下がった位置よりも高い位置にある、請求項1又は
2に記載の基板処理装置。
3. A bottom surface of the bat is 50 degrees from an upper surface of the substrate.
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is located at a position higher than a position lowered by mm. 4.
【請求項4】前記バットは、基板を支持しつつ基板を囲
う、請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the bat surrounds the substrate while supporting the substrate.
【請求項5】前記乾燥促進処理部は、前記バットとは別
に、基板を支持する基板支持台を有している、請求項1
から3のいずれかに記載の基板処理装置。
5. The drying promotion processing section has a substrate support stand for supporting a substrate, separately from the bat.
4. The substrate processing apparatus according to any one of items 1 to 3.
【請求項6】前記バットの底面には、開口が設けられ、 前記基板支持台は、前記開口を貫通する部材に連結され
ており、 前記バットと前記基板支持台との間に配置されるシール
部材をさらに備えた、請求項5に記載の基板処理装置。
6. A bottom surface of the bat is provided with an opening, the substrate support is connected to a member penetrating the opening, and a seal disposed between the bat and the substrate support. The substrate processing apparatus according to claim 5, further comprising a member.
【請求項7】前記乾燥促進処理部は、基板に対して上方
から清浄空気を当てているときに前記バットと前記基板
支持台との相対高さ位置を変える移動機構をさらに有し
ている、(乾燥具合に合わせて徐々に変えることが望ま
しい)請求項5又は6に記載の基板処理装置。
7. The drying promotion processing unit further includes a moving mechanism for changing a relative height position between the bat and the substrate support when the substrate is exposed to clean air from above. The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein the substrate processing apparatus is preferably changed gradually in accordance with a drying condition.
【請求項8】前記移動機構による前記バットと前記基板
支持台との相対高さ位置の変化によって、基板の側方を
囲っている前記バットの側壁が、基板の側方から外れ
る、請求項7に記載の基板処理装置。
8. A side wall of the bat surrounding a side of the substrate is displaced from a side of the substrate by a change in a relative height position between the bat and the substrate support base by the moving mechanism. A substrate processing apparatus according to claim 1.
【請求項9】前記移動機構は、前記清浄空気の流れを作
る空気供給源へと次第に基板が近づくように、前記基板
支持台を上昇させる、請求項7又は8に記載の基板処理
装置。
9. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the moving mechanism raises the substrate support so that the substrate gradually approaches an air supply source that generates the flow of the clean air.
【請求項10】前記乾燥促進処理部は、基板を支持する
基板支持部を、前記基板支持台とは別に有しており、 前記移動機構による前記バットと前記基板支持台との相
対高さ位置の変化によって、前記基板支持台による基板
の支持と前記基板支持部による基板の支持とが切り替わ
る、請求項7から9のいずれかに記載の基板処理装置。
10. The drying promotion processing section has a substrate supporting section for supporting a substrate separately from the substrate supporting table, and a relative height position between the bat and the substrate supporting table by the moving mechanism. The substrate processing apparatus according to any one of claims 7 to 9, wherein the change in the state switches between support of the substrate by the substrate support and support of the substrate by the substrate support.
【請求項11】前記乾燥促進処理部は、前記バットの基
板よりも下方にある下部空間を排気する排気機構をさら
に有しており、 前記排気機構は、基板に対して上方から清浄空気を当て
ているときに、基板の乾燥の程度に合わせて排気量を増
やす、請求項1から10のいずれかに記載の基板処理装
置。
11. The drying promotion processing unit further includes an exhaust mechanism for exhausting a lower space below the substrate of the bat, and the exhaust mechanism applies clean air to the substrate from above. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the amount of exhaust is increased in accordance with the degree of drying of the substrate during the operation.
【請求項12】前記乾燥促進処理部は、上方から基板に
対して前記清浄空気を流す空気供給機構をさらに有して
いる、請求項1から11のいずれかに記載の基板処理装
置。
12. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the drying promotion processing unit further includes an air supply mechanism for flowing the clean air from above to the substrate.
【請求項13】前記空気供給機構は、前記清浄空気の高
温化、低湿度化、及び低溶剤濃度化の少なくとも1つを
行うことができる、請求項12に記載の基板処理装置。
13. The substrate processing apparatus according to claim 12, wherein said air supply mechanism can perform at least one of a higher temperature, a lower humidity, and a lower solvent concentration of said clean air.
【請求項14】塗布液の塗布処理を終えた基板を他の処
理前に乾燥させる乾燥処理において用いる基板乾燥方法
であって、 基板に対して清浄空気を当てる第1工程と、 前記清浄空気の供給源と基板との相対距離を次第に縮め
る、あるいは前記清浄空気の流れを作る空気供給源を次
第に強めることにより、基板周囲の前記清浄空気の流れ
を次第に速める第2工程と、を備えた基板乾燥方法。
14. A substrate drying method used in a drying process for drying a substrate after a coating process of a coating solution before another process, wherein a first step of applying clean air to the substrate; A second step of gradually reducing the relative distance between the supply source and the substrate or gradually increasing the air supply source for producing the flow of the clean air to gradually increase the flow of the clean air around the substrate. Method.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275275A (en) * 2004-03-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp Dryer, drying method, method for manufacturing organic electroluminescence device, method for manufacturing color filter, organic electroluminescence device, and liquid crystal device
JP2011049353A (en) * 2009-08-27 2011-03-10 Tokyo Electron Ltd Application film forming method, program, computer storage medium, and substrate processing system
JP2014175638A (en) * 2013-03-13 2014-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment equipment and heat treatment method
JP2021012899A (en) * 2019-07-03 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate heat treatment apparatus, substrate heat treatment method, and storage medium

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61131529A (en) * 1984-11-30 1986-06-19 Nec Corp Method for coating resist
JPH09205062A (en) * 1996-01-26 1997-08-05 Tokyo Electron Ltd Resist coater
JPH11226479A (en) * 1998-02-18 1999-08-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Stage swiveling device and substrate treating system
JPH11309407A (en) * 1998-04-30 1999-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating system
JP2000012427A (en) * 1998-06-18 2000-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and device for treating substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61131529A (en) * 1984-11-30 1986-06-19 Nec Corp Method for coating resist
JPH09205062A (en) * 1996-01-26 1997-08-05 Tokyo Electron Ltd Resist coater
JPH11226479A (en) * 1998-02-18 1999-08-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Stage swiveling device and substrate treating system
JPH11309407A (en) * 1998-04-30 1999-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treating system
JP2000012427A (en) * 1998-06-18 2000-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and device for treating substrate

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005275275A (en) * 2004-03-26 2005-10-06 Seiko Epson Corp Dryer, drying method, method for manufacturing organic electroluminescence device, method for manufacturing color filter, organic electroluminescence device, and liquid crystal device
JP2011049353A (en) * 2009-08-27 2011-03-10 Tokyo Electron Ltd Application film forming method, program, computer storage medium, and substrate processing system
JP2014175638A (en) * 2013-03-13 2014-09-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment equipment and heat treatment method
JP2021012899A (en) * 2019-07-03 2021-02-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate heat treatment apparatus, substrate heat treatment method, and storage medium

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